膜の製造方法および表示装置の製造方法
【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、複数の貫通孔を有する絶縁膜などの形成に好適な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上には、集積度を高めるために多層配線構造が多用されている。このような多層配線構造には、上下の配線を電気的に接続するために、複数の貫通孔（ビアホール）が設けられた絶縁膜（層間絶縁膜）が用いられている。近年、この絶縁膜の構成材料としては、酸化シリコン膜に代わり、低誘電率（約２．２〜４．０）の有機材料が広く用いられている。
【０００３】
絶縁膜の貫通孔は、一般的にフォトリソグラフィ技術を用いた方法により形成される。具体的には、絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングを行ってパターンを形成する方法や、絶縁膜として感光性材料を用い、露光、現像を行ってパターンを形成する方法等があげられる。しかし、このようなフォトリソグラフィ技術を用いた方法は、工程数が多く、コスト的に不利となる。
【０００４】
そこで、印刷技術、中でもコスト面で優れたスクリーン印刷法を用いることにより、絶縁膜に所定パターンの貫通孔を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００５】
スクリーン印刷は、インクを載せたスクリーンメッシュをスキージで擦り、被印刷基板にインクを転写して印刷を行う方法である。印刷を行わない部分に対応するスクリーンメッシュの領域（非印刷領域）には、乳剤を塗布しておく。このようなスクリーン印刷は、工程数を低減でき、材料の使用効率が高いという利点が期待されており、また、簡易な手法でファインパターンの形成が可能であることから、近年、タッチパネルや太陽電池等の配線工程にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１４７７８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７３９９９号公報
【特許文献３】特開２００７−９５７８３号公報
【特許文献４】特開２００８−１４７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スクリーン印刷では、上述のように、非印刷領域に乳剤を設けたメッシュを介して印刷を行うため、非印刷領域が微小なパターンの印刷には適さないという問題がある。特に、絶縁膜に所定パターンの貫通孔を形成する場合には、非印刷領域（貫通孔のパターン）はドット状となり、スクリーン印刷ではこのドットの大きさを１００μｍ径未満にすることは困難である。
【０００８】
このような非印刷領域の大きさの問題に対し、特許文献３，４では印刷工程を２工程に分けることで、微細なパターンの印刷を行うことを提案しているが、この方法でも十分に微細なパターンの印刷を行うことは困難であった。これは、スクリーン印刷法では、スクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受け易いことに起因する。
【０００９】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術による膜の製造方法は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えたものである。本技術による表示装置の製造方法は、基板上のＴＦＴ（Thin Film Transistor）と表示素子との間の絶縁膜を、上記膜の製造方法により形成するものである。
【００１１】
本技術の膜の製造方法および表示装置の製造方法では、凹版を用いた印刷方法、具体的にはグラビアオフセット印刷法により貫通孔を有する膜を形成するので、非印刷領域（貫通孔）のパターンが微細であっても、基材上にこのパターンを有する膜を容易に形成することができる。特に第１パターンの膜と第２パターンの膜とを重ねることにより、貫通孔を有する膜を形成するので、第１パターンおよび第２パターン、それぞれのパターンの非印刷領域は、所望の貫通孔の大きさよりも大きくすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の膜の製造方法または表示装置の製造方法によれば、グラビアオフセット印刷法を用いて貫通孔を有する膜を形成するようにしたので、貫通孔のパターンが微細なものであっても容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る膜の製造方法に用いる凹版の構成を表す上面図である。
【図２】図１に示した凹版の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した凹版を用いた膜の製造方法を工程順に表す図である。
【図４】図１に示した凹版を用いて製造された膜の構成を表す上面図である。
【図５】比較例に係る凹版の構成を表す上面図である。
【図６】変形例に係る凹版の構成を表す上面図である。
【図７】図６に示した凹版の変形例の構成を表す上面図である。
【図８】図３に示した膜の製造方法の変形例を表す図である。
【図９】本開示の膜の製造方法により製造される表示装置の構成を表す図である。
【図１０】図９に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１１】図９に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第１パターンが帯状、第２パターンが矩形状である例）
２．変形例（第１パターン、第２パターン共に帯状である例）
３．適用例（表示装置）
【００１５】
＜実施の形態＞
図１は、本技術の一実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版（凹版１）の平面構成を表したものであり、図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線における断面構成を表したものである。本実施の形態では、この凹版１を用いて、グラビアオフセット印刷法により、図４に示した貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する。詳細は後述するが、グラビアオフセット印刷法とは、図３に示したように凹版１内にブレード２Ａを用いてペースト３を充填し、ブランケット２Ｂを介して、基板４（被印刷基板、基材）にこのペースト３を転写する手法である。
【００１６】
凹版１の構成材料としては、例えばガラス，石英，金属，樹脂または各種セラミックス等が挙げられるが、ブレードの摺動に対して十分な耐久性を有するものであれば何ら限定されない。機械的強度を向上させるため、または印刷性を向上させるため、ＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）等のコーティングまたは各種表面処理を施すようにしてもよい。
【００１７】
凹版１の凹版本体１Ａは矩形状の平板であり、その長辺方向に沿ってブランケット２Ｂに接触させ、印刷が行われる。つまり長辺方向が印刷方向Ｐとなる。ここでは、紙面上から下に向かう方向を印刷方向Ｐとする（図１）。凹版本体１Ａには、矩形状の第１凹部１Ｂが複数配置されたパターン（第１パターン）と帯状の第２凹部１Ｃが複数配置されたパターン（第２パターン）とがこの印刷方向に沿ってこの順に設けられている。この第１凹部１Ｂのパターンおよび第２凹部１Ｃのパターンは、ブランケット（被印刷基板）に形成される膜のパターン（後述の図３ 膜３Ｂ，３Ｃ）に相当するものであり、第１凹部１Ｂのパターンによって膜が形成されなかった領域の一部に、第２凹部１Ｃのパターンの膜の一部が重なって、貫通孔５Ａが形成される。第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃの深さにより、形成される膜の厚みが決定される。
【００１８】
第１凹部１Ｂは、長辺が長さＬ、短辺が長さＳの矩形であり、印刷方向に第１凹部１Ｂの長辺、印刷方向に直交する方向に第１凹部１Ｂの短辺が設けられ、マトリクス状（飛び石状）に配置されている。印刷方向に第１凹部１Ｂの短辺を配置するようにすることも可能だが、アラインメントの容易さ、印刷性、膜厚の均一性を考慮すると印刷方向に長辺を配置することが好ましく、長さＳと長さＬとの比は、Ｓ／Ｌが１／２以下であることが好ましい。Ｓ／Ｌが１／２より大きいと、印刷された膜の形状が崩れ易い。隣り合う第１凹部１Ｂ同士の間隔は、印刷方向が間隔Ｄ1L、印刷方向と直交する方向が間隔Ｄ1Sである。
【００１９】
第２凹部１Ｃは、印刷方向に延在する幅Ｗの帯状であり、印刷方向に直交する方向に複数配置されている。図２に示したように、印刷方向から見て隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部（非印刷領域）の延長上に第２凹部１Ｃがあることが好ましい。第１凹部１Ｂのパターンと第２凹部１Ｃのパターンとを印刷する際に、アラインメントし直す作業が不要となるためである。隣り合う第２凹部１Ｃ同士の間隔は、間隔Ｄ2である。
【００２０】
第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lと第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2とにより、貫通孔（貫通孔５Ａ）の大きさおよびピッチが決まる。例えば、２０μｍ四方の角形の貫通孔を有する膜を形成する場合には、間隔Ｄ1Lおよび間隔Ｄ2を約２０μｍにすればよい。なお、形成された膜の体積収縮や、変形およびアラインメント精度等を考慮して間隔Ｄ1Lおよび間隔Ｄ2を適宜変更することは可能である。
【００２１】
第１凹部１Ｂの長さＳは、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2よりも大きいことが好ましい。第１凹部１Ｂにより形成された膜と、第２凹部１Ｃにより形成された膜とで重なり領域を設けることにより、アラインメントが容易となるためである。例えば、間隔Ｄ2が２０μｍのとき、長さＳは１４０μｍ程度の組み合わせが挙げられるが、これらの値は、ディスプレイの解像度により、異なるものとなる。隣り合う第１凹部１Ｂの間および隣り合う第２凹部１Ｃの間の凸部の上面に、例えばフッ素による表面コーティング処理等の撥液処理を施すようにしてもよい。このような撥液処理により、凸部の上面にペーストが残存しづらくなり、強い力でペーストを掻きとる作業が不要となる。フッ素による表面コーティング処理に代え、凸部の上面にミクロの凹凸を設け、比表面積を増加させるようにしてもよい。
【００２２】
図３は、この凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法により、図４に示した絶縁膜５を製造する方法を工程順に表したものである。
【００２３】
この膜の製造方法では、図３（Ａ）に示したように、凹版１と、凹版１を載置するためのステージ（図示せず），ブレード２Ａおよびブランケット２Ｂ（基材）を有するグラビアオフセット印刷機とを用いる。グラビアオフセット印刷機としては、公知のものを用いることが可能である。また、グラビアオフセット印刷機は、ブレード角度、圧力、ステージ速度およびブランケット胴回転速度等を自在に設定可能であり、ステージの動作精度が５μｍ未満であることが好ましい。
【００２４】
まず、図３（Ａ）に示したように、第１凹部１Ｂにペースト３を供給し、過剰なペースト３をブレード２Ａで掻きとる。このとき、隣り合う第１凹部１Ｂの間の凸部の上面に撥液処理がなされていると、掻きとりをマイルドに行っても凸部の上面にペースト３が残りにくくなる。
【００２５】
ペースト３は、絶縁膜５を構成する有機材料を溶剤に含有させたものである。ペースト３の有機材料としては、例えば、ポリビニルアルコール，セルロース系ポリマー，シリコンポリマー，ポリエチレン，ポリスチレン，ポリアミド，高分子量ポリエーテル，ポリビニルブチラール，メタクリル酸エステル重合体，アクリル酸エステル重合体あるいはブチルメタクリレート樹脂等が挙げられ、これらを２種以上混合して使用することも可能である。このようなペースト３に含まれる樹脂を熱または紫外線により硬化させて絶縁膜５を構成するようにしてもよい。硬化させることにより、絶縁膜５の機械特性、電気特性あるいは化学特性等を向上させることが可能となる。ペースト３に使用する溶剤は例えばエチレングリコールモノブチルエーテル，α−テルピネオール，ＰＧＭＥＡ（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate）またはＰＧＭＥ（Propylene Glycol Monomethyl Ether）等であり、これらを混合して用いてもよい。
