絶縁材料、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法
【課題】保存安定性に優れた積層体を得ることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。本発明に係る絶縁材料は、熱ラジカル発生剤をさらに含有する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。本発明に係る絶縁材料は、熱ラジカル発生剤をさらに含有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の該第１の電極上と複数の該第１の電極間の隙間上とに、複数の該第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するための絶縁材料に関する。また、本発明は、該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、電子部品の主面上に突出して形成された突出電極を実装基板上に形成された接続用電極に接続させ、上記主面を上記実装基板に対向させた状態で上記電子部品を上記実装基板上に実装する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献１に記載の接続構造体の製造方法は、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が上記主面上に形成された上記電子部品を準備する電子部品準備工程と、上記実装基板上に、絶縁性の接着剤基材及び該接着剤基材中に分散された導電性粒子を含む異方導電接着剤層を形成する実装基板準備工程と、上記電子部品準備工程で準備された上記電子部品と上記実装基板準備工程で準備された実装基板とを加圧し圧着させる電子部品圧着工程とを備える。
【０００５】
上記電子部品準備工程では、上記電子部品の上記絶縁性接着剤層の厚みが、上記突出電極の高さと略同じに形成される。上記実装基板準備工程では、上記異方導電接着剤層の厚みが、上記導電性粒子の粒径と略同じに形成される。
【０００６】
また、特許文献１では、上記絶縁接着剤層に用いられる成分としては、反応性樹脂、潜在性硬化剤、有機溶剤、無機質充填材及びゴム粒子等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１４７２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載のような従来の接続構造体に用いられる上記電子部品では、上記絶縁接着剤層の保存安定性が低いことがある。このため、上記接続構造体を均質にかつ良好に形成できないことがある。
【０００９】
さらに、特許文献１に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層の厚みが突起電極の高さと略同じであり、か
つ異方導電接着剤層の厚みが導電性粒子の粒径と略同じである。このため、圧着工程にて、絶縁性接着剤層及び異方導電接着剤層の流動がほとんど発生しない。従って、絶縁性接着剤層と異方導電接着剤層との間や、上記突出電極と異方導電接着剤層との間に発生したボイドを排除することが困難であり、更に絶縁信頼性を十分に得ることが困難である。
【００１０】
本発明の目的は、保存安定性に優れた積層体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明の限定的な目的は、絶縁信頼性に優れた積層体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、熱ラジカル発生剤をさらに含有する、絶縁材料が提供される。
【００１３】
本発明に係る絶縁材料のある特定の局面では、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物はそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物である。
【００１４】
本発明に係る絶縁材料のさらに他の特定の局面では、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む。
【００１５】
上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高いことが好ましい。
【００１６】
本発明に係る絶縁材料の他の特定の局面では、上記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む。
【００１７】
本発明に係る絶縁材料の別の特定の局面では、上記第１の接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップである。
【００１８】
本発明に係る絶縁材料のさらに別の特定の局面では、上記第１の電極は銅電極である。
【００１９】
本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、該絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。
【００２０】
本発明に係る積層体のある特定の局面では、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層がさらに備えられ、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。
【００２１】
本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、該絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、該硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されており、上記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。
【００２２】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されている。
【００２３】
本発明に係る積層体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備え、上記絶縁層を上述した絶縁材料により形成する。
【００２４】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備え、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されており、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されており、上記第１の電極と上記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている上記導電性粒子との間の上記絶縁層部分を排除して、上記第１，第２の電極に上記導電性粒子を接触させ、複数の上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得る。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、熱ラジカル発生剤をさらに含有するので、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆
うように積層される絶縁層を形成して積層体を得たときに、得られた積層体の保存安定性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、図４に示す接続構造体の製造に用いられる第２の接続対象部材とＢステージ化異方性導電層とを有する第２の積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２８】
（絶縁材料）
本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は絶縁性を有する。
【００２９】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。本発明に係る絶縁材料は、熱ラジカル発生剤をさらに含有する。
【００３０】
Ｑ値とは、１９４７年にＴ．Ａｌｆｒｅｙ及びＣ．Ｐｒｉｃｅにより提唱された指標であり、モノマーにラジカルが付加したときどの程度安定化できるかという指標である。
【００３１】
Ｑ値の求め方は、スチレンのＱ値を１．００、ｅ値を−０．８０と定め、共重合の実験結果から他の単量体のＱ、ｅ値が決定される。例えば、「改訂、高分子合成の化学」大津隆行著（化学同人、１９９２年刊）の第１１１〜１１６頁に記載の方法により実験的に測定して求めることができる。また、「ＰｏｌｙｍｅｒＨａｎｄｂｏｏｋ」 Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ（１９６６）の第２６７〜２７４頁にＱ値が記載されている。
【００３２】
Ｑ値が大きく異なる熱硬化性化合物が混在すると、Ｑ値が大きい方の熱硬化性化合物のみが重合する確率が大きくなる。このため、保存時において、優先的にＱ値の大きい方の
熱硬化性化合物が反応する。例えば、Ｑ値の大きい方の熱硬化性化合物の反応に伴う粘度上昇が、Ｑ値の小さい方の熱硬化性化合物の反応に伴う粘度上昇よりも小さい場合、保存時における反応に伴う粘度上昇は、Ｑ値の小さい方の熱硬化性化合物単体の場合より抑制することができる。
【００３３】
また、一般的には重合禁止剤等を用いて上記粘度上昇を抑制することが知られているが、反応速度の減少や、絶縁信頼性、熱硬化時のボイドの原因となることがある。
【００３４】
これに対して、本発明では、熱硬化性化合物そのものにより反応性を制御しているため、硬化時、硬化後において上記不具合は生じにくい。
【００３５】
上述した組成の採用により、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成して積層体を得たときに、得られた積層体の保存安定性を高めることができる。従って、均質かつ良好な接続構造体を得ることができる。さらに、絶縁材料を用いた接続構造像体の絶縁信頼性を高めることもできる。
【００３６】
さらに、上述した組成の採用により、絶縁材料の保存安定性が高くなる結果、該絶縁層を精度よく形成できる。このことによっても、絶縁材料を用いた接続構造像体の絶縁信頼性が高くなる。
【００３７】
また、上記組成の採用により、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層して積層体を得て、更に該積層体を用いて接続構造体を得たときに、得られた接続構造体において剥離が生じ難くなり、かつ耐マイグレーション性が良好になる。
【００３８】
以下、絶縁材料に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００３９】
（熱硬化性化合物）
上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。
【００４０】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有していてもよく、Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有していてもよい。少なくとも２種の熱硬化性化合物は、反応消費率が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含むことが好ましい。Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、反応消費率が異なる。メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なり、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なり、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なる。
【００４１】
上記絶縁材料に使用可能な上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、ビニル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合
物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記（メタ）アクリルは、アクリル又はメタクリルを意味する。
【００４２】
本発明に係る絶縁材料では、熱硬化性化合物の全部又は一部として、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物が用いられるか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物が用いられる。
【００４３】
メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を用いる場合に、上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよい。
【００４４】
絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなるので、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物はそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物であることが好ましい。Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物として、上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、アクリロイル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、ビニル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよい。
【００４５】
絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなるので、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むことが好ましい。
【００４６】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物として、架橋性化合物を用いてもよく、非架橋性化合物を用いてもよい。
【００４７】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４８】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレ
ート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４９】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物としては、例えば、上述した熱硬化性化合物の中で、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物等が用いられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、メタクリル酸であることが好ましい。また、上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、グリシジルメタクリレートのエポキシ基や、メタクリル酸のカルボキシル基を、エポキシ基、水酸基又はカルボキシル基を有する化合物と反応させることにより得られる化合物でもよい。
【００５０】
以下、上記メタアクリロイル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５１】
ベンジルメタクリレート ０．８８
ブチルメタクリレート ０．８２
エチルメタクリレート ０．７６
グリシルジメタクリレート ０．９６
イソブチルメタクリレート ０．８２
イソプロピルメタクリレート ０．９７
メチルメタクリレート ０．７８
フェニルメタクリレート １．２５
メタクリル酸 ０．９８
【００５２】
上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物としては、例えば、上述した熱硬化性化合物の中で、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物等が用いられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、メチルアクリレート、エチルアタクリレート、グリシジルアクリレート、アクリル酸であることが好ましい。また、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、グリシジルアクリレートのエポキシ基や、アクリル酸のカルボキシル基を、エポキシ基、水酸基又はカルボキシル基を持つ化合物と反応させることにより得られる化合物でもよい。また、エポキシアクリレート又はウレタンアクリレートが好ましい。
【００５３】
以下、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５４】
ベンジルアクリレート ０．３３
ブチルアクリレート ０．３８
エチルアクリレート ０．４１
グリシルジアクリレート ０．４８
メチルアクリレート ０．４５
アクリル酸 ０．８３
【００５５】
上記ビニル基を有する熱硬化性化合物としては、酢酸ビニル及びビニルエーテル等が挙げられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記ビニル基を有する熱硬化性化合物は、酢酸ビニルであることが好ましい。
【００５６】
以下、上記ビニル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５７】
酢酸ビニル ０．０２６
ビニルエーテル ０．０２９
【００５８】
上記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物と、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むことが好ましい。この場合に、上記熱硬化性化合物は、ビニル基を有する熱硬化性化合物を含まないか又は含む。メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物との併用により、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなる。
【００５９】
上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高いことが好ましい。この場合には、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなる。
【００６０】
また、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、０．７以上であることが好ましく、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値は、０．５以下であることが好ましい。
【００６１】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を熱硬化性化合物Ａとする。該熱硬化性化合物Ａのうちの反応性が最も高い第１の熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化性化合物Ａのうちの該第１の熱硬化性化合物とは異なる熱硬化性化合物の含有量は好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。この好ましい含有量の下限及び上限を満足すると、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６２】
上記熱硬化性化合物Ａのうちの反応性が最も低い熱硬化性化合物を、第２の熱硬化性化合物とする。上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうちのＱ値が最も高い第１の熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうちの該第１の熱硬化性化合物とは異なる熱硬化性化合物の含有量は好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。この好ましい含有量の下限及び上限を満足すると、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６３】
［熱ラジカル発生剤］
上記絶縁材料は熱ラジカル発生剤を含むので、電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性が高くなる。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤が使用可能である。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。
【００６４】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。
【００６５】
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’
−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル−１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボキシレート）、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、２−ｔｅｒｔ−ブチルアゾ−２−シアノプロパン、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）二水和物、及び２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００６６】
上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びＤｉｓｕｃｃｉｎｉｃ ａｃｉｄ ｐｅｒｏｘｉｄｅ等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５―ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクトエート及びｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ（２−エチルヘキシル）パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。
【００６７】
上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下である。上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度が、３０℃未満であると、絶縁材料の貯蔵安定性が低下する傾向があり、９０℃を超えると、絶縁材料を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。
【００６８】
上記熱硬化性化合物との合計１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記絶縁材料が充分に熱硬化し、かつ絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６９】
［他の成分］
上記絶縁材料は、該絶縁材料を良好なフィルム状にするために、数平均分子量が９０００以上の高分子化合物を含むことが好ましい。該高分子化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７０】
上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記高分子化合物の含有量は好ましくは１
０重量部以上、より好ましくは２０重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは５０重量部以下である。
【００７１】
上記絶縁材料は溶剤を含んでいてもよい。上記第１の接続対象部材の表面上に上記絶縁材料を塗布し、乾燥により溶剤を除去して、上記絶縁層を形成してもよい。
【００７２】
上記溶剤としては、脂肪族系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、パラフィン系溶剤及び石油系溶剤等が挙げられる。
【００７３】
上記脂肪族系溶剤としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン及びエチルシクロヘキサン等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、アセトン及びメチルエチルケトン等が挙げられる。上記芳香族系溶剤としては、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記エステル系溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸イソプロピル等が挙げられる。上記エーテル系溶剤としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びジオキサン等が挙げられる。上記アルコール系溶剤としては、エタノール及びブタノール等が挙げられる。上記パラフィン系溶剤としては、パラフィン油及びナフテン油等が挙げられる。上記石油系溶剤としては、ミネラルターペン及びナフサ等が挙げられる。上記溶剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７４】
上記溶剤を乾燥除去する温度は、用いる溶剤の種類に応じて適宜設定される。上記溶剤を乾燥除去する温度は、例えば、６０〜１３０℃程度である。上記溶剤を乾燥除去する温度が低いほど、第１の接続対象部材の熱劣化を抑制できる。
【００７５】
熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をさらに一層高める観点からは、上記絶縁材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、エラストマー粒子及びシリカ等が挙げられる。該エラストマー粒子としては、ゴム粒子が挙げられる。該ゴム粒子としては、天然ゴム粒子、イソプレンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、スチレンブタジエンゴム粒子、クロロプレンゴム粒子及びアクリロニトリルブタジエンゴム粒子等が挙げられる。上記シリカは、ナノシリカであることが好ましい。上記ナノシリカの平均粒子径は１０００ｎｍ未満である。
【００７６】
上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。
【００７７】
第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記絶縁材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、カップリング剤及び可撓性材料等が挙げられる。
【００７８】
上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【００７９】
上記絶縁材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。
【００８０】
（積層体及び積層体の製造方法）
本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材
と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える。本発明に係る積層体では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。
【００８１】
