発光装置及び電子機器
【課題】陰極の配線抵抗による電圧降下を低減することにより、画像信号の供給を安定化
してコントラスト低下等の画像表示の異常を引き起こすことがない電気光学装置及び、当
該電気光学装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】実表示領域４内にマトリックス状に形成された発光素子に電流を供給する発
光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂと、発光素子と陰極との間に設けられる陰極
用配線１２ａとが形成されており、陰極用配線１２ａの線幅は発光用電源配線１０２Ｒ，
１０２Ｇ，１０２Ｂの各々の線幅よりも幅広に形成されている。
してコントラスト低下等の画像表示の異常を引き起こすことがない電気光学装置及び、当
該電気光学装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】実表示領域４内にマトリックス状に形成された発光素子に電流を供給する発
光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂと、発光素子と陰極との間に設けられる陰極
用配線１２ａとが形成されており、陰極用配線１２ａの線幅は発光用電源配線１０２Ｒ，
１０２Ｇ，１０２Ｂの各々の線幅よりも幅広に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器、特に有機エレクトロルミネッセンス素子等の電流駆
動型の発光素子を備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極と対向電極との間に設けられ、当該画素電極と当該対向電極との間に流れる電
流によって発光する発光層を画素毎に備えたエレクトロルミネッセンス装置は、次世代の
表示装置として期待されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第９８／３６４０７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のエレクトロルミネッセンス装置のように電流が流れることにより
発光する装置では、輝度が電流レベルに依存するため、画素に電流あるいは駆動電圧を供
給するための配線構造及び配線レイアウトを最適化する必要がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、各画素に安定的に駆動電圧あるい
は電流を供給することのできる電気光学装置及び、当該電気光学装置を備える電子機器を
提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、基体上に、複数の第１電極と、該複
数の第１電極の各々に接続されたトランジスタと、が設けられた第１電極群領域と、前記
複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、前記複数の第１電極の各々と前記
第２の電極との間に設けられた発光素子と、前記第１電極領域の外側に設けられた、前記
トランジスタに電気信号を供給するための駆動回路と、前記第１電極に前記トランジスタ
を介して電源電圧を供給するための第１の配線と、前記第２電極と接続された第２の配線
と、を含み、前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するととも
に、前記基体の外周と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第１の配線は、前記基体の
外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記第２の配線と駆動回路との間に設け
られた部分を有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線は、前記基体の
外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺に沿って延在することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線の線幅が前記第
１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線の線幅は、配線
全体に亘って、前記第１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線と前記第２電極
との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周をなす複数の辺との間に設けられて
いることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線と前記第２電極
との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３
辺との間に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記複数の発光素子の各々は、
前記複数の第１電極のうち対応する第１電極と前記第２電極との間に設けられ、当該対応
する第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層を有し
、前記複数の発光素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の発光素子を含み、前記
第１の配線は、発光色毎に配線されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記電気信号を前記トランジス
タに伝送する複数の制御線を有し、前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の
配線のうち少なくともいずれか一つとは、少なくとも前記基体上において交差しないよう
に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記制御線は、前記トランジス
タに走査信号を供給するための走査線と、前記トランジスタにデータ信号を供給するため
のデータ線と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記発光素子は、正孔注入／輸
送層と、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とを積層して形成したもので
あることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基体上の有効領域に設けられた
複数の第１電極と、前記複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、前記複数
の第１電極と前記第２の電極との間に設けられた複数の電気光学素子と、前記第１電極に
電源電圧を供給するための第１の配線と、前記第２電極と接続され、前記基体の外周をな
す複数の辺のうち少なくとも１辺と前記有効領域との間に設けられた第２の配線と、を含
み、前記第２の配線の、前記基体上における占有面積は、前記第１の配線のうち前記有効
領域外に設けられた部分の、前記基体上における占有面積より大であること、特徴とする
。
【００１７】
上記の電気光学装置のように、前記複数の第１電極に対して共通に設けられていている
前記第２電極に接続する前記第２の配線の前記基体上の占有面積を大きくすることにより
、配線抵抗を低減し、前記複数の電気光学素子に供給される電流の電流レベルを安定化す
る。
【００１８】
前記有効領域外の面積を最小限とする必要がある場合等には、前記第２の配線の前記基
体上における占有面積を、前記第１電極に電源電圧を供給するための第１の配線のうち前
記有効領域外に設けられた部分の、前記基体上における占有面積より大とすることが好ま
しい。
【００１９】
上記の電気光学装置において、「有効領域」とは、例えば、電気光学機能を担う領域あ
るいは表示を行う領域に相当する。
【００２０】
また、上記の電気光学装置において、前記第２の配線の線幅が前記第１の配線の線幅よ
りも広く形成されている箇所を含むことが好ましい。
【００２１】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線は、配線全体に亘って、その線幅が前記
第１の配線の線幅よりも広く形成されていてもよい。
【００２２】
上記の電気光学装置において、前記複数の電気光学素子の各々は前記複数の第１電極の
うち対応する第１電極と前記第２電極との間に設けられ、当該対応する第１電極と前記第
２電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層を有し、前記複数の電気光学
素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の電気光学素子を含み、前記第１の配線は
、発光色毎に配線されていてもよい。
【００２３】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線の前記有効領域外における線幅は、前記
電気光学素子の種類毎に配線された前記第１の配線のうち前記有効領域外の部分の線幅が
最も広く形成されているものより大であってもよい。
【００２４】
上記の電気光学装置において、前記有効領域と、前記基体の外周をなす複数の辺のうち
少なくとも１辺との間にダミー領域が設けられ、前記第１の配線及び前記第２の配線は、
前記ダミー領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも１辺との間に形成され
ていてもよい。
【００２５】
上記の電気光学装置において、前記第２電極は、少なくとも前記有効領域と前記ダミー
領域とを覆うように形成されていてもよい。
【００２６】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記有効
領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺との間に設けられていること
が好ましい。
【００２７】
このように前記第２電極と前記第２の配線との接続部の面積を大とすることにより電流
ムラ等の問題が軽減される。
【００２８】
上記の電気光学装置において、前記複数の第１電極の各々は、前記有効領域に設けられ
た、対応する画素回路に含まれ、前記画素回路を制御する信号を伝送する複数の制御線を
有し、前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の配線のうち少なくともいずれ
か一つとは、少なくとも前記基体上において交差しないように配置されていることが好ま
しい。
【００２９】
前記制御線と前記第１の配線あるいは前記第２の配線とが交差することにより前記第１
の配線あるいは前記第２の配線と前記制御線との間に寄生容量が生じ、前記制御線に伝送
される信号の遅延や鈍り等の現象が生起することがあるが、上述のように前記制御線と前
記第１の配線あるいは前記第２の配線とを交差しないように配置することにより、前記制
御線に伝送される信号の遅延や鈍り等の問題が低減する。
【００３０】
上記の電気光学装置において、前記制御線は、前記画素回路に走査信号を供給するため
の走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するためのデータ線と、を含んでいてもよ
い。
【００３１】
上記の電気光学装置において、前記電気光学素子は、正孔注入／輸送層と、有機エレク
トロルミネッセンス材料からなる発光層とを積層して形成したものであってもよい。
【００３２】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００３３】
本発明の配線基板は、複数の第１電極の各々と前記複数の第１電極に対して共通に設け
られた第２電極との間に設けられた電気光学素子を備えた電気光学装置のための配線基板
であって、基体上に設けられた複数の第１電極と、前記第１の電極に電源電圧を供給する
ための第１の配線と、前記第２の電極と接続するための第２の配線と、を含み、前記第２
の配線は、前記複数の第１電極が設けられた有効領域の外に配置され、前記第２の配線の
前記基体上における占有面積は、前記第１の配線の部分のうち前記有効領域外に設けられ
た部分の、前記基体上における占有面積より大であること、を特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による電気光学装置の平面模式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１１】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳
細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の一実
施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【００３６】
図１に示した電気光学装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。図１に示す本
実施形態の電気光学装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方
向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延びる複数の発光用電源配線
１０３とがそれぞれ配線されており、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画
素領域Ａが設けられている。尚、上記走査線１０１及び信号線１０２は、本発明にいう制
御線の一部に相当する。
【００３７】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログス
イッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２には、
薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１には
、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００３８】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ１１２、保持容量Ｃａｐ
、カレント薄膜トランジスタ１２３、画素電極（第１電極）１１１、発光層１１０、及び
陰極（第２電極）１２とにより構成される画素回路が設けられている。スイッチング薄膜
トランジスタ１１２は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、走査線１０１
から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａ
ｐは、スイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信
号を保持する。
【００３９】
カレント薄膜トランジスタ１２３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ
１１２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信
号がゲート電極に供給される。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接
続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的
に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電
極１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
【００４０】
上記の発光層１１０には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１
０Ｇ、及び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光層が含まれ、各発光層１１０Ｒ，
１１０Ｇ，１１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ１
２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に
発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線されているのは、発光層１１０Ｒ，
１１０Ｇ，１１０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００４１】
また、本実施形態の電気光学装置においては、陰極１２と発光用電源配線１０３Ｒ，１
０３Ｇ，１０３Ｂとの間に第１の静電容量Ｃ1が形成されている。電気光学装置１が駆動
するとこの第１の静電容量Ｃ1に電荷が蓄積される。電気光学装置１の駆動中に各発光用
電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用
電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置
１の画像表示を正常に保つことができる。
【００４２】
尚、この電気光学装置１においては、走査線１０１から走査信号が供給されてスイッチ
ング薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持
容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジ
スタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャ
ネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動
電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを介して陰極１２に電流が流れる
。このとき、発光層１１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０から得られる
。
【００４３】
次に、本実施形態の電気光学装置１の具体的な構成について、図２〜図４を参照して説
明する。図２は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図であり、図３は、図２のＡ−Ａ
’線に沿う断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図２に示すよ
うに、本実施形態の電気光学装置１は、基板２、不図示の画素電極群領域、発光用電源配
