磁気ディスク基板用洗浄剤
【課題】 Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。
【解決手段】 カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクル（例えば砥粒、および研磨で発生した基板のくず）や不純物（例えば洗浄剤残さ、大気中からのゴミ）が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、それを極力低減することが極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上にディスク用基板表面に残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献１、２）。
【０００３】
近年、磁気ディスク用基板のうちのアルミ基板の製造においては、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリーやコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程、および必要によりにその後にさらにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面を微細な凹凸状に加工する工程がある。しかし、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
【０００４】
これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、アルミ製やガラス製の基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、さらに液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。
また、基板から溶出した金属イオン（Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板の場合のニッケルイオン等）は、キレート剤を用いることで基板への再付着を抑制しているが、アルカリ条件下では、金属イオンはキレート剤との錯体を形成するとともに水酸化物イオンとの反応との平衡反応となる結果、経時とともに析出し、基板上に再付着するという問題。がある。
また、ガラス基板用の研磨剤スラリー中には、研磨速度を促進する目的で鉄イオンが含まれていることがある。さらに、洗浄設備のステンレスからもわずかに鉄イオンの溶出がある。これらの鉄イオンは上記同様、アルカリ条件下では経時とともに析出し、基板上に再付着する問題がある。
【０００５】
ところで、上記の特許文献１では、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがある。さらに、金属イオンの再付着由来の残渣に対する洗浄性に問題がある。
また、上記特許文献２で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることにより、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの、エッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−４３７９１号公報
【特許文献２】特開２００２−２１２５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中にカルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）と脂肪族アルカノールアミンを含有させることにより、パーティクル除去性および基板成分、研磨剤スラリー、洗浄設備等由来金属イオンの再析出防止性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。
すなわち本発明は、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）、および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる基板由来の微細なパーティクルの洗浄性に優れ、製造時の歩留まり向上や短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明磁気ディスク基板用の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とし、このキレート剤（Ａ）はカルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の両方を必須とする。
【００１１】
本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）を含有することで平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
また、キレート剤（Ａ）としては、カルボン酸、ホスホン酸、リン酸など有機酸の形以外に対イオンと塩を形成してもよい。
【００１２】
本発明に用いられるカルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）としては、以下の（Ａ１１）〜（Ａ１５）が挙げられる。
アミノポリカルボン酸（塩）（Ａ１１）：
エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）等
【００１３】
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ａ１２）：
ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、乳酸（塩）、クエン酸（塩）、没食子酸（塩）、サリチル酸（塩）、リンゴ酸（塩）及びグルコン酸（塩）等
シクロカルボン酸（塩）（Ａ１３）：
ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等
【００１４】
エーテルカルボン酸（塩）（Ａ１４）：
カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート等
その他カルボン酸（塩）（Ａ１５）：
マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）等
【００１５】
本発明に用いられるホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ａ２）としては、ホスホン酸基を分子内に有する有機ホスホン酸（塩）（Ａ２１）とリン酸基を分子内に有する無機リン酸（塩）（Ａ２２）が挙げられる。
有機ホスホン酸（塩）（Ａ２１）：
メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等
【００１６】
無機リン酸（塩）（Ａ２２）：
ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等
【００１７】
キレート剤（Ａ）が塩を形成する場合、その対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝；第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）の有機塩基；アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）、アンモニウムなどの無機塩基が挙げられる。
また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
なお、キレート剤（Ａ）として、アルカノールアミンを対イオンとする塩を用いる場合、このアルカノールアミンは、本発明の必須成分としての脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）として取り扱う。
【００１９】
カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）のうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、（Ａ１１）、（Ａ１２）及びこれらの塩であり、更に好ましいのは（Ａ１１）及びこれらの塩、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）である。
【００２０】
ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）のうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、（Ａ２１）及びこれらの塩であり、更に好ましいのはニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、（１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、特に好ましいのはニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００２１】
本発明において、キレート剤（Ａ）は、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の両方を併用することで基板、研磨剤スラリー、洗浄設備等由来の金属イオンの再析出防止に優れ、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能を発揮することができる。
【００２２】
洗浄剤組成中の実際の使用時の（Ａ１）と（Ａ２）の合計の含有量は、通常５重量％以下、好ましくは０．０１〜２重量％、更に好ましくは０．０５〜１重量％である。
【００２３】
