蒸着装置
【課題】搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種情報産業機器の表示ディスプレイや発光素子等においては、薄型化が図られるとともに視認性や耐衝撃性等に優れることから、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）の利用が進んでいる。有機ＥＬ素子は、基板上に一対の電極に挟持された有機層を備えた構成を有している。有機層は、機能の異なる複数の層が積層されたものであり、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層等を備えた構成である。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子の有機層は、例えば、蒸着法により成膜される。一般に、蒸着による成膜は、成膜材料である有機材料を坩堝等の容器内に収容し、真空状態で容器ごとに加熱して有機材料を蒸発させることにより行われる。
【０００４】
ここで、有機層の発光層は、発光剤となる有機化合物（ホスト）中に、発色剤となる有機化合物（ドーパント）が分散された構成である。しかしながら、ドーパントの発光層中の含有量は微量であり、ドーパントを発光層中に均一に分散させることは困難である。
そこで、例えば、特許文献１には、多量のホストを気化させるリング状の蒸着源の中央に、微量なドーパントを気化させるポイントソースを設置し、基板にドーパントを均一に蒸着させる装置が開示されている。
また、例えば、特許文献２には、ホスト材料の蒸着源及びゲスト材料（ドーパント）の蒸着源と、基板との間に遮蔽版を設け、基板及び遮蔽版を回転させる装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１３９５２号公報
【特許文献２】特開２００３−１９３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１、２の装置は、何れも固定された基板に用いることを想定したものである。従って、例えば、ロール・ツー・ロール装置などで搬送される基板に適用した場合、均一に蒸着することが難しいという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、
真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、
前記真空容器内に、
前記基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、
前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、
を備え、
前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、を備え、複数の線状蒸着源と、複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われる。
このため、複数の点状蒸着源部によって、微量の成膜材料の制御を行えるので、搬送される基材に対して均一に共蒸着を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。
【図３】第１実施形態の蒸着装置における基板と２種類の蒸着源とを示す平面図である。
【図４】図４の蒸着装置の基板と２種類の蒸着源とを示す斜視図である。
【図５】点状蒸着源部の往復移動による作用を説明するための図である。
【図６】点状蒸着源部の往復移動における軌跡を示す図である。
【図７】点状蒸着源部の移動範囲の変形例を示すための図である。
【図８】線状蒸着源、点状蒸着源部の設置方法の変形例を示すための図である。
【図９】線状蒸着源に遮蔽板を備えた状態を示すための図である。
【図１０】第２実施形態の蒸着装置における基板と２種類の蒸着源とを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
【００１２】
［第１実施形態］
【００１３】
（１．有機ＥＬ素子）
先ず、有機ＥＬ素子について説明する。
【００１４】
有機ＥＬ素子１００は、図１、２に示すように、支持基板１０１上に、陽極１０２、有機層１０３、陰極１０４が順次設けられた構成である。有機ＥＬ素子１００の非発光面となる上面は、ガラスカバー１０５で覆われ、このように有機ＥＬ素子１００をガラスカバー１０５で覆った状態を有機ＥＬパネルという。なお、ガラスカバー１０５内には窒素ガス１０６が充填され、捕水剤１０７が設けられている。
【００１５】
陽極１０２と陰極１０４との間の有機層１０３は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、有機層１０３の代表的な層構成としては、例えば、以下の（ｉ）〜（ｖ）の構成が挙げられる。
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
【００１６】
（１−１．発光層）
本実施形態における発光層は、後述の蒸着装置１０を用いた真空蒸着法により製膜して形成されるものである。
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下の範囲に調整される。
また、発光層は、いずれも燐光発光性の青色発光ドーパント、緑色発光ドーパント及び赤色発光ドーパントと、ホスト化合物と、を含有することが好ましい。
以下、各発光ドーパント及びホスト化合物について説明する。
【００１７】
（１−１−１．青色発光ドーパント）
青色発光ドーパントは、下記一般式（Ａ）〜（Ｃ）から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有することが好ましい。
【化１】
前記一般式（Ａ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃは各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【化２】
また、前記一般式（Ｂ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｂ１、Ｒｃ１は各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【化３】
また、前記一般式（Ｃ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃは各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【００１８】
一般式（Ａ）〜（Ｃ）の構造は部分構造であり、それ自身が完成構造の発光ドーパントとなるには、中心金属の価数に対応した配位子が必要である。
一般式（Ａ）〜（Ｃ）において、ＭはＩｒ、Ｐｔを表し、特にＩｒが好ましい。また一般式（Ａ）〜（Ｃ）の部分構造３個で完成構造となるトリス体が好ましい。
【００１９】
以下、本実施形態に係る発光ドーパントの前記一般式（Ａ）〜（Ｃ）の部分構造を持つ化合物を例示するが、これらに限定されるものではない。
本実施形態において、青色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、以下の化合物（１−１）〜（１−１０）が挙げられる。
【化４】
【００２０】
（１−１−２．緑色発光ドーパント）
本実施形態において、緑色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化５】
【００２１】
（１−１−３．赤色発光ドーパント）
本実施形態において、赤色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化６】
【００２２】
（１−１−４．ホスト化合物）
ホスト化合物とは、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が、０．１未満の化合物であることが好ましく、更に好ましくは燐光量子収率が０．０１未満の化合物である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０質量％以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、ホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。
本実施形態に用いられる発光ホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。
【００２３】
本実施形態に係る発光層に用いられる発光ホスト化合物としては、下記一般式（ａ）で表される化合物が好ましい。
【化７】
一般式（ａ）において、Ｘは、ＮＲ′、Ｏ、Ｓ、ＣＲ′Ｒ″またはＳｉＲ′Ｒ″を表し、Ｒ′、Ｒ″は各々水素原子または置換基を表す。Ａｒは芳香環を表す。ｎは０から８の整数を表す。
Ｘとして好ましく用いられるのは、ＮＲ′またはＯであり、Ｒ′としては芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が特に好ましい。
一般式（ａ）において、Ａｒで表される芳香環としては、芳香族炭化水素環または芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、後述するような置換基を有していてもよい。
Ａｒで表される芳香環として好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、特に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環である。上記の中でも、置換基を有するベンゼン環が好ましく、特に好ましくは、カルバゾリル基を有するベンゼン環が好ましい。
ここで、一般式（ａ）において、Ａｒで表される芳香環が有してもよい置換基は、Ｒ′、Ｒ″で、各々表される置換基と同義である。
また、一般式（ａ）において、ｎは０〜８の整数を表すが、０〜２であることが好ましく、特にＸがＯ、Ｓである場合には１または２であることが好ましい。
また、本発明に用いるホスト化合物は、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【００２４】
ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
本実施形態においては、複数の発光層を有する場合には、ホスト化合物は発光層ごとに異なっていてもよいが、同一の化合物であることが優れた駆動寿命特性が得られることから好ましい。
また、前記ホスト化合物は、その最低励起３重項エネルギー（Ｔ1）が、２．７ｅＶより大きいことがより高い発光効率を得られることから好ましい。本発明でいう最低励起３重項エネルギーとは、ホスト化合物を溶媒に溶解し、液体窒素温度において観測した燐光発光スペクトルの最低振動バンド間遷移に対応する発光バンドのピークエネルギーを言う。
本実施形態においては、ガラス転移点が９０℃以上の化合物が好ましく、更には１３０℃以上の化合物が優れた駆動寿命特性を得られることから好ましい。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
本実施形態の有機ＥＬ素子においては、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は、一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は、正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすい為、中間層材料、ホスト材料は、移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。
本実施形態において、ホスト化合物として好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化８】
【００２５】
（１−２．注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層は必要に応じて設けることができ、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設ける層のことで、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
陽極バッファー層（正孔注入層）としては、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層（電子注入層）としては、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、使用する素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００２６】
（１−３．阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。
