説明

硬化性エポキシ樹脂組成物

【課題】硬化のための加熱時間を短縮しても耐クラック性に優れた硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物(A)(式(2)を除く)と、式(1)のモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、式(2)の脂環式エポキシ化合物(C)と、硬化剤(D)又は硬化触媒(E)とを含む硬化性エポキシ樹脂組成物。


[R1及びR2は水素原子または炭素数1〜8のアルキル基]

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、硬化性エポキシ樹脂組成物、該硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物、該硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物、及び該光半導体封止用樹脂組成物を使用して光半導体素子を封止した光半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
光半導体素子(LED素子)を光源とする光半導体装置は、現在、各種の屋内又は屋外表示板、画像読み取り用光源、交通信号、大型ディスプレイ用ユニット等の様々な用途に使用されている。このような光半導体装置は、一般に、光半導体素子が透明な樹脂(封止樹脂)により封止された構造を有している。上記封止樹脂は、光半導体素子を水分や衝撃等から保護するための役割を担っている。
【0003】
近年、このような光半導体装置の高出力化や短波長化が進んでおり、例えば、青色・白色光半導体装置においては、光半導体素子から発せられる光及び熱による封止樹脂の黄変が問題となっている。このように黄変した封止樹脂は、光半導体素子から発せられた光を吸収するため、光半導体装置から出力される光の光度が経時で低下してしまう。
【0004】
従来、耐熱性に優れた光半導体用の封止樹脂として、モノアリルジグリシジルイソシアヌレートとビスフェノールA型エポキシ樹脂とを含む樹脂組成物の硬化物が知られている(特許文献1参照)。しかしながら、上記硬化物を高出力の青色・白色光半導体装置の封止樹脂として用いた場合であっても、やはり、光半導体素子から発せられる光及び熱によって着色が進行してしまい、本来出力されるべき光が吸収され、その結果、光半導体装置から出力される光の光度が経時で低下するという問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2000−344867号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
より高い耐熱性及び耐光性を有し、着色(黄変)しにくい封止樹脂として、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレートとε−カプロラクトンの付加物、1,2,8,9−ジエポキシリモネンなどの脂環骨格を有する液状の脂環式エポキシ樹脂の硬化物が知られている。しかし、これらの脂環式エポキシ樹脂の硬化物は各種応力に弱く、冷熱サイクル(加熱と冷却を繰り返すこと)のような熱衝撃が加えられた場合に、クラック(ひび割れ)が生じる等の問題を有していた。
【0007】
一方、光半導体装置の封止樹脂を形成するための硬化性樹脂には、生産性の観点から、硬化に要する加熱時間を短縮することが求められるようになってきている。しかしながら、従来の硬化性樹脂は、硬化させるための加熱時間を短くすると、硬化反応を十分かつ均一に進行させることができず、例えば、硬化物にクラックが生じやすくなったり、該クラックに起因して光半導体装置の不点灯(不灯)が生じやすくなるなどの問題が発生していた。
【0008】
また、光半導体装置は、通常、はんだ付けにより該光半導体装置の電極を配線基板に接合するためのリフロー工程(はんだリフロー工程)を経る。近年、接合材としてのはんだとして、融点の高い無鉛はんだが使用されるようになってきており、リフロー工程での加熱処理がより高温(例えば、ピーク温度が240〜260℃)で実施されるようになってきている。このような状況下、従来の光半導体装置においては、リフロー工程での加熱処理により封止樹脂が光半導体装置のリードフレームから剥離したり、クラックを生じたりすること等により、リフロー工程後に光度が低下してしまうという問題が発生していた。
【0009】
このため、光半導体装置には、リフロー工程による光度低下が生じにくいこと、特に、より高い信頼性を確保する観点から、吸湿処理した後、さらに引き続きリフロー工程にて加熱処理した場合であっても、光度低下が生じにくい特性(「吸湿後の耐はんだリフロー性」と称する場合がある)が求められるようになってきている。
【0010】
従って、本発明の目的は、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を形成し、特に、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても耐クラック性に優れた硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備え、短い時間で製造可能であり、生産性に優れる硬化物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が抑制された光半導体装置を短時間で製造できる、上記硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止することにより得られる、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が抑制され、なおかつ短時間で製造可能であり生産性に優れる光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定の脂環式エポキシ化合物、及びモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物を必須成分として含み、さらに硬化剤又は硬化触媒を含む硬化性エポキシ樹脂組成物が、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を形成し、特に、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても耐クラック性に優れた硬化物を形成でき、該硬化物にて光半導体素子を封止した光半導体装置は、経時での光度低下が生じにくく、なおかつ生産性に優れることを見出し、本発明を完成させた。なお、本明細書において「耐クラック性」とは、硬化物(特に光半導体素子の封止樹脂)にクラックが生じにくい特性をいう。
【0012】
すなわち、本発明は、脂環式エポキシ化合物(A)(下記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物を除く)と、下記式(1)
【化1】

