積層基板製造方法並びに真空成膜方法及び真空成膜装置
【課題】配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する。
【解決手段】樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された（形成された）積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法並びに樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法及び真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板、ＣＯＦ、ＴＡＢテープ等が電気・電子分野で広く用いられている。フレキシブルプリント基板は例えば、ポリイミド等の樹脂フィルムの表面に金属薄膜が成膜された金属膜付樹脂基板を製造し、サブトラクティブ法（化学エッチングなどで配線パターンを形成する方法）によってこの金属膜付樹脂基板に配線パターンを形成することにより作製される。近年、電子部品をより高密度に実装するために、フレキシブルプリント基板等の寸法の精細化を図ると共にその寸法変化を少なくすることや、配線パターンになる金属薄膜と樹脂フィルムの密着性を高めることなどが求められている。
【０００３】
フレキシブルプリント基板に加工される前の金属膜付樹脂基板は、上記のように樹脂フィルムの表面に一様に金属膜が成膜されたものであり、例えばロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて（金属薄膜が成膜された）積層基板を製造し、その後、金属薄膜上に金属膜を電気めっきして製造される。このロール・ツー・ロール真空成膜装置では、成膜中に長尺樹脂フィルムが熱に起因して変質または破損する事を避けるために長尺樹脂フィルムを冷やしながら真空成膜をする。長尺樹脂フィルムを冷やす技術としては、その内部で冷媒が循環するキャンロールの表面に樹脂フィルムを接触させながら搬送し、キャンロールに対向して配置されたスパッタリングカソードによって樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する技術が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、積層基板を製造する技術としては、直線状に配置された複数のロール上で長尺の樹脂フィルムを直線状に搬送させながら成膜する技術が挙げられる（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
上記したキャンロールに樹脂フィルムを接触させて冷やす技術では、樹脂フィルムの一部がキャンロールの表面から浮いている（離れている）場合、その浮いている部分が十分に冷されずに加熱される。この加熱の結果、樹脂フィルムが部分的に変形し易くなり、場合によっては樹脂フィルムが破損することもある。そこで、樹脂フィルムをキャンロールに一様に密着して搬送するために、５０Ｎ（ニュートン）以上の強い張力を樹脂フィルムに作用させてキャンロールの表面に樹脂フィルムを密着させながら搬送させている。
【特許文献１】特開昭６３−３１０９６０号公報
【特許文献２】特開２００６−３３６０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように５０Ｎ以上の強い張力が作用している樹脂フィルムの表面に成膜した場合、成膜された薄膜の厚さが比較的厚い（例えば５０ｎｍ以上）ときは、成膜された薄膜が樹脂フィルムの動きを抑える（張力の作用した状態の樹脂フィルムが薄膜によって固定される）ので、樹脂フィルムに作用している張力は成膜後も残留したままとなる。このように成膜後にも張力が残留している樹脂フィルムに例えばサブトラクティブ法によって配線パターンを形成した場合、薄膜のうち配線にならない部分（薄膜が除去された部分）では薄膜が除去されて樹脂フィルムが露出して張力が解放される一方、薄膜のうち配線になる部分（薄膜が残っている部分）では薄膜が樹脂フィルムの動きを抑えるので張力が残留したままとなり易い。このように樹脂フィルムに作用している張力が部分的に解放されたり解放されなかったりした場合、樹脂フィルムが部分的に伸縮するので、配線パターンを微視的に観察したときは、配線パターンが変形したりずれたりすることがある。このような変形やずれは、配線パターンが精細になるほど悪影響を与え、フレキシブルプリント基板としての機能を損なうおそれがある。
【０００７】
また、上記した二番目の技術（直線状に配置された複数のロール上で長尺の樹脂フィルムを直線状に搬送させながら成膜する技術）では、直線状に配置された複数のロールと樹脂フィルムの裏面とは線接触程度の接触しかないので、樹脂フィルムを波打たせないためには、樹脂フィルムに非常に強い張力を作用する必要がある。このため、上記と同じ問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法、このような積層基板を製造する際の真空成膜方法及び真空成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の積層基板製造方法は、樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法において、
（１）湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することにより積層基板を製造することを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、
（２）前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜してもよい。
【００１１】
さらに、
（３）前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１２】
さらにまた、
（４）前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１３】
さらにまた、
（５）樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、
（６）これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、
（７）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜してもよい。
【００１４】
上記目的を達成するための本発明の真空成膜方法は、樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法において、
（８）湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とするものである。
【００１５】
ここで、
（９）前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜してもよい。
【００１６】
さらに、
（１０）一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚を成膜してもよい。
【００１７】
さらにまた、
（１１）前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１８】
さらにまた、
（１２）樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、
（１３）これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、
（１４）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜してもよい。
【００１９】
上記目的を達成するための本発明の真空成膜装置は、樹脂フィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該樹脂フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜し、この薄膜が成膜された樹脂フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
（１５）前記巻出ロールから前記巻取ロールまでの間で形成された非直線状の搬送路を前記樹脂フィルムが搬送されるように樹脂フィルムを案内する複数のガイドロールと、
（１６）前記複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムに薄膜を成膜するスパッタリングカソードとを備えたことを特徴とするものである。
【００２０】
ここで、
（１７）前記複数のガイドロールは、前記樹脂フィルムの裏面に接触しながら該樹脂フィルムを案内するものであり、
（１８）前記スパッタリングカソードは、前記樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜するものであってもよい。
【００２１】
さらに、
（１９）前記搬送路は、円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかに形成されたものであってもよい。
【００２２】
さらにまた、
（２０）前記複数のガイドロールは、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れて配置されたものであってもよい。
【００２３】
さらにまた、
（２１）前記複数のガイドロールのうちいずれかのガイドロールの隣に配置された、その内部に冷媒が導入されたキャンロールを備えてもよい。
【００２４】
さらにまた、
（２２）前記樹脂フィルムのうち前記キャンロールに接触した部分の表面に対向する位置に配置された、該表面に薄膜を成膜する第２のスパッタリングカソードを備えてもよい。
【００２５】
さらにまた、
（２３）前記キャンロールとの間で前記樹脂フィルムを挟むことにより、該樹脂フィルムに作用する張力を変えるニップロールを備えてもよい。
【００２６】
さらにまた、
（２４）前記複数のガイドロールのうち前記巻出ロール又は前記巻取ロールに隣り合わないガイドロールのいずれかは、搬送中の樹脂フィルムに作用している張力を検出する張力検出ロールであってもよい。
【００２７】
また、上記目的を達成するための他の真空成膜装置は、ポリエチレンナフタレートフィルム又はポリイミドフィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の該フィルムの表面に膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍのニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜し、続けて、この合金薄膜層の表面に膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍの銅薄膜層を成膜し、これらの積層が成膜された前記フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
（２５）前記フィルムの幅が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内であって、このフィルムの搬送路が円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかになるように、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離して配置された複数のガイドロールと、
（２６）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する前記フィルムに、ニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜する第１スパッタリングカソードと、
（２７）前記複数のガイドロールのうち、前記隣のガイドロールよりも搬送方向上流側に位置する他の一のガイドロールとこの他の一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する、前記ニッケル又はニッケル合金薄膜層が成膜された前記フィルムに銅薄膜層を成膜する第２スパッタリングカソードと、
（２８）前記フィルムのうち前記第２スパッタリングカソードに対向する部分に、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する張力付与機構とを備えたことを特徴とするものである。
【００２８】
ここでいう「非直線状の搬送路」とは、巻出ロールから巻取ロールまでの間で非直線状になった部分があるということをいい、樹脂フィルムのうち成膜される非接触部分は、後述する図で説明するように直線状になっている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、非接触部分の前後で樹脂フィルムを湾曲させることにより弱い（低い）張力をこの非接触部分に作用させることができ、また、この非接触部分は他のものに接触していないので、部分的に加熱されたり冷却されたりすることが無くて一様な温度を保っている。従って、このような非接触部分の表面に、成膜中に樹脂フィルムが所定温度以上にならないように薄膜を成膜し、その後、配線パターンを形成したときに、樹脂フィルムに作用している弱い張力が部分的に解放されても、この解放された弱い張力に起因して、配線パターンが変形したりずれたりすることがない。従って、配線パターンの更なる精細化に寄与できることとなる。また、成膜中に非接触部分に作用している張力は弱いので、樹脂フィルムのうち配線が形成されている部分（張力が解放されていない部分）には、配線が形成されていない部分（張力が解放された部分）からの影響が少なく、樹脂フィルムと薄膜との良好な密着性も保たれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明は、樹脂フィルムにニッケル（又はニッケル合金）の薄膜を成膜し、その上に銅の薄膜を積層させる真空成膜装置に実現された。
【実施例１】
【００３１】
図１と図２を参照して、本発明の真空成膜装置の一例を説明する。図１は、本発明の真空成膜装置の一例を模式的に示す側面図である。図２は、抱き角を説明するための説明図である。ここでは、図１の真空成膜装置を用いて、長尺樹脂フィルムに金属薄膜を成膜する真空成膜方法の一例を説明する。この真空成膜方法によって、本発明にいう積層基板が製造される。長尺樹脂フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、ポリイミドフィルムの表面にニッケル（又はニッケル合金）薄膜をスパッタリング成膜して、このニッケル（又はニッケル合金）薄膜の上に銅薄膜をスパッタリング成膜する。ニッケル（又はニッケル合金）薄膜層はシード層（下地層）と呼ばれ、膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍである。銅薄膜層の膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍである。これらの薄膜の厚さは適宜に選択される。なお、長尺樹脂フィルムとしては、ポリイミドフィルムに限定されず、ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）などが適宜に選択される。また、薄膜としてはニッケル（又はニッケル合金）薄膜や銅薄膜などの金属薄膜に限定されず、酸化物薄などを適宜に選択できる。
【００３２】
真空成膜装置１０は、円筒状の真空チャンバー１２と、この内部を例えば１０−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲内の圧力（本発明にいう真空の一例である）に減圧する真空ポンプとを備えている。この真空ポンプの水分を吸着することにより系全体の排気速度を高めるためにクライオコイル等を備えても良い。真空チャンバー１２の内部には、後述する巻出ロール１４、巻取ロール１６、ガイドロール２１〜２８など種々の部材・部品が配置されている。円筒状の真空チャンバー１２は、図１の紙面に直交する方向に延びたものであり、各種ロールも同様にこの紙面に直交する方向に延びている。なお、真空チャンバー１２は、その内部を所定の圧力（例えば１０−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲内の圧力）に減圧できるものであれば、どの様な形状でもよい。また、真空チャンバー１２は、後述する巻出ロール１４や巻取ロール１６が上になり、スパッタリングカソード４３が下になるように配置される。
