発光装置及び電子機器
【課題】視角によって生ずる色度ずれを抑制することが可能な発光装置及びその発光装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】青用画素ＤＢの光学的距離を、発光層２２から出射される３つの発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲であってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークで光共振が生じるように設定するようにした。このとき、青用画素ＤＢの光学的距離は、青用画素電極１５Ｂの膜厚を調整することによって設定するようにした。
【解決手段】青用画素ＤＢの光学的距離を、発光層２２から出射される３つの発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲であってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークで光共振が生じるように設定するようにした。このとき、青用画素ＤＢの光学的距離は、青用画素電極１５Ｂの膜厚を調整することによって設定するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光性有機材料を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」という）素子を備えた画素を有した有機エレクトロルミネッセンス発光装置の開発が進められている。一般に、有機ＥＬ素子は、２つの電極間に発光層を挟持した構成をしており、発光層から発せられた光をそのまま表示光として利用するようになっている。
【０００３】
しかし、有機ＥＬ素子からそのまま取り出された光は、スペクトルがブロードであり、発光輝度も低いため、発光装置に適用した場合、十分な色再現性が得られないという問題があった。そこで、各画素に半透明反射層（ハーフミラー層）を設け、発光層から発せられた光を、一方の電極と半透明反射層との間で往復するように反射させて、その光学的距離に対応した共振波長の光のみを増幅させて外部に取り出すようにした共振器構造を備えた発光装置が提案されている。このような共振器構造を備えた発光装置は、光学的距離を適宜変更することで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した波長の各色の光を取り出すことも可能となる。また、各画素に対向した位置にカラーフィルタを設け、各画素から出射される赤、緑及び青色の光の再現性を向上させたものもある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２７９７８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、電極及び半透明反射層を、基板に対して垂直方向に順次積層した構成であるので、各画素の光学的距離は、基板に対して垂直方向と斜め方向とで見かけ上の光学的距離が異なる。この結果、基板に対して斜め方向に出射される光は垂直方向に出射される光に比べてピーク波長が短波長にずれることにより、見る角度（視角）によって異なった色に見える、所謂色度ずれが生じてしまう。その結果、視野角が狭いという問題があった。特に、カラーフィルタを備えた上記発光装置では、赤用画素と緑用画素は視角によってピーク波長が短波長側にシフトしてもカラーフィルタによって色度ずれが補正される。しかし、青用画素については、カラーフィルタの特性上、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持するため、短波長側にシフトする光については色度ずれを補正することが困難であった。この結果、青色の光については、斜め方向からみると色相がずれてしまう。
【０００５】
本発明では、このような事情に鑑みてなされたものであって、視角によって生ずる色度ずれを抑制することが可能な発光装置及びその発光装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置され、少なくとも１以上の発光ピークを有する光を出射する発光層を含む機能層と、を具備する画素が複数形成された発光装置であって、前記画素は、赤色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素と、緑色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定され
た緑用画素と、青色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素と、から構成され、前記青用画素の光学的距離が、前記１以上の発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側の発光ピークで設定されている。
【０００７】
これによれば、青用画素の光共振は、発光層から出射される光のうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側にある発光ピークの波長で生じる。従って、例えば、最も短波長側にある発光ピークの波長が４５０ｎｍ以上である発光スペクトルを有している場合では、その発光ピークの波長よりも短波長側の波長領域の発光強度は、発光ピークを有さず単調に小さくなる。従って、その最も短波長側にある発光ピークの波長で光学的距離を設定することによって、基板に対して斜め方向に観測される光は、その短波長側にシフトするためその発光強度が小さくなるが、その共振波長は変化しない。この結果、青用画素から出射される光について、視角による色度ずれを抑制することができる。
【０００８】
また、４５０ｎｍ未満の波長の光は、人間の視感度が低く、例えば、一般に青色の光と認識される４５０ｎｍの波長における視感度の半分以下となる。従って、４５０ｎｍ未満の波長の光は、非常に暗い光として認識される。また、公知の色度座標から４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として認識される。従って、本発明のように、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍにある最も短波長側の発光ピークを共振波長とすることで、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光を生成することができる。
【０００９】
この発光装置において、前記青用画素の前記光学的距離は、前記青用画素の第１の電極の膜厚を調整することで設定されていてもよい。
これによれば、共振波長を決定する光学的距離は、反射層と第２の電極との間に配置される機能層及び第１の電極の各膜厚と、その機能層を構成する各層及び第１の電極の各屈折率とによって決定されるが、本発明では、第１の電極の膜厚を調整することで光学的距離を設定するようにする。従って、青用画素以外の緑用画素及び赤用画素に対してもその機能層の膜厚を同じにすることができるので、各青用画素、緑用画素及び赤用画素毎に機能層の膜厚を異ならせる必要はない。この結果、機能層を各青用画素、緑用画素及び赤用画素毎に形成する必要はないので、各青用画素、緑用画素及び赤用画素の形成が容易となる。
【００１０】
この発光装置において、前記赤用画素に相対向する位置に赤色の光を限定する赤用フィルタ、前記緑用画素に相対向する位置に緑色の光を限定する緑用フィルタ、及び前記青用画素に相対向する位置に青色の光を限定する青用フィルタを更に有するカラーフィルタを備えてもよい。
【００１１】
これによれば、カラーフィルタが設けられているので、青、緑及び赤用画素の視角特性はカラーフィルタで補正される。この結果、より色再現性の良好な発光装置を実現できる。
【００１２】
この発光装置において、前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていてもよい。
これによれば、正孔輸送層は、各青、緑及び赤用画素の第１の電極から発光層へのキャリアの注入効率を高めるとともに、発光層内を移動する電子をブロッキングする機能を有する。また、電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。従って、発光層内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率が高まる。この結果、各画素での発光効率が向上し、高輝度表示が可能となる。
【００１３】
この発光装置において、前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を
覆う保護層が形成されていてもよい。
これによれば、光反射層は、一般的に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成されている。従って、第１の電極を形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤によって光反射層が劣化してしまうが、本発明のように、光反射層上には保護層が形成されているため、劣化しない。この結果、第１の電極は、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の発光装置を実現できる。
【００１４】
この発光装置において、前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低くてもよい。
これによれば、各画素の光共振波長は、光反射層と光半透過反射層との間の光学的距離、つまり、光反射層と光半透過反射層との間に配置される第１の電極、機能層、保護層の光学的距離の総和に対応し、また、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められることが知られている。本発明では、保護層の屈折率は第１の電極より低いので、光共振波長は保護層の影響を受けない。保護層の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から第１の電極の膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができるので、第１の電極の膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記記載の発光装置を備えている。
これによれば、青色の光について色度ずれが生ずるのが抑制されることにより、視角が広い画像を表示することが可能な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面に従って説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の発光装置としての有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【００１７】
本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光層から発光（内部発光）した光（表示光）を基板とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１０は、光透過性を有する基板（透明基板）１１を備えるとともに、該基板１１上には、青用画素形成領域ＺＢ、緑用画素形成領域ＺＧ及び赤用画素形成領域ＺＲがマトリクス状に配置されている。各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲは、図１においてＸ矢印方向に沿って、青用画素形成領域ＺＢ→緑用画素形成領域ＺＧ→赤用画素形成領域ＺＲ→…の順に繰り返して配置されるとともに、Ｚ矢印方向（紙面奥側方向）に沿っては同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲが配置されている。
【００１８】
また、基板１１上には、各同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲに沿ってストライプ状に、光反射性の高い材料等で構成された複数の光反射層１２が延設されている。本実施形態の光反射層１２は、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。
【００１９】
各光反射層１２上には、該光反射層１２を被覆するように保護層１３が形成されている。この保護層１３は、光透過性に優れ、かつ電気絶縁性を有した材料で構成されている。本実施形態では、保護層１３は、後記する青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成されている。本実施形態では、窒化珪素（ＳｉＮ）（屈折率１．８）で構成されている。
【００２０】
各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ内の保護層１３上には、光透過性を有した導電性材料で構成された第１の電極としての青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒが区画形成されている。つまり、複数の青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、保護層１３を介して各光反射層１２と相対向するようにマトリクス状に配置されている。本実施形態の画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、インジウム−錫酸化物（
ＩＴＯ）で構成されている。
【００２１】
また、基板１１上には、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを覆うように機能層２０が形成されている。本実施形態の機能層２０は、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を備え、基板１１側から正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３の順に積層されている。
【００２２】