【００２６】
絶縁膜５の印刷性や電気特性の向上を目的として、ペースト３に粒子を含有させるようにしてもよい。粒子は、絶縁膜５中で粒子として存在することができれば、有機粒子または無機粒子のどちらであってもよいが、粒度を制御し易く、溶剤中で分散させることが容易であるため、無機粒子を用いることが好ましい。無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ2），アルミナ（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）等の粒子が挙げられる。中でも、シリカ，アルミナまたは酸化亜鉛等の比較的比誘電率の低いものが好ましい。また、メソポーラスシリカのように、粒子の構造中にメソ孔あるいはマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよい。
【００２７】
ペースト３（絶縁膜５）中での、上記の有機材料および粒子の混合比率は、特に限定されるものではない。この混合比率は、絶縁膜５のパターンに応じて、最適な物性となるよう適宜調整すればよいが、絶縁膜５の柔軟性を確保するためには、有機材料の比率を高くすることが好ましい。具体的には、絶縁膜５中での有機材料の体積比は４０％以上が好ましく、５０％以上であることがより好ましい。このように有機材料の混合比率を高くすることで、絶縁膜５は、基板４が可撓性のものであっても対応可能なものとなる。ペースト３には、上記の有機材料および粒子を溶剤に混合させたものに、必要に応じて分散剤，可塑剤および粘度調整剤等を添加してもよい。
【００２８】
過剰なペースト３を掻きとった後、図３（Ａ）に示したように凹版１上でブランケット２Ｂを矢印Ｒ方向に回転させる。これにより第１凹部１Ｂ内に充填されたペースト３がブランケット２Ｂに受理され、ブランケット２Ｂ上に第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂが形成される。同様にしてブランケット２Ｂ上に第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成する。
【００２９】
次いで、図３（Ｂ）に示したように、ブランケット２Ｂを基板４上で矢印Ｒ方向に回転させることにより、ブランケット２Ｂ上の膜３Ｂを基板４に転写する。このようにして、基板４上に第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、同様の工程により第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂに重ねて形成し、ペースト３に含有される樹脂を熱硬化または紫外線硬化等により架橋させる。第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとは、全て重なっている必要はなく、少なくとも一部で重なるようにすればよい。これにより、図４に示したように基板４上に第１凹部１Ｂのパターンの絶縁膜５Ｂおよび第２凹部１Ｃのパターンの絶縁膜５Ｃが形成され、複数の貫通孔５Ａを有する絶縁膜５が完成する。なお、第１凹部１Ｂに供給されるペースト３と第２凹部１Ｃに供給されるペースト３とは、第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃそれぞれのパターンの面積や形状により適宜調整すればよいが、乾燥後の絶縁膜５Ｂ，５Ｃにおける構成材料の組成が大きく異ならないようにすることが好ましい。
【００３０】
第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃ（絶縁膜５Ｃ）を形成した後、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂ（絶縁膜５Ｂ）を形成することも可能であるが、膜形成面積の、より大きい絶縁膜５Ｃを後で形成することが好ましい。後の工程では、面積のより大きな第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃに残存する溶剤が、先に形成された第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂに含まれる有機材料等を溶解してレベリングさせる。よって、後に第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成することにより均一な形状（パターン）および均一な膜厚を有する絶縁膜５を形成することができる。面積のより小さな第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂの形成を後で行うと、残存する溶剤の量が少ないため、十分にレベリングされない虞がある。以上のような理由により、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの膜形成面積が異なっていることが好ましく、できるだけその差が大きいことがより好ましい。
【００３１】
また、このようなレベリングを行うため、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの両方を形成した後に、ペースト３中の樹脂の硬化を行うことが好ましい。第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、かつ第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃの形成前に硬化を行うと、硬化後の有機絶縁膜の耐溶剤性は高いため、十分にレベリングを行うことができない虞がある。
【００３２】
本実施の形態では、このような凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するため、貫通孔５Ａが微細、例えば５０μｍ径未満であっても、容易に形成することができる。
【００３３】
グラビアオフセット印刷法以外の方法であっても、例えばスクリーン印刷法は、フォトリソグラフィ技術を用いた方法と比較すると工程数を減らし、コストを抑えることが可能である。しかしながら、スクリーン印刷法は、非印刷領域に乳剤を設けたメッシュを介して印刷を行うため、非印刷領域が微小なパターンの印刷には適さず、非印刷領域（貫通孔）を１００μｍ径未満にすることは困難である。また、スクリーン印刷を２回行い、微細なパターンの印刷を行うことも提案されているが、この方法でも例えば５０μｍ四方以下の角型あるいはΦ（直径）５０μｍ以下の丸型の貫通孔を形成することはできず、限界が生じていた。これは、スクリーン印刷法ではスクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメータの影響を受け易いことに起因している。更に、２回の印刷では、アラインメントが難しく、また、膜厚も不均一になり易いという問題もあった。
【００３４】
これに対し、本実施の形態の膜の製造方法では、非印刷領域（貫通孔５Ａに相当する領域）は凹版１の、隣り合う第１凹部１Ｂの間の凸部および隣り合う第２凹部１Ｃの間の凸部によって形成され、凹版１とブランケット２Ｂとが直接接触してパターンが形成される。つまり、貫通孔５Ａのパターンが微細、例えば５０μｍ四方以下であっても、他の部品による影響をあまり受けることなく、微細な貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することが可能となる。
【００３５】
特に、本実施の形態では、第１凹部１Ｂのパターンの絶縁膜５Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの絶縁膜５Ｃとを重ねることにより、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するので、隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部および隣り合う第２凹部１Ｃ間の凸部は、所望の貫通孔５Ａの大きさよりも大きくなる。
【００３６】
なお、第１凹部１Ｂのパターンと第２凹部１Ｃのパターンとを別々の凹版に設けて、印刷を行うことも考え得る。しかし、凹版１のように一つの凹部本体１Ａに第１凹部１Ｂのパターンを設けた領域と第２凹部１Ｃのパターンを設けた領域とを印刷方向に順に配置することで、版の交換を行うことなく、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することができる。つまり、版の交換に伴うアラインメントを行う必要がないため、アラインメント（重ね合わせ）精度が増し、更に、工程数が減るためコストを抑えることもできる。
【００３７】
また、一度の印刷工程により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する場合、用いる凹版（凹版１００）は、図５に示したように、絶縁膜５の面積に相当する広い凹部１Ｂの中に貫通孔５Ａの微細なパターンに相当する柱状の凸部１Ｄを設けたものとなる。このため、ブレード２Ａで過剰なペースト３を掻き取る際に、細かな凸部１Ｄが破損し易く、精確な貫通孔５Ａのパターンを有する絶縁膜５を得ることは困難である。本実施の形態の凹版１では、隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部、隣り合う第２凹部１Ｃ間の凸部が貫通孔５Ａよりも大きいので破損する可能性が低く、安定して絶縁膜５を形成することができる。
【００３８】
以上のように本実施の形態では、凹版１を用いてグラビアオフセット印刷法により貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するようにしたので、貫通孔５Ａのパターンが微細なものであっても容易に形成することができる。また、フォトリソグラフィ技術を用いた方法に比べ、工程が少なく、簡易な方法であるためコストを抑えることも可能である。
【００３９】
特に、異なるパターンの第１凹部１Ｂと第２凹部１Ｃとを一つの凹版本体１Ａに設けるようにしたので、アラインメント精度が増し、かつ工程数を減らすことが可能となる。
【００４０】
＜変形例＞
上記実施の形態では、凹版１に矩形状の第１凹部１Ｂと、帯状の第２凹部１Ｃとが設けられている場合について説明したが、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃの形状は、これに限定されるものではなく、所望の貫通孔５Ａの形状、大きさに合わせて適宜設定すればよい。
【００４１】
例えば、図６に示したように第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃを共に帯状にして、第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃをそれぞれ印刷方向に対してθ１、θ２（θ１≠θ２）だけ傾斜させるようにしてもよい。つまり、第１凹部１Ｂの延在方向と第２凹部１Ｃの延在方向とは交差するようになる。例えば、θ１は３０°〜６０°、θ２は１５０°〜１２０°であり、θ１が４５°、θ２が１３５°であることが好ましい。また、図７に示したように帯状の第１凹部１Ｂを印刷方向と直交方向に配置し、帯状の第２凹部１Ｃを印刷方向と平行方向に配置するようにしてもよい。
【００４２】
なお、上記実施の形態では、凹版１が平版である場合について説明したが、図８に示したように、凹版１を円筒版とすることにより量産性を更に向上させることも可能である。
【００４３】
＜適用例＞
上記実施の形態および変形例に係る膜の製造方法は、例えば図９乃至図１１に示した表示装置（表示装置６）の製造に用いることが可能である。この表示装置６は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、図９に示したように、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０ａの周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００４４】
表示領域１１０には画素駆動回路１４０が設けられている。この画素駆動回路１４
