発光装置用の配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
【課題】スクリーン印刷法により開口部を形成する場合であっても、認識マークの認識性の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【解決手段】配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成された複数の配線パターン２０と、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成され、配線パターン２０の一部を露出するように形成された絶縁層５０と、絶縁層５０から露出された配線パターン２０上に形成された金属層３０とを有している。絶縁層５０は、金属層３０の上面を全て露出させるとともに、金属層３０の周囲に配線パターン２０の上面２０Ａを露出させる開口部５０Ｙが形成されている。そして、開口部５０Ｙから露出された配線パターン２０上に形成された金属層３０は、上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マーク４０となる。
【解決手段】配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成された複数の配線パターン２０と、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成され、配線パターン２０の一部を露出するように形成された絶縁層５０と、絶縁層５０から露出された配線パターン２０上に形成された金属層３０とを有している。絶縁層５０は、金属層３０の上面を全て露出させるとともに、金属層３０の周囲に配線パターン２０の上面２０Ａを露出させる開口部５０Ｙが形成されている。そして、開口部５０Ｙから露出された配線パターン２０上に形成された金属層３０は、上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マーク４０となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置用の配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、例えば樹脂基板上に配線パターンを形成し、その配線パターン上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。さらに、発光素子が実装された側の表面に白色レジスト層などの反射膜を形成して、発光素子からの光の反射率を高め、光の取り出し効率を向上させた構造も知られている（例えば、特許文献３，４参照）。
【０００３】
このような半導体パッケージの製造方法としては、以下のような方法が知られている。まず、図２３（ａ）に示すように、樹脂基板１００上に配線パターン１０１を形成する。続いて、図２３（ｂ）に示すように、スクリーン印刷法により、配線パターン１０１の一部を発光素子の実装領域として露出させるための開口部１０２Ｘを有する反射膜１０２を樹脂基板１００上に形成する。そして、反射膜１０２の開口部１０２Ｘから露出された配線パターン１０１の上面に発光素子が実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１０号公報
【特許文献２】特開２００３−０９２０１１号公報
【特許文献３】特開２０１１−２１１０８５号公報
【特許文献４】特開２０１１−１６５７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、スクリーン印刷法ではファインパターンの形成が難しいという問題がある。すなわち、図２３（ｃ）に示すように、スクリーン印刷法により形成された反射膜１０２の開口部１０２Ｘには、滲みが発生しやすく、その形状にばらつきが生じる。したがって、スクリーン印刷法により開口部１０２Ｘを形成する場合には、その開口部１０２Ｘの平面形状を所望の形状（図２３（ｃ）では、四角形状）に形成することが難しい。このため、例えば発光素子の実装時に、上記開口部１０２Ｘを認識マーク（アライメントマークなど）として利用する場合には、その認識マークの認識性が低下し、アライメントエラーや実装精度の低下といった問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、を有し、前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、スクリーン印刷法により開口部を形成する場合であっても、認識マークの認識性の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図、（ｄ）は、（ａ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大平面図。
【図２】配線パターン及び金属層を示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。なお、（ａ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、図５のＣ−Ｃ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図７】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、図７のＤ−Ｄ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｄ）は、認識マークの周辺を拡大した拡大平面図、（ｅ）は、認識マークの周辺構造を示す平面写真。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図７のＤ−Ｄ線位置における発光装置の製造過程の状態を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１１】第２実施形態の発光装置を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図１８】（ａ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略平面図。
【図１９】（ａ）は、第３実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２０】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図２１】変形例の配線パターンを示す概略平面図。
【図２２】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【図２３】（ａ）、（ｂ）は、従来の発光装置の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、従来の開口部を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の樹脂層のハッチングを省略している。
【００１０】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
（第１実施形態に係る配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、発光装置に適用される配線基板１は、基板１０と、基板１０上に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０上の一部に形成された金属層３０と、認識マーク４０と、配線パターン２０を覆う絶縁層５０とを有している。
【００１１】
基板１０は、例えば略矩形状の薄板である。基板１０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。基板１０の厚さは、例えば２５〜２００μｍ程度とすることができる。
【００１２】
配線パターン２０は、基板１０の第１主面Ｒ１（図１（ｂ）では上面）上に形成されている。この配線パターン２０は、図２に示すように、基板１０の第１主面Ｒ１を全体的に覆うように形成されている。具体的には、略矩形状の複数の配線パターン２０は、平面視して略Ｗ字状に配置されている。そして、図中の左右方向に隣接する配線パターン２０間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部２０Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン２０間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部２０Ｙが形成されている。これら開口部２０Ｘ，２０Ｙによって、複数の配線パターン２０は互いに分離されている。
【００１３】
図１（ｃ）に示すように、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面は粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン２０の上面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定されている。この配線パターン２０の上面２０Ａは、濃い灰色又は黒色系に近い無光沢面になっている。例えばグレー階調の認識カメラで認識した場合に、配線パターン２０の上面２０Ａは光沢のないくすんだ色になる。ここで、上記表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。この表面粗さＲａ値は、例えば原子間力顕微鏡を使用して測定される。
【００１４】
なお、配線パターン２０の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。配線パターン２０の厚さは、例えば１５〜１５０μｍとすることができる。
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５０は、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０は、高い反射率を有する反射膜である。具体的には、絶縁層５０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層５０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この絶縁層５０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層５０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００１５】
上記絶縁層５０は、配線パターン２０の一部を覆うように基板１０の第１主面Ｒ１上に形成されている。具体的には、図１（ａ）に示すように、絶縁層５０は、発光素子７０（図３参照）が実装される実装領域ＣＡ、認識マーク４０が形成されるマーク領域、及び電極端子６０が形成される端子領域以外の配線パターン２０及び基板１０を覆うように形成されている。すなわち、絶縁層５０には、配線パターン２０の一部を露出させるための開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚが形成されている。そして、これら開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚから露出する配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。
【００１６】
詳述すると、絶縁層５０には、実装領域ＣＡに形成された配線パターン２０及び基板１０を露出させるための開口部５０Ｘが形成されている。この開口部５０Ｘの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部５０Ｘは、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に配列されている。このため、開口部５０Ｘで画定された実装領域ＣＡも同様に、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に配列されている。この実装領域ＣＡでは、溝状の開口部２０Ｘによって分離された２つの配線パターン２０上に金属層３０がそれぞれ形成されている。この金属層３０の平面形状は、例えば半円状に形成されている。そして、金属層３０は、発光素子７０（図３参照）と接続されるパッドとして機能するとともに、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マークとしても機能する。換言すると、上記開口部５０Ｘは、パッド及び認識マークとして機能する金属層３０の上面の全てを露出させるように、その平面形状が実装領域ＣＡ内の２つの金属層３０の平面形状よりも大きく形成されている。
【００１７】
ここで、上記金属層３０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層３０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、配線パターン２０上にＮｉ層３１とＡｕ層３２がこの順番で積層されて上記金属層３０が形成されている。なお、Ｎｉ層３１の厚さは例えば０．０５〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層３２の厚さは例えば０．００１〜０．５μｍ程度とすることができる。
【００１８】
この金属層３０（Ａｕ層３２）の上面３０Ａは、凹凸の少ない平滑面に形成されている。具体的には、Ａｕ層３２の上面３０Ａの粗度は、配線パターン２０の上面２０Ａの粗度よりも小さくなるように設定されている。より具体的には、Ａｕ層３２の上面３０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍとなるように設定されている。このＡｕ層３２の上面３０Ａは、光沢面又は半光沢面になっている。
【００１９】
また、絶縁層５０には、上記マーク領域に形成された配線パターン２０を露出させるための開口部５０Ｙが形成されている。図１（ａ）に示すように、開口部５０Ｙの平面形状は、例えば四角形状に形成されている。開口部５０Ｙは、図中下側の領域に２つ形成されている。この開口部５０Ｙから露出される配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。この金属層３０は、平面形状が認識マーク４０の所望の形状となるように形成されている。そして、この金属層３０は、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マーク４０となる。換言すると、上記開口部５０Ｙは、認識マーク４０の上面の全てを露出させるように、その平面形状が認識マーク４０の平面形状よりも大きく形成されている。具体的には、開口部５０Ｙの平面形状は、平面視略四角形状の認識マーク４０の平面形状よりも大きな面積を有する四角形状に形成されている。
【００２０】
このような形状の開口部５０Ｙでは、図１（ｄ）に示すように、金属層３０の上面の全てが認識マーク４０として露出されるとともに、認識マーク４０以外の部分には配線パターン２０の上面２０Ａが露出されている。このため、開口部５０Ｙに形成された金属層３０の平面形状が認識マーク４０の形状となる。具体的には、金属層３０の側壁と配線パターン２０の上面２０Ａとの境界（段差部）が認識マーク４０の輪郭として機能する。
【００２１】
このように、本実施形態の認識マーク４０は、絶縁層５０の下層の金属層３０によってその形状が所望の形状に形成されている。すなわち、認識マーク４０の所望の形状が四角形状である場合には、金属層３０の平面形状が四角形状に形成される。また、認識マーク４０の所望の形状が三角形状である場合には、金属層３０の平面形状が三角形状に形成される。
【００２２】
さらに、図１（ａ）に示すように、絶縁層５０には、上記端子領域に形成された配線パターン２０を露出させるための開口部５０Ｚが形成されている。開口部５０Ｚの平面形状は、例えば円形状に形成されている。この開口部５０Ｚは、開口部５０Ｘ及び実装領域ＣＡよりも外側に形成された配線パターン２０上に形成されている。この開口部５０Ｚから露出される配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。具体的には、開口部５０Ｚから露出される金属層３０、つまり電極端子６０は、図２に示すように、略Ｗ字状に配置された複数の配線パターン２０のうちＷ字の始点と終点に位置する配線パターン２０上に形成されている。さらに、電極端子６０は、それら２つの配線パターン２０上に形成された実装領域ＣＡとなる金属層３０よりも外側に形成されている。そして、この電極端子６０には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００２３】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子７０と、発光素子７０等を封止する封止樹脂７５とを有している。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、各発光素子７０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子７０は、各実装領域ＣＡに形成された一方の金属層３０上に実装されている。より具体的には、図３（ｂ）に示すように、各発光素子７０は、上記一方の金属層３０上に接着剤７１を介して接着されている。また、各発光素子７０は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子７０の各電極は、ボンディングワイヤ７２及び金属層３０を介して、配線パターン２０と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置２では、図３（ａ）に示すように、一方の電極端子６０から他方の電極端子６０までの間に１６個の発光素子７０が直列に接続されることになる。そして、これら発光素子７０は、外部の電源（図示略）から電極端子６０や配線パターン２０を介して給電されて発光する。
