磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置
【課題】タクトタイムの短縮とともに、非磁性材の使用量（充填量）を低減でき、製造コストの抑制および低価格な磁気記録媒体を実現することができる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体２は、基板２０上に成膜された多層膜層３０と、多層膜層３０に積層された磁性記録層４０と、エッチングにより除去されるとともに、磁性記録層４０の一部として残存された磁性層の凹部４１に充填される非磁性材４２と、磁性記録層４０の一部として残存されている磁性層の底部４４を酸化により変質させることで形成される非磁性層４５とから形成する。
【解決手段】磁気記録媒体２は、基板２０上に成膜された多層膜層３０と、多層膜層３０に積層された磁性記録層４０と、エッチングにより除去されるとともに、磁性記録層４０の一部として残存された磁性層の凹部４１に充填される非磁性材４２と、磁性記録層４０の一部として残存されている磁性層の底部４４を酸化により変質させることで形成される非磁性層４５とから形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ）等の磁気記録装置は小型・大容量化が急速に進んでおり、磁気記録媒体の大容量化（記憶容量の増大化）に伴い高記録密度化も要求されている。ここで、高記録密度化を図るべく磁気記録媒体の磁気粒子は微細化となっており、かかる高密度化の要望に応えるため、記録面に対して垂直方向に磁化を行なう垂直磁気記録方式が用いられている。このような垂直磁気記録方式では、１００Gbit／in2程度の記録密度を可能としている。
【０００３】
ところで、高密度化を進めた場合、磁気ヘッドからの書き込み磁界の広がりが原因とされる隣接トラックへの影響や再生時のクロストーク問題などが顕著化しするため、現状の垂直磁気記録技術の延長では５００Gbit／in2程度が限界となる。また、磁気記録媒体単体での記録能力も連続膜構造の場合では「熱揺らぎ問題」などにより１Tbit／in2程度が限界とされている。
【０００４】
そこで、磁気記録媒体の高記録密度化を図る垂直磁気記録方式の媒体としては、隣接するトラック間に、非磁性体領域を形成し、磁性体によって形成されるトラック部にのみ記録するディスクリートトラック媒体（ＤＴＭ：Ｄｉｓｃｒｅｅｔ Ｔｒａｃｋ Ｍｅｄｉａ）が提案されている。また、磁性粒子を孤立させて、単一のビットパターンを作製し、記録分解能を向上させたビットパターンドメディア媒体（ＢＰＭ：Ｂｉｔ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｍｅｄｉａ）が提案されている。
【０００５】
ディスクリートトラック媒体の場合は半径方向に、ビットパターンドメディア媒体は円周方向および半径方向ともにサーボ領域のサーボパターンに応じた凹部と凸部とを有する非パターンおよびパターン部が形成されるため記録密度を向上させることができる。
【０００６】
上述した従来のパターンドメディアを製造する場合、フォトリソプロセス又はインプリントプロセスを用いて媒体表面の上面にレジストパターンを形成した後、エッチングにより磁性材料の記録部分以外を除去し所定の凹凸パターンを形成する。そして、このように形成した凹凸パターンの凹部に非磁性材料を埋設し、最後に平坦化処理を行なう方法が用いられている。
【０００７】
［従来の磁気記録媒体の製造方法］
ここで、従来の磁気記録媒体の製造方法を図９（１）〜（６）を用いて説明する。図９（１）〜（６）は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明する説明図である。
【０００８】
すなわち、従来の磁気記録媒体の製造方法では、図９（１）に示すように、基板（図示せず）上にスパッタ法などにより磁性層１１を成膜する。そして、この成膜した磁性層１１の上面にナノインプリント法などを用いて凹凸状のレジストマスク１２（レジストパターン）を形成する。
【０００９】
次に、図９（２）に示すように、エッチングガス（酸素ガス）を用いた反応性イオンエッチング法(ＲＩＥ：Reactive Ion Etching)により、レジストマスク１２として形成された凹部の底部領域のレジストを除去する。
【００１０】
次に、図９（３）に示すように、イオンミリング法やイオンビームエッチング（ＩＢＥ）法を用いて磁性層１１に凹部１３を形成する。ここで、この凹部１３の深さ寸法（ｔ）は磁性記録層の厚さ寸法（例えば、ｔ＝２０nm）とする。
【００１１】
次に、図９（４）に示すように、磁性層１１に形成された凸部１４の上面に残留しているレジストマスク１２を酸素ガスを用いたＲＩＥ法により除去する。
【００１２】
次に、図９（５）に示すように、磁性層１１に形成された凹部１３の内部に非磁性材１５を充填する。ここでは、非磁性材１５の充填量は、凹部１３の深さ寸法の二倍（ｔ×２＝４０nm）としている。
【００１３】
次に、図９（６）に示すように、磁性層１１の凸部１４の上面に残留し溢れた非磁性材１５（厚さ２０ｎｍ）をＩＢＥ法により除去するとともに、磁性層１１の表面の平坦化処理を行なう。以下、磁性層１１の上面に保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜（図示せず）を成膜する。以上説明した図９（１）〜（６）の手順により磁気記録媒体２ａを製造することができる。
【００１４】
また、この種の従来の磁気記録媒体の製造方法として、イオン注入装置を使用したイオン注入法によりに形成される磁性記録層の凹部の底部に位置する磁性層を非磁性層とすることにより磁気記録媒体を製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２９３５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ところが、上述したような従来の磁気記録媒体の製造方法の場合には、非磁性材の充填時間や平坦処理に時間がかかるという問題がある。すなわち、スパッタ法で磁性層に形成した凹部に充填材（非磁性材）を充填し、且つ表面の凹凸を小さくするためには、凹部１３（図９（３））の深さ寸法ｔの約２倍以上の充填厚が必要となる。
【００１７】
具体的に説明すると、磁性層のエッチングのエッチング量を２０ｎｍとした場合には、充填する非磁性材の厚さ寸法は、４０ｎｍとなる。すなわち、凹凸パターンの凸部１４の上面に、約２０ｎｍの余分な充填材料層が形成されることとなる。従って、磁性層１１の表面を平坦化とするためには、少なくとも、この２０ｎｍの非磁性材料をエッチングする作業および時間が必要となる。
【００１８】
