発光装置及びその駆動方法、並びに電子機器
【課題】 有機ＥＬ素子がどのような発光階調で発光しても、発光輝度にバラツキを生じさせない。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Ｐと、制御回路ＣＵとを備える。制御回路ＣＵは、移動度補償期間において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにすることで移動度補償動作を実行する。オフセット電位書込期間において、データ電位の値に応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該データ電位Ｖｄに加えた値の電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定する。データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合はオフセット電位を正の値に設定し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は負の値に設定する。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Ｐと、制御回路ＣＵとを備える。制御回路ＣＵは、移動度補償期間において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにすることで移動度補償動作を実行する。オフセット電位書込期間において、データ電位の値に応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該データ電位Ｖｄに加えた値の電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定する。データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合はオフセット電位を正の値に設定し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は負の値に設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等を含む発光装置及びその駆動方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これに起因して、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１乃至３に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【特許文献２】特開２００８−１９１２９６号公報
【特許文献３】特開２００８−２５６９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては、例えば、駆動トランジスタのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その１つに、前記駆動トランジスタの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機ＥＬ素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスタを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスタの各々の特性がばらつけば、各有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
【０００５】
前記の特許文献１乃至３は、このような問題に対処する技術を開示する。すなわち、特許文献１は「閾電圧」「移動度」に着目し（特許文献１の〔０００４〕）、特許文献２は、「最適な移動度補正時間が短い場合」を主に念頭におき、この時間を延長化することによって、入力信号電圧の書込パルスのパルス幅がばらつくことによる「補正時間のばらつきを相対的に小さくし、輝度ばらつきを抑える」技術の提供を目指す（以上「」内は、特許文献２の〔００１７〕〔００１８〕）。
また、特許文献３は、「映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖｓｉｇに依存する」移動度補正処理を最適化する技術の提供を目的とする（特許文献３の〔００１５〕〜〔００１７〕）。
【０００６】
これら各文献によれば、前述した移動度のバラツキに関して一定の効果がもたらされる。しかしながら、そのような移動度補償（上記各文献では「補正」）が行われたとしても、なお残る課題がある。例えば、いわば、移動度補償の階調依存性ともいうべき問題である。すなわち、移動度補償を一定の期間、一定の手順で行ったとしても、その移動度補償動作によって、有機ＥＬ素子がある特定の階調において発光する場合においては発光輝度のバラツキを効果的に抑制することが可能であるものの、他の階調において発光する場合には、そうはならない場合がある。
また、移動度補償動作は、有機ＥＬ素子に供給する電流量に制約を設けることと考えることも可能であるから、所望の発光輝度の実現、特に、より高い発光輝度の実現に困難を生じさせるおそれもある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な発光装置及びその駆動方法、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る発光装置は、画素回路と、画素回路の駆動を制御する制御部とを具備し、画素回路は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、駆動トランジスタのゲートとデータ線との間に配置される第１スイッチング素子と、を備え、制御部は、第１期間（例えば図３に示す書込期間）において、第１スイッチング素子をオン状態に設定するとともに、データ線に供給する電位を当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位に設定することで、容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間（例えば図３に示す移動度補償期間）において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるように制御し、第２期間の後の第３期間（例えば図３に示すオフセット電位書込期間）において、データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、データ線に供給する電位として設定する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、データ線に供給する電位として設定することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、第３期間の後の第４期間（例えば図３に示す発光期間）において、第１スイッチング素子をオフ状態に設定することで、駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位を、前記発光素子が発光するように変化させる。
【０００９】
本発明においては、第２期間（移動度補償期間）において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れることで、当該駆動トランジスタの移動度が補償される。上述したように、所定の時間長に定められた第２期間において駆動トランジスタの移動度の補償が有効に行われるのは画素回路の指定階調が特定の階調（「基準階調」）である場合に限られ、他の階調が指定された場合は、駆動トランジスタの移動度補償を有効に行うことは困難である。ただし、本発明においては、第２期間の後の第３期間（オフセット電位書込期間）において、データ電位に応じたオフセット電位を当該データ電位に加えて駆動トランジスタのゲートへ供給することで、容量素子の両端間の電圧（駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧）が、当該駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定されるから、画素回路の指定階調が如何なる階調であっても、当該画素回路における駆動トランジスタの移動度を有効に補償することができる。
【００１０】
ここで、データ電位に対応する指定階調が上述の基準階調よりも高い階調を示すものである場合、第２期間において駆動トランジスタを流れる電流量は、画素回路の指定階調が基準階調である場合に比べて増大し、第２期間の時間長よりも短い時間長で移動度の補償が完了する。すなわち、移動度が補償された電流が駆動トランジスタを流れるのは、第２期間の終点よりも前の時点となる。その後も第２期間の終点が到来するまでの期間、電流が流れ続けることによって、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧は経時的に減少し続けるため、第２期間の終点にて駆動トランジスタを流れる電流は、駆動トランジスタの移動度が補償された電流よりも小さい値となる。本発明は、この点に着目し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、データ電位に加えるオフセット電位を正の値とすることで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を上昇させて、当該電圧を、当該駆動トランジスタの移動度が補償された電流が流れるような値に近づけることができる。
一方、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、第２期間において駆動トランジスタを流れる電流量が、画素回路の指定階調が基準階調である場合に比べて減少し、当該駆動トランジスタの移動度の補償が完了するまでには第２期間の時間長よりも長い時間長が必要となる。つまり、第２期間の時間長の終点にて駆動トランジスタを流れる電流は、駆動トランジスタの移動度が補償された電流よりも大きい値となる。本発明は、この点に着目し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、データ電位に加えるオフセット電位を負の値とすることで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を減少させて、当該電圧を、当該駆動トランジスタの移動度が補償された電流が流れるような値に近づけることができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置の態様として、画素回路は、発光素子および駆動トランジスタと直列に接続される発光制御トランジスタをさらに備え、制御部は、第１期間および第３期間において発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、第２期間および第４期間において発光制御トランジスタをオン状態に設定し、第１期間、第２期間および第３期間における駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位は、発光素子が非発光となるような値に設定される。発光期間の開始前の期間（例えば補償期間や書込期間などに相当する期間）において発光素子が発光してしまうと、表示画像のコントラストが低下するという問題があるところ、この態様によれば、発光期間の開始前の期間にて発光素子が確実にオフ状態（非発光状態）に維持される。したがって、表示画像のコントラストの低下を抑制できるという利点がある。
【００１２】
本発明に係る発光装置の態様として、基準階調に対応するデータ電位の値は、当該画素回路における駆動トランジスタの特性と、第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される。より具体的には、基準階調に対応するデータ電位は以下の式で表現される。
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＝（２×Ｃ２）／（β×Δｔ×Ｃｅｌ）
上記の式において、Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は基準階調に対応するデータ電位であり、Ｃは当該画素回路における容量素子の容量と発光素子に付随する容量との和であり、βは、β＝（Ｗ×μ×Ｃox）／Ｌの形で表される駆動トランジスタの特性を示すパラメータである（Ｗ：チャネル幅、μ：移動度、Ｃox：単位面積当たりのゲート容量、Ｌ：チャネル長）。また、Δｔは第２期間（移動度補償期間）の時間長であり、Ｃｅｌは発光素子に付随する容量である。
【００１３】
本発明に係る発光装置の態様として、データ電位が基準階調に対応するデータ電位よりも低い反転基準電位を下回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は反比例の関係になり、データ電位が反転基準電位を上回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は比例関係になる。そして、反転基準電位の値は、当該画素回路における駆動トランジスタの特性と、第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される。より具体的には、反転基準電位は以下の式で表現される。
Ｖre＝（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）
上記の式において、Ｖreは反転基準電位である。
さらに詳述すると、データ電位とオフセット電位との関係は以下の式で表現される。
上記の式において、Ｖｏｆｆｓｅｔはオフセット電位であり、Ｖｄはデータ電位である。また、上記の式において、β×Δｔ×（Ｃｅｌ／Ｃ）＝α1、２Ｃ＝α2とすると、α1は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11を満たすように設定され、α2は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12を満たすように設定される。
【００１４】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成する構成の画像形成装置（印刷装置）においては、像担持体を露光する手段（いわゆる露光ヘッド）として本発明の発光装置を採用することもできる。
【００１５】
本発明は、発光装置を駆動する方法としても特定される。本発明に係る駆動方法は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、を含む画素回路を備える発光装置の駆動方法であって、第１期間において、当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位を駆動トランジスタのゲートへ供給することで、容量素子の両端間の電圧をデータ電位に応じた値に設定し、第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにし、第２期間の後の第３期間において、データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を駆動トランジスタのゲートに供給する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、第３期間の後の第４期間において、駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位を発光素子が発光するように変化させる。以上の駆動方法によっても本発明に係る発光装置と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図２の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方を説明するための説明図である。
【図５】移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図６】データ電位に対する、発光輝度バラツキの程度を示すグラフである。
【図７】駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧に対する、ドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図８】個々のデータ電位に対応する好適なオフセット電圧の算出例を示すグラフである。
【図９】図８に示す、個々のデータ電位に対応したオフセット電位の書込動作を行った場合における、当該個々のデータ電位の対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである。
【図１０】各種パラメータの条件を示す図である。
【図１１】データ電位とオフセット電位との関係を示す図である。
【図１２】移動度補償及びオフセット電位書込動作の実行後における、データ電位に対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流のバラツキの程度を示すグラフである。
【図１３】オフセット電位の書込みを伴わず、移動度補償動作だけを実行した場合における、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１４】一定値に固定されたオフセット電位の書込みを伴う移動度補償を実行した場合における、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１５】データ電位に応じたオフセット電位を書込む場合、オフセット電位を書込まない場合、及び一定値に固定されたオフセット電位を書込む場合それぞれにおける、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流のバラツキの程度との関係を示すグラフである。
【図１６】図１５の３つの場合それぞれにおける、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１７】図８に示す曲線（Ｋ１５）を近似する直線の例を説明するための説明図である。
【図１８】図８に示す曲線（Ｋ１５）を微分した曲線を示す図である。
【図１９】図８に示す曲線（Ｋ１５）を近似する曲線（Ｔａｙｌｏｒ展開）の例を説明するための説明図である。
【図２０】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
以下では、本発明に係る実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００１８】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０６、並びに制御回路ＣＵである。
【００１９】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２０】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。各走査線３と各データ線６との各交差に対応する位置には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む画素回路Ｐが配置されている。なお、電源線１１３は、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
【００２１】
前記のうち走査線駆動回路１０３は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路１０３によって選択された走査線３に対応する各画素回路Ｐに向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。例えば、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦Ｍを満たす整数）の走査線３が選択されるときに第ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦Ｎを満たす整数）のデータ線６に出力されるデータ電位Ｖｄは、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの指定階調に対応する電位となる。
制御回路ＣＵは、各画素回路Ｐの駆動を制御するための手段である。より具体的には、制御回路ＣＵは、走査線駆動回路１０３およびデータ線駆動回路１０６を制御して、走査線３の選択順序、あるいはデータ信号の供給タイミング等を決定する。なお、この制御回路ＣＵには、図１に示すようにオフセット電位演算部ＯＶＣが内蔵されている。このオフセット電位演算部ＯＶＣは、後述するオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔに関わるが、その点についての説明は後述する。
【００２２】
図２に示すように、画素回路Ｐは、有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスタＴｄｒ、発光制御トランジスタＴｅｌ、第１〜第３トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３、及び容量素子Ｃ１を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。各配線には走査線駆動回路１０３から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２、及び発光制御信号ＧＥＬが供給される。本実施形態では、例えば第ｉ行の各配線に供給される信号を、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]と表記する。走査線駆動回路１０３からの所定の信号が各配線に供給されるタイミングや各信号のレベルは制御回路ＣＵによって決定される。