【００２５】
上記発光素子７０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ７２としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００２６】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂７５は、発光素子７０及びボンディングワイヤ７２等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。なお、電極端子６０は、封止樹脂７５に封止されていない。この封止樹脂７５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子７０上に形成することにより、発光素子７０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２７】
（作用）
絶縁層５０の開口部５０Ｙの平面形状を、認識マーク４０の所望の形状に形成された金属層３０の平面形状よりも大きく形成した。また、その開口部５０Ｙでは、金属層３０の上面の全てを認識マーク４０として露出させるとともに、金属層３０（認識マーク４０）以外の部分では配線パターン２０の上面を露出させるようにした。このため、開口部５０Ｙに形成された金属層３０の平面形状が認識マーク４０の形状となる。具体的には、金属層３０の側壁と配線パターン２０の上面２０Ａとの境界（段差部）が認識マーク４０の輪郭として機能する。ここで、金属層３０は、フォトリソグラフィ法などによって所望の平面形状に容易に形成することができる。したがって、このような金属層３０の上面が全て露出されれば、スクリーン印刷法によって開口部５０Ｙが所望の形状に形成できない場合であっても、認識マーク４０を所望の形状に形成することができる。これにより、図１（ｄ）に示すように開口部５０Ｙに滲みが発生した場合であっても、例えば認識カメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、認識マーク４０を所望の形状（ここでは、四角形状）の認識パターンとして認識させることができる。このため、アライメントエラーや実装精度の低下といった問題の発生を抑制することができる。
【００２８】
また、認識マーク４０の輪郭（外形）が金属層３０と配線パターン２０との段差部によって形成されるため、例えば認識カメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなる。これにより、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００２９】
さらに、配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面とし、金属層３０（認識マーク４０）の上面３０Ａを平滑面とした。これにより、配線基板１を平面視したときに、絶縁層５０の開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０（光沢面）、反射率の低い配線パターン２０の上面２０Ａ（無光沢面）、反射率の高い金属層３０の上面３０Ａ（光沢面）が順に形成されることになる。このため、例えばカメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、絶縁層５０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなり、さらに認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストがより得やすくなる。したがって、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００３０】
（第１実施形態に係る配線基板及び発光装置の製造方法）
まず、上記配線基板１の製造方法について図４〜図８に従って説明する。以下の説明では、１つの配線基板を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板に個片化される。
【００３１】
まず、配線基板１を製造するためには、図４（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２０Ｂが被着された片面銅張り基板を用意する。基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１に示した基板１０となる基板であり、基板１０よりも外形が一回り大きく形成されている。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面に、所定の箇所に開口部７７Ｘを有するレジスト層７７を形成する。このレジスト層７７は、所要の配線パターン２０及びめっき給電用の第１及び第２給電ライン２１，２２（図４（ｃ）参照）に対応する銅箔２０Ｂを被覆するように形成される。レジスト層７７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２０Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層７７を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７７を形成することができる。
【００３３】
次に、レジスト層７７をエッチングマスクとして銅箔２０Ｂをエッチングし、図４（ｃ）に示すように、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（図中の上面）に、所要の配線パターン２０と、第１及び第２給電ライン２１，２２とが形成される。具体的には、図５に示すように、略矩形状の複数の配線パターン２０と、基板１０Ａの外周縁に形成された枠状の第１給電ライン２１と、その第１給電ライン２１と配線パターン２０とを電気的に接続する、又は各配線パターン２０を電気的に接続する第２給電ライン２２とが形成される。これにより、全ての配線パターン２０が第１及び第２給電ライン２１，２２を介して電気的に接続されることになる。以下の説明では、配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２３とも称する。なお、上記銅箔２０Ｂのパターニング終了後に、図４（ｂ）に示したレジスト層７７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００３４】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、配線パターン２０に対して粗化処理を施す。この粗化処理は、配線パターン２０の上面２０Ａの粗度が、表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に微細な凹凸が形成されて、その上面２０Ａ及び側面が粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。
【００３５】
次に、図６（ａ）に示す工程では、基板１０Ａの第１主面Ｒ１上及び配線パターン２０の上面２０Ａに、所定の箇所に開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚを有するレジスト層７８を形成する。この開口パターン７８Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。また、開口パターン７８Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。すなわち、開口パターン７８Ｙの平面形状は、認識マーク４０となる金属層３０の平面形状（ここでは、四角形状）に対応した形状に形成されている。また、開口パターン７８Ｚは、電極端子６０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。レジスト層７８の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、基板１０Ａの第１主面Ｒ１にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記レジスト層７８を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７８を形成することができる。
【００３６】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層７８をめっきマスクとして、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に、配線層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層７８の開口パターン７８Ｘから露出された配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン２０上に金属層３０を形成する。また、レジスト層７８の開口パターン７８Ｙから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層７８の開口パターン７８Ｚから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層７８の開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚから露出された配線パターン２０の表面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。図６（ｃ）に示すように、このときの電解めっき法では、金属層３０の上面３０Ａが凹凸の少ない平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍとなるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００３７】
このように、金属層３０の形状を決定するレジスト層７８の開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚがフォトリソグラフィ法によって形成されるため、開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚの平面形状を所望の形状（設計通りの形状）に精度良く形成することができる。すなわち、例えば認識マーク４０の所望の形状が四角形状である場合には、平面形状が四角形状の開口パターン７８Ｙを精度良く形成することができる。したがって、金属層３０（認識マーク４０）のエッジはにじむなどがなく、その平面形状を所望の形状に精度良く形成することができる（例えば図７参照）。
【００３８】
次いで、図６（ｄ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層７８を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図７に示す工程では、図５に示した第２給電ライン２２を除去する。具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、基板１０Ａの第１主面Ｒ１上に第２給電ライン２２のみを露出するレジスト層７９を形成する。このレジスト層７９の材料としては、上記レジスト層７８と同じ材料を用いることができる。また、レジスト層７９は、レジスト層７８と同様に形成することができる。次いで、レジスト層７９をエッチングマスクとして第２給電ライン２２をエッチングして、図８（ｂ）に示すように第２給電ライン２２を除去する。なお、本工程において、第２給電ライン２２と併せて第１給電ライン２１を除去するようにしてもよい。
【００３９】
続いて、図８（ｃ）に示す工程では、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。具体的には、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層３０の上面及び認識マーク４０の上面を全て露出するとともに、電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００４０】
これにより、図８（ｄ）に示すように、基板１０Ａを平面視したときに、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０、反射率の低い配線パターン２０、反射率の高い認識マーク４０が順に形成される。具体的には、基板１０を平面視したときにグレーイメージでは、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、図８（ｅ）に示すように、白色系に近い光沢面である絶縁層５０、黒色系に近い無光沢面である配線パターン２０、白色系に近い認識マーク４０が順に形成される。これによって、無光沢面である配線パターン２０に囲まれた認識マーク４０の輪郭（外形）が強調されるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００４１】
なお、以上の製造工程により、基板１０Ａ上に、配線基板１に相当する構造体が形成されたことになる。
次に、発光装置２の製造方法を図９に従って説明する。
【００４２】
図９（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成された金属層３０上に接着剤７１を介して発光素子７０を搭載する。具体的には、例えば上記配線基板１がキャリア（図示略）に収納され、その収納された配線基板１の表面（上面）が、固定点に配設された認識カメラ（図示略）により撮影される。このとき、認識カメラにより撮影された撮影画像が画像処理され、配線基板１に形成された認識マーク４０の位置が検出される。この検出された認識マーク４０の位置に基づいて、配線基板１の位置が認識される。そして、その認識された配線基板１の位置に基づいて、図９（ａ）に示すように、配線基板１の各実装領域ＣＡ上に発光素子７０を位置合わせして、その発光素子７０を実装領域ＣＡの金属層３０上に搭載する。このとき、認識マーク４０の認識性が高いため、アライメントマークエラー等の発生を抑制することができ、発光素子７０の位置合わせを精度良く行うことができる。ひいては、実装領域ＣＡの金属層３０上に発光素子７０を精度良く実装することができる。さらに、発光素子７０の実装時に、上記認識カメラにより、各実装領域ＣＡに形成された金属層３０の位置を検出し、その検出結果に基づいて各実装領域ＣＡの位置を認識するようにしてもよい。これにより、発光素子７０の位置合わせをより精度良く行うことができるため、発光素子７０の実装精度をより向上させることができる。
【００４３】
次に、発光素子７０の電極と金属層３０とをボンディングワイヤ７２により接続し、発光素子７０と配線パターン２０とを電気的に接続する。具体的には、発光素子７０の一方の電極を実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続するとともに、発光素子７０の他方の電極を実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続する。
【００４４】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０及びボンディングワイヤ７２を封止する封止樹脂７５を形成する。例えば封止樹脂７５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図９（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂７５を形成する。なお、封止樹脂７５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。
【００４５】
続いて、図９（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の封止樹脂７５、絶縁層５０、第１給電ライン２１及び基板１０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、図１に示した配線基板１に発光素子７０が実装されてなる発光装置２が製造される。
【００４６】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）絶縁層５０の開口部５０Ｙの平面形状を、認識マーク４０の所望の形状に形成された金属層３０の平面形状よりも大きく形成した。また、その開口部５０Ｙでは、金属層３０の上面の全てを認識マーク４０として露出させるとともに、金属層３０（認識マーク４０）以外の部分では配線パターン２０の上面を露出させるようにした。これにより、認識マーク４０の輪郭（外形）が金属層３０と配線パターン２０との段差部によって形成される。したがって、認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなり、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。また、金属層３０の平面形状はフォトリソグラフィ法などによって所望の平面形状に容易に形成することができるため、認識マーク４０の平面形状を精度良く形成することができる。したがって、発光素子７０の搭載時などにアライメントエラーが発生することを抑制でき、発光素子７０の実装精度を向上させることができる。