本実施形態の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。
正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、特に制限はないが、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００２７】
（１−４．正孔輸送層）
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
正孔輸送材料として好ましく用いられるのは、より高効率の発光素子が得られることから、いわゆるｐ型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料である。
正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００２８】
（１−５．電子輸送層）
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
電子輸送材料として好ましく用いられるのは、より低消費電力の素子が得られることから、不純物をドープしたｎ型半導体的性質を有するとされる電子輸送材料である。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００２９】
（１−６．支持基板）
本実施形態の有機ＥＬ素子１００に適用する支持基板１０１としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基板１０１側から光を取り出す場合には、支持基板は１０１透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板１０１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板１０１は、有機ＥＬ素子１００にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度が、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９９２に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度が、１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが、更に好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。
不透明な支持基板１００としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属基板や不透明樹脂フィルム、セラミック基板等が挙げられる。
【００３０】
（１−７．封止）
有機ＥＬ素子１００の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板１０１とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
ガラス、ポリマー、金属等からなる封止部材が有機ＥＬ素子１００を覆うように配置されておればよく、封止部材は凹板状でも、平板状でもよい。凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。また、封止部材の透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
有機ＥＬ素子１００を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルム（金属箔）を好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、酸素透過度１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが、更に好ましい。
接着剤として、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、湿気硬化型接着剤、熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子１００が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。接着剤は、ディスペンサーによる塗工やスクリーン印刷やラミネート等により、封止部材に形成することができる。
【００３１】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができる。
封止部材と有機ＥＬ素子との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【００３２】
（１−８．保護膜、保護板）
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止部材に用いたのと同様の材料を用いることができる。
【００３３】
（１−９．陽極）
有機ＥＬ素子１００における陽極１０２としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００３４】
（１−１０．陰極）
有機ＥＬ素子１００における陰極１０４としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００３５】
（２．有機ＥＬ素子の作製方法）
次に、上記構成を有する有機ＥＬ素子１００の作製方法について説明する。
なお、上述したように、有機層１０３は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、ここでは、一例として、陽極１０２と陰極１０４との間に、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層からなる有機層１０３を備えた有機ＥＬ素子１００の作製法について説明する。
【００３６】
まず適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。
【００３７】
次に、この上に、有機ＥＬ素子材料である陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層の有機化合物薄膜を順次形成する。
この有機化合物薄膜のうち発光層の形成方法としては、後述の蒸着装置１０による真空蒸着法が用いられる。
また、発光層以外の各層の形成方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法）等の公知の方法が用いられるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スロット型コータ法が特に好ましい。更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。
【００３８】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子１００が得られる。
【００３９】
なお、作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファー層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【００４０】
（３．蒸着装置）
次に、蒸着装置１０について説明する。
蒸着装置１０は、上述したように、例えば、有機ＥＬ素子１００における有機層１０３の発光層などを形成する場合に好適に用いられるものであり、真空中を搬送される基板Ｋに対して、複数の蒸着源から放出した蒸気により共蒸着を行う真空蒸着装置である。
ここで、基板Ｋとは、有機ＥＬ素子１００の発光層の形成前まで作製された積層体を示している。具体的には、基板Ｋとは、例えば、支持基板１０１上に陽極１０２を設けたもの、支持基板１０１上に陽極１０２及び正孔注入層を設けたもの、支持基板１０１上に陽極１０２、正孔注入層、及び正孔輸送層を設けたもの等である。
また、本実施形態における基板Ｋは、薄く長尺な帯状に形成されたものであるが、ロール状に巻き取られた形で使用される。基板Ｋの幅や長さ等は、作製する有機ＥＬパネル等の大きさに応じて適宜設定される。
なお、以下の説明において、基板Ｋの搬送方向をＸ方向とし、基板Ｋの搬送方向と直交する方向（基板Ｋの幅方向）をＹ方向とする。
【００４１】
蒸着装置１０は、図３、４に示すように、真空容器１、搬送手段２、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂ、膜厚モニター７，７、膜厚モニター８，８等を備えて構成されている。
【００４２】
（３−１．真空容器）
真空容器１は、例えば、上面の開口した容器本体及び当該開口を塞ぐ蓋体（何れも図示せず）を備えており、蓋体を脱着して基板Ｋや各蒸着源に収容される成膜材料Ｐ１〜Ｐ４の出し入れが行われる。
また、真空容器１には、真空ポンプ１１が接続されており、真空容器１は、蒸着に際してこの真空ポンプ１１により内部が真空排気され、真空状態が保たれるようになっている。
真空度は、成膜材料の種類により異なるが、例えば、１０−２〜１０−７Ｐａである。
【００４３】
（３−２．搬送手段）
搬送手段２は、真空容器１の内部上方に設置され、ロール・ツー・ロール方式と称される手法にてロール状の基板Ｋを搬送するものである。
具体的に、搬送手段２は、搬送経路の上流端に配置された巻出部２１と、搬送経路の下流端に配置された巻取部２２とを有し、巻出部２１から基板Ｋを繰り出して搬送し、搬送されてきた基板Ｋを巻取部２２により巻き取るようになっている。
基板Ｋは、巻出部２１と巻取部２２との間を、一定の張力が維持された状態で一定速度で搬送され、巻出部２１から巻取部２２まで搬送される間に、下方に設置された線状蒸着源３Ａ，３Ｂ、及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから噴出される蒸気によって、共蒸着が施されるようになっている。
なお、基板Ｋの搬送速度は、例えば、１ｍ／ｍｉｎに設定されている。
【００４４】
（３−３．線状蒸着源）
線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、ラインソースとも称されるもので、真空容器１の内部の底面付近において、Ｙ方向に延在するようにＸ方向に沿って並列に配されている。
この線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、搬送される基板Ｋに対して、基板Ｋの下面側から成膜材料Ｐ１及びＰ２をそれぞれ蒸気として噴出するものである。
具体的には、線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、どちらもＹ方向に延在する長尺な容器であり、その上面にＹ方向に延在する長尺な蒸気噴出口３１を有している。
この線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Ｋの表面（下面）に蒸着させる成膜材料Ｐ１、Ｐ２がそれぞれ収容されている。また、線状蒸着源３Ａ，３Ｂには、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂを加熱するためのヒータ３２が備えられており、ヒータ３２は、ヒータ制御部（図示省略）の制御に応じて通電して、線状蒸着源３Ａ，３Ｂを一定の温度にまで加熱する。
これにより、成膜材料Ｐ１、Ｐ２は蒸発または昇華し、それぞれの蒸気噴出口３１から基板Ｋに対して蒸気が放出される。
基板Ｋは、このような線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上方をＸ方向に通過する際に、Ｙ方向に均一に成膜材料Ｐ１、Ｐ２が蒸着されることとなる。そして、基板Ｋが搬送されるにつれて、基板Ｋの下面全体に成膜材料Ｐ１、Ｐ２の薄膜が形成される。
なお、線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、上記構成以外にも、例えば、複数の点状蒸着源が一列に並んで構成されたものであっても良い。
【００４５】
（３−４．点状蒸着源部）
点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上流側に、Ｘ方向に沿って並んで配されている。
本実施形態においては、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って往復移動可能な一の点状蒸着源を備えて構成されている。点状蒸着源は、ポイントソースとも称されるものである。
この点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、搬送される基板Ｋに対して、基板Ｋの下面側から成膜材料Ｐ３及びＰ４を蒸気として噴出するものである。点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、その形状から、少量の成膜材料を効率良く蒸発させることが可能である。