０は、後述する第１電極２１の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画
素駆動回路１４０は、図１０に示したように駆動トランジスタＴｒ１および書き込み
トランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間の領域にはキャパシタ
Ｃｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮ
Ｄ）との間において、有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）が
トランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配
置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号
を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを
通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。トランジスタＴ
ｒ１，Ｔｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））に
より構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよい
しスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００４５】
図１１は図９に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１としてのＴＦＴ１２，第１絶縁膜１３，および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１側からこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜（図示せず）により覆われている。保護膜の上には、ガラス等の封止用基板が、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの接着層により貼り合わされている。
【００４６】
ＴＦＴ１２は、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を構成するものであり、例えば、基板１１上に、モリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート電極１２Ａ，窒化シリコン（ＳｉＮx）等よりなるゲート絶縁膜１２Ｂ，非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）よりなる半導体膜１２Ｃ，窒化シリコン等よりなるチャネル保護膜１２Ｄ，第２絶縁膜１２Ｅ，アルミニウム（Ａｌ）等よりなるソース・ドレイン電極１２Ｆがこの順に積層されたボトムゲート（逆スタガ）型のＴＦＴである。なお、図１０に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、ＴＦＴ１２と同様の構成を有している。半導体膜１２Ｃを酸化物半導体または有機半導体（半導体の性質を示す有機材料）により構成してもよい。
【００４７】
ここでは、第１絶縁膜１３が上記膜の製造方法により形成されている。即ち、第１絶縁膜１３が貫通孔５Ａを有する絶縁膜５に相当するものである。貫通孔５Ａは、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極１２Ｆと有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極（下部電極）２１とを接続するための接続孔としての機能を有している。
【００４８】
積層構造のＴＦＴ１２においては、高集積化が進むほど第１電極２１との高い重ね合わせ精度が要求されるが、スクリーン印刷法により第１絶縁膜１３を形成する場合、５０μｍ以下、まして３０μｍ以下の重ね合わせ精度を実現することは困難であった。これは、上記のようなスクリーン印刷法の特徴、つまりスクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受け易いことによる。これに対して、本実施の形態ではグラビアオフセット印刷法により第１絶縁膜１３を形成するため、例えば１０μｍ程度の高い重ね合わせ精度で成膜することも可能となる。
【００４９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１絶縁膜１３の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極２１，第３絶縁膜２２，発光層を含む有機層２３および第２電極２４がこの順に積層された構成を有している。
【００５０】
第１電極２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極２１は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）層と、厚みが１００ｎｍ程度のアルミニウム合金層とを基板１１側からこの順に積層した構成を有し、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出すようになっている（トップエミッション）。なお、第１電極２１の構成材料としては、アルミニウムまたはその合金の他、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極２１は、第１絶縁膜１３、即ち絶縁膜５の貫通孔５Ａ内にも延在し、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極１２Ｆに接続されている。
【００５１】
第３絶縁膜２２は、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば厚みが１μｍのシリコン酸化物またはポリイミド等の感光性樹脂により構成されている。第３絶縁膜２２には、発光領域に対応して開口部２２Ａが設けられている。なお、有機層２３および第２電極２４は、第３絶縁膜２２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第３絶縁膜２２の開口部２２Ａだけである。
【００５２】
有機層２３は、例えば、第１電極２１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層が積層された構成を有するものであるが、これらのうち、発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するバッファ層としての機能を有する。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものであり、例えば、０．３ｎｍ程度の厚みの酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる。
【００５３】
有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス[（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル]ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６−ビス[４’−メトキシジフェニルアミノスチリル]−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3）により構成されている。
【００５４】
有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3により構成されている。
【００５５】
有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの青色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４’−ビス[２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル]ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3により構成されている。
【００５６】
第２電極２４は、有機層２３の上面に、表示領域１１０の全体にわたり複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極２４は、例えば、第１電極２１の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウムよりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極２４は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。この補助配線は、表示領域１１０を囲む枠状の導電膜により構成されている。
【００５７】
この表示装置６は、例えば次のように製造することができる。
【００５８】
まず、ガラスからなる基板１１にＴＦＴ１２を形成し、画素駆動回路１４０を形成する。次いで、画素駆動回路１４０を形成した基板１１を基板４として、上述した膜の製造方法により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する。これにより第１絶縁膜１３が形成される。
【００５９】
続いて、例えばスパッタリング法によりチタン膜およびアルミニウム合金膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、表示領域１１０内に、チタン層とアルミニウム合金層とが積層された第１電極２１が形成される。
【００６０】
次いで、第１電極２１が設けられた基板１１にポリイミド等の感光性絶縁材料を塗布し、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、開口部２２Ａを有する第３絶縁膜２２を形成する。
【００６１】
第３絶縁膜２２を形成した後、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層２３および第２電極２４を形成する。これにより図１０に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００６２】
必要に応じて、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜（図示せず）を形成する。また、カラーフィルタ等を形成した封止用基板（図示せず）を用意し、この封止用基板を、保護膜の上に、接着層（図示せず）により貼り合わせる。以上により、図８乃至図１０に示した表示装置６が完成する。
【００６３】
この表示装置６では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極２４，保護膜，接着層，カラーフィルタおよび封止用基板（第２電極２４以外はいずれも図示せず）を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、第１絶縁膜１３を上記実施の形態の膜の製造方法により形成するようにしたので、貫通孔（貫通孔５Ａ）が微細なものであっても容易に第１絶縁膜１３を形成することができ、高集積化にも対応することができる。よって、表示装置６を薄型化、軽量化することが可能であり、更に、フォトリソグラフィ技術を用いた方法と比較して、簡便かつ低コストで製造することができる。
【実施例】
【００６４】
以下、本技術の具体的な実施例について説明する。
【００６５】
＜実施例１＞
上記実施の形態と同様にして、絶縁膜５を作製した。その際、凹版１として、石英よりなる凹版本体１Ａに、矩形状の第１凹部１Ｂおよび帯状の第２凹部１Ｃを有するものを用いた。第１凹部は、その長辺の長さＬが１３５μｍ、短辺の長さＳが４０μｍであり、印刷方向を第１凹部１Ｂの長辺、印刷方向に直交する方向を第１凹部１Ｂの短辺として、マトリクス状（飛び石状）に配置した（図１参照）。隣り合う第１凹部１Ｂ同士の印刷方向の間隔Ｄ1Lは、１５μｍ、印刷方向と直交する方向の間隔Ｄ1Sは、１１０μｍとした。
【００６６】
第２凹部１Ｃは、印刷方向に延在する、幅Ｗが１４０μｍの帯状であり、これを印刷方向に直交する方向に複数配置した（図１参照）。隣り合う第２凹部１Ｃ同士の間隔Ｄ2は、１０μｍとした。