【００３３】
真空チャンバー１２には、樹脂フィルムＦがロール状にまかれた巻出ロール１４が配置されている。巻出ロール１４は駆動ロールであり、この巻出ロール１４から樹脂フィルムＦが送り出され、送り出された樹脂フィルムＦは円筒状の真空チャンバー１２の内周壁に沿って湾曲しながら矢印Ｈ方向に搬送され、この搬送中に樹脂フィルムＦの表面に薄膜が成膜され、成膜された樹脂フィルムＦは巻取ロール１６に巻き取られる。この巻取ロール１６も駆動ロールである。巻出ロール１４及び巻取ロール１６は正逆回転し、回転方向を変えることにより、巻取ロール１６を巻出ロール１４として機能させ、巻出ロール１４を巻取ロール１６として機能させることもできる。
【００３４】
樹脂フィルムＦは、真空チャンバー１２の内周壁に沿った円周状（三次元的に視た場合は円筒の内周状）の搬送路を案内されながら搬送される。この案内のために、搬送路には、ガイドロール２１、２２、２３、２４、キャンロール３０、ニップロール３１、ガイドロール２５、２６、２７、２８がこの順に略円周上に配置されている。従って、巻出ロール１４から送り出された樹脂フィルムＦは、各ロールによって案内されて湾曲しながら非直線状の搬送路を巻取ロール１６まで搬送される。但し、「非直線状の搬送路」とは、巻出ロール１４から巻取ロール１６までの間で非直線状になった部分があるということをいい、樹脂フィルムＦのうち成膜される非接触部分は、図１などに示すように直線状になっている。
【００３５】
ガイドロール２１〜２８及びキャンロール３０の外周面には、樹脂フィルムＦの裏面が接触し、ニップロール３１の外周面には、樹脂フィルムＦの表面が接触する。ここでは、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟む（挟持する）か挟まないかによって、樹脂フィルムＦに作用させる張力を変更することもできる。ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟んだときは、ニップロール３１を境にして樹脂フィルムＦに異なる張力を作用させることができ、ニップロール３１をキャンロール３０から離して樹脂フィルムＦを挟まないときは、巻出ロール１４から巻取ロール１６までの間において樹脂フィルムＦに作用する張力は一定になる。
【００３６】
ガイドロール２１〜２８、及びニップロール３１は従動ロールであり、キャンロール３０は駆動ロールであるが、これら従動ロールと駆動ロールは適宜に変更しても良い。ガイドロール２１〜２８のうち２つのガイドロール２３、２６は、樹脂フィルムＦに作用する張力を検出する張力検出ロールを兼ねており、２つのガイドロール２３、２６の軸受には周知のロードセルが配置されている。なお、ニップロール３１としては、金属製、又は金属ロールの表面をゴム（ＮＢＲ、シリコーン、バイトン等）で覆ったものであり、好ましくは表面がゴムのロールである。
【００３７】
キャンロール３０はその内部に有機溶剤等の冷媒が導入されて循環するものであり、キャンロール３０の外周面に接触している樹脂フィルムＦはこの冷媒によって冷される。キャンロール３０の外径は１００ｃｍ以下であり、この外径が４０ｃｍ以上６０ｃｍ以下の範囲内であることが望ましい。後述する実験例では、キャンロール３０の直径を４０ｃｍとした。キャンロール３０で循環している冷媒の温度は、−５℃〜−１００℃が望ましい。また、キャンロール３０及びガイドロール２１〜２８の表面に硬質クロムめっきを施しておいてもよい。ガイドロール２１〜２８をキャンロール３０のように構成して、冷媒を循環させるタイプのロールにしてもよい。
【００３８】
ニップロール３１は、キャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟む（挟持する）か挟まないかによって、樹脂フィルムＦに作用する張力をニップロール３１の前後で変えるためのロールである。ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟むことにより、樹脂フィルムＦをキャンロール３０の表面に押え付けて、この押え付けた部分の前後で樹脂フィルムＦに作用する張力を変える。ニップロール３１をキャンロール３０から離して両ロールの間で樹脂フィルムＦを挟まないとき（ニップロール３１をガイドロール２５から遠ざけたとき）は、図２（ａ）に示すように、キャンロール３０の表面を離れた樹脂フィルムＦはニップロール３１によって湾曲させられることなく、ガイドロール２５によって弛み無く張られる。この逆に、ニップロール３１とガイドロール２５とで樹脂フィルムＦを挟んだとき（ニップロール３１をガイドロール２４に近づけたとき）は、図２（ｂ）に示すように、キャンロール３０の表面を離れた樹脂フィルムＦはニップロール３１によって湾曲させられ、ガイドロール２５によって弛み無く張られる。この結果、図２に示すように、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟まないときの抱き角θ１は、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟んだときの抱き角θ２よりもやや小さくなる。ここでいう抱き角とは、図２に示すように、樹脂フィルムＦがキャンロール３０の外周面に接触し始めた位置からキャンロール３０の回転中心ｃまでを結ぶ直線と、樹脂フィルムＦがキャンロール３０の外周面から離れ始める位置からキャンロール３０の回転中心ｃまでを結ぶ直線とが成す角度をいう。なお、キャンロール３０は適宜に設けられるものであり、図１ではキャンロール３０を配置した真空成膜装置１０の例を示すが、キャンロール３０は無くてもよい。
【００３９】
ガイドロール２２とガイドロール２３は、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離とは、ガイドロール２２の回転中心からガイドロール２３の回転中心までの距離ではなくて、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面から離れ始める位置から、樹脂フィルムＦがガイドロール２３の外周面に接触し始める位置までの距離をいう。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２２とガイドロール２３の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４１が配置されている。スパッタリングカソード４１を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４０】
ガイドロール２３とガイドロール２４も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２３とガイドロール２４の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４２が配置されている。スパッタリングカソード４２を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４１】
ガイドロール２４とガイドロール２５の間にはキャンロール３０が配置されている。樹脂フィルムＦは、その裏面をキャンロール３０の外周面に接触させながら搬送される。この接触する部分に対向する位置には、ニッケル（又はニッケル合金）スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４３が配置されている。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、上記の接触部分の表面にはニッケル（又はニッケル合金）薄膜が成膜される。
【００４２】
ガイドロール２５とガイドロール２６も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２５とガイドロール２６の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４４が配置されている。スパッタリングカソード４４を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４３】
ガイドロール２６とガイドロール２７も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２６とガイドロール２７の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４５が配置されている。スパッタリングカソード４５を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４４】
ここで、ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７について、隣り合うガイドロール同士の距離や位置関係などを説明する。
【００４５】
矢印Ｈ方向に搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する（付与される）張力は１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御されている。この理由は、１０Ｎ未満の張力では樹脂フィルムＦに弛みが発生する一方、２５Ｎを超える張力では、樹脂フィルムＦの表面に成膜された膜（例えば銅層）を化学エッチングなどでパターンを加工した後の寸法安定性が確保できないからである。従って、樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４４，４５によって成膜される部分（非接触部分Ｆｈ）には、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する（作用させる）。なお、樹脂フィルムＦを往復させて（矢印Ｈ方向に搬送させた後にその反対方向に搬送させて）銅薄膜を成膜する場合は、樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４１，４２によって成膜される部分（非接触部分Ｆｈ）にも１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するように制御する。
【００４６】
非接触部分Ｆｈに１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させる場合、ガイドロール２５とガイドロール２６との距離（この距離は上記した定義のとおりであり、以下、ロール間隔ともいう。）を１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内にする。この距離が１０ｃｍ未満の場合は、隣り合うガイドロール間にスパッタリングカソードを配置できない。この距離が９０ｃｍを超える場合、非接触部分Ｆｈに作用する張力を２５Ｎ超にしないときは、樹脂フィルムＦが弛んで樹脂フィルムＦに皺が生じるおそれがある。この距離は３０ｃｍ以上５０ｃｍ以下の範囲内が最も好ましい。
【００４７】
ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置について説明する。
【００４８】
ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置は、水平面に対する非接触部分Ｆｈの仰角を一定範囲内にするように決められる。図１に示すように、樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈは水平面に平行ではない。ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置は、非接触部分Ｆｈの仰角が水平面に対して３０°以上の角度になるように決められる。このように非接触部分Ｆｈの仰角を水平面に対して３０°以上の角度にすることにより、上記のロール間隔が１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内で、非接触部分Ｆｈに作用する張力を１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内に確実に収められる。樹脂フィルムＦは重力によって垂れが生じ、この垂れが大きくなれば樹脂フィルムＦの長手方向のシワが生じる。樹脂フィルムＦの仰角を３０°以上にする事により、樹脂フィルムＦのフイルムの垂れを少なくできる。１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用している水平な（仰角ゼロ）非接触部分Ｆｈに成膜すると仮定した場合、樹脂フィルムＦの垂れの影響によってロール間隔は広くても４０ｃｍである。樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈが垂直に垂れるように（仰角９０°になるように）した場合、ロール間隔が９０ｃｍを超えたフィルムに成膜するときは、非接触部分Ｆｈは重力で垂れることが無いので問題が生じないと考えられる。しかし、ロール間隔が９０ｃｍを超えているときは、非接触部分Ｆｈに作用する張力が低いので非接触部分Ｆｈの長手方向にシワが生じるおそれがある。なお、図１に示す真空成膜装置１０を寝かす、即ち、樹脂フィルムＦを立てた状態で搬送したときは、巻取ロール１６では重力による巻きずれが生じるおそれがあるので好ましくない。
【００４９】
樹脂フィルムＦがガイドロール２２（ガイドロール２３，２４，２５，２６，２７についても同じ）の外周面に接触し始めた位置からガイドロール２２の中心までを結ぶ直線と、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面から離れ始める位置からガイドロール２２の中心までを結ぶ直線とが成す角度（抱き角であり、図２参照）は１０°以上９０°以下の範囲内とすることが好ましい。この抱き角が１０°未満の場合、樹脂フィルムＦとガイドロール２２の接触面が狭いのでガイドロール２２が回転せずに樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑って傷が付くおそれがある。一方、抱き角が９０°を超えた場合、樹脂フィルムＦの遊びによって樹脂フィルムＦに皺が生じるおそれがある。即ち、樹脂フィルムＦがガイドロール２２を締めてしまい（ガイドロール２２が回転しにくくなり）、樹脂フィルムＦも完全に平面ではなく厚みも幅方向に厳密に均一ではないので、樹脂フィルムＦの遊びによって搬送ずれが生じて皺の原因になる。
【００５０】
ガイドロール２２（ガイドロール２３，２４，２５，２６，２７についても同じ）の直径について説明する。
【００５１】
ガイドロール２２の直径（外径）は５ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲内にする。この直径が５ｃｍ未満の場合は、樹脂フィルムＦとガイドロール２２の接触面が狭すぎてガイドロール２２が回転せずに、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑ってしまうので、この外周面や樹脂フィルムＦに傷が付くおそれがある。一方、ガイドロール２２の直径が１５ｃｍを超えた場合は、ガイドロール２２の質量が大きくなり（機械的な損失が大きくなり）、樹脂フィルムＦの搬送によってはガイドロール２２は従動回転しにくく、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑ってしまうことがあるので、この外周面や樹脂フィルムＦに傷が付くおそれがある。なお、このような問題は、ガイドロール２２が従動ロールの場合に生ずるものであり、ガイドロール２２が駆動ロールの場合は、直径の制限は無い。しかし、これらガイドロール全てを駆動ロールにしてその回転を制御することは費用の上昇や故障の原因となる。
【００５２】
上述したように２つのガイドロールの間（一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間）でスパッタリング成膜を行う場合、２つのガイドロールの間の距離が長すぎるときは、樹脂フィルムＦに弛みが生じ易いので、樹脂フィルムＦに作用させる張力を強める必要がある。しかし、この張力が高くなり過ぎたときは、樹脂フィルムＦが強く引っ張られ続けることとなるので、スパッタリング成膜の熱や表面処理の熱によって樹脂フィルムＦに皺が形成される。樹脂フィルムＦに弛みを生じさせず、且つ、熱に起因する皺も形成させないために、隣り合うガイドロール間の距離は１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離であり、好ましくは３０ｃｍ以上５０ｃｍ以下の範囲内にする。
