緩衝層
陰極に改良した緩衝層を備え、その緩衝物質が金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体(tetra-p-tolyl porphonato complexs)、および、構造式（Ｉ）もしくは構造式（ＩＩ）のビアントリル化合物(bianthryl compounds)から選択されることを特徴とするエレクトロルミネッセントデバイス。
【化４５】
【化４５】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセントデバイス内の改良した緩衝層（Buffer Layer）と、改良した緩衝層を組み込んだエレクトロルミネッセントデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電流が物質に導通すると発光する物質は、公知であり、ディスプレイ用途に広く用いられている。液晶デバイスおよび無機の半導体系（inorganic semiconductor system）に基づくデバイスが広く用いられている。しかしながら、これらは、高いエネルギー消費、製造における高いコスト、低い量子効率、そして、フラットパネルディスプレイを作ることができないという欠点を持っている。
【０００３】
特許文献WO/98/58037は、改善された特質を有し、より優れた実験結果を与えるエレクトロルミネセンスデバイスとして使用することが可能な、一連のランタニド錯体を記載している。特許文献PCT/GB98/01773、PCT/GB99/03619、PCT/GB99/04030、PCT/GB99/04028、PCT/GB00/00268は、希土類キレートを用いているエレクトロルミネッセント錯体、構造、およびデバイスを記載している。
【０００４】
光学発光ダイオード（optical light emitting diodes）（OLEDs）として一般的に参照される典型的なエレクトロルミネッセントデバイスは、一般的に電気的な光を伝送する物質の陰極と、正孔を輸送する物質の層と、エレクトロルミネッセント物質の層と、電子を輸送する物質の層と、金属の陽極と、を含んでいる。
【０００５】
US Patent 5128587は、高い仕事関数を有する透明電極と低い仕事関数を有する第二電極の間に挟まれたランタニド系列の希土類元素の有機金属錯体、エレクトロルミネッセント層と透明な高い仕事関数を有する電極との間に置かれた正孔伝導層、および、エレクトロルミネッセント層と電子を注入する低い仕事関数を有する陰極との間に置かれた電子伝導層、から成るエレクトロルミネッセントデバイスを開示している。デバイスの作用と効率を改良するために正孔伝導層および電子伝導層が必要である。正孔伝導層もしくは正孔輸送層は、正孔を搬送して電子を阻止するように働き、これによって電子が正孔と再結合することなく電極内に移動するのを防ぐ。その結果、発光層においてキャリアの再結合が大部分もしくは全体的に起こる。
【０００６】
US Patent 6333521で述べられているように、このメカニズムは、捕縛された電荷の放射性再結合（radiative recombination）に基づいている。特に、OLEDsは陰極と陽極との間の少なくとも２つの薄い有機層から構成されている。これらの層の１つ（正孔輸送層（ＨＴＬ））の物質は、特に、正孔を輸送する能力に基づいて選択され、他方の層（電子輸送層（ＥＴＬ））の物質は、特に、電子を輸送する能力によって選択される。このような構造をともなうことで、陰極に印加された電位が陽極に印加された電位よりも高い場合、デバイスを順方向バイアスのダイオードとしてみなすこともできる。これらのバイアス条件下で、陰極はＨＴＬ内へ正孔（正の電荷のキャリア）を注入し、一方で陽極はＥＴＬ内へ電子を注入する。したがって、ルミネッセント媒体（luminescent medium）の陰極に隣接している部分は、正孔注入域と正孔輸送域を形成し、一方でルミネッセント媒体の陽極に隣接している部分は、電子注入域と電子輸送域を形成する。注入された正孔と電子は、それぞれ反対に帯電している電極の方向へ移動する。電子と正孔が同一分子に局在するとき、Frenkel励起子が形成される。これらの励起子は、最もエネルギーの低い物質内で捕縛される。特定の状況下で、特異的な光電子放出メカニズムを介して生じる緩和にともなった、電子の導電位（conduction potential）から価電子帯（valence band）までの電子遷移として、その束の間の励起子の再結合が可視化される。
【０００７】
ＯＬＥＤにおいて、正孔はＨＴＬから別にある放出層へ注入され、電子もＥＴＬから別にある放出層へ注入され、そこで、正孔と電子が励起子を形成するために結びつく。
【０００８】
様々な化合物がＨＴＬ物質またはＥＴＬ物質として用いられてきた。ＨＴＬ物質は、おおむね、高い正孔移動度（〜１０−３ｃｍ2／Ｖs）を示す様々な形態のトリアリ−ルアミン類からなる。ＯＬＥＤsに用いられているＥＴＬsには、幾分かの多様性がある。トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Aluminium tris(8-hydroxyquinolate)）（Ａｌｑ３）が、最も一般的なＥＴＬ物質であり、他にオキシジアゾールと、トリアゾールと、トリアジンとを含んでいる。
【０００９】
ＯＬＥＤsの性能を改良するために、電極および隣接している層の間に緩衝層を用いている。緩衝層の使用により、電気的な短絡および無放射性領域（ダークスポット）のような性能劣化を軽減もしくは解消することができる。典型的な性能劣化は、Antoniadas, H., et al. ”Failure Modes in Vapor-Deposited Organic LEDs,” Macromol.Symp., 125, 59-67 (1997) の中で記載されている。ＯＬＥＤsの性能信頼性は、多くの要因によって左右される可能性がある。例えば、基板と電極層を構成している材料の表面における欠陥、表面上の粒子、および表面の形態（morphology）のなかで一般的な形態は、ＯＬＥＤsで生じている性能劣化を引き起こすか、もしくは、悪化させてしまう可能性がある。基板または電子層における表面上の粒子もしくは欠陥は、積層プロセス（deposition process）中に電極表面を均一に被うことを妨げることがある。これは粒子もしくは欠陥の近くに被覆されていない領域（shadowed regions）をつくり出してしまう原因となる可能性がある。被覆されていない領域は、水分、酸素、そして、他の有害な溶剤が様々な発光層(lamp layer)に入り込んで接触するための経路となり、様々な発光層（lamp layer）を分解してしまう。この分解が、非発光領域をますます大きくする可能性があるダークスポットになりうる。この分解が、電気的な短絡、もしくは、遅延（slower）による直接的なデバイス欠陥と、ＯＬＥＤ層と大気の相互作用によって引き起こされる間接的なデバイス欠陥につながる。適切な緩衝層によって平坦化して、これらの欠陥を軽減することができる。
【００１０】
US patent 6333521では、ＯＬＥＤの有機層で使用するために開示されたガラスのような（単結晶形状または多結晶形状と対照的な）存在の有機物を開示している。ガラスは、薄いフィルムの結晶形状の物質を作成する場合に典型的に調製される多結晶物質と比較して優れた全体の荷電キャリア特性を有するだけでなく、高い透明度をもたらすことができるからである。しかしながら、ガラスの有機層がそのＴｇをこえて熱せられる場合、熱による有機層の変形は、破壊的でありなおかつ不可逆的なＯＬＥＤの欠陥をもたらす。さらに、熱によるガラスの有機層の変形は、Ｔｇよりも低い温度で起こることがあり、そのような変形の速度は、変形が起こる温度とＴｇ間の差に依存することがある。結果的に、ＯＬＥＤの寿命は、たとえデバイスがＴｇ以上に熱せられなくとも、有機層のＴｇに依存することがある。結果的に、ＯＬＥＤの有機層に使用することができる高いＴｇを有する有機物を必要とする。
【００１１】
良好な正孔輸送特性を有する陰極に隣接した緩衝層は、使用される厚みにおいて透明で、熱的に安定で、Ｔｇが高い、ということが重要である。
【００１２】
しかしながら、物質のＴｇと正孔輸送特性の間には、一般に反比例の関係がある。すなわち、高いＴｇを有する物質は、一般的に正孔輸送特性に乏しい。良好な正孔輸送特性をともなう緩衝層を使用することは、より高い量子効率、ＯＬＥＤを通るときのより低い抵抗、より高い量子実効率、そして、より高い輝度のような望むべき特性を有するＯＬＥＤをもたらす。
【００１３】
さらに、適切な緩衝層は、その効率を改善することでＯＬＥＤの制御電圧を減らすことができ、ＯＬＥＤを制御する寿命を延ばすことができる。
【００１４】
使用されてきた緩衝層は、US patent 6611096、6614176、および6593690で開示されているようなポリマー、ならびに銅のフタロシアニンのような有機金属錯体を含んでいる。
【発明の開示】
【００１５】
今ここに至り、私たちは、他の特性の改良した組み合わせと高いＴｇを有するエレクトロルミネッセントデバイスの緩衝層として用いることができる化合物を見つけた。
【００１６】
本発明では、（ｉ）陰極である第１電極と、(ii)緩衝物質を組み込んだ緩衝層と、(iii)エレクトロルミネッセント物質の層と、(iv)陽極である第２電極と、を含み、緩衝物質が金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体(tetra-p-tolyl porphonato complexs)、および構造式
【００１７】
【化６】
の化合物から選択されるエレクトロルミネッセントデバイスを提供する。
【００１８】
緩衝層は、５〜５０nmの厚さとすることが好ましい。
【００１９】
金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体(tetra-p-tolyl porphonato complexs)におけるより好ましい金属は亜鉛である。
【００２０】
この化合物はＴｇ＞２２６℃であり、Ｔｍ＞４２０℃である。
【００２１】
本発明のエレクトロルミネッセント物質として用いることができるエレクトロルミネッセント化合物は、一般構造式（Ｌα）nＭで表される。ここで、Ｍは希土類、ランタニドもしくはアクチニドであり、Ｌαは有機錯体、ｎはＭの価数（valence state）である。
【００２２】
本発明で用いることができる他の有機エレクトロルミネッセント化合物は、構造式
【００２３】
【化７】
で表される。
【００２４】
ここで、ＬαとＬｐは有機配位子であり、Ｍは希土類、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドであり、ｎは金属Ｍの価数である。配位子Ｌαは同じであっても、異なっていてもよく、同じもしくは異なっている複数の配位子Ｌｐがあってもよい。
【００２５】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）Ｍ（Ｌｐ）は、Mが希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドで、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）が同じもしくは違う有機錯体であって、（Ｌｐ）は中性配位子である。その配位子（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）の総電荷は金属Ｍの価数に等しい。３価の価電子数のＭに対応する３つの基Ｌαの場合は、錯体が構造式（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）Ｍ（Ｌｐ）であり、その異なる３つの基（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）は同じもしくは違っていてもよい。
【００２６】
Ｌｐは単座配位子、二座配位子、もしくは、多座配位子であり、１つもしくは複数の配位子Ｌｐがある可能性がある。
【００２７】
好ましくは、Ｍは、不完全な内殻を有する金属イオンであり、好ましいとされる金属は、Sm(III)、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Gd(III)U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、Er(III)、Yb(III)そして、さらに好ましくは、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Gd(III)、Er(III)、Yt(III)から選択される。
【００２８】
さらに、本発明で用いられる可能性がある有機エレクトロルミネッセント化合物は、一般構造式(Lα)nM1M2であり、ここでＭ１は上述のＭと同様であり、Ｍ２は非希土類金属であり、Ｌαは上述と同様であり、そしてｎはＭ１とＭ２を組み合わせた価数（combined valence state）である。また、錯体は１つもしくは複数の中性配位子Ｌｐを含むことで、錯体は一般構造式(Lα)nM1M2(Lp)となる可能性があり、ここでＬｐは上述と同様である。金属Ｍ２は、希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドではないいずれかの金属である。用いられる金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅（Ｉ）、銅（ＩＩ）、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ（ＩＩ）、スズ（ＩＶ）、アンチモン（ＩＩ）、アンチモン（ＩＶ）、鉛（ＩＩ）、鉛（ＩＶ）、および、異なる価数を有する遷移金属の第１族、第２族、第３族の金属、（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＶ）、白金（ＩＩ）、白金（ＩＶ）、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム）を含む。
【００２９】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）Ｍ（Ｌｐ）は、Mが希土類金属、遷移金属、ランタノイドもしくはアクチノイドで、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）と（Ｌｐ）が同じもしくは違う有機錯体である。
【００３０】
さらに、本発明で用いることができる有機金属錯体は、２核、３核、多核の有機金属錯体である。例えば、(Lm)xM1←M2(Ln)yの構造式の、例えば、以下のものである。
【００３１】
【化８】
【００３２】
Ｌは、架橋している配位子であり、Ｍ１は希土類金属であり、Ｍ２はＭ１もしくは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは上述で定義したような同じもしくは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の価数であり、そしてｙはＭ２の価数である。
【００３３】
これらの錯体において、金属−金属結合があってもよく、もしくは、Ｍ１とＭ２との間で１つもしくは複数の架橋する配位子を有してもよく、そして、ＬｍとＬｎが同じであっても、異なっていてもよい。
【００３４】
３核とは、金属−金属結合によって結合されている３つの希土類金属があることを意味する。すなわち、構造式で、
【００３５】
【化９】
であり、ここで、Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３は、同じもしくは異なる希土類金属であり、Ｌｍ、ＬｎおよびＬｐは有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の価数であり、ｙはＭ２の価数であり、ｚはＭ３の価数である。Ｌｐは、ＬｍおよびＬｎと同じであっても異なっていてもよい。
【００３６】
希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合によって、および／もしくは、中間で架橋する原子、配位子、もしくは分子基（molecular group）を介することによって、ともに結合することができる。
【００３７】
例えば、金属は架橋する配位子によって結合されてもよい。例えば、
【００３８】
【化１０】
であり、ここで、Ｌは架橋する配位子である。
【００３９】
多核とは、金属−金属結合によって、および／もしくは、中間で配位子を介することによって、結合された金属が３つ以上あることを意味している。
【００４０】
【化１１】
ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、およびＭ４は、希土類金属であり、Ｌは架橋する配位子である。
【００４１】
好ましくは、Ｌαは以下の構造式のようなαジケトンから選択される。
【００４２】
【化１２】
【００４３】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、ならびにＲ３は、同じもしくは異なっており、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族基、複素環および多環の環状構造をした基のような置換および非置換のヒドロカルビル基（hydrocarbyl group）、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、または、チオフェニル基から選択される。また、Ｒ１、Ｒ２、ならびにＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成することができ、モノマー（例えばスチレン）と共重合できる。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、もしくは、Ｏであり、Ｙは、水素、置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、置換もしくは非置換の芳香族、複素環および多環などの環状構造をした基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、または、ニトリルである。
【００４４】
βジケトンは、βジケトンで置換したポリマーとすることができ、βジケトンで置換したオリゴマーもしくはデンドリマーのポリマー内で、その置換基は、直接、ジケトンに結合する、または、１つもしくは複数の−ＣＨ２基、すなわち、
【００４５】
【化１３】
もしくは、フェニル基、例えば、
【００４６】
【化１４】
を介して結合することができる。ここで、「ポリマー」とは、（１つもしくは２つの置換されたフェニル基、さらには、（ＩＩＩｃ）で示されるような３つの置換されたフェニル基を有する）オリゴマーもしくはデンドリマーのポリマーとすることができる。さらにここでＲは水素、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造をした基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基から選択される。
【００４７】
Ｒ１および／もしくはＲ２および／もしくはＲ３の例として、脂肪族、芳香族および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン（phenanthrene）、アントラセン（anthracene）、ナフチル基、および、フルオレン基、ｔ−ブチル基のようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含む。
【００４８】
また、様々なＬα基のいくつかは、カルボキシラート基（carboxylate groups）のような同じもしくは違う荷電をした基であってもよく、その結果、Ｌ１基は上述で定義されたようでな基であり、Ｌ２基、Ｌ３…基は、
【００４９】
【化１５】
