磁気記録媒体の製造方法
【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に係り、特に高密度記録に適した磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置等の磁気記憶装置では、例えばトンネル型磁気抵抗素子を用いた再生ヘッドを採用したり、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体を採用することにより、記録密度の向上を図っている。磁気記録媒体の記録密度を更に向上させるためには、媒体ノイズを更に低減する必要があるが、そのためには磁気記録媒体を構成する記録層の微結晶化や結晶粒子間の磁気的な結合を低減させる必要がある。
【０００３】
近年提案されている垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズを低減するために、記録層を構成する磁性層をスパッタリングにより形成する際に、非磁性材料からなるターゲット若しくは非磁性材料を含むターゲットを使用している。これらのターゲットを使用することにより、磁性粒子の粒子界面に非磁性材料が形成され、磁性粒子を磁気的に分離して媒体ノイズを低減することのできるグラニュラ構造の記録層が形成される。
【０００４】
グラニュラ構造の記録層では、磁性粒子間の磁気的相互作用が非磁性材料により低減されており、非磁性材料としては金属酸化物が主に使用されている。金属酸化物としては、より安定した酸化物を用いることで、確実に酸化物のまま磁性粒子間に偏析させることが可能であり、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物を用いることが良好な磁気的分離を実現する上で効果的である。
【０００５】
しかし、金属酸化物を用いたグラニュラ構造の記録層をスパッタリングにより形成する際、金属酸化物はある割合で必ず金属と酸素に分解され、分解して生成された金属が合金である磁性粒子内に入り込むことで磁気特性が劣化してしまう。即ち、金属酸化物を増量することで磁性粒子間の磁気的相互作用を更に低減しようと試みても、金属酸化物の過剰な増量は磁性粒子自体の磁気特性を劣化させてしまい、磁性粒子間の磁気的相互作用を更に低減させる効果は得られず、この結果媒体ノイズがかえって増大してしまう。このように、金属酸化物を増量することで媒体ノイズを更に低減させることは、上記要因が一因となって困難である。
【０００６】
例えば、非特許文献１によれば、ＳｉＯ２を約８mol.%〜約１２mol.%以上添加すると、記録層の保磁力Ｈｃが低下して、磁性粒子間の磁気的相互作用の低減も起こらないことが報告されており、実際にＳｉＯ２やＴｉＯ２によりグラニュラ構造を有する記録層を形成すると、ＳｉＯ２やＴｉＯ２を８mol.%以上添加するあたりから磁気特性が劣化することが確認されている。ここで、グラニュラ構造を有する記録層を構成する磁性材料の組成量の表記としては、例えば合金部がＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔからなり、磁性粒子間を形成する非磁性材料がＳｉＯ２の場合、Ｃｏ原子がａ個、Ｃｒ原子がｂ個、Ｐｔ原子がｃ個、Ｓｉ原子がｄ個、Ｏ原子がｄ×２個という割合の材料であれば、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔの各原子の組成量は夫々ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、と表記し、ＳｉＯ２の組成量はｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）×１００mol.%と表記するものとする。非磁性材料に合金部を構成する元素と同じ元素の酸化物等を含む場合には、合金を構成する金属原子と酸化物等の原子は別のものとして計算するものとする。
【０００７】
酸化物を含むＣｏＰｔ合金からなる記録層を有する垂直磁気記録媒体は、例えば特許文献１にて提案されている。又、ＣｏＰｔ強磁性体粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造の記録層を有する水平（又は、面内）磁気記録媒体は、例えば特許文献２にて提案されている。
【非特許文献１】Y. Inaba et al., "Optimization of the ＳｉＯ2 Ｃｏntent in ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2 Perpendicular Recording Media for High−Density Recording", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL. 40, NO. 4, JULY 2004
【非特許文献２】T. P. Nolan et.al.,"Microstructure and Exchange Coupling of Segregated Oxide PerpendicularRecording Media", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 43, NO. 2, FEBRUARY2007
【特許文献１】特開２００４−３１０９１０号公報
【特許文献２】特開２００７−１６４８２６号公報
【特許文献３】特開２００７−５２９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、酸化物を増量することで記録層の磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させて媒体ノイズを低減していたが、過剰な酸化物の増量はかえって磁性粒子自体の磁気特性を劣化させてしまい媒体ノイズを更に低減させることは難しいという問題があった。これは、記録層をスパッタリングにより形成する際に、酸化物が金属と酸素に分解され、金属が磁性粒子内に入り込むことが原因の一つであった。
【０００９】
そこで、本発明は、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題は、非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる該グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、該ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解決できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明では、磁気記録媒体は、非磁性基板上に、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる記録層が設けられた構成を有する。この記録層は、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物（第１の酸化物）とＣｏ酸化物（第２の酸化物）を含む複数の酸化物を有する。第１の酸化物は、Ｃｏ酸化物（第２の酸化物）よりも酸化物生成エネルギーが低い。例えば、第１の酸化物はＴｉＯ２であり、ＴｉＯ２はモル分率で約６％mol.%以上含まれるスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより形成される。又、Ｃｏ酸化物（第２の酸化物）はモル分率で約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより形成される。記録層の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物を含む単一のターゲットでも、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットでも良い。
【００１３】
磁性粒子間を分離させるために添加している金属酸化物がスパッタされる際に、金属と酸化物に分解され、酸素が基板に到達しない或いは基板から脱着しても適度なＣｏ酸化物を同時にスパッタすることで、Ｃｏ酸化物の分解により生じた酸素が金属酸化物の分解により生じた金属と結合することで再び酸化物となるため、金属酸化物が安定して磁性粒子間に偏析する。このため、磁性粒子の磁気特性を劣化させずに磁性粒子間の磁気的相互作用を低減することが可能となる。これにより、媒体ノイズが低減され、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）性能（又は、Ｒ／Ｗ特性）が向上し、磁気記録媒体の高記録密度化が可能となる。ここで、Ｒ／Ｗ性能（又は、Ｒ／Ｗ特性）とは、例えば磁気記録媒体に所定のデータを所定の回数書き込んだ後に読み取った場合の読取データのエラーレートに基づいて磁気記録媒体の性能を示す指標である。エラーレートは、例えば読み出した総セクタ数に対してエラーが発生したセクタの数で定義されるセクタエラーレート（エラーセクタ数／総読み出しセクタ数）で定義されても良い。
【００１４】
Ｃｏ酸化物が分解されて生じたＣｏ原子は、Ｃｏ合金部へ侵入しても問題はない。尚、酸素１モル当たりのＣｏ酸化物の標準生成自由エネルギーは、酸素１モル当たりのＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の各酸化物の標準生成自由エネルギーよりも顕著に高いため、スパッタリングにより分解されたＣｏ原子、Ｏ（酸素）原子、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂのいずれかの原子が存在する場合、Ｃｏ原子よりもＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの原子の方が優先的に酸素と結合して安定的に酸化物を生成することができる。
【００１５】
