磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置
【課題】簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備え、かつ膜厚およびパターン制御が容易な磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供する
【解決手段】磁気記録媒体３は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基体１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応する被膜で被覆された反応性磁性微粒子４２が配列した磁性微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定され、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された磁性微粒子３４および反応性磁性微粒子４２が交互に結合固定されている。
【解決手段】磁気記録媒体３は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基体１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応する被膜で被覆された反応性磁性微粒子４２が配列した磁性微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定され、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された磁性微粒子３４および反応性磁性微粒子４２が交互に結合固定されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。さらに詳しくは、表面に熱反応性、光反応性、ラジカル反応性、またはイオン反応性を付与した金属や金属酸化物よりなる磁性微粒子がカップリング剤を介した積層して磁気記録層を形成している磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テープやディスク等の基体の表面に、磁気記録層としてバインダー樹脂中に分散した磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化させた磁気記録媒体や、基体の表面に磁性金属あるいは磁性金属酸化物を蒸着した磁気記録媒体が市販されている。
【０００３】
また、トラックに沿って磁性微粒子を整然と配列させた、いわゆるパターンドメディアが、単位面積あたりの記録密度が高い次世代の高密度磁気記録媒体として注目を集めており、近年研究開発が盛んに行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１００５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
塗布型の磁気記録媒体は、製造コストは低いという長所を有するものの、バインダー樹脂を必要とするため高密度記録が難しい。一方、蒸着型の磁気記録媒体は、バインダーを必要としないため記録の高密度化が比較的容易に達成できるものの、大型の真空設備を要するため製造コストが高いという欠点があった。また、いずれの方法も、磁気記録層と基体との接着強度が十分でなく、耐剥離性に乏しいという欠点があった。
【０００６】
さらに、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する磁性微粒子膜よりなる磁気記録層（以下、単層磁気記録媒体という。）、および磁性微粒子膜を複数層累積した磁気記録層（以下、累積磁気記録媒体という。）ならびにそれらの製造方法は未だ開発および提供されておらず、使用する磁性微粒子のサイズや積層数によって磁気記録層の膜厚を制御するという技術的思想もこれまで提案されていない。
【０００７】
また、特許文献１に記載のパターンドメディアの製造方法においては、真空蒸着によりパターン化された磁気記録層を形成しているので、上記の場合と同様、大型の真空設備を要するため製造コストが高い。
【０００８】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備え、かつ膜厚およびパターン制御が容易な磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係る磁気記録媒体は、基体の表面のパターン部分にのみ磁性微粒子が選択的に配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、前記基体の表面の少なくとも前記パターン部分は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子の表面は、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基体の表面のパターン部分にのみ選択的に固定された磁気記録層を有する。
【００１０】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００１１】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１２】
第２の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面のパターン部分にのみ、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
【００１３】
第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
【００１４】
第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１５】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１６】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、前記パターン部分にのみ前記第１の官能基を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の前記磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｄとを有する。
【００１８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄを磁場中で行うことが好ましい。
【００１９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行ってもよい。
【００２０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行ってもよい。
【００２１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定してもよい。
【００２２】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定してもよい。
【００２３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００２４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基体および前記第１の磁性微粒子の表面上で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｅと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｇと、前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有していてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｅと、前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｇと、前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有していてもよい。
【００２７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことが好ましい。
【００２８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
【００２９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００３０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液、あるいは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００３１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液、あるいは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００３２】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００３３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００３４】
第４の発明に係る磁気記録読取装置は、第１および第２の発明に係る磁気記録媒体を用いている。
【発明の効果】
【００３５】
請求項１〜８記載の磁気記録媒体、請求項９〜２７記載の磁気記録媒体の製造方法、および請求項２８記載の磁気記録読取装置においては、記録密度が高く、耐剥離性に優れた磁気記録媒体、および製造コストが低く、特殊な真空チャンバーや高温を必要としない塗布法で製造できる方法を提供できる。
また、基体の表面に磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されているので、磁気記録媒体の剥離強度を高めることができる。
さらに、カップリング反応により形成された結合を介して磁気記録媒体を１層ずつ積層固定することにより磁気記録層を形成するので、磁気記録層の膜厚の厳密な制御を容易に行うことができる。
【００３６】
特に、請求項２記載の磁気記録媒体においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３７】
請求項３記載の磁気記録媒体においては、第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子のいずれか一方または双方の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３８】
請求項４記載の磁気記録媒体においては、基材側から空気との界面側に向かって磁性微粒子層が順次積層した磁気記録層について、積層された磁性微粒子層の数、各層の磁性微粒子層を構成する磁性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、磁気記録媒体の膜厚、磁気特性、空隙率等を容易に制御できる。また、各層の磁性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物およびカップリング剤を選択できる。
【００３９】
請求項５記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物ならびに第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項６記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４０】
請求項７記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４１】
請求項８記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４２】
請求項１０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００４３】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いてパターン部分以外の第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４４】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、エネルギー線の照射によりパターン部分以外の第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４５】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄにおいて、まず、被覆基体の表面に、第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４６】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄにおいて、まず、第１の被覆磁性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜をさらに有する第１の反応性磁性微粒子を調製するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４７】
請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４８】
請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４９】
請求項１７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００５０】
請求項１８記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００５１】
請求項１９記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００５２】
請求項２０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項２１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００５３】
請求項２２および２４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
【００５４】
請求項２３および２５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者をともに含む場合には、調製時間をさらに短縮できる。
【００５５】