[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1〜8のアルキル基を示す]
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、下記式(2)
【化2】

で表される脂環式エポキシ化合物(C)と、硬化剤(D)又は硬化触媒(E)とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0013】
さらに、前記脂環式エポキシ化合物(A)が、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0014】
さらに、前記脂環式エポキシ化合物(A)が、下記式(I−1)
【化3】

で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0015】
さらに、前記脂環式エポキシ化合物(C)が、有機溶媒中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4´−ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させた下記式(3)
【化4】

で表されるビシクロヘキシル−3,3´−ジエンであって、該ビシクロヘキシル−3,3´−ジエン化合物の異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20%未満であるビシクロヘキシル−3,3´−ジエンをエポキシ化することにより得られる脂環式エポキシ化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0016】
さらに、硬化促進剤(F)を含む前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0017】
また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物を提供する。
【0018】
また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【0019】
また、本発明は、前記の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【0020】
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は上記構成を有するため、該樹脂組成物を硬化させることにより、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を得ることができる。特に、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、硬化速度が速く、短い時間で硬化反応を十分かつ均一に進行させることができるため、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても、優れた耐クラック性を有する硬化物を形成できる。このため、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止した光半導体装置は、光度が経時で低下しにくく、優れた品質及び耐久性を有し、さらには、生産性も高い。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】図1は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物で素子(光半導体素子)を封止した光半導体装置の一実施形態を示す概略図である。左側の図(a)は斜視図であり、右側の図(b)は断面図である。
【図2】図2は、実施例のはんだ耐熱性試験における光半導体装置の表面温度プロファイル(リフロー炉内での二度の加熱のうち一方の加熱における温度プロファイル)の一例である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
<硬化性エポキシ樹脂組成物>
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物(A)(下記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物を除く)と、下記式(1)
【化5】

[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1〜8のアルキル基を示す]
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、下記式(2)
【化6】

で表される脂環式エポキシ化合物(C)と、硬化剤(D)又は硬化触媒(E)とを少なくとも含む樹脂組成物である。
【0023】
[脂環式エポキシ化合物(A)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物(A)は、分子内(1分子内)に脂環(脂肪族環)構造とエポキシ基とを少なくとも有する化合物である。より具体的には、脂環式エポキシ化合物(A)には、例えば、(i)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基(「脂環エポキシ基」と称する場合がある)を有する化合物、及び(ii)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物等が含まれる。但し、脂環式エポキシ化合物(A)には、上記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物(C)は含まれないものとする。
【0024】
(i)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基(脂環エポキシ基)を有する化合物としては、公知乃至慣用のものの中から任意に選択して使用することができ、特に限定されない。中でも、上記化合物は、シクロヘキサン環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有すること、即ち、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物であることが好ましい。
【0025】
(i)脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基(脂環エポキシ基)を有する化合物としては、特に、透明性、耐熱性の点で、下記式(I)で表される脂環式エポキシ化合物(脂環式エポキシ樹脂)が好ましい。
【化7】

式(I)中、Xは連結基(1以上の原子を有する2価の基)を示す。上記連結基としては、例えば、2価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル基(エーテル結合)、チオエーテル基(チオエーテル結合)、エステル基(エステル結合)、カーボネート基(カーボネート結合)、アミド基(アミド結合)、及びこれらが複数個連結した基等が挙げられる。
【0026】
上記2価の炭化水素基としては、炭素数が1〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。炭素数が1〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、1,2−シクロペンチレン基、1,3−シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、1,2−シクロヘキシレン基、1,3−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等の2価のシクロアルキレン基(シクロアルキリデン基を含む)などが挙げられる。
【0027】
上記連結基Xとしては、中でも、酸素原子を含有する連結基が好ましく、具体的には、−CO−(カルボニル基)、−O−CO−O−(カーボネート基)、−COO−(エステル基)、−O−(エーテル基)、−CONH−(アミド基)、これらの基が複数個連結した基、これらの基の1又は2以上と2価の炭化水素基の1又は2以上とが連結した基などが挙げられる。2価の炭化水素基としては、例えば、上記で例示したものが挙げられる。
【0028】
上記式(I)で表される脂環式エポキシ化合物の代表的な例としては、下記式(I−1)〜(I−8)で表される化合物などが挙げられる。例えば、商品名「セロキサイド2021P」、「セロキサイド2081」(ダイセル化学工業(株)製)等の市販品を使用することもできる。なお、下記式(I−1)〜(I−8)中、l、mは、1〜30の整数を表す。Rは炭素数1〜8のアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、s−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が挙げられる。これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基等の炭素数1〜3の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が好ましい。
【0029】
【化8】

