荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法
【課題】試料表面に膜を施すことなく試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】マイクロプローブ１２に固定部５０１を介して固定された枠状の導電板１９を絶縁性試料７に接地（接触）させる。その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う。このとき、試料７上の電荷は、導電板１９及びマイクロプローブ１２を介して装置方向に移動するため、試料７の表面がチャージアップすることが防止される。加工、観察が終了したら、導電板１９を試料７上から離すため、マイクロプローブ１２を動かし、退避させる。
【解決手段】マイクロプローブ１２に固定部５０１を介して固定された枠状の導電板１９を絶縁性試料７に接地（接触）させる。その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う。このとき、試料７上の電荷は、導電板１９及びマイクロプローブ１２を介して装置方向に移動するため、試料７の表面がチャージアップすることが防止される。加工、観察が終了したら、導電板１９を試料７上から離すため、マイクロプローブ１２を動かし、退避させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）や、集束イオンビーム装置（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）などの荷電粒子線装置で、絶縁性の高い材料の観察や加工を行うと、試料表面に電荷が蓄積してチャージアップ現象が起こる。
【０００３】
このチャージアップ現象は、電荷を持った荷電粒子線が絶縁性試料に照射されると、試料表面上に照射された電荷が、導電性の少ない試料内を移動することができず、荷電粒子線照射領域が帯電してしまうためであることが知られている。
【０００４】
チャージアップ現象が生じると、得られる像の明るさむらや像の歪みなど、試料本来の状態を捉えることができず、観察することが難しい。
【０００５】
また、加工を所望する加工位置と、実際に加工される位置がずれてしまうことがある。
【０００６】
このため、荷電粒子線装置による絶縁性材料の加工または観察には、このようなチャージアップ防止対策を施す必要があった。
【０００７】
そこで、チャージアップ現象を低減させるため、従来、加速電圧を下げて試料表面近傍の電荷の蓄積を抑える手法が取られてきた。
【０００８】
また、特許文献１には、緩衝膜を作製し、チャージアップによって生じていた加工位置ずれを防止する技術が記載されている。
【０００９】
さらに、特許文献２および特許文献３では、金属膜など、試料表面に金属コーティングや導電物質の膜を施し、蓄積する電荷を低減する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平５−２３４９９９号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６５０４号公報
【特許文献３】特開２００６−１８４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来技術のように、照射される荷電粒子線のエネルギーを低下させる手法では、完全に電荷の蓄積を抑えることはできなかった。
【００１２】
また、荷電粒子線のエネルギーを低下させたことにより、検出される二次電子も減少し、試料の観察が難しくなる。また、ＦＩＢ加工においては、加速電圧を下げることは、スパッタスピードを低下させ、作業効率を悪化させてしまう問題があった。
【００１３】
また、特許文献１に記載の技術では、金属材料からなる膜を試料表面に施すことにより、チャージアップ減少は防ぐことができるが、金属膜が試料表面に施されてしまうため、試料本来の表面構造を観察することができない。この場合、表面構造を観察するためには、緩衝膜を除去する工程が必要となってしまう。
【００１４】
また、特許文献２や特許文献３に記載の技術においても、試料表面が膜により覆われてしまい、本来の試料表面の構造を観察することが困難であった。
【００１５】
本発明の目的は、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を解決するために、本発明は、次のように構成される。
【００１７】
本発明の荷電粒子線装置は、導電板と、この導電板を支持し、支持した導電板を試料表面に接触させるプローブとを備え、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射する。
【００１８】
また、本発明の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法は、導電板をプローブで支持し、支持した導電板を試料表面に接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１が適用されたＦＩＢ装置の全体構成図である。
【図２】本発明の実施例１における導電板を用いた加工もしくは観察方法のフローチャートである。
【図３】本発明の実施例２ある走査型電子顕微鏡の全体構成図である。
【図４】本発明の実施例３における動作フローチャートである。
【図５】本発明においてマイクロプローブに取り付けた枠状導電板を試料に接触させながらイオンビームを照射する例の説明図である。
【図６】本発明の実施例４による導電板作製方法の動作フローチャートである。
【図７】実施例４による導電板の作製方法の一例を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【実施例】
【００２２】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１が適用されたＦＩＢ装置１の全体構成図である。
【００２３】