正孔輸送層２１は、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒから発光層２２への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層２２内を移動する電子をブロッキングする機能を有し、発光層２２内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層２１には、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒからの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、即ち、分散媒としてポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いられる。また、本実施形態では、正孔輸送層２１は、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒに対して均一な膜厚である。
【００２３】
発光層２２は、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の有機高分子発光材料で構成されている。このような材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオレン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの各発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。本実施形態の発光層２２は、青系の色の光を出射する発光材料とオレンジ系の色の光を出射する発光材料とを積層したものである。また、本実施形態では、発光層２２は、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００２４】
図５は、本実施形態の発光層２２の発光（内部発光）スペクトルである。図５に示すように、発光層２２から出射される光は、４３０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルを有しており、３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３を備えている。各発光ピークＰ１〜Ｐ３のうち、第１の発光ピークＰ１は、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲内にある最も短波長側の発光ピークであって、４８０ｎｍに現れる。第２の発光ピークＰ２は第１の発光ピークＰ１よりも長波長側にあって、５０５ｎｍに現れる。第３の発光ピークＰ３は最も長波長側にある発光ピークであって、６００ｎｍに現れる。
【００２５】
電子輸送層２３は、発光層２２への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。この電子輸送層２３は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で構成されている。本実施形態では、電子輸送層２３は、発光層２２上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００２６】
図１に示すように、機能層２０上（電子輸送層２３上）の全面には、第２の電極としての共通電極２５が形成されている。共通電極２５は、本実施形態では、金属薄膜であるマグネシウムと銀の化合物（Ｍｇ−Ａｇ）からなる薄膜（膜厚：１０ｎｍ）である。共通電
極２５は、光透過性及び光反射性を有し、発光層２２から発せられた光の一部を透過して、残りの光の一部または全部を光反射層１２側に反射するハーフミラーとして機能するとともに各画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの対向電極として機能する。
【００２７】
尚、青用画素電極１５Ｂ、共通電極２５、及び各青用画素電極１５Ｂと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで青用有機ＥＬ素子２８Ｂが構成される。そして、青用画素形成領域ＺＢには青用有機ＥＬ素子２８Ｂを含む青用画素ＤＢが形成される。また、緑用画素電極１５Ｇ、共通電極２５、及び緑用画素電極１５Ｇと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで緑用有機ＥＬ素子２８Ｇが構成される。そして、緑用画素形成領域ＺＧには緑用有機ＥＬ素子２８Ｇを含む緑用画素ＤＧが形成される。さらに、赤用画素電極１５Ｒ、共通電極２５、及び各赤用画素電極１５Ｒと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで赤用有機ＥＬ素子２８Ｒが構成される。そして、赤用画素形成領域ＺＲには赤用有機ＥＬ素子２８Ｒを含む赤用画素ＤＲが形成される。
【００２８】
そして、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲは、各発光層２２から発せられた光を各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの直下に配置された光反射層１２と共通電極２５との間で往復するように反射させて共振させる光共振器構造が形成される。
【００２９】
図２、図３及び図４は、それぞれ、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの拡大断面図である。図２に示すように、青用画素ＤＢにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＢで示し、図３に示すように、緑用画素ＤＧにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＧで示し、図４に示すように、赤用画素ＤＲにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＲで示す。
【００３０】
ところで、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲは、それぞれ、該画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに形成された光共振器構造の共振条件に従った共振波長の光となる。この共振波長は、光反射層１２と共通電極２５との間の光学的距離、つまり、光反射層１２と共通電極２５との間に配置される各層の光学的距離の総和に対応する。各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。本実施形態では、各有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒは全て共通の材料で構成されているので、各層の屈折率は等しい。従って、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの光学的距離は、各層の膜厚の総和である各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲによって決定される。尚、共振波長は、光学的距離が長くなるのに伴って（本実施形態では、各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲが長くなるのに伴って）長くなる。
【００３１】
そして、青用画素ＤＢでは、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第１の発光ピークＰ１、即ち、最も短波長側にある発光ピークが現れる波長で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１が調整されている。本実施形態では、第１の発光ピークＰ１は４８０ｎｍである。従って、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を２０ｎｍに調整されている。このようにすることで、青用画素ＤＢでは、４８０ｎｍで光共振が生じるように設定される。
【００３２】
緑用画素ＤＧは、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２を調整することで、距離ＬＧに対応した光学的距離を緑色の光が生成される光学的距離に設定されている。本実施形態では、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２は６５ｎｍに調整されている。また、赤用画素ＤＲは、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３を調整することで、距離ＬＲに対応した光学的距離を赤色の光が生成される光学的距離に設定されている。本実施形態では、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３は９５ｎｍに調整されている。
【００３３】
図１に示すように、共通電極２５上には、カラーフィルタ５１が取り付けられている。カラーフィルタ５１は、光透過性を有したカラーフィルタ基板５２を備え、そのカラーフ
ィルタ基板５２には、青用フィルタとしての青色変換層５３Ｂ、緑用フィルタとしての緑色変換層５３Ｇ、及び赤用フィルタとしての赤色変換層５３Ｒが設けられている。青色変換層５３Ｂは青用画素ＤＢに相対向する位置に配置され青用画素ＤＢから出射される光ＨＢの波長を制限する機能を有する。緑色変換層５３Ｇは緑用画素ＤＧに相対向する位置に配置され緑用画素ＤＧから出射される光ＨＧの波長を制限する機能を有する。赤色変換層５３Ｒは赤用画素ＤＲに相対向する位置に配置され赤用画素ＤＲから出射される光ＨＲの波長を制限する機能を有する。各色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒは、ブラックマトリクスＢＭによってマトリクス状に区画配置されている。
【００３４】
図６は、各青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの光透過分光特性を示している。図６において、赤色変換層５３Ｒの光透過分光特性を曲線Ｒｏ（実線）で示し、緑色変換層５３Ｇの光透過分光特性を曲線Ｇｏ（一点鎖線）で示し、青色変換層５３Ｂの光透過分光特性を曲線Ｂｏ（二点鎖線）で示す。
【００３５】
図６において曲線Ｒｏ（実線）で示すように、赤色変換層５３Ｒは、短波長側に対しては特定の波長成分を遮断する特性を有するとともに、長波長側に対しては高い透過率を維持する特性を有している。赤色変換層５３Ｒは、赤用画素ＤＲから出射された光ＨＲのうち５９０ｎｍ未満の波長の光を遮断し、５９０ｎｍ以上の波長の光を透過するようになっている。
【００３６】
緑色変換層５３Ｇは、約１００ｎｍ程度の範囲の波長の光を透過する特性を有している。緑色変換層５３Ｇは、緑用画素ＤＧから出射された光ＨＧのうち５０５ｎｍ未満の波長の光及び６００ｎｍ以上の波長の光を遮断し、５０５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲にある波長の光を透過する。
【００３７】
青色変換層５３Ｂは、長波長側に対しては特定の波長成分を遮断する特性を有するとともに、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持する特性を有している。
図２に示すように、基板１１に対して法線方向（図２において、Ｙ矢印方向）を正面方向とする。そして、その法線と、前記法線から基板１１の平行方向（図２において、Ｘ矢印方向）に向かって斜めに傾いた線との間のなす角を出射角Ｑと定義する。例えば、図２〜図４において、基板１１に対して法線方向は出射角Ｑ＝０°であり、基板１１に対して平行な方向は出射角Ｑ＝９０°となる。
【００３８】
次に、前記のように構成された青用画素ＤＢの作用について、図７及び図８に従って説明する。青用画素ＤＢでは、前記したように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することで、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第１の発光ピークＰ１の波長（４８０ｎｍ）で光共振が生じるように設定されている。
【００３９】
図７（ａ）は、カラーフィルタ５１の青色変換層５３Ｂを透過した青色の光の発光スペクトルである。図７（ａ）において、実線で示す曲線Ｌｏａは、出射角Ｑ＝０°（つまり、基板１１に対して正面）の向きに観測された光の発光スペクトルであり、破線で示す曲線Ｌ１ａは、出射角Ｑ＝３０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。また、一点鎖線で示す曲線Ｌ２ａは、出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。
【００４０】
図７（ａ）に示すように、青色変換層５３Ｂを透過した青色の光は、その出射角が正面（出射角Ｑ＝０°）からＱ＝３０°、６０°と広角になるのに従ってその発光強度が小さくなるだけであって、その発光ピークの波長（図７（ａ）中矢印で示した波長）は変化しないことが分かった。尚、出射角Ｑ＝０°の向きに観測された光と出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．０２であった。
【００４１】
図７（ｂ）は、本実施形態と異なり、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第２の発光ピークＰ２の波長（５０５ｎｍ）で光共振が生じるように設定された青色変換層５３Ｂを透過した光の発光スペクトルである。図７（ｂ）において、実線で示す曲線Ｌｏｂは、出射角Ｑ＝０°（つまり、基板１１に対して正面）の向きに観測された光の発光スペクトルであり、破線で示す曲線Ｌ１ｂは、出射角Ｑ＝３０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。また、一点鎖線で示す曲線Ｌ２ｂは、出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。
【００４２】
図７（ｂ）に示すように、第２の発光ピークＰ２の波長（５０５ｎｍ）で光共振が生じるように設定された光は、基板１１に対して出射角Ｑ＝０°、３０°、６０°と広角になるのに従って、その発光強度が小さくなるとともに、その発光ピークの波長（図７（ｂ）中矢印で示した波長）が短波長側にシフトすることが分かった。尚、出射角Ｑ＝０°の向きに観測された光と出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．１５であった。