【００６７】
ペースト３には、ポリビニルアルコール樹脂をエチレングリコールモノブチルエーテルおよびα−テルピネオールの混合溶剤に溶解させ、比表面積が５０ｍ2／ｇのアルミナフィラーを添加して粘度を約１５０Ｐａ・秒に調整したものを用いた。
【００６８】
形成予定の貫通孔５Ａの位置合わせを行った上で、上記の凹版１およびペースト３を用い、グラビアオフセット印刷法によりまず、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを基板４に形成した。形成された第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂは、実測値で長辺の長さが１３５μｍ、短辺の長さが約３５μｍの矩形が、マトリクス状に配置されたものとなり、矩形同士の印刷方向の間隔は１５μｍ、印刷方向と直交する方向の間隔は、１１５μｍであった。
【００６９】
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、これに重ねて、連続して第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを同様にグラビアオフセット印刷法により形成した。形成された第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃは、実測値で幅約１３５μｍの帯状の膜が間隔１５μｍで印刷方向と直交する方向に配置されたものとなった。
【００７０】
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂおよび第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを重ねることにより、１５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａが複数形成された。最後に１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて複数の貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を完成させた。
【００７１】
＜実施例２＞
第１凹部の長辺の長さＬを１３０μｍ、短辺の長さＳを４０μｍ、間隔Ｄ1Lを２０μｍ、間隔Ｄ1Sを１１０μｍとし、第２凹部１Ｃの幅Ｗを１３５μｍ、間隔Ｄ2を１５μｍとした。これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。その結果、２０μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５が形成された。
【００７２】
＜実施例３＞
第１凹部の長辺の長さＬを１４５μｍ、短辺の長さＳを３０μｍ、間隔Ｄ1Lを５μｍ、間隔Ｄ1Sを１２０μｍとし、第２凹部１Ｃの幅Ｗを１４５μｍ、間隔Ｄ2を５μｍとした。これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。その結果、５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５が形成された。
【００７３】
＜実施例４＞
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの形成順を変えた以外は、実施例１と同様にして絶縁膜５を作製した。具体的には、第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成した後、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した。その結果、１５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５を形成することができたが、実施例１と比較すると形状（パターン）および膜厚が不均一であった。
【００７４】
＜比較例＞
凹版として、絶縁膜５の面積に相当する広い凹部１Ｂの中に貫通孔５Ａのパターンに相当する柱状の凸部１Ｄを設けた凹版１００（図５）を用い、これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。凸部１Ｄの形状は、１５μｍ四方の正方形とした。その結果、ブレード２Ａで過剰なペースト３を掻き取る際に、凸部１Ｄ（凹版１００）が破損し、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することができなかった。
【００７５】
実施例１〜４からわかるように、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを１５μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を１０μｍとすると、１５μｍ四方の貫通孔５Ａ、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを２０μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を１５μｍとすると、２０μｍ四方の貫通孔５Ａ、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを５μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を５μｍとすると、５μｍ四方の貫通孔５Ａを形成することができた。このように、スクリーン印刷法では形成することが困難である、５０μｍ四方以下の微細な貫通孔５Ａを容易に形成することが確認できた。
【００７６】
また、実施例１と実施例４との比較から、膜形成面積の大きい第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを後で形成することにより、より均一な形状かつ均一な膜厚で絶縁膜５を形成することが分かった。
【００７７】
更に、実施例１と比較例とから、凹版１００の細かな柱状の凸部１Ｄは破損し易いため、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｂとを重ねる方法を用いることにより、安定して貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５を形成できることが分かった。
【００７８】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の
形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、第１凹部１Ｂの形状は印刷性が確保されるものであれば矩形状に限らず、例えば、円や他の多角形等、貫通孔５Ａの形状に合わせて適宜設計すればよい。絶縁膜以外の膜を形成するようにすることも可能である。
【００７９】
また、上記実施の形態等では、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃに充填されたペースト３を、ブランケット２Ｂを介して基板４に転写する方法について説明したが、ブランケット２Ｂを用いずに、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃに充填されたペースト３を直接基板４に転写するようにしてもよい。
【００８０】
更に、上記適用例では、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出す場合（トップエミッション）を例に挙げて説明したが、発光層で発生した光を基板１１側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。
【００８１】
加えて、例えば、上記実施の形態等およびその適用例で説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８２】
更に、上記実施の形態等では、本開示の膜の製造方法を、有機ＥＬ素子を備えた表示装置の製造方法に適用した場合について説明したが、無機ＥＬ素子，液晶素子，電気泳動型の表示素子等、種々の表示素子を備えた表示装置の製造方法にも適用可能である。
【００８３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた膜の製造方法。
（２）前記第１パターンはマトリクス状に配置された複数の矩形状の凹部、前記第２パターンは互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である（１）に記載の膜の製造方法。
（３）前記第１パターンは、互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部、前記第２パターンは、前記第１パターンの凹部の延在方向と交差し、かつ互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である（１）に記載の膜の製造方法。
（４）前記第１工程および前記第２工程では、前記凹部内に充填されたペーストを前記基材上に転写する（２）または（３）に記載の膜の製造方法。
（５）前記基材は、ブランケットであり、前記第１転写工程および第２転写工程は、グラビアオフセット印刷法により行う（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（６）前記凹版は平版である（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（７）前記凹版は円筒版である（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（８）基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、前記絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１…凹版、１Ａ…凹版本体、１Ｂ…第１凹部、１Ｃ…第２凹部、２Ａ…ブレード、２Ｂ…ブランケット、３…ペースト、４，１１…基板、５，５Ｂ，５Ｃ…絶縁膜、５Ａ…貫通孔、６…表示装置、１２…ＴＦＴ、１３…第１絶縁膜、２１…第１電極、２２…第３絶縁膜、２３…有機層、２４…第２電極、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、複数の貫通孔を有する絶縁膜などの形成に好適な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上には、集積度を高めるために多層配線構造が多用されている。このような多層配線構造には、上下の配線を電気的に接続するために、複数の貫通孔（ビアホール）が設けられた絶縁膜（層間絶縁膜）が用いられている。近年、この絶縁膜の構成材料としては、酸化シリコン膜に代わり、低誘電率（約２．２〜４．０）の有機材料が広く用いられている。
【０００３】
絶縁膜の貫通孔は、一般的にフォトリソグラフィ技術を用いた方法により形成される。具体的には、絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングを行ってパターンを形成する方法や、絶縁膜として感光性材料を用い、露光、現像を行ってパターンを形成する方法等があげられる。しかし、このようなフォトリソグラフィ技術を用いた方法は、工程数が多く、コスト的に不利となる。
【０００４】
そこで、印刷技術、中でもコスト面で優れたスクリーン印刷法を用いることにより、絶縁膜に所定パターンの貫通孔を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００５】
スクリーン印刷は、インクを載せたスクリーンメッシュをスキージで擦り、被印刷基板にインクを転写して印刷を行う方法である。印刷を行わない部分に対応するスクリーンメッシュの領域（非印刷領域）には、乳剤を塗布しておく。このようなスクリーン印刷は、工程数を低減でき、材料の使用効率が高いという利点が期待されており、また、簡易な手法でファインパターンの形成が可能であることから、近年、タッチパネルや太陽電池等の配線工程にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１４７７８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７３９９９号公報
【特許文献３】特開２００７−９５７８３号公報
