説明

積層セラミック電子部品の製造方法

【課題】 層間誘電体層2を薄層化した場合でも、各種電気特性、特に十分な誘電率を有しつつもTCバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ1を提供すること。
【解決手段】 内部電極層3と、2μm未満の厚みを持つ層間誘電体層2とを有する積層セラミックコンデンサ1を製造する方法であって、誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数と、10を超え266未満のOH基放出量を持つことを特徴とする積層セラミックコンデンサ1の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に複数積層された構造の素子本体と、該素子本体の両端部に形成された一対の外部端子電極とで構成される。この積層セラミックコンデンサは、まず、焼成前誘電体層と焼成前内部電極層とを必要枚数だけ交互に重ねて焼成前素子本体を製造し、次に、これを焼成した後、焼成後素子本体の両端部に一対の外部端子電極を形成して製造される。
【0003】
積層セラミックコンデンサの製造に際しては、焼成前誘電体層と焼成前内部電極層とを同時に焼成するため、焼成前内部電極層に含まれる導電材には、焼成前誘電体層に含まれる誘電体原料粉末の焼結温度よりも高い融点を持つこと、誘電体原料粉末と反応しないこと、焼成後誘電体層に拡散しないこと、などが要求される。
【0004】
近年では、これらの要求を満足させるために、焼成前内部電極層に含まれる導電材には、従来使用されてきたPtやPdなどの貴金属に代えて、誘電体原料粉末の焼結温度を低下させ、焼成前内部電極層に含まれる導電材にAg−Pd合金を用いたり、誘電体材料に耐還元性を付与し、還元雰囲気で焼成可能なNiなどの安価な卑金属を用いたものが開発されている。
【0005】
焼成前内部電極層に含まれる導電材にNiを用いた場合を例示する。Niは、焼成前誘電体層に含まれる誘電体原料粉末と比較して融点が低い。このため、焼成前誘電体層と導電材としてのNiを含む焼成前内部電極層とを同時焼成した場合、誘電体原料粉末とNiとの焼結開始温度の差により、誘電体原料粉末の焼結が進行するに従いNi内部電極が太くなり、やがては途切れていく傾向にある。そこで、この種の焼成による途切れの抑制や焼結抑制の目的で、内部電極層を形成するための内部電極層用ペースト中に、焼結抑制材としての添加用誘電体原料を添加する技術が提案されている(特許文献1〜5参照)。この添加用誘電体原料は、焼成前層間誘電体層と焼成前内部電極層との同時焼成の際に、内部電極層側から層間誘電体層側へ拡散していく性質を有する。
【0006】
ところで、近年、各種電子機器の小型化により、電子機器の内部に装着される積層セラミックコンデンサの小型・大容量化、低価格化、高信頼性化を実現することが求められてきている。このような要請に応えるために、焼成後内部電極層及び、対向する焼成後内部電極層間に配置される焼成後層間誘電体層、の薄層化が進んできている。具体的には、焼成後層間誘電体層の一層あたりの焼き上げ厚みが約1μm前後にまで薄層化されてきており、これに伴って焼成前層間誘電体層の一層あたりの焼成前厚みも薄層化される。
【0007】
焼成前層間誘電体層の薄層化に伴い、これを形成するための誘電体層1層あたりの誘電体原料の含有量は少なくなる。
【0008】
たとえば導電材としてのNiに対して、所定の重量割合で添加用誘電体原料を添加した内部電極層用ペーストを準備し、このペーストを、焼成前厚みを段階的に薄層化させた複数の焼成前層間誘電体層に対して、所定厚みで塗布形成した場合を考えてみる。このとき、焼成前層間誘電体層中の誘電体原料の含有量に対する内部電極層中の添加用誘電体原料の含有量の重量割合(内部電極層中の添加用誘電体原料の含有量/焼成前層間誘電体層中の誘電体原料の含有量)は、内部電極層用ペーストが塗布形成される焼成前層間誘電体層の厚みが薄くなるに連れて、段階的に増加していくことになる。なぜならば、焼成前層間誘電体層の厚みが薄くなるに連れて、焼成前層間誘電体層中の誘電体原料の含有量が減少していき、上記重量割合の式の分母が小さくなり、その結果、重量割合の値が増加するからである。
【0009】
このことは、焼成前層間誘電体層の側から考えると、その厚みが薄くなればなるほど、内部電極層側から拡散してくる添加用誘電体原料の量は相対的に多くなることを意味する。つまり、内部電極層側から層間誘電体層側への相対的な拡散量が増加する。
【0010】
また、上述した焼成前層間誘電体層の薄層化に伴い、焼成前内部電極層についても薄層化が要求されるが、この焼成前内部電極層を薄層化するには、これを形成するための内部電極層用ペースト中のNiなどの導電材とともに、添加用誘電体原料の微細化が要求される。
【0011】
ところが、焼成の際に、内部電極層側から層間誘電体層側へ拡散してくる添加用誘電体原料が微細化されていると、層間誘電体層を構成する誘電体粒子の粒成長を促し、層間誘電体層の微細構造に影響を及ぼすことがある。内部電極層側から層間誘電体層側への添加用誘電体原料の拡散量が多くなると、なおさらである。焼成後層間誘電体層の厚みを2.0μm以上とする場合には、微細構造に対する影響は無視できたが、焼成後層間誘電体層の厚みを2.0μm未満に薄層化する場合には、微細構造に対する影響が大きくなり、この微細構造の影響に伴って、得られる積層セラミックコンデンサの、バイアス特性や信頼性と言った諸特性が低下するおそれがある。
【0012】
これら諸問題の解決策として、特許文献6には、内部電極層用ペーストへの添加物組成を調節する技術が提案されている。この特許文献6記載の技術によれば、温度特性、tanδ及び寿命を悪化させることなく誘電体層を薄層化できる、というものであるが、バイアス特性の向上が十分ではないとの課題を有していた。
【特許文献1】特開平5−62855号公報
【特許文献2】特開2000−277369号公報
【特許文献3】特開2001−307939号公報
【特許文献4】特開2003−77761号公報
【特許文献5】特開2003−100544号公報
【特許文献6】特開2003−124049号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
本発明の目的は、層間誘電体層を薄層化した場合でも、各種電気特性、特に十分な誘電率を有しつつもTCバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
上記目的を達成するために、本発明の第1の観点によれば、
内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
好ましくは、前記添加用主成分原料が、さらに10を超え266未満のOH基放出量を持つ。