【００４３】
以上の結果から、本実施形態のように、発光層２２の内部発光スペクトルにおける最も短波長側にある第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように青用画素ＤＢの光学的距離を設定することで、青色変換層５３Ｂを透過した光は、視角による色度ずれが生じないことが示された。
【００４４】
また、図８に示す公知の視感度特性のグラフからわかるように、人間の視感度、即ち人間が感じる明るさは、概ね４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲の波長の光に対して非常に高く視認され、４５０ｎｍ未満の波長の光は、非常に暗い光として視認される。また、公知の色度座標から４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として認識されることが知られている。本実施形態では、第１の発光ピークＰ１が現れる波長は、４８０ｎｍであるので、青用画素ＤＢから出射される光ＨＢは、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光となる。
【００４５】
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、特にその有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒの形成方法について図９〜図１１に従って説明する。
まず、ガラス等で構成された光透過性を有する基板（透明基板）１１を用意し、公知の方法によって、基板１１上に図示しないデータ線、走査線、スイッチングトランジスタ及びドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを形成する。そして、図９（ａ）に示すように、列状に配置形成された青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ上にストライプ状の光反射層１２を形成する。本実施形態では、基板１１上の全面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２を形成する。
【００４６】
続いて、基板１１上の全面に対して光反射層１２上に渡って窒化珪素（ＳｉＮ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２上を被覆するように保護層１３を形成する。本実施形態では、膜厚５０ｎｍの保護層１３を形成する。
【００４７】
次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上に、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３と緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２との差分（＝ｄ３−ｄ２＝３０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィー法によって形成する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚３０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６１をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６１上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで赤用画素電極形成領域ＳＲ上の導電性膜６１上にのみレジスト膜６２を形成する。
【００４８】
続いて、そのレジスト膜６２を介して導電性膜６１をエッチングし、さらに、レジスト膜６２を剥離除去する。この結果、図９（ｃ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上にのみ膜厚３０ｎｍの導電性膜６１がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上に形成された導電性膜６１を第１電極層Ｑ１といい、その膜厚Ｔ１は３０ｎｍとなる。
【００４９】
次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上に、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２と青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄｂとの差分（＝ｄ２−ｄ１＝４５ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図９（ｄ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚４５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６３をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６３上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、赤用画素電極形成領域ＳＲ及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上の導電性膜６３上にレジスト膜６４を形成する。
【００５０】
続いて、そのレジスト膜６４を介して導電性膜６３をエッチングし、さらに、レジスト膜６４を剥離除去する。この結果、図１０（ａ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の各保護層１３上には、先に形成された第１電極層Ｑ１上に膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧ上の各保護層１３上には、膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６３を第２電極層Ｑ２といい、その膜厚Ｔ２は４５ｎｍである。
【００５１】
次に、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢに、それぞれ、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１（２０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィー法にて形成する。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６５をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６５上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、各赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の導電性膜６５上にレジスト膜６６を形成する。
【００５２】
続いて、そのレジスト膜６６を介して導電性膜６５をエッチングし、さらに、レジスト膜６６を剥離除去する。この結果、図１０（ｃ）に示すように、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上には、先に形成された第２電極層Ｑ２上には膜厚２０ｎｍの導電性膜６５がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６５を第３電極層Ｑ３といい、その膜厚Ｔ３は２０ｎｍとなる。
【００５３】
以上により、赤用画素電極形成領域ＳＲの保護層１３上には第１〜第３電極層Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ３（＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＝９５ｎｍ）の赤用画素電極１５Ｒが形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧの保護層１３上には第２及び第３電極層Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ２（＝Ｔ２＋Ｔ３＝６５ｎｍ）の緑用画素電極１５Ｇが形成される。さらに、青用画素電極形成領域ＳＢの保護層１３上には第３電極層Ｑ３が積層されて膜厚ｄ１（＝Ｔ３＝２０ｍｎ）の青用画素電極１５Ｂが形成される。
【００５４】
続いて、図１１（ａ）に示すように、基板１１上の全面に、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒ上に渡って、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を順に形成する。これらの層２１，２２，２３は、それぞれ、蒸着法によって形成する。正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３により機能層２０が形成される。本実施形態では、発光層２２は発光性有機材料によって形成されている。
【００５５】
その後、図１１（ｂ）に示すように、機能層２０上に共通電極２５を形成する。本実施形態では、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）をスパッタ法によって形成する。このようにして、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）で構成された共通電極２５と光反射層１２とで発光層２２から発せられた光を共振させる光共振器構造を形成する。その後、基板１１に駆動用ドライバ等（図示略）を実装するとともに、別途公知の方法で作製されたカラーフィルタ５０を共通電極２５上に接着することにより、有機ＥＬ装置１０が完成する。
【００５６】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、青用画素ＤＢの光学的距離を、発光層２２から出射される３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうちの最も短波長側にある第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように設定した。従って、青色変換層５３Ｂは、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持するため、短波長側にシフトする光についてはその色度ずれを補正することが困難であるが、本実施形態のように青用画素ＤＢの光学的距離を設定することで、基板１１に対して斜め方向に観測される青色の光の発光ピークの波長は変化しない。この結果、青用画素ＤＢから出射される青色の光ＨＢについて、視角による色度ずれを抑制することができる。
【００５７】
（２）本実施形態によれば、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することによって青用画素ＤＢの光学的距離を、第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように設定した。従って、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲを形成する際、各正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３をそれぞれ各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに渡って同じ条件で作ることができる。この結果、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの形成を容易にすることができる。
【００５８】
（３）本実施形態によれば、発光層２２として、第１の発光ピークＰ１が４８０ｎｍである内部発光スペクトルを有した発光材料で構成された発光層を使用した。従って、第１の発光ピークＰ１の光は、視感度が高く、且つ確実に青色の光として視認される波長４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの光であることから、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光を生成することができる。
【００５９】
（４）本実施形態によれば、赤用画素ＤＲに相対向する位置に赤色変換層５３Ｒを、緑用画素ＤＧに相対向する位置に緑色変換層５３Ｇを、また青用画素ＤＢに相対向する位置に青色変換層５３Ｂをそれぞれ有するカラーフィルタ５１を備えた。従って、各青、緑及び赤用画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲは、青色変換層５３Ｂ、緑色変換層５３Ｇ、赤色変換層５３Ｒを透過するので、カラーフィルタ５１を介して表示される画像の視角特性は補正されたものとなる。この結果、より色再現性の良好な画像を表示することができる。
【００６０】
（５）本実施形態によれば、機能層２０は、発光層２２以外に正孔輸送層２１及び電子輸送層２３を備えている。従って、発光層２２内での電子と正孔との再結合確率が高まることから、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲでの発光効率が向上する。この結果、高輝度表示が可能となる。
【００６１】
（６）本実施形態によれば、赤用画素電極１５Ｒは、他の緑用画素電極１５Ｇ及び青用画素電極１５Ｂに比べて膜厚が厚いが、この赤用画素電極１５Ｒを３つのフォトリソグラフィー工程で形成されるように分割しているので、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際のエッチング時間をそれぞれ概ね同じ時間にすることができる。この結果、膜厚が厚くなるとエッチング時間が長くなるためサイドエッチが生じやすいが、これを抑制す
ることができる。
【００６２】