【特許文献４】特開２００８−１４７６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スクリーン印刷では、上述のように、非印刷領域に乳剤を設けたメッシュを介して印刷を行うため、非印刷領域が微小なパターンの印刷には適さないという問題がある。特に、絶縁膜に所定パターンの貫通孔を形成する場合には、非印刷領域（貫通孔のパターン）はドット状となり、スクリーン印刷ではこのドットの大きさを１００μｍ径未満にすることは困難である。
【０００８】
このような非印刷領域の大きさの問題に対し、特許文献３，４では印刷工程を２工程に分けることで、微細なパターンの印刷を行うことを提案しているが、この方法でも十分に微細なパターンの印刷を行うことは困難であった。これは、スクリーン印刷法では、スクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受け易いことに起因する。
【０００９】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術による膜の製造方法は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えたものである。本技術による表示装置の製造方法は、基板上のＴＦＴ（Thin Film Transistor）と表示素子との間の絶縁膜を、上記膜の製造方法により形成するものである。
【００１１】
本技術の膜の製造方法および表示装置の製造方法では、凹版を用いた印刷方法、具体的にはグラビアオフセット印刷法により貫通孔を有する膜を形成するので、非印刷領域（貫通孔）のパターンが微細であっても、基材上にこのパターンを有する膜を容易に形成することができる。特に第１パターンの膜と第２パターンの膜とを重ねることにより、貫通孔を有する膜を形成するので、第１パターンおよび第２パターン、それぞれのパターンの非印刷領域は、所望の貫通孔の大きさよりも大きくすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の膜の製造方法または表示装置の製造方法によれば、グラビアオフセット印刷法を用いて貫通孔を有する膜を形成するようにしたので、貫通孔のパターンが微細なものであっても容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る膜の製造方法に用いる凹版の構成を表す上面図である。
【図２】図１に示した凹版の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した凹版を用いた膜の製造方法を工程順に表す図である。
【図４】図１に示した凹版を用いて製造された膜の構成を表す上面図である。
【図５】比較例に係る凹版の構成を表す上面図である。
【図６】変形例に係る凹版の構成を表す上面図である。
【図７】図６に示した凹版の変形例の構成を表す上面図である。
【図８】図３に示した膜の製造方法の変形例を表す図である。
【図９】本開示の膜の製造方法により製造される表示装置の構成を表す図である。
【図１０】図９に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１１】図９に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第１パターンが帯状、第２パターンが矩形状である例）
２．変形例（第１パターン、第２パターン共に帯状である例）
３．適用例（表示装置）
【００１５】
＜実施の形態＞
図１は、本技術の一実施の形態に係る膜の製造方法に用いられる凹版（凹版１）の平面構成を表したものであり、図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線における断面構成を表したものである。本実施の形態では、この凹版１を用いて、グラビアオフセット印刷法により、図４に示した貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する。詳細は後述するが、グラビアオフセット印刷法とは、図３に示したように凹版１内にブレード２Ａを用いてペースト３を充填し、ブランケット２Ｂを介して、基板４（被印刷基板、基材）にこのペースト３を転写する手法である。
【００１６】
凹版１の構成材料としては、例えばガラス，石英，金属，樹脂または各種セラミックス等が挙げられるが、ブレードの摺動に対して十分な耐久性を有するものであれば何ら限定されない。機械的強度を向上させるため、または印刷性を向上させるため、ＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）等のコーティングまたは各種表面処理を施すようにしてもよい。
【００１７】
凹版１の凹版本体１Ａは矩形状の平板であり、その長辺方向に沿ってブランケット２Ｂに接触させ、印刷が行われる。つまり長辺方向が印刷方向Ｐとなる。ここでは、紙面上から下に向かう方向を印刷方向Ｐとする（図１）。凹版本体１Ａには、矩形状の第１凹部１Ｂが複数配置されたパターン（第１パターン）と帯状の第２凹部１Ｃが複数配置されたパターン（第２パターン）とがこの印刷方向に沿ってこの順に設けられている。この第１凹部１Ｂのパターンおよび第２凹部１Ｃのパターンは、ブランケット（被印刷基板）に形成される膜のパターン（後述の図３ 膜３Ｂ，３Ｃ）に相当するものであり、第１凹部１Ｂのパターンによって膜が形成されなかった領域の一部に、第２凹部１Ｃのパターンの膜の一部が重なって、貫通孔５Ａが形成される。第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃの深さにより、形成される膜の厚みが決定される。
【００１８】
第１凹部１Ｂは、長辺が長さＬ、短辺が長さＳの矩形であり、印刷方向に第１凹部１Ｂの長辺、印刷方向に直交する方向に第１凹部１Ｂの短辺が設けられ、マトリクス状（飛び石状）に配置されている。印刷方向に第１凹部１Ｂの短辺を配置するようにすることも可能だが、アラインメントの容易さ、印刷性、膜厚の均一性を考慮すると印刷方向に長辺を配置することが好ましく、長さＳと長さＬとの比は、Ｓ／Ｌが１／２以下であることが好ましい。Ｓ／Ｌが１／２より大きいと、印刷された膜の形状が崩れ易い。隣り合う第１凹部１Ｂ同士の間隔は、印刷方向が間隔Ｄ1L、印刷方向と直交する方向が間隔Ｄ1Sである。
【００１９】
第２凹部１Ｃは、印刷方向に延在する幅Ｗの帯状であり、印刷方向に直交する方向に複数配置されている。図２に示したように、印刷方向から見て隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部（非印刷領域）の延長上に第２凹部１Ｃがあることが好ましい。第１凹部１Ｂのパターンと第２凹部１Ｃのパターンとを印刷する際に、アラインメントし直す作業が不要となるためである。隣り合う第２凹部１Ｃ同士の間隔は、間隔Ｄ2である。
【００２０】
第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lと第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2とにより、貫通孔（貫通孔５Ａ）の大きさおよびピッチが決まる。例えば、２０μｍ四方の角形の貫通孔を有する膜を形成する場合には、間隔Ｄ1Lおよび間隔Ｄ2を約２０μｍにすればよい。なお、形成された膜の体積収縮や、変形およびアラインメント精度等を考慮して間隔Ｄ1Lおよび間隔Ｄ2を適宜変更することは可能である。
【００２１】
第１凹部１Ｂの長さＳは、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2よりも大きいことが好ましい。第１凹部１Ｂにより形成された膜と、第２凹部１Ｃにより形成された膜とで重なり領域を設けることにより、アラインメントが容易となるためである。例えば、間隔Ｄ2が２０μｍのとき、長さＳは１４０μｍ程度の組み合わせが挙げられるが、これらの値は、ディスプレイの解像度により、異なるものとなる。隣り合う第１凹部１Ｂの間および隣り合う第２凹部１Ｃの間の凸部の上面に、例えばフッ素による表面コーティング処理等の撥液処理を施すようにしてもよい。このような撥液処理により、凸部の上面にペーストが残存しづらくなり、強い力でペーストを掻きとる作業が不要となる。フッ素による表面コーティング処理に代え、凸部の上面にミクロの凹凸を設け、比表面積を増加させるようにしてもよい。
【００２２】
図３は、この凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法により、図４に示した絶縁膜５を製造する方法を工程順に表したものである。
【００２３】
この膜の製造方法では、図３（Ａ）に示したように、凹版１と、凹版１を載置するためのステージ（図示せず），ブレード２Ａおよびブランケット２Ｂ（基材）を有するグラビアオフセット印刷機とを用いる。グラビアオフセット印刷機としては、公知のものを用いることが可能である。また、グラビアオフセット印刷機は、ブレード角度、圧力、ステージ速度およびブランケット胴回転速度等を自在に設定可能であり、ステージの動作精度が５μｍ未満であることが好ましい。
【００２４】
まず、図３（Ａ）に示したように、第１凹部１Ｂにペースト３を供給し、過剰なペースト３をブレード２Ａで掻きとる。このとき、隣り合う第１凹部１Ｂの間の凸部の上面に撥液処理がなされていると、掻きとりをマイルドに行っても凸部の上面にペースト３が残りにくくなる。
【００２５】
ペースト３は、絶縁膜５を構成する有機材料を溶剤に含有させたものである。ペースト３の有機材料としては、例えば、ポリビニルアルコール，セルロース系ポリマー，シリコンポリマー，ポリエチレン，ポリスチレン，ポリアミド，高分子量ポリエーテル，ポリビニルブチラール，メタクリル酸エステル重合体，アクリル酸エステル重合体あるいはブチルメタクリレート樹脂等が挙げられ、これらを２種以上混合して使用することも可能である。このようなペースト３に含まれる樹脂を熱または紫外線により硬化させて絶縁膜５を構成するようにしてもよい。硬化させることにより、絶縁膜５の機械特性、電気特性あるいは化学特性等を向上させることが可能となる。ペースト３に使用する溶剤は例えばエチレングリコールモノブチルエーテル，α−テルピネオール，ＰＧＭＥＡ（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate）またはＰＧＭＥ（Propylene Glycol Monomethyl Ether）等であり、これらを混合して用いてもよい。
【００２６】
絶縁膜５の印刷性や電気特性の向上を目的として、ペースト３に粒子を含有させるようにしてもよい。粒子は、絶縁膜５中で粒子として存在することができれば、有機粒子または無機粒子のどちらであってもよいが、粒度を制御し易く、溶剤中で分散させることが容易であるため、無機粒子を用いることが好ましい。無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ2），アルミナ（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）等の粒子が挙げられる。中でも、シリカ，アルミナまたは酸化亜鉛等の比較的比誘電率の低いものが好ましい。また、メソポーラスシリカのように、粒子の構造中にメソ孔あるいはマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよい。
【００２７】
ペースト３（絶縁膜５）中での、上記の有機材料および粒子の混合比率は、特に限定されるものではない。この混合比率は、絶縁膜５のパターンに応じて、最適な物性となるよう適宜調整すればよいが、絶縁膜５の柔軟性を確保するためには、有機材料の比率を高くすることが好ましい。具体的には、絶縁膜５中での有機材料の体積比は４０％以上が好ましく、５０％以上であることがより好ましい。このように有機材料の混合比率を高くすることで、絶縁膜５は、基板４が可撓性のものであっても対応可能なものとなる。ペースト３には、上記の有機材料および粒子を溶剤に混合させたものに、必要に応じて分散剤，可塑剤および粘度調整剤等を添加してもよい。
【００２８】
過剰なペースト３を掻きとった後、図３（Ａ）に示したように凹版１上でブランケット２Ｂを矢印Ｒ方向に回転させる。これにより第１凹部１Ｂ内に充填されたペースト３がブランケット２Ｂに受理され、ブランケット２Ｂ上に第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂが形成される。同様にしてブランケット２Ｂ上に第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成する。