線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）、及び表示画素部３（図中一点鎖線の枠内）
とから概略構成される。
【００４４】
基板２は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図１に示し
たカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省略）を基板２上にマト
リックス状に配置した領域である。発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ）は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続され
ている。表示画素部３は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状であ
る。この表示画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領
域４（尚、有効表示領域ともいう）の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点
鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００４５】
また、実表示領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が配置されている。
この走査線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に位置して設けられている
。更に、ダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路用
制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。また更
に、実表示領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。この検査回
路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１
０６により、製造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００４６】
図２に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の
周囲に配設されている。各発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基板２の図
２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査
線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領域５の外側に沿って
延在し、実表示領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、
陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されている。この陰極用配線１２ａは、発
光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されてい
る。
【００４７】
このように、陰極用配線１２ａ及び発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂによ
り、実表示領域４及びダミー領域５が、いわば囲まれるように形成されており、上述した
実表示領域４内には、図１に示した走査線１０１が複数配列され、走査線１０１と交差す
る方向に延びるように信号線１０２が、配列されている。つまり、走査線１０１及び信号
線１０２は、基板２上において陰極用配線１２ａ及び発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ
，１０３Ｂにより３方向が取り込まれるように配線されている。
【００４８】
ここで、本発明の特徴的な構成に相当する発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ及び陰極用配線１２ａについて説明する。図１に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ
，１０３Ｇ，１０３Ｂから発光層１１０に供給された電流は、陰極１２（陰極用配線１２
ａ）に流れ込む。このため、特に配線幅が制限される陰極用配線１２ａの配線抵抗がある
と電圧降下が大となり、陰極用配線１２ａの位置に応じて電位が変化し、コントラスト低
下等の画像表示の異常を引き起こす。
【００４９】
かかる不具合を防止すべく、本実施形態では、陰極用配線１２ａの総面積が発光用電源
配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の面積よりも大となるように形成されている。配
線抵抗を極力低減するためには、陰極用配線１２ａが大面積であることが好ましい。しか
しながら、図２に示すように、基板２上には種々の配線が配されるため、陰極用配線１２
ａの面積はある程度制限される。
【００５０】
そこで、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ及び陰極用配線１２ａの長さ方
向における単位長さ当たりの抵抗率が等しいと仮定して、陰極用配線１２ａの少なくとも
一部において、線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの線幅よりも広くす
ることにより、陰極用配線１２ａの総面積が発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ各々の面積よりも大となるように設計している。図２に示した例では、陰極用配線１２
ａの全体に亘って、その線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅
よりも広くしている。
【００５１】
ここで、仮に発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂに印加される電圧値が同一
であり、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの線幅も同一であって各々に同一
の電流が流れ、しかも発光層１１０全ての電気的特性が同一であると仮定する。このとき
に、陰極用配線１２ａには発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ、ひいては発光
層１１０に流れる電流を加算した電流が流れる。従って、陰極用配線１２ａにおける電圧
降下を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂでの電圧降下と同程度にするために
は、陰極用配線１２ａの線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅
を加算した線幅よりも広くすることが好ましい。
【００５２】
しかしながら、本実施形態の電気光学装置では、発光層１１０各々の特性が各色毎に異
なり、しかも発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂに印加する電圧値も各色毎に
異なり、流れる電流もそれぞれ異なってくる。このため、本実施形態では、陰極用配線１
２ａの線幅を、最も高い電圧が印加され、最も多くの電流が流れる（換言すると、電圧降
下が最も大きい）発光用電源配線の線幅よりも太くすれば良い。この発光用電源配線以外
の配線は、より低い電圧が印加され、流れる電流も少なくなるため、線幅はより細く形成
される。
【００５３】
この結果、本実施形態では、陰極用配線１２ａの線幅が、発光用電源配線１０３Ｒ，１
０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅よりも広く形成される。このように発光用電源配線１０３Ｒ
，１０３Ｇ，１０３Ｂと陰極用配線１２ａが設定される。尚、図２に示した例では、陰極
用配線１２ａの全体に亘って、その線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
よりも広く形成しているが、配線の配置に応じて少なくとも一部が発光用電源配線１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂよりも広くされていれば良い。
【００５４】
また、図２に示したように、基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けら
れ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用Ｉ
Ｃ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１、及び発光
用電源回路１３２が内蔵されている。
【００５５】
次に、図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１
１上に表示画素部３が形成されている。また、基板２には、表示画素部３を取り囲む封止
材１３が形成されており、更に表示画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基
板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等から
なるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、表示画素部３と
封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸
着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又
は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりな
ることが好ましい。
【００５６】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群
領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄膜トランジスタ１２３
に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基
板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８
４に埋め込まれて形成され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されてい
る。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された
電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄
膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略してい
る。更に、図３及び図４においては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図４に
おいては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及びカレント薄膜トランジスタ１２３の
図示を省略している。
【００５７】
次に、図３において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１
０５が設けられている。また、図４において、画素電極群領域１１ａの図中左側には、前
述の検査回路１０６が設けられている。走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含
まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃ
が備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を
除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。また、検査回
路１０６にも同様に、薄膜トランジスタ１０６ａが備えられ、この薄膜トランジスタ１０
６ａも、画素電極１１１に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３
と同様の構造とされている。
【００５８】
また、図３に示すように、走査線駆動回路１０５の図中外側の下地保護層２８１上には
、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。更に、走査線回路用制御信号配
線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成
されている。更に、図４に示すように、検査回路路１０６の図中左側の下地保護層２８１
上には、検査回路用制御信号配線１０６ｂが形成されている。また更に、検査回路用制御
信号配線１０６ｂの左側の第２層間絶縁層２８３上には、検査回路用電源配線１０６ｃが
形成されている。また、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線１０
３が形成されている。この発光用電源配線１０３は、２つの配線からなる二重配線構造を
採用しており、前述したように表示画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採
用することで配線抵抗を軽減できる。
【００５９】
例えば、図３中左側にある赤色用の発光用電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に
形成された第１配線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ1上に
形成された第２配線１０３Ｒ2とから構成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１
０３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３
Ｒ3により接続されている。このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１２ａと同じ
階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶
縁層２８３が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰極用配線１２ａはコン
タクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に
接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線
１０３Ｒ2は、陰極用配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ2と
陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をと
ることで、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間、及び、第２配線１０３Ｒ2と陰
極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００６０】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重
配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ1
，１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2と
から構成され、第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1及び第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2は、図
２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ3，
１０３Ｂ3により接続されている。そして、青色の第１配線１０３Ｂ1と陰極用配線１２ａ
の間、及び、青色の第２配線１０３Ｂ2と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が
形成されている。
【００６１】
第１配線１０３Ｒ1と第２配線１０３Ｒ2との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範
囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び走査線１０１のような
異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましく
ない。例えば、実表時領域４内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇
所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞があ
る。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込むことがで
きないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３
Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０μ
ｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板２が割れる恐れが生じる。
【００６２】
尚、図４に示したように、発光用電源配線１０３は二重配線構造とされているが、本発
明にいう発光用電源配線１０３の面積とは、二重配線構造の一方の各々（例えば、電源用
配線１０３Ｒ2，電源用配線１０３Ｇ2，電源用配線１０３Ｂ2）の面積をいう。
【００６３】
また、各発光用電源配線１０３Ｒの上側には、表示画素部３から延出した陰極１２が形
成されている。これにより、各発光用電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ2が、第１層
間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ2と陰極
１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ1が形成される。
【００６４】
ここで、第２配線１０３Ｒ2と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範
囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電
位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いて
いる信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込むこと
ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ2と陰極１２に挟ま
れる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しか
しながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板２が割れる恐れが生じる
。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含む
と膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００６５】
このように、本実施形態の電気光学装置１は、発光用電源配線１０３と陰極１２との間
に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位
が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線１０３に供給さ
れ、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、電
気光学装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線１０３と陰極
１２とが表示画素部３の外側で対向しているので、発光用電源配線１０３と陰極１２との
間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動
電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源
配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線
との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷
も発光用電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、電気光
学装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００６６】
ここで、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。
図５は、画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に示すように、基板２の
表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上
には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層
２８１は、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されて
いる。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２
が形成されている。
【００６７】
尚、図５においては、カレント薄膜トランジスタ１２３の断面構造を示しているが、ス
イッチング薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。また、ゲート電極２４２及びゲ
ート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されてい
る。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいう
ものとする。
【００６８】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向
する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネ
ル領域２４１ａの図中左側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓ
が設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高
濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構
造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体
として構成されている。
【００６９】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って
開孔するコンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース
電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部と
して構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間
絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース電極２４３と
同一層に形成されたドレイン電極２４４に接続されている。
【００７０】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１
層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が
、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられ
たコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、画素
電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２
４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すように、画素電極１１１は実表示領域４に対応
する位置に形成されているが、実表示領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素
電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１’が設けられる。このダミー画素電極１１
１’は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の
形態である。
【００７１】
次に、表示画素部３の実画素領域４には、発光層１１０及びバンク部（バンク）１２２
が形成されている。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１上の各々に
積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に
備えられており、各発光層１１０を区画している。バンク部１２２は、基板２側に位置す
る無機物バンク層１２２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層
されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に
遮光層を配置してもよい。
【００７２】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げる
まで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂより
も画素電極１１１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例
えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バン
ク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜
厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くな
り、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００
ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００７３】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジスト
から形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲
が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸
送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部か
ら溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口
部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカ
バレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを
２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより
好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００７４】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成され
ている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極１１１であり、これ
らの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入され
ている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを
反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００７５】
次に、図５に示すように、発光層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／
輸送層１１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層１１０及び正孔注入／輸
送層１１０ａを含む構成を機能層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む構
成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０に注入する機能
を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する
。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０の間に設けるこ
とにより、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０
では、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合し
て蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に
発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図
２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００７６】
次に、図３及び図４に示したように、表示画素部３のダミー領域５には、ダミー発光層
２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板２側
に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バン
ク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー
画素電極１１１’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機
物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。そして、ダミー発光
層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成され
ている。
【００７７】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無
機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである
。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、
ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１
０ａ及び発光層１１０と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、ダミー発光
層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００７８】
ダミー領域５を実表示領域４の周囲に配置することにより、実表示領域４の発光層１１
０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域
５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出し
た組成物インクの乾燥条件を実表示領域４内で一定にすることができ、実表示領域４の周
縁部で発光層１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００７９】
次に、陰極１２は、実表示領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領
域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち表示画素部３の外側
で発光用電源配線１０３と対向配置されている。また陰極１２の端部が、回路部１１に形
成された陰極用配線１２ａの全面に亘って接続されている。陰極１２は、画素電極１１１
の対向電極として発光層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フ
ッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射層１２ｃとが積層され
て構成されている。陰極１２のうち、反射層１２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出さ
れている。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基板２側に反射させるもので、
例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層１２ｂ
上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００８０】
次に、本実施形態の電気光学装置１の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発
明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。まず、図６〜図
８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。尚、図６〜図８
に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応している。また、以下の説明に
おいて、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００８１】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層
２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリ
コン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシ
リコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングし、図６（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，２６１を形成
し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
【００８２】
シリコン層２４１は、実表示領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続
されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある
）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチ
ャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する
場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００８３】
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２
４１，２５１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコ
ン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を
形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の結晶化も行い、これらのシリコン
層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、この
タイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリ
コン層２４１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０-17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシ
リコン層となる。
【００８４】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マ
スクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入
する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が
導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃
度ドレイン領域２４１Ｄ，２６１Ｄが形成される。
【００８５】
その後、図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート
絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、
タンタル膜といった厚さ約２００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニ
ングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦ
Ｔのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する
。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、発光用電源配線
の第１配線１０３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成す
る。
【００８６】
更に、ゲート電極２４２，２５２，２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，
２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果
、ゲート電極２４２，２５２，２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入さ
れ、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ
，２６１ｂ、及び低濃度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。また、シリコン
層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，２５１Ｄが形成される。
【００８７】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択
マスクＭ2を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、シリコン層２５１に対し
てボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲ
ート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度
不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型
チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００８８】
そして、図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２
の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁
層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線
１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ1を設ける。次に、図７（ｃ）に
示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の
金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することによ
り、先に形成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に
導電層５０４上にパターニング用マスクＭ3を形成する。
【００８９】
次に、図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ3によってパ
ターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４，２
５４、各発光用電源配線の第２配線１０３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ2、走査線回路用電
源配線１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。上記のように、第１配線１０３Ｒ1
及び１０３Ｂ1を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容
量Ｃ2が形成される。
【００９０】
以上の工程が終了すると、図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１
層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間
絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８（ｃ
）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対
応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ2を形成する。
このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにし
て、基板２上に回路部１１が形成される。
【００９１】
次に、図９を参照して、回路部１１上に表示画素部３を形成することにより電気光学装
置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面
に対応している。まず、図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の
透明電極材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより、第１層間
絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、画
素電極１１１及びダミー画素電極１１１’を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜
トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレ
ント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１
’は島状に配置される。
【００９２】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー
画素電極１１１’上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成
する。無機物バンク層１２２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダ
ミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１’を完全に覆うように形成する。無
機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ
法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳ
ｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無機物膜をパターニングする
ことにより形成する。
【００９３】
更に、図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２
１２ａ上に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有
機物バンク層１２２ｂは、無機物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開口
する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの
一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク部
１２２を形成する。
【００９４】
続いて、バンク部１２２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する
。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具
体的に、このプラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダミ
ー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１２２ｂ及びダ
ミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有している。
【００９５】
即ち、バンク部１２２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化
工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行
う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ
処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク部１２２を
室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００９６】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１
０及びダミー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発光層１１０並びにダミ
ー発光層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発
光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。尚、この発光層１
１０及びダミー発光層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防
止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００９７】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２
１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミ
ー発光層２１０上に陰極層１２ｂを形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極
用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成することにより得られる。このように、反
射層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを表示画素部３から基板２
上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源配
線１０３に対向配置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源配線１０３との間に第１の
静電容量Ｃ1が形成される。最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、こ
の封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に
示すような電気光学装置１が得られる。
【００９８】
このようにして製造された電気光学装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボ
ード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１
０に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は
、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、
図１０において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボード
である。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１１に示し
た携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７
０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【００９９】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に
挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナ
ルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページ
ャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレ
コーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【０１００】
以上説明したように、本発明によれば、陰極用配線の総面積を電源配線の面積よりも大
として陰極用配線の配線抵抗を小さく設定しているため、電源配線から第１電極を介して
発光素子に供給された電流が陰極用配線に流れるときに生ずる電圧降下を小さく抑えるこ
とができるという効果がある。この結果として、画像信号の供給が安定化してコントラス
ト低下等の画像表示の異常を抑えることができるという効果がある。
【符号の説明】
【０１０１】
４…実表示領域（有効表示領域）、５…ダミー領域、１２…陰極（第２電極）、１２ａ
…陰極用配線、１０１…走査線（制御線）、１０２…信号線（制御線）、１０３，１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ…発光用電源配線、１１０，１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ…発
光素子、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０…発光層、１１１…画素電極（第１電極）
、１１２…スイッチング薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、１２３…カレント薄膜
トランジスタ（スイッチング素子）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器、特に有機エレクトロルミネッセンス素子等の電流駆
動型の発光素子を備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極と対向電極との間に設けられ、当該画素電極と当該対向電極との間に流れる電
流によって発光する発光層を画素毎に備えたエレクトロルミネッセンス装置は、次世代の
表示装置として期待されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第９８／３６４０７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のエレクトロルミネッセンス装置のように電流が流れることにより
発光する装置では、輝度が電流レベルに依存するため、画素に電流あるいは駆動電圧を供
給するための配線構造及び配線レイアウトを最適化する必要がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、各画素に安定的に駆動電圧あるい
は電流を供給することのできる電気光学装置及び、当該電気光学装置を備える電子機器を
提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、基体上に、複数の第１電極と、該複
数の第１電極の各々に接続されたトランジスタと、が設けられた第１電極群領域と、前記
複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、前記複数の第１電極の各々と前記
第２の電極との間に設けられた発光素子と、前記第１電極領域の外側に設けられた、前記
トランジスタに電気信号を供給するための駆動回路と、前記第１電極に前記トランジスタ
を介して電源電圧を供給するための第１の配線と、前記第２電極と接続された第２の配線
と、を含み、前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するととも
に、前記基体の外周と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第１の配線は、前記基体の
外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記第２の配線と駆動回路との間に設け
られた部分を有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線は、前記基体の
外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺に沿って延在することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線の線幅が前記第
１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線の線幅は、配線
全体に亘って、前記第１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線と前記第２電極
との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周をなす複数の辺との間に設けられて
いることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記第２の配線と前記第２電極