請求項２６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００５６】
請求項２７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図２（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図２（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図３は、本発明の第１および第２の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表し、図４（ａ）は同磁気記録媒体の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図４（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図、図５は同磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図５（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、図５（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【００５８】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の一例である単層パターンドメディア１、および積層パターンドメディア３について説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３は、反応性アルミニウム基体（反応性基体の一例）４１の表面に、エポキシ化マグネタイト微粒子（第１の被覆磁性微粒子の一例）３４が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。図１（ｂ）に示すように、積層パターンドメディア３においては、磁性微粒子層は、反応性アルミニウム基体４１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層した磁気記録層を有する。
【００５９】
反応性アルミニウム基体４１の表面は、エポキシ基を有する膜化合物（第１の膜化合物の一例）の単分子膜１３で被覆され、さらにその表面は、２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜で被覆されている。
第２層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２の表面は、２−メチルイミダゾール（第３のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
反応性アルミニウム基体４１と第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４、および第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４と第２層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図１（ｂ）に示すように、反応性マグネタイト微粒子４２は、第１層目のエポキシ化マグネタイト微粒子３４の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して磁性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際には、それによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【００６０】
単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をアルミニウム基体（基体の一例）１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４（被覆基体の一例）を調製する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に光照射（エネルギー照射の一例）するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２または２４を調製する工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）をマグネタイト微粒子（磁性微粒子の一例）３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３１との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｃ（図５参照）と、まず、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体４１を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｄと、エポキシ化アルコキシシラン化合物（第３の膜化合物の一例）を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子（第２の被覆磁性微粒子の一例）３４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子（第２の反応性磁性微粒子の一例）４２を調製する工程Ｅとエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア１または積層パターンドメディア３の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｆと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有する積層パターンドメディア３の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｇとを有する。
【００６１】
以下、工程Ａ〜Ｇについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をアルミニウム基体１１に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４を製造する（図３参照）。
なお、アルミニウム基体１１の大きさ、形状および厚さには特に制限はないが、ハードディスクドライブ用プラッタとして用いられる場合には、例えば、８インチ、５インチ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ、１．３インチ、１インチ、０．８５インチのいずれかである円盤状のものが用いられる。
【００６２】
エポキシ基を有する膜化合物としては、アルミニウム基体１１の表面に吸着または結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基（第１の結合基の一例）をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００６３】
【化１】
【００６４】
上式において、官能基Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００６５】
（１） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（３） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（４） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（５） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（６） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（７） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（８） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（９） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１０） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１１） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１２） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００６６】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ−基は、化２で表される官能基（グリシジル基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００６７】
【化２】
【００６８】
【化３】
【００６９】
エポキシ化アルミニウム基体１４の製造は、エポキシ基およびアルコキシシリル基（第２の結合基の一例）を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をアルミニウム基体１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００７０】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００７１】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００７２】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００７３】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００７４】
アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はアルミニウム基体１１の表面または隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はアルミニウム基体１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００７５】
【化４】
【００７６】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、アルミニウム基体１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、アルミニウム基体１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００７７】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７８】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間をさらに短縮できる。
【００７９】
例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化マグネタイト微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００８０】
さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００８１】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００８２】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００８３】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００８４】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００８５】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００８６】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００８７】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化アルミニウム基体１４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００８８】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８９】
反応後、生成したエポキシ化アルミニウム基体１４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に必ずしも共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化アルミニウム基体１４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００９０】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、アミノ基やイミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有するものが使用できる。
【００９１】
【化５】
【００９２】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００９３】
（２１） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２２） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２３） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２４） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２５） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２６） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２７） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２８） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００９４】
ただし、この場合に反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００９５】
本実施の形態においては、基体材料としてアルミニウムを用いたが、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。