（７）本実施形態によれば、光反射層１２と各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間に、光反射層１２全体を覆うように保護層１３を形成した。従って、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤が光反射層１２に直接接触することはないので、光反射層１２が現像液や剥離液の溶剤によって劣化することはない。この結果、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の有機ＥＬ装置を実現することができる。
【００６３】
（８）本実施形態によれば、保護層１３は、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成した。従って、光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ，ＰＧ，ＰＲは保護層１３の影響を受けない。従って、保護層１３の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができる。この結果、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの各膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、各図を用いて説明する。
【００６４】
第２実施形態に係る有機ＥＬ装置は、青用画素電極１５Ｂの膜厚及び発光層２２の内部発光スペクトルが異なっている他は上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置と全て同じ構成である。従って、同じ部材については、その詳細な説明を省略する。
【００６５】
詳しくは、本実施形態に係る発光層２２は、深青系の色の光を出射する発光材料と黄色系の光を出射する発光材料とを積層したものであって、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００６６】
図１２は、本実施形態の発光層２２の発光（内部発光）スペクトルである。図１２に示すように、発光層２２から出射される光は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルを有しており、上記第１実施形態と同様に３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３を備えている。本実施形態の第１の発光ピークＰ１は４３０ｎｍに現れ、第２の発光ピークＰ２は４５５ｎｍに現れ、第３の発光ピークＰ３は５７５ｎｍに現れる。
【００６７】
本実施形態の青用画素ＤＢでは、第１の発光ピークＰ１は、最も短波長側の発光ピークに位置するが４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの範囲内には存在していない。従って、青用画素ＤＢの光学的距離を第１の発光ピークＰ１で設定しないようにする。４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの範囲内にあってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークは、第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）である。従って、第２の発光ピークＰ２にて青用画素ＤＢの光学的距離を設定する。第２の発光ピークＰ２の波長は、４５５ｎｍであるので、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を１８ｎｍに調整する。
【００６８】
このようにすることで、発光層２２の発光（内部発光）スペクトルにおいて、第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて、視角による色度ずれ量は大きくなる。因みに、第１の発光ピークＰ１で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、出射角が０°の向きに観測された光と出射角が６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．０２である。一方、本実施形態のように第２の発光ピークＰ２で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、出射角が０°の向きに観測された光と出射角が６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．１２となった。
【００６９】
しかし、図８に示す人間の視感度特性を考慮すると、一般に青色の光とよばれる波長４
５０ｎｍの光における視感度に比べて、波長４３０ｎｍの光における視感度は半分以下となる。従って、第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、視角は広くなるものの非常に暗い光になってしまう。一方、波長が４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として視認されることが一般に知られている。
【００７０】
そこで、本実施形態のように、第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することで、４３０ｎｍ未満にある第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて、明るい青色の光が観測されることとなる。尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法については、第１電極層Ｑ１の膜厚Ｔ１が２５ｎｍとなるように導電性膜６１の膜厚を２５ｎｍにし、第２電極層Ｑ２の膜厚Ｔ２が４７ｎｍとなるように導電性膜６３の膜厚を４７ｎｍにし、さらに第３電極層Ｑ３の膜厚Ｔ３が１８ｎｍとなるように導電性膜６５の膜厚を１８ｎｍにする。そして、それら以外は全て上記第１実施形態と同様である。従って、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態では、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲内であってそのうち最も短波長側に位置する第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整した。従って、４３０ｎｍ未満にある発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて明るい青色の光が観測される。この結果、第１の発光ピークＰ１で光共振が生じるように設定した場合に比べて色度ずれ量は大きくなるものの、その色度ずれは小さく、且つ、明るい青色の光を出射することができる有機ＥＬ装置を実現できる。
（第３実施形態）
次に、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えた電子機器を一例について説明する。
【００７２】
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３に示す携帯電話８０は、複数の操作ボタン８１、受話口８２、送話口８３及び表示部８４を備えている。このような構成をした携帯電話８０は、その表示部８４が上記第１又は第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えている。従って、携帯電話８０の表示部８４には、見る角度によって色度ずれが生じない高画質の画像を表示することができる。
【００７３】
尚、本発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、カラーフィルタ５１を備えていたが、本発明はこれに限定されない。このようにカラーフィルタ５１を備えていなくても、青用画素ＤＢから出射される光ＨＢは、その光学的距離が４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長領域であってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークで設定されているので、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
・上記各実施形態では、発光層２２から発光した光を基板１１とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置１０に具体化したが、本発明はこれに限定されない。発光層２２から発光した光を基板１１側から取り出す、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置においても、本発明は適応可能である。
【００７５】
・上記各実施形態では、発光層２２に発光性有機材料を用いた有機ＥＬ装置１０に適用したが、これを発光性有機材料以外の材料を備えた発光素子（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子）を用いた発光装置であっても本発明は適用可能である。
【００７６】
・上記第３実施形態では、電子機器として携帯電話８０について説明したが、これに限定されるものではなく、モバイル型のパーソナルコンピュータ、デジタルカメラ等のディスプレイを備えた電子機器に広く適用可能である。
【００７７】
・上記各実施形態では、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３で機能層２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。上記各層２１〜２３のうち、発光層２２以外の他の層（正孔注入層や電子注入層）のいずれかまたは全てが含まれていてもよい。要は、機能層２０は、発光層２２を含んでいればよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
・上記各実施形態では、基板１１を、ガラス等の光透過性を有した基板（透明基板）としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、光透過性を有しない基板（不透明基板）も用いることもできる。基板１１を、光透過性を有しない基板（不透明基板）とした場合では、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらには、そのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。要は、画素が形成可能であるものであれば、どんなものであってもよい。
【００７９】
・上記各実施形態では、保護層１３は窒化珪素（ＳｉＮ）で構成したが、本発明はこれに限定されない。酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化珪素（ＳｉＯｎ）またはアクリル系樹脂で構成されていてもよい。要は、光透過性を有し、且つ、屈折率が画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｂに比べて高い材料であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断視図。
【図２】青用画素の拡大断面図。
【図３】緑用画素の拡大断面図。
【図４】赤用画素の拡大断面図。
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の内部発光スペクトル。
【図６】カラーフィルタの光透過率を示すグラフ。
【図７】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形態の有機ＥＬ装置１０の作用を説明するための図。
【図８】視感度特性のグラフ。
【図９】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１０】同じく、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１１】同じく、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１２】第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の内部発光スペクトル。
【図１３】電子機器としての携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【００８１】
ＤＢ…青用画素、ＤＧ…緑用画素、ＤＲ…赤用画素、１０…発光装置としての有機ＥＬ装置、１１…基板、１２…光反射層、１５Ｂ…画素電極としての青用画素電極、１５Ｇ…画素電極としての緑用画素電極、１５Ｒ…画素電極としての赤用画素電極、２０…機能層、２１…正孔輸送層、２２…発光層、２３…電子輸送層、２５…共通電極、５１…カラーフィルタ、５３Ｂ…青色変換層、５３Ｇ…緑色変換層、５３Ｒ…赤色変換層、８０…電子機器としての携帯電話。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光性有機材料を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」という）素子を備えた画素を有した有機エレクトロルミネッセンス発光装置の開発が進められている。一般に、有機ＥＬ素子は、２つの電極間に発光層を挟持した構成をしており、発光層から発せられた光をそのまま表示光として利用するようになっている。
【０００３】