との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３
辺との間に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記複数の発光素子の各々は、
前記複数の第１電極のうち対応する第１電極と前記第２電極との間に設けられ、当該対応
する第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層を有し
、前記複数の発光素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の発光素子を含み、前記
第１の配線は、発光色毎に配線されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記電気信号を前記トランジス
タに伝送する複数の制御線を有し、前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の
配線のうち少なくともいずれか一つとは、少なくとも前記基体上において交差しないよう
に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記制御線は、前記トランジス
タに走査信号を供給するための走査線と、前記トランジスタにデータ信号を供給するため
のデータ線と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置において、前記発光素子は、正孔注入／輸
送層と、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とを積層して形成したもので
あることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基体上の有効領域に設けられた
複数の第１電極と、前記複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、前記複数
の第１電極と前記第２の電極との間に設けられた複数の電気光学素子と、前記第１電極に
電源電圧を供給するための第１の配線と、前記第２電極と接続され、前記基体の外周をな
す複数の辺のうち少なくとも１辺と前記有効領域との間に設けられた第２の配線と、を含
み、前記第２の配線の、前記基体上における占有面積は、前記第１の配線のうち前記有効
領域外に設けられた部分の、前記基体上における占有面積より大であること、特徴とする
。
【００１７】
上記の電気光学装置のように、前記複数の第１電極に対して共通に設けられていている
前記第２電極に接続する前記第２の配線の前記基体上の占有面積を大きくすることにより
、配線抵抗を低減し、前記複数の電気光学素子に供給される電流の電流レベルを安定化す
る。
【００１８】
前記有効領域外の面積を最小限とする必要がある場合等には、前記第２の配線の前記基
体上における占有面積を、前記第１電極に電源電圧を供給するための第１の配線のうち前
記有効領域外に設けられた部分の、前記基体上における占有面積より大とすることが好ま
しい。
【００１９】
上記の電気光学装置において、「有効領域」とは、例えば、電気光学機能を担う領域あ
るいは表示を行う領域に相当する。
【００２０】
また、上記の電気光学装置において、前記第２の配線の線幅が前記第１の配線の線幅よ
りも広く形成されている箇所を含むことが好ましい。
【００２１】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線は、配線全体に亘って、その線幅が前記
第１の配線の線幅よりも広く形成されていてもよい。
【００２２】
上記の電気光学装置において、前記複数の電気光学素子の各々は前記複数の第１電極の
うち対応する第１電極と前記第２電極との間に設けられ、当該対応する第１電極と前記第
２電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層を有し、前記複数の電気光学
素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の電気光学素子を含み、前記第１の配線は
、発光色毎に配線されていてもよい。
【００２３】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線の前記有効領域外における線幅は、前記
電気光学素子の種類毎に配線された前記第１の配線のうち前記有効領域外の部分の線幅が
最も広く形成されているものより大であってもよい。
【００２４】
上記の電気光学装置において、前記有効領域と、前記基体の外周をなす複数の辺のうち
少なくとも１辺との間にダミー領域が設けられ、前記第１の配線及び前記第２の配線は、
前記ダミー領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも１辺との間に形成され
ていてもよい。
【００２５】
上記の電気光学装置において、前記第２電極は、少なくとも前記有効領域と前記ダミー
領域とを覆うように形成されていてもよい。
【００２６】
上記の電気光学装置において、前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記有効
領域と前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺との間に設けられていること
が好ましい。
【００２７】
このように前記第２電極と前記第２の配線との接続部の面積を大とすることにより電流
ムラ等の問題が軽減される。
【００２８】
上記の電気光学装置において、前記複数の第１電極の各々は、前記有効領域に設けられ
た、対応する画素回路に含まれ、前記画素回路を制御する信号を伝送する複数の制御線を
有し、前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の配線のうち少なくともいずれ
か一つとは、少なくとも前記基体上において交差しないように配置されていることが好ま
しい。
【００２９】
前記制御線と前記第１の配線あるいは前記第２の配線とが交差することにより前記第１
の配線あるいは前記第２の配線と前記制御線との間に寄生容量が生じ、前記制御線に伝送
される信号の遅延や鈍り等の現象が生起することがあるが、上述のように前記制御線と前
記第１の配線あるいは前記第２の配線とを交差しないように配置することにより、前記制
御線に伝送される信号の遅延や鈍り等の問題が低減する。
【００３０】
上記の電気光学装置において、前記制御線は、前記画素回路に走査信号を供給するため
の走査線と、前記画素回路にデータ信号を供給するためのデータ線と、を含んでいてもよ
い。
【００３１】
上記の電気光学装置において、前記電気光学素子は、正孔注入／輸送層と、有機エレク
トロルミネッセンス材料からなる発光層とを積層して形成したものであってもよい。
【００３２】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００３３】
本発明の配線基板は、複数の第１電極の各々と前記複数の第１電極に対して共通に設け
られた第２電極との間に設けられた電気光学素子を備えた電気光学装置のための配線基板
であって、基体上に設けられた複数の第１電極と、前記第１の電極に電源電圧を供給する
ための第１の配線と、前記第２の電極と接続するための第２の配線と、を含み、前記第２
の配線は、前記複数の第１電極が設けられた有効領域の外に配置され、前記第２の配線の
前記基体上における占有面積は、前記第１の配線の部分のうち前記有効領域外に設けられ
た部分の、前記基体上における占有面積より大であること、を特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による電気光学装置の平面模式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１１】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳
細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の一実
施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【００３６】
図１に示した電気光学装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。図１に示す本
実施形態の電気光学装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方
向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延びる複数の発光用電源配線
１０３とがそれぞれ配線されており、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画
素領域Ａが設けられている。尚、上記走査線１０１及び信号線１０２は、本発明にいう制
御線の一部に相当する。
【００３７】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログス
イッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２には、
薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１には
、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００３８】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ１１２、保持容量Ｃａｐ
、カレント薄膜トランジスタ１２３、画素電極（第１電極）１１１、発光層１１０、及び
陰極（第２電極）１２とにより構成される画素回路が設けられている。スイッチング薄膜
トランジスタ１１２は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、走査線１０１
から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａ
ｐは、スイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信
号を保持する。
【００３９】
カレント薄膜トランジスタ１２３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ
１１２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信
号がゲート電極に供給される。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接
続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的
に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電
極１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
【００４０】
上記の発光層１１０には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１
０Ｇ、及び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光層が含まれ、各発光層１１０Ｒ，
１１０Ｇ，１１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ１
２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に
発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線されているのは、発光層１１０Ｒ，
１１０Ｇ，１１０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００４１】
また、本実施形態の電気光学装置においては、陰極１２と発光用電源配線１０３Ｒ，１
０３Ｇ，１０３Ｂとの間に第１の静電容量Ｃ1が形成されている。電気光学装置１が駆動
するとこの第１の静電容量Ｃ1に電荷が蓄積される。電気光学装置１の駆動中に各発光用
電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用
電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置
１の画像表示を正常に保つことができる。
【００４２】
尚、この電気光学装置１においては、走査線１０１から走査信号が供給されてスイッチ
ング薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持
容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジ
スタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャ
ネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動
電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを介して陰極１２に電流が流れる
。このとき、発光層１１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０から得られる
。
【００４３】
次に、本実施形態の電気光学装置１の具体的な構成について、図２〜図４を参照して説
明する。図２は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図であり、図３は、図２のＡ−Ａ
’線に沿う断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図２に示すよ
うに、本実施形態の電気光学装置１は、基板２、不図示の画素電極群領域、発光用電源配
線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）、及び表示画素部３（図中一点鎖線の枠内）
とから概略構成される。
【００４４】
基板２は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図１に示し
たカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省略）を基板２上にマト
リックス状に配置した領域である。発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ）は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続され
ている。表示画素部３は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状であ
る。この表示画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領
域４（尚、有効表示領域ともいう）の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点
鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００４５】
また、実表示領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が配置されている。
この走査線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に位置して設けられている
。更に、ダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路用
制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。また更
に、実表示領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。この検査回
路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１
０６により、製造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００４６】
図２に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の
周囲に配設されている。各発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基板２の図
２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査
線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領域５の外側に沿って
延在し、実表示領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、
陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されている。この陰極用配線１２ａは、発
光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されてい
る。
【００４７】
このように、陰極用配線１２ａ及び発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂによ
り、実表示領域４及びダミー領域５が、いわば囲まれるように形成されており、上述した
実表示領域４内には、図１に示した走査線１０１が複数配列され、走査線１０１と交差す
る方向に延びるように信号線１０２が、配列されている。つまり、走査線１０１及び信号
線１０２は、基板２上において陰極用配線１２ａ及び発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ
，１０３Ｂにより３方向が取り込まれるように配線されている。
【００４８】
ここで、本発明の特徴的な構成に相当する発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ及び陰極用配線１２ａについて説明する。図１に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ
，１０３Ｇ，１０３Ｂから発光層１１０に供給された電流は、陰極１２（陰極用配線１２
ａ）に流れ込む。このため、特に配線幅が制限される陰極用配線１２ａの配線抵抗がある
と電圧降下が大となり、陰極用配線１２ａの位置に応じて電位が変化し、コントラスト低
下等の画像表示の異常を引き起こす。
【００４９】
かかる不具合を防止すべく、本実施形態では、陰極用配線１２ａの総面積が発光用電源
配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の面積よりも大となるように形成されている。配