【0030】
(ii)脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物としては、例えば、下記式(II)で表される化合物が挙げられる。
【化9】

式(II)中、R’はp価のアルコールからp個の−OHを除した基であり、p、nは自然数を表す。p価のアルコール[R’−(OH)p]としては、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノール等の多価アルコールなど(炭素数1〜15のアルコール等)が挙げられる。pは1〜6が好ましく、nは1〜30が好ましい。pが2以上の場合、それぞれの( )内(丸括弧内)の基におけるnは同一であってもよく、異なっていてもよい。上記化合物としては、具体的には、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物、商品名「EHPE 3150」(ダイセル化学工業(株)製)などが挙げられる。
【0031】
脂環式エポキシ化合物(A)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記の中でも、脂環式エポキシ化合物(A)としては、上記式(I−1)で表される3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート、商品名「セロキサイド2021P」が特に好ましい。
【0032】
脂環式エポキシ化合物(A)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が硬化剤(D)を必須成分として含む場合には、硬化性エポキシ樹脂組成物(100重量%)に対して、10〜90重量%が好ましく、より好ましくは15〜80重量%、さらに好ましくは18〜70重量%である。一方、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が硬化触媒(E)を必須成分として含む場合には、脂環式エポキシ化合物(A)の使用量(含有量)は、硬化性エポキシ樹脂組成物(100重量%)に対して、25〜90重量%が好ましく、より好ましくは30〜85重量%、さらに好ましくは35〜80重量%である。
【0033】
また、脂環式エポキシ化合物(A)とモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)との総量(100重量%)に対する、脂環式エポキシ化合物(A)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、50〜90重量%が好ましく、より好ましくは60〜90重量%、さらに好ましくは70〜90重量%である。脂環式エポキシ化合物(A)の使用量が50重量%未満では、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)の溶解性が十分でなく、室温に置くと析出しやすくなる場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物(A)の使用量が90重量%を超えると、硬化物の耐クラック性が低下する場合がある。
【0034】
[モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)は、下記の一般式(1)で表される。
【化10】

上記式(1)中、R1及びR2は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数1〜8のアルキル基を示す。
【0035】
炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の炭素数1〜3の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。上記式(1)中のR1及びR2は、水素原子であることが特に好ましい。
【0036】
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)の代表的な例としては、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、1−アリル−3,5−ビス(2−メチルエポキシプロピル)イソシアヌレート、1−(2−メチルプロペニル)−3,5−ジグリシジルイソシアヌレート、1−(2−メチルプロペニル)−3,5−ビス(2−メチルエポキシプロピル)イソシアヌレート等が挙げられる。
【0037】
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)は、上記脂環式エポキシ化合物(A)に溶解する範囲で任意に混合でき、脂環式エポキシ化合物(A)とモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)の割合は特に限定されないが、脂環式エポキシ化合物(A):モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)が50:50〜90:10(重量比)であることが好ましい。この範囲外では、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)の溶解性が得られにくくなる。
【0038】
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)は、アルコールや酸無水物など、エポキシ基と反応する化合物を加えてあらかじめ変性して用いても良い。
【0039】
[脂環式エポキシ化合物(C)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物(C)は、下記の一般式(2)で表される化合物(3,4,3´,4´−ジエポキシビシクロヘキシル)である。
【化11】

【0040】
脂環式エポキシ化合物(C)は、公知乃至慣用の方法により製造することが可能である。具体的には、例えば、下記式(3)で表されるビシクロヘキシル−3,3´−ジエンを、公知乃至慣用の方法によりエポキシ化することによって製造することができる。なお、上記ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンは、例えば、下記式(4)で表される4,4´−ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応によって製造することができる。
【化12】