【0015】
第2の観点によれば、内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ10を超え266未満のOH基放出量を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【0016】
好ましくは、前記添加用主成分原料が、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つ。
【0017】
第3の観点によれば、
内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数と、10を超え266未満のOH基放出量を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【0018】
本発明方法で言う「実質的に同じ組成系」とは、各元素の種類と、該各元素同士の組成モル比とが、完全に一致する場合の他に、各元素の種類は同一であるが組成モル比が多少異なる場合も含む趣旨である。前者のケースとしては、たとえば、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料が(BaO)TiO(但し、m=1)の場合に、内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料に含まれる添加用主成分原料が(BaO)m’TiO(但し、m’=1)の場合である。後者のケースとしては、たとえば、主成分原料が(BaO)TiO(但し、m=1)の場合に、添加用主成分原料が(BaO)m’TiO(但し、m’=0.990〜1.050程度)の場合である。
【0019】
好ましくは、前記主成分原料が、組成式(AO)・BOで表され、前記式中の記号AがSr、CaおよびBaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、記号BがTiおよびZrの少なくとも1つの元素であり、前記式中のモル比mがm=0.990〜1.035の誘電体酸化物である。より好ましくは、前記主成分原料が、組成式(BaO)・TiOで表され、前記式中のモル比mがm=0.990〜1.035のチタン酸バリウムである。
【0020】
好ましくは、前記添加用主成分原料が、組成式(AO)m’・BOで表され、前記式中の記号AがSr、CaおよびBaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、記号BがTiおよびZrの少なくとも1つの元素であり、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050の誘電体酸化物である。より好ましくは、前記添加用主成分原料が、組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050のチタン酸バリウムである。
【0021】
本発明方法で用いる添加用誘電体原料は、「少なくとも添加用主成分原料」を含むものであればよく、さらに添加用副成分原料を含むこともある。この場合の添加用副成分原料は、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる副成分原料の組成と同じでも異なっていてもよい。
【0022】
本発明方法では、少なくとも、添加用誘電体原料に含まれる添加用主成分原料と、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料とが、実質的に同じ組成系であればよい。したがって、添加用誘電体原料が、添加用主成分原料の他に添加用副成分原料を含む場合には、(1)添加用誘電体原料の一部である添加用主成分原料のみが、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であってもよい。換言すれば、添加用誘電体原料の残部である添加用副成分原料の組成が、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる副成分原料の組成と異なっていてもよい。(2)添加用誘電体原料の全部(当然に添加用主成分原料を含んでいる)が、誘電体層用ペースト中の誘電体原料の全部(当然に主成分原料を含んでいる)と実質的に同じ組成系であってもよい。
【0023】
積層セラミックコンデンサの内部電極層を構成する材料は、本発明では特に限定されず、卑金属の他に貴金属を用いることもできる。内部電極層を卑金属で構成する場合、誘電体層には、チタン酸バリウム等の主成分の他に、Mn,Cr,Si,Ca,Ba,Mg,V,W,Ta,Nb及びR(RはY等の希土類元素の1種以上)の酸化物並びに焼成によりこれらの酸化物になる化合物などの1種類以上を含む副成分を含有させることがある。副成分を含有させることで、還元性雰囲気下で焼成しても半導体化されず、コンデンサとしての特性を保持することができる。このように、主成分の他に副成分を含む誘電体層を持つ積層セラミックコンデンサを製造する場合には、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料は、焼成後に上記主成分や副成分を形成することとなる主成分原料や副成分原料を含有する。この場合、上述したように、内部電極層用ペーストに含まれる添加用誘電体原料にも、添加用主成分原料の他に、添加用副成分原料が含有される。
【0024】
好ましくは、誘電体層は、主成分として組成式(BaO)・TiOで表され、前記式中のモル比mがm=0.990〜1.035のチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウムと希土類元素の酸化物とを含有し、更に他の副成分として酸化バリウム及び酸化カルシウムから選択される少なくとも1種と、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンから選択される少なくとも1種とを含有する。
【0025】
このとき、内部電極層用ペーストに含まれる添加用誘電体原料は、添加用主成分原料として組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数及び/または10を超え266未満のOH基放出量を持つチタン酸バリウムを含有し、添加用副成分原料として酸化マグネシウム(焼成後に酸化マグネシウムになる化合物を含む)と希土類元素の酸化物とを含有し、更に他の副成分として酸化バリウム(焼成後に酸化バリウムになる化合物を含む)及び酸化カルシウム(焼成後に酸化カルシウムになる化合物を含む)から選択される少なくとも1種と、酸化ケイ素、酸化マンガン(焼成後に酸化マンガンになる化合物を含む)、酸化バナジウム及び酸化モリブデンから選択される少なくとも1種とを含有することが好ましい。