具体的には、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、その上面に蒸気噴出口４１を有する点状の容器である。点状蒸着源部４Ａ，４Ｂも、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと同様に、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Ｋの表面（下面）に蒸着させる成膜材料Ｐ３、Ｐ４が収容されている。また、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂには、当該点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを加熱するためのヒータ４２が備えられており、ヒータ４２は、ヒータ制御部（図示省略）の制御に応じて通電して、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを一定の温度にまで加熱する。
これにより、成膜材料Ｐ３、Ｐ４は蒸発または昇華し、蒸気噴出口４１から基板Ｋに対して蒸気が噴出される。
【００４６】
かかる点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、上記したように、それぞれ、Ｙ方向に往復移動可能に構成されている。具体的に、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの各々には、駆動制御部（図示省略）の制御によって駆動する駆動機構４３が備えられ、駆動機構４３の駆動に応じてＹ方向に往復移動する。
これにより、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、それぞれ、Ｙ方向に往復移動しながら蒸気を噴出するようになっている。
これは、図５（ａ）に示すように、蒸気噴出口４１からの距離がより短い箇所が基板Ｋにおける蒸着量が多くなってしまうという点状蒸着源部における欠点を改善するためのものであって、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを往復移動させることで、図５（ｂ）に示すように、基板Ｋの幅方向（Ｙ方向）のムラをなくし、均一に蒸着することを可能としている。
【００４７】
このとき、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの移動速度は、例えば、基板Ｋの搬送速度に対して、５倍となるように設定されている。この範囲内の移動速度であれば、例えば、図６に示すように、基板Ｋの幅方向に対して、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂが一定の軌跡（図６中の破線）を描くように成膜材料Ｐ３、Ｐ４の蒸着が行われ、基板Ｋの搬送速度に対してムラがでることなく、均一な蒸着を行うことができる。
【００４８】
また、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと点状蒸着源部４Ａ，４Ｂとは、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び当該点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから放出された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。
例えば、線状蒸着源３Ａと線状蒸着源３Ｂとの間隔、線状蒸着源３Ｂと点状蒸着源部４Ａとの間隔、及び点状蒸着源部４Ａと点状蒸着源部４Ｂとの間隔を、何れも５ｍｍの設定することにより、成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。
【００４９】
膜厚モニター７，７は、例えば水晶振動子であり、それぞれ線状蒸着源３Ａの端部及び線状蒸着源３Ｂの端部に設置されている。
線状蒸着源３Ａ，３Ｂにおいて膜厚モニター７，７の設置された端部は、気化した蒸気を噴出出来る構造となっており、膜厚モニター７，７は、当該膜厚モニター７，７に付着した材料の膜厚を計測する。
膜厚モニター７，７には、モニター制御部（図示省略）が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター７，７により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ３２の出力が制御され、これにより、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの成膜材料Ｐ１、Ｐ２の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。
【００５０】
膜厚モニター８，８は、例えば水晶振動子であり、それぞれ点状蒸着源部４Ａ及び点状蒸着源部４Ｂに追随して動くようになっており、当該膜厚モニター８，８に付着した材料の膜厚を計測する。
膜厚モニター８，８には、モニター制御部（図示省略）が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター８，８により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ４２の出力が制御され、これにより、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂからの成膜材料Ｐ３、Ｐ４の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。
【００５１】
なお、基板Ｋと４つの蒸着源との間に、シャッター（図示省略）を設置することとしても良い。かかるシャッターは、制御装置（図示省略）からの指示信号に基づき開閉を行うものである。具体的には、シャッターは、膜厚モニター７，７、８，８による測定値が所望の一定値になるまで閉鎖され、当該所望の一定値となったところで開放される。シャッターが開放されると、蒸着が開始される。
【００５２】
成膜材料Ｐ１及びＰ２は、それぞれ線状蒸着源３Ａ及び線状蒸着源３Ｂから噴出される。具体的には、成膜材料Ｐ１及びＰ２は、例えば、発光層中に高濃度で存在する有機材料であって、上述した青色発光ドーパントやホスト化合物が挙げられる。
また、成膜材料Ｐ３及びＰ４は、それぞれ点状蒸着源部４Ａ及び点状蒸着源部４Ｂから噴出される。具体的には、成膜材料Ｐ３及びＰ４は、例えば、発光層中に成膜材料Ｐ１及びＰ２よりも低濃度で存在する有機材料であって、上述した緑色発光ドーパントや赤色発光ドーパントが挙げられる。
【００５３】
（３−５．蒸着方法）
次に、蒸着装置１０による蒸着方法について説明する。
本実施形態の蒸着装置１０は、ロール・ツー・ロール方式によって搬送される長尺な基板Ｋに、２種類の蒸着源を用いて共蒸着する装置である。
蒸着を実施する場合、最初に真空ポンプ１１を稼動して真空容器１の内部を真空とする。
そして、ヒータ３２、４２によって、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを一定の温度にまで加熱すると、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの内部に収容された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４は、所定の温度にまで加熱され、蒸発または昇華して蒸気流が発生し、この蒸気流が各蒸気噴出口３１、４１から抜け出て、上方を搬送されている基板Ｋの表面（下面）に共蒸着による薄膜が形成されるようになっている。
【００５４】
このとき、成膜材料Ｐ１及びＰ２は、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから放出されることで基板Ｋの下面にＹ方向に均一に蒸着される。
一方、成膜材料Ｐ１やＰ２よりも低濃度な成膜材料Ｐ３、Ｐ４は、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから放出されることで効率よく基板Ｋの下面に蒸着される。
更に、点状蒸着源部４Ａ，４ＢはＹ方向に往復移動しているため、成膜材料Ｐ３及びＰ４も、基板Ｋの下面に均一に蒸着されるようになっている。
また、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの移動速度は、基板Ｋの搬送速度に対して５倍となるように設定されているため、基板ＫのＸ方向にムラが発生するのが抑止され、均一に共蒸着されることとなる。
【００５５】
以上のように、本実施形態によれば、真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内において、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、Ｙ方向に延在するようにＸ方向に沿って並列に配され、基板Ｋに対して成膜材料Ｐ１、Ｐ２を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、Ｘ方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２より低濃度な成膜材料Ｐ３、Ｐ４を蒸気として噴出する点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂとから噴出された蒸気により共蒸着が行われる。
このため、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂによって、微量の成膜材料Ｐ３、Ｐ４の制御を行えるので、搬送される基板Ｋに対して均一に共蒸着を行うことができる。
即ち、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを組み合わせて用いることで、搬送される基板Ｋに対して均一に共蒸着を行うことができる。
【００５６】
特に、本実施形態によれば、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、基板Ｋの搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に往復移動可能であって、Ｙ方向に往復移動しながら蒸気を放出するようになっている。
このため、点状蒸着源部４Ａ，４ＢのＹ方向のムラがなくなり、搬送される基板Ｋに対して、より均一に共蒸着を行うことができる。
よって、蒸着装置１０自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。
【００５７】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００５８】
例えば、図７に示すように、点状蒸着源部４Ａ，４ＢのＹ方向の移動範囲を、基板Ｋの幅よりも広くすることとしても良い。
このようにすることで、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを、基板Ｋと対向するうちは一定速度で移動させ、基板Ｋの外側において減速・停止させ、逆方向に加速を開始するなどの制御を行うことが可能となる。よって、基板Ｋの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく、より均一に蒸着を行うことができる。
【００５９】
また、例えば、図８に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１と、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの蒸気噴出口４１とを、基板Ｋに対して傾斜させて設置することとしても良い。このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、１８０度より小さくする。
このようにすることで、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから噴出される成膜材料Ｐ３、Ｐ４と、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。
【００６０】
また、例えば、図９に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１の一部を遮蔽する遮蔽板３３を備えることとしても良い。このようにすることで、搬送される基板Ｋに濃度勾配をつけて蒸着することができる。
【００６１】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
なお、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
本実施形態の蒸着装置２０は、図１０に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上流側に、Ｘ方向に沿って並んで配される点状蒸着源部９Ａ，９Ｂを備え、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・を備えて構成されている。