金属イオンの再析出防止の観点から、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の当量比（Ａ２）／（Ａ１）は、好ましくは０．１〜３０であり、更に好ましくは０．４〜２５である。０．１未満では、基板由来の金属イオンの再析出が生じるため好ましくなく、３０を超えると洗浄設備由来の金属イオンの再析出防止性が劣るため好ましくない。
【００２４】
本発明のもう１つの必須成分は脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）であり、パーティクルの洗浄性の観点から、好ましくは炭素数２〜６の脂肪族アルカノールアミンである。
【００２５】
脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールアミン、Ｎ−オレイルジエタノールアミン、Ｎ−ステアリルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジオクチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジデシルモノエタノールアミン、Ｎ−ジオレイルモノエタノールアミン、Ｎ−ジステアリルモノエタノールアミン等が挙げられる。
これらの脂肪族アルカノールアミンは、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
これらのうち、微小パーティクルの再付着防止およびエッチング性の観点から、好ましくはモノエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、およびトリエタノールアミンなどである。
【００２６】
洗浄剤組成中の脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の実際の使用時の含有量は、洗浄性の観点から通常０．０５〜１０重量％であり、０．１〜３重量％が好ましい。
【００２７】
また、洗浄性の観点から、キレート剤と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の当量比［（Ａ１）＋（Ａ２）］／（Ｂ）は、好ましくは０．１〜３．０であり、更に好ましくは０．３〜２．５である。
【００２８】
本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とするが、これらにさらに界面活性剤（Ｃ）を含有することで、平坦性を損ねることなく微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
【００２９】
このような目的で併用する界面活性剤（Ｃ）としては、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）、非イオン性界面活性剤（Ｃ２）、カチオン性界面活性剤（Ｃ３）及び両性界面活性剤（Ｃ４）が挙げられる。
【００３０】
アニオン性界面活性剤（Ｃ１）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）、スルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）、脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｃ１５）等が挙げられる。
【００３１】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍwと略記する。）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
なお、本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。
【００３２】
（Ｃ１１）の具体例としては、以下の（Ｃ１１１）〜（Ｃ１１５）が挙げられる。
（Ｃ１１１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等
【００３３】
（Ｃ１１２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等
【００３４】
（Ｃ１１３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、ポリエチレンイミンポリメチレンホスホン酸及びポリアリルアミンポリメチレンホスホン酸等並びにこれらの塩等
【００３５】
（Ｃ１１４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩等
【００３６】
（Ｃ１１５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等
【００３７】
（Ｃ１１）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ａ）で例示した対カチオンとの塩が挙げられる。
これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。最も好ましいのはアミジン塩である。
【００３８】
（Ｃ１１）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
【００３９】
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００４０】
硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００４１】
脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００４２】
リン酸エステル系界面活性剤（Ｃ１５）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００４３】
（Ｃ１２）、（Ｃ１３）、（Ｃ１４）及び（Ｃ１５）が塩を形成する場合の対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられる。
【００４４】
アニオン性界面活性剤（Ｃ１）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である。
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００４５】
本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｃ２）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｃ２２）等が挙げられる。
【００４６】
アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５０）付加物、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物及びソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００４７】
多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｃ２２）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【００４８】
非イオン界面活性剤（Ｃ２）のうち、洗浄性の観点から、好ましいのはアルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）であり、さらに好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物、フェノール又はアルキル（炭素数１〜１８）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物及び脂肪族アミン（炭素数９〜１８）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）である。
【００４９】
カチオン性界面活性剤（Ｃ３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｃ３１）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝；アミン系界面活性剤（Ｃ３２）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩｝等が挙げられる。
【００５０】
両性界面活性剤（Ｃ４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｃ４１）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型｝；アミノ酸型両性界面活性剤（Ｃ４２）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］及びグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝；アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｃ４３）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝等が挙げられる。
【００５１】
界面活性剤（Ｃ）のうち、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）、非イオン性界面活性剤（Ｃ２）及び（Ｃ１）と（Ｃ２）の併用であり、さらに好ましいのは高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である。
【００５２】
使用時の洗浄剤中の界面活性剤（Ｃ）の含有量は、通常０．００１〜２．０重量％であり、０．００３〜０．５重量％が好ましい。
