真空蒸着方法及び真空蒸着装置
【課題】膜厚モニターの示す蒸着材料の蒸着レート指示値から算出される蒸着膜厚と、基板上への蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸着材料２１の蒸気を発生させる蒸着源２０と、蒸着材料２１の蒸着レートをモニターして蒸着源２０の制御を行う膜厚センサーと、を有し、前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサー３１と、第２の膜厚センサー３２と、からなる真空蒸着装置１を用いて、被蒸着部材（基板５０）に蒸着材料２１の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、第１の膜厚センサー３１による蒸着源２０の制御中において第２の膜厚センサー３２に蒸着膜を付着させた後に、第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２に切り替えて蒸着源２０の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。
【解決手段】蒸着材料２１の蒸気を発生させる蒸着源２０と、蒸着材料２１の蒸着レートをモニターして蒸着源２０の制御を行う膜厚センサーと、を有し、前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサー３１と、第２の膜厚センサー３２と、からなる真空蒸着装置１を用いて、被蒸着部材（基板５０）に蒸着材料２１の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、第１の膜厚センサー３１による蒸着源２０の制御中において第２の膜厚センサー３２に蒸着膜を付着させた後に、第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２に切り替えて蒸着源２０の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着方法及びこの方法を利用するための装置に関するもので、特に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する際に好適な装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、一般的に透明導電膜（例えば、インジウム錫酸化物）からなる陽極と金属（例えば、Ａｌ）からなる陰極との間に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む単層又は複数層の有機薄膜層を設けてなる電子素子である。陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子が、それぞれ正孔輸送層、電子輸送層を介して発光層で再結合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子は光を出力する。
【０００３】
ところでこの有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一つとして、真空蒸着法が知られている。ここで真空蒸着法とは、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成材料をルツボに入れ、真空装置内で当該材料の気化温度以上にルツボの温度を加熱することで、ルツボから出てくる（気化状態の）材料を基板等の被蒸着部材に堆積して薄膜を形成する方法である。
【０００４】
この真空蒸着法を採用して被蒸着部材に材料を堆積させる場合、水晶振動子を有する膜厚センサーにより蒸着レートをモニターし、有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸発量を制御する方法が知られている。具体的には、基板の近くに水晶振動子を有する膜厚センサーを配置し、センサーが備える水晶振動子にも有機エレクトロルミネッセンス材料を蒸着させて、この蒸着によって生じた水晶振動子の固有振動周波数の変化を蒸着膜厚に変換する方法である。この方法では蒸着レートを水晶振動子によってモニターしているため、成膜中の基板への有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜厚を把握することが可能になり、基板上での膜厚を目標とする値に合わせることが可能となる。
【０００５】
しかし水晶振動子を利用する方法では、水晶振動子に蒸着する有機エレクトロルミネッセンス材料の量が増すに従い、膜厚モニターが示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、実際に基板上にて成膜される蒸着膜の膜厚との間に差異が生じてくる。これは、水晶振動子に蒸着する有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着量に従って、水晶振動子の固有振動周波数が変化することに起因する。図１は、水晶振動子の固有振動周波数減衰に伴う基板上での蒸着膜厚の変化の一例を示す図である。図１に示される例では、初期振動周波数が６．０ＭＨｚタイプの水晶振動子を用いており、複数枚の基板に一定時間蒸着した内の代表的な基板の蒸着膜厚を示している。図１において、水晶振動子の使用初期の状態（固有振動周波数：５．９８５ＭＨｚ）において一定時間蒸着操作を行った場合、基板上の蒸着膜厚が約９７ｎｍである。ここで有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸発量を制御するために、当該材料の蒸着レートは常にモニターしているため、時間の経過とともに水晶振動子の固有振動周波数が次第に減衰する。ここで固有振動周波数が５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚの範囲にある状態では、蒸着膜の膜厚が約１００ｎｍで安定するが、固有振動周波数のさらなる減衰とともに形成される蒸着膜の膜厚が次第に減少していく。このように、水晶振動子の固有振動周波数が減衰することに伴う基板上での蒸着膜厚と蒸着レートから算出される膜厚との差異は、蒸着膜の膜厚の目標値範囲が狭い場合に特に問題となり、製造歩留り低下の要因となる。
【０００６】
さらに、長時間の連続蒸着を行う場合、水晶振動子の寿命を考慮すると複数の水晶振動子を適宜切り替えて使用する必要がある。このように複数の水晶振動子を適宜切り替えて使用する場合においても、水晶振動子の固有振動周波数の減衰による水晶振動子がモニターしている蒸着レートと基板上での蒸着膜厚との差異が問題となる。
【０００７】