【００５３】
樹脂フィルムＦに作用させる（付与する）張力について説明する。
【００５４】
図２を参照して説明したように、キャンロール３０とニップロール３１とで樹脂フィルムＦを挟むか挟まないかによって、ニップロール３１の前後において、樹脂フィルムＦに作用する張力を変えることができる。また、巻出ロール１４と巻取ロール１６の軸トルクを制御することにより、樹脂フィルムＦに作用する張力を変えることもできる。樹脂フィルムＦに作用する張力を変えて樹脂フィルムＦを搬送させる場合、シード層が成膜される上記の接触部分に作用する搬送方向（矢印Ｈ方向）の張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるようにする。このシード層を成膜した後に続いて銅薄膜が成膜される非接触部分Ｆｈに作用する搬送方向（矢印Ｈ方向）の張力は１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるようにする。
【００５５】
２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の搬送方向の張力を接触部分に作用させる理由は、この接触部分をキャンロール３０の外周面に一様に接触させて密着させるためである。このため、接触部分にシード層を形成する際に、接触部分が部分的に変形したり破損したりすることがない。なお、本発明者の研究によれば、樹脂フィルムＦの幅（図１の紙面に垂直な方向の長さ）が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内の場合は、その厚みに無関係に上記の張力にしたときに、配線パターンが変形したりずれたりすることがなく、樹脂フィルムＦと銅薄膜との良好な密着性も保たれることが確認された。張力が長尺樹脂フィルムの横断面積に無関係である理由は不明である。長尺樹脂フィルムの幅が８０ｃｍを超える場合は、張力を適宜確認して決定する。
【００５６】
搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力、即ち、スパッタリングカソード４３によってシード層が形成される接触部分に作用する張力は、張力検出ロール（ガイドロール）２３で張力を検出しながら巻出ロール１４の軸トルクを制御することにより最適値に制御される。張力検出ロール２３の張力検出方法は、例えばロールの軸受けにロードセル等を配置すれば良い。本実施例では上記したように、搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるように制御することが望ましい。
【００５７】
搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力、即ち、スパッタリングカソード４４，４５によって銅薄膜層が形成される非接触部分Ｆｈに作用する張力は、張力検出ロール（ガイドロール）２６で張力を検出しながら巻取ロール１６の軸トルクを制御することにより最適値に制御される。張力検出ロール２６の張力検出方法は、例えばロールの軸受けにロードセル等を配置すれば良い。本実施例では上記したように、搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御することが望ましい。上述したように、１０Ｎ未満の張力では長尺な樹脂フィルムＦに弛みが発生する。一方、２５Ｎを超える張力では、長尺な樹脂フィルムＦの表面に成膜された膜（例えば銅層）を化学エッチングなどでパターンを加工した後の寸法安定性が確保できない。
【００５８】
上述した真空成膜装置１０を用いて、樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル（又はニッケル合金）薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する（第２の成膜）。
【００５９】
２つのスパッタリングカソード４４，４５で形成される銅薄膜よりも厚い銅薄膜を形成したい場合は、２つのスパッタリングカソード４４，４５で銅薄膜を形成し、続けて、巻出ロール１４と巻取ロール１６を逆回転させて樹脂フィルムＦを逆方向（矢印Ｈ方向とは反対の方向）に搬送しながら銅薄膜を形成する。この場合、形成する銅薄膜の厚さに応じて４つのスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５を選択的に使用する。樹脂フィルムＦを逆搬送させる場合は、樹脂フィルムＦの全ての部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するようにしておく。なお、さらに厚い銅薄膜層が必要な場合は、樹脂フィルムＦを再び正転搬送しながらスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５を選択的に使用する。この場合も、樹脂フィルムＦの全ての部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するようにしておく。
【００６０】
樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５に対向する部分は他のものに接触していない非接触部分Ｆｈとなっているので、キャンロール３０などによって冷されない。従って、この非接触部分Ｆｈがスパッタリングの熱で変形することを防止するために、隣接するガイドロール間（例えばガイドロール２５、２６間）のスパッタリングカソードで成膜するときの銅薄膜の厚さは１００ｎｍ以下に制限される。隣接するガイドロール間のスッタリングカソードで膜厚１００ｎｍを超えて成膜した場合は、非接触部分Ｆｈの温度は３００℃を超え、樹脂フィルムＦがポリイミドフィルムであっても皺などが発生する原因となる。生産性を考慮した場合、隣接するガイドロール間のカソードで一回に成膜する際の膜厚は、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内が好ましい。なお、「非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜」とは、「隣接するガイドロール間で非接触部分の表面に薄膜を成膜」という意味である。
【００６１】
非接触部分Ｆｈの前後（搬送方向の上流側と下流側）にはそれぞれ上記のガイドロール２１〜２８のいずれかが配置されており、非接触部分Ｆｈの前後は湾曲している。このように樹脂フィルムＦを湾曲させることにより、弱い（低い）張力を樹脂フィルムの非接触部分Ｆｈに作用させることができ、また、この非接触部分Ｆｈは他のものに接触していないので、部分的に加熱されたり冷却されたりすることが無くて一様な温度を保っている。従って、このような非接触部分Ｆｈの表面に、成膜中に樹脂フィルムＦが所定温度以上にならないように薄膜を成膜して積層基板を製造し、この積層基板に化学エッチング等を施して配線パターンを形成した場合、樹脂フィルムＦに作用している弱い張力が部分的に解放されても、この解放された弱い張力に起因して、配線パターンが変形したりずれたりすることがない。従って、配線パターンの更なる精細化に寄与できることとなる。
【００６２】
上述したように銅薄膜は樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈの表面に成膜されるが、シード層は、樹脂フィルムＦのうちキャンロール３０の外周面に接触している接触部分に成膜される。従って、シード層が成膜されている接触部分には、この接触部分をキャンロール３０に密着させるように強い張力を作用させている。このように接触部分をキャンロール３０に密着させて冷却させているので、シード層の成膜の際に高い電力をカソードに投入できる。この結果、スパッタ粒子の密度が向上するので、不純物が少ないシード層が成膜で可能となり、密着強度が向上する。しかし、シード層の膜厚は３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であり、この膜厚は銅薄膜の厚さ５０ｎｍから２００ｎｍよりも薄いので、シード層は接触部分の動きを抑える力は弱く、成膜中に接触部分に作用している張力は成膜後には解放される。従って、シード層の成膜に起因して樹脂フィルムＦに張力が残留することはほとんど無い。なお、スパッタリングカソードとしては周知のマグネトロン方式など用いることができる。
【００６３】
真空成膜装置１０で樹脂フィルムＦを往復搬送して成膜する場合（矢印Ｈ方向に搬送しながら成膜し、この成膜後に、矢印Ｈ方向とは反対方向に搬送しながら成膜する場合）は、往路では上述のように、搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるように制御すると共に、搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御する。復路では、搬送中の樹脂フィルムＦの全ての部分（巻取ロール１６から巻出ロール１４までの部分）での張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように、ニップロール３１の位置や巻出ロール１４と巻取ロール１６の軸トルクを調整して制御する。なお、上記の例では、スパッタリング法による成膜を例に挙げたが、本発明の真空成膜方法はスパッタリングに限定されず、蒸着など各種成膜方法を用いることができる。
【００６４】
図３を参照して、真空チャンバーの変形例を説明する。図３は、四角形状の真空チャンバーを示す側面図である。図３では、図１に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号が付されている。
【００６５】
上記した真空成膜装置１０では円筒状の真空チャンバー１２を使用したが、円筒状に限定されず、図３に示すように四角柱状（横断面が四角形状）の真空チャンバーを使用してもよい。また、ガイドロールの位置や個数は、適宜に変更してもよい。さらに、真空チャンバーとして、その横断面が台形状や多角形状のものを使用してもよい。
【００６６】
真空成膜装置１０を用いて実験した実験例１、２を、従来の真空成膜装置を用いて実験した比較例１、２と比較して説明する。これらの実験例と比較例では、薄膜の密着性や配線パターンの寸法精度について下記（１）、（２）のように試験した。また、搬送性については、搬送中における皺の発生の有無を調べた。
（１）樹脂フィルムに対する膜の密着の評価は、ＪＩＳ Ｃ６４７１−１９９５ ８．１「引きはがし強さ試験」の「方法Ａ（９０°方向引きはがし）」に準拠した。
（２）配線パターンの寸法精度の評価はＪＩＳ Ｃ６４７１−１９９５ ９．６「寸法安定性試験」に準拠した。
【００６７】
これらの実験では、真空成膜装置１０で成膜をする際、真空チャンバー１２内の圧力が５×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気し、その直後、真空チャンバー１２内にＡｒガスを導入して、２×１０−３Ｔｏｒｒでスパッタリングを行った。また、ガイドロール２２，２３の間、ガイドロール２３，２４の間、ガイドロール２５，２６の間、及びガイドロール２６，２７の間の距離を４０ｃｍとし、各ガイドロールの直径を１０ｃｍとし、ガイドロール２４，２３間の仰角を３０°とし、ガイドロール２５，２６間の仰角を３０°とし、ガイドロール２２，２３及び２６，２７の仰角を９０°とした。さらに、特に断わらない限りのポリイミドフィルムの幅を５００ｍｍとした。
【００６８】
実験例１．真空成膜装置１０の巻出ロール１４に、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、登録商標「カプトン１５０ＥＮ」）をロール状に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを巻出ロール１４から送り出して巻取ロール１６に巻き取られるように走行させた（搬送させた）。ポリイミドフィルムの搬送速度は毎分１ｍとした。張力検出ロール２３で検出される張力が４０Ｎになるように、ニップロール３１をキャンロール３０に押し付けて巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１をキャンロール３０に押し付けて巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。このようにして搬送中ポリイミドフィルムに、スパッタリングカソード４３で膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、続いて、スパッタリングカソード４４、４５それぞれで膜厚５０ｎｍの銅薄膜を成膜して（合計で１００ｎｍ成膜して）、これらの積層の上に電気めっきで銅薄膜８μｍを成膜した。
【００６９】
実験例２．真空成膜装置１０の巻出ロール１４に、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）をロール状に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを巻出ロール１４から送り出して巻取ロール１６に巻き取られるように走行させた（搬送させた）。ポリイミドフィルムの搬送速度は毎分１ｍとした。張力検出ロール２３で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。このようにして搬送中ポリイミドフィルムに、スパッタリングカソード４３で膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、続いて、スパッタリングカソード４４、４５それぞれで膜厚５０ｎｍの銅薄膜を成膜して（合計で１００ｎｍ成膜して）、これらの積層の上に電気めっきで銅薄膜８μｍを成膜した。
【００７０】
実験例３．張力検出ロール２３で検出される張力が１０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。
【００７１】
実験例４．張力検出ロール２３で検出される張力が２５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が２５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。
【００７２】
実験例５． 樹脂フイルムＦとして、幅２００ｍｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７３】
実験例６．樹脂フイルムＦとして、幅５００ｍｍ、厚さ２５μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７４】
実験例７．樹脂フイルムＦとして、幅５００ｍｍ、厚さ５０μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７５】
実験例８．樹脂フイルムＦとして、幅７００ｍｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７６】
実験例９．図１に示す真空成膜装置１０からガイドロール２６，２７を撤去し、ガイドロール２５と２８の間にポリイミドフイルムを張り、ガイドロール２５、２８間の距離を８０ｃｍとなるようにし、スパッタリングカソード４５で銅膜を１００ｎｍ成膜するように投入電力を調整した。他は実施例２と同様に成膜した。
【００７７】
比較例１．上記した特許文献１（特開昭６３−３１０９６０号公報）の第１図に示す真空成膜装置を用いて実験を行った。但し、この第１図におけるボックス２７には本実施例のスパッタリングカソード４３と同じものを配置し、蒸発源３０に代えて本実施例のスパッタリングカソード４４と同じものを配置した。このように構成した真空成膜装置を用いて、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）を供給ロール１１（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻出ロール１４に相当する）に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを供給ロール１１から送り出し、巻取りロール２０（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻取ロール１６に相当する））に巻き取られるように走行させた。搬送中のポリイミドフィルムに作用する張力を検出したところ１５Ｎであった。スパッタリングカソード４３と同じスパッタリングカソードで膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、スパッタリングカソード４４と同じスパッタリングカソードで膜厚１００ｎｍの銅薄膜を成膜したが、ポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００７８】
