蒸着装置
【課題】溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽１０、真空槽内部に配置され基板１を載置する基板ステージ２４、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面３１ａに加熱面を有する抵抗加熱ボード３１、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材３の先端を接触させる線蒸着材供給部４０を備える。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽１０、真空槽内部に配置され基板１を載置する基板ステージ２４、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面３１ａに加熱面を有する抵抗加熱ボード３１、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材３の先端を接触させる線蒸着材供給部４０を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着装置に関し、具体的には、被処理基板の上方に配置される蒸発源から蒸着材料を下方に向けて蒸発させる下方蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被処理基板の下方に配置される蒸発源から蒸着材料を上方に向けて蒸発させる上方蒸着方式の蒸着装置が知られている。しかし、上方蒸着方式の場合、被処理基板を蒸発源上方で把持する必要があるため、その把持部分に成膜を行うことができない。そこで、載置された被処理基板の上方から蒸着材料を下方に向けて蒸発させて多面的な成膜を行うことができる下方蒸着方式の蒸着装置のニーズが高まってきている。
【０００３】
下方蒸着装置の従来例として、例えば特許文献１には、焼結体の底部を有するリザーバに収容された蒸着材料が加熱電極によって加熱され、溶融した蒸着材料が焼結体の孔から下方に飛散する蒸着装置が開示されている。特許文献２にも、多数の蒸発孔を下面に有する加熱トレーに材料供給手段から蒸着材料が供給されるとともに加熱され、溶融された蒸着材料が蒸発孔から滲み出て蒸発することによって下方への蒸着が行われる蒸着装置が開示されている。
【０００４】
また、特許文献３には、加熱されるホルダの上方から金属線材が供給され、溶融した金属材料がホルダ及びハースライナーに保持され、焼結体のハースライナーの下面に浸み出した溶融金属が、下方からのプラズマビームの誘導により蒸気ビームとして下方に出射される成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−２７２１６９号公報
【特許文献２】特開平７−３４２２９号公報
【特許文献３】特開２００１−１９２８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１乃至３のいずれの装置も、溶融した蒸着材料を溜めておくリザーバ等の底部の孔から溶融材料を蒸発させる構成のため、孔が目詰まりする場合があり、蒸発量が安定し難いという問題があった。また、孔径が小さ過ぎると溶融材料が底部下面に到達できず、孔径が大き過ぎると溶融材料が液体又は固体となって底部から落下する可能性があり、最適な孔径を設定するのが難しいという問題があった。あるいは、蒸着材料によって最適な孔径が異なるため、複数種類の蒸着材料に対応して異なるリザーバ等を用意しておく必要があり、装置のコストアップの要因となっていた。
【０００７】
また、特許文献１乃至３のいずれの装置においても、溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めた状態で蒸発工程が行われるので、蒸発レートの制御はリザーバ等の温度制御によって行うしかない。しかし、この構成では、リザーバ等への投入電力を変化させてから実際にリザーバ等の温度が変化するまでに時間がかかり、さらにリザーバ等の温度が変化してから溶融レート（蒸発レート）が変化するまで時間がかかる。従って、蒸発レートの制御性及び応答性が悪いという問題があった。
【０００８】
またさらに、蒸発工程終了時に、溶融材料をリザーバ等に残した状態でその温度を低下させると、固化した材料がリザーバに残り、次回使用時に異なる材料を使用することができなくなる。逆に、蒸発工程終了時に、残った溶融材料を完全に蒸発させるまで加熱を行うと、無駄に蒸着材料を消費してしまうばかりか、無用な電力を消費してしまうことになり、好ましくない。
【０００９】
上記問題点は全て、溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておく構成に起因するものである。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、溶融した蒸着材料を溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内部に配置され基板を載置する基板ステージ、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面に加熱面を有する抵抗加熱ボード、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材の先端を接触させる線蒸着材供給部を備える。これにより、リザーバ等を設けたり底に孔を設けたりする必要がなく、簡素かつ低コストな構成で、成膜動作の制御性及び応答性に優れた蒸着装置を提供することができる。また、成膜終了時に蒸着材料を使い切る必要がなく、線蒸着材又は加熱電力を無駄に消費せずに済む。