本発明に係る積層体は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備えていてもよい。該Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。
【００８２】
本発明に係る積層体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備える。本発明に係る積層体の製造方法では、上記絶縁層を上述した絶縁材料により形成する。
【００８３】
本発明に係る積層体の製造方法は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層を積層する工程と、上記異方性導電材料層の溶剤を除去するか又は硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成するＢステージ化工程とをさらに備えていてもよい。
【００８４】
図１に、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。
【００８５】
図１に示す積層体１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａとを備える。
【００８６】
第１の接続対象部材２は表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。絶縁層６Ａは、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに積層されている。複数の第１の電極間２ｂの隙間Ｘは、第１の電極２ｂが無い部分の凹部である。
【００８７】
絶縁層６Ａは、上述した絶縁材料により形成されている。絶縁層６Ａは、導電性粒子を含まない。絶縁層６Ａは、絶縁層６Ａに接している隣り合う複数の第１の電極２ｂ間を絶縁している。
【００８８】
突出した第１の電極２ｂの突出高さは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間Ｘの距離は、好ましくは４μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間の距離は、凹部の幅であり、第１の電極２ｂが設けられていない部分の寸法である。第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下である場合に、従来の接続構造体の製造方法では、特に絶縁層が設けられていない第１の接続対象部材を用いて接続構造体を製造すると、電極間の接続信頼性が特に低くなりやすい。これに対して、本発明に係る積層体（絶縁層付き第１の接続対象部材）を用いて、接続構造体を作製することにより、第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下であっても、接続信頼性が十分に高くなる。特に、上記第１の電極間の隙間の距離が上記上限以下であっても、横方向に隣り合う第１の電極間が導電性粒子により電気的に接続されるのを効果的に抑制できる。
【００８９】
第１の接続対象部材２における突出した第１の電極２ｂ上の絶縁層６Ａの厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。
【００９０】
積層体１は、図２（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることがで
きる。ここでは、第１の接続対象部材２が半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）である場合の積層体１の製造方法を説明する。
【００９１】
図２（ａ）に示すように、複数の第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）の集合体である第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を用意する。第１の接続対象部材２Ａは表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。第１の電極２ｂが上側となるように第１の接続対象部材２Ａを配置する。
【００９２】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２Ａを用いて、複数の第１の電極２ｂ上及び複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上に、複数の第１の電極２ｂを覆うように絶縁層６ＡＡ（分割前絶縁層）を積層する。絶縁層６ＡＡは上述した絶縁材料により形成する。上記絶縁材料が溶剤を含む場合には、乾燥により溶剤を除去して絶縁層６ＡＡを形成してもよい。
【００９３】
次に、図２（ｂ）に示す破線部分で、第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を切断して、第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）にして、積層体１を得る。絶縁層６ＡＡを第１の接続対象部材２Ａとともに切断することで、分割後絶縁層である絶縁層６Ａが得られる。
【００９４】
得られた積層体１はピックアップされ、図２（ｃ）に示すように、接続構造体の製造前に容器５１中に絶縁層６Ａ側から載せられる。このように、多くの接続構造体を製造する場合には、積層体１は容器５１中に仮保管されることが一般的である。このため、積層体１の保存安定性が高いことが好ましい。
【００９５】
本発明に係る積層体の製造方法は、上記第１の接続対象部材として半導体ウェーハを用い、上記絶縁層を形成した後、半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。
【００９６】
図６に、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。
【００９７】
図６に示す積層体２１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａと、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂとを備える。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは配置されていない。複数の第１の電極間の隙間には、Ｂステージ化異方性導電層が配置されていないことが好ましい。
【００９８】
Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料（異方性導電材料層）の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。導電性粒子５と第１の電極２ｂとの間には、絶縁層６Ａが配置されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層を形成した後、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成してもよく、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成してもよい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成する場合には、上記異方性導電材料は溶剤を含む。
【００９９】
上記異方性導電材料は、異方性導電フィルムであってもよく、異方性導電ペーストであってもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電ペーストであることが好ましい。上記異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合に、導電性粒子を含む該異方性導電フィルムに導電性粒子を含まないフィルムが積層されて用いられてもよい。
【０１００】
積層体２１におけるＢステージ化異方性導電層２２Ｂの厚みは、導電性粒子５の平均粒子径の１．２倍以上であることが好ましく、２倍以上であることが好ましく、３倍以上であることが更に好ましく、２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることがより好ましい。
【０１０１】
積層体２１は、積層体１を用いて、図７（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の積層体２１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。
【０１０２】
先ず、図７（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が下側、絶縁層６Ａが上側となるように配置する。
【０１０３】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層２２Ａを積層する。このとき、第１の電極２ｂ上に位置する絶縁層６Ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１０４】
次に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層２２Ａに光を照射して、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層２２ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図７（ｃ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成して、積層体２１を得る。Ｂステージ化により、絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層２２Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層２２Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成してもよい。
【０１０５】
上記異方性導電材料を塗布しながら、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することが好ましい。さらに、異方性導電材料の塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することも好ましい。塗布と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電材料層２２Ａの流動をより一層抑制できる。このため、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。異方性導電材料を配置してから、すなわち異方性導電材料層２２Ａを積層してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは１８０秒以下、より好ましくは６０秒以下である。
【０１０６】
異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは０．１〜３００ｍＷ／ｃｍ２程度である。また、異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度である。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。
【０１０７】
（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、上記硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層は、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体では、上記硬化物層は、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体では、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とは、上記導電性粒子により電気的に接続されている。
【０１０８】
本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されていてもよい。
【０１０９】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、（１）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、（２）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている上記導電性粒子との間の上記絶縁層部分を排除して、上記第１，第２の電極に上記導電性粒子を接触させ、複数の上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得る。上述の積層工程において、上述の（１）の方法で積層を行ってもよく、上述の（２）の方法で積層を行ってもよい。上述の（１）の方法で積層を行うことが好ましい。
【０１１０】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得てもよい。
【０１１１】
図３に、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。
【０１１２】
図３に示す接続構造体１１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層３とを備える。図３に示す接続構造体１１は、図１に示す積層体１を用いて形成されている。
【０１１３】
絶縁層６は、複数の第１の電極２ｂ上の一部の領域と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ（凹部）上とに積層されている。第１の電極２ｂに導電性粒子５が接触している部分において、複数の第１の電極２ｂ上に絶縁層６は積層されていない。複数の第１の電極２ｂと
該第１の電極２ｂとに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６は配置されていない。
【０１１４】
硬化物層３は、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部である。硬化物層３は、絶縁層６の第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させた後、本硬化させることにより形成されていることが好ましい。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、硬化物層３は配置されていない。
【０１１５】
第２の接続対象部材４は、硬化物層３の絶縁層６側とは反対側の表面上に積層されている。第２の接続対象部材４は表面４ａに、突出した複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが対向するように、第１，第２の接続対象部材２，４が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとの間には、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとは、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。第１の電極２ｂと該第１の電極２ｂに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６及び硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。第２の電極４ｂと該第２の電極４ｂに接触している導電性粒子５との間には、硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。
【０１１６】
接続構造体１１は、積層体１を用いて、図４（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の接続構造体１１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。
【０１１７】
先ず、図４（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が上側、絶縁層６Ａが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４と第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層されたＢステージ化異方性導電層３Ｂとを備える第２の積層体１６を用意する。第２の積層体１６をＢステージ化異方性導電層３Ｂが上側、第２の接続対象部材４が下側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。
【０１１８】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの絶縁層６Ａ側とは反対の表面３ａ上に、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。第１の電極２ｂと導電性粒子５とは接触していない。
【０１１９】
このようにして、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層することで、絶縁信頼性が高い接続構造体１１を得ることができる。特に複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、導電性粒子５を含むＢステージ化異方性導電層３Ｂではなく絶縁層６Ａが配置されているので、該複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘに導電性粒子５が配置され難くなり、この結果、接続構造体１１の絶縁信頼性が高くなる。
【０１２０】
これに対して、従来の接続構造体の製造方法のように、突出した電極を表面に有する接続対象部材の表面上に異方性導電材料を直接塗布した場合には、電極間の隙間に導電性粒子が配置され、また電極上に配置された導電性粒子が流動して電極間の隙間に移動しやすい。このため、絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることは困難である。
【０１２１】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させ、硬化物層３を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。但し、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。加熱にかえて光の照射により、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させてもよい。また、第２の接続対象部材４の積層工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させてもよい。但し、本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除することが好ましい。
【０１２２】
加熱によりＢステージ化異方性導電層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。
【０１２３】
Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。また、加圧によって、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、絶縁層６を形成することが好ましい。絶縁層６Ａは本硬化時の加熱により流動性が高くなることが好ましい。また、絶縁層６Ａは、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの本硬化時に、硬化することが好ましい。
【０１２４】
このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層３又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図３に示す接続構造体１１が得られる。
【０１２５】
なお、図４（ａ）に示されている第２の積層体１６は、図５（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１２６】
先ず、図５（ａ）に示すように、第２の電極４ｂを表面４ａに有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の電極４ｂが上側となるように、第２の接続対象部材４を配置する。
【０１２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層３Ａを積層する。このとき、第２の電極４ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１２８】
次に、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層３Ａに光を照射して、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図５（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、Ｂステ
ージ化異方性導電層３Ｂを形成して、第２の積層体１６を得る。Ｂステージ化により、第２の接続対象部材４とＢステージ化異方性導電層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層３Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層３Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成してもよい。
【０１２９】
異方性導電材料層３Ａを形成する塗布条件及び異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる光照射条件は、異方性導電材料層２２Ａの場合と同様である。
【０１３０】
図８に、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。
【０１３１】
図８に示す接続構造体３１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層２２とを備える。図８に示す接続構造体３１は、図６に示す積層体２１を用いて形成されている。接続構造体３１と接続構造体１１とは、硬化物層２２，３のみが異なっている。
【０１３２】
接続構造体３１は、積層体２１を用いて、図９（ａ）〜（ｃ）を用いて、以下のようにして得ることができる。
【０１３３】
先ず、図９（ａ）に示すように、積層体２１を第１の接続対象部材２が上側、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の接続対象部材４を第２の電極４ｂが上側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。
【０１３４】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、積層体２１をＢステージ化異方性導電層２２Ｂ側から積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層体２１を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。導電性粒子５と第１の電極２ｂとは接触していない。
【０１３５】
さらに、図９（ｃ）に示すように、積層体２１の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを本硬化させ、硬化物層２２を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。
【０１３６】
加熱によりＢステージ化異方性導電層２２Ｂを硬化させる際の加熱温度は、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの場合と同様である。
【０１３７】
このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層２２又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図８に示す接続構造体３１が得られる。
【０１３８】
上述した接続構造体の製造方法では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性
導電材料を短時間で硬化させることが可能である。接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を熱の付与又は光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、異方性導電材料層又はＢステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、硬化段階で過度に流動し難くなる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。具体的には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置することができ、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのをより一層抑制できる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層高めることができる。
【０１３９】
また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、Ｂステージ化異方性導電層における硬化状態を容易にかつ精度よく制御できる。このため、Ｂステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、本硬化段階で過度に流動するのをより一層抑制できる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性を、更に一層高めることができる。
【０１４０】
本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。
【０１４１】
本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体ウェーハ又は半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）とガラス基板とを用いることが好ましい。
【０１４２】
ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が８〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。
【０１４３】
また、ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との双方が硬い。このため、接続構造体における絶縁信頼性が低くなりやすい。これに対して、本発明では、硬い半導体チップとガラス基板とを接続した場合であっても、絶縁信頼性を十分に高めることができる。
【０１４４】
ＣＯＧ用途では、第１の接続対象部材の突出した第１の電極の表面を、絶縁層を積層する前に平坦化しておくことで、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との接続信頼性が高くなる。第１の接続対象部材の突出した第１の電極が銅電極である場合、電極のヤング率が高いため、接続時に突出した電極の変形が小さい。このため、接続構造体の複数の電極間で導電性粒子の変形量がばらつくことがあるため、第１の電極の表面を予め平坦化しておくことが好ましい。
【０１４５】
また、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、半導体ウェーハと他の接続対象部材との接続に好適に用いられる。さらに、半導体チップと他の接続