具体的に説明すると、エッチングによるエッチングレートを２ｎｍ／秒とし、充填材料のスパッタレートを２ｎｍ／秒とした場合、磁性層１１のエッチング（１０秒）＋充填材料の充填時間（２０秒）＋平坦化処理の時間（１０秒）となり、磁気記録媒体２ａの製造時間（タクトタイム）に多くの時間を費やしてしまうという問題がある。
【００１９】
また、上記従来の特許文献１に開示された磁気記録媒体の製造方法の場合には、イオンエッチング装置に加えて、イオン注入装置が必要となることから、現在のインライン方式のプロセス装置に取り付ける場合には装置サイズが合わないという問題がある。すなわち、記録磁性層に対する凹部の形成後に装置外に取り出し、イオン注入装置でプロセスを行い、再度、他の装置で充填平坦化を行うことが必要となるため、装置台数が増え製造コストが高くなり、製造プロセスとして適していないという問題がある。
【００２０】
そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、タクトタイム（製造時間）の短縮とともに、非磁性材の充填量を低減することができ、これによって、製造コストを抑えることが可能となり、低価格な磁気記録媒体を実現することができる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
開示の発明は、磁気記録媒体を形成する記録磁性層に凹凸状のレジストパターンを形成し、エッチングによりレジストパターンおよびをレジストパターンにより覆われていない磁性記録層の一部を残存させて除去するとともに、磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成することを要件とする。
【発明の効果】
【００２２】
開示の発明によれば、磁気記録磁性層に形成されるレジストパターンにより覆われない磁性記録層の一部（凹部の底部）に位置する磁性層を酸化により変質させて非磁性層として形成することができるので、非磁性材の使用量（充填量）および充填時間を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本実施例１に係る情報記憶装置の内部を示す外観図である。
【図２】図２は、本実施例１に係る磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、磁気記録媒体の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図９】図９は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、本願の開示する磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施例１により本願に開示する磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置が限定されるものではない。
【実施例１】
【００２５】
先ず、実施例１に係る情報記憶装置１の概要について説明する。図１は、実施例１に係る情報記憶装置の内部を示す外観図である。図１に示すように、情報記憶装置１は、磁気記録媒体２と、スピンドルモータ４とボイスコイルモータ５と磁気ヘッド７を先端部に設けたアクチュエータ３とを有する。
【００２６】
磁気記録媒体２は、各種の磁気情報を高記録密度に記録する磁気記録媒体であり、スピンドルモータ（以下、「ＳＰＭ」という）４により所定の方向に回転駆動される。この磁気記録媒体２は、各種の情報を記録する凹凸部のパターンとして形成されたサーボ領域（図示せず）を有するとともに、互いに孤立した記録再生のための磁化領域が非磁化領域によって隔離されて配置されているパターンドメディアである。
【００２７】
磁気記録媒体２は、サーボ情報等を記憶するサーボ領域と、ユーザデータを記憶するデータ領域（図示せず）とを有する。アクチュエータ３の先端部には、磁気記録媒体２の読み書きを行なうための磁気ヘッド７が設けられている。
【００２８】
すなわち、アクチュエータ３の一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ（以下、「ＶＣＭ」という）５の駆動により、アクチュエータ３が軸６を中心とする円弧上を回動する。そして、磁気記録媒体２のトラック幅方向に磁気ヘッド７を移動させることで読み書き対象となるトラックを変更する。
【００２９】
磁気ヘッド７は、磁気記録媒体２の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体２の表面からわずかに浮いた状態を維持しつつ、読み書き対象となるトラックまで移動し、リード処理およびライト処理（データの読み書き処理）を行う。
【００３０】
［磁気記録媒体２の構成］
次に、図２を用いて、情報記憶装置１に設けられる磁気記録媒体２の構造について説明する。図２は、実施例１に係る情報記憶装置１が備えた磁気記録媒体２の構造を示す図である。
【００３１】
図２に示すように、磁気記録媒体２は、非磁性材を用いた基板２０の上面に中間層および軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：Soft under Layer）を積層することで多層膜層３０を形成し、この多層膜層３０の上面にパターンドメディアとしての凹凸パターンを形成した磁性記録層４０を設けた構造を有している。また、磁性記録層４０に形成される非磁性材４２（非磁性層４３）を充填する凹部４１の底部４４に位置する磁性層を酸化により非磁性層４５として形成している。
【００３２】
具体的に説明すると、図２に示すように、磁性記録層４０には、所定の厚さ寸法（Ｔ１＝１０ｎｍ）を有する非磁性材４２が充填された非磁性層４３と酸化により所定の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）を有する非磁性層４５とが形成されている。この場合、従来の磁気記録媒体と同様に、サーボパターンからの磁気的出力を考慮した高出力を得ることができる非磁性層の深さ寸法（Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｎｍ＋１０ｎｍ＝２０ｎｍ）を有する非磁性層を備えることができる。
【００３３】
すなわち、このように磁性記録層４０に形成する凹部４１の深さ寸法を浅く形成することで、この凹部４１の内部に充填する非磁性材４２の充填量および充填時間を低減することができる。これによって、タクトタイム（製造時間）の短縮化を可能とすることができる。
【００３４】
［磁気記録媒体２の製造方法］
次に、本実施例１に係る磁気記録媒体２の製造方法を図３および図４〜図８を用いて説明する。ここで、図３は、実施例１に係る磁気記録媒体２の製造工程を示すフローチャートである。
【００３５】
また、図４〜図８は、実施例１に係る磁気記録媒体２の製造工程を説明する図である。なお、以下の説明において、本実施例１の磁気記録媒体２の製造方法は、磁気記録媒体２を所定の手順で製造する製造システムにより行なうこととして説明する。