【００２９】
次いで、図３（Ｂ）に示したように、ブランケット２Ｂを基板４上で矢印Ｒ方向に回転させることにより、ブランケット２Ｂ上の膜３Ｂを基板４に転写する。このようにして、基板４上に第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、同様の工程により第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂに重ねて形成し、ペースト３に含有される樹脂を熱硬化または紫外線硬化等により架橋させる。第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとは、全て重なっている必要はなく、少なくとも一部で重なるようにすればよい。これにより、図４に示したように基板４上に第１凹部１Ｂのパターンの絶縁膜５Ｂおよび第２凹部１Ｃのパターンの絶縁膜５Ｃが形成され、複数の貫通孔５Ａを有する絶縁膜５が完成する。なお、第１凹部１Ｂに供給されるペースト３と第２凹部１Ｃに供給されるペースト３とは、第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃそれぞれのパターンの面積や形状により適宜調整すればよいが、乾燥後の絶縁膜５Ｂ，５Ｃにおける構成材料の組成が大きく異ならないようにすることが好ましい。
【００３０】
第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃ（絶縁膜５Ｃ）を形成した後、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂ（絶縁膜５Ｂ）を形成することも可能であるが、膜形成面積の、より大きい絶縁膜５Ｃを後で形成することが好ましい。後の工程では、面積のより大きな第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃに残存する溶剤が、先に形成された第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂに含まれる有機材料等を溶解してレベリングさせる。よって、後に第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成することにより均一な形状（パターン）および均一な膜厚を有する絶縁膜５を形成することができる。面積のより小さな第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂの形成を後で行うと、残存する溶剤の量が少ないため、十分にレベリングされない虞がある。以上のような理由により、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの膜形成面積が異なっていることが好ましく、できるだけその差が大きいことがより好ましい。
【００３１】
また、このようなレベリングを行うため、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの両方を形成した後に、ペースト３中の樹脂の硬化を行うことが好ましい。第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、かつ第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃの形成前に硬化を行うと、硬化後の有機絶縁膜の耐溶剤性は高いため、十分にレベリングを行うことができない虞がある。
【００３２】
本実施の形態では、このような凹版１を用いたグラビアオフセット印刷法により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するため、貫通孔５Ａが微細、例えば５０μｍ径未満であっても、容易に形成することができる。
【００３３】
グラビアオフセット印刷法以外の方法であっても、例えばスクリーン印刷法は、フォトリソグラフィ技術を用いた方法と比較すると工程数を減らし、コストを抑えることが可能である。しかしながら、スクリーン印刷法は、非印刷領域に乳剤を設けたメッシュを介して印刷を行うため、非印刷領域が微小なパターンの印刷には適さず、非印刷領域（貫通孔）を１００μｍ径未満にすることは困難である。また、スクリーン印刷を２回行い、微細なパターンの印刷を行うことも提案されているが、この方法でも例えば５０μｍ四方以下の角型あるいはΦ（直径）５０μｍ以下の丸型の貫通孔を形成することはできず、限界が生じていた。これは、スクリーン印刷法ではスクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメータの影響を受け易いことに起因している。更に、２回の印刷では、アラインメントが難しく、また、膜厚も不均一になり易いという問題もあった。
【００３４】
これに対し、本実施の形態の膜の製造方法では、非印刷領域（貫通孔５Ａに相当する領域）は凹版１の、隣り合う第１凹部１Ｂの間の凸部および隣り合う第２凹部１Ｃの間の凸部によって形成され、凹版１とブランケット２Ｂとが直接接触してパターンが形成される。つまり、貫通孔５Ａのパターンが微細、例えば５０μｍ四方以下であっても、他の部品による影響をあまり受けることなく、微細な貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することが可能となる。
【００３５】
特に、本実施の形態では、第１凹部１Ｂのパターンの絶縁膜５Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの絶縁膜５Ｃとを重ねることにより、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するので、隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部および隣り合う第２凹部１Ｃ間の凸部は、所望の貫通孔５Ａの大きさよりも大きくなる。
【００３６】
なお、第１凹部１Ｂのパターンと第２凹部１Ｃのパターンとを別々の凹版に設けて、印刷を行うことも考え得る。しかし、凹版１のように一つの凹部本体１Ａに第１凹部１Ｂのパターンを設けた領域と第２凹部１Ｃのパターンを設けた領域とを印刷方向に順に配置することで、版の交換を行うことなく、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することができる。つまり、版の交換に伴うアラインメントを行う必要がないため、アラインメント（重ね合わせ）精度が増し、更に、工程数が減るためコストを抑えることもできる。
【００３７】
また、一度の印刷工程により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する場合、用いる凹版（凹版１００）は、図５に示したように、絶縁膜５の面積に相当する広い凹部１Ｂの中に貫通孔５Ａの微細なパターンに相当する柱状の凸部１Ｄを設けたものとなる。このため、ブレード２Ａで過剰なペースト３を掻き取る際に、細かな凸部１Ｄが破損し易く、精確な貫通孔５Ａのパターンを有する絶縁膜５を得ることは困難である。本実施の形態の凹版１では、隣り合う第１凹部１Ｂ間の凸部、隣り合う第２凹部１Ｃ間の凸部が貫通孔５Ａよりも大きいので破損する可能性が低く、安定して絶縁膜５を形成することができる。
【００３８】
以上のように本実施の形態では、凹版１を用いてグラビアオフセット印刷法により貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成するようにしたので、貫通孔５Ａのパターンが微細なものであっても容易に形成することができる。また、フォトリソグラフィ技術を用いた方法に比べ、工程が少なく、簡易な方法であるためコストを抑えることも可能である。
【００３９】
特に、異なるパターンの第１凹部１Ｂと第２凹部１Ｃとを一つの凹版本体１Ａに設けるようにしたので、アラインメント精度が増し、かつ工程数を減らすことが可能となる。
【００４０】
＜変形例＞
上記実施の形態では、凹版１に矩形状の第１凹部１Ｂと、帯状の第２凹部１Ｃとが設けられている場合について説明したが、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃの形状は、これに限定されるものではなく、所望の貫通孔５Ａの形状、大きさに合わせて適宜設定すればよい。
【００４１】
例えば、図６に示したように第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃを共に帯状にして、第１凹部１Ｂ、第２凹部１Ｃをそれぞれ印刷方向に対してθ１、θ２（θ１≠θ２）だけ傾斜させるようにしてもよい。つまり、第１凹部１Ｂの延在方向と第２凹部１Ｃの延在方向とは交差するようになる。例えば、θ１は３０°〜６０°、θ２は１５０°〜１２０°であり、θ１が４５°、θ２が１３５°であることが好ましい。また、図７に示したように帯状の第１凹部１Ｂを印刷方向と直交方向に配置し、帯状の第２凹部１Ｃを印刷方向と平行方向に配置するようにしてもよい。
【００４２】
なお、上記実施の形態では、凹版１が平版である場合について説明したが、図８に示したように、凹版１を円筒版とすることにより量産性を更に向上させることも可能である。
【００４３】
＜適用例＞
上記実施の形態および変形例に係る膜の製造方法は、例えば図９乃至図１１に示した表示装置（表示装置６）の製造に用いることが可能である。この表示装置６は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、図９に示したように、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０ａの周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００４４】
表示領域１１０には画素駆動回路１４０が設けられている。この画素駆動回路１４
０は、後述する第１電極２１の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画
素駆動回路１４０は、図１０に示したように駆動トランジスタＴｒ１および書き込み
トランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間の領域にはキャパシタ
Ｃｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮ
Ｄ）との間において、有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）が
トランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配
置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号
を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを
通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。トランジスタＴ
ｒ１，Ｔｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））に
より構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよい
しスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００４５】
図１１は図９に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１としてのＴＦＴ１２，第１絶縁膜１３，および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１側からこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜（図示せず）により覆われている。保護膜の上には、ガラス等の封止用基板が、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの接着層により貼り合わされている。
【００４６】