また、磁気記録媒体として、フレキシブルディスクや磁気テープを製造する場合には、ポリエチレンやポリエステル等の合成樹脂フィルムまたは紙等の材料を基体材料として用いることができる。
基体材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、アルミニウムの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基体の具体例としては、ガラス、紙等が挙げられる。合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。
（以上工程Ａ）
【００９６】
工程Ｂでは、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面を露光するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみ選択的にエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２を調製する（図４参照）。
露光に用いるマスクとしては、半導体素子の製造等におけるフォトリソグラフィに用いられるレチクル用材料等の、光を透過せず、少なくとも露光の間は照射光による損傷を受けない任意の材質のものを用いることができる。また、露光は等倍露光でもよく、微細なパターンを形成する場合等には縮小投影露光を用いてもよい。
【００９７】
光源としては、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザー等のレーザー光が好ましく用いられる。図４（ａ）に示すように、レーザー光の照射により、照射した部位の温度が上昇し、その部分を被覆しているエポキシ基を有する膜化合物が除去され（２３）、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２が得られる（図４（ｂ）参照）。
照射した部分以外への入熱を抑制するため、パルスレーザーを用いるパルスレーザーアブレーション法により、エポキシ化された膜化合物を除去することが好ましい。
レーザー光の強度は、０．１〜０．３Ｊ・ｃｍ−２であることが好ましい。レーザー光の強度が０．１Ｊ・ｃｍ−２未満である場合には、十分にエポキシ基を有する膜化合物を除去することができず、０．３Ｊ・ｃｍ−２を上回る場合には、エポキシ化アルミニウム基体１４のガラス部材が除去されるため、いずれも好ましくない。
また、レーザー光の強度が上記範囲内である場合、パルス幅としては５〜５０ｎｓが好ましい。
【００９８】
上記の実施の形態においては、パルスレーザーアブレーション法によりエポキシ化された膜化合物を除去したが、電子線、Ｘ線等の他のエネルギー照射を用いてもよい。また、マスクを通して露光する代わりに、直接エポキシ化アルミニウム基体１４上に電子ビーム等で選択的にパターンを描画することにより、パターン以外の部分のエポキシ化された膜化合物を除去してもよい。
【００９９】
変形例に係るパターン形成処理を行う工程においては、図４（ｂ）に示すようにエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に光重合開始剤を塗布した後、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面を露光することにより、露光した部分のエポキシ基を開環重合させ、パターン部分にのみエポキシ基を有するパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２４を調製する。
用いることができる光重合開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩等のカチオン性光重合開始剤が挙げられる。光源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ等が挙げられる。
（以上工程Ｂ）
【０１００】
工程Ｃでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のエポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子３１と接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子３４を製造する（図５参照）。
【０１０１】
用いることのできるマグネタイト微粒子３１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。マグネタイト微粒子３１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が０．１ｍｍを上回る場合には、マグネタイト微粒子３１の表面積に対する質量の割合が大きくなるため、カップリング反応によりその質量を支持できなくなる。
【０１０２】
エポキシ化マグネタイト微粒子３４の製造は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中にマグネタイト微粒子３１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【０１０３】
工程Ｃにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【０１０４】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子３４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化マグネタイト微粒子３４の断面構造の模式図を図５（ｂ）に示す。
【０１０５】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、生成したエポキシ化マグネタイト微粒子３４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化マグネタイト微粒子３４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｄ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【０１０６】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｄにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【０１０７】
また、本実施の形態においては、微粒子としてマグネタイト微粒子を用いたが、γ−Ｆｅ２Ｏ３、酸化クロム、Ｃｏ含有酸化鉄等の酸化物系磁性微粒子、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金等の他の金属系磁性微粒子を用いることもできる。また、磁気記録媒体として、光磁気ディスクを製造する場合には、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ等のカー効果を有する磁性微粒子を用いることもできる。
磁性微粒子の直径の好ましい範囲は、磁性微粒子の種類によって異なる場合がある。例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金の場合、微粒子の好ましい直径の下限値は５ｎｍ程度である。
【０１０８】
マグネタイト微粒子以外の微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、マグネタイトの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【０１０９】
本実施の形態においては、第１および第２の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｃ）
【０１１０】
工程Ｄでは、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体４１を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する
【０１１１】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基およびイミノ基をそれぞれ１−位および３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１１２】
【化６】
【０１１３】
反応性アルミニウム基体３２の製造は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
膜前駆体の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度および反応時間は、用いる基体および磁性微粒子の種類、形成する磁気記録媒体の膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１１４】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、反応性アルミニウム基体４１が得られる（図３）。
このようにして得られた反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４の分散液を塗布後加熱し、エポキシ化マグネタイト微粒子３４上のエポキシ基と、反応性アルミニウム基体４１上の２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応によりエポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性アルミニウム基体４１の表面に結合固定し、単層の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア１を製造する。
加熱温度は、５０〜２００℃が好ましい。加熱温度が５０℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜２３や反応性単分子膜３１の分解反応が起こり、均一な単層パターンドメディア１が得られない。
【０１１５】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、余分のエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する。
【０１１６】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１１７】
【化７】
【０１１８】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、およびＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
【０１１９】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１２０】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２もしくは３以上のエポキシ基または２もしくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化マグネタイト微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、イミノ基やアミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２または３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｄ）
【０１２１】
工程Ｅでは、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子４２を調製する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｄにおける反応性アルミニウム基体４１の調製の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｄにおける反応性アルミニウム基体４１の調製の場合と同様である。
【０１２２】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１および第２の膜化合物の一方または双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｅ）
【０１２３】
工程Ｆでは、工程Ｅで反応性アルミニウム基体４１の表面に結合固定されたエポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する。
また、工程Ｇでは、工程Ｆで結合固定された反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する。
工程Ｆ、Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程ＦおよびＧ）
【０１２４】
本実施の形態においては、磁性微粒子層が２層積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の調製について説明したが、工程ＦおよびＧをこの順序で繰り返し行って、ｎ（ｎは２以上の整数）層の磁性微粒子層からなる磁気記録媒体を形成する工程Ｈをさらに行ってもよい。なお、工程Ｈは、工程Ｆおよび工程Ｇのいずれで終えてもよい。
【０１２５】
工程Ｄ、Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことにより（磁場配向処理）、エポキシ化マグネタイト微粒子３４および反応性マグネタイト微粒子４２の配向性を向上させ、より磁気記録特性の改善されたハードディスクドライブ用プラッタ１を得ることができる。磁場の印加には、永久磁石、電磁石、および超伝導磁石のいずれを用いてもよい。引加する磁場の強度および方向は、製造するハードディスクドライブ用プラッタ１に用いられる磁性微粒子、記録容量等に応じて適宜決定される。
なお、本実施の形態においてはエポキシ化アルミニウム基体を用いたが、工程ＡおよびＢを省略して普通のアルミニウム基体を基体として用いてもよい。
また、フレキシブルディスクや磁気テープの製造の際には、基体の熱変形や燃焼を防止するため、加熱温度は、例えば、５０〜１００℃が好ましい。
【０１２６】
このように形成された磁気記録層の上に、必要に応じて保護膜、磁気記録媒体等の各種機能性膜を形成してもよい。機能性膜の製造には、例えば、シリカ、アルミナ等の微粒子に、本実施の形態に係る方法と同様の処理を行い、これらの微粒子が配列した微粒子膜を磁気記録層の上に積層してもよく、あるいは、真空蒸着等の公知の方法を用いてもよい。