【００５３】
（Ｃ１）と（Ｃ２）を併用の場合の（Ｃ１）と（Ｃ２）の重量比率［（Ｃ１）／（Ｃ２）］は、洗浄性及び起泡性の観点から通常０．５以下、好ましくは０．０１〜０．２、更に好ましくは０．０１〜０．１である。
【００５４】
本洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらに還元剤（Ｄ）、アルカリ成分（Ｅ）、分散剤（Ｆ）、３価以上の多価アルコール（Ｇ）、水溶性有機溶剤（Ｈ）、その他の添加剤（Ｉ）の成分を含有することができる。
【００５５】
電子材料表面に対するエッチング性をコントロールする目的で、本発明の洗浄剤に還元剤（Ｄ）をさらに含有させることができる。
【００５６】
還元剤（Ｄ）としては、有機還元剤（Ｄ１）及び無機還元剤（Ｄ２）が挙げられる。
有機還元剤（Ｄ１）としては、脂肪族有機還元剤、芳香族有機還元剤及びその他の有機還元剤が挙げられる。
【００５７】
本発明の洗浄剤は、アルカリ成分（Ｅ）を含有することによりパーティクルに対する洗浄性がさらに向上する。
このようなアルカリ成分（Ｅ）としては、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）以外の塩基性物質が挙げられ、炭素数１〜３０の脂肪族アミン（Ｅ１）、第四級アンモニウム塩（Ｅ２）、無機アルカリ（Ｅ３）及びこれらの混合物が挙げられる。尚、炭素数１〜１０の脂肪族アミンは還元剤としての効果とアルカリ成分としての効果の両方を有する。
【００５８】
炭素数１〜３０の脂肪族アミン（Ｅ１）としては、炭素数１〜８のアルキル基を有する１〜３級のアルキルアミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等］；炭素数２〜６のアルキレン基を１個以上有する（ポリ）アルキレンポリアミン［エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等］；環式アミジン化合物〔１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１，６−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５等〕およびヒドラジン等が挙げられる。
【００５９】
第四級アンモニウム塩（Ｅ２）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド等。
【００６０】
無機アルカリ（Ｅ３）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００６１】
（Ｅ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｅ２）及び無機アルカリ（Ｅ３）が好ましく、更に好ましいのは、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、水酸化カリウム及びこれらの併用である。
【００６２】
アルカリ成分（Ｅ）を含有する場合、洗浄性の観点等から、使用時の（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の（Ａ）と（Ｂ）の合計重量に基づいて通常５重量％以下、好ましくは０．０１〜１重量％、更に好ましくは０．０３〜０．５重量％である。
【００６３】
分散剤（Ｆ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等）；ポバール等が挙げられる。なお前記（Ｃ１１）も分散剤としての効果を有する。
【００６４】
本発明の洗浄剤は、３価以上の多価アルコール（Ｇ）を含有することにより基板の腐食を防止する効果が向上する。
【００６５】
３価以上の多価アルコール（Ｇ）としては、脂肪族多価アルコール、脂肪族多価アルコールのの脱水縮合物、糖類、糖アルコール、トリスフェノール、これらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。
【００６６】
本発明の洗浄剤は、水溶性有機溶剤（Ｈ）を含有することにより洗浄剤中の成分が基板表面に残留することを防止することで洗浄性が更に向上する。
水溶性有機溶剤（Ｈ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2
Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
一価アルコール、多価アルコール、アルコール以外の水溶性有機溶媒が挙げられる。
【００６７】
その他、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤、ハイドロトロープ剤等を適宜添加することができる。
【００６８】
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．０１〜１５％、特に０．０５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
【００６９】
本発明の電子材料用洗浄剤を希釈水で希釈した場合の使用時における２５℃でのｐＨは、通常は７〜１４であり、好ましくは８〜１４、更に好ましくは９〜１４である。ｐＨがこの範囲にあると、基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。
【００７０】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。
【００７１】
本発明の別の実施態様は、上記の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて、磁気ディスク用基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、無機パーティクル｛研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑等｝等の無機物が挙げられる。
【００７２】
本発明の製造方法において、本洗浄剤は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で使用することが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程で適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてはシリカや酸化セリウム、アルミナなどを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【００７３】
本発明の製造方法において行われる洗浄の洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄剤の効果が発揮されやすい。
【００７４】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、通常は１０〜８０℃であり、好ましくは１５〜７０℃、更に好ましくは２０〜６０℃である。
【００７５】
本発明の磁気ディスク基板は、前記製造方法で製造された磁気ディスク基板である。本発明の磁気ディスク基板は、清浄度が従来の磁気ディスク基板より高いため、高性能（高記録容量、クラッシュが少ない等）の磁気ディスクドライブを作成することができる。
【実施例】
【００７６】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。
なお、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００７７】
［製造例１］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。
滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調整した。超純水を加えて固形分を４０％にして、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｃ１−１）の４０％水溶液を得た。
なお、（Ｃ１−１）のＭｗは５，０００であった。
【００７８】
［製造例２］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。
得られたポリアクリル酸水溶液にＤＢＵ約４５０部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｃ１−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｃ１−２）のＭｗは１０，０００であった。
【００７９】
［製造例３］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。
重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。
得られたポリスチレンスルホン酸水溶液に２５％ＴＭＡＨ水溶液約４００部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩（Ｃ１−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｃ１−３）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００８０】
［製造例４］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル部）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記する。）の２５％水溶液を１０部（０．０２７モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ４３０部（９．８モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｃ２−１）６３０部を得た。
