荷電粒子線描画装置、および、物品の製造方法
【課題】荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源２、４０と、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口３０が形成された開口部材１１と、開口部材１１に設けられ、開口部材１１の開口３０以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子３２と、開口部材１１に配置されて複数の熱電変換素子３２の出力を検出する検出部３４と、検出部３４の出力に基づいて、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部６（３５）とを有する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源２、４０と、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口３０が形成された開口部材１１と、開口部材１１に設けられ、開口部材１１の開口３０以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子３２と、開口部材１１に配置されて複数の熱電変換素子３２の出力を検出する検出部３４と、検出部３４の出力に基づいて、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部６（３５）とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および、それを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路などのデバイスの製造に用いられる描画装置は、素子の微細化、回路パターンの複雑化、またはパターンデータの大容量化が進み、描画精度の向上が要求されている。これを実現させる方法として、電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、解像度が高く、生産性にも優れているため、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。
【０００３】
このような描画装置では、高スループットを実現するために、一括で描画できる面積が大きくなるにつれて、または描画線幅が細くなるにつれて、基板面での荷電粒子線分布の均一性が要求される。これに対して、特許文献１は、荷電粒子線であるイオンビームを採用し、その一部の電流を計測してプローブ電流に換算し、この情報に基づいてビーム照射時間に補正を加え、ビーム照射量を所望の値に保つイオンビーム照射量の制御方法を開示している。一方、特許文献２は、電子ビームを採用し、第２カソードにおける複数の電子放出部から放出される電子の分布を制御装置により制御し、第１カソードの熱電子放出面の温度を均一に保たせることで、照明一様性を向上させる電子銃の制御方法を開示している。この電子銃の制御方法では、さらにターゲット面で電子ビームの強度分布を測定し、その分布が一様となるように制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−１３９３２３号公報
【特許文献２】特開２００４−２８８５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、特許文献１または２のいずれの方法も、荷電粒子線の強度（電流）の計測に基づいて、荷電粒子線の照射の均一性を向上させるものである。ここで、荷電粒子線が照射されているデバイス（例えば偏向器）上での電流計測は、検出回路をデバイスの近くに実装して実施すると、デバイスからの熱の影響を受けやすい。一方、検出回路をデバイスから遠くに離して実装して実施すると、ノイズの影響を受け、精度良く電流を計測することが難しい。
【０００６】
本発明は、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、荷電粒子線源と、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口が形成された開口部材と、開口部材に設けられ、開口部材の開口以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子と、開口部材に配置されて複数の熱電変換素子の出力を検出する検出部と、検出部の出力に基づいて、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係るアパーチャアレイの上流側の構成を示す図である。
【図３】第１実施形態に係るアパーチャアレイの上面図である。
【図４】所定の熱電変換素子により検出された電力値を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置（以下「描画装置」という）について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ、電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線（イオンビーム）などの他の荷電粒子線であってもよい。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す図である。なお、以下の各図では、被処理基板に対する電子ビームのノミナルの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。また、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。さらに、図１に示す描画装置１は、後述する電子源と光学系との組を複数有する（ここでは一例として２つの組を有する）ものとするが、１つの組のみを有するものであってもよい。以下、２つの組は、それぞれ同一構成であるので、１つの組を含む部分について説明する。描画装置１は、電子源２と、該電子源２のクロスオーバー３から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系４と、被処理基板７を保持する基板ステージ５と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部６とを備える。なお、被処理基板７は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１３】