【0026】
なお、本発明において、単に、”誘電体層”と表現した場合の当該誘電体層は、層間誘電体層及び外側誘電体層の一方または双方を意味するものとする。
【発明の効果】
【0027】
本発明によると、内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料に含まれる添加用主成分原料の組成系(例えば、いわゆるA/B、すなわちAサイト(上記式中の「(BaO)」の部分)と、Bサイト(上記式中の「TiO」の部分)とのモル比m’)と、格子定数と、OH基放出量を制御する。このように各種条件を制御したチタン酸バリウムを添加用主成分原料として用いることで、焼成後の層間誘電体層を構成する誘電体粒子の存在状態が好適に制御される。その結果、層間誘電体層の厚みを2μm未満に薄層化した場合でも、各種電気特性、特に十分な誘電率を有しつつもTCバイアス特性がより一層好適に改善される(具体的には、85℃に保持した恒温漕中で、120Hz,0.5Vrms,2V/μmのバイアス電圧で測定し、20℃のバイアス電圧無印加中の測定値からの容量変化率が−20%以上のTCバイアス特性を持つ)。
【0028】
積層セラミック電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電積層体部品、チップバリスタ、チップサーミスタ等の表面実装(SMD)チップ型電子部品が例示される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0029】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図、図2は実施例における脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフ、である。
【0030】
本実施形態では、積層セラミック電子部品として、内部電極層と層間誘電体層とが交互に複数積層してあり、これら内部電極層及び層間誘電体層の積層方向両外側端部に外側誘電体層が配置された積層セラミックコンデンサを例示して説明する。
【0031】
積層セラミックコンデンサ
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1は、層間誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両側端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。内部電極層3は、各側端面がコンデンサ素子本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【0032】
コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、縦(0.4〜5.6mm)×横(0.2〜5.0mm)×高さ(0.2〜1.9mm)程度である。
【0033】
コンデンサ素子本体10において、内部電極層3及び層間誘電体層2の積層方向の両外側端部には、外側誘電体層20が配置してあり、素子本体10の内部を保護している。
【0034】
層間誘電体層2および外側誘電体層20の組成は、本発明では特に限定されないが、たとえば以下の誘電体磁器組成物で構成される。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、組成式(BaO)・TiOで表され、前記式中のモル比mがm=0.990〜1.035のチタン酸バリウムを主成分として含有する。
【0035】
本実施形態の誘電体磁器組成物は、前記主成分と共に副成分も含有する。副成分としては、Mn,Cr,Ca,Ba,Mg,V,W,Ta,Nb及びR(RはYなどの希土類元素の1種以上)の酸化物並びに焼成により酸化物になる化合物を一種類以上含有するものが例示される。副成分を添加することにより、還元雰囲気焼成においてもコンデンサとしての特性を得ることができる。なお、不純物として、C,F,Li,Na,K,P,S,Clなどの微量成分が0.1重量%以下程度、含有されてもよい。ただし、本発明では、層間誘電体層2及び外側誘電体層20の組成は、上記に限定されるものではない。
【0036】
本実施形態では、層間誘電体層2及び外側誘電体層20として、以下の組成のものを用いることが好ましい。その組成は、主成分として組成式(BaO)・TiOで表され、前記式中のモル比mがm=0.990〜1.035のチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウムと希土類元素の酸化物とを含有し、更に他の副成分として酸化バリウム及び酸化カルシウムから選択される少なくとも1種と、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンから選択される少なくとも1種とを含有するものである。そして、チタン酸バリウムを[(BaO)0.990〜1.035 ・TiO]に、酸化マグネシウムをMgOに、希土類元素の酸化物をRに、酸化バリウムをBaOに、酸化カルシウムをCaOに、酸化ケイ素をSiOに、酸化マンガンをMnOに、酸化バナジウムをVに、酸化モリブデンをMoOにそれぞれ換算したとき、[(BaO)0.990〜1.035 ・TiO]100モルに対する比率がMgO:0.1〜3モル、R:0モル超5モル以下、BaO+CaO:0.5〜12モル、SiO:0.5〜12モル、MnO:0モル超0.5モル以下、V:0〜0.3モル、MoO:0〜0.3モル、である。
【0037】
層間誘電体層2の積層数や厚み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、本実施形態では、層間誘電体層2の厚みは、好ましくは2μm未満、より好ましくは1.5μm以下、さらに好ましくは1μm以下と薄層化されている。本実施形態では、このように層間誘電体層2の厚みを薄層化したときでも、コンデンサ1の各種電気特性、特に十分な誘電率を有しつつもTCバイアス特性が改善されている。外側誘電体層20の厚みは、たとえば30μm〜数百μm程度である。
【0038】
層間誘電体層2及び外側誘電体層20は、複数の誘電体粒子と、隣接する複数の誘電体粒子間に形成された粒界相とを含んで構成される。粒界相は、通常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程中に不純物として混入する材質の酸化物を成分としている。
【0039】