対象部材とが接続された接続構造体を得るために、半導体ウェーハと他の接続対象部材とが接続された接続構造体を得るために好適に用いられる。この場合には、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハが用いられる。特に、上記第１の接続対象部材として、半導体ウェーハを用いることが好ましい。接続構造体では、上記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハであるか、又は分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップであることが好ましい。また、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハを用いる場合には、本発明に係る接続構造体の製造方法は、該半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記硬化物層を形成した後、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記硬化物層と上記第２の接続対象部材との積層体を切断して、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する工程をさらに備えていてもよい。
【０１４６】
上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハである場合には、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との積層時に、導電性粒子の濃度むらが発生し、隣接する電極間での絶縁性が確保しにくいという問題がある。これに対して、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法により、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハであっても、隣接する電極間での絶縁性を良好にすることができる。
【０１４７】
上記第１の接続対象部材が半導体ウェーハであり、該半導体ウェーハをダイシング等により個片化する場合、上記絶縁層は透明であることが好ましい。半導体ウェーハ上に形成する上記絶縁層の厚みにて、絶縁層のヘーズ値は好ましくは６０％以下、より好ましくは２０％以下である。ヘーズ値は、目的の厚みとなる絶縁層のフィルムを作製し、ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠して、該フィルムを用いた透過率測定により得られたＴｈ＝Ｔｄ／Ｔｔ（Ｔｄは散乱光線透過率、Ｔｔは全光線透過率）により求めることができる。
【０１４８】
上記異方性導電材料の測定温度範囲６０〜１５０℃での最低溶融粘度η２は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下である。上記最低溶融粘度η２の測定温度範囲は、より好ましくは６０〜１２０℃、更に好ましくは７０〜１００℃である。上記最低溶融粘度η２が１Ｐａ・ｓ未満であると、樹脂の流出によりボイドが発生しやすくなる傾向がある。上記最低溶融粘度η２が上記上限以下であると、絶縁信頼性及び導通信頼性がより一層高くなる。
【０１４９】
上記最低溶融粘度は、レオメーターを用いて、最低複素粘度η＊を測定することにより求められる。測定条件は、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃とする。
【０１５０】
上記レオメーターとしては、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等が挙げられる。
【０１５１】
上記絶縁層の最低溶融粘度よりも、上記異方性導電材料の最低溶融粘度の方が高いことが好ましい。上記絶縁層の最低溶融粘度は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは７０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下である。上記異方性導電材料の最低溶融粘度は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度との差の絶対値は、好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度とが
好ましい上記値を示すと、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記異方性導電材料の最低溶融粘度よりも、上記絶縁層の最低溶融粘度の方が高い場合、上記異方性導電材料の最低溶融温度が上記下限以上及び上記上限以下であれば、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５２】
上記異方性導電材料の最低溶融温度よりも、上記絶縁層の最低溶融温度の方が低いことが好ましい。上記絶縁層の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１１０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。上記異方性導電材料の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度とが上記下限以上及び上記上限以下であると、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記最低溶融温度とは、上記最低溶融粘度を示す温度である。
【０１５３】
上記異方性導電材料の上記最低溶融粘度を示す温度での１Ｈｚにおける粘度η２（Ｐａ・ｓ）の最低溶融粘度を示す温度での１０Ｈｚにおける粘度η３（Ｐａ・ｓ）に対する粘度比（η２／η３）は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、更に好ましくは４以上である。上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層により一層ボイドが生じ難くなる。上記粘度比（η２／η３）が３以上であると、硬化物層にボイドがかなり生じ難くなる。
【０１５４】
さらに、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化前又は硬化時に上記異方性導電材料が意図せずに濡れ拡がるのを抑制でき、接続構造体における汚染が生じ難くなる。従って、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層におけるボイドの抑制と上記異方性導電材料層又は上記Ｂステージ化異方性導電層の流動による汚染の抑制との双方の効果を得ることができる。上記粘度比（η２／η３）の上限は特に限定されないが、上記粘度比（η２／η３）は、８以下であることが好ましい。
【０１５５】
上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱ピーク温度に関しては、上記異方性導電材料の発熱ピーク温度よりも、上記絶縁層の発熱ピーク温度の方が高いことが好ましい。上記異方性導電材料の発熱ピーク温度と上記絶縁層の発熱ピーク温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５６】
上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱に関しては、上記異方性導電材料の発熱よりも、上記絶縁層の発熱の方が小さいことが好ましい。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５７】
硬化した絶縁層及び異方導電材料が硬化した硬化物層の弾性率は、２５℃で好ましくは１００ＭＰａ以上、好ましくは４ＧＰａ以下であり、更に８５℃で好ましくは１０ＭＰａ以上、好ましくは３ＧＰａ以下である。上記弾性率が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続信頼性が高くなる。
【０１５８】
硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層のガラス転移温度Ｔｇはそれぞれ、好ましくは６０℃以上、好ましくは１８０℃以下である。上記ガラス転移温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。
【０１５９】
硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層の−３０℃〜８５℃の平
均熱膨張係数は、好ましくは１１０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下である。上記平均熱膨張係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。
【０１６０】
上記弾性率及び上記Ｔｇは、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／ｍｉｎ、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定される。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移点）とする。
【０１６１】
上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法等が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。上記Ｂステージ化工程において、光の照射により、上記異方性導電材料の硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、上記本硬化工程において、加熱により、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させることが好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電材料を短時間で効率的に硬化させることができる。
【０１６２】
さらに、上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法も挙げられる。
【０１６３】
上記異方性導電材料は、加熱により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【０１６４】
上記異方性導電材料は、光の照射により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【０１６５】
また、上記異方性導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物と、加熱により硬化可能な硬化性化合物とを含むことが好ましい。この場合には、光の照射により異方性導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、異方性導電材料の流動性を低下させた後、加熱により異方性導電材料を容易に本硬化させることができる。上記異方性導電材料に含まれる上記硬化性成分は、光の照射により可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分とを含むか、又は光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を含むことが好ましい。
【０１６６】
（異方性導電材料）
以下、上記異方性導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。
【０１６７】
［硬化性化合物］
上記異方性導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。該硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用い
られてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６８】
上記硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６９】
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７０】
上記硬化性化合物は、チイラン基を有する硬化性化合物を含有することがより好ましい。上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。
【０１７１】
上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環の種類としては、上述した芳香族環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。
【０１７２】
上記異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と該エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。
【０１７３】
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７４】
上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した異方性導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。
【０１７５】
Ｂステージ化した異方性導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。
【０１７６】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。
【０１７７】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。
【０１７８】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【０１７９】
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。
【０１８０】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【０１８１】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１８２】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【０１８３】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。該架橋性化合物及び非架橋性化合物としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した架橋性化合物及び非架橋性化合物が挙げられる。
【０１８４】
熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。
上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【０１８５】
［熱硬化剤］
上記異方性導電材料は、熱硬化成分である熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１８６】
異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させる観点からは、上記異方性導電材料は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤、アミン硬化剤又は熱カチオン硬化剤を含むことが好ましい。
【０１８７】
また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１８８】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１８９】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１９０】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１９１】
上記熱カチオン硬化剤として、ヨードニウム塩やスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記熱カチオン硬化剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌや、ＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。
【０１９２】
好ましい熱カチオン硬化剤のアニオン部分としては、ＳｂＦ６、ＰＦ６、ＢＦ４、及びＢ（Ｃ６Ｆ５）４が挙げられる。
【０１９３】
電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種
を生成する化合物を意味する。
【０１９４】
上記熱ラジカル発生剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した熱ラジカル発生剤が挙げられる。
【０１９５】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。
【０１９６】
上記熱硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。
【０１９７】
［光硬化開始剤］
上記異方性導電材料は、光硬化成分である光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１９８】
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。上記光硬化開始剤として、光カチオン開始剤も挙げられる。
【０１９９】
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【０２００】
上記異方性導電材料は、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。光カチオン開始剤の使用により、光照射後の異方性導電材料の硬化を速やかに進行させることができる。さらに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電材料層部分も、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。
【０２０１】
上記光カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系光カチオン硬化剤、オキソニウム系光カチオン硬化剤及びスルホニウム系光カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート）等が挙げられる。上記オキソニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリ−ｐ−トリルスルホニウム
ヘキサフルオロホスファート及びトリフェニルスルホニウムブロミド等が挙げられる。なかでも、異方性導電材料の硬化性をより一層良好にし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、スルホニウム系光カチオン硬化剤が好ましい。
【０２０２】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量（光硬化開始剤が光カチオン開始剤である場合には光カチオン開始剤の含有量）は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。異方性導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。
【０２０３】
［導電性粒子］
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電層の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記導電層は特に限定されない。上記導電層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する導電層等が挙げられる。
【０２０４】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも外側の表面が低融点金属層である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。また、上記金属粒子が、低融点金属であってもよい。
【０２０５】
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は３００℃以下であることが好ましい。低融点金属は、加熱により溶融して電極に接合し、電極間を導通させる役割を有する。
【０２０６】
上記低融点金属を構成する低融点金属は特に限定されないが、錫、又は錫を含有する合金であることが好ましい。上記合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金及び錫−亜鉛合金等が挙げられる。上記低融点金属層は錫を含むことが好ましい。低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。なかでも、各電極材料に対し濡れ性が優れることから、低融点金属は、錫、錫−銀合金又は錫−銀−銅合金であることが好ましい。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０２０７】
また、上記低融点金属層は、はんだ層であることが好ましい。上記はんだ層を構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶剤用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶可材であることが好ましい。上記はんだ層の組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点
で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだ層は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ層、又は錫とビスマスとを含むはんだ層であることが好ましい。
【０２０８】
更に、上記低融点金属と電極との接合強度を向上させるために、上記低融点金属に、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含有させてもよい。なかでも、上記低融点金属と電極との接合強度を向上させる効果に優れていることから、上記低融点金属に、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛を含有させることが好適である。低融点金属層と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属層１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０２０９】
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層（はんだ層など）との間に、上記低融点金属層とは別に第２の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。
【０２１０】
上記低融点金属層とは別の上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２１１】
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第２の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。
【０２１２】
上記低融点金属層の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、好ましくは４００００ｎｍ以下、より好ましくは３００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下、特に好ましくは１００００ｎｍ以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。
【０２１３】
導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは４００００ｎｍ以下、より好ましくは３００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下、特に好ましくは
１００００ｎｍ以下である。
【０２１４】
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼
性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが特に好ましく、１μｍ以上、４μｍ以下であることが最も好ましい。
【０２１５】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０２１６】
上記導電性粒子の２３℃での圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１ＧＰａ以上、より好ましくは２ＧＰａ以上、好ましくは７ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。上記導電性粒子の圧縮回復率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下である。
【０２１７】
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【０２１８】
（他の成分）
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
【０２１９】
上記異方性導電材料は、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２２０】
上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。
【０２２１】
上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した溶剤等が挙げられる。
【０２２２】
上記異方性導電材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述したチクソ付与剤が挙げられる。
【０２２３】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。
【０２２４】
第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電
材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した接着付与剤等が挙げられる。
【０２２５】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０２２６】
上記異方性導電材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。
【０２２７】
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０２２８】
実施例及び比較例では、絶縁材料に以下の成分を用いた。
【０２２９】
［熱硬化性化合物］
メチルメタクリレート
エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）
ウレタンアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ８８０４」）
６官能アクリレート（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０」）
エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート（新中村化学工業社製「ＢＰＥ−１００」）
トリメチロールプロパントリメタクリレート（新中村化学工業社製「ＴＭＰＴ」）
【０２３０】
［熱ラジカル発生剤］
有機過酸化物（日油社製「パーブチルＯ」）
【０２３１】
［溶剤］
メチルエチルケトン
