説明

緩衝体

【課題】電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供する。
【解決手段】緩衝体11は、筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる。緩衝体11は、ゴム状弾性体15で構成され、ネジが挿通される挿通孔12を有する本体13と、挿通孔12と本体13の周縁との間に設けられ、緩衝体11がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部14とを備える。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば携帯電子機器における、電子回路基板の筐体への取り付けの際に用いられる緩衝体に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電子機器、例えばデジタルカメラ、携帯電話、及びノート型パーソナルコンピュータにおいて、電子回路基板は、ネジによって筐体のボスに固定されている。携帯電子機器では、電子回路上に設けられた電子部品の帯電を防ぐために、電子回路に設けられたアース回路がネジを用いて筐体に接地されている。携帯電子機器には、該電子機器の取着及び載置が頻繁であるとともに携帯されることから、据え置き型の電子機器と異なり、例えば落下の衝撃などに対する高い耐久性が要求されている。
【0003】
従来のネジで筐体に固定された電子回路基板では、ネジ及びボスが衝撃の緩衝性を有しないことから、例えば携帯電子機器の落下時の衝撃の際にネジを通って強い衝撃が筐体から電子回路基板に伝わり、該基板の割れ、又は基板における半田付け部分の損傷が起こって携帯電子機器が故障し易いという問題があった。更に、携帯電子機器の小型化及び薄型化に伴い、電子回路基板に設けられている電子回路が微細化されている。そのため、筐体自身が有する歪み、又は携帯電子機器の使用に伴って生じる筐体の歪みに起因して電子回路基板に歪み又は反りが発生し、該基板の割れ、又は基板における半田付け部分の損傷が起こって携帯電子機器が故障し易いという問題もあった。また、電子回路基板のアース回路と、金属で形成された筐体のボスとがネジで電気的に接続される場合には、金属に起因してアース回路とボスとが硬いことから、アース回路とボスとの接続が、電子回路基板及びボスの表面の平面性及びそれらの平行の程度、及び各部品の厚みの精度、さらにはネジの締め付けトルクの影響を受ける。そのため、アース回路とボスとを確実に接続することができない場合があった。以上のことから、電子回路基板への応力を緩和し、さらに簡便で確実に設置可能な緩衝体が求められていた。
【0004】
特許文献1では、弾性を有するメッシュ状の金属線により形成され、導電性を有する緩衝体が開示されている。特許文献2には、例えば金属線のメッシュにより表面に導電処理が施された緩衝体が開示されている。特許文献3には、緩衝性及び導電性を備える材料、例えば導電性粒子が分散されているゴムにより形成された緩衝体が開示されている。
【0005】
しかしながら、特許文献1に記載の緩衝体は、高い剛性を有する金属線により形成されていることから、該緩衝体には、その緩衝性が低いという問題があった。また、緩衝体を介して電子回路基板がボスに固定される際に、ネジが緩衝体内を挿通される。このとき、特許文献3に記載の緩衝体には、ネジと導電性粒子とが接触することによって導電性粒子が緩衝体から脱落し、該脱落した導電性粒子に起因する電子回路の短絡、及び緩衝体の導電性の低下が起こるという問題があった。更に、特許文献1〜3に記載の緩衝体には、以下の問題があった。即ち、緩衝体は、その表面全体にわたって導電性を有していることから、緩衝体が電子回路基板とボスとの間に設けられた際には、電子回路基板上の電子回路と緩衝体とが接触してリーク電流が発生するおそれがある。そのため、電子回路基板において緩衝体に対応する個所の近傍に回路素子を設けることができず、電子回路の微細化が困難である。
【特許文献1】特開2005−302789号公報
【特許文献2】特開2002−57475号公報
【特許文献3】特開2006−270834号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる緩衝体であって、ゴム状弾性体で構成され、前記ネジが挿通される挿通孔を有する本体と、前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部とを備える緩衝体を提供する。
【0008】
請求項2に記載の発明は、前記導電部が本体の表面から突出している請求項1に記載の緩衝体を提供する。
請求項3に記載の発明は、前記挿通孔及び本体の周縁の間に設けられ、該本体の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項1又は請求項2に記載の緩衝体を提供する。
【0009】
請求項4に記載の発明は、前記本体に設けられ、ボスが嵌挿される筒状を有する嵌合部を更に備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の緩衝体を提供する。
請求項5に記載の発明は、前記嵌合部が係止突部と係止凹部との嵌合関係によって前記ボスに取り付けられる請求項4に記載の緩衝体を提供する。
【0010】
請求項6に記載の発明は、前記本体が前記挿通孔を有する筒状の第1緩衝部と、該第1緩衝部の少なくとも一方の端部に設けられた環状の第2緩衝部とを備え、前記導電部は第2緩衝部に設けられている請求項1又は請求項2に記載の緩衝体を提供する。
【0011】
請求項7に記載の発明は、前記第2緩衝部に設けられ、該第2緩衝部の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項6に記載の緩衝体を提供する。
請求項8に記載の発明は、前記第1緩衝部に設けられ、ゴム状弾性体より高い硬度を有する材料により形成されるとともに、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときにはネジの頭部とボスとに接触する支持部を更に備える請求項6又は請求項7に記載の緩衝体を提供する。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
(第1実施形態)
以下、本発明を緩衝体に具体化した第1実施形態を図1(a)〜図3に基づいて説明する。図2及び図3に示すように、携帯電子機器の筐体21の所定の個所には、電子回路基板22を筐体21に取り付けるための、円柱状を有するボス23が形成されている。ボス23の先端部には、金属材料により形成された円環状の第1接続部24が形成されており、第1接続部24は、例えば筐体21に設けられた電子回路に電気的に接続されている。この第1接続部24により、ボス23は導電性を有している。ボス23の中央部には、電子回路基板22のボス23への固定に用いられるネジ25が螺入されるネジ孔26が形成されている。
【0014】