内部電極層3は、実質的に電極として作用する卑金属の導電材で構成される。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn、Cr、Co、Al、Ru、Rh、Ta、Re、Os、Ir、Pt及びWなどから選ばれる1種以上とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P、C、Nb、Fe、Cl、B、Li、Na、K、F、S等の各種微量成分が0.1重量%以下程度含まれていてもよい。
【0040】
本実施形態では、内部電極層3の厚さは、好ましくは2μm未満、より好ましくは1.5μm以下と薄層化されている。
【0041】
外部電極4としては、通常Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Pt,Rh,Ru,Ir等の少なくとも1種又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Cu,Cu合金、Ni又はNi合金等や、Ag,Ag−Pd合金、In−Ga合金等が使用される。外部電極4の厚さは用途に応じて適時決定されればよいが、通常10〜200μm程度であることが好ましい。
【0042】
積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1の製造方法の一例を説明する。
【0043】
(1)まず、焼成後に図1に示す層間誘電体層2及び外側誘電体層20を構成することとなる誘電体層用ペーストと、焼成後に図1に示す内部電極層3を構成することとなる内部電極層用ペーストとを準備する。
誘電体層用ペースト
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して調製する。
【0044】
誘電体原料としては、焼成後に各誘電体層2,20を構成する主成分や副成分を形成することとなる主成分原料や副成分原料を含有する。これらの各成分原料は、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。
【0045】
誘電体原料は、通常、平均粒径が0.4μm以下、好ましくは0.05〜0.35μm程度の粉体として用いられる。なお、ここでの平均粒径は、原料の粒をSEMにて観察し、円相当径に換算して求めた値である。
【0046】
有機ビヒクルは、バインダおよび溶剤を含有するものである。バインダとしては、例えばエチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダを用いることができる。溶剤も、特に限定されるものではなく、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノールなどの有機溶剤が用いられる。
【0047】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と、水中に水溶性バインダを溶解させたビヒクルを混練して、形成することもできる。水溶性バインダは、特に限定されるものではなく、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンなどが用いられる。
【0048】
誘電体層用ペースト中の各成分の含有量は、特に限定されるものではなく、たとえば、約1〜約50重量%の溶剤を含むように、誘電体層用ペーストを調製することができる。
【0049】
誘電体層用ペースト中には、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、誘電体、副成分化合物、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されていてもよい。誘電体層用ペースト中に、これらの添加物を添加する場合には、総含有量を、約10重量%以下にすることが望ましい。
【0050】
内部電極層用ペースト
本実施形態では、内部電極層用ペーストは、導電材と、添加用誘電体原料と、有機ビヒクルとを混練して調製する。
【0051】
導電材としては、NiやNi合金、さらにはこれらの混合物を用いる。このような導電材は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。また、導電材の粒子径は、通常、球状の場合、平均粒径が0.5μm以下、好ましくは0.01〜0.4μm程度のものを用いることとする。より高度な薄層化を実現できるようにするためである。導電材は、内部電極層用ペースト中に、好ましくは35〜60重量%、含まれる。
【0052】
添加用誘電体原料は、焼成過程において内部電極(導電材)の焼結を抑制する作用を奏する。
【0053】
本実施形態では、添加用誘電体原料は、添加用主成分原料と、添加用副成分原料を含有する。本実施形態では、少なくとも、添加用誘電体原料に含まれる添加用主成分原料と、上記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料とが、実質的に同じ組成系であればよい。したがって、添加用誘電体原料の一部である添加用主成分原料のみが、上記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であってもよい。また、添加用誘電体原料の全部が、誘電体層用ペースト中の誘電体原料の全部と実質的に同じ組成系であってもよい。このように、少なくとも添加用主成分原料と、主成分原料とを実質的に同じ組成系にすることにより、内部電極層3から誘電体層2,20への拡散による誘電体層2,20の組成を変化させることがない。
【0054】
本実施形態では、添加用主成分原料として、組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050、好ましくは0.995≦m’≦1.035、より好ましくは1.000≦m’≦1.020のチタン酸バリウムを用いる。添加用主成分原料のm’の値を調整したチタン酸バリウムを用いることにより、焼成後の層間誘電体層2を構成する誘電体粒子の存在状態が制御され、薄層化した場合でも、各種電気特性、特に十分な誘電率を有しつつもTCバイアス特性が改善される。m’が大きくなり過ぎると、焼結不足になる傾向がある。
【0055】
本実施形態の第1の観点では、添加用誘電体原料中の添加用主成分体原料として、特定の格子定数を持つものを用いる。特定の格子定数を持つ主成分原料を添加用として用いることにより、最終的に得られるコンデンサ1の各種電気特性の向上を図ることができる。添加用主成分原料の格子定数は、3.991Åを超え4.064Å未満、好ましくは4.000Åを超え4.057Å未満、より好ましくは4.004Å〜4.0475Åである。格子定数が小さすぎても大きすぎても各種電気特性の向上効果を得ることができない傾向がある。
【0056】