【００１１】
ここで、線蒸着材供給部が、線蒸着材の送り速度を調整する送り速度調整部を備えることができる。これにより、蒸発レートの制御性をさらに向上することができる。
【００１２】
また、抵抗加熱ボードの少なくとも下面加熱面が、熱分解窒化ボロンからなるコーティングを有することが望ましい。これにより、蒸着材料であるアルミ又はスズの溶融に対する抵抗加熱ボードのぬれ性を向上して均質な態様の蒸発を行うことができる。
【００１３】
また、基板ステージと抵抗加熱ボードが鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置することが望ましい。これにより、蒸着材料が蒸発せずに固化又は液化してしまった場合でも被成膜対象物への影響をなくすことができる。
【００１４】
さらに、基板ステージを水平方向に回転させる回転駆動機構を備えることが望ましい。これにより、被成膜対象物の各面への均一な成膜が可能となる。
【００１５】
好ましくは、下面加熱面に対する線蒸着材の接触角が１５°以上４５°以下となるように線蒸着材供給部が配置される。これにより、成膜時の線蒸着材供給部による影を減らしつつも線蒸着材と下面加熱面との接触程度の制御性を確保することができる。
【００１６】
さらに、基板を成膜位置まで搬送し又は成膜位置から搬送する搬送機構、及び搬送機構及び送り速度調整部を制御する制御部を備え、制御部が、基板が成膜位置にない場合には、送り速度調整部に線蒸着材の送りを停止させるように構成するようにしてもよい。これにより、線蒸着材の無駄な消費を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の実施例による蒸着装置の概略構成を示す正面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例による蒸着装置の概略構成を示す上面図である。
【図２Ａ】図１Ａの蒸着装置の搬送機構を説明する図である。
【図２Ｂ】図１Ａの蒸着装置の搬送機構を説明する図である。
【図３Ａ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｄ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図４】本発明の実施例における抵抗加熱ボード及び線蒸着材供給部を説明する正面図である。
【図５Ａ】本発明の変形例を説明する図である。
【図５Ｂ】本発明の変形例を説明する図である。
【図６】本発明の変形例による線蒸発材供給部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
実施例．
図１Ａ及び１Ｂは本発明の蒸着装置の概略構成のそれぞれ正面図及び上面図であり、いずれも基板１が成膜位置Ｐ３にある場合の図である。図２Ａ及び２Ｂは、基板１がそれぞれ格納位置Ｐ１及び方向転換位置Ｐ２にある場合の蒸着装置の正面図である。なお、以降の図面において、図の明瞭化のため、同一の部材が複数ある場合にはその１つのみについて符号を付すものとする。また、図面は寸法通りではなく、図の明瞭性を担保するために各部材を適宜省略、誇張、変形等して示している。蒸着装置は真空槽１０、仕込室１６及び準備室１８を備え、真空槽１０について、搬送機構２０、抵抗加熱部３０、及び線蒸着材供給部４０を備える。蒸着装置はまた、必要に応じて、モニタ５０、シャッタ５５、ＲＦ電圧印加手段６０、及び制御部７０を備えていてもよい。基板１の上面にはモジュール、回路基板、電子部品等の被成膜対象物２が載置される。
【００１９】
真空槽１０と仕込室１６の間にゲートバルブ１５、仕込室１６と準備室１８の間にゲートバルブ１７が設けられ、これらの構成により、未処理基板は大気圧状態の準備室１８から真空状態の真空槽１０に搬入され、処理済み基板は真空空状態の真空槽１０から大気圧状態の準備室１８に搬出される。真空槽１０及び仕込室１６には不図示の真空排気手段が設けられているものとする。
【００２０】
基板１が準備室１８から真空槽１０に搬入される場合、まず、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ閉状態／開状態とされて基板１が準備室１８から仕込室１６に搬入される。次に、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空引きされる。仕込室１６が真空状態になると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ開状態／閉状態とされて基板１が真空槽１０に搬入される。逆に、基板１が真空槽１０から準備室１８へ搬出される場合、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空引きされる。仕込室１６が真空状態になると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ開状態／閉状態とされて基板１が真空槽１０から仕込室１６に搬出される。次に、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空から大気圧に戻される。仕込室１６が大気圧に戻ると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ閉状態／開状態とされて基板１が仕込室１６から準備室１８に搬出される。仕込室１６は少なくとも２枚の基板を収納してそれぞれの基板を搬送機構２０に接続する切換え機構を備え、ゲートバルブ１５／１７をそれぞれ開状態／閉状態として、処理済み基板を真空槽１０から仕込室１６に搬出し、未処理基板を仕込室１６から真空槽１０に搬入する。真空槽１０の成膜中は、ゲートバルブ１５／１７をそれぞれ閉状態／開状態として、処理済み基板を仕込室１６から準備室１８に搬出し、未処理基板を準備室１８から仕込室１６に搬入する。
