蒸着装置及び蒸着装置の運転方法
【課題】
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀、マグネシウム、アルミニウムなどの金属材料や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）材料などを被蒸着物に蒸着させるための蒸着源を備えた蒸着装置に係わり、特に有機ＥＬデバイスの製造装置に好適な蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材に薄膜を形成する技術として、真空槽内に蒸着させる材料を蒸発させて薄膜を形成する真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ法など多くの方法が実用化されている。このうち、真空蒸着法は、真空蒸着チャンバ内に設けた蒸着源の坩堝（るつぼ）に貯留された蒸着材料を電熱線等で加熱し、坩堝の蒸着ノズルなどの蒸着物出口部から噴射し、被処理基板に蒸着するものである。このような真空蒸着装置では、坩堝内の材料を交換したり、メンテナンスのため、坩堝を冷却する、必要がある。
【０００３】
しかし、坩堝を自然冷却したり、坩堝を強制的に冷却した場合は、冷却後に、坩堝の蒸着物出口部や坩堝内壁に材料が付着し、最悪の場合は蒸着物出口部を塞ぐ場合が生じる。その結果、その後のメンテナンス性に好ましくない影響がでる場合もあった。
【０００４】
この問題を解決するため、特許文献１には、坩堝を加熱するためのヒータのリフレクターを可動式にし、蒸着を停止する場合は、リフレクターを坩堝の蒸着物出口部付近に移動させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１１５４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、リフレクターを用いる方法では装置構造が複雑になり、装置コストが上昇する可能性がある。また、メンテナンス対象部品が増えることになるので、故障のリスクも懸念される。
【０００７】
本発明の第１の目的は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを第１の特徴とする。
【００１０】
また、前記予め定めた量が、徐々に少なくなるよう、蒸発レート制御過程で同じ蒸発レートではなく、蒸発レートが多段になってもよい。多段に設けられていることを第２の特徴とする。
さらに、前記多段は２段であっても良い。
【００１１】
また、所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行っても良い。
さらに、前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を検出するレートセンサを設け、前記蒸発レート制御を前記センサの出力に基づいて行っても良い。
さらに、前記蒸着材料を蒸着する被蒸着基板を保持する基板保持機構と、該基板保持機構を具備する真空蒸着チャンバと、前記被蒸着基板を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、を備えた有機ＥＬデバイス製造装置であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【００１３】
また、本発明によれば、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の蒸着装置を適用した有機ＥＬデバイス製造装置の実施形態を示す図である。
【図２】図１における真空搬送室と真空蒸着チャンバの構成の模式図と動作説明図である。
【図３】本発明の蒸着源の実施形態の外観を示す模式図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ´断面からの矢視図を示し、本実施形態の蒸着源の構成を示す図である。
【図５】坩堝内を加熱せずに自然例冷却したときの坩堝内の温度曲線の一例を示す。
【図６】本実施形態に制御部の構成を示す図である。
【図７】本実施形態の第１の実施例１における冷却開始時間からの経過時間に対する蒸発レート及び坩堝内の温度の傾向を示す図である。
【図８】本実施形態の第２の実施例２における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図９】本実施形態の第３の実施例３における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図１０】本実施形態の第４の実施例４における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図１１】本実施形態の第５の実施例５における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の蒸着装置を、有機ＥＬデバイス製造装置に適用した実施形態であって、更にアライメントと蒸着を同一の真空蒸着チャンバ１で実現する有機ＥＬデバイス製造装置１００を示している。有機ＥＬデバイス製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット５を持った多角形の真空搬送室２と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室３や成膜室である真空蒸着チャンバ１を配置したクラスタ型の有機ＥＬデバイス製造装置の構成を有している。各真空蒸着チャンバ１は基板６を保持する基板保持部９とマスク８とを有する。また、真空蒸着チャンバ１及び基板ストッカ室３と真空搬送室２との間には互いの真空を隔離するゲート弁１０が設けられている。なお、４０は有機ＥＬデバイス製造装置１００の構成要素を制御する制御装置である。
【００１６】