しかし、有機ＥＬ素子からそのまま取り出された光は、スペクトルがブロードであり、発光輝度も低いため、発光装置に適用した場合、十分な色再現性が得られないという問題があった。そこで、各画素に半透明反射層（ハーフミラー層）を設け、発光層から発せられた光を、一方の電極と半透明反射層との間で往復するように反射させて、その光学的距離に対応した共振波長の光のみを増幅させて外部に取り出すようにした共振器構造を備えた発光装置が提案されている。このような共振器構造を備えた発光装置は、光学的距離を適宜変更することで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した波長の各色の光を取り出すことも可能となる。また、各画素に対向した位置にカラーフィルタを設け、各画素から出射される赤、緑及び青色の光の再現性を向上させたものもある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２７９７８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、電極及び半透明反射層を、基板に対して垂直方向に順次積層した構成であるので、各画素の光学的距離は、基板に対して垂直方向と斜め方向とで見かけ上の光学的距離が異なる。この結果、基板に対して斜め方向に出射される光は垂直方向に出射される光に比べてピーク波長が短波長にずれることにより、見る角度（視角）によって異なった色に見える、所謂色度ずれが生じてしまう。その結果、視野角が狭いという問題があった。特に、カラーフィルタを備えた上記発光装置では、赤用画素と緑用画素は視角によってピーク波長が短波長側にシフトしてもカラーフィルタによって色度ずれが補正される。しかし、青用画素については、カラーフィルタの特性上、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持するため、短波長側にシフトする光については色度ずれを補正することが困難であった。この結果、青色の光については、斜め方向からみると色相がずれてしまう。
【０００５】
本発明では、このような事情に鑑みてなされたものであって、視角によって生ずる色度ずれを抑制することが可能な発光装置及びその発光装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置され、少なくとも１以上の発光ピークを有する光を出射する発光層を含む機能層と、を具備する画素が複数形成された発光装置であって、前記画素は、赤色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素と、緑色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定され
た緑用画素と、青色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素と、から構成され、前記青用画素の光学的距離が、前記１以上の発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側の発光ピークで設定されている。
【０００７】
これによれば、青用画素の光共振は、発光層から出射される光のうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側にある発光ピークの波長で生じる。従って、例えば、最も短波長側にある発光ピークの波長が４５０ｎｍ以上である発光スペクトルを有している場合では、その発光ピークの波長よりも短波長側の波長領域の発光強度は、発光ピークを有さず単調に小さくなる。従って、その最も短波長側にある発光ピークの波長で光学的距離を設定することによって、基板に対して斜め方向に観測される光は、その短波長側にシフトするためその発光強度が小さくなるが、その共振波長は変化しない。この結果、青用画素から出射される光について、視角による色度ずれを抑制することができる。
【０００８】
また、４５０ｎｍ未満の波長の光は、人間の視感度が低く、例えば、一般に青色の光と認識される４５０ｎｍの波長における視感度の半分以下となる。従って、４５０ｎｍ未満の波長の光は、非常に暗い光として認識される。また、公知の色度座標から４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として認識される。従って、本発明のように、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍにある最も短波長側の発光ピークを共振波長とすることで、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光を生成することができる。
【０００９】
この発光装置において、前記青用画素の前記光学的距離は、前記青用画素の第１の電極の膜厚を調整することで設定されていてもよい。
これによれば、共振波長を決定する光学的距離は、反射層と第２の電極との間に配置される機能層及び第１の電極の各膜厚と、その機能層を構成する各層及び第１の電極の各屈折率とによって決定されるが、本発明では、第１の電極の膜厚を調整することで光学的距離を設定するようにする。従って、青用画素以外の緑用画素及び赤用画素に対してもその機能層の膜厚を同じにすることができるので、各青用画素、緑用画素及び赤用画素毎に機能層の膜厚を異ならせる必要はない。この結果、機能層を各青用画素、緑用画素及び赤用画素毎に形成する必要はないので、各青用画素、緑用画素及び赤用画素の形成が容易となる。
【００１０】
この発光装置において、前記赤用画素に相対向する位置に赤色の光を限定する赤用フィルタ、前記緑用画素に相対向する位置に緑色の光を限定する緑用フィルタ、及び前記青用画素に相対向する位置に青色の光を限定する青用フィルタを更に有するカラーフィルタを備えてもよい。
【００１１】
これによれば、カラーフィルタが設けられているので、青、緑及び赤用画素の視角特性はカラーフィルタで補正される。この結果、より色再現性の良好な発光装置を実現できる。
【００１２】
この発光装置において、前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていてもよい。
これによれば、正孔輸送層は、各青、緑及び赤用画素の第１の電極から発光層へのキャリアの注入効率を高めるとともに、発光層内を移動する電子をブロッキングする機能を有する。また、電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。従って、発光層内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率が高まる。この結果、各画素での発光効率が向上し、高輝度表示が可能となる。
【００１３】
この発光装置において、前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を
覆う保護層が形成されていてもよい。
これによれば、光反射層は、一般的に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成されている。従って、第１の電極を形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤によって光反射層が劣化してしまうが、本発明のように、光反射層上には保護層が形成されているため、劣化しない。この結果、第１の電極は、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の発光装置を実現できる。
【００１４】
この発光装置において、前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低くてもよい。
これによれば、各画素の光共振波長は、光反射層と光半透過反射層との間の光学的距離、つまり、光反射層と光半透過反射層との間に配置される第１の電極、機能層、保護層の光学的距離の総和に対応し、また、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められることが知られている。本発明では、保護層の屈折率は第１の電極より低いので、光共振波長は保護層の影響を受けない。保護層の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から第１の電極の膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができるので、第１の電極の膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記記載の発光装置を備えている。
これによれば、青色の光について色度ずれが生ずるのが抑制されることにより、視角が広い画像を表示することが可能な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面に従って説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の発光装置としての有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【００１７】
本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光層から発光（内部発光）した光（表示光）を基板とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１０は、光透過性を有する基板（透明基板）１１を備えるとともに、該基板１１上には、青用画素形成領域ＺＢ、緑用画素形成領域ＺＧ及び赤用画素形成領域ＺＲがマトリクス状に配置されている。各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲは、図１においてＸ矢印方向に沿って、青用画素形成領域ＺＢ→緑用画素形成領域ＺＧ→赤用画素形成領域ＺＲ→…の順に繰り返して配置されるとともに、Ｚ矢印方向（紙面奥側方向）に沿っては同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲが配置されている。
【００１８】
また、基板１１上には、各同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲに沿ってストライプ状に、光反射性の高い材料等で構成された複数の光反射層１２が延設されている。本実施形態の光反射層１２は、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。
【００１９】
各光反射層１２上には、該光反射層１２を被覆するように保護層１３が形成されている。この保護層１３は、光透過性に優れ、かつ電気絶縁性を有した材料で構成されている。本実施形態では、保護層１３は、後記する青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成されている。本実施形態では、窒化珪素（ＳｉＮ）（屈折率１．８）で構成されている。
【００２０】
各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ内の保護層１３上には、光透過性を有した導電性材料で構成された第１の電極としての青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒが区画形成されている。つまり、複数の青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、保護層１３を介して各光反射層１２と相対向するようにマトリクス状に配置されている。本実施形態の画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、インジウム−錫酸化物（
ＩＴＯ）で構成されている。
【００２１】
また、基板１１上には、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを覆うように機能層２０が形成されている。本実施形態の機能層２０は、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を備え、基板１１側から正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３の順に積層されている。
【００２２】
正孔輸送層２１は、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒから発光層２２への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層２２内を移動する電子をブロッキングする機能を有し、発光層２２内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層２１には、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒからの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、即ち、分散媒としてポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いられる。また、本実施形態では、正孔輸送層２１は、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒに対して均一な膜厚である。
【００２３】
発光層２２は、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の有機高分子発光材料で構成されている。このような材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオレン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの各発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。本実施形態の発光層２２は、青系の色の光を出射する発光材料とオレンジ系の色の光を出射する発光材料とを積層したものである。また、本実施形態では、発光層２２は、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００２４】
図５は、本実施形態の発光層２２の発光（内部発光）スペクトルである。図５に示すように、発光層２２から出射される光は、４３０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルを有しており、３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３を備えている。各発光ピークＰ１〜Ｐ３のうち、第１の発光ピークＰ１は、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲内にある最も短波長側の発光ピークであって、４８０ｎｍに現れる。第２の発光ピークＰ２は第１の発光ピークＰ１よりも長波長側にあって、５０５ｎｍに現れる。第３の発光ピークＰ３は最も長波長側にある発光ピークであって、６００ｎｍに現れる。