図１において、ＦＩＢ装置１の鏡体は、イオン銃２、コンデンサーレンズ３、絞り４、走査電極５、対物レンズ６を備えている。また、ＦＩＢ装置１の試料室には、試料７を取り付けた試料ホールダ８の上方に二次電子検出器１０、試料７への保護膜の形成および試料台への試料７の固定のためのデポジション銃１１、ＦＩＢ加工により作製した微小試料の運搬のためのマイクロプローブ１２がとりつけられている。そして、二次電子検出器１０には走査像表示装置１３が接続されている。マイクロプローブ１２の材質は例えばタングステンが用いられる。
【００２４】
走査像表示装置１３は、走査電極制御部１４を介して走査電極５に接続されている。また、マイクロプローブ１２にはマイクロプローブ１２の位置制御のためのマイクロプローブ制御装置１５が接続されている。また、試料ホールダ８は、ホールダ位置制御部９に接続されている。
【００２５】
イオン銃２から放出されたイオンビーム１６は、コンデンサーレンズ３と絞り４とにより収束され、対物レンズ６を通過し、試料７上に収束する。対物レンズ６の上方の走査電極５は、走査電極制御部１４の指示により、試料７に入射するイオンビーム１６を偏向し走査させる。
【００２６】
イオンビーム１６が試料７に照射されると、試料７はスパッタされるとともに二次電子を発生する。発生した二次電子は、二次電子検出器１０により検出され走査像表示装置１３に表示される。
【００２７】
デポジション銃１１から試料７の方向に放出された気体はイオンビーム１６と反応し分解され、金属が試料７面上のイオンビーム１６照射領域に堆積する。この堆積膜は、ＦＩＢ加工前の試料７表面の保護膜形成および微小試料片の試料台への固定に用いられる。１７は第２マイクロプローブ、２０は第２マイクロプローブ１７の支持部、１８は、第２マイクロプローブ１７の動作制御部である。
【００２８】
ＦＩＢ装置１の動作制御は、全体動作制御部２１にて行われる。
【００２９】
上述した構成のＦＩＢ装置１において、導電板１９を用いた加工もしくは観察について具体的に説明する。図２は、本発明の実施例１における導電板１９を用いた加工もしくは観察方法のフローチャートである。
【００３０】
まず、例えば、銅からなる導電板１９を作製する（導電板１９の作製方法（実施例４）は後述する）。なお、後述する動作は、全体動作制御部２１により制御される。
【００３１】
絶縁性試料を試料ホールダ８に固定し（ステップ２０１）、図１に示すＦＩＢ装置１に導入する（ステップ２０２）。加工を行う加工位置へ試料ホールダ８の位置を動かす（ステップ２０３）。
【００３２】
そして、導電板１９を固定したマイクロプローブ１２を導電板１９が絶縁性試料７上の任意の加工位置内を含んで接触するように、マイクロプローブ駆動源１５により移動させる（ステップ２０４）。
【００３３】
図５に示すように、マイクロプローブ１２に固定部５０１を介して固定された枠状の導電板１９を絶縁性試料７に接地（接触）させ（ステップ２０５）、その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う（ステップ２０６）。このとき、試料７上の電荷は、導電板１９及びマイクロプローブ１２を介して装置方向に移動するため、試料７の表面がチャージアップすることが防止される。
【００３４】
ステップ７において、加工・観察を継続するか、加工・観察を終了するか否かを判断し、加工・観察を終了する場合は、導電板１９を試料７上から離間させるため、マイクロプローブ１２を動かし、退避させる（ステップ２０８）。次に、絶縁性試料７が搭載された試料ホールダ８をＦＩＢ装置１から取り外す（ステップ２０９）。
【００３５】
ステップ２０７において、加工、観察を行う位置を変えて、引き続き加工を行う場合は、ホールダ位置制御部９により試料ホールダ８を動かし、視野を変える（ステップ２０４）。試料の所望の加工、観察位置へ移動したら、再び、マイクロプローブ１２を試料上に接触させ（ステップ２０５）、加工、観察を行う（ステップ２０６）。
【００３６】
以降、ステップ２０７にて、加工を継続するか否かが判断される。
【００３７】
以上のように、本発明の実施例１によれば、導電板１９を絶縁性試料７に接触させた状態で、導電板１９の枠内でイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行うように構成したので、イオンビーム１６の試料７へ照射された電荷は、導電板１９、マイクロプローブ１２を介して、試料７から装置側に移動するので、試料７の荷電粒子線照射領域が帯電することを防止することができる。
【００３８】
これにより、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な集束イオンビーム装置を実現することができる。
【００３９】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２について説明する。
【００４０】
図１に示した第２マイクロプローブ１７を搭載するようなＦＩＢ装置１において、導電板１９を用いてマイクロサンプリングを行い、薄膜作製する試料加工方法について説明する。
【００４１】
マイクロサンプリング法は、例えば、特許第２７７４８８４号公報に記載されているように、材料の内部構造を調べるために透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ： ＴＥＭ）を用いた数ｎｍオーダーの状態や構造解析の際、ＦＩＢ装置を用いた薄膜試料作製方法である。
【００４２】
まず、加工もしくは観察を行う絶縁性材料を試料ホールダ８に搭載し、ＦＩＢ装置１に導入する。試料ホールダ８を支持する試料ステージ（図示せず）を動かし、加工を行いたい部分を中心にする。
【００４３】
次に、導電板１９をとりつけたマイクロプローブ１２を、図５に示すように試料７の表面に接地（接触）させ、導電板１９の枠内に目的箇所が収まるようにする。これにより、試料表面のチャージアップを防止でき、試料ステージのドリフトや、画像のノイズ等が低減され、狙った位置での加工を行うことができる。
【００４４】
そのままの位置でマイクロサンプリングを行う場合は、試料７の表面にデポジション銃１１を試料７の表面に近づけてデポジションガスを吹きつけ、保護膜を作製する。
【００４５】
試料７の別の位置に移動する場合は、電極板１９を有するマイクロプローブ１２を一度試料表面より離し、試料ホールダ８の試料ステージを移動し、再び、電極板１９を有するマイクロプローブ１２を試料７の表面に接地させる。
【００４６】