【００４７】
（２）配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面とし、金属層３０（認識マーク４０）の上面３０Ａを平滑面とした。これにより、配線基板１を平面視したときに、絶縁層５０の開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０（光沢面）、反射率の低い配線パターン２０の上面２０Ａ（無光沢面）、反射率の高い金属層３０の上面３０Ａ（光沢面）が順に形成されることになる。したがって、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００４８】
さらに、配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面としたことで、配線パターン２０と絶縁層５０との接触面積が増大するため、配線パターン２０と絶縁層５０との密着性を向上させることができる。したがって、配線基板１から絶縁層５０が剥離することを好適に抑制することができる。
【００４９】
（３）配線パターン２０上に電解めっき法により金属層３０を形成した後に、その金属層３０を露出させる開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層３０を形成する際には、絶縁層５０が形成されていないため、その絶縁層５０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００５０】
（４）金属層３０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層３０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１０〜図１５に従って説明する。この実施形態の配線基板３は、配線パターン２０及び金属層３０の構造、及び基板１０の第２主面Ｒ２に金属板１１が形成された点が上記第１実施形態と異なっている。また、この実施形態の発光装置４は、実装領域ＣＡに発光素子８０がフリップチップ実装された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５１】
（第２実施形態に係る配線基板の構造）
図１０に示すように、基板１０の第２主面Ｒ２（図１０では下面）には、金属板１１が形成されている。この金属板１１は、例えば平板状に形成された金属板を用いることができる。金属板１１の材料としては、例えば銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。金属板１１の厚さは、例えば０．１〜２ｍｍ程度とすることができる。この金属板１１は、配線基板３の支持板として機能するとともに、発光素子８０（図１１参照）の発光時に発生する熱を放熱する放熱板として機能する。ここで、発光素子８０（発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、上記金属板１１により発光素子８０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子８０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５２】
本実施形態の配線パターン２０は、その上面２０Ａのみが粗面化されており、上面２０Ａに微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン２０の上面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定されている。
【００５３】
絶縁層５０の開口部５０Ｘから露出された配線パターン２０の上面２０Ａには、Ｎｉ層３１とＡｕ層３２とが順に積層された金属層３０が形成されている。このように実装領域ＣＡに形成された金属層３０は、発光素子８０（図１１参照）と接続されるパッドとして機能するとともに、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マークとしても機能する。なお、この実装領域ＣＡに形成された金属層３０は、配線パターン２０の側面、つまり開口部２０Ｘの内側壁には形成されておらず、開口部２０Ｘの配線パターン２０の縁から後退して形成されている。
【００５４】
（第２実施形態に係る発光装置の構造）
図１１に示すように、発光装置４は、上記配線基板３と、その配線基板３に実装された複数の発光素子８０と、発光素子８０等を封止する封止樹脂８２とを有している。
【００５５】
各発光素子８０は、配線基板３の各実装領域ＣＡにフリップチップ実装されている。具体的には、各発光素子８０は、各実装領域ＣＡに形成された開口部２０Ｘを跨るように、その開口部２０Ｘの両側に形成された金属層３０上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子８０の回路形成面（図１１では下面）に形成された一方のバンプ８１が実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０にフリップチップ接合され、他方のバンプ８１が実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０にフリップチップ接合されている。
【００５６】
発光素子８０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。バンプ８１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００５７】
封止樹脂８２は、発光素子８０及びバンプ８１等を封止するように配線基板３の上面に設けられている。なお、電極端子６０は、封止樹脂８２に封止されていない。この封止樹脂８２の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。
【００５８】
（第２実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板３の製造方法について図１２〜図１４に従って説明する。以下の説明では、１つの配線基板を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板に個片化される。
【００５９】
まず、配線基板３を製造するためには、図１２（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２５Ｂが被着された片面銅張り基板を金属板１１Ａに接着した構造体を用意する。ここで、基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１０に示した基板１０となるものである。また、金属板１１Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１０に示した金属板１１となるものである。
【００６０】
また、図１２（ａ）に示す工程では、銅箔２５Ｂに対して粗化処理を施す。この粗化処理は、銅箔２５Ｂの上面の粗度が、表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、銅箔２５Ｂの上面に微細な凹凸が形成されて、その上面が粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。
【００６１】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、粗面化された銅箔２５Ｂの上面に、所定の箇所に開口パターン８５Ｘ，８５Ｙ，８５Ｚを有するレジスト層８５を形成する。この開口パターン８５Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。また、開口パターン８５Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。また、開口パターン８５Ｚは、電極端子６０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。レジスト層８５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２５Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８５を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８５を形成することができる。
【００６２】
続いて、図１２（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層８５をめっきマスクとして、銅箔２５Ｂの上面に、その銅箔２５Ｂをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８５の開口パターン８５Ｘから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。また、レジスト層８５の開口パターン８５Ｙから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、その銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。これにより、認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層８５の開口パターン８５Ｚから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、その銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層８５の開口パターン８５Ｘ，８５Ｙ，８５Ｚから露出された銅箔２５Ｂの上面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。このときの電解めっき法では、図１２（ｄ）に示すように、金属層３０の上面３０Ａが平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍ程度となるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００６３】
次いで、図１３（ａ）に示す工程では、図１２（ｃ）に示したレジスト層８５を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、開口部２０Ｘ（図１０参照）の形成される部分の銅箔２５Ｂが露出される。
【００６４】
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、銅箔２５Ｂの上面に、所定の箇所に開口部８６Ｘを有するレジスト層８６を形成する。このレジスト層８６は、所要の配線パターン２０に対応する銅箔２５Ｂ及び金属層３０全面を被覆するように形成される。換言すると、レジスト層８６は、開口部２０Ｘ，２０Ｙ（図２参照）に対応する位置に形成された開口部８６Ｘを有している。レジスト層８６の材料としては、上記レジスト層８５と同じ材料を用いることができる。また、レジスト層８６は、レジスト層８５と同様の方法により形成することができる。
【００６５】
次に、図１３（ｃ）に示す工程では、レジスト層８６をエッチングマスクとして銅箔２５Ｂをエッチングし、銅箔２５Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（図中の上面）に、所要の配線パターン２０と、基板１０Ａの外周縁に形成され配線パターン２０と電気的に分離された第１給電ライン２１とが形成される。また、金属層３０が開口部２０Ｘの配線パターン２０の縁から後退して形成される。
【００６６】
続いて、図１４（ａ）に示す工程では、図１３（ｃ）に示したレジスト層８６を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次いで、図１４（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。具体的には、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層３０の上面及び認識マーク４０の上面を全て露出するとともに、電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００６７】
図１４（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の絶縁層５０、第１給電ライン２１、基板１０Ａ及び金属板１１Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、図１０に示した配線基板３が製造される。
【００６８】
（第２実施形態に係る発光装置の製造方法）
次に、発光装置４の製造方法を図１５に従って説明する。
図１５（ａ）に示す工程では、配線基板３の各実装領域ＣＡ内に形成された２つの金属層３０上に発光素子８０を実装する。このとき、例えば固定点に配設された認識カメラ（図示略）により撮影された撮影画像が画像処理され、配線基板３に形成された認識マーク４０の位置が検出される。この検出された認識マーク４０の位置に基づいて、配線基板３の位置が認識される。そして、その認識された配線基板３の位置に基づいて、図１５（ａ）に示すように、配線基板３の各実装領域ＣＡ上に発光素子８０を位置合わせして、その発光素子８０を実装領域ＣＡの金属層３０上に搭載する。そして、開口部２０Ｘを介して隣り合う金属層３０の各々の上面に、発光素子８０のバンプ８１をフリップチップ接合する。例えばバンプ８１が金バンプである場合には、そのバンプ８１を金属層３０上に超音波接合することにより固定する。
【００６９】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、配線基板３上に実装された複数の発光素子８０及びバンプ８１を封止する封止樹脂８２を形成する。例えば封止樹脂８２として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図１５（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂８２を形成する。なお、封止樹脂８２は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図１１に示した発光装置４が製造される。
【００７０】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（５）銅箔２５Ｂ上に電解めっき法により金属層３０を形成した後に、銅箔２５Ｂをエッチングによりパターニングして所要の配線パターン２０を形成するようにした。この場合には、配線パターン２０を形成し、その配線パターン２０上に電解めっき法により金属層３０を形成する場合とは異なり、給電ラインをパターニングする工程や、金属層３０を形成した後に給電ラインを除去する工程が必要ない。このため、配線基板３の製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。
【００７１】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図１６〜図１９に従って説明する。この実施形態では、配線基板５の製造方法が上記第１実施形態の製造方法と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１５に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００７２】
（第３実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図１６（ａ）に示す工程では、先の図４（ａ）〜図４（ｄ）に示した製造工程により、基板１０Ａ上に配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２を形成し、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に対して粗化処理を施す。なお、以下の説明では、配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２３とも称する。
【００７３】
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａ及び配線層２３上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００７４】