【００８１】
［製造例５］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。
さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｃ２−２）４４５部を得た。
【００８２】
実施例１〜１２および比較例１〜４
表１に記載の配合部数の各配合成分を均一撹拌・混合し、実施例１〜１２および比較例１〜４の洗浄剤を作製した。
【００８３】
【表１】
【００８４】
なお、表１中のキレート剤（Ａ）、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）、アルカリ成分（Ｅ）の略号は下記の通りである。
（Ａ１−１）：エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）
（Ａ１−２）：ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）
（Ａ２−１）：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）
（Ａ２−２）：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＭＩＰＡ：モノイソプロパノールアミン
ＢＥＡ：Ｎ−ベンジルエタノールアミン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
【００８５】
得られた洗浄剤を超純水で５０倍希釈して性能評価のための洗浄液とし、以下の方法で、ｐＨ、ニッケルイオンの再析出防止性（再析出防止性−１）、鉄イオンの再析出防止性（再析出防止性−２）、、シリカ粒子洗浄性（洗浄性−１）、酸化セリウム粒子の洗浄性（洗浄性−２）、ダイヤモンド粒子の洗浄性（洗浄性−３）、アルミナ粒子の洗浄性（洗浄性−４）、酸化ニッケル粒子の洗浄性（洗浄性−５）を評価した結果を表２に示す。
【００８６】
【表２】
【００８７】
＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーター（東亜ディーケーケー社製ＨＭ−３０Ｒ）で測定した。
【００８８】
＜ニッケルイオンの再析出防止性（再析出防止性−１）の評価方法＞
水酸化ニッケル０．５ｇを０．５重量%硝酸水溶液４９．５ｇで溶解させ、０．６重量％ニッケルイオン水溶液を作成し、２５℃に保持した。
実施例または比較例の洗浄液１，０００ｇをガラス製ビーカーに入れ、上記の０．６重量％ニッケルイオン水溶液を撹拌しながら５０ｇずつ添加して、混合した。２５℃で１２時間静置後、混合液を観察し、固形物の析出がないか目視で確認した。固形物が析出する場合は沈殿が見られる。
固形物の析出がない場合は、５０ｇのニッケルイオン水溶液を追加し１２時間静置後に同様に観察した。固形物の析出が見られるまで上記操作を繰り返し、固形物の析出が見られた重量（ｇ）を、再析出防止性として下記評価基準で評価した。
【００８９】
５：２５０ｇ
４：２００ｇ
３：１５０ｇ
２：１００ｇ
１：５０ｇ
【００９０】
＜鉄イオンの再析出防止性（再析出防止性−２）の評価方法＞
水酸化ニッケルの代わりに水酸化第二鉄を用いる以外は、上記ニッケルの再析出防止性と同様におこない、鉄イオンの再析出防止性を評価した。
【００９１】
＜シリカ粒子の洗浄性（洗浄性−１）の評価方法＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）１００部及びウレタン製の研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した。超純水で表面をすすぎ、窒素でブローして乾燥させることにより、汚染基板を作製した。
実施例、比較例の洗浄剤１，０００ｇを１Ｌガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で再び１分間リンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、アルミ基板表面を表面検査装置（ビジョンサイテック社製「Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｘ ＶＭＸ−６１００」）で観察し、パーティクル付着数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
その際のブランクのパーティクル付着数は１５０個であった。
以下の評価基準で洗浄性試験を評価し、評価結果を表２に示した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【００９２】
[洗浄性試験の評価基準]
５：パーティクル付着数がブランクの１／１００未満
４：パーティクル付着数がブランクの１／１００〜１／２０
３：パーティクル付着数がブランクの１／２０〜１／５
２：パーティクル付着数がブランクの１／５〜１／２
１：パーティクル付着数がブランクの１／２以上
【００９３】
＜酸化セリウム粒子の洗浄性（洗浄性−２）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）に変更し、基板を２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
【００９４】
＜ダイヤモンド粒子の洗浄性（洗浄性−３）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販のダイヤモンドスラリー（ユシロ化学工業製、ユシロンテックＷＤ）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
【００９５】
＜アルミナ粒子の洗浄性（洗浄性−４）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーをアルミナ懸濁液（フジミインコーポレーティド社製、Ｄｉｓｋ−ｌｉｔｅを超純水で３倍希釈したもの）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
なお、このアルミナは、アルミナ砥粒とアルミ基板の研磨くず由来を想定したものである。
【００９６】
＜酸化ニッケル粒子の洗浄性（洗浄性−５）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを酸化ニッケル懸濁液（和光純薬製の酸化ニッケルを１ｗｔ％となるように超純水に懸濁させたもの）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
なお、この酸化ニッケルは、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板の研磨くず由来を想定したものである。
【００９７】
表１で明らかなように、本発明のキレート剤（Ａ１）、（Ａ２）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を用いた実施例１〜１２はいずれも、金属イオンの再析出防止並びにパーティクルの洗浄性が優れていることがわかる。
一方、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ａ２）とを併用しない比較例１、２は、金属イオンの再析出残さに対する洗浄性が十分でない。また、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を使用しない比較例３並びに比較例４は、パーティクルの除去性が十分でないため、洗浄性が劣る。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクル（例えば砥粒、および研磨で発生した基板のくず）や不純物（例えば洗浄剤残さ、大気中からのゴミ）が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、それを極力低減することが極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上にディスク用基板表面に残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献１、２）。
【０００３】
近年、磁気ディスク用基板のうちのアルミ基板の製造においては、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリーやコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程、および必要によりにその後にさらにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面を微細な凹凸状に加工する工程がある。しかし、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
【０００４】
これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、アルミ製やガラス製の基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、さらに液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。
また、基板から溶出した金属イオン（Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板の場合のニッケルイオン等）は、キレート剤を用いることで基板への再付着を抑制しているが、アルカリ条件下では、金属イオンはキレート剤との錯体を形成するとともに水酸化物イオンとの反応との平衡反応となる結果、経時とともに析出し、基板上に再付着するという問題。がある。