このような膜厚センサーを用いた真空蒸着方法が抱える課題を解決する方法として、例えば、特許文献１に開示される、膜厚センサーの固有振動子周波数値を媒介変数とする変換式によって基板に形成される蒸着膜厚を換算する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１８８７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、膜厚モニターの示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、基板上への実際の蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の真空蒸着方法は、蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる真空蒸着装置を用いて、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、
前記第１の膜厚センサーによる前記蒸着源の制御中において前記第２の膜厚センサーに前記蒸着膜を付着させた後に、前記第１の膜厚センサーから前記第２の膜厚センサーに切り替えて前記蒸着源の制御を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、膜厚モニターの示す蒸着材料の蒸着レート指示値と、基板上への蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供することができる。具体的には、第１の膜厚センサーにて蒸着源の蒸着レートを制御しているときに第２の膜厚センサーに一定量の蒸着膜を付着させた後、所定のタイミングで蒸着源の蒸着レートの制御を第１の膜厚センサーから第２の膜厚センサーへ切り替える。こうすることで、水晶振動子の膜厚変動の少ない領域において真空蒸着を連続して行うことが可能となる。その結果、膜厚モニターの示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、基板上での実際の蒸着膜厚との差異が少なくなり、膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。このため、本発明を有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適用すれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】水晶振動子の固有振動周波数減衰に伴う基板上での蒸着膜厚の変化の一例を示すグラフである。
【図２】本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第一の形態を示す模式図である。
【図３】本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第二の形態を示す模式図である。
【図４】本発明に従う実施形態における連装式膜厚モニターを示す模式図である。
【図５】実施例１における、膜厚センサーの切り替えのタイミングと、水晶振動子の周波数及び膜厚の経時変化との関係を示すグラフである。
【図６】比較例１における、膜厚センサーの切り替えのタイミングと、水晶振動子の周波数及び膜厚の経時変化との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の真空蒸着方法は、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法である。また本発明の真空蒸着方法は、蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有する真空蒸着装置において実施される。
【００１４】
上記真空蒸着装置が備える膜厚センサーは、例えば、水晶振動子を利用したセンサーであり、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる。ここで本発明の真空蒸着方法は、まず第１の膜厚センサーによる蒸着源の制御中において第２の膜厚センサーに有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜を付着させる。その後に、上記第１の膜厚センサーから上記第２の膜厚センサーに切り替えて蒸着源の制御を行う。
【００１５】
以下、図面を参照しながら、有機エレクトロルミネッセンス材料を蒸着する場合を例にとって、本発明の真空蒸着方法の実施形態について説明する。ただし、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着に限定されるものではなく、水晶振動子を膜厚センサーに用いた有機材料、無機材料の蒸着に広く適用することができる。
【００１６】
図２は、本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第一の形態を示す模式図である。図２の真空蒸着装置１は、チャンバー１０内に、蒸着源２０と、２種類の膜厚センサー（第１の膜厚センサー３１、第２の膜厚センサー３２）と、蒸着マスク４１及びこのマスクを保持する手段（マスク保持手段４２）と、を備えている。尚、図２の真空蒸着装置１において、蒸着膜が形成される基板５０は、蒸着マスク４１にて保持されている。
【００１７】
チャンバー１０には、図示していないがアライメント機構を備えている。またチャンバー１０内を排気するための真空排気系（不図示）として、迅速かつ高真空領域まで排気できる能力を持った真空ポンプを用いることが望ましい。
【００１８】
図２の真空蒸着装置１を有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置（の一部）として用いる場合は、チャンバー１０の両側面に設けられるゲートバルブ１１により他の真空装置と接合するのが望ましい。また複数の層を真空蒸着法で作製する場合では、図２の真空蒸着装置１を複数設けることが望ましい。また大型の基板に蒸着膜を形成する場合は、蒸着源２０を複数用意して、基板５０の成膜面に対して膜厚むらの少ない均一な蒸着膜形成を行うことが望ましい。
【００１９】
図２の真空蒸着装置１のチャンバー１０内に設けられている蒸着源２０は、有機エレクトロルミネッセンス材料（蒸着材料）２１が充填されているルツボ２２と、ルツボ２２を加熱するためのヒーター２３と、蓋２４と、リフレクター２５と、を備えている。この蒸着源２０は、ヒーター２３を加熱すると、ルツボ２２内に充填されている有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が、蓋２４を介して放出される。そして蒸着源２０から発生する有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気は、マスク４１を介して基板５０の成膜面上に接触する。この接触により基板５０上に蒸着膜が形成される。
【００２０】
蓋２４に設けられた開口部２４ａの開口面積、材質等は個別に異なっていてもよい。また開口部２４ａの開口形状は、円形、矩形、楕円形等、どのような形状でもよい。ここで開口部２４ａの開口面積、及び開口形状がそれぞれ異なる場合は、基板５０上での膜厚制御性がより向上する場合がある。また同じ理由で、ルツボ２２の形状、材質等は個別に異なっていてもよい。