比較例２．比較例１と同じ真空成膜装置を用いて、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）を供給ロール１１（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻出ロール１４に相当する）に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを供給ロール１１から送り出し、巻取りロール２０（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻取ロール１６に相当する））に巻き取られるように走行させた。搬送中のポリイミドフィルムに作用する張力を検出したところ６０Ｎであった。スパッタリングカソード４３と同じスパッタリングカソードで膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、スパッタリングカソード４４と同じスパッタリングカソードで膜厚１００ｎｍの銅薄膜を成膜し、この銅薄膜の表面に電気めっきで銅８μｍを成膜した。
【００７９】
比較例３．比較例３以降は、図１に示す真空成膜装置１０を使用したが、張力などを変更して実験した。比較例３は張力を変更した例であり、比較例３では、張力検出ロール２３で検出される張力が５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。この比較例３では、銅薄膜を成膜中にポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００８０】
比較例４．比較例４も張力を変更した例であり、張力検出ロール２３で検出される張力が３０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が３０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。この比較例４では、銅薄膜を成膜中にポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００８１】
比較例５．比較例５では、ポリイミドフィルムの寸法と張力を変更した例であり、幅５００ｍｍ、厚さ２５μｍのポリイミドフイルムを使用した。また、張力検出ロール２３で検出される張力が７Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が７Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。この比較例５では、銅薄膜を成膜後にポリイミドフィルムに皺が確認されたので評価を中止した。
【００８２】
比較例６．図１に示す真空成膜装置１０からガイドロール２６，２７を撤去し、ガイドロール２８の取り付け位置を変更し、ガイドロール２５と２８の間にポリイミドフィルムを張り、ガイドロール２５，２８間の距離を９５ｃｍとなるように設定したことと、スパッタリングカソード４５で銅膜を１００ｎｍ成膜するように投入電力を調整したこと以外は実験例２と同様に成膜した。銅薄膜の成膜後にシワが確認されたので評価を中止した。
【００８３】
密着の評価は、上記（１）に記載したように、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）の銅はくの引きはがし強さに準拠し、常温で９０°方向の引きはがし試験とし、クロスヘッド速度を５０ｍｍ／分にした。密着評価の試料は、ポリイミドフィルム上に成膜したＮｉ−Ｃｒ膜及び銅を化学エッチングして２本の平行な銅のライン（配線パターンに相当する）を形成した。銅のラインは長さ２３０ｍｍ幅４ｍｍとし、ライン間のスペースを３ｍｍとした。
【００８４】
寸法精度の評価は、上記（２）に記載したように、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）の寸法安定性の評価に準拠し、化学エッチング前と化学エッチングして乾燥後の寸法変化率を測定して比較した。試料としては、上記した実験例１〜９と比較例２で得られた積層基板を用い、この積層基板の４隅それぞれに、図４に示す評点を配置した。図５に、評点が配置された試料の平面図を示す。４つの評点の中心間距離は縦方向に２５０ｍｍ、横方向に２００ｍｍである。図４と図５に示したものは、上記ＪＩＳの１５頁に記載された図１０を参照としたものである。上記の試料を化学エッチングして、８０℃で３０分間乾燥した後に１５０℃の恒温槽に３０分間放置した。エッチング前と恒温槽に放置した後の評点の中心間距離を測定し、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）に従って寸法変化率を次式から算出した。
ΔＬｍ＝（（Ａ２−Ａ１）／Ａ１＋（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１）×１／２×１００
ΔＬｔ＝（（Ｃ２−Ｃ１）／Ｃ１＋（Ｂ２−Ｂ１）／Ｂ１）×１／２×１００
Ａ１ ａ点とｂ点のエッチング前の距離
Ａ２ ａ点とｂ点のエッチング後の距離
Ｂ１ ｂ点とｄ点のエッチング前の距離
Ｂ２ ｂ点とｄ点のエッチング後の距離
Ｃ１ ｃ点とａ点のエッチング前の距離
Ｃ２ ｃ点とａ点のエッチング後の距離
Ｄ１ ｄ点とｃ点のエッチング前の距離
Ｄ２ ｄ点とｃ点のエッチング後の距離
【００８５】
化学エッチングについては、銅膜上にレジスト花見化学社製のアノテックインクレジストをスクリーン印刷し、４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液４３℃の化学成分のエッチング液を圧力０．２Ｐａのシャワーでエッチングし、２５℃の水でシャワー洗浄して行った。上記した実験結果を表１に示す。比較例１，３〜６については、評価していない。
【表１】
【００８６】
表１に示すように、実験例１では他の例よりも搬送速度を速くした。搬送速度を速くして、さらにＮｉ−Ｃｒ，Ｃｕのカソードへの投入電力を上昇させて各膜の膜厚を同じにした。投入電力を高くすることにより、成膜速度は上昇するので、その分、搬送速度を速くして、膜厚を調整した。実施例１ではスパッタ粒子密度が高いので、密着性が高くなった。また、搬送性については、実験例１，２では皺は発生しなかったが、上述したように比較例１、３〜６では皺が発生した。
【００８７】
密着性については、実験例１〜９と比較例２では問題無く、良好であった。
【００８８】
寸法精度についは、実験例１〜９では、上式で表すΔＬｍ、ΔＬｔ共に０．０１以下であったが、比較例２では、上式で表すΔＬｍが−０．０５であり、ΔＬｔが０．０４であった。寸法精度は、化学エッチングによって配線パターンが形成されたときに解放される張力の指標となるものであり、ΔＬｍとΔＬｔの値は小さいほど良く、限りなく０近づけることが望まれている。実施例では０．０１、比較例では０．０４であり、この差は大きくないように思われるおそれがある。しかし、本発明の技術分野では、０．０１と０．０４の差は大きなものである。上記のサブトラクティブ工程において、ΔＬｍが−０．０５でありΔＬｔが０．０４程度の積層基板（樹脂フィルムの表面にニッケル薄膜層や銅薄膜層が積層されたもの）を使用した場合、張力解放に起因する積層基板の寸法変化を見込んで、フォトリソグラフ工程のマスクを設計し直すことにより対応している。配線パターンは、直線だけではなく斜め線などもあり、これらが配線板の中心からどれだけずれる範囲にあるかということを見込んでマスクの設計を行う必要が生じる。マスクの設計は、配線板の設計工数の増加に影響し、さらなるファインパターン化（配線パターンのさらなる精細化）など今後の要求を考えた場合、上記のΔＬｍ、ΔＬｔが共に０．０１以下であれば、マスク設計上も余裕が生じ、配線板の設計の工数の削減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の真空成膜装置の一例を模式的に示す側面図である。
【図２】抱き角を説明するための説明図である。
【図３】四角形状の真空チャンバーを示す側面図である。
【図４】寸法評価のための評点を示す図である。
【図５】図４の評点が配置された試料を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１０ 真空成膜装置
１４ 巻出ロール
１６ 巻取ロール
２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８ ガイドロール
３０ キャンロール
３１ ニップロール
４１，４２，４２，４４，４５ スパッタリングカソード
Ｆ 樹脂フィルム
Ｆｈ 非接触部分
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された（形成された）積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法並びに樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法及び真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板、ＣＯＦ、ＴＡＢテープ等が電気・電子分野で広く用いられている。フレキシブルプリント基板は例えば、ポリイミド等の樹脂フィルムの表面に金属薄膜が成膜された金属膜付樹脂基板を製造し、サブトラクティブ法（化学エッチングなどで配線パターンを形成する方法）によってこの金属膜付樹脂基板に配線パターンを形成することにより作製される。近年、電子部品をより高密度に実装するために、フレキシブルプリント基板等の寸法の精細化を図ると共にその寸法変化を少なくすることや、配線パターンになる金属薄膜と樹脂フィルムの密着性を高めることなどが求められている。
【０００３】
フレキシブルプリント基板に加工される前の金属膜付樹脂基板は、上記のように樹脂フィルムの表面に一様に金属膜が成膜されたものであり、例えばロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて（金属薄膜が成膜された）積層基板を製造し、その後、金属薄膜上に金属膜を電気めっきして製造される。このロール・ツー・ロール真空成膜装置では、成膜中に長尺樹脂フィルムが熱に起因して変質または破損する事を避けるために長尺樹脂フィルムを冷やしながら真空成膜をする。長尺樹脂フィルムを冷やす技術としては、その内部で冷媒が循環するキャンロールの表面に樹脂フィルムを接触させながら搬送し、キャンロールに対向して配置されたスパッタリングカソードによって樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する技術が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、積層基板を製造する技術としては、直線状に配置された複数のロール上で長尺の樹脂フィルムを直線状に搬送させながら成膜する技術が挙げられる（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
上記したキャンロールに樹脂フィルムを接触させて冷やす技術では、樹脂フィルムの一部がキャンロールの表面から浮いている（離れている）場合、その浮いている部分が十分に冷されずに加熱される。この加熱の結果、樹脂フィルムが部分的に変形し易くなり、場合によっては樹脂フィルムが破損することもある。そこで、樹脂フィルムをキャンロールに一様に密着して搬送するために、５０Ｎ（ニュートン）以上の強い張力を樹脂フィルムに作用させてキャンロールの表面に樹脂フィルムを密着させながら搬送させている。
【特許文献１】特開昭６３−３１０９６０号公報
【特許文献２】特開２００６−３３６０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように５０Ｎ以上の強い張力が作用している樹脂フィルムの表面に成膜した場合、成膜された薄膜の厚さが比較的厚い（例えば５０ｎｍ以上）ときは、成膜された薄膜が樹脂フィルムの動きを抑える（張力の作用した状態の樹脂フィルムが薄膜によって固定される）ので、樹脂フィルムに作用している張力は成膜後も残留したままとなる。このように成膜後にも張力が残留している樹脂フィルムに例えばサブトラクティブ法によって配線パターンを形成した場合、薄膜のうち配線にならない部分（薄膜が除去された部分）では薄膜が除去されて樹脂フィルムが露出して張力が解放される一方、薄膜のうち配線になる部分（薄膜が残っている部分）では薄膜が樹脂フィルムの動きを抑えるので張力が残留したままとなり易い。このように樹脂フィルムに作用している張力が部分的に解放されたり解放されなかったりした場合、樹脂フィルムが部分的に伸縮するので、配線パターンを微視的に観察したときは、配線パターンが変形したりずれたりすることがある。このような変形やずれは、配線パターンが精細になるほど悪影響を与え、フレキシブルプリント基板としての機能を損なうおそれがある。
【０００７】
また、上記した二番目の技術（直線状に配置された複数のロール上で長尺の樹脂フィルムを直線状に搬送させながら成膜する技術）では、直線状に配置された複数のロールと樹脂フィルムの裏面とは線接触程度の接触しかないので、樹脂フィルムを波打たせないためには、樹脂フィルムに非常に強い張力を作用する必要がある。このため、上記と同じ問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法、このような積層基板を製造する際の真空成膜方法及び真空成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の積層基板製造方法は、樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法において、
（１）湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することにより積層基板を製造することを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、
（２）前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜してもよい。
【００１１】
さらに、
（３）前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１２】
さらにまた、
（４）前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１３】
さらにまた、
（５）樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、
（６）これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、
（７）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜してもよい。
【００１４】
上記目的を達成するための本発明の真空成膜方法は、樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法において、
（８）湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とするものである。
【００１５】
ここで、
（９）前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜してもよい。
【００１６】
さらに、
（１０）一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚を成膜してもよい。
【００１７】
さらにまた、
（１１）前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にしてもよい。
【００１８】
さらにまた、
（１２）樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、
（１３）これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、
（１４）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜してもよい。
【００１９】
上記目的を達成するための本発明の真空成膜装置は、樹脂フィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該樹脂フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜し、この薄膜が成膜された樹脂フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
（１５）前記巻出ロールから前記巻取ロールまでの間で形成された非直線状の搬送路を前記樹脂フィルムが搬送されるように樹脂フィルムを案内する複数のガイドロールと、
（１６）前記複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムに薄膜を成膜するスパッタリングカソードとを備えたことを特徴とするものである。
【００２０】
ここで、
（１７）前記複数のガイドロールは、前記樹脂フィルムの裏面に接触しながら該樹脂フィルムを案内するものであり、
（１８）前記スパッタリングカソードは、前記樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜するものであってもよい。
【００２１】
さらに、
（１９）前記搬送路は、円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかに形成されたものであってもよい。
【００２２】
さらにまた、
（２０）前記複数のガイドロールは、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れて配置されたものであってもよい。
【００２３】
さらにまた、
（２１）前記複数のガイドロールのうちいずれかのガイドロールの隣に配置された、その内部に冷媒が導入されたキャンロールを備えてもよい。
【００２４】
さらにまた、
（２２）前記樹脂フィルムのうち前記キャンロールに接触した部分の表面に対向する位置に配置された、該表面に薄膜を成膜する第２のスパッタリングカソードを備えてもよい。
【００２５】
さらにまた、
（２３）前記キャンロールとの間で前記樹脂フィルムを挟むことにより、該樹脂フィルムに作用する張力を変えるニップロールを備えてもよい。
【００２６】
さらにまた、
（２４）前記複数のガイドロールのうち前記巻出ロール又は前記巻取ロールに隣り合わないガイドロールのいずれかは、搬送中の樹脂フィルムに作用している張力を検出する張力検出ロールであってもよい。
【００２７】
また、上記目的を達成するための他の真空成膜装置は、ポリエチレンナフタレートフィルム又はポリイミドフィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の該フィルムの表面に膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍのニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜し、続けて、この合金薄膜層の表面に膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍの銅薄膜層を成膜し、これらの積層が成膜された前記フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
（２５）前記フィルムの幅が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内であって、このフィルムの搬送路が円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかになるように、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離して配置された複数のガイドロールと、
（２６）これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する前記フィルムに、ニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜する第１スパッタリングカソードと、
（２７）前記複数のガイドロールのうち、前記隣のガイドロールよりも搬送方向上流側に位置する他の一のガイドロールとこの他の一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する、前記ニッケル又はニッケル合金薄膜層が成膜された前記フィルムに銅薄膜層を成膜する第２スパッタリングカソードと、
（２８）前記フィルムのうち前記第２スパッタリングカソードに対向する部分に、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する張力付与機構とを備えたことを特徴とするものである。
【００２８】
ここでいう「非直線状の搬送路」とは、巻出ロールから巻取ロールまでの間で非直線状になった部分があるということをいい、樹脂フィルムのうち成膜される非接触部分は、後述する図で説明するように直線状になっている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、非接触部分の前後で樹脂フィルムを湾曲させることにより弱い（低い）張力をこの非接触部分に作用させることができ、また、この非接触部分は他のものに接触していないので、部分的に加熱されたり冷却されたりすることが無くて一様な温度を保っている。従って、このような非接触部分の表面に、成膜中に樹脂フィルムが所定温度以上にならないように薄膜を成膜し、その後、配線パターンを形成したときに、樹脂フィルムに作用している弱い張力が部分的に解放されても、この解放された弱い張力に起因して、配線パターンが変形したりずれたりすることがない。従って、配線パターンの更なる精細化に寄与できることとなる。また、成膜中に非接触部分に作用している張力は弱いので、樹脂フィルムのうち配線が形成されている部分（張力が解放されていない部分）には、配線が形成されていない部分（張力が解放された部分）からの影響が少なく、樹脂フィルムと薄膜との良好な密着性も保たれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明は、樹脂フィルムにニッケル（又はニッケル合金）の薄膜を成膜し、その上に銅の薄膜を積層させる真空成膜装置に実現された。
【実施例１】
【００３１】
図１と図２を参照して、本発明の真空成膜装置の一例を説明する。図１は、本発明の真空成膜装置の一例を模式的に示す側面図である。図２は、抱き角を説明するための説明図である。ここでは、図１の真空成膜装置を用いて、長尺樹脂フィルムに金属薄膜を成膜する真空成膜方法の一例を説明する。この真空成膜方法によって、本発明にいう積層基板が製造される。長尺樹脂フィルムとしてポリイミドフィルムを用い、ポリイミドフィルムの表面にニッケル（又はニッケル合金）薄膜をスパッタリング成膜して、このニッケル（又はニッケル合金）薄膜の上に銅薄膜をスパッタリング成膜する。ニッケル（又はニッケル合金）薄膜層はシード層（下地層）と呼ばれ、膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍである。銅薄膜層の膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍである。これらの薄膜の厚さは適宜に選択される。なお、長尺樹脂フィルムとしては、ポリイミドフィルムに限定されず、ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）などが適宜に選択される。また、薄膜としてはニッケル（又はニッケル合金）薄膜や銅薄膜などの金属薄膜に限定されず、酸化物薄などを適宜に選択できる。
【００３２】
真空成膜装置１０は、円筒状の真空チャンバー１２と、この内部を例えば１０−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲内の圧力（本発明にいう真空の一例である）に減圧する真空ポンプとを備えている。この真空ポンプの水分を吸着することにより系全体の排気速度を高めるためにクライオコイル等を備えても良い。真空チャンバー１２の内部には、後述する巻出ロール１４、巻取ロール１６、ガイドロール２１〜２８など種々の部材・部品が配置されている。円筒状の真空チャンバー１２は、図１の紙面に直交する方向に延びたものであり、各種ロールも同様にこの紙面に直交する方向に延びている。なお、真空チャンバー１２は、その内部を所定の圧力（例えば１０−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲内の圧力）に減圧できるものであれば、どの様な形状でもよい。また、真空チャンバー１２は、後述する巻出ロール１４や巻取ロール１６が上になり、スパッタリングカソード４３が下になるように配置される。
【００３３】
真空チャンバー１２には、樹脂フィルムＦがロール状にまかれた巻出ロール１４が配置されている。巻出ロール１４は駆動ロールであり、この巻出ロール１４から樹脂フィルムＦが送り出され、送り出された樹脂フィルムＦは円筒状の真空チャンバー１２の内周壁に沿って湾曲しながら矢印Ｈ方向に搬送され、この搬送中に樹脂フィルムＦの表面に薄膜が成膜され、成膜された樹脂フィルムＦは巻取ロール１６に巻き取られる。この巻取ロール１６も駆動ロールである。巻出ロール１４及び巻取ロール１６は正逆回転し、回転方向を変えることにより、巻取ロール１６を巻出ロール１４として機能させ、巻出ロール１４を巻取ロール１６として機能させることもできる。
【００３４】
樹脂フィルムＦは、真空チャンバー１２の内周壁に沿った円周状（三次元的に視た場合は円筒の内周状）の搬送路を案内されながら搬送される。この案内のために、搬送路には、ガイドロール２１、２２、２３、２４、キャンロール３０、ニップロール３１、ガイドロール２５、２６、２７、２８がこの順に略円周上に配置されている。従って、巻出ロール１４から送り出された樹脂フィルムＦは、各ロールによって案内されて湾曲しながら非直線状の搬送路を巻取ロール１６まで搬送される。但し、「非直線状の搬送路」とは、巻出ロール１４から巻取ロール１６までの間で非直線状になった部分があるということをいい、樹脂フィルムＦのうち成膜される非接触部分は、図１などに示すように直線状になっている。
【００３５】
ガイドロール２１〜２８及びキャンロール３０の外周面には、樹脂フィルムＦの裏面が接触し、ニップロール３１の外周面には、樹脂フィルムＦの表面が接触する。ここでは、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟む（挟持する）か挟まないかによって、樹脂フィルムＦに作用させる張力を変更することもできる。ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟んだときは、ニップロール３１を境にして樹脂フィルムＦに異なる張力を作用させることができ、ニップロール３１をキャンロール３０から離して樹脂フィルムＦを挟まないときは、巻出ロール１４から巻取ロール１６までの間において樹脂フィルムＦに作用する張力は一定になる。
【００３６】
ガイドロール２１〜２８、及びニップロール３１は従動ロールであり、キャンロール３０は駆動ロールであるが、これら従動ロールと駆動ロールは適宜に変更しても良い。ガイドロール２１〜２８のうち２つのガイドロール２３、２６は、樹脂フィルムＦに作用する張力を検出する張力検出ロールを兼ねており、２つのガイドロール２３、２６の軸受には周知のロードセルが配置されている。なお、ニップロール３１としては、金属製、又は金属ロールの表面をゴム（ＮＢＲ、シリコーン、バイトン等）で覆ったものであり、好ましくは表面がゴムのロールである。
【００３７】
キャンロール３０はその内部に有機溶剤等の冷媒が導入されて循環するものであり、キャンロール３０の外周面に接触している樹脂フィルムＦはこの冷媒によって冷される。キャンロール３０の外径は１００ｃｍ以下であり、この外径が４０ｃｍ以上６０ｃｍ以下の範囲内であることが望ましい。後述する実験例では、キャンロール３０の直径を４０ｃｍとした。キャンロール３０で循環している冷媒の温度は、−５℃〜−１００℃が望ましい。また、キャンロール３０及びガイドロール２１〜２８の表面に硬質クロムめっきを施しておいてもよい。ガイドロール２１〜２８をキャンロール３０のように構成して、冷媒を循環させるタイプのロールにしてもよい。
【００３８】
ニップロール３１は、キャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟む（挟持する）か挟まないかによって、樹脂フィルムＦに作用する張力をニップロール３１の前後で変えるためのロールである。ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟むことにより、樹脂フィルムＦをキャンロール３０の表面に押え付けて、この押え付けた部分の前後で樹脂フィルムＦに作用する張力を変える。ニップロール３１をキャンロール３０から離して両ロールの間で樹脂フィルムＦを挟まないとき（ニップロール３１をガイドロール２５から遠ざけたとき）は、図２（ａ）に示すように、キャンロール３０の表面を離れた樹脂フィルムＦはニップロール３１によって湾曲させられることなく、ガイドロール２５によって弛み無く張られる。この逆に、ニップロール３１とガイドロール２５とで樹脂フィルムＦを挟んだとき（ニップロール３１をガイドロール２４に近づけたとき）は、図２（ｂ）に示すように、キャンロール３０の表面を離れた樹脂フィルムＦはニップロール３１によって湾曲させられ、ガイドロール２５によって弛み無く張られる。この結果、図２に示すように、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟まないときの抱き角θ１は、ニップロール３１とキャンロール３０とで樹脂フィルムＦを挟んだときの抱き角θ２よりもやや小さくなる。ここでいう抱き角とは、図２に示すように、樹脂フィルムＦがキャンロール３０の外周面に接触し始めた位置からキャンロール３０の回転中心ｃまでを結ぶ直線と、樹脂フィルムＦがキャンロール３０の外周面から離れ始める位置からキャンロール３０の回転中心ｃまでを結ぶ直線とが成す角度をいう。なお、キャンロール３０は適宜に設けられるものであり、図１ではキャンロール３０を配置した真空成膜装置１０の例を示すが、キャンロール３０は無くてもよい。
【００３９】
ガイドロール２２とガイドロール２３は、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離とは、ガイドロール２２の回転中心からガイドロール２３の回転中心までの距離ではなくて、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面から離れ始める位置から、樹脂フィルムＦがガイドロール２３の外周面に接触し始める位置までの距離をいう。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２２とガイドロール２３の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４１が配置されている。スパッタリングカソード４１を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４０】
ガイドロール２３とガイドロール２４も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２３とガイドロール２４の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４２が配置されている。スパッタリングカソード４２を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４１】
ガイドロール２４とガイドロール２５の間にはキャンロール３０が配置されている。樹脂フィルムＦは、その裏面をキャンロール３０の外周面に接触させながら搬送される。この接触する部分に対向する位置には、ニッケル（又はニッケル合金）スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４３が配置されている。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、上記の接触部分の表面にはニッケル（又はニッケル合金）薄膜が成膜される。
【００４２】