複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・は、タイミング制御部（図示省略）により制御され、所定のタイミングで切り替わって、順次蒸気を噴出するようになっている。この場合、個々の蒸着源からの噴出量を時間で制御することが出来るため、蒸着源の蒸気噴出口９１と基板Ｋとの距離を近づけた場合でも蒸気を噴出させている時間を短くすることで蒸着量を減らすことが可能となる。更に、距離を短くしたことで材料使用効率も向上させることが可能となる。
このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと点状蒸着源部９Ａ，９Ｂとは、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び当該点状蒸着源部９Ａ，９Ｂから放出された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。
例えば、線状蒸着源３Ａと線状蒸着源３Ｂとの間隔、線状蒸着源３Ｂと点状蒸着源部９Ａとの間隔、及び点状蒸着源部９Ａと点状蒸着源部９Ｂとの間隔を、何れも５ｍｍの設定することにより、成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。
【００６３】
以上のように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・を備え、複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出する構成であるため、搬送される基板Ｋに対して、Ｙ方向に均一に共蒸着を行うことができる。
よって、蒸着装置２０自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。
【００６４】
なお、複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・の数は特に限定されるものではなく、基板Ｋの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく均一に蒸着を行うことができるように、基板Ｋの幅に合せて適宜設定される。
【００６５】
また、本実施形態においても、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１と、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの蒸気噴出口９１とを、基板Ｋに対して傾斜させ、このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度を、１８０度より小さくなるよう設置することとしても良い。
このようにすることで、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂから噴出される成膜材料Ｐ３、Ｐ４と、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。
【００６６】
［実施例］
以下、実施例により、本発明の蒸着装置について、比較対象例も含めて具体的に説明する。
【００６７】
＜有機ＥＬパネルの作製＞
（実施例１）
陽極として厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１１０ｎｍの厚さで成膜した支持基板にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明支持基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、透明支持基板を移動させながら下記の化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【化９】
【００６８】
次いで、図３、４に示す蒸着装置を用い、上記支持基板を１ｍ／ｍｉｎの搬送速度で移動させながら、下記の化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）、化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）、及び化合物Ｈ−１（ホスト化合物）を、化合物Ａ−１、Ａ−２はポイントソースを用いて、膜厚に依存することなく各々０．２重量％の濃度になるように蒸着速度が０．０２ｎｍ・ｍ／ｍｉｎで蒸着を行い、化合物Ａ−３、Ｈ−１はラインソースを用いて、それぞれ３５重量％、９４．６重量％になるように蒸着速度を固定させて蒸着し、厚さ７０ｎｍになるよう共蒸着し発光層を形成した。
【化１０】
【００６９】
なお、各蒸発物のレート測定は水晶振動子を用いて実施した。ラインソースの端部からも気化した蒸気を噴射出来る構造にして端部に設置した振動子を用いて蒸着速度の測定を実施した。また、ポイントソースの蒸発速度の測定は、ポイントソースと追随するように動く振動子を設置することで実施した。ラインソース及びポイントソースは蒸着を行っている最中も蒸発速度をモニターすることが可能で、蒸発速度変動があった場合には坩堝温度にフィードバックすることで蒸発速度を一定に保った状態での成膜を実施した。
【００７０】
その後、市販の真空蒸着装置を用い、下記の化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍに蒸着して電子輸送層を形成し、更に陰極バッファー層としてＫＦを厚さ２ｎｍで形成した。更に、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
【化１１】
【００７１】
次いで、上記有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、図１、２に示す構成からなる有機ＥＬパネルを作製した。
ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。 なお、ガラスカバー内には窒素ガスを充填し、捕水剤を設けた。
【００７２】
（実施例２）
実施例２は、図９に示す蒸着装置を用い、ラインソースの蒸気噴出口を遮蔽板で覆い隠すことにより、化合物Ｈ−１を６４．６重量％から９４．６重量％になるように濃度勾配をつけ、化合物Ａ−３が膜厚に対し線形に３５重量％から５重量％になるように濃度勾配をつけて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７３】
（比較例１）
比較例１は、図３、４に示す蒸着装置のポイントソースが支持基板中央の位置で固定されたまま動かない状態としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７４】
（比較例２）
比較例２は、図３、４に示す蒸着装置のポイントソースの移動範囲を支持基板幅以下としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７５】
（比較例３）
比較例３は、図３、４に示す蒸着装置のラインソースとポイントソースの間の間隔が大きく、噴出された蒸気同士が互いに重なりあうことのないように各ソースを設置したものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７６】
＜有機ＥＬパネルの評価＞
上記した実施例１、２及び比較例１〜３において作製した有機ＥＬパネルについて、下記の手法を用いて評価を行った。その評価結果は表１に示す。
【００７７】
（ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる濃度評価）
ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる濃度測定として、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製の飛行時間型２次イオン質量分析計ＴＲＩＦＴ２を用い、１次イオンとして加速電圧２５ｋＶのＩｎイオン（ビーム電流は２ｎＡ）を用いて、発光層の陽極側端部から陰極側端部までの各材料の濃度を測定した。
測定の結果、設定値に対して、±５％以内になっていれば○、それ以外の範囲は×として評価した。
【００７８】
（輝度ムラ・色度ムラの評価）
輝度ムラ・色度ムラの評価として、作製した有機ＥＬパネルを２５Ａ／ｍ２の一定電流値で駆動し、発光面を正面から目視し、輝度ムラ及び色度ムラの観察を行った。
観察の結果、輝度ムラ、色度ムラが無かった場合には○、輝度ムラ、色度ムラが有る場合には×として評価した。
【００７９】
（色度変動幅の評価）
色度変動幅の評価として、正面輝度３００ｃｄ／ｍ２〜１５００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１色度座標における、ｘ、ｙ値の変動最大距離ΔＥ（下式）を算出した。
ΔＥ＝（Δｘ２＋Δｙ２）１／２
算出の結果、有機ＥＬパネルの変動最大距離ΔＥが０．０１未満である場合を○、それ以外の領域では×としとして評価した。
【００８０】
＜結果＞
【表１】
【００８１】
比較例１は、支持基板中央部の輝度は高く、端部に近づくにつれて輝度の低下がみられたため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例１は、変動最大距離ΔＥが０．０６であったため、色度変動幅の評価は×である。
比較例２は、支持基板巾手で輝度ムラが発生したため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例２は、変動最大距離ΔＥが０．１であったため、色度変動幅の評価は×である。
比較例３は、輝度・色度共に他の比較例・実施例に対して低く、製品スペックを満たしていないため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例３は、変動最大距離ΔＥが０．０５であったため、色度変動幅の評価は×である。
【符号の説明】
【００８２】
１０、２０ 蒸着装置
１ 真空容器
１１ 真空ポンプ
２ 搬送手段
２１ 巻出部
２２ 巻取部
３Ａ，３Ｂ 線状蒸着源
３１ 蒸気噴出口
３２ ヒータ
３３ 遮蔽板
４Ａ，４Ｂ 点状蒸着源部
４１ 蒸気噴出口
４２ ヒータ
４３ 駆動機構
７，７ 膜厚モニター
８，８ 膜厚モニター
９Ａ，９Ｂ 点状蒸着源部
９ａ・・・，９ｂ・・・ 点状蒸着源
９１ 蒸気噴出口
Ｋ 基板
Ｐ１-Ｐ４ 成膜材料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種情報産業機器の表示ディスプレイや発光素子等においては、薄型化が図られるとともに視認性や耐衝撃性等に優れることから、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）の利用が進んでいる。有機ＥＬ素子は、基板上に一対の電極に挟持された有機層を備えた構成を有している。有機層は、機能の異なる複数の層が積層されたものであり、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層等を備えた構成である。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子の有機層は、例えば、蒸着法により成膜される。一般に、蒸着による成膜は、成膜材料である有機材料を坩堝等の容器内に収容し、真空状態で容器ごとに加熱して有機材料を蒸発させることにより行われる。
【０００４】
ここで、有機層の発光層は、発光剤となる有機化合物（ホスト）中に、発色剤となる有機化合物（ドーパント）が分散された構成である。しかしながら、ドーパントの発光層中の含有量は微量であり、ドーパントを発光層中に均一に分散させることは困難である。
そこで、例えば、特許文献１には、多量のホストを気化させるリング状の蒸着源の中央に、微量なドーパントを気化させるポイントソースを設置し、基板にドーパントを均一に蒸着させる装置が開示されている。
また、例えば、特許文献２には、ホスト材料の蒸着源及びゲスト材料（ドーパント）の蒸着源と、基板との間に遮蔽版を設け、基板及び遮蔽版を回転させる装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１３９５２号公報
【特許文献２】特開２００３−１９３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１、２の装置は、何れも固定された基板に用いることを想定したものである。従って、例えば、ロール・ツー・ロール装置などで搬送される基板に適用した場合、均一に蒸着することが難しいという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、
真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、