【００２３】
駆動トランジスタＴｄｒはｎチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスタＴｄｒのドレイン（Ｄ）は発光制御トランジスタＴｅｌのソースに接続される。
この駆動トランジスタＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖｇに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流Ｉｅｌを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ電位Ｖｄの大きさに応じた値に設定される。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスタＴｄｒの導通状態、ないしはデータ電位Ｖｄに応じて駆動される。なお、図２に示すように、有機ＥＬ素子８には容量Ｃｅｌが付随する。
【００２４】
発光制御トランジスタＴｅｌはｐチャネル型であり、駆動トランジスタＴｄｒと電源線１１３との間にある。この発光制御トランジスタＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。この発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルである場合には発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、この発光制御トランジスタＴｅｌおよび駆動トランジスタＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。
【００２５】
容量素子Ｃ１は、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ｃｇｓである。この容量素子Ｃ１の一方の電極（図中上方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのゲートに接続される。また、容量素子Ｃ１の他方の電極（図中下方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのソース（Ｓ）に接続されるとともに、後述する第３トランジスタＴｒ３のソースにも接続される。
【００２６】
第１トランジスタＴｒ１は、ノードＺ１（駆動トランジスタＴｄｒのゲート）とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスタＴｒ１のゲートには前述の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスタＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶＳＴが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスタＴｒ２のゲートには前述の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスタＴｒ３は、初期化電位ＶＩＮＩの電位線と駆動トランジスタＴｄｒのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスタＴｒ３のゲートには前述の第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。
【００２７】
次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００の動作ないし作用について、既に参照した図１及び図２に加えて図３を参照しながら説明する。以下では、第ｉ行の第ｊ列目の画素回路Ｐに着目しながら、画素回路Ｐの具体的な動作を説明する。
（１）初期化
図３に示す初期化期間が開始すると、制御回路ＣＵは、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]および第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]をハイレベルに設定する。したがって、第２トランジスタＴｒ２および第３トランジスタＴｒ３がＯＮ状態となる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓはそれぞれ、図３に示すように下落して、初期化電位ＶＳＴとＶＩＮＩになる。本実施形態では、初期化電位ＶＳＴおよびＶＩＮＩの両者の差分の電圧が駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈを充分に上回るように設定される。また、初期化電位ＶＩＮＩ（初期化期間における駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）は、当該初期化電位ＶＩＮＩと低電源電位ＶＣＴとの電位差（すなわち有機ＥＬ素子８に付随する容量Ｃｅｌの両端間の電圧）が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。
なお、画素回路Ｐは、いま述べている（１）初期化から、後に述べる（７）発光までの各動作を繰り返し行う。（１）の初期化動作は、最後の（７）の発光動作が終わった後、即ち発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図３の最左方に示される、前記ソース電位Ｖｓの下落に先立つ、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方の下落は、そのような発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の遷移に対応している。
【００２８】
（２）Ｖｔｈ補償
初期化期間の後の補償期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。これにより、第３トランジスタＴｒ３がＯＦＦ状態となり、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。このことから、ソース電位Ｖｓは初期化電位ＶＩＮＩの供給から開放されることになる。そして、駆動トランジスタＴｄｒ及び電源線１１３間は導通状態となるから、電源線１１３からの電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れて駆動トランジスタＴｄｒのソース電位Ｖｓは、図３に示すように上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位Ｖｇは初期化電位ＶＳＴに維持されるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は徐々に減少していき、駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈに漸近していく。すなわち、補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、閾値電圧Ｖｔｈに漸近させる補償動作が実行される。
【００２９】
補償期間の終点において、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈにほぼ等しくなるから、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは電位ＶＳＴ（ゲートの電位Ｖｇ）よりも閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電位ＶＳＴ−Ｖｔｈに設定される。本実施形態において、この電位ＶＳＴ−Ｖｔｈは、容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。すなわち、補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒと有機ＥＬ素子８との接続点の電位（ここでは駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）が、有機ＥＬ素子８が非発光となるような値に設定され、有機ＥＬ素子８はオフ状態（非発光状態）となる。
【００３０】
（３）保持
補償期間の後の保持期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]をローレベル、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をハイレベルに設定する。これにより、第２トランジスタＴｒ２および発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態になる。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートは電気的にフローティング状態となり、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）は、補償期間の終点における電圧（すなわちＶｔｈ）を維持する。
【００３１】
（４）データ書込
保持期間の後の書込期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベルに設定し、データ線６に供給するデータ電位Ｖｄを画素回路Ｐの指定階調に応じた電位Ｖｄａｔａに設定する。これにより、第１トランジスタＴｒ１がＯＮ状態となるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲートはデータ線６に導通する。これにより、画素回路ＰにおけるノードＺ１の電位、即ちゲートの電位Ｖｇは、データ線６に出力されたデータ電位Ｖｄａｔａに応じた電位に設定される。このとき、ゲートの電位Ｖｇは、当該データ電位Ｖｄａｔａの足し込み分に応じた電圧だけ変動するから、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧は、図３に示すようにＶｔｈ＋Ｖｄａｔａ’となる。つまり、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）は、データ電位Ｖｄａｔａに応じた値に設定される。ここでＶｄａｔａ’＝Ｖｄａｔａ・（Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃｇｓ））となる。この式中、Ｃｅｌは、有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量の容量値である。
【００３２】
（５）移動度補償
書込期間の後の移動度補償期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベル、データ線６に供給するデータ電位Ｖｄを前述の電位Ｖｄａｔａに維持したまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となることで、電流経路が形成され、書込期間の終点にて容量素子Ｃ１に保持された電圧Ｖｔｈ＋Ｖｄａｔａ’に応じた電流、つまり、データ電位Ｖｄａｔａに応じた電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓが上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給され続けるから、ゲート・ソース間の電圧は経時的に減少する。図３においては、ソース電位Ｖｓの上昇後のゲート・ソース間電圧がＶｔｈ＋Ｖａになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Ｖｓの上昇分が、“Ｖｄａｔａ’−Ｖａ”と表現可能であることを意味する。
このようなソース電位Ｖｓの上昇、ないしはゲート・ソース間で電圧の下降の程度は、一般に、各画素回路Ｐに含まれる駆動トランジスタＴｄｒの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスタＴｄｒでは、当該駆動トランジスタを流れる電流の量が大きいためにソース電位Ｖｓの上昇量は大きい。したがって、当該駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧の降下量は大きい。一方、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、当該駆動トランジスタを流れる電流の量が小さいためにソース電位Ｖｓの上昇量は小さい。したがって、当該駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧の降下量は小さい。以上のように、この（５）における動作では、選択された行に属するＭ個の画素回路Ｐの各々の駆動トランジスタＴｄｒの移動度補償が行われることになる。
【００３３】
なお、移動度補償期間の終点における駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは、容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。したがって、移動度補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒはオン状態となり、有機ＥＬ素子８はオフ状態（非発光状態）となる。
【００３４】
（６）オフセット電位書込
移動度補償期間の後のオフセット電位書込期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベルに維持したまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をハイレベルに設定する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態となる。この際、制御回路ＣＵは、データ線６に供給する電位を、前述の電位Ｖｄａｔａの値に応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該電位Ｖｄａｔａに加えた値（即ち、Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ（図３参照））に設定する。これにより、ノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、当該オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの足し込み分に応じて変動する。この際、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方が上昇しているが、図３においては、この変動によって、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧が、最終的にはＶｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓとなることが表現されている。ΔＶｇｓの値は、容量素子Ｃ１及び有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量（図３の破線参照）の影響によって定まり、具体的には、ΔＶｇｓ＝Ｖｏｆｆｓｅｔ×（Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃｇｓ））となる。ここで、Ｃｅｌは、前記寄生容量の容量値である。
なお、ここに述べたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方、あるいはその意義・作用・効果等については、後に改めて説明する。
【００３５】
（７）発光
オフセット電位書込期間の後の発光期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。したがって、第１トランジスタＴｒ１がＯＦＦ状態となる一方、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８には、前述のオフセット電位書込期間にて容量素子Ｃ１に保持された電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに応じた大きさの電流が流れる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは経時的に上昇する。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートは電気的なフローティング状態であるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲートの電位Ｖｇはソースの電位Ｖｓに連動して上昇する。そして、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧（容量素子Ｃ１の両端間の電圧）が電圧Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに維持されたまま、有機ＥＬ素子８に付随する容量Ｃｅｌの両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）が徐々に増加する。容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧に到達すると、電圧Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに対応する電流が駆動電流Ｉelとして有機ＥＬ素子８を流れる。有機ＥＬ素子８は、駆動電流Ｉelの電流量に応じた輝度で発光する。
【００３６】
次に、前述したオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの詳細について、既に参照した図１乃至図３に加えて、図４以降の各図面を参照しながら説明する。
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、好適には、以下のようにして定められる。
まず、図４の左方及び特に図５に示すように、前述の（５）の移動度補償動作は、所定の時間長Ｔ（図では、「移動度補償期間」）にわたって行われる（図３も参照）。この移動度補償期間の時間長は装置全体に関わる事情を含めて種々の事情によって定められるが、一般的には、図５に示すように、移動度補償を実行する時間長と駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係、及び、この関係と各単位回路Ｐに含まれる各駆動トランジスタＴｄｒがもつ移動度のバラツキとの関係、から、定められる。図５においては、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕からＴｄｒ〔Ｃ〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に係る曲線のすべてが、たまたま交差する０．５〔μｓ〕付近に、最適な移動度補償期間Ｔが定められる様子が表現されている。
【００３７】
このような移動度補償期間Ｔにわたって移動度補償が実行されれば、たしかに各駆動トランジスタＴｄｒの移動度バラツキによる発光輝度バラツキは抑制される。しかし、それがあてはまるのは、ある特定の発光階調について、に限られる。図６は、その事情を表現している。すなわち、図６では、移動度補償期間Ｔにわたって移動度補償が行われると、データ電位Ｖｄａｔａ＝１〔Ｖ〕のとき（即ち、このデータ電位１〔Ｖ〕に対応する駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子８に流れる場合の発光階調で当該有機ＥＬ素子８が発光するとき）には、極めて実効的にバラツキが抑制されるのに対して、データ電位Ｖｄａｔａがそれ以外の値をとる場合はバラツキ抑制の程度は悪化することが示されている。なお、図６の縦軸の「バラツキ」は、駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの最小値・最大値を用いた、（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）に基づいて定められている。
【００３８】