【００２１】
搬送機構２０は、水平経路２１、鉛直経路２２、水平搬送手段２３、基板ステージ２４、昇降機構２５、及び回転駆動機構２６を備える。なお、昇降機構２５と回転駆動機構２６は１つのブロックで示してあるが、個別の機構で構成してもよい。搬送機構２０は、上述の仕込室１６から水平経路２１の格納位置Ｐ１（図２Ａ参照）に搬入された未処理基板を鉛直経路２２の成膜位置Ｐ３（図１Ａ参照）まで移動させ、成膜が終了すると処理済み基板を成膜位置Ｐ３から格納位置Ｐ１に移動させるように構成される。なお、本明細書における格納位置とは、方向転換位置Ｐ２とゲートバルブ１５の間のいずれかの箇所をいうものとする。
【００２２】
水平経路２１は水平方向に延在する中空体からなり、基板１を格納位置Ｐ１と方向転換位置Ｐ２（図２Ｂ参照）の間で移動させる水平搬送手段２３が底部に設けられている。なお、方向転換位置Ｐ２は鉛直経路２２の直下（即ち、成膜位置Ｐ３の直下）の位置である。本実施例では、水平搬送手段２３はローラ２３ａ及びローラ駆動手段２３ｂで構成されるが、ベルトコンベア、磁石を用いた非接触搬送等、他の搬送手段を用いることもできる。中空体の水平経路２１の内部で基板１を搬送することにより、搬送中の基板１、ローラ２３ａ等に蒸発材料が付着するのを防止することができる。本実施例では、水平経路２１の搬送方向に垂直な断面が矩形のものを用いるが、円形のものであってもよい。
【００２３】
鉛直経路２２は鉛直方向に延在する開口中空体からなり、下端が水平経路２１に接続され、上端の開口端付近が成膜位置Ｐ３となる。基板１が水平搬送手段２３によって格納位置Ｐ１から方向転換位置Ｐ２に搬送されると、図２Ｂに示すように基板ステージ２４に載せられる。昇降機構２５は、鉛直経路２２に沿って、基板ステージ２４を方向転換位置Ｐ２から成膜位置Ｐ３まで上昇させ、成膜が終了すると成膜位置Ｐ３から方向転換位置Ｐ２まで降下させる。鉛直経路２２の水平方向断面の内周形状は基板１又は基板ステージ２４の外周形状と略相似であることが望ましい。本実施例では、基板１は円盤状であり、鉛直経路２２は円筒形である。両者の水平断面が相似形である（即ち、基板１の外径が鉛直経路２２の内径よりも僅かに小さい）ことにより、基板１と鉛直経路２２との隙間が小さくなり、成膜時に鉛直経路２２の上方から拡散される蒸発材料が鉛直経路２２に入り込むのを防止することができる。なお、本実施例では基板１と鉛直経路２２の水平断面が円形であるが、多角形等の他の形状としてもよい。また、本実施例では基板ステージ２４よりも基板１の水平断面が大きいため基板１と鉛直経路２２の水平断面を相似形としたが、基板１よりも基板ステージ２４の水平断面が大きい場合は、基板ステージ２４と鉛直経路２２の水平断面を相似形とし、基板ステージ２４の外径が鉛直経路２２の内径よりもわずかに小さい構成とすればよい。
【００２４】
回転駆動機構２６は、基板ステージ２４の軸部２４ａを回転させて基板ステージ２４を水平方向に回転させる。これにより、基板１上の被成膜対象物２の底面以外の全面（例えば、被成膜対象物２が直方体の場合は底面以外の５面）に均一に成膜を行うことができる。
【００２５】
なお、成膜位置Ｐ３の上方であって抵抗加熱ボード３１の下方に、成膜位置Ｐ３を開放及び遮蔽可能なシャッタ５５を備えていてもよい。シャッタ５５は、蒸発レートが不安定な期間に基板１を遮蔽して成膜を均質化させる。
【００２６】
ここで、基板ステージ２４の上面は中心部分が外周部分よりも低い凹形状となっている。これは、基板ステージ２４と基板１との接触（摩擦）を確実に得るためである。即ち、基板ステージ上面を平坦なものとすると、基板の下面又は基板ステージの上面が完全に平坦でない場合に、基板の中心付近と基板ステージの中心付近のみが強く接触し、基板ステージの回転が基板に充分に伝達しない状態が生じる可能性があるからである。従って、基板ステージ２４の上面を凹形状とすることによって基板ステージ２４の回転を確実に基板１に伝達して回転させることができる。
【００２７】
また、基板１が円盤状である場合、基板１の進行方向先端及び後端付近ではローラ２３ａとの接触面積が小さく、ローラ２３ａの動力が基板１に効率的に伝達し難い場合がある。そこで、本実施例では、図３Ａに示すような基板トレー２７を用いる。基板トレー２７は外周が矩形で内周が円形の枠形状であり、基板１の外縁部を下から支持するように形成される。図３Ｂに示すように、水平経路２１において、基板トレー２７の矩形外周部がローラ２３ａと確実に接触するのでローラ２３ａの動力が基板トレー２７の枠部に効率的に伝達され、スムーズな搬送が行われる。
【００２８】
また、基板トレー２７の枠部の内寸は基板ステージ２４の外寸よりも大きい。従って、図３Ｃに示すように、基板１を載せた基板トレー２７が方向転換位置Ｐ２に到達し、昇降機構２５が基板ステージ２４を上昇させると、図３Ｄに示すように、基板ステージ２４上には基板１のみが載り、基板トレー２７は方向転換位置Ｐ２に取り残される。従って、基板トレー２７を用いる場合でも、成膜位置Ｐ３には基板１のみが配置されることになる。また、基板１を格納する場合、基板ステージ２４が昇降機構２５によって成膜位置Ｐ３から方向転換位置Ｐ２まで降下されると、基板１は方向転換位置Ｐ２に取り残されていた基板トレー２７の枠部に収容される。そして、基板１が基板トレー２７の枠部に支持された状態で基板トレー２７は水平搬送手段２３によって方向転換位置Ｐ２から格納位置Ｐ１に搬送される。なお、本実施例では、基板トレー２７の内周形状を円形としたが、基板が下方から支持され、かつ、基板ステージ２４の外寸よりも大きい内寸であれば、多角形等の他の形状であってもよい。