のような荷電された基であってもよい。ここで、Ｒは上述で定義されたようなＲ１であるか、もしくは、Ｌ１基、Ｌ２基が上述で定義されたような基であり、そして、Ｌ３…基などが他の荷電された基である。
【００５０】
また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
【００５１】
【化１６】
であり、ここでＸは、Ｏ、Ｓ、ＳｅもしくはＮＨである。
【００５２】
好ましいＲ１部分は、トリフルオロメチル（ＣＦ３）であり、ジケトン等の例としては、ベンゾイルトリフルオロアセトン(banzoyltrifluoroacetone)、ｐ−クロロベンゾイルトリフルオロアセトン(p-chlorobenzoyltrifluoroacetone)、ｐ−ブロモトリフロオロアセトン(p-bromotrifluoroacetone)、ｐーフェニルトリフルオロアセトン(p-naphthoyltrifluoroacetone)、１−ナフトイルトリフルオロアセトン(1-napthoyltrifluoroacetone)、２−ナフトイルトリフルオロアセトン(2-napthoyltrifluoroacetone)、２−フェナトイルトリフルオロアセトン(2-phenathoyltrifluoroacetone)、３−フェナントイルトリフルオロアセトン(3-phenanthoyltrifluoroacetone)、９−アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン(9-anthroyltrifluoroacetonetrifluoroacetone)、シンナモイルトリフルオロアセトン(cinnamoyltrifluoroacetone)、および、２−テノイルトリフルオロアセトン(2-thenoyltrifluoroacetone)がある。
【００５３】
様々なＬα基は、下記の構造式の同じもしくは異なる配位子であってもよい。
【００５４】
【化１７】
ここで、ＸはＯ、Ｓ、もしくは、Ｓｅであり、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は上述と同様である。
【００５５】
様々なＬα基は、
【００５６】
【化１８】
のような同じもしくは異なるキノラート誘導体（quinolate derivatives）であってもよい。ここで、Ｒは脂肪族、芳香族、もしくは、複素環であるヒドロカルビル基、カルボキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、あるいは、アルコキシ基であり、例えば、８−ヒドロキシキノラート誘導体もしくは
【００５７】
【化１９】
である。ここで、Ｒ、Ｒ１、およびＲ２は上述と同様であるか、もしくは、ＨまたはＦである。例えば、Ｒ１とＲ２は、アルキル基もしくはアルコキシ基である。
【００５８】
【化２０】
【００５９】
上で述べたような様々なＬα基は、同じもしくは異なるカルボキシラート基、例えば、
【００６０】
【化２１】
であり、ここで、Ｒ５は、置換もしくは非置換の芳香族、多環もしくは複素環、ポリピリジル基であり、また、Ｒ５を２−エチルヘキシル基とすることでＬｎは２−エチルヘキサン酸塩(2-ethylhexanoate)とすることができ、または、Ｒ５をイス型構造とすることでＬｎは２−アセチルシクロヘキサン酸塩(2-acetyl cyclohexanoate)とすることができ、あるいは、Ｌαは、
【００６１】
【化２２】
とすることができる。ここで、Ｒは上述と同様であり、例えば、アルキル、アレニル、アミノ、または、環状もしくは多環のような縮合環である。
【００６２】
また、様々なＬα基は、
【００６３】
【化２３】
であることがあり、ここで、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２は上述と同様である。
【００６４】
Ｌｐ基は、
【００６５】
【化２４】
から選択することができる。ここで、それぞれのＰｈは同じもしくは異なっており、フェニル基（ＯＰＮＰ）もしくは置換されたフェニル基、他の置換もしくは非置換の芳香族基、置換もしくは非置換の複素環基または多環基、ナフチル基、アントラセン、フェナントレン、もしくはピレン基のような置換もしくは非置換の縮合した芳香族基であってもよい。その置換基は、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、芳香族基、複素環基、多環基、フッ素のようなハロゲン基、シアノ基、アミノ基、置換されたアミノ基などであってもよい。例が図１と図２の図に与えられており、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同じ基であっても異なった基であっても良く、水素基、ヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造の基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基から選択される。また、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、置換および非置換の縮合芳香族、複素環および多環の環状構造の基を形成でき、モノマー（例えばスチレン）と共重合できる。Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、また、ビニル基や
【００６６】
【化２５】
基（ここでＲは上述と同様である）のような不飽和のアルキレン基であってもよい。
【００６７】
また、Ｌｐは、以下の構造式の化合物である可能性がある。
【００６８】
【化２６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は上述で述べたものであり、例えば、図３の図に示したバソフェン(bathophen)（ここでＲは上述と同様である）、もしくは、
【００６９】
【化２７】
である。ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は上述のものである。
【００７０】
また、Ｌｐは、
【００７１】
【化２８】
としてもよい。ここで、Ｐｈは上述と同様である。
【００７２】
Ｌｐのキレートの別の例としては、図４に示したもの、および、例えば図５で示されるフルオレンおよびフルオレン誘導体、ならびに、図６から図８で示されている構造式の化合物である。
【００７３】
ＬαおよびＬｐの具体例としては、トリピリジル(tripyridyl)およびＴＭＨＤ、ならびにＴＭＨＤ錯体、α,α’,α’’トリピリジル(α,α’,α’’tripyridyl)、クラウンエーテル類(crown ethers)、シクラン類(cyclans)、クリプタンズ(cryptans)、フタロシアナン類(phthalocyanans)、ポルフォリンエチレンジアミンテトラミン（ＥＤＴＡ,porphoryins ethylene diamine tetramine）、ＤＣＴＡ、ＤＴＰＡ、およびＴＴＨＡである。ここでＴＭＨＤは、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)であり、ＯＰＮＰはジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン(diphenylphosphonimidetriphenylphosphorane)である。ポリアミンの構造式は、図９で示している。
【００７４】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、リチウムキノラートのような金属のキノラート類（metal quinolates）、および、アルミニウム錯体、マグネシウム錯体、亜鉛錯体のような非希土類金属錯体、ならびに、β-ジケトンの錯体のようなスカンジウム錯体、例えば、トリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）（ＤＢＭ,Tris -(1,3-diphenyl-1-3-propanedione)）を含んでおり、適した金属錯体は、Ａｌ（ＤＢＭ）３、Ｚｎ（ＤＢＭ）２およびＭｇ（ＤＢＭ）２、Ｓｃ（ＤＢＭ）３などである。
【００７５】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、下記の構造の金属錯体を含む。
【００７６】
【化２９】
【００７７】
ここで、Ｍは希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドとは別の金属であり、ｎはＭの価数であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、水素、ヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、またはニトリルから選択され、また、Ｒ１とＲ３は環状構造を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、モノマー（例えば、スチレン）と共重合する可能性がある。好ましくは、Ｍはアルミニウムであり、Ｒ３はフェニル基もしくは、置換したフェニル基である。
【００７８】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、下記の構造のエレクトロルミネッセントジイリジウム化合物を含む。
【００７９】
【化３０】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、置換および非置換のヒドロカルビル基から選択され、好ましくはＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、から選択され、またＲ１、Ｒ２およびＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマーと共重合することができ、さらに、Ｌ１およびＬ２は、同じもしくは異なっている有機配位子であり、より好ましいＬ１およびＬ２は、フェニルピリジンおよび置換したフェニルピリジン類から選択されるとよい。
【００８０】
用いることができる別のインジウム錯体には、下記の構造式のエレクトロルミネッセント錯体、
【００８１】
【化３１】
（ここで、Ｍはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎは１もしくは２であり、Ｒ１、Ｒ４およびＲ５は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の単環もしくは多環の複素環基、置換および非置換のヒドロカルビルオキシ(hydrocarbyloxy)基またはカルボキシ基、フルオロカルビル(fluorocarbyl)基、ハロゲン、ニトリル、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、および、チオフェニル基から選択され、ｐ、ｓおよびｔは独立に、０、１、２もしくは３であり、ｐ、ｓおよびｔのいずれかが２もしくは３であるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン以外であってもよく、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、ハロゲンから選択され、ｑおよびｒは独立して０、１、もしくは２である）、ならびに、下記の構造式の錯体、
【００８２】
【化３２】
【００８３】
（ここで、Ｍはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎは１もしくは２であり、Ｒ１からＲ５は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の単環もしくは多環の複素環基、置換および非置換のヒドロカルビルオキシ(hydrocarbyloxy)基もしくはカルボキシ基、フルオロカルビル基、ハロゲン、ニトリル、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキルアミド基、Ｎ−アリールアミド基、スルホニル基、および、チオフェニル基から選択され、そして、Ｒ２およびＲ３は、さらにアルキルシリル基、アリールシリル基であってもよく、ｐ、ｓおよびｔは、独立して０、１、２もしくは３であり、ｐ、ｓおよびｔのいずれかが２もしくは３であるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン基以外であってもよく、ｑおよびｒは、独立して０、１もしくは２であり、ｑもしくはｒが２のであるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン以外である可能性がある）、
下記の構造式の化合物、
【００８４】
【化３３】
（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマー（例えば、スチレン）と共重合をすることができ、さらに、ここでＲ４およびＲ５は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、から選択されてもよく、また、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマーと共重合をすることもでき、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎ＋２はＭの価数である）
ならびに、下記の構造式のエレクトロルミネッセント化合物、
【００８５】
【化３４】
【００８６】
（ここで、Ｍは金属であり、ｎはＭの価数であり、ＲとＲ１は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、チオフェニル基、シアノ基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の脂肪族基のような置換および非置換のヒドロカルビル基から選択される）
を含んでいる。
【００８７】
別のエレクトロルミネッセントの構造において、エレクトロルミネッセント層は、第二のエレクトロルミネッセント金属錯体、または、ガドリニウム錯体もしくはセリウム錯体のような有機金属錯体におけるバンドギャップが、第一のエレクトロルミネッセント金属錯体、または、ユウロピウム錯体もしくはテルビウム錯体のような有機金属錯体のバンドギャップよりも大きい２つのエレクトロルミネッセント有機錯体の層にて形成される。
【００８８】
用いることができる別のエレクトロルミネッセント化合物は、構造式
【００８９】
【化３５】
である。ここで、Ｐｈは非置換もしくは置換のフェニル基であり、その置換基は、同じ基であっても異なる基であってもよく、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は、水素、または、置換および非置換の芳香族、複素環および多環のような環状構造を有する基などの置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基、あるいは、ニトリルであってもよい。
【００９０】
Ｒおよび／またはＲ１および／またはＲ２および／またはＲ３の例としては、脂肪族、芳香族および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基、およびカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基、ならびに、フルオレン基、ｔ-ブチルのようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含む。
【００９１】
さらに、用いることができるエレクトロルミネッセント物質は、アルミニウムキノラート、リチウムキノラート、ジルコニウムキノラートなど、のような金属キノラート類、および、蛍光物質をドープした金属キノラート、もしくは、特許文献WO/2004/058913で開示されているような色素（dies）を含む。
【００９２】
好ましくは、緩衝層とエレクトロルミネッセント化合物の層との間に正孔輸送物質の層を有する。
【００９３】
その正孔輸送物質は、エレクトロルミネッセントデバイスで用いられる正孔輸送物質のいずれであってもよい。
【００９４】
その正孔輸送物質は、ポリ（ビニルカルバゾール）(poly(vinylcarbazol))、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス（3-メチルフェニル）-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（ＴＰＤ；N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine）のようなアミン錯体、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマー、ポリアニリン、置換されたポリアニリン類、ポリチオフェン類、置換されたポリチオフェン類、ポリシラン類など、であってもよい。ポリアニリンの例としては、以下の構造式の化合物のポリマーがある。
【００９５】
【化３６】
ここで、Ｒは、オルト位もしくはメタ位にある、水素、C1-18アルキル基、C1-6アルコキシ基、アミノ基、クロロ基、ブロモ基、ヒドロキシ基、もしくは、以下の基
【００９６】
【化３７】
であり、ここでＲはアルキ（alky）基もしくはアリール基であり、Ｒ’は水素、C1-6アルキル基もしくは上記の構造式Ｉの少なくとも１つの別のモノマーを伴うアリール基である。
【００９７】
また、正孔輸送物質は、ポリアニリンであってもよく、本発明で用いることができるポリアニリン類は、以下の一般構造式を有する。
【００９８】
【化３８】
ここでｐは１から１０であり、ｎは１から２０であり、Ｒは上述で定義されたものであり、Ｘはアニオンであって、好ましくは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、Ｈ２ＰＯ３、Ｈ２ＰＯ４、アリールスルホナ−ト(arylsulphonate)、アレーンジカルボキシラート(arenedicarboxylate)、ポリスチレンスルホナート(polystyrenesulphonate)、ポリアクリラート(polyacrylate)、アルキスルホナート(alkysulphonate)、ビニルスルホナート(vinylsulphonate)、ビニルベンゼンスルホナート(vinylbenzene sulphonate)、セルローススルホナート(cellulose sulphonate)、カンファースルホナート(camphor sulphonates)、セルローススルファート(cellulose sulphate)、もしくは、過フッ素化したポリアニオン（perfluorinated polyanion）から選択される。
【００９９】
アリールスルホナート類(arylsulphonate)の例としては、p-トルエンスルホナート(p-toluenesulphonate)、ベンゼンスルホナート(benzenesulphonate)、9,10-アントラキノン-スルホナート(9,10-anthraquinone-sulphonate)、および、アントラセンスルホナート(anthracenesulphonate)があり、アレーンジカルボキシラート(arenedicarboxylate)の例としては、フタラート(phthalate)があり、アレーンカルボキシラート(arenedicarboxylate)の例としては、ベンゾアート(benzoate)がある。
【０１００】
我々は、ポリアニリンなどのアミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換ポリマーのプロトン化したポリマーが蒸発しにくいか、蒸発しないことを発見した。しかしながら、さらに驚くことには、我々は、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーが脱プロトン化された場合、容易に蒸発する、すなわちポリマーが蒸発可能である、ということを発見した。