【０１２７】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４について説明する（図２参照）。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、反応性マグネタイト微粒子４２（第１の反応性磁性微粒子の一例）が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。図２（ｂ）に示すように、積層パターンドメディア４においては、磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１２８】
エポキシ化アルミニウム基体１４の表面は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で被覆されている。
１層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２の表面は、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
エポキシ化アルミニウム基体１４と第１層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２、および奇数層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２と偶数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図２（ｂ）に示すように、エポキシ化マグネタイト微粒子３４は、奇数層目の反応性マグネタイト微粒子４２の側面にも結合することができるが、図２（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して磁性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、それによりパターン形状が損なわれることはない。
【０１２９】
単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をアルミニウム基体１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４を調製する工程Ａと、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に選択的に光照射するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみ選択的にエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２を調製する工程Ｂと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｃと、まず、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性マグネタイト微粒子４２を調製し、次いで、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を固定し、次いで、固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｄと、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｅと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア２または積層パターンドメディア４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｆと、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層を有する積層パターンドメディア４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｇとを有する。
【０１３０】
工程Ａ〜Ｇにおける、エポキシ化アルミニウム基体１４、エポキシ化マグネタイト微粒子３４、反応性アルミニウム基体４１、および反応性マグネタイト微粒子４２の調製、ならびにこれらの反応については、第１の実施の形態に係る単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１３１】
以上、本発明の第１および第２の実施の形態に係る単層パターンドメディア、および積層パターンドメディアおよびそれらの製造方法について説明したが、ハードディスクドライブ用プラッタ、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（オーディオ用およびデータ保存用のいずれでもよく、アナログおよびデジタル記録用のいずれであってもよい）、磁気カード（銀行用カード、クレジットカード、電話および交通機関用プリペイドカード、鉄道用乗車券および定期券等）等の任意の磁気記録媒体、およびこれらの磁気記録媒体から記録された情報を読み取るための磁気記録読取装置（ハードディスクドライブ、フレキシブルディスクドライブ、光磁気ディスクドライブ、テープレコーダ、テープリーダ、カードリーダ等）に対して、本発明は適用できる。
【実施例】
【０１３２】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１３３】
実施例１：エポキシ化アルミニウム基体の調製
アルミニウム基体を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。この方法により、エポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３４】
【化８】
【０１３５】
このようにして得られた反応液をアルミニウム基体に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１３６】
実施例２：パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の調製
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体に、形成されるパターン部分を覆うマスク（ラインアンドスペース０．５μｍ）を介してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ、レーザー強度０．１５Ｊ／ｃｍ２）を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜を、レーザーアブレーションにより除去した。この方法により、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３７】
あるいは、カチオン性光重合開始剤であるイルガキュア（登録商標）２５０（（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート）と炭酸プロピレンとの３：１混合物、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）をＭＥＫで希釈してエポキシ化アルミニウム基体の表面に塗布した後、上記と同様のマスクを介して遠紫外線を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜のエポキシ基を開環重合させることによっても、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３８】
実施例３：エポキシ化マグネタイト微粒子の調製
平均粒径が３０ｎｍの無水のマグネタイト微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１３９】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１４０】
実施例４：パターン状の反応性アルミニウム基体の調製
実施例２で調製したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して、パターン状の反応性アルミニウム基体が得られた。その後、エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去できた。
【０１４１】
実施例５：反応性マグネタイト微粒子の調製
実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性マグネタイト微粒子が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去できた。
【０１４２】
実施例６：パターンドメディアの調製（１）
実施例４で調製した反応性アルミニウム基体の表面に、実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した磁気記録媒体の表面に、実施例５で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４３】
実施例７：パターンドメディアの調製（２）
実施例２で調製したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の表面に、実施例５で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した磁気記録媒体の表面に、実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４４】
実施例８：パターンドメディアの調製（３）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化９、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解した反応液を用いて、実施例１および実施例３と同様の処理を行い、アミノ化アルミニウム基体および粒径が約１００ｎｍのアミノ化マグネタイト微粒子を調製した。
アミノ化アルミニウム基体について、実施例２と同様の処理を行い、パターン形成されたアミノ化アルミニウム基体を調製した。
また、カップリング剤として、ｐ−フェニレンジイソシアネートを用いて、実施例４および実施例５と同様の処理を行い、カップリング反応基としてイソシアネート基を有する反応性アルミニウム基体および反応性マグネタイト微粒子を調製した。
これらの原料を用いて、実施例６および実施例７と同様の処理を行うと、１層（膜厚１００ｎｍ）または２層（膜厚２００ｎｍ）のマグネタイト微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４５】
【化９】
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図３】本発明の第１および第２の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】（ａ）は同磁気記録媒体の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。
【図５】同磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【符号の説明】
【０１４７】
１、２：単層パターンドメディア、３、４：積層パターンドメディア、１１：アルミニウム基体、１２、３２：ヒドロキシル基、１３、３３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化アルミニウム基体、２１：マスク、２２、２４：パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体、２３：除去されたエポキシ基を有する膜化合物、３１：マグネタイト微粒子、３４：エポキシ化マグネタイト微粒子、４１：反応性アルミニウム基体、４２：反応性マグネタイト微粒子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。さらに詳しくは、表面に熱反応性、光反応性、ラジカル反応性、またはイオン反応性を付与した金属や金属酸化物よりなる磁性微粒子がカップリング剤を介した積層して磁気記録層を形成している磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テープやディスク等の基体の表面に、磁気記録層としてバインダー樹脂中に分散した磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化させた磁気記録媒体や、基体の表面に磁性金属あるいは磁性金属酸化物を蒸着した磁気記録媒体が市販されている。
【０００３】
また、トラックに沿って磁性微粒子を整然と配列させた、いわゆるパターンドメディアが、単位面積あたりの記録密度が高い次世代の高密度磁気記録媒体として注目を集めており、近年研究開発が盛んに行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１００５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
塗布型の磁気記録媒体は、製造コストは低いという長所を有するものの、バインダー樹脂を必要とするため高密度記録が難しい。一方、蒸着型の磁気記録媒体は、バインダーを必要としないため記録の高密度化が比較的容易に達成できるものの、大型の真空設備を要するため製造コストが高いという欠点があった。また、いずれの方法も、磁気記録層と基体との接着強度が十分でなく、耐剥離性に乏しいという欠点があった。
【０００６】
さらに、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する磁性微粒子膜よりなる磁気記録層（以下、単層磁気記録媒体という。）、および磁性微粒子膜を複数層累積した磁気記録層（以下、累積磁気記録媒体という。）ならびにそれらの製造方法は未だ開発および提供されておらず、使用する磁性微粒子のサイズや積層数によって磁気記録層の膜厚を制御するという技術的思想もこれまで提案されていない。
【０００７】
また、特許文献１に記載のパターンドメディアの製造方法においては、真空蒸着によりパターン化された磁気記録層を形成しているので、上記の場合と同様、大型の真空設備を要するため製造コストが高い。
【０００８】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備え、かつ膜厚およびパターン制御が容易な磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係る磁気記録媒体は、基体の表面のパターン部分にのみ磁性微粒子が選択的に配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、前記基体の表面の少なくとも前記パターン部分は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子の表面は、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基体の表面のパターン部分にのみ選択的に固定された磁気記録層を有する。