【０２３２】
また、実施例及び比較例では、異方性導電材料に以下の成分を用いた。
【０２３３】
［熱硬化性化合物］
下記式（Ｙ１）で表される構造を有するエピスルフィド化合物Ｙ１
【０２３４】
【化１】
【０２３５】
下記式（Ｙ２）で表されるエピスルフィド化合物Ｙ２
【０２３６】
【化２】
【０２３７】
ＥＰ−３３００Ｐ（ＡＤＥＫＡ社製、可撓性エポキシ樹脂）
【０２３８】
［光硬化性化合物］
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２（ダイセル・サイテック社製、脂肪酸変性エポキシアクリレート）
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０８（ダイセル・サイテック社製、カプロラクトン変性エポキシアクリレート）
４ＨＢＡＧＥ（日本化成社製、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル）
【０２３９】
［熱硬化剤］
ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ（日本曹達社製、包摂イミダゾール）
【０２４０】
［光硬化開始剤］
イルガキュア８１９（ＢＡＳＦ社製）
【０２４１】
［接着付与剤］
ＫＢＥ−４０２（信越化学工業社製、シランカップリング剤）
【０２４２】
［フィラー］
表面メチル処理シリカ（平均粒径０．７ｍｍ、トクヤマ社製）
【０２４３】
［チクソ付与剤］
ナノシリカＰＭ２０Ｌ（トクヤマ社製）
【０２４４】
［柔軟性粒子］
ＫＷ−８８００（三菱レイヨン社製、コアシェル粒子）
【０２４５】
［溶剤］
エチレングリコールジアセテート
【０２４６】
［導電性粒子］
導電性粒子Ａ〜Ｄはいずれも、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。また、導電性粒子Ａ〜Ｄの平均粒子径及び１０％Ｋ値は以下の通りである。
【０２４７】
導電性粒子Ａ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：４．５ＧＰａ）
導電性粒子Ｂ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：５．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｃ（平均粒子径５μｍ、１０％Ｋ値：３．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｄ（平均粒子径７μｍ、１０％Ｋ値：２．８ＧＰａ）
【０２４８】
（実施例１）
（１）絶縁材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで１０分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、絶縁材料を得た。
【０２４９】
（２）異方性導電材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、異方性導電材料（異方性導電ペースト）を得た。
【０２５０】
（３）第１の積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２５１】
その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ、第１の接続対象部材）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層とを有する第１の積層体を得た。
【０２５２】
（４）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成し、第２の積層体を得た。
【０２５３】
次に、得られた第２の積層体のＢステージ化異方性導電層のガラス基板側と反対の表面上に、得られた第１の積層体を絶縁層側から電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。
【０２５４】
（実施例２〜５）
絶縁材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁材料を得た。得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５５】
（実施例６〜８）
異方性導電材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５６】
（実施例９）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて１０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５７】
（実施例１０）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５８】
（実施例１１）
（１）異方性導電材料の調製
異方性導電材料の調製の際に、エチレングリコールジアセテート１００重量部をさらに配合したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。
【０２５９】
（２）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。
【０２６０】
（３）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。８０℃で１０分溶剤を乾燥することで異方性導電材料層の溶剤を除去し、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、第２の積層体を得た。得られた積層体及び第２の積層体を用いて、実施例１と同様にして接続構造体を得た。
【０２６１】
（比較例１）
縁材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁材料を得た。得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。
【０２６２】
得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を作製した。
【０２６３】
（実施例１２）
（１）積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、実施例１で得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２６４】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。
【０２６５】
次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、異方性導電材料層に上方から紫外線を３秒間照射し、光重合によって異方性導電材料層の硬化を進行させ、Ｂステージ化（半硬化）してＢステージ化異方性導電層を形成した。
【０２６６】
その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層と、該絶縁層上にＢステージ化異方性導電層とを有する積層体を得た。
【０２６７】
（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板を用意した。
【０２６８】
次に、上記ガラス基板上に、得られた積層体をＢステージ化異方性導電層側から、電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。
【０２６９】
（実施例１３）
実施例２で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７０】
（実施例１４）
実施例３で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７１】
（実施例１５）
実施例４で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７２】
（実施例１６）
実施例５で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７３】
（実施例１７）
実施例６で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７４】
（実施例１８）
実施例７で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７５】
（実施例１９）
実施例８で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７６】
（実施例２０）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２７７】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。
【０２７８】
得られた積層体を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７９】
（実施例２１）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２８０】
（実施例２２）
（１）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２８１】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例１２と同様にして接続構造体を得た。
【０２８２】
（比較例２）
比較例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。
【０２８３】
上記絶縁層上に、実施例１２で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接
続構造体を作製した。
【０２８４】
（評価）
（１）絶縁材料の保存安定性
調製直後の絶縁材料を２５℃で１ヶ月放置した。放置前後の絶縁材料の８０℃における溶融粘度の変化から、絶縁材料の保存安定性を評価した。レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて溶融粘度を測定し、絶縁材料の保存安定性を下記の基準で判定した。
【０２８５】
［絶縁材料の保存安定性の判定基準］
○○：溶融粘度が１倍以上、１．５倍未満
○： 溶融粘度が１．５倍以上、２．０倍未満
×：溶融粘度が２．０倍以上
【０２８６】
（２）積層体の保存安定性
作成直後の積層体を２３℃で６７２時間放置した。上記積層体を用い、実施例及び比較例の接続構造体を作製した。下記（１０）電極間における導電性粒子の捕捉率（導電性粒子の配置精度）を測定し、積層体の保存案安定性を下記の基準で判定した。
【０２８７】
［積層体の保存安定性の判定基準］
○：各電極間に存在する粒子が１０個以上
×：各電極間に存在する粒子が９個以下
【０２８８】
（３）異方性導電材料の室温での粘度
Ｅ型粘度測定装置（東機産業社製、商品名：ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２、使用ローター：φ１５ｍｍ、温度：２５℃）を用いて、１０ｒｐｍ及び２５℃での異方性導電材料の粘度η１（１０ｒｐｍ）を測定した。また、同様に１ｒｐｍ条件下での粘度η１（１ｒｐｍ）を測定し、粘度比（η１（１ｒｐｍ）／η１（１０ｒｐｍ））を求めた。
【０２８９】
（４）Ｂステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）の最低溶融粘度η２及び上記粘度比（η２／η３）
レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて、積層体又は接続構造体の作製時のＢステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）の最低溶融粘度η２及び最低溶融粘度を示す温度を測定した。また、周波数を１０Ｈｚにしたこと以外は上記と同様に粘度測定を行い、上記最低溶融粘度を示す温度での最低溶融粘度η３を測定し、上記粘度比（η２／η３）を求めた。
【０２９０】
（５）異方性導電材料が硬化した硬化物層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇ
接続構造体における異方性導電材料層が硬化した硬化物層及び硬化した絶縁層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇは、幅３ｍｍ×長さ１５ｍｍ×厚み０．１ｍｍのサンプルを作成し、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／ｍｉｎ、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定した。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移温度）とした。
【０２９１】
（６）絶縁層の凹み及び凹み最大深さ
第１の接続対象部材において、突出した複数の第１の電極間の隙間（凹部）上で絶縁層の上面が凹んでいるか否かを評価した。凹んでいる場合には、該凹み最大深さを測定した。測定は、レーザー顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−８７００」）を用いた。
【０２９２】
（７）耐マイグレーション性
得られた接続構造体（ＣＯＧ）及び得られた接続構造体（ＦＯＧ）の互いに絶縁された測定用端子間に２０Ｖの電圧を印加した状態で８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて５００時間暴露した（絶縁信頼性試験）。この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が１０５Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。耐マイグレーション性を下記基準で判定した。
【０２９３】
［耐マイグレーション性の判定基準］
○○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０７Ω以上
○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体が１個以上ある
【０２９４】
（８）接続信頼性（絶縁層の接着力の評価）
得られた接続構造体において、Ｄａｙｓ社製の万能ボンドテスターシリーズ４０００を用いて、得られた接続構造体のシェア強度を測定し、接続信頼性を下記の基準で判定した。
【０２９５】
［接続信頼性の判定基準］
○○：シェア強度が、８００Ｎ／ｃｍ２以上
○：シェア強度が、６７５Ｎ／ｃｍ２以上、８００Ｎ／ｃｍ２未満
△：シェア強度が、５５０Ｎ／ｃｍ２以上、６７５Ｎ／ｃｍ２未満
×：シェア強度が、５５０Ｎ／ｃｍ２未満
【０２９６】
（９）接続構造体における硬化物層におけるボイドの有無
得られた接続構造体において、異方性導電材料層が硬化した硬化物層にボイドが生じているか否かを、光学顕微鏡により観察した。ボイドの有無を下記の基準で判定した。ボイドが無いと接続信頼性が高くなり、ボイドが少ないほど接続信頼性が高くなる。
【０２９７】
［ボイドの有無の判定基準］
○：ボイド無し
△：僅かにボイドがあるが、電極のＬ／Ｓ、ピッチ以上のボイドはなし
×：隣接する電極間以上のサイズのボイドあり
【０２９８】
（１０）電極間における導電性粒子の捕捉率（導電性粒子の配置精度）
得られた接続構造体における対向する上下の電極間に存在する導電性粒子の数を光学顕微鏡にてカウントした。導電性粒子の捕捉率を下記の基準で判定した。
【０２９９】
［導電性粒子の捕捉率の判定基準］
○：各電極間に存在する粒子が１０個以上
×：各電極間に存在する粒子が９個以下
【０３００】
（１１）導通性
得られた接続構造体を四端子法用にて、２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
【０３０１】
［導通性の判定基準］
○：全ての箇所で抵抗値が３Ω以下である
△：抵抗値が３Ωを超える箇所が１箇所以上ある
×：全く導通していない箇所が１箇所以上ある
【０３０２】
（１２）絶縁性
得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。
【０３０３】
［絶縁性の判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある
【０３０４】
（１３）熱履歴を受けた場合の接続信頼性
得られた接続構造体１００個を、−３０℃で５分間保持し、次に１２０℃まで２５分で昇温し、１２０℃で５分間保持した後、−３０℃まで２５分で降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクル後に、接続構造体を取り出した。
【０３０５】
冷熱サイクル試験後の１００個の接続構造体について、上下の電極間の導通不良が生じているか否かを評価した。１００個の接続構造体のうち、導通不良が生じている個数が１個以下である場合を「○」、２個以上、３個以下である場合を「△」、４個以上である場合を「×」と判定した。
【０３０６】
絶縁材料及び異方性導電材料の配合成分を下記の表１に示す。評価結果を下記の表２，３に示す。
【０３０７】
【表１】
【０３０８】
【表２】
【０３０９】
【表３】
【０３１０】
なお、実施例１〜５で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、８０℃で１０分かけて溶剤を乾燥除去し、厚み１５μｍのフィルムを得た。実施例１〜５で得られた絶縁材料を用いたフィルムのヘーズ値を測定したところ、いずれも２０％以下であった。
【符号の説明】
【０３１１】
１…積層体
２…第１の接続対象部材
２Ａ…第１の接続対象部材
２ａ…表面
２ｂ…第１の電極
３…硬化物層
３ａ…表面
３Ａ…異方性導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化異方性導電層
４…第２の接続対象部材
４ａ…表面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
６…絶縁層
６Ａ…絶縁層
６ＡＡ…絶縁層
６ａ…表面
１１…接続構造体
１６…第２の積層体
２１…積層体
２２…硬化物層
２２Ａ…異方性導電材料層
２２Ｂ……Ｂステージ化異方性導電層
３１…接続構造体
５１…容器
Ｘ…第１の電極間の隙間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の該第１の電極上と複数の該第１の電極間の隙間上とに、複数の該第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するための絶縁材料に関する。また、本発明は、該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、電子部品の主面上に突出して形成された突出電極を実装基板上に形成された接続用電極に接続させ、上記主面を上記実装基板に対向させた状態で上記電子部品を上記実装基板上に実装する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献１に記載の接続構造体の製造方法は、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が上記主面上に形成された上記電子部品を準備する電子部品準備工程と、上記実装基板上に、絶縁性の接着剤基材及び該接着剤基材中に分散された導電性粒子を含む異方導電接着剤層を形成する実装基板準備工程と、上記電子部品準備工程で準備された上記電子部品と上記実装基板準備工程で準備された実装基板とを加圧し圧着させる電子部品圧着工程とを備える。
【０００５】
上記電子部品準備工程では、上記電子部品の上記絶縁性接着剤層の厚みが、上記突出電極の高さと略同じに形成される。上記実装基板準備工程では、上記異方導電接着剤層の厚みが、上記導電性粒子の粒径と略同じに形成される。
【０００６】
また、特許文献１では、上記絶縁接着剤層に用いられる成分としては、反応性樹脂、潜在性硬化剤、有機溶剤、無機質充填材及びゴム粒子等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１４７２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載のような従来の接続構造体に用いられる上記電子部品では、上記絶縁接着剤層の保存安定性が低いことがある。このため、上記接続構造体を均質にかつ良好に形成できないことがある。
【０００９】
さらに、特許文献１に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、上記主面上の上記突出電極を埋め込むように絶縁性接着剤層の厚みが突起電極の高さと略同じであり、か
つ異方導電接着剤層の厚みが導電性粒子の粒径と略同じである。このため、圧着工程にて、絶縁性接着剤層及び異方導電接着剤層の流動がほとんど発生しない。従って、絶縁性接着剤層と異方導電接着剤層との間や、上記突出電極と異方導電接着剤層との間に発生したボイドを排除することが困難であり、更に絶縁信頼性を十分に得ることが困難である。
【００１０】
本発明の目的は、保存安定性に優れた積層体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明の限定的な目的は、絶縁信頼性に優れた積層体を得ることができる絶縁材料、並びに該絶縁材料を用いた積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、熱ラジカル発生剤をさらに含有する、絶縁材料が提供される。
【００１３】
本発明に係る絶縁材料のある特定の局面では、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物はそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物である。
【００１４】
本発明に係る絶縁材料のさらに他の特定の局面では、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む。
【００１５】
上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高いことが好ましい。
【００１６】
本発明に係る絶縁材料の他の特定の局面では、上記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む。
【００１７】
本発明に係る絶縁材料の別の特定の局面では、上記第１の接続対象部材は、半導体ウェーハ又は半導体チップである。
【００１８】
本発明に係る絶縁材料のさらに別の特定の局面では、上記第１の電極は銅電極である。
【００１９】
本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、該絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。
【００２０】
本発明に係る積層体のある特定の局面では、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層がさらに備えられ、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。
【００２１】
本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、該絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、該硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されており、上記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。
【００２２】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されている。
【００２３】
本発明に係る積層体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備え、上記絶縁層を上述した絶縁材料により形成する。
【００２４】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備え、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されており、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されており、上記第１の電極と上記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている上記導電性粒子との間の上記絶縁層部分を排除して、上記第１，第２の電極に上記導電性粒子を接触させ、複数の上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得る。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、熱ラジカル発生剤をさらに含有するので、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆
うように積層される絶縁層を形成して積層体を得たときに、得られた積層体の保存安定性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、図４に示す接続構造体の製造に用いられる第２の接続対象部材とＢステージ化異方性導電層とを有する第２の積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２８】
（絶縁材料）
本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は絶縁性を有する。
【００２９】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。本発明に係る絶縁材料は、熱ラジカル発生剤をさらに含有する。
【００３０】
Ｑ値とは、１９４７年にＴ．Ａｌｆｒｅｙ及びＣ．Ｐｒｉｃｅにより提唱された指標であり、モノマーにラジカルが付加したときどの程度安定化できるかという指標である。
【００３１】
Ｑ値の求め方は、スチレンのＱ値を１．００、ｅ値を−０．８０と定め、共重合の実験結果から他の単量体のＱ、ｅ値が決定される。例えば、「改訂、高分子合成の化学」大津隆行著（化学同人、１９９２年刊）の第１１１〜１１６頁に記載の方法により実験的に測定して求めることができる。また、「ＰｏｌｙｍｅｒＨａｎｄｂｏｏｋ」 Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ（１９６６）の第２６７〜２７４頁にＱ値が記載されている。
【００３２】
Ｑ値が大きく異なる熱硬化性化合物が混在すると、Ｑ値が大きい方の熱硬化性化合物のみが重合する確率が大きくなる。このため、保存時において、優先的にＱ値の大きい方の
熱硬化性化合物が反応する。例えば、Ｑ値の大きい方の熱硬化性化合物の反応に伴う粘度上昇が、Ｑ値の小さい方の熱硬化性化合物の反応に伴う粘度上昇よりも小さい場合、保存時における反応に伴う粘度上昇は、Ｑ値の小さい方の熱硬化性化合物単体の場合より抑制することができる。
【００３３】
また、一般的には重合禁止剤等を用いて上記粘度上昇を抑制することが知られているが、反応速度の減少や、絶縁信頼性、熱硬化時のボイドの原因となることがある。
【００３４】
これに対して、本発明では、熱硬化性化合物そのものにより反応性を制御しているため、硬化時、硬化後において上記不具合は生じにくい。
【００３５】
上述した組成の採用により、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成して積層体を得たときに、得られた積層体の保存安定性を高めることができる。従って、均質かつ良好な接続構造体を得ることができる。さらに、絶縁材料を用いた接続構造像体の絶縁信頼性を高めることもできる。
【００３６】
さらに、上述した組成の採用により、絶縁材料の保存安定性が高くなる結果、該絶縁層を精度よく形成できる。このことによっても、絶縁材料を用いた接続構造像体の絶縁信頼性が高くなる。
【００３７】