【０１０１】
好ましくは、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーにおける蒸発可能な脱プロトン化されたポリマーを用いる。その脱プロトン化されたアミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーは、水酸化アンモニウムのようなアルカリ、または、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物で処理してそのポリマーを脱プロトン化することによって形成することができる。
【０１０２】
プロトン化の程度は、プロトン化されたポリアニリンを形成し、脱プロトン化することによって調整される。ポリアニリンを調製する方法は、A. G. Mac DiarmidとA. F. EpsteinのFaraday Discussions, Chem Soc. 88 P319 1989における文献で述べられている。
【０１０３】
ポリアニリンの電気伝導度は、プロトン化の程度に比例し、プロトン化の程度が４０％〜６０％、例えば、約５０％であるときに最大電気伝導度となる。
【０１０４】
好ましくは、そのポリマーをほぼ完全に脱プロトン化する。
【０１０５】
好ましくは、ポリアニリンは、８量体単位（octamer unit）を形成することができる。すなわち、ｐは４つであり、例えば、
【０１０６】
【化３９】
である。
【０１０７】
ポリアニリン類は、１×１０−１シーメンスcm-1、もしくは、それ以上の桁の電気伝導度を有してもよい。
【０１０８】
芳香族環は非置換であっても、例えば、エチル基のようなC1-20アルキル基で置換してもよい。
【０１０９】
ポリアニリンは、アニリンのコポリマーとすることができ、好ましいコポリマーは、o-アニシジン(o-anisidine)、m-スルホン酸(m-sulphanilic acid)もしくはo-アミノフェノール(o-aminophenol)とアニリン(aniline)とのコポリマー、または、o-アミノフェノール(o-aminophenol)、o-エチルアニリン(o-ethylaniline)、o-フェニレンジアミン(o-phenylene)またはアミノアントラセン類(aminoanthracenes)とo-トルイジン(o-toluidine)とのコポリマーである。
【０１１０】
用いることができる別のアミノ置換芳香族化合物のポリマーは、置換もしくは非置換のポリアミノナフタレン類(polyaminonapthalenes)、ポリアミノアントラセン類(polyaminoanthracenes)、ポリアミノフェナントレン類(polyaminophenanthrenes)など、および、他の任意の導電性を有するポリ芳香族化合物のポリマーを含む。ポリアミノアントラセン類(polyaminoanthracenes)とそれらを調製する方法は、US特許6,153,726で開示されている。その芳香族環は非置換であっても、例えば、上述のようなＲ基によって置換しても良い。
【０１１１】
別の正孔輸送物質は、共役ポリマーであり、用いることができる共役ポリマーは、US5807627、PCT/WO90/13148およびPCT/WO92/03490で開示、もしくは言及されている共役ポリマーのいずれであってもよい。
【０１１２】
好ましい共役ポリマーは、ポリ(p-フェニレンビニレン) (PPV;poly(p-phenylenevinylen)) およびPPVを含むコポリマーである。別の好ましいポリマーは、ポリ（2-メトキシ-5-（2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン））(poly(2-methoxy-5-(2-methoxypentyloxy-1,4-phenylene vinylene))) 、ポリ（2-メトキシペンチルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン(poly(2-methoxypentyloxy)-1,4-phenylene vinylene)、ポリ（2-メトキシ-5-(2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン) (poly(2-methoxy-5-(2-dodecyloxy-1,4-phenylene vinylene)))のようなポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）(poly(2,5dialkoxyphenylene vinylene))、および、長鎖で可溶であるアルコキシ基を有する少なくとも１つのアルコキシ基をともなう他のポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）類(poly(2,5dialkoxyphenylene vinylene))、ポリフルオレン類(poly fluorenes)およびオリゴフルオレン類(oligofluorenes)、ポリフェニレン類(polyphenylenes)およびオリゴフェニレン類(oligophenylenes)、ポリアントラセン類(polyanthracenes)およびオリゴアントラセン類(oligoanthracenes)、ポロイチオフェン類(ploythiophenes)およびオリゴチオフェン類(oligothiophenes)である。
【０１１３】
ＰＰＶのフェニレン環は、任意に１つもしくは複数の置換基をともなっていてもよく、例えば、それぞれ独立して、アルキル基（好ましくは、メチル基）、アルコキシ基（好ましくは、メトキシ基もしくはエトキシ基）から選択される。
【０１１４】
任意のポリ（アリーレンビニレン）(poly(arylenevinylene))には、使用可能なそれらの置換誘導体を含む可能性があり、ポリ（p-フェニレンビニレン）(poly(p-phenylenevinylene))のフェニレン環を、アントラセン環もしくはナフタレン環のような縮合環類で置換してもよく、それぞれのポリフェニレンビニレン部分のビニレン基の数を、例えば７まで、または、それ以上に増やしてもよい。
【０１１５】
共役ポリマーは、US5807627、PCT/WO90/13148およびPCT/WO92/03490で開示されている方法によって調製することができる。
【０１１６】
正孔輸送層の厚さは、好ましくは厚さ20nm〜200nmである。
【０１１７】
別のいくつかの正孔輸送物質の構造式は、図１２、図１３、図１４、図１５、および、図１６の図に示されており、ここでＲ１、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、そして、水素、および、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素および多環の環状構造を形成してもよく、モノマー（例えば、スチレン）と共重合する可能性もある。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、もしくはＯであり、Ｙは、水素、置換および非置換の芳香族、複素環式および多環式の環状構造の基などの置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、または、ニトリルとしてもよい。
【０１１８】
例として、Ｒ１および／もしくはＲ２および／もしくはＲ３は、脂肪族、芳香族、および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基ならびにカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基、およびフルオレン基、ｔ-ブチルのようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含んでいる。
【０１１９】
任意に、陽極とエレクトロルミネッセント物質層との間に電子注入物質層が存在する。その電子注入物質は、その中を電流が通ったときに電子を輸送する物質であり、電子注入物質には、金属キノラート（例えば、アルミニウムキノラート、リチウムキノラート）、Ｍｘ（ＤＢＭ）n、（ここで、Ｍｘは金属で、ＤＢＭはジベンゾイルメタンであり、ｎがＭｘの価数であり、例えば、Ｍｘはクロム）などの金属錯体、9,10ジシアノアントラセン(9,10 dicyano anthracene)のようなシアノアントラセン、シアノ置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタン(tetracyanoquinidodimethane)、ポリスチレンスルホナート(polystyrene sulphonate)、または、フェニル環が上述における置換基Ｒで置換される可能性がある図１０もしくは図１１の図において示される構造の構造式を有する化合物が含まれる。別々の層とする代わりに、電子注入物質はエレクトロルミネッセント物質と混在していてもよく、また、エレクトロルミネッセント物質とともに同時に堆積してもよい。
【０１２０】
任意に、正孔輸送物質は、エレクトロルミネッセント物質と混在していてもよく、また、エレクトロルミネッセント物質とともに同時に堆積してもよい。
【０１２１】
正孔輸送物質、エレクトロルミネッセント物質および電子注入物質は、構造を単純化し、１つの層を形成するために共に混在していてもよい。
【０１２２】
第１電極は、好ましくは、陰極として機能する導電性のガラス、もしくは、プラスチック物質のような透明な基板である。好ましい基板は、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス（indium tin oxide coated glass）ような導電性のガラスであるが、導電性を有する、または、金属もしくは導電性ポリマーのような電気伝導層を有する任意のガラスを用いることができる。導電性ポリマー類、ならびに、導電性ポリマーで覆われたガラスもしくはプラスチック物質も、基板として用いることができる。
【０１２３】
陽極は、好ましくは、低い仕事関数を有する金属であり、例えば、アルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、および、銀／マグネシウム合金のようなそれらの合金、希土類金属合金などがあり、アルミニウムが好ましい金属である。アルカリ金属、希土類金属、もしくは、それらの合金、のような金属フッ化物は、例えば、金属上に形成した金属フッ化物層を有することで、第二電極として用いることができる。
【０１２４】
本発明のデバイスは、映像ディスプレイ、携帯電話、携帯式のコンピュータ、および、電気的に制御される可視画像に使われる任意の他の用途に用いられるディスプレイとして用いることができる。本発明のデバイスは、このようなディスプレイのアクティブ用途およびパッシブ用途（active and passive application）の両方において用いられる。
【０１２５】
公知のエレクトロルミネッセントデバイスにおいて、１つもしくは両方の電極をシリコンおよびエレクトロルミネッセント層において形成することができ、正孔輸送物質および電子輸送物質の中間にある層をシリコン基板におけるピクセルとして形成することができる。好ましくは、各ピクセルは、少なくとも１つエレクトロルミネッセント物質の層と、基板から離れているそれら（ピクセル）の側面における有機層に接続してある（少なくとも半透明）透明電極を含んでいる。
【０１２６】
好ましくは、基板が結晶質シリコン（crystalline silicon）であり、電極もしくはエレクトロルミネッセント化合物の堆積の前に平坦な表面を作るために、基板の表面を研磨する、もしくは平滑化するとよい。もう一つの方法として、さらなる物質を堆積させる前に滑らかで平坦な表面にするために平坦でないシリコン基板を導電性のポリマー層で被ってもよい。
【０１２７】
１つの実施の形態として、各ピクセルは、基板に接続している金属の電極を含んでいる。金属と透明電極の相対的な仕事関数に依存して、どちらかが陰極として機能し他方が陽極として機能することがある。
【０１２８】
シリコン基板が陽極である場合、インジウム-スズ酸化物被覆ガラスは、陰極として機能し、光が陰極を通して放出される。シリコン基板が陰極として機能する場合は、陽極を適した仕事関数を有する透明電極で形成するとよい。（例えば、インジウム-亜鉛酸化物が低い仕事関数を有するため、インジウム-亜鉛酸化物被覆ガラス（indium zinc oxide coated glass）を用いることができる。）陰極は、適した仕事関数とするためにその上に金属の透明な被膜を施すとよい。これらのデバイスは、トップエミッティングデバイスもしくはバックエミッティングデバイスと言われることがある。
【０１２９】
金属の電極は、複数の金属層（例えば、基板上に堆積したアルミニウムのような高い仕事関数を有する金属と、高い仕事関数を有する金属上に堆積したカルシウムのような低い仕事関数を有する金属）から構成されてもよい。もう一つの例として、導電性ポリマーのさらなる層をアルミニウムのような安定な金属の表面に施している。
【０１３０】
好ましくは、電極は、各ピクセルの後方におけるミラーとしても機能して、基板の平坦化された表面上に堆積されているか、もしくは、表面内に沈められている。しかしながら、もう一つの方法として、吸光黒色層（light absorbing black layer）を基板に隣接させてもよい。
【０１３１】
また、別の実施の形態として、底面の導電性ポリマー層における選択的な領域を、ピクセル電極の底面の接触部としての役割を果たす導電性ピクセルパッドの配列の形成をする適切な水溶液にさらすことで絶縁性をなす。
【０１３２】
本発明の少なくとも１つの実施形態の利点は、有機エレクトリックデバイスにおける可動性の対イオンの減少もしくは排除にある。好ましくは、対イオン可動性は、そのようなデバイスにおける緩衝層にて減少もしくは排除される。対イオンが電極構造内を移動して、デバイスの中における正電荷や電荷の運動を阻害すると言うことが信じられていることから、これらの対イオンを不動とする利点があり、本発明の少なくとも１つの実施形態のさらなる利点は、時間にともなう望まれない制御電圧増大の回避にあり、さらなる本発明の少なくとも１つの実施形態の利点は、デバイス寿命、および、より高く制御の信頼性が向上したことにある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１３３】
本発明は実験例の中で図説される。
【０１３４】
［実験例１］
5,10,15,20-テトラ-p-トリルポルフィン）亜鉛(II) (ZnTpTP)(A)の調製における合成手順
【０１３５】
｛必要な材料｝
5,10,15,20-テトラ-p-トリル-21H,23H-ポルフィン（TpTP） 97％ Aldrich
リチウムビス（トリメチルシリル）アミド(LiN(SiMe3)2) 97％ Aldrich
塩化亜鉛（II）1(ZnCl2) 98.0％ BDH
エチレングルコールジメチルエーテル、無水和物(DME)2 99.5％ Aldrich
トルエン3 Analar BDH
クロロホルム Analar BDH
1 ZnCl2は、使用前に７２時間にわたり、１００℃の減圧オーブンで保存した。
2 使用前に凍結-脱気-解凍サイクルを用いて溶媒を脱ガスした。
3 使用前にNa/ベンゾフェノンから蒸留した。
【０１３６】
｛合成法｝
【０１３７】
【化４０】
【０１３８】
｛実験｝
【０１３９】
＜5,10,15,20-テトラ-p-トリルポルフィンのジリチウム塩の調製＞
アルゴン雰囲気下で、熱乾燥したSchlenk管にLiN(SiMe3)2（4.0g,24mmol）とTpTP(8.0g,12mmol)を一緒につめた。カニューレを介してＤＭＥ(50mL)を加え、混合物を８時間にわたりアルゴン下で還流した。冷却すると、鮮やかな紫の粉のLi2(DME)x(TpTP)(x=2~3)が形成された。この生成物を濾別し、数時間にわたり減圧乾燥した。収率10.5g(92~99％)。
【０１４０】
＜ZnTpTP(A)の調製＞
アルゴン雰囲気下で、熱乾燥したSchlenk管にLi2(DME)３(TpTP)(10.5g,12mmol)とZnCl2(3.3g,24mmol)を一緒につめた。カニューレを介してトルエン(50mL)を加え、混合物を４〜５時間にわたりアルゴン下で還流し、その後、混合物は鮮やかな紫を呈した。混合物を熱濾過し、そして、温かいクロロホルム(50mL)で３回洗浄した。溶媒を濾過することで除去し、残余物を７２時間にわたって200mLのトルエンでソックレー抽出をした。冷却すると、そのトルエン溶媒は暗紫色の結晶を生じ、それを濾過によって分離した。その結晶をヘキサンで洗浄し、２４時間にわたって１００℃の減圧オーブンで乾燥した。収率５．６ｇ（６４％）。
【０１４１】
［実験例２］
Ｎ*10*,N*10’-ジ-ナフタレン-1-イル-N*10*,N*10’*-ジフェニル[9,9’]ビアントラセニル-10,10’-ジアミン（Ｂ）の合成
【０１４２】
（１）
【０１４３】
【化４１】
アントロン（Avocadoから購入、９７％（40.00g、206mmol））を氷酢酸(200ml)と濃塩酸(80ml)の混合物で還流した。この還流する溶液において、粒状のスズ（80g,674mmol）を慎重に加えた。その反応物を白濁沈殿物が形成されている期間の１５時間にわたって還流した。混合物を室温まで冷まし、その溶液を、その沈殿物と分離するために（しかし、反応容器に反応していないスズを残すように）、注意深く減圧濾過した。その沈殿物を水（100ml）ですすいで、減圧オーブンで乾燥した。その後、1:1[9,9’]ビアンセラセニル／トルエン付加化合物（37g,81％収率）の淡い黄色の結晶を回収するために熱トルエンの最低量（約500ml）から、この固体を再結晶化させた。
【０１４４】
（２）
【０１４５】
【化４２】
1:1[9,9’]ビアンセラセニル／トルエン付加化合物(30g,67.2mmol)を室温にて二硫化炭素(100ml)で溶解し、攪拌した。この水溶液に臭素（6.9ml,134.7mmol）を滴下して加えた。臭化水素ガスが発生し、混合物を２ｈ以上攪拌した。この期間の後に、n-ヘキサン(150ml)を加えることで、多量の黄色固体が沈殿した。この固体を減圧濾過し、ｎ-ヘキサンですすいで乾燥した。この固体が、10,10’-ジブロモ-[9,9’]ビアントラセニル(27g,78％)であり、融点357~359℃である。
【０１４６】
（３）
【０１４７】
【化４３】
10,10’-ジブロモ-[9,9’]ビアントラセニル(10g,19.5mmol)、Ｎ-フェニル-1-ナフチルアミン(40mmol)、tert-ブトキシドナトリウム(4.15g,96mmol)、パラジウム（II）アセタート(0.088g,0.39mmol)およびヘキサン(5.5ml,1.6mmol)中の10％wtのトリ-tert-ブチル-ホスファンを乾燥したアルゴンガスの雰囲気下において、無水のo-キシレン(100ml)中で攪拌した。この混合物は、３時間にわたり120℃で熱した。その初期の暗色溶液は、この期間が経つにつれてより明るい色になり、沈殿の色が濃くなる。その反応混合物を室温まで冷まし、250mlのメタノールに十分に混合し、減圧濾過し、少量のメタノールですすいだ。その固体を250mlの熱水で十分に攪拌し、減圧濾過し、250mlの冷水ですすぎ、それから250mlのメタノールですすいだ。精製した生成物を得るために、その固体を乾燥し、それから高減圧下(近似的に10-6Torr)で昇華した。収率86％。オレンジ-黄色のアモルファス固体を得るために、これを二回昇華した。融点＞４００℃。
【０１４８】
上述のように合成したＡおよびＢをエレクトロルミネッセントデバイスの中の緩衝層として試行実験をし、緩衝層として広く用いられているフタロシアニン銅の緩衝層の使用と比較した。
【０１４９】
［実験例３］
あらかじめエッチングしたITO被覆ガラス片（pre-etched ITO coated glass piece）（10 x 10cm2）を用いた。ITO上に順次形成し、Solciet Machine （ULVAC Ltd. Chigacki, Japan）を用いて真空蒸発によりデバイスを加工した。各ピクセルの稼働域は、３mm×3mmであり、そのデバイスは、図１７で示しており、その層は、下記からなる。