【００２１】
尚、蓋２４に設けられる開口部２４ａと基板５０の成膜面との間に蒸着源２０から発せられる蒸気を遮断するためのシャッター（不図示）が個別に設けられていてもよい。蓋２４に設けられた開口部にシャッターを設けることにより、開口部２４ａから発生する蒸気を自由に遮断・開放することが可能になる。
【００２２】
蒸着源２０から発生する有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が被蒸着部材である基板５０に堆積する速度（蒸着レート）は、まず第１の膜厚センサー３１によってモニターされる。そして第１の膜厚センサー３１から発する電気信号によって、蒸着源２０、特に、ヒーター２３が制御されることにより有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気の量が制御される。ここで図２の真空蒸着装置１には、第１の膜厚センサー３１とは別に、第１の膜厚センサー３１を使用した後に使用する第２の膜厚センサー３２が設けられている。第２の膜厚センサー３２も第１の膜厚センサー３１と同様に有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が基板５０に堆積する速度を制御するセンサーとして機能する。本発明の真空蒸着方法において、蒸着源２０を制御するための信号を発するセンサーは、所定のタイミングにより適宜切り替えられる。即ち、本発明の真空蒸着方法においては、所定のタイミングにより、第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２への切り替えを行い、蒸着レートのモニターを第２の膜厚センサー３２で行うプロセスが含まれる。ここで上述した切り替えを行うタイミングについては、各センサー（３１、３２）に備わっている水晶振動子の特性に応じて適宜設定される。
【００２３】
また図２の真空蒸着装置１は、第２の膜厚センサー３２の近傍に蒸着源２０から発生する蒸気を遮断するためのセンサーシャッター３３が設けられている。このセンサーシャッター３３は、第１の膜厚センサー３１による蒸着源２０の制御を行っているときに、任意のタイミングでそのシャッターが開かれる。ところで第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２には、必要に応じてパイプや遮蔽板等を設けてもよい。また第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２は、基板５０の近傍に設けられていることが望ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
本発明において、マスク４１の開口部（不図示）の形状は特に限定されるものではないが、マスク４１の開口部を高精細化して、基板５０に対して蒸着膜の微細パターンを形成してもよい。ここで開口部を高精細化したマスク４１を用いて所望のパターンで蒸着膜のパターン成膜を行う場合は、マスク４１への熱影響を考慮して、蒸着源２０を稼動手段で移動させながら成膜を行ってもよい。またマスク４１（又はマスク保持手段４２）を稼動手段によって移動させながら成膜を行ってもよい。
【００２５】
マスク保持手段４２は、必要であれば、回転機構を設けて被蒸着部材である基板５０を回転可能な状態にさせてもよい。また基板（被蒸着部材）５０は、マスク４１にて保持されていれば、マスク保持手段４２によりチャンバー内にどのように配置されていてもよい。
【００２６】
図３は、本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第二の形態を示す模式図である。図３の真空蒸着装置２は、図２の真空蒸着装置１と比較して、膜厚センサー以外の部材が図２の真空蒸着装置１と共通している。
【００２７】
以下、図３の真空蒸着装置２について図２の真空蒸着装置１との相違点を中心に説明する。図３の真空蒸着装置２に備える膜厚センサー３４は、第１の膜厚センサー３１と第２の膜厚センサー３２とが、並列して設けられている。２種類のセンサーを並列的に設けることで、各センサーの環境をほぼ同一にすることができる。尚、図３の真空蒸着装置２に備える膜厚センサー３４は、図２の真空蒸着装置１と同様に、第２の膜厚センサー３２の近傍に蒸着源２１から発生する蒸気を遮断するためのセンサーシャッター３３が設けられている。
【００２８】
図４は、図３の真空蒸着装置内に備える膜厚センサーを示す平面概略図である。図３の真空蒸着装置内に備える膜厚センサー３４は、膜厚モニターが同心円状に６か所連装して設けられている。図４に示される連装式の膜厚センサー３４には、ホルダー３５に水晶振動子３６が少なくとも２つ以上装着されている。そしてカバー３７には第１の膜厚センサー３１が有する水晶振動子３６ａと、第２の膜厚センサー３２が有する水晶振動子３６ｂの位置に開口部３８が設けられている。図４に示される連装式の膜厚センサー３４を用いて蒸着膜の膜厚をモニターする場合は、第１の水晶振動子３６ａにて蒸着源の制御を行っている段階で、任意のタイミングでセンサーシャッター３３を開き、第２の水晶振動子３６ｂに一定量の蒸着膜を付着させる。そして第２の水晶振動子３６ｂに一定量の蒸着膜を付着させた後に、ホルダー３５を回転し、第１の水晶振動子３６ａの位置に第２の水晶振動子３６ｂを移動させることにより水晶振動子の切り替えを行う。以下、水晶振動子の周波数に応じてホルダー３５を回転し蒸着膜の膜厚をモニターする膜厚センサーを適宜切り替えながら蒸着膜の連続成膜を行う。
【実施例１】
【００２９】
図２の真空蒸着装置を用いて、本発明の真空蒸着方法による蒸着膜の作製を行った。
【００３０】
（１）蒸着源
まずルツボ２２に、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ3、有機エレクトロルミネッセンス材料２１）１０．０ｇを充填した。次に、このルツボ２２に蓋２４を取り付け、蒸着源２０にセットした。尚、ルツボ２２に充填されたＡｌｑ3は、蓋２４の開口部２４ａを介して蒸発する。またルツボ２２と蓋２４との接合部はフランジ形状にして、蒸発したＡｌｑ3が開口部２４ａ以外から漏れるのを防ぐように設定されている。一方、蒸着源２０は、基板５０の成膜面に対向するようにして配置すると共に、当該成膜面との距離を３００ｍｍになるように設定した。
【００３１】
（２）膜厚センサー
第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２は、基板５０に向かう蒸着源２０から発生した蒸気を遮ることのない位置に配置した。また各センサーは、蓋の開口部２４ａとの距離をそれぞれ２００ｍｍになるように設定した。ここで第１の膜厚センサー３１１及び第２の膜厚センサー３２は、初期振動周波数が６．０ＭＨｚタイプの水晶振動子を用いた。尚、本実施例において使用されている水晶振動子の膜厚変動の少ない周波数帯域は、図１に示されるように５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚである。ただし、この周波数帯域は、有機エレクトロルミネッセンス材料の種類や蒸着条件等により変化するため、これに限定されるものではない。