本実施形態の第2の観点では、添加用誘電体原料中の添加用主成分体原料として、特定のOH基放出量を持つものを用いる。特定のOH基放出量を持つ主成分原料を添加用として用いることにより、最終的に得られるコンデンサ1の各種電気特性の向上を図ることができる。添加用主成分原料のOH基放出量は、10を超え266未満、好ましくは25〜250、より好ましくは25〜150である。OH基放出量が少なすぎても多すぎても各種電気特性の向上効果を得ることができない傾向がある。
【0057】
添加用主成分原料の平均粒径は、誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料の粒径と同じでも良いが、より小さいことが好ましく、より好ましくは0.01〜0.2μm、特に好ましくは0.01〜0.15μmである。なお、平均粒径の値は、比表面積(SSA)と相関があることが知られている。
【0058】
添加用誘電体原料(添加用主成分原料のみの場合もあるし、添加用主成分原料と添加用副成分原料の双方を含むこともある。以下、特に断りのない限り同じ)は、特に限定はされないが、たとえば、シュウ酸塩法、水熱合成法、ゾルゲル法、加水分解法、アルコキシド法などの工程を経て製造されることが好ましい。この方法を用いることにより、上記格子定数とOH基放出量を持つ誘電体原料を効率よく製造することができる。
【0059】
添加用誘電体原料は、内部電極層用ペースト中に、導電材に対して、好ましくは10〜30重量%、より好ましくは15〜20重量%で含まれる。添加用誘電体原料の含有量が少なすぎると導電材の焼結抑制効果が低下し、多すぎると内部電極の連続性が低下する。すなわち添加用誘電体原料が少なすぎても多すぎても、いずれもコンデンサとしての十分な静電容量を確保できないなど不都合を生じうる。
【0060】
有機ビヒクルは、バインダおよび溶剤を含有するものである。
【0061】
バインダとしては、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、または、これらの共重合体などが例示される。バインダは、内部電極層用ペースト中に、導電材と添加用誘電体原料との混合粉末に対して、好ましくは1〜5重量%、含まれる。バインダが少なすぎると強度が低下する傾向にあり、多すぎると、焼成前の電極パターンの金属充填密度が低下し、焼成後に、内部電極層3の平滑性を維持することが困難になることがある。
【0062】
溶剤としては、例えばテルピネオール、ジヒドロテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能である。溶剤含有量は、ペースト全体に対して、好ましくは20〜50重量%程度とする。
【0063】
内部電極層用ペーストには、可塑剤が含まれていてもよい。可塑剤としては、フタル酸ベンジルブチル(BBP)などのフタル酸エステル、アジピン酸、燐酸エステル、グリコール類などが例示される。
【0064】
(2)次に、誘電体層用ペーストと内部電極層用ペーストとを用いて、グリーンチップを作製する。印刷法を用いる場合は、誘電体層用ペースト及び所定パターンの内部電極層用ペーストをキャリアシート上に積層印刷し、所定形状に切断した後、キャリアシートから剥離してグリーンチップとする。シート法を用いる場合は、誘電体層用ペーストをキャリアシート上に所定厚みで形成して得られたグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを所定パターンで印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【0065】
(3)次に、得られたグリーンチップを脱バインダする。脱バインダは、雰囲気温度T0を、たとえば図2に示すように、たとえば室温(25℃)から脱バイ保持温度T1に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該T1を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で下降させる工程である。
【0066】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは5〜300℃/時間、より好ましくは10〜100℃/時間である。脱バイ保持温度T1は、好ましくは200〜400℃、より好ましくは220〜380℃であり、
該T1の保持時間は、好ましくは0.5〜24時間、より好ましくは2〜20時間である。降温速度は、好ましくは5〜300℃/時間、より好ましくは10〜100℃/時間である。脱バインダの処理雰囲気は、好ましくは空気もしくは還元雰囲気である。還元雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばNとHとの混合ガスを加湿して用いることが好ましい。処理雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは10−45 〜10Paである。酸素分圧が低すぎると脱バインダ効果が低下し、高すぎると内部電極層が酸化する傾向にある。
【0067】
(4)次に、グリーンチップを焼成する。焼成は、雰囲気温度T0を、たとえば図2に示すように、たとえば室温(25℃)から焼成保持温度T2に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該T2を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で雰囲気温度を下降させる工程である。
【0068】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは50〜500℃/時間、より好ましくは100〜300℃/時間である。焼成保持温度T2は、好ましくは1100〜1350℃、より好ましくは1100〜1300℃、さらに好ましくは1150〜1250℃であり、該T2の保持時間は、好ましくは0.5〜8時間、より好ましくは1〜3時間である。T2が低すぎると、該T2の保持時間を長くしても緻密化が不十分となり、高すぎると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層を構成する導電材の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【0069】
降温速度は、好ましくは50〜500℃/時間、より好ましくは200〜300℃/時間である。焼成の処理雰囲気は、好ましくは還元雰囲気である。還元雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばNとHとの混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【0070】