【化13】

【0041】
中でも、脂環式エポキシ化合物(C)は、有機溶剤中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4´−ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させたビシクロヘキシル−3,3´−ジエンであって、該ビシクロヘキシル3,3´−ジエンの異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル3,3´−ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20%未満であるビシクロヘキシル−3,3´−ジエン(「高純度ビシクロヘキシル−3,3´−ジエン」と称する場合がある)を、エポキシ化することによって得られる脂環式エポキシ化合物であることが好ましい。なお、ビシクロヘキシル3,3´−ジエンの異性体とは、例えば、シクロヘキサン環上の不飽和結合の位置が異なる化合物を意味する。このような方法により得られた脂環式エポキシ化合物(C)は、不純物としての脂環式エポキシ化合物(C)の異性体(例えば、シクロヘキサン環上のエポキシ基の位置が異なる異性体等)の含有量が少ないため、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性に優れた硬化物、特に、硬化のための加熱時間を短くした場合でも、耐クラック性に優れた硬化物が得られる点で、好ましい。
【0042】
上記高純度ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンは、4,4´−ジヒドロキシビシクロヘキシルを、例えば、(i)有機溶媒中、反応条件下において液状又は反応液に溶解する脱水触媒の存在下、20Torr(2.67kPa)を超える圧力下で130〜230℃の温度に加熱し、副生する水を留去しながら脱水反応を行う工程、及び(ii)工程(i)に続いて、反応混合液を200Torr(26.7kPa)以下の圧力下で50〜220℃の温度に加熱して、ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンを留出させる工程を含む方法により反応により製造でき、より詳細には、特開2008−31424号公報に開示された製造方法により製造することができる。
【0043】
上記高純度ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンにおける、ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンの異性体の含有量は、ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として、18.5%以下がより好ましく、さらに好ましくは18%以下、特に好ましくは16%以下、最も好ましくは15%以下である。
【0044】
ビシクロヘキシル−3,3´−ジエン及びその異性体のガスクロマトグラフィーによる定量分析は、例えば、下記の測定条件で行うことができる。なお、ビシクロヘキシル−3,3´−ジエン化合物とその異性体の構造は、例えば、NMR、GC−MS、GC−IR等によって確認することができる。
測定装置:HP6890(ヒューレットパッカード製)
カラム:HP−5、長さ60m、内径0.32mm
液相 5%−ジフェニル−95%−ジメチルポリシロキサン
キャリアガス:窒素
キャリアガス流量:2.6ml/分
検出器:FID
注入口温度:250℃
検出器温度:250℃
昇温パターン(カラム):60℃で5分保持、10℃/分で300℃まで昇温
スプリット比:100
サンプル:1μl
【0045】
上記高純度ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンをエポキシ化して脂環式エポキシ化合物(C)を得る方法(エポキシ化の方法)は、公知乃至慣用の方法を適用することができ、特に限定されないが、特に、安全性、経済性、収率等の観点から、有機過カルボン酸を用いる方法が好ましい。より詳細には、例えば、特開2008−31424号公報に開示された方法により、上記高純度ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンのエポキシ化を実施することができる。
【0046】
なお、脂環式エポキシ化合物(C)に含まれる、脂環式エポキシ化合物(C)の異性体の含有量(異性体比率)についても、脂環式エポキシ化合物(C)とその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20%未満(より好ましくは18.5%以下、さらに好ましくは18%以下、特に好ましくは16%以下)が好ましい。
【0047】
脂環式エポキシ化合物(C)の異性体の含有量は、下記の測定条件で測定することができる。また、脂環式エポキシ化合物(C)のとその異性体の構造は、例えば、NMR、GC−MS、GC−IR等によって確認することができる。
測定装置:HP6890(ヒューレットパッカード社製)
カラム:HP−5、長さ30m、膜厚0.25μm、内径0.32mm
液相 5%−ジフェニル−95%−ジメチルポリシロキサン
キャリアガス:窒素
キャリアガス流量:1.0ml/分
検出器:FID
注入口温度:250℃
検出器温度:300℃
昇温パターン(カラム):100℃で2分保持、5℃/分で300℃まで昇温、30 0℃で10分保持
スプリット比:100
サンプル:1μl(脂環式エポキシ化合物:アセトン=1:40)
【0048】
脂環式エポキシ化合物(C)としては、例えば、商品名「セロキサイド8000」(ダイセル化学工業(株)製)などの市販品を用いることもできる。
【0049】
脂環式エポキシ化合物(C)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれる成分(A)と成分(B)の合計量(100重量部)に対して、0.2〜90重量部が好ましく、より好ましくは0.6〜80重量部、さらに好ましくは1〜70重量部、特に好ましくは5〜50重量部、最も好ましくは8〜20重量部である。脂環式エポキシ化合物(C)の使用量が0.2重量部未満であると、特に、硬化時間を短くした場合の硬化物の耐クラック性が低下する場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物(C)の使用量が90重量部を超えると、耐クラック性が低下する場合がある。
【0050】
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物として、上記脂環式エポキシ化合物(A)と脂環式エポキシ化合物(C)の両方を必須成分として含むことにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性に優れた硬化物を形成できる。また、本発明の硬化性樹脂組成物は上記構成を有することで、特に、硬化時間を短くした場合であっても十分かつ均一に硬化反応を進行させやすく、このような短時間の硬化により得られた硬化物は優れた耐クラック性を発揮できる。このため、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いることで、硬化物(特に、光半導体装置)の性能及び生産性を向上させることができる。
【0051】
[硬化剤(D)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する硬化剤(D)は、エポキシ基を有する化合物を硬化させる働きを有する。硬化剤(D)としては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。中でも、硬化剤(D)としては、25℃で液状の酸無水物が好ましく、より具体的には、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。また、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの常温(約25℃)で固体状の酸無水物についても、常温(約25℃)で液状の酸無水物に溶解させて液状の混合物とすることで、硬化剤(D)として使用することができる。硬化剤(D)としては、硬化物の耐熱性、耐光性の観点で、特に、飽和単環炭化水素ジカルボン酸の無水物(環にアルキル基等の置換基が結合したものも含む)が好ましい。硬化剤(D)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用できる。
【0052】
また、本発明においては、硬化剤(D)として、商品名「リカシッド MH−700」(新日本理化(株)製)、商品名「HN−5500」(日立化成工業(株)製)等の市販品を使用することもできる。
【0053】
硬化剤(D)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量(100重量部)に対して、50〜200重量部が好ましく、より好ましくは100〜145重量部である。より具体的には、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物中に含有する全てのエポキシ基を有する化合物におけるエポキシ基1当量当たり、0.5〜1.5当量となる割合で使用することが好ましい。硬化剤(D)の使用量が50重量部を下回ると、硬化が不十分となり、硬化物の強靱性が低下する傾向がある。一方、硬化剤(D)の使用量が200重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。
【0054】