【００３２】
（３）蒸着操作
次に、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス基板を、ゲートバルブ１１を介してチャンバー１０と接合された基板ストック装置（不図示）にセットした。次に、基板ストック装置内を、真空排気系（不図示）を介して１．０×１０-4Ｐａ以下まで排気した。次に、チャンバー１０内も、真空排気系（不図示）を介して１．０×１０-4Ｐａ以下まで排気した。次に、ヒーター２３でルツボ２２を２００℃まで加熱した。加熱する際に、ヒーターパワーはルツボ２２の底面付近の温度を基に制御した。
【００３３】
次に、以下に示す方法で蒸着操作を行った。まずルツボ２２の底面付近の温度を２００℃のまま３０分保持してＡｌｑ3の脱ガスを行った。次に、第１の膜厚センサー３１において蒸着レートが１．０ｎｍ／ｓｅｃとなる温度までルツボ２２を加熱した。ここで第１の膜厚センサー３１において、蒸着レートが１．０ｎｍ／ｓｅｃになるように蒸発源２０を制御した。次に、基板ストック装置（不図示）から基板搬送機構（不図示）を用いて、チャンバー１０へ基板５０を搬入し、基板５０上に蒸着膜の成膜を行った。次に、成膜を終えた基板５０を直ちに搬出して、次の基板５０を搬入するというプロセスで、複数の基板５０について連続的に成膜を行った。尚、基板の成膜を行う際に蒸着レートを上述した一定の条件に維持した。
【００３４】
（４）膜厚センサーの切り替え操作
図５は、本実施例における膜厚及び水晶振動子の経時変化を示す図である。尚、本実施例で使用した水晶振動子は、図１で示される特性を有している。
【００３５】
（４−１）ならし操作（〜Ｔ１）
まず第１の膜厚センサー３１のみを開放し、図１に示される水晶振動子の特性を考慮して、Ｔ１の時点、即ち、水晶振動子周波数が膜厚変動の少ない領域である５．９６ＭＨｚに減少するまで、第１の膜厚センサー３１に蒸着膜を付着させるならしの操作を行った。
【００３６】
（４−２）第１の膜厚センサーによる蒸着レートのモニター（Ｔ１〜Ｔ２）
第１の膜厚センサーに備わっている水晶振動子の周波数が５．９６ＭＨｚに減少したところで、基板５０の中心部分で膜厚が１００ｎｍとなるように成膜を開始した。尚、基板５０の中央部付近の膜厚は触針式段差計により測定した。図５に示されるように、この段階では、形成される蒸着膜の膜厚は約１００ｎｍと安定していた。
【００３７】
（４−３）第２の膜厚センサーの開放（Ｔ２〜Ｔ３）
次に、Ｔ２の時点で、第２の膜厚センサー３２の近傍に設けられているセンサーシャッター３３を開放し、第２の膜厚センサー３２に蒸着膜を付着させるならしの操作を行った。尚、第２の膜厚センサー３２における「ならしの操作」を行う時間は、第１の膜厚センサー３１における「ならしの操作」を行う時間とほぼ同様としてもよい。この場合、第２の膜厚センサーを開放するタイミングＴ２は、第１の膜厚センサーの使用時間と、第２の膜厚センサー３２における「ならしの操作」を行う時間と、を予め見積もってから適宜設定する必要がある。ただしセンサーシャッター３を適宜開閉することで、第２の膜厚センサー２の水晶振動子周波数が５．９６ＭＨｚになるように調整してもよい。この場合では第２の膜厚センサーを最初に開放するタイミングは、Ｔ２より以前でもよい。
【００３８】
（４−４）第２の膜厚センサーによる蒸着レートのモニター（Ｔ３〜Ｔ４）
第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が、それぞれ５．８８ＭＨｚ、５．９６ＭＨｚに減少した時点（Ｔ３）で、蒸着レートのモニターを第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２に切り替えた。そしてＴ３から第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（Ｔ４）まで第２の膜厚センサー３２を使用して蒸着源２０の制御を行った。
【００３９】
この結果、水晶振動子の膜厚変動の少ない周波数帯域（５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚ）において２種類の膜厚センサー（３１、３２）を使用することができたため、図５に示されるように、蒸着膜の膜厚を１００ｎｍ±１．０％の範囲に収めることができた。
【００４０】
［比較例１］
実施例１において、第１の膜厚センサー３１の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（実施例１におけるＴ３の時点）まで第２の膜厚センサー３２を開放しなかったことを除いては、実施例１と同様の方法により複数の基板に成膜を行った。本比較例の場合、第１の膜厚センサー３１と第２の膜厚センサー３２とを同時に開放する期間（Ｔ２〜Ｔ３）がないため、第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（Ｔ４´）までの時間は、Ｔ４よりも長くなっている。
【００４１】
その結果、図６に示されるように、目標膜厚１００ｎｍに対して、測定膜厚の誤差は±３．０％となった。よって、従来例である本比較例の方法よりも、本発明の方法が優れているとわかった。
【符号の説明】
【００４２】
１（２）：真空蒸着装置、１０：チャンバー、１１：ゲートバルブ、２０：蒸着源、２１：有機エレクトロルミネッセンス材料、２２：ルツボ、２３：ヒーター、２４：蓋、２５：リフレクター、３１：第１の膜厚センサー、３２：第２の膜厚センサー、３３：センサーシャッター、３４：連装式膜厚モニター、３５：ホルダー、３６：水晶振動子、３７：カバー、３８：開口部、４１：マスク、４２：マスク保持手段、５０：基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着方法及びこの方法を利用するための装置に関するもので、特に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する際に好適な装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、一般的に透明導電膜（例えば、インジウム錫酸化物）からなる陽極と金属（例えば、Ａｌ）からなる陰極との間に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む単層又は複数層の有機薄膜層を設けてなる電子素子である。陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子が、それぞれ正孔輸送層、電子輸送層を介して発光層で再結合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子は光を出力する。