前記真空容器内に、
前記基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、
前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、
を備え、
前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、搬送方向に沿って並んで配され、基板に対して複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、を備え、複数の線状蒸着源と、複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われる。
このため、複数の点状蒸着源部によって、微量の成膜材料の制御を行えるので、搬送される基材に対して均一に共蒸着を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。
【図３】第１実施形態の蒸着装置における基板と２種類の蒸着源とを示す平面図である。
【図４】図４の蒸着装置の基板と２種類の蒸着源とを示す斜視図である。
【図５】点状蒸着源部の往復移動による作用を説明するための図である。
【図６】点状蒸着源部の往復移動における軌跡を示す図である。
【図７】点状蒸着源部の移動範囲の変形例を示すための図である。
【図８】線状蒸着源、点状蒸着源部の設置方法の変形例を示すための図である。
【図９】線状蒸着源に遮蔽板を備えた状態を示すための図である。
【図１０】第２実施形態の蒸着装置における基板と２種類の蒸着源とを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
【００１２】
［第１実施形態］
【００１３】
（１．有機ＥＬ素子）
先ず、有機ＥＬ素子について説明する。
【００１４】
有機ＥＬ素子１００は、図１、２に示すように、支持基板１０１上に、陽極１０２、有機層１０３、陰極１０４が順次設けられた構成である。有機ＥＬ素子１００の非発光面となる上面は、ガラスカバー１０５で覆われ、このように有機ＥＬ素子１００をガラスカバー１０５で覆った状態を有機ＥＬパネルという。なお、ガラスカバー１０５内には窒素ガス１０６が充填され、捕水剤１０７が設けられている。
【００１５】
陽極１０２と陰極１０４との間の有機層１０３は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、有機層１０３の代表的な層構成としては、例えば、以下の（ｉ）〜（ｖ）の構成が挙げられる。
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
【００１６】
（１−１．発光層）
本実施形態における発光層は、後述の蒸着装置１０を用いた真空蒸着法により製膜して形成されるものである。
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下の範囲に調整される。
また、発光層は、いずれも燐光発光性の青色発光ドーパント、緑色発光ドーパント及び赤色発光ドーパントと、ホスト化合物と、を含有することが好ましい。
以下、各発光ドーパント及びホスト化合物について説明する。
【００１７】
（１−１−１．青色発光ドーパント）
青色発光ドーパントは、下記一般式（Ａ）〜（Ｃ）から選ばれる少なくとも１つの部分構造を有することが好ましい。
【化１】
前記一般式（Ａ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃは各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【化２】
また、前記一般式（Ｂ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｂ１、Ｒｃ１は各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【化３】
また、前記一般式（Ｃ）において、Ｒａは水素原子、脂肪族基、芳香族基または複素環基を表し、Ｒｂ、Ｒｃは各々水素原子または置換基を表し、Ａ１は芳香族環または芳香族複素環を形成するのに必要な残基を表し、ＭはＩｒまたはＰｔを表す。
【００１８】
一般式（Ａ）〜（Ｃ）の構造は部分構造であり、それ自身が完成構造の発光ドーパントとなるには、中心金属の価数に対応した配位子が必要である。
一般式（Ａ）〜（Ｃ）において、ＭはＩｒ、Ｐｔを表し、特にＩｒが好ましい。また一般式（Ａ）〜（Ｃ）の部分構造３個で完成構造となるトリス体が好ましい。
【００１９】
以下、本実施形態に係る発光ドーパントの前記一般式（Ａ）〜（Ｃ）の部分構造を持つ化合物を例示するが、これらに限定されるものではない。
本実施形態において、青色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、以下の化合物（１−１）〜（１−１０）が挙げられる。
【化４】
【００２０】
（１−１−２．緑色発光ドーパント）
本実施形態において、緑色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化５】
【００２１】
（１−１−３．赤色発光ドーパント）
本実施形態において、赤色発光ドーパントとして好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化６】
【００２２】
（１−１−４．ホスト化合物）
ホスト化合物とは、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が、０．１未満の化合物であることが好ましく、更に好ましくは燐光量子収率が０．０１未満の化合物である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０質量％以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、ホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。
本実施形態に用いられる発光ホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。
【００２３】
本実施形態に係る発光層に用いられる発光ホスト化合物としては、下記一般式（ａ）で表される化合物が好ましい。
【化７】
一般式（ａ）において、Ｘは、ＮＲ′、Ｏ、Ｓ、ＣＲ′Ｒ″またはＳｉＲ′Ｒ″を表し、Ｒ′、Ｒ″は各々水素原子または置換基を表す。Ａｒは芳香環を表す。ｎは０から８の整数を表す。
Ｘとして好ましく用いられるのは、ＮＲ′またはＯであり、Ｒ′としては芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が特に好ましい。
一般式（ａ）において、Ａｒで表される芳香環としては、芳香族炭化水素環または芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、後述するような置換基を有していてもよい。
Ａｒで表される芳香環として好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、特に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環である。上記の中でも、置換基を有するベンゼン環が好ましく、特に好ましくは、カルバゾリル基を有するベンゼン環が好ましい。
ここで、一般式（ａ）において、Ａｒで表される芳香環が有してもよい置換基は、Ｒ′、Ｒ″で、各々表される置換基と同義である。
また、一般式（ａ）において、ｎは０〜８の整数を表すが、０〜２であることが好ましく、特にＸがＯ、Ｓである場合には１または２であることが好ましい。
また、本発明に用いるホスト化合物は、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【００２４】
ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
本実施形態においては、複数の発光層を有する場合には、ホスト化合物は発光層ごとに異なっていてもよいが、同一の化合物であることが優れた駆動寿命特性が得られることから好ましい。
また、前記ホスト化合物は、その最低励起３重項エネルギー（Ｔ1）が、２．７ｅＶより大きいことがより高い発光効率を得られることから好ましい。本発明でいう最低励起３重項エネルギーとは、ホスト化合物を溶媒に溶解し、液体窒素温度において観測した燐光発光スペクトルの最低振動バンド間遷移に対応する発光バンドのピークエネルギーを言う。
本実施形態においては、ガラス転移点が９０℃以上の化合物が好ましく、更には１３０℃以上の化合物が優れた駆動寿命特性を得られることから好ましい。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
本実施形態の有機ＥＬ素子においては、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は、一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は、正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすい為、中間層材料、ホスト材料は、移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。
本実施形態において、ホスト化合物として好適に用いられる化合物としては、次の化合物が挙げられる。
【化８】
【００２５】
（１−２．注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層は必要に応じて設けることができ、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設ける層のことで、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
陽極バッファー層（正孔注入層）としては、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層（電子注入層）としては、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、使用する素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００２６】
（１−３．阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。
本実施形態の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。
正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、特に制限はないが、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００２７】
（１−４．正孔輸送層）
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
正孔輸送材料として好ましく用いられるのは、より高効率の発光素子が得られることから、いわゆるｐ型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料である。
正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００２８】
（１−５．電子輸送層）
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
電子輸送材料として好ましく用いられるのは、より低消費電力の素子が得られることから、不純物をドープしたｎ型半導体的性質を有するとされる電子輸送材料である。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００２９】
（１−６．支持基板）
本実施形態の有機ＥＬ素子１００に適用する支持基板１０１としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基板１０１側から光を取り出す場合には、支持基板は１０１透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板１０１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板１０１は、有機ＥＬ素子１００にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度が、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９９２に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度が、１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが、更に好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。