以下に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の第１実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。図１に示すように、非磁性基板１１上に、ＣｒＴｉ密着層１２、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３、Ｒｕ結合層１４、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５、ＮｉＷシード層１６、Ｒｕ中間層１７、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８及び（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９を形成して垂直磁気記録媒体１を、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量を変化させて作成した。具体的には、酸化物グラニュラ磁性層１９をスパッタリングにより形成する際に用いるスパッタリングターゲットへのＴｉＯ２の添加量を変化させた。ここで、単一のスパッタリングターゲットを用いて酸化物グラニュラ磁性層１９を形成する場合、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＣｏ含有量は７４×（９６−ｘ）／１００at.%であり、Ｃｒ及びＰｔの含有量も同様の計算式で表される。つまり、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＣｒ含有量は９×（９６−ｘ）／１００at.%であり、Ｐｔ含有量は１７×（９６−ｘ）／１００at.%である。又、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＴｉＯ２のモル分率はｘmol.%、ＣｏＯのモル分率は４mol.%である。
【００１７】
非磁性基板１１は、例えばガラス基板、ＮｉＰメッキを施されたＡｌ基板、プラスチック基板、Ｓｉ基板等で構成可能である。以下の説明では便宜上、ＣｒＴｉ密着層１２は５ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３は２５ｎｍ、Ｒｕ結合層１４は０．５ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５は２５ｎｍ、ＮｉＷシード層１６は８ｎｍ、Ｒｕ中間層１７は２０ｎｍ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８は３ｎｍ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９は８ｎｍの場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、ＣｒＴｉ密着層１２の膜厚は１ｎｍ〜３０ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、Ｒｕ結合層１４の膜厚は０．３ｎｍ〜２．０ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、ＮｉＷシード層１６の膜厚は２ｎｍ〜２０ｎｍ、Ｒｕ中間層１７の膜厚は５ｎｍ〜３０ｎｍ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９の膜厚は５ｎｍ〜３０ｎｍの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００１８】
又、以下の説明では便宜上、成膜条件としては、各層１２〜１９はＡｒガスをスパッタガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成され、成膜圧力は層１２〜１６については０．６７Ｐａ、Ｒｕ中間層１７については５Ｐａ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８については３Ｐａ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９については４Ｐａの場合について説明するが、本発明者らの実験結果によれば、成膜圧力は層１２〜１６については０．１Ｐａ〜２．０Ｐａ、層１７〜１９については０．５Ｐａ〜１５Ｐａの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００１９】
尚、スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタリングに限定されず、ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリングを用いても良い。スパッタガスもＡｒガスに限定されず、Ｘｅガス、Ｋｒガス、Ｎｅガス等を用いても良い。
【００２０】
又、比較例１では、酸化物グラニュラ磁性層（酸化物グラニュラ磁性層１９に相当）にＣｏＯを添加しない（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）１００−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘを用いたこと以外は全て第１実施例と同じ成膜条件で垂直磁気記録媒体を作成した。図２は、比較例１の酸化物グラニュラ層の保磁力Ｈｃを示す図である。図２中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸はｔＢｓ値（Ｇμｍ）を示す。ここで、ｔＢｓ値は、酸化物グラニュラ磁性層の膜厚ｔ（μｍ）と酸化物グラニュラ磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）の積を表す。酸化物グラニュラ磁性層へのＴｉＯ２の添加量は８mol.%で保磁力Ｈｃが最大となるため、図２では実線で示すＴｉＯ２が８mol.%の場合と破線で示す９mol.%の場合とを比較している。図２からもわかるように、８mol.%以上のＴｉＯ２添加を行なうと保磁力Ｈｃが低下することが確認された。
【００２１】
本実施例では、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の過剰添加で効果が得られない要因の一つである、ＴｉＯ２がＴｉとＯに分離してＴｉが磁性粒子へ侵入することにより生じる酸素欠損を抑制するため、酸化物グラニュラ磁性層１９にＣｏＯを添加している。図３は、本実施例における酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量が８mol.%と１０mol.%の場合の酸化物グラニュラ層１９の保磁力Ｈｃを示す図である。図３中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸はｔＢｓ値（Ｇμｍ）を示す。ここで、ｔＢｓ値は、酸化物グラニュラ磁性層１９の膜厚ｔ（μｍ）と酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）の積を表す。酸化物グラニュラ磁性層１９にＣｏＯを添加した場合、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２添加量を８mol.%から１０mol.%に増量しても酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃは低下せず、むしろ磁性粒間の磁気的相互作用の低減により保磁力Ｈｃは増大している。即ち、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加により、ＴｉＯ２の分解によるＴｉがＣｏＯから分解したＯ（酸素）原子と結合してＴｉＯ２となっているため、Ｃｏ合金部へのＴｉ侵入による保磁力Ｈｃの低下が抑制されている。尚、ＴｉＯ２の分解はある割合で発生していると考えられるが、酸化物グラニュラ磁性層１９へＴｉＯ２を添加することによる得られる効果とのバランスから、悪影響として見え始めるのがＴｉＯ２の添加量が８mol.%以上の場合であるが、８mol.%未満でもＴｉＯ２の分解は発生しており、ＣｏＯの添加効果はＴｉＯ２の添加量が８mol.%未満でも得られることが類推できる。本発明者らによる実験結果によれば、酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃは、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量が約６mol.%以上、且つ、約２０mol.%以下であれば良く、より好ましくは約１２mol.%以下である。
【００２２】
尚、酸化物グラニュラ磁性層１９の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金と、ＴｉＯ２等のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯ等のＣｏ酸化物で構成された第２の酸化物を含む単一のターゲットでも、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットでも良い。ただし、第１の酸化物としては、第２の酸化物より酸化物生成エネルギーが低い酸化物を用いる。
【実施例２】
【００２３】
本発明の第２実施例では、上記第１実施例と同じ構成の垂直磁気記録媒体１を、上記第１実施例と同じ成膜条件で酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量を変化させて作成した。
【００２４】