ここで、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また、高電圧による放電を防止する意味もかねて、制御部６を除く上記構成要素は、真空排気系により内部圧力が適宜調整された真空空間内に設置される。例えば、描画装置１は、まず、電子源２が収容される第１チャンバー２０と、光学系４のうちアパーチャアレイ１１やブランキング偏向器アレイ１３などを収容する第２チャンバー２１と、偏向器アレイ１５などを収容する第３チャンバー２２とを有する。同様に、描画装置１は、基板ステージ５を収容する第４チャンバー２３も有する。特に、第１チャンバー２０の内部は、その外部に設置されたイオンポンプ２４に接続されて高い真空度に保たれており、具体的な真空度は、電子ビームを照射しない状態で、５．０×１０-７〜３．０×１０‐６Ｐａ程度である。また、第２〜第４チャンバー２１〜２３の内部も、不図示の真空ポンプにそれぞれ接続され、第１チャンバー２０の内部よりも低い真空度ではあるが、１０-５Ｐａ台程度に保たれる。
【００１４】
電子源（荷電粒子線源）２は、ディスペンサーカソード（カソード材はＢａＯ／Ｗ）などを電子放出部に含む、いわゆる熱電子型の電子源である。この電子源２は、その内部に設置された不図示のカソード電極を、外部に設置された電源２５から電流を供給することで１２００〜１５００Ｋ程度に加熱させ、このカソード電極から熱電子を放出させる。放出された熱電子は、アノード電極８により数ｋＶの電圧が印加されて加速し、クロスオーバー３から電子ビーム（電子線束）として発散する。なお、図中では、クロスオーバー３から照射された電子ビームの軌道２ａを点線で示している。また、電子源２は、このようなディスペンサーカソード型に限らず、例えばＬａＢ６型のものでもよい。
【００１５】
光学系４は、電子源２から放射された電子ビームを被処理基板７上に投影する投影系である。この光学系４は、電子源２側から順に、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズアレイ１２、ブランキング偏向器アレイ１３、ブランキング絞り１４、偏向器アレイ１５、および第２静電レンズ１６を含む。さらに、光学系４は、ブランキング偏向器アレイ１３とブランキング絞り１４との間に設置される第３静電レンズ１７と、ブランキング絞り１４と偏向器アレイ１５との間に隣設される第４静電レンズ１８と第５静電レンズ１９とを含む。まず、コリメーターレンズ１０は、クロスオーバー３で発散した電子ビームを平行ビーム（所望の大きさを持った面積ビーム）とする電磁レンズである。なお、コリメーターレンズ１０は、静電レンズであってもよい。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有する開口部材であり、コリメーターレンズ１０からほぼ垂直に入射した電子ビームを、複数の電子ビームに分割する。なお、このアパーチャアレイ１１の構成などについては、以下で詳説する。第１静電レンズアレイ１２は、円形状の開口を有する３枚の電極板（図中では３枚の電極板を一体で示している）から構成されるレンズであり、ブランキング偏向器アレイ１３上に電子ビームを結像（収束）させる。ブランキング偏向器アレイ１３は、マトリクス状に配置されたブランキング偏向器からなり、各電子ビームの照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。ブランキング絞り１４は、ブランキング偏向器アレイ１３を通過して第３静電レンズ１７により集束された電子ビームのうち、偏向された所望の電子ビームを遮蔽する。偏向器アレイ１５は、第４および第５静電レンズ１８、１９を通過した電子ビームを、基板ステージ５に載置された被処理基板７の表面上でＸ軸方向に偏向（走査）させる。さらに、第２静電レンズ１６は、偏向器アレイ１５を通過した電子ビームを被処理基板７上に結像（収束）させる。なお、第２静電レンズ１６により収束された電子ビーム（クロスオーバー３の像）は、基板ステージ５に設置された不図示の電子ビーム検出部により検出されるように構成されている。
【００１６】
基板ステージ５は、被処理基板７を、例えば静電吸着により保持しつつ、適宜、少なくともＸＹの２軸方向に可動とする基板保持部であり、その位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。さらに、制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部６は、後述するが、少なくとも、検出回路３４からの出力に基づいて電子源２（カソード電極、または別体のアノード電極８）を制御する電子源コントローラ３５を含む。なお、制御部６は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１７】
次に、本実施形態の特徴であるアパーチャアレイ１１について詳説する。図２は、本実施形態のアパーチャアレイ１１の構成と、その上側にある構成要素とを示す概略図である。また、図３は、その上側から見たアパーチャアレイ１１の上面図である。このアパーチャアレイ１１は、図３に示すように、１つの電子源２に対応した照射領域（ＸＹ平面に平行な領域）に、一例として３×３で配列された９つの開口（電子ビームの通過領域）３０を有し、コリメーターレンズ１０から入射した電子ビームを９つに分割する。まず、アパーチャアレイ１１は、図２に示すように、本体であるアパーチャプレート３１に対して、電子ビームが入射する側の表面に、遮蔽板３３を介して熱電変換素子３２を備える。熱電変換素子３２は、２種類の異なる金属または半導体を接合した接合部を有し、この接合部の両端に温度差があると起電力が生じるゼーベック効果を利用して熱を電力に変換する素子である。