焼成雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは6×10−9〜10−4Paである。酸素分圧が低すぎると内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがあり、高すぎると内部電極層が酸化する傾向にある。
【0071】
(5)次に、グリーンチップを還元雰囲気で焼成した場合には、これに引き続き熱処理(アニール)を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより、最終物たるコンデンサの特性が得られる。
【0072】
アニールは、雰囲気温度T0を、たとえば図2に示すように、たとえば室温(25℃)からアニール保持温度T3に向けて所定の昇温速度で上昇させ、該T3を所定時間、保持させた後、所定の降温速度で雰囲気温度T0を下降させる工程である。
【0073】
本実施形態では、昇温速度は、好ましくは100〜300℃/時間、より好ましくは150〜250℃/時間である。アニール保持温度T3は、好ましくは800〜1100℃、より好ましくは900〜1100℃であり、該T3の保持時間は、好ましくは0〜20時間、より好ましくは2〜10時間である。T3が低すぎると、誘電体層2の酸化が不十分となるので、IRが低く、またIR寿命が短くなりやすい。T3が高すぎると、内部電極層3が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層3が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、IRの低下、IR寿命の低下が生じやすくなる。
【0074】
降温速度は、好ましくは50〜500℃/時間、より好ましくは100〜300℃/時間である。アニールの処理雰囲気は、好ましくは中性雰囲気である。中性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したNガスを用いることが好ましい。アニールに際しては、Nガス雰囲気下で保持温度T3まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したNガス雰囲気としてもよい。アニール雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは2×10−4〜1Paである。酸素分圧が低すぎると誘電体層2の再酸化が困難であり、高すぎると内部電極層3が酸化する傾向にある。
【0075】
本実施形態では、アニールは、昇温過程と降温過程とだけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度T3は最高温度と同義である。
【0076】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Nガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は0〜75℃程度が好ましい。
【0077】
なお、脱バインダ、焼成、アニールは連続的に行っても良いし、分割して行っても良い。
【0078】
以上の各処理により、焼結体で構成されるコンデンサ素子本体10が形成される。
【0079】
(6)次に、得られたコンデンサ素子本体10に外部電極4を形成する。外部電極4の形成は、上記焼結体で構成されるコンデンサ素子本体10の端面を、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより研磨した後、その両端面に、通常Ni,Pd,Ag,Au,Cu,Pt,Rh,Ru,Ir等の少なくとも1種又はそれらの合金を含む外部電極用ペーストを焼き付けるか、あるいはIn−Ga合金を塗布する等、公知の方法にて形成することができる。必要に応じて、外部電極4表面に、めっき等により被覆層を形成してもよい。
【0080】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【0081】
たとえば、上述した実施形態では、脱バインダ処理、焼成およびアニールは、それぞれ独立して行っているが、本発明ではこれに限定されず、少なくとも2つの工程を連続して行なってもよい。連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度T2まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度T3に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。
【実施例】
【0082】
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【0083】
実施例1
誘電体層用ペーストの作製
まず、誘電体原料と、バインダーとしてのPVB(ポリビニルブチラール)樹脂と、可塑剤としてのDOP(フタル酸ジオクチル)と、溶媒としてのエタノールを準備した。誘電体原料は、主成分原料としての平均粒径が約0.2μmのBaTiOを複数準備し、各BaTiOに対して、副成分原料としての、MnCO:0.2モル%、MgO:0.5モル%、V:0.3モル%、Y:2モル%、CaCO:3モル%、BaCO:3モル%、SiO:3モル%を、ボールミルで16時間湿式混合し、乾燥して製造した。
【0084】
次に、誘電体原料に対して、10重量%のバインダーと、5重量%の可塑剤と、150重量%の溶媒とをそれぞれ秤量し、ボールミルで混練し、スラリー化して誘電体層用ペーストを得た。
【0085】
内部電極層用ペーストの作製
導電材としての平均粒径が0.4μmのNi粒子と、添加用誘電体原料と、バインダーとしてのエチルセルロース樹脂と、溶媒としてのターピネオールとを準備した。
【0086】
添加用誘電体原料としては、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料と実質的に同じ組成系の、添加用主成分原料としてのBaTiOと、添加用副成分原料としてのMnCO、MgO、V、Y、CaCO、BaCO及びSiOとを含有するものを用いた。ただし、添加用主成分原料としてのBaTiOについては、各試料ごとに、各表に示すように、格子定数とOH基放出量を変化させたものを用いた。
【0087】
各表での添加用主成分原料の格子定数は、電流を300mAに、かつ加速電圧を50kVに設定したXRD(理学社製rent2000)を用い、角度が10〜85度の範囲を測定して得られたピーク位置から立方晶の格子定数として算出した値である(単位はÅ)。
【0088】
また、各表での添加用主成分原料のOH基放出量は、約5mgの添加用主成分原料を約100mgのKBrにて希釈した試料を用いた、FT−IR(フーリエ変換赤外分光)拡散反射法による、−OH伸縮振動起因の3510cm−1のピーク強度である。