図２は、図１における真空搬送室２と真空蒸着チャンバ１の構成の模式図と動作説明図である。図２における真空搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能(図示せず)で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する。
【００１７】
一方、真空蒸着チャンバ１は、真空搬送ロボット５から搬入された基板６を保持する基板保持部９と、発光層を形成する蒸着材料を蒸発させ基板６に成膜させる蒸着源７と、蒸着源を上下方向移動させる蒸着源走査手段４３、基板６への蒸着パターンを規定するマスク８とを有する。基板保持部９は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８に正対させる基板旋回手段９３とを有する。また真空蒸着チャンバ１は、マスク８の上部にマスク８と基板６とにそれぞれ存在するアライメントマーク８５、８４(引出図参照)を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８移動させるアライメント駆動部(図示せず)とを有する。
【００１８】
このような構成によって、真空搬送ロボット５は基板ストッカ室３から基板を取出し、真空蒸着チャンバ１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着チャンバ１では、搬入された基板６を基板旋回手段９３でマスク８に正対させ、アライメントし、蒸着源７を上下させ基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット５により基板６を真空蒸着チャンバ１から搬出し、他の真空蒸着チャンバ１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着チャンバ１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。
【００１９】
図３は本発明の蒸着源７の実施形態の外観を示す模式図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ´断面からの矢視図を示し、本実施形態の蒸着源７の構成を示す図である。
【００２０】
蒸着源７は、その本体が図３に示すように４角柱(長方体)の形状を有し、その内部には坩堝７１を長手方向に複数有する。各坩堝７１の上下には加熱手段７３を配置し、坩堝７１に設けられた蒸着材料７２を蒸着に適した所定の温度に加熱する。また、坩堝７１の周囲にはリフレクター７４が取り囲むように設けられ、蒸着源７内の熱を外部に逃さず内側にこもるようにしている。さらに、リフレクター７４（断熱機構）の外周には遮熱のための蒸発源筐体７５があり、リフレクター７４から漏れた熱が外部に影響を与えないようになっている。このような構造によって、蒸着物出口部７８（ノズル）から蒸着物が噴出し、基板６に蒸着する。
【００２１】
蒸着材料７２を保持する坩堝７１は、少なくとも蒸着材料と接する部分については、一般的に蒸着材料と反応しない金属、セラミックスなどから構成されることが好ましい。
また、本実施形態では略４角柱の形状を有している蒸着源７を示したが、蒸着源にはその他の部材を周囲に設けることもあり、その概観が必ずしも４角柱などの角柱形状を有するとは限らない。また、坩堝の形状は、立方体形状、円筒形状など種々の形態を取ることも可能である。
【００２２】
坩堝を加熱する加熱手段７３は、電熱線で加熱する方式や、誘導加熱する方式など、現状知られているどのような加熱方式をも採用することができる。
蒸着物出口部７８は、図３に示す円筒形のノズルの他、角筒などのノズル形状を取ることもできるし、円形、四角形などの単なる孔が開いているものでも良い。図３では蒸着物出口部７８であるノズル (又は坩堝７１)が２個の例を示したが、ノズル(又は坩堝)は１個でも３個以上でもよい。
【００２３】
なお、４は坩堝７１内の温度を測定する温度センサである。また、７９はノズルから噴射した蒸着材料７２が蒸発源筐体７５とリフレクター７４との間及びリフレクター７４と坩堝７１との間に流入しないようにする防着板である。
上記に示した構成によって、蒸着源７は、電熱線により蒸着材料を所定の温度に加熱して蒸発し、その蒸着ノズルを４角柱等の長手方向にライン状に複数並ぶ蒸着物出口部７８から噴射し、表示基板などの基板に蒸着させる。
【００２４】
基板の蒸着処理が済んだ後に、メンテナンス等により真空蒸着チャンバ１を開く必要がある。真空蒸着チャンバ１を開くときは坩堝内を冷却する。図５は、坩堝内を加熱せずに自然冷却したときの坩堝内の温度曲線の一例を示す。温度曲線は、冷却開始温度即ち基板に蒸着している時の温度Ｔｓから最初は急激に下がり蒸着材料が蒸発する温度Ｔｊまで下がり、段々緩やかな降下過程を経て、蒸着チャンバ１を開ける温度Ｔｋまで降下してゆく。なお、ｔｊ及びｔｋは、それぞれ冷却開始時間ｔ０からの温度Ｔｊ、Ｔｋに達するまでの経過時間である。
【００２５】
従って、蒸発開始温度Ｔｊまでは、依然蒸着材料は蒸発して、理想的には蒸着物出口部７８であるノズルから噴出して出て行く。しかしながら、前述したように、坩堝を自然冷却したり、坩堝を強制的に冷却した場合は、図４に示す坩堝内の存在する気体化またはミス化した蒸着材料７２ｓが蒸着物出口部７８や坩堝７１内壁に固体化して付着し、その後のメンテナンス性に好ましくない影響がでる場合もあった。
【００２６】
なお、付着とは、冷却後に蒸着物出口部近傍や坩堝内に蒸着材料が付着するということであるが、特に、付着物により蒸着物出口部が閉塞される、または出口が蒸着材料で細くなるなどが発生しないことが重要である。
【００２７】
従って、坩堝７１内の蒸発している蒸着材料７２ｓが坩堝の蒸着物出口部７８であるノズルや坩堝内壁に付着しないように徐冷するのが本実施形態における課題である。
【００２８】
上記課題を解決する本実施形態の特徴は、坩堝７１の蒸着材料の蒸着物出口部７８から単位時間当たりに噴射される蒸着材料の蒸発レートが予め決められた蒸発レートになるように制御することである。