【００３６】
図３のフローチャートに示すように、磁気記録媒体２の製造システムでは、多層膜形成工程（ステップＳ１）と、レジスト工程（ステップＳ２）と、エッチング工程（ステップＳ３）と、非磁性層形成工程（ステップＳ４）と、非磁性材充填工程（ステップＳ５）とを順に行なう。
【００３７】
すなわち、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、先ず、基板の上面に複数の薄膜を積層させる多層膜形成工程を行なう（ステップＳ１）。この多層膜形成工程は、非磁性の基板の上面に、非磁性の下地層および非磁性の中間層と磁性記録層とを順次積層させる工程である。
【００３８】
具体的に説明すると、本実施例１に示す磁気記録媒体の製造システムでは、図４に示すように、ＨＤＤ用として用意した所定寸法（例えば、φ２．５インチ）の基板２０の上面にスパッタ法により、下地層（非磁性層）を積層する。また、下地層の上面にＡＰＳ(Antiparallel-structure)と、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：Soft under Layer）と、非磁性中層と、磁性グラニュラー層との順で成膜を行ない多層膜層３０を形成する。また、多層膜層３０の上面には、磁性記録層４０を積層する。
【００３９】
ここで、基板２０には、例えば、Ａｌ合金、ＮｉＰめっき付きのＡｌ合金やガラス材などの非磁性金属板を使用する。なお、この基板としては、表面の平坦性が高く、機械的強度の高い磁気特性に影響を与えないような金属板が望ましい。
【００４０】
また、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、多層膜層の上面にレジストマスク（レジストパターン）を形成するレジスト工程を行なう（ステップＳ２）。このレジスト工程は、多層膜層の上面に積層された磁性記録層の上面にレジストを塗布しナノインプリント法によりレジストマスク（レジストパターン）を形成する工程である。
【００４１】
具体的に説明すると、本実施例１に示す磁気記録媒体の製造システムでは、図４に示すように、磁性記録層４０の上面にレジストパターンである凹凸状のレジストマスク５０を形成する。ここで、レジストパターンによる凹凸パターンとは、逆の凹凸部を有する原盤を用いてナノインプリントにより凹凸部を形成するもので、このように形成されたレジストはパターニングを行なうためのレジストマスク５０となる。
【００４２】
ここで使用したレジストマスクは、所定のピッチ（例えば、１００ｎｍピッチ）でランド／グルーブ比１：１の同心円パターンであり、磁性記録層４０の全面にレジストパターンが形成される。なお、このレジスト工程では、酸素などのエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法(ＲＩＥ：Reactive Ion Etching)によりレジストマスク５０の凹部の底だしも行なわれる。
【００４３】
また、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、レジストパターンおよび磁性記録層に対するエッチング工程を行なう（ステップＳ３）。このエッチング工程は、レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよびレジスト工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程である。
【００４４】
具体的に説明すると、図５に示すように、ＩＢＥ法によりレジストマスク５０および磁性記録層４０のエッチングを徐々に行う。その結果、このエッチングにより、図６に示すように、磁性記録層４０の所定の位置に凹部４１を形成する。なお、ここでの磁性記録層のエッチング量は１０ｎｍ（凹部４１の深さ寸法Ｔ１＝１０ｎｍ）とする。
【００４５】
ここで、レジストマスク５０に対するエッチング工程は、後述する磁性記録層４０の一部として残存されている磁性記録層４０を酸化により所望の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）にするために必要な非磁性層４５として形成する時間としている。
【００４６】
次に、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、磁性記録層の一部の磁性記録層を非磁性層として形成する非磁性層形成工程を行なう（ステップＳ４）。この非磁性層形成工程は、磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化処理により変質させて非磁性層として形成する工程である。
【００４７】
具体的に説明すると、図７に示すように、ＲＩＥ法によりエッチングガスに酸素を用いて、磁性記録層４０の凸部上に残存したレジストを除去する。このとき、凹部４１の底部４４に位置する磁性層も同時に酸化を行い非磁性化し非磁性層４５とする処理を行なう。
【００４８】
このように、本実施例１では、酸化により磁性層を非磁性層４５とする場合は、前述したレジストマスク５０の除去およびレジストマスク５０により覆われていない磁性記録層４０の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことができる。
【００４９】
次に、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、磁性記録層の一部に非磁性層となる非磁性材を充填する非磁性材充填工程を行なう（ステップＳ５）。この非磁性材充填工程は、磁性記録層に形成された凹部４１の内部に非磁性材を充填する工程である。
【００５０】
具体的に説明すると、図８に示すように、スパッタ法を用いて磁性記録層４０に形成された凹部４１の内部に非磁性材４２を充填する。この充填材として使用される非磁性材４２には、アモルファス系や結晶系の材料（例えば、Ｔａ）が使用される。
【００５１】
ここで、磁性記録層４０の凹部４１の深さ寸法は、Ｔ１（Ｔ１＝１０ｎｍ）であるため、非磁性材４２の充填量は凹部４１の深さ寸法の倍である２０nmとする。そして、以下では、ＩＢＥ法により非磁性材４２を充填した後の磁性記録層４０およびＴａ層に対するエッチングを行なう。ここで、この場合のエッチング量はＴａ層の深さ寸法である１０nm程度となる。
【００５２】
そして、この非磁性材充填工程により、磁性記録層４０には、所定の厚さ寸法（Ｔ１＝１０ｎｍ）を有する非磁性材４２が充填された非磁性層４３と酸化により所定の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）を有する非磁性層４５とが形成された磁気記録媒体２を製造することができる。この場合、従来と同様に、所定の厚さ寸法（Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｎｍ＋１０ｎｍ＝２０ｎｍ）を有する非磁性層を備えることができる。