電子回路基板22上には電子回路が形成されており、電子回路基板22の筐体21に対向する表面には、電子回路から延びるアース回路27が形成されている。このアース回路27において、ボス23に対応する個所には、円環状の第2接続部28が形成されている。電子回路基板22において、ボス23のネジ孔26に対応する個所には、前記ネジ25が挿通される孔29が形成されている。電子回路基板22がボス23に固定される際には、筐体21からの衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板22を保護するために、電子回路基板22とボス23との間に緩衝体11が配置される。
【0015】
図1(a)及び図1(b)に示すように、緩衝体11は、前記ネジが挿通される挿通孔12が中央に形成されている円板状の本体13と、挿通孔12と本体13の周縁との間に形成されている4個の導電部14とを備えている。
【0016】
本体13はゴム状弾性体で構成されており、該ゴム状弾性体に起因して弾性を有しているとともに電気絶縁性を有している。日本工業規格であるJIS K6253に従って測定されるゴム状弾性体の硬度は、好ましくはA80以下である。JIS K6253に従って測定される硬度がA80を超える場合には、緩衝体11を介して筐体21の衝撃が電子回路基板22に伝わり易いことから、緩衝体11が十分な緩衝性を発揮しないおそれがある。JIS K6253に従って測定される硬度がA80以下であるゴム状弾性体として、例えば、シリコーンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、1,2−ポリブタジエン、スチレン−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリルゴム、エピクロルヒドリンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー、及びイオン架橋系熱可塑性エラストマーが挙げられる。
【0017】
ゴム状弾性体は、例えば反応性を有する液状高分子の硬化反応により形成される。このとき、例えば本体13と導電部14とを同時に形成するために、液状高分子中に後述する磁性導電体が配合される。この磁性導電体の配向が容易であることから、前記具体例の中でも、シリコーンゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及びスチレン系熱可塑性エラストマーが好ましく、優れた電気絶縁性及び耐候性を発揮することから、シリコーンゴムがより好ましい。
【0018】
液状高分子の20℃における粘度は、好ましくは1〜250Pa・sであり、より好ましくは10〜100Pa・sである。液状高分子の粘度が1Pa・s未満の場合には、液状高分子に配合された磁性導電体が沈殿して導電部14の形成が困難になるおそれがある。液状高分子の粘度が250Pa・sを超えると、磁性導電体の配向が困難になったり、配向に長い時間又は高い磁場を要したりするおそれがある。
【0019】
導電部14は、ボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の第2接続部28に対応する配置に形成されており、緩衝体11がボス23と電子回路基板22との間に設けられたときには各接続部24、28を電気的に接続する。導電部14は、本体13の厚さ方向の全体にわたって円柱状に形成されており、導電部14の一対の端部14aはそれぞれ、本体13の表面から外方に突出している。図1(c)に示すように、導電部は、ゴム状弾性体15中に粒子状の磁性導電体16の粒子が分散されて形成されている。本実施形態に係る導電部14では、磁性導電体16の粒子同士が互いに接触した状態で、本体13の厚さ方向に沿って連なって配向されている。
【0020】
磁性導電体16の材質として、例えばニッケル、コバルド、及び鉄が挙げられる。また、磁性導電体16として、表面に良好な導電性を発揮する金属がめっきされた、強磁性体からなる粒子が用いられてもよいし、表面に磁性及び導電性を有する層が被覆された、導電性を有する粒子が用いられてもよい。強磁性体として、例えばニッケル、コバルト、鉄、及びフェライトが挙げられる。これらの中でも、良好な導電性および常温(25℃)で安定である金属、例えば金又は銀が表面にめっきされた強磁性体の粒子が好ましい。
【0021】
導電部14において、ゴム状弾性体15中に分散される磁性導電体16の割合の下限は特に限定されないが、導電部14の一対の端面、即ちボス23に対向する端面から電子回路基板22に対向する端面にわたって磁性導電体16が連なって配向される量が好ましい。ゴム状弾性体15に分散される磁性導電体16の割合の上限は特に限定されない。磁性導電体16の粒径は、例えば30μmである。磁性導電体16が分散されているゴム状弾性体15は、本体13において導電部14以外の個所を構成するゴム状弾性体15と同一でもよいし異なっていてもよい。
【0022】
本体13の表面全体の面積に対して導電部14が占める割合は、好ましくは3〜50%である。導電部14が占める割合が3%未満の場合、導電部14が過剰に小さいことから、ボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の第2接続部28を電気的に接続することが困難になる。導電部14が占める割合が50%を超えると、導電部14が過剰に大きいことから、電子回路基板22をボス23に固定するときに導電部14の圧縮に要する荷重が大きくなり、大きな荷重に起因して例えば電子回路基板22が損傷するおそれがある。
【0023】
導電部14の各端部14aが突出している本体13の各表面上には、各表面から外方に突出している4個の緩衝突部13aがそれぞれ形成されている。緩衝突部13aは円板状に形成されているとともに、挿通孔12と本体13の周縁との間に形成されている。各緩衝突部13aは各導電部14の間に配置されており、各導電部14及び各緩衝突部13aは等角度間隔に配置されている。緩衝突部13aは本体13と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体15で構成されている。
【0024】
緩衝体11は、該緩衝体11の原料組成物を調製する工程、該原料組成物を型内に充填する工程、磁性導電体16を配向させる工程、及び緩衝体11を成形する工程を得て製造される。
【0025】
緩衝体11の原料組成物を調製する工程では、公知の方法により、ゴム状弾性体15を形成する液状高分子と、磁性導電体16とが適宜に混合されて原料組成物が調製される。原料組成物を型内に充填する工程では、調製された原料組成物が、非磁性体からなる型内に充填される。非磁性体として、例えばアルミニウムが挙げられる。この型は、緩衝体11に対応するキャビティを有しているとともに、導電部14に対応する個所に磁性体を備えている。磁性導電体16を配向させる工程では、磁性体によって型内の原料組成物に磁場が印加される。このとき、型内に充填された原料組成物中の磁性導電体16は、型内において磁性体に対応する個所、即ち導電部14に対応する個所に集まるとともに配向される。図1(c)に示すように、本実施形態では、磁性導電体16の粒子同士が互いに接触した状態で、磁性導電体16の粒子が本体13の厚さ方向に沿って連なって配向される。緩衝体11を成形する工程では、例えば加熱によって液状高分子を硬化させてゴム状弾性体15を形成することにより、本体13、導電部14、及び緩衝突部13aが形成されて緩衝体11が成形される。このとき、液状高分子は、磁性導電体16の配向が維持された状態で硬化される。