例えば、熱電変換素子３２は、大きな電位差を得るために、接合部としてｐ型半導体素子とｎ型半導体素子との組み合わせを採用し、表面側からセラミック基板、ｐ型半導体素子、ｎ型半導体素子、および電極で構成され得る。これらの半導体素子の材料としては、ビスマステルル系（Ｂｉ−Ｔｅ系）、鉛テルル系（Ｐｂ−Ｔｅ系）、シリコン・ゲルマニウム系（Ｓｉ−Ｇｅ系）などが採用可能である。また近年では、バリウム、ガリウム、スズからなる材料も採用可能である。本実施形態のアパーチャアレイ１１は、このような熱電変換素子３２を複数、すなわち、図３に示すように各開口３０に隣接して有する。例えば、熱電変換素子３２は、アパーチャアレイ１１の複数の開口以外の表面一帯に配置され得る。遮蔽板３３は、アパーチャプレート３１に対する熱電変換素子３２からの熱の影響を抑えるための熱遮蔽部材である。電子ビームは、通常、電子源２から数百ｍＡの電流で照射され、コリメーターレンズ１０にて数十ｋＶで加速されるので、数ｋＷオーダーのエネルギーがアパーチャアレイ１１全体に放射される。これに対し、アパーチャアレイ１１は、遮蔽板３３を備えることで、熱によるアパーチャプレート３１の過度な変形を抑えることができる。なお、遮蔽板３３は、不図示の冷却装置により冷却される構成としてもよい。
【００１８】
さらに、アパーチャアレイ１１は、電子ビームが射出する側の面（裏面）に、熱電変換素子３２の起電力に基づく電力を検出する検出回路（検出部）３４を備える。この検出回路３４は、アパーチャプレート３１に形成された配線を介して各熱電変換素子３２に接続される。また、検出回路３４は、検出された電力を第２チャンバー２１の外部の制御部６に送信するための無線装置（不図示）を含み得る。さらに、検出回路３４の電源は、熱電変換素子３２から生じた電力の一部を使用し得る。これにより、アパーチャアレイ１１から第２チャンバー２１の壁部を介した制御部６までの配線を省くことができる。
【００１９】
次に、アパーチャアレイ１１の作用について説明する。まず、図２を参照し、描画装置１内の２つの電子源２、４０から照射された電子ビームは、アパーチャアレイ１１の開口３０を通過するものと、開口３０を通過せずにアパーチャアレイ１１で遮蔽されるものとに分かれる。このとき、アパーチャアレイ１１にて遮蔽された電子ビームが熱電変換素子３２に照射されることで、複数の熱電変換素子３２は、温度上昇に伴う温度差により起電力を生じる。次に、検出回路３４は、それぞれの電力を検出し、この電力を示す出力を制御部６内の電子源コントローラ３５へ無線で送信する。電子源コントローラ３５は、受信部３６にて検出回路３４からの無線出力を受信し、それぞれの熱電変換素子３２による電力の分布を評価する。ここで、電力分布の評価方法（許容条件を満たすかどうかの判定）としては、例えば以下の２つの方法を採用し得る。まず、第１の方法は、電力の閾値（許容範囲）を予め設定しておく方法である。例えば、図３に示すように、１つの電子源２に対応する９つの熱電変換素子３２ａ〜３２ｉにおける電子ビームの照射領域は、通常領域３７のようになる。そこで、各熱電変換素子３２ａ〜３２ｉのうち、４隅の熱電変換素子３２ａ、３２ｃ、３２ｇ、３２ｉを第１グループと定義し、その４つの間にそれぞれ位置する熱電変換素子３２ｂ、３２ｄ、３２ｆ、３２ｈを第２グループと定義する。そして、さらに中央に位置する熱電変換素子３２ｅ（第３グループとする）と合わせて、計３つのグループのそれぞれに関して、閾値を設定する。このようなグループ分けは、クロスオーバー３の位置に対応する中心部からの距離を基準としたものである。これによれば、９つ全ての熱電変換素子３２に関して閾値を設定する必要がないため、評価（比較）の効率がよい。さらに、第２の評価方法は、一方の電子源２に対応する照射領域（領域３７）に位置する熱電変換素子３２ａ〜３２ｉの電力の分布と、他方の電子源４０に対応する照射領域（領域３８）に位置する熱電変換素子３２ｊ〜３２ｒの電力の分布とを比較する方法である。電子源コントローラ３５は、このような電力分布の評価（比較）を、描画装置１による通常の描画処理と並行して実行する。第１の比較方法を採用する場合、例えば、電子源コントローラ３５が、あるグループ内の電力の値がそのグループに設定された閾値（許容範囲）を超えると判定したとする。この場合、電子源コントローラ３５は、そのグループに対応する領域を通過する電子ビームの強度が変化し、照射領域全体の均一性が保たれていないと判断する。一方、第２の比較方法を採用する場合、例えば、電子源コントローラ３５が、電子源２と電子源４０とにそれぞれ対応する各熱電変換素子３２の電力の分布を比較し、差異があると判定したとする。この場合、電子源コントローラ３５は、差異のある領域を通過する電子ビームの強度が変化し、均一性が保たれていないと判断する。このとき、電子源コントローラ３５は、電子源２（または電子源４０）のカソード電極への電流（もしくはカソード材の温度）、または、アノード電極８（もしくはアノード電極４１）による加速電圧などを変化させる。これにより、電子源コントローラ３５は、電子ビームの強度分布を正常な範囲に調整することができる。
【００２０】
このように、描画装置１は、熱電変換素子３２の発生した電力の分布を検出して電子ビームの強度分布に相関のある情報を得ることで、例えば、電子ビームの強度の均一性を担保することができる。このような均一性の調整（補正）は、通常の描画処理と並行して実施可能であるため、描画装置１による生産性（スループット）の点でも有利である。また、遮蔽板３３により、アパーチャプレート３１、および、その下面（裏面）に配置された検出回路３４の少なくとも一方に対する熱電変換素子３２からの熱の影響を抑える（軽減する）ことができる。さらに、検出回路３４は、熱電変換素子３２により検出された電力を無線装置により電子源コントローラ３５に送信するため、それらを接続する配線を削減することができる。また、熱電変換素子３２と検出回路３４との配線長を短くできるため、ノイズの影響も少ない。
【００２１】
以上のように、本実施形態は、荷電粒子線の特性（例えば、強度分布）を把握するのに有利であり、もって荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【００２２】