次に、保護膜の周囲をスパッタし、周辺と保護膜を作製した部分をつなぐ支持部を残して掘り下げる。
【００４７】
第２マイクロプローブ１７を、残った部分の表面に接着させ、デポジションを行い固定し、支持部を切断する。次に、試料７の表面に接地してある導電板１９を試料表面より離し、退避させる。
【００４８】
切り出された試料表面に固定された第２マイクロプローブ１７を持ち上げることにより、切り出された試料を摘出できる。これを、薄膜加工用の試料台へデポジションにより固定し、切り出された試料に固定されている第２マイクロプローブ１７を切断する。
【００４９】
最後に、薄膜加工用試料台に固定されたマイクロサンプルにイオンビームを照射し、スパッタし、薄膜化を行う。
【００５０】
以上のように、本発明の実施例２によれば、導電板１９を絶縁性試料７に接触させた状態で、導電板１９の枠内でイオンビーム１６を試料７に照射して、マイクロサンプリングを行うように構成したので、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定したマイクロサンプリングが可能となる。
【００５１】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３について説明する。本発明の実施例３は、本発明を走査型電子顕微鏡に適用した場合の例である。
【００５２】
図３は、本発明の実施例３である走査型電子顕微鏡の全体構成図である。本発明の実施例３における走査型電子顕微鏡は、導電板を有するマイクロプローブ１２を備えている。また、図４は、実施例３における動作フローチャートである。
【００５３】
導電板１９を用いて走査型電子顕微鏡における試料のチャージアップを低減する方法について説明する。なお、図４に示したフローチャートの動作は全体制御部２２により制御される。
【００５４】
図３に示した走査型電子顕微鏡では、電圧が印加された引き出し電極３０３の電界により電界放出型電子銃３０２から放出された一次電子線３０１は、電極３０４によって加速され、集束レンズ３０５によって集束され、対物絞り３０６と集束レンズ３０７と対物レンズ３１１によって細く絞られる。また、絞られた電子線は、偏向コイル３０８により試料上を二次元的に走査される。
【００５５】
マイクロプローブ３２０の先端に、ＦＩＢ装置による導電板作製法を用いて作製した導電板を固定する。
【００５６】
導電板を有するマイクロプローブ１２をＦＩＢ装置のマイクロプローブ支持部２０（図１）より取り外し、走査電子顕微鏡装置側のマイクロプローブ支持部３２２に固定する。また、走査電子顕微鏡側で使用したマイクロプローブ３２０をＦＩＢ装置側のマイクロプローブ支持部２０に固定することも可能である。
【００５７】
走査電子顕微鏡で観察したい絶縁性試料を準備し（ステップ４０１）、試料３０９として装置内に導入する（ステップ４０２）。任意の場所に試料３０９を移動し（ステップ４０３）、マイクロプローブ支持部３２２に固定した導電板を有するマイクロプローブ３２０を、マイクロプローブ制御装置３２１により動かし（ステップ４０４）、先端の導電板を試料３０９の表面に接着させ（ステップ４０５）、２次電子検出器３１０により検出され、ＡＤ変化器３１８を介してモニタ３１９に伝送され、表示された試料３０８の観察を行う（ステップ４０６）。試料表面に導電板を接触させているので、試料表面の電荷は、導電板を有するマイクロプローブ３２０を介して試料表面から装置側に移動するので、試料表面のチャージアップを防止することができる。
【００５８】
引き続いて観察するか、もしくは観察を終えるかを判断し（ステップ４０７）、別の位置で観察を継続する場合、一度、導電板を試料３０９の表面から離した後、試料ステージを動かす必要がある。新たに所望する別の観察位置に移動し終えたら（ステップ４０３）、再び、導電板を試料表面に接着させ（ステップ４０４、４０５）、導電板の枠内を観察する（ステップ４０６）。
【００５９】
観察を継続しない場合は、接地している導電板を試料表面より離し（ステップ４０８）、さらに、走査電子顕微鏡による操作を終了する際は、試料を装置より取り外す（ステップ４０９）。
【００６０】
以上のように、本発明の実施例３によれば、導電板を絶縁性試料３０９に接触させた状態で、電子線を試料３０９に照射して、観察を行うように構成したので、試料３０９上の電荷は、マイクロプローブ３２０を介して、試料３０９から装置側に移動するので、試料３０９がチャージアップすることを防止することができる。
【００６１】
これにより、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の観察が可能な走査型電子顕微鏡を実現することができる。
【００６２】
（実施例４）
次に、本発明の実施例４について説明する。
【００６３】
本発明の実施例４は、実施例１〜３で使用される導電板の作製方法（製造方法）である。図６は、本発明の実施例４による導電板作製方法の動作フローチャートであり、図７は、実施例４による導電板の作製方法の一例を説明する模式図である。
【００６４】
導電板の材料として、例えば、銅等の金属で構成される格子状のマイクログリッド（格子状導電板材料）７０１を用いることができる。このマイクログリッド７０１は、透過型電子顕微鏡に用いられているものを使用することができる。
【００６５】
図７の（ａ）は、マイクログリッド７０１を載せた試料ホールダ８の先端部を拡大した模式図である。
【００６６】
図７の（ａ）に示すように、試料ホールダ８にマイクログリッド７０１を載せ（ステップ６０１）、ＦＩＢ装置へ導入する（ステップ６０２）。ＦＩＢ装置において、図７の（ｂ）に示すように、マイクログリッド７０１にイオンビームを照射して、支持部７０２を残し、格子の四隅をスパッタする（ステップ６０３）。ステップ６０３の模式図は図７（ｃ）に示す。
【００６７】
次に、図７の（ｄ）に示すように、マイクロプローブ１２を支持部７０２以外のマイクログリッド７０１の端の部分に近づけ、デポジションガス雰囲気中でイオンビームを照射し、マイクロプローブ１２と切り出すマイクログリッド部分を固定し、固定部５０１とする（ステップ６０４）。
【００６８】