[硬化触媒(E)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上述の硬化剤(D)の代わりに、硬化触媒(E)を含んでいてもよい。硬化剤(D)を用いた場合と同様に、硬化触媒(E)を用いることにより、エポキシ基を有する化合物の硬化反応を進行させ、硬化物を形成させることができる。上記硬化触媒(E)としては、特に限定されないが、例えば、紫外線照射又は加熱処理を施すことによりカチオン種を発生して、重合を開始させることができるカチオン触媒(カチオン重合開始剤)を用いることができる。硬化触媒(E)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0055】
紫外線照射によりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、ヘキサフルオロアンチモネート塩、ペンタフルオロヒドロキシアンチモネート塩、ヘキサフルオロホスフェート塩、ヘキサフルオロアルゼネート塩などを挙げることができる。また、上記カチオン触媒としては、例えば、商品名「UVACURE1590」(ダイセル・サイテック(株)製)、商品名「CD−1010」、「CD−1011」、「CD−1012」(以上、米国サートマー製)、商品名「イルガキュア264」(チバ・ジャパン(株)製)、商品名「CIT−1682」(日本曹達(株)製)等の市販品を好ましく使用することもできる。
【0056】
加熱処理を施すことによりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、アリールヨードニウム塩、アリールスルホニウム塩、アレン−イオン錯体などを挙げることができる。上記カチオン触媒としては、例えば、商品名「PP−33」、「CP−66」、「CP−77」(以上、(株)ADEKA製)、商品名「FC−509」(スリーエム製)、商品名「UVE1014」(G.E.製)、商品名「サンエイド SI−60L」、「サンエイド SI−80L」、「サンエイド SI−100L」、「サンエイド SI−110L」(以上、三新化学工業(株)製)、商品名「CG−24−61」(チバ・ジャパン(株)製)等の市販品を好ましく使用することができる。上記カチオン触媒としては、さらに、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とトリフェニルシラノール等のシラノールとの化合物、又は、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とビスフェノールS等のフェノール類との化合物などを用いることもできる。
【0057】
硬化触媒(E)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量(100重量部)に対して、0.01〜15重量部が好ましく、より好ましくは0.01〜12重量部、さらに好ましくは0.05〜10重量部、特に好ましくは0.1〜10重量部である。硬化触媒(E)を上記範囲内で使用することにより、耐熱性、耐光性、透明性に優れた硬化物を得ることができる。
【0058】
[硬化促進剤(F)]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化促進剤(F)を含んでいてもよい。硬化促進剤(F)は、エポキシ基を有する化合物が硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。特に、硬化剤(D)と併用することが多い。硬化促進剤(F)としては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU)、及びその塩(例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩);1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5(DBN)、及びその塩(例えば、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、4級アンモニウム塩、ヨードニウム塩);ベンジルジメチルアミン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、N,N−ジメチルシクロヘキシルアミンなどの3級アミン;2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類;リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラ(p−トリル)ボレートなどのホスホニウム化合物;オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩;金属キレートなどが挙げられる。上記硬化促進剤(F)は単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0059】
また、本発明においては、硬化促進剤(F)として、商品名「U−CAT SA 506」、「U−CAT SA 102」、「U−CAT 5003」、「U−CAT 410」、「U−CAT 18X」、「12XD(開発品)」(いずれもサンアプロ(株)製)、商品名「TPP−K」、「TPP−MK」(いずれも北興化学工業(株)製)、商品名「PX−4ET」(日本化学工業(株)製)等の市販品を使用することもできる。
【0060】
硬化促進剤(F)の使用量(含有量)は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量(100重量部)に対して、0.05〜5重量部が好ましく、より好ましくは0.1〜3重量部、さらに好ましくは0.2〜3重量部、特に好ましくは0.25〜2.5重量部である。硬化促進剤(F)の使用量が0.05重量部を下回ると、硬化促進効果が不十分となる場合がある。一方、硬化促進剤(F)の使用量が5重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。
【0061】
[ゴム粒子]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、ゴム粒子を含んでいてもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、粒子状NBR(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)、反応性末端カルボキシル基NBR(CTBN)、メタルフリーNBR、粒子状SBR(スチレン−ブタジエンゴム)等が挙げられる。また、上記ゴム粒子は、ゴム弾性を有するコア部分と、該コア部分を被覆する少なくとも1層のシェル層とから成る多層構造(コアシェル構造)を有し、表面に脂環式エポキシ樹脂と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有し、平均粒子径が10nm〜500nm、最大粒子径が50nm〜1000nmであるゴム粒子であって、該ゴム粒子の屈折率と当該硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の屈折率との差が±0.02以内であるゴム粒子であってもよい。上記ゴム粒子の配合量は、必要に応じて適宜調整することができ、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量(100重量部)に対して、1〜30重量部が好ましく、より好ましくは1〜20重量部である。ゴム粒子の使用量が1重量部を下回ると、耐クラック性が低下する傾向がある。一方、ゴム粒子の使用量が30重量部を上回ると、耐熱性及び透明性が低下する傾向がある。
【0062】
[添加剤]
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を使用することができる。添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの水酸基を有する化合物を使用すると、反応(硬化反応)を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナなどの無機充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体、離型剤などの慣用の添加剤を使用することができる。
【0063】
<硬化物>
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物を得ることができる。硬化の際の加熱温度(硬化温度)としては、特に限定されないが、45〜200℃が好ましく、より好ましくは100〜190℃、さらに好ましくは100〜180℃である。また、硬化の際に加熱する時間(硬化時間)としては、特に限定されないが、20〜600分が好ましく、より好ましくは25〜540分、さらに好ましくは30〜480分である。硬化温度が低すぎる場合、及び/又は、硬化時間が短すぎる場合は、硬化が不十分となる場合がある。一方、硬化温度が高すぎる場合、及び/又は、硬化時間が長すぎる場合は、樹脂成分の分解が起こる場合がある。硬化条件は種々の条件に依存するが、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。
【0064】
特に、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、硬化時間を短縮した場合(例えば、硬化条件を40〜200℃で20〜60分とした場合)であっても、十分かつ均一に硬化反応を進行させることができるため、生産性に優れ、コスト面でも有利である。特に、硬化時間の短縮(生産性向上)と硬化物の耐クラック性向上とを両立可能である点で、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は有用である。
【0065】
<光半導体封止用樹脂組成物>