図４の左方においても、このような事情が表現されている。なお、同図における「Ｔｄｒ〔Ａ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｂ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｃ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｄ〕」は、図５と同様、駆動トランジスタＴｄｒの別に応じた移動度の大小を表現している。図４の左方に示されるように、移動度補償期間の時間長がＴに設定されるという条件の下において、データ電位がＶｄａｔａ〔Ａ〕のときには、各駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流の電流値は移動度補償期間Ｔの終点においてほぼ一致しており、ドレイン・ソース間電流のバラツキは効果的に抑制されることが分かる。以下、このときのデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕に対応する画素回路Ｐの指定階調を「基準階調」と呼ぶ。一方、データ電位が、基準階調以外の階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕、Ｖｄａｔａ〔Ｃ〕およびＶｄａｔａ〔Ｄ〕（Ｖｄａｔａ〔Ｃ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕）の何れの場合においても、各駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間の電流は移動度補償期間Ｔの終点においてばらつくことが分かる。したがって、このままでは、有機ＥＬ素子８が所定の基準階調で発光する時にしか、移動度補償の効果を享受することができない。なお、データ電位は、画素回路Ｐの指定階調が高いほど大きな値を示すため、図４におけるデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕およびＶｄａｔａ〔Ｃ〕の各々に対応する指定階調は基準階調よりも高い階調である一方、Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に対応する指定階調は基準階調よりも低い階調である。
【００３９】
本実施形態においては、制御回路ＣＵは、画素回路Ｐの指定階調が前述の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該指定階調に対応するデータ電位Ｖｄに加えた電位をデータ線６に出力する電位として設定する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該指定階調に対応するデータ電位Ｖｄに加えた電位をデータ線６に出力する電位として設定することで、如何なる階調が指定された場合にも、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）を当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された値に設定する。以下、その具体的な内容について説明する。
いま、図４において、画素回路Ｐの指定階調が基準階調よりも高い場合を想定する。例えば、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕に対応する階調が画素回路Ｐの階調として指定された場合を考えると、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕の値は、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも高い値を示すから、移動度補償期間Ｔにおいて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流量（ドレイン・ソース間電流の量）は、画素回路Ｐの指定階調が基準階調である場合に比べて増大し、各駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流値が一致する時点は、移動度補償期間Ｔの終点よりも前に到来する。すなわち、移動度が補償された電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れるのは、移動度補償期間Ｔの終点よりも前の時点ｔｂとなる。その後も移動度補償期間Ｔの終点が到来するまでの期間、電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れ続けることによって、当該駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は経時的に減少し続けるため、移動度補償期間Ｔの終点にて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流よりも小さい値となることが分かる。言い換えれば、移動度補償期間Ｔの終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるときの値よりも小さい値となる。
【００４０】
そこで、本実施形態では、上述のオフセット期間において、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕に所定の正の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを加えることで、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、移動度補償期間Ｔ中の時点ｔｂ付近の値まで上昇させる。これにより、オフセット期間における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるような値に設定される。
【００４１】
図４の右方は、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕の場合における各駆動トランジスタＴｄｒに関し、当該各駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧を変えると、そのドレイン・ソース間電流がどのように変化するかを表している。この図に示すように、より大きな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕は、ゲート・ソース間電圧の上昇に伴って、相対的により急速にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを増大させていく。これに対して、より小さな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｃ〕では、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの増大の程度は相対的に緩慢である。したがって、このような移動度の相違をもつ各駆動トランジスタＴｄｒが、図４の右方に示す空間内で描く曲線は、ゲート・ソース間電圧がある値をとる場合において、一定程度近づく、あるいは一定の領域ＸＲの範囲内に収まるように相互に接近する。なお、図７においては、図４の右方と同趣旨であるが、それよりも正確・詳細な図が示されている（この図７は、図４右方が図４左方に対応するのと同様に、図５に対応する。）。
【００４２】
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、図４あるいは図７に示すような領域ＸＲの存在に配慮して定められる。すなわち、この図の場合においては特に、好適なゲート・ソース間電圧ΔＶｇｓ（これは、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを定める際の基準となる。なお、図３及びその説明参照）は、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕及びＴｄｒ〔Ｂ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められるゲート・ソース間電圧αと、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｂ〕及びＴｄｒ〔Ｃ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められる当該電圧βとの間の範囲内で定められるとよい。このようにゲート・ソース間電圧ΔＶｇｓが定められれば、データ電位がＶｄａｔａ〔Ｂ〕である場合にも、好適に移動度補償の効果を享受することができる。
【００４３】
次に、画素回路Ｐの指定階調が基準階調よりも低い場合を想定する。例えば、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に対応する階調が画素回路Ｐの階調として指定された場合を考えると、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕の値は、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い値を示すから、移動度補償期間Ｔにおいて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流量は、画素回路Ｐの指定階調が基準階調であるときに比べて減少し、各駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流値が一致する時点は、移動度補償期間Ｔの終点よりも後の時点ｔｄとなる。すなわち、図４の左方からも理解されるように、移動度補償期間Ｔの終点にて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流（時点ｔｄにおけるドレイン・ソース間の電流）よりも大きい値となることが分かる。言い換えれば、移動度補償期間Ｔの終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるときの値よりも大きい値となる。
【００４４】
そこで、上記と同様に、本実施形態では、上述のオフセット期間において、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に所定の負の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを加えることで、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、移動度補償期間Ｔの終点の後の時点ｔｄ付近の値まで減少させる。これにより、オフセット期間における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるような値に設定される。
【００４５】
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方に関する基本的な考え方は上述の通りであるが、これをより正確に定めるにあたっては、以下に述べる根拠に基づき、当該オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出するとよい。以下では、このオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの算出方法ないしその算出根拠等について説明する。
【００４６】
まず、図２を参照して説明した画素回路Ｐにおいて、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ（ｔ）は、以下の（１）式によって現される。
【数１】
ここで、Ｖｇｓ（ｔ）は駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧、Ｖｔｈは閾値電圧である。また、βは、以下の（２）式によって与えられる。
【数２】
ここで、Ｗは駆動トランジスタＴｄｒのチャネル幅、Ｌはチャネル長、μは移動度、Ｃｏｘは単位面積あたりのゲート容量である。
【００４７】
本実施形態においては、上述のように、（２）のＶｔｈ補償動作が行われることから、式（１）におけるＶｔｈは０とみなすことができる。したがって、これを考慮して（１）式を書き直せば、
【数３】
となる。
なお、以下では、前述の（４）のデータ書込動作が完了する時点を基準時点とし、当該時点をｔ＝０とする。また、これに応じて、その際のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（０）を以下では初期値と呼ぶことがある。
【００４８】
以上の前提の下、前述した（５）の移動度補償動作が始まると、ｔの増大とともに、上述のようにゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（ｔ）は小さくなっていく（図３参照）。また、これに応じて、前記電流Ｉｄｓ（ｔ）も減少する（図４及び図５参照）。この際、これらＶｇｓ（ｔ）及びＩｄｓ（ｔ）間には次の関係が成立する。
【数４】
ここで、Ｑ（ｔ）は、移動度補償動作の実行に伴って、駆動トランジスタＴｄｒのソース側のノードに蓄えられていく電荷であり、Ｃは、以下の（５）式によって表現される容量値である。
【数５】
Ｃｇｓ及びＣｅｌは上の説明において既に登場しているが、改めていえば、Ｃｇｓは、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間に設けられた容量素子Ｃ１の容量値、Ｃｅｌは、有機ＥＬ素子８に付随する容量の容量値である。
なお、上述の式（４）においては、前述の（２）のＶｔｈ補償によって、ゲート・ソース間に印加される電圧は無視している。
【００４９】
以上の（３）式及び（４）式からつくられる微分方程式からＶｇｓ（ｔ）を求めると、以下の（６）式のようになる。
【数６】
これを（３）式に代入すると、
【数７】
というように、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ（ｔ）が求められる。
【００５０】
この（７）式において、前述の（５）の移動度補償動作を時間Δｔだけ実行すると仮定すると、
【数８】
となり、また、この（８）式によって表されるΔｔ後の時点において、前述の（６）のオフセット電位書込動作を実行すると、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（ｔ）は、ΔＶｇｓだけ増加することになるから（図３参照）、その結果として、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、
【数９】
と、表現される。
【００５１】
以上までの過程によって導出された（９）式において、好適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔ、即ちΔＶｇｓを定めるためには、Ｉｄｓ_ｏｕｔをβの関数（即ち移動度μの関数）とみなした場合における、そのＩｄｓ_ｏｕｔが極値をとる場合のΔＶｇｓを求めればよい。すなわち、
【数１０】
であるから、これを０とおけば、ΔＶｇｓが、
【数１１】
と求められる。
なお、上記 ｄ（Ｉｄｓ_ｏｕｔ）／ｄβは、ΔＶｇｓの２次方程式となるから、ΔＶｇｓは、上記（１０）式のほか、
【数１２】
とも求められるが、このΔＶｇは常に負となるため、高輝度画像を表示するためには不適である（後述する図１６及びその説明も参照）。したがって、以下では、この（１１）式で表現される解については考えない。
【００５２】
なお、（１０）式を（９）式に代入すると、
【数１３】
となる。
【００５３】
さて、ｔ＝０におけるゲート・ソース間電圧の初期値Ｖｇｓ（０）は、
【数１４】
と求められ、また、ΔＶｇｓも同様に、前述の〔ｖ〕のオフセット電位書込動作において書き込まれるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを用いて、
【数１５】
と求められることから、移動度のばらつきを補償するための最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、これらの式と前記（１０）式から、次の（１５）式のように求められる。
【数１６】
【００５４】
この（１５）式が、データ電位Ｖｄの相違に応じて定められるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの算出式となる。
前述したオフセット電位演算部ＯＶＣ（図１参照）は、その時々に供給されてくるデータ電位Ｖｄに応じ、かつ、この（１５）式に基づいて、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出する。すなわち、制御回路ＣＵは、前述の（６）のオフセット電位書込動作を実行するにあたって、その直前に実行された（４）のデータ書込動作において適用されたデータ電位Ｖｄの値を参照し、これに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出して、（６）のオフセット電位書込動作を実行する。
【００５５】
なお、このような最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの書込の結果、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、
【数１７】
となる。
【００５６】
以上のようにして導出された（１５）式に基づき、データ電位Ｖｄの値に応じた最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを求めると、図８に示すようになる。また、このような最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの書込動作が行われる場合に駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、その最適オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを（１６）式に代入する結果、図９に示すように得られる。
図８においては、データ電位Ｖｄの相違に応じて、異なるオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが求められていることがわかる。
【００５７】
また、図８（あるいは、（１５）式）において、Ｖｏｆｆｓｅｔ≧０となるのは、Ｖｄ≧（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）が成立する範囲であることもわかる。ここで、画素回路Ｐの指定階調が基準階調の場合は、移動度補償期間の終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れる値に設定されるから、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは０に設定される。基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが０のときに対応する値となり、（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）の形で表現される。すなわち、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は、駆動トランジスタＴｄｒの特性（βに相当）と、移動度補償期間の時間長（Δｔに相当）と、当該画素回路Ｐの電気的な特性（２Ｃ２／Ｃｅｌに相当）とに基づいて決定されることが分かる。
図８からも理解されるように、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕（＝（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ））よりも大きい場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調より高い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは正の値に設定される一方、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは負の値に設定されることが分かる。
【００５８】
また、図８からも理解されるように、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い反転基準電位Ｖreを下回る場合、当該データ電位Ｖｄと、当該データ電位Ｖｄに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係は反比例の関係になる。一方、データ電位Ｖｄが、反転基準電位Ｖreを上回る場合、当該データ電位Ｖｄと、当該データ電位Ｖｄに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係は比例関係になる。（１５）式より、反転基準電位Ｖreは、（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）の形で表現される。すなわち、反転基準電位Ｖreの値は、駆動トランジスタｔｄｒの特性と、移動度補償期間の時間長と、当該画素回路Ｐの電気的な特性とに基づいて決定される。
【００５９】
上述の式（１５）において、（β×Δｔ×Ｃｅｌ）／Ｃ＝α１、２Ｃ＝α２とすると、式（１５）は以下の式（１７）のように表現される。
【数１８】
そして、図１０に示される実施条件の下では、α1の範囲は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11となる一方、α2の範囲は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12となる。図１０において、移動度補償期間の時間長の最小値を2.0×10-6（ｓ）としたのは、寄生抵抗・容量の影響により、各配線に出力される信号の波形が歪むため、移動度補償期間において発光制御トランジスタＴｅｌを確実にオン状態とするには、発光制御信号ＧＥＬがローレベルに設定される期間が最低でも2.0×10-6（ｓ）必要だからである。また、移動度補償期間の時間長の最大値を5.0×10-6（ｓ）としたのは、移動度補償期間の時間長が長すぎると、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧が閾値電圧Ｖｔｈに漸近してオフ状態になってしまうため、駆動トランジスタＴｄｒがオフ状態にならない範囲で上限値を定めたものである。