不透明な支持基板１００としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属基板や不透明樹脂フィルム、セラミック基板等が挙げられる。
【００３０】
（１−７．封止）
有機ＥＬ素子１００の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板１０１とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
ガラス、ポリマー、金属等からなる封止部材が有機ＥＬ素子１００を覆うように配置されておればよく、封止部材は凹板状でも、平板状でもよい。凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。また、封止部材の透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
有機ＥＬ素子１００を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルム（金属箔）を好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、酸素透過度１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが、更に好ましい。
接着剤として、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、湿気硬化型接着剤、熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子１００が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。接着剤は、ディスペンサーによる塗工やスクリーン印刷やラミネート等により、封止部材に形成することができる。
【００３１】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができる。
封止部材と有機ＥＬ素子との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【００３２】
（１−８．保護膜、保護板）
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止部材に用いたのと同様の材料を用いることができる。
【００３３】
（１−９．陽極）
有機ＥＬ素子１００における陽極１０２としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００３４】
（１−１０．陰極）
有機ＥＬ素子１００における陰極１０４としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００３５】
（２．有機ＥＬ素子の作製方法）
次に、上記構成を有する有機ＥＬ素子１００の作製方法について説明する。
なお、上述したように、有機層１０３は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能であるが、ここでは、一例として、陽極１０２と陰極１０４との間に、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層からなる有機層１０３を備えた有機ＥＬ素子１００の作製法について説明する。
【００３６】
まず適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。
【００３７】
次に、この上に、有機ＥＬ素子材料である陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層の有機化合物薄膜を順次形成する。
この有機化合物薄膜のうち発光層の形成方法としては、後述の蒸着装置１０による真空蒸着法が用いられる。
また、発光層以外の各層の形成方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）、スプレー法、印刷法、スロット型コータ法）等の公知の方法が用いられるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スロット型コータ法が特に好ましい。更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。
【００３８】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子１００が得られる。
【００３９】
なお、作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファー層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【００４０】
（３．蒸着装置）
次に、蒸着装置１０について説明する。
蒸着装置１０は、上述したように、例えば、有機ＥＬ素子１００における有機層１０３の発光層などを形成する場合に好適に用いられるものであり、真空中を搬送される基板Ｋに対して、複数の蒸着源から放出した蒸気により共蒸着を行う真空蒸着装置である。
ここで、基板Ｋとは、有機ＥＬ素子１００の発光層の形成前まで作製された積層体を示している。具体的には、基板Ｋとは、例えば、支持基板１０１上に陽極１０２を設けたもの、支持基板１０１上に陽極１０２及び正孔注入層を設けたもの、支持基板１０１上に陽極１０２、正孔注入層、及び正孔輸送層を設けたもの等である。
また、本実施形態における基板Ｋは、薄く長尺な帯状に形成されたものであるが、ロール状に巻き取られた形で使用される。基板Ｋの幅や長さ等は、作製する有機ＥＬパネル等の大きさに応じて適宜設定される。
なお、以下の説明において、基板Ｋの搬送方向をＸ方向とし、基板Ｋの搬送方向と直交する方向（基板Ｋの幅方向）をＹ方向とする。
【００４１】
蒸着装置１０は、図３、４に示すように、真空容器１、搬送手段２、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂ、膜厚モニター７，７、膜厚モニター８，８等を備えて構成されている。
【００４２】
（３−１．真空容器）
真空容器１は、例えば、上面の開口した容器本体及び当該開口を塞ぐ蓋体（何れも図示せず）を備えており、蓋体を脱着して基板Ｋや各蒸着源に収容される成膜材料Ｐ１〜Ｐ４の出し入れが行われる。
また、真空容器１には、真空ポンプ１１が接続されており、真空容器１は、蒸着に際してこの真空ポンプ１１により内部が真空排気され、真空状態が保たれるようになっている。
真空度は、成膜材料の種類により異なるが、例えば、１０−２〜１０−７Ｐａである。
【００４３】
（３−２．搬送手段）
搬送手段２は、真空容器１の内部上方に設置され、ロール・ツー・ロール方式と称される手法にてロール状の基板Ｋを搬送するものである。
具体的に、搬送手段２は、搬送経路の上流端に配置された巻出部２１と、搬送経路の下流端に配置された巻取部２２とを有し、巻出部２１から基板Ｋを繰り出して搬送し、搬送されてきた基板Ｋを巻取部２２により巻き取るようになっている。
基板Ｋは、巻出部２１と巻取部２２との間を、一定の張力が維持された状態で一定速度で搬送され、巻出部２１から巻取部２２まで搬送される間に、下方に設置された線状蒸着源３Ａ，３Ｂ、及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから噴出される蒸気によって、共蒸着が施されるようになっている。
なお、基板Ｋの搬送速度は、例えば、１ｍ／ｍｉｎに設定されている。
【００４４】
（３−３．線状蒸着源）
線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、ラインソースとも称されるもので、真空容器１の内部の底面付近において、Ｙ方向に延在するようにＸ方向に沿って並列に配されている。
この線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、搬送される基板Ｋに対して、基板Ｋの下面側から成膜材料Ｐ１及びＰ２をそれぞれ蒸気として噴出するものである。
具体的には、線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、どちらもＹ方向に延在する長尺な容器であり、その上面にＹ方向に延在する長尺な蒸気噴出口３１を有している。
この線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Ｋの表面（下面）に蒸着させる成膜材料Ｐ１、Ｐ２がそれぞれ収容されている。また、線状蒸着源３Ａ，３Ｂには、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂを加熱するためのヒータ３２が備えられており、ヒータ３２は、ヒータ制御部（図示省略）の制御に応じて通電して、線状蒸着源３Ａ，３Ｂを一定の温度にまで加熱する。
これにより、成膜材料Ｐ１、Ｐ２は蒸発または昇華し、それぞれの蒸気噴出口３１から基板Ｋに対して蒸気が放出される。
基板Ｋは、このような線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上方をＸ方向に通過する際に、Ｙ方向に均一に成膜材料Ｐ１、Ｐ２が蒸着されることとなる。そして、基板Ｋが搬送されるにつれて、基板Ｋの下面全体に成膜材料Ｐ１、Ｐ２の薄膜が形成される。
なお、線状蒸着源３Ａ，３Ｂは、上記構成以外にも、例えば、複数の点状蒸着源が一列に並んで構成されたものであっても良い。
【００４５】
（３−４．点状蒸着源部）
点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上流側に、Ｘ方向に沿って並んで配されている。
本実施形態においては、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って往復移動可能な一の点状蒸着源を備えて構成されている。点状蒸着源は、ポイントソースとも称されるものである。
この点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、搬送される基板Ｋに対して、基板Ｋの下面側から成膜材料Ｐ３及びＰ４を蒸気として噴出するものである。点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、その形状から、少量の成膜材料を効率良く蒸発させることが可能である。
具体的には、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、その上面に蒸気噴出口４１を有する点状の容器である。点状蒸着源部４Ａ，４Ｂも、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと同様に、例えば、タンタルやタングステンなどの高融点金属などによって形成され、その内部に、基板Ｋの表面（下面）に蒸着させる成膜材料Ｐ３、Ｐ４が収容されている。また、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂには、当該点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを加熱するためのヒータ４２が備えられており、ヒータ４２は、ヒータ制御部（図示省略）の制御に応じて通電して、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを一定の温度にまで加熱する。
これにより、成膜材料Ｐ３、Ｐ４は蒸発または昇華し、蒸気噴出口４１から基板Ｋに対して蒸気が噴出される。
【００４６】
かかる点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、上記したように、それぞれ、Ｙ方向に往復移動可能に構成されている。具体的に、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの各々には、駆動制御部（図示省略）の制御によって駆動する駆動機構４３が備えられ、駆動機構４３の駆動に応じてＹ方向に往復移動する。
これにより、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、それぞれ、Ｙ方向に往復移動しながら蒸気を噴出するようになっている。
これは、図５（ａ）に示すように、蒸気噴出口４１からの距離がより短い箇所が基板Ｋにおける蒸着量が多くなってしまうという点状蒸着源部における欠点を改善するためのものであって、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを往復移動させることで、図５（ｂ）に示すように、基板Ｋの幅方向（Ｙ方向）のムラをなくし、均一に蒸着することを可能としている。
【００４７】