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(65nm)/(4)C:Liq-2Me(25:0.1nm)/(5)Hfq4(20nm)/(6)LiF(0.3nm)/(7)Al、
ここで、ITOはインジウム-スズ酸化物被覆ガラスであり、α-NPBは図１７の図で示されおり、Ｃは下記(p.39)であり、Liq-2Meは2-メチルリチウムキノラートであり、Hfq4はハフニウムキノラートである。
【０１５０】
その被覆電極は、それらを減圧塗工機(Edwards,10-6torr)に導入してアルミニウム表面接触部（aluminium top contacts）を作るまで、モレキュラーシーブとリンの五酸化物を介して減圧乾燥機内で保存した。エレクトロルミネッセンス研究が行われるまで、そのデバイスを減圧乾燥機内に保存した。
【０１５１】
ITO電極を常に陽極端子に接続した。電流、対、電圧の研究をコンピュータ制御されたKeithly 2400 電圧計で実行した。その性能は図１８と図１９で示している。
【０１５２】
［実験例４］
一連のデバイスは、例３のようにして作成し、そして、フタロシアニン銅緩衝層を用いたデバイスと比較した。
デバイスは以下の実施例にある構造とした。
【０１５３】
［実験例５］
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(45nm)/(4)CBP:D(20:0.5nm)/(5)BCP(6nm)/(6)LiF(0.5nm)/(７)Al、および
(1)ITO/(2)CuPc(10nm)/(3)α-NPB(45nm)/(4)CBP:D(20:0.5nm)/(5)BCP(6nm)/(6)LiF(0.5nm)/(７)Al。
ここで、CBPは図１２ｂにおける構造式であり、BCPはバソクプロン(bathocupron)であり、そして、Ｄは以下の(p.39)における構造式の緑色リン発光化合物である。
性能は図２０および図２１で示している。
【０１５４】
［実験例６］
(1)ITO/(2)B(5nm)/(3)α-NPB(20nm)/(4)CBP:E(20:1.6nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5)/(8)Al、および
(1)ITO/(2)CuPc(5nm)/(3)α-NPB(20nm)/(4)CBP:E(20:1.6nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5)/(8)Al、
ここで、Ｅは以下の(p.39)における緑色リン発光化合物である。
性能は図２２および図２３で示している。
【０１５５】
［実験例７］
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al、および
(1)ITO/(2)A(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al、ならびに
(1)ITO/(2)CuPc(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al。
ここでDPQAは、ジフェニルキナクリドンであり、Zrq4はジルコニウムキノラートであり、DPQAをドープしたジルコニウムキノラート層を形成するために同時減圧堆積によってZrq4：DPQA層を形成した。Zrq4とDPQAの重量比を好適な相対的な厚さ測定によって示している。
性能は図２４、図２５、図２６および図２７で示している。
【０１５６】
［実験例８］
(1)ITO/(2)/B(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、および
(1)ITO/(2)/A(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、ならびに、
(1)ITO/(2)/CuPc(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、および、
(1)ITO/(2)/α-NPB(60nm)/(3)CBP:E(30:0.2nm)/(4)Zrq4(30nm)/(5)LiF(0.3)/(6)Al。
性能は図２８および図２９で示している。
図３０では、Ａ、Ｂ、およびCuPcの吸光スペクトルを示している。
【０１５７】
【化４４】
図３１は、堆積速度にともなう蒸発温度の変化を示しており、そして、図３２は、様々な緩衝材の特性を示している表である。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
原文に記載なし。
【図１】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５Ｃ】
【図５ｄ】
【図５ｆ】
【図５ｇ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図６ｃ】
【図６ｄ】
【図６ｅ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図７ｄ】
【図７ｅ】
【図７ｆ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図８ｅ】
【図８ｆ】
【図８ｇ】
【図８ｈ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１２ｃ】
【図１２ｄ】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１３ｃ】
【図１４ａ】
【図１４ｂ】
【図１４ｃ】
【図１４ｄ】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１６ａ】
【図１６ｂ】
【図１６ｃ】
【図１７】
【図１８ａ】
【図１８ｂ】
【図１９】
【図２０ａ】
【図２０ｂ】
【図２１】
【図２２ａ】
【図２２ｂ】
【図２３】
【図２４ａ】
【図２４ｂ】
【図２５ａ】
【図２５ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８ａ】
【図２８ｂ】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセントデバイス内の改良した緩衝層（Buffer Layer）と、改良した緩衝層を組み込んだエレクトロルミネッセントデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電流が物質に導通すると発光する物質は、公知であり、ディスプレイ用途に広く用いられている。液晶デバイスおよび無機の半導体系（inorganic semiconductor system）に基づくデバイスが広く用いられている。しかしながら、これらは、高いエネルギー消費、製造における高いコスト、低い量子効率、そして、フラットパネルディスプレイを作ることができないという欠点を持っている。
【０００３】
特許文献WO/98/58037は、改善された特質を有し、より優れた実験結果を与えるエレクトロルミネセンスデバイスとして使用することが可能な、一連のランタニド錯体を記載している。特許文献PCT/GB98/01773、PCT/GB99/03619、PCT/GB99/04030、PCT/GB99/04028、PCT/GB00/00268は、希土類キレートを用いているエレクトロルミネッセント錯体、構造、およびデバイスを記載している。
【０００４】
光学発光ダイオード（optical light emitting diodes）（OLEDs）として一般的に参照される典型的なエレクトロルミネッセントデバイスは、一般的に電気的な光を伝送する物質の陰極と、正孔を輸送する物質の層と、エレクトロルミネッセント物質の層と、電子を輸送する物質の層と、金属の陽極と、を含んでいる。
【０００５】
US Patent 5128587は、高い仕事関数を有する透明電極と低い仕事関数を有する第二電極の間に挟まれたランタニド系列の希土類元素の有機金属錯体、エレクトロルミネッセント層と透明な高い仕事関数を有する電極との間に置かれた正孔伝導層、および、エレクトロルミネッセント層と電子を注入する低い仕事関数を有する陰極との間に置かれた電子伝導層、から成るエレクトロルミネッセントデバイスを開示している。デバイスの作用と効率を改良するために正孔伝導層および電子伝導層が必要である。正孔伝導層もしくは正孔輸送層は、正孔を搬送して電子を阻止するように働き、これによって電子が正孔と再結合することなく電極内に移動するのを防ぐ。その結果、発光層においてキャリアの再結合が大部分もしくは全体的に起こる。
【０００６】
US Patent 6333521で述べられているように、このメカニズムは、捕縛された電荷の放射性再結合（radiative recombination）に基づいている。特に、OLEDsは陰極と陽極との間の少なくとも２つの薄い有機層から構成されている。これらの層の１つ（正孔輸送層（ＨＴＬ））の物質は、特に、正孔を輸送する能力に基づいて選択され、他方の層（電子輸送層（ＥＴＬ））の物質は、特に、電子を輸送する能力によって選択される。このような構造をともなうことで、陰極に印加された電位が陽極に印加された電位よりも高い場合、デバイスを順方向バイアスのダイオードとしてみなすこともできる。これらのバイアス条件下で、陰極はＨＴＬ内へ正孔（正の電荷のキャリア）を注入し、一方で陽極はＥＴＬ内へ電子を注入する。したがって、ルミネッセント媒体（luminescent medium）の陰極に隣接している部分は、正孔注入域と正孔輸送域を形成し、一方でルミネッセント媒体の陽極に隣接している部分は、電子注入域と電子輸送域を形成する。注入された正孔と電子は、それぞれ反対に帯電している電極の方向へ移動する。電子と正孔が同一分子に局在するとき、Frenkel励起子が形成される。これらの励起子は、最もエネルギーの低い物質内で捕縛される。特定の状況下で、特異的な光電子放出メカニズムを介して生じる緩和にともなった、電子の導電位（conduction potential）から価電子帯（valence band）までの電子遷移として、その束の間の励起子の再結合が可視化される。
【０００７】
ＯＬＥＤにおいて、正孔はＨＴＬから別にある放出層へ注入され、電子もＥＴＬから別にある放出層へ注入され、そこで、正孔と電子が励起子を形成するために結びつく。
【０００８】
様々な化合物がＨＴＬ物質またはＥＴＬ物質として用いられてきた。ＨＴＬ物質は、おおむね、高い正孔移動度（〜１０−３ｃｍ2／Ｖs）を示す様々な形態のトリアリ−ルアミン類からなる。ＯＬＥＤsに用いられているＥＴＬsには、幾分かの多様性がある。トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Aluminium tris(8-hydroxyquinolate)）（Ａｌｑ３）が、最も一般的なＥＴＬ物質であり、他にオキシジアゾールと、トリアゾールと、トリアジンとを含んでいる。
【０００９】
ＯＬＥＤsの性能を改良するために、電極および隣接している層の間に緩衝層を用いている。緩衝層の使用により、電気的な短絡および無放射性領域（ダークスポット）のような性能劣化を軽減もしくは解消することができる。典型的な性能劣化は、Antoniadas, H., et al. ”Failure Modes in Vapor-Deposited Organic LEDs,” Macromol.Symp., 125, 59-67 (1997) の中で記載されている。ＯＬＥＤsの性能信頼性は、多くの要因によって左右される可能性がある。例えば、基板と電極層を構成している材料の表面における欠陥、表面上の粒子、および表面の形態（morphology）のなかで一般的な形態は、ＯＬＥＤsで生じている性能劣化を引き起こすか、もしくは、悪化させてしまう可能性がある。基板または電子層における表面上の粒子もしくは欠陥は、積層プロセス（deposition process）中に電極表面を均一に被うことを妨げることがある。これは粒子もしくは欠陥の近くに被覆されていない領域（shadowed regions）をつくり出してしまう原因となる可能性がある。被覆されていない領域は、水分、酸素、そして、他の有害な溶剤が様々な発光層(lamp layer)に入り込んで接触するための経路となり、様々な発光層（lamp layer）を分解してしまう。この分解が、非発光領域をますます大きくする可能性があるダークスポットになりうる。この分解が、電気的な短絡、もしくは、遅延（slower）による直接的なデバイス欠陥と、ＯＬＥＤ層と大気の相互作用によって引き起こされる間接的なデバイス欠陥につながる。適切な緩衝層によって平坦化して、これらの欠陥を軽減することができる。
【００１０】
US patent 6333521では、ＯＬＥＤの有機層で使用するために開示されたガラスのような（単結晶形状または多結晶形状と対照的な）存在の有機物を開示している。ガラスは、薄いフィルムの結晶形状の物質を作成する場合に典型的に調製される多結晶物質と比較して優れた全体の荷電キャリア特性を有するだけでなく、高い透明度をもたらすことができるからである。しかしながら、ガラスの有機層がそのＴｇをこえて熱せられる場合、熱による有機層の変形は、破壊的でありなおかつ不可逆的なＯＬＥＤの欠陥をもたらす。さらに、熱によるガラスの有機層の変形は、Ｔｇよりも低い温度で起こることがあり、そのような変形の速度は、変形が起こる温度とＴｇ間の差に依存することがある。結果的に、ＯＬＥＤの寿命は、たとえデバイスがＴｇ以上に熱せられなくとも、有機層のＴｇに依存することがある。結果的に、ＯＬＥＤの有機層に使用することができる高いＴｇを有する有機物を必要とする。
【００１１】
良好な正孔輸送特性を有する陰極に隣接した緩衝層は、使用される厚みにおいて透明で、熱的に安定で、Ｔｇが高い、ということが重要である。
【００１２】
しかしながら、物質のＴｇと正孔輸送特性の間には、一般に反比例の関係がある。すなわち、高いＴｇを有する物質は、一般的に正孔輸送特性に乏しい。良好な正孔輸送特性をともなう緩衝層を使用することは、より高い量子効率、ＯＬＥＤを通るときのより低い抵抗、より高い量子実効率、そして、より高い輝度のような望むべき特性を有するＯＬＥＤをもたらす。
【００１３】
さらに、適切な緩衝層は、その効率を改善することでＯＬＥＤの制御電圧を減らすことができ、ＯＬＥＤを制御する寿命を延ばすことができる。
【００１４】
使用されてきた緩衝層は、US patent 6611096、6614176、および6593690で開示されているようなポリマー、ならびに銅のフタロシアニンのような有機金属錯体を含んでいる。
【発明の開示】
【００１５】
今ここに至り、私たちは、他の特性の改良した組み合わせと高いＴｇを有するエレクトロルミネッセントデバイスの緩衝層として用いることができる化合物を見つけた。
【００１６】
本発明では、（ｉ）陰極である第１電極と、(ii)緩衝物質を組み込んだ緩衝層と、(iii)エレクトロルミネッセント物質の層と、(iv)陽極である第２電極と、を含み、緩衝物質が金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体(tetra-p-tolyl porphonato complexs)、および構造式
【００１７】
【化６】
の化合物から選択されるエレクトロルミネッセントデバイスを提供する。
【００１８】
緩衝層は、５〜５０nmの厚さとすることが好ましい。
【００１９】
金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体(tetra-p-tolyl porphonato complexs)におけるより好ましい金属は亜鉛である。
【００２０】
この化合物はＴｇ＞２２６℃であり、Ｔｍ＞４２０℃である。
【００２１】
本発明のエレクトロルミネッセント物質として用いることができるエレクトロルミネッセント化合物は、一般構造式（Ｌα）nＭで表される。ここで、Ｍは希土類、ランタニドもしくはアクチニドであり、Ｌαは有機錯体、ｎはＭの価数（valence state）である。
【００２２】
本発明で用いることができる他の有機エレクトロルミネッセント化合物は、構造式
【００２３】
【化７】
で表される。
【００２４】
ここで、ＬαとＬｐは有機配位子であり、Ｍは希土類、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドであり、ｎは金属Ｍの価数である。配位子Ｌαは同じであっても、異なっていてもよく、同じもしくは異なっている複数の配位子Ｌｐがあってもよい。
【００２５】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）Ｍ（Ｌｐ）は、Mが希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドで、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）が同じもしくは違う有機錯体であって、（Ｌｐ）は中性配位子である。その配位子（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）の総電荷は金属Ｍの価数に等しい。３価の価電子数のＭに対応する３つの基Ｌαの場合は、錯体が構造式（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）Ｍ（Ｌｐ）であり、その異なる３つの基（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）は同じもしくは違っていてもよい。
【００２６】
Ｌｐは単座配位子、二座配位子、もしくは、多座配位子であり、１つもしくは複数の配位子Ｌｐがある可能性がある。
【００２７】
好ましくは、Ｍは、不完全な内殻を有する金属イオンであり、好ましいとされる金属は、Sm(III)、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Gd(III)U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、Er(III)、Yb(III)そして、さらに好ましくは、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Gd(III)、Er(III)、Yt(III)から選択される。
【００２８】
さらに、本発明で用いられる可能性がある有機エレクトロルミネッセント化合物は、一般構造式(Lα)nM1M2であり、ここでＭ１は上述のＭと同様であり、Ｍ２は非希土類金属であり、Ｌαは上述と同様であり、そしてｎはＭ１とＭ２を組み合わせた価数（combined valence state）である。また、錯体は１つもしくは複数の中性配位子Ｌｐを含むことで、錯体は一般構造式(Lα)nM1M2(Lp)となる可能性があり、ここでＬｐは上述と同様である。金属Ｍ２は、希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドではないいずれかの金属である。用いられる金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅（Ｉ）、銅（ＩＩ）、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ（ＩＩ）、スズ（ＩＶ）、アンチモン（ＩＩ）、アンチモン（ＩＶ）、鉛（ＩＩ）、鉛（ＩＶ）、および、異なる価数を有する遷移金属の第１族、第２族、第３族の金属、（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＶ）、白金（ＩＩ）、白金（ＩＶ）、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム）を含む。