本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる。本発明の光半導体封止用樹脂組成物を用いることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物により光半導体素子が封止された、生産性の高い光半導体装置が得られる。
【0066】
<光半導体装置>
本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物(光半導体封止用樹脂組成物)で光半導体素子を封止することにより得られる。光半導体素子の封止は、上述の方法で調製された硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行う。これにより、硬化性エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置が得られる。封止の際の硬化温度と硬化時間としては、例えば、上記硬化物を形成する際と同様の条件を採用することができる。本発明の光半導体装置は、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物(光半導体封止用樹脂組成物)の硬化物により光半導体素子が封止された構成を有しているため、リフロー工程(特に、吸湿後のリフロー工程)による光度低下及び経時での光度低下が生じにくく、耐久性に優れる。特に、本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物による光半導体素子の封止の際の硬化時間を短くした場合であっても、硬化物(封止材)が優れた耐クラック性を有するため、生産性にも優れる。
【0067】
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記の光半導体素子の封止用途(光半導体封止用)に限定されず、例えば、接着剤、電気絶縁材、積層板、コーティング、インク、塗料、シーラント、レジスト、複合材料、透明基材、透明シート、透明フィルム、光学素子、光学レンズ、光学部材、光造形、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池基板、光導波路、導光板、ホログラフィックメモリなどの用途にも好ましく使用することができる。
【実施例】
【0068】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【0069】
製造例1
(硬化剤、硬化促進剤、及び添加剤の混合物(以下、「D剤」と称する)の製造)
硬化剤[新日本理化(株)製、商品名「リカシッド MH−700」]:100重量部、硬化促進剤[サンアプロ(株)製、商品名「U−CAT 18X」]:0.5重量部、及び添加剤[和光純薬工業(株)製、商品名「エチレングリコール」]:1重量部を、自公転式攪拌装置[(株)シンキー製、商品名「あわとり練太郎AR−250」]を使用して均一に混合し、脱泡してD剤を得た。
【0070】
製造例2
(エポキシ樹脂の製造)
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート[商品名「MA−DGIC」、四国化成工業(株)]、脂環式エポキシ化合物[商品名「セロキサイド2021P」、商品名「セロキサイド8000」、ともにダイセル化学工業(株)製]、ビスフェノールA型エポキシ樹脂[商品名「YD−128」、新日鐵化学(株)製]を、表1に示す配合処方(配合割合)(単位:重量部)に従って混合し、80℃で1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレートを溶解させ、エポキシ樹脂(エポキシ樹脂組成物)を得た。
【0071】
実施例1〜8、比較例1、2
製造例2にて得たエポキシ樹脂と、製造例1にて得たD剤又は硬化触媒[商品名「サンエイド SI−100L」、三新化学工業(株)製]とを、表1に示す配合処方(単位:重量部)となるように、各成分を自公転式攪拌装置[(株)シンキー製、商品名「あわとり練太郎AR−250」]を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
この硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示すように光半導体のリードフレーム(InGaN素子、3.5mm×2.8mm)に注型した後、表1に示す硬化条件(条件−1、条件−2、条件−3)でオーブン中で加熱することにより、硬化した樹脂(硬化物)で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。なお、図1において、100はリフレクター(光反射用樹脂組成物)、101は金属配線、102は光半導体素子、103はボンディングワイヤ、104は透明封止樹脂(硬化物)を示す。
以下、実施例1〜7、比較例1、2においては、表1に示す条件−1(110℃で2時間、続いて150℃で3時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置A」と称し、表1に示す条件−3(110℃で0.5時間、続いて150℃で0.5時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置B」と称する。同様に、実施例8においては、表1に示す条件−2(110℃で3時間、続いて140℃で4時間)の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置A」と称し、表1に示す条件−3の硬化条件にて得られた光半導体装置を「光半導体装置B」と称する。
【0072】
<評価>
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置について、以下の方法で評価試験を行った。
【0073】
[耐熱性試験]
実施例及び比較例で得られた光半導体装置Aの全光束を、全光束測定機を用いて測定した(「0時間の全光束」とする)。
さらに、60℃の恒温槽内で300時間、光半導体装置Aに40mAの電流を継続的に流した後の全光束を測定した(「300時間後の全光束」とする)。そして、次式より光度保持率を算出した。結果を表1の「光度保持率」の欄に示す。
{光度保持率(%)}
={300時間後の全光束(lm)}/{0時間の全光束(lm)}×100
【0074】
[透明性試験]
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の型に注型し、表1に示す硬化条件[実施例1〜7、比較例1、2においては条件−1、実施例8においては条件−2]で、オーブン中で加熱し、厚さ3mmのプレート(硬化物)を作製した。上記プレートの波長450nmの光の光線透過率を、分光光度計を用いて測定した。結果を表1の「光線透過率」の欄に示す。
【0075】
[耐クラック性試験]
実施例及び比較例で得られた光半導体装置A(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いた)及び光半導体装置B(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いた)に対し、−40℃の雰囲気下に15分曝露し、続いて、120℃の雰囲気下に15分曝露することを1サイクルとした熱衝撃を、熱衝撃試験機を用いて400サイクル分与えた。その後、光半導体装置における硬化物(封止材)に生じたクラックの長さをデジタルマイクロスコープ[商品名「VHX−900」、(株)キーエンス製]で観察し、5個の光半導体装置のうち、長さ90μm以上のクラックが生じた光半導体装置の個数(「クラック装置数」と称する場合がある)を計測した。結果を表1の「クラック装置数」の欄に示す。
【0076】
[はんだ耐熱性試験]
実施例及び比較例で得られた光半導体装置A(各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個用いた)の全光束を全光束測定機にて測定し、「全光束初期値」とした。
その後、上記光半導体装置Aを30℃、70%RHの条件下で168時間静置して吸湿させ、次いで、上記光半導体装置Aをリフロー炉に入れ、下記加熱条件にて加熱した。その後、上記光半導体装置Aを室温環境下に取り出して放冷した後、再度リフロー炉に入れて同条件で加熱した。即ち、当該はんだ耐熱性試験においては、光半導体装置Aに対して下記加熱条件による熱履歴を二度与えた。
〔加熱条件(光半導体装置Aの表面温度基準)〕
(1)予備加熱:150〜190℃で60〜120秒
(2)予備加熱後の本加熱:217℃以上で60〜150秒、最高温度260℃
ただし、予備加熱から本加熱に移行する際の昇温速度は、最大で3℃/秒に制御した。
図2には、リフロー炉で加熱した際の光半導体装置Aの表面温度プロファイル(二度の加熱の内、一方の加熱における温度プロファイル)の一例を示す。
その後、再び光半導体装置A(加熱後の光半導体装置A)の全光束を測定し、「全光束試験値」とした。そして、[(全光束試験値/全光束初期値)×100]で表される全光束の保持率が、2個の光半導体装置Aについて共に90%以上であった場合を「良」(吸湿後の耐はんだリフロー性良好)とし、2個の光半導体装置Aのいずれか一方または両方の全光束の保持率が90%未満であった場合を「不良」(吸湿後の耐はんだリフロー性不良)とした。結果を表1の「はんだ耐熱性試験」の欄に示す。
【0077】
[総合判定]
透明性試験において光線透過率が85%以上、耐熱性試験において光度保持率が90%以上、耐クラック性試験におけるクラック装置数が光半導体装置A及び光半導体装置Bのいずれについても0個であり、なおかつはんだ耐熱性試験における評価が「良」であったものを総合判定○(優れている)とした。それ以外のものを総合判定×(劣っている)とした。結果を表1の「総合判定」の欄に示す。
【0078】
【表1】