【0026】
図2に示すように、電子回路基板22がボス23に固定されるときには、ボス23の第1接続部24に電子回路基板22の第2接続部28が対向するとともに、ボス23のネジ孔26に電子回路基板22の孔29が対向するように、ボス23上に電子回路基板22が配置される。このとき、ボス23と電子回路基板22との間に緩衝体11が配置される。次いで、図2及び図3に示すように、電子回路基板22の上方から、該基板22及び緩衝体11を介してネジ25がボス23のネジ孔26に螺入される。このとき、ネジ25は、電子回路基板22の孔29及び緩衝体11の挿通孔12内に挿通された後、ボス23のネジ孔26に螺入される。ネジ25のネジ孔26への螺入に伴い、電子回路基板22がボス23に向かって押圧される。そのため、緩衝体11において、本体13の表面から突出している導電部14の各端部14a及び緩衝突部13aは、ボス23及び電子回路基板22によって本体13に向かって圧縮されて本体13内に没入する。このとき、導電部14は各接続部24、28に接触しており、第2接続部28及びアース回路27を介して、ボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続する。
【0027】
前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
(1)本実施形態においては、ボス23と電子回路基板22との間に、ゴム状弾性体15で構成される本体13を有する緩衝体11が配置されている。そのため、ゴム状弾性体15の弾性に起因して、筐体21の衝撃を本体13が吸収して該衝撃から電子回路基板22を保護することができる。更に、筐体21の歪みを本体13が吸収することにより、該歪みに起因する電子回路基板22の歪み及び反りの発生を抑制することができる。
【0028】
(2)本実施形態においては、導電部14は挿通孔12及び本体13の周縁の間に形成されており、挿通孔12と導電部14との間にはゴム状弾性体15が設けられている。そのため、ネジ25が挿通孔12に挿通されるときに、ネジ25が導電部14に接触して該導電部14内の磁性導電体16が脱落することを防止し、脱落した磁性導電体16に起因する電子回路の短絡、及び導電部14の導電性の低下を防止することができる。また、ゴム状弾性体15は電気絶縁性を有しており、導電部14は磁性導電体16に起因して導電性を有している。本体13の周縁と導電部14との間にもゴム状弾性体15が設けられていることから、電子回路基板22がボス23に固定されたときに、電子回路基板22上のアース回路27以外の回路と導電部14とが接触してリーク電流が発生することを防止することができる。そのため、電子回路基板22において、アース回路27の近傍に例えば電子部品を配置することができる。
【0029】
また、本体13全体にわたって磁性導電体16が分散されることにより本体13自身が導電部14の作用を有する場合に比べて、緩衝体11の製造に必要な磁性導電体16の量を低減することができる。磁性導電体16の硬度は通常、ゴム状弾性体15の硬度に比べて高いことから、導電部14の硬度は本体13の導電部14以外の個所の硬度に比べて高い。本実施形態では導電部14は本体13の一部にのみ形成されていることから、本体13自身が導電部14の作用を有する場合に比べて緩衝体11の緩衝性を高めることができる。
【0030】
(3)本実施形態においては、導電部14の両端部14aは本体13の表面から突出している。そのため、導電部14を各接続部24、28に確実に接触させて導電部14の抵抗値を低下させるのに必要な荷重を小さくすることができる。これに対して、導電部14の両端部14aが本体13の表面から突出していない場合、導電部14を各接続部24、28に確実に接触させて導電部14の抵抗値を低下させるために、大きな荷重で緩衝体11全体を圧縮させる必要がある。
【0031】
更に、導電部14が本体13の表面から突出することにより、導電部14が各接続部24、28と確実に接触することができる。具体的には、例えばボス23又は電子回路基板22の寸法精度に起因して緩衝体11が斜めに傾斜した状態で電子回路基板22がボス23に取り付けられた場合には、緩衝体11の傾斜によって緩衝体11と電子回路基板22及び23との間に隙間が形成される。この場合にも、前記隙間に位置する導電部14が本体13内に没入することなく電子回路基板22及びボス23に接触してそれらと確実に接触することができる。加えて、緩衝体11は、斜めに傾斜していても導電部14によって電子回路基板22を支持して該電子回路基板22を筐体21の衝撃から保護することができる。
【0032】
(4)本体13には、該本体13の表面から突出する緩衝突部13aが形成されている。そのため、例えばボス23又は電子回路基板22の寸法精度に起因して緩衝体11が斜めに傾斜した状態で電子回路基板22がボス23に取り付けられた場合にも、前記間隙に位置する緩衝突部13aが本体13内に没入することなく電子回路基板22及びボス23に接触することができる。緩衝突部13aは本体13と同様にゴム状弾性体15で構成されている。そのため、緩衝突部13aの電子回路基板22及びボス23への接触により、緩衝体11は、斜めに傾斜していても電子回路基板22を支持して該電子回路基板22を筐体21の衝撃から保護することができる。
【0033】
(5)本実施形態においては、磁場の印加による磁性導電体16の配向により、磁性導電体16の粒子同士が互いに接触した状態で、磁性導電体16を本体13の厚さ方向に沿って連なって配向させることができる。このため、導電部14を容易に形成することができ、緩衝体11を容易に製造することができる。更に、少量の磁性導電体16でも導電部14がボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続することができるとともに、磁性導電体16の増量に起因する導電部14の硬度の上昇を防止することができる。
【0034】
(第2実施形態)
次に、本発明を緩衝体11に具体化した第2実施形態を図4〜図5(b)に基づいて説明する。第2実施形態においては、第1実施形態との説明の重複を避けるために、第1実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、第1実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。
【0035】