次に、残っていた支持部をスパッタすることにより、マイクログリッド７０１から導電板１９が切り出される（ステップ６０５、図７（ｅ））。切り出された導電板１９と、これに接続したマイクロプローブ１２（図７の（ｆ））をＦＩＢ装置の試料室より退避する（ステップ６０６）。
【００６９】
残ったマイクログリッドを搭載する試料ホールダ８をＦＩＢ装置から取り外す（ステップ６０７）。
【００７０】
そして、絶縁性試料を試料ホールダ８に搭載し、ＦＩＢ装置に導入し、上記ステップ６０１〜６０６にて作製した導電板１９を使い、実施例１および実施例２と同様な方法で、絶縁試料の加工もしくは観察を行うことができる。
【００７１】
以上のようにして、実施例１〜３において使用する導電板１９をＦＩＢ装置により既存のマイクログリッドを用いて作製（製造）することができる。
【００７２】
なお、図示した例では、４つの枠を有する導電板１９であるが、枠の数は、４つに限らず、１〜３、５以上とすることもできる。
【００７３】
また、導電板１９は、枠状に限らず、単純な板状であてもよい。
【００７４】
なお、マイクロプローブ１２に固定した導電板１９を取り外す作業は、ＦＩＢ装置１、もしくは光学顕微鏡下で行うことができる。
【００７５】
導電板１９を取り外す作業をＦＩＢ装置１で行う場合は、マイクロプローブ１２と導電板１９との固定部分をＦＩＢによりスパッタし分離させる。外された導電板は、ＦＩＢ装置の真空排気機構により装置外へ除去される。
【００７６】
さらに、別の導電板をマイクロプローブへ固定する場合は、図４に示すフローチャートに従い、新たに導電板を作製し固定する。
【符号の説明】
【００７７】
１・・・ＦＩＢ装置、２・・・イオン銃、３・・・コンデンサーレンズ、４・・・絞り、５・・・走査電極、６・・・対物レンズ、７・・・試料、８・・・試料ホールダ、９・・・ホールダ位置制御部、１０・・・二次電子検出器、１１・・・デポジション銃、１２・・・マイクロプローブ、１３・・・走査像表示装置、１４・・・走査電極制御部、１５・・・マイクロプローブ制御装置、１６・・・イオンビーム、１７・・・第２マイクロプローブ、１９・・・導電板、２０・・・マイクロプローブ支持部、２１、２２・・・全体制御部、３０１・・・一次電子線、 ３０２・・・電界放出型電子銃、３０３・・・引き出し電極、３０４・・・電極、３０５、３０７・・・集束レンズ、３０６・・・対物レンズ絞り、３０８・・・偏向コイル、３０９・・・試料、３１１・・・対物レンズ、３１８・・・ＡＤ変換器、３１９・・・モニタ３２０・・・マイクロプローブ、３２１・・・マイクロプローブ制御装置、３２２・・・マイクロプローブ支持部、５０１・・・固定部（デポジション）、７０１・・・マイクログリッド、７０２・・・支持部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）や、集束イオンビーム装置（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）などの荷電粒子線装置で、絶縁性の高い材料の観察や加工を行うと、試料表面に電荷が蓄積してチャージアップ現象が起こる。
【０００３】
このチャージアップ現象は、電荷を持った荷電粒子線が絶縁性試料に照射されると、試料表面上に照射された電荷が、導電性の少ない試料内を移動することができず、荷電粒子線照射領域が帯電してしまうためであることが知られている。
【０００４】
チャージアップ現象が生じると、得られる像の明るさむらや像の歪みなど、試料本来の状態を捉えることができず、観察することが難しい。
【０００５】
また、加工を所望する加工位置と、実際に加工される位置がずれてしまうことがある。
【０００６】
このため、荷電粒子線装置による絶縁性材料の加工または観察には、このようなチャージアップ防止対策を施す必要があった。
【０００７】
そこで、チャージアップ現象を低減させるため、従来、加速電圧を下げて試料表面近傍の電荷の蓄積を抑える手法が取られてきた。
【０００８】
また、特許文献１には、緩衝膜を作製し、チャージアップによって生じていた加工位置ずれを防止する技術が記載されている。
【０００９】
さらに、特許文献２および特許文献３では、金属膜など、試料表面に金属コーティングや導電物質の膜を施し、蓄積する電荷を低減する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平５−２３４９９９号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６５０４号公報
【特許文献３】特開２００６−１８４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来技術のように、照射される荷電粒子線のエネルギーを低下させる手法では、完全に電荷の蓄積を抑えることはできなかった。
【００１２】
また、荷電粒子線のエネルギーを低下させたことにより、検出される二次電子も減少し、試料の観察が難しくなる。また、ＦＩＢ加工においては、加速電圧を下げることは、スパッタスピードを低下させ、作業効率を悪化させてしまう問題があった。
【００１３】
また、特許文献１に記載の技術では、金属材料からなる膜を試料表面に施すことにより、チャージアップ減少は防ぐことができるが、金属膜が試料表面に施されてしまうため、試料本来の表面構造を観察することができない。この場合、表面構造を観察するためには、緩衝膜を除去する工程が必要となってしまう。
【００１４】
また、特許文献２や特許文献３に記載の技術においても、試料表面が膜により覆われてしまい、本来の試料表面の構造を観察することが困難であった。
【００１５】
本発明の目的は、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を解決するために、本発明は、次のように構成される。
【００１７】
本発明の荷電粒子線装置は、導電板と、この導電板を支持し、支持した導電板を試料表面に接触させるプローブとを備え、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射する。
【００１８】