【００１０】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００１１】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１２】
第２の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面のパターン部分にのみ、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
【００１３】
第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
【００１４】
第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１５】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１６】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、前記パターン部分にのみ前記第１の官能基を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の前記磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｄとを有する。
【００１８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄを磁場中で行うことが好ましい。
【００１９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行ってもよい。
【００２０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行ってもよい。
【００２１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定してもよい。
【００２２】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定してもよい。
【００２３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００２４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基体および前記第１の磁性微粒子の表面上で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｅと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｇと、前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有していてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｅと、前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｇと、前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有していてもよい。
【００２７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことが好ましい。
【００２８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
【００２９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００３０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液、あるいは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００３１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液、あるいは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００３２】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００３３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００３４】
第４の発明に係る磁気記録読取装置は、第１および第２の発明に係る磁気記録媒体を用いている。
【発明の効果】
【００３５】
請求項１〜８記載の磁気記録媒体、請求項９〜２７記載の磁気記録媒体の製造方法、および請求項２８記載の磁気記録読取装置においては、記録密度が高く、耐剥離性に優れた磁気記録媒体、および製造コストが低く、特殊な真空チャンバーや高温を必要としない塗布法で製造できる方法を提供できる。
また、基体の表面に磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されているので、磁気記録媒体の剥離強度を高めることができる。
さらに、カップリング反応により形成された結合を介して磁気記録媒体を１層ずつ積層固定することにより磁気記録層を形成するので、磁気記録層の膜厚の厳密な制御を容易に行うことができる。
【００３６】
特に、請求項２記載の磁気記録媒体においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３７】
請求項３記載の磁気記録媒体においては、第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子のいずれか一方または双方の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３８】
請求項４記載の磁気記録媒体においては、基材側から空気との界面側に向かって磁性微粒子層が順次積層した磁気記録層について、積層された磁性微粒子層の数、各層の磁性微粒子層を構成する磁性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、磁気記録媒体の膜厚、磁気特性、空隙率等を容易に制御できる。また、各層の磁性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物およびカップリング剤を選択できる。
【００３９】
請求項５記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物ならびに第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項６記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４０】
請求項７記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４１】
請求項８記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４２】
請求項１０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００４３】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いてパターン部分以外の第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４４】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、エネルギー線の照射によりパターン部分以外の第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４５】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄにおいて、まず、被覆基体の表面に、第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４６】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｄにおいて、まず、第１の被覆磁性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜をさらに有する第１の反応性磁性微粒子を調製するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４７】
請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４８】
請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４９】
請求項１７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００５０】
請求項１８記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００５１】
請求項１９記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００５２】
請求項２０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項２１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００５３】
請求項２２および２４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
【００５４】
請求項２３および２５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者をともに含む場合には、調製時間をさらに短縮できる。
【００５５】
請求項２６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００５６】
請求項２７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図２（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図２（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、図３は、本発明の第１および第２の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表し、図４（ａ）は同磁気記録媒体の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図４（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図、図５は同磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図５（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、図５（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【００５８】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の一例である単層パターンドメディア１、および積層パターンドメディア３について説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３は、反応性アルミニウム基体（反応性基体の一例）４１の表面に、エポキシ化マグネタイト微粒子（第１の被覆磁性微粒子の一例）３４が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。図１（ｂ）に示すように、積層パターンドメディア３においては、磁性微粒子層は、反応性アルミニウム基体４１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層した磁気記録層を有する。
【００５９】
反応性アルミニウム基体４１の表面は、エポキシ基を有する膜化合物（第１の膜化合物の一例）の単分子膜１３で被覆され、さらにその表面は、２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜で被覆されている。
第２層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２の表面は、２−メチルイミダゾール（第３のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
反応性アルミニウム基体４１と第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４、および第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４と第２層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図１（ｂ）に示すように、反応性マグネタイト微粒子４２は、第１層目のエポキシ化マグネタイト微粒子３４の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して磁性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際には、それによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【００６０】
単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をアルミニウム基体（基体の一例）１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４（被覆基体の一例）を調製する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に光照射（エネルギー照射の一例）するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２または２４を調製する工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）をマグネタイト微粒子（磁性微粒子の一例）３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３１との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｃ（図５参照）と、まず、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体４１を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｄと、エポキシ化アルコキシシラン化合物（第３の膜化合物の一例）を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子（第２の被覆磁性微粒子の一例）３４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子（第２の反応性磁性微粒子の一例）４２を調製する工程Ｅとエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア１または積層パターンドメディア３の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｆと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有する積層パターンドメディア３の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｇとを有する。