上述のα1、α2が最小（Min）または最大（Max）の場合の各々について、データ電位Ｖｄとオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係をグラフ化すると、図１１のようになる。何れの場合においても、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位（（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ））よりも高い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは正の値に設定される一方、基準階調に対応するデータ電位よりも低い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは負の値に設定される。
【００６０】
また、図９においては、実は、駆動トランジスタＴｄｒの移動度μを基準値（中心値）から±２０％の範囲で変動させた各場合（即ち、（１６）式のβをそのように変動させた各場合）についてのＩｄｓ_ｏｕｔの算出結果が示されている。しかし、これらの各場合はいずれも、図９の縮尺の限りでは、１本の曲線に収斂されるようなかたちで（即ち、図９中、破線及び一点差線は、実線によって覆い隠されるかのように）、表現される。つまり、当該各場合のような移動度μの変動があっても、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流（即ち、有機ＥＬ素子８に流れる電流）は、どの駆動トランジスタＴｄｒに関してもほとんど同じになるのである。
【００６１】
このように、図９の縮尺の限りでは全く差異が生じないかのようであるが、より微細に観察すると、前記各場合に関して、図１２に示すような電流Ｉｄｓ_ｏｕｔのバラツキをみることができる。この図１２は、上で参照した図６と同趣旨の図である。
この図１２と図６とを対比するとわかるように、電流Ｉｄｓ_ｏｕｔのバラツキの程度は、図１２のほうが遥かに改善されていることがわかる。すなわち、図６では、バラツキの程度が３５％にも達しようかというのに対して、図１２では、１．５％以下になるのである。
【００６２】
以上に述べたような有機ＥＬ装置１００によれば、次のような効果が奏される。
（１） 本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、移動度補償動作の後、データ電位Ｖｄの相違に応じて最適に定められたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧に印加されるようになっているので、有機ＥＬ素子８の発光階調にかかわらず、移動度バラツキを原因とする発光輝度バラツキの程度を抑制することが可能になる。
【００６３】
図１３は、前述の（６）のオフセット電位書込動作を行わずに、（５）の移動度補償動作のみを行った場合における、データ電位Ｖｄａｔａと駆動トランジスタＴｄｒの電流Ｉｄｓとの関係である。また、図１４は、前述の（６）のオフセット電位書込動作は行うが、その際に書き込まれるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔをある一定の値に固定した上で（５）の移動度補償動作を行った場合における、データ電位Ｖｄと駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流Ｉｄｓとの関係である。なお、これら図１３及び図１４においては、前述した図９と同様、駆動トランジスタＴｄｒの移動度μを基準値（中心値）から±２０％の範囲で変動させた各場合についてのＩｄｓの算出結果が示されている。
このような図１３及び図１４と、図９とを対比すると明らかなように、本実施形態の場合は、図１３又は図１４においてみられるようなバラツキＢＲ１又はＢＲ２がなく、有機ＥＬ素子８がどの階調で発光しても（即ち、データ電位Ｖｄａｔａがどのような値となっても）、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する発光輝度のバラツキを抑制することが可能である。
【００６４】
また、図１５は、本実施形態のように、データ電位Ｖｄに応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込む場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝ｆ（Ｖｄ）と表現されている。図中実線参照）、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込まない場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝０と表現されている。図中一点鎖線参照）、及びオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込むがそれが固定値である場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝ｃｏｎｓｔ．と表現されている。破線参照）の３つの場合について、データ電位Ｖｄの変化に応じた、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓのバラツキの程度を示すグラフである。この図からも、本実施形態が、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する電流のバラツキをいかに実効的に克服しているかがよくわかる。
【００６５】
以上のように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子８がどの階調で発光しても、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する発光輝度のバラツキを抑制することが可能である。
【００６６】
（２） 本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、より高い発光輝度の実現が可能になる。
移動度補償を実行すると、例えば図５において示唆されるように、各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓは減少してしまう（図５では、本来、１．０×１０−４〔Ａ〕程度の電流が流れるはずのところ、最適補償時間Ｔの移動度補償動作によって、１．０×１０−５〔Ａ〕程度の電流しか流れないことになる。）。したがって、より高い発光輝度の実現、あるいはより明るい画像の表示が困難になるおそれがある。
しかるに、本実施形態においては、このような移動度補償動作を実行した後に、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが印加されることになるから、一定程度の電流量のいわば回復が可能になる。すなわち、図４右方及び図７の縦軸に着目すれば明らかなように、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの印加によって、有機ＥＬ素子８に流れる電流量は増加（即ち発光輝度は増加）するのである。
図１６は、前記図１５と同様の３つの場合について、データ電位Ｖｄａｔａとドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係を示すグラフである。この図をみるとわかるように、本実施形態の場合は、他の各場合に比べて、明らかに高輝度の画像表示が可能になる。なお、前述において、ΔＶｇｓの（１０）式以外の解（（１１）式）が考慮外とされたのは、この図１６に示されるような効果の実効的享受に配慮してのことである。すなわち、前記（１１）式によるとΔＶｇｓは常にマイナス、即ちオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは常にマイナスとなってしまうため、図１６のような高輝度化を実現することは困難となってしまうからである。
【００６７】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記実施形態においては、（１５）式に基づいて、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが算出されるようになっているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出するに当たっては、（１５）式の形をそのまま利用するのではなく、（１５）式、あるいは図８に示した曲線をよく近似する適当な近似式が用いられてよい。この場合、そのような近似式としては様々なものが想定されることになるが、具体的には例えば、以下のような例を挙げることができる。
【００６８】
（１-１） 第１に、図１７に示すような近似直線ＮＣを用いる場合である。なお、この図１７において示される曲線Ｋ１５は、図８に示した曲線と実質的に同じものである。つまり、この曲線Ｋ１５は、データ電位Ｖｄの変化に応じて、（１５）式によって算出されたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの変化の様子を表している。
近似直線ＮＣは、図１７から明らかなように、曲線Ｋ１５をよく近似する。そして、図１に示すオフセット電位演算部ＯＶＣにおいて、このような近似直線ＮＣを、（１５）式の代わりに用いたとしても、それなりの精度でオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出することは可能である。
以上により、このような態様であっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
また、このような態様では、（１５）式の算出に比べて明らかに、その算出にかかる手間・時間が減少することから、算出速度の向上、処理速度の高速化等を達成することもできる。
【００６９】
（１-２） 第２に、前述のような近似直線ＮＣを用いるにしても、その直線の形を決める係数について以下のような工夫を加えるとよい。
すなわち、まず、（１５）式を微分すると、
【数１９】
が得られる。これをデータ電位Ｖｄの変化に応ずるＶｏｆｆｓｅｔ’の変化として図示すると、図１８に示すような曲線Ｋ１５’が描かれる。
この（１８）式、あるいは図１８の曲線Ｋ１５’は、前述の近似直線ＮＣを、Ｖｏｆｆｓｅｔ＝α１・Ｖｄ＋α２と表す場合における係数α１及びα２を好適に定めるにあたっての一指標となる。
まず、相対的に高階調の領域においては、傾きα１が、０以上、１／４以下であれば、近似直線ＮＣは、高階調領域における曲線Ｋ１５を一定程度よく近似することがわかる。例えば、図１７に示す近似直線ＮＣｈ１、あるいはＮＣｈ２（近似直線ＮＣｈ１を平行移動したもの）は、この条件を満足する一例である。
他方、相対的に低階調の領域においては、傾きα１が、−１以上、０以下であれば、近似直線ＮＣは、低階調領域における曲線Ｋ１５を一定程度よく近似することがわかる。例えば、図１７に示す近似直線ＮＣｌ１は、この条件を満足する一例である。
なお、これらの場合において、高階調及び低階調間の区別は、図１７に示すように、前述したＶｏｆｆｓｅｔが０以上となるポイントであるＶｄａｔａ〔Ａ〕＝（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）を基準に考えて行うのが好適な一例である。
【００７０】
（１-３） 第３に、（１５）式をテイラー展開すると、
【数２０】
となる。
この（１９）式に基づき、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの１次、２次、３次までの近似を図示すると、図１９に示すようになる。なお、図１９中、実線は、図８及び図１７と同様、（１５）式に基づいて求められるＶｄとＶｏｆｆｓｅｔとの関係である。
この図１９によると、低階調の領域においては、低次の近似であっても、（１９）式は（１５）式のＶｏｆｆｓｅｔをよく近似するといえる。したがって、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、例えば、１次近似式、Ｖｏｆｆｓｅｔ＝−Ｖｄなどと表現可能である。なお、ここでいう「低」階調の意義（ないしは、これと「高」階調との区別）は、上述の（１-２）で述べたのと同様に考えてよい。
もちろん、（１９）式における高次の項を勘案すればするほど、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは更によく近似されていく。本発明は、このような場合を積極的に排除するわけではないが、図１９においても示唆されるように、（１５）式によって求められるオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔによりよく近づくためには、相当程度高次の項まで考慮しなければならないことがわかる。したがって、高速処理等の他の目的との兼ね合い等も考慮すれば、せいぜい図１９に示す３次程度まで、あるいは、より好適には上述のように１次の近似だけを考慮するだけでも、十分ということがいえる。
【００７１】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図２０は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図２１に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図２２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００７２】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００７３】
１００……有機ＥＬ装置，７……素子基板，７ａ……画像表示領域，ＣＵ……制御回路，ＯＶＣ……オフセット電圧演算部，１０３……走査線駆動回路，１０６……データ線駆動回路，３……走査線，６……データ線，１１３……電源線，８……有機ＥＬ素子，Ｐ……単位回路，Ｔｄｒ……駆動トランジスタ，Ｔｅｌ……発光制御トランジスタ，Ｔｒ１〜Ｔｒ３……第１〜第３トランジスタ，Ｃ１……容量素子，Ｃｇｓ……（容量素子Ｃ１の）容量値，Ｃｅｌ……（有機ＥＬ素子８の）容量値，Ｚ１……ノード，ＧＥＬ……発光制御信号，ＧＩＮＩ１……第１補償制御信号，ＧＩＮＩ２……第２補償制御信号，ＧＷＲＴ……走査信号，Ｉｅｌ……駆動電流，Ｖｄ……データ電位，Ｖｇ……ゲート電位，Ｖｓ……ソース電位，Ｖｔｈ……閾値電圧，Ｖｏｆｆｓｅｔ……オフセット電圧，Ｉｄｓ，Ｉｄｓ_ｏｕｔ……（駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電流，Ｖｇｓ……（駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電圧，ΔＶｇｓ……（オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの書込に基づく、駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電圧（の増加分），μ……（駆動トランジスタの）移動度，ＮＣ，ＮＣｈ１，ＮＣｈ２，ＮＣｌ１……近似直線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等を含む発光装置及びその駆動方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これに起因して、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１乃至３に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【特許文献２】特開２００８−１９１２９６号公報
【特許文献３】特開２００８−２５６９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては、例えば、駆動トランジスタのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その１つに、前記駆動トランジスタの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機ＥＬ素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスタを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスタの各々の特性がばらつけば、各有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
【０００５】
前記の特許文献１乃至３は、このような問題に対処する技術を開示する。すなわち、特許文献１は「閾電圧」「移動度」に着目し（特許文献１の〔０００４〕）、特許文献２は、「最適な移動度補正時間が短い場合」を主に念頭におき、この時間を延長化することによって、入力信号電圧の書込パルスのパルス幅がばらつくことによる「補正時間のばらつきを相対的に小さくし、輝度ばらつきを抑える」技術の提供を目指す（以上「」内は、特許文献２の〔００１７〕〔００１８〕）。
また、特許文献３は、「映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖｓｉｇに依存する」移動度補正処理を最適化する技術の提供を目的とする（特許文献３の〔００１５〕〜〔００１７〕）。
【０００６】
これら各文献によれば、前述した移動度のバラツキに関して一定の効果がもたらされる。しかしながら、そのような移動度補償（上記各文献では「補正」）が行われたとしても、なお残る課題がある。例えば、いわば、移動度補償の階調依存性ともいうべき問題である。すなわち、移動度補償を一定の期間、一定の手順で行ったとしても、その移動度補償動作によって、有機ＥＬ素子がある特定の階調において発光する場合においては発光輝度のバラツキを効果的に抑制することが可能であるものの、他の階調において発光する場合には、そうはならない場合がある。
また、移動度補償動作は、有機ＥＬ素子に供給する電流量に制約を設けることと考えることも可能であるから、所望の発光輝度の実現、特に、より高い発光輝度の実現に困難を生じさせるおそれもある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な発光装置及びその駆動方法、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る発光装置は、画素回路と、画素回路の駆動を制御する制御部とを具備し、画素回路は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、駆動トランジスタのゲートとデータ線との間に配置される第１スイッチング素子と、を備え、制御部は、第１期間（例えば図３に示す書込期間）において、第１スイッチング素子をオン状態に設定するとともに、データ線に供給する電位を当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位に設定することで、容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間（例えば図３に示す移動度補償期間）において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるように制御し、第２期間の後の第３期間（例えば図３に示すオフセット電位書込期間）において、データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、データ線に供給する電位として設定する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、データ線に供給する電位として設定することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、第３期間の後の第４期間（例えば図３に示す発光期間）において、第１スイッチング素子をオフ状態に設定することで、駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位を、前記発光素子が発光するように変化させる。
【０００９】
本発明においては、第２期間（移動度補償期間）において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れることで、当該駆動トランジスタの移動度が補償される。上述したように、所定の時間長に定められた第２期間において駆動トランジスタの移動度の補償が有効に行われるのは画素回路の指定階調が特定の階調（「基準階調」）である場合に限られ、他の階調が指定された場合は、駆動トランジスタの移動度補償を有効に行うことは困難である。ただし、本発明においては、第２期間の後の第３期間（オフセット電位書込期間）において、データ電位に応じたオフセット電位を当該データ電位に加えて駆動トランジスタのゲートへ供給することで、容量素子の両端間の電圧（駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧）が、当該駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定されるから、画素回路の指定階調が如何なる階調であっても、当該画素回路における駆動トランジスタの移動度を有効に補償することができる。