【００５３】
なお、充填された磁性記録層４０の余剰部分は、イオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのエッチングによりエッチング処理され平坦化する。さらに、この平坦化された磁性記録層４０および非磁性層４３の上面には、ダイヤモンドライクカーボン(ＤＬＣ)などの保護層６０と潤滑のためのフッ素系潤滑層（図示せず）などを順に積層する。
【００５４】
以下、最後に、磁性記録層４０および非磁性材４２が充填された非磁性層４３の上面に保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などをスパッタ法により成膜する。
【００５５】
ここで、本実施例１の磁気記録媒体の発明者は、上述した磁気記録媒体２の製造方法による製造時間を検証した。すなわち、従来の磁気記録媒体の製造方法と同様に、エッチングによるエッチングレートを２ｎｍ／秒とし、充填材料のスパッタレートを２ｎｍ／秒とする条件では、磁性記録層４０のエッチング時間が５秒となる。また、非磁性材４２の充填時間が１０秒となり、平坦化処理に要する時間は、５秒となり製造時間（タクトタイム）は充填時間の１０秒となる。
【００５６】
すなわち、本実施例１の磁気記録媒体の製造方法では、従来の磁気記録媒体の製造方法で要する時間（１０秒）のほぼ半分の時間で済むことがわかった。また、磁気記録媒体２を形成する磁性記録層４０の凹部４１に充填する非磁性材４２の充填量は、２０ｎｍとなり従来による非磁性材４２の充填量（４０ｎｍ）と比較するとほぼ半分の量となるため、材料費も大きく低減できることがわかった。
【００５７】
上述したように、本実施例１の磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体２は、基板２０上に成膜された多層膜層３０と、多層膜層３０に積層された磁性記録層４０と、エッチングにより除去されるとともに、磁性記録層４０の一部として残存された磁性層にの凹部４１に充填される非磁性材４２と、磁性記録層４０の一部として残存されている磁性層の底部４４を酸化により変質させることで形成される非磁性層４５とから形成されるので、タクトタイム（製造時間）の短縮化および充填材料の使用量低減により、製造コストを抑えることが可能となり、低価格な磁気記録媒体を実現することができる。
【００５８】
以上の実施例１を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５９】
（付記１）磁気記録媒体を形成する磁性記録層に凹凸状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する非磁性層形成工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記２）前記非磁性層形成工程は、前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記３）前記エッチング工程は、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により所望厚さにするために必要な非磁性層として形成する時間であることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記４）前記非磁性層形成工程による磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する酸化処理は、反応性イオンエッチング法を用いることを特徴とする付記１〜付記３の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６３】
（付記５）基板上に成膜された多層膜層と、
前記多層膜層に積層された磁性記録層と、
エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００６４】
（付記６）基板上に成膜された多層膜層と、前記多層膜層に積層された磁性記録層と、エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層とを有する磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対してデータの読み書き処理を行なう磁気ヘッドと
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【符号の説明】
【００６５】
１ 情報記憶装置
２、２ａ 磁気記録媒体
３ アクチュエータ
４ スピンドルモータ
５ ボイスコイルモータ
６ 軸部
７ 磁気ヘッド
１１ 磁性記録層
１２、５０ レジストパターン
１３、４１ 凹部
１４ 凸部
１５、４２ 非磁性材
２０ 基板
３０ 多層膜層
４０ 磁性記録層
４２ 非磁性材
４３、４５ 非磁性層
４４ 底部
４５ 非磁性層
６０ 保護層
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ）等の磁気記録装置は小型・大容量化が急速に進んでおり、磁気記録媒体の大容量化（記憶容量の増大化）に伴い高記録密度化も要求されている。ここで、高記録密度化を図るべく磁気記録媒体の磁気粒子は微細化となっており、かかる高密度化の要望に応えるため、記録面に対して垂直方向に磁化を行なう垂直磁気記録方式が用いられている。このような垂直磁気記録方式では、１００Gbit／in2程度の記録密度を可能としている。
【０００３】
ところで、高密度化を進めた場合、磁気ヘッドからの書き込み磁界の広がりが原因とされる隣接トラックへの影響や再生時のクロストーク問題などが顕著化しするため、現状の垂直磁気記録技術の延長では５００Gbit／in2程度が限界となる。また、磁気記録媒体単体での記録能力も連続膜構造の場合では「熱揺らぎ問題」などにより１Tbit／in2程度が限界とされている。
【０００４】
そこで、磁気記録媒体の高記録密度化を図る垂直磁気記録方式の媒体としては、隣接するトラック間に、非磁性体領域を形成し、磁性体によって形成されるトラック部にのみ記録するディスクリートトラック媒体（ＤＴＭ：Ｄｉｓｃｒｅｅｔ Ｔｒａｃｋ Ｍｅｄｉａ）が提案されている。また、磁性粒子を孤立させて、単一のビットパターンを作製し、記録分解能を向上させたビットパターンドメディア媒体（ＢＰＭ：Ｂｉｔ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｍｅｄｉａ）が提案されている。
【０００５】