また、上記組成の採用により、本発明に係る絶縁材料を用いて、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の上記第１の電極上と複数の上記第１の電極間の隙間上とに、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層して積層体を得て、更に該積層体を用いて接続構造体を得たときに、得られた接続構造体において剥離が生じ難くなり、かつ耐マイグレーション性が良好になる。
【００３８】
以下、絶縁材料に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００３９】
（熱硬化性化合物）
上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有する。
【００４０】
本発明に係る絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有していてもよく、Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有していてもよい。少なくとも２種の熱硬化性化合物は、反応消費率が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含むことが好ましい。Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、反応消費率が異なる。メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なり、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なり、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とは一般にＱ値及び反応消費率が異なる。
【００４１】
上記絶縁材料に使用可能な上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、ビニル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合
物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記（メタ）アクリルは、アクリル又はメタクリルを意味する。
【００４２】
本発明に係る絶縁材料では、熱硬化性化合物の全部又は一部として、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物が用いられるか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物が用いられる。
【００４３】
メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を用いる場合に、上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよい。
【００４４】
絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなるので、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物はそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物であることが好ましい。Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物として、上記絶縁材料は、メタクリロイル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、アクリロイル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、ビニル基を有する２種以上の熱硬化性化合物を含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよく、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを含有していてもよい。
【００４５】
絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなるので、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物は、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むことが好ましい。
【００４６】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物として、架橋性化合物を用いてもよく、非架橋性化合物を用いてもよい。
【００４７】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４８】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレ
ート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４９】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物としては、例えば、上述した熱硬化性化合物の中で、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物等が用いられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、メタクリル酸であることが好ましい。また、上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、グリシジルメタクリレートのエポキシ基や、メタクリル酸のカルボキシル基を、エポキシ基、水酸基又はカルボキシル基を有する化合物と反応させることにより得られる化合物でもよい。
【００５０】
以下、上記メタアクリロイル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５１】
ベンジルメタクリレート ０．８８
ブチルメタクリレート ０．８２
エチルメタクリレート ０．７６
グリシルジメタクリレート ０．９６
イソブチルメタクリレート ０．８２
イソプロピルメタクリレート ０．９７
メチルメタクリレート ０．７８
フェニルメタクリレート １．２５
メタクリル酸 ０．９８
【００５２】
上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物としては、例えば、上述した熱硬化性化合物の中で、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物等が用いられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、メチルアクリレート、エチルアタクリレート、グリシジルアクリレート、アクリル酸であることが好ましい。また、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物は、グリシジルアクリレートのエポキシ基や、アクリル酸のカルボキシル基を、エポキシ基、水酸基又はカルボキシル基を持つ化合物と反応させることにより得られる化合物でもよい。また、エポキシアクリレート又はウレタンアクリレートが好ましい。
【００５３】
以下、上記アクリロイル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５４】
ベンジルアクリレート ０．３３
ブチルアクリレート ０．３８
エチルアクリレート ０．４１
グリシルジアクリレート ０．４８
メチルアクリレート ０．４５
アクリル酸 ０．８３
【００５５】
上記ビニル基を有する熱硬化性化合物としては、酢酸ビニル及びビニルエーテル等が挙げられる。絶縁材料及び積層体の保存安定性をより一層高める観点からは、上記ビニル基を有する熱硬化性化合物は、酢酸ビニルであることが好ましい。
【００５６】
以下、上記ビニル基を有する熱硬化性化合物のＱ値の例を挙げる。
【００５７】
酢酸ビニル ０．０２６
ビニルエーテル ０．０２９
【００５８】
上記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物と、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むことが好ましい。この場合に、上記熱硬化性化合物は、ビニル基を有する熱硬化性化合物を含まないか又は含む。メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物との併用により、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなる。
【００５９】
上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高いことが好ましい。この場合には、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層高くなる。
【００６０】
また、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、０．７以上であることが好ましく、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値は、０．５以下であることが好ましい。
【００６１】
上記メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を熱硬化性化合物Ａとする。該熱硬化性化合物Ａのうちの反応性が最も高い第１の熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化性化合物Ａのうちの該第１の熱硬化性化合物とは異なる熱硬化性化合物の含有量は好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。この好ましい含有量の下限及び上限を満足すると、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６２】
上記熱硬化性化合物Ａのうちの反応性が最も低い熱硬化性化合物を、第２の熱硬化性化合物とする。上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうちのＱ値が最も高い第１の熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうちの該第１の熱硬化性化合物とは異なる熱硬化性化合物の含有量は好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。この好ましい含有量の下限及び上限を満足すると、絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６３】
［熱ラジカル発生剤］
上記絶縁材料は熱ラジカル発生剤を含むので、電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性が高くなる。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤が使用可能である。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。
【００６４】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。
【００６５】
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’
−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル−１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボキシレート）、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、２−ｔｅｒｔ−ブチルアゾ−２−シアノプロパン、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）二水和物、及び２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００６６】
上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びＤｉｓｕｃｃｉｎｉｃ ａｃｉｄ ｐｅｒｏｘｉｄｅ等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５―ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクトエート及びｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ（２−エチルヘキシル）パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。
【００６７】
上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下である。上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度が、３０℃未満であると、絶縁材料の貯蔵安定性が低下する傾向があり、９０℃を超えると、絶縁材料を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。
【００６８】
上記熱硬化性化合物との合計１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記絶縁材料が充分に熱硬化し、かつ絶縁材料及び積層体の保存安定性がより一層良好になる。
【００６９】
［他の成分］
上記絶縁材料は、該絶縁材料を良好なフィルム状にするために、数平均分子量が９０００以上の高分子化合物を含むことが好ましい。該高分子化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７０】
上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記高分子化合物の含有量は好ましくは１
０重量部以上、より好ましくは２０重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは５０重量部以下である。
【００７１】
上記絶縁材料は溶剤を含んでいてもよい。上記第１の接続対象部材の表面上に上記絶縁材料を塗布し、乾燥により溶剤を除去して、上記絶縁層を形成してもよい。
【００７２】
上記溶剤としては、脂肪族系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、パラフィン系溶剤及び石油系溶剤等が挙げられる。
【００７３】
上記脂肪族系溶剤としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン及びエチルシクロヘキサン等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、アセトン及びメチルエチルケトン等が挙げられる。上記芳香族系溶剤としては、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記エステル系溶剤としては、酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸イソプロピル等が挙げられる。上記エーテル系溶剤としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、及びジオキサン等が挙げられる。上記アルコール系溶剤としては、エタノール及びブタノール等が挙げられる。上記パラフィン系溶剤としては、パラフィン油及びナフテン油等が挙げられる。上記石油系溶剤としては、ミネラルターペン及びナフサ等が挙げられる。上記溶剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７４】
上記溶剤を乾燥除去する温度は、用いる溶剤の種類に応じて適宜設定される。上記溶剤を乾燥除去する温度は、例えば、６０〜１３０℃程度である。上記溶剤を乾燥除去する温度が低いほど、第１の接続対象部材の熱劣化を抑制できる。
【００７５】
熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をさらに一層高める観点からは、上記絶縁材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、エラストマー粒子及びシリカ等が挙げられる。該エラストマー粒子としては、ゴム粒子が挙げられる。該ゴム粒子としては、天然ゴム粒子、イソプレンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、スチレンブタジエンゴム粒子、クロロプレンゴム粒子及びアクリロニトリルブタジエンゴム粒子等が挙げられる。上記シリカは、ナノシリカであることが好ましい。上記ナノシリカの平均粒子径は１０００ｎｍ未満である。
【００７６】
上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。
【００７７】
第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記絶縁材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、カップリング剤及び可撓性材料等が挙げられる。
【００７８】
上記絶縁材料中の溶剤を除く全成分１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【００７９】
上記絶縁材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。
【００８０】
（積層体及び積層体の製造方法）
本発明に係る積層体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材
と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える。本発明に係る積層体では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。
【００８１】
本発明に係る積層体は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備えていてもよい。該Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。
【００８２】
本発明に係る積層体の製造方法は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に、複数の上記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備える。本発明に係る積層体の製造方法では、上記絶縁層を上述した絶縁材料により形成する。
【００８３】
本発明に係る積層体の製造方法は、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層を積層する工程と、上記異方性導電材料層の溶剤を除去するか又は硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成するＢステージ化工程とをさらに備えていてもよい。
【００８４】
図１に、本発明の第１の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。
【００８５】
図１に示す積層体１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａとを備える。
【００８６】
第１の接続対象部材２は表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。絶縁層６Ａは、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに積層されている。複数の第１の電極間２ｂの隙間Ｘは、第１の電極２ｂが無い部分の凹部である。
【００８７】
絶縁層６Ａは、上述した絶縁材料により形成されている。絶縁層６Ａは、導電性粒子を含まない。絶縁層６Ａは、絶縁層６Ａに接している隣り合う複数の第１の電極２ｂ間を絶縁している。
【００８８】
突出した第１の電極２ｂの突出高さは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間Ｘの距離は、好ましくは４μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。隣り合う第１の電極２ｂ間の隙間の距離は、凹部の幅であり、第１の電極２ｂが設けられていない部分の寸法である。第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下である場合に、従来の接続構造体の製造方法では、特に絶縁層が設けられていない第１の接続対象部材を用いて接続構造体を製造すると、電極間の接続信頼性が特に低くなりやすい。これに対して、本発明に係る積層体（絶縁層付き第１の接続対象部材）を用いて、接続構造体を作製することにより、第１の電極の突出高さ及び隣り合う第１の電極間の隙間の距離が上記下限以上及び上記上限以下であっても、接続信頼性が十分に高くなる。特に、上記第１の電極間の隙間の距離が上記上限以下であっても、横方向に隣り合う第１の電極間が導電性粒子により電気的に接続されるのを効果的に抑制できる。
【００８９】
第１の接続対象部材２における突出した第１の電極２ｂ上の絶縁層６Ａの厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。
【００９０】
積層体１は、図２（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることがで
きる。ここでは、第１の接続対象部材２が半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）である場合の積層体１の製造方法を説明する。
【００９１】
図２（ａ）に示すように、複数の第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）の集合体である第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を用意する。第１の接続対象部材２Ａは表面２ａに、突出した複数の第１の電極２ｂを有する。第１の電極２ｂが上側となるように第１の接続対象部材２Ａを配置する。
【００９２】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２Ａを用いて、複数の第１の電極２ｂ上及び複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上に、複数の第１の電極２ｂを覆うように絶縁層６ＡＡ（分割前絶縁層）を積層する。絶縁層６ＡＡは上述した絶縁材料により形成する。上記絶縁材料が溶剤を含む場合には、乾燥により溶剤を除去して絶縁層６ＡＡを形成してもよい。
【００９３】
次に、図２（ｂ）に示す破線部分で、第１の接続対象部材２Ａ（半導体ウェーハ）を切断して、第１の接続対象部材２（個々の半導体チップ、分割後半導体ウェーハ）にして、積層体１を得る。絶縁層６ＡＡを第１の接続対象部材２Ａとともに切断することで、分割後絶縁層である絶縁層６Ａが得られる。
【００９４】
得られた積層体１はピックアップされ、図２（ｃ）に示すように、接続構造体の製造前に容器５１中に絶縁層６Ａ側から載せられる。このように、多くの接続構造体を製造する場合には、積層体１は容器５１中に仮保管されることが一般的である。このため、積層体１の保存安定性が高いことが好ましい。
【００９５】
本発明に係る積層体の製造方法は、上記第１の接続対象部材として半導体ウェーハを用い、上記絶縁層を形成した後、半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。
【００９６】
図６に、本発明の第２の実施形態に係る積層体を模式的に断面図で示す。
【００９７】
図６に示す積層体２１は、第１の接続対象部材２と、絶縁層６Ａと、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂとを備える。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは配置されていない。複数の第１の電極間の隙間には、Ｂステージ化異方性導電層が配置されていないことが好ましい。
【００９８】
Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料（異方性導電材料層）の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。導電性粒子５と第１の電極２ｂとの間には、絶縁層６Ａが配置されている。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層を形成した後、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成してもよく、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成してもよい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、異方性導電材料層の硬化を進行させることにより形成されていることが好ましい。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを、異方性導電材料層の溶剤を除去することにより形成する場合には、上記異方性導電材料は溶剤を含む。
【００９９】
上記異方性導電材料は、異方性導電フィルムであってもよく、異方性導電ペーストであってもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電ペーストであることが好ましい。上記異方性導電材料が異方性導電フィルムである場合に、導電性粒子を含む該異方性導電フィルムに導電性粒子を含まないフィルムが積層されて用いられてもよい。
【０１００】
積層体２１におけるＢステージ化異方性導電層２２Ｂの厚みは、導電性粒子５の平均粒子径の１．２倍以上であることが好ましく、２倍以上であることが好ましく、３倍以上であることが更に好ましく、２０倍以下であることが好ましく、１０倍以下であることがより好ましい。
【０１０１】
積層体２１は、積層体１を用いて、図７（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の積層体２１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。
【０１０２】
先ず、図７（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が下側、絶縁層６Ａが上側となるように配置する。
【０１０３】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層２２Ａを積層する。このとき、第１の電極２ｂ上に位置する絶縁層６Ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１０４】
次に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層２２Ａに光を照射して、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層２２ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図７（ｃ）に示すように、絶縁層６Ａの第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成して、積層体２１を得る。Ｂステージ化により、絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層２２Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層２２Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層２２Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを形成してもよい。