このとき、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの移動速度は、例えば、基板Ｋの搬送速度に対して、５倍となるように設定されている。この範囲内の移動速度であれば、例えば、図６に示すように、基板Ｋの幅方向に対して、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂが一定の軌跡（図６中の破線）を描くように成膜材料Ｐ３、Ｐ４の蒸着が行われ、基板Ｋの搬送速度に対してムラがでることなく、均一な蒸着を行うことができる。
【００４８】
また、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと点状蒸着源部４Ａ，４Ｂとは、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び当該点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから放出された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。
例えば、線状蒸着源３Ａと線状蒸着源３Ｂとの間隔、線状蒸着源３Ｂと点状蒸着源部４Ａとの間隔、及び点状蒸着源部４Ａと点状蒸着源部４Ｂとの間隔を、何れも５ｍｍの設定することにより、成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。
【００４９】
膜厚モニター７，７は、例えば水晶振動子であり、それぞれ線状蒸着源３Ａの端部及び線状蒸着源３Ｂの端部に設置されている。
線状蒸着源３Ａ，３Ｂにおいて膜厚モニター７，７の設置された端部は、気化した蒸気を噴出出来る構造となっており、膜厚モニター７，７は、当該膜厚モニター７，７に付着した材料の膜厚を計測する。
膜厚モニター７，７には、モニター制御部（図示省略）が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター７，７により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ３２の出力が制御され、これにより、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの成膜材料Ｐ１、Ｐ２の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。
【００５０】
膜厚モニター８，８は、例えば水晶振動子であり、それぞれ点状蒸着源部４Ａ及び点状蒸着源部４Ｂに追随して動くようになっており、当該膜厚モニター８，８に付着した材料の膜厚を計測する。
膜厚モニター８，８には、モニター制御部（図示省略）が接続されており、モニター制御部は、膜厚モニター８，８により計測した膜厚を成膜速度に換算し、これをヒータ制御部にフィードバックするようになっている。従って、成膜速度に変化があった場合には、ヒータ４２の出力が制御され、これにより、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂからの成膜材料Ｐ３、Ｐ４の蒸発量が一定に保たれ、成膜速度も一定に保たれるようになっている。
【００５１】
なお、基板Ｋと４つの蒸着源との間に、シャッター（図示省略）を設置することとしても良い。かかるシャッターは、制御装置（図示省略）からの指示信号に基づき開閉を行うものである。具体的には、シャッターは、膜厚モニター７，７、８，８による測定値が所望の一定値になるまで閉鎖され、当該所望の一定値となったところで開放される。シャッターが開放されると、蒸着が開始される。
【００５２】
成膜材料Ｐ１及びＰ２は、それぞれ線状蒸着源３Ａ及び線状蒸着源３Ｂから噴出される。具体的には、成膜材料Ｐ１及びＰ２は、例えば、発光層中に高濃度で存在する有機材料であって、上述した青色発光ドーパントやホスト化合物が挙げられる。
また、成膜材料Ｐ３及びＰ４は、それぞれ点状蒸着源部４Ａ及び点状蒸着源部４Ｂから噴出される。具体的には、成膜材料Ｐ３及びＰ４は、例えば、発光層中に成膜材料Ｐ１及びＰ２よりも低濃度で存在する有機材料であって、上述した緑色発光ドーパントや赤色発光ドーパントが挙げられる。
【００５３】
（３−５．蒸着方法）
次に、蒸着装置１０による蒸着方法について説明する。
本実施形態の蒸着装置１０は、ロール・ツー・ロール方式によって搬送される長尺な基板Ｋに、２種類の蒸着源を用いて共蒸着する装置である。
蒸着を実施する場合、最初に真空ポンプ１１を稼動して真空容器１の内部を真空とする。
そして、ヒータ３２、４２によって、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを一定の温度にまで加熱すると、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの内部に収容された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４は、所定の温度にまで加熱され、蒸発または昇華して蒸気流が発生し、この蒸気流が各蒸気噴出口３１、４１から抜け出て、上方を搬送されている基板Ｋの表面（下面）に共蒸着による薄膜が形成されるようになっている。
【００５４】
このとき、成膜材料Ｐ１及びＰ２は、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから放出されることで基板Ｋの下面にＹ方向に均一に蒸着される。
一方、成膜材料Ｐ１やＰ２よりも低濃度な成膜材料Ｐ３、Ｐ４は、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから放出されることで効率よく基板Ｋの下面に蒸着される。
更に、点状蒸着源部４Ａ，４ＢはＹ方向に往復移動しているため、成膜材料Ｐ３及びＰ４も、基板Ｋの下面に均一に蒸着されるようになっている。
また、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの移動速度は、基板Ｋの搬送速度に対して５倍となるように設定されているため、基板ＫのＸ方向にムラが発生するのが抑止され、均一に共蒸着されることとなる。
【００５５】
以上のように、本実施形態によれば、真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内において、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、Ｙ方向に延在するようにＸ方向に沿って並列に配され、基板Ｋに対して成膜材料Ｐ１、Ｐ２を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、Ｘ方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２より低濃度な成膜材料Ｐ３、Ｐ４を蒸気として噴出する点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂとから噴出された蒸気により共蒸着が行われる。
このため、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂによって、微量の成膜材料Ｐ３、Ｐ４の制御を行えるので、搬送される基板Ｋに対して均一に共蒸着を行うことができる。
即ち、線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを組み合わせて用いることで、搬送される基板Ｋに対して均一に共蒸着を行うことができる。
【００５６】
特に、本実施形態によれば、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂは、基板Ｋの搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に往復移動可能であって、Ｙ方向に往復移動しながら蒸気を放出するようになっている。
このため、点状蒸着源部４Ａ，４ＢのＹ方向のムラがなくなり、搬送される基板Ｋに対して、より均一に共蒸着を行うことができる。
よって、蒸着装置１０自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。
【００５７】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００５８】
例えば、図７に示すように、点状蒸着源部４Ａ，４ＢのＹ方向の移動範囲を、基板Ｋの幅よりも広くすることとしても良い。
このようにすることで、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂを、基板Ｋと対向するうちは一定速度で移動させ、基板Ｋの外側において減速・停止させ、逆方向に加速を開始するなどの制御を行うことが可能となる。よって、基板Ｋの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく、より均一に蒸着を行うことができる。
【００５９】
また、例えば、図８に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１と、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂの蒸気噴出口４１とを、基板Ｋに対して傾斜させて設置することとしても良い。このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、１８０度より小さくする。
このようにすることで、点状蒸着源部４Ａ，４Ｂから噴出される成膜材料Ｐ３、Ｐ４と、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。
【００６０】
また、例えば、図９に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１の一部を遮蔽する遮蔽板３３を備えることとしても良い。このようにすることで、搬送される基板Ｋに濃度勾配をつけて蒸着することができる。
【００６１】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
なお、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
本実施形態の蒸着装置２０は、図１０に示すように、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの上流側に、Ｘ方向に沿って並んで配される点状蒸着源部９Ａ，９Ｂを備え、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・を備えて構成されている。
複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・は、タイミング制御部（図示省略）により制御され、所定のタイミングで切り替わって、順次蒸気を噴出するようになっている。この場合、個々の蒸着源からの噴出量を時間で制御することが出来るため、蒸着源の蒸気噴出口９１と基板Ｋとの距離を近づけた場合でも蒸気を噴出させている時間を短くすることで蒸着量を減らすことが可能となる。更に、距離を短くしたことで材料使用効率も向上させることが可能となる。
このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと点状蒸着源部９Ａ，９Ｂとは、当該線状蒸着源３Ａ，３Ｂ及び当該点状蒸着源部９Ａ，９Ｂから放出された成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合う程度に近接して配置されることが好ましい。
例えば、線状蒸着源３Ａと線状蒸着源３Ｂとの間隔、線状蒸着源３Ｂと点状蒸着源部９Ａとの間隔、及び点状蒸着源部９Ａと点状蒸着源部９Ｂとの間隔を、何れも５ｍｍの設定することにより、成膜材料Ｐ１〜Ｐ４が基板Ｋ上で重なり合わせることができ、均一な共蒸着が行えるようになっている。
【００６３】
以上のように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの各々は、Ｙ方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・を備え、複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出する構成であるため、搬送される基板Ｋに対して、Ｙ方向に均一に共蒸着を行うことができる。
よって、蒸着装置２０自体を大型化することなく、材料効率の良い蒸着を行うことができる。
【００６４】
なお、複数の点状蒸着源９ａ・・・，９ｂ・・・の数は特に限定されるものではなく、基板Ｋの幅方向の中央部と両端部とでムラがなく均一に蒸着を行うことができるように、基板Ｋの幅に合せて適宜設定される。
【００６５】