【００２５】
電子輸送層２３は、発光層２２への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。この電子輸送層２３は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で構成されている。本実施形態では、電子輸送層２３は、発光層２２上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００２６】
図１に示すように、機能層２０上（電子輸送層２３上）の全面には、第２の電極としての共通電極２５が形成されている。共通電極２５は、本実施形態では、金属薄膜であるマグネシウムと銀の化合物（Ｍｇ−Ａｇ）からなる薄膜（膜厚：１０ｎｍ）である。共通電
極２５は、光透過性及び光反射性を有し、発光層２２から発せられた光の一部を透過して、残りの光の一部または全部を光反射層１２側に反射するハーフミラーとして機能するとともに各画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの対向電極として機能する。
【００２７】
尚、青用画素電極１５Ｂ、共通電極２５、及び各青用画素電極１５Ｂと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで青用有機ＥＬ素子２８Ｂが構成される。そして、青用画素形成領域ＺＢには青用有機ＥＬ素子２８Ｂを含む青用画素ＤＢが形成される。また、緑用画素電極１５Ｇ、共通電極２５、及び緑用画素電極１５Ｇと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで緑用有機ＥＬ素子２８Ｇが構成される。そして、緑用画素形成領域ＺＧには緑用有機ＥＬ素子２８Ｇを含む緑用画素ＤＧが形成される。さらに、赤用画素電極１５Ｒ、共通電極２５、及び各赤用画素電極１５Ｒと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで赤用有機ＥＬ素子２８Ｒが構成される。そして、赤用画素形成領域ＺＲには赤用有機ＥＬ素子２８Ｒを含む赤用画素ＤＲが形成される。
【００２８】
そして、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲは、各発光層２２から発せられた光を各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの直下に配置された光反射層１２と共通電極２５との間で往復するように反射させて共振させる光共振器構造が形成される。
【００２９】
図２、図３及び図４は、それぞれ、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの拡大断面図である。図２に示すように、青用画素ＤＢにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＢで示し、図３に示すように、緑用画素ＤＧにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＧで示し、図４に示すように、赤用画素ＤＲにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＲで示す。
【００３０】
ところで、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲは、それぞれ、該画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに形成された光共振器構造の共振条件に従った共振波長の光となる。この共振波長は、光反射層１２と共通電極２５との間の光学的距離、つまり、光反射層１２と共通電極２５との間に配置される各層の光学的距離の総和に対応する。各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。本実施形態では、各有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒは全て共通の材料で構成されているので、各層の屈折率は等しい。従って、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの光学的距離は、各層の膜厚の総和である各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲによって決定される。尚、共振波長は、光学的距離が長くなるのに伴って（本実施形態では、各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲが長くなるのに伴って）長くなる。
【００３１】
そして、青用画素ＤＢでは、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第１の発光ピークＰ１、即ち、最も短波長側にある発光ピークが現れる波長で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１が調整されている。本実施形態では、第１の発光ピークＰ１は４８０ｎｍである。従って、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を２０ｎｍに調整されている。このようにすることで、青用画素ＤＢでは、４８０ｎｍで光共振が生じるように設定される。
【００３２】
緑用画素ＤＧは、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２を調整することで、距離ＬＧに対応した光学的距離を緑色の光が生成される光学的距離に設定されている。本実施形態では、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２は６５ｎｍに調整されている。また、赤用画素ＤＲは、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３を調整することで、距離ＬＲに対応した光学的距離を赤色の光が生成される光学的距離に設定されている。本実施形態では、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３は９５ｎｍに調整されている。
【００３３】
図１に示すように、共通電極２５上には、カラーフィルタ５１が取り付けられている。カラーフィルタ５１は、光透過性を有したカラーフィルタ基板５２を備え、そのカラーフ
ィルタ基板５２には、青用フィルタとしての青色変換層５３Ｂ、緑用フィルタとしての緑色変換層５３Ｇ、及び赤用フィルタとしての赤色変換層５３Ｒが設けられている。青色変換層５３Ｂは青用画素ＤＢに相対向する位置に配置され青用画素ＤＢから出射される光ＨＢの波長を制限する機能を有する。緑色変換層５３Ｇは緑用画素ＤＧに相対向する位置に配置され緑用画素ＤＧから出射される光ＨＧの波長を制限する機能を有する。赤色変換層５３Ｒは赤用画素ＤＲに相対向する位置に配置され赤用画素ＤＲから出射される光ＨＲの波長を制限する機能を有する。各色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒは、ブラックマトリクスＢＭによってマトリクス状に区画配置されている。
【００３４】
図６は、各青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの光透過分光特性を示している。図６において、赤色変換層５３Ｒの光透過分光特性を曲線Ｒｏ（実線）で示し、緑色変換層５３Ｇの光透過分光特性を曲線Ｇｏ（一点鎖線）で示し、青色変換層５３Ｂの光透過分光特性を曲線Ｂｏ（二点鎖線）で示す。
【００３５】
図６において曲線Ｒｏ（実線）で示すように、赤色変換層５３Ｒは、短波長側に対しては特定の波長成分を遮断する特性を有するとともに、長波長側に対しては高い透過率を維持する特性を有している。赤色変換層５３Ｒは、赤用画素ＤＲから出射された光ＨＲのうち５９０ｎｍ未満の波長の光を遮断し、５９０ｎｍ以上の波長の光を透過するようになっている。
【００３６】
緑色変換層５３Ｇは、約１００ｎｍ程度の範囲の波長の光を透過する特性を有している。緑色変換層５３Ｇは、緑用画素ＤＧから出射された光ＨＧのうち５０５ｎｍ未満の波長の光及び６００ｎｍ以上の波長の光を遮断し、５０５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲にある波長の光を透過する。
【００３７】
青色変換層５３Ｂは、長波長側に対しては特定の波長成分を遮断する特性を有するとともに、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持する特性を有している。
図２に示すように、基板１１に対して法線方向（図２において、Ｙ矢印方向）を正面方向とする。そして、その法線と、前記法線から基板１１の平行方向（図２において、Ｘ矢印方向）に向かって斜めに傾いた線との間のなす角を出射角Ｑと定義する。例えば、図２〜図４において、基板１１に対して法線方向は出射角Ｑ＝０°であり、基板１１に対して平行な方向は出射角Ｑ＝９０°となる。
【００３８】
次に、前記のように構成された青用画素ＤＢの作用について、図７及び図８に従って説明する。青用画素ＤＢでは、前記したように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することで、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第１の発光ピークＰ１の波長（４８０ｎｍ）で光共振が生じるように設定されている。
【００３９】
図７（ａ）は、カラーフィルタ５１の青色変換層５３Ｂを透過した青色の光の発光スペクトルである。図７（ａ）において、実線で示す曲線Ｌｏａは、出射角Ｑ＝０°（つまり、基板１１に対して正面）の向きに観測された光の発光スペクトルであり、破線で示す曲線Ｌ１ａは、出射角Ｑ＝３０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。また、一点鎖線で示す曲線Ｌ２ａは、出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。
【００４０】
図７（ａ）に示すように、青色変換層５３Ｂを透過した青色の光は、その出射角が正面（出射角Ｑ＝０°）からＱ＝３０°、６０°と広角になるのに従ってその発光強度が小さくなるだけであって、その発光ピークの波長（図７（ａ）中矢印で示した波長）は変化しないことが分かった。尚、出射角Ｑ＝０°の向きに観測された光と出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．０２であった。
【００４１】
図７（ｂ）は、本実施形態と異なり、発光層２２の内部発光スペクトルにおける第２の発光ピークＰ２の波長（５０５ｎｍ）で光共振が生じるように設定された青色変換層５３Ｂを透過した光の発光スペクトルである。図７（ｂ）において、実線で示す曲線Ｌｏｂは、出射角Ｑ＝０°（つまり、基板１１に対して正面）の向きに観測された光の発光スペクトルであり、破線で示す曲線Ｌ１ｂは、出射角Ｑ＝３０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。また、一点鎖線で示す曲線Ｌ２ｂは、出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光の発光スペクトルである。
【００４２】
図７（ｂ）に示すように、第２の発光ピークＰ２の波長（５０５ｎｍ）で光共振が生じるように設定された光は、基板１１に対して出射角Ｑ＝０°、３０°、６０°と広角になるのに従って、その発光強度が小さくなるとともに、その発光ピークの波長（図７（ｂ）中矢印で示した波長）が短波長側にシフトすることが分かった。尚、出射角Ｑ＝０°の向きに観測された光と出射角Ｑ＝６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．１５であった。
【００４３】
以上の結果から、本実施形態のように、発光層２２の内部発光スペクトルにおける最も短波長側にある第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように青用画素ＤＢの光学的距離を設定することで、青色変換層５３Ｂを透過した光は、視角による色度ずれが生じないことが示された。
【００４４】
また、図８に示す公知の視感度特性のグラフからわかるように、人間の視感度、即ち人間が感じる明るさは、概ね４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲の波長の光に対して非常に高く視認され、４５０ｎｍ未満の波長の光は、非常に暗い光として視認される。また、公知の色度座標から４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として認識されることが知られている。本実施形態では、第１の発光ピークＰ１が現れる波長は、４８０ｎｍであるので、青用画素ＤＢから出射される光ＨＢは、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光となる。
【００４５】
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、特にその有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒの形成方法について図９〜図１１に従って説明する。
まず、ガラス等で構成された光透過性を有する基板（透明基板）１１を用意し、公知の方法によって、基板１１上に図示しないデータ線、走査線、スイッチングトランジスタ及びドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを形成する。そして、図９（ａ）に示すように、列状に配置形成された青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ上にストライプ状の光反射層１２を形成する。本実施形態では、基板１１上の全面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２を形成する。
【００４６】