ガイドロール２５とガイドロール２６も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２５とガイドロール２６の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４４が配置されている。スパッタリングカソード４４を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４３】
ガイドロール２６とガイドロール２７も、後述する理由から、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れている。ここでいう距離は、上記の距離と同様である。樹脂フィルムＦのうちガイドロール２６とガイドロール２７の間にある部分は、他のものに接触していない非接触部分Ｆｈであり、この非接触部分Ｆｈの表面に対向する位置には、銅スパッタリングターゲットを有するスパッタリングカソード４５が配置されている。スパッタリングカソード４５を稼動させることにより、上記の非接触部分Ｆｈの表面には銅薄膜が成膜される。
【００４４】
ここで、ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７について、隣り合うガイドロール同士の距離や位置関係などを説明する。
【００４５】
矢印Ｈ方向に搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する（付与される）張力は１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御されている。この理由は、１０Ｎ未満の張力では樹脂フィルムＦに弛みが発生する一方、２５Ｎを超える張力では、樹脂フィルムＦの表面に成膜された膜（例えば銅層）を化学エッチングなどでパターンを加工した後の寸法安定性が確保できないからである。従って、樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４４，４５によって成膜される部分（非接触部分Ｆｈ）には、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する（作用させる）。なお、樹脂フィルムＦを往復させて（矢印Ｈ方向に搬送させた後にその反対方向に搬送させて）銅薄膜を成膜する場合は、樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４１，４２によって成膜される部分（非接触部分Ｆｈ）にも１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するように制御する。
【００４６】
非接触部分Ｆｈに１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させる場合、ガイドロール２５とガイドロール２６との距離（この距離は上記した定義のとおりであり、以下、ロール間隔ともいう。）を１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内にする。この距離が１０ｃｍ未満の場合は、隣り合うガイドロール間にスパッタリングカソードを配置できない。この距離が９０ｃｍを超える場合、非接触部分Ｆｈに作用する張力を２５Ｎ超にしないときは、樹脂フィルムＦが弛んで樹脂フィルムＦに皺が生じるおそれがある。この距離は３０ｃｍ以上５０ｃｍ以下の範囲内が最も好ましい。
【００４７】
ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置について説明する。
【００４８】
ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置は、水平面に対する非接触部分Ｆｈの仰角を一定範囲内にするように決められる。図１に示すように、樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈは水平面に平行ではない。ガイドロール２２，２３，２４，２５，２６，２７の位置は、非接触部分Ｆｈの仰角が水平面に対して３０°以上の角度になるように決められる。このように非接触部分Ｆｈの仰角を水平面に対して３０°以上の角度にすることにより、上記のロール間隔が１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内で、非接触部分Ｆｈに作用する張力を１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内に確実に収められる。樹脂フィルムＦは重力によって垂れが生じ、この垂れが大きくなれば樹脂フィルムＦの長手方向のシワが生じる。樹脂フィルムＦの仰角を３０°以上にする事により、樹脂フィルムＦのフイルムの垂れを少なくできる。１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用している水平な（仰角ゼロ）非接触部分Ｆｈに成膜すると仮定した場合、樹脂フィルムＦの垂れの影響によってロール間隔は広くても４０ｃｍである。樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈが垂直に垂れるように（仰角９０°になるように）した場合、ロール間隔が９０ｃｍを超えたフィルムに成膜するときは、非接触部分Ｆｈは重力で垂れることが無いので問題が生じないと考えられる。しかし、ロール間隔が９０ｃｍを超えているときは、非接触部分Ｆｈに作用する張力が低いので非接触部分Ｆｈの長手方向にシワが生じるおそれがある。なお、図１に示す真空成膜装置１０を寝かす、即ち、樹脂フィルムＦを立てた状態で搬送したときは、巻取ロール１６では重力による巻きずれが生じるおそれがあるので好ましくない。
【００４９】
樹脂フィルムＦがガイドロール２２（ガイドロール２３，２４，２５，２６，２７についても同じ）の外周面に接触し始めた位置からガイドロール２２の中心までを結ぶ直線と、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面から離れ始める位置からガイドロール２２の中心までを結ぶ直線とが成す角度（抱き角であり、図２参照）は１０°以上９０°以下の範囲内とすることが好ましい。この抱き角が１０°未満の場合、樹脂フィルムＦとガイドロール２２の接触面が狭いのでガイドロール２２が回転せずに樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑って傷が付くおそれがある。一方、抱き角が９０°を超えた場合、樹脂フィルムＦの遊びによって樹脂フィルムＦに皺が生じるおそれがある。即ち、樹脂フィルムＦがガイドロール２２を締めてしまい（ガイドロール２２が回転しにくくなり）、樹脂フィルムＦも完全に平面ではなく厚みも幅方向に厳密に均一ではないので、樹脂フィルムＦの遊びによって搬送ずれが生じて皺の原因になる。
【００５０】
ガイドロール２２（ガイドロール２３，２４，２５，２６，２７についても同じ）の直径について説明する。
【００５１】
ガイドロール２２の直径（外径）は５ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲内にする。この直径が５ｃｍ未満の場合は、樹脂フィルムＦとガイドロール２２の接触面が狭すぎてガイドロール２２が回転せずに、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑ってしまうので、この外周面や樹脂フィルムＦに傷が付くおそれがある。一方、ガイドロール２２の直径が１５ｃｍを超えた場合は、ガイドロール２２の質量が大きくなり（機械的な損失が大きくなり）、樹脂フィルムＦの搬送によってはガイドロール２２は従動回転しにくく、樹脂フィルムＦがガイドロール２２の外周面を滑ってしまうことがあるので、この外周面や樹脂フィルムＦに傷が付くおそれがある。なお、このような問題は、ガイドロール２２が従動ロールの場合に生ずるものであり、ガイドロール２２が駆動ロールの場合は、直径の制限は無い。しかし、これらガイドロール全てを駆動ロールにしてその回転を制御することは費用の上昇や故障の原因となる。
【００５２】
上述したように２つのガイドロールの間（一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間）でスパッタリング成膜を行う場合、２つのガイドロールの間の距離が長すぎるときは、樹脂フィルムＦに弛みが生じ易いので、樹脂フィルムＦに作用させる張力を強める必要がある。しかし、この張力が高くなり過ぎたときは、樹脂フィルムＦが強く引っ張られ続けることとなるので、スパッタリング成膜の熱や表面処理の熱によって樹脂フィルムＦに皺が形成される。樹脂フィルムＦに弛みを生じさせず、且つ、熱に起因する皺も形成させないために、隣り合うガイドロール間の距離は１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離であり、好ましくは３０ｃｍ以上５０ｃｍ以下の範囲内にする。
【００５３】
樹脂フィルムＦに作用させる（付与する）張力について説明する。
【００５４】
図２を参照して説明したように、キャンロール３０とニップロール３１とで樹脂フィルムＦを挟むか挟まないかによって、ニップロール３１の前後において、樹脂フィルムＦに作用する張力を変えることができる。また、巻出ロール１４と巻取ロール１６の軸トルクを制御することにより、樹脂フィルムＦに作用する張力を変えることもできる。樹脂フィルムＦに作用する張力を変えて樹脂フィルムＦを搬送させる場合、シード層が成膜される上記の接触部分に作用する搬送方向（矢印Ｈ方向）の張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるようにする。このシード層を成膜した後に続いて銅薄膜が成膜される非接触部分Ｆｈに作用する搬送方向（矢印Ｈ方向）の張力は１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるようにする。
【００５５】
２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の搬送方向の張力を接触部分に作用させる理由は、この接触部分をキャンロール３０の外周面に一様に接触させて密着させるためである。このため、接触部分にシード層を形成する際に、接触部分が部分的に変形したり破損したりすることがない。なお、本発明者の研究によれば、樹脂フィルムＦの幅（図１の紙面に垂直な方向の長さ）が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内の場合は、その厚みに無関係に上記の張力にしたときに、配線パターンが変形したりずれたりすることがなく、樹脂フィルムＦと銅薄膜との良好な密着性も保たれることが確認された。張力が長尺樹脂フィルムの横断面積に無関係である理由は不明である。長尺樹脂フィルムの幅が８０ｃｍを超える場合は、張力を適宜確認して決定する。
【００５６】
搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力、即ち、スパッタリングカソード４３によってシード層が形成される接触部分に作用する張力は、張力検出ロール（ガイドロール）２３で張力を検出しながら巻出ロール１４の軸トルクを制御することにより最適値に制御される。張力検出ロール２３の張力検出方法は、例えばロールの軸受けにロードセル等を配置すれば良い。本実施例では上記したように、搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるように制御することが望ましい。
【００５７】
搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力、即ち、スパッタリングカソード４４，４５によって銅薄膜層が形成される非接触部分Ｆｈに作用する張力は、張力検出ロール（ガイドロール）２６で張力を検出しながら巻取ロール１６の軸トルクを制御することにより最適値に制御される。張力検出ロール２６の張力検出方法は、例えばロールの軸受けにロードセル等を配置すれば良い。本実施例では上記したように、搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御することが望ましい。上述したように、１０Ｎ未満の張力では長尺な樹脂フィルムＦに弛みが発生する。一方、２５Ｎを超える張力では、長尺な樹脂フィルムＦの表面に成膜された膜（例えば銅層）を化学エッチングなどでパターンを加工した後の寸法安定性が確保できない。
【００５８】
上述した真空成膜装置１０を用いて、樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル（又はニッケル合金）薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する（第２の成膜）。
【００５９】
２つのスパッタリングカソード４４，４５で形成される銅薄膜よりも厚い銅薄膜を形成したい場合は、２つのスパッタリングカソード４４，４５で銅薄膜を形成し、続けて、巻出ロール１４と巻取ロール１６を逆回転させて樹脂フィルムＦを逆方向（矢印Ｈ方向とは反対の方向）に搬送しながら銅薄膜を形成する。この場合、形成する銅薄膜の厚さに応じて４つのスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５を選択的に使用する。樹脂フィルムＦを逆搬送させる場合は、樹脂フィルムＦの全ての部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するようにしておく。なお、さらに厚い銅薄膜層が必要な場合は、樹脂フィルムＦを再び正転搬送しながらスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５を選択的に使用する。この場合も、樹脂フィルムＦの全ての部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力が作用するようにしておく。
【００６０】
樹脂フィルムＦのうちスパッタリングカソード４１，４２，４４，４５に対向する部分は他のものに接触していない非接触部分Ｆｈとなっているので、キャンロール３０などによって冷されない。従って、この非接触部分Ｆｈがスパッタリングの熱で変形することを防止するために、隣接するガイドロール間（例えばガイドロール２５、２６間）のスパッタリングカソードで成膜するときの銅薄膜の厚さは１００ｎｍ以下に制限される。隣接するガイドロール間のスッタリングカソードで膜厚１００ｎｍを超えて成膜した場合は、非接触部分Ｆｈの温度は３００℃を超え、樹脂フィルムＦがポリイミドフィルムであっても皺などが発生する原因となる。生産性を考慮した場合、隣接するガイドロール間のカソードで一回に成膜する際の膜厚は、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内が好ましい。なお、「非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜」とは、「隣接するガイドロール間で非接触部分の表面に薄膜を成膜」という意味である。
【００６１】
非接触部分Ｆｈの前後（搬送方向の上流側と下流側）にはそれぞれ上記のガイドロール２１〜２８のいずれかが配置されており、非接触部分Ｆｈの前後は湾曲している。このように樹脂フィルムＦを湾曲させることにより、弱い（低い）張力を樹脂フィルムの非接触部分Ｆｈに作用させることができ、また、この非接触部分Ｆｈは他のものに接触していないので、部分的に加熱されたり冷却されたりすることが無くて一様な温度を保っている。従って、このような非接触部分Ｆｈの表面に、成膜中に樹脂フィルムＦが所定温度以上にならないように薄膜を成膜して積層基板を製造し、この積層基板に化学エッチング等を施して配線パターンを形成した場合、樹脂フィルムＦに作用している弱い張力が部分的に解放されても、この解放された弱い張力に起因して、配線パターンが変形したりずれたりすることがない。従って、配線パターンの更なる精細化に寄与できることとなる。
【００６２】
上述したように銅薄膜は樹脂フィルムＦの非接触部分Ｆｈの表面に成膜されるが、シード層は、樹脂フィルムＦのうちキャンロール３０の外周面に接触している接触部分に成膜される。従って、シード層が成膜されている接触部分には、この接触部分をキャンロール３０に密着させるように強い張力を作用させている。このように接触部分をキャンロール３０に密着させて冷却させているので、シード層の成膜の際に高い電力をカソードに投入できる。この結果、スパッタ粒子の密度が向上するので、不純物が少ないシード層が成膜で可能となり、密着強度が向上する。しかし、シード層の膜厚は３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であり、この膜厚は銅薄膜の厚さ５０ｎｍから２００ｎｍよりも薄いので、シード層は接触部分の動きを抑える力は弱く、成膜中に接触部分に作用している張力は成膜後には解放される。従って、シード層の成膜に起因して樹脂フィルムＦに張力が残留することはほとんど無い。なお、スパッタリングカソードとしては周知のマグネトロン方式など用いることができる。