【００２９】
図６は上記制御を実現するための本実施形態に係る制御部の構成を示す図である。膜厚センサ２１は、坩堝７１の蒸着物出口部７８から出る蒸着材料である蒸着物７２ｆの量を検出する。制御ユニット２２は、膜厚センサ２１からの情報に基づき蒸発レートを計算し、坩堝７１の加熱手段７３に予め決められた蒸発レートになるように電力が供給されるように加熱手段電力源２４を制御する。膜厚センサは、周知の膜厚センサ、例えば発振子の材料が付着することで当該発振子の固有振動数が変化することを利用した、所謂クリスタルセンサなどが適用できるが、これ以外の方法でも利用可能である。
【００３０】
上記の説明では、所謂フィードバック制御の場合を説明したが、蒸着物７２ｆの量も取り込まず制御ユニットが予め決めた蒸発レートに対応した電力量になるように加熱手段電力源２４を制御する所謂オープン制御でもよい。
なお、４０は、有機ＥＬデバイス製造装置１００の全体の制御装置であり、制御ユニットは制御装置４０の監視下において動作する。
【００３１】
以下実施例を説明する。
（実施例１）
図７は、本実施形態の第１の実施例１における冷却開始時間ｔ０からの経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝７１内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例１は、冷却開始温度Ｔｓから蒸発開始温度Ｔｊまで、一定の所定の蒸発レート[Å／Ｓ]]になるように加熱手段７３をフィードバック制御し、蒸発開始温度Ｔｊ以下では自然冷却した例である。また、実施例１では図３に示す構成を有する坩堝７１を用い、膜厚センサ２１としてクリスタルセンサを用いている。蒸着材料としては、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌなどが使用できる。
【００３２】
図７は、蒸発レートＲが１分当り０．０５Å／Ｓ（Ｒ１）ずつレートが下げってくように制御した結果である。なお、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
その結果、坩堝内の温度を目標値にして、温度降下速度を一定にしながら徐冷する方式に比べ冷却開始時Ｔｓから蒸発開始温度Ｔｊまでの時間が約１／２の時間に低減できた。
（実施例２）
図８は、本実施形態の第２の実施例２における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例２の実施例１と異なる点は、冷却開始時ｔ０から所定時間経過したｔａまで或いは所定の温度Ｔａまで自然冷却し、その後蒸発開始温度Ｔｊまで一定の所定の１分当り蒸発レート０．０５[Å／Ｓ]になるように加熱手段７３をフィードバック制御する点である。
【００３３】
実施例２では、蒸着材料７２は温度の高い時は、蒸着物出口部７８及び坩堝７１内に付着することがない。従って、その付着しない或いは付着しても許容できる温度Ｔａ以上の範囲或いは温度Ｔａに基づいた所定時間の範囲では自然冷却し冷却時間を短縮する。Ｔａの温度などは例えば実験的に定める。なお、ｔａは、例えば温度Ｔａで自然冷却から蒸発レートＲ１に変更する経過時間を、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
【００３４】
実施例２によれば、実施例１に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例３）
図９は、本実施形態の第３の実施例３における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例３の実施例１と異なる点は、蒸発開始温度Ｔｊになる前に、蒸発レートＲをＲ２に低下させる点である。蒸発開始温度Ｔｊに近くになると蒸発レートＲも低下していく。
【００３５】
実施例３は、それに合わせて蒸発レートを低下させ、自然冷却に近づけ、冷却を促進する。実施例３では、引出図に示すように、変更する経過時間ｔｄ或いは温度Ｔｄ及び１分当り蒸発レートを付着しない或いは付着しても許容できる条件で定めた。図９では、蒸発開始温度Ｔｊのやや直前の温度Ｔｄから１分当り蒸発レート０．０５[Å／Ｓ](Ｒ１)から１分当り蒸発レート０．００５[Å／Ｓ]に低下させている。なお、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
【００３６】
実施例３によれば、実施例１に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例４）
図１０は、本実施形態の第４の実施例４における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例４は、実施例２に実施例３に示した方法を適用した例である。蒸発レートＲの変更温度などの条件は実施例３と同じである。なお、ｔａ、ｔｊは実施例２と同じである。
【００３７】
実施例４によれば、実施例２に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例５）
図１１は、本実施形態の第５の実施例５における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を、蒸発開始温度Ｔｊまで示す図である。実施例５は、実施例３の考え方をさらに発展させた例である。即ち、坩堝７１の温度Ｔが低下してくると蒸発レートも低下する。その低下蒸発レートに合わせて、図６に示すフィードバック系の蒸発レートの目標値も低下させて行く例である。これら目標値の設定は、坩堝７１の温度Ｔと蒸発レートの関係を予め把握することで可能である。
【００３８】
従って、図４に示す温度センサ４を監視し、目標値を変更する。図１１では、基板蒸着時の蒸発レートが蒸発レート１．０[Å／Ｓ]であれば、例えば、温度Ｔｄ３、Ｔｄ４、Ｔｄ５及び蒸発開始温度Ｔｊで、最初の目標値ＲＳ＝０．８[Å／Ｓ]からＲ３＝０．３[Å／Ｓ]へ、次にＲ４＝０．０１[Å／Ｓ]、そしてＲ５＝０．００５[Å／Ｓ]というふうに設定する。なお、ｔd３からｔd５は、蒸発レートの変更する経過時間を示す。