【0089】
次に、導電材に対して20重量%の添加用誘電体原料を添加した。導電材及び添加用誘電体原料の混合粉末に対して、5重量%のバインダーと、35重量%の溶媒とを秤量して添加し、ボールミルで混練し、スラリー化して内部電極層用ペーストを得た。
【0090】
積層セラミックチップコンデンサ試料の作製
得られた誘電体層用ペースト及び内部電極層用ペーストを用い、以下のようにして、図1に示す積層セラミックチップコンデンサ1を製造した。
【0091】
まず、PETフィルム上に誘電体層用ペーストをドクターブレード法によって、所定厚みで塗布し、乾燥することで、厚みが2μmのセラミックグリーンシートを形成した。本実施例では、このセラミックグリーンシートを第1グリーンシートとし、これを複数枚、準備した。
【0092】
得られた第1グリーンシートの上に、内部電極層用ペーストをスクリーン印刷法によって所定パターンで形成し、厚さ約1μmの電極パターンを持つセラミックグリーンシートを得た。本実施例では、このセラミックグリーンシートを第2グリーンシートとし、これを複数枚、準備した。
【0093】
第1グリーンシートを厚さが300μmになるまで積層してグリーンシート群を形成した。このグリーンシート群の上に、第2グリーンシートを11枚積層し、この上にさらに、前記同様のグリーンシート群を積層、形成し、温度80℃及び圧力1トン/cmの条件で加熱・加圧してグリーン積層体を得た。
【0094】
次に、得られた積層体を縦3.2mm×横1.6mm×高さ1.0mmのサイズに切断した後、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にて行い、焼結体を得た。脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフを図2に示す。
【0095】
脱バインダは、昇温速度:30℃/時間、保持温度T1:250℃、保持時間:8時間、降温速度:200℃/時間、処理雰囲気:空気雰囲気、の条件で行った。
【0096】
焼成は、昇温速度:200℃/時間、保持温度T2:1240℃、保持時間:2時間、降温速度:200℃/時間、処理雰囲気:還元雰囲気(酸素分圧:10−6PaにNとHとの混合ガスを水蒸気に通して調整した)、の条件で行った。
【0097】
アニールは、昇温速度:200℃/時間、保持温度T3:1050℃、保持時間:2時間、降温速度:200℃/時間、処理雰囲気:中性雰囲気(酸素分圧:0.1PaにNガスを水蒸気に通して調整した)、の条件で行った。
【0098】
焼成及びアニールにおけるガスの加湿には、ウェッターを用い、水温は20℃とした。
【0099】
得られた焼結体の端面をサンドブラストにて研磨した後、In−Ga合金を塗布して、試験用電極を形成し、積層セラミックチップコンデンサ試料を得た。コンデンサ試料のサイズは、縦3.2mm×横1.6mm×高さ1.0mmであり、層間誘電体層2の厚みxは約1.3μm、内部電極層3の厚みは0.9μmであった。同様にして、層間誘電体層2の厚みxが約1.1μmのコンデンサ試料も作製した。
【0100】
得られたコンデンサ試料のTCバイアス特性、温度特性及び比誘電率εを評価した。ただし、層間誘電体層2の厚みxが約1.3μmのコンデンサ試料については、TCバイアス特性と比誘電率のみを評価した。
【0101】
TCバイアス特性については、コンデンサ試料を、85℃に保持した恒温漕中で、LCRメーターにて、120Hz,0.5Vrms,2V/μmのバイアス電圧で測定し、20℃のバイアス電圧無印加中の測定値からの容量変化率を算出して評価した。評価基準は、誘電体厚み1.3μmでは−23%より大きくなるのを、誘電体厚み1.1μmでは−25%より大きくなるのを、それぞれ良好とした。
【0102】
温度特性(TC)については、85℃の恒温槽中でLCRメーターにて、120Hz、0.5Vrms、0.5V/μmで測定し、20℃での測定値からの容量変化率を算出して評価した。評価基準は、−7.0%より大きくなるのを良好とした。
【0103】
比誘電率εについては、コンデンサ試料に対し、基準温度25℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で測定された静電容量から算出した(単位なし)。評価基準は、誘電体厚み1.3μmでは1800以上を、誘電体厚み1.1μmでは1700以上を、それぞれ良好とした。
【0104】
結果を表1〜2に示す。
【表1】

【0105】
表1に示すように、1.3μmの層間誘電体層厚みを持つコンデンサ試料において、添加用主成分原料としてのBaTiOの格子定数が3.991Å以下の試料1では、TCバイアス特性は良好な値を示しているが、比誘電率εが劣る。格子定数が4.064Å以上の試料7では、TCバイアス特性及びεの双方が劣る。これに対し、格子定数が3.991Å超4.064Å未満の本発明範囲内の試料2〜6では、εとともに、TCバイアス特性も優れることが確認できた。
【0106】
BaTiOのOH基放出量が10以下の試料1では、TCバイアス特性は良好な値を示しているが、比誘電率εが劣る。OH基放出量が266以上の試料7では、TCバイアス特性及びεの双方が劣る。これに対し、OH基放出量が10を超え266未満の本発明範囲内の試料2〜6では、εとともに、TCバイアス特性も優れることが確認できた。
【0107】
特に、試料2〜4では、TCバイアス特性が−20%以上であり、この特性が極めて改善されていることが確認できる。
【表2】

【0108】
表2に示すように、1.1μmの層間誘電体層厚みを持つコンデンサ試料において、添加用主成分原料としてのBaTiOの格子定数が3.991Å以下の試料8では、TCバイアス特性及び温度特性TCは良好な値を示しているが、比誘電率εが劣る。格子定数が4.064Å以上の試料13では、TCバイアス特性、温度特性TC及びεのいずれもが劣る。これに対し、格子定数が3.991Å超4.064Å未満の本発明範囲内の試料9〜13では、εとともに、TCバイアス特性及び温度特性TCも優れることが確認できた。
【0109】
BaTiOのOH基放出量が10以下の試料8では、TCバイアス特性及び温度特性TCは良好な値を示しているが、比誘電率εが劣る。OH基放出量が266以上の試料13では、TCバイアス特性、温度特性TC及びεのいずれもが劣る。これに対し、OH基放出量が10を超え266未満の本発明範囲内の試料9〜12では、εとともに、TCバイアス特性及び温度特性TCも優れることが確認できた。
【0110】
実施例2
層間誘電体層2の厚みを1.9μm、1.7μm、1.5μm、0.9μmと変化させた以外は、実施例1と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様の評価を行った。その結果、同様の結果が得られた。