図4及び図5(a)に示すように、本体13には、円筒状の嵌合部17が本体13の周縁部から延設されている。嵌合部17の先端には、断面三角形状を有する、係止突部としての係止突条18が嵌合部17の内周全体にわたって形成されている。本体13、嵌合部17、及び係止突条18は一体に構成されており、嵌合部17及び係止突条18はゴム状弾性体15で構成されている。ボス23の周縁部には、係止突条18に対応する個所に、該係止突条18に対応する形状を有する、係止凹部としての係止溝30が全周にわたって形成されている。
【0036】
図5(a)及び図5(b)に示すように、電子回路基板22がボス23に固定されるときには、ボス23が嵌合部17内に嵌挿されて緩衝体11がボス23に取り付けられる。このとき、係止突条18が係止溝30に嵌合して緩衝体11がボス23に固定される。
【0037】
前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
(6)本実施形態においては、本体13に嵌合部17が形成されており、ボス23が嵌合部17内に嵌挿される。そのため、電子回路基板22のボス23への固定の際に緩衝体11をボス23上に容易に配置することができるとともに、配置された緩衝体11の位置ずれを防止することができる。
【0038】
(7)本実施形態においては、嵌合部17に係止突条18が形成されており、係止突条18は係止溝30に嵌合される。即ち、嵌合部17が係止突条18及び係止溝30の嵌合関係によってボス23に取り付けられる。そのため、電子回路基板22のボス23への固定の際に、ボス23に取り付けられた緩衝体11のボス23からの脱落を防止することができ、電子回路基板22をボス23に容易に取り付けることができる。
【0039】
(8)本実施形態においては、係止突条18はゴム状弾性体15で構成されている。そのため、ゴム状弾性体15の弾性に起因して、必要に応じて係止突条18と係止溝30との嵌合を解除し、ボス23から緩衝体11を容易に取り外すことができる。
【0040】
(第3実施形態)
次に、本発明を緩衝体11に具体化した第3実施形態を図6(a)及び図6(b)に基づいて説明する。第3実施形態においては、前記各実施形態との説明の重複を避けるために、前記各実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、前記各実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。
【0041】
図6(a)に示すように、緩衝体11の本体13は、前記ネジが挿通される挿通孔12が中央に形成されている円筒状の第1緩衝部41と、該第1緩衝部41の両端部の内の一方の端部に形成される円環状の第2緩衝部42とを備えている。第1緩衝部41及び第2緩衝部42はそれぞれゴム状弾性体15で構成されており、互いに一体に形成されている。第1緩衝部41及び第2緩衝部42はインサート成形によって一体に形成されてもよいし、同時に形成されることによって一体に形成されてもよいし、別々に形成された後に例えば接着剤による接着又は熱融着によって一体に形成されてもよい。図6(b)に示すように、電子回路基板22には、ネジ25が挿通される前記孔の代わりに、第1緩衝部41が挿通される孔31が形成されている。
【0042】
電子回路基板22の厚さに対する、第1緩衝部41の軸方向における長さの割合は、好ましくは50〜120%である。第1緩衝部41の軸方向における長さの割合が50%未満の場合には、電子回路基板22とネジ25との間に位置する第1緩衝部41が過剰に小さいことから、電子回路基板22の平面に平行な方向からの衝撃を第1緩衝部41が十分に吸収することができない。第1緩衝部41の軸方向における長さの割合が120%を超えると、電子回路基板22をボス23に固定するときに、ネジ25の頭部25aと電子回路基板22との間に形成される間隙が過剰に大きくなることから、電子回路基板22を十分に固定することができずに該電子回路基板22がぐらつくおそれがある。
【0043】
前記ネジ25の直径に対する第1緩衝部41の厚さの割合は、好ましくは50〜120%である。第1緩衝部41の厚さの割合が50%未満の場合には、第1緩衝部41が過剰に薄いことから、第1緩衝部41が十分な緩衝性を発揮することができない。第1緩衝部41の厚さの割合が120%を超えると、第1緩衝部41が過剰に厚いことから緩衝体11が過剰に大きくなり、携帯電子機器の小型化に悪影響を及ぼす。
【0044】
図6(a)に示すように、第2緩衝部42には4個の導電部14が形成されている。各導電部14は、第1緩衝部41と第2緩衝部42の周縁との間に形成されているとともに、各接続部24、28に対応する個所に配置されている。各導電部14の一対の端部14aはそれぞれ、第2緩衝部42の表面から外方に突出している。導電部14の各端部14aが突出している第2緩衝部42の各表面上には、各表面から外方に突出している4個の緩衝突部13aがそれぞれ形成されている。緩衝突部13aは円板状に形成されているとともに、第1緩衝部41と第2緩衝部42の周縁との間に形成されている。各緩衝突部13aは各導電部14の間に配置されており、各導電部14及び各緩衝突部13aは等角度間隔に配置されている。緩衝突部13aは第2緩衝部42と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体15で構成されている。
【0045】
図6(b)に示すように、電子回路基板22がボス23に固定されるときには、ボス23の第1接続部24に電子回路基板22の第2接続部28が対向するとともに、ボス23のネジ孔26に電子回路基板22の孔31が対向するように、ボス23上に電子回路基板22が配置される。このとき、ボス23と電子回路基板22との間に第2緩衝部42が配置され、第1緩衝部41が孔31に挿通される。次いで、電子回路基板22の上方から、該基板22及び緩衝体11を介してネジ25がボス23のネジ孔26に螺入される。このとき、ネジ25は、第1緩衝部41の挿通孔12内に挿通された後、ボス23のネジ孔26に螺入される。ネジ25のネジ孔26への螺入に伴い、電子回路基板22がボス23に向かって押圧される。そのため、緩衝体11において、第2緩衝部42の表面から突出している導電部14の各端部14a及び各緩衝突部13aは、ボス23及び電子回路基板22によって第2緩衝部42に向かって圧縮されて第2緩衝部42内に没入する。
【0046】
前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
(9)本実施形態においては、本体13は、電子回路基板22の孔31に挿通される第1緩衝部41と、電子回路基板22及びボス23の間に配置される第2緩衝部42とを備えている。そのため、電子回路基板22の表面と平行な方向からの衝撃を第1緩衝部41が吸収し、筐体21からの衝撃を第2緩衝部42が吸収することにより、衝撃から電子回路基板22をより確実に保護することができる。
【0047】
(第4実施形態)
次に、本発明を緩衝体11に具体化した第4実施形態を図7(a)及び図7(b)に基づいて説明する。第4実施形態においては、前記各実施形態との説明の重複を避けるために、前記各実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、前記各実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。