実施例５においても、実施例1乃至４と同様に効果を奏することができる。
（実施例６）
以上説明した実施例1乃至５はいずれもフィードバック制御によって、所定の蒸発量又は蒸発レートを実現した。しかしながら、実施例1乃至５における加熱手段電力源２４の電力を予め定め或いは学習しておけば、フィードバック制御でなくオープン制御でも実施可能である。そこで、実施例６では、予め定め或いは学習によって得られた加熱手段電力源２４の電力によって所定の蒸発量又は蒸発レートを実現し、冷却時間を短縮する。
【００３９】
上記で説明した方法を組み合わせるなど上記の方法の他に方法が存在する。要は蒸着物出口部及び坩堝内に蒸着材料が付着しないよう蒸発レートを直接的又は間接的に制御すればよい。勿論、温度を一定の割合で降下させる他の方法と組み合わせてもよい。
【００４０】
以上説明した本実施形態によれば、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【００４１】
また、以上説明した本実施形態によれば、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【符号の説明】
【００４２】
１：真空蒸着チャンバ ２：真空搬送室
３：基板ストッカ室 ４：温度センサ
５：真空搬送ロボット ６：基板
７：蒸着源 ８：マスク
９：基板保持部 １０：ゲート弁
２１：膜厚センサ ２２：制御ユニット
２４：加熱手段電力源 ４０：制御装置
７１：坩堝 ７２：蒸着材料
７２ｓ：坩堝内に存在している蒸発している蒸着材料
７３：加熱手段 ７４：リフレクター
７５：蒸発源筐体 ７６：除去可能部
７８：蒸着物出口部 ７９：棒着板
９３：基板旋回駆動手段 １００：有機ＥＬデバイス製造装置
Ｒ、Ｒ１乃至Ｒ５、ＲＳ：蒸発レート
Ｔ、Ｔａ、Ｔｄ、Ｔｄ３乃至Ｔｄ５：坩堝の温度
Ｔｓ：冷却開始温度 Ｔｊ：蒸発開始温度
Ｔｋ：蒸着チャンバ１を開ける温度 ｔ０：冷却開始時間
ｔａ、ｔｄ、ｔｄ３乃至ｔｄ５、ｔｊ：冷却の経過時間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀、マグネシウム、アルミニウムなどの金属材料や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）材料などを被蒸着物に蒸着させるための蒸着源を備えた蒸着装置に係わり、特に有機ＥＬデバイスの製造装置に好適な蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材に薄膜を形成する技術として、真空槽内に蒸着させる材料を蒸発させて薄膜を形成する真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ法など多くの方法が実用化されている。このうち、真空蒸着法は、真空蒸着チャンバ内に設けた蒸着源の坩堝（るつぼ）に貯留された蒸着材料を電熱線等で加熱し、坩堝の蒸着ノズルなどの蒸着物出口部から噴射し、被処理基板に蒸着するものである。このような真空蒸着装置では、坩堝内の材料を交換したり、メンテナンスのため、坩堝を冷却する、必要がある。
【０００３】
しかし、坩堝を自然冷却したり、坩堝を強制的に冷却した場合は、冷却後に、坩堝の蒸着物出口部や坩堝内壁に材料が付着し、最悪の場合は蒸着物出口部を塞ぐ場合が生じる。その結果、その後のメンテナンス性に好ましくない影響がでる場合もあった。
【０００４】
この問題を解決するため、特許文献１には、坩堝を加熱するためのヒータのリフレクターを可動式にし、蒸着を停止する場合は、リフレクターを坩堝の蒸着物出口部付近に移動させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１１５４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、リフレクターを用いる方法では装置構造が複雑になり、装置コストが上昇する可能性がある。また、メンテナンス対象部品が増えることになるので、故障のリスクも懸念される。
【０００７】
本発明の第１の目的は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを第１の特徴とする。
【００１０】
また、前記予め定めた量が、徐々に少なくなるよう、蒸発レート制御過程で同じ蒸発レートではなく、蒸発レートが多段になってもよい。多段に設けられていることを第２の特徴とする。
さらに、前記多段は２段であっても良い。
【００１１】
また、所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行っても良い。
さらに、前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を検出するレートセンサを設け、前記蒸発レート制御を前記センサの出力に基づいて行っても良い。
さらに、前記蒸着材料を蒸着する被蒸着基板を保持する基板保持機構と、該基板保持機構を具備する真空蒸着チャンバと、前記被蒸着基板を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、を備えた有機ＥＬデバイス製造装置であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【００１３】
また、本発明によれば、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の蒸着装置を適用した有機ＥＬデバイス製造装置の実施形態を示す図である。
【図２】図１における真空搬送室と真空蒸着チャンバの構成の模式図と動作説明図である。
【図３】本発明の蒸着源の実施形態の外観を示す模式図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ´断面からの矢視図を示し、本実施形態の蒸着源の構成を示す図である。