図４は、本実施例における酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示す図である。図４中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量（mol.%）を示す。図４からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量が約１mol.%以上、且つ、約８mol.%以下であると保磁力Ｈｃが増大することが確認された。これは、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加するＣｏＯの酸素の一部がＴｉＯ２から分離したＴｉと結合することでＴｉのＣｏ合金侵入が抑制されたことが一要因であるが、ＣｏＯ自体の偏析による磁性粒間の磁気的相互作用の低減等も要因として考えられる。
【００２５】
そこで、本発明者らは、酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁化ＭｓをＣｏＯの各種添加量について測定した。図５は、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量に対する飽和磁化Ｍｓの実測値Ｍｓ１の変化を示す図である。図５中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁化Ｍｓ（emu/cc）を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量（mol.%）を示す。図５からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約１mol.%以上、且つ、約５mol.%以下の場合、飽和磁化Ｍｓが増大し、約６mol.%以上の場合は飽和磁化Ｍｓが低下することが確認された。仮に、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加されたＣｏＯが酸化物のままの状態で酸化物グラニュラ磁性層１９内に残っていれば、ＣｏＯを添加した分だけＣｏ合金部のＣｏ量は低下するため、飽和磁化Ｍｓは細かい破線で示す計算値Ｍｓ２のように単調減少するはずである。これとは逆に、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加されたＣｏＯが全てＣｏとＯに分解され、その結果生成されたＣｏが全てＣｏ合金に取り込まれるとすれば、酸化物グラニュラ磁性層１９内のＣｏ原子の総量が増えた分だけ飽和磁化Ｍｓが粗い破線で示す計算値Ｍｓ３のように増加するはずである。ここで、実測値Ｍｓ１と計算値Ｍｓ２，Ｍｓ３とを比較すると、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下では飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ２より増加しているので、ＣｏＯが分解されてＣｏ原子はＣｏ合金部へ移動していることがわかる。又、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下では、飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ３より増加しているので、ＣｏＯの分解で生じたＯ（酸素）原子がＴｉと結合しＴｉの侵入が防がれ、その結果飽和磁化Ｍｓが更に増加していると考えられる。特に酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約６mol.%以上の場合には、飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ２と同等レベルになっており、ＣｏＯの添加効果が有効に得られていないことが図５から確認された。即ち、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量は約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下であると本実施例による酸素供給効果を得ることができ、ＣｏＯの添加量は約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であると更に効果的であることが確認された。
【実施例３】
【００２６】
図６は、本発明の第３実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。図６中、図１と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図６に示すように、非磁性基板１１上に、ＣｒＴｉ密着層１２、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３、Ｒｕ結合層１４、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５、ＮｉＷシード層１６、Ｒｕ中間層１７、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９２−ｙ−（ＴｉＯ２）８−（ＣｏＯ）ｙ酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９を形成し、更に良好なＲ／Ｗ性能を得るためにＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０とＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１を形成して垂直磁気記録媒体３１を、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量を変化させて作成した。又、Ｒ／Ｗ性能を評価するために、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１の上に、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）保護層２２及びフッ素系潤滑層２３を形成した。尚、上記第１及び第２実施例においても、酸化物グラニュラ磁性層１９上にＤＬＣ保護層及びフッ素系潤滑層を形成することができることは言うまでもない。本実施例では、第１の磁性層１９、第２の磁性層２０及び第３の磁性層３０により垂直磁気記録媒体３１の記録層が構成されている。
【００２７】
以下の説明では便宜上、層１２〜１９の膜厚及び成膜条件が上記第１実施例と同じ場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、層１２〜１９の膜厚範囲及び成膜条件の範囲が上記第１実施例で説明した膜厚範囲及び成膜条件の範囲と同じ場合でも略同様の特性が得られることが確認された。又、以下の説明では便宜上、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０は５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１は５ｎｍの場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０の膜厚は１ｎｍ〜２０ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１膜厚は３ｎｍ〜２０ｎｍの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００２８】
更に、以下の説明では便宜上、成膜条件としては各層２０，２１はＡｒガスをスパッタガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成され、成膜圧力はＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０については４Ｐａ、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１については０．６７Ｐａの場合について説明するが、本発明者らの実験結果によれば、成膜圧力はＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０については０．５Ｐａ〜１５Ｐａ、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１については０．１Ｐａ〜２Ｐａの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００２９】
尚、スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタリングに限定されず、ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリングを用いても良い。スパッタガスもＡｒガスに限定されず、Ｘｅガス、Ｋｒガス、Ｎｅガス等を用いても良い。
【００３０】
ＤＬＣ保護層２２はプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により３．５ｎｍに形成され、フッ素系潤滑層２３はディップ式塗布により０．９ｎｍに形成されたが、各層２２，２３の形成方法及び膜厚は言うまでもなくこれに限定されるものではない。
【００３１】
図７は、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量に対するＶＭＭ（Viterbi
Metric Margin）値の変化を示す図である。図７中、縦軸はＶＭＭ値を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量（mol.%）を示す。ＶＭＭ値は、ビタビ復調法（Viterbi decoding）によりエラー訂正された信号の誤り率を示し、エラーレートに比例し、ＶＭＭ値が小さい程垂直磁気記録媒体３１のＲ／Ｗ性能が良好であることを示す。信号復調時、正しいパスと誤りパスの差を明確に区別するためには、理想値との差（メトリック値）が大きい必要があり、ＶＭＭ値とは正しいパスと誤りパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、その値が大きい程エラーが発生しやすい状態を示す。図７からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加によりＶＭＭ値が良好となっていることが分かる。しかし、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量が約６mol.%以上になると、ＶＭＭ値はむしろ劣化しており、このＶＭＭ値の劣化はＣｏＯが酸素の供給源として必要な量以上に添加されいるのが原因と考えられる。即ち、良好なＲ／Ｗ性能を得るという観点からは、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量は約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であることが好ましいと考えられる。