【００２９】
抵抗加熱部３０は、基板ステージ２４の成膜位置Ｐ３よりも上方に配置される一対の抵抗加熱ボード３１及び電源３２で構成される。なお、ここでいう上方とは、基板ステージ２４が成膜位置Ｐ３にあるときに、抵抗加熱部３０の下面３１ａが、基板ステージ２４の上面が確定する平面よりも真空槽１０の天井側にあることをいうものとする。抵抗加熱ボード３１はその下面３１ａが水平に配置され、電源３２からの通電により加熱される。この加熱された抵抗加熱ボード３１の下面３１ａに線蒸着材３が接触されて蒸発が行われる。
【００３０】
抵抗加熱ボード３１は、少なくともその下面加熱面がＰＢＮ（熱分解窒化ボロン）製からなるコーティングを有することが好ましい。これは、ＰＢＮコーティングにより、蒸着材料であるアルミ又はスズが溶融されたときに適度なぬれ性を得ることができるからである。溶融された蒸着材料は抵抗加熱ボード３１の下面３１ａにぬれ性をもって均一に拡散し、それが均質な態様で蒸発していく。
【００３１】
抵抗加熱ボード３１と基板ステージ２４（成膜位置Ｐ３）とは鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置されることが望ましい。即ち、図１Ｂに示すように、蒸着装置の上面図において、抵抗加熱ボード３１と基板ステージ２４が重ならないようにすることが望ましい。これは、抵抗加熱ボード３１の下面３１ａから蒸着材料が蒸発せずに液体状又は固体状で落下した場合に、基板１が影響を受けないようにするためである。
【００３２】
線蒸着材供給部４０は、ドライブローラ４１、ボビン４２、ガイド４３、及び送り速度調整部４４で構成される。線蒸着材３はボビン４２に巻かれた状態で保持され、ドライブローラ４１によって引き出され、ガイド４３によって線蒸着材３の先端部の位置が規制される。ドライブローラ４１は、所望の蒸着レートに応じて決定された送り速度で線蒸着材３が送り出されるように送り速度調整部４４によって駆動される。抵抗加熱ボード３１は、接触された線蒸着材３を瞬時に溶融する能力があるものとする。
【００３３】
図４は、抵抗加熱ボード３１と、ガイド４３に支持される線蒸着材３との位置関係を説明する図である。抵抗加熱ボード３１の下面３１ａと線蒸着材３とのなす接触角αは１０°〜９０°の範囲であれば蒸発は可能であるが、接触角αがより９０°に近い場合、下面３１ａに対する線蒸着材３の接触程度の制御が容易となるが、線蒸着材供給部４０が成膜の際の影となり、成膜可能範囲が狭くなる。また、接触角αがより１０°に近い場合、下面３１ａに対する線蒸着材３の接触程度の制御性が悪くなる。上記の観点から、接触角αは１５°〜４５°の範囲とすることが望ましく、３３°±６．５°の範囲がより好ましいことが確認されている。
【００３４】
モニタ５０は蒸着材料の蒸発レートを検出する水晶モニタからなる。モニタ５０は、そのセンサ面がいずれの抵抗加熱ボード３１の直下にも位置しないように配置される。なお、制御部７０において、検出される蒸発レートが目標レートとなるように線蒸着材３の送り速度が決定されるようにし、決定された送り速度に基づいて送り速度調整部４４がドライブローラ４１を駆動するフィードバックを構成してもよい。
【００３５】
ＲＦ電圧印加手段６０はＲＦアンテナ６１及びＲＦアンテナ６１に高周波電圧を印加するＲＦ電源６２からなる。成膜処理中にＲＦアンテナ６１からのＲＦ電界によってプラズマが発生され、イオンプレーティングによる成膜を行うことができる。
【００３６】
制御部７０は、搬送機構２０（水平搬送手段２３、昇降機構２５、回転駆動機構２６）、抵抗加熱部３０（電源３２）、線蒸着材供給部４０（送り速度調整部４４）、シャッタ５５及びＲＦ電圧印加手段６０（ＲＦ電源６２）を統括的に制御する。例えば、昇降機構２５による基板１の昇降動作中（成膜位置Ｐ３に基板１がない状態）においては、制御部７０が、送り速度調整部４４に線蒸着材３の送りを停止し、その蒸発を中断させるようにしてもよい。
【００３７】
以上のように、本発明は、基板ステージ２４よりも上方に配置されて加熱面を下面に有する抵抗加熱ボード３１、及び抵抗加熱ボード３１の下面加熱面に線蒸着材３を接触させる線蒸着材供給部４０を備えるので、従来技術のように孔径の最適設計等を要することなく簡易な設計で下方蒸着装置を構成することができる。また、線蒸着材及び基板の供給機構を備えるため、大気開放せずに連続的に基板を処理することができる。
【００３８】
また、本発明によると、電源３２から抵抗加熱ボード３１に印加される電力を調整するのではなく、線蒸着材３の送り速度を調整するだけで蒸発レートを制御できるので、蒸発レートの制御性及び応答性に優れる下方蒸着装置を提供することができる。
【００３９】
またさらに、本発明によると、蒸発工程終了時に、線蒸着材３の送りを停止するだけで蒸発を停止できるので、従来技術のように残った溶融材料の処理を要することなく無駄な蒸着材料及び電力を消費することがなく好適である。従って、連続的に多数の基板を処理する場合の成膜インターバル中にも線蒸着材３の供給と電源３２への通電を停止して蒸発を中断できるので、本発明は、連続的に多数の基板を処理する装置において特に有利である。