【００６１】
以下、工程Ａ〜Ｇについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をアルミニウム基体１１に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４を製造する（図３参照）。
なお、アルミニウム基体１１の大きさ、形状および厚さには特に制限はないが、ハードディスクドライブ用プラッタとして用いられる場合には、例えば、８インチ、５インチ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ、１．３インチ、１インチ、０．８５インチのいずれかである円盤状のものが用いられる。
【００６２】
エポキシ基を有する膜化合物としては、アルミニウム基体１１の表面に吸着または結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基（第１の結合基の一例）をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００６３】
【化１】
【００６４】
上式において、官能基Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００６５】
（１） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（３） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（４） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（５） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（６） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（７） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（８） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（９） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１０） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１１） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１２） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００６６】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ−基は、化２で表される官能基（グリシジル基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００６７】
【化２】
【００６８】
【化３】
【００６９】
エポキシ化アルミニウム基体１４の製造は、エポキシ基およびアルコキシシリル基（第２の結合基の一例）を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をアルミニウム基体１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００７０】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００７１】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００７２】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００７３】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００７４】
アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はアルミニウム基体１１の表面または隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はアルミニウム基体１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００７５】
【化４】
【００７６】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、アルミニウム基体１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、アルミニウム基体１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００７７】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７８】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間をさらに短縮できる。
【００７９】
例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化マグネタイト微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００８０】
さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００８１】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００８２】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００８３】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００８４】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００８５】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００８６】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００８７】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化アルミニウム基体１４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００８８】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８９】
反応後、生成したエポキシ化アルミニウム基体１４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に必ずしも共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化アルミニウム基体１４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００９０】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、アミノ基やイミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有するものが使用できる。
【００９１】
【化５】
【００９２】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００９３】
（２１） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２２） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２３） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２４） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２５） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２６） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２７） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２８） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００９４】
ただし、この場合に反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００９５】
本実施の形態においては、基体材料としてアルミニウムを用いたが、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。
また、磁気記録媒体として、フレキシブルディスクや磁気テープを製造する場合には、ポリエチレンやポリエステル等の合成樹脂フィルムまたは紙等の材料を基体材料として用いることができる。
基体材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、アルミニウムの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基体の具体例としては、ガラス、紙等が挙げられる。合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。
（以上工程Ａ）
【００９６】
工程Ｂでは、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面を露光するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみ選択的にエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２を調製する（図４参照）。
露光に用いるマスクとしては、半導体素子の製造等におけるフォトリソグラフィに用いられるレチクル用材料等の、光を透過せず、少なくとも露光の間は照射光による損傷を受けない任意の材質のものを用いることができる。また、露光は等倍露光でもよく、微細なパターンを形成する場合等には縮小投影露光を用いてもよい。
【００９７】
光源としては、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザー等のレーザー光が好ましく用いられる。図４（ａ）に示すように、レーザー光の照射により、照射した部位の温度が上昇し、その部分を被覆しているエポキシ基を有する膜化合物が除去され（２３）、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２が得られる（図４（ｂ）参照）。
照射した部分以外への入熱を抑制するため、パルスレーザーを用いるパルスレーザーアブレーション法により、エポキシ化された膜化合物を除去することが好ましい。
レーザー光の強度は、０．１〜０．３Ｊ・ｃｍ−２であることが好ましい。レーザー光の強度が０．１Ｊ・ｃｍ−２未満である場合には、十分にエポキシ基を有する膜化合物を除去することができず、０．３Ｊ・ｃｍ−２を上回る場合には、エポキシ化アルミニウム基体１４のガラス部材が除去されるため、いずれも好ましくない。
また、レーザー光の強度が上記範囲内である場合、パルス幅としては５〜５０ｎｓが好ましい。
【００９８】
上記の実施の形態においては、パルスレーザーアブレーション法によりエポキシ化された膜化合物を除去したが、電子線、Ｘ線等の他のエネルギー照射を用いてもよい。また、マスクを通して露光する代わりに、直接エポキシ化アルミニウム基体１４上に電子ビーム等で選択的にパターンを描画することにより、パターン以外の部分のエポキシ化された膜化合物を除去してもよい。
【００９９】
変形例に係るパターン形成処理を行う工程においては、図４（ｂ）に示すようにエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に光重合開始剤を塗布した後、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面を露光することにより、露光した部分のエポキシ基を開環重合させ、パターン部分にのみエポキシ基を有するパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２４を調製する。
用いることができる光重合開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩等のカチオン性光重合開始剤が挙げられる。光源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ等が挙げられる。
（以上工程Ｂ）
【０１００】
工程Ｃでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のエポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子３１と接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子３４を製造する（図５参照）。
【０１０１】
用いることのできるマグネタイト微粒子３１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。マグネタイト微粒子３１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が０．１ｍｍを上回る場合には、マグネタイト微粒子３１の表面積に対する質量の割合が大きくなるため、カップリング反応によりその質量を支持できなくなる。
【０１０２】
エポキシ化マグネタイト微粒子３４の製造は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中にマグネタイト微粒子３１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【０１０３】