【００３２】
ところで、酸化物により磁性粒子の磁気的分離を向上する効果は、記録層を構成する酸化物グラニュラ磁性層であれば得られる。つまり、酸化物を磁性粒子の磁気的分離に使用しているグラニュラ型の磁性層であれば、例えば多層構造を有する記録層を構成する磁性層であっても上記効果を得ることができる。本実施例では本発明が酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９に適用されているが、本発明者らによる実験結果によれば、本発明を酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０に適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９に適用した場合と同様に磁性粒子の磁気的分離を向上する効果が得られることが確認された。酸化物グラニュラ磁性層内の磁性粒子の磁気的分離が向上されると、この酸化物グラニュラ磁性層の上に形成される別の磁性層にも向上した磁性粒子の磁気的分離が受け継がれる。従って、第３実施例の場合であれば、本発明を酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９のみに適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０のみに適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第１及び第２の磁性層）１９，２０の両方に適用しても良く、いずれの場合も上記と同様の効果が得られる。
【００３３】
尚、第３実施例の場合、磁性層（第３の磁性層）２１は、更に良好なＲ／Ｗ性能を得るために敢えて酸化物を使用したグラニュラ型にしていない。
【００３４】
上記第１〜第３実施例では、酸化物グラニュラ磁性層１９の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔと、ＴｉＯ２で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯで構成された第２の酸化物を含む。しかし、第１の酸化物としては、ＴｉＯ２以外のＷ，Ｎｂの酸化物を用いた場合でも、磁性粒子の間に偏在させて磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果があることは、例えば非特許文献２及び特許文献３の記載から類推できる。又、本発明者らによる実験結果によれば、第１の酸化物としては、Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｒの酸化物を用いた場合でも、磁性粒子の間に偏在させて磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果があることが確認された。スパッタリングは、高エネルギのスパッタガスの原子を原材料のターゲットに衝突させ、又、ターゲットから飛び出した原材料が基板に衝突するため、酸化物を用いた場合は必ずその一部が酸素と分離する。上記のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物（第１の酸化物）は、全てＣｏ酸化物（第２の酸化物）よりも酸化物生成エネルギーが低いため、第１の酸化物としてＴｉＯ２を用いて第２の酸化物としてＣｏＯを用いた場合と同様の理由で、ＣｏがＯ（酸素）と分離した場合、より高い確率でＣｏ以外の原子がＯ（酸素）と再結合して酸化物となる。従って、酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）及び酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金と、ＴｉＯ２等のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯ等のＣｏ酸化物で構成された第２の酸化物を含むものであれば、酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）内の磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果が得られる。
【００３５】
又、グラニュラ磁性層１９及び／又は２０を構成するＣｏ合金はＣｏＣｒＰｔに限定されず、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ等を用いても良く、Ｍ＝Ｂ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金であっても良い。
【００３６】
上記第１〜第３実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。しかし、磁性層内の磁性粒子の磁気的分離を向上させることは、垂直磁気記録媒体に限らず水平磁気記録方式を採用する水平（又は、面内）磁気記録媒体においても要求される共通の課題である。従って、本発明の適用は垂直磁気記録媒体に限定されず、水平磁気記録媒体にも同様に適用可能である。
【００３７】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。
【図２】比較例１の酸化物グラニュラ層の保磁力を示す図である。
【図３】第１実施例における酸化物グラニュラ磁性層へのＴｉＯ２の添加量が８mol.%と１０mol.%の場合の酸化物グラニュラ層の保磁力を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例の酸化物グラニュラ磁性層へのＣｏＯの添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示す図である。
【図５】酸化物グラニュラ磁性層へのＣｏＯの添加量に対する飽和磁化の実測値の変化を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。
【図７】酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）へのＣｏＯの添加量に対するＶＭＭ値の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１，３１ 垂直磁気記録媒体
１１ 非磁性基板
１２ 密着層
１３ 軟磁性層
１４ 結合層
１５ 軟磁性層
１６ シード層
１７ 中間層
１８ 非磁性グラニュラ中間層
１９ 酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）
２０ 酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）
２１ 磁性層（第３の磁性層）
２２ 保護層
２３ 潤滑層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に係り、特に高密度記録に適した磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置等の磁気記憶装置では、例えばトンネル型磁気抵抗素子を用いた再生ヘッドを採用したり、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体を採用することにより、記録密度の向上を図っている。磁気記録媒体の記録密度を更に向上させるためには、媒体ノイズを更に低減する必要があるが、そのためには磁気記録媒体を構成する記録層の微結晶化や結晶粒子間の磁気的な結合を低減させる必要がある。
【０００３】
近年提案されている垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズを低減するために、記録層を構成する磁性層をスパッタリングにより形成する際に、非磁性材料からなるターゲット若しくは非磁性材料を含むターゲットを使用している。これらのターゲットを使用することにより、磁性粒子の粒子界面に非磁性材料が形成され、磁性粒子を磁気的に分離して媒体ノイズを低減することのできるグラニュラ構造の記録層が形成される。
【０００４】
グラニュラ構造の記録層では、磁性粒子間の磁気的相互作用が非磁性材料により低減されており、非磁性材料としては金属酸化物が主に使用されている。金属酸化物としては、より安定した酸化物を用いることで、確実に酸化物のまま磁性粒子間に偏析させることが可能であり、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物を用いることが良好な磁気的分離を実現する上で効果的である。
【０００５】
しかし、金属酸化物を用いたグラニュラ構造の記録層をスパッタリングにより形成する際、金属酸化物はある割合で必ず金属と酸素に分解され、分解して生成された金属が合金である磁性粒子内に入り込むことで磁気特性が劣化してしまう。即ち、金属酸化物を増量することで磁性粒子間の磁気的相互作用を更に低減しようと試みても、金属酸化物の過剰な増量は磁性粒子自体の磁気特性を劣化させてしまい、磁性粒子間の磁気的相互作用を更に低減させる効果は得られず、この結果媒体ノイズがかえって増大してしまう。このように、金属酸化物を増量することで媒体ノイズを更に低減させることは、上記要因が一因となって困難である。