【０１０５】
上記異方性導電材料を塗布しながら、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することが好ましい。さらに、異方性導電材料の塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電材料層２２Ａに光を照射することも好ましい。塗布と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電材料層２２Ａの流動をより一層抑制できる。このため、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。異方性導電材料を配置してから、すなわち異方性導電材料層２２Ａを積層してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは１８０秒以下、より好ましくは６０秒以下である。
【０１０６】
異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは０．１〜３００ｍＷ／ｃｍ２程度である。また、異方性導電材料層２２Ａの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度である。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。
【０１０７】
（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、上記硬化物層の上記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層は、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体では、上記硬化物層は、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体では、複数の上記第１の電極と複数の上記第２の電極とは、上記導電性粒子により電気的に接続されている。
【０１０８】
本発明に係る接続構造体では、上記絶縁層が、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に積層されていてもよい。
【０１０９】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、（１）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、（２）突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の上記第１の電極上及び複数の上記第１の電極間の隙間上に複数の上記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、上記絶縁層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記Ｂステージ化異方性導電層と上記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記絶縁層が、上述した絶縁材料により形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている上記導電性粒子との間の上記絶縁層部分を排除して、上記第１，第２の電極に上記導電性粒子を接触させ、複数の上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得る。上述の積層工程において、上述の（１）の方法で積層を行ってもよく、上述の（２）の方法で積層を行ってもよい。上述の（１）の方法で積層を行うことが好ましい。
【０１１０】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数の上記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び上記第１の電極間の隙間上に上記絶縁層が積層された接続構造体を得てもよい。
【０１１１】
図３に、本発明の第１の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。
【０１１２】
図３に示す接続構造体１１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層３とを備える。図３に示す接続構造体１１は、図１に示す積層体１を用いて形成されている。
【０１１３】
絶縁層６は、複数の第１の電極２ｂ上の一部の領域と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ（凹部）上とに積層されている。第１の電極２ｂに導電性粒子５が接触している部分において、複数の第１の電極２ｂ上に絶縁層６は積層されていない。複数の第１の電極２ｂと
該第１の電極２ｂとに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６は配置されていない。
【０１１４】
硬化物層３は、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部である。硬化物層３は、絶縁層６の第１の接続対象部材２側とは反対の表面６ａ上に積層されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されている。硬化物層３は、硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させた後、本硬化させることにより形成されていることが好ましい。複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、硬化物層３は配置されていない。
【０１１５】
第２の接続対象部材４は、硬化物層３の絶縁層６側とは反対側の表面上に積層されている。第２の接続対象部材４は表面４ａに、突出した複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが対向するように、第１，第２の接続対象部材２，４が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとの間には、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されている。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとは、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。第１の電極２ｂと該第１の電極２ｂに接触している導電性粒子５との間には、絶縁層６及び硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。第２の電極４ｂと該第２の電極４ｂに接触している導電性粒子５との間には、硬化物層３中の導電性粒子５を除く成分は配置されていない。
【０１１６】
接続構造体１１は、積層体１を用いて、図４（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電材料として、光の照射により硬化可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を用いた場合の接続構造体１１の製造方法を具体的に説明する。上記光硬化性成分と上記熱硬化性成分とにかえて、光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を用いてもよい。
【０１１７】
先ず、図４（ａ）に示すように、積層体１を第１の接続対象部材２が上側、絶縁層６Ａが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４と第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層されたＢステージ化異方性導電層３Ｂとを備える第２の積層体１６を用意する。第２の積層体１６をＢステージ化異方性導電層３Ｂが上側、第２の接続対象部材４が下側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。
【０１１８】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの絶縁層６Ａ側とは反対の表面３ａ上に、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。第１の電極２ｂと導電性粒子５とは接触していない。
【０１１９】
このようにして、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層３Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層することで、絶縁信頼性が高い接続構造体１１を得ることができる。特に複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘには、導電性粒子５を含むＢステージ化異方性導電層３Ｂではなく絶縁層６Ａが配置されているので、該複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘに導電性粒子５が配置され難くなり、この結果、接続構造体１１の絶縁信頼性が高くなる。
【０１２０】
これに対して、従来の接続構造体の製造方法のように、突出した電極を表面に有する接続対象部材の表面上に異方性導電材料を直接塗布した場合には、電極間の隙間に導電性粒子が配置され、また電極上に配置された導電性粒子が流動して電極間の隙間に移動しやすい。このため、絶縁信頼性が高い接続構造体を得ることは困難である。
【０１２１】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させ、硬化物層３を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。但し、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後に、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを加熱してもよい。加熱にかえて光の照射により、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させてもよい。また、第２の接続対象部材４の積層工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させてもよい。但し、本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除することが好ましい。
【０１２２】
加熱によりＢステージ化異方性導電層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。
【０１２３】
Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを本硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。また、加圧によって、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層３Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、絶縁層６を形成することが好ましい。絶縁層６Ａは本硬化時の加熱により流動性が高くなることが好ましい。また、絶縁層６Ａは、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの本硬化時に、硬化することが好ましい。
【０１２４】
このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層３又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図３に示す接続構造体１１が得られる。
【０１２５】
なお、図４（ａ）に示されている第２の積層体１６は、図５（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１２６】
先ず、図５（ａ）に示すように、第２の電極４ｂを表面４ａに有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の電極４ｂが上側となるように、第２の接続対象部材４を配置する。
【０１２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、上記異方性導電材料を配置して、異方性導電材料層３Ａを積層する。このとき、第２の電極４ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１２８】
次に、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる。ここでは、異方性導電材料層３Ａに光を照射して、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化している（Ｂステージ化工程）。すなわち、図５（ｃ）に示すように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、Ｂステ
ージ化異方性導電層３Ｂを形成して、第２の積層体１６を得る。Ｂステージ化により、第２の接続対象部材４とＢステージ化異方性導電層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化異方性導電層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。光の照射にかえて加熱により、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させてもよい。異方性導電材料層３Ａが溶剤を含む場合に、異方性導電材料層３Ａの溶剤を除去して、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂを形成してもよい。
【０１２９】
異方性導電材料層３Ａを形成する塗布条件及び異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる光照射条件は、異方性導電材料層２２Ａの場合と同様である。
【０１３０】
図８に、本発明の第２の実施形態に係る接続構造体を模式的に断面図で示す。
【０１３１】
図８に示す接続構造体３１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、絶縁層６と、硬化物層２２とを備える。図８に示す接続構造体３１は、図６に示す積層体２１を用いて形成されている。接続構造体３１と接続構造体１１とは、硬化物層２２，３のみが異なっている。
【０１３２】
接続構造体３１は、積層体２１を用いて、図９（ａ）〜（ｃ）を用いて、以下のようにして得ることができる。
【０１３３】
先ず、図９（ａ）に示すように、積層体２１を第１の接続対象部材２が上側、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂが下側となるように配置する。また、複数の第２の電極４ｂを表面に有する第２の接続対象部材４を用意する。第２の接続対象部材４を第２の電極４ｂが上側となるように配置する。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとを対向させる。
【０１３４】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２と絶縁層６ＡとＢステージ化異方性導電層２２Ｂと第２の接続対象部材４とをこの順で積層する。第２の接続対象部材４の表面４ａ上に、積層体２１をＢステージ化異方性導電層２２Ｂ側から積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの複数の第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの複数の第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４の表面４ａ上に積層体２１を積層する。この状態では、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除していない。導電性粒子５と第１の電極２ｂとは接触していない。
【０１３５】
さらに、図９（ｃ）に示すように、積層体２１の積層の際に、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化異方性導電層２２Ｂを本硬化させ、硬化物層２２を形成する（本硬化工程）。本硬化工程において、第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除して、第１，第２の電極２ｂ，４ｂに導電性粒子５を接触させる。第１の電極２ｂとＢステージ化異方性導電層２２Ｂとの間の絶縁層６Ａ部分を排除した結果、絶縁層６が形成される。
【０１３６】
加熱によりＢステージ化異方性導電層２２Ｂを硬化させる際の加熱温度は、Ｂステージ化異方性導電層３Ｂの場合と同様である。
【０１３７】
このようにして、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層２２又は絶縁層６を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。この結果、図８に示す接続構造体３１が得られる。
【０１３８】
上述した接続構造体の製造方法では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性
導電材料を短時間で硬化させることが可能である。接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を熱の付与又は光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、異方性導電材料層又はＢステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、硬化段階で過度に流動し難くなる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。具体的には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置することができ、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのをより一層抑制できる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層高めることができる。
【０１３９】
また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電材料層を光の照射によりＢステージ化した後に、加熱して本硬化させることで、Ｂステージ化異方性導電層における硬化状態を容易にかつ精度よく制御できる。このため、Ｂステージ化異方性導電層に含まれている導電性粒子が、本硬化段階で過度に流動するのをより一層抑制できる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。このため、接続構造体における電極間の絶縁信頼性及び導通信頼性を、更に一層高めることができる。
【０１４０】
本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。
【０１４１】
本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体ウェーハ又は半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）とガラス基板とを用いることが好ましい。
【０１４２】
ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が８〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。
【０１４３】
また、ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との双方が硬い。このため、接続構造体における絶縁信頼性が低くなりやすい。これに対して、本発明では、硬い半導体チップとガラス基板とを接続した場合であっても、絶縁信頼性を十分に高めることができる。
【０１４４】
ＣＯＧ用途では、第１の接続対象部材の突出した第１の電極の表面を、絶縁層を積層する前に平坦化しておくことで、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との接続信頼性が高くなる。第１の接続対象部材の突出した第１の電極が銅電極である場合、電極のヤング率が高いため、接続時に突出した電極の変形が小さい。このため、接続構造体の複数の電極間で導電性粒子の変形量がばらつくことがあるため、第１の電極の表面を予め平坦化しておくことが好ましい。
【０１４５】
また、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、半導体ウェーハと他の接続対象部材との接続に好適に用いられる。さらに、半導体チップと他の接続
対象部材とが接続された接続構造体を得るために、半導体ウェーハと他の接続対象部材とが接続された接続構造体を得るために好適に用いられる。この場合には、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハが用いられる。特に、上記第１の接続対象部材として、半導体ウェーハを用いることが好ましい。接続構造体では、上記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハであるか、又は分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップであることが好ましい。また、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材として半導体ウェーハを用いる場合には、本発明に係る接続構造体の製造方法は、該半導体ウェーハを切断して、分割後半導体ウェーハである個々の半導体チップにする工程をさらに備えていてもよい。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記硬化物層を形成した後、上記第１の接続対象部材と上記絶縁層と上記硬化物層と上記第２の接続対象部材との積層体を切断して、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する工程をさらに備えていてもよい。
【０１４６】
上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハである場合には、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との積層時に、導電性粒子の濃度むらが発生し、隣接する電極間での絶縁性が確保しにくいという問題がある。これに対して、本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法により、上記第１の接続対象部材又は上記第２の接続対象部材が半導体ウェーハであっても、隣接する電極間での絶縁性を良好にすることができる。
【０１４７】
上記第１の接続対象部材が半導体ウェーハであり、該半導体ウェーハをダイシング等により個片化する場合、上記絶縁層は透明であることが好ましい。半導体ウェーハ上に形成する上記絶縁層の厚みにて、絶縁層のヘーズ値は好ましくは６０％以下、より好ましくは２０％以下である。ヘーズ値は、目的の厚みとなる絶縁層のフィルムを作製し、ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠して、該フィルムを用いた透過率測定により得られたＴｈ＝Ｔｄ／Ｔｔ（Ｔｄは散乱光線透過率、Ｔｔは全光線透過率）により求めることができる。
【０１４８】
上記異方性導電材料の測定温度範囲６０〜１５０℃での最低溶融粘度η２は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下である。上記最低溶融粘度η２の測定温度範囲は、より好ましくは６０〜１２０℃、更に好ましくは７０〜１００℃である。上記最低溶融粘度η２が１Ｐａ・ｓ未満であると、樹脂の流出によりボイドが発生しやすくなる傾向がある。上記最低溶融粘度η２が上記上限以下であると、絶縁信頼性及び導通信頼性がより一層高くなる。
【０１４９】
上記最低溶融粘度は、レオメーターを用いて、最低複素粘度η＊を測定することにより求められる。測定条件は、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃とする。
【０１５０】
上記レオメーターとしては、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等が挙げられる。
【０１５１】
上記絶縁層の最低溶融粘度よりも、上記異方性導電材料の最低溶融粘度の方が高いことが好ましい。上記絶縁層の最低溶融粘度は、好ましくは１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは７０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以下である。上記異方性導電材料の最低溶融粘度は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは５００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度との差の絶対値は、好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上である。上記絶縁層の最低溶融粘度と上記異方性導電材料の最低溶融粘度とが
好ましい上記値を示すと、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記異方性導電材料の最低溶融粘度よりも、上記絶縁層の最低溶融粘度の方が高い場合、上記異方性導電材料の最低溶融温度が上記下限以上及び上記上限以下であれば、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５２】
上記異方性導電材料の最低溶融温度よりも、上記絶縁層の最低溶融温度の方が低いことが好ましい。上記絶縁層の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１１０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。上記異方性導電材料の最低溶融温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。上記絶縁層の最低溶融温度と上記異方性導電材料の最低溶融温度とが上記下限以上及び上記上限以下であると、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。上記最低溶融温度とは、上記最低溶融粘度を示す温度である。
【０１５３】
上記異方性導電材料の上記最低溶融粘度を示す温度での１Ｈｚにおける粘度η２（Ｐａ・ｓ）の最低溶融粘度を示す温度での１０Ｈｚにおける粘度η３（Ｐａ・ｓ）に対する粘度比（η２／η３）は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、更に好ましくは４以上である。上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層により一層ボイドが生じ難くなる。上記粘度比（η２／η３）が３以上であると、硬化物層にボイドがかなり生じ難くなる。
【０１５４】
さらに、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化前又は硬化時に上記異方性導電材料が意図せずに濡れ拡がるのを抑制でき、接続構造体における汚染が生じ難くなる。従って、上記粘度比（η２／η３）が上記下限以上であると、硬化物層におけるボイドの抑制と上記異方性導電材料層又は上記Ｂステージ化異方性導電層の流動による汚染の抑制との双方の効果を得ることができる。上記粘度比（η２／η３）の上限は特に限定されないが、上記粘度比（η２／η３）は、８以下であることが好ましい。