ＴＦＴ１２は、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を構成するものであり、例えば、基板１１上に、モリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート電極１２Ａ，窒化シリコン（ＳｉＮx）等よりなるゲート絶縁膜１２Ｂ，非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）よりなる半導体膜１２Ｃ，窒化シリコン等よりなるチャネル保護膜１２Ｄ，第２絶縁膜１２Ｅ，アルミニウム（Ａｌ）等よりなるソース・ドレイン電極１２Ｆがこの順に積層されたボトムゲート（逆スタガ）型のＴＦＴである。なお、図１０に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、ＴＦＴ１２と同様の構成を有している。半導体膜１２Ｃを酸化物半導体または有機半導体（半導体の性質を示す有機材料）により構成してもよい。
【００４７】
ここでは、第１絶縁膜１３が上記膜の製造方法により形成されている。即ち、第１絶縁膜１３が貫通孔５Ａを有する絶縁膜５に相当するものである。貫通孔５Ａは、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極１２Ｆと有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極（下部電極）２１とを接続するための接続孔としての機能を有している。
【００４８】
積層構造のＴＦＴ１２においては、高集積化が進むほど第１電極２１との高い重ね合わせ精度が要求されるが、スクリーン印刷法により第１絶縁膜１３を形成する場合、５０μｍ以下、まして３０μｍ以下の重ね合わせ精度を実現することは困難であった。これは、上記のようなスクリーン印刷法の特徴、つまりスクリーンメッシュと被印刷基板との距離がある程度必要であり、かつ、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受け易いことによる。これに対して、本実施の形態ではグラビアオフセット印刷法により第１絶縁膜１３を形成するため、例えば１０μｍ程度の高い重ね合わせ精度で成膜することも可能となる。
【００４９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１絶縁膜１３の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極２１，第３絶縁膜２２，発光層を含む有機層２３および第２電極２４がこの順に積層された構成を有している。
【００５０】
第１電極２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極２１は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）層と、厚みが１００ｎｍ程度のアルミニウム合金層とを基板１１側からこの順に積層した構成を有し、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出すようになっている（トップエミッション）。なお、第１電極２１の構成材料としては、アルミニウムまたはその合金の他、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極２１は、第１絶縁膜１３、即ち絶縁膜５の貫通孔５Ａ内にも延在し、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極１２Ｆに接続されている。
【００５１】
第３絶縁膜２２は、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば厚みが１μｍのシリコン酸化物またはポリイミド等の感光性樹脂により構成されている。第３絶縁膜２２には、発光領域に対応して開口部２２Ａが設けられている。なお、有機層２３および第２電極２４は、第３絶縁膜２２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第３絶縁膜２２の開口部２２Ａだけである。
【００５２】
有機層２３は、例えば、第１電極２１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層が積層された構成を有するものであるが、これらのうち、発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するバッファ層としての機能を有する。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものであり、例えば、０．３ｎｍ程度の厚みの酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる。
【００５３】
有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス[（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル]ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６−ビス[４’−メトキシジフェニルアミノスチリル]−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3）により構成されている。
【００５４】
有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3により構成されている。
【００５５】
有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの青色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４’−ビス[２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル]ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3により構成されている。
【００５６】
第２電極２４は、有機層２３の上面に、表示領域１１０の全体にわたり複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極２４は、例えば、第１電極２１の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウムよりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極２４は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。この補助配線は、表示領域１１０を囲む枠状の導電膜により構成されている。
【００５７】
この表示装置６は、例えば次のように製造することができる。
【００５８】
まず、ガラスからなる基板１１にＴＦＴ１２を形成し、画素駆動回路１４０を形成する。次いで、画素駆動回路１４０を形成した基板１１を基板４として、上述した膜の製造方法により、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成する。これにより第１絶縁膜１３が形成される。
【００５９】
続いて、例えばスパッタリング法によりチタン膜およびアルミニウム合金膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、表示領域１１０内に、チタン層とアルミニウム合金層とが積層された第１電極２１が形成される。
【００６０】
次いで、第１電極２１が設けられた基板１１にポリイミド等の感光性絶縁材料を塗布し、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、開口部２２Ａを有する第３絶縁膜２２を形成する。
【００６１】
第３絶縁膜２２を形成した後、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層２３および第２電極２４を形成する。これにより図１０に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００６２】
必要に応じて、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜（図示せず）を形成する。また、カラーフィルタ等を形成した封止用基板（図示せず）を用意し、この封止用基板を、保護膜の上に、接着層（図示せず）により貼り合わせる。以上により、図８乃至図１０に示した表示装置６が完成する。
【００６３】
この表示装置６では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極２４，保護膜，接着層，カラーフィルタおよび封止用基板（第２電極２４以外はいずれも図示せず）を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、第１絶縁膜１３を上記実施の形態の膜の製造方法により形成するようにしたので、貫通孔（貫通孔５Ａ）が微細なものであっても容易に第１絶縁膜１３を形成することができ、高集積化にも対応することができる。よって、表示装置６を薄型化、軽量化することが可能であり、更に、フォトリソグラフィ技術を用いた方法と比較して、簡便かつ低コストで製造することができる。
【実施例】
【００６４】
以下、本技術の具体的な実施例について説明する。
【００６５】
＜実施例１＞
上記実施の形態と同様にして、絶縁膜５を作製した。その際、凹版１として、石英よりなる凹版本体１Ａに、矩形状の第１凹部１Ｂおよび帯状の第２凹部１Ｃを有するものを用いた。第１凹部は、その長辺の長さＬが１３５μｍ、短辺の長さＳが４０μｍであり、印刷方向を第１凹部１Ｂの長辺、印刷方向に直交する方向を第１凹部１Ｂの短辺として、マトリクス状（飛び石状）に配置した（図１参照）。隣り合う第１凹部１Ｂ同士の印刷方向の間隔Ｄ1Lは、１５μｍ、印刷方向と直交する方向の間隔Ｄ1Sは、１１０μｍとした。
【００６６】
第２凹部１Ｃは、印刷方向に延在する、幅Ｗが１４０μｍの帯状であり、これを印刷方向に直交する方向に複数配置した（図１参照）。隣り合う第２凹部１Ｃ同士の間隔Ｄ2は、１０μｍとした。
【００６７】
ペースト３には、ポリビニルアルコール樹脂をエチレングリコールモノブチルエーテルおよびα−テルピネオールの混合溶剤に溶解させ、比表面積が５０ｍ2／ｇのアルミナフィラーを添加して粘度を約１５０Ｐａ・秒に調整したものを用いた。
【００６８】
形成予定の貫通孔５Ａの位置合わせを行った上で、上記の凹版１およびペースト３を用い、グラビアオフセット印刷法によりまず、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを基板４に形成した。形成された第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂは、実測値で長辺の長さが１３５μｍ、短辺の長さが約３５μｍの矩形が、マトリクス状に配置されたものとなり、矩形同士の印刷方向の間隔は１５μｍ、印刷方向と直交する方向の間隔は、１１５μｍであった。
【００６９】
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した後、これに重ねて、連続して第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを同様にグラビアオフセット印刷法により形成した。形成された第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃは、実測値で幅約１３５μｍの帯状の膜が間隔１５μｍで印刷方向と直交する方向に配置されたものとなった。
【００７０】
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂおよび第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを重ねることにより、１５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａが複数形成された。最後に１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて複数の貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を完成させた。
【００７１】
＜実施例２＞
