説明

磁気記録媒体用基板およびその製造方法

【課題】高い表面硬度を有し、高温で長時間熱処理しても非磁性を保つことができる磁気記録媒体用基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi−P−Wめっき層とを含む磁気記録媒体用基板である。前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなり、前記磁気記録媒体用基板が、700Hv以上の硬度を有することを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体用基板およびその製造方法に関し、好適にはハードディスクドライブ(HDD)に搭載される磁気記録媒体用基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、パーソナルコンピュータ(PC)の記録装置として、HDDが広く用いられている。このHDDに用いられる磁気記録媒体用基板として、アルミニウム合金基板を使用したアルミニウム合金磁気記録媒体、またはガラス基板を使用したガラス磁気記録媒体が用いられている。
【0003】
また最近では、HDDを搭載した携帯用PCが広く用いられるようになってきている。携帯用PCは、運搬時または使用時の落下に対する良好な耐衝撃性を必要とする。
【0004】
前記アルミニウム合金磁気記録媒体は、アルミニウム合金層の表面に通常Ni−Pめっき層を形成することにより製造され、安価であり、かつ、良好な加工性を有している。しかしながら、前記Ni−Pめっき層を形成したアルミニウム合金磁気記録媒体では、上述の耐衝撃性の要求に十分に応えることができない。また、前記Ni−Pめっき層を形成したアルミニウム合金磁気記録媒体には、300℃以上の温度で熱処理されると容易に磁性を帯びるという問題がある。
【0005】
ところで、磁気記録媒体の高密度化を達成するために、HDDメーカーは、次世代の記録法として熱アシスト法の実用化を進めている。この熱アシスト法は、レーザー等の加熱装置を備えた磁気ヘッドを利用することにより記録箇所を局所的に加熱し、これにより高い保磁力を有する材料への磁気記録を容易にするものである。
【0006】
上述のNi−Pめっき層に関連して、アルミニウム合金層上に、1〜20wt%のWおよび13wt%以下のPを有するNi−P−Wめっき層を形成し、磁化開始温度を上昇させることが提案されている(特許文献1を参照)。この提案において、熱処理温度および残留磁化の関係も検討されている。また、Ni−P−Wめっき層について、熱処理温度および硬度の関係も検討されている(特許文献2を参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開昭61−224118号公報
【特許文献2】特開昭61−168122号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
現在、磁気記録媒体用基板には高い非磁性および平滑性が必要とされており、通常はアルミニウム合金層上にNi−Pめっき層を形成して鏡面研磨した磁気記録媒体用基板が使用されている。しかしながら、上記熱アシスト法において、磁気記録媒体の表面温度は、局所的および瞬間的に最低でも300℃以上となる。このような高温では、Ni−Pめっき層は、結晶化して磁性を帯びると共に体積変化により平滑性をも失ってしまう。
【0009】
そこで本発明は、上述の点に鑑み、高い表面硬度を有し、高温で長時間熱処理しても非磁性を保つことができる磁気記録媒体用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の第1の態様である磁気記録媒体用基板は、アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi−P−Wめっき層とを含み、前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなり、前記磁気記録媒体用基板が、700Hv以上の硬度を有することを特徴とする。ここで、前記磁気記録媒体用基板が、0.2mT以下の飽和磁束密度を有することが好ましい。また、前記Ni−P−Wめっき層が、5〜20μmの厚さを有することが好ましい。
【0011】
本発明の第2の態様である磁気記録媒体用基板の製造方法は、めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi−P−Wめっき層を形成する工程と、前記Ni−P−Wめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程とを含み、前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなることを特徴とする。ここで、前記加熱処理を、300℃以上320℃以下で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、高い表面硬度を有し、高温で長時間熱処理しても非磁性を保つことができる磁気記録媒体用基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の磁気記録媒体用基板を用いた磁気記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図2】300℃熱処理時におけるNi−P−Wめっき層中のW含有量(wt%)および硬度(Hv)の関係を示す図である。
【図3】熱処理温度(℃)および硬度(Hv)の関係を示す図である。
【図4】実施例2における熱処理温度(℃)および飽和磁束密度(mT)の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明の第1の形態における磁気記録媒体用基板10は、図1に例として示すように、アルミニウムを主体とするアルミニウム合金層12と、このアルミニウム合金層12の上に形成されたNi−P−Wめっき層14とを含む。通常は、このNi−P−Wめっき層14上に磁性層16などが形成されて磁気記録媒体20を構成している。磁気記録媒体20は、HDD等に通常使用されるものである。
【0015】
アルミニウム合金層12は、たとえば、加熱溶融したアルミニウム合金材料を圧延、加熱焼鈍した後、規定の寸法に加工が行われたアルミニウム合金のブランク材から形成することができる。アルミニウム合金は、たとえばAl−Mg合金、Al−Cu合金である。アルミニウムを主体とするアルミニウム合金層12のアルミニウム含有量は、90.0〜99.8wt%が好ましい。
【0016】
アルミニウム合金層12の上に形成されたNi−P−Wめっき層14は、0.5〜5.0wt%のW、7〜15wt%のP、および残部Niを含む。Ni−P−Wめっき層14が0.5wt%以上のWを含むため、熱処理による十分な硬度が得られる。Ni−P−Wめっき層14が、5.0wt%以下のWを含むため、熱処理後のクラック発生を防止できる。W含有量が5.0wt%を越えると、熱処理後にクラックが発生するため、不適当である。Ni−P−Wめっき層14が、7wt%以上のPを含むため、非晶質な皮膜が得られる。なお、Ni−P−Wめっき層14は、5〜20μmの厚さを有することが好ましい。Ni−P−Wめっき層14が5μm以上の厚さを有すると、析出初期からのめっき欠陥(ピット)および、ポリッシュ後の欠陥も少ないため好ましい。
【0017】
磁気記録媒体用基板の「硬度」は、マイクロビッカース硬度を意味する。本発明の磁気記録媒体用基板は700Hv以上の硬度を有するため、所望の耐衝撃性が達成される。
【0018】
磁気記録媒体用基板は、0.2mT(2Gauss)以下の飽和磁束密度を有する。本発明の磁気記録媒体用基板が前述の範囲の飽和磁束密度を有するため、所望の非磁性が達成される。
【0019】
本発明の第2の形態における磁気記録媒体用基板の製造方法は、めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi−P−Wめっき層を形成する工程と、前記Ni−P−Wめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程とを含み、前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなることを特徴とする。不活性雰囲気は、たとえば、窒素またはアルゴン等の不活性ガスとすることができる。この場合、不活性雰囲気で加熱処理を行っているため、Ni−P−Wめっき層の酸化が生じることがなく、Ni−P−Wめっき層に余分な元素(特に酸素)が混入せず、組成の変化によるNi−P−Wめっき層の構造の変化を誘引することがない。
【0020】
Ni−P−Wめっき層の形成には、従来から使用されている磁気記録媒体用基板のNiPめっき液にW塩を添加させたNi−P−Wめっき液を用いる。W塩としては、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸アンモニウム等を用いることができる。めっきは無電解めっきにより行うのが好ましい。めっき(無電解めっき)によって形成されるNi−P−Wめっき層の厚さは、めっき液への浸漬時間、めっき液の温度によって調整することが可能である。めっき時の条件は、特に限定されるものではない。しかしながら、めっき浴のpHを5.0〜8.6とし、浴温を70〜100℃、好ましくは85〜95℃とし、浸漬時間を90〜150分間とするのが好ましい。
【0021】
加熱処理は、300℃以上320℃以下で行うことが好ましい。加熱処理が300℃以上であるため基板の所望の硬度が得られ、加熱処理が320℃以下であるため基板の非磁性を維持することができる。
【0022】
本発明者は、Ni−P−Wめっき層中のW、PおよびNiの適切な組成を見出し、熱処理の最適な条件を見出すことにより、高温でも磁性を発現せず、700Hv以上の高い硬度を有する磁気記録媒体を提供することを実現した。
【実施例】
【0023】
以下、実施例1〜3、参考例4および比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に制限されるものではない。
【0024】
(実施例1〜3、参考例4および比較例)
アルミニウム合金/Ni−P−W基板
被めっきサンプルとして、内径φ20mm、外形φ65mm、厚さ0.8mmの円環状アルミニウム合金基板のアルミニウム合金層に対して、従来の条件に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行った。次いで、このアルミニウム合金層を下記組成からなるめっき浴に90℃で120分間浸漬した。
【0025】
【表1】