【００２９】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）Ｍ（Ｌｐ）は、Mが希土類金属、遷移金属、ランタノイドもしくはアクチノイドで、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ…）と（Ｌｐ）が同じもしくは違う有機錯体である。
【００３０】
さらに、本発明で用いることができる有機金属錯体は、２核、３核、多核の有機金属錯体である。例えば、(Lm)xM1←M2(Ln)yの構造式の、例えば、以下のものである。
【００３１】
【化８】
【００３２】
Ｌは、架橋している配位子であり、Ｍ１は希土類金属であり、Ｍ２はＭ１もしくは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは上述で定義したような同じもしくは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の価数であり、そしてｙはＭ２の価数である。
【００３３】
これらの錯体において、金属−金属結合があってもよく、もしくは、Ｍ１とＭ２との間で１つもしくは複数の架橋する配位子を有してもよく、そして、ＬｍとＬｎが同じであっても、異なっていてもよい。
【００３４】
３核とは、金属−金属結合によって結合されている３つの希土類金属があることを意味する。すなわち、構造式で、
【００３５】
【化９】
であり、ここで、Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３は、同じもしくは異なる希土類金属であり、Ｌｍ、ＬｎおよびＬｐは有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の価数であり、ｙはＭ２の価数であり、ｚはＭ３の価数である。Ｌｐは、ＬｍおよびＬｎと同じであっても異なっていてもよい。
【００３６】
希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合によって、および／もしくは、中間で架橋する原子、配位子、もしくは分子基（molecular group）を介することによって、ともに結合することができる。
【００３７】
例えば、金属は架橋する配位子によって結合されてもよい。例えば、
【００３８】
【化１０】
であり、ここで、Ｌは架橋する配位子である。
【００３９】
多核とは、金属−金属結合によって、および／もしくは、中間で配位子を介することによって、結合された金属が３つ以上あることを意味している。
【００４０】
【化１１】
ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、およびＭ４は、希土類金属であり、Ｌは架橋する配位子である。
【００４１】
好ましくは、Ｌαは以下の構造式のようなαジケトンから選択される。
【００４２】
【化１２】
【００４３】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、ならびにＲ３は、同じもしくは異なっており、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族基、複素環および多環の環状構造をした基のような置換および非置換のヒドロカルビル基（hydrocarbyl group）、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、または、チオフェニル基から選択される。また、Ｒ１、Ｒ２、ならびにＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成することができ、モノマー（例えばスチレン）と共重合できる。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、もしくは、Ｏであり、Ｙは、水素、置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、置換もしくは非置換の芳香族、複素環および多環などの環状構造をした基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、または、ニトリルである。
【００４４】
βジケトンは、βジケトンで置換したポリマーとすることができ、βジケトンで置換したオリゴマーもしくはデンドリマーのポリマー内で、その置換基は、直接、ジケトンに結合する、または、１つもしくは複数の−ＣＨ２基、すなわち、
【００４５】
【化１３】
もしくは、フェニル基、例えば、
【００４６】
【化１４】
を介して結合することができる。ここで、「ポリマー」とは、（１つもしくは２つの置換されたフェニル基、さらには、（ＩＩＩｃ）で示されるような３つの置換されたフェニル基を有する）オリゴマーもしくはデンドリマーのポリマーとすることができる。さらにここでＲは水素、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造をした基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基から選択される。
【００４７】
Ｒ１および／もしくはＲ２および／もしくはＲ３の例として、脂肪族、芳香族および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン（phenanthrene）、アントラセン（anthracene）、ナフチル基、および、フルオレン基、ｔ−ブチル基のようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含む。
【００４８】
また、様々なＬα基のいくつかは、カルボキシラート基（carboxylate groups）のような同じもしくは違う荷電をした基であってもよく、その結果、Ｌ１基は上述で定義されたようでな基であり、Ｌ２基、Ｌ３…基は、
【００４９】
【化１５】
のような荷電された基であってもよい。ここで、Ｒは上述で定義されたようなＲ１であるか、もしくは、Ｌ１基、Ｌ２基が上述で定義されたような基であり、そして、Ｌ３…基などが他の荷電された基である。
【００５０】
また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
【００５１】
【化１６】
であり、ここでＸは、Ｏ、Ｓ、ＳｅもしくはＮＨである。
【００５２】
好ましいＲ１部分は、トリフルオロメチル（ＣＦ３）であり、ジケトン等の例としては、ベンゾイルトリフルオロアセトン(banzoyltrifluoroacetone)、ｐ−クロロベンゾイルトリフルオロアセトン(p-chlorobenzoyltrifluoroacetone)、ｐ−ブロモトリフロオロアセトン(p-bromotrifluoroacetone)、ｐーフェニルトリフルオロアセトン(p-naphthoyltrifluoroacetone)、１−ナフトイルトリフルオロアセトン(1-napthoyltrifluoroacetone)、２−ナフトイルトリフルオロアセトン(2-napthoyltrifluoroacetone)、２−フェナトイルトリフルオロアセトン(2-phenathoyltrifluoroacetone)、３−フェナントイルトリフルオロアセトン(3-phenanthoyltrifluoroacetone)、９−アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン(9-anthroyltrifluoroacetonetrifluoroacetone)、シンナモイルトリフルオロアセトン(cinnamoyltrifluoroacetone)、および、２−テノイルトリフルオロアセトン(2-thenoyltrifluoroacetone)がある。
【００５３】
様々なＬα基は、下記の構造式の同じもしくは異なる配位子であってもよい。
【００５４】
【化１７】
ここで、ＸはＯ、Ｓ、もしくは、Ｓｅであり、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は上述と同様である。
【００５５】
様々なＬα基は、
【００５６】
【化１８】
のような同じもしくは異なるキノラート誘導体（quinolate derivatives）であってもよい。ここで、Ｒは脂肪族、芳香族、もしくは、複素環であるヒドロカルビル基、カルボキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、あるいは、アルコキシ基であり、例えば、８−ヒドロキシキノラート誘導体もしくは
【００５７】
【化１９】
である。ここで、Ｒ、Ｒ１、およびＲ２は上述と同様であるか、もしくは、ＨまたはＦである。例えば、Ｒ１とＲ２は、アルキル基もしくはアルコキシ基である。
【００５８】
【化２０】
【００５９】
上で述べたような様々なＬα基は、同じもしくは異なるカルボキシラート基、例えば、
【００６０】
【化２１】
であり、ここで、Ｒ５は、置換もしくは非置換の芳香族、多環もしくは複素環、ポリピリジル基であり、また、Ｒ５を２−エチルヘキシル基とすることでＬｎは２−エチルヘキサン酸塩(2-ethylhexanoate)とすることができ、または、Ｒ５をイス型構造とすることでＬｎは２−アセチルシクロヘキサン酸塩(2-acetyl cyclohexanoate)とすることができ、あるいは、Ｌαは、
【００６１】
【化２２】
とすることができる。ここで、Ｒは上述と同様であり、例えば、アルキル、アレニル、アミノ、または、環状もしくは多環のような縮合環である。
【００６２】
また、様々なＬα基は、
【００６３】
【化２３】
であることがあり、ここで、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２は上述と同様である。
【００６４】
Ｌｐ基は、
【００６５】
【化２４】
から選択することができる。ここで、それぞれのＰｈは同じもしくは異なっており、フェニル基（ＯＰＮＰ）もしくは置換されたフェニル基、他の置換もしくは非置換の芳香族基、置換もしくは非置換の複素環基または多環基、ナフチル基、アントラセン、フェナントレン、もしくはピレン基のような置換もしくは非置換の縮合した芳香族基であってもよい。その置換基は、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、芳香族基、複素環基、多環基、フッ素のようなハロゲン基、シアノ基、アミノ基、置換されたアミノ基などであってもよい。例が図１と図２の図に与えられており、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同じ基であっても異なった基であっても良く、水素基、ヒドロカルビル基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造の基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基から選択される。また、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、置換および非置換の縮合芳香族、複素環および多環の環状構造の基を形成でき、モノマー（例えばスチレン）と共重合できる。Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、また、ビニル基や
【００６６】
【化２５】
基（ここでＲは上述と同様である）のような不飽和のアルキレン基であってもよい。
【００６７】
また、Ｌｐは、以下の構造式の化合物である可能性がある。
【００６８】
【化２６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は上述で述べたものであり、例えば、図３の図に示したバソフェン(bathophen)（ここでＲは上述と同様である）、もしくは、
【００６９】
【化２７】
である。ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は上述のものである。
【００７０】
また、Ｌｐは、
【００７１】
【化２８】
としてもよい。ここで、Ｐｈは上述と同様である。
【００７２】
Ｌｐのキレートの別の例としては、図４に示したもの、および、例えば図５で示されるフルオレンおよびフルオレン誘導体、ならびに、図６から図８で示されている構造式の化合物である。
【００７３】
ＬαおよびＬｐの具体例としては、トリピリジル(tripyridyl)およびＴＭＨＤ、ならびにＴＭＨＤ錯体、α,α’,α’’トリピリジル(α,α’,α’’tripyridyl)、クラウンエーテル類(crown ethers)、シクラン類(cyclans)、クリプタンズ(cryptans)、フタロシアナン類(phthalocyanans)、ポルフォリンエチレンジアミンテトラミン（ＥＤＴＡ,porphoryins ethylene diamine tetramine）、ＤＣＴＡ、ＤＴＰＡ、およびＴＴＨＡである。ここでＴＭＨＤは、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)であり、ＯＰＮＰはジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン(diphenylphosphonimidetriphenylphosphorane)である。ポリアミンの構造式は、図９で示している。
【００７４】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、リチウムキノラートのような金属のキノラート類（metal quinolates）、および、アルミニウム錯体、マグネシウム錯体、亜鉛錯体のような非希土類金属錯体、ならびに、β-ジケトンの錯体のようなスカンジウム錯体、例えば、トリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）（ＤＢＭ,Tris -(1,3-diphenyl-1-3-propanedione)）を含んでおり、適した金属錯体は、Ａｌ（ＤＢＭ）３、Ｚｎ（ＤＢＭ）２およびＭｇ（ＤＢＭ）２、Ｓｃ（ＤＢＭ）３などである。
【００７５】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、下記の構造の金属錯体を含む。
【００７６】
【化２９】
【００７７】
ここで、Ｍは希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドとは別の金属であり、ｎはＭの価数であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、水素、ヒドロカルビル基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、またはニトリルから選択され、また、Ｒ１とＲ３は環状構造を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、モノマー（例えば、スチレン）と共重合する可能性がある。好ましくは、Ｍはアルミニウムであり、Ｒ３はフェニル基もしくは、置換したフェニル基である。
【００７８】
用いることができる別の有機エレクトロルミネッセント物質は、下記の構造のエレクトロルミネッセントジイリジウム化合物を含む。
【００７９】
【化３０】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、置換および非置換のヒドロカルビル基から選択され、好ましくはＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、から選択され、またＲ１、Ｒ２およびＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマーと共重合することができ、さらに、Ｌ１およびＬ２は、同じもしくは異なっている有機配位子であり、より好ましいＬ１およびＬ２は、フェニルピリジンおよび置換したフェニルピリジン類から選択されるとよい。
【００８０】
用いることができる別のインジウム錯体には、下記の構造式のエレクトロルミネッセント錯体、
【００８１】
【化３１】
（ここで、Ｍはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎは１もしくは２であり、Ｒ１、Ｒ４およびＲ５は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の単環もしくは多環の複素環基、置換および非置換のヒドロカルビルオキシ(hydrocarbyloxy)基またはカルボキシ基、フルオロカルビル(fluorocarbyl)基、ハロゲン、ニトリル、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、および、チオフェニル基から選択され、ｐ、ｓおよびｔは独立に、０、１、２もしくは３であり、ｐ、ｓおよびｔのいずれかが２もしくは３であるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン以外であってもよく、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、ハロゲンから選択され、ｑおよびｒは独立して０、１、もしくは２である）、ならびに、下記の構造式の錯体、
【００８２】
【化３２】
【００８３】
（ここで、Ｍはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎは１もしくは２であり、Ｒ１からＲ５は、同じ基であっても異なる基であってもよく、置換および非置換のヒドロカルビル基、置換および非置換の単環もしくは多環の複素環基、置換および非置換のヒドロカルビルオキシ(hydrocarbyloxy)基もしくはカルボキシ基、フルオロカルビル基、ハロゲン、ニトリル、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキルアミド基、Ｎ−アリールアミド基、スルホニル基、および、チオフェニル基から選択され、そして、Ｒ２およびＲ３は、さらにアルキルシリル基、アリールシリル基であってもよく、ｐ、ｓおよびｔは、独立して０、１、２もしくは３であり、ｐ、ｓおよびｔのいずれかが２もしくは３であるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン基以外であってもよく、ｑおよびｒは、独立して０、１もしくは２であり、ｑもしくはｒが２のであるという条件の下で、それらのうちの１つだけが飽和ヒドロカルビル基もしくはハロゲン以外である可能性がある）、
下記の構造式の化合物、
【００８４】
【化３３】
（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマー（例えば、スチレン）と共重合をすることができ、さらに、ここでＲ４およびＲ５は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、から選択されてもよく、また、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマーと共重合をすることもでき、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、ｎ＋２はＭの価数である）
ならびに、下記の構造式のエレクトロルミネッセント化合物、
【００８５】
【化３４】
【００８６】
（ここで、Ｍは金属であり、ｎはＭの価数であり、ＲとＲ１は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、チオフェニル基、シアノ基、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の脂肪族基のような置換および非置換のヒドロカルビル基から選択される）
を含んでいる。
【００８７】
別のエレクトロルミネッセントの構造において、エレクトロルミネッセント層は、第二のエレクトロルミネッセント金属錯体、または、ガドリニウム錯体もしくはセリウム錯体のような有機金属錯体におけるバンドギャップが、第一のエレクトロルミネッセント金属錯体、または、ユウロピウム錯体もしくはテルビウム錯体のような有機金属錯体のバンドギャップよりも大きい２つのエレクトロルミネッセント有機錯体の層にて形成される。