ディスクリートトラック媒体の場合は半径方向に、ビットパターンドメディア媒体は円周方向および半径方向ともにサーボ領域のサーボパターンに応じた凹部と凸部とを有する非パターンおよびパターン部が形成されるため記録密度を向上させることができる。
【０００６】
上述した従来のパターンドメディアを製造する場合、フォトリソプロセス又はインプリントプロセスを用いて媒体表面の上面にレジストパターンを形成した後、エッチングにより磁性材料の記録部分以外を除去し所定の凹凸パターンを形成する。そして、このように形成した凹凸パターンの凹部に非磁性材料を埋設し、最後に平坦化処理を行なう方法が用いられている。
【０００７】
［従来の磁気記録媒体の製造方法］
ここで、従来の磁気記録媒体の製造方法を図９（１）〜（６）を用いて説明する。図９（１）〜（６）は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明する説明図である。
【０００８】
すなわち、従来の磁気記録媒体の製造方法では、図９（１）に示すように、基板（図示せず）上にスパッタ法などにより磁性層１１を成膜する。そして、この成膜した磁性層１１の上面にナノインプリント法などを用いて凹凸状のレジストマスク１２（レジストパターン）を形成する。
【０００９】
次に、図９（２）に示すように、エッチングガス（酸素ガス）を用いた反応性イオンエッチング法(ＲＩＥ：Reactive Ion Etching)により、レジストマスク１２として形成された凹部の底部領域のレジストを除去する。
【００１０】
次に、図９（３）に示すように、イオンミリング法やイオンビームエッチング（ＩＢＥ）法を用いて磁性層１１に凹部１３を形成する。ここで、この凹部１３の深さ寸法（ｔ）は磁性記録層の厚さ寸法（例えば、ｔ＝２０nm）とする。
【００１１】
次に、図９（４）に示すように、磁性層１１に形成された凸部１４の上面に残留しているレジストマスク１２を酸素ガスを用いたＲＩＥ法により除去する。
【００１２】
次に、図９（５）に示すように、磁性層１１に形成された凹部１３の内部に非磁性材１５を充填する。ここでは、非磁性材１５の充填量は、凹部１３の深さ寸法の二倍（ｔ×２＝４０nm）としている。
【００１３】
次に、図９（６）に示すように、磁性層１１の凸部１４の上面に残留し溢れた非磁性材１５（厚さ２０ｎｍ）をＩＢＥ法により除去するとともに、磁性層１１の表面の平坦化処理を行なう。以下、磁性層１１の上面に保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜（図示せず）を成膜する。以上説明した図９（１）〜（６）の手順により磁気記録媒体２ａを製造することができる。
【００１４】
また、この種の従来の磁気記録媒体の製造方法として、イオン注入装置を使用したイオン注入法によりに形成される磁性記録層の凹部の底部に位置する磁性層を非磁性層とすることにより磁気記録媒体を製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２９３５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ところが、上述したような従来の磁気記録媒体の製造方法の場合には、非磁性材の充填時間や平坦処理に時間がかかるという問題がある。すなわち、スパッタ法で磁性層に形成した凹部に充填材（非磁性材）を充填し、且つ表面の凹凸を小さくするためには、凹部１３（図９（３））の深さ寸法ｔの約２倍以上の充填厚が必要となる。
【００１７】
具体的に説明すると、磁性層のエッチングのエッチング量を２０ｎｍとした場合には、充填する非磁性材の厚さ寸法は、４０ｎｍとなる。すなわち、凹凸パターンの凸部１４の上面に、約２０ｎｍの余分な充填材料層が形成されることとなる。従って、磁性層１１の表面を平坦化とするためには、少なくとも、この２０ｎｍの非磁性材料をエッチングする作業および時間が必要となる。
【００１８】
具体的に説明すると、エッチングによるエッチングレートを２ｎｍ／秒とし、充填材料のスパッタレートを２ｎｍ／秒とした場合、磁性層１１のエッチング（１０秒）＋充填材料の充填時間（２０秒）＋平坦化処理の時間（１０秒）となり、磁気記録媒体２ａの製造時間（タクトタイム）に多くの時間を費やしてしまうという問題がある。
【００１９】
また、上記従来の特許文献１に開示された磁気記録媒体の製造方法の場合には、イオンエッチング装置に加えて、イオン注入装置が必要となることから、現在のインライン方式のプロセス装置に取り付ける場合には装置サイズが合わないという問題がある。すなわち、記録磁性層に対する凹部の形成後に装置外に取り出し、イオン注入装置でプロセスを行い、再度、他の装置で充填平坦化を行うことが必要となるため、装置台数が増え製造コストが高くなり、製造プロセスとして適していないという問題がある。
【００２０】
そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、タクトタイム（製造時間）の短縮とともに、非磁性材の充填量を低減することができ、これによって、製造コストを抑えることが可能となり、低価格な磁気記録媒体を実現することができる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
開示の発明は、磁気記録媒体を形成する記録磁性層に凹凸状のレジストパターンを形成し、エッチングによりレジストパターンおよびをレジストパターンにより覆われていない磁性記録層の一部を残存させて除去するとともに、磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成することを要件とする。
【発明の効果】
【００２２】
開示の発明によれば、磁気記録磁性層に形成されるレジストパターンにより覆われない磁性記録層の一部（凹部の底部）に位置する磁性層を酸化により変質させて非磁性層として形成することができるので、非磁性材の使用量（充填量）および充填時間を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本実施例１に係る情報記憶装置の内部を示す外観図である。
【図２】図２は、本実施例１に係る磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、磁気記録媒体の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【図９】図９は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、本願の開示する磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施例１により本願に開示する磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および情報記憶装置が限定されるものではない。
【実施例１】
【００２５】