第１凹部の長辺の長さＬを１３０μｍ、短辺の長さＳを４０μｍ、間隔Ｄ1Lを２０μｍ、間隔Ｄ1Sを１１０μｍとし、第２凹部１Ｃの幅Ｗを１３５μｍ、間隔Ｄ2を１５μｍとした。これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。その結果、２０μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５が形成された。
【００７２】
＜実施例３＞
第１凹部の長辺の長さＬを１４５μｍ、短辺の長さＳを３０μｍ、間隔Ｄ1Lを５μｍ、間隔Ｄ1Sを１２０μｍとし、第２凹部１Ｃの幅Ｗを１４５μｍ、間隔Ｄ2を５μｍとした。これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。その結果、５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５が形成された。
【００７３】
＜実施例４＞
第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃとの形成順を変えた以外は、実施例１と同様にして絶縁膜５を作製した。具体的には、第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｃを形成した後、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを形成した。その結果、１５μｍ四方のやや丸みを帯びた正方形の貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５を形成することができたが、実施例１と比較すると形状（パターン）および膜厚が不均一であった。
【００７４】
＜比較例＞
凹版として、絶縁膜５の面積に相当する広い凹部１Ｂの中に貫通孔５Ａのパターンに相当する柱状の凸部１Ｄを設けた凹版１００（図５）を用い、これ以外の条件については、実施例１と同様の条件により、絶縁膜５を作製した。凸部１Ｄの形状は、１５μｍ四方の正方形とした。その結果、ブレード２Ａで過剰なペースト３を掻き取る際に、凸部１Ｄ（凹版１００）が破損し、貫通孔５Ａを有する絶縁膜５を形成することができなかった。
【００７５】
実施例１〜４からわかるように、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを１５μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を１０μｍとすると、１５μｍ四方の貫通孔５Ａ、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを２０μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を１５μｍとすると、２０μｍ四方の貫通孔５Ａ、第１凹部１Ｂの間隔Ｄ1Lを５μｍ、第２凹部１Ｃの間隔Ｄ2を５μｍとすると、５μｍ四方の貫通孔５Ａを形成することができた。このように、スクリーン印刷法では形成することが困難である、５０μｍ四方以下の微細な貫通孔５Ａを容易に形成することが確認できた。
【００７６】
また、実施例１と実施例４との比較から、膜形成面積の大きい第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂを後で形成することにより、より均一な形状かつ均一な膜厚で絶縁膜５を形成することが分かった。
【００７７】
更に、実施例１と比較例とから、凹版１００の細かな柱状の凸部１Ｄは破損し易いため、第１凹部１Ｂのパターンの膜３Ｂと第２凹部１Ｃのパターンの膜３Ｂとを重ねる方法を用いることにより、安定して貫通孔５Ａを複数有する絶縁膜５を形成できることが分かった。
【００７８】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の
形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、第１凹部１Ｂの形状は印刷性が確保されるものであれば矩形状に限らず、例えば、円や他の多角形等、貫通孔５Ａの形状に合わせて適宜設計すればよい。絶縁膜以外の膜を形成するようにすることも可能である。
【００７９】
また、上記実施の形態等では、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃに充填されたペースト３を、ブランケット２Ｂを介して基板４に転写する方法について説明したが、ブランケット２Ｂを用いずに、第１凹部１Ｂおよび第２凹部１Ｃに充填されたペースト３を直接基板４に転写するようにしてもよい。
【００８０】
更に、上記適用例では、発光層で発生した光を第２電極２４側から取り出す場合（トップエミッション）を例に挙げて説明したが、発光層で発生した光を基板１１側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。
【００８１】
加えて、例えば、上記実施の形態等およびその適用例で説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８２】
更に、上記実施の形態等では、本開示の膜の製造方法を、有機ＥＬ素子を備えた表示装置の製造方法に適用した場合について説明したが、無機ＥＬ素子，液晶素子，電気泳動型の表示素子等、種々の表示素子を備えた表示装置の製造方法にも適用可能である。
【００８３】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた膜の製造方法。
（２）前記第１パターンはマトリクス状に配置された複数の矩形状の凹部、前記第２パターンは互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である（１）に記載の膜の製造方法。
（３）前記第１パターンは、互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部、前記第２パターンは、前記第１パターンの凹部の延在方向と交差し、かつ互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である（１）に記載の膜の製造方法。
（４）前記第１工程および前記第２工程では、前記凹部内に充填されたペーストを前記基材上に転写する（２）または（３）に記載の膜の製造方法。
（５）前記基材は、ブランケットであり、前記第１転写工程および第２転写工程は、グラビアオフセット印刷法により行う（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（６）前記凹版は平版である（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（７）前記凹版は円筒版である（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の膜の製造方法。
（８）基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、前記絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１…凹版、１Ａ…凹版本体、１Ｂ…第１凹部、１Ｃ…第２凹部、２Ａ…ブレード、２Ｂ…ブランケット、３…ペースト、４，１１…基板、５，５Ｂ，５Ｃ…絶縁膜、５Ａ…貫通孔、６…表示装置、１２…ＴＦＴ、１３…第１絶縁膜、２１…第１電極、２２…第３絶縁膜、２３…有機層、２４…第２電極、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、
前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程と
を備えた膜の製造方法。
【請求項２】
前記第１パターンはマトリクス状に配置された複数の矩形状の凹部、前記第２パターンは互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記第１パターンは、互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部、前記第２パターンは、前記第１パターンの凹部の延在方向と交差し、かつ互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程および前記第２工程では、前記凹部内に充填されたペーストを前記基材上に転写する
請求項２に記載の膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１転写工程および第２転写工程は、グラビアオフセット印刷法により行う
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項６】
前記凹版は平版である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項７】
前記凹版は円筒版である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項８】
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程は、
第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、
前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた
表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、
前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程と
を備えた膜の製造方法。
【請求項２】
前記第１パターンはマトリクス状に配置された複数の矩形状の凹部、前記第２パターンは互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記第１パターンは、互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部、前記第２パターンは、前記第１パターンの凹部の延在方向と交差し、かつ互いに同一方向に延びる複数の帯状の凹部である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程および前記第２工程では、前記凹部内に充填されたペーストを前記基材上に転写する
請求項２に記載の膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１転写工程および第２転写工程は、グラビアオフセット印刷法により行う
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項６】
前記凹版は平版である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項７】
前記凹版は円筒版である
請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項８】
基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および表示素子を順に形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程は、
第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、前記第１パターンの膜を基材上へ転写する第１工程と、
前記第１パターンの膜上に前記凹版の前記第２パターンの膜を転写することにより、前記基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２工程とを備えた
表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−４６４９（Ｐ２０１３−４６４９Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３２９４８（Ｐ２０１１−１３２９４８）
【出願日】平成２３年６月１５日（２０１１．６．１５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１５日（２０１１．６．１５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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