続いて、図１６（ｃ）に示す工程では、配線層２３上及び絶縁層５０上に、所定の箇所に開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚを有するレジスト層８７を形成する。これら開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚは、金属層３０（図１（ｂ）参照）に対応する部分の配線パターン２０及び基板１０Ａを露出するように形成されている。詳述すると、開口パターン８７Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０に対応する部分の配線パターン２０及び基板１０Ａを露出するように形成されている。具体的には、開口パターン８７Ｘは、上記絶縁層５０の開口部５０Ｘと対向する位置に形成され、その開口部５０Ｘよりも開口径が小さくなるように形成されている。より具体的には、開口パターン８７Ｘの平面形状は、図示は省略するが、平面視略円形状の開口部５０Ｘの平面形状よりも小さい円形状に形成されている。このため、開口部５０Ｘでは、その開口部５０Ｘの側壁面がレジスト層８７によって覆われている。また、開口パターン８７Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成されている。具体的には、開口パターン８７Ｙは、絶縁層５０の開口部５０Ｙと対向する位置に形成され、その平面形状が平面視略四角形状の開口部５０Ｙの平面形状よりも小さい四角形状に形成されている（平面形状については図示略）。このため、開口部５０Ｙでは、その開口部５０Ｙの側壁面がレジスト層８７によって覆われている。また、開口パターン８７Ｚは、電極端子６０となる金属層３０に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成されている。開口パターン８７Ｚは、絶縁層５０の開口部５０Ｚと対向する位置に形成され、その平面形状が平面視略円形状の開口部５０Ｚの平面形状と略同じ大きさの円形状に形成されている（平面形状については図示略）。
【００７５】
レジスト層８７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、配線層２３及び絶縁層５０上にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８７を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８７を形成することができる。
【００７６】
次に、図１７（ａ）に示す工程では、上記レジスト層８７をめっきマスクとして、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に、配線層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８７の開口パターン８７Ｘから露出された配線パターン２０の表面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、実装領域ＣＡにおいて、上面の全てが絶縁層５０から露出される金属層３０が形成される。また、レジスト層８７の開口パターン８７Ｙから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、マーク領域において、上面の全てが絶縁層５０から露出される金属層３０、つまり認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層８７の開口パターン８７Ｚから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層８７の開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚから露出された配線パターン２０の表面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。このときの電解めっき法では、金属層３０の上面３０Ａが平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａで１０〜３０ｎｍ程度となるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００７７】
次いで、図１７（ｂ）に示す工程では、図１７（ａ）に示したレジスト層８７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図１７（ｃ）に示すように、開口部５０Ｙにおいて、認識マーク４０の上面の全てが露出されるとともに、認識マーク４０以外の部分では粗面化された配線パターン２０の上面が露出される。したがって、平面視したときに、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０、反射率の低い配線パターン２０、反射率の高い認識マーク４０が順に形成されることになる。
【００７８】
次に、図１８（ａ）に示す工程では、図５に示した第２給電ライン２２を除去するように溝部５１を形成する。具体的には、溝部５１は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層５０及び配線層２３を厚さ方向に貫通し、溝部５１の底面が基板１０Ａの厚さ方向の中途に位置するように形成される。なお、溝部５１は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層５０、配線層２３及び基板１０Ａを厚さ方向に貫通するように形成してもよい。図１８（ｂ）に示すように、この溝部５１は第２給電ライン２２の形成された全ての箇所（図１８（ｂ）では、２０箇所）に形成されるため、本工程では２０個の溝部５１が形成される。これにより、全ての第２給電ライン２２及びそれら第２給電ライン２２上に形成された配線層２３が除去され、溝部５１の形成された領域では基板１０Ａが露出される。そして、このような溝部５１の形成によって、基板１０Ａの外周縁に形成された第１給電ライン２１と配線パターン２０とが分離されるとともに、各配線パターン２０が分離される。すなわち、上記溝部５１の形成（第２給電ライン２２の除去）により、各配線パターン２０は電気的に分離される。なお、上記溝部５１は、例えばルータ加工、レーザ加工や微細な金型を用いた金型加工により形成することができる。
【００７９】
続いて、図１９（ａ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の絶縁層５０及び基板１０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、第１給電ライン２１が除去され、配線基板５が製造される。この配線基板５には、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層５０及びその下層の配線パターン２０を貫通する溝部５１が多数形成されている。なお、この溝部５１の形成された領域では基板１０が露出されている。
【００８０】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）、（２）、（４）と同様の効果を奏する。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００８１】
・上記第１実施形態及び第３実施形態において、基板１０の第２主面Ｒ２に金属板１１を形成するようにしてもよい。
・上記第２実施形態の配線基板３における金属板１１を省略するようにしてもよい。
【００８２】
・上記第１実施形態の発光装置２では、発光素子７０をワイヤボンディング実装するようにしたが、例えば発光素子７０をフリップチップ実装するようにしてもよい。
・上記第２実施形態の発光装置４では、発光素子８０をフリップチップ実装するようにしたが、例えば発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００８３】
・図２０に示されるように、基板１０の実装領域ＣＡに凹部１０Ｘを形成し、その凹部１０Ｘ内に発光素子８０を実装するようにしてもよい。この場合には、凹部１０Ｘに配線パターン２０が形成され、その配線パターン２０上に金属層３０が形成され、金属層３０の上面の全てを露出させる開口部５０Ｘを有する絶縁層５０が配線パターン２０上に形成される。そして、凹部１０Ｘの底面に形成された金属層３０上に発光素子８０が実装される。なお、図２０では、発光素子８０をフリップチップ実装するようにしているが、発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００８４】
・上記各実施形態では、金属層３０を電解めっき法により形成するようにしたが、これに限らず、例えば金属層３０を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。
・上記第１実施形態では、基板１０Ａに発光素子７０を実装した後に、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断するようにした。これに限らず、上記第２実施形態の製造方法と同様に、基板１０Ａ上に配線基板１に相当する構造体が形成されたときに、その基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して配線基板１を製造し、その後、配線基板１に発光素子７０を実装するようにしてもよい。すなわち、図８（ｃ）に示した工程、つまり絶縁層５０を形成する工程の後に、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断するようにしてもよい。
【００８５】
・上記第２実施形態では、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して配線基板３を製造した後に、その配線基板３に発光素子８０を実装するようにした。これに限らず、上記第１実施形態の製造方法と同様に、基板１０Ａに発光素子８０を実装した後に、その基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して発光装置４を製造するようにしてもよい。
【００８６】
・各実施形態における開口部５０Ｘ，５０Ｚの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形などの多角形状であってもよい。
・各実施形態における開口部５０Ｙの平面形状は、四角形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形であってもよいし、円形状や楕円形状であってもよい。また、開口部５０Ｙの平面形状は、Ｔ字状や＋字状であってもよい。
【００８７】
・上記各実施形態における認識マーク４０の平面形状は、四角形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形であってもよいし、円形状や楕円形状であってもよい。また、認識マーク４０の平面形状は、Ｔ字状や＋字状であってもよい。
【００８８】
・上記各実施形態において、実装領域ＣＡに形成された金属層３０が認識マークとして利用される場合には、認識マーク４０となる金属層３０を省略するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、配線基板１，３に発光素子７０，８０を実装するようにした。これに限らず、配線基板１，３に発光素子７０，８０以外の部品（例えば、ツェナーダイオードなど）を実装するようにしてもよい。
【００８９】
・上記各実施形態では、金属層３０をフォトリソグラフィ法により形成するようにした。これに限らず、例えば部分めっき層装置によりめっき不要部分をマスクして電解めっきを行って、上記金属層３０を形成するようにしてもよい。
【００９０】
・上記各実施形態における発光素子７０，８０の個数や配置は、特に限定されない。
・上記各実施形態における配線パターン２０の形状は、特に限定されない。例えば図２１に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、帯状の複数の配線パターン２４を平行に隣接して配置するようにしてもよい。この場合には、隣接する配線パターン２４間には、下層の基板１０を露出する帯状の開口部２４Ｘが形成されている。そして、この開口部２４Ｘによって、複数の配線パターン２４は互いに電気的に分離されている。なお、認識マーク４０は、図中の最も左側に形成された配線パターン２４に形成されている。また、電極端子６０は、外側に形成された配線パターン２４にそれぞれ形成されている。このような配線パターン２４及び電極端子６０を有する配線基板に発光素子を実装した場合には、複数の発光素子が並列及び直列に接続されることになる。
【００９１】
・上記各実施形態では、発光装置用の配線基板に具体化した。これに限らず、例えば配線基板１，３，５を、発光素子以外の部品（ツェナーダイオードなど）が実装される配線基板に具体化してもよい。
【００９２】
（発光装置の実装例）
図２２は、上記実施形態の配線基板３に発光素子８０を実装してなる発光装置４の適用例を示したものであり、発光装置４を実装基板９０に実装した場合の断面構造を示している。
【００９３】
実装基板９０は、金属層９１と、絶縁層９２と、配線パターン９３とを有している。そして、発光装置４は、絶縁層９２上に搭載されている。具体的には、発光装置４は、その下面に形成された金属板１１が上記絶縁層９２上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。
【００９４】
また、実装基板９０に搭載された発光装置４の電極端子６０は、ボンディングワイヤ９４を介して実装基板９０の配線パターン９３と電気的に接続されている。
このような構造によれば、発光装置４から発生した熱を、絶縁層９２を介して金属層９１に放熱することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１，３，５ 配線基板
２，４ 発光装置
１０ 基板（第１絶縁層）
１１ 金属板（放熱板）
２０，２４ 配線パターン
２１，２２ 給電ライン
２３ 配線層
３０ 金属層
４０ 認識マーク
５０ 絶縁層（第２絶縁層）
５０Ｘ，５０Ｙ 開口部
６０ 電極端子
７５，８２ 封止樹脂
７８，８５，８７ レジスト層
７８Ｘ，７８Ｙ 開口パターン
８５Ｘ，８５Ｙ 開口パターン
８７Ｘ，８７Ｙ 開口パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置用の配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、例えば樹脂基板上に配線パターンを形成し、その配線パターン上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。さらに、発光素子が実装された側の表面に白色レジスト層などの反射膜を形成して、発光素子からの光の反射率を高め、光の取り出し効率を向上させた構造も知られている（例えば、特許文献３，４参照）。
【０００３】
このような半導体パッケージの製造方法としては、以下のような方法が知られている。まず、図２３（ａ）に示すように、樹脂基板１００上に配線パターン１０１を形成する。続いて、図２３（ｂ）に示すように、スクリーン印刷法により、配線パターン１０１の一部を発光素子の実装領域として露出させるための開口部１０２Ｘを有する反射膜１０２を樹脂基板１００上に形成する。そして、反射膜１０２の開口部１０２Ｘから露出された配線パターン１０１の上面に発光素子が実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１０号公報
【特許文献２】特開２００３−０９２０１１号公報
【特許文献３】特開２０１１−２１１０８５号公報
【特許文献４】特開２０１１−１６５７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、スクリーン印刷法ではファインパターンの形成が難しいという問題がある。すなわち、図２３（ｃ）に示すように、スクリーン印刷法により形成された反射膜１０２の開口部１０２Ｘには、滲みが発生しやすく、その形状にばらつきが生じる。したがって、スクリーン印刷法により開口部１０２Ｘを形成する場合には、その開口部１０２Ｘの平面形状を所望の形状（図２３（ｃ）では、四角形状）に形成することが難しい。このため、例えば発光素子の実装時に、上記開口部１０２Ｘを認識マーク（アライメントマークなど）として利用する場合には、その認識マークの認識性が低下し、アライメントエラーや実装精度の低下といった問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、を有し、前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、スクリーン印刷法により開口部を形成する場合であっても、認識マークの認識性の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図、（ｄ）は、（ａ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大平面図。
【図２】配線パターン及び金属層を示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。なお、（ａ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、図５のＣ−Ｃ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図７】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、図７のＤ−Ｄ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｄ）は、認識マークの周辺を拡大した拡大平面図、（ｅ）は、認識マークの周辺構造を示す平面写真。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図７のＤ−Ｄ線位置における発光装置の製造過程の状態を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１１】第２実施形態の発光装置を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図１８】（ａ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示した概略平面図。