【図５】坩堝内を加熱せずに自然例冷却したときの坩堝内の温度曲線の一例を示す。
【図６】本実施形態に制御部の構成を示す図である。
【図７】本実施形態の第１の実施例１における冷却開始時間からの経過時間に対する蒸発レート及び坩堝内の温度の傾向を示す図である。
【図８】本実施形態の第２の実施例２における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図９】本実施形態の第３の実施例３における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図１０】本実施形態の第４の実施例４における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【図１１】本実施形態の第５の実施例５における冷却開始時間から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の蒸着装置を、有機ＥＬデバイス製造装置に適用した実施形態であって、更にアライメントと蒸着を同一の真空蒸着チャンバ１で実現する有機ＥＬデバイス製造装置１００を示している。有機ＥＬデバイス製造装置１００は中心部に真空搬送ロボット５を持った多角形の真空搬送室２と、その周辺部に放射状に基板ストッカ室３や成膜室である真空蒸着チャンバ１を配置したクラスタ型の有機ＥＬデバイス製造装置の構成を有している。各真空蒸着チャンバ１は基板６を保持する基板保持部９とマスク８とを有する。また、真空蒸着チャンバ１及び基板ストッカ室３と真空搬送室２との間には互いの真空を隔離するゲート弁１０が設けられている。なお、４０は有機ＥＬデバイス製造装置１００の構成要素を制御する制御装置である。
【００１６】
図２は、図１における真空搬送室２と真空蒸着チャンバ１の構成の模式図と動作説明図である。図２における真空搬送ロボット５は、全体を上下に移動可能(図示せず)で、左右に旋回可能な２リンク構造のアーム５７を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド５８を有する。
【００１７】
一方、真空蒸着チャンバ１は、真空搬送ロボット５から搬入された基板６を保持する基板保持部９と、発光層を形成する蒸着材料を蒸発させ基板６に成膜させる蒸着源７と、蒸着源を上下方向移動させる蒸着源走査手段４３、基板６への蒸着パターンを規定するマスク８とを有する。基板保持部９は、櫛歯状ハンド９１と基板保持部９を旋回させて直立しているマスク８に正対させる基板旋回手段９３とを有する。また真空蒸着チャンバ１は、マスク８の上部にマスク８と基板６とにそれぞれ存在するアライメントマーク８５、８４(引出図参照)を撮像するアライメントカメラ８６と、その撮像結果に基づいてマスク８移動させるアライメント駆動部(図示せず)とを有する。
【００１８】
このような構成によって、真空搬送ロボット５は基板ストッカ室３から基板を取出し、真空蒸着チャンバ１の基板保持部９に搬入する。そして、真空蒸着チャンバ１では、搬入された基板６を基板旋回手段９３でマスク８に正対させ、アライメントし、蒸着源７を上下させ基板６に蒸着する。蒸着後、基板６を水平状態に戻す。その後、真空搬送ロボット５により基板６を真空蒸着チャンバ１から搬出し、他の真空蒸着チャンバ１に搬入又は基板ストッカ室３に戻す。このような処理における基板６の搬出入おいて、各真空蒸着チャンバ１の処理に影響を与えないように関連するゲート弁１０が制御される。
【００１９】
図３は本発明の蒸着源７の実施形態の外観を示す模式図である。図４は、図３におけるＡ−Ａ´断面からの矢視図を示し、本実施形態の蒸着源７の構成を示す図である。
【００２０】
蒸着源７は、その本体が図３に示すように４角柱(長方体)の形状を有し、その内部には坩堝７１を長手方向に複数有する。各坩堝７１の上下には加熱手段７３を配置し、坩堝７１に設けられた蒸着材料７２を蒸着に適した所定の温度に加熱する。また、坩堝７１の周囲にはリフレクター７４が取り囲むように設けられ、蒸着源７内の熱を外部に逃さず内側にこもるようにしている。さらに、リフレクター７４（断熱機構）の外周には遮熱のための蒸発源筐体７５があり、リフレクター７４から漏れた熱が外部に影響を与えないようになっている。このような構造によって、蒸着物出口部７８（ノズル）から蒸着物が噴出し、基板６に蒸着する。
【００２１】
蒸着材料７２を保持する坩堝７１は、少なくとも蒸着材料と接する部分については、一般的に蒸着材料と反応しない金属、セラミックスなどから構成されることが好ましい。
また、本実施形態では略４角柱の形状を有している蒸着源７を示したが、蒸着源にはその他の部材を周囲に設けることもあり、その概観が必ずしも４角柱などの角柱形状を有するとは限らない。また、坩堝の形状は、立方体形状、円筒形状など種々の形態を取ることも可能である。
【００２２】
坩堝を加熱する加熱手段７３は、電熱線で加熱する方式や、誘導加熱する方式など、現状知られているどのような加熱方式をも採用することができる。
蒸着物出口部７８は、図３に示す円筒形のノズルの他、角筒などのノズル形状を取ることもできるし、円形、四角形などの単なる孔が開いているものでも良い。図３では蒸着物出口部７８であるノズル (又は坩堝７１)が２個の例を示したが、ノズル(又は坩堝)は１個でも３個以上でもよい。
【００２３】
なお、４は坩堝７１内の温度を測定する温度センサである。また、７９はノズルから噴射した蒸着材料７２が蒸発源筐体７５とリフレクター７４との間及びリフレクター７４と坩堝７１との間に流入しないようにする防着板である。
上記に示した構成によって、蒸着源７は、電熱線により蒸着材料を所定の温度に加熱して蒸発し、その蒸着ノズルを４角柱等の長手方向にライン状に複数並ぶ蒸着物出口部７８から噴射し、表示基板などの基板に蒸着させる。
【００２４】