工程Ｃにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【０１０４】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子３４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化マグネタイト微粒子３４の断面構造の模式図を図５（ｂ）に示す。
【０１０５】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、生成したエポキシ化マグネタイト微粒子３４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化マグネタイト微粒子３４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｄ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【０１０６】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｄにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【０１０７】
また、本実施の形態においては、微粒子としてマグネタイト微粒子を用いたが、γ−Ｆｅ２Ｏ３、酸化クロム、Ｃｏ含有酸化鉄等の酸化物系磁性微粒子、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金等の他の金属系磁性微粒子を用いることもできる。また、磁気記録媒体として、光磁気ディスクを製造する場合には、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ等のカー効果を有する磁性微粒子を用いることもできる。
磁性微粒子の直径の好ましい範囲は、磁性微粒子の種類によって異なる場合がある。例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金の場合、微粒子の好ましい直径の下限値は５ｎｍ程度である。
【０１０８】
マグネタイト微粒子以外の微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、マグネタイトの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【０１０９】
本実施の形態においては、第１および第２の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｃ）
【０１１０】
工程Ｄでは、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体４１を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する
【０１１１】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基およびイミノ基をそれぞれ１−位および３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１１２】
【化６】
【０１１３】
反応性アルミニウム基体３２の製造は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
膜前駆体の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度および反応時間は、用いる基体および磁性微粒子の種類、形成する磁気記録媒体の膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１１４】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、反応性アルミニウム基体４１が得られる（図３）。
このようにして得られた反応性アルミニウム基体４１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４の分散液を塗布後加熱し、エポキシ化マグネタイト微粒子３４上のエポキシ基と、反応性アルミニウム基体４１上の２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応によりエポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性アルミニウム基体４１の表面に結合固定し、単層の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア１を製造する。
加熱温度は、５０〜２００℃が好ましい。加熱温度が５０℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜２３や反応性単分子膜３１の分解反応が起こり、均一な単層パターンドメディア１が得られない。
【０１１５】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、余分のエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する。
【０１１６】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１１７】
【化７】
【０１１８】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、およびＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
【０１１９】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１２０】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２もしくは３以上のエポキシ基または２もしくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化マグネタイト微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、イミノ基やアミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２または３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｄ）
【０１２１】
工程Ｅでは、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子４２を調製する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｄにおける反応性アルミニウム基体４１の調製の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｄにおける反応性アルミニウム基体４１の調製の場合と同様である。
【０１２２】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１および第２の膜化合物の一方または双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｅ）
【０１２３】
工程Ｆでは、工程Ｅで反応性アルミニウム基体４１の表面に結合固定されたエポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する。
また、工程Ｇでは、工程Ｆで結合固定された反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する。
工程Ｆ、Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程ＦおよびＧ）
【０１２４】
本実施の形態においては、磁性微粒子層が２層積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の調製について説明したが、工程ＦおよびＧをこの順序で繰り返し行って、ｎ（ｎは２以上の整数）層の磁性微粒子層からなる磁気記録媒体を形成する工程Ｈをさらに行ってもよい。なお、工程Ｈは、工程Ｆおよび工程Ｇのいずれで終えてもよい。
【０１２５】
工程Ｄ、Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことにより（磁場配向処理）、エポキシ化マグネタイト微粒子３４および反応性マグネタイト微粒子４２の配向性を向上させ、より磁気記録特性の改善されたハードディスクドライブ用プラッタ１を得ることができる。磁場の印加には、永久磁石、電磁石、および超伝導磁石のいずれを用いてもよい。引加する磁場の強度および方向は、製造するハードディスクドライブ用プラッタ１に用いられる磁性微粒子、記録容量等に応じて適宜決定される。
なお、本実施の形態においてはエポキシ化アルミニウム基体を用いたが、工程ＡおよびＢを省略して普通のアルミニウム基体を基体として用いてもよい。
また、フレキシブルディスクや磁気テープの製造の際には、基体の熱変形や燃焼を防止するため、加熱温度は、例えば、５０〜１００℃が好ましい。
【０１２６】
このように形成された磁気記録層の上に、必要に応じて保護膜、磁気記録媒体等の各種機能性膜を形成してもよい。機能性膜の製造には、例えば、シリカ、アルミナ等の微粒子に、本実施の形態に係る方法と同様の処理を行い、これらの微粒子が配列した微粒子膜を磁気記録層の上に積層してもよく、あるいは、真空蒸着等の公知の方法を用いてもよい。
【０１２７】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４について説明する（図２参照）。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、反応性マグネタイト微粒子４２（第１の反応性磁性微粒子の一例）が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。図２（ｂ）に示すように、積層パターンドメディア４においては、磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１２８】
エポキシ化アルミニウム基体１４の表面は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で被覆されている。
１層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２の表面は、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
エポキシ化アルミニウム基体１４と第１層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２、および奇数層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２と偶数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子３４との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図２（ｂ）に示すように、エポキシ化マグネタイト微粒子３４は、奇数層目の反応性マグネタイト微粒子４２の側面にも結合することができるが、図２（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して磁性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、それによりパターン形状が損なわれることはない。
【０１２９】
単層パターンドメディア２および積層パターンドメディア４の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をアルミニウム基体１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４を調製する工程Ａと、パターン部分を覆うマスク２１を通して、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に選択的に光照射するパターン形成処理を行い、パターン部分にのみ選択的にエポキシ基を残したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体２２を調製する工程Ｂと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｃと、まず、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性マグネタイト微粒子４２を調製し、次いで、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を固定し、次いで、固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｄと、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子３１の表面のヒドロキシル基３２との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を調製する工程Ｅと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有する単層パターンドメディア２または積層パターンドメディア４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子３４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子３４を除去する工程Ｆと、エポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層を有する積層パターンドメディア４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子３４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｇとを有する。
【０１３０】
工程Ａ〜Ｇにおける、エポキシ化アルミニウム基体１４、エポキシ化マグネタイト微粒子３４、反応性アルミニウム基体４１、および反応性マグネタイト微粒子４２の調製、ならびにこれらの反応については、第１の実施の形態に係る単層パターンドメディア１および積層パターンドメディア３の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１３１】