なお、上記の説明では、電子源コントローラ３５は、熱電変換素子３２の電力の分布に基づいて電子ビームの強度の均一性が保たれていないと判断した場合、カソード電極の電流等を変化させるなど、電子源２（４０）の制御により調整を行った。しかしながら、本発明は、これに限定されることなく、例えば、荷電粒子光学素子の制御により調整を行ってもよい。この場合、例えば、アノード電極８（４１）の下側（後側）に設置されて軌道２ａ、４０ａを調整するアライナー偏向器２６（４２）や、コリメーターレンズ１０（４３）に与える電圧（電位）を変化させることで、調整を行うことができる。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の描画装置は、その構成自体は第１実施形態に係る描画装置１と同様である。特に本実施形態の描画装置の特徴は、第１実施形態における熱電変換素子３２の発生した電力の分布を常にモニタリングすることで、電子源２（４０）の動作寿命の判定に用いる点にある。図４は、一例として、電子源２に対応した熱電変換素子３２のうち第２グループに属する４つの熱電変換素子３２ｂ、３２ｄ、３２ｆ、３２ｈにより得られた各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈを示すグラフである。なお、寿命判定に利用する熱電変換素子３２の配置（選択）は、電子源の種類や形状により異なりうる。図４において、電子源２の使用期間が短い初期段階では、各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈは、ほぼ一定であり、必要な照射特性（例えば、強度の均一性）を維持している状態にある。これに対して、電子源２の使用期間が時間Ｔ１を超えると、各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈが徐々に低下し、電子源コントローラ３５が電子源２の制御を実施しても所定の電力が維持されなくなる。すなわち、そのような時点では、電子源２の特性が低下（劣化）している。そこで、制御部６は、このような特性の低下を判定し、判定した時点で当該判定に関する情報を警告等として出力することができる。また、制御部６は、電子源２の使用時間がさらに経過して、電力値が所定の閾値ＷＴを下回ることを判定し、判定した時点で当該判定に関する情報を「動作寿命の警告」などとして出力することができる。なお、これらの警告の方法としては、音声によるアラームや操作画面への表示等が挙げられる。このように、熱電変換素子３２の発生した電力の分布は、電子ビームの特性の調整（強度の均一化など）のみならず、特別な構成要素の追加や変更を行うことなく、電子源２の動作寿命の判定にも利用することができる。もって、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【００２４】
なお、以上の実施形態では、熱電変換素子３２を設置する部材（構成要素）として、アパーチャアレイ１１を例示したが、本発明は、これに限定するものではない。アパーチャアレイ１１に熱電変換素子３２を設置する構成は、描画装置に既存の部材に設置することから有利であるが、例えば、既設のものとは別に描画装置に設けたアパーチャアレイに熱電変換素子３２を設置する構成もあり得る。また、以上の実施形態では、各熱電変換素子３２をそれぞれの開口３０に対応させて９つ配置する構成としたが、より詳細な電力分布を得るために、より多くの熱電変換素子を配置させる構成もあり得る。また、電子源の設置数も、対応する光学系の数に合わせて、２以上であってもよい。さらに、以上の実施形態では、電子源コントローラ３５が電力分布の評価（比較）を実行するものとしたが、例えば、制御部６内の別の構成要素（演算回路など）が電力分布の評価を実行してもよい。また、その評価結果に基づいて電子源コントローラ３５が電子源２（４０）を制御するような構成としてもよい。
【００２５】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ 描画装置
２ 電子源
２ａ 軌道
６ 制御部
７ 被処理基板
１１ アパーチャアレイ
３２ 熱電変換素子
３４ 検出回路
３５ 電子源コントローラ
４０ 電子源
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および、それを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路などのデバイスの製造に用いられる描画装置は、素子の微細化、回路パターンの複雑化、またはパターンデータの大容量化が進み、描画精度の向上が要求されている。これを実現させる方法として、電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、解像度が高く、生産性にも優れているため、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。
【０００３】
このような描画装置では、高スループットを実現するために、一括で描画できる面積が大きくなるにつれて、または描画線幅が細くなるにつれて、基板面での荷電粒子線分布の均一性が要求される。これに対して、特許文献１は、荷電粒子線であるイオンビームを採用し、その一部の電流を計測してプローブ電流に換算し、この情報に基づいてビーム照射時間に補正を加え、ビーム照射量を所望の値に保つイオンビーム照射量の制御方法を開示している。一方、特許文献２は、電子ビームを採用し、第２カソードにおける複数の電子放出部から放出される電子の分布を制御装置により制御し、第１カソードの熱電子放出面の温度を均一に保たせることで、照明一様性を向上させる電子銃の制御方法を開示している。この電子銃の制御方法では、さらにターゲット面で電子ビームの強度分布を測定し、その分布が一様となるように制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−１３９３２３号公報