【０００６】
例えば、非特許文献１によれば、ＳｉＯ２を約８mol.%〜約１２mol.%以上添加すると、記録層の保磁力Ｈｃが低下して、磁性粒子間の磁気的相互作用の低減も起こらないことが報告されており、実際にＳｉＯ２やＴｉＯ２によりグラニュラ構造を有する記録層を形成すると、ＳｉＯ２やＴｉＯ２を８mol.%以上添加するあたりから磁気特性が劣化することが確認されている。ここで、グラニュラ構造を有する記録層を構成する磁性材料の組成量の表記としては、例えば合金部がＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔからなり、磁性粒子間を形成する非磁性材料がＳｉＯ２の場合、Ｃｏ原子がａ個、Ｃｒ原子がｂ個、Ｐｔ原子がｃ個、Ｓｉ原子がｄ個、Ｏ原子がｄ×２個という割合の材料であれば、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔの各原子の組成量は夫々ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）at.%、と表記し、ＳｉＯ２の組成量はｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）×１００mol.%と表記するものとする。非磁性材料に合金部を構成する元素と同じ元素の酸化物等を含む場合には、合金を構成する金属原子と酸化物等の原子は別のものとして計算するものとする。
【０００７】
酸化物を含むＣｏＰｔ合金からなる記録層を有する垂直磁気記録媒体は、例えば特許文献１にて提案されている。又、ＣｏＰｔ強磁性体粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造の記録層を有する水平（又は、面内）磁気記録媒体は、例えば特許文献２にて提案されている。
【非特許文献１】Y. Inaba et al., "Optimization of the ＳｉＯ2 Ｃｏntent in ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2 Perpendicular Recording Media for High−Density Recording", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL. 40, NO. 4, JULY 2004
【非特許文献２】T. P. Nolan et.al.,"Microstructure and Exchange Coupling of Segregated Oxide PerpendicularRecording Media", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 43, NO. 2, FEBRUARY2007
【特許文献１】特開２００４−３１０９１０号公報
【特許文献２】特開２００７−１６４８２６号公報
【特許文献３】特開２００７−５２９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、酸化物を増量することで記録層の磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させて媒体ノイズを低減していたが、過剰な酸化物の増量はかえって磁性粒子自体の磁気特性を劣化させてしまい媒体ノイズを更に低減させることは難しいという問題があった。これは、記録層をスパッタリングにより形成する際に、酸化物が金属と酸素に分解され、金属が磁性粒子内に入り込むことが原因の一つであった。
【０００９】
そこで、本発明は、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題は、非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる該グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、該ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解決できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明では、磁気記録媒体は、非磁性基板上に、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる記録層が設けられた構成を有する。この記録層は、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物（第１の酸化物）とＣｏ酸化物（第２の酸化物）を含む複数の酸化物を有する。第１の酸化物は、Ｃｏ酸化物（第２の酸化物）よりも酸化物生成エネルギーが低い。例えば、第１の酸化物はＴｉＯ２であり、ＴｉＯ２はモル分率で約６％mol.%以上含まれるスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより形成される。又、Ｃｏ酸化物（第２の酸化物）はモル分率で約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより形成される。記録層の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物を含む単一のターゲットでも、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットでも良い。
【００１３】
磁性粒子間を分離させるために添加している金属酸化物がスパッタされる際に、金属と酸化物に分解され、酸素が基板に到達しない或いは基板から脱着しても適度なＣｏ酸化物を同時にスパッタすることで、Ｃｏ酸化物の分解により生じた酸素が金属酸化物の分解により生じた金属と結合することで再び酸化物となるため、金属酸化物が安定して磁性粒子間に偏析する。このため、磁性粒子の磁気特性を劣化させずに磁性粒子間の磁気的相互作用を低減することが可能となる。これにより、媒体ノイズが低減され、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）性能（又は、Ｒ／Ｗ特性）が向上し、磁気記録媒体の高記録密度化が可能となる。ここで、Ｒ／Ｗ性能（又は、Ｒ／Ｗ特性）とは、例えば磁気記録媒体に所定のデータを所定の回数書き込んだ後に読み取った場合の読取データのエラーレートに基づいて磁気記録媒体の性能を示す指標である。エラーレートは、例えば読み出した総セクタ数に対してエラーが発生したセクタの数で定義されるセクタエラーレート（エラーセクタ数／総読み出しセクタ数）で定義されても良い。
【００１４】
Ｃｏ酸化物が分解されて生じたＣｏ原子は、Ｃｏ合金部へ侵入しても問題はない。尚、酸素１モル当たりのＣｏ酸化物の標準生成自由エネルギーは、酸素１モル当たりのＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の各酸化物の標準生成自由エネルギーよりも顕著に高いため、スパッタリングにより分解されたＣｏ原子、Ｏ（酸素）原子、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂのいずれかの原子が存在する場合、Ｃｏ原子よりもＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの原子の方が優先的に酸素と結合して安定的に酸化物を生成することができる。
【００１５】
以下に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の第１実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。図１に示すように、非磁性基板１１上に、ＣｒＴｉ密着層１２、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３、Ｒｕ結合層１４、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５、ＮｉＷシード層１６、Ｒｕ中間層１７、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８及び（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９を形成して垂直磁気記録媒体１を、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量を変化させて作成した。具体的には、酸化物グラニュラ磁性層１９をスパッタリングにより形成する際に用いるスパッタリングターゲットへのＴｉＯ２の添加量を変化させた。ここで、単一のスパッタリングターゲットを用いて酸化物グラニュラ磁性層１９を形成する場合、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＣｏ含有量は７４×（９６−ｘ）／１００at.%であり、Ｃｒ及びＰｔの含有量も同様の計算式で表される。つまり、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＣｒ含有量は９×（９６−ｘ）／１００at.%であり、Ｐｔ含有量は１７×（９６−ｘ）／１００at.%である。又、酸化物グラニュラ磁性層１９（又は、スパッタリングターゲット）のＴｉＯ２のモル分率はｘmol.%、ＣｏＯのモル分率は４mol.%である。
【００１７】