【０００３】
ところでこの有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一つとして、真空蒸着法が知られている。ここで真空蒸着法とは、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成材料をルツボに入れ、真空装置内で当該材料の気化温度以上にルツボの温度を加熱することで、ルツボから出てくる（気化状態の）材料を基板等の被蒸着部材に堆積して薄膜を形成する方法である。
【０００４】
この真空蒸着法を採用して被蒸着部材に材料を堆積させる場合、水晶振動子を有する膜厚センサーにより蒸着レートをモニターし、有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸発量を制御する方法が知られている。具体的には、基板の近くに水晶振動子を有する膜厚センサーを配置し、センサーが備える水晶振動子にも有機エレクトロルミネッセンス材料を蒸着させて、この蒸着によって生じた水晶振動子の固有振動周波数の変化を蒸着膜厚に変換する方法である。この方法では蒸着レートを水晶振動子によってモニターしているため、成膜中の基板への有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜厚を把握することが可能になり、基板上での膜厚を目標とする値に合わせることが可能となる。
【０００５】
しかし水晶振動子を利用する方法では、水晶振動子に蒸着する有機エレクトロルミネッセンス材料の量が増すに従い、膜厚モニターが示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、実際に基板上にて成膜される蒸着膜の膜厚との間に差異が生じてくる。これは、水晶振動子に蒸着する有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着量に従って、水晶振動子の固有振動周波数が変化することに起因する。図１は、水晶振動子の固有振動周波数減衰に伴う基板上での蒸着膜厚の変化の一例を示す図である。図１に示される例では、初期振動周波数が６．０ＭＨｚタイプの水晶振動子を用いており、複数枚の基板に一定時間蒸着した内の代表的な基板の蒸着膜厚を示している。図１において、水晶振動子の使用初期の状態（固有振動周波数：５．９８５ＭＨｚ）において一定時間蒸着操作を行った場合、基板上の蒸着膜厚が約９７ｎｍである。ここで有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸発量を制御するために、当該材料の蒸着レートは常にモニターしているため、時間の経過とともに水晶振動子の固有振動周波数が次第に減衰する。ここで固有振動周波数が５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚの範囲にある状態では、蒸着膜の膜厚が約１００ｎｍで安定するが、固有振動周波数のさらなる減衰とともに形成される蒸着膜の膜厚が次第に減少していく。このように、水晶振動子の固有振動周波数が減衰することに伴う基板上での蒸着膜厚と蒸着レートから算出される膜厚との差異は、蒸着膜の膜厚の目標値範囲が狭い場合に特に問題となり、製造歩留り低下の要因となる。
【０００６】
さらに、長時間の連続蒸着を行う場合、水晶振動子の寿命を考慮すると複数の水晶振動子を適宜切り替えて使用する必要がある。このように複数の水晶振動子を適宜切り替えて使用する場合においても、水晶振動子の固有振動周波数の減衰による水晶振動子がモニターしている蒸着レートと基板上での蒸着膜厚との差異が問題となる。
【０００７】
このような膜厚センサーを用いた真空蒸着方法が抱える課題を解決する方法として、例えば、特許文献１に開示される、膜厚センサーの固有振動子周波数値を媒介変数とする変換式によって基板に形成される蒸着膜厚を換算する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１８８７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、膜厚モニターの示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、基板上への実際の蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の真空蒸着方法は、蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる真空蒸着装置を用いて、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、
前記第１の膜厚センサーによる前記蒸着源の制御中において前記第２の膜厚センサーに前記蒸着膜を付着させた後に、前記第１の膜厚センサーから前記第２の膜厚センサーに切り替えて前記蒸着源の制御を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、膜厚モニターの示す蒸着材料の蒸着レート指示値と、基板上への蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供することができる。具体的には、第１の膜厚センサーにて蒸着源の蒸着レートを制御しているときに第２の膜厚センサーに一定量の蒸着膜を付着させた後、所定のタイミングで蒸着源の蒸着レートの制御を第１の膜厚センサーから第２の膜厚センサーへ切り替える。こうすることで、水晶振動子の膜厚変動の少ない領域において真空蒸着を連続して行うことが可能となる。その結果、膜厚モニターの示す蒸着レート指示値から算出される膜厚と、基板上での実際の蒸着膜厚との差異が少なくなり、膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。このため、本発明を有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適用すれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】水晶振動子の固有振動周波数減衰に伴う基板上での蒸着膜厚の変化の一例を示すグラフである。
【図２】本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第一の形態を示す模式図である。
【図３】本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第二の形態を示す模式図である。
【図４】本発明に従う実施形態における連装式膜厚モニターを示す模式図である。
【図５】実施例１における、膜厚センサーの切り替えのタイミングと、水晶振動子の周波数及び膜厚の経時変化との関係を示すグラフである。