また、ガラス基板用の研磨剤スラリー中には、研磨速度を促進する目的で鉄イオンが含まれていることがある。さらに、洗浄設備のステンレスからもわずかに鉄イオンの溶出がある。これらの鉄イオンは上記同様、アルカリ条件下では経時とともに析出し、基板上に再付着する問題がある。
【０００５】
ところで、上記の特許文献１では、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがある。さらに、金属イオンの再付着由来の残渣に対する洗浄性に問題がある。
また、上記特許文献２で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることにより、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの、エッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−４３７９１号公報
【特許文献２】特開２００２−２１２５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中にカルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）と脂肪族アルカノールアミンを含有させることにより、パーティクル除去性および基板成分、研磨剤スラリー、洗浄設備等由来金属イオンの再析出防止性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。
すなわち本発明は、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）、および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる基板由来の微細なパーティクルの洗浄性に優れ、製造時の歩留まり向上や短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明磁気ディスク基板用の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とし、このキレート剤（Ａ）はカルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の両方を必須とする。
【００１１】
本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）を含有することで平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
また、キレート剤（Ａ）としては、カルボン酸、ホスホン酸、リン酸など有機酸の形以外に対イオンと塩を形成してもよい。
【００１２】
本発明に用いられるカルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）としては、以下の（Ａ１１）〜（Ａ１５）が挙げられる。
アミノポリカルボン酸（塩）（Ａ１１）：
エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）等
【００１３】
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ａ１２）：
ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、乳酸（塩）、クエン酸（塩）、没食子酸（塩）、サリチル酸（塩）、リンゴ酸（塩）及びグルコン酸（塩）等
シクロカルボン酸（塩）（Ａ１３）：
ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等
【００１４】
エーテルカルボン酸（塩）（Ａ１４）：
カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート等
その他カルボン酸（塩）（Ａ１５）：
マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）等
【００１５】
本発明に用いられるホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ａ２）としては、ホスホン酸基を分子内に有する有機ホスホン酸（塩）（Ａ２１）とリン酸基を分子内に有する無機リン酸（塩）（Ａ２２）が挙げられる。
有機ホスホン酸（塩）（Ａ２１）：
メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等
【００１６】
無機リン酸（塩）（Ａ２２）：
ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等
【００１７】
キレート剤（Ａ）が塩を形成する場合、その対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝；第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）の有機塩基；アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）、アンモニウムなどの無機塩基が挙げられる。
また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
なお、キレート剤（Ａ）として、アルカノールアミンを対イオンとする塩を用いる場合、このアルカノールアミンは、本発明の必須成分としての脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）として取り扱う。
【００１９】
カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）のうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、（Ａ１１）、（Ａ１２）及びこれらの塩であり、更に好ましいのは（Ａ１１）及びこれらの塩、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）である。
【００２０】
ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）のうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、（Ａ２１）及びこれらの塩であり、更に好ましいのはニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、（１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、特に好ましいのはニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００２１】
本発明において、キレート剤（Ａ）は、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の両方を併用することで基板、研磨剤スラリー、洗浄設備等由来の金属イオンの再析出防止に優れ、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能を発揮することができる。
【００２２】
洗浄剤組成中の実際の使用時の（Ａ１）と（Ａ２）の合計の含有量は、通常５重量％以下、好ましくは０．０１〜２重量％、更に好ましくは０．０５〜１重量％である。
【００２３】
金属イオンの再析出防止の観点から、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）の当量比（Ａ２）／（Ａ１）は、好ましくは０．１〜３０であり、更に好ましくは０．４〜２５である。０．１未満では、基板由来の金属イオンの再析出が生じるため好ましくなく、３０を超えると洗浄設備由来の金属イオンの再析出防止性が劣るため好ましくない。
【００２４】
本発明のもう１つの必須成分は脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）であり、パーティクルの洗浄性の観点から、好ましくは炭素数２〜６の脂肪族アルカノールアミンである。
【００２５】
脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールアミン、Ｎ−オレイルジエタノールアミン、Ｎ−ステアリルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジオクチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジデシルモノエタノールアミン、Ｎ−ジオレイルモノエタノールアミン、Ｎ−ジステアリルモノエタノールアミン等が挙げられる。
これらの脂肪族アルカノールアミンは、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
これらのうち、微小パーティクルの再付着防止およびエッチング性の観点から、好ましくはモノエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、およびトリエタノールアミンなどである。
【００２６】
洗浄剤組成中の脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の実際の使用時の含有量は、洗浄性の観点から通常０．０５〜１０重量％であり、０．１〜３重量％が好ましい。
【００２７】
また、洗浄性の観点から、キレート剤と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の当量比［（Ａ１）＋（Ａ２）］／（Ｂ）は、好ましくは０．１〜３．０であり、更に好ましくは０．３〜２．５である。
【００２８】