【0048】
図7(b)に示すように、筐体21は上枠21a及び下枠21bにより構成されており、ボス23は下枠21bに形成されている。上枠21aにおいて、ボス23に対応する個所には前記ネジ25を収容する凹部32が形成されており、該凹部32にはネジ25が挿通される孔33が形成されている。上枠21aの凹部32において、ボス23に対向する表面上には、前記第1接続部24と同様に構成されている第3接続部34が形成されている。
【0049】
電子回路基板22において、ボス23のネジ孔26に対応する個所には、緩衝体11を電子回路基板22に取り付けるための切り欠き35が形成されている。電子回路基板22の各枠21a、21bに対向する表面にはそれぞれ、前記アース回路27が形成されている。これらのアース回路27において、切り欠き35の周囲には第4接続部36がそれぞれ形成されている。
【0050】
図7(a)に示すように、緩衝体11の本体13は、第1緩衝部41と、該第1緩衝部41の両端部に形成される一対の円環状を有する第2緩衝部42とを備えている。各第2緩衝部42には4個の導電部14がそれぞれ形成されている。各導電部14は、第1緩衝部41と第2緩衝部42の周縁との間に形成されているとともに、各接続部24,34,36に対応する個所に配置されている。各導電部14の一対の端部14aはそれぞれ、各第2緩衝部42の表面から外方に突出している。導電部14の各端部14aが突出している第2緩衝部42の各表面上には、各表面から外方に突出している4個の緩衝突部13aがそれぞれ形成されている。緩衝突部13aは円板状に形成されているとともに、第1緩衝部41と第2緩衝部42の周縁との間に形成されている。各緩衝突部13aは各導電部14の間に配置されており、各導電部14及び各緩衝突部13aは等角度間隔に配置されている。緩衝突部13aは第2緩衝部42と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体15で構成されている。
【0051】
電子回路基板22がボス23に固定されるときには、まず第1緩衝部41が電子回路基板22の切り欠き35に挿入されて緩衝体11が電子回路基板22に取り付けられる。次いで、ボス23の第1接続部24及び上枠21aの第3接続部34に電子回路基板22の各第4接続部36が対向するとともに、ボス23のネジ孔26及び上枠21aの孔33に電子回路基板22の切り欠き35が対向するように、各枠21a、21bの間に電子回路基板22が配置される。続いて、図7(b)に示すように、上枠21aの上方から、該上枠21a及び緩衝体11を介してネジ25がボス23のネジ孔26に螺入される。このとき、ネジ25は、上枠21aの孔33及び第1緩衝部41の挿通孔12内に挿通された後、ボス23のネジ孔26に螺入される。ネジ25のネジ孔26への螺入に伴い、上枠21aが電子回路基板22に向かって押圧されるとともに、電子回路基板22がボス23に向かって押圧される。そのため、緩衝体11において、第2緩衝部42の表面から突出している導電部14の各端部14a及び緩衝突部13aは、上枠21aの凹部32、ボス23及び電子回路基板22によって第2緩衝部42に向かって圧縮されて第2緩衝部42内に没入する。このとき、導電部14は各接続部24、34、36に接触しており、第4接続部36及びアース回路27を介して、ボス23の第1接続部24、上枠21aの第3接続部34、及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続する。
【0052】
前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
(10)本実施形態においては、電子回路基板22が上枠21a及び下枠21bの両方に固定されている。このとき、電子回路基板22と上枠21a及び下枠21bとの間にはそれぞれ、ゴム状弾性体15により形成されている第2緩衝部42が配置されている。そのため、各枠21a、21bによって電子回路基板22を確実に支持することができるとともに、各第2緩衝部42によって各枠21a、21bからの衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板22を保護することができる。
【0053】
前記各実施形態は、以下のように変更して具体化されてもよい。
・ 各実施形態において、各部材の形状は特に限定されず、適宜変更されてもよい。また、磁性導電体16の配向方向が適宜変更されてもよい。
【0054】
・ 各実施形態において、磁性導電体16の形状が例えば繊維状に変更されてもよい。また、導電部14が、ゴム状弾性体15と、該ゴム状弾性体15中に分散されている導電体とから形成されてもよい。導電体の材質として、例えば炭素及び金属が挙げられる。金属として、例えば抵抗値が低い金、銀、白金、アルミニウム、ニッケル、銅、鉄、パラジウム、コバルト、クロム、及びそれらと他の金属との合金が挙げられる。合金として、例えばステンレスが挙げられる。導電体の形状として、例えば粒子状及び繊維状が挙げられる。例えば金属、樹脂、又はセラミックスにより形成された粉末又は繊維の表面に、前記導電体の具体例として挙げられた金属が被覆されて導電体が構成されてもよい。
【0055】
導電体が磁性を有していない場合、緩衝体11は、例えば予めコンプレッション成形又は射出成形によって成形された導電部14が金型にインサートされた後、該金型を用いて本体13を成形するインサート成形法、又は二色成形法によって製造される。導電体が磁性を有していても、即ち磁性導電体16においても、前記インサート成形、又は二色成形法によって緩衝体11が製造されてもよい。
【0056】
・ 各実施形態において、ボス23に形成された第1接続部24及び上枠21aに形成された第3接続部34が省略されてもよい。この場合、筐体21自体が金属により形成されることによってボス23及び上枠21aが導電性を有してもよいし、樹脂により形成された筐体21の内表面に金属めっきが施されることによりボス23及び上枠21aが導電性を有してもよい。
【0057】
・ 各実施形態において、各導電部14は等角度間隔で配置されていなくてもよいし、導電部14の数が変更されてもよい。また、図8(a)に示すように、例えば第1実施形態において本体13に円筒状の導電部14が形成されてもよい。例えば、外径が6mmであるとともに内径が2mmである本体13に、3個の直径が0.5mmである導電部14が形成されているとき、本体13の表面全体の面積に対して導電部14が占める割合は3.43%である。また、外径が4mmであるとともに内径が2mmである本体13に、内径が3.5mmであるとともに内径が2.5mmである円筒状の導電部が形成されているとき、本体13の表面全体の面積に対して導電部14が占める割合は50%である。
【0058】
図8(b)に示すように、例えば本体13の表面において、導電部14に対応する個所に、該導電部14の外径よりも大きい外径を有する円板状の突部13bが形成され、該突部13b内に導電部14の端部14aが配置されてもよい。この場合、導電部14の端部14aと突部13bの周縁との間には、ゴム状弾性体15が設けられている。