また、本発明の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法は、導電板をプローブで支持し、支持した導電板を試料表面に接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置及びそれを用いた試料への荷電粒子照射方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１が適用されたＦＩＢ装置の全体構成図である。
【図２】本発明の実施例１における導電板を用いた加工もしくは観察方法のフローチャートである。
【図３】本発明の実施例２ある走査型電子顕微鏡の全体構成図である。
【図４】本発明の実施例３における動作フローチャートである。
【図５】本発明においてマイクロプローブに取り付けた枠状導電板を試料に接触させながらイオンビームを照射する例の説明図である。
【図６】本発明の実施例４による導電板作製方法の動作フローチャートである。
【図７】実施例４による導電板の作製方法の一例を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【実施例】
【００２２】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１が適用されたＦＩＢ装置１の全体構成図である。
【００２３】
図１において、ＦＩＢ装置１の鏡体は、イオン銃２、コンデンサーレンズ３、絞り４、走査電極５、対物レンズ６を備えている。また、ＦＩＢ装置１の試料室には、試料７を取り付けた試料ホールダ８の上方に二次電子検出器１０、試料７への保護膜の形成および試料台への試料７の固定のためのデポジション銃１１、ＦＩＢ加工により作製した微小試料の運搬のためのマイクロプローブ１２がとりつけられている。そして、二次電子検出器１０には走査像表示装置１３が接続されている。マイクロプローブ１２の材質は例えばタングステンが用いられる。
【００２４】
走査像表示装置１３は、走査電極制御部１４を介して走査電極５に接続されている。また、マイクロプローブ１２にはマイクロプローブ１２の位置制御のためのマイクロプローブ制御装置１５が接続されている。また、試料ホールダ８は、ホールダ位置制御部９に接続されている。
【００２５】
イオン銃２から放出されたイオンビーム１６は、コンデンサーレンズ３と絞り４とにより収束され、対物レンズ６を通過し、試料７上に収束する。対物レンズ６の上方の走査電極５は、走査電極制御部１４の指示により、試料７に入射するイオンビーム１６を偏向し走査させる。
【００２６】
イオンビーム１６が試料７に照射されると、試料７はスパッタされるとともに二次電子を発生する。発生した二次電子は、二次電子検出器１０により検出され走査像表示装置１３に表示される。
【００２７】
デポジション銃１１から試料７の方向に放出された気体はイオンビーム１６と反応し分解され、金属が試料７面上のイオンビーム１６照射領域に堆積する。この堆積膜は、ＦＩＢ加工前の試料７表面の保護膜形成および微小試料片の試料台への固定に用いられる。１７は第２マイクロプローブ、２０は第２マイクロプローブ１７の支持部、１８は、第２マイクロプローブ１７の動作制御部である。
【００２８】
ＦＩＢ装置１の動作制御は、全体動作制御部２１にて行われる。
【００２９】
上述した構成のＦＩＢ装置１において、導電板１９を用いた加工もしくは観察について具体的に説明する。図２は、本発明の実施例１における導電板１９を用いた加工もしくは観察方法のフローチャートである。
【００３０】
まず、例えば、銅からなる導電板１９を作製する（導電板１９の作製方法（実施例４）は後述する）。なお、後述する動作は、全体動作制御部２１により制御される。
【００３１】
絶縁性試料を試料ホールダ８に固定し（ステップ２０１）、図１に示すＦＩＢ装置１に導入する（ステップ２０２）。加工を行う加工位置へ試料ホールダ８の位置を動かす（ステップ２０３）。
【００３２】
そして、導電板１９を固定したマイクロプローブ１２を導電板１９が絶縁性試料７上の任意の加工位置内を含んで接触するように、マイクロプローブ駆動源１５により移動させる（ステップ２０４）。
【００３３】
図５に示すように、マイクロプローブ１２に固定部５０１を介して固定された枠状の導電板１９を絶縁性試料７に接地（接触）させ（ステップ２０５）、その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う（ステップ２０６）。このとき、試料７上の電荷は、導電板１９及びマイクロプローブ１２を介して装置方向に移動するため、試料７の表面がチャージアップすることが防止される。
【００３４】
ステップ７において、加工・観察を継続するか、加工・観察を終了するか否かを判断し、加工・観察を終了する場合は、導電板１９を試料７上から離間させるため、マイクロプローブ１２を動かし、退避させる（ステップ２０８）。次に、絶縁性試料７が搭載された試料ホールダ８をＦＩＢ装置１から取り外す（ステップ２０９）。
【００３５】
ステップ２０７において、加工、観察を行う位置を変えて、引き続き加工を行う場合は、ホールダ位置制御部９により試料ホールダ８を動かし、視野を変える（ステップ２０４）。試料の所望の加工、観察位置へ移動したら、再び、マイクロプローブ１２を試料上に接触させ（ステップ２０５）、加工、観察を行う（ステップ２０６）。
【００３６】
以降、ステップ２０７にて、加工を継続するか否かが判断される。
【００３７】
以上のように、本発明の実施例１によれば、導電板１９を絶縁性試料７に接触させた状態で、導電板１９の枠内でイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行うように構成したので、イオンビーム１６の試料７へ照射された電荷は、導電板１９、マイクロプローブ１２を介して、試料７から装置側に移動するので、試料７の荷電粒子線照射領域が帯電することを防止することができる。
【００３８】
これにより、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な集束イオンビーム装置を実現することができる。
【００３９】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２について説明する。
【００４０】
図１に示した第２マイクロプローブ１７を搭載するようなＦＩＢ装置１において、導電板１９を用いてマイクロサンプリングを行い、薄膜作製する試料加工方法について説明する。