【００４０】
上記実施例に本発明の最も好適な例を示したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で変形可能である。例えば、上記実施例では図１Ｂに示すように、一対の抵抗加熱ボード３１の外側端部から線蒸着材３を接触させる構成を示したが、図５Ａに示すように、１つの抵抗加熱ボード３１の一端又は両端側から線蒸着材３を接触させる構成としてもよい。また、上記実施例では図１Ｂに示すように、一対の抵抗加熱ボード３１に対してその長手軸に対して対称位置に一対の成膜位置Ｐ３を配置したが、図５Ｂに示すように、二対の成膜位置Ｐ３を配置してもよい。即ち、基板ステージが抵抗加熱ボードの直下に配置されず、かつ、（蒸着材料の無駄を防止するために）抵抗加熱ボードの長手方向が分ける２つの領域の両方に基板ステージが配置されるようにすれば、抵抗加熱ボード及び成膜位置の位置及び数は適宜設定可能である。なお、図５Ｂの構成の場合には、（図の左側に）さらに２セットの仕込室１６及び準備室１８を備える。
【００４１】
また、上記実施例では線蒸着材３を直線上にして送り出す構成を示したが、図６に示すように、線蒸着材３を一定の曲率で曲げた状態で送り出すようにしてもよい。この場合、ガイド４５は上記曲率を持った誘導部を有する。この構成により、線蒸着材供給部の設置位置に自由度をもたせることができ、成膜時の線蒸着材供給部による影を減らして成膜位置Ｐ３を広く設定することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０．真空槽
１５、１７．ゲートバルブ
１６．仕込室
１８．準備室
２０．搬送機構
２１．水平経路
２２．鉛直経路
２３．水平搬送手段
２３ａ．ローラ
２３ｂ．ローラ駆動手段
２４．基板ステージ
２５．昇降機構
２６．回転駆動機構
２７．基板トレー
３０．抵抗加熱部
３１．抵抗加熱ボード
３１ａ．下面
３２．電源
４０．線蒸着材供給部
４１．ドライブローラ
４２．ボビン
４３、４５．ガイド
４４．送り速度調整部
５０．モニタ
５５．シャッタ
６０．ＲＦ電圧印加手段
６１．ＲＦアンテナ
６２．ＲＦ電源
７０．制御部
Ｐ１．格納位置
Ｐ２．方向転換位置
Ｐ３．成膜位置
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着装置に関し、具体的には、被処理基板の上方に配置される蒸発源から蒸着材料を下方に向けて蒸発させる下方蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被処理基板の下方に配置される蒸発源から蒸着材料を上方に向けて蒸発させる上方蒸着方式の蒸着装置が知られている。しかし、上方蒸着方式の場合、被処理基板を蒸発源上方で把持する必要があるため、その把持部分に成膜を行うことができない。そこで、載置された被処理基板の上方から蒸着材料を下方に向けて蒸発させて多面的な成膜を行うことができる下方蒸着方式の蒸着装置のニーズが高まってきている。
【０００３】
下方蒸着装置の従来例として、例えば特許文献１には、焼結体の底部を有するリザーバに収容された蒸着材料が加熱電極によって加熱され、溶融した蒸着材料が焼結体の孔から下方に飛散する蒸着装置が開示されている。特許文献２にも、多数の蒸発孔を下面に有する加熱トレーに材料供給手段から蒸着材料が供給されるとともに加熱され、溶融された蒸着材料が蒸発孔から滲み出て蒸発することによって下方への蒸着が行われる蒸着装置が開示されている。
【０００４】
また、特許文献３には、加熱されるホルダの上方から金属線材が供給され、溶融した金属材料がホルダ及びハースライナーに保持され、焼結体のハースライナーの下面に浸み出した溶融金属が、下方からのプラズマビームの誘導により蒸気ビームとして下方に出射される成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−２７２１６９号公報
【特許文献２】特開平７−３４２２９号公報
【特許文献３】特開２００１−１９２８１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１乃至３のいずれの装置も、溶融した蒸着材料を溜めておくリザーバ等の底部の孔から溶融材料を蒸発させる構成のため、孔が目詰まりする場合があり、蒸発量が安定し難いという問題があった。また、孔径が小さ過ぎると溶融材料が底部下面に到達できず、孔径が大き過ぎると溶融材料が液体又は固体となって底部から落下する可能性があり、最適な孔径を設定するのが難しいという問題があった。あるいは、蒸着材料によって最適な孔径が異なるため、複数種類の蒸着材料に対応して異なるリザーバ等を用意しておく必要があり、装置のコストアップの要因となっていた。
【０００７】
また、特許文献１乃至３のいずれの装置においても、溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めた状態で蒸発工程が行われるので、蒸発レートの制御はリザーバ等の温度制御によって行うしかない。しかし、この構成では、リザーバ等への投入電力を変化させてから実際にリザーバ等の温度が変化するまでに時間がかかり、さらにリザーバ等の温度が変化してから溶融レート（蒸発レート）が変化するまで時間がかかる。従って、蒸発レートの制御性及び応答性が悪いという問題があった。
【０００８】