【0079】
表1に示すように、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物により製造された光半導体装置は、高い透明性と光度保持率を有し、耐クラック性に優れていた。特に、硬化時間を短縮した場合(硬化時間を1時間とした場合)にも、硬化物へのクラックの発生が抑制されており、生産性にも優れていた。また、吸湿後の耐はんだリフロー性にも優れていた。
一方、比較例の硬化性エポキシ樹脂組成物により製造された光半導体装置は、硬化物にクラックが生じ、さらに吸湿後のリフロー工程により大きく光度が低下したり(比較例1)、経時で光度が大きく低下する(比較例2)などの不具合が生じた。
【0080】
なお、実施例及び比較例で使用した成分は、以下の通りである。
[エポキシ樹脂]
CEL2021P(セロキサイド 2021P):3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業(株)製
MA−DGIC:モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、四国化成工業(株)製
CEL8000(セロキサイド 8000):3,4,3´,4´−ジエポキシビシクロヘキシル、ダイセル化学工業(株)製
YD―128:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、新日鐵化学(株)製
[D剤]
リカシッド MH−700:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=70/30、新日本理化(株)製
U−CAT 18X:硬化促進剤、サンアプロ(株)製
エチレングリコール:和光純薬工業(株)製
[硬化触媒]
サンエイド SI−100L:アリールスルホニウム塩、三新化学工業(株)製
【0081】
試験機器
・樹脂硬化オーブン
エスペック(株)製、「GPHH−201」
・恒温槽
エスペック(株)製、「小型高温チャンバー ST−120B1」
・全光束測定機
米国オプトロニックラボラトリーズ製、「マルチ分光放射測定システム OL771」
・分光光度計
(株)島津製作所製、「分光光度計 UV−2450」
・熱衝撃試験機
エスペック(株)製、「小型冷熱衝撃装置 TSE−11−A」
・リフロー炉
日本アントム(株)製、「UNI−5016F」
【符号の説明】
【0082】
100:リフレクター(光反射用樹脂組成物)
101:金属配線
102:光半導体素子(LED素子)
103:ボンディングワイヤ
104:透明封止樹脂