【００８８】
用いることができる別のエレクトロルミネッセント化合物は、構造式
【００８９】
【化３５】
である。ここで、Ｐｈは非置換もしくは置換のフェニル基であり、その置換基は、同じ基であっても異なる基であってもよく、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は、水素、または、置換および非置換の芳香族、複素環および多環のような環状構造を有する基などの置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素基、フッ素のようなハロゲン基、もしくは、チオフェニル基、あるいは、ニトリルであってもよい。
【００９０】
Ｒおよび／またはＲ１および／またはＲ２および／またはＲ３の例としては、脂肪族、芳香族および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基、およびカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基、ならびに、フルオレン基、ｔ-ブチルのようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含む。
【００９１】
さらに、用いることができるエレクトロルミネッセント物質は、アルミニウムキノラート、リチウムキノラート、ジルコニウムキノラートなど、のような金属キノラート類、および、蛍光物質をドープした金属キノラート、もしくは、特許文献WO/2004/058913で開示されているような色素（dies）を含む。
【００９２】
好ましくは、緩衝層とエレクトロルミネッセント化合物の層との間に正孔輸送物質の層を有する。
【００９３】
その正孔輸送物質は、エレクトロルミネッセントデバイスで用いられる正孔輸送物質のいずれであってもよい。
【００９４】
その正孔輸送物質は、ポリ（ビニルカルバゾール）(poly(vinylcarbazol))、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス（3-メチルフェニル）-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（ＴＰＤ；N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine）のようなアミン錯体、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマー、ポリアニリン、置換されたポリアニリン類、ポリチオフェン類、置換されたポリチオフェン類、ポリシラン類など、であってもよい。ポリアニリンの例としては、以下の構造式の化合物のポリマーがある。
【００９５】
【化３６】
ここで、Ｒは、オルト位もしくはメタ位にある、水素、C1-18アルキル基、C1-6アルコキシ基、アミノ基、クロロ基、ブロモ基、ヒドロキシ基、もしくは、以下の基
【００９６】
【化３７】
であり、ここでＲはアルキ（alky）基もしくはアリール基であり、Ｒ’は水素、C1-6アルキル基もしくは上記の構造式Ｉの少なくとも１つの別のモノマーを伴うアリール基である。
【００９７】
また、正孔輸送物質は、ポリアニリンであってもよく、本発明で用いることができるポリアニリン類は、以下の一般構造式を有する。
【００９８】
【化３８】
ここでｐは１から１０であり、ｎは１から２０であり、Ｒは上述で定義されたものであり、Ｘはアニオンであって、好ましくは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、Ｈ２ＰＯ３、Ｈ２ＰＯ４、アリールスルホナ−ト(arylsulphonate)、アレーンジカルボキシラート(arenedicarboxylate)、ポリスチレンスルホナート(polystyrenesulphonate)、ポリアクリラート(polyacrylate)、アルキスルホナート(alkysulphonate)、ビニルスルホナート(vinylsulphonate)、ビニルベンゼンスルホナート(vinylbenzene sulphonate)、セルローススルホナート(cellulose sulphonate)、カンファースルホナート(camphor sulphonates)、セルローススルファート(cellulose sulphate)、もしくは、過フッ素化したポリアニオン（perfluorinated polyanion）から選択される。
【００９９】
アリールスルホナート類(arylsulphonate)の例としては、p-トルエンスルホナート(p-toluenesulphonate)、ベンゼンスルホナート(benzenesulphonate)、9,10-アントラキノン-スルホナート(9,10-anthraquinone-sulphonate)、および、アントラセンスルホナート(anthracenesulphonate)があり、アレーンジカルボキシラート(arenedicarboxylate)の例としては、フタラート(phthalate)があり、アレーンカルボキシラート(arenedicarboxylate)の例としては、ベンゾアート(benzoate)がある。
【０１００】
我々は、ポリアニリンなどのアミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換ポリマーのプロトン化したポリマーが蒸発しにくいか、蒸発しないことを発見した。しかしながら、さらに驚くことには、我々は、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーが脱プロトン化された場合、容易に蒸発する、すなわちポリマーが蒸発可能である、ということを発見した。
【０１０１】
好ましくは、アミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーにおける蒸発可能な脱プロトン化されたポリマーを用いる。その脱プロトン化されたアミノ置換芳香族化合物の非置換もしくは置換のポリマーは、水酸化アンモニウムのようなアルカリ、または、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物で処理してそのポリマーを脱プロトン化することによって形成することができる。
【０１０２】
プロトン化の程度は、プロトン化されたポリアニリンを形成し、脱プロトン化することによって調整される。ポリアニリンを調製する方法は、A. G. Mac DiarmidとA. F. EpsteinのFaraday Discussions, Chem Soc. 88 P319 1989における文献で述べられている。
【０１０３】
ポリアニリンの電気伝導度は、プロトン化の程度に比例し、プロトン化の程度が４０％〜６０％、例えば、約５０％であるときに最大電気伝導度となる。
【０１０４】
好ましくは、そのポリマーをほぼ完全に脱プロトン化する。
【０１０５】
好ましくは、ポリアニリンは、８量体単位（octamer unit）を形成することができる。すなわち、ｐは４つであり、例えば、
【０１０６】
【化３９】
である。
【０１０７】
ポリアニリン類は、１×１０−１シーメンスcm-1、もしくは、それ以上の桁の電気伝導度を有してもよい。
【０１０８】
芳香族環は非置換であっても、例えば、エチル基のようなC1-20アルキル基で置換してもよい。
【０１０９】
ポリアニリンは、アニリンのコポリマーとすることができ、好ましいコポリマーは、o-アニシジン(o-anisidine)、m-スルホン酸(m-sulphanilic acid)もしくはo-アミノフェノール(o-aminophenol)とアニリン(aniline)とのコポリマー、または、o-アミノフェノール(o-aminophenol)、o-エチルアニリン(o-ethylaniline)、o-フェニレンジアミン(o-phenylene)またはアミノアントラセン類(aminoanthracenes)とo-トルイジン(o-toluidine)とのコポリマーである。
【０１１０】
用いることができる別のアミノ置換芳香族化合物のポリマーは、置換もしくは非置換のポリアミノナフタレン類(polyaminonapthalenes)、ポリアミノアントラセン類(polyaminoanthracenes)、ポリアミノフェナントレン類(polyaminophenanthrenes)など、および、他の任意の導電性を有するポリ芳香族化合物のポリマーを含む。ポリアミノアントラセン類(polyaminoanthracenes)とそれらを調製する方法は、US特許6,153,726で開示されている。その芳香族環は非置換であっても、例えば、上述のようなＲ基によって置換しても良い。
【０１１１】
別の正孔輸送物質は、共役ポリマーであり、用いることができる共役ポリマーは、US5807627、PCT/WO90/13148およびPCT/WO92/03490で開示、もしくは言及されている共役ポリマーのいずれであってもよい。
【０１１２】
好ましい共役ポリマーは、ポリ(p-フェニレンビニレン) (PPV;poly(p-phenylenevinylen)) およびPPVを含むコポリマーである。別の好ましいポリマーは、ポリ（2-メトキシ-5-（2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン））(poly(2-methoxy-5-(2-methoxypentyloxy-1,4-phenylene vinylene))) 、ポリ（2-メトキシペンチルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン(poly(2-methoxypentyloxy)-1,4-phenylene vinylene)、ポリ（2-メトキシ-5-(2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン) (poly(2-methoxy-5-(2-dodecyloxy-1,4-phenylene vinylene)))のようなポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）(poly(2,5dialkoxyphenylene vinylene))、および、長鎖で可溶であるアルコキシ基を有する少なくとも１つのアルコキシ基をともなう他のポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）類(poly(2,5dialkoxyphenylene vinylene))、ポリフルオレン類(poly fluorenes)およびオリゴフルオレン類(oligofluorenes)、ポリフェニレン類(polyphenylenes)およびオリゴフェニレン類(oligophenylenes)、ポリアントラセン類(polyanthracenes)およびオリゴアントラセン類(oligoanthracenes)、ポロイチオフェン類(ploythiophenes)およびオリゴチオフェン類(oligothiophenes)である。
【０１１３】
ＰＰＶのフェニレン環は、任意に１つもしくは複数の置換基をともなっていてもよく、例えば、それぞれ独立して、アルキル基（好ましくは、メチル基）、アルコキシ基（好ましくは、メトキシ基もしくはエトキシ基）から選択される。
【０１１４】
任意のポリ（アリーレンビニレン）(poly(arylenevinylene))には、使用可能なそれらの置換誘導体を含む可能性があり、ポリ（p-フェニレンビニレン）(poly(p-phenylenevinylene))のフェニレン環を、アントラセン環もしくはナフタレン環のような縮合環類で置換してもよく、それぞれのポリフェニレンビニレン部分のビニレン基の数を、例えば７まで、または、それ以上に増やしてもよい。
【０１１５】
共役ポリマーは、US5807627、PCT/WO90/13148およびPCT/WO92/03490で開示されている方法によって調製することができる。
【０１１６】
正孔輸送層の厚さは、好ましくは厚さ20nm〜200nmである。
【０１１７】
別のいくつかの正孔輸送物質の構造式は、図１２、図１３、図１４、図１５、および、図１６の図に示されており、ここでＲ１、Ｒ２およびＲ３は、同じ基であっても異なる基であってもよく、そして、水素、および、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基から選択され、また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、置換および非置換の縮合した芳香族、複素および多環の環状構造を形成してもよく、モノマー（例えば、スチレン）と共重合する可能性もある。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、もしくはＯであり、Ｙは、水素、置換および非置換の芳香族、複素環式および多環式の環状構造の基などの置換もしくは非置換のヒドロカルビル基、フッ素、トリフルオリルメチル基のようなフッ化炭素、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、または、ニトリルとしてもよい。
【０１１８】
例として、Ｒ１および／もしくはＲ２および／もしくはＲ３は、脂肪族、芳香族、および複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基ならびにカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基、およびフルオレン基、ｔ-ブチルのようなアルキル基、カルバゾールのような複素環基を含んでいる。
【０１１９】
任意に、陽極とエレクトロルミネッセント物質層との間に電子注入物質層が存在する。その電子注入物質は、その中を電流が通ったときに電子を輸送する物質であり、電子注入物質には、金属キノラート（例えば、アルミニウムキノラート、リチウムキノラート）、Ｍｘ（ＤＢＭ）n、（ここで、Ｍｘは金属で、ＤＢＭはジベンゾイルメタンであり、ｎがＭｘの価数であり、例えば、Ｍｘはクロム）などの金属錯体、9,10ジシアノアントラセン(9,10 dicyano anthracene)のようなシアノアントラセン、シアノ置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタン(tetracyanoquinidodimethane)、ポリスチレンスルホナート(polystyrene sulphonate)、または、フェニル環が上述における置換基Ｒで置換される可能性がある図１０もしくは図１１の図において示される構造の構造式を有する化合物が含まれる。別々の層とする代わりに、電子注入物質はエレクトロルミネッセント物質と混在していてもよく、また、エレクトロルミネッセント物質とともに同時に堆積してもよい。
【０１２０】
任意に、正孔輸送物質は、エレクトロルミネッセント物質と混在していてもよく、また、エレクトロルミネッセント物質とともに同時に堆積してもよい。
【０１２１】
正孔輸送物質、エレクトロルミネッセント物質および電子注入物質は、構造を単純化し、１つの層を形成するために共に混在していてもよい。
【０１２２】
第１電極は、好ましくは、陰極として機能する導電性のガラス、もしくは、プラスチック物質のような透明な基板である。好ましい基板は、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス（indium tin oxide coated glass）ような導電性のガラスであるが、導電性を有する、または、金属もしくは導電性ポリマーのような電気伝導層を有する任意のガラスを用いることができる。導電性ポリマー類、ならびに、導電性ポリマーで覆われたガラスもしくはプラスチック物質も、基板として用いることができる。
【０１２３】
陽極は、好ましくは、低い仕事関数を有する金属であり、例えば、アルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、および、銀／マグネシウム合金のようなそれらの合金、希土類金属合金などがあり、アルミニウムが好ましい金属である。アルカリ金属、希土類金属、もしくは、それらの合金、のような金属フッ化物は、例えば、金属上に形成した金属フッ化物層を有することで、第二電極として用いることができる。
【０１２４】
本発明のデバイスは、映像ディスプレイ、携帯電話、携帯式のコンピュータ、および、電気的に制御される可視画像に使われる任意の他の用途に用いられるディスプレイとして用いることができる。本発明のデバイスは、このようなディスプレイのアクティブ用途およびパッシブ用途（active and passive application）の両方において用いられる。
【０１２５】
公知のエレクトロルミネッセントデバイスにおいて、１つもしくは両方の電極をシリコンおよびエレクトロルミネッセント層において形成することができ、正孔輸送物質および電子輸送物質の中間にある層をシリコン基板におけるピクセルとして形成することができる。好ましくは、各ピクセルは、少なくとも１つエレクトロルミネッセント物質の層と、基板から離れているそれら（ピクセル）の側面における有機層に接続してある（少なくとも半透明）透明電極を含んでいる。
【０１２６】
好ましくは、基板が結晶質シリコン（crystalline silicon）であり、電極もしくはエレクトロルミネッセント化合物の堆積の前に平坦な表面を作るために、基板の表面を研磨する、もしくは平滑化するとよい。もう一つの方法として、さらなる物質を堆積させる前に滑らかで平坦な表面にするために平坦でないシリコン基板を導電性のポリマー層で被ってもよい。
【０１２７】
１つの実施の形態として、各ピクセルは、基板に接続している金属の電極を含んでいる。金属と透明電極の相対的な仕事関数に依存して、どちらかが陰極として機能し他方が陽極として機能することがある。
【０１２８】
シリコン基板が陽極である場合、インジウム-スズ酸化物被覆ガラスは、陰極として機能し、光が陰極を通して放出される。シリコン基板が陰極として機能する場合は、陽極を適した仕事関数を有する透明電極で形成するとよい。（例えば、インジウム-亜鉛酸化物が低い仕事関数を有するため、インジウム-亜鉛酸化物被覆ガラス（indium zinc oxide coated glass）を用いることができる。）陰極は、適した仕事関数とするためにその上に金属の透明な被膜を施すとよい。これらのデバイスは、トップエミッティングデバイスもしくはバックエミッティングデバイスと言われることがある。
【０１２９】
金属の電極は、複数の金属層（例えば、基板上に堆積したアルミニウムのような高い仕事関数を有する金属と、高い仕事関数を有する金属上に堆積したカルシウムのような低い仕事関数を有する金属）から構成されてもよい。もう一つの例として、導電性ポリマーのさらなる層をアルミニウムのような安定な金属の表面に施している。
【０１３０】
好ましくは、電極は、各ピクセルの後方におけるミラーとしても機能して、基板の平坦化された表面上に堆積されているか、もしくは、表面内に沈められている。しかしながら、もう一つの方法として、吸光黒色層（light absorbing black layer）を基板に隣接させてもよい。
【０１３１】
また、別の実施の形態として、底面の導電性ポリマー層における選択的な領域を、ピクセル電極の底面の接触部としての役割を果たす導電性ピクセルパッドの配列の形成をする適切な水溶液にさらすことで絶縁性をなす。
【０１３２】
本発明の少なくとも１つの実施形態の利点は、有機エレクトリックデバイスにおける可動性の対イオンの減少もしくは排除にある。好ましくは、対イオン可動性は、そのようなデバイスにおける緩衝層にて減少もしくは排除される。対イオンが電極構造内を移動して、デバイスの中における正電荷や電荷の運動を阻害すると言うことが信じられていることから、これらの対イオンを不動とする利点があり、本発明の少なくとも１つの実施形態のさらなる利点は、時間にともなう望まれない制御電圧増大の回避にあり、さらなる本発明の少なくとも１つの実施形態の利点は、デバイス寿命、および、より高く制御の信頼性が向上したことにある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１３３】