またさらに、蒸発工程終了時に、溶融材料をリザーバ等に残した状態でその温度を低下させると、固化した材料がリザーバに残り、次回使用時に異なる材料を使用することができなくなる。逆に、蒸発工程終了時に、残った溶融材料を完全に蒸発させるまで加熱を行うと、無駄に蒸着材料を消費してしまうばかりか、無用な電力を消費してしまうことになり、好ましくない。
【０００９】
上記問題点は全て、溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておく構成に起因するものである。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、溶融した蒸着材料を溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内部に配置され基板を載置する基板ステージ、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面に加熱面を有する抵抗加熱ボード、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材の先端を接触させる線蒸着材供給部を備える。これにより、リザーバ等を設けたり底に孔を設けたりする必要がなく、簡素かつ低コストな構成で、成膜動作の制御性及び応答性に優れた蒸着装置を提供することができる。また、成膜終了時に蒸着材料を使い切る必要がなく、線蒸着材又は加熱電力を無駄に消費せずに済む。
【００１１】
ここで、線蒸着材供給部が、線蒸着材の送り速度を調整する送り速度調整部を備えることができる。これにより、蒸発レートの制御性をさらに向上することができる。
【００１２】
また、抵抗加熱ボードの少なくとも下面加熱面が、熱分解窒化ボロンからなるコーティングを有することが望ましい。これにより、蒸着材料であるアルミ又はスズの溶融に対する抵抗加熱ボードのぬれ性を向上して均質な態様の蒸発を行うことができる。
【００１３】
また、基板ステージと抵抗加熱ボードが鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置することが望ましい。これにより、蒸着材料が蒸発せずに固化又は液化してしまった場合でも被成膜対象物への影響をなくすことができる。
【００１４】
さらに、基板ステージを水平方向に回転させる回転駆動機構を備えることが望ましい。これにより、被成膜対象物の各面への均一な成膜が可能となる。
【００１５】
好ましくは、下面加熱面に対する線蒸着材の接触角が１５°以上４５°以下となるように線蒸着材供給部が配置される。これにより、成膜時の線蒸着材供給部による影を減らしつつも線蒸着材と下面加熱面との接触程度の制御性を確保することができる。
【００１６】
さらに、基板を成膜位置まで搬送し又は成膜位置から搬送する搬送機構、及び搬送機構及び送り速度調整部を制御する制御部を備え、制御部が、基板が成膜位置にない場合には、送り速度調整部に線蒸着材の送りを停止させるように構成するようにしてもよい。これにより、線蒸着材の無駄な消費を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の実施例による蒸着装置の概略構成を示す正面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例による蒸着装置の概略構成を示す上面図である。
【図２Ａ】図１Ａの蒸着装置の搬送機構を説明する図である。
【図２Ｂ】図１Ａの蒸着装置の搬送機構を説明する図である。
【図３Ａ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図３Ｄ】本発明の実施例で使用する基板トレーを説明する図である。
【図４】本発明の実施例における抵抗加熱ボード及び線蒸着材供給部を説明する正面図である。
【図５Ａ】本発明の変形例を説明する図である。
【図５Ｂ】本発明の変形例を説明する図である。
【図６】本発明の変形例による線蒸発材供給部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
実施例．
図１Ａ及び１Ｂは本発明の蒸着装置の概略構成のそれぞれ正面図及び上面図であり、いずれも基板１が成膜位置Ｐ３にある場合の図である。図２Ａ及び２Ｂは、基板１がそれぞれ格納位置Ｐ１及び方向転換位置Ｐ２にある場合の蒸着装置の正面図である。なお、以降の図面において、図の明瞭化のため、同一の部材が複数ある場合にはその１つのみについて符号を付すものとする。また、図面は寸法通りではなく、図の明瞭性を担保するために各部材を適宜省略、誇張、変形等して示している。蒸着装置は真空槽１０、仕込室１６及び準備室１８を備え、真空槽１０について、搬送機構２０、抵抗加熱部３０、及び線蒸着材供給部４０を備える。蒸着装置はまた、必要に応じて、モニタ５０、シャッタ５５、ＲＦ電圧印加手段６０、及び制御部７０を備えていてもよい。基板１の上面にはモジュール、回路基板、電子部品等の被成膜対象物２が載置される。
【００１９】
真空槽１０と仕込室１６の間にゲートバルブ１５、仕込室１６と準備室１８の間にゲートバルブ１７が設けられ、これらの構成により、未処理基板は大気圧状態の準備室１８から真空状態の真空槽１０に搬入され、処理済み基板は真空空状態の真空槽１０から大気圧状態の準備室１８に搬出される。真空槽１０及び仕込室１６には不図示の真空排気手段が設けられているものとする。
【００２０】