続いて、基板１１上の全面に対して光反射層１２上に渡って窒化珪素（ＳｉＮ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２上を被覆するように保護層１３を形成する。本実施形態では、膜厚５０ｎｍの保護層１３を形成する。
【００４７】
次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上に、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３と緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２との差分（＝ｄ３−ｄ２＝３０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィー法によって形成する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚３０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６１をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６１上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで赤用画素電極形成領域ＳＲ上の導電性膜６１上にのみレジスト膜６２を形成する。
【００４８】
続いて、そのレジスト膜６２を介して導電性膜６１をエッチングし、さらに、レジスト膜６２を剥離除去する。この結果、図９（ｃ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上にのみ膜厚３０ｎｍの導電性膜６１がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上に形成された導電性膜６１を第１電極層Ｑ１といい、その膜厚Ｔ１は３０ｎｍとなる。
【００４９】
次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上に、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２と青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄｂとの差分（＝ｄ２−ｄ１＝４５ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図９（ｄ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚４５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６３をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６３上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、赤用画素電極形成領域ＳＲ及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上の導電性膜６３上にレジスト膜６４を形成する。
【００５０】
続いて、そのレジスト膜６４を介して導電性膜６３をエッチングし、さらに、レジスト膜６４を剥離除去する。この結果、図１０（ａ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の各保護層１３上には、先に形成された第１電極層Ｑ１上に膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧ上の各保護層１３上には、膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６３を第２電極層Ｑ２といい、その膜厚Ｔ２は４５ｎｍである。
【００５１】
次に、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢに、それぞれ、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１（２０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィー法にて形成する。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６５をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６５上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、各赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の導電性膜６５上にレジスト膜６６を形成する。
【００５２】
続いて、そのレジスト膜６６を介して導電性膜６５をエッチングし、さらに、レジスト膜６６を剥離除去する。この結果、図１０（ｃ）に示すように、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上には、先に形成された第２電極層Ｑ２上には膜厚２０ｎｍの導電性膜６５がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６５を第３電極層Ｑ３といい、その膜厚Ｔ３は２０ｎｍとなる。
【００５３】
以上により、赤用画素電極形成領域ＳＲの保護層１３上には第１〜第３電極層Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ３（＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＝９５ｎｍ）の赤用画素電極１５Ｒが形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧの保護層１３上には第２及び第３電極層Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ２（＝Ｔ２＋Ｔ３＝６５ｎｍ）の緑用画素電極１５Ｇが形成される。さらに、青用画素電極形成領域ＳＢの保護層１３上には第３電極層Ｑ３が積層されて膜厚ｄ１（＝Ｔ３＝２０ｍｎ）の青用画素電極１５Ｂが形成される。
【００５４】
続いて、図１１（ａ）に示すように、基板１１上の全面に、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒ上に渡って、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を順に形成する。これらの層２１，２２，２３は、それぞれ、蒸着法によって形成する。正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３により機能層２０が形成される。本実施形態では、発光層２２は発光性有機材料によって形成されている。
【００５５】
その後、図１１（ｂ）に示すように、機能層２０上に共通電極２５を形成する。本実施形態では、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）をスパッタ法によって形成する。このようにして、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）で構成された共通電極２５と光反射層１２とで発光層２２から発せられた光を共振させる光共振器構造を形成する。その後、基板１１に駆動用ドライバ等（図示略）を実装するとともに、別途公知の方法で作製されたカラーフィルタ５０を共通電極２５上に接着することにより、有機ＥＬ装置１０が完成する。
【００５６】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、青用画素ＤＢの光学的距離を、発光層２２から出射される３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうちの最も短波長側にある第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように設定した。従って、青色変換層５３Ｂは、短波長側に対しては概ね高い透過率を維持するため、短波長側にシフトする光についてはその色度ずれを補正することが困難であるが、本実施形態のように青用画素ＤＢの光学的距離を設定することで、基板１１に対して斜め方向に観測される青色の光の発光ピークの波長は変化しない。この結果、青用画素ＤＢから出射される青色の光ＨＢについて、視角による色度ずれを抑制することができる。
【００５７】
（２）本実施形態によれば、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することによって青用画素ＤＢの光学的距離を、第１の発光ピークＰ１の波長で光共振が生じるように設定した。従って、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲを形成する際、各正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３をそれぞれ各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに渡って同じ条件で作ることができる。この結果、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの形成を容易にすることができる。
【００５８】
（３）本実施形態によれば、発光層２２として、第１の発光ピークＰ１が４８０ｎｍである内部発光スペクトルを有した発光材料で構成された発光層を使用した。従って、第１の発光ピークＰ１の光は、視感度が高く、且つ確実に青色の光として視認される波長４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの光であることから、明るく且つ色度ずれの生じない青色の光を生成することができる。
【００５９】
（４）本実施形態によれば、赤用画素ＤＲに相対向する位置に赤色変換層５３Ｒを、緑用画素ＤＧに相対向する位置に緑色変換層５３Ｇを、また青用画素ＤＢに相対向する位置に青色変換層５３Ｂをそれぞれ有するカラーフィルタ５１を備えた。従って、各青、緑及び赤用画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲは、青色変換層５３Ｂ、緑色変換層５３Ｇ、赤色変換層５３Ｒを透過するので、カラーフィルタ５１を介して表示される画像の視角特性は補正されたものとなる。この結果、より色再現性の良好な画像を表示することができる。
【００６０】
（５）本実施形態によれば、機能層２０は、発光層２２以外に正孔輸送層２１及び電子輸送層２３を備えている。従って、発光層２２内での電子と正孔との再結合確率が高まることから、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲでの発光効率が向上する。この結果、高輝度表示が可能となる。
【００６１】
（６）本実施形態によれば、赤用画素電極１５Ｒは、他の緑用画素電極１５Ｇ及び青用画素電極１５Ｂに比べて膜厚が厚いが、この赤用画素電極１５Ｒを３つのフォトリソグラフィー工程で形成されるように分割しているので、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際のエッチング時間をそれぞれ概ね同じ時間にすることができる。この結果、膜厚が厚くなるとエッチング時間が長くなるためサイドエッチが生じやすいが、これを抑制す
ることができる。
【００６２】
（７）本実施形態によれば、光反射層１２と各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間に、光反射層１２全体を覆うように保護層１３を形成した。従って、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤が光反射層１２に直接接触することはないので、光反射層１２が現像液や剥離液の溶剤によって劣化することはない。この結果、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の有機ＥＬ装置を実現することができる。
【００６３】
（８）本実施形態によれば、保護層１３は、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成した。従って、光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ，ＰＧ，ＰＲは保護層１３の影響を受けない。従って、保護層１３の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができる。この結果、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの各膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、各図を用いて説明する。
【００６４】
第２実施形態に係る有機ＥＬ装置は、青用画素電極１５Ｂの膜厚及び発光層２２の内部発光スペクトルが異なっている他は上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置と全て同じ構成である。従って、同じ部材については、その詳細な説明を省略する。
【００６５】
詳しくは、本実施形態に係る発光層２２は、深青系の色の光を出射する発光材料と黄色系の光を出射する発光材料とを積層したものであって、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。
【００６６】
図１２は、本実施形態の発光層２２の発光（内部発光）スペクトルである。図１２に示すように、発光層２２から出射される光は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲に発光スペクトルを有しており、上記第１実施形態と同様に３つの発光ピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３を備えている。本実施形態の第１の発光ピークＰ１は４３０ｎｍに現れ、第２の発光ピークＰ２は４５５ｎｍに現れ、第３の発光ピークＰ３は５７５ｎｍに現れる。
【００６７】