【特許文献２】特開２００４−２８８５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、特許文献１または２のいずれの方法も、荷電粒子線の強度（電流）の計測に基づいて、荷電粒子線の照射の均一性を向上させるものである。ここで、荷電粒子線が照射されているデバイス（例えば偏向器）上での電流計測は、検出回路をデバイスの近くに実装して実施すると、デバイスからの熱の影響を受けやすい。一方、検出回路をデバイスから遠くに離して実装して実施すると、ノイズの影響を受け、精度良く電流を計測することが難しい。
【０００６】
本発明は、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、荷電粒子線源と、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口が形成された開口部材と、開口部材に設けられ、開口部材の開口以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子と、開口部材に配置されて複数の熱電変換素子の出力を検出する検出部と、検出部の出力に基づいて、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係るアパーチャアレイの上流側の構成を示す図である。
【図３】第１実施形態に係るアパーチャアレイの上面図である。
【図４】所定の熱電変換素子により検出された電力値を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置（以下「描画装置」という）について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ、電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線（イオンビーム）などの他の荷電粒子線であってもよい。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す図である。なお、以下の各図では、被処理基板に対する電子ビームのノミナルの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。また、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。さらに、図１に示す描画装置１は、後述する電子源と光学系との組を複数有する（ここでは一例として２つの組を有する）ものとするが、１つの組のみを有するものであってもよい。以下、２つの組は、それぞれ同一構成であるので、１つの組を含む部分について説明する。描画装置１は、電子源２と、該電子源２のクロスオーバー３から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系４と、被処理基板７を保持する基板ステージ５と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部６とを備える。なお、被処理基板７は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１３】
ここで、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また、高電圧による放電を防止する意味もかねて、制御部６を除く上記構成要素は、真空排気系により内部圧力が適宜調整された真空空間内に設置される。例えば、描画装置１は、まず、電子源２が収容される第１チャンバー２０と、光学系４のうちアパーチャアレイ１１やブランキング偏向器アレイ１３などを収容する第２チャンバー２１と、偏向器アレイ１５などを収容する第３チャンバー２２とを有する。同様に、描画装置１は、基板ステージ５を収容する第４チャンバー２３も有する。特に、第１チャンバー２０の内部は、その外部に設置されたイオンポンプ２４に接続されて高い真空度に保たれており、具体的な真空度は、電子ビームを照射しない状態で、５．０×１０-７〜３．０×１０‐６Ｐａ程度である。また、第２〜第４チャンバー２１〜２３の内部も、不図示の真空ポンプにそれぞれ接続され、第１チャンバー２０の内部よりも低い真空度ではあるが、１０-５Ｐａ台程度に保たれる。
【００１４】
電子源（荷電粒子線源）２は、ディスペンサーカソード（カソード材はＢａＯ／Ｗ）などを電子放出部に含む、いわゆる熱電子型の電子源である。この電子源２は、その内部に設置された不図示のカソード電極を、外部に設置された電源２５から電流を供給することで１２００〜１５００Ｋ程度に加熱させ、このカソード電極から熱電子を放出させる。放出された熱電子は、アノード電極８により数ｋＶの電圧が印加されて加速し、クロスオーバー３から電子ビーム（電子線束）として発散する。なお、図中では、クロスオーバー３から照射された電子ビームの軌道２ａを点線で示している。また、電子源２は、このようなディスペンサーカソード型に限らず、例えばＬａＢ６型のものでもよい。
【００１５】
光学系４は、電子源２から放射された電子ビームを被処理基板７上に投影する投影系である。この光学系４は、電子源２側から順に、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズアレイ１２、ブランキング偏向器アレイ１３、ブランキング絞り１４、偏向器アレイ１５、および第２静電レンズ１６を含む。さらに、光学系４は、ブランキング偏向器アレイ１３とブランキング絞り１４との間に設置される第３静電レンズ１７と、ブランキング絞り１４と偏向器アレイ１５との間に隣設される第４静電レンズ１８と第５静電レンズ１９とを含む。まず、コリメーターレンズ１０は、クロスオーバー３で発散した電子ビームを平行ビーム（所望の大きさを持った面積ビーム）とする電磁レンズである。なお、コリメーターレンズ１０は、静電レンズであってもよい。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有する開口部材であり、コリメーターレンズ１０からほぼ垂直に入射した電子ビームを、複数の電子ビームに分割する。なお、このアパーチャアレイ１１の構成などについては、以下で詳説する。