【００６３】
真空成膜装置１０で樹脂フィルムＦを往復搬送して成膜する場合（矢印Ｈ方向に搬送しながら成膜し、この成膜後に、矢印Ｈ方向とは反対方向に搬送しながら成膜する場合）は、往路では上述のように、搬送中の樹脂フィルムＦのうち巻出ロール１４からニップロール３１までの部分に作用する張力が２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内になるように制御すると共に、搬送中の樹脂フィルムＦのうちニップロール３１から巻取ロール１６までの部分に作用する張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように制御する。復路では、搬送中の樹脂フィルムＦの全ての部分（巻取ロール１６から巻出ロール１４までの部分）での張力が１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内になるように、ニップロール３１の位置や巻出ロール１４と巻取ロール１６の軸トルクを調整して制御する。なお、上記の例では、スパッタリング法による成膜を例に挙げたが、本発明の真空成膜方法はスパッタリングに限定されず、蒸着など各種成膜方法を用いることができる。
【００６４】
図３を参照して、真空チャンバーの変形例を説明する。図３は、四角形状の真空チャンバーを示す側面図である。図３では、図１に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号が付されている。
【００６５】
上記した真空成膜装置１０では円筒状の真空チャンバー１２を使用したが、円筒状に限定されず、図３に示すように四角柱状（横断面が四角形状）の真空チャンバーを使用してもよい。また、ガイドロールの位置や個数は、適宜に変更してもよい。さらに、真空チャンバーとして、その横断面が台形状や多角形状のものを使用してもよい。
【００６６】
真空成膜装置１０を用いて実験した実験例１、２を、従来の真空成膜装置を用いて実験した比較例１、２と比較して説明する。これらの実験例と比較例では、薄膜の密着性や配線パターンの寸法精度について下記（１）、（２）のように試験した。また、搬送性については、搬送中における皺の発生の有無を調べた。
（１）樹脂フィルムに対する膜の密着の評価は、ＪＩＳ Ｃ６４７１−１９９５ ８．１「引きはがし強さ試験」の「方法Ａ（９０°方向引きはがし）」に準拠した。
（２）配線パターンの寸法精度の評価はＪＩＳ Ｃ６４７１−１９９５ ９．６「寸法安定性試験」に準拠した。
【００６７】
これらの実験では、真空成膜装置１０で成膜をする際、真空チャンバー１２内の圧力が５×１０−６Ｔｏｒｒまで真空排気し、その直後、真空チャンバー１２内にＡｒガスを導入して、２×１０−３Ｔｏｒｒでスパッタリングを行った。また、ガイドロール２２，２３の間、ガイドロール２３，２４の間、ガイドロール２５，２６の間、及びガイドロール２６，２７の間の距離を４０ｃｍとし、各ガイドロールの直径を１０ｃｍとし、ガイドロール２４，２３間の仰角を３０°とし、ガイドロール２５，２６間の仰角を３０°とし、ガイドロール２２，２３及び２６，２７の仰角を９０°とした。さらに、特に断わらない限りのポリイミドフィルムの幅を５００ｍｍとした。
【００６８】
実験例１．真空成膜装置１０の巻出ロール１４に、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、登録商標「カプトン１５０ＥＮ」）をロール状に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを巻出ロール１４から送り出して巻取ロール１６に巻き取られるように走行させた（搬送させた）。ポリイミドフィルムの搬送速度は毎分１ｍとした。張力検出ロール２３で検出される張力が４０Ｎになるように、ニップロール３１をキャンロール３０に押し付けて巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１をキャンロール３０に押し付けて巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。このようにして搬送中ポリイミドフィルムに、スパッタリングカソード４３で膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、続いて、スパッタリングカソード４４、４５それぞれで膜厚５０ｎｍの銅薄膜を成膜して（合計で１００ｎｍ成膜して）、これらの積層の上に電気めっきで銅薄膜８μｍを成膜した。
【００６９】
実験例２．真空成膜装置１０の巻出ロール１４に、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）をロール状に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを巻出ロール１４から送り出して巻取ロール１６に巻き取られるように走行させた（搬送させた）。ポリイミドフィルムの搬送速度は毎分１ｍとした。張力検出ロール２３で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。このようにして搬送中ポリイミドフィルムに、スパッタリングカソード４３で膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、続いて、スパッタリングカソード４４、４５それぞれで膜厚５０ｎｍの銅薄膜を成膜して（合計で１００ｎｍ成膜して）、これらの積層の上に電気めっきで銅薄膜８μｍを成膜した。
【００７０】
実験例３．張力検出ロール２３で検出される張力が１０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が１０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。
【００７１】
実験例４．張力検出ロール２３で検出される張力が２５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が２５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。
【００７２】
実験例５． 樹脂フイルムＦとして、幅２００ｍｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７３】
実験例６．樹脂フイルムＦとして、幅５００ｍｍ、厚さ２５μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７４】
実験例７．樹脂フイルムＦとして、幅５００ｍｍ、厚さ５０μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７５】
実験例８．樹脂フイルムＦとして、幅７００ｍｍ、厚さ３８μｍのポリイミドフイルムを使用した。他は実験例２と同様にした。
【００７６】
実験例９．図１に示す真空成膜装置１０からガイドロール２６，２７を撤去し、ガイドロール２５と２８の間にポリイミドフイルムを張り、ガイドロール２５、２８間の距離を８０ｃｍとなるようにし、スパッタリングカソード４５で銅膜を１００ｎｍ成膜するように投入電力を調整した。他は実施例２と同様に成膜した。
【００７７】
比較例１．上記した特許文献１（特開昭６３−３１０９６０号公報）の第１図に示す真空成膜装置を用いて実験を行った。但し、この第１図におけるボックス２７には本実施例のスパッタリングカソード４３と同じものを配置し、蒸発源３０に代えて本実施例のスパッタリングカソード４４と同じものを配置した。このように構成した真空成膜装置を用いて、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）を供給ロール１１（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻出ロール１４に相当する）に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを供給ロール１１から送り出し、巻取りロール２０（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻取ロール１６に相当する））に巻き取られるように走行させた。搬送中のポリイミドフィルムに作用する張力を検出したところ１５Ｎであった。スパッタリングカソード４３と同じスパッタリングカソードで膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、スパッタリングカソード４４と同じスパッタリングカソードで膜厚１００ｎｍの銅薄膜を成膜したが、ポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００７８】
比較例２．比較例１と同じ真空成膜装置を用いて、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（同上）を供給ロール１１（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻出ロール１４に相当する）に巻き付けておき、このポリイミドフィルムを供給ロール１１から送り出し、巻取りロール２０（特許文献１の第１図に付けられた符号であり、本実施例の巻取ロール１６に相当する））に巻き取られるように走行させた。搬送中のポリイミドフィルムに作用する張力を検出したところ６０Ｎであった。スパッタリングカソード４３と同じスパッタリングカソードで膜厚１０ｎｍのＮｉ−７Ｃｒを成膜し、スパッタリングカソード４４と同じスパッタリングカソードで膜厚１００ｎｍの銅薄膜を成膜し、この銅薄膜の表面に電気めっきで銅８μｍを成膜した。
【００７９】
比較例３．比較例３以降は、図１に示す真空成膜装置１０を使用したが、張力などを変更して実験した。比較例３は張力を変更した例であり、比較例３では、張力検出ロール２３で検出される張力が５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が５Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。この比較例３では、銅薄膜を成膜中にポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００８０】
比較例４．比較例４も張力を変更した例であり、張力検出ロール２３で検出される張力が３０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が３０Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。他は実験例２と同様にした。この比較例４では、銅薄膜を成膜中にポリイミドフィルムに皺が発生したので実験を中止した。
【００８１】
比較例５．比較例５では、ポリイミドフィルムの寸法と張力を変更した例であり、幅５００ｍｍ、厚さ２５μｍのポリイミドフイルムを使用した。また、張力検出ロール２３で検出される張力が７Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻出ロール１４の軸トルクとを制御すると共に、張力検出ロール２６で検出される張力が７Ｎになるように、ニップロール３１の位置と巻取ロール１６の軸トルクとを制御した。この比較例５では、銅薄膜を成膜後にポリイミドフィルムに皺が確認されたので評価を中止した。
【００８２】
比較例６．図１に示す真空成膜装置１０からガイドロール２６，２７を撤去し、ガイドロール２８の取り付け位置を変更し、ガイドロール２５と２８の間にポリイミドフィルムを張り、ガイドロール２５，２８間の距離を９５ｃｍとなるように設定したことと、スパッタリングカソード４５で銅膜を１００ｎｍ成膜するように投入電力を調整したこと以外は実験例２と同様に成膜した。銅薄膜の成膜後にシワが確認されたので評価を中止した。
【００８３】
密着の評価は、上記（１）に記載したように、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）の銅はくの引きはがし強さに準拠し、常温で９０°方向の引きはがし試験とし、クロスヘッド速度を５０ｍｍ／分にした。密着評価の試料は、ポリイミドフィルム上に成膜したＮｉ−Ｃｒ膜及び銅を化学エッチングして２本の平行な銅のライン（配線パターンに相当する）を形成した。銅のラインは長さ２３０ｍｍ幅４ｍｍとし、ライン間のスペースを３ｍｍとした。
【００８４】
寸法精度の評価は、上記（２）に記載したように、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）の寸法安定性の評価に準拠し、化学エッチング前と化学エッチングして乾燥後の寸法変化率を測定して比較した。試料としては、上記した実験例１〜９と比較例２で得られた積層基板を用い、この積層基板の４隅それぞれに、図４に示す評点を配置した。図５に、評点が配置された試料の平面図を示す。４つの評点の中心間距離は縦方向に２５０ｍｍ、横方向に２００ｍｍである。図４と図５に示したものは、上記ＪＩＳの１５頁に記載された図１０を参照としたものである。上記の試料を化学エッチングして、８０℃で３０分間乾燥した後に１５０℃の恒温槽に３０分間放置した。エッチング前と恒温槽に放置した後の評点の中心間距離を測定し、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５年版）に従って寸法変化率を次式から算出した。
ΔＬｍ＝（（Ａ２−Ａ１）／Ａ１＋（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１）×１／２×１００
ΔＬｔ＝（（Ｃ２−Ｃ１）／Ｃ１＋（Ｂ２−Ｂ１）／Ｂ１）×１／２×１００
Ａ１ ａ点とｂ点のエッチング前の距離
Ａ２ ａ点とｂ点のエッチング後の距離
Ｂ１ ｂ点とｄ点のエッチング前の距離
Ｂ２ ｂ点とｄ点のエッチング後の距離
Ｃ１ ｃ点とａ点のエッチング前の距離
Ｃ２ ｃ点とａ点のエッチング後の距離
Ｄ１ ｄ点とｃ点のエッチング前の距離
Ｄ２ ｄ点とｃ点のエッチング後の距離
【００８５】
化学エッチングについては、銅膜上にレジスト花見化学社製のアノテックインクレジストをスクリーン印刷し、４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液４３℃の化学成分のエッチング液を圧力０．２Ｐａのシャワーでエッチングし、２５℃の水でシャワー洗浄して行った。上記した実験結果を表１に示す。比較例１，３〜６については、評価していない。
【表１】
【００８６】
表１に示すように、実験例１では他の例よりも搬送速度を速くした。搬送速度を速くして、さらにＮｉ−Ｃｒ，Ｃｕのカソードへの投入電力を上昇させて各膜の膜厚を同じにした。投入電力を高くすることにより、成膜速度は上昇するので、その分、搬送速度を速くして、膜厚を調整した。実施例１ではスパッタ粒子密度が高いので、密着性が高くなった。また、搬送性については、実験例１，２では皺は発生しなかったが、上述したように比較例１、３〜６では皺が発生した。
【００８７】
密着性については、実験例１〜９と比較例２では問題無く、良好であった。
【００８８】
寸法精度についは、実験例１〜９では、上式で表すΔＬｍ、ΔＬｔ共に０．０１以下であったが、比較例２では、上式で表すΔＬｍが−０．０５であり、ΔＬｔが０．０４であった。寸法精度は、化学エッチングによって配線パターンが形成されたときに解放される張力の指標となるものであり、ΔＬｍとΔＬｔの値は小さいほど良く、限りなく０近づけることが望まれている。実施例では０．０１、比較例では０．０４であり、この差は大きくないように思われるおそれがある。しかし、本発明の技術分野では、０．０１と０．０４の差は大きなものである。上記のサブトラクティブ工程において、ΔＬｍが−０．０５でありΔＬｔが０．０４程度の積層基板（樹脂フィルムの表面にニッケル薄膜層や銅薄膜層が積層されたもの）を使用した場合、張力解放に起因する積層基板の寸法変化を見込んで、フォトリソグラフ工程のマスクを設計し直すことにより対応している。配線パターンは、直線だけではなく斜め線などもあり、これらが配線板の中心からどれだけずれる範囲にあるかということを見込んでマスクの設計を行う必要が生じる。マスクの設計は、配線板の設計工数の増加に影響し、さらなるファインパターン化（配線パターンのさらなる精細化）など今後の要求を考えた場合、上記のΔＬｍ、ΔＬｔが共に０．０１以下であれば、マスク設計上も余裕が生じ、配線板の設計の工数の削減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の真空成膜装置の一例を模式的に示す側面図である。