先ず、実施例１に係る情報記憶装置１の概要について説明する。図１は、実施例１に係る情報記憶装置の内部を示す外観図である。図１に示すように、情報記憶装置１は、磁気記録媒体２と、スピンドルモータ４とボイスコイルモータ５と磁気ヘッド７を先端部に設けたアクチュエータ３とを有する。
【００２６】
磁気記録媒体２は、各種の磁気情報を高記録密度に記録する磁気記録媒体であり、スピンドルモータ（以下、「ＳＰＭ」という）４により所定の方向に回転駆動される。この磁気記録媒体２は、各種の情報を記録する凹凸部のパターンとして形成されたサーボ領域（図示せず）を有するとともに、互いに孤立した記録再生のための磁化領域が非磁化領域によって隔離されて配置されているパターンドメディアである。
【００２７】
磁気記録媒体２は、サーボ情報等を記憶するサーボ領域と、ユーザデータを記憶するデータ領域（図示せず）とを有する。アクチュエータ３の先端部には、磁気記録媒体２の読み書きを行なうための磁気ヘッド７が設けられている。
【００２８】
すなわち、アクチュエータ３の一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ（以下、「ＶＣＭ」という）５の駆動により、アクチュエータ３が軸６を中心とする円弧上を回動する。そして、磁気記録媒体２のトラック幅方向に磁気ヘッド７を移動させることで読み書き対象となるトラックを変更する。
【００２９】
磁気ヘッド７は、磁気記録媒体２の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体２の表面からわずかに浮いた状態を維持しつつ、読み書き対象となるトラックまで移動し、リード処理およびライト処理（データの読み書き処理）を行う。
【００３０】
［磁気記録媒体２の構成］
次に、図２を用いて、情報記憶装置１に設けられる磁気記録媒体２の構造について説明する。図２は、実施例１に係る情報記憶装置１が備えた磁気記録媒体２の構造を示す図である。
【００３１】
図２に示すように、磁気記録媒体２は、非磁性材を用いた基板２０の上面に中間層および軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：Soft under Layer）を積層することで多層膜層３０を形成し、この多層膜層３０の上面にパターンドメディアとしての凹凸パターンを形成した磁性記録層４０を設けた構造を有している。また、磁性記録層４０に形成される非磁性材４２（非磁性層４３）を充填する凹部４１の底部４４に位置する磁性層を酸化により非磁性層４５として形成している。
【００３２】
具体的に説明すると、図２に示すように、磁性記録層４０には、所定の厚さ寸法（Ｔ１＝１０ｎｍ）を有する非磁性材４２が充填された非磁性層４３と酸化により所定の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）を有する非磁性層４５とが形成されている。この場合、従来の磁気記録媒体と同様に、サーボパターンからの磁気的出力を考慮した高出力を得ることができる非磁性層の深さ寸法（Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｎｍ＋１０ｎｍ＝２０ｎｍ）を有する非磁性層を備えることができる。
【００３３】
すなわち、このように磁性記録層４０に形成する凹部４１の深さ寸法を浅く形成することで、この凹部４１の内部に充填する非磁性材４２の充填量および充填時間を低減することができる。これによって、タクトタイム（製造時間）の短縮化を可能とすることができる。
【００３４】
［磁気記録媒体２の製造方法］
次に、本実施例１に係る磁気記録媒体２の製造方法を図３および図４〜図８を用いて説明する。ここで、図３は、実施例１に係る磁気記録媒体２の製造工程を示すフローチャートである。
【００３５】
また、図４〜図８は、実施例１に係る磁気記録媒体２の製造工程を説明する図である。なお、以下の説明において、本実施例１の磁気記録媒体２の製造方法は、磁気記録媒体２を所定の手順で製造する製造システムにより行なうこととして説明する。
【００３６】
図３のフローチャートに示すように、磁気記録媒体２の製造システムでは、多層膜形成工程（ステップＳ１）と、レジスト工程（ステップＳ２）と、エッチング工程（ステップＳ３）と、非磁性層形成工程（ステップＳ４）と、非磁性材充填工程（ステップＳ５）とを順に行なう。
【００３７】
すなわち、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、先ず、基板の上面に複数の薄膜を積層させる多層膜形成工程を行なう（ステップＳ１）。この多層膜形成工程は、非磁性の基板の上面に、非磁性の下地層および非磁性の中間層と磁性記録層とを順次積層させる工程である。
【００３８】
具体的に説明すると、本実施例１に示す磁気記録媒体の製造システムでは、図４に示すように、ＨＤＤ用として用意した所定寸法（例えば、φ２．５インチ）の基板２０の上面にスパッタ法により、下地層（非磁性層）を積層する。また、下地層の上面にＡＰＳ(Antiparallel-structure)と、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：Soft under Layer）と、非磁性中層と、磁性グラニュラー層との順で成膜を行ない多層膜層３０を形成する。また、多層膜層３０の上面には、磁性記録層４０を積層する。
【００３９】
ここで、基板２０には、例えば、Ａｌ合金、ＮｉＰめっき付きのＡｌ合金やガラス材などの非磁性金属板を使用する。なお、この基板としては、表面の平坦性が高く、機械的強度の高い磁気特性に影響を与えないような金属板が望ましい。
【００４０】
また、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、多層膜層の上面にレジストマスク（レジストパターン）を形成するレジスト工程を行なう（ステップＳ２）。このレジスト工程は、多層膜層の上面に積層された磁性記録層の上面にレジストを塗布しナノインプリント法によりレジストマスク（レジストパターン）を形成する工程である。
【００４１】
具体的に説明すると、本実施例１に示す磁気記録媒体の製造システムでは、図４に示すように、磁性記録層４０の上面にレジストパターンである凹凸状のレジストマスク５０を形成する。ここで、レジストパターンによる凹凸パターンとは、逆の凹凸部を有する原盤を用いてナノインプリントにより凹凸部を形成するもので、このように形成されたレジストはパターニングを行なうためのレジストマスク５０となる。
【００４２】
ここで使用したレジストマスクは、所定のピッチ（例えば、１００ｎｍピッチ）でランド／グルーブ比１：１の同心円パターンであり、磁性記録層４０の全面にレジストパターンが形成される。なお、このレジスト工程では、酸素などのエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法(ＲＩＥ：Reactive Ion Etching)によりレジストマスク５０の凹部の底だしも行なわれる。