【図１９】（ａ）は、第３実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態の発光装置の製造過程における状態を示した概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２０】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図２１】変形例の配線パターンを示す概略平面図。
【図２２】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【図２３】（ａ）、（ｂ）は、従来の発光装置の製造方法を示す概略断面図、（ｃ）は、従来の開口部を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の樹脂層のハッチングを省略している。
【００１０】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
（第１実施形態に係る配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、発光装置に適用される配線基板１は、基板１０と、基板１０上に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０上の一部に形成された金属層３０と、認識マーク４０と、配線パターン２０を覆う絶縁層５０とを有している。
【００１１】
基板１０は、例えば略矩形状の薄板である。基板１０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。基板１０の厚さは、例えば２５〜２００μｍ程度とすることができる。
【００１２】
配線パターン２０は、基板１０の第１主面Ｒ１（図１（ｂ）では上面）上に形成されている。この配線パターン２０は、図２に示すように、基板１０の第１主面Ｒ１を全体的に覆うように形成されている。具体的には、略矩形状の複数の配線パターン２０は、平面視して略Ｗ字状に配置されている。そして、図中の左右方向に隣接する配線パターン２０間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部２０Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン２０間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部２０Ｙが形成されている。これら開口部２０Ｘ，２０Ｙによって、複数の配線パターン２０は互いに分離されている。
【００１３】
図１（ｃ）に示すように、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面は粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン２０の上面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定されている。この配線パターン２０の上面２０Ａは、濃い灰色又は黒色系に近い無光沢面になっている。例えばグレー階調の認識カメラで認識した場合に、配線パターン２０の上面２０Ａは光沢のないくすんだ色になる。ここで、上記表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。この表面粗さＲａ値は、例えば原子間力顕微鏡を使用して測定される。
【００１４】
なお、配線パターン２０の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。配線パターン２０の厚さは、例えば１５〜１５０μｍとすることができる。
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５０は、基板１０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０は、高い反射率を有する反射膜である。具体的には、絶縁層５０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層５０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この絶縁層５０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層５０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００１５】
上記絶縁層５０は、配線パターン２０の一部を覆うように基板１０の第１主面Ｒ１上に形成されている。具体的には、図１（ａ）に示すように、絶縁層５０は、発光素子７０（図３参照）が実装される実装領域ＣＡ、認識マーク４０が形成されるマーク領域、及び電極端子６０が形成される端子領域以外の配線パターン２０及び基板１０を覆うように形成されている。すなわち、絶縁層５０には、配線パターン２０の一部を露出させるための開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚが形成されている。そして、これら開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚから露出する配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。
【００１６】
詳述すると、絶縁層５０には、実装領域ＣＡに形成された配線パターン２０及び基板１０を露出させるための開口部５０Ｘが形成されている。この開口部５０Ｘの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部５０Ｘは、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に配列されている。このため、開口部５０Ｘで画定された実装領域ＣＡも同様に、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に配列されている。この実装領域ＣＡでは、溝状の開口部２０Ｘによって分離された２つの配線パターン２０上に金属層３０がそれぞれ形成されている。この金属層３０の平面形状は、例えば半円状に形成されている。そして、金属層３０は、発光素子７０（図３参照）と接続されるパッドとして機能するとともに、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マークとしても機能する。換言すると、上記開口部５０Ｘは、パッド及び認識マークとして機能する金属層３０の上面の全てを露出させるように、その平面形状が実装領域ＣＡ内の２つの金属層３０の平面形状よりも大きく形成されている。
【００１７】
ここで、上記金属層３０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層３０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、配線パターン２０上にＮｉ層３１とＡｕ層３２がこの順番で積層されて上記金属層３０が形成されている。なお、Ｎｉ層３１の厚さは例えば０．０５〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層３２の厚さは例えば０．００１〜０．５μｍ程度とすることができる。
【００１８】
この金属層３０（Ａｕ層３２）の上面３０Ａは、凹凸の少ない平滑面に形成されている。具体的には、Ａｕ層３２の上面３０Ａの粗度は、配線パターン２０の上面２０Ａの粗度よりも小さくなるように設定されている。より具体的には、Ａｕ層３２の上面３０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍとなるように設定されている。このＡｕ層３２の上面３０Ａは、光沢面又は半光沢面になっている。
【００１９】
また、絶縁層５０には、上記マーク領域に形成された配線パターン２０を露出させるための開口部５０Ｙが形成されている。図１（ａ）に示すように、開口部５０Ｙの平面形状は、例えば四角形状に形成されている。開口部５０Ｙは、図中下側の領域に２つ形成されている。この開口部５０Ｙから露出される配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。この金属層３０は、平面形状が認識マーク４０の所望の形状となるように形成されている。そして、この金属層３０は、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マーク４０となる。換言すると、上記開口部５０Ｙは、認識マーク４０の上面の全てを露出させるように、その平面形状が認識マーク４０の平面形状よりも大きく形成されている。具体的には、開口部５０Ｙの平面形状は、平面視略四角形状の認識マーク４０の平面形状よりも大きな面積を有する四角形状に形成されている。
【００２０】
このような形状の開口部５０Ｙでは、図１（ｄ）に示すように、金属層３０の上面の全てが認識マーク４０として露出されるとともに、認識マーク４０以外の部分には配線パターン２０の上面２０Ａが露出されている。このため、開口部５０Ｙに形成された金属層３０の平面形状が認識マーク４０の形状となる。具体的には、金属層３０の側壁と配線パターン２０の上面２０Ａとの境界（段差部）が認識マーク４０の輪郭として機能する。
【００２１】
このように、本実施形態の認識マーク４０は、絶縁層５０の下層の金属層３０によってその形状が所望の形状に形成されている。すなわち、認識マーク４０の所望の形状が四角形状である場合には、金属層３０の平面形状が四角形状に形成される。また、認識マーク４０の所望の形状が三角形状である場合には、金属層３０の平面形状が三角形状に形成される。
【００２２】
さらに、図１（ａ）に示すように、絶縁層５０には、上記端子領域に形成された配線パターン２０を露出させるための開口部５０Ｚが形成されている。開口部５０Ｚの平面形状は、例えば円形状に形成されている。この開口部５０Ｚは、開口部５０Ｘ及び実装領域ＣＡよりも外側に形成された配線パターン２０上に形成されている。この開口部５０Ｚから露出される配線パターン２０上には金属層３０が形成されている。具体的には、開口部５０Ｚから露出される金属層３０、つまり電極端子６０は、図２に示すように、略Ｗ字状に配置された複数の配線パターン２０のうちＷ字の始点と終点に位置する配線パターン２０上に形成されている。さらに、電極端子６０は、それら２つの配線パターン２０上に形成された実装領域ＣＡとなる金属層３０よりも外側に形成されている。そして、この電極端子６０には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００２３】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子７０と、発光素子７０等を封止する封止樹脂７５とを有している。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、各発光素子７０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子７０は、各実装領域ＣＡに形成された一方の金属層３０上に実装されている。より具体的には、図３（ｂ）に示すように、各発光素子７０は、上記一方の金属層３０上に接着剤７１を介して接着されている。また、各発光素子７０は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子７０の各電極は、ボンディングワイヤ７２及び金属層３０を介して、配線パターン２０と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置２では、図３（ａ）に示すように、一方の電極端子６０から他方の電極端子６０までの間に１６個の発光素子７０が直列に接続されることになる。そして、これら発光素子７０は、外部の電源（図示略）から電極端子６０や配線パターン２０を介して給電されて発光する。
【００２５】
上記発光素子７０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ７２としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００２６】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂７５は、発光素子７０及びボンディングワイヤ７２等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。なお、電極端子６０は、封止樹脂７５に封止されていない。この封止樹脂７５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子７０上に形成することにより、発光素子７０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２７】
（作用）
絶縁層５０の開口部５０Ｙの平面形状を、認識マーク４０の所望の形状に形成された金属層３０の平面形状よりも大きく形成した。また、その開口部５０Ｙでは、金属層３０の上面の全てを認識マーク４０として露出させるとともに、金属層３０（認識マーク４０）以外の部分では配線パターン２０の上面を露出させるようにした。このため、開口部５０Ｙに形成された金属層３０の平面形状が認識マーク４０の形状となる。具体的には、金属層３０の側壁と配線パターン２０の上面２０Ａとの境界（段差部）が認識マーク４０の輪郭として機能する。ここで、金属層３０は、フォトリソグラフィ法などによって所望の平面形状に容易に形成することができる。したがって、このような金属層３０の上面が全て露出されれば、スクリーン印刷法によって開口部５０Ｙが所望の形状に形成できない場合であっても、認識マーク４０を所望の形状に形成することができる。これにより、図１（ｄ）に示すように開口部５０Ｙに滲みが発生した場合であっても、例えば認識カメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、認識マーク４０を所望の形状（ここでは、四角形状）の認識パターンとして認識させることができる。このため、アライメントエラーや実装精度の低下といった問題の発生を抑制することができる。
【００２８】
また、認識マーク４０の輪郭（外形）が金属層３０と配線パターン２０との段差部によって形成されるため、例えば認識カメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなる。これにより、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００２９】
さらに、配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面とし、金属層３０（認識マーク４０）の上面３０Ａを平滑面とした。これにより、配線基板１を平面視したときに、絶縁層５０の開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０（光沢面）、反射率の低い配線パターン２０の上面２０Ａ（無光沢面）、反射率の高い金属層３０の上面３０Ａ（光沢面）が順に形成されることになる。このため、例えばカメラ等によって認識マーク４０を検出する際に、絶縁層５０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなり、さらに認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストがより得やすくなる。したがって、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００３０】
（第１実施形態に係る配線基板及び発光装置の製造方法）
まず、上記配線基板１の製造方法について図４〜図８に従って説明する。以下の説明では、１つの配線基板を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板に個片化される。
【００３１】
まず、配線基板１を製造するためには、図４（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２０Ｂが被着された片面銅張り基板を用意する。基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１に示した基板１０となる基板であり、基板１０よりも外形が一回り大きく形成されている。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面に、所定の箇所に開口部７７Ｘを有するレジスト層７７を形成する。このレジスト層７７は、所要の配線パターン２０及びめっき給電用の第１及び第２給電ライン２１，２２（図４（ｃ）参照）に対応する銅箔２０Ｂを被覆するように形成される。レジスト層７７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２０Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層７７を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７７を形成することができる。