非磁性基板１１は、例えばガラス基板、ＮｉＰメッキを施されたＡｌ基板、プラスチック基板、Ｓｉ基板等で構成可能である。以下の説明では便宜上、ＣｒＴｉ密着層１２は５ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３は２５ｎｍ、Ｒｕ結合層１４は０．５ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５は２５ｎｍ、ＮｉＷシード層１６は８ｎｍ、Ｒｕ中間層１７は２０ｎｍ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８は３ｎｍ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９は８ｎｍの場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、ＣｒＴｉ密着層１２の膜厚は１ｎｍ〜３０ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、Ｒｕ結合層１４の膜厚は０．３ｎｍ〜２．０ｎｍ、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、ＮｉＷシード層１６の膜厚は２ｎｍ〜２０ｎｍ、Ｒｕ中間層１７の膜厚は５ｎｍ〜３０ｎｍ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９の膜厚は５ｎｍ〜３０ｎｍの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００１８】
又、以下の説明では便宜上、成膜条件としては、各層１２〜１９はＡｒガスをスパッタガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成され、成膜圧力は層１２〜１６については０．６７Ｐａ、Ｒｕ中間層１７については５Ｐａ、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８については３Ｐａ、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９６−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘ−（ＣｏＯ）４酸化物グラニュラ磁性層１９については４Ｐａの場合について説明するが、本発明者らの実験結果によれば、成膜圧力は層１２〜１６については０．１Ｐａ〜２．０Ｐａ、層１７〜１９については０．５Ｐａ〜１５Ｐａの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００１９】
尚、スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタリングに限定されず、ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリングを用いても良い。スパッタガスもＡｒガスに限定されず、Ｘｅガス、Ｋｒガス、Ｎｅガス等を用いても良い。
【００２０】
又、比較例１では、酸化物グラニュラ磁性層（酸化物グラニュラ磁性層１９に相当）にＣｏＯを添加しない（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）１００−ｘ−（ＴｉＯ２）ｘを用いたこと以外は全て第１実施例と同じ成膜条件で垂直磁気記録媒体を作成した。図２は、比較例１の酸化物グラニュラ層の保磁力Ｈｃを示す図である。図２中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸はｔＢｓ値（Ｇμｍ）を示す。ここで、ｔＢｓ値は、酸化物グラニュラ磁性層の膜厚ｔ（μｍ）と酸化物グラニュラ磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）の積を表す。酸化物グラニュラ磁性層へのＴｉＯ２の添加量は８mol.%で保磁力Ｈｃが最大となるため、図２では実線で示すＴｉＯ２が８mol.%の場合と破線で示す９mol.%の場合とを比較している。図２からもわかるように、８mol.%以上のＴｉＯ２添加を行なうと保磁力Ｈｃが低下することが確認された。
【００２１】
本実施例では、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の過剰添加で効果が得られない要因の一つである、ＴｉＯ２がＴｉとＯに分離してＴｉが磁性粒子へ侵入することにより生じる酸素欠損を抑制するため、酸化物グラニュラ磁性層１９にＣｏＯを添加している。図３は、本実施例における酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量が８mol.%と１０mol.%の場合の酸化物グラニュラ層１９の保磁力Ｈｃを示す図である。図３中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸はｔＢｓ値（Ｇμｍ）を示す。ここで、ｔＢｓ値は、酸化物グラニュラ磁性層１９の膜厚ｔ（μｍ）と酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）の積を表す。酸化物グラニュラ磁性層１９にＣｏＯを添加した場合、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２添加量を８mol.%から１０mol.%に増量しても酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃは低下せず、むしろ磁性粒間の磁気的相互作用の低減により保磁力Ｈｃは増大している。即ち、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加により、ＴｉＯ２の分解によるＴｉがＣｏＯから分解したＯ（酸素）原子と結合してＴｉＯ２となっているため、Ｃｏ合金部へのＴｉ侵入による保磁力Ｈｃの低下が抑制されている。尚、ＴｉＯ２の分解はある割合で発生していると考えられるが、酸化物グラニュラ磁性層１９へＴｉＯ２を添加することによる得られる効果とのバランスから、悪影響として見え始めるのがＴｉＯ２の添加量が８mol.%以上の場合であるが、８mol.%未満でもＴｉＯ２の分解は発生しており、ＣｏＯの添加効果はＴｉＯ２の添加量が８mol.%未満でも得られることが類推できる。本発明者らによる実験結果によれば、酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃは、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＴｉＯ２の添加量が約６mol.%以上、且つ、約２０mol.%以下であれば良く、より好ましくは約１２mol.%以下である。
【００２２】
尚、酸化物グラニュラ磁性層１９の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金と、ＴｉＯ２等のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯ等のＣｏ酸化物で構成された第２の酸化物を含む単一のターゲットでも、Ｃｏ合金と第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットでも良い。ただし、第１の酸化物としては、第２の酸化物より酸化物生成エネルギーが低い酸化物を用いる。
【実施例２】
【００２３】
本発明の第２実施例では、上記第１実施例と同じ構成の垂直磁気記録媒体１を、上記第１実施例と同じ成膜条件で酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量を変化させて作成した。
【００２４】
図４は、本実施例における酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示す図である。図４中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量（mol.%）を示す。図４からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量が約１mol.%以上、且つ、約８mol.%以下であると保磁力Ｈｃが増大することが確認された。これは、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加するＣｏＯの酸素の一部がＴｉＯ２から分離したＴｉと結合することでＴｉのＣｏ合金侵入が抑制されたことが一要因であるが、ＣｏＯ自体の偏析による磁性粒間の磁気的相互作用の低減等も要因として考えられる。
【００２５】
そこで、本発明者らは、酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁化ＭｓをＣｏＯの各種添加量について測定した。図５は、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量に対する飽和磁化Ｍｓの実測値Ｍｓ１の変化を示す図である。図５中、縦軸は酸化物グラニュラ磁性層１９の飽和磁化Ｍｓ（emu/cc）を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯ添加量（mol.%）を示す。図５からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約１mol.%以上、且つ、約５mol.%以下の場合、飽和磁化Ｍｓが増大し、約６mol.%以上の場合は飽和磁化Ｍｓが低下することが確認された。仮に、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加されたＣｏＯが酸化物のままの状態で酸化物グラニュラ磁性層１９内に残っていれば、ＣｏＯを添加した分だけＣｏ合金部のＣｏ量は低下するため、飽和磁化Ｍｓは細かい破線で示す計算値Ｍｓ２のように単調減少するはずである。これとは逆に、酸化物グラニュラ磁性層１９に添加されたＣｏＯが全てＣｏとＯに分解され、その結果生成されたＣｏが全てＣｏ合金に取り込まれるとすれば、酸化物グラニュラ磁性層１９内のＣｏ原子の総量が増えた分だけ飽和磁化Ｍｓが粗い破線で示す計算値Ｍｓ３のように増加するはずである。ここで、実測値Ｍｓ１と計算値Ｍｓ２，Ｍｓ３とを比較すると、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下では飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ２より増加しているので、ＣｏＯが分解されてＣｏ原子はＣｏ合金部へ移動していることがわかる。又、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下では、飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ３より増加しているので、ＣｏＯの分解で生じたＯ（酸素）原子がＴｉと結合しＴｉの侵入が防がれ、その結果飽和磁化Ｍｓが更に増加していると考えられる。特に酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量が約６mol.%以上の場合には、飽和磁化Ｍｓが計算値Ｍｓ２と同等レベルになっており、ＣｏＯの添加効果が有効に得られていないことが図５から確認された。即ち、酸化物グラニュラ磁性層１９へのＣｏＯの添加量は約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下であると本実施例による酸素供給効果を得ることができ、ＣｏＯの添加量は約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であると更に効果的であることが確認された。