【0059】
また、各緩衝突部13aが等角度間隔で配置されていなくてもよいし、緩衝突部13aの数が変更されてもよい。更に、図8(c)に示すように、例えば第1実施形態において緩衝突部13aが省略されてもよい。即ち、本体13又は第2緩衝部42において導電部14の端部14aが突出している一対の表面の内、一方の表面のみに緩衝突部13aが形成されてもよいし、両表面に形成されている緩衝突部13aが省略されてもよい。
【0060】
・ 各実施形態において、複数の導電部14の内の一部の導電部14の端部14aのみが本体13又は第2緩衝部42の表面から突出していてもよいし、導電部14の一対の端部14aの内の一方の端部14aのみが本体13又は第2緩衝部42の表面から突出していてもよい。例えば、第1実施形態において、図9(a)に示すように、緩衝突部13aが省略されるとともに導電部14の各端部14aが本体13の表面から突出していなくてもよい。この構成においても、図9(b)に示すように、導電部14は各接続部24、28に接触し、第2接続部28及びアース回路27を介して、ボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続することができる。更に、本体13により筐体21の衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板22を保護することができる。
【0061】
・ 第2実施形態において、嵌合部17に係止溝30が形成されるとともにボスに係止突条18が形成されてもよい。また、係止突条18の代わりに、例えば一対の係止爪が嵌合部17に形成されてもよい。各係止爪は、挿通孔12を中心として点対称となるように配置されている。各係止爪の形状は、嵌合部17がボス23に嵌合可能である形状であれば特に限定されず、該形状として、断面三角形状の他に、例えば断面略半円状が挙げられる。この場合、ボス23の周縁部には、各係止爪に対応する個所に、各係止爪に対応する形状を有する係止凹部が形成される。係止爪及び係止凹部の個数は特に限定されない。また、ボス23に係止爪が形成されるとともに、該係止爪に対応する係止凹部が嵌合部17に形成されてもよい。
【0062】
・ 第4実施形態において、一対の第2緩衝部42の内の一方の第2緩衝部42において導電部14及び緩衝突部13aが省略されてもよい。例えば、図10(a)に示すように、一対の第2緩衝部42の内、電子回路基板22上に配置される第2緩衝部42において導電部14及び緩衝突部13aが省略されてもよい。この場合、図10(b)に示すように、電子回路基板22はボス23のみに固定され、電子回路基板22のボス23に対向する表面のみにアース回路27及び第4接続部36が形成される。電子回路基板22がボス23に固定されるときには、まず第1緩衝部41が電子回路基板22の切り欠き35に挿入されて緩衝体11が電子回路基板22に取り付けられる。次いで、電子回路基板22の上方から、ネジ25が緩衝体11を介してボス23のネジ孔26内に螺入される。このとき、ネジ25は、第1緩衝部41の挿通孔12内に挿通された後、ボス23のネジ孔26に螺入される。
【0063】
この構成においても、導電部14は各接続部24、36に接触しており、第4接続部36及びアース回路27を介して、ボス23の第1接続部24及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続することができる。更に、電子回路基板22の表面と平行な方向からの衝撃を第1緩衝部41が吸収し、筐体21からの衝撃を電子回路基板22及びボス23の間に配置された第2緩衝部42が吸収することにより、衝撃から電子回路基板22をより確実に保護することができる。加えて、ネジ25の頭部25aと電子回路基板22との間に配置された第2緩衝部42により、ネジ25と電子回路基板22との間を電気的に絶縁することができるとともに、ネジ25の螺入の際に、該ネジ25の頭部25aによって電子回路基板22に損傷が発生することを防止することができる。更に、ネジ25に加わった衝撃から電子回路基板22を保護することができる。
【0064】
また、図10(c)に示すように、一対の第2緩衝部42の内、電子回路基板22とボス23との間に配置される第2緩衝部42において導電部14及び緩衝突部13aが省略されてもよい。この場合、例えば筐体21及びボス23は金属により形成されることにより、ボス23自身が導電性を有している。図10(d)に示すように、電子回路基板22はボス23のみに固定され、電子回路基板22においてネジ25の頭部25aに対向する表面のみにアース回路27及び第4接続部36が形成される。電子回路基板22がボス23に取り付けられるときには、まず第1緩衝部41が電子回路基板22の切り欠き35に挿入されて緩衝体11が電子回路基板22に取り付けられる。次いで、電子回路基板22の上方から、ネジ25が緩衝体11を介してボス23のネジ孔26内に螺入される。このとき、ネジ25は、第1緩衝部41の挿通孔12内に挿通された後、ボス23のネジ孔26に螺入される。
【0065】
この構成においては、導電部14は、第4接続部36及びネジ25の頭部25aに接触している。そのため、導電部14は、第4接続部36、アース回路27、及びネジ25を介して、ボス23及び電子回路基板22の電子回路を電気的に接続することができる。加えて、前述の電子回路基板22上に配置される第2緩衝部42において導電部14が省略された場合と同様に、衝撃から電子回路基板22をより確実に保護することができるとともに、ネジ25の螺入の際に、該ネジ25の頭部25aによって電子回路基板22に損傷が発生することを防止することができる。更に、ネジ25に加わった衝撃から電子回路基板22を保護することができる。この構成において、図11(a)に示すように、ネジ25の頭部25aと第2緩衝部42との間にワッシャ37が設けられてもよい。
【0066】
・ 図11(b)に示すように、第4実施形態において、電子回路基板22がボス23のみに固定されてもよい。
・ 図12(a)に示すように、第3実施形態において、第1緩衝部41の内周部に、挿通孔12を覆うように円筒状の支持部43が形成されてもよい。支持部43は、第1緩衝部41を形成するゴム状弾性体15よりも高い硬度を有する材料により形成されている。支持部43の材質として、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び金属が挙げられる。加工が容易であるとともに、ネジ25の支持部43内での摺動性が良好であることから、支持部43の材質として、ポリアセタール及びポリイミドが好ましい。支持部43は、第1緩衝部41の長手方向における長さより短く形成されている。即ち、電子回路基板22の厚さ、第2接続部28の厚さ、及び導電部14の長手方向における長さの合計に対する、支持部43の長手方向における長さの割合は、好ましくは75〜99%である。支持部43の長手方向における長さの割合が75%未満では、電子回路基板22及びボス23によって緩衝体11が過剰に圧縮されて該緩衝体11の緩衝性が低下するおそれがある。支持部43の長手方向における長さの割合が99%を超えると、緩衝体11、特に導電部14の圧縮割合が小さくなり、導電部14の電気抵抗が安定しないおそれがある。