【００３３】
次に、レジスト層７７をエッチングマスクとして銅箔２０Ｂをエッチングし、図４（ｃ）に示すように、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（図中の上面）に、所要の配線パターン２０と、第１及び第２給電ライン２１，２２とが形成される。具体的には、図５に示すように、略矩形状の複数の配線パターン２０と、基板１０Ａの外周縁に形成された枠状の第１給電ライン２１と、その第１給電ライン２１と配線パターン２０とを電気的に接続する、又は各配線パターン２０を電気的に接続する第２給電ライン２２とが形成される。これにより、全ての配線パターン２０が第１及び第２給電ライン２１，２２を介して電気的に接続されることになる。以下の説明では、配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２３とも称する。なお、上記銅箔２０Ｂのパターニング終了後に、図４（ｂ）に示したレジスト層７７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００３４】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、配線パターン２０に対して粗化処理を施す。この粗化処理は、配線パターン２０の上面２０Ａの粗度が、表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に微細な凹凸が形成されて、その上面２０Ａ及び側面が粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。
【００３５】
次に、図６（ａ）に示す工程では、基板１０Ａの第１主面Ｒ１上及び配線パターン２０の上面２０Ａに、所定の箇所に開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚを有するレジスト層７８を形成する。この開口パターン７８Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。また、開口パターン７８Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。すなわち、開口パターン７８Ｙの平面形状は、認識マーク４０となる金属層３０の平面形状（ここでは、四角形状）に対応した形状に形成されている。また、開口パターン７８Ｚは、電極端子６０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成される。レジスト層７８の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、基板１０Ａの第１主面Ｒ１にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記レジスト層７８を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７８を形成することができる。
【００３６】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層７８をめっきマスクとして、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に、配線層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層７８の開口パターン７８Ｘから露出された配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン２０上に金属層３０を形成する。また、レジスト層７８の開口パターン７８Ｙから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層７８の開口パターン７８Ｚから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層７８の開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚから露出された配線パターン２０の表面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。図６（ｃ）に示すように、このときの電解めっき法では、金属層３０の上面３０Ａが凹凸の少ない平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍとなるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００３７】
このように、金属層３０の形状を決定するレジスト層７８の開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚがフォトリソグラフィ法によって形成されるため、開口パターン７８Ｘ，７８Ｙ，７８Ｚの平面形状を所望の形状（設計通りの形状）に精度良く形成することができる。すなわち、例えば認識マーク４０の所望の形状が四角形状である場合には、平面形状が四角形状の開口パターン７８Ｙを精度良く形成することができる。したがって、金属層３０（認識マーク４０）のエッジはにじむなどがなく、その平面形状を所望の形状に精度良く形成することができる（例えば図７参照）。
【００３８】
次いで、図６（ｄ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層７８を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図７に示す工程では、図５に示した第２給電ライン２２を除去する。具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、基板１０Ａの第１主面Ｒ１上に第２給電ライン２２のみを露出するレジスト層７９を形成する。このレジスト層７９の材料としては、上記レジスト層７８と同じ材料を用いることができる。また、レジスト層７９は、レジスト層７８と同様に形成することができる。次いで、レジスト層７９をエッチングマスクとして第２給電ライン２２をエッチングして、図８（ｂ）に示すように第２給電ライン２２を除去する。なお、本工程において、第２給電ライン２２と併せて第１給電ライン２１を除去するようにしてもよい。
【００３９】
続いて、図８（ｃ）に示す工程では、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。具体的には、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層３０の上面及び認識マーク４０の上面を全て露出するとともに、電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００４０】
これにより、図８（ｄ）に示すように、基板１０Ａを平面視したときに、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０、反射率の低い配線パターン２０、反射率の高い認識マーク４０が順に形成される。具体的には、基板１０を平面視したときにグレーイメージでは、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、図８（ｅ）に示すように、白色系に近い光沢面である絶縁層５０、黒色系に近い無光沢面である配線パターン２０、白色系に近い認識マーク４０が順に形成される。これによって、無光沢面である配線パターン２０に囲まれた認識マーク４０の輪郭（外形）が強調されるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００４１】
なお、以上の製造工程により、基板１０Ａ上に、配線基板１に相当する構造体が形成されたことになる。
次に、発光装置２の製造方法を図９に従って説明する。
【００４２】
図９（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成された金属層３０上に接着剤７１を介して発光素子７０を搭載する。具体的には、例えば上記配線基板１がキャリア（図示略）に収納され、その収納された配線基板１の表面（上面）が、固定点に配設された認識カメラ（図示略）により撮影される。このとき、認識カメラにより撮影された撮影画像が画像処理され、配線基板１に形成された認識マーク４０の位置が検出される。この検出された認識マーク４０の位置に基づいて、配線基板１の位置が認識される。そして、その認識された配線基板１の位置に基づいて、図９（ａ）に示すように、配線基板１の各実装領域ＣＡ上に発光素子７０を位置合わせして、その発光素子７０を実装領域ＣＡの金属層３０上に搭載する。このとき、認識マーク４０の認識性が高いため、アライメントマークエラー等の発生を抑制することができ、発光素子７０の位置合わせを精度良く行うことができる。ひいては、実装領域ＣＡの金属層３０上に発光素子７０を精度良く実装することができる。さらに、発光素子７０の実装時に、上記認識カメラにより、各実装領域ＣＡに形成された金属層３０の位置を検出し、その検出結果に基づいて各実装領域ＣＡの位置を認識するようにしてもよい。これにより、発光素子７０の位置合わせをより精度良く行うことができるため、発光素子７０の実装精度をより向上させることができる。
【００４３】
次に、発光素子７０の電極と金属層３０とをボンディングワイヤ７２により接続し、発光素子７０と配線パターン２０とを電気的に接続する。具体的には、発光素子７０の一方の電極を実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続するとともに、発光素子７０の他方の電極を実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続する。
【００４４】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０及びボンディングワイヤ７２を封止する封止樹脂７５を形成する。例えば封止樹脂７５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図９（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂７５を形成する。なお、封止樹脂７５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。
【００４５】
続いて、図９（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の封止樹脂７５、絶縁層５０、第１給電ライン２１及び基板１０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、図１に示した配線基板１に発光素子７０が実装されてなる発光装置２が製造される。
【００４６】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）絶縁層５０の開口部５０Ｙの平面形状を、認識マーク４０の所望の形状に形成された金属層３０の平面形状よりも大きく形成した。また、その開口部５０Ｙでは、金属層３０の上面の全てを認識マーク４０として露出させるとともに、金属層３０（認識マーク４０）以外の部分では配線パターン２０の上面を露出させるようにした。これにより、認識マーク４０の輪郭（外形）が金属層３０と配線パターン２０との段差部によって形成される。したがって、認識マーク４０と配線パターン２０の上面２０Ａとのコントラストが得やすくなり、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。また、金属層３０の平面形状はフォトリソグラフィ法などによって所望の平面形状に容易に形成することができるため、認識マーク４０の平面形状を精度良く形成することができる。したがって、発光素子７０の搭載時などにアライメントエラーが発生することを抑制でき、発光素子７０の実装精度を向上させることができる。
【００４７】
（２）配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面とし、金属層３０（認識マーク４０）の上面３０Ａを平滑面とした。これにより、配線基板１を平面視したときに、絶縁層５０の開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０（光沢面）、反射率の低い配線パターン２０の上面２０Ａ（無光沢面）、反射率の高い金属層３０の上面３０Ａ（光沢面）が順に形成されることになる。したがって、認識マーク４０の輪郭を認識し易くなるため、認識マーク４０の認識性を向上させることができる。
【００４８】
さらに、配線パターン２０の上面２０Ａを粗化面としたことで、配線パターン２０と絶縁層５０との接触面積が増大するため、配線パターン２０と絶縁層５０との密着性を向上させることができる。したがって、配線基板１から絶縁層５０が剥離することを好適に抑制することができる。
【００４９】
（３）配線パターン２０上に電解めっき法により金属層３０を形成した後に、その金属層３０を露出させる開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層３０を形成する際には、絶縁層５０が形成されていないため、その絶縁層５０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００５０】
（４）金属層３０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層３０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１０〜図１５に従って説明する。この実施形態の配線基板３は、配線パターン２０及び金属層３０の構造、及び基板１０の第２主面Ｒ２に金属板１１が形成された点が上記第１実施形態と異なっている。また、この実施形態の発光装置４は、実装領域ＣＡに発光素子８０がフリップチップ実装された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５１】
（第２実施形態に係る配線基板の構造）
図１０に示すように、基板１０の第２主面Ｒ２（図１０では下面）には、金属板１１が形成されている。この金属板１１は、例えば平板状に形成された金属板を用いることができる。金属板１１の材料としては、例えば銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。金属板１１の厚さは、例えば０．１〜２ｍｍ程度とすることができる。この金属板１１は、配線基板３の支持板として機能するとともに、発光素子８０（図１１参照）の発光時に発生する熱を放熱する放熱板として機能する。ここで、発光素子８０（発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、上記金属板１１により発光素子８０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子８０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５２】
本実施形態の配線パターン２０は、その上面２０Ａのみが粗面化されており、上面２０Ａに微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン２０の上面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定されている。
【００５３】
絶縁層５０の開口部５０Ｘから露出された配線パターン２０の上面２０Ａには、Ｎｉ層３１とＡｕ層３２とが順に積層された金属層３０が形成されている。このように実装領域ＣＡに形成された金属層３０は、発光素子８０（図１１参照）と接続されるパッドとして機能するとともに、その上面の全てが絶縁層５０から露出されることで認識マークとしても機能する。なお、この実装領域ＣＡに形成された金属層３０は、配線パターン２０の側面、つまり開口部２０Ｘの内側壁には形成されておらず、開口部２０Ｘの配線パターン２０の縁から後退して形成されている。
【００５４】
（第２実施形態に係る発光装置の構造）
図１１に示すように、発光装置４は、上記配線基板３と、その配線基板３に実装された複数の発光素子８０と、発光素子８０等を封止する封止樹脂８２とを有している。
【００５５】
各発光素子８０は、配線基板３の各実装領域ＣＡにフリップチップ実装されている。具体的には、各発光素子８０は、各実装領域ＣＡに形成された開口部２０Ｘを跨るように、その開口部２０Ｘの両側に形成された金属層３０上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子８０の回路形成面（図１１では下面）に形成された一方のバンプ８１が実装領域ＣＡ内の一方の金属層３０にフリップチップ接合され、他方のバンプ８１が実装領域ＣＡ内の他方の金属層３０にフリップチップ接合されている。
【００５６】
発光素子８０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。バンプ８１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００５７】