以上、本発明の第１および第２の実施の形態に係る単層パターンドメディア、および積層パターンドメディアおよびそれらの製造方法について説明したが、ハードディスクドライブ用プラッタ、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（オーディオ用およびデータ保存用のいずれでもよく、アナログおよびデジタル記録用のいずれであってもよい）、磁気カード（銀行用カード、クレジットカード、電話および交通機関用プリペイドカード、鉄道用乗車券および定期券等）等の任意の磁気記録媒体、およびこれらの磁気記録媒体から記録された情報を読み取るための磁気記録読取装置（ハードディスクドライブ、フレキシブルディスクドライブ、光磁気ディスクドライブ、テープレコーダ、テープリーダ、カードリーダ等）に対して、本発明は適用できる。
【実施例】
【０１３２】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１３３】
実施例１：エポキシ化アルミニウム基体の調製
アルミニウム基体を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。この方法により、エポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３４】
【化８】
【０１３５】
このようにして得られた反応液をアルミニウム基体に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１３６】
実施例２：パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の調製
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体に、形成されるパターン部分を覆うマスク（ラインアンドスペース０．５μｍ）を介してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ、レーザー強度０．１５Ｊ／ｃｍ２）を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜を、レーザーアブレーションにより除去した。この方法により、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３７】
あるいは、カチオン性光重合開始剤であるイルガキュア（登録商標）２５０（（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート）と炭酸プロピレンとの３：１混合物、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）をＭＥＫで希釈してエポキシ化アルミニウム基体の表面に塗布した後、上記と同様のマスクを介して遠紫外線を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜のエポキシ基を開環重合させることによっても、パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体を調製できた。
【０１３８】
実施例３：エポキシ化マグネタイト微粒子の調製
平均粒径が３０ｎｍの無水のマグネタイト微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１３９】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１４０】
実施例４：パターン状の反応性アルミニウム基体の調製
実施例２で調製したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して、パターン状の反応性アルミニウム基体が得られた。その後、エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去できた。
【０１４１】
実施例５：反応性マグネタイト微粒子の調製
実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性マグネタイト微粒子が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去できた。
【０１４２】
実施例６：パターンドメディアの調製（１）
実施例４で調製した反応性アルミニウム基体の表面に、実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した磁気記録媒体の表面に、実施例５で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４３】
実施例７：パターンドメディアの調製（２）
実施例２で調製したパターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体の表面に、実施例５で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した磁気記録媒体の表面に、実施例３で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４４】
実施例８：パターンドメディアの調製（３）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化９、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解した反応液を用いて、実施例１および実施例３と同様の処理を行い、アミノ化アルミニウム基体および粒径が約１００ｎｍのアミノ化マグネタイト微粒子を調製した。
アミノ化アルミニウム基体について、実施例２と同様の処理を行い、パターン形成されたアミノ化アルミニウム基体を調製した。
また、カップリング剤として、ｐ−フェニレンジイソシアネートを用いて、実施例４および実施例５と同様の処理を行い、カップリング反応基としてイソシアネート基を有する反応性アルミニウム基体および反応性マグネタイト微粒子を調製した。
これらの原料を用いて、実施例６および実施例７と同様の処理を行うと、１層（膜厚１００ｎｍ）または２層（膜厚２００ｎｍ）のマグネタイト微粒子層が積層した磁気記録媒体が得られた。
【０１４５】
【化９】
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る単層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は同実施の形態に係る積層パターンドメディアの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図３】本発明の第１および第２の実施の形態に係る磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】（ａ）は同磁気記録媒体の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。
【図５】同磁気記録媒体の製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【符号の説明】
【０１４７】
１、２：単層パターンドメディア、３、４：積層パターンドメディア、１１：アルミニウム基体、１２、３２：ヒドロキシル基、１３、３３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化アルミニウム基体、２１：マスク、２２、２４：パターン形成されたエポキシ化アルミニウム基体、２３：除去されたエポキシ基を有する膜化合物、３１：マグネタイト微粒子、３４：エポキシ化マグネタイト微粒子、４１：反応性アルミニウム基体、４２：反応性マグネタイト微粒子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面のパターン部分にのみ磁性微粒子が選択的に配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、
前記基体の表面の少なくとも前記パターン部分は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子の表面は、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基体の表面のパターン部分にのみ選択的に固定された磁気記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面のパターン部分にのみ、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４および５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、
前記パターン部分にのみ前記第１の官能基を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、
分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｃと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の前記磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｄとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基体および前記第１の磁性微粒子の表面上で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｅと、
前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｇと、
前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｅと、
前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｇと、
前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７および１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項９〜１６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項９〜１６および２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項１７〜２１、および２４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
請求項９〜２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
請求項９〜２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録読取装置。
【請求項１】
基体の表面のパターン部分にのみ磁性微粒子が選択的に配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、
前記基体の表面の少なくとも前記パターン部分は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子の表面は、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基体の表面のパターン部分にのみ選択的に固定された磁気記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面のパターン部分にのみ、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４および５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、
前記パターン部分にのみ前記第１の官能基を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、
分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｃと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の前記磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｄとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基体および前記第１の磁性微粒子の表面上で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｅと、
前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｇと、
前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｅと、
前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｇと、
前記工程ＦおよびＧをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｈとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７および１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｆ〜Ｈを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項９〜１６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項９〜１６および２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項１７〜２１、および２４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
請求項９〜２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
請求項９〜２５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録読取装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２７６８８９（Ｐ２００８−２７６８８９Ａ）
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２１８５９（Ｐ２００７−１２１８５９）
【出願日】平成１９年５月２日（２００７．５．２）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２日（２００７．５．２）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
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