【0026】
第1表は、タングステン酸ナトリウム添加量(g/L)、pH、および皮膜組成(wt%)の関係を示す。なお、第1表において、タングステン酸ナトリウムの添加量は0〜22.2g/Lの範囲で変化させている。
【0027】
【表2】

【0028】
次に、蛍光X線分析装置を用いてNi−P−Wめっき層の厚さを測定した。Ni−P−Wめっき層の厚さは13μmであった。このNi−P−Wめっき層を、第2表に示す条件で、クリーンオーブンを使用して、窒素ガス雰囲気下で加熱処理し、磁気記録媒体用基板を得た。次いで、得られた磁気記録媒体用基板のマイクロビッカース硬度(Hv)および飽和磁束密度(mT)を測定した。
【0029】
【表3】

【0030】
マイクロビッカース硬度(Hv)は、5gの荷重でマイクロビッカース法(四角錐圧子)により測定した。
【0031】
VSM−P7−15型振動試料磁力計を使用して、約2×10−6emuの磁化測定感度および5kOe(3.98×10A/m)の最大印加磁場の条件下で、8mm角の試料の飽和磁束密度(mT)を測定した。
【0032】
図2は、300℃熱処理時におけるNi−P−Wめっき層中のW含有量(wt%)および硬度(Hv)の関係を示す図である。Ni−P−Wめっき層中のW含有量が約2.0wt%以上において、ガラス並みの700Hv以上の硬度が得られた。このとき、飽和磁束密度は0.2mT(2Gauss)以下であり、これは非磁性であることを意味している。
【0033】
図3は、熱処理温度(℃)および硬度(Hv)の関係を示す図である。図4および第3表は、実施例2における熱処理温度(℃)および飽和磁束密度(mT)の関係を示す。
【0034】
【表4】

【0035】
図3および図4から、熱処理温度が320℃を超えると、硬度は急激に増加するが、飽和磁束密度も急激に増加することがわかる。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi−P−Wめっき層とを含む磁気記録媒体用基板であって、
前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなり、
前記磁気記録媒体用基板が、700Hv以上の硬度を有することを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項2】
前記磁気記録媒体用基板が、0.2mT以下の飽和磁束密度を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用基板。
【請求項3】
前記Ni−P−Wめっき層が、5〜20μmの厚さを有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体用基板。
【請求項4】
磁気記録媒体用基板の製造方法であって、
めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi−P−Wめっき層を形成する工程と、
前記Ni−P−Wめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程とを含み、
前記Ni−P−Wめっき層が、7〜15wt%のP、0.5〜5.0wt%のWおよび残部Niからなることを特徴とする方法。
【請求項5】
前記加熱処理を、300℃以上320℃以下で行うことを特徴とする請求項4に記載の方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2012−195021(P2012−195021A)
【公開日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−56369(P2011−56369)
【出願日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【出願人】(000005234)富士電機株式会社 (3,146)
【Fターム(参考)】