【００４１】
マイクロサンプリング法は、例えば、特許第２７７４８８４号公報に記載されているように、材料の内部構造を調べるために透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ： ＴＥＭ）を用いた数ｎｍオーダーの状態や構造解析の際、ＦＩＢ装置を用いた薄膜試料作製方法である。
【００４２】
まず、加工もしくは観察を行う絶縁性材料を試料ホールダ８に搭載し、ＦＩＢ装置１に導入する。試料ホールダ８を支持する試料ステージ（図示せず）を動かし、加工を行いたい部分を中心にする。
【００４３】
次に、導電板１９をとりつけたマイクロプローブ１２を、図５に示すように試料７の表面に接地（接触）させ、導電板１９の枠内に目的箇所が収まるようにする。これにより、試料表面のチャージアップを防止でき、試料ステージのドリフトや、画像のノイズ等が低減され、狙った位置での加工を行うことができる。
【００４４】
そのままの位置でマイクロサンプリングを行う場合は、試料７の表面にデポジション銃１１を試料７の表面に近づけてデポジションガスを吹きつけ、保護膜を作製する。
【００４５】
試料７の別の位置に移動する場合は、電極板１９を有するマイクロプローブ１２を一度試料表面より離し、試料ホールダ８の試料ステージを移動し、再び、電極板１９を有するマイクロプローブ１２を試料７の表面に接地させる。
【００４６】
次に、保護膜の周囲をスパッタし、周辺と保護膜を作製した部分をつなぐ支持部を残して掘り下げる。
【００４７】
第２マイクロプローブ１７を、残った部分の表面に接着させ、デポジションを行い固定し、支持部を切断する。次に、試料７の表面に接地してある導電板１９を試料表面より離し、退避させる。
【００４８】
切り出された試料表面に固定された第２マイクロプローブ１７を持ち上げることにより、切り出された試料を摘出できる。これを、薄膜加工用の試料台へデポジションにより固定し、切り出された試料に固定されている第２マイクロプローブ１７を切断する。
【００４９】
最後に、薄膜加工用試料台に固定されたマイクロサンプルにイオンビームを照射し、スパッタし、薄膜化を行う。
【００５０】
以上のように、本発明の実施例２によれば、導電板１９を絶縁性試料７に接触させた状態で、導電板１９の枠内でイオンビーム１６を試料７に照射して、マイクロサンプリングを行うように構成したので、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定したマイクロサンプリングが可能となる。
【００５１】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３について説明する。本発明の実施例３は、本発明を走査型電子顕微鏡に適用した場合の例である。
【００５２】
図３は、本発明の実施例３である走査型電子顕微鏡の全体構成図である。本発明の実施例３における走査型電子顕微鏡は、導電板を有するマイクロプローブ１２を備えている。また、図４は、実施例３における動作フローチャートである。
【００５３】
導電板１９を用いて走査型電子顕微鏡における試料のチャージアップを低減する方法について説明する。なお、図４に示したフローチャートの動作は全体制御部２２により制御される。
【００５４】
図３に示した走査型電子顕微鏡では、電圧が印加された引き出し電極３０３の電界により電界放出型電子銃３０２から放出された一次電子線３０１は、電極３０４によって加速され、集束レンズ３０５によって集束され、対物絞り３０６と集束レンズ３０７と対物レンズ３１１によって細く絞られる。また、絞られた電子線は、偏向コイル３０８により試料上を二次元的に走査される。
【００５５】
マイクロプローブ３２０の先端に、ＦＩＢ装置による導電板作製法を用いて作製した導電板を固定する。
【００５６】
導電板を有するマイクロプローブ１２をＦＩＢ装置のマイクロプローブ支持部２０（図１）より取り外し、走査電子顕微鏡装置側のマイクロプローブ支持部３２２に固定する。また、走査電子顕微鏡側で使用したマイクロプローブ３２０をＦＩＢ装置側のマイクロプローブ支持部２０に固定することも可能である。
【００５７】
走査電子顕微鏡で観察したい絶縁性試料を準備し（ステップ４０１）、試料３０９として装置内に導入する（ステップ４０２）。任意の場所に試料３０９を移動し（ステップ４０３）、マイクロプローブ支持部３２２に固定した導電板を有するマイクロプローブ３２０を、マイクロプローブ制御装置３２１により動かし（ステップ４０４）、先端の導電板を試料３０９の表面に接着させ（ステップ４０５）、２次電子検出器３１０により検出され、ＡＤ変化器３１８を介してモニタ３１９に伝送され、表示された試料３０８の観察を行う（ステップ４０６）。試料表面に導電板を接触させているので、試料表面の電荷は、導電板を有するマイクロプローブ３２０を介して試料表面から装置側に移動するので、試料表面のチャージアップを防止することができる。
【００５８】
引き続いて観察するか、もしくは観察を終えるかを判断し（ステップ４０７）、別の位置で観察を継続する場合、一度、導電板を試料３０９の表面から離した後、試料ステージを動かす必要がある。新たに所望する別の観察位置に移動し終えたら（ステップ４０３）、再び、導電板を試料表面に接着させ（ステップ４０４、４０５）、導電板の枠内を観察する（ステップ４０６）。
【００５９】
観察を継続しない場合は、接地している導電板を試料表面より離し（ステップ４０８）、さらに、走査電子顕微鏡による操作を終了する際は、試料を装置より取り外す（ステップ４０９）。
【００６０】
以上のように、本発明の実施例３によれば、導電板を絶縁性試料３０９に接触させた状態で、電子線を試料３０９に照射して、観察を行うように構成したので、試料３０９上の電荷は、マイクロプローブ３２０を介して、試料３０９から装置側に移動するので、試料３０９がチャージアップすることを防止することができる。
【００６１】
これにより、試料表面に膜を施すことなく、試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の観察が可能な走査型電子顕微鏡を実現することができる。
【００６２】
（実施例４）
次に、本発明の実施例４について説明する。
【００６３】