基板の蒸着処理が済んだ後に、メンテナンス等により真空蒸着チャンバ１を開く必要がある。真空蒸着チャンバ１を開くときは坩堝内を冷却する。図５は、坩堝内を加熱せずに自然冷却したときの坩堝内の温度曲線の一例を示す。温度曲線は、冷却開始温度即ち基板に蒸着している時の温度Ｔｓから最初は急激に下がり蒸着材料が蒸発する温度Ｔｊまで下がり、段々緩やかな降下過程を経て、蒸着チャンバ１を開ける温度Ｔｋまで降下してゆく。なお、ｔｊ及びｔｋは、それぞれ冷却開始時間ｔ０からの温度Ｔｊ、Ｔｋに達するまでの経過時間である。
【００２５】
従って、蒸発開始温度Ｔｊまでは、依然蒸着材料は蒸発して、理想的には蒸着物出口部７８であるノズルから噴出して出て行く。しかしながら、前述したように、坩堝を自然冷却したり、坩堝を強制的に冷却した場合は、図４に示す坩堝内の存在する気体化またはミス化した蒸着材料７２ｓが蒸着物出口部７８や坩堝７１内壁に固体化して付着し、その後のメンテナンス性に好ましくない影響がでる場合もあった。
【００２６】
なお、付着とは、冷却後に蒸着物出口部近傍や坩堝内に蒸着材料が付着するということであるが、特に、付着物により蒸着物出口部が閉塞される、または出口が蒸着材料で細くなるなどが発生しないことが重要である。
【００２７】
従って、坩堝７１内の蒸発している蒸着材料７２ｓが坩堝の蒸着物出口部７８であるノズルや坩堝内壁に付着しないように徐冷するのが本実施形態における課題である。
【００２８】
上記課題を解決する本実施形態の特徴は、坩堝７１の蒸着材料の蒸着物出口部７８から単位時間当たりに噴射される蒸着材料の蒸発レートが予め決められた蒸発レートになるように制御することである。
【００２９】
図６は上記制御を実現するための本実施形態に係る制御部の構成を示す図である。膜厚センサ２１は、坩堝７１の蒸着物出口部７８から出る蒸着材料である蒸着物７２ｆの量を検出する。制御ユニット２２は、膜厚センサ２１からの情報に基づき蒸発レートを計算し、坩堝７１の加熱手段７３に予め決められた蒸発レートになるように電力が供給されるように加熱手段電力源２４を制御する。膜厚センサは、周知の膜厚センサ、例えば発振子の材料が付着することで当該発振子の固有振動数が変化することを利用した、所謂クリスタルセンサなどが適用できるが、これ以外の方法でも利用可能である。
【００３０】
上記の説明では、所謂フィードバック制御の場合を説明したが、蒸着物７２ｆの量も取り込まず制御ユニットが予め決めた蒸発レートに対応した電力量になるように加熱手段電力源２４を制御する所謂オープン制御でもよい。
なお、４０は、有機ＥＬデバイス製造装置１００の全体の制御装置であり、制御ユニットは制御装置４０の監視下において動作する。
【００３１】
以下実施例を説明する。
（実施例１）
図７は、本実施形態の第１の実施例１における冷却開始時間ｔ０からの経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝７１内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例１は、冷却開始温度Ｔｓから蒸発開始温度Ｔｊまで、一定の所定の蒸発レート[Å／Ｓ]]になるように加熱手段７３をフィードバック制御し、蒸発開始温度Ｔｊ以下では自然冷却した例である。また、実施例１では図３に示す構成を有する坩堝７１を用い、膜厚センサ２１としてクリスタルセンサを用いている。蒸着材料としては、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌなどが使用できる。
【００３２】
図７は、蒸発レートＲが１分当り０．０５Å／Ｓ（Ｒ１）ずつレートが下げってくように制御した結果である。なお、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
その結果、坩堝内の温度を目標値にして、温度降下速度を一定にしながら徐冷する方式に比べ冷却開始時Ｔｓから蒸発開始温度Ｔｊまでの時間が約１／２の時間に低減できた。
（実施例２）
図８は、本実施形態の第２の実施例２における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例２の実施例１と異なる点は、冷却開始時ｔ０から所定時間経過したｔａまで或いは所定の温度Ｔａまで自然冷却し、その後蒸発開始温度Ｔｊまで一定の所定の１分当り蒸発レート０．０５[Å／Ｓ]になるように加熱手段７３をフィードバック制御する点である。
【００３３】
実施例２では、蒸着材料７２は温度の高い時は、蒸着物出口部７８及び坩堝７１内に付着することがない。従って、その付着しない或いは付着しても許容できる温度Ｔａ以上の範囲或いは温度Ｔａに基づいた所定時間の範囲では自然冷却し冷却時間を短縮する。Ｔａの温度などは例えば実験的に定める。なお、ｔａは、例えば温度Ｔａで自然冷却から蒸発レートＲ１に変更する経過時間を、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
【００３４】
実施例２によれば、実施例１に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例３）
図９は、本実施形態の第３の実施例３における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例３の実施例１と異なる点は、蒸発開始温度Ｔｊになる前に、蒸発レートＲをＲ２に低下させる点である。蒸発開始温度Ｔｊに近くになると蒸発レートＲも低下していく。
【００３５】
実施例３は、それに合わせて蒸発レートを低下させ、自然冷却に近づけ、冷却を促進する。実施例３では、引出図に示すように、変更する経過時間ｔｄ或いは温度Ｔｄ及び１分当り蒸発レートを付着しない或いは付着しても許容できる条件で定めた。図９では、蒸発開始温度Ｔｊのやや直前の温度Ｔｄから１分当り蒸発レート０．０５[Å／Ｓ](Ｒ１)から１分当り蒸発レート０．００５[Å／Ｓ]に低下させている。なお、ｔｊは蒸発開始温度Ｔｊになる経過時間を示す。
【００３６】