第１静電レンズアレイ１２は、円形状の開口を有する３枚の電極板（図中では３枚の電極板を一体で示している）から構成されるレンズであり、ブランキング偏向器アレイ１３上に電子ビームを結像（収束）させる。ブランキング偏向器アレイ１３は、マトリクス状に配置されたブランキング偏向器からなり、各電子ビームの照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。ブランキング絞り１４は、ブランキング偏向器アレイ１３を通過して第３静電レンズ１７により集束された電子ビームのうち、偏向された所望の電子ビームを遮蔽する。偏向器アレイ１５は、第４および第５静電レンズ１８、１９を通過した電子ビームを、基板ステージ５に載置された被処理基板７の表面上でＸ軸方向に偏向（走査）させる。さらに、第２静電レンズ１６は、偏向器アレイ１５を通過した電子ビームを被処理基板７上に結像（収束）させる。なお、第２静電レンズ１６により収束された電子ビーム（クロスオーバー３の像）は、基板ステージ５に設置された不図示の電子ビーム検出部により検出されるように構成されている。
【００１６】
基板ステージ５は、被処理基板７を、例えば静電吸着により保持しつつ、適宜、少なくともＸＹの２軸方向に可動とする基板保持部であり、その位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。さらに、制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部６は、後述するが、少なくとも、検出回路３４からの出力に基づいて電子源２（カソード電極、または別体のアノード電極８）を制御する電子源コントローラ３５を含む。なお、制御部６は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１７】
次に、本実施形態の特徴であるアパーチャアレイ１１について詳説する。図２は、本実施形態のアパーチャアレイ１１の構成と、その上側にある構成要素とを示す概略図である。また、図３は、その上側から見たアパーチャアレイ１１の上面図である。このアパーチャアレイ１１は、図３に示すように、１つの電子源２に対応した照射領域（ＸＹ平面に平行な領域）に、一例として３×３で配列された９つの開口（電子ビームの通過領域）３０を有し、コリメーターレンズ１０から入射した電子ビームを９つに分割する。まず、アパーチャアレイ１１は、図２に示すように、本体であるアパーチャプレート３１に対して、電子ビームが入射する側の表面に、遮蔽板３３を介して熱電変換素子３２を備える。熱電変換素子３２は、２種類の異なる金属または半導体を接合した接合部を有し、この接合部の両端に温度差があると起電力が生じるゼーベック効果を利用して熱を電力に変換する素子である。例えば、熱電変換素子３２は、大きな電位差を得るために、接合部としてｐ型半導体素子とｎ型半導体素子との組み合わせを採用し、表面側からセラミック基板、ｐ型半導体素子、ｎ型半導体素子、および電極で構成され得る。これらの半導体素子の材料としては、ビスマステルル系（Ｂｉ−Ｔｅ系）、鉛テルル系（Ｐｂ−Ｔｅ系）、シリコン・ゲルマニウム系（Ｓｉ−Ｇｅ系）などが採用可能である。また近年では、バリウム、ガリウム、スズからなる材料も採用可能である。本実施形態のアパーチャアレイ１１は、このような熱電変換素子３２を複数、すなわち、図３に示すように各開口３０に隣接して有する。例えば、熱電変換素子３２は、アパーチャアレイ１１の複数の開口以外の表面一帯に配置され得る。遮蔽板３３は、アパーチャプレート３１に対する熱電変換素子３２からの熱の影響を抑えるための熱遮蔽部材である。電子ビームは、通常、電子源２から数百ｍＡの電流で照射され、コリメーターレンズ１０にて数十ｋＶで加速されるので、数ｋＷオーダーのエネルギーがアパーチャアレイ１１全体に放射される。これに対し、アパーチャアレイ１１は、遮蔽板３３を備えることで、熱によるアパーチャプレート３１の過度な変形を抑えることができる。なお、遮蔽板３３は、不図示の冷却装置により冷却される構成としてもよい。
【００１８】
さらに、アパーチャアレイ１１は、電子ビームが射出する側の面（裏面）に、熱電変換素子３２の起電力に基づく電力を検出する検出回路（検出部）３４を備える。この検出回路３４は、アパーチャプレート３１に形成された配線を介して各熱電変換素子３２に接続される。また、検出回路３４は、検出された電力を第２チャンバー２１の外部の制御部６に送信するための無線装置（不図示）を含み得る。さらに、検出回路３４の電源は、熱電変換素子３２から生じた電力の一部を使用し得る。これにより、アパーチャアレイ１１から第２チャンバー２１の壁部を介した制御部６までの配線を省くことができる。
【００１９】
次に、アパーチャアレイ１１の作用について説明する。まず、図２を参照し、描画装置１内の２つの電子源２、４０から照射された電子ビームは、アパーチャアレイ１１の開口３０を通過するものと、開口３０を通過せずにアパーチャアレイ１１で遮蔽されるものとに分かれる。このとき、アパーチャアレイ１１にて遮蔽された電子ビームが熱電変換素子３２に照射されることで、複数の熱電変換素子３２は、温度上昇に伴う温度差により起電力を生じる。次に、検出回路３４は、それぞれの電力を検出し、この電力を示す出力を制御部６内の電子源コントローラ３５へ無線で送信する。電子源コントローラ３５は、受信部３６にて検出回路３４からの無線出力を受信し、それぞれの熱電変換素子３２による電力の分布を評価する。ここで、電力分布の評価方法（許容条件を満たすかどうかの判定）としては、例えば以下の２つの方法を採用し得る。まず、第１の方法は、電力の閾値（許容範囲）を予め設定しておく方法である。例えば、図３に示すように、１つの電子源２に対応する９つの熱電変換素子３２ａ〜３２ｉにおける電子ビームの照射領域は、通常領域３７のようになる。そこで、各熱電変換素子３２ａ〜３２ｉのうち、４隅の熱電変換素子３２ａ、３２ｃ、３２ｇ、３２ｉを第１グループと定義し、その４つの間にそれぞれ位置する熱電変換素子３２ｂ、３２ｄ、３２ｆ、３２ｈを第２グループと定義する。そして、さらに中央に位置する熱電変換素子３２ｅ（第３グループとする）と合わせて、計３つのグループのそれぞれに関して、閾値を設定する。