線抵抗を極力低減するためには、陰極用配線１２ａが大面積であることが好ましい。しか
しながら、図２に示すように、基板２上には種々の配線が配されるため、陰極用配線１２
ａの面積はある程度制限される。
【００５０】
そこで、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ及び陰極用配線１２ａの長さ方
向における単位長さ当たりの抵抗率が等しいと仮定して、陰極用配線１２ａの少なくとも
一部において、線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの線幅よりも広くす
ることにより、陰極用配線１２ａの総面積が発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３
Ｂ各々の面積よりも大となるように設計している。図２に示した例では、陰極用配線１２
ａの全体に亘って、その線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅
よりも広くしている。
【００５１】
ここで、仮に発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂに印加される電圧値が同一
であり、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの線幅も同一であって各々に同一
の電流が流れ、しかも発光層１１０全ての電気的特性が同一であると仮定する。このとき
に、陰極用配線１２ａには発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ、ひいては発光
層１１０に流れる電流を加算した電流が流れる。従って、陰極用配線１２ａにおける電圧
降下を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂでの電圧降下と同程度にするために
は、陰極用配線１２ａの線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅
を加算した線幅よりも広くすることが好ましい。
【００５２】
しかしながら、本実施形態の電気光学装置では、発光層１１０各々の特性が各色毎に異
なり、しかも発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂに印加する電圧値も各色毎に
異なり、流れる電流もそれぞれ異なってくる。このため、本実施形態では、陰極用配線１
２ａの線幅を、最も高い電圧が印加され、最も多くの電流が流れる（換言すると、電圧降
下が最も大きい）発光用電源配線の線幅よりも太くすれば良い。この発光用電源配線以外
の配線は、より低い電圧が印加され、流れる電流も少なくなるため、線幅はより細く形成
される。
【００５３】
この結果、本実施形態では、陰極用配線１２ａの線幅が、発光用電源配線１０３Ｒ，１
０３Ｇ，１０３Ｂ各々の線幅よりも広く形成される。このように発光用電源配線１０３Ｒ
，１０３Ｇ，１０３Ｂと陰極用配線１２ａが設定される。尚、図２に示した例では、陰極
用配線１２ａの全体に亘って、その線幅を発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
よりも広く形成しているが、配線の配置に応じて少なくとも一部が発光用電源配線１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂよりも広くされていれば良い。
【００５４】
また、図２に示したように、基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けら
れ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用Ｉ
Ｃ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１、及び発光
用電源回路１３２が内蔵されている。
【００５５】
次に、図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１
１上に表示画素部３が形成されている。また、基板２には、表示画素部３を取り囲む封止
材１３が形成されており、更に表示画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基
板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等から
なるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、表示画素部３と
封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸
着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又
は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりな
ることが好ましい。
【００５６】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群
領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄膜トランジスタ１２３
に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基
板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８
４に埋め込まれて形成され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されてい
る。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された
電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ
）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄
膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略してい
る。更に、図３及び図４においては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図４に
おいては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及びカレント薄膜トランジスタ１２３の
図示を省略している。
【００５７】
次に、図３において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１
０５が設けられている。また、図４において、画素電極群領域１１ａの図中左側には、前
述の検査回路１０６が設けられている。走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含
まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃ
が備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を
除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。また、検査回
路１０６にも同様に、薄膜トランジスタ１０６ａが備えられ、この薄膜トランジスタ１０
６ａも、画素電極１１１に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３
と同様の構造とされている。
【００５８】
また、図３に示すように、走査線駆動回路１０５の図中外側の下地保護層２８１上には
、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。更に、走査線回路用制御信号配
線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成
されている。更に、図４に示すように、検査回路路１０６の図中左側の下地保護層２８１
上には、検査回路用制御信号配線１０６ｂが形成されている。また更に、検査回路用制御
信号配線１０６ｂの左側の第２層間絶縁層２８３上には、検査回路用電源配線１０６ｃが
形成されている。また、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線１０
３が形成されている。この発光用電源配線１０３は、２つの配線からなる二重配線構造を
採用しており、前述したように表示画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採
用することで配線抵抗を軽減できる。
【００５９】
例えば、図３中左側にある赤色用の発光用電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に
形成された第１配線１０３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ1上に
形成された第２配線１０３Ｒ2とから構成されている。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１
０３Ｒ2は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３
Ｒ3により接続されている。このように、第１配線１０３Ｒ1は、陰極用配線１２ａと同じ
階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶
縁層２８３が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰極用配線１２ａはコン
タクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に
接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線
１０３Ｒ2は、陰極用配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ2と
陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をと
ることで、第１配線１０３Ｒ1と陰極用配線１２ａとの間、及び、第２配線１０３Ｒ2と陰
極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
【００６０】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重
配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ1
，１０３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2と
から構成され、第１配線１０３Ｇ1，１０３Ｂ1及び第２配線１０３Ｇ2，１０３Ｂ2は、図
２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ3，
１０３Ｂ3により接続されている。そして、青色の第１配線１０３Ｂ1と陰極用配線１２ａ
の間、及び、青色の第２配線１０３Ｂ2と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が
形成されている。
【００６１】
第１配線１０３Ｒ1と第２配線１０３Ｒ2との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範
囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び走査線１０１のような
異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましく
ない。例えば、実表時領域４内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇
所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞があ
る。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込むことがで
きないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ1及び第２配線１０３
Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０μ
ｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板２が割れる恐れが生じる。
【００６２】
尚、図４に示したように、発光用電源配線１０３は二重配線構造とされているが、本発
明にいう発光用電源配線１０３の面積とは、二重配線構造の一方の各々（例えば、電源用
配線１０３Ｒ2，電源用配線１０３Ｇ2，電源用配線１０３Ｂ2）の面積をいう。
【００６３】
また、各発光用電源配線１０３Ｒの上側には、表示画素部３から延出した陰極１２が形
成されている。これにより、各発光用電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ2が、第１層
間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ2と陰極
１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ1が形成される。
【００６４】
ここで、第２配線１０３Ｒ2と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範
囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電
位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いて
いる信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込むこと
ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ2と陰極１２に挟ま
れる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しか
しながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板２が割れる恐れが生じる
。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含む
と膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００６５】
このように、本実施形態の電気光学装置１は、発光用電源配線１０３と陰極１２との間
に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位
が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線１０３に供給さ
れ、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、電
気光学装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線１０３と陰極
１２とが表示画素部３の外側で対向しているので、発光用電源配線１０３と陰極１２との
間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動
電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源
配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線
との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷
も発光用電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、電気光
学装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００６６】
ここで、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。
図５は、画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に示すように、基板２の
表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上
には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層
２８１は、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されて
いる。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２
が形成されている。
【００６７】
尚、図５においては、カレント薄膜トランジスタ１２３の断面構造を示しているが、ス
イッチング薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。また、ゲート電極２４２及びゲ
ート絶縁層２８２は、ＳｉＯ2を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されてい
る。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいう
ものとする。
【００６８】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向
する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネ
ル領域２４１ａの図中左側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓ
が設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高
濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構
造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体
として構成されている。
【００６９】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って
開孔するコンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース
電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部と
して構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間
絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース電極２４３と
同一層に形成されたドレイン電極２４４に接続されている。
【００７０】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１
層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が
、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられ
たコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、画素
電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２
４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すように、画素電極１１１は実表示領域４に対応
する位置に形成されているが、実表示領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素
電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１’が設けられる。このダミー画素電極１１
１’は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の
形態である。
【００７１】
次に、表示画素部３の実画素領域４には、発光層１１０及びバンク部（バンク）１２２
が形成されている。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１上の各々に
積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に
備えられており、各発光層１１０を区画している。バンク部１２２は、基板２側に位置す
る無機物バンク層１２２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層
されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に
遮光層を配置してもよい。
【００７２】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げる
まで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂより
も画素電極１１１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例
えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バン
ク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜
厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くな
り、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００
ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００７３】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジスト
から形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲
が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸
送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部か
ら溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口
部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカ
バレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを
２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより
好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００７４】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成され
ている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極１１１であり、これ
らの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入され
ている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを
反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００７５】
次に、図５に示すように、発光層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／
輸送層１１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層１１０及び正孔注入／輸
送層１１０ａを含む構成を機能層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む構
成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０に注入する機能
を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する
。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０の間に設けるこ
とにより、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０
では、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合し
て蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に
発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図
２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００７６】
次に、図３及び図４に示したように、表示画素部３のダミー領域５には、ダミー発光層
２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板２側
に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バン
ク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー
画素電極１１１’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機
物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。そして、ダミー発光
層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１’上に形成され
ている。
【００７７】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無
機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである
。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、
ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１
０ａ及び発光層１１０と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、ダミー発光
層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００７８】
ダミー領域５を実表示領域４の周囲に配置することにより、実表示領域４の発光層１１
０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域
５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出し
た組成物インクの乾燥条件を実表示領域４内で一定にすることができ、実表示領域４の周
縁部で発光層１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００７９】
次に、陰極１２は、実表示領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領
域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち表示画素部３の外側
で発光用電源配線１０３と対向配置されている。また陰極１２の端部が、回路部１１に形
成された陰極用配線１２ａの全面に亘って接続されている。陰極１２は、画素電極１１１
の対向電極として発光層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フ
ッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射層１２ｃとが積層され
て構成されている。陰極１２のうち、反射層１２ｃのみが表示画素部３の外側まで延出さ
れている。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基板２側に反射させるもので、
例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層１２ｂ
上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００８０】
次に、本実施形態の電気光学装置１の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発
明の一実施形態による電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。まず、図６〜図
８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。尚、図６〜図８
に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面に対応している。また、以下の説明に
おいて、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００８１】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層
２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリ
コン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシ
リコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングし、図６（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，２６１を形成
し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
【００８２】
シリコン層２４１は、実表示領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続
されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある
）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチ
ャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する
場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００８３】
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２
４１，２５１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコ
ン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を
形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の結晶化も行い、これらのシリコン
層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、この
タイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリ
コン層２４１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０-17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシ
リコン層となる。
【００８４】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マ
スクＭ1を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入
する。その結果、イオン注入選択マスクＭ1に対してセルフアライン的に高濃度不純物が
導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃
度ドレイン領域２４１Ｄ，２６１Ｄが形成される。
【００８５】
その後、図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ1を除去した後に、ゲート
絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、
タンタル膜といった厚さ約２００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニ
ングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦ
Ｔのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する
。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、発光用電源配線
の第１配線１０３Ｒ1，１０３Ｇ1，１０３Ｂ1、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成す
る。
【００８６】
更に、ゲート電極２４２，２５２，２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，
２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。その結果
、ゲート電極２４２，２５２，２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入さ
れ、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ
，２６１ｂ、及び低濃度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。また、シリコン
層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，２５１Ｄが形成される。
【００８７】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択
マスクＭ2を形成する。このイオン注入選択マスクＭ2を用いて、シリコン層２５１に対し
てボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲ
ート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度
不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型
チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００８８】
そして、図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ2を除去した後に、基板２
の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁
層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線
１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ1を設ける。次に、図７（ｃ）に
示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の
金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することによ
り、先に形成した孔Ｈ1にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に
導電層５０４上にパターニング用マスクＭ3を形成する。
【００８９】
次に、図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ3によってパ
ターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４，２
５４、各発光用電源配線の第２配線１０３Ｒ2，１０３Ｇ2，１０３Ｂ2、走査線回路用電
源配線１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。上記のように、第１配線１０３Ｒ1
及び１０３Ｂ1を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容
量Ｃ2が形成される。
【００９０】
以上の工程が終了すると、図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１