【図２】抱き角を説明するための説明図である。
【図３】四角形状の真空チャンバーを示す側面図である。
【図４】寸法評価のための評点を示す図である。
【図５】図４の評点が配置された試料を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１０ 真空成膜装置
１４ 巻出ロール
１６ 巻取ロール
２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８ ガイドロール
３０ キャンロール
３１ ニップロール
４１，４２，４２，４４，４５ スパッタリングカソード
Ｆ 樹脂フィルム
Ｆｈ 非接触部分
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法において、
湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することにより積層基板を製造することを特徴とする積層基板製造方法。
【請求項２】
前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜することを特徴とする請求項１に記載の積層基板製造方法。
【請求項３】
前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板製造方法。
【請求項４】
前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板製造方法。
【請求項５】
樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項１から４までのうちのいずれか一項に記載の積層基板製造方法。
【請求項６】
樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法において、
湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする真空成膜方法。
【請求項７】
前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜することを特徴とする請求項６に記載の真空成膜方法。
【請求項８】
一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚を成膜することを特徴とする請求項６又は７に記載の真空成膜方法。
【請求項９】
前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項６又は７に記載の真空成膜方法。
【請求項１０】
樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項６から９までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜方法。
【請求項１１】
樹脂フィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該樹脂フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜し、この薄膜が成膜された樹脂フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
前記巻出ロールから前記巻取ロールまでの間で形成された非直線状の搬送路を前記樹脂フィルムが搬送されるように該樹脂フィルムを案内する複数のガイドロールと、
前記複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムに薄膜を成膜するスパッタリングカソードとを備えたことを特徴とする真空成膜装置。
【請求項１２】
前記複数のガイドロールは、前記樹脂フィルムの裏面に接触しながら該樹脂フィルムを案内するものであり、
前記スパッタリングカソードは、前記樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜するものであることを特徴とする請求項１１に記載の真空成膜装置。
【請求項１３】
前記搬送路は、円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかに形成されたものであることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の真空成膜装置。
【請求項１４】
前記複数のガイドロールは、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れて配置されたものであることを特徴とする請求項１１、１２、又は１３に記載の真空成膜装置。
【請求項１５】
前記複数のガイドロールのうちいずれかのガイドロールの隣に配置された、その内部に冷媒が導入されたキャンロールを備えたことを特徴とする請求項１１から１４までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜装置。
【請求項１６】
前記樹脂フィルムのうち前記キャンロールに接触した部分の表面に対向する位置に配置された、該表面に薄膜を成膜する第２のスパッタリングカソードを備えたことを特徴とする請求項１５に記載の真空成膜装置。
【請求項１７】
前記キャンロールとの間で前記樹脂フィルムを挟むことにより、該樹脂フィルムに作用する張力を変えるニップロールを備えたことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の真空成膜装置。
【請求項１８】
前記複数のガイドロールのうち前記巻出ロール又は前記巻取ロールに隣り合わないガイドロールのいずれかは、搬送中の樹脂フィルムに作用している張力を検出する張力検出ロールであることを特徴とする請求項１１から１７までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜装置。
【請求項１９】
ポリエチレンナフタレートフィルム又はポリイミドフィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の該フィルムの表面に膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍのニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜し、続けて、この合金薄膜層の表面に膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍの銅薄膜層を成膜し、これらの積層が成膜された前記フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
前記フィルムの幅が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内であって、このフィルムの搬送路が円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかになるように、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離して配置された複数のガイドロールと、
これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する前記フィルムに、ニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜する第１スパッタリングカソードと、
前記複数のガイドロールのうち、前記隣のガイドロールよりも搬送方向上流側に位置する他の一のガイドロールとこの他の一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する、前記ニッケル又はニッケル合金薄膜層が成膜された前記フィルムに銅薄膜層を成膜する第２スパッタリングカソードと、
前記フィルムのうち前記第２スパッタリングカソードに対向する部分に、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する張力付与機構とを備えたことを特徴とする真空成膜装置。
【請求項１】
樹脂フィルムの表面に薄膜が成膜された積層基板を真空中で製造する積層基板製造方法において、
湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することにより積層基板を製造することを特徴とする積層基板製造方法。
【請求項２】
前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜することを特徴とする請求項１に記載の積層基板製造方法。
【請求項３】
前記非接触部分の表面に薄膜を成膜するに際し、一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板製造方法。
【請求項４】
前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板製造方法。
【請求項５】
樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項１から４までのうちのいずれか一項に記載の積層基板製造方法。
【請求項６】
樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜する真空成膜方法において、
湾曲しながら搬送されている樹脂フィルムのうち他のものに接触していない非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする真空成膜方法。
【請求項７】
前記非接触部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与しながら薄膜を成膜することを特徴とする請求項６に記載の真空成膜方法。
【請求項８】
一回の成膜では１００ｎｍ以下の膜厚を成膜することを特徴とする請求項６又は７に記載の真空成膜方法。
【請求項９】
前記非接触部分の表面にスパッタリングカソードで銅薄膜を成膜するときは１００ｎｍ以下の膜厚にすることを特徴とする請求項６又は７に記載の真空成膜方法。
【請求項１０】
樹脂フィルムが湾曲しながら搬送されるように複数のガイドロールを互いに離して配置しておき、これら複数のガイドロールに前記樹脂フィルムの裏面を接触させて該樹脂フィルムを湾曲させながら搬送し、これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムの前記非接触部分の表面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項６から９までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜方法。
【請求項１１】
樹脂フィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該樹脂フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜し、この薄膜が成膜された樹脂フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
前記巻出ロールから前記巻取ロールまでの間で形成された非直線状の搬送路を前記樹脂フィルムが搬送されるように該樹脂フィルムを案内する複数のガイドロールと、
前記複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する樹脂フィルムに薄膜を成膜するスパッタリングカソードとを備えたことを特徴とする真空成膜装置。
【請求項１２】
前記複数のガイドロールは、前記樹脂フィルムの裏面に接触しながら該樹脂フィルムを案内するものであり、
前記スパッタリングカソードは、前記樹脂フィルムの表面に薄膜を成膜するものであることを特徴とする請求項１１に記載の真空成膜装置。
【請求項１３】
前記搬送路は、円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかに形成されたものであることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の真空成膜装置。
【請求項１４】
前記複数のガイドロールは、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離れて配置されたものであることを特徴とする請求項１１、１２、又は１３に記載の真空成膜装置。
【請求項１５】
前記複数のガイドロールのうちいずれかのガイドロールの隣に配置された、その内部に冷媒が導入されたキャンロールを備えたことを特徴とする請求項１１から１４までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜装置。
【請求項１６】
前記樹脂フィルムのうち前記キャンロールに接触した部分の表面に対向する位置に配置された、該表面に薄膜を成膜する第２のスパッタリングカソードを備えたことを特徴とする請求項１５に記載の真空成膜装置。
【請求項１７】
前記キャンロールとの間で前記樹脂フィルムを挟むことにより、該樹脂フィルムに作用する張力を変えるニップロールを備えたことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の真空成膜装置。
【請求項１８】
前記複数のガイドロールのうち前記巻出ロール又は前記巻取ロールに隣り合わないガイドロールのいずれかは、搬送中の樹脂フィルムに作用している張力を検出する張力検出ロールであることを特徴とする請求項１１から１７までのうちのいずれか一項に記載の真空成膜装置。
【請求項１９】
ポリエチレンナフタレートフィルム又はポリイミドフィルムがロール状に巻かれた巻出ロールから該フィルムを送り出して搬送しながらこの搬送中の該フィルムの表面に膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍのニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜し、続けて、この合金薄膜層の表面に膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍの銅薄膜層を成膜し、これらの積層が成膜された前記フィルムを巻取ロールで巻き取る真空成膜装置において、
前記フィルムの幅が２０ｃｍ以上８０ｃｍ以下の範囲内であって、このフィルムの搬送路が円周状、台形状、及び多角形状のうちのいずれかになるように、１０ｃｍ以上９０ｃｍ以下の範囲内の距離だけ離して配置された複数のガイドロールと、
これら複数のガイドロールのうち一のガイドロールとこの一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する前記フィルムに、ニッケル又はニッケル合金薄膜層を成膜する第１スパッタリングカソードと、
前記複数のガイドロールのうち、前記隣のガイドロールよりも搬送方向上流側に位置する他の一のガイドロールとこの他の一のガイドロールの隣のガイドロールとの間に位置する、前記ニッケル又はニッケル合金薄膜層が成膜された前記フィルムに銅薄膜層を成膜する第２スパッタリングカソードと、
前記フィルムのうち前記第２スパッタリングカソードに対向する部分に、１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を付与する張力付与機構とを備えたことを特徴とする真空成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−２４９６８８（Ｐ２００９−２４９６８８Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９９０１５（Ｐ２００８−９９０１５）
【出願日】平成２０年４月７日（２００８．４．７）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月７日（２００８．４．７）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
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