【0067】
また、前記孔29とネジ25との間の隙間の大きさに対する支持部43の厚さの割合の上限は、好ましくは50%である。支持部43の厚さの割合が50%を超えると、第1緩衝部41が過剰に薄くなることから、該第1緩衝部41の緩衝性が低下するおそれがある。前記孔29とネジ25との間の隙間の大きさに対する支持部43の厚さの割合の下限は特に限定されず、例えば支持部43の材質によって適宜に設定される。
【0068】
図12(b)に示すように、支持部43は、第2緩衝部42がボス23と電子回路基板22との間に配置されたときには、第2緩衝部42の圧縮に伴いネジ25の頭部25aとボス23とに接触する。この構成によれば、各緩衝部41,42が緩衝性を発揮しつつ、支持部43によってネジ25の頭部25aを支持してネジ25の緩みを抑制することができる。支持部43が設けられていない場合、ネジ25が過剰に締め付けられると緩衝体11が過剰に圧縮されて緩衝性を十分に発揮することできない場合がある。一方、ネジ25の締め付けが弱いと、ネジ25が緩んで電子回路基板22がボス23から外れる場合がある。そのため、ネジ25の締め付けを適度に行う必要があり、ネジ25の締め付けに経験を要する。これに対して、支持部43が設けられることにより、緩衝体11の過剰な圧縮を抑制しつつ、ネジ25を十分に締め付けることができる。そのため、ネジ25の締め付けに経験を要しない。支持部43が金属で形成されている場合、支持部43の内周面にネジ25が螺合するネジ溝が形成されてもよい。この場合、ネジ25がボス23のネジ孔26だけでなく支持部43の内周面に螺合することにより支持部43がナットとして作用し、ネジ25の緩みをより確実に抑制することができる。
【0069】
支持部43は、第4実施形態に係る第1緩衝部41に設けられてもよい。また、図13(a)及び図13(b)に示すように、図10(a)に示す緩衝体11の第1緩衝部41に支持部43が設けられてもよい。この場合にも、緩衝体11の過剰な圧縮を抑制しつつ、ネジ25を十分に締め付けることができる。また、図10(c)に示す緩衝体11の第1緩衝部41に支持部が設けられてもよい。更に、円筒状の支持部43の代わりに、図14(a)及び図14(b)に示すように、第1緩衝部41に例えば2個の四角柱状を有する支持部44が設けられてもよい。各支持部44は、支持部43と同様に、第1緩衝部41の長手方向における長さより短く形成されている。ネジ25の頭部25a全体にわたって均一に支持するために、各支持部44は、挿通孔12を中心とした点対称に配置されている。この場合、支持部44の数は特に限定されないが、ネジ25の頭部25aを安定して支持するために、例えば3個の支持部44が設けられることにより、支持部44とネジ25の頭部25aとの十分な接触面積を確保することが好ましい。電子回路基板22の厚さ、第2接続部28の厚さ、及び導電部14の長手方向における長さの合計に対する、支持部44の長手方向における長さの割合、及び前記孔29とネジ25との間の隙間の大きさに対する支持部44の厚さの割合は支持部43の各割合と同じである。
【0070】
・ 各実施形態において、液状高分子の代わりに、常温で固体状の樹脂を用いてゴム状弾性体15を形成してもよい。この場合、緩衝体11の製造の際には、前記樹脂が加熱されて固体状から液状に性状が変化した後、液状の樹脂中に磁性導電体16が混合される。そして、冷却により樹脂が固化してゴム状弾性体15が形成される。この構成においても緩衝体11を容易に製造することができる。
【実施例】
【0071】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
(実施例1)
実施例1においては、以下の工程に従って図1(a)及び図1(b)に示す構成を有する緩衝体11を得た。即ち、ゴム状弾性体15を形成する液状高分子としてのポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム(数平均分子量:60,000〜80,000、20℃における粘度:15Pa・s)100質量部と、磁性導電体16としての、直径が30μmである銀めっきニッケル粒子30質量部とを混合して原料組成物を調製した。次いで、導電部14に対応する個所に強磁性体としての鉄系合金からなるピンが設けられたアルミニウム製の金型内に原料組成物を充填した。続いて、前記ピンを用いて0.2テスラ(T)の磁束密度を有する磁場を原料組成物に5分間印加してニッケル粒子を配向させた後、原料組成物を150℃で2分間加熱してポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを架橋により硬化させて緩衝体11を得た。緩衝体11において、JIS K6253に従って測定されるポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムの硬度はA50であった。
【0072】
(実施例2)
実施例2においては、ゴム状弾性体15を形成する前記ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム100質量部と、前記銀めっきニッケル粒子400質量部とを混合して混合物を調製した。そして、この混合物を用いたコンプレッション成形により導電部14を形成した。次いで、緩衝体11に対応するキャビティを有する金型内に導電部14をインサートした後、前記ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを金型内に充填した。続いて、金型内を150℃で2分間加熱してポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを架橋により硬化させて緩衝体11を得た。
【0073】
(比較例1)
比較例1においては、磁性導電体16を省略するとともに原料組成物への磁場の印加を省略した以外は、実施例1と同様にして緩衝体を得た。そして、シリコーン系樹脂(東レ・ダウコーニング社製のPRK−3)100質量部と、粒径が30μmである鱗片状の銀フィラー200質量部とを混合して混合物を得た後、膜厚が20μmとなるようにスプレーコートで混合物を緩衝体の表面全体にわたって塗布して該緩衝体の表面全体に導電層を形成した。JIS K6253に従って測定されるシリコーン系樹脂の硬度はA15であり、緩衝体全体の硬度はA50であった。
【0074】
(比較例2)
比較例2においては、ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム100質量部に対するニッケル粒子の割合を400質量部に変更するとともに、原料組成物への磁場の印加を省略した以外は、実施例1と同様にして緩衝体を得た。
【0075】
そして、各例の緩衝体に関して以下の各項目の測定及び評価を行った。その結果を表1に示す。
<圧縮変形量>