【０１５５】
上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱ピーク温度に関しては、上記異方性導電材料の発熱ピーク温度よりも、上記絶縁層の発熱ピーク温度の方が高いことが好ましい。上記異方性導電材料の発熱ピーク温度と上記絶縁層の発熱ピーク温度との差の絶対値は、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上である。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５６】
上記絶縁層と上記異方性導電材料とのＤＳＣ（示差走査熱量測定）による発熱に関しては、上記異方性導電材料の発熱よりも、上記絶縁層の発熱の方が小さいことが好ましい。これにより、ボイドの排出性及び導電性粒子の捕捉率が良くなる。
【０１５７】
硬化した絶縁層及び異方導電材料が硬化した硬化物層の弾性率は、２５℃で好ましくは１００ＭＰａ以上、好ましくは４ＧＰａ以下であり、更に８５℃で好ましくは１０ＭＰａ以上、好ましくは３ＧＰａ以下である。上記弾性率が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続信頼性が高くなる。
【０１５８】
硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層のガラス転移温度Ｔｇはそれぞれ、好ましくは６０℃以上、好ましくは１８０℃以下である。上記ガラス転移温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。
【０１５９】
硬化した絶縁層及び上記異方導電ペーストが硬化した硬化物層の−３０℃〜８５℃の平
均熱膨張係数は、好ましくは１１０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下である。上記平均熱膨張係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性が高くなる。
【０１６０】
上記弾性率及び上記Ｔｇは、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／ｍｉｎ、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定される。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移点）とする。
【０１６１】
上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、異方性導電材料に光を照射してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料を加熱してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法等が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。上記Ｂステージ化工程において、光の照射により、上記異方性導電材料の硬化を進行させて、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、上記本硬化工程において、加熱により、上記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させることが好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電材料を短時間で効率的に硬化させることができる。
【０１６２】
さらに、上記異方性導電材料を硬化させる方法としては、異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に光を照射して本硬化させる方法、並びに異方性導電材料の溶剤を除去してＢステージ化した後、更に加熱して本硬化させる方法も挙げられる。
【０１６３】
上記異方性導電材料は、加熱により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【０１６４】
上記異方性導電材料は、光の照射により硬化可能な異方性導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【０１６５】
また、上記異方性導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物と、加熱により硬化可能な硬化性化合物とを含むことが好ましい。この場合には、光の照射により異方性導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、異方性導電材料の流動性を低下させた後、加熱により異方性導電材料を容易に本硬化させることができる。上記異方性導電材料に含まれる上記硬化性成分は、光の照射により可能な光硬化性成分と加熱により硬化可能な熱硬化性成分とを含むか、又は光の照射と加熱との双方により硬化可能な光及び熱硬化性成分を含むことが好ましい。
【０１６６】
（異方性導電材料）
以下、上記異方性導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。
【０１６７】
［硬化性化合物］
上記異方性導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。該硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用い
られてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６８】
上記硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６９】
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７０】
上記硬化性化合物は、チイラン基を有する硬化性化合物を含有することがより好ましい。上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。
【０１７１】
上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環の種類としては、上述した芳香族環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。
【０１７２】
上記異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と該エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。
【０１７３】
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７４】
上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した異方性導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。
【０１７５】
Ｂステージ化した異方性導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。
【０１７６】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。
【０１７７】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。
【０１７８】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【０１７９】
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。
【０１８０】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【０１８１】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１８２】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【０１８３】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。該架橋性化合物及び非架橋性化合物としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した架橋性化合物及び非架橋性化合物が挙げられる。
【０１８４】
熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。
上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【０１８５】
［熱硬化剤］
上記異方性導電材料は、熱硬化成分である熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１８６】
異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させる観点からは、上記異方性導電材料は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤、アミン硬化剤又は熱カチオン硬化剤を含むことが好ましい。
【０１８７】
また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１８８】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１８９】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１９０】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１９１】
上記熱カチオン硬化剤として、ヨードニウム塩やスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記熱カチオン硬化剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌや、ＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。
【０１９２】
好ましい熱カチオン硬化剤のアニオン部分としては、ＳｂＦ６、ＰＦ６、ＢＦ４、及びＢ（Ｃ６Ｆ５）４が挙げられる。
【０１９３】
電極間の導通信頼性及び接続構造体の高温高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、熱ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種
を生成する化合物を意味する。
【０１９４】
上記熱ラジカル発生剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した熱ラジカル発生剤が挙げられる。
【０１９５】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。
【０１９６】
上記熱硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料が充分に熱硬化する。
【０１９７】
［光硬化開始剤］
上記異方性導電材料は、光硬化成分である光硬化開始剤を含むことが好ましい。該光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１９８】
上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。上記光硬化開始剤として、光カチオン開始剤も挙げられる。
【０１９９】
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【０２００】
上記異方性導電材料は、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。光カチオン開始剤の使用により、光照射後の異方性導電材料の硬化を速やかに進行させることができる。さらに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電材料層部分も、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。
【０２０１】
上記光カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系光カチオン硬化剤、オキソニウム系光カチオン硬化剤及びスルホニウム系光カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート）等が挙げられる。上記オキソニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリ−ｐ−トリルスルホニウム
ヘキサフルオロホスファート及びトリフェニルスルホニウムブロミド等が挙げられる。なかでも、異方性導電材料の硬化性をより一層良好にし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、スルホニウム系光カチオン硬化剤が好ましい。
【０２０２】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量（光硬化開始剤が光カチオン開始剤である場合には光カチオン開始剤の含有量）は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。異方性導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。
【０２０３】
［導電性粒子］
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電層の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記導電層は特に限定されない。上記導電層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する導電層等が挙げられる。
【０２０４】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも外側の表面が低融点金属層である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。また、上記金属粒子が、低融点金属であってもよい。
【０２０５】
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は３００℃以下であることが好ましい。低融点金属は、加熱により溶融して電極に接合し、電極間を導通させる役割を有する。
【０２０６】
上記低融点金属を構成する低融点金属は特に限定されないが、錫、又は錫を含有する合金であることが好ましい。上記合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金及び錫−亜鉛合金等が挙げられる。上記低融点金属層は錫を含むことが好ましい。低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。なかでも、各電極材料に対し濡れ性が優れることから、低融点金属は、錫、錫−銀合金又は錫−銀−銅合金であることが好ましい。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０２０７】
また、上記低融点金属層は、はんだ層であることが好ましい。上記はんだ層を構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶剤用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶可材であることが好ましい。上記はんだ層の組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点
で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだ層は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ層、又は錫とビスマスとを含むはんだ層であることが好ましい。
【０２０８】
更に、上記低融点金属と電極との接合強度を向上させるために、上記低融点金属に、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含有させてもよい。なかでも、上記低融点金属と電極との接合強度を向上させる効果に優れていることから、上記低融点金属に、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛を含有させることが好適である。低融点金属層と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属層１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０２０９】
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層（はんだ層など）との間に、上記低融点金属層とは別に第２の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。
【０２１０】
上記低融点金属層とは別の上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２１１】
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第２の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。
【０２１２】
上記低融点金属層の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、好ましくは４００００ｎｍ以下、より好ましくは３００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下、特に好ましくは１００００ｎｍ以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。
【０２１３】
導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは４００００ｎｍ以下、より好ましくは３００００ｎｍ以下、更に好ましくは２００００ｎｍ以下、特に好ましくは
１００００ｎｍ以下である。
【０２１４】
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼
性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが特に好ましく、１μｍ以上、４μｍ以下であることが最も好ましい。
【０２１５】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０２１６】
上記導電性粒子の２３℃での圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、好ましくは１ＧＰａ以上、より好ましくは２ＧＰａ以上、好ましくは７ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。上記導電性粒子の圧縮回復率は、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下である。
【０２１７】
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【０２１８】
（他の成分）
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
【０２１９】
上記異方性導電材料は、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２２０】
上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。
【０２２１】
上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した溶剤等が挙げられる。
【０２２２】
上記異方性導電材料は、チクソ付与剤を含むことが好ましい。該チクソ付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述したチクソ付与剤が挙げられる。
【０２２３】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記チクソ付与剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。上記チクソ付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性がより一層高くなる。
【０２２４】
第１，第２の接続対象部材の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記異方性導電
材料は、接着付与剤を含むことが好ましい。該接着付与剤としては、上記絶縁材料に使用可能な上述した接着付与剤等が挙げられる。
【０２２５】
上記異方性導電材料１００重量％中、上記接着付与剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記接着付与剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、第１，第２の接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０２２６】
上記異方性導電材料は、不純物イオンを低減する目的で、イオントラッパー等を含んでいてもよい。
【０２２７】
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０２２８】
実施例及び比較例では、絶縁材料に以下の成分を用いた。
【０２２９】
［熱硬化性化合物］
メチルメタクリレート
エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）
ウレタンアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ８８０４」）
６官能アクリレート（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０」）
エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート（新中村化学工業社製「ＢＰＥ−１００」）
トリメチロールプロパントリメタクリレート（新中村化学工業社製「ＴＭＰＴ」）
【０２３０】
［熱ラジカル発生剤］
有機過酸化物（日油社製「パーブチルＯ」）
【０２３１】
［溶剤］
メチルエチルケトン
【０２３２】
また、実施例及び比較例では、異方性導電材料に以下の成分を用いた。
【０２３３】
［熱硬化性化合物］
下記式（Ｙ１）で表される構造を有するエピスルフィド化合物Ｙ１
【０２３４】
【化１】
【０２３５】
下記式（Ｙ２）で表されるエピスルフィド化合物Ｙ２
【０２３６】
【化２】
【０２３７】
ＥＰ−３３００Ｐ（ＡＤＥＫＡ社製、可撓性エポキシ樹脂）
【０２３８】
［光硬化性化合物］
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２（ダイセル・サイテック社製、脂肪酸変性エポキシアクリレート）
ＥＢＥＣＲＹＬ３７０８（ダイセル・サイテック社製、カプロラクトン変性エポキシアクリレート）
４ＨＢＡＧＥ（日本化成社製、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル）
【０２３９】
［熱硬化剤］
ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ（日本曹達社製、包摂イミダゾール）
【０２４０】
［光硬化開始剤］
イルガキュア８１９（ＢＡＳＦ社製）
【０２４１】
［接着付与剤］
ＫＢＥ−４０２（信越化学工業社製、シランカップリング剤）
【０２４２】
［フィラー］
表面メチル処理シリカ（平均粒径０．７ｍｍ、トクヤマ社製）
【０２４３】
［チクソ付与剤］
ナノシリカＰＭ２０Ｌ（トクヤマ社製）
【０２４４】
［柔軟性粒子］
ＫＷ−８８００（三菱レイヨン社製、コアシェル粒子）
【０２４５】
［溶剤］
エチレングリコールジアセテート
【０２４６】
［導電性粒子］
導電性粒子Ａ〜Ｄはいずれも、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。また、導電性粒子Ａ〜Ｄの平均粒子径及び１０％Ｋ値は以下の通りである。
【０２４７】
導電性粒子Ａ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：４．５ＧＰａ）
導電性粒子Ｂ（平均粒子径３μｍ、１０％Ｋ値：５．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｃ（平均粒子径５μｍ、１０％Ｋ値：３．２ＧＰａ）
導電性粒子Ｄ（平均粒子径７μｍ、１０％Ｋ値：２．８ＧＰａ）
【０２４８】
（実施例１）
（１）絶縁材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで１０分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、絶縁材料を得た。
【０２４９】
（２）異方性導電材料の調製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、異方性導電材料（異方性導電ペースト）を得た。
【０２５０】
（３）第１の積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２５１】
その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ、第１の接続対象部材）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層とを有する第１の積層体を得た。
【０２５２】
（４）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成し、第２の積層体を得た。
【０２５３】
次に、得られた第２の積層体のＢステージ化異方性導電層のガラス基板側と反対の表面上に、得られた第１の積層体を絶縁層側から電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。
【０２５４】
（実施例２〜５）
絶縁材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁材料を得た。得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５５】
（実施例６〜８）
異方性導電材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５６】
（実施例９）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて１０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５７】
（実施例１０）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０２５８】
（実施例１１）
（１）異方性導電材料の調製
異方性導電材料の調製の際に、エチレングリコールジアセテート１００重量部をさらに配合したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電材料を得た。
【０２５９】
（２）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。その後、実施例１と同様にして、絶縁層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。
【０２６０】