封止樹脂８２は、発光素子８０及びバンプ８１等を封止するように配線基板３の上面に設けられている。なお、電極端子６０は、封止樹脂８２に封止されていない。この封止樹脂８２の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。
【００５８】
（第２実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板３の製造方法について図１２〜図１４に従って説明する。以下の説明では、１つの配線基板を拡大して説明するが、実際には１つの基板上に複数の配線基板となる部材を一括して作製した後、個々の配線基板に個片化される。
【００５９】
まず、配線基板３を製造するためには、図１２（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２５Ｂが被着された片面銅張り基板を金属板１１Ａに接着した構造体を用意する。ここで、基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１０に示した基板１０となるものである。また、金属板１１Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１０に示した金属板１１となるものである。
【００６０】
また、図１２（ａ）に示す工程では、銅箔２５Ｂに対して粗化処理を施す。この粗化処理は、銅箔２５Ｂの上面の粗度が、表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、銅箔２５Ｂの上面に微細な凹凸が形成されて、その上面が粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。
【００６１】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、粗面化された銅箔２５Ｂの上面に、所定の箇所に開口パターン８５Ｘ，８５Ｙ，８５Ｚを有するレジスト層８５を形成する。この開口パターン８５Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。また、開口パターン８５Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。また、開口パターン８５Ｚは、電極端子６０（図１０参照）に対応する部分の銅箔２５Ｂを露出するように形成される。レジスト層８５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２５Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８５を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８５を形成することができる。
【００６２】
続いて、図１２（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層８５をめっきマスクとして、銅箔２５Ｂの上面に、その銅箔２５Ｂをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８５の開口パターン８５Ｘから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。また、レジスト層８５の開口パターン８５Ｙから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、その銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。これにより、認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層８５の開口パターン８５Ｚから露出された銅箔２５Ｂの上面に電解めっきを施すことにより、その銅箔２５Ｂ上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層８５の開口パターン８５Ｘ，８５Ｙ，８５Ｚから露出された銅箔２５Ｂの上面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。このときの電解めっき法では、図１２（ｄ）に示すように、金属層３０の上面３０Ａが平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａ値で１０〜３０ｎｍ程度となるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００６３】
次いで、図１３（ａ）に示す工程では、図１２（ｃ）に示したレジスト層８５を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、開口部２０Ｘ（図１０参照）の形成される部分の銅箔２５Ｂが露出される。
【００６４】
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、銅箔２５Ｂの上面に、所定の箇所に開口部８６Ｘを有するレジスト層８６を形成する。このレジスト層８６は、所要の配線パターン２０に対応する銅箔２５Ｂ及び金属層３０全面を被覆するように形成される。換言すると、レジスト層８６は、開口部２０Ｘ，２０Ｙ（図２参照）に対応する位置に形成された開口部８６Ｘを有している。レジスト層８６の材料としては、上記レジスト層８５と同じ材料を用いることができる。また、レジスト層８６は、レジスト層８５と同様の方法により形成することができる。
【００６５】
次に、図１３（ｃ）に示す工程では、レジスト層８６をエッチングマスクとして銅箔２５Ｂをエッチングし、銅箔２５Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（図中の上面）に、所要の配線パターン２０と、基板１０Ａの外周縁に形成され配線パターン２０と電気的に分離された第１給電ライン２１とが形成される。また、金属層３０が開口部２０Ｘの配線パターン２０の縁から後退して形成される。
【００６６】
続いて、図１４（ａ）に示す工程では、図１３（ｃ）に示したレジスト層８６を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次いで、図１４（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。具体的には、基板１０Ａ上及び配線パターン２０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層３０の上面及び認識マーク４０の上面を全て露出するとともに、電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００６７】
図１４（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の絶縁層５０、第１給電ライン２１、基板１０Ａ及び金属板１１Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、図１０に示した配線基板３が製造される。
【００６８】
（第２実施形態に係る発光装置の製造方法）
次に、発光装置４の製造方法を図１５に従って説明する。
図１５（ａ）に示す工程では、配線基板３の各実装領域ＣＡ内に形成された２つの金属層３０上に発光素子８０を実装する。このとき、例えば固定点に配設された認識カメラ（図示略）により撮影された撮影画像が画像処理され、配線基板３に形成された認識マーク４０の位置が検出される。この検出された認識マーク４０の位置に基づいて、配線基板３の位置が認識される。そして、その認識された配線基板３の位置に基づいて、図１５（ａ）に示すように、配線基板３の各実装領域ＣＡ上に発光素子８０を位置合わせして、その発光素子８０を実装領域ＣＡの金属層３０上に搭載する。そして、開口部２０Ｘを介して隣り合う金属層３０の各々の上面に、発光素子８０のバンプ８１をフリップチップ接合する。例えばバンプ８１が金バンプである場合には、そのバンプ８１を金属層３０上に超音波接合することにより固定する。
【００６９】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、配線基板３上に実装された複数の発光素子８０及びバンプ８１を封止する封止樹脂８２を形成する。例えば封止樹脂８２として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図１５（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂８２を形成する。なお、封止樹脂８２は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図１１に示した発光装置４が製造される。
【００７０】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（５）銅箔２５Ｂ上に電解めっき法により金属層３０を形成した後に、銅箔２５Ｂをエッチングによりパターニングして所要の配線パターン２０を形成するようにした。この場合には、配線パターン２０を形成し、その配線パターン２０上に電解めっき法により金属層３０を形成する場合とは異なり、給電ラインをパターニングする工程や、金属層３０を形成した後に給電ラインを除去する工程が必要ない。このため、配線基板３の製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減することができる。
【００７１】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図１６〜図１９に従って説明する。この実施形態では、配線基板５の製造方法が上記第１実施形態の製造方法と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１５に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００７２】
（第３実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図１６（ａ）に示す工程では、先の図４（ａ）〜図４（ｄ）に示した製造工程により、基板１０Ａ上に配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２を形成し、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に対して粗化処理を施す。なお、以下の説明では、配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２３とも称する。
【００７３】
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａ及び配線層２３上に、実装領域ＣＡ、マーク領域及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。
【００７４】
続いて、図１６（ｃ）に示す工程では、配線層２３上及び絶縁層５０上に、所定の箇所に開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚを有するレジスト層８７を形成する。これら開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚは、金属層３０（図１（ｂ）参照）に対応する部分の配線パターン２０及び基板１０Ａを露出するように形成されている。詳述すると、開口パターン８７Ｘは、実装領域ＣＡに形成される金属層３０に対応する部分の配線パターン２０及び基板１０Ａを露出するように形成されている。具体的には、開口パターン８７Ｘは、上記絶縁層５０の開口部５０Ｘと対向する位置に形成され、その開口部５０Ｘよりも開口径が小さくなるように形成されている。より具体的には、開口パターン８７Ｘの平面形状は、図示は省略するが、平面視略円形状の開口部５０Ｘの平面形状よりも小さい円形状に形成されている。このため、開口部５０Ｘでは、その開口部５０Ｘの側壁面がレジスト層８７によって覆われている。また、開口パターン８７Ｙは、認識マーク４０となる金属層３０（図１参照）に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成されている。具体的には、開口パターン８７Ｙは、絶縁層５０の開口部５０Ｙと対向する位置に形成され、その平面形状が平面視略四角形状の開口部５０Ｙの平面形状よりも小さい四角形状に形成されている（平面形状については図示略）。このため、開口部５０Ｙでは、その開口部５０Ｙの側壁面がレジスト層８７によって覆われている。また、開口パターン８７Ｚは、電極端子６０となる金属層３０に対応する部分の配線パターン２０を露出するように形成されている。開口パターン８７Ｚは、絶縁層５０の開口部５０Ｚと対向する位置に形成され、その平面形状が平面視略円形状の開口部５０Ｚの平面形状と略同じ大きさの円形状に形成されている（平面形状については図示略）。
【００７５】
レジスト層８７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、配線層２３及び絶縁層５０上にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８７を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８７を形成することができる。
【００７６】
次に、図１７（ａ）に示す工程では、上記レジスト層８７をめっきマスクとして、配線パターン２０の上面２０Ａ及び側面に、配線層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８７の開口パターン８７Ｘから露出された配線パターン２０の表面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、実装領域ＣＡにおいて、上面の全てが絶縁層５０から露出される金属層３０が形成される。また、レジスト層８７の開口パターン８７Ｙから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、マーク領域において、上面の全てが絶縁層５０から露出される金属層３０、つまり認識マーク４０が形成される。さらに、レジスト層８７の開口パターン８７Ｚから露出された配線パターン２０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン２０上に金属層３０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。ここで、金属層３０がＮｉ層３１とＡｕ層３２が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層８７の開口パターン８７Ｘ，８７Ｙ，８７Ｚから露出された配線パターン２０の表面にＮｉ層３１とＡｕ層３２を順に積層する。このときの電解めっき法では、金属層３０の上面３０Ａが平滑面となるように、具体的には金属層３０の上面３０Ａの粗度が表面粗さＲａで１０〜３０ｎｍ程度となるように、めっき液及びめっき条件が調整されている。
【００７７】
次いで、図１７（ｂ）に示す工程では、図１７（ａ）に示したレジスト層８７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図１７（ｃ）に示すように、開口部５０Ｙにおいて、認識マーク４０の上面の全てが露出されるとともに、認識マーク４０以外の部分では粗面化された配線パターン２０の上面が露出される。したがって、平面視したときに、開口部５０Ｙの外側から開口部５０Ｙの内部に向かって、反射率の高い絶縁層５０、反射率の低い配線パターン２０、反射率の高い認識マーク４０が順に形成されることになる。
【００７８】
次に、図１８（ａ）に示す工程では、図５に示した第２給電ライン２２を除去するように溝部５１を形成する。具体的には、溝部５１は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層５０及び配線層２３を厚さ方向に貫通し、溝部５１の底面が基板１０Ａの厚さ方向の中途に位置するように形成される。なお、溝部５１は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層５０、配線層２３及び基板１０Ａを厚さ方向に貫通するように形成してもよい。図１８（ｂ）に示すように、この溝部５１は第２給電ライン２２の形成された全ての箇所（図１８（ｂ）では、２０箇所）に形成されるため、本工程では２０個の溝部５１が形成される。これにより、全ての第２給電ライン２２及びそれら第２給電ライン２２上に形成された配線層２３が除去され、溝部５１の形成された領域では基板１０Ａが露出される。そして、このような溝部５１の形成によって、基板１０Ａの外周縁に形成された第１給電ライン２１と配線パターン２０とが分離されるとともに、各配線パターン２０が分離される。すなわち、上記溝部５１の形成（第２給電ライン２２の除去）により、各配線パターン２０は電気的に分離される。なお、上記溝部５１は、例えばルータ加工、レーザ加工や微細な金型を用いた金型加工により形成することができる。
【００７９】