【図６】比較例１における、膜厚センサーの切り替えのタイミングと、水晶振動子の周波数及び膜厚の経時変化との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の真空蒸着方法は、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法である。また本発明の真空蒸着方法は、蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有する真空蒸着装置において実施される。
【００１４】
上記真空蒸着装置が備える膜厚センサーは、例えば、水晶振動子を利用したセンサーであり、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる。ここで本発明の真空蒸着方法は、まず第１の膜厚センサーによる蒸着源の制御中において第２の膜厚センサーに有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜を付着させる。その後に、上記第１の膜厚センサーから上記第２の膜厚センサーに切り替えて蒸着源の制御を行う。
【００１５】
以下、図面を参照しながら、有機エレクトロルミネッセンス材料を蒸着する場合を例にとって、本発明の真空蒸着方法の実施形態について説明する。ただし、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着に限定されるものではなく、水晶振動子を膜厚センサーに用いた有機材料、無機材料の蒸着に広く適用することができる。
【００１６】
図２は、本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第一の形態を示す模式図である。図２の真空蒸着装置１は、チャンバー１０内に、蒸着源２０と、２種類の膜厚センサー（第１の膜厚センサー３１、第２の膜厚センサー３２）と、蒸着マスク４１及びこのマスクを保持する手段（マスク保持手段４２）と、を備えている。尚、図２の真空蒸着装置１において、蒸着膜が形成される基板５０は、蒸着マスク４１にて保持されている。
【００１７】
チャンバー１０には、図示していないがアライメント機構を備えている。またチャンバー１０内を排気するための真空排気系（不図示）として、迅速かつ高真空領域まで排気できる能力を持った真空ポンプを用いることが望ましい。
【００１８】
図２の真空蒸着装置１を有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置（の一部）として用いる場合は、チャンバー１０の両側面に設けられるゲートバルブ１１により他の真空装置と接合するのが望ましい。また複数の層を真空蒸着法で作製する場合では、図２の真空蒸着装置１を複数設けることが望ましい。また大型の基板に蒸着膜を形成する場合は、蒸着源２０を複数用意して、基板５０の成膜面に対して膜厚むらの少ない均一な蒸着膜形成を行うことが望ましい。
【００１９】
図２の真空蒸着装置１のチャンバー１０内に設けられている蒸着源２０は、有機エレクトロルミネッセンス材料（蒸着材料）２１が充填されているルツボ２２と、ルツボ２２を加熱するためのヒーター２３と、蓋２４と、リフレクター２５と、を備えている。この蒸着源２０は、ヒーター２３を加熱すると、ルツボ２２内に充填されている有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が、蓋２４を介して放出される。そして蒸着源２０から発生する有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気は、マスク４１を介して基板５０の成膜面上に接触する。この接触により基板５０上に蒸着膜が形成される。
【００２０】
蓋２４に設けられた開口部２４ａの開口面積、材質等は個別に異なっていてもよい。また開口部２４ａの開口形状は、円形、矩形、楕円形等、どのような形状でもよい。ここで開口部２４ａの開口面積、及び開口形状がそれぞれ異なる場合は、基板５０上での膜厚制御性がより向上する場合がある。また同じ理由で、ルツボ２２の形状、材質等は個別に異なっていてもよい。
【００２１】
尚、蓋２４に設けられる開口部２４ａと基板５０の成膜面との間に蒸着源２０から発せられる蒸気を遮断するためのシャッター（不図示）が個別に設けられていてもよい。蓋２４に設けられた開口部にシャッターを設けることにより、開口部２４ａから発生する蒸気を自由に遮断・開放することが可能になる。
【００２２】
蒸着源２０から発生する有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が被蒸着部材である基板５０に堆積する速度（蒸着レート）は、まず第１の膜厚センサー３１によってモニターされる。そして第１の膜厚センサー３１から発する電気信号によって、蒸着源２０、特に、ヒーター２３が制御されることにより有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気の量が制御される。ここで図２の真空蒸着装置１には、第１の膜厚センサー３１とは別に、第１の膜厚センサー３１を使用した後に使用する第２の膜厚センサー３２が設けられている。第２の膜厚センサー３２も第１の膜厚センサー３１と同様に有機エレクトロルミネッセンス材料２１の蒸気が基板５０に堆積する速度を制御するセンサーとして機能する。本発明の真空蒸着方法において、蒸着源２０を制御するための信号を発するセンサーは、所定のタイミングにより適宜切り替えられる。即ち、本発明の真空蒸着方法においては、所定のタイミングにより、第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２への切り替えを行い、蒸着レートのモニターを第２の膜厚センサー３２で行うプロセスが含まれる。ここで上述した切り替えを行うタイミングについては、各センサー（３１、３２）に備わっている水晶振動子の特性に応じて適宜設定される。
【００２３】
また図２の真空蒸着装置１は、第２の膜厚センサー３２の近傍に蒸着源２０から発生する蒸気を遮断するためのセンサーシャッター３３が設けられている。このセンサーシャッター３３は、第１の膜厚センサー３１による蒸着源２０の制御を行っているときに、任意のタイミングでそのシャッターが開かれる。ところで第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２には、必要に応じてパイプや遮蔽板等を設けてもよい。また第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２は、基板５０の近傍に設けられていることが望ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