実施例３によれば、実施例１に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例４）
図１０は、本実施形態の第４の実施例４における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を示す図である。実施例４は、実施例２に実施例３に示した方法を適用した例である。蒸発レートＲの変更温度などの条件は実施例３と同じである。なお、ｔａ、ｔｊは実施例２と同じである。
【００３７】
実施例４によれば、実施例２に比べさらに冷却時間を短縮できる。
（実施例５）
図１１は、本実施形態の第５の実施例５における冷却開始時間ｔ０から経過時間に対する蒸発レートＲ及び坩堝内の温度Ｔの傾向を、蒸発開始温度Ｔｊまで示す図である。実施例５は、実施例３の考え方をさらに発展させた例である。即ち、坩堝７１の温度Ｔが低下してくると蒸発レートも低下する。その低下蒸発レートに合わせて、図６に示すフィードバック系の蒸発レートの目標値も低下させて行く例である。これら目標値の設定は、坩堝７１の温度Ｔと蒸発レートの関係を予め把握することで可能である。
【００３８】
従って、図４に示す温度センサ４を監視し、目標値を変更する。図１１では、基板蒸着時の蒸発レートが蒸発レート１．０[Å／Ｓ]であれば、例えば、温度Ｔｄ３、Ｔｄ４、Ｔｄ５及び蒸発開始温度Ｔｊで、最初の目標値ＲＳ＝０．８[Å／Ｓ]からＲ３＝０．３[Å／Ｓ]へ、次にＲ４＝０．０１[Å／Ｓ]、そしてＲ５＝０．００５[Å／Ｓ]というふうに設定する。なお、ｔd３からｔd５は、蒸発レートの変更する経過時間を示す。
実施例５においても、実施例1乃至４と同様に効果を奏することができる。
（実施例６）
以上説明した実施例1乃至５はいずれもフィードバック制御によって、所定の蒸発量又は蒸発レートを実現した。しかしながら、実施例1乃至５における加熱手段電力源２４の電力を予め定め或いは学習しておけば、フィードバック制御でなくオープン制御でも実施可能である。そこで、実施例６では、予め定め或いは学習によって得られた加熱手段電力源２４の電力によって所定の蒸発量又は蒸発レートを実現し、冷却時間を短縮する。
【００３９】
上記で説明した方法を組み合わせるなど上記の方法の他に方法が存在する。要は蒸着物出口部及び坩堝内に蒸着材料が付着しないよう蒸発レートを直接的又は間接的に制御すればよい。勿論、温度を一定の割合で降下させる他の方法と組み合わせてもよい。
【００４０】
以上説明した本実施形態によれば、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【００４１】
また、以上説明した本実施形態によれば、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供できる。
【符号の説明】
【００４２】
１：真空蒸着チャンバ ２：真空搬送室
３：基板ストッカ室 ４：温度センサ
５：真空搬送ロボット ６：基板
７：蒸着源 ８：マスク
９：基板保持部 １０：ゲート弁
２１：膜厚センサ ２２：制御ユニット
２４：加熱手段電力源 ４０：制御装置
７１：坩堝 ７２：蒸着材料
７２ｓ：坩堝内に存在している蒸発している蒸着材料
７３：加熱手段 ７４：リフレクター
７５：蒸発源筐体 ７６：除去可能部
７８：蒸着物出口部 ７９：棒着板
９３：基板旋回駆動手段 １００：有機ＥＬデバイス製造装置
Ｒ、Ｒ１乃至Ｒ５、ＲＳ：蒸発レート
Ｔ、Ｔａ、Ｔｄ、Ｔｄ３乃至Ｔｄ５：坩堝の温度
Ｔｓ：冷却開始温度 Ｔｊ：蒸発開始温度
Ｔｋ：蒸着チャンバ１を開ける温度 ｔ０：冷却開始時間
ｔａ、ｔｄ、ｔｄ３乃至ｔｄ５、ｔｊ：冷却の経過時間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を保持する坩堝と、該坩堝を加熱する加熱手段と、該加熱手段で加熱された前記坩堝内の蒸着材料を該坩堝外に出すための蒸着物出口部と、前記加熱手段を制御する制御部と、を備えた蒸着装置において、
前記坩堝を冷却する際、単位時間当たりに、前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
請求項１記載の蒸着装置において、
前記予め定めた量は、徐々に少なくなるように多段に設けられていることを特徴とする蒸着装置。
【請求項３】
請求項２記載の蒸着装置において、
前記多段は２段であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項４】
請求項１の蒸着装置において、
所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行うことを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
請求項1乃至４のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量を検出する膜厚センサ、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量の蒸発レートを検出するレートセンサを設け、前記制御部はレート制御を前記膜厚センサあるいはレートセンサの出力に基づいて行うことを特徴とする蒸着装置。
【請求項６】
請求項５に記載の蒸着装置が、更に、
前記蒸着材料を蒸着する被蒸着基板を保持する基板保持機構と、
該基板保持機構を具備する真空蒸着チャンバと、
前記被蒸着基板を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
を備えた有機ＥＬデバイス製造装置であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項７】
蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着するステップと、真空蒸着チャンバ内を開く際に前記坩堝を冷却する冷却ステップとを有する蒸着装置の運転方法において、