【００１０】
ここで、データ電位に対応する指定階調が上述の基準階調よりも高い階調を示すものである場合、第２期間において駆動トランジスタを流れる電流量は、画素回路の指定階調が基準階調である場合に比べて増大し、第２期間の時間長よりも短い時間長で移動度の補償が完了する。すなわち、移動度が補償された電流が駆動トランジスタを流れるのは、第２期間の終点よりも前の時点となる。その後も第２期間の終点が到来するまでの期間、電流が流れ続けることによって、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧は経時的に減少し続けるため、第２期間の終点にて駆動トランジスタを流れる電流は、駆動トランジスタの移動度が補償された電流よりも小さい値となる。本発明は、この点に着目し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、データ電位に加えるオフセット電位を正の値とすることで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を上昇させて、当該電圧を、当該駆動トランジスタの移動度が補償された電流が流れるような値に近づけることができる。
一方、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、第２期間において駆動トランジスタを流れる電流量が、画素回路の指定階調が基準階調である場合に比べて減少し、当該駆動トランジスタの移動度の補償が完了するまでには第２期間の時間長よりも長い時間長が必要となる。つまり、第２期間の時間長の終点にて駆動トランジスタを流れる電流は、駆動トランジスタの移動度が補償された電流よりも大きい値となる。本発明は、この点に着目し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、データ電位に加えるオフセット電位を負の値とすることで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を減少させて、当該電圧を、当該駆動トランジスタの移動度が補償された電流が流れるような値に近づけることができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置の態様として、画素回路は、発光素子および駆動トランジスタと直列に接続される発光制御トランジスタをさらに備え、制御部は、第１期間および第３期間において発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、第２期間および第４期間において発光制御トランジスタをオン状態に設定し、第１期間、第２期間および第３期間における駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位は、発光素子が非発光となるような値に設定される。発光期間の開始前の期間（例えば補償期間や書込期間などに相当する期間）において発光素子が発光してしまうと、表示画像のコントラストが低下するという問題があるところ、この態様によれば、発光期間の開始前の期間にて発光素子が確実にオフ状態（非発光状態）に維持される。したがって、表示画像のコントラストの低下を抑制できるという利点がある。
【００１２】
本発明に係る発光装置の態様として、基準階調に対応するデータ電位の値は、当該画素回路における駆動トランジスタの特性と、第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される。より具体的には、基準階調に対応するデータ電位は以下の式で表現される。
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＝（２×Ｃ２）／（β×Δｔ×Ｃｅｌ）
上記の式において、Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は基準階調に対応するデータ電位であり、Ｃは当該画素回路における容量素子の容量と発光素子に付随する容量との和であり、βは、β＝（Ｗ×μ×Ｃox）／Ｌの形で表される駆動トランジスタの特性を示すパラメータである（Ｗ：チャネル幅、μ：移動度、Ｃox：単位面積当たりのゲート容量、Ｌ：チャネル長）。また、Δｔは第２期間（移動度補償期間）の時間長であり、Ｃｅｌは発光素子に付随する容量である。
【００１３】
本発明に係る発光装置の態様として、データ電位が基準階調に対応するデータ電位よりも低い反転基準電位を下回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は反比例の関係になり、データ電位が反転基準電位を上回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は比例関係になる。そして、反転基準電位の値は、当該画素回路における駆動トランジスタの特性と、第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される。より具体的には、反転基準電位は以下の式で表現される。
Ｖre＝（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）
上記の式において、Ｖreは反転基準電位である。
さらに詳述すると、データ電位とオフセット電位との関係は以下の式で表現される。
上記の式において、Ｖｏｆｆｓｅｔはオフセット電位であり、Ｖｄはデータ電位である。また、上記の式において、β×Δｔ×（Ｃｅｌ／Ｃ）＝α1、２Ｃ＝α2とすると、α1は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11を満たすように設定され、α2は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12を満たすように設定される。
【００１４】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成する構成の画像形成装置（印刷装置）においては、像担持体を露光する手段（いわゆる露光ヘッド）として本発明の発光装置を採用することもできる。
【００１５】
本発明は、発光装置を駆動する方法としても特定される。本発明に係る駆動方法は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、を含む画素回路を備える発光装置の駆動方法であって、第１期間において、当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位を駆動トランジスタのゲートへ供給することで、容量素子の両端間の電圧をデータ電位に応じた値に設定し、第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにし、第２期間の後の第３期間において、データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を駆動トランジスタのゲートに供給する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、第３期間の後の第４期間において、駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位を発光素子が発光するように変化させる。以上の駆動方法によっても本発明に係る発光装置と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図２の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方を説明するための説明図である。
【図５】移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図６】データ電位に対する、発光輝度バラツキの程度を示すグラフである。
【図７】駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧に対する、ドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図８】個々のデータ電位に対応する好適なオフセット電圧の算出例を示すグラフである。
【図９】図８に示す、個々のデータ電位に対応したオフセット電位の書込動作を行った場合における、当該個々のデータ電位の対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである。
【図１０】各種パラメータの条件を示す図である。
【図１１】データ電位とオフセット電位との関係を示す図である。
【図１２】移動度補償及びオフセット電位書込動作の実行後における、データ電位に対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流のバラツキの程度を示すグラフである。
【図１３】オフセット電位の書込みを伴わず、移動度補償動作だけを実行した場合における、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１４】一定値に固定されたオフセット電位の書込みを伴う移動度補償を実行した場合における、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１５】データ電位に応じたオフセット電位を書込む場合、オフセット電位を書込まない場合、及び一定値に固定されたオフセット電位を書込む場合それぞれにおける、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流のバラツキの程度との関係を示すグラフである。
【図１６】図１５の３つの場合それぞれにおける、データ電位と、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流との関係を示すグラフである。
【図１７】図８に示す曲線（Ｋ１５）を近似する直線の例を説明するための説明図である。
【図１８】図８に示す曲線（Ｋ１５）を微分した曲線を示す図である。
【図１９】図８に示す曲線（Ｋ１５）を近似する曲線（Ｔａｙｌｏｒ展開）の例を説明するための説明図である。
【図２０】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
以下では、本発明に係る実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００１８】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０６、並びに制御回路ＣＵである。
【００１９】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２０】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。各走査線３と各データ線６との各交差に対応する位置には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む画素回路Ｐが配置されている。なお、電源線１１３は、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
【００２１】
前記のうち走査線駆動回路１０３は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路１０３によって選択された走査線３に対応する各画素回路Ｐに向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。例えば、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦Ｍを満たす整数）の走査線３が選択されるときに第ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦Ｎを満たす整数）のデータ線６に出力されるデータ電位Ｖｄは、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの指定階調に対応する電位となる。
制御回路ＣＵは、各画素回路Ｐの駆動を制御するための手段である。より具体的には、制御回路ＣＵは、走査線駆動回路１０３およびデータ線駆動回路１０６を制御して、走査線３の選択順序、あるいはデータ信号の供給タイミング等を決定する。なお、この制御回路ＣＵには、図１に示すようにオフセット電位演算部ＯＶＣが内蔵されている。このオフセット電位演算部ＯＶＣは、後述するオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔに関わるが、その点についての説明は後述する。
【００２２】
図２に示すように、画素回路Ｐは、有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスタＴｄｒ、発光制御トランジスタＴｅｌ、第１〜第３トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３、及び容量素子Ｃ１を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。各配線には走査線駆動回路１０３から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２、及び発光制御信号ＧＥＬが供給される。本実施形態では、例えば第ｉ行の各配線に供給される信号を、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]と表記する。走査線駆動回路１０３からの所定の信号が各配線に供給されるタイミングや各信号のレベルは制御回路ＣＵによって決定される。
【００２３】
駆動トランジスタＴｄｒはｎチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスタＴｄｒのドレイン（Ｄ）は発光制御トランジスタＴｅｌのソースに接続される。
この駆動トランジスタＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖｇに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流Ｉｅｌを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ電位Ｖｄの大きさに応じた値に設定される。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスタＴｄｒの導通状態、ないしはデータ電位Ｖｄに応じて駆動される。なお、図２に示すように、有機ＥＬ素子８には容量Ｃｅｌが付随する。
【００２４】
発光制御トランジスタＴｅｌはｐチャネル型であり、駆動トランジスタＴｄｒと電源線１１３との間にある。この発光制御トランジスタＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。この発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルである場合には発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、この発光制御トランジスタＴｅｌおよび駆動トランジスタＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。
【００２５】
容量素子Ｃ１は、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ｃｇｓである。この容量素子Ｃ１の一方の電極（図中上方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのゲートに接続される。また、容量素子Ｃ１の他方の電極（図中下方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのソース（Ｓ）に接続されるとともに、後述する第３トランジスタＴｒ３のソースにも接続される。
【００２６】
第１トランジスタＴｒ１は、ノードＺ１（駆動トランジスタＴｄｒのゲート）とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスタＴｒ１のゲートには前述の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスタＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶＳＴが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスタＴｒ２のゲートには前述の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスタＴｒ３は、初期化電位ＶＩＮＩの電位線と駆動トランジスタＴｄｒのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスタＴｒ３のゲートには前述の第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。
【００２７】
次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００の動作ないし作用について、既に参照した図１及び図２に加えて図３を参照しながら説明する。以下では、第ｉ行の第ｊ列目の画素回路Ｐに着目しながら、画素回路Ｐの具体的な動作を説明する。
（１）初期化
図３に示す初期化期間が開始すると、制御回路ＣＵは、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]および第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]をハイレベルに設定する。したがって、第２トランジスタＴｒ２および第３トランジスタＴｒ３がＯＮ状態となる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓはそれぞれ、図３に示すように下落して、初期化電位ＶＳＴとＶＩＮＩになる。本実施形態では、初期化電位ＶＳＴおよびＶＩＮＩの両者の差分の電圧が駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈを充分に上回るように設定される。また、初期化電位ＶＩＮＩ（初期化期間における駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）は、当該初期化電位ＶＩＮＩと低電源電位ＶＣＴとの電位差（すなわち有機ＥＬ素子８に付随する容量Ｃｅｌの両端間の電圧）が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。
なお、画素回路Ｐは、いま述べている（１）初期化から、後に述べる（７）発光までの各動作を繰り返し行う。（１）の初期化動作は、最後の（７）の発光動作が終わった後、即ち発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図３の最左方に示される、前記ソース電位Ｖｓの下落に先立つ、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方の下落は、そのような発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の遷移に対応している。
【００２８】
（２）Ｖｔｈ補償
初期化期間の後の補償期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。これにより、第３トランジスタＴｒ３がＯＦＦ状態となり、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。このことから、ソース電位Ｖｓは初期化電位ＶＩＮＩの供給から開放されることになる。そして、駆動トランジスタＴｄｒ及び電源線１１３間は導通状態となるから、電源線１１３からの電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れて駆動トランジスタＴｄｒのソース電位Ｖｓは、図３に示すように上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位Ｖｇは初期化電位ＶＳＴに維持されるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は徐々に減少していき、駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈに漸近していく。すなわち、補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、閾値電圧Ｖｔｈに漸近させる補償動作が実行される。
【００２９】
補償期間の終点において、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈにほぼ等しくなるから、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは電位ＶＳＴ（ゲートの電位Ｖｇ）よりも閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電位ＶＳＴ−Ｖｔｈに設定される。本実施形態において、この電位ＶＳＴ−Ｖｔｈは、容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。すなわち、補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒと有機ＥＬ素子８との接続点の電位（ここでは駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）が、有機ＥＬ素子８が非発光となるような値に設定され、有機ＥＬ素子８はオフ状態（非発光状態）となる。