【００４３】
また、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、レジストパターンおよび磁性記録層に対するエッチング工程を行なう（ステップＳ３）。このエッチング工程は、レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよびレジスト工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程である。
【００４４】
具体的に説明すると、図５に示すように、ＩＢＥ法によりレジストマスク５０および磁性記録層４０のエッチングを徐々に行う。その結果、このエッチングにより、図６に示すように、磁性記録層４０の所定の位置に凹部４１を形成する。なお、ここでの磁性記録層のエッチング量は１０ｎｍ（凹部４１の深さ寸法Ｔ１＝１０ｎｍ）とする。
【００４５】
ここで、レジストマスク５０に対するエッチング工程は、後述する磁性記録層４０の一部として残存されている磁性記録層４０を酸化により所望の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）にするために必要な非磁性層４５として形成する時間としている。
【００４６】
次に、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、磁性記録層の一部の磁性記録層を非磁性層として形成する非磁性層形成工程を行なう（ステップＳ４）。この非磁性層形成工程は、磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化処理により変質させて非磁性層として形成する工程である。
【００４７】
具体的に説明すると、図７に示すように、ＲＩＥ法によりエッチングガスに酸素を用いて、磁性記録層４０の凸部上に残存したレジストを除去する。このとき、凹部４１の底部４４に位置する磁性層も同時に酸化を行い非磁性化し非磁性層４５とする処理を行なう。
【００４８】
このように、本実施例１では、酸化により磁性層を非磁性層４５とする場合は、前述したレジストマスク５０の除去およびレジストマスク５０により覆われていない磁性記録層４０の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことができる。
【００４９】
次に、図３のフローチャートに示すように、本実施例１の製造システムでは、磁性記録層の一部に非磁性層となる非磁性材を充填する非磁性材充填工程を行なう（ステップＳ５）。この非磁性材充填工程は、磁性記録層に形成された凹部４１の内部に非磁性材を充填する工程である。
【００５０】
具体的に説明すると、図８に示すように、スパッタ法を用いて磁性記録層４０に形成された凹部４１の内部に非磁性材４２を充填する。この充填材として使用される非磁性材４２には、アモルファス系や結晶系の材料（例えば、Ｔａ）が使用される。
【００５１】
ここで、磁性記録層４０の凹部４１の深さ寸法は、Ｔ１（Ｔ１＝１０ｎｍ）であるため、非磁性材４２の充填量は凹部４１の深さ寸法の倍である２０nmとする。そして、以下では、ＩＢＥ法により非磁性材４２を充填した後の磁性記録層４０およびＴａ層に対するエッチングを行なう。ここで、この場合のエッチング量はＴａ層の深さ寸法である１０nm程度となる。
【００５２】
そして、この非磁性材充填工程により、磁性記録層４０には、所定の厚さ寸法（Ｔ１＝１０ｎｍ）を有する非磁性材４２が充填された非磁性層４３と酸化により所定の厚さ寸法（Ｔ２＝１０ｎｍ）を有する非磁性層４５とが形成された磁気記録媒体２を製造することができる。この場合、従来と同様に、所定の厚さ寸法（Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＝１０ｎｍ＋１０ｎｍ＝２０ｎｍ）を有する非磁性層を備えることができる。
【００５３】
なお、充填された磁性記録層４０の余剰部分は、イオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのエッチングによりエッチング処理され平坦化する。さらに、この平坦化された磁性記録層４０および非磁性層４３の上面には、ダイヤモンドライクカーボン(ＤＬＣ)などの保護層６０と潤滑のためのフッ素系潤滑層（図示せず）などを順に積層する。
【００５４】
以下、最後に、磁性記録層４０および非磁性材４２が充填された非磁性層４３の上面に保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などをスパッタ法により成膜する。
【００５５】
ここで、本実施例１の磁気記録媒体の発明者は、上述した磁気記録媒体２の製造方法による製造時間を検証した。すなわち、従来の磁気記録媒体の製造方法と同様に、エッチングによるエッチングレートを２ｎｍ／秒とし、充填材料のスパッタレートを２ｎｍ／秒とする条件では、磁性記録層４０のエッチング時間が５秒となる。また、非磁性材４２の充填時間が１０秒となり、平坦化処理に要する時間は、５秒となり製造時間（タクトタイム）は充填時間の１０秒となる。
【００５６】
すなわち、本実施例１の磁気記録媒体の製造方法では、従来の磁気記録媒体の製造方法で要する時間（１０秒）のほぼ半分の時間で済むことがわかった。また、磁気記録媒体２を形成する磁性記録層４０の凹部４１に充填する非磁性材４２の充填量は、２０ｎｍとなり従来による非磁性材４２の充填量（４０ｎｍ）と比較するとほぼ半分の量となるため、材料費も大きく低減できることがわかった。
【００５７】
上述したように、本実施例１の磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体２は、基板２０上に成膜された多層膜層３０と、多層膜層３０に積層された磁性記録層４０と、エッチングにより除去されるとともに、磁性記録層４０の一部として残存された磁性層にの凹部４１に充填される非磁性材４２と、磁性記録層４０の一部として残存されている磁性層の底部４４を酸化により変質させることで形成される非磁性層４５とから形成されるので、タクトタイム（製造時間）の短縮化および充填材料の使用量低減により、製造コストを抑えることが可能となり、低価格な磁気記録媒体を実現することができる。
【００５８】
以上の実施例１を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５９】