本発明は実験例の中で図説される。
【０１３４】
［実験例１］
5,10,15,20-テトラ-p-トリルポルフィン）亜鉛(II) (ZnTpTP)(A)の調製における合成手順
【０１３５】
｛必要な材料｝
5,10,15,20-テトラ-p-トリル-21H,23H-ポルフィン（TpTP） 97％ Aldrich
リチウムビス（トリメチルシリル）アミド(LiN(SiMe3)2) 97％ Aldrich
塩化亜鉛（II）1(ZnCl2) 98.0％ BDH
エチレングルコールジメチルエーテル、無水和物(DME)2 99.5％ Aldrich
トルエン3 Analar BDH
クロロホルム Analar BDH
1 ZnCl2は、使用前に７２時間にわたり、１００℃の減圧オーブンで保存した。
2 使用前に凍結-脱気-解凍サイクルを用いて溶媒を脱ガスした。
3 使用前にNa/ベンゾフェノンから蒸留した。
【０１３６】
｛合成法｝
【０１３７】
【化４０】
【０１３８】
｛実験｝
【０１３９】
＜5,10,15,20-テトラ-p-トリルポルフィンのジリチウム塩の調製＞
アルゴン雰囲気下で、熱乾燥したSchlenk管にLiN(SiMe3)2（4.0g,24mmol）とTpTP(8.0g,12mmol)を一緒につめた。カニューレを介してＤＭＥ(50mL)を加え、混合物を８時間にわたりアルゴン下で還流した。冷却すると、鮮やかな紫の粉のLi2(DME)x(TpTP)(x=2~3)が形成された。この生成物を濾別し、数時間にわたり減圧乾燥した。収率10.5g(92~99％)。
【０１４０】
＜ZnTpTP(A)の調製＞
アルゴン雰囲気下で、熱乾燥したSchlenk管にLi2(DME)３(TpTP)(10.5g,12mmol)とZnCl2(3.3g,24mmol)を一緒につめた。カニューレを介してトルエン(50mL)を加え、混合物を４〜５時間にわたりアルゴン下で還流し、その後、混合物は鮮やかな紫を呈した。混合物を熱濾過し、そして、温かいクロロホルム(50mL)で３回洗浄した。溶媒を濾過することで除去し、残余物を７２時間にわたって200mLのトルエンでソックレー抽出をした。冷却すると、そのトルエン溶媒は暗紫色の結晶を生じ、それを濾過によって分離した。その結晶をヘキサンで洗浄し、２４時間にわたって１００℃の減圧オーブンで乾燥した。収率５．６ｇ（６４％）。
【０１４１】
［実験例２］
Ｎ*10*,N*10’-ジ-ナフタレン-1-イル-N*10*,N*10’*-ジフェニル[9,9’]ビアントラセニル-10,10’-ジアミン（Ｂ）の合成
【０１４２】
（１）
【０１４３】
【化４１】
アントロン（Avocadoから購入、９７％（40.00g、206mmol））を氷酢酸(200ml)と濃塩酸(80ml)の混合物で還流した。この還流する溶液において、粒状のスズ（80g,674mmol）を慎重に加えた。その反応物を白濁沈殿物が形成されている期間の１５時間にわたって還流した。混合物を室温まで冷まし、その溶液を、その沈殿物と分離するために（しかし、反応容器に反応していないスズを残すように）、注意深く減圧濾過した。その沈殿物を水（100ml）ですすいで、減圧オーブンで乾燥した。その後、1:1[9,9’]ビアンセラセニル／トルエン付加化合物（37g,81％収率）の淡い黄色の結晶を回収するために熱トルエンの最低量（約500ml）から、この固体を再結晶化させた。
【０１４４】
（２）
【０１４５】
【化４２】
1:1[9,9’]ビアンセラセニル／トルエン付加化合物(30g,67.2mmol)を室温にて二硫化炭素(100ml)で溶解し、攪拌した。この水溶液に臭素（6.9ml,134.7mmol）を滴下して加えた。臭化水素ガスが発生し、混合物を２ｈ以上攪拌した。この期間の後に、n-ヘキサン(150ml)を加えることで、多量の黄色固体が沈殿した。この固体を減圧濾過し、ｎ-ヘキサンですすいで乾燥した。この固体が、10,10’-ジブロモ-[9,9’]ビアントラセニル(27g,78％)であり、融点357~359℃である。
【０１４６】
（３）
【０１４７】
【化４３】
10,10’-ジブロモ-[9,9’]ビアントラセニル(10g,19.5mmol)、Ｎ-フェニル-1-ナフチルアミン(40mmol)、tert-ブトキシドナトリウム(4.15g,96mmol)、パラジウム（II）アセタート(0.088g,0.39mmol)およびヘキサン(5.5ml,1.6mmol)中の10％wtのトリ-tert-ブチル-ホスファンを乾燥したアルゴンガスの雰囲気下において、無水のo-キシレン(100ml)中で攪拌した。この混合物は、３時間にわたり120℃で熱した。その初期の暗色溶液は、この期間が経つにつれてより明るい色になり、沈殿の色が濃くなる。その反応混合物を室温まで冷まし、250mlのメタノールに十分に混合し、減圧濾過し、少量のメタノールですすいだ。その固体を250mlの熱水で十分に攪拌し、減圧濾過し、250mlの冷水ですすぎ、それから250mlのメタノールですすいだ。精製した生成物を得るために、その固体を乾燥し、それから高減圧下(近似的に10-6Torr)で昇華した。収率86％。オレンジ-黄色のアモルファス固体を得るために、これを二回昇華した。融点＞４００℃。
【０１４８】
上述のように合成したＡおよびＢをエレクトロルミネッセントデバイスの中の緩衝層として試行実験をし、緩衝層として広く用いられているフタロシアニン銅の緩衝層の使用と比較した。
【０１４９】
［実験例３］
あらかじめエッチングしたITO被覆ガラス片（pre-etched ITO coated glass piece）（10 x 10cm2）を用いた。ITO上に順次形成し、Solciet Machine （ULVAC Ltd. Chigacki, Japan）を用いて真空蒸発によりデバイスを加工した。各ピクセルの稼働域は、３mm×3mmであり、そのデバイスは、図１７で示しており、その層は、下記からなる。
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(65nm)/(4)C:Liq-2Me(25:0.1nm)/(5)Hfq4(20nm)/(6)LiF(0.3nm)/(7)Al、
ここで、ITOはインジウム-スズ酸化物被覆ガラスであり、α-NPBは図１７の図で示されおり、Ｃは下記(p.39)であり、Liq-2Meは2-メチルリチウムキノラートであり、Hfq4はハフニウムキノラートである。
【０１５０】
その被覆電極は、それらを減圧塗工機(Edwards,10-6torr)に導入してアルミニウム表面接触部（aluminium top contacts）を作るまで、モレキュラーシーブとリンの五酸化物を介して減圧乾燥機内で保存した。エレクトロルミネッセンス研究が行われるまで、そのデバイスを減圧乾燥機内に保存した。
【０１５１】
ITO電極を常に陽極端子に接続した。電流、対、電圧の研究をコンピュータ制御されたKeithly 2400 電圧計で実行した。その性能は図１８と図１９で示している。
【０１５２】
［実験例４］
一連のデバイスは、例３のようにして作成し、そして、フタロシアニン銅緩衝層を用いたデバイスと比較した。
デバイスは以下の実施例にある構造とした。
【０１５３】
［実験例５］
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(45nm)/(4)CBP:D(20:0.5nm)/(5)BCP(6nm)/(6)LiF(0.5nm)/(７)Al、および
(1)ITO/(2)CuPc(10nm)/(3)α-NPB(45nm)/(4)CBP:D(20:0.5nm)/(5)BCP(6nm)/(6)LiF(0.5nm)/(７)Al。
ここで、CBPは図１２ｂにおける構造式であり、BCPはバソクプロン(bathocupron)であり、そして、Ｄは以下の(p.39)における構造式の緑色リン発光化合物である。
性能は図２０および図２１で示している。
【０１５４】
［実験例６］
(1)ITO/(2)B(5nm)/(3)α-NPB(20nm)/(4)CBP:E(20:1.6nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5)/(8)Al、および
(1)ITO/(2)CuPc(5nm)/(3)α-NPB(20nm)/(4)CBP:E(20:1.6nm)/(5)BCP(6nm)/(6)Zrq4(30nm)/(7)LiF(0.5)/(8)Al、
ここで、Ｅは以下の(p.39)における緑色リン発光化合物である。
性能は図２２および図２３で示している。
【０１５５】
［実験例７］
(1)ITO/(2)B(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al、および
(1)ITO/(2)A(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al、ならびに
(1)ITO/(2)CuPc(20nm)/(3)α-NPB(50nm)/(4)Zrq4:DPQA(40:0.1)/(5)Zrq4(20nm)/LiF(0.3)/(8)Al。
ここでDPQAは、ジフェニルキナクリドンであり、Zrq4はジルコニウムキノラートであり、DPQAをドープしたジルコニウムキノラート層を形成するために同時減圧堆積によってZrq4：DPQA層を形成した。Zrq4とDPQAの重量比を好適な相対的な厚さ測定によって示している。
性能は図２４、図２５、図２６および図２７で示している。
【０１５６】
［実験例８］
(1)ITO/(2)/B(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、および
(1)ITO/(2)/A(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、ならびに、
(1)ITO/(2)/CuPc(5nm)/(3)α-NPB(60nm)/(4)CBP:E(30:0.2nm)/(5)Zrq4(30nm)/(6)LiF(0.3)/(7)Al、および、
(1)ITO/(2)/α-NPB(60nm)/(3)CBP:E(30:0.2nm)/(4)Zrq4(30nm)/(5)LiF(0.3)/(6)Al。
性能は図２８および図２９で示している。
図３０では、Ａ、Ｂ、およびCuPcの吸光スペクトルを示している。
【０１５７】
【化４４】
図３１は、堆積速度にともなう蒸発温度の変化を示しており、そして、図３２は、様々な緩衝材の特性を示している表である。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
原文に記載なし。
【図１】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５Ｃ】
【図５ｄ】
【図５ｆ】
【図５ｇ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図６ｃ】
【図６ｄ】
【図６ｅ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図７ｄ】
【図７ｅ】
【図７ｆ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図８ｅ】
【図８ｆ】
【図８ｇ】
【図８ｈ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１２ｃ】
【図１２ｄ】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１３ｃ】
【図１４ａ】
【図１４ｂ】
【図１４ｃ】
【図１４ｄ】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１６ａ】
【図１６ｂ】
【図１６ｃ】
【図１７】
【図１８ａ】
【図１８ｂ】
【図１９】
【図２０ａ】
【図２０ｂ】
【図２１】
【図２２ａ】
【図２２ｂ】
【図２３】
【図２４ａ】
【図２４ｂ】
【図２５ａ】
【図２５ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８ａ】
【図２８ｂ】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(i) 陰極である第１電極と、
(ii) 緩衝物質を組み込んでいる緩衝層と、
(iii) エレクトロルミネッセント物質の層と、
(iv) 陽極である第２電極と、
を具備し、
前記緩衝物質が、金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体、および、構造式
【化１】
の化合物から選択される、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２】
前記緩衝層が５〜５０nmの厚さである、
ことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３】
前記エレクトロルミネッセント物質が、構造式
【化２】
の有機金属錯体であって、
ここで、ＬαおよびＬｐが有機配位子で、Ｍが希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドで、ｎが金属Ｍの価数であり、配位子Ｌαが同じであるか、もしくは異なっている、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項４】
同じであるか、もしくは異なっている可能性がある、複数の配位子Ｌｐを有する、
ことを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項５】
前記エレクトロルミネッセント物質が、構造式（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２もしくは（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２（Ｌｐ）の有機金属錯体であり、
ここで、ＬｎはＬα、Ｌｐは中性配位子であり、Ｍ１は希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドであり、Ｍ２は非希土類金属であり、そして、ｎがＭ１とＭ２を組み合わせた価数である、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項６】
前記エレクトロルミネッセント物質が、
構造式
【化３】
ここで、Ｌは架橋する配位子であり、Ｍ１は希土類金属であり、そして、Ｍ２はＭ１もしくは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは上述で定義したような同じもしくは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘがＭ１の価数であり、ｙがＭ２の価数である、
または、
【化４】
ここで、Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、同じもしくは異なる希土類金属であり、Ｌｍ、ＬｎおよびＬｐは有機配位子Ｌαであり、そして、ｘがＭ１の価数であり、ｙがＭ２の価数であり、ｚがＭ３の価数であり、さらに、ＬｐがＬｍとＬｎと同じもしくは異なっていてもよい、
あるいは、
【化５】
ここで、Ｍ４はＭ１であり、Ｌは架橋する配位子であり、そして、希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合する、および／または、中間で架橋する原子、配位子もしくは分子基を介する、ことによってともに結合することができ、あるいは、金属−金属結合する、および／もしくは、中間の配位子を介する、ことによって結合する３つ以上の金属を有する、
２核、３核、もしくは多核の有機金属錯体である、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項７】
前記非希土類金属Ｍ２が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、鉛、および、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、およびイットリウムなどの遷移金属の第1、第２ならびに第３族の金属から選択される、
ことを特徴とする請求項５または請求項６記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項８】
前記Ｌαが本明細書中の構造式（Ｉ）から(XVIIa)である、
ことを特徴とする請求項３から７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項９】
前記Ｌｐが、添付の図の図１から図８における前記構造式、もしくは、本明細書中(XVIII)から(XXV)の構造式である、
ことを特徴とする請求項３から８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１０】
前記希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドが、Sm(III)、Eu (II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Ｇｄ(III)U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、およびEr(III)から選択される、
ことを特徴とする請求項３から９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１１】
前記エレクトロルミネッセント物質は、構造式Ｍｑｎの金属キノラートであり、ここでＭは金属であり、ｎが金属の価数であり、ｑが置換もしくは非置換のキノラートイオンである、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１２】
前記金属Ｍが、リチウム、ジルコニウムもしくはアルミニウムである、
ことを特徴とする請求項１１記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネッセント物質が、エレクトロルミネッセント非希土類金属錯体である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１４】
前記エレクトロルミネッセント物質が、アルミニウム錯体、マグネシウム錯体、亜鉛錯体もしくはスカンジウム錯体である、
ことを特徴とする請求項１３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネッセント物質がβ-ジケトン錯体である、
ことを特徴とする請求項１４記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１６】
前記エレクトロルミネッセント物質が、Al(DBM)3、Zn(DBM)2およびMg(DBM)2、Sc(DBM)3であり、（ＤＢＭ）がトリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）である、
ことを特徴とする請求項１５記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１７】
前記エレクトロルミネッセント物質が、本明細書中の構造式(XXVa)、(XXVb)、(XXVc)、(XXVd)もしくは(XXVe)の化合物である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１８】
前記緩衝物質層と前記エレクトロルミネッセント層の間に正孔輸送物質層を有する、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１９】