【００３０】
（３）保持
補償期間の後の保持期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]をローレベル、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をハイレベルに設定する。これにより、第２トランジスタＴｒ２および発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態になる。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートは電気的にフローティング状態となり、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）は、補償期間の終点における電圧（すなわちＶｔｈ）を維持する。
【００３１】
（４）データ書込
保持期間の後の書込期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベルに設定し、データ線６に供給するデータ電位Ｖｄを画素回路Ｐの指定階調に応じた電位Ｖｄａｔａに設定する。これにより、第１トランジスタＴｒ１がＯＮ状態となるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲートはデータ線６に導通する。これにより、画素回路ＰにおけるノードＺ１の電位、即ちゲートの電位Ｖｇは、データ線６に出力されたデータ電位Ｖｄａｔａに応じた電位に設定される。このとき、ゲートの電位Ｖｇは、当該データ電位Ｖｄａｔａの足し込み分に応じた電圧だけ変動するから、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧は、図３に示すようにＶｔｈ＋Ｖｄａｔａ’となる。つまり、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）は、データ電位Ｖｄａｔａに応じた値に設定される。ここでＶｄａｔａ’＝Ｖｄａｔａ・（Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃｇｓ））となる。この式中、Ｃｅｌは、有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量の容量値である。
【００３２】
（５）移動度補償
書込期間の後の移動度補償期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベル、データ線６に供給するデータ電位Ｖｄを前述の電位Ｖｄａｔａに維持したまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となることで、電流経路が形成され、書込期間の終点にて容量素子Ｃ１に保持された電圧Ｖｔｈ＋Ｖｄａｔａ’に応じた電流、つまり、データ電位Ｖｄａｔａに応じた電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓが上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートにはデータ電位Ｖｄａｔａが供給され続けるから、ゲート・ソース間の電圧は経時的に減少する。図３においては、ソース電位Ｖｓの上昇後のゲート・ソース間電圧がＶｔｈ＋Ｖａになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Ｖｓの上昇分が、“Ｖｄａｔａ’−Ｖａ”と表現可能であることを意味する。
このようなソース電位Ｖｓの上昇、ないしはゲート・ソース間で電圧の下降の程度は、一般に、各画素回路Ｐに含まれる駆動トランジスタＴｄｒの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスタＴｄｒでは、当該駆動トランジスタを流れる電流の量が大きいためにソース電位Ｖｓの上昇量は大きい。したがって、当該駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧の降下量は大きい。一方、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、当該駆動トランジスタを流れる電流の量が小さいためにソース電位Ｖｓの上昇量は小さい。したがって、当該駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧の降下量は小さい。以上のように、この（５）における動作では、選択された行に属するＭ個の画素回路Ｐの各々の駆動トランジスタＴｄｒの移動度補償が行われることになる。
【００３３】
なお、移動度補償期間の終点における駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは、容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧を充分に下回るような値に設定される。したがって、移動度補償期間においては、駆動トランジスタＴｄｒはオン状態となり、有機ＥＬ素子８はオフ状態（非発光状態）となる。
【００３４】
（６）オフセット電位書込
移動度補償期間の後のオフセット電位書込期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]をハイレベルに維持したまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をハイレベルに設定する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態となる。この際、制御回路ＣＵは、データ線６に供給する電位を、前述の電位Ｖｄａｔａの値に応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該電位Ｖｄａｔａに加えた値（即ち、Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ（図３参照））に設定する。これにより、ノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、当該オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの足し込み分に応じて変動する。この際、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方が上昇しているが、図３においては、この変動によって、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧が、最終的にはＶｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓとなることが表現されている。ΔＶｇｓの値は、容量素子Ｃ１及び有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量（図３の破線参照）の影響によって定まり、具体的には、ΔＶｇｓ＝Ｖｏｆｆｓｅｔ×（Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃｇｓ））となる。ここで、Ｃｅｌは、前記寄生容量の容量値である。
なお、ここに述べたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方、あるいはその意義・作用・効果等については、後に改めて説明する。
【００３５】
（７）発光
オフセット電位書込期間の後の発光期間が開始すると、図３に示すように、制御回路ＣＵは、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]および発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]をローレベルに設定する。したがって、第１トランジスタＴｒ１がＯＦＦ状態となる一方、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８には、前述のオフセット電位書込期間にて容量素子Ｃ１に保持された電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに応じた大きさの電流が流れる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓは経時的に上昇する。このとき、駆動トランジスタＴｄｒのゲートは電気的なフローティング状態であるから、駆動トランジスタＴｄｒのゲートの電位Ｖｇはソースの電位Ｖｓに連動して上昇する。そして、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧（容量素子Ｃ１の両端間の電圧）が電圧Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに維持されたまま、有機ＥＬ素子８に付随する容量Ｃｅｌの両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのソースの電位Ｖｓ）が徐々に増加する。容量Ｃｅｌの両端間の電圧が有機ＥＬ素子８の発光閾値電圧に到達すると、電圧Ｖｔｈ＋Ｖａ＋ΔＶｇｓに対応する電流が駆動電流Ｉelとして有機ＥＬ素子８を流れる。有機ＥＬ素子８は、駆動電流Ｉelの電流量に応じた輝度で発光する。
【００３６】
次に、前述したオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの詳細について、既に参照した図１乃至図３に加えて、図４以降の各図面を参照しながら説明する。
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、好適には、以下のようにして定められる。
まず、図４の左方及び特に図５に示すように、前述の（５）の移動度補償動作は、所定の時間長Ｔ（図では、「移動度補償期間」）にわたって行われる（図３も参照）。この移動度補償期間の時間長は装置全体に関わる事情を含めて種々の事情によって定められるが、一般的には、図５に示すように、移動度補償を実行する時間長と駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係、及び、この関係と各単位回路Ｐに含まれる各駆動トランジスタＴｄｒがもつ移動度のバラツキとの関係、から、定められる。図５においては、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕からＴｄｒ〔Ｃ〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に係る曲線のすべてが、たまたま交差する０．５〔μｓ〕付近に、最適な移動度補償期間Ｔが定められる様子が表現されている。
【００３７】
このような移動度補償期間Ｔにわたって移動度補償が実行されれば、たしかに各駆動トランジスタＴｄｒの移動度バラツキによる発光輝度バラツキは抑制される。しかし、それがあてはまるのは、ある特定の発光階調について、に限られる。図６は、その事情を表現している。すなわち、図６では、移動度補償期間Ｔにわたって移動度補償が行われると、データ電位Ｖｄａｔａ＝１〔Ｖ〕のとき（即ち、このデータ電位１〔Ｖ〕に対応する駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子８に流れる場合の発光階調で当該有機ＥＬ素子８が発光するとき）には、極めて実効的にバラツキが抑制されるのに対して、データ電位Ｖｄａｔａがそれ以外の値をとる場合はバラツキ抑制の程度は悪化することが示されている。なお、図６の縦軸の「バラツキ」は、駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの最小値・最大値を用いた、（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）に基づいて定められている。
【００３８】
図４の左方においても、このような事情が表現されている。なお、同図における「Ｔｄｒ〔Ａ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｂ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｃ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｄ〕」は、図５と同様、駆動トランジスタＴｄｒの別に応じた移動度の大小を表現している。図４の左方に示されるように、移動度補償期間の時間長がＴに設定されるという条件の下において、データ電位がＶｄａｔａ〔Ａ〕のときには、各駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流の電流値は移動度補償期間Ｔの終点においてほぼ一致しており、ドレイン・ソース間電流のバラツキは効果的に抑制されることが分かる。以下、このときのデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕に対応する画素回路Ｐの指定階調を「基準階調」と呼ぶ。一方、データ電位が、基準階調以外の階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕、Ｖｄａｔａ〔Ｃ〕およびＶｄａｔａ〔Ｄ〕（Ｖｄａｔａ〔Ｃ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＞Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕）の何れの場合においても、各駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間の電流は移動度補償期間Ｔの終点においてばらつくことが分かる。したがって、このままでは、有機ＥＬ素子８が所定の基準階調で発光する時にしか、移動度補償の効果を享受することができない。なお、データ電位は、画素回路Ｐの指定階調が高いほど大きな値を示すため、図４におけるデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕およびＶｄａｔａ〔Ｃ〕の各々に対応する指定階調は基準階調よりも高い階調である一方、Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に対応する指定階調は基準階調よりも低い階調である。
【００３９】
本実施形態においては、制御回路ＣＵは、画素回路Ｐの指定階調が前述の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該指定階調に対応するデータ電位Ｖｄに加えた電位をデータ線６に出力する電位として設定する一方、基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該指定階調に対応するデータ電位Ｖｄに加えた電位をデータ線６に出力する電位として設定することで、如何なる階調が指定された場合にも、容量素子Ｃ１の両端間の電圧（駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧）を当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された値に設定する。以下、その具体的な内容について説明する。
いま、図４において、画素回路Ｐの指定階調が基準階調よりも高い場合を想定する。例えば、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕に対応する階調が画素回路Ｐの階調として指定された場合を考えると、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕の値は、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも高い値を示すから、移動度補償期間Ｔにおいて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流量（ドレイン・ソース間電流の量）は、画素回路Ｐの指定階調が基準階調である場合に比べて増大し、各駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流値が一致する時点は、移動度補償期間Ｔの終点よりも前に到来する。すなわち、移動度が補償された電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れるのは、移動度補償期間Ｔの終点よりも前の時点ｔｂとなる。その後も移動度補償期間Ｔの終点が到来するまでの期間、電流が駆動トランジスタＴｄｒを流れ続けることによって、当該駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は経時的に減少し続けるため、移動度補償期間Ｔの終点にて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流よりも小さい値となることが分かる。言い換えれば、移動度補償期間Ｔの終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるときの値よりも小さい値となる。
【００４０】
そこで、本実施形態では、上述のオフセット期間において、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕に所定の正の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを加えることで、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、移動度補償期間Ｔ中の時点ｔｂ付近の値まで上昇させる。これにより、オフセット期間における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるような値に設定される。
【００４１】
図４の右方は、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕の場合における各駆動トランジスタＴｄｒに関し、当該各駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧を変えると、そのドレイン・ソース間電流がどのように変化するかを表している。この図に示すように、より大きな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕は、ゲート・ソース間電圧の上昇に伴って、相対的により急速にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを増大させていく。これに対して、より小さな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｃ〕では、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの増大の程度は相対的に緩慢である。したがって、このような移動度の相違をもつ各駆動トランジスタＴｄｒが、図４の右方に示す空間内で描く曲線は、ゲート・ソース間電圧がある値をとる場合において、一定程度近づく、あるいは一定の領域ＸＲの範囲内に収まるように相互に接近する。なお、図７においては、図４の右方と同趣旨であるが、それよりも正確・詳細な図が示されている（この図７は、図４右方が図４左方に対応するのと同様に、図５に対応する。）。
【００４２】
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、図４あるいは図７に示すような領域ＸＲの存在に配慮して定められる。すなわち、この図の場合においては特に、好適なゲート・ソース間電圧ΔＶｇｓ（これは、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを定める際の基準となる。なお、図３及びその説明参照）は、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕及びＴｄｒ〔Ｂ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められるゲート・ソース間電圧αと、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｂ〕及びＴｄｒ〔Ｃ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められる当該電圧βとの間の範囲内で定められるとよい。このようにゲート・ソース間電圧ΔＶｇｓが定められれば、データ電位がＶｄａｔａ〔Ｂ〕である場合にも、好適に移動度補償の効果を享受することができる。
【００４３】
