荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
【課題】SEM装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第1サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第1サーチダイの右隣のダイを第2サーチダイとし、第2サーチダイの上隣のダイを第3サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第2サーチダイ及び第3サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第2サーチダイのパターンマッチ座標と第3サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第1サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。
【解決手段】ウェーハ下方の第1サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第1サーチダイの右隣のダイを第2サーチダイとし、第2サーチダイの上隣のダイを第3サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第2サーチダイ及び第3サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第2サーチダイのパターンマッチ座標と第3サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第1サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
行列を成したダイ内に形成されたパターンを有する基板を、電子を用いて検査する方法であって、
前記基板をステージ上に方向を指定して載置するステップと、
位置決めの基準となる基準ダイを選択し、該基準ダイの特徴点の座標を含んだパターンマッチ用テンプレート画像を取得するステップと、
前記基準ダイを含む行又は列にある任意のダイに、前記テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行し、前記任意のダイの特徴点の座標を取得するステップと、
前記任意のダイと前記基準ダイとの特徴点座標に基づき、前記基準ダイを含む行又は列と前記電子が前記基板を走査する方向とが成すずれ角を算出するステップと、
前記ずれ角を補正するように前記ステージを移動させて前記基板の位置合わせを行うステップと、
前記電子を前記基板に向けて照射するステップと
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項2】
請求項1に記載の検査方法であって、
前記電子線で照射された前記基板の表面の情報を有する電子を検出器により検出するステップと、
前記の検出された電子に基づいて前記パターンの画像を取得するステップと
を更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項3】
請求項2に記載の検査方法であって、
前記任意のダイの特徴点座標を取得する前記ステップは、
前記基準ダイの特徴点座標と、既に前記テンプレート画像によるパターンマッチを実行して得た前記任意のダイの正確な特徴点座標との位置関係に基づいて、次の任意のダイの特徴点座標を推定するステップと、
前記の推定した特徴点座標付近で前記テンプレート画像を用いたパターンマッチを実行するステップと、
前記次の任意のダイの正確な特徴点座標を取得するステップと
を繰り返すステップを含むことを特徴とする検査方法。
【請求項4】
請求項3に記載の検査方法であって、
前記繰り返すステップは、前記基準ダイの特徴点座標と、直前のステップで求めたダイの特徴点座標との位置関係に基づいて、前記次の任意のダイの特徴点座標を推定し、パターンマッチにより前記次の任意のダイの正確な特徴点座標を取得するステップの繰り返しを含むことを特徴とする検査方法。
【請求項5】
請求項1に記載の検査方法であって、
前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のサイズを求めるステップと、
前記の求めたサイズに基づいてダイマップを作成するステップと
を更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項6】
請求項5に記載の検査方法であって、
前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のサイズを求める前記ステップは、
位置決めの基準となる基準ダイを選択し、該基準ダイの特徴点座標を含むパターンマッチ用テンプレート画像を取得するステップと、
前記基準ダイを含み、前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向の行又は列にある任意のダイに、前記テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行し、該任意のダイの特徴点座標を取得するステップと、
前記基準ダイの特徴点座標と前記任意のダイの特徴点座標との間の距離及び該距離に含まれるダイの個数を求め、これに基づいて、前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のダイのサイズを求めるステップと
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項7】
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の検査方法であって、
前記電子が、前記基板から生成された二次電子と反射電子と後方散乱電子とのうちの少なくとも1つであることを特徴とする検査方法。
【請求項8】
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の検査方法であって、
前記電子が、前記基板の表面の近傍で反射されたミラー電子であることを特徴とする検査方法。
【請求項1】
行列を成したダイ内に形成されたパターンを有する基板を、電子を用いて検査する方法であって、
前記基板をステージ上に方向を指定して載置するステップと、
位置決めの基準となる基準ダイを選択し、該基準ダイの特徴点の座標を含んだパターンマッチ用テンプレート画像を取得するステップと、
前記基準ダイを含む行又は列にある任意のダイに、前記テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行し、前記任意のダイの特徴点の座標を取得するステップと、
前記任意のダイと前記基準ダイとの特徴点座標に基づき、前記基準ダイを含む行又は列と前記電子が前記基板を走査する方向とが成すずれ角を算出するステップと、
前記ずれ角を補正するように前記ステージを移動させて前記基板の位置合わせを行うステップと、
前記電子を前記基板に向けて照射するステップと
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項2】
請求項1に記載の検査方法であって、
前記電子線で照射された前記基板の表面の情報を有する電子を検出器により検出するステップと、
前記の検出された電子に基づいて前記パターンの画像を取得するステップと