このようなグループ分けは、クロスオーバー３の位置に対応する中心部からの距離を基準としたものである。これによれば、９つ全ての熱電変換素子３２に関して閾値を設定する必要がないため、評価（比較）の効率がよい。さらに、第２の評価方法は、一方の電子源２に対応する照射領域（領域３７）に位置する熱電変換素子３２ａ〜３２ｉの電力の分布と、他方の電子源４０に対応する照射領域（領域３８）に位置する熱電変換素子３２ｊ〜３２ｒの電力の分布とを比較する方法である。電子源コントローラ３５は、このような電力分布の評価（比較）を、描画装置１による通常の描画処理と並行して実行する。第１の比較方法を採用する場合、例えば、電子源コントローラ３５が、あるグループ内の電力の値がそのグループに設定された閾値（許容範囲）を超えると判定したとする。この場合、電子源コントローラ３５は、そのグループに対応する領域を通過する電子ビームの強度が変化し、照射領域全体の均一性が保たれていないと判断する。一方、第２の比較方法を採用する場合、例えば、電子源コントローラ３５が、電子源２と電子源４０とにそれぞれ対応する各熱電変換素子３２の電力の分布を比較し、差異があると判定したとする。この場合、電子源コントローラ３５は、差異のある領域を通過する電子ビームの強度が変化し、均一性が保たれていないと判断する。このとき、電子源コントローラ３５は、電子源２（または電子源４０）のカソード電極への電流（もしくはカソード材の温度）、または、アノード電極８（もしくはアノード電極４１）による加速電圧などを変化させる。これにより、電子源コントローラ３５は、電子ビームの強度分布を正常な範囲に調整することができる。
【００２０】
このように、描画装置１は、熱電変換素子３２の発生した電力の分布を検出して電子ビームの強度分布に相関のある情報を得ることで、例えば、電子ビームの強度の均一性を担保することができる。このような均一性の調整（補正）は、通常の描画処理と並行して実施可能であるため、描画装置１による生産性（スループット）の点でも有利である。また、遮蔽板３３により、アパーチャプレート３１、および、その下面（裏面）に配置された検出回路３４の少なくとも一方に対する熱電変換素子３２からの熱の影響を抑える（軽減する）ことができる。さらに、検出回路３４は、熱電変換素子３２により検出された電力を無線装置により電子源コントローラ３５に送信するため、それらを接続する配線を削減することができる。また、熱電変換素子３２と検出回路３４との配線長を短くできるため、ノイズの影響も少ない。
【００２１】
以上のように、本実施形態は、荷電粒子線の特性（例えば、強度分布）を把握するのに有利であり、もって荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【００２２】
なお、上記の説明では、電子源コントローラ３５は、熱電変換素子３２の電力の分布に基づいて電子ビームの強度の均一性が保たれていないと判断した場合、カソード電極の電流等を変化させるなど、電子源２（４０）の制御により調整を行った。しかしながら、本発明は、これに限定されることなく、例えば、荷電粒子光学素子の制御により調整を行ってもよい。この場合、例えば、アノード電極８（４１）の下側（後側）に設置されて軌道２ａ、４０ａを調整するアライナー偏向器２６（４２）や、コリメーターレンズ１０（４３）に与える電圧（電位）を変化させることで、調整を行うことができる。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の描画装置は、その構成自体は第１実施形態に係る描画装置１と同様である。特に本実施形態の描画装置の特徴は、第１実施形態における熱電変換素子３２の発生した電力の分布を常にモニタリングすることで、電子源２（４０）の動作寿命の判定に用いる点にある。図４は、一例として、電子源２に対応した熱電変換素子３２のうち第２グループに属する４つの熱電変換素子３２ｂ、３２ｄ、３２ｆ、３２ｈにより得られた各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈを示すグラフである。なお、寿命判定に利用する熱電変換素子３２の配置（選択）は、電子源の種類や形状により異なりうる。図４において、電子源２の使用期間が短い初期段階では、各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈは、ほぼ一定であり、必要な照射特性（例えば、強度の均一性）を維持している状態にある。これに対して、電子源２の使用期間が時間Ｔ１を超えると、各電力値Ｗｂ、Ｗｄ、Ｗｆ、Ｗｈが徐々に低下し、電子源コントローラ３５が電子源２の制御を実施しても所定の電力が維持されなくなる。すなわち、そのような時点では、電子源２の特性が低下（劣化）している。そこで、制御部６は、このような特性の低下を判定し、判定した時点で当該判定に関する情報を警告等として出力することができる。また、制御部６は、電子源２の使用時間がさらに経過して、電力値が所定の閾値ＷＴを下回ることを判定し、判定した時点で当該判定に関する情報を「動作寿命の警告」などとして出力することができる。なお、これらの警告の方法としては、音声によるアラームや操作画面への表示等が挙げられる。このように、熱電変換素子３２の発生した電力の分布は、電子ビームの特性の調整（強度の均一化など）のみならず、特別な構成要素の追加や変更を行うことなく、電子源２の動作寿命の判定にも利用することができる。もって、荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供することができる。
【００２４】
なお、以上の実施形態では、熱電変換素子３２を設置する部材（構成要素）として、アパーチャアレイ１１を例示したが、本発明は、これに限定するものではない。アパーチャアレイ１１に熱電変換素子３２を設置する構成は、描画装置に既存の部材に設置することから有利であるが、例えば、既設のものとは別に描画装置に設けたアパーチャアレイに熱電変換素子３２を設置する構成もあり得る。また、以上の実施形態では、各熱電変換素子３２をそれぞれの開口３０に対応させて９つ配置する構成としたが、より詳細な電力分布を得るために、より多くの熱電変換素子を配置させる構成もあり得る。また、電子源の設置数も、対応する光学系の数に合わせて、２以上であってもよい。さらに、以上の実施形態では、電子源コントローラ３５が電力分布の評価（比較）を実行するものとしたが、例えば、制御部６内の別の構成要素（演算回路など）が電力分布の評価を実行してもよい。また、その評価結果に基づいて電子源コントローラ３５が電子源２（４０）を制御するような構成としてもよい。