次に、画素回路Ｐの指定階調が基準階調よりも低い場合を想定する。例えば、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に対応する階調が画素回路Ｐの階調として指定された場合を考えると、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕の値は、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い値を示すから、移動度補償期間Ｔにおいて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流量は、画素回路Ｐの指定階調が基準階調であるときに比べて減少し、各駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流値が一致する時点は、移動度補償期間Ｔの終点よりも後の時点ｔｄとなる。すなわち、図４の左方からも理解されるように、移動度補償期間Ｔの終点にて駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流（時点ｔｄにおけるドレイン・ソース間の電流）よりも大きい値となることが分かる。言い換えれば、移動度補償期間Ｔの終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるときの値よりも大きい値となる。
【００４４】
そこで、上記と同様に、本実施形態では、上述のオフセット期間において、データ電位Ｖｄａｔａ〔Ｄ〕に所定の負の値のオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを加えることで、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧を、移動度補償期間Ｔの終点の後の時点ｔｄ付近の値まで減少させる。これにより、オフセット期間における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れるような値に設定される。
【００４５】
オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方に関する基本的な考え方は上述の通りであるが、これをより正確に定めるにあたっては、以下に述べる根拠に基づき、当該オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出するとよい。以下では、このオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの算出方法ないしその算出根拠等について説明する。
【００４６】
まず、図２を参照して説明した画素回路Ｐにおいて、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ（ｔ）は、以下の（１）式によって現される。
【数１】
ここで、Ｖｇｓ（ｔ）は駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧、Ｖｔｈは閾値電圧である。また、βは、以下の（２）式によって与えられる。
【数２】
ここで、Ｗは駆動トランジスタＴｄｒのチャネル幅、Ｌはチャネル長、μは移動度、Ｃｏｘは単位面積あたりのゲート容量である。
【００４７】
本実施形態においては、上述のように、（２）のＶｔｈ補償動作が行われることから、式（１）におけるＶｔｈは０とみなすことができる。したがって、これを考慮して（１）式を書き直せば、
【数３】
となる。
なお、以下では、前述の（４）のデータ書込動作が完了する時点を基準時点とし、当該時点をｔ＝０とする。また、これに応じて、その際のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（０）を以下では初期値と呼ぶことがある。
【００４８】
以上の前提の下、前述した（５）の移動度補償動作が始まると、ｔの増大とともに、上述のようにゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（ｔ）は小さくなっていく（図３参照）。また、これに応じて、前記電流Ｉｄｓ（ｔ）も減少する（図４及び図５参照）。この際、これらＶｇｓ（ｔ）及びＩｄｓ（ｔ）間には次の関係が成立する。
【数４】
ここで、Ｑ（ｔ）は、移動度補償動作の実行に伴って、駆動トランジスタＴｄｒのソース側のノードに蓄えられていく電荷であり、Ｃは、以下の（５）式によって表現される容量値である。
【数５】
Ｃｇｓ及びＣｅｌは上の説明において既に登場しているが、改めていえば、Ｃｇｓは、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間に設けられた容量素子Ｃ１の容量値、Ｃｅｌは、有機ＥＬ素子８に付随する容量の容量値である。
なお、上述の式（４）においては、前述の（２）のＶｔｈ補償によって、ゲート・ソース間に印加される電圧は無視している。
【００４９】
以上の（３）式及び（４）式からつくられる微分方程式からＶｇｓ（ｔ）を求めると、以下の（６）式のようになる。
【数６】
これを（３）式に代入すると、
【数７】
というように、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ（ｔ）が求められる。
【００５０】
この（７）式において、前述の（５）の移動度補償動作を時間Δｔだけ実行すると仮定すると、
【数８】
となり、また、この（８）式によって表されるΔｔ後の時点において、前述の（６）のオフセット電位書込動作を実行すると、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（ｔ）は、ΔＶｇｓだけ増加することになるから（図３参照）、その結果として、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、
【数９】
と、表現される。
【００５１】
以上までの過程によって導出された（９）式において、好適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔ、即ちΔＶｇｓを定めるためには、Ｉｄｓ_ｏｕｔをβの関数（即ち移動度μの関数）とみなした場合における、そのＩｄｓ_ｏｕｔが極値をとる場合のΔＶｇｓを求めればよい。すなわち、
【数１０】
であるから、これを０とおけば、ΔＶｇｓが、
【数１１】
と求められる。
なお、上記 ｄ（Ｉｄｓ_ｏｕｔ）／ｄβは、ΔＶｇｓの２次方程式となるから、ΔＶｇｓは、上記（１０）式のほか、
【数１２】
とも求められるが、このΔＶｇは常に負となるため、高輝度画像を表示するためには不適である（後述する図１６及びその説明も参照）。したがって、以下では、この（１１）式で表現される解については考えない。
【００５２】
なお、（１０）式を（９）式に代入すると、
【数１３】
となる。
【００５３】
さて、ｔ＝０におけるゲート・ソース間電圧の初期値Ｖｇｓ（０）は、
【数１４】
と求められ、また、ΔＶｇｓも同様に、前述の〔ｖ〕のオフセット電位書込動作において書き込まれるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを用いて、
【数１５】
と求められることから、移動度のばらつきを補償するための最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは、これらの式と前記（１０）式から、次の（１５）式のように求められる。
【数１６】
【００５４】
この（１５）式が、データ電位Ｖｄの相違に応じて定められるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの算出式となる。
前述したオフセット電位演算部ＯＶＣ（図１参照）は、その時々に供給されてくるデータ電位Ｖｄに応じ、かつ、この（１５）式に基づいて、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出する。すなわち、制御回路ＣＵは、前述の（６）のオフセット電位書込動作を実行するにあたって、その直前に実行された（４）のデータ書込動作において適用されたデータ電位Ｖｄの値を参照し、これに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出して、（６）のオフセット電位書込動作を実行する。
【００５５】
なお、このような最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの書込の結果、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、
【数１７】
となる。
【００５６】
以上のようにして導出された（１５）式に基づき、データ電位Ｖｄの値に応じた最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを求めると、図８に示すようになる。また、このような最適なオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの書込動作が行われる場合に駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流Ｉｄｓ_ｏｕｔは、その最適オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを（１６）式に代入する結果、図９に示すように得られる。
図８においては、データ電位Ｖｄの相違に応じて、異なるオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが求められていることがわかる。
【００５７】
また、図８（あるいは、（１５）式）において、Ｖｏｆｆｓｅｔ≧０となるのは、Ｖｄ≧（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）が成立する範囲であることもわかる。ここで、画素回路Ｐの指定階調が基準階調の場合は、移動度補償期間の終点における駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧は、当該駆動トランジスタＴｄｒの移動度が補償された電流が流れる値に設定されるから、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは０に設定される。基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが０のときに対応する値となり、（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）の形で表現される。すなわち、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕は、駆動トランジスタＴｄｒの特性（βに相当）と、移動度補償期間の時間長（Δｔに相当）と、当該画素回路Ｐの電気的な特性（２Ｃ２／Ｃｅｌに相当）とに基づいて決定されることが分かる。
図８からも理解されるように、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕（＝（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ））よりも大きい場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調より高い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは正の値に設定される一方、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは負の値に設定されることが分かる。
【００５８】
また、図８からも理解されるように、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕よりも低い反転基準電位Ｖreを下回る場合、当該データ電位Ｖｄと、当該データ電位Ｖｄに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係は反比例の関係になる。一方、データ電位Ｖｄが、反転基準電位Ｖreを上回る場合、当該データ電位Ｖｄと、当該データ電位Ｖｄに対応するオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係は比例関係になる。（１５）式より、反転基準電位Ｖreは、（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）の形で表現される。すなわち、反転基準電位Ｖreの値は、駆動トランジスタｔｄｒの特性と、移動度補償期間の時間長と、当該画素回路Ｐの電気的な特性とに基づいて決定される。
【００５９】
上述の式（１５）において、（β×Δｔ×Ｃｅｌ）／Ｃ＝α１、２Ｃ＝α２とすると、式（１５）は以下の式（１７）のように表現される。
【数１８】
そして、図１０に示される実施条件の下では、α1の範囲は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11となる一方、α2の範囲は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12となる。図１０において、移動度補償期間の時間長の最小値を2.0×10-6（ｓ）としたのは、寄生抵抗・容量の影響により、各配線に出力される信号の波形が歪むため、移動度補償期間において発光制御トランジスタＴｅｌを確実にオン状態とするには、発光制御信号ＧＥＬがローレベルに設定される期間が最低でも2.0×10-6（ｓ）必要だからである。また、移動度補償期間の時間長の最大値を5.0×10-6（ｓ）としたのは、移動度補償期間の時間長が長すぎると、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間の電圧が閾値電圧Ｖｔｈに漸近してオフ状態になってしまうため、駆動トランジスタＴｄｒがオフ状態にならない範囲で上限値を定めたものである。
上述のα1、α2が最小（Min）または最大（Max）の場合の各々について、データ電位Ｖｄとオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔとの関係をグラフ化すると、図１１のようになる。何れの場合においても、データ電位Ｖｄが、基準階調に対応するデータ電位（（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ））よりも高い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは正の値に設定される一方、基準階調に対応するデータ電位よりも低い場合（当該データ電位Ｖｄに対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示す場合）は、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは負の値に設定される。
【００６０】
また、図９においては、実は、駆動トランジスタＴｄｒの移動度μを基準値（中心値）から±２０％の範囲で変動させた各場合（即ち、（１６）式のβをそのように変動させた各場合）についてのＩｄｓ_ｏｕｔの算出結果が示されている。しかし、これらの各場合はいずれも、図９の縮尺の限りでは、１本の曲線に収斂されるようなかたちで（即ち、図９中、破線及び一点差線は、実線によって覆い隠されるかのように）、表現される。つまり、当該各場合のような移動度μの変動があっても、駆動トランジスタＴｄｒに流れる電流（即ち、有機ＥＬ素子８に流れる電流）は、どの駆動トランジスタＴｄｒに関してもほとんど同じになるのである。
【００６１】
このように、図９の縮尺の限りでは全く差異が生じないかのようであるが、より微細に観察すると、前記各場合に関して、図１２に示すような電流Ｉｄｓ_ｏｕｔのバラツキをみることができる。この図１２は、上で参照した図６と同趣旨の図である。
この図１２と図６とを対比するとわかるように、電流Ｉｄｓ_ｏｕｔのバラツキの程度は、図１２のほうが遥かに改善されていることがわかる。すなわち、図６では、バラツキの程度が３５％にも達しようかというのに対して、図１２では、１．５％以下になるのである。
【００６２】
以上に述べたような有機ＥＬ装置１００によれば、次のような効果が奏される。
（１） 本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、移動度補償動作の後、データ電位Ｖｄの相違に応じて最適に定められたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧に印加されるようになっているので、有機ＥＬ素子８の発光階調にかかわらず、移動度バラツキを原因とする発光輝度バラツキの程度を抑制することが可能になる。
【００６３】
図１３は、前述の（６）のオフセット電位書込動作を行わずに、（５）の移動度補償動作のみを行った場合における、データ電位Ｖｄａｔａと駆動トランジスタＴｄｒの電流Ｉｄｓとの関係である。また、図１４は、前述の（６）のオフセット電位書込動作は行うが、その際に書き込まれるべきオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔをある一定の値に固定した上で（５）の移動度補償動作を行った場合における、データ電位Ｖｄと駆動トランジスタＴｄｒを流れる電流Ｉｄｓとの関係である。なお、これら図１３及び図１４においては、前述した図９と同様、駆動トランジスタＴｄｒの移動度μを基準値（中心値）から±２０％の範囲で変動させた各場合についてのＩｄｓの算出結果が示されている。
このような図１３及び図１４と、図９とを対比すると明らかなように、本実施形態の場合は、図１３又は図１４においてみられるようなバラツキＢＲ１又はＢＲ２がなく、有機ＥＬ素子８がどの階調で発光しても（即ち、データ電位Ｖｄａｔａがどのような値となっても）、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する発光輝度のバラツキを抑制することが可能である。
【００６４】
また、図１５は、本実施形態のように、データ電位Ｖｄに応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込む場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝ｆ（Ｖｄ）と表現されている。図中実線参照）、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込まない場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝０と表現されている。図中一点鎖線参照）、及びオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを書込むがそれが固定値である場合（図ではＶｏｆｆｓｅｔ＝ｃｏｎｓｔ．と表現されている。破線参照）の３つの場合について、データ電位Ｖｄの変化に応じた、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓのバラツキの程度を示すグラフである。この図からも、本実施形態が、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する電流のバラツキをいかに実効的に克服しているかがよくわかる。
【００６５】
以上のように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子８がどの階調で発光しても、駆動トランジスタＴｄｒの移動度のバラツキに起因する発光輝度のバラツキを抑制することが可能である。
【００６６】
（２） 本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、より高い発光輝度の実現が可能になる。
移動度補償を実行すると、例えば図５において示唆されるように、各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓは減少してしまう（図５では、本来、１．０×１０−４〔Ａ〕程度の電流が流れるはずのところ、最適補償時間Ｔの移動度補償動作によって、１．０×１０−５〔Ａ〕程度の電流しか流れないことになる。）。したがって、より高い発光輝度の実現、あるいはより明るい画像の表示が困難になるおそれがある。
しかるに、本実施形態においては、このような移動度補償動作を実行した後に、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが印加されることになるから、一定程度の電流量のいわば回復が可能になる。すなわち、図４右方及び図７の縦軸に着目すれば明らかなように、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの印加によって、有機ＥＬ素子８に流れる電流量は増加（即ち発光輝度は増加）するのである。
図１６は、前記図１５と同様の３つの場合について、データ電位Ｖｄａｔａとドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係を示すグラフである。この図をみるとわかるように、本実施形態の場合は、他の各場合に比べて、明らかに高輝度の画像表示が可能になる。なお、前述において、ΔＶｇｓの（１０）式以外の解（（１１）式）が考慮外とされたのは、この図１６に示されるような効果の実効的享受に配慮してのことである。すなわち、前記（１１）式によるとΔＶｇｓは常にマイナス、即ちオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは常にマイナスとなってしまうため、図１６のような高輝度化を実現することは困難となってしまうからである。