続いて、図１９（ａ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対応する部分の絶縁層５０及び基板１０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、第１給電ライン２１が除去され、配線基板５が製造される。この配線基板５には、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層５０及びその下層の配線パターン２０を貫通する溝部５１が多数形成されている。なお、この溝部５１の形成された領域では基板１０が露出されている。
【００８０】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）、（２）、（４）と同様の効果を奏する。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００８１】
・上記第１実施形態及び第３実施形態において、基板１０の第２主面Ｒ２に金属板１１を形成するようにしてもよい。
・上記第２実施形態の配線基板３における金属板１１を省略するようにしてもよい。
【００８２】
・上記第１実施形態の発光装置２では、発光素子７０をワイヤボンディング実装するようにしたが、例えば発光素子７０をフリップチップ実装するようにしてもよい。
・上記第２実施形態の発光装置４では、発光素子８０をフリップチップ実装するようにしたが、例えば発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００８３】
・図２０に示されるように、基板１０の実装領域ＣＡに凹部１０Ｘを形成し、その凹部１０Ｘ内に発光素子８０を実装するようにしてもよい。この場合には、凹部１０Ｘに配線パターン２０が形成され、その配線パターン２０上に金属層３０が形成され、金属層３０の上面の全てを露出させる開口部５０Ｘを有する絶縁層５０が配線パターン２０上に形成される。そして、凹部１０Ｘの底面に形成された金属層３０上に発光素子８０が実装される。なお、図２０では、発光素子８０をフリップチップ実装するようにしているが、発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００８４】
・上記各実施形態では、金属層３０を電解めっき法により形成するようにしたが、これに限らず、例えば金属層３０を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。
・上記第１実施形態では、基板１０Ａに発光素子７０を実装した後に、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断するようにした。これに限らず、上記第２実施形態の製造方法と同様に、基板１０Ａ上に配線基板１に相当する構造体が形成されたときに、その基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して配線基板１を製造し、その後、配線基板１に発光素子７０を実装するようにしてもよい。すなわち、図８（ｃ）に示した工程、つまり絶縁層５０を形成する工程の後に、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断するようにしてもよい。
【００８５】
・上記第２実施形態では、基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して配線基板３を製造した後に、その配線基板３に発光素子８０を実装するようにした。これに限らず、上記第１実施形態の製造方法と同様に、基板１０Ａに発光素子８０を実装した後に、その基板１０Ａを切断位置Ｂ１で切断して発光装置４を製造するようにしてもよい。
【００８６】
・各実施形態における開口部５０Ｘ，５０Ｚの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形などの多角形状であってもよい。
・各実施形態における開口部５０Ｙの平面形状は、四角形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形であってもよいし、円形状や楕円形状であってもよい。また、開口部５０Ｙの平面形状は、Ｔ字状や＋字状であってもよい。
【００８７】
・上記各実施形態における認識マーク４０の平面形状は、四角形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形であってもよいし、円形状や楕円形状であってもよい。また、認識マーク４０の平面形状は、Ｔ字状や＋字状であってもよい。
【００８８】
・上記各実施形態において、実装領域ＣＡに形成された金属層３０が認識マークとして利用される場合には、認識マーク４０となる金属層３０を省略するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、配線基板１，３に発光素子７０，８０を実装するようにした。これに限らず、配線基板１，３に発光素子７０，８０以外の部品（例えば、ツェナーダイオードなど）を実装するようにしてもよい。
【００８９】
・上記各実施形態では、金属層３０をフォトリソグラフィ法により形成するようにした。これに限らず、例えば部分めっき層装置によりめっき不要部分をマスクして電解めっきを行って、上記金属層３０を形成するようにしてもよい。
【００９０】
・上記各実施形態における発光素子７０，８０の個数や配置は、特に限定されない。
・上記各実施形態における配線パターン２０の形状は、特に限定されない。例えば図２１に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、帯状の複数の配線パターン２４を平行に隣接して配置するようにしてもよい。この場合には、隣接する配線パターン２４間には、下層の基板１０を露出する帯状の開口部２４Ｘが形成されている。そして、この開口部２４Ｘによって、複数の配線パターン２４は互いに電気的に分離されている。なお、認識マーク４０は、図中の最も左側に形成された配線パターン２４に形成されている。また、電極端子６０は、外側に形成された配線パターン２４にそれぞれ形成されている。このような配線パターン２４及び電極端子６０を有する配線基板に発光素子を実装した場合には、複数の発光素子が並列及び直列に接続されることになる。
【００９１】
・上記各実施形態では、発光装置用の配線基板に具体化した。これに限らず、例えば配線基板１，３，５を、発光素子以外の部品（ツェナーダイオードなど）が実装される配線基板に具体化してもよい。
【００９２】
（発光装置の実装例）
図２２は、上記実施形態の配線基板３に発光素子８０を実装してなる発光装置４の適用例を示したものであり、発光装置４を実装基板９０に実装した場合の断面構造を示している。
【００９３】
実装基板９０は、金属層９１と、絶縁層９２と、配線パターン９３とを有している。そして、発光装置４は、絶縁層９２上に搭載されている。具体的には、発光装置４は、その下面に形成された金属板１１が上記絶縁層９２上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。
【００９４】
また、実装基板９０に搭載された発光装置４の電極端子６０は、ボンディングワイヤ９４を介して実装基板９０の配線パターン９３と電気的に接続されている。
このような構造によれば、発光装置４から発生した熱を、絶縁層９２を介して金属層９１に放熱することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１，３，５ 配線基板
２，４ 発光装置
１０ 基板（第１絶縁層）
１１ 金属板（放熱板）
２０，２４ 配線パターン
２１，２２ 給電ライン
２３ 配線層
３０ 金属層
４０ 認識マーク
５０ 絶縁層（第２絶縁層）
５０Ｘ，５０Ｙ 開口部
６０ 電極端子
７５，８２ 封止樹脂
７８，８５，８７ レジスト層
７８Ｘ，７８Ｙ 開口パターン
８５Ｘ，８５Ｙ 開口パターン
８７Ｘ，８７Ｙ 開口パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、を有し、
前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されていることを特徴とする発光装置用の配線基板。
【請求項２】
前記金属層の上面と前記配線パターンの上面とは粗度が異なることを特徴とする請求項１に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンの上面は粗面化されており、前記配線パターンの上面の表面粗さは、前記金属層の上面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項４】
前記配線パターンの上面の表面粗さは、前記絶縁層の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項５】
前記金属層は、平面形状が認識マークの所望の形状となるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項６】
前記金属層は、発光素子と接続されるパッドとして前記開口部から露出されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層の前記第１主面とは反対側の第２主面には金属板が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項８】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、
少なくとも一部の前記金属層上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１絶縁層の第１主面上に形成された配線層の表面を粗面化する工程と、
前記粗面化された配線層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層の平面形状よりも大きい開口部を有する第２絶縁層を前記配線層上に形成する工程と、を有し、
前記開口部では、前記金属層の上面の全てが前記第２絶縁層から露出され、前記金属層の周囲に前記配線層の上面が露出されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層を形成する工程の前に、前記第１主面上に電解めっき用の給電ライン及び配線パターンを含む前記配線層を形成する工程を有し、
前記金属層を形成する工程では、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記配線パターン上に前記金属層を形成し、
前記金属層を形成する工程の後に、前記給電ラインを除去する工程を有し、
前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層を形成する工程では、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、配線パターンとなる配線層上に前記金属層を形成し、
前記金属層を形成する工程の後に、前記配線層をパターニングして前記配線パターンを形成する工程を有し、
前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層を形成する工程は、
前記配線層上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングされた開口パターンを有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして、平面形状が認識マークの所望の形状となるように前記金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２絶縁層を形成する工程では、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成し、
前記金属層を形成する工程は、
前記第２絶縁層を形成する工程の後に、前記配線層上及び前記第２絶縁層上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングされた、前記開口部よりも平面形状の小さい開口パターンを有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして、平面形状が認識マークの所望の形状となるように前記金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、を有し、
前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されていることを特徴とする発光装置用の配線基板。
【請求項２】
前記金属層の上面と前記配線パターンの上面とは粗度が異なることを特徴とする請求項１に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンの上面は粗面化されており、前記配線パターンの上面の表面粗さは、前記金属層の上面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項４】
前記配線パターンの上面の表面粗さは、前記絶縁層の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項５】
前記金属層は、平面形状が認識マークの所望の形状となるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項６】
前記金属層は、発光素子と接続されるパッドとして前記開口部から露出されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層の前記第１主面とは反対側の第２主面には金属板が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項８】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンの一部を露出するように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層から露出された配線パターン上に形成された金属層と、
少なくとも一部の前記金属層上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記第２絶縁層には、前記金属層の上面を全て露出させるとともに、前記金属層の周囲に前記配線パターンの上面を露出させる開口部が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１絶縁層の第１主面上に形成された配線層の表面を粗面化する工程と、
前記粗面化された配線層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層の平面形状よりも大きい開口部を有する第２絶縁層を前記配線層上に形成する工程と、を有し、
前記開口部では、前記金属層の上面の全てが前記第２絶縁層から露出され、前記金属層の周囲に前記配線層の上面が露出されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層を形成する工程の前に、前記第１主面上に電解めっき用の給電ライン及び配線パターンを含む前記配線層を形成する工程を有し、
前記金属層を形成する工程では、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記配線パターン上に前記金属層を形成し、
前記金属層を形成する工程の後に、前記給電ラインを除去する工程を有し、
前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層を形成する工程では、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、配線パターンとなる配線層上に前記金属層を形成し、
前記金属層を形成する工程の後に、前記配線層をパターニングして前記配線パターンを形成する工程を有し、
前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層を形成する工程は、
前記配線層上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングされた開口パターンを有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして、平面形状が認識マークの所望の形状となるように前記金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２絶縁層を形成する工程では、スクリーン印刷法により前記第２絶縁層を形成し、
前記金属層を形成する工程は、
前記第２絶縁層を形成する工程の後に、前記配線層上及び前記第２絶縁層上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングされた、前記開口部よりも平面形状の小さい開口パターンを有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして、平面形状が認識マークの所望の形状となるように前記金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１３−１０９９０５（Ｐ２０１３−１０９９０５Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２８１５（Ｐ２０１１−２５２８１５）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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