本発明の実施例４は、実施例１〜３で使用される導電板の作製方法（製造方法）である。図６は、本発明の実施例４による導電板作製方法の動作フローチャートであり、図７は、実施例４による導電板の作製方法の一例を説明する模式図である。
【００６４】
導電板の材料として、例えば、銅等の金属で構成される格子状のマイクログリッド（格子状導電板材料）７０１を用いることができる。このマイクログリッド７０１は、透過型電子顕微鏡に用いられているものを使用することができる。
【００６５】
図７の（ａ）は、マイクログリッド７０１を載せた試料ホールダ８の先端部を拡大した模式図である。
【００６６】
図７の（ａ）に示すように、試料ホールダ８にマイクログリッド７０１を載せ（ステップ６０１）、ＦＩＢ装置へ導入する（ステップ６０２）。ＦＩＢ装置において、図７の（ｂ）に示すように、マイクログリッド７０１にイオンビームを照射して、支持部７０２を残し、格子の四隅をスパッタする（ステップ６０３）。ステップ６０３の模式図は図７（ｃ）に示す。
【００６７】
次に、図７の（ｄ）に示すように、マイクロプローブ１２を支持部７０２以外のマイクログリッド７０１の端の部分に近づけ、デポジションガス雰囲気中でイオンビームを照射し、マイクロプローブ１２と切り出すマイクログリッド部分を固定し、固定部５０１とする（ステップ６０４）。
【００６８】
次に、残っていた支持部をスパッタすることにより、マイクログリッド７０１から導電板１９が切り出される（ステップ６０５、図７（ｅ））。切り出された導電板１９と、これに接続したマイクロプローブ１２（図７の（ｆ））をＦＩＢ装置の試料室より退避する（ステップ６０６）。
【００６９】
残ったマイクログリッドを搭載する試料ホールダ８をＦＩＢ装置から取り外す（ステップ６０７）。
【００７０】
そして、絶縁性試料を試料ホールダ８に搭載し、ＦＩＢ装置に導入し、上記ステップ６０１〜６０６にて作製した導電板１９を使い、実施例１および実施例２と同様な方法で、絶縁試料の加工もしくは観察を行うことができる。
【００７１】
以上のようにして、実施例１〜３において使用する導電板１９をＦＩＢ装置により既存のマイクログリッドを用いて作製（製造）することができる。
【００７２】
なお、図示した例では、４つの枠を有する導電板１９であるが、枠の数は、４つに限らず、１〜３、５以上とすることもできる。
【００７３】
また、導電板１９は、枠状に限らず、単純な板状であてもよい。
【００７４】
なお、マイクロプローブ１２に固定した導電板１９を取り外す作業は、ＦＩＢ装置１、もしくは光学顕微鏡下で行うことができる。
【００７５】
導電板１９を取り外す作業をＦＩＢ装置１で行う場合は、マイクロプローブ１２と導電板１９との固定部分をＦＩＢによりスパッタし分離させる。外された導電板は、ＦＩＢ装置の真空排気機構により装置外へ除去される。
【００７６】
さらに、別の導電板をマイクロプローブへ固定する場合は、図４に示すフローチャートに従い、新たに導電板を作製し固定する。
【符号の説明】
【００７７】
１・・・ＦＩＢ装置、２・・・イオン銃、３・・・コンデンサーレンズ、４・・・絞り、５・・・走査電極、６・・・対物レンズ、７・・・試料、８・・・試料ホールダ、９・・・ホールダ位置制御部、１０・・・二次電子検出器、１１・・・デポジション銃、１２・・・マイクロプローブ、１３・・・走査像表示装置、１４・・・走査電極制御部、１５・・・マイクロプローブ制御装置、１６・・・イオンビーム、１７・・・第２マイクロプローブ、１９・・・導電板、２０・・・マイクロプローブ支持部、２１、２２・・・全体制御部、３０１・・・一次電子線、 ３０２・・・電界放出型電子銃、３０３・・・引き出し電極、３０４・・・電極、３０５、３０７・・・集束レンズ、３０６・・・対物レンズ絞り、３０８・・・偏向コイル、３０９・・・試料、３１１・・・対物レンズ、３１８・・・ＡＤ変換器、３１９・・・モニタ３２０・・・マイクロプローブ、３２１・・・マイクロプローブ制御装置、３２２・・・マイクロプローブ支持部、５０１・・・固定部（デポジション）、７０１・・・マイクログリッド、７０２・・・支持部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工又は観察する荷電粒子線装置において、
導電板と、
上記導電板を支持し、支持した導電板を試料表面に接触させるプローブと、
を備え、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記プローブの先端に上記導電板が固定されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記導電板は金属であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項３記載の荷電粒子線装置において、
上記導電板の材質は、銅であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記プローブを移動させるプローブ制御手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線装置は、集束イオンビーム加工装置であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線装置は、走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
導電板をプローブで支持し、支持した導電板を試料表面に接触させ、
上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工することを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項９】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記プローブの先端に上記導電板が固定されることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記プローブで支持しした導電板を試料表面に接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射し、