【実施例３】
【００２６】
図６は、本発明の第３実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。図６中、図１と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図６に示すように、非磁性基板１１上に、ＣｒＴｉ密着層１２、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１３、Ｒｕ結合層１４、ＣｏＦｅＺｒＴａ軟磁性層１５、ＮｉＷシード層１６、Ｒｕ中間層１７、非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層１８、（Ｃｏ７４Ｃｒ９Ｐｔ１７）９２−ｙ−（ＴｉＯ２）８−（ＣｏＯ）ｙ酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９を形成し、更に良好なＲ／Ｗ性能を得るためにＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０とＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１を形成して垂直磁気記録媒体３１を、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量を変化させて作成した。又、Ｒ／Ｗ性能を評価するために、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１の上に、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）保護層２２及びフッ素系潤滑層２３を形成した。尚、上記第１及び第２実施例においても、酸化物グラニュラ磁性層１９上にＤＬＣ保護層及びフッ素系潤滑層を形成することができることは言うまでもない。本実施例では、第１の磁性層１９、第２の磁性層２０及び第３の磁性層３０により垂直磁気記録媒体３１の記録層が構成されている。
【００２７】
以下の説明では便宜上、層１２〜１９の膜厚及び成膜条件が上記第１実施例と同じ場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、層１２〜１９の膜厚範囲及び成膜条件の範囲が上記第１実施例で説明した膜厚範囲及び成膜条件の範囲と同じ場合でも略同様の特性が得られることが確認された。又、以下の説明では便宜上、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０は５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１は５ｎｍの場合についての特性を説明するが、本発明者らの実験結果によれば、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０の膜厚は１ｎｍ〜２０ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔB磁性層（第３の磁性層）２１膜厚は３ｎｍ〜２０ｎｍの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００２８】
更に、以下の説明では便宜上、成膜条件としては各層２０，２１はＡｒガスをスパッタガスとして用いたＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成され、成膜圧力はＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０については４Ｐａ、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１については０．６７Ｐａの場合について説明するが、本発明者らの実験結果によれば、成膜圧力はＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０については０．５Ｐａ〜１５Ｐａ、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層（第３の磁性層）２１については０．１Ｐａ〜２Ｐａの場合でも略同様の特性が得られることが確認された。
【００２９】
尚、スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタリングに限定されず、ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリングを用いても良い。スパッタガスもＡｒガスに限定されず、Ｘｅガス、Ｋｒガス、Ｎｅガス等を用いても良い。
【００３０】
ＤＬＣ保護層２２はプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により３．５ｎｍに形成され、フッ素系潤滑層２３はディップ式塗布により０．９ｎｍに形成されたが、各層２２，２３の形成方法及び膜厚は言うまでもなくこれに限定されるものではない。
【００３１】
図７は、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量に対するＶＭＭ（Viterbi
Metric Margin）値の変化を示す図である。図７中、縦軸はＶＭＭ値を示し、横軸は酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量（mol.%）を示す。ＶＭＭ値は、ビタビ復調法（Viterbi decoding）によりエラー訂正された信号の誤り率を示し、エラーレートに比例し、ＶＭＭ値が小さい程垂直磁気記録媒体３１のＲ／Ｗ性能が良好であることを示す。信号復調時、正しいパスと誤りパスの差を明確に区別するためには、理想値との差（メトリック値）が大きい必要があり、ＶＭＭ値とは正しいパスと誤りパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、その値が大きい程エラーが発生しやすい状態を示す。図７からもわかるように、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加によりＶＭＭ値が良好となっていることが分かる。しかし、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量が約６mol.%以上になると、ＶＭＭ値はむしろ劣化しており、このＶＭＭ値の劣化はＣｏＯが酸素の供給源として必要な量以上に添加されいるのが原因と考えられる。即ち、良好なＲ／Ｗ性能を得るという観点からは、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９へのＣｏＯの添加量は約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であることが好ましいと考えられる。
【００３２】
ところで、酸化物により磁性粒子の磁気的分離を向上する効果は、記録層を構成する酸化物グラニュラ磁性層であれば得られる。つまり、酸化物を磁性粒子の磁気的分離に使用しているグラニュラ型の磁性層であれば、例えば多層構造を有する記録層を構成する磁性層であっても上記効果を得ることができる。本実施例では本発明が酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９に適用されているが、本発明者らによる実験結果によれば、本発明を酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０に適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９に適用した場合と同様に磁性粒子の磁気的分離を向上する効果が得られることが確認された。酸化物グラニュラ磁性層内の磁性粒子の磁気的分離が向上されると、この酸化物グラニュラ磁性層の上に形成される別の磁性層にも向上した磁性粒子の磁気的分離が受け継がれる。従って、第３実施例の場合であれば、本発明を酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）１９のみに適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）２０のみに適用しても、酸化物グラニュラ磁性層（第１及び第２の磁性層）１９，２０の両方に適用しても良く、いずれの場合も上記と同様の効果が得られる。
【００３３】
尚、第３実施例の場合、磁性層（第３の磁性層）２１は、更に良好なＲ／Ｗ性能を得るために敢えて酸化物を使用したグラニュラ型にしていない。
【００３４】