（付記１）磁気記録媒体を形成する磁性記録層に凹凸状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する非磁性層形成工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記２）前記非磁性層形成工程は、前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記３）前記エッチング工程は、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により所望厚さにするために必要な非磁性層として形成する時間であることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記４）前記非磁性層形成工程による磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する酸化処理は、反応性イオンエッチング法を用いることを特徴とする付記１〜付記３の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６３】
（付記５）基板上に成膜された多層膜層と、
前記多層膜層に積層された磁性記録層と、
エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００６４】
（付記６）基板上に成膜された多層膜層と、前記多層膜層に積層された磁性記録層と、エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層とを有する磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対してデータの読み書き処理を行なう磁気ヘッドと
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【符号の説明】
【００６５】
１ 情報記憶装置
２、２ａ 磁気記録媒体
３ アクチュエータ
４ スピンドルモータ
５ ボイスコイルモータ
６ 軸部
７ 磁気ヘッド
１１ 磁性記録層
１２、５０ レジストパターン
１３、４１ 凹部
１４ 凸部
１５、４２ 非磁性材
２０ 基板
３０ 多層膜層
４０ 磁性記録層
４２ 非磁性材
４３、４５ 非磁性層
４４ 底部
４５ 非磁性層
６０ 保護層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体を形成する磁性記録層に凹凸状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する非磁性層形成工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記非磁性層形成工程は、前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程は、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により所望厚さにするために必要な非磁性層として形成する時間であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記非磁性層形成工程による磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する酸化処理は、反応性イオンエッチング法を用いることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基板上に成膜された多層膜層と、
前記多層膜層に積層された磁性記録層と、
エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
基板上に成膜された多層膜層と、前記多層膜層に積層された磁性記録層と、エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層とを有する磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対してデータの読み書き処理を行なう磁気ヘッドと
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【請求項１】
磁気記録媒体を形成する磁性記録層に凹凸状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する非磁性層形成工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記非磁性層形成工程は、前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンおよび前記レジストパターン形成工程により形成されたレジストパターンにより覆われていない前記磁性記録層の一部を残存させて除去するエッチング工程と同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程は、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により所望厚さにするために必要な非磁性層として形成する時間であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記非磁性層形成工程による磁性記録層の一部として残存されている磁性記録層を酸化により非磁性層として形成する酸化処理は、反応性イオンエッチング法を用いることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基板上に成膜された多層膜層と、
前記多層膜層に積層された磁性記録層と、
エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、
前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
基板上に成膜された多層膜層と、前記多層膜層に積層された磁性記録層と、エッチングにより除去されるとともに、前記磁性記録層の一部として残存された磁性層に形成された凹部に充填される非磁性材と、前記磁性記録層の一部として残存されている磁性層を酸化により変質させることで形成される非磁性層とを有する磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対してデータの読み書き処理を行なう磁気ヘッドと
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−２７７６４８（Ｐ２０１０−２７７６４８Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２９４２２（Ｐ２００９−１２９４２２）
【出願日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
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