基板１が準備室１８から真空槽１０に搬入される場合、まず、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ閉状態／開状態とされて基板１が準備室１８から仕込室１６に搬入される。次に、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空引きされる。仕込室１６が真空状態になると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ開状態／閉状態とされて基板１が真空槽１０に搬入される。逆に、基板１が真空槽１０から準備室１８へ搬出される場合、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空引きされる。仕込室１６が真空状態になると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ開状態／閉状態とされて基板１が真空槽１０から仕込室１６に搬出される。次に、ゲートバルブ１５／１７が閉状態／閉状態とされて仕込室１６が真空から大気圧に戻される。仕込室１６が大気圧に戻ると、ゲートバルブ１５／１７がそれぞれ閉状態／開状態とされて基板１が仕込室１６から準備室１８に搬出される。仕込室１６は少なくとも２枚の基板を収納してそれぞれの基板を搬送機構２０に接続する切換え機構を備え、ゲートバルブ１５／１７をそれぞれ開状態／閉状態として、処理済み基板を真空槽１０から仕込室１６に搬出し、未処理基板を仕込室１６から真空槽１０に搬入する。真空槽１０の成膜中は、ゲートバルブ１５／１７をそれぞれ閉状態／開状態として、処理済み基板を仕込室１６から準備室１８に搬出し、未処理基板を準備室１８から仕込室１６に搬入する。
【００２１】
搬送機構２０は、水平経路２１、鉛直経路２２、水平搬送手段２３、基板ステージ２４、昇降機構２５、及び回転駆動機構２６を備える。なお、昇降機構２５と回転駆動機構２６は１つのブロックで示してあるが、個別の機構で構成してもよい。搬送機構２０は、上述の仕込室１６から水平経路２１の格納位置Ｐ１（図２Ａ参照）に搬入された未処理基板を鉛直経路２２の成膜位置Ｐ３（図１Ａ参照）まで移動させ、成膜が終了すると処理済み基板を成膜位置Ｐ３から格納位置Ｐ１に移動させるように構成される。なお、本明細書における格納位置とは、方向転換位置Ｐ２とゲートバルブ１５の間のいずれかの箇所をいうものとする。
【００２２】
水平経路２１は水平方向に延在する中空体からなり、基板１を格納位置Ｐ１と方向転換位置Ｐ２（図２Ｂ参照）の間で移動させる水平搬送手段２３が底部に設けられている。なお、方向転換位置Ｐ２は鉛直経路２２の直下（即ち、成膜位置Ｐ３の直下）の位置である。本実施例では、水平搬送手段２３はローラ２３ａ及びローラ駆動手段２３ｂで構成されるが、ベルトコンベア、磁石を用いた非接触搬送等、他の搬送手段を用いることもできる。中空体の水平経路２１の内部で基板１を搬送することにより、搬送中の基板１、ローラ２３ａ等に蒸発材料が付着するのを防止することができる。本実施例では、水平経路２１の搬送方向に垂直な断面が矩形のものを用いるが、円形のものであってもよい。
【００２３】
鉛直経路２２は鉛直方向に延在する開口中空体からなり、下端が水平経路２１に接続され、上端の開口端付近が成膜位置Ｐ３となる。基板１が水平搬送手段２３によって格納位置Ｐ１から方向転換位置Ｐ２に搬送されると、図２Ｂに示すように基板ステージ２４に載せられる。昇降機構２５は、鉛直経路２２に沿って、基板ステージ２４を方向転換位置Ｐ２から成膜位置Ｐ３まで上昇させ、成膜が終了すると成膜位置Ｐ３から方向転換位置Ｐ２まで降下させる。鉛直経路２２の水平方向断面の内周形状は基板１又は基板ステージ２４の外周形状と略相似であることが望ましい。本実施例では、基板１は円盤状であり、鉛直経路２２は円筒形である。両者の水平断面が相似形である（即ち、基板１の外径が鉛直経路２２の内径よりも僅かに小さい）ことにより、基板１と鉛直経路２２との隙間が小さくなり、成膜時に鉛直経路２２の上方から拡散される蒸発材料が鉛直経路２２に入り込むのを防止することができる。なお、本実施例では基板１と鉛直経路２２の水平断面が円形であるが、多角形等の他の形状としてもよい。また、本実施例では基板ステージ２４よりも基板１の水平断面が大きいため基板１と鉛直経路２２の水平断面を相似形としたが、基板１よりも基板ステージ２４の水平断面が大きい場合は、基板ステージ２４と鉛直経路２２の水平断面を相似形とし、基板ステージ２４の外径が鉛直経路２２の内径よりもわずかに小さい構成とすればよい。
【００２４】
回転駆動機構２６は、基板ステージ２４の軸部２４ａを回転させて基板ステージ２４を水平方向に回転させる。これにより、基板１上の被成膜対象物２の底面以外の全面（例えば、被成膜対象物２が直方体の場合は底面以外の５面）に均一に成膜を行うことができる。
【００２５】
なお、成膜位置Ｐ３の上方であって抵抗加熱ボード３１の下方に、成膜位置Ｐ３を開放及び遮蔽可能なシャッタ５５を備えていてもよい。シャッタ５５は、蒸発レートが不安定な期間に基板１を遮蔽して成膜を均質化させる。
【００２６】
ここで、基板ステージ２４の上面は中心部分が外周部分よりも低い凹形状となっている。これは、基板ステージ２４と基板１との接触（摩擦）を確実に得るためである。即ち、基板ステージ上面を平坦なものとすると、基板の下面又は基板ステージの上面が完全に平坦でない場合に、基板の中心付近と基板ステージの中心付近のみが強く接触し、基板ステージの回転が基板に充分に伝達しない状態が生じる可能性があるからである。従って、基板ステージ２４の上面を凹形状とすることによって基板ステージ２４の回転を確実に基板１に伝達して回転させることができる。
【００２７】