【００２５】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１ 描画装置
２ 電子源
２ａ 軌道
６ 制御部
７ 被処理基板
１１ アパーチャアレイ
３２ 熱電変換素子
３４ 検出回路
３５ 電子源コントローラ
４０ 電子源
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口が形成された開口部材と、
前記開口部材に設けられ、該開口部材の前記開口以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子と、
前記開口部材に配置されて前記複数の熱電変換素子の出力を検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて、前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記複数の熱電変換素子の出力が許容条件を満たすように、前記荷電粒子線源を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子線源と前記開口部材との間に配置された荷電粒子光学素子を有し、
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記複数の熱電変換素子の出力が許容条件を満たすように、前記荷電粒子光学素子を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記荷電粒子線源と該荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を前記基板に投影する投影系との組を複数有する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記荷電粒子線源の寿命に関する出力を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記描画と並行して、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記開口部材は、前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記検出部は、荷電粒子線が射出する側の前記開口部材の面に配置され、前記複数の熱電変換素子と前記検出部との間には熱遮蔽部材が配置されている、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記検出部は、前記熱電変換素子を電源として動作する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口が形成された開口部材と、
前記開口部材に設けられ、該開口部材の前記開口以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子と、
前記開口部材に配置されて前記複数の熱電変換素子の出力を検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて、前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記複数の熱電変換素子の出力が許容条件を満たすように、前記荷電粒子線源を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子線源と前記開口部材との間に配置された荷電粒子光学素子を有し、
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記複数の熱電変換素子の出力が許容条件を満たすように、前記荷電粒子光学素子を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記荷電粒子線源と該荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を前記基板に投影する投影系との組を複数有する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記荷電粒子線源の寿命に関する出力を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記描画と並行して、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記開口部材は、前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記検出部は、荷電粒子線が射出する側の前記開口部材の面に配置され、前記複数の熱電変換素子と前記検出部との間には熱遮蔽部材が配置されている、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記検出部は、前記熱電変換素子を電源として動作する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−４１７３７（Ｐ２０１３−４１７３７Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７７４１０（Ｐ２０１１−１７７４１０）
【出願日】平成２３年８月１５日（２０１１．８．１５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１５日（２０１１．８．１５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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