層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間
絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８（ｃ
）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対
応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ2を形成する。
このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにし
て、基板２上に回路部１１が形成される。
【００９１】
次に、図９を参照して、回路部１１上に表示画素部３を形成することにより電気光学装
置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ’線に沿う断面
に対応している。まず、図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の
透明電極材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより、第１層間
絶縁層２８４に設けた孔Ｈ2を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、画
素電極１１１及びダミー画素電極１１１’を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜
トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレ
ント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１
’は島状に配置される。
【００９２】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー
画素電極１１１’上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成
する。無機物バンク層１２２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダ
ミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１’を完全に覆うように形成する。無
機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ
法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳ
ｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無機物膜をパターニングする
ことにより形成する。
【００９３】
更に、図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２
１２ａ上に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有
機物バンク層１２２ｂは、無機物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開口
する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの
一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク部
１２２を形成する。
【００９４】
続いて、バンク部１２２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する
。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具
体的に、このプラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダミ
ー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１２２ｂ及びダ
ミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有している。
【００９５】
即ち、バンク部１２２を所定温度（例えば７０〜８０℃程度）に加熱し、次いで親液化
工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行
う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ
処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク部１２２を
室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００９６】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１
０及びダミー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発光層１１０並びにダミ
ー発光層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発
光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。尚、この発光層１
１０及びダミー発光層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防
止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００９７】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２
１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミ
ー発光層２１０上に陰極層１２ｂを形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極
用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成することにより得られる。このように、反
射層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを表示画素部３から基板２
上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源配
線１０３に対向配置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源配線１０３との間に第１の
静電容量Ｃ1が形成される。最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、こ
の封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に
示すような電気光学装置１が得られる。
【００９８】
このようにして製造された電気光学装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボ
ード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１
０に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は
、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、
図１０において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボード
である。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１１に示し
た携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７
０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【００９９】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に
挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナ
ルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページ
ャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレ
コーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【０１００】
以上説明したように、本発明によれば、陰極用配線の総面積を電源配線の面積よりも大
として陰極用配線の配線抵抗を小さく設定しているため、電源配線から第１電極を介して
発光素子に供給された電流が陰極用配線に流れるときに生ずる電圧降下を小さく抑えるこ
とができるという効果がある。この結果として、画像信号の供給が安定化してコントラス
ト低下等の画像表示の異常を抑えることができるという効果がある。
【符号の説明】
【０１０１】
４…実表示領域（有効表示領域）、５…ダミー領域、１２…陰極（第２電極）、１２ａ
…陰極用配線、１０１…走査線（制御線）、１０２…信号線（制御線）、１０３，１０３
Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ…発光用電源配線、１１０，１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ…発
光素子、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０…発光層、１１１…画素電極（第１電極）
、１１２…スイッチング薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、１２３…カレント薄膜
トランジスタ（スイッチング素子）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、複数の第１電極と、該複数の第１電極の各々に接続されたトランジスタと、
が設けられた第１電極群領域と、
前記複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、
前記複数の第１電極の各々と前記第２の電極との間に設けられた発光素子と、
前記第１電極領域の外側に設けられた、前記トランジスタに電気信号を供給するための
駆動回路と、
前記第１電極に前記トランジスタを介して電源電圧を供給するための第１の配線と、
前記第２電極と接続された第２の配線と、を含み、
前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記基
体の外周と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第１の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記第
２の配線と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺に沿って延在
することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記第２の配線の線幅が前記第１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴と
する発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置であって、
前記第２の配線の線幅は、配線全体に亘って、前記第１の配線の線幅よりも広く形成さ
れていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周を
なす複数の辺との間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置であって、
前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周を
なす複数の辺のうち少なくとも３辺との間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々は、前記複数の第１電極のうち対応する第１電極と前記第２
電極との間に設けられ、当該対応する第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される
ことにより発光する発光層を有し、
前記複数の発光素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の発光素子を含み、
前記第１の配線は、発光色毎に配線されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記電気信号を前記トランジスタに伝送する複数の制御線を有し、
前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の配線のうち少なくともいずれか一
つとは、少なくとも前記基体上において交差しないように配置されていることを特徴とす
る発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記制御線は、前記トランジスタに走査信号を供給するための走査線と、前記トランジ
スタにデータ信号を供給するためのデータ線と、を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光素子は、正孔注入／輸送層と、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発
光層とを積層して形成したものであることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とす
る電子機器。
【請求項１】
基体上に、複数の第１電極と、該複数の第１電極の各々に接続されたトランジスタと、
が設けられた第１電極群領域と、
前記複数の第１電極に対して共通に設けられた第２電極と、
前記複数の第１電極の各々と前記第２の電極との間に設けられた発光素子と、
前記第１電極領域の外側に設けられた、前記トランジスタに電気信号を供給するための
駆動回路と、
前記第１電極に前記トランジスタを介して電源電圧を供給するための第１の配線と、
前記第２電極と接続された第２の配線と、を含み、
前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記基
体の外周と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第１の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺に沿って延在するとともに、前記第
２の配線と駆動回路との間に設けられた部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第２の配線は、前記基体の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺に沿って延在
することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記第２の配線の線幅が前記第１の配線の線幅よりも広く形成されていることを特徴と
する発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置であって、
前記第２の配線の線幅は、配線全体に亘って、前記第１の配線の線幅よりも広く形成さ
れていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周を
なす複数の辺との間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置であって、
前記第２の配線と前記第２電極との接続部は、前記第１電極群領域と前記基体の外周を
なす複数の辺のうち少なくとも３辺との間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々は、前記複数の第１電極のうち対応する第１電極と前記第２
電極との間に設けられ、当該対応する第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される
ことにより発光する発光層を有し、
前記複数の発光素子は前記発光層の発光色が異なる複数の種類の発光素子を含み、
前記第１の配線は、発光色毎に配線されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記電気信号を前記トランジスタに伝送する複数の制御線を有し、
前記複数の制御線は、前記第１の配線及び前記第２の配線のうち少なくともいずれか一
つとは、少なくとも前記基体上において交差しないように配置されていることを特徴とす
る発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記制御線は、前記トランジスタに走査信号を供給するための走査線と、前記トランジ
スタにデータ信号を供給するためのデータ線と、を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光素子は、正孔注入／輸送層と、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発
光層とを積層して形成したものであることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とす
る電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−１６３２７２（Ｐ２００９−１６３２７２Ａ）
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０４８１１（Ｐ２００９−１０４８１１）
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【分割の表示】特願２００５−２１８４３９（Ｐ２００５−２１８４３９）の分割
【原出願日】平成１５年７月８日（２００３．７．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【分割の表示】特願２００５−２１８４３９（Ｐ２００５−２１８４３９）の分割
【原出願日】平成１５年７月８日（２００３．７．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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