各例の緩衝体の硬度を評価するために、各緩衝体の圧縮変形量を測定した。即ち、電子回路基板22とボス23との間に各例の緩衝体を配置し、1Nの荷重で緩衝体を圧縮した際の、圧縮方向における緩衝体の変形量を測定した。そして、圧縮前の緩衝体の厚さに対する圧縮後の緩衝体の厚さの割合を、圧縮変形量として算出した。緩衝体の厚さは、該緩衝体における電子回路基板22に対向する表面とボス23に対向する表面との距離のことである。
<磁性導電体の脱落>
各例の緩衝体を用いた、電子回路基板22のボス23への固定を10回連続して行った。即ち、各緩衝体の挿通孔12へのネジ25の挿通を10回連続して行った。そして、ネジ25の挿通に起因するニッケル粒子の脱落の有無を目視により確認した。表1の“磁性導電体の脱落”欄において、“なし”はニッケル粒子の脱落が見られなかったことを示し、“あり”はニッケル粒子の脱落が見られたことを示す。
【0076】
【表1】

表1に示すように、各実施例の緩衝体11は、十分に圧縮可能であることから柔軟であることが分かった。そのため、各実施例の緩衝体11は優れた緩衝性を有していることが分かった。更に、各実施例の緩衝体11では磁性導電体16の脱落が見られなかったことから、脱落した磁性導電体16に起因する電子回路の短絡、及び導電部14の導電性の低下が起きないことが分かった。更に、各実施例の緩衝体11では、該緩衝体11と本体13の周縁との間にゴム状弾性体15が設けられていることから、電子回路基板22においてアース回路27の近傍に例えば電子部品を配置することができることが分かった。以上のことから、各実施例の緩衝体11は、電子回路基板22の筐体21への取り付けの際に好適に使用可能である。
【0077】
一方、比較例1の緩衝体においては、導電層がネジ25と接触することから、磁性導電体16の脱落が見られた。比較例2の緩衝体においては、磁性導電体16がネジ25と接触することから、磁性導電体16の脱落が見られた。また、磁性導電体16が緩衝体の全体にわたって分散されていることから、他の各例の磁性体に比べて磁性体の圧縮変形量が小さい値となった。
【図面の簡単な説明】
【0078】
【図1】(a)は第1実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、(b)は緩衝体を示す断面図、(c)は導電部を示す断面図。
【図2】電子回路基板のボスへの取り付けを示す斜視図。
【図3】電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図4】第2実施形態に係る緩衝体を示す斜視図。
【図5】(a)は緩衝体のボスへの取り付けを示す断面図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図6】(a)は第3実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図7】(a)は第4実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図8】(a)は緩衝体の第1の別例を示す斜視図、(b)は緩衝体の第2の別例を示す要部断面図、(c)は緩衝体の第3の別例を示す斜視図。
【図9】(a)は緩衝体の第4の別例を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図10】(a)は緩衝体の第5の別例を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図、(c)は緩衝体の第6の別例を示す斜視図、(d)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図11】(a)及び(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図12】(a)は緩衝体の第7の別例を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図13】(a)は緩衝体の第8の別例を示す斜視図、(b)は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。
【図14】(a)及び(b)は緩衝体の第9の別例を示す斜視図。
【符号の説明】
【0079】
11…緩衝体、12…挿通孔、13…本体、13a…緩衝突部、14…導電部、15…ゴム状弾性体、17…嵌合部、18…係止突部、21…筐体、22…電子回路基板、23…ボス、25…ネジ、25a…ネジの頭部、30…係止凹部、41…第1緩衝部、42…第2緩衝部、43,44…支持部。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる緩衝体であって、
ゴム状弾性体で構成され、前記ネジが挿通される挿通孔を有する本体と、
前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部とを備えることを特徴とする緩衝体。
【請求項2】
前記導電部が本体の表面から突出している請求項1に記載の緩衝体。
【請求項3】
前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、該本体の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項1又は請求項2に記載の緩衝体。
【請求項4】
前記本体に設けられ、ボスが嵌挿される筒状を有する嵌合部を更に備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の緩衝体。
【請求項5】
前記嵌合部が係止突部と係止凹部との嵌合関係によって前記ボスに取り付けられる請求項4に記載の緩衝体。
【請求項6】
前記本体が前記挿通孔を有する筒状の第1緩衝部と、該第1緩衝部の少なくとも一方の端部に設けられた環状の第2緩衝部とを備え、前記導電部は第2緩衝部に設けられている請求項1又は請求項2に記載の緩衝体。
【請求項7】
前記第2緩衝部に設けられ、該第2緩衝部の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項6に記載の緩衝体。
【請求項8】
前記第1緩衝部に設けられ、ゴム状弾性体より高い硬度を有する材料により形成されるとともに、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときにはネジの頭部とボスとに接触する支持部を更に備える請求項6又は請求項7に記載の緩衝体。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【公開番号】特開2009−87976(P2009−87976A)
【公開日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−251874(P2007−251874)
【出願日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【出願人】(000237020)ポリマテック株式会社 (234)
【Fターム(参考)】