本発明において、マスク４１の開口部（不図示）の形状は特に限定されるものではないが、マスク４１の開口部を高精細化して、基板５０に対して蒸着膜の微細パターンを形成してもよい。ここで開口部を高精細化したマスク４１を用いて所望のパターンで蒸着膜のパターン成膜を行う場合は、マスク４１への熱影響を考慮して、蒸着源２０を稼動手段で移動させながら成膜を行ってもよい。またマスク４１（又はマスク保持手段４２）を稼動手段によって移動させながら成膜を行ってもよい。
【００２５】
マスク保持手段４２は、必要であれば、回転機構を設けて被蒸着部材である基板５０を回転可能な状態にさせてもよい。また基板（被蒸着部材）５０は、マスク４１にて保持されていれば、マスク保持手段４２によりチャンバー内にどのように配置されていてもよい。
【００２６】
図３は、本発明の真空蒸着方法で使用される真空蒸着装置における第二の形態を示す模式図である。図３の真空蒸着装置２は、図２の真空蒸着装置１と比較して、膜厚センサー以外の部材が図２の真空蒸着装置１と共通している。
【００２７】
以下、図３の真空蒸着装置２について図２の真空蒸着装置１との相違点を中心に説明する。図３の真空蒸着装置２に備える膜厚センサー３４は、第１の膜厚センサー３１と第２の膜厚センサー３２とが、並列して設けられている。２種類のセンサーを並列的に設けることで、各センサーの環境をほぼ同一にすることができる。尚、図３の真空蒸着装置２に備える膜厚センサー３４は、図２の真空蒸着装置１と同様に、第２の膜厚センサー３２の近傍に蒸着源２１から発生する蒸気を遮断するためのセンサーシャッター３３が設けられている。
【００２８】
図４は、図３の真空蒸着装置内に備える膜厚センサーを示す平面概略図である。図３の真空蒸着装置内に備える膜厚センサー３４は、膜厚モニターが同心円状に６か所連装して設けられている。図４に示される連装式の膜厚センサー３４には、ホルダー３５に水晶振動子３６が少なくとも２つ以上装着されている。そしてカバー３７には第１の膜厚センサー３１が有する水晶振動子３６ａと、第２の膜厚センサー３２が有する水晶振動子３６ｂの位置に開口部３８が設けられている。図４に示される連装式の膜厚センサー３４を用いて蒸着膜の膜厚をモニターする場合は、第１の水晶振動子３６ａにて蒸着源の制御を行っている段階で、任意のタイミングでセンサーシャッター３３を開き、第２の水晶振動子３６ｂに一定量の蒸着膜を付着させる。そして第２の水晶振動子３６ｂに一定量の蒸着膜を付着させた後に、ホルダー３５を回転し、第１の水晶振動子３６ａの位置に第２の水晶振動子３６ｂを移動させることにより水晶振動子の切り替えを行う。以下、水晶振動子の周波数に応じてホルダー３５を回転し蒸着膜の膜厚をモニターする膜厚センサーを適宜切り替えながら蒸着膜の連続成膜を行う。
【実施例１】
【００２９】
図２の真空蒸着装置を用いて、本発明の真空蒸着方法による蒸着膜の作製を行った。
【００３０】
（１）蒸着源
まずルツボ２２に、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ3、有機エレクトロルミネッセンス材料２１）１０．０ｇを充填した。次に、このルツボ２２に蓋２４を取り付け、蒸着源２０にセットした。尚、ルツボ２２に充填されたＡｌｑ3は、蓋２４の開口部２４ａを介して蒸発する。またルツボ２２と蓋２４との接合部はフランジ形状にして、蒸発したＡｌｑ3が開口部２４ａ以外から漏れるのを防ぐように設定されている。一方、蒸着源２０は、基板５０の成膜面に対向するようにして配置すると共に、当該成膜面との距離を３００ｍｍになるように設定した。
【００３１】
（２）膜厚センサー
第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２は、基板５０に向かう蒸着源２０から発生した蒸気を遮ることのない位置に配置した。また各センサーは、蓋の開口部２４ａとの距離をそれぞれ２００ｍｍになるように設定した。ここで第１の膜厚センサー３１１及び第２の膜厚センサー３２は、初期振動周波数が６．０ＭＨｚタイプの水晶振動子を用いた。尚、本実施例において使用されている水晶振動子の膜厚変動の少ない周波数帯域は、図１に示されるように５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚである。ただし、この周波数帯域は、有機エレクトロルミネッセンス材料の種類や蒸着条件等により変化するため、これに限定されるものではない。
【００３２】
（３）蒸着操作
次に、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス基板を、ゲートバルブ１１を介してチャンバー１０と接合された基板ストック装置（不図示）にセットした。次に、基板ストック装置内を、真空排気系（不図示）を介して１．０×１０-4Ｐａ以下まで排気した。次に、チャンバー１０内も、真空排気系（不図示）を介して１．０×１０-4Ｐａ以下まで排気した。次に、ヒーター２３でルツボ２２を２００℃まで加熱した。加熱する際に、ヒーターパワーはルツボ２２の底面付近の温度を基に制御した。
【００３３】
次に、以下に示す方法で蒸着操作を行った。まずルツボ２２の底面付近の温度を２００℃のまま３０分保持してＡｌｑ3の脱ガスを行った。次に、第１の膜厚センサー３１において蒸着レートが１．０ｎｍ／ｓｅｃとなる温度までルツボ２２を加熱した。ここで第１の膜厚センサー３１において、蒸着レートが１．０ｎｍ／ｓｅｃになるように蒸発源２０を制御した。次に、基板ストック装置（不図示）から基板搬送機構（不図示）を用いて、チャンバー１０へ基板５０を搬入し、基板５０上に蒸着膜の成膜を行った。次に、成膜を終えた基板５０を直ちに搬出して、次の基板５０を搬入するというプロセスで、複数の基板５０について連続的に成膜を行った。尚、基板の成膜を行う際に蒸着レートを上述した一定の条件に維持した。
【００３４】
（４）膜厚センサーの切り替え操作
図５は、本実施例における膜厚及び水晶振動子の経時変化を示す図である。尚、本実施例で使用した水晶振動子は、図１で示される特性を有している。
【００３５】
（４−１）ならし操作（〜Ｔ１）
まず第１の膜厚センサー３１のみを開放し、図１に示される水晶振動子の特性を考慮して、Ｔ１の時点、即ち、水晶振動子周波数が膜厚変動の少ない領域である５．９６ＭＨｚに減少するまで、第１の膜厚センサー３１に蒸着膜を付着させるならしの操作を行った。
【００３６】
（４−２）第１の膜厚センサーによる蒸着レートのモニター（Ｔ１〜Ｔ２）
第１の膜厚センサーに備わっている水晶振動子の周波数が５．９６ＭＨｚに減少したところで、基板５０の中心部分で膜厚が１００ｎｍとなるように成膜を開始した。尚、基板５０の中央部付近の膜厚は触針式段差計により測定した。図５に示されるように、この段階では、形成される蒸着膜の膜厚は約１００ｎｍと安定していた。
【００３７】
（４−３）第２の膜厚センサーの開放（Ｔ２〜Ｔ３）