本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ａ）と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とするが、これらにさらに界面活性剤（Ｃ）を含有することで、平坦性を損ねることなく微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
【００２９】
このような目的で併用する界面活性剤（Ｃ）としては、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）、非イオン性界面活性剤（Ｃ２）、カチオン性界面活性剤（Ｃ３）及び両性界面活性剤（Ｃ４）が挙げられる。
【００３０】
アニオン性界面活性剤（Ｃ１）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）、スルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）、脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｃ１５）等が挙げられる。
【００３１】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍwと略記する。）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
なお、本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。
【００３２】
（Ｃ１１）の具体例としては、以下の（Ｃ１１１）〜（Ｃ１１５）が挙げられる。
（Ｃ１１１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等
【００３３】
（Ｃ１１２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等
【００３４】
（Ｃ１１３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、ポリエチレンイミンポリメチレンホスホン酸及びポリアリルアミンポリメチレンホスホン酸等並びにこれらの塩等
【００３５】
（Ｃ１１４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩等
【００３６】
（Ｃ１１５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等
【００３７】
（Ｃ１１）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ａ）で例示した対カチオンとの塩が挙げられる。
これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。最も好ましいのはアミジン塩である。
【００３８】
（Ｃ１１）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
【００３９】
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００４０】
硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００４１】
脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００４２】
リン酸エステル系界面活性剤（Ｃ１５）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００４３】
（Ｃ１２）、（Ｃ１３）、（Ｃ１４）及び（Ｃ１５）が塩を形成する場合の対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられる。
【００４４】
アニオン性界面活性剤（Ｃ１）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である。
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤（Ｃ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｃ１３）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｃ１４）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００４５】
本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｃ２）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｃ２２）等が挙げられる。
【００４６】
アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５０）付加物、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物及びソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００４７】
多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｃ２２）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【００４８】
非イオン界面活性剤（Ｃ２）のうち、洗浄性の観点から、好ましいのはアルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｃ２１）であり、さらに好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物、フェノール又はアルキル（炭素数１〜１８）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物及び脂肪族アミン（炭素数９〜１８）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）である。
【００４９】
カチオン性界面活性剤（Ｃ３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｃ３１）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝；アミン系界面活性剤（Ｃ３２）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩｝等が挙げられる。
【００５０】
両性界面活性剤（Ｃ４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｃ４１）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型｝；アミノ酸型両性界面活性剤（Ｃ４２）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］及びグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝；アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｃ４３）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝等が挙げられる。
【００５１】
界面活性剤（Ｃ）のうち、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）、非イオン性界面活性剤（Ｃ２）及び（Ｃ１）と（Ｃ２）の併用であり、さらに好ましいのは高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である。
【００５２】
使用時の洗浄剤中の界面活性剤（Ｃ）の含有量は、通常０．００１〜２．０重量％であり、０．００３〜０．５重量％が好ましい。
【００５３】
（Ｃ１）と（Ｃ２）を併用の場合の（Ｃ１）と（Ｃ２）の重量比率［（Ｃ１）／（Ｃ２）］は、洗浄性及び起泡性の観点から通常０．５以下、好ましくは０．０１〜０．２、更に好ましくは０．０１〜０．１である。
【００５４】
本洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらに還元剤（Ｄ）、アルカリ成分（Ｅ）、分散剤（Ｆ）、３価以上の多価アルコール（Ｇ）、水溶性有機溶剤（Ｈ）、その他の添加剤（Ｉ）の成分を含有することができる。
【００５５】
電子材料表面に対するエッチング性をコントロールする目的で、本発明の洗浄剤に還元剤（Ｄ）をさらに含有させることができる。
【００５６】
還元剤（Ｄ）としては、有機還元剤（Ｄ１）及び無機還元剤（Ｄ２）が挙げられる。
有機還元剤（Ｄ１）としては、脂肪族有機還元剤、芳香族有機還元剤及びその他の有機還元剤が挙げられる。
【００５７】
本発明の洗浄剤は、アルカリ成分（Ｅ）を含有することによりパーティクルに対する洗浄性がさらに向上する。
このようなアルカリ成分（Ｅ）としては、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）以外の塩基性物質が挙げられ、炭素数１〜３０の脂肪族アミン（Ｅ１）、第四級アンモニウム塩（Ｅ２）、無機アルカリ（Ｅ３）及びこれらの混合物が挙げられる。尚、炭素数１〜１０の脂肪族アミンは還元剤としての効果とアルカリ成分としての効果の両方を有する。
【００５８】