前記冷却ステップは、単位時間当たりに、前記坩堝内の蒸着材料を前記坩堝外に出すための蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項８】
請求項１記載の蒸着装置の運転方法において、
前記予め定めた量は、徐々に少なくなるように多段に設けられていることを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項９】
請求項２記載の蒸着装置の運転方法において、
前記多段は２段であることを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項１０】
請求項１の蒸着装置の運転方法において、
所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行うことを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の蒸着装置の運転方法において、
前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を検出するセンサを、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量のレートを検出するレートセンサを設け、前記レート制御を前記センサの出力に基づいて行うことを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項１】
蒸着材料を保持する坩堝と、該坩堝を加熱する加熱手段と、該加熱手段で加熱された前記坩堝内の蒸着材料を該坩堝外に出すための蒸着物出口部と、前記加熱手段を制御する制御部と、を備えた蒸着装置において、
前記坩堝を冷却する際、単位時間当たりに、前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
請求項１記載の蒸着装置において、
前記予め定めた量は、徐々に少なくなるように多段に設けられていることを特徴とする蒸着装置。
【請求項３】
請求項２記載の蒸着装置において、
前記多段は２段であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項４】
請求項１の蒸着装置において、
所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行うことを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
請求項1乃至４のいずれかに記載の蒸着装置において、
前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量を検出する膜厚センサ、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量の蒸発レートを検出するレートセンサを設け、前記制御部はレート制御を前記膜厚センサあるいはレートセンサの出力に基づいて行うことを特徴とする蒸着装置。
【請求項６】
請求項５に記載の蒸着装置が、更に、
前記蒸着材料を蒸着する被蒸着基板を保持する基板保持機構と、
該基板保持機構を具備する真空蒸着チャンバと、
前記被蒸着基板を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
を備えた有機ＥＬデバイス製造装置であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項７】
蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着するステップと、真空蒸着チャンバ内を開く際に前記坩堝を冷却する冷却ステップとを有する蒸着装置の運転方法において、
前記冷却ステップは、単位時間当たりに、前記坩堝内の蒸着材料を前記坩堝外に出すための蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御することを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項８】
請求項１記載の蒸着装置の運転方法において、
前記予め定めた量は、徐々に少なくなるように多段に設けられていることを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項９】
請求項２記載の蒸着装置の運転方法において、
前記多段は２段であることを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項１０】
請求項１の蒸着装置の運転方法において、
所定時間或いは所定温度まで自然冷却した後、前記蒸発レート制御を行うことを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の蒸着装置の運転方法において、
前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量を検出するセンサを、或いは単位時間当たりの前記蒸着物出口部から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量のレートを検出するレートセンサを設け、前記レート制御を前記センサの出力に基づいて行うことを特徴とする蒸着装置の運転方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−１０８１０６（Ｐ２０１３−１０８１０６Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５１７９４（Ｐ２０１１−２５１７９４）
【出願日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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