次に、Ｔ２の時点で、第２の膜厚センサー３２の近傍に設けられているセンサーシャッター３３を開放し、第２の膜厚センサー３２に蒸着膜を付着させるならしの操作を行った。尚、第２の膜厚センサー３２における「ならしの操作」を行う時間は、第１の膜厚センサー３１における「ならしの操作」を行う時間とほぼ同様としてもよい。この場合、第２の膜厚センサーを開放するタイミングＴ２は、第１の膜厚センサーの使用時間と、第２の膜厚センサー３２における「ならしの操作」を行う時間と、を予め見積もってから適宜設定する必要がある。ただしセンサーシャッター３を適宜開閉することで、第２の膜厚センサー２の水晶振動子周波数が５．９６ＭＨｚになるように調整してもよい。この場合では第２の膜厚センサーを最初に開放するタイミングは、Ｔ２より以前でもよい。
【００３８】
（４−４）第２の膜厚センサーによる蒸着レートのモニター（Ｔ３〜Ｔ４）
第１の膜厚センサー３１及び第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が、それぞれ５．８８ＭＨｚ、５．９６ＭＨｚに減少した時点（Ｔ３）で、蒸着レートのモニターを第１の膜厚センサー３１から第２の膜厚センサー３２に切り替えた。そしてＴ３から第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（Ｔ４）まで第２の膜厚センサー３２を使用して蒸着源２０の制御を行った。
【００３９】
この結果、水晶振動子の膜厚変動の少ない周波数帯域（５．９６ＭＨｚ〜５．８８ＭＨｚ）において２種類の膜厚センサー（３１、３２）を使用することができたため、図５に示されるように、蒸着膜の膜厚を１００ｎｍ±１．０％の範囲に収めることができた。
【００４０】
［比較例１］
実施例１において、第１の膜厚センサー３１の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（実施例１におけるＴ３の時点）まで第２の膜厚センサー３２を開放しなかったことを除いては、実施例１と同様の方法により複数の基板に成膜を行った。本比較例の場合、第１の膜厚センサー３１と第２の膜厚センサー３２とを同時に開放する期間（Ｔ２〜Ｔ３）がないため、第２の膜厚センサー３２の水晶振動子周波数が５．８８ＭＨｚに減少する時点（Ｔ４´）までの時間は、Ｔ４よりも長くなっている。
【００４１】
その結果、図６に示されるように、目標膜厚１００ｎｍに対して、測定膜厚の誤差は±３．０％となった。よって、従来例である本比較例の方法よりも、本発明の方法が優れているとわかった。
【符号の説明】
【００４２】
１（２）：真空蒸着装置、１０：チャンバー、１１：ゲートバルブ、２０：蒸着源、２１：有機エレクトロルミネッセンス材料、２２：ルツボ、２３：ヒーター、２４：蓋、２５：リフレクター、３１：第１の膜厚センサー、３２：第２の膜厚センサー、３３：センサーシャッター、３４：連装式膜厚モニター、３５：ホルダー、３６：水晶振動子、３７：カバー、３８：開口部、４１：マスク、４２：マスク保持手段、５０：基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる真空蒸着装置を用いて、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、
前記膜厚センサーが水晶振動子を利用したセンサーであって、
前記第１の膜厚センサーによる前記蒸着源の制御中において前記第２の膜厚センサーに前記蒸着膜を付着させた後に、前記第１の膜厚センサーから前記第２の膜厚センサーに切り替えて前記蒸着源の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。
【請求項２】
前記蒸着材料が有機材料であることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【請求項３】
前記第２の膜厚センサーの近傍に、前記蒸着材料の蒸気を遮断する為の機構が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の真空蒸着方法。
【請求項４】
前記膜厚センサーが連装式の膜厚モニターであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の真空蒸着方法。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなり、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の真空蒸着方法を用いて、被蒸着部材に前記有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項１】
蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記蒸着材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなる真空蒸着装置を用いて、被蒸着部材に前記蒸着材料の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、
前記膜厚センサーが水晶振動子を利用したセンサーであって、
前記第１の膜厚センサーによる前記蒸着源の制御中において前記第２の膜厚センサーに前記蒸着膜を付着させた後に、前記第１の膜厚センサーから前記第２の膜厚センサーに切り替えて前記蒸着源の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。
【請求項２】
前記蒸着材料が有機材料であることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【請求項３】
前記第２の膜厚センサーの近傍に、前記蒸着材料の蒸気を遮断する為の機構が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の真空蒸着方法。
【請求項４】
前記膜厚センサーが連装式の膜厚モニターであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の真空蒸着方法。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着レートをモニターして蒸着源の制御を行う膜厚センサーと、を有し、
前記膜厚センサーが、少なくとも第１の膜厚センサーと、第２の膜厚センサーと、からなり、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の真空蒸着方法を用いて、被蒸着部材に前記有機エレクトロルミネッセンス材料の蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１２６８９（Ｐ２０１２−１２６８９Ａ）
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５２６３４（Ｐ２０１０−１５２６３４）
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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