【0111】
比較例1
層間誘電体層2の厚みを2.0μm、2.2μmと変化させた以外は、実施例1と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様の評価を行った。
その結果、層間誘電体層2の厚みが2μm以上の場合は、添加用誘電体原料の影響が小さいため、誘電体層の粒成長がほとんど見られず、内部電極層中のセラミック粒子(添加用誘電体原料)による、層間誘電体層2の誘電体粒子の平均粒径にはほとんど差が認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【0112】
【図1】図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図2】図2は実施例における脱バインダ処理、焼成およびアニールの各温度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【0113】
1… 積層セラミックコンデンサ
10… コンデンサ素子本体
2… 層間誘電体層
20… 外側誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極


【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項2】
前記添加用主成分原料が、組成式(AO)m’・BOで表され、前記式中の記号AがSr、CaおよびBaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、記号BがTiおよびZrの少なくとも1つの元素であり、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つ誘電体酸化物である、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項3】
前記添加用主成分原料が、組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つチタン酸バリウムである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項4】
前記添加用主成分原料が、さらに10を超え266未満のOH基放出量を持つ、請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項5】
内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ10を超え266未満のOH基放出量を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項6】
前記添加用主成分原料が、組成式(AO)m’・BOで表され、前記式中の記号AがSr、CaおよびBaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、記号BがTiおよびZrの少なくとも1つの元素であり、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに10を超え266未満のOH基放出量を持つ誘電体酸化物である、請求項5に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項7】
前記添加用主成分原料が、組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに10を超え266未満のOH基放出量を持つチタン酸バリウムである、請求項5に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項8】
前記添加用主成分原料が、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数を持つ、請求項5〜7のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項9】
内部電極層と、2μm未満の厚みを持つ誘電体層とを有する積層セラミック電子部品を製造する方法であって、
誘電体原料を含む誘電体層用ペーストと、添加用誘電体原料を含む内部電極層用ペーストとを用いて形成された積層体を焼成する工程を有し、
前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料が、主成分原料と副成分原料を含み、
前記内部電極層用ペースト中の添加用誘電体原料が、少なくとも添加用主成分原料を含み、
該添加用主成分原料が、前記誘電体層用ペースト中の誘電体原料に含まれる主成分原料と実質的に同じ組成系であり、かつ3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数と、10を超え266未満のOH基放出量を持つことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項10】
前記添加用主成分原料が、組成式(AO)m’・BOで表され、前記式中の記号AがSr、CaおよびBaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、記号BがTiおよびZrの少なくとも1つの元素であり、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数と、10を超え266未満のOH基放出量を持つ誘電体酸化物である、請求項9に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項11】
前記添加用主成分原料が、組成式(BaO)m’・TiOで表され、前記式中のモル比m’が0.993<m’<1.050であり、さらに3.991Åを超え4.064Å未満の格子定数と、10を超え266未満のOH基放出量を持つチタン酸バリウムである、請求項9に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。


【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2006−310645(P2006−310645A)
【公開日】平成18年11月9日(2006.11.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−133079(P2005−133079)
【出願日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【出願人】(000003067)TDK株式会社 (7,238)
【Fターム(参考)】