を更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項3】
請求項2に記載の検査方法であって、
前記任意のダイの特徴点座標を取得する前記ステップは、
前記基準ダイの特徴点座標と、既に前記テンプレート画像によるパターンマッチを実行して得た前記任意のダイの正確な特徴点座標との位置関係に基づいて、次の任意のダイの特徴点座標を推定するステップと、
前記の推定した特徴点座標付近で前記テンプレート画像を用いたパターンマッチを実行するステップと、
前記次の任意のダイの正確な特徴点座標を取得するステップと
を繰り返すステップを含むことを特徴とする検査方法。
【請求項4】
請求項3に記載の検査方法であって、
前記繰り返すステップは、前記基準ダイの特徴点座標と、直前のステップで求めたダイの特徴点座標との位置関係に基づいて、前記次の任意のダイの特徴点座標を推定し、パターンマッチにより前記次の任意のダイの正確な特徴点座標を取得するステップの繰り返しを含むことを特徴とする検査方法。
【請求項5】
請求項1に記載の検査方法であって、
前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のサイズを求めるステップと、
前記の求めたサイズに基づいてダイマップを作成するステップと
を更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項6】
請求項5に記載の検査方法であって、
前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のサイズを求める前記ステップは、
位置決めの基準となる基準ダイを選択し、該基準ダイの特徴点座標を含むパターンマッチ用テンプレート画像を取得するステップと、
前記基準ダイを含み、前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向の行又は列にある任意のダイに、前記テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行し、該任意のダイの特徴点座標を取得するステップと、
前記基準ダイの特徴点座標と前記任意のダイの特徴点座標との間の距離及び該距離に含まれるダイの個数を求め、これに基づいて、前記ずれ角を求めた行又は列と直交する方向のダイのサイズを求めるステップと
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項7】
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の検査方法であって、
前記電子が、前記基板から生成された二次電子と反射電子と後方散乱電子とのうちの少なくとも1つであることを特徴とする検査方法。
【請求項8】
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の検査方法であって、
前記電子が、前記基板の表面の近傍で反射されたミラー電子であることを特徴とする検査方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図20−1】
【図21】
【図22】
【図22−1】
【図22−2】
【図23】
【図24】
【図25−1】
【図25−2】
【図25−3】
【図25−4】
【図25−5】
【図26】
【図27−1】
【図27−2】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118−1】
【図118−2】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図126】
【図127】
【図128】
【図129】
【図130】
【図131】
【図132】
【図133】
【図134】
【図135】
【図136】
【図137】
【図138】
【図139】
【図140】
【図141】
【図142】
【図143】
【図144】
【図145】
【図146】
【図147】
【図148】
【図149】
【図150】
【図151】
【図152】
【図153】
【図154】
【図155】
【図156】
【図157】
【図158】
【図159】
【図160】
【図161】
【図162】
【図163】
【図164】
【図165】
【図166】
【図167】
【図168】
【図169】
【図170】
【図171】
【図172】
【図173】
【図174】
【図175】
【図176】
【図177】
【図178】
【図179】
【図180】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図20−1】
【図21】
【図22】
【図22−1】
【図22−2】
【図23】
【図24】
【図25−1】
【図25−2】
【図25−3】
【図25−4】
【図25−5】
【図26】
【図27−1】
【図27−2】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118−1】
【図118−2】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図126】
【図127】
【図128】
【図129】
【図130】
【図131】
【図132】
【図133】
【図134】
【図135】
【図136】
【図137】
【図138】
【図139】
【図140】
【図141】
【図142】
【図143】
【図144】
【図145】
【図146】
【図147】
【図148】
【図149】
【図150】
【図151】
【図152】
【図153】
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【図158】
【図159】
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【図161】
【図162】
【図163】
【図164】
【図165】
【図166】
【図167】
【図168】
【図169】
【図170】
【図171】
【図172】
【図173】
【図174】
【図175】
【図176】
【図177】
【図178】
【図179】
【図180】
【公開番号】特開2012−119694(P2012−119694A)
【公開日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−283102(P2011−283102)
【出願日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【分割の表示】特願2004−31749(P2004−31749)の分割
【原出願日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.ケーブルベア
2.テフロン
3.ETHERNET
【出願人】(000000239)株式会社荏原製作所 (1,477)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【分割の表示】特願2004−31749(P2004−31749)の分割
【原出願日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.ケーブルベア
2.テフロン
3.ETHERNET
【出願人】(000000239)株式会社荏原製作所 (1,477)
【Fターム(参考)】
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