上記第１〜第３実施例では、酸化物グラニュラ磁性層１９の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔと、ＴｉＯ２で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯで構成された第２の酸化物を含む。しかし、第１の酸化物としては、ＴｉＯ２以外のＷ，Ｎｂの酸化物を用いた場合でも、磁性粒子の間に偏在させて磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果があることは、例えば非特許文献２及び特許文献３の記載から類推できる。又、本発明者らによる実験結果によれば、第１の酸化物としては、Ｓｉ，Ｔａ，Ｃｒの酸化物を用いた場合でも、磁性粒子の間に偏在させて磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果があることが確認された。スパッタリングは、高エネルギのスパッタガスの原子を原材料のターゲットに衝突させ、又、ターゲットから飛び出した原材料が基板に衝突するため、酸化物を用いた場合は必ずその一部が酸素と分離する。上記のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物（第１の酸化物）は、全てＣｏ酸化物（第２の酸化物）よりも酸化物生成エネルギーが低いため、第１の酸化物としてＴｉＯ２を用いて第２の酸化物としてＣｏＯを用いた場合と同様の理由で、ＣｏがＯ（酸素）と分離した場合、より高い確率でＣｏ以外の原子がＯ（酸素）と再結合して酸化物となる。従って、酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）及び酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金と、ＴｉＯ２等のＳｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂ等の酸化物からなるグループから選択された１以上の酸化物で構成された第１の酸化物と、ＣｏＯ等のＣｏ酸化物で構成された第２の酸化物を含むものであれば、酸化物グラニュラ磁性層１９（及び／又は２０）内の磁性粒子の磁気的分離を向上させる効果が得られる。
【００３５】
又、グラニュラ磁性層１９及び／又は２０を構成するＣｏ合金はＣｏＣｒＰｔに限定されず、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ等を用いても良く、Ｍ＝Ｂ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金であっても良い。
【００３６】
上記第１〜第３実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。しかし、磁性層内の磁性粒子の磁気的分離を向上させることは、垂直磁気記録媒体に限らず水平磁気記録方式を採用する水平（又は、面内）磁気記録媒体においても要求される共通の課題である。従って、本発明の適用は垂直磁気記録媒体に限定されず、水平磁気記録媒体にも同様に適用可能である。
【００３７】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。
【図２】比較例１の酸化物グラニュラ層の保磁力を示す図である。
【図３】第１実施例における酸化物グラニュラ磁性層へのＴｉＯ２の添加量が８mol.%と１０mol.%の場合の酸化物グラニュラ層の保磁力を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例の酸化物グラニュラ磁性層へのＣｏＯの添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示す図である。
【図５】酸化物グラニュラ磁性層へのＣｏＯの添加量に対する飽和磁化の実測値の変化を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例において製造される磁気記録媒体の断面図である。
【図７】酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）へのＣｏＯの添加量に対するＶＭＭ値の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１，３１ 垂直磁気記録媒体
１１ 非磁性基板
１２ 密着層
１３ 軟磁性層
１４ 結合層
１５ 軟磁性層
１６ シード層
１７ 中間層
１８ 非磁性グラニュラ中間層
１９ 酸化物グラニュラ磁性層（第１の磁性層）
２０ 酸化物グラニュラ磁性層（第２の磁性層）
２１ 磁性層（第３の磁性層）
２２ 保護層
２３ 潤滑層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる該グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、
該ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
該第１の酸化物は、該第２の酸化物よりも酸化物生成エネルギーが低いことを特徴とする、請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
該第１の酸化物はＴｉＯ２であり、該ターゲットが含むＴｉＯ２はモル分率で約６mol.%以上であることを特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
該第２の酸化物はＣｏＯであり、該ターゲットが含むＣｏＯはモル分率で約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
該第２の酸化物はＣｏＯであり、該ターゲットが含むＣｏＯはモル分率で約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
該ターゲットは、該Ｃｏ合金と該第１及び第２の酸化物を含む単一のターゲットであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
該ターゲットは、該Ｃｏ合金と該第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
該グラニュラ磁性層は、単層構造を有する記録層を構成することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
該グラニュラ磁性層は、多層構造を有する記録層に含まれる少なくとも１以上の層であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
該中間層はＲｕ中間層及び非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層を含み、該磁気記録媒体は垂直磁気記録方式を採用することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる該グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、
該ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
該第１の酸化物は、該第２の酸化物よりも酸化物生成エネルギーが低いことを特徴とする、請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
該第１の酸化物はＴｉＯ２であり、該ターゲットが含むＴｉＯ２はモル分率で約６mol.%以上であることを特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
該第２の酸化物はＣｏＯであり、該ターゲットが含むＣｏＯはモル分率で約１mol.%以上、且つ、約６mol.%以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
該第２の酸化物はＣｏＯであり、該ターゲットが含むＣｏＯはモル分率で約２mol.%以上、且つ、約５mol.%以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
該ターゲットは、該Ｃｏ合金と該第１及び第２の酸化物を含む単一のターゲットであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
該ターゲットは、該Ｃｏ合金と該第１及び第２の酸化物のうち１以上の材料を含む２以上のターゲットであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
該グラニュラ磁性層は、単層構造を有する記録層を構成することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
該グラニュラ磁性層は、多層構造を有する記録層に含まれる少なくとも１以上の層であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
該中間層はＲｕ中間層及び非磁性ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラ中間層を含み、該磁気記録媒体は垂直磁気記録方式を採用することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−１７００５２（Ｐ２００９−１７００５２Ａ）
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８９３６（Ｐ２００８−８９３６）
【出願日】平成２０年１月１８日（２００８．１．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月１８日（２００８．１．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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