上記プローブを移動させて、上記導電板を上記試料表面から離間させ、上記試料の上記荷電粒子線が照射された部位とは異なる部位に上記プローブの先端に支持された上記導電板を接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板は金属であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板の材質は、銅であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記荷電粒子線装置は、集束イオンビーム加工装置であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記荷電粒子線装置は、走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
集束イオンビーム装置の試料ホールダに導電板材料を配置し、
上記試料ホールダに配置された導電板材料にイオンビームを照射して、上記導電板材料から導電板となる部分を分離し、
上記プローブを上記分離された導電板に接近させ、上記プローブの先端と上記導電板とをイオンビームを照射することにより、上記プローブの先端と上記導電板とを互いに固定し、
上記導電板を支持したプローブを移動し、上記支持した導電板を試料表面に接触させることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板材料は、格子状導電板材料であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１】
試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工又は観察する荷電粒子線装置において、
導電板と、
上記導電板を支持し、支持した導電板を試料表面に接触させるプローブと、
を備え、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記プローブの先端に上記導電板が固定されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記導電板は金属であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項３記載の荷電粒子線装置において、
上記導電板の材質は、銅であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記プローブを移動させるプローブ制御手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線装置は、集束イオンビーム加工装置であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
上記荷電粒子線装置は、走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
導電板をプローブで支持し、支持した導電板を試料表面に接触させ、
上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射して、試料を加工することを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項９】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記プローブの先端に上記導電板が固定されることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記プローブで支持しした導電板を試料表面に接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射し、
上記プローブを移動させて、上記導電板を上記試料表面から離間させ、上記試料の上記荷電粒子線が照射された部位とは異なる部位に上記プローブの先端に支持された上記導電板を接触させ、上記導電板を試料の表面に接触させた状態で試料に荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板は金属であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板の材質は、銅であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記荷電粒子線装置は、集束イオンビーム加工装置であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記荷電粒子線装置は、走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
集束イオンビーム装置の試料ホールダに導電板材料を配置し、
上記試料ホールダに配置された導電板材料にイオンビームを照射して、上記導電板材料から導電板となる部分を分離し、
上記プローブを上記分離された導電板に接近させ、上記プローブの先端と上記導電板とをイオンビームを照射することにより、上記プローブの先端と上記導電板とを互いに固定し、
上記導電板を支持したプローブを移動し、上記支持した導電板を試料表面に接触させることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法において、
上記導電板材料は、格子状導電板材料であることを特徴とする荷電粒子線装置を用いた試料への荷電粒子照射方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１４６４１７（Ｐ２０１２−１４６４１７Ａ）
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２５８（Ｐ２０１１−２２５８）
【出願日】平成２３年１月７日（２０１１．１．７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月７日（２０１１．１．７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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