本実施形態の青用画素ＤＢでは、第１の発光ピークＰ１は、最も短波長側の発光ピークに位置するが４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの範囲内には存在していない。従って、青用画素ＤＢの光学的距離を第１の発光ピークＰ１で設定しないようにする。４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの範囲内にあってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークは、第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）である。従って、第２の発光ピークＰ２にて青用画素ＤＢの光学的距離を設定する。第２の発光ピークＰ２の波長は、４５５ｎｍであるので、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を１８ｎｍに調整する。
【００６８】
このようにすることで、発光層２２の発光（内部発光）スペクトルにおいて、第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて、視角による色度ずれ量は大きくなる。因みに、第１の発光ピークＰ１で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、出射角が０°の向きに観測された光と出射角が６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．０２である。一方、本実施形態のように第２の発光ピークＰ２で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、出射角が０°の向きに観測された光と出射角が６０°の向きに観測された光との色度ずれ量は、０．１２となった。
【００６９】
しかし、図８に示す人間の視感度特性を考慮すると、一般に青色の光とよばれる波長４
５０ｎｍの光における視感度に比べて、波長４３０ｎｍの光における視感度は半分以下となる。従って、第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定された有機ＥＬ装置では、視角は広くなるものの非常に暗い光になってしまう。一方、波長が４８５ｎｍ以上の光は、青色としてではなく、シアン（水）色の光として視認されることが一般に知られている。
【００７０】
そこで、本実施形態のように、第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することで、４３０ｎｍ未満にある第１の発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて、明るい青色の光が観測されることとなる。尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法については、第１電極層Ｑ１の膜厚Ｔ１が２５ｎｍとなるように導電性膜６１の膜厚を２５ｎｍにし、第２電極層Ｑ２の膜厚Ｔ２が４７ｎｍとなるように導電性膜６３の膜厚を４７ｎｍにし、さらに第３電極層Ｑ３の膜厚Ｔ３が１８ｎｍとなるように導電性膜６５の膜厚を１８ｎｍにする。そして、それら以外は全て上記第１実施形態と同様である。従って、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態では、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲内であってそのうち最も短波長側に位置する第２の発光ピークＰ２（波長：４５５ｎｍ）で光共振が生じるように、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整した。従って、４３０ｎｍ未満にある発光ピークＰ１（波長：４３０ｎｍ）で光共振が生じるように設定した場合に比べて明るい青色の光が観測される。この結果、第１の発光ピークＰ１で光共振が生じるように設定した場合に比べて色度ずれ量は大きくなるものの、その色度ずれは小さく、且つ、明るい青色の光を出射することができる有機ＥＬ装置を実現できる。
（第３実施形態）
次に、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えた電子機器を一例について説明する。
【００７２】
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３に示す携帯電話８０は、複数の操作ボタン８１、受話口８２、送話口８３及び表示部８４を備えている。このような構成をした携帯電話８０は、その表示部８４が上記第１又は第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えている。従って、携帯電話８０の表示部８４には、見る角度によって色度ずれが生じない高画質の画像を表示することができる。
【００７３】
尚、本発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、カラーフィルタ５１を備えていたが、本発明はこれに限定されない。このようにカラーフィルタ５１を備えていなくても、青用画素ＤＢから出射される光ＨＢは、その光学的距離が４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長領域であってそのうち最も短波長側に位置する発光ピークで設定されているので、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
・上記各実施形態では、発光層２２から発光した光を基板１１とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置１０に具体化したが、本発明はこれに限定されない。発光層２２から発光した光を基板１１側から取り出す、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置においても、本発明は適応可能である。
【００７５】
・上記各実施形態では、発光層２２に発光性有機材料を用いた有機ＥＬ装置１０に適用したが、これを発光性有機材料以外の材料を備えた発光素子（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子）を用いた発光装置であっても本発明は適用可能である。
【００７６】
・上記第３実施形態では、電子機器として携帯電話８０について説明したが、これに限定されるものではなく、モバイル型のパーソナルコンピュータ、デジタルカメラ等のディスプレイを備えた電子機器に広く適用可能である。
【００７７】
・上記各実施形態では、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３で機能層２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。上記各層２１〜２３のうち、発光層２２以外の他の層（正孔注入層や電子注入層）のいずれかまたは全てが含まれていてもよい。要は、機能層２０は、発光層２２を含んでいればよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
・上記各実施形態では、基板１１を、ガラス等の光透過性を有した基板（透明基板）としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、光透過性を有しない基板（不透明基板）も用いることもできる。基板１１を、光透過性を有しない基板（不透明基板）とした場合では、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらには、そのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。要は、画素が形成可能であるものであれば、どんなものであってもよい。
【００７９】
・上記各実施形態では、保護層１３は窒化珪素（ＳｉＮ）で構成したが、本発明はこれに限定されない。酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化珪素（ＳｉＯｎ）またはアクリル系樹脂で構成されていてもよい。要は、光透過性を有し、且つ、屈折率が画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｂに比べて高い材料であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断視図。
【図２】青用画素の拡大断面図。
【図３】緑用画素の拡大断面図。
【図４】赤用画素の拡大断面図。
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の内部発光スペクトル。
【図６】カラーフィルタの光透過率を示すグラフ。
【図７】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形態の有機ＥＬ装置１０の作用を説明するための図。
【図８】視感度特性のグラフ。
【図９】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１０】同じく、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１１】同じく、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。
【図１２】第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の内部発光スペクトル。
【図１３】電子機器としての携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【００８１】
ＤＢ…青用画素、ＤＧ…緑用画素、ＤＲ…赤用画素、１０…発光装置としての有機ＥＬ装置、１１…基板、１２…光反射層、１５Ｂ…画素電極としての青用画素電極、１５Ｇ…画素電極としての緑用画素電極、１５Ｒ…画素電極としての赤用画素電極、２０…機能層、２１…正孔輸送層、２２…発光層、２３…電子輸送層、２５…共通電極、５１…カラーフィルタ、５３Ｂ…青色変換層、５３Ｇ…緑色変換層、５３Ｒ…赤色変換層、８０…電子機器としての携帯電話。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置され、少なくとも１以上の発光ピークを有する光を出射する発光層を含む機能層と、を具備する画素が複数形成された発光装置であって、
前記画素は、赤色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素と、緑色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素と、青色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素と、から構成され、
前記青用画素の光学的距離が、前記１以上の発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側の発光ピークで設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記青用画素の前記光学的距離は、前記青用画素の第１の電極の膜厚を調整することで設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光装置において、
前記赤用画素に相対向する位置に赤色の光を限定する赤用フィルタ、前記緑用画素に相対向する位置に緑色の光を限定する緑用フィルタ、及び前記青用画素に相対向する位置に青色の光を限定する青用フィルタを有するカラーフィルタを更に備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低いことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置され、少なくとも１以上の発光ピークを有する光を出射する発光層を含む機能層と、を具備する画素が複数形成された発光装置であって、
前記画素は、赤色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素と、緑色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素と、青色の光が取り出されるように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素と、から構成され、
前記青用画素の光学的距離が、前記１以上の発光ピークのうち、４５０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長範囲にある最も短波長側の発光ピークで設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記青用画素の前記光学的距離は、前記青用画素の第１の電極の膜厚を調整することで設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発光装置において、
前記赤用画素に相対向する位置に赤色の光を限定する赤用フィルタ、前記緑用画素に相対向する位置に緑色の光を限定する緑用フィルタ、及び前記青用画素に相対向する位置に青色の光を限定する青用フィルタを有するカラーフィルタを更に備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低いことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００７−１２３１３６（Ｐ２００７−１２３１３６Ａ）
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３１５７６５（Ｐ２００５−３１５７６５）
【出願日】平成１７年１０月３１日（２００５．１０．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月３１日（２００５．１０．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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