【００６７】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記実施形態においては、（１５）式に基づいて、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔが算出されるようになっているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出するに当たっては、（１５）式の形をそのまま利用するのではなく、（１５）式、あるいは図８に示した曲線をよく近似する適当な近似式が用いられてよい。この場合、そのような近似式としては様々なものが想定されることになるが、具体的には例えば、以下のような例を挙げることができる。
【００６８】
（１-１） 第１に、図１７に示すような近似直線ＮＣを用いる場合である。なお、この図１７において示される曲線Ｋ１５は、図８に示した曲線と実質的に同じものである。つまり、この曲線Ｋ１５は、データ電位Ｖｄの変化に応じて、（１５）式によって算出されたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの変化の様子を表している。
近似直線ＮＣは、図１７から明らかなように、曲線Ｋ１５をよく近似する。そして、図１に示すオフセット電位演算部ＯＶＣにおいて、このような近似直線ＮＣを、（１５）式の代わりに用いたとしても、それなりの精度でオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを算出することは可能である。
以上により、このような態様であっても、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
また、このような態様では、（１５）式の算出に比べて明らかに、その算出にかかる手間・時間が減少することから、算出速度の向上、処理速度の高速化等を達成することもできる。
【００６９】
（１-２） 第２に、前述のような近似直線ＮＣを用いるにしても、その直線の形を決める係数について以下のような工夫を加えるとよい。
すなわち、まず、（１５）式を微分すると、
【数１９】
が得られる。これをデータ電位Ｖｄの変化に応ずるＶｏｆｆｓｅｔ’の変化として図示すると、図１８に示すような曲線Ｋ１５’が描かれる。
この（１８）式、あるいは図１８の曲線Ｋ１５’は、前述の近似直線ＮＣを、Ｖｏｆｆｓｅｔ＝α１・Ｖｄ＋α２と表す場合における係数α１及びα２を好適に定めるにあたっての一指標となる。
まず、相対的に高階調の領域においては、傾きα１が、０以上、１／４以下であれば、近似直線ＮＣは、高階調領域における曲線Ｋ１５を一定程度よく近似することがわかる。例えば、図１７に示す近似直線ＮＣｈ１、あるいはＮＣｈ２（近似直線ＮＣｈ１を平行移動したもの）は、この条件を満足する一例である。
他方、相対的に低階調の領域においては、傾きα１が、−１以上、０以下であれば、近似直線ＮＣは、低階調領域における曲線Ｋ１５を一定程度よく近似することがわかる。例えば、図１７に示す近似直線ＮＣｌ１は、この条件を満足する一例である。
なお、これらの場合において、高階調及び低階調間の区別は、図１７に示すように、前述したＶｏｆｆｓｅｔが０以上となるポイントであるＶｄａｔａ〔Ａ〕＝（２Ｃ２）／（β・Δｔ・Ｃｅｌ）を基準に考えて行うのが好適な一例である。
【００７０】
（１-３） 第３に、（１５）式をテイラー展開すると、
【数２０】
となる。
この（１９）式に基づき、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔの１次、２次、３次までの近似を図示すると、図１９に示すようになる。なお、図１９中、実線は、図８及び図１７と同様、（１５）式に基づいて求められるＶｄとＶｏｆｆｓｅｔとの関係である。
この図１９によると、低階調の領域においては、低次の近似であっても、（１９）式は（１５）式のＶｏｆｆｓｅｔをよく近似するといえる。したがって、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、例えば、１次近似式、Ｖｏｆｆｓｅｔ＝−Ｖｄなどと表現可能である。なお、ここでいう「低」階調の意義（ないしは、これと「高」階調との区別）は、上述の（１-２）で述べたのと同様に考えてよい。
もちろん、（１９）式における高次の項を勘案すればするほど、オフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔは更によく近似されていく。本発明は、このような場合を積極的に排除するわけではないが、図１９においても示唆されるように、（１５）式によって求められるオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔによりよく近づくためには、相当程度高次の項まで考慮しなければならないことがわかる。したがって、高速処理等の他の目的との兼ね合い等も考慮すれば、せいぜい図１９に示す３次程度まで、あるいは、より好適には上述のように１次の近似だけを考慮するだけでも、十分ということがいえる。
【００７１】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図２０は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図２１に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図２２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００７２】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００７３】
１００……有機ＥＬ装置，７……素子基板，７ａ……画像表示領域，ＣＵ……制御回路，ＯＶＣ……オフセット電圧演算部，１０３……走査線駆動回路，１０６……データ線駆動回路，３……走査線，６……データ線，１１３……電源線，８……有機ＥＬ素子，Ｐ……単位回路，Ｔｄｒ……駆動トランジスタ，Ｔｅｌ……発光制御トランジスタ，Ｔｒ１〜Ｔｒ３……第１〜第３トランジスタ，Ｃ１……容量素子，Ｃｇｓ……（容量素子Ｃ１の）容量値，Ｃｅｌ……（有機ＥＬ素子８の）容量値，Ｚ１……ノード，ＧＥＬ……発光制御信号，ＧＩＮＩ１……第１補償制御信号，ＧＩＮＩ２……第２補償制御信号，ＧＷＲＴ……走査信号，Ｉｅｌ……駆動電流，Ｖｄ……データ電位，Ｖｇ……ゲート電位，Ｖｓ……ソース電位，Ｖｔｈ……閾値電圧，Ｖｏｆｆｓｅｔ……オフセット電圧，Ｉｄｓ，Ｉｄｓ_ｏｕｔ……（駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電流，Ｖｇｓ……（駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電圧，ΔＶｇｓ……（オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの書込に基づく、駆動トランジスタの）ドレイン・ソース間電圧（の増加分），μ……（駆動トランジスタの）移動度，ＮＣ，ＮＣｈ１，ＮＣｈ２，ＮＣｌ１……近似直線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路と、前記画素回路の駆動を制御する制御部とを具備し、
前記画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、
前駆駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、
前記駆動トランジスタのゲートとデータ線との間に配置される第１スイッチング素子と、
を備え、
前記制御部は、
第１期間において、前記第１スイッチング素子をオン状態に設定するとともに、前記データ線に供給する電位を当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位に設定することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、
前記第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、前記データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるように制御し、
前記第２期間の後の第３期間において、前記データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記データ線に供給する電位として設定する一方、前記基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記データ線に供給する電位として設定することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、
前記第３期間の後の第４期間において、前記第１スイッチング素子をオフ状態に設定することで、前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位を、前記発光素子が発光するように変化させる、
発光装置。
【請求項２】
前記画素回路は、前記発光素子および前記駆動トランジスタと直列に接続される発光制御トランジスタをさらに備え、
前記制御部は、
前記第１期間および前記第３期間において前記発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記第２期間および前記第４期間において前記発光制御トランジスタをオン状態に設定し、
前記第１期間、前記第２期間および前記第３期間における前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位は、前記発光素子が非発光となるような値に設定される、
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記基準階調に対応するデータ電位の値は、当該画素回路における前記駆動トランジスタの特性と、前記第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される、
請求項１または請求項２の発光装置。
【請求項４】
前記基準階調に対応するデータ電位は以下の式で表現される、
請求項３の発光装置。
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＝（２×Ｃ２）／（β×Δｔ×Ｃｅｌ）
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕：基準階調に対応するデータ電位、Ｃ：当該画素回路における容量素子の容量と発光素子に付随する容量との和、β：β＝（Ｗ×μ×Ｃox）／Ｌの形で表される駆動トランジスタの特性を示すパラメータ（Ｗ：チャネル幅、μ：移動度、Ｃox：単位面積当たりのゲート容量、Ｌ：チャネル長）、Δｔ：第２期間の時間長、Ｃｅｌ：発光素子に付随する容量。
【請求項５】
前記データ電位が前記基準階調に対応するデータ電位よりも低い反転基準電位を下回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は反比例の関係になり、
前記データ電位が前記反転基準電位を上回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は比例関係になる、
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記反転基準電位の値は、当該画素回路における前記駆動トランジスタの特性と、前記第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される、
請求項５の発光装置。
【請求項７】
前記反転基準電位は以下の式で表現される、
請求項６の発光装置。
Ｖre＝（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）
Ｖre：反転基準電位。
【請求項８】
前記データ電位と前記オフセット電位との関係は以下の式で表現される、
請求項１から請求項７の何れかの発光装置。
Ｖｏｆｆｓｅｔ：オフセット電位、Ｖｄ：データ電位。
【請求項９】
α1＝β×Δｔ×（Ｃｅｌ／Ｃ）、α2＝２Ｃとすると、
α1は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11を満たすように設定され、
α2は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12を満たすように設定される、
請求項８の発光装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【請求項１１】
発光素子と、前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、前駆駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、を含む画素回路を備える発光装置の駆動方法であって、
第１期間において、当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位を前記駆動トランジスタのゲートへ供給することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、
前記第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、前記データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるようにし、
前記第２期間の後の第３期間において、前記データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記駆動トランジスタのゲートに供給する一方、前記基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記駆動トランジスタのゲートに供給することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、
前記第３期間の後の第４期間において、前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位を前記発光素子が発光するように変化させる、
発光装置の駆動方法。
【請求項１】
画素回路と、前記画素回路の駆動を制御する制御部とを具備し、
前記画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、
前駆駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、
前記駆動トランジスタのゲートとデータ線との間に配置される第１スイッチング素子と、
を備え、
前記制御部は、
第１期間において、前記第１スイッチング素子をオン状態に設定するとともに、前記データ線に供給する電位を当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位に設定することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、
前記第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、前記データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるように制御し、
前記第２期間の後の第３期間において、前記データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示す場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記データ線に供給する電位として設定する一方、前記基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記データ線に供給する電位として設定することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、
前記第３期間の後の第４期間において、前記第１スイッチング素子をオフ状態に設定することで、前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位を、前記発光素子が発光するように変化させる、
発光装置。
【請求項２】
前記画素回路は、前記発光素子および前記駆動トランジスタと直列に接続される発光制御トランジスタをさらに備え、
前記制御部は、
前記第１期間および前記第３期間において前記発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記第２期間および前記第４期間において前記発光制御トランジスタをオン状態に設定し、
前記第１期間、前記第２期間および前記第３期間における前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位は、前記発光素子が非発光となるような値に設定される、
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記基準階調に対応するデータ電位の値は、当該画素回路における前記駆動トランジスタの特性と、前記第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される、
請求項１または請求項２の発光装置。
【請求項４】
前記基準階調に対応するデータ電位は以下の式で表現される、
請求項３の発光装置。
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕＝（２×Ｃ２）／（β×Δｔ×Ｃｅｌ）
Ｖｄａｔａ〔Ａ〕：基準階調に対応するデータ電位、Ｃ：当該画素回路における容量素子の容量と発光素子に付随する容量との和、β：β＝（Ｗ×μ×Ｃox）／Ｌの形で表される駆動トランジスタの特性を示すパラメータ（Ｗ：チャネル幅、μ：移動度、Ｃox：単位面積当たりのゲート容量、Ｌ：チャネル長）、Δｔ：第２期間の時間長、Ｃｅｌ：発光素子に付随する容量。
【請求項５】
前記データ電位が前記基準階調に対応するデータ電位よりも低い反転基準電位を下回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は反比例の関係になり、
前記データ電位が前記反転基準電位を上回る場合、当該データ電位に対応するオフセット電位と当該データ電位との関係は比例関係になる、
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記反転基準電位の値は、当該画素回路における前記駆動トランジスタの特性と、前記第２期間の時間長と、当該画素回路の電気的な特性とに基づいて決定される、
請求項５の発光装置。
【請求項７】
前記反転基準電位は以下の式で表現される、
請求項６の発光装置。
Ｖre＝（２×Ｃ２）／（３×β×Δｔ×ＣＥＬ）
Ｖre：反転基準電位。
【請求項８】
前記データ電位と前記オフセット電位との関係は以下の式で表現される、
請求項１から請求項７の何れかの発光装置。
Ｖｏｆｆｓｅｔ：オフセット電位、Ｖｄ：データ電位。
【請求項９】
α1＝β×Δｔ×（Ｃｅｌ／Ｃ）、α2＝２Ｃとすると、
α1は、2.7×10-12＜α1＜3.6×10-11を満たすように設定され、
α2は、4.8×10-12＜α2＜7.2×10-12を満たすように設定される、
請求項８の発光装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【請求項１１】
発光素子と、前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、前駆駆動トランジスタのゲートとソースとの間に配置される容量素子と、を含む画素回路を備える発光装置の駆動方法であって、
第１期間において、当該画素回路の指定階調に応じたデータ電位を前記駆動トランジスタのゲートへ供給することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記データ電位に応じた値に設定し、
前記第１期間の後、所定の時間長に定められた第２期間において、前記データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるようにし、
前記第２期間の後の第３期間において、前記データ電位に対応する指定階調が所定の基準階調よりも高い階調を示すものである場合は、正の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記駆動トランジスタのゲートに供給する一方、前記基準階調よりも低い階調を示すものである場合は、負の値のオフセット電位を当該データ電位に加えた電位を、前記駆動トランジスタのゲートに供給することで、前記容量素子の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定し、
前記第３期間の後の第４期間において、前記駆動トランジスタと前記発光素子との接続点の電位を前記発光素子が発光するように変化させる、
発光装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１１−２６７７（Ｐ２０１１−２６７７Ａ）
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４６１０４（Ｐ２００９−１４６１０４）
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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