炭素数１〜３０の脂肪族アミン（Ｅ１）としては、炭素数１〜８のアルキル基を有する１〜３級のアルキルアミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等］；炭素数２〜６のアルキレン基を１個以上有する（ポリ）アルキレンポリアミン［エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等］；環式アミジン化合物〔１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１，６−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５等〕およびヒドラジン等が挙げられる。
【００５９】
第四級アンモニウム塩（Ｅ２）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド等。
【００６０】
無機アルカリ（Ｅ３）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００６１】
（Ｅ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｅ２）及び無機アルカリ（Ｅ３）が好ましく、更に好ましいのは、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、水酸化カリウム及びこれらの併用である。
【００６２】
アルカリ成分（Ｅ）を含有する場合、洗浄性の観点等から、使用時の（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の（Ａ）と（Ｂ）の合計重量に基づいて通常５重量％以下、好ましくは０．０１〜１重量％、更に好ましくは０．０３〜０．５重量％である。
【００６３】
分散剤（Ｆ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等）；ポバール等が挙げられる。なお前記（Ｃ１１）も分散剤としての効果を有する。
【００６４】
本発明の洗浄剤は、３価以上の多価アルコール（Ｇ）を含有することにより基板の腐食を防止する効果が向上する。
【００６５】
３価以上の多価アルコール（Ｇ）としては、脂肪族多価アルコール、脂肪族多価アルコールのの脱水縮合物、糖類、糖アルコール、トリスフェノール、これらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。
【００６６】
本発明の洗浄剤は、水溶性有機溶剤（Ｈ）を含有することにより洗浄剤中の成分が基板表面に残留することを防止することで洗浄性が更に向上する。
水溶性有機溶剤（Ｈ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2
Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
一価アルコール、多価アルコール、アルコール以外の水溶性有機溶媒が挙げられる。
【００６７】
その他、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤、ハイドロトロープ剤等を適宜添加することができる。
【００６８】
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．０１〜１５％、特に０．０５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
【００６９】
本発明の電子材料用洗浄剤を希釈水で希釈した場合の使用時における２５℃でのｐＨは、通常は７〜１４であり、好ましくは８〜１４、更に好ましくは９〜１４である。ｐＨがこの範囲にあると、基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。
【００７０】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。
【００７１】
本発明の別の実施態様は、上記の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて、磁気ディスク用基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、無機パーティクル｛研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑等｝等の無機物が挙げられる。
【００７２】
本発明の製造方法において、本洗浄剤は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で使用することが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程で適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてはシリカや酸化セリウム、アルミナなどを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【００７３】
本発明の製造方法において行われる洗浄の洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄剤の効果が発揮されやすい。
【００７４】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、通常は１０〜８０℃であり、好ましくは１５〜７０℃、更に好ましくは２０〜６０℃である。
【００７５】
本発明の磁気ディスク基板は、前記製造方法で製造された磁気ディスク基板である。本発明の磁気ディスク基板は、清浄度が従来の磁気ディスク基板より高いため、高性能（高記録容量、クラッシュが少ない等）の磁気ディスクドライブを作成することができる。
【実施例】
【００７６】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。
なお、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００７７】
［製造例１］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。
滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調整した。超純水を加えて固形分を４０％にして、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｃ１−１）の４０％水溶液を得た。
なお、（Ｃ１−１）のＭｗは５，０００であった。
【００７８】
［製造例２］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。
得られたポリアクリル酸水溶液にＤＢＵ約４５０部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｃ１−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｃ１−２）のＭｗは１０，０００であった。
【００７９】
［製造例３］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。
重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。
得られたポリスチレンスルホン酸水溶液に２５％ＴＭＡＨ水溶液約４００部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩（Ｃ１−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｃ１−３）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００８０】
［製造例４］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル部）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記する。）の２５％水溶液を１０部（０．０２７モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ４３０部（９．８モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｃ２−１）６３０部を得た。
【００８１】
［製造例５］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。
さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｃ２−２）４４５部を得た。
【００８２】
実施例１〜１２および比較例１〜４
表１に記載の配合部数の各配合成分を均一撹拌・混合し、実施例１〜１２および比較例１〜４の洗浄剤を作製した。
【００８３】
【表１】
【００８４】
なお、表１中のキレート剤（Ａ）、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）、アルカリ成分（Ｅ）の略号は下記の通りである。
（Ａ１−１）：エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）
（Ａ１−２）：ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）
（Ａ２−１）：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）
（Ａ２−２）：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＭＩＰＡ：モノイソプロパノールアミン
ＢＥＡ：Ｎ−ベンジルエタノールアミン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
【００８５】