前記正孔輸送物質が芳香族アミン錯体である、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２０】
前記正孔輸送物質が多環芳香族アミン錯体である、
ことを特徴とする請求項１９記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２１】
前記正孔輸送物質がポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ,N’-ジフェニル-N,N’-ビス（３-メチルフェニル）-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（ＴＰＤ）、ポリアニリン、置換されたポリアニリン類、ポリチオフェン類、置換されたポリチオフェン類、ポリシラン類および置換されたポリシラン類、から選択されるポリマーの膜である、
ことを特徴とする請求項１９記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２２】
前記正孔輸送物質が、本明細書中の構造式(XXVI)もしくは(XXVII)、もしくは、図１２から図１６の図における化合物の膜である、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２３】
前記正孔輸送物質が、アニリンのコポリマー、アニリンとo-アニシジン、ｍ-スルファニル酸もしくはo-アミノフェノールとのコポリマー、またはo-トルイジンとo-アミノフェノール、o-エチルアニリン、o-フェニレンジアミンもしくはアミノアントラセンとのコポリマーである、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２４】
前記正孔輸送物質が共役ポリマーである、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２５】
前記共役ポリマーが、ポリ(p-フェニレンビニレン)-PPVならびにPPV、ポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）、ポリ（2-メトキシ-5-(2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン)、ポリ（2-メトキシペンチルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン）、ポリ(2-メトキシ-5-（2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン）、および、長鎖の可溶なアルコキシ基であるアルコキシ基、ポリフルオレン類、およびオリゴフルオレン類、ポリフェニレン類およびオリゴフェニレン類、ポリアントラセン類およびオリゴアントラセン類、ポリチオフェン類およびオリゴチオフェン類の少なくとも１つをともなう他のポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）を含むコポリマーから選択される、
ことを特徴とする請求項２３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２６】
前記エレクトロルミネッセント化合物は前記正孔輸送物質と混在している、
ことを特徴とする請求項１８から２５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２７】
前記陽極と前記エレクトロルミネッセント物質の前記層との間に電子輸送物質の前記層がある、
ことを特徴とする上述の請求項１から２６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２８】
前記電子輸送物質が金属キノラートである、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２９】
前記金属キノラートが、アルミニウムキノラートもしくはリチウムキノラートである、
ことを特徴とする請求項２６記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３０】
前記電子輸送物質は、Mx(DBM)nであり、ここでＭｘは金属であり、ＤＢＭがジベンゾイルメタンであり、ｎがＭｘの価数である、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３１】
前記電子輸送物質は、9,10ジシアノアントラセン、ポリスチレンスルホナート、または、図９もしくは図１０の図で示される構造式の化合物のようなシアノアントラセンである、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３２】
前記電子輸送物質が前記エレクトロルミネッセント化合物と混在している、
ことを特徴とする上述の請求項２５から３１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３３】
前記第１電極が透明な電気伝導性を有するガラス電極である、
ことを特徴とする上述の請求項１から３２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３４】
前記第２電極は、アルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、およびそれらの合金、ならびに、銀／マグネシウム合金から選択される、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１】
(i) 陰極である第１電極と、
(ii) 緩衝物質を組み込んでいる緩衝層と、
(iii) エレクトロルミネッセント物質の層と、
(iv) 陽極である第２電極と、
を具備し、
前記緩衝物質が、金属のテトラ−ｐ−トリルポルフォナト錯体、および、構造式
【化１】
の化合物から選択される、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２】
前記緩衝層が５〜５０nmの厚さである、
ことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３】
前記エレクトロルミネッセント物質が、構造式
【化２】
の有機金属錯体であって、
ここで、ＬαおよびＬｐが有機配位子で、Ｍが希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドで、ｎが金属Ｍの価数であり、配位子Ｌαが同じであるか、もしくは異なっている、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項４】
同じであるか、もしくは異なっている可能性がある、複数の配位子Ｌｐを有する、
ことを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項５】
前記エレクトロルミネッセント物質が、構造式（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２もしくは（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２（Ｌｐ）の有機金属錯体であり、
ここで、ＬｎはＬα、Ｌｐは中性配位子であり、Ｍ１は希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドであり、Ｍ２は非希土類金属であり、そして、ｎがＭ１とＭ２を組み合わせた価数である、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項６】
前記エレクトロルミネッセント物質が、
構造式
【化３】
ここで、Ｌは架橋する配位子であり、Ｍ１は希土類金属であり、そして、Ｍ２はＭ１もしくは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは上述で定義したような同じもしくは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘがＭ１の価数であり、ｙがＭ２の価数である、
または、
【化４】
ここで、Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、同じもしくは異なる希土類金属であり、Ｌｍ、ＬｎおよびＬｐは有機配位子Ｌαであり、そして、ｘがＭ１の価数であり、ｙがＭ２の価数であり、ｚがＭ３の価数であり、さらに、ＬｐがＬｍとＬｎと同じもしくは異なっていてもよい、
あるいは、
【化５】
ここで、Ｍ４はＭ１であり、Ｌは架橋する配位子であり、そして、希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合する、および／または、中間で架橋する原子、配位子もしくは分子基を介する、ことによってともに結合することができ、あるいは、金属−金属結合する、および／もしくは、中間の配位子を介する、ことによって結合する３つ以上の金属を有する、
２核、３核、もしくは多核の有機金属錯体である、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項７】
前記非希土類金属Ｍ２が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、鉛、および、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、およびイットリウムなどの遷移金属の第1、第２ならびに第３族の金属から選択される、
ことを特徴とする請求項５または請求項６記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項８】
前記Ｌαが本明細書中の構造式（Ｉ）から(XVIIa)である、
ことを特徴とする請求項３から７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項９】
前記Ｌｐが、添付の図の図１から図８における前記構造式、もしくは、本明細書中(XVIII)から(XXV)の構造式である、
ことを特徴とする請求項３から８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１０】
前記希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドが、Sm(III)、Eu (II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Ｇｄ(III)U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、およびEr(III)から選択される、
ことを特徴とする請求項３から９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１１】
前記エレクトロルミネッセント物質は、構造式Ｍｑｎの金属キノラートであり、ここでＭは金属であり、ｎが金属の価数であり、ｑが置換もしくは非置換のキノラートイオンである、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１２】
前記金属Ｍが、リチウム、ジルコニウムもしくはアルミニウムである、
ことを特徴とする請求項１１記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネッセント物質が、エレクトロルミネッセント非希土類金属錯体である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１４】
前記エレクトロルミネッセント物質が、アルミニウム錯体、マグネシウム錯体、亜鉛錯体もしくはスカンジウム錯体である、
ことを特徴とする請求項１３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネッセント物質がβ-ジケトン錯体である、
ことを特徴とする請求項１４記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１６】
前記エレクトロルミネッセント物質が、Al(DBM)3、Zn(DBM)2およびMg(DBM)2、Sc(DBM)3であり、（ＤＢＭ）がトリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）である、
ことを特徴とする請求項１５記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１７】
前記エレクトロルミネッセント物質が、本明細書中の構造式(XXVa)、(XXVb)、(XXVc)、(XXVd)もしくは(XXVe)の化合物である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１８】
前記緩衝物質層と前記エレクトロルミネッセント層の間に正孔輸送物質層を有する、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１９】
前記正孔輸送物質が芳香族アミン錯体である、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２０】
前記正孔輸送物質が多環芳香族アミン錯体である、
ことを特徴とする請求項１９記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２１】
前記正孔輸送物質がポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ,N’-ジフェニル-N,N’-ビス（３-メチルフェニル）-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（ＴＰＤ）、ポリアニリン、置換されたポリアニリン類、ポリチオフェン類、置換されたポリチオフェン類、ポリシラン類および置換されたポリシラン類、から選択されるポリマーの膜である、
ことを特徴とする請求項１９記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２２】
前記正孔輸送物質が、本明細書中の構造式(XXVI)もしくは(XXVII)、もしくは、図１２から図１６の図における化合物の膜である、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２３】
前記正孔輸送物質が、アニリンのコポリマー、アニリンとo-アニシジン、ｍ-スルファニル酸もしくはo-アミノフェノールとのコポリマー、またはo-トルイジンとo-アミノフェノール、o-エチルアニリン、o-フェニレンジアミンもしくはアミノアントラセンとのコポリマーである、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２４】
前記正孔輸送物質が共役ポリマーである、
ことを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２５】
前記共役ポリマーが、ポリ(p-フェニレンビニレン)-PPVならびにPPV、ポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）、ポリ（2-メトキシ-5-(2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン)、ポリ（2-メトキシペンチルオキシ）-1,4-フェニレンビニレン）、ポリ(2-メトキシ-5-（2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン）、および、長鎖の可溶なアルコキシ基であるアルコキシ基、ポリフルオレン類、およびオリゴフルオレン類、ポリフェニレン類およびオリゴフェニレン類、ポリアントラセン類およびオリゴアントラセン類、ポリチオフェン類およびオリゴチオフェン類の少なくとも１つをともなう他のポリ（2,5ジアルコキシフェニレンビニレン）を含むコポリマーから選択される、
ことを特徴とする請求項２３記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２６】
前記エレクトロルミネッセント化合物は前記正孔輸送物質と混在している、
ことを特徴とする請求項１８から２５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２７】
前記陽極と前記エレクトロルミネッセント物質の前記層との間に電子輸送物質の前記層がある、
ことを特徴とする上述の請求項１から２６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２８】
前記電子輸送物質が金属キノラートである、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項２９】
前記金属キノラートが、アルミニウムキノラートもしくはリチウムキノラートである、
ことを特徴とする請求項２６記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３０】
前記電子輸送物質は、Mx(DBM)nであり、ここでＭｘは金属であり、ＤＢＭがジベンゾイルメタンであり、ｎがＭｘの価数である、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３１】
前記電子輸送物質は、9,10ジシアノアントラセン、ポリスチレンスルホナート、または、図９もしくは図１０の図で示される構造式の化合物のようなシアノアントラセンである、
ことを特徴とする請求項２７記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３２】
前記電子輸送物質が前記エレクトロルミネッセント化合物と混在している、
ことを特徴とする上述の請求項２５から３１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３３】
前記第１電極が透明な電気伝導性を有するガラス電極である、
ことを特徴とする上述の請求項１から３２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項３４】
前記第２電極は、アルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、およびそれらの合金、ならびに、銀／マグネシウム合金から選択される、
ことを特徴とする上述のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【公表番号】特表２００８−５１９４２７（Ｐ２００８−５１９４２７Ａ）
【公表日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５３８５２１（Ｐ２００７−５３８５２１）
【出願日】平成１７年１１月１日（２００５．１１．１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００５／００４２２２
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０４８６３５
【国際公開日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【出願人】（５０５３４７４８８）オーエルイーディー−ティー リミテッド (12)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月１日（２００５．１１．１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００５／００４２２２
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０４８６３５
【国際公開日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【出願人】（５０５３４７４８８）オーエルイーディー−ティー リミテッド (12)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]