また、本実施形態においても、線状蒸着源３Ａ，３Ｂの蒸気噴出口３１と、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂの蒸気噴出口９１とを、基板Ｋに対して傾斜させ、このとき、線状蒸着源３Ａ，３Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線と、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂからの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度を、１８０度より小さくなるよう設置することとしても良い。
このようにすることで、点状蒸着源部９Ａ，９Ｂから噴出される成膜材料Ｐ３、Ｐ４と、線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料Ｐ１、Ｐ２とが重なり合う部分を、傾斜させない場合と比較して拡大させることができる。
【００６６】
［実施例］
以下、実施例により、本発明の蒸着装置について、比較対象例も含めて具体的に説明する。
【００６７】
＜有機ＥＬパネルの作製＞
（実施例１）
陽極として厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１１０ｎｍの厚さで成膜した支持基板にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明支持基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、透明支持基板を移動させながら下記の化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【化９】
【００６８】
次いで、図３、４に示す蒸着装置を用い、上記支持基板を１ｍ／ｍｉｎの搬送速度で移動させながら、下記の化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）、化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）、及び化合物Ｈ−１（ホスト化合物）を、化合物Ａ−１、Ａ−２はポイントソースを用いて、膜厚に依存することなく各々０．２重量％の濃度になるように蒸着速度が０．０２ｎｍ・ｍ／ｍｉｎで蒸着を行い、化合物Ａ−３、Ｈ−１はラインソースを用いて、それぞれ３５重量％、９４．６重量％になるように蒸着速度を固定させて蒸着し、厚さ７０ｎｍになるよう共蒸着し発光層を形成した。
【化１０】
【００６９】
なお、各蒸発物のレート測定は水晶振動子を用いて実施した。ラインソースの端部からも気化した蒸気を噴射出来る構造にして端部に設置した振動子を用いて蒸着速度の測定を実施した。また、ポイントソースの蒸発速度の測定は、ポイントソースと追随するように動く振動子を設置することで実施した。ラインソース及びポイントソースは蒸着を行っている最中も蒸発速度をモニターすることが可能で、蒸発速度変動があった場合には坩堝温度にフィードバックすることで蒸発速度を一定に保った状態での成膜を実施した。
【００７０】
その後、市販の真空蒸着装置を用い、下記の化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍに蒸着して電子輸送層を形成し、更に陰極バッファー層としてＫＦを厚さ２ｎｍで形成した。更に、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
【化１１】
【００７１】
次いで、上記有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、図１、２に示す構成からなる有機ＥＬパネルを作製した。
ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。 なお、ガラスカバー内には窒素ガスを充填し、捕水剤を設けた。
【００７２】
（実施例２）
実施例２は、図９に示す蒸着装置を用い、ラインソースの蒸気噴出口を遮蔽板で覆い隠すことにより、化合物Ｈ−１を６４．６重量％から９４．６重量％になるように濃度勾配をつけ、化合物Ａ−３が膜厚に対し線形に３５重量％から５重量％になるように濃度勾配をつけて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７３】
（比較例１）
比較例１は、図３、４に示す蒸着装置のポイントソースが支持基板中央の位置で固定されたまま動かない状態としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７４】
（比較例２）
比較例２は、図３、４に示す蒸着装置のポイントソースの移動範囲を支持基板幅以下としたものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７５】
（比較例３）
比較例３は、図３、４に示す蒸着装置のラインソースとポイントソースの間の間隔が大きく、噴出された蒸気同士が互いに重なりあうことのないように各ソースを設置したものを用いて発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
次いで、作製した有機ＥＬ素子の非発光面をガラスカバーで覆い、有機ＥＬパネルを作製した。
【００７６】
＜有機ＥＬパネルの評価＞
上記した実施例１、２及び比較例１〜３において作製した有機ＥＬパネルについて、下記の手法を用いて評価を行った。その評価結果は表１に示す。
【００７７】
（ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる濃度評価）
ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる濃度測定として、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製の飛行時間型２次イオン質量分析計ＴＲＩＦＴ２を用い、１次イオンとして加速電圧２５ｋＶのＩｎイオン（ビーム電流は２ｎＡ）を用いて、発光層の陽極側端部から陰極側端部までの各材料の濃度を測定した。
測定の結果、設定値に対して、±５％以内になっていれば○、それ以外の範囲は×として評価した。
【００７８】
（輝度ムラ・色度ムラの評価）
輝度ムラ・色度ムラの評価として、作製した有機ＥＬパネルを２５Ａ／ｍ２の一定電流値で駆動し、発光面を正面から目視し、輝度ムラ及び色度ムラの観察を行った。
観察の結果、輝度ムラ、色度ムラが無かった場合には○、輝度ムラ、色度ムラが有る場合には×として評価した。
【００７９】
（色度変動幅の評価）
色度変動幅の評価として、正面輝度３００ｃｄ／ｍ２〜１５００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１色度座標における、ｘ、ｙ値の変動最大距離ΔＥ（下式）を算出した。
ΔＥ＝（Δｘ２＋Δｙ２）１／２
算出の結果、有機ＥＬパネルの変動最大距離ΔＥが０．０１未満である場合を○、それ以外の領域では×としとして評価した。
【００８０】
＜結果＞
【表１】
【００８１】
比較例１は、支持基板中央部の輝度は高く、端部に近づくにつれて輝度の低下がみられたため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例１は、変動最大距離ΔＥが０．０６であったため、色度変動幅の評価は×である。
比較例２は、支持基板巾手で輝度ムラが発生したため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例２は、変動最大距離ΔＥが０．１であったため、色度変動幅の評価は×である。
比較例３は、輝度・色度共に他の比較例・実施例に対して低く、製品スペックを満たしていないため、輝度・色度ムラの評価は×である。また、比較例３は、変動最大距離ΔＥが０．０５であったため、色度変動幅の評価は×である。
【符号の説明】
【００８２】
１０、２０ 蒸着装置
１ 真空容器
１１ 真空ポンプ
２ 搬送手段
２１ 巻出部
２２ 巻取部
３Ａ，３Ｂ 線状蒸着源
３１ 蒸気噴出口
３２ ヒータ
３３ 遮蔽板
４Ａ，４Ｂ 点状蒸着源部
４１ 蒸気噴出口
４２ ヒータ
４３ 駆動機構
７，７ 膜厚モニター
８，８ 膜厚モニター
９Ａ，９Ｂ 点状蒸着源部
９ａ・・・，９ｂ・・・ 点状蒸着源
９１ 蒸気噴出口
Ｋ 基板
Ｐ１-Ｐ４ 成膜材料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、
前記真空容器内に、
前記基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、
前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、
を備え、
前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って往復移動可能な点状蒸着源を備え、
前記点状蒸着源は、前記直交方向に往復移動するとともに蒸気を噴出することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記点状蒸着源の前記直交方向の移動範囲は、前記基板の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源を備え、
前記複数の点状蒸着源は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記線状蒸着源の蒸気噴出口と、前記点状蒸着源部の蒸気噴出口とは、前記基板に対して傾斜しており、
前記線状蒸着源からの蒸気の噴出方向と直交する線と、前記点状蒸着源部からの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、１８０度より小さいことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記線状蒸着源の蒸気噴出口の一部を遮蔽する遮蔽板が備えられることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の蒸着装置。
【請求項１】
真空容器内で基板上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置において、
前記真空容器内に、
前記基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の搬送方向と直交する直交方向に延在するよう前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して成膜材料を蒸気として噴出する複数の線状蒸着源と、
前記搬送方向に沿って並んで配され、前記基板に対して前記複数の線状蒸着源から噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部と、
を備え、
前記複数の線状蒸着源と、前記複数の点状蒸着源部と、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って往復移動可能な点状蒸着源を備え、
前記点状蒸着源は、前記直交方向に往復移動するとともに蒸気を噴出することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記点状蒸着源の前記直交方向の移動範囲は、前記基板の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記点状蒸着源部の各々は、前記直交方向に沿って固定設置された複数の点状蒸着源を備え、
前記複数の点状蒸着源は、所定のタイミングで切り替わって順次蒸気を噴出することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記線状蒸着源の蒸気噴出口と、前記点状蒸着源部の蒸気噴出口とは、前記基板に対して傾斜しており、
前記線状蒸着源からの蒸気の噴出方向と直交する線と、前記点状蒸着源部からの蒸気の噴出方向と直交する線との成す角度は、１８０度より小さいことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記線状蒸着源の蒸気噴出口の一部を遮蔽する遮蔽板が備えられることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の蒸着装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１５５８９４（Ｐ２０１２−１５５８９４Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２０５６（Ｐ２０１１−１２０５６）
【出願日】平成２３年１月２４日（２０１１．１．２４）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発／有機ＥＬ照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２４日（２０１１．１．２４）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発／有機ＥＬ照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]