得られた洗浄剤を超純水で５０倍希釈して性能評価のための洗浄液とし、以下の方法で、ｐＨ、ニッケルイオンの再析出防止性（再析出防止性−１）、鉄イオンの再析出防止性（再析出防止性−２）、、シリカ粒子洗浄性（洗浄性−１）、酸化セリウム粒子の洗浄性（洗浄性−２）、ダイヤモンド粒子の洗浄性（洗浄性−３）、アルミナ粒子の洗浄性（洗浄性−４）、酸化ニッケル粒子の洗浄性（洗浄性−５）を評価した結果を表２に示す。
【００８６】
【表２】
【００８７】
＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーター（東亜ディーケーケー社製ＨＭ−３０Ｒ）で測定した。
【００８８】
＜ニッケルイオンの再析出防止性（再析出防止性−１）の評価方法＞
水酸化ニッケル０．５ｇを０．５重量%硝酸水溶液４９．５ｇで溶解させ、０．６重量％ニッケルイオン水溶液を作成し、２５℃に保持した。
実施例または比較例の洗浄液１，０００ｇをガラス製ビーカーに入れ、上記の０．６重量％ニッケルイオン水溶液を撹拌しながら５０ｇずつ添加して、混合した。２５℃で１２時間静置後、混合液を観察し、固形物の析出がないか目視で確認した。固形物が析出する場合は沈殿が見られる。
固形物の析出がない場合は、５０ｇのニッケルイオン水溶液を追加し１２時間静置後に同様に観察した。固形物の析出が見られるまで上記操作を繰り返し、固形物の析出が見られた重量（ｇ）を、再析出防止性として下記評価基準で評価した。
【００８９】
５：２５０ｇ
４：２００ｇ
３：１５０ｇ
２：１００ｇ
１：５０ｇ
【００９０】
＜鉄イオンの再析出防止性（再析出防止性−２）の評価方法＞
水酸化ニッケルの代わりに水酸化第二鉄を用いる以外は、上記ニッケルの再析出防止性と同様におこない、鉄イオンの再析出防止性を評価した。
【００９１】
＜シリカ粒子の洗浄性（洗浄性−１）の評価方法＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）１００部及びウレタン製の研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した。超純水で表面をすすぎ、窒素でブローして乾燥させることにより、汚染基板を作製した。
実施例、比較例の洗浄剤１，０００ｇを１Ｌガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で再び１分間リンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、アルミ基板表面を表面検査装置（ビジョンサイテック社製「Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｘ ＶＭＸ−６１００」）で観察し、パーティクル付着数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
その際のブランクのパーティクル付着数は１５０個であった。
以下の評価基準で洗浄性試験を評価し、評価結果を表２に示した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【００９２】
[洗浄性試験の評価基準]
５：パーティクル付着数がブランクの１／１００未満
４：パーティクル付着数がブランクの１／１００〜１／２０
３：パーティクル付着数がブランクの１／２０〜１／５
２：パーティクル付着数がブランクの１／５〜１／２
１：パーティクル付着数がブランクの１／２以上
【００９３】
＜酸化セリウム粒子の洗浄性（洗浄性−２）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）に変更し、基板を２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
【００９４】
＜ダイヤモンド粒子の洗浄性（洗浄性−３）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販のダイヤモンドスラリー（ユシロ化学工業製、ユシロンテックＷＤ）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
【００９５】
＜アルミナ粒子の洗浄性（洗浄性−４）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーをアルミナ懸濁液（フジミインコーポレーティド社製、Ｄｉｓｋ−ｌｉｔｅを超純水で３倍希釈したもの）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
なお、このアルミナは、アルミナ砥粒とアルミ基板の研磨くず由来を想定したものである。
【００９６】
＜酸化ニッケル粒子の洗浄性（洗浄性−５）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを酸化ニッケル懸濁液（和光純薬製の酸化ニッケルを１ｗｔ％となるように超純水に懸濁させたもの）に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。判断基準も洗浄性−１と同様である。
なお、この酸化ニッケルは、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板の研磨くず由来を想定したものである。
【００９７】
表１で明らかなように、本発明のキレート剤（Ａ１）、（Ａ２）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を用いた実施例１〜１２はいずれも、金属イオンの再析出防止並びにパーティクルの洗浄性が優れていることがわかる。
一方、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ａ１）とホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ａ２）とを併用しない比較例１、２は、金属イオンの再析出残さに対する洗浄性が十分でない。また、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を使用しない比較例３並びに比較例４は、パーティクルの除去性が十分でないため、洗浄性が劣る。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）、および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
キレート剤と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の当量比［（Ａ１）＋（Ａ２）］／（Ｂ）が０．１〜３．０である請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
使用時のｐＨが９．０〜１４．０である請求項１または２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
さらに、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）および／または非イオン性界面活性剤（Ｃ２）を含有する請求項１〜３いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項５】
該アニオン性界面活性剤（Ｃ１）が高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である請求項４記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて、磁気ディスク用基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁気ディスク基板の製造方法で製造された磁気ディスク基板。
【請求項１】
カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン酸基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）、および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
キレート剤と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の当量比［（Ａ１）＋（Ａ２）］／（Ｂ）が０．１〜３．０である請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
使用時のｐＨが９．０〜１４．０である請求項１または２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
さらに、アニオン性界面活性剤（Ｃ１）および／または非イオン性界面活性剤（Ｃ２）を含有する請求項１〜３いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項５】
該アニオン性界面活性剤（Ｃ１）が高分子型アニオン性界面活性剤（Ｃ１１）である請求項４記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて、磁気ディスク用基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁気ディスク基板の製造方法で製造された磁気ディスク基板。
【公開番号】特開２０１１−１７０９５２（Ｐ２０１１−１７０９５２Ａ）
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１２０１（Ｐ２０１１−１１２０１）
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【出願人】（０００００２２８８）三洋化成工業株式会社 (1,719)
【Ｆターム（参考）】
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