（３）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板（第２の接続対象部材）を用意した。該ガラス基板上に、得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。８０℃で１０分溶剤を乾燥することで異方性導電材料層の溶剤を除去し、Ｂステージ化異方性導電層を形成し、第２の積層体を得た。得られた積層体及び第２の積層体を用いて、実施例１と同様にして接続構造体を得た。
【０２６１】
（比較例１）
縁材料の調製の際に、配合成分の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、絶縁材料を得た。得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。その後、実施例１と同様にして絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、第１の積層体を得た。
【０２６２】
得られた第１の積層体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を作製した。
【０２６３】
（実施例１２）
（１）積層体の作製
バンプサイズが２０μｍ×１００μｍ、ピッチが３０μｍである銅バンプ（突出した電極、高さ１２μｍ）を上面に有する半導体ウェーハ（厚み４００μｍ）を用意した。この半導体ウェーハの上面全面に、実施例１で得られた絶縁材料をスピンコートにより塗布した。その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥し、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、複数の電極を覆うように絶縁層を形成した。突出した電極上の絶縁層の厚みは４μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２６４】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した。
【０２６５】
次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、異方性導電材料層に上方から紫外線を３秒間照射し、光重合によって異方性導電材料層の硬化を進行させ、Ｂステージ化（半硬化）してＢステージ化異方性導電層を形成した。
【０２６６】
その後、ダイサー（ＤＩＳＣＯ社製 ＤＦＤ６３６１）を用いて、絶縁層及びＢステージ化異方性導電層付き半導体ウェーハをダイシングし、１５ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４１５ｍｍの大きさに個片化した。このようにして、突出した複数の電極を上面に有する半導体チップ（分割後半導体ウェーハ）と、複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに絶縁層と、該絶縁層上にＢステージ化異方性導電層とを有する積層体を得た。
【０２６７】
（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／１０μｍのＩＴＯ電極を上面に有するガラス基板を用意した。
【０２６８】
次に、上記ガラス基板上に、得られた積層体をＢステージ化異方性導電層側から、電極／バンプ同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ化異方性導電層の温度が１９０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの絶縁層側とは反対の表面上に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけてＢステージ化異方性導電層を１９０℃で２０秒硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体では、第１の電極上の一部の領域にも絶縁層が配置されていた。
【０２６９】
（実施例１３）
実施例２で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７０】
（実施例１４）
実施例３で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７１】
（実施例１５）
実施例４で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７２】
（実施例１６）
実施例５で得られた絶縁材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７３】
（実施例１７）
実施例６で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７４】
（実施例１８）
実施例７で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７５】
（実施例１９）
実施例８で得られた異方性導電材料を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７６】
（実施例２０）
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２７７】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を厚さ２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。
【０２７８】
得られた積層体を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２７９】
（実施例２１）
半導体ウェーハにおけるバンプの材質を銅から、金に変更したこと以外は実施例１２と同様にして、接続構造体を得た。
【０２８０】
（実施例２２）
（１）積層体の作製
実施例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、実施例１で用いた半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、突出した複数の電極上と該複数の電極間の隙間上とに、突出した複数の電極を覆うように、絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。突出した電極上の絶縁層の厚みは３μｍ、突出した複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１５μｍであった。
【０２８１】
上記絶縁層上に、実施例１で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例１２と同様にして接続構造体を得た。
【０２８２】
（比較例２）
比較例１で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、その後、８０℃オーブン内にて２０分間溶剤を乾燥しフィルム化した。このフィルムを、半導体ウェーハに８０℃で真空ラミネートして、複数の電極上に絶縁層を形成せずに、複数の電極間の隙間上にのみ絶縁層を形成した半導体ウェーハを得た。複数の電極間の隙間上の絶縁層の厚みは１２μｍであった。
【０２８３】
上記絶縁層上に、実施例１２で得られた異方性導電材料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにスクリーン印刷により塗工し、異方性導電材料層を形成した後、実施例１２と同様にして積層体を得た。得られた積層体を用いたこと以外は実施例１２と同様にして、接
続構造体を作製した。
【０２８４】
（評価）
（１）絶縁材料の保存安定性
調製直後の絶縁材料を２５℃で１ヶ月放置した。放置前後の絶縁材料の８０℃における溶融粘度の変化から、絶縁材料の保存安定性を評価した。レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて溶融粘度を測定し、絶縁材料の保存安定性を下記の基準で判定した。
【０２８５】
［絶縁材料の保存安定性の判定基準］
○○：溶融粘度が１倍以上、１．５倍未満
○： 溶融粘度が１．５倍以上、２．０倍未満
×：溶融粘度が２．０倍以上
【０２８６】
（２）積層体の保存安定性
作成直後の積層体を２３℃で６７２時間放置した。上記積層体を用い、実施例及び比較例の接続構造体を作製した。下記（１０）電極間における導電性粒子の捕捉率（導電性粒子の配置精度）を測定し、積層体の保存案安定性を下記の基準で判定した。
【０２８７】
［積層体の保存安定性の判定基準］
○：各電極間に存在する粒子が１０個以上
×：各電極間に存在する粒子が９個以下
【０２８８】
（３）異方性導電材料の室温での粘度
Ｅ型粘度測定装置（東機産業社製、商品名：ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２、使用ローター：φ１５ｍｍ、温度：２５℃）を用いて、１０ｒｐｍ及び２５℃での異方性導電材料の粘度η１（１０ｒｐｍ）を測定した。また、同様に１ｒｐｍ条件下での粘度η１（１ｒｐｍ）を測定し、粘度比（η１（１ｒｐｍ）／η１（１０ｒｐｍ））を求めた。
【０２８９】
（４）Ｂステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）の最低溶融粘度η２及び上記粘度比（η２／η３）
レオメーター（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製「ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ」）を用いて、測定条件：歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲６０〜１５０℃にて、積層体又は接続構造体の作製時のＢステージ化された異方性導電材料（Ｂステージ化異方性導電層）の最低溶融粘度η２及び最低溶融粘度を示す温度を測定した。また、周波数を１０Ｈｚにしたこと以外は上記と同様に粘度測定を行い、上記最低溶融粘度を示す温度での最低溶融粘度η３を測定し、上記粘度比（η２／η３）を求めた。
【０２９０】
（５）異方性導電材料が硬化した硬化物層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇ
接続構造体における異方性導電材料層が硬化した硬化物層及び硬化した絶縁層の２５℃での弾性率及びガラス転移温度Ｔｇは、幅３ｍｍ×長さ１５ｍｍ×厚み０．１ｍｍのサンプルを作成し、粘弾性測定機ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用い、昇温速度５℃／ｍｉｎ、変形率０．１％及び１０Ｈｚの条件で測定した。ｔａｎδのピーク時の温度をＴｇ（ガラス転移温度）とした。
【０２９１】
（６）絶縁層の凹み及び凹み最大深さ
第１の接続対象部材において、突出した複数の第１の電極間の隙間（凹部）上で絶縁層の上面が凹んでいるか否かを評価した。凹んでいる場合には、該凹み最大深さを測定した。測定は、レーザー顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−８７００」）を用いた。
【０２９２】
（７）耐マイグレーション性
得られた接続構造体（ＣＯＧ）及び得られた接続構造体（ＦＯＧ）の互いに絶縁された測定用端子間に２０Ｖの電圧を印加した状態で８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて５００時間暴露した（絶縁信頼性試験）。この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が１０５Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。耐マイグレーション性を下記基準で判定した。
【０２９３】
［耐マイグレーション性の判定基準］
○○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０７Ω以上
○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体が１個以上ある
【０２９４】
（８）接続信頼性（絶縁層の接着力の評価）
得られた接続構造体において、Ｄａｙｓ社製の万能ボンドテスターシリーズ４０００を用いて、得られた接続構造体のシェア強度を測定し、接続信頼性を下記の基準で判定した。
【０２９５】
［接続信頼性の判定基準］
○○：シェア強度が、８００Ｎ／ｃｍ２以上
○：シェア強度が、６７５Ｎ／ｃｍ２以上、８００Ｎ／ｃｍ２未満
△：シェア強度が、５５０Ｎ／ｃｍ２以上、６７５Ｎ／ｃｍ２未満
×：シェア強度が、５５０Ｎ／ｃｍ２未満
【０２９６】
（９）接続構造体における硬化物層におけるボイドの有無
得られた接続構造体において、異方性導電材料層が硬化した硬化物層にボイドが生じているか否かを、光学顕微鏡により観察した。ボイドの有無を下記の基準で判定した。ボイドが無いと接続信頼性が高くなり、ボイドが少ないほど接続信頼性が高くなる。
【０２９７】
［ボイドの有無の判定基準］
○：ボイド無し
△：僅かにボイドがあるが、電極のＬ／Ｓ、ピッチ以上のボイドはなし
×：隣接する電極間以上のサイズのボイドあり
【０２９８】
（１０）電極間における導電性粒子の捕捉率（導電性粒子の配置精度）
得られた接続構造体における対向する上下の電極間に存在する導電性粒子の数を光学顕微鏡にてカウントした。導電性粒子の捕捉率を下記の基準で判定した。
【０２９９】
［導電性粒子の捕捉率の判定基準］
○：各電極間に存在する粒子が１０個以上
×：各電極間に存在する粒子が９個以下
【０３００】
（１１）導通性
得られた接続構造体を四端子法用にて、２０箇所の抵抗値を４端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
【０３０１】
［導通性の判定基準］
○：全ての箇所で抵抗値が３Ω以下である
△：抵抗値が３Ωを超える箇所が１箇所以上ある
×：全く導通していない箇所が１箇所以上ある
【０３０２】
（１２）絶縁性
得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。
【０３０３】
［絶縁性の判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある
【０３０４】
（１３）熱履歴を受けた場合の接続信頼性
得られた接続構造体１００個を、−３０℃で５分間保持し、次に１２０℃まで２５分で昇温し、１２０℃で５分間保持した後、−３０℃まで２５分で降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクル後に、接続構造体を取り出した。
【０３０５】
冷熱サイクル試験後の１００個の接続構造体について、上下の電極間の導通不良が生じているか否かを評価した。１００個の接続構造体のうち、導通不良が生じている個数が１個以下である場合を「○」、２個以上、３個以下である場合を「△」、４個以上である場合を「×」と判定した。
【０３０６】
絶縁材料及び異方性導電材料の配合成分を下記の表１に示す。評価結果を下記の表２，３に示す。
【０３０７】
【表１】
【０３０８】
【表２】
【０３０９】
【表３】
【０３１０】
なお、実施例１〜５で得られた絶縁材料を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、８０℃で１０分かけて溶剤を乾燥除去し、厚み１５μｍのフィルムを得た。実施例１〜５で得られた絶縁材料を用いたフィルムのヘーズ値を測定したところ、いずれも２０％以下であった。
【符号の説明】
【０３１１】
１…積層体
２…第１の接続対象部材
２Ａ…第１の接続対象部材
２ａ…表面
２ｂ…第１の電極
３…硬化物層
３ａ…表面
３Ａ…異方性導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化異方性導電層
４…第２の接続対象部材
４ａ…表面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
６…絶縁層
６Ａ…絶縁層
６ＡＡ…絶縁層
６ａ…表面
１１…接続構造体
１６…第２の積層体
２１…積層体
２２…硬化物層
２２Ａ…異方性導電材料層
２２Ｂ……Ｂステージ化異方性導電層
３１…接続構造体
５１…容器
Ｘ…第１の電極間の隙間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、
メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、
熱ラジカル発生剤をさらに含有する、絶縁材料。
【請求項２】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物がそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物である、請求項１に記載の絶縁材料。
【請求項３】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む、請求項１又は２に記載の絶縁材料。
【請求項４】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高い、請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項５】
前記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項６】
前記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハ又は半導体チップである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項７】
前記第１の電極が銅電極である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項８】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されている、積層体。
【請求項９】
前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備え、
前記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている、請求項８に記載の積層体。
【請求項１０】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
複数の前記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、
前記硬化物層の前記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の
電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されており、
前記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、
複数の前記第１の電極と複数の前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１１】
前記絶縁層が、複数の前記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び前記第１の電極間の隙間上に積層されている、請求項１０に記載の接続構造体。
【請求項１２】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備え、
前記絶縁層を、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成する、積層体の製造方法。
【請求項１３】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、前記第１の接続対象部材と前記絶縁層と前記Ｂステージ化異方性導電層と前記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、前記第１の接続対象部材と前記絶縁層と前記Ｂステージ化異方性導電層と前記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、
前記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されており、
前記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されており、
前記第１の電極と前記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている前記導電性粒子との間の前記絶縁層部分を排除して、前記第１，第２の電極に前記導電性粒子を接触させ、複数の前記第１の電極間の隙間上に前記絶縁層が積層された接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【請求項１】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材において、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層される絶縁層を形成するために用いられる絶縁材料であって、
メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、及びビニル基を有する熱硬化性化合物からなる群から選択された少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有するか、又はＱ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物を含有し、
熱ラジカル発生剤をさらに含有する、絶縁材料。
【請求項２】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物がそれぞれ、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物、アクリロイル基を有する熱硬化性化合物、又はビニル基を有する熱硬化性化合物である、請求項１に記載の絶縁材料。
【請求項３】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含むか、又はアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とビニル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む、請求項１又は２に記載の絶縁材料。
【請求項４】
前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も高い第１の熱硬化性化合物のＱ値は、前記Ｑ値が異なる少なくとも２種の熱硬化性化合物のうち、Ｑ値が最も低い第２の熱硬化性化合物のＱ値よりも０．１以上高い、請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項５】
前記熱硬化性化合物が、メタクリロイル基を有する熱硬化性化合物とアクリロイル基を有する熱硬化性化合物とを少なくとも含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項６】
前記第１の接続対象部材が、半導体ウェーハ又は半導体チップである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項７】
前記第１の電極が銅電極である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁材料。
【請求項８】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されている、積層体。
【請求項９】
前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層をさらに備え、
前記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されている、請求項８に記載の積層体。
【請求項１０】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
複数の前記第１の電極間の隙間上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層された硬化物層と、
前記硬化物層の前記絶縁層側とは反対側の表面上に積層されており、かつ複数の第２の
電極を表面に有する第２の接続対象部材とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されており、
前記硬化物層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料を本硬化させることにより形成されており、
複数の前記第１の電極と複数の前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
【請求項１１】
前記絶縁層が、複数の前記第１の電極上の少なくとも一部の領域及び前記第１の電極間の隙間上に積層されている、請求項１０に記載の接続構造体。
【請求項１２】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材を用いて、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に、複数の前記第１の電極を覆うように絶縁層を積層する工程を備え、
前記絶縁層を、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成する、積層体の製造方法。
【請求項１３】
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と該第２の接続対象部材の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える第２の積層体とを用いて、前記第１の接続対象部材と前記絶縁層と前記Ｂステージ化異方性導電層と前記第２の接続対象部材とをこの順で積層するか、又は、
突出した複数の第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、複数の前記第１の電極上及び複数の前記第１の電極間の隙間上に複数の前記第１の電極を覆うように積層された絶縁層と、前記絶縁層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に積層されたＢステージ化異方性導電層とを備える積層体と、複数の第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材とを用いて、前記第１の接続対象部材と前記絶縁層と前記Ｂステージ化異方性導電層と前記第２の接続対象部材とをこの順で積層する工程と、
前記Ｂステージ化異方性導電層を本硬化させて硬化物層を形成し、該硬化物層により前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続する本硬化工程とを備え、
前記絶縁層が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁材料により形成されており、
前記Ｂステージ化異方性導電層が、硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いて、該異方性導電材料の溶剤を除去するか又は硬化を進行させることにより形成されており、
前記第１の電極と前記Ｂステージ化異方性導電層に含まれている前記導電性粒子との間の前記絶縁層部分を排除して、前記第１，第２の電極に前記導電性粒子を接触させ、複数の前記第１の電極間の隙間上に前記絶縁層が積層された接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−５８４１２（Ｐ２０１３−５８４１２Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９６５３５（Ｐ２０１１−１９６５３５）
【出願日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
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