【特許請求の範囲】
【請求項1】
脂環式エポキシ化合物(A)(下記式(2)で表される脂環式エポキシ化合物を除く)と、下記式(1)
【化1】

[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1〜8のアルキル基を示す]
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物(B)と、下記式(2)
【化2】

で表される脂環式エポキシ化合物(C)と、硬化剤(D)又は硬化触媒(E)とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項2】
前記脂環式エポキシ化合物(A)が、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物である請求項1に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項3】
前記脂環式エポキシ化合物(A)が、下記式(I−1)
【化3】

で表される化合物である請求項1又は2に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項4】
前記脂環式エポキシ化合物(C)が、有機溶媒中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4´−ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させた下記式(3)
【化4】

で表されるビシクロヘキシル−3,3´−ジエンであって、該ビシクロヘキシル−3,3´−ジエン化合物の異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル−3,3´−ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20%未満であるビシクロヘキシル−3,3´−ジエンをエポキシ化することにより得られる脂環式エポキシ化合物である請求項1〜3のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項5】
さらに、硬化促進剤(F)を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
【請求項7】
請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項8】
請求項7に記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2013−18924(P2013−18924A)
【公開日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−155267(P2011−155267)
【出願日】平成23年7月13日(2011.7.13)
【出願人】(000002901)株式会社ダイセル (1,236)
【Fターム(参考)】