また、基板１が円盤状である場合、基板１の進行方向先端及び後端付近ではローラ２３ａとの接触面積が小さく、ローラ２３ａの動力が基板１に効率的に伝達し難い場合がある。そこで、本実施例では、図３Ａに示すような基板トレー２７を用いる。基板トレー２７は外周が矩形で内周が円形の枠形状であり、基板１の外縁部を下から支持するように形成される。図３Ｂに示すように、水平経路２１において、基板トレー２７の矩形外周部がローラ２３ａと確実に接触するのでローラ２３ａの動力が基板トレー２７の枠部に効率的に伝達され、スムーズな搬送が行われる。
【００２８】
また、基板トレー２７の枠部の内寸は基板ステージ２４の外寸よりも大きい。従って、図３Ｃに示すように、基板１を載せた基板トレー２７が方向転換位置Ｐ２に到達し、昇降機構２５が基板ステージ２４を上昇させると、図３Ｄに示すように、基板ステージ２４上には基板１のみが載り、基板トレー２７は方向転換位置Ｐ２に取り残される。従って、基板トレー２７を用いる場合でも、成膜位置Ｐ３には基板１のみが配置されることになる。また、基板１を格納する場合、基板ステージ２４が昇降機構２５によって成膜位置Ｐ３から方向転換位置Ｐ２まで降下されると、基板１は方向転換位置Ｐ２に取り残されていた基板トレー２７の枠部に収容される。そして、基板１が基板トレー２７の枠部に支持された状態で基板トレー２７は水平搬送手段２３によって方向転換位置Ｐ２から格納位置Ｐ１に搬送される。なお、本実施例では、基板トレー２７の内周形状を円形としたが、基板が下方から支持され、かつ、基板ステージ２４の外寸よりも大きい内寸であれば、多角形等の他の形状であってもよい。
【００２９】
抵抗加熱部３０は、基板ステージ２４の成膜位置Ｐ３よりも上方に配置される一対の抵抗加熱ボード３１及び電源３２で構成される。なお、ここでいう上方とは、基板ステージ２４が成膜位置Ｐ３にあるときに、抵抗加熱部３０の下面３１ａが、基板ステージ２４の上面が確定する平面よりも真空槽１０の天井側にあることをいうものとする。抵抗加熱ボード３１はその下面３１ａが水平に配置され、電源３２からの通電により加熱される。この加熱された抵抗加熱ボード３１の下面３１ａに線蒸着材３が接触されて蒸発が行われる。
【００３０】
抵抗加熱ボード３１は、少なくともその下面加熱面がＰＢＮ（熱分解窒化ボロン）製からなるコーティングを有することが好ましい。これは、ＰＢＮコーティングにより、蒸着材料であるアルミ又はスズが溶融されたときに適度なぬれ性を得ることができるからである。溶融された蒸着材料は抵抗加熱ボード３１の下面３１ａにぬれ性をもって均一に拡散し、それが均質な態様で蒸発していく。
【００３１】
抵抗加熱ボード３１と基板ステージ２４（成膜位置Ｐ３）とは鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置されることが望ましい。即ち、図１Ｂに示すように、蒸着装置の上面図において、抵抗加熱ボード３１と基板ステージ２４が重ならないようにすることが望ましい。これは、抵抗加熱ボード３１の下面３１ａから蒸着材料が蒸発せずに液体状又は固体状で落下した場合に、基板１が影響を受けないようにするためである。
【００３２】
線蒸着材供給部４０は、ドライブローラ４１、ボビン４２、ガイド４３、及び送り速度調整部４４で構成される。線蒸着材３はボビン４２に巻かれた状態で保持され、ドライブローラ４１によって引き出され、ガイド４３によって線蒸着材３の先端部の位置が規制される。ドライブローラ４１は、所望の蒸着レートに応じて決定された送り速度で線蒸着材３が送り出されるように送り速度調整部４４によって駆動される。抵抗加熱ボード３１は、接触された線蒸着材３を瞬時に溶融する能力があるものとする。
【００３３】
図４は、抵抗加熱ボード３１と、ガイド４３に支持される線蒸着材３との位置関係を説明する図である。抵抗加熱ボード３１の下面３１ａと線蒸着材３とのなす接触角αは１０°〜９０°の範囲であれば蒸発は可能であるが、接触角αがより９０°に近い場合、下面３１ａに対する線蒸着材３の接触程度の制御が容易となるが、線蒸着材供給部４０が成膜の際の影となり、成膜可能範囲が狭くなる。また、接触角αがより１０°に近い場合、下面３１ａに対する線蒸着材３の接触程度の制御性が悪くなる。上記の観点から、接触角αは１５°〜４５°の範囲とすることが望ましく、３３°±６．５°の範囲がより好ましいことが確認されている。
【００３４】
モニタ５０は蒸着材料の蒸発レートを検出する水晶モニタからなる。モニタ５０は、そのセンサ面がいずれの抵抗加熱ボード３１の直下にも位置しないように配置される。なお、制御部７０において、検出される蒸発レートが目標レートとなるように線蒸着材３の送り速度が決定されるようにし、決定された送り速度に基づいて送り速度調整部４４がドライブローラ４１を駆動するフィードバックを構成してもよい。
【００３５】
ＲＦ電圧印加手段６０はＲＦアンテナ６１及びＲＦアンテナ６１に高周波電圧を印加するＲＦ電源６２からなる。成膜処理中にＲＦアンテナ６１からのＲＦ電界によってプラズマが発生され、イオンプレーティングによる成膜を行うことができる。
【００３６】
制御部７０は、搬送機構２０（水平搬送手段２３、昇降機構２５、回転駆動機構２６）、抵抗加熱部３０（電源３２）、線蒸着材供給部４０（送り速度調整部４４）、シャッタ５５及びＲＦ電圧印加手段６０（ＲＦ電源６２）を統括的に制御する。例えば、昇降機構２５による基板１の昇降動作中（成膜位置Ｐ３に基板１がない状態）においては、制御部７０が、送り速度調整部４４に線蒸着材３の送りを停止し、その蒸発を中断させるようにしてもよい。
【００３７】
以上のように、本発明は、基板ステージ２４よりも上方に配置されて加熱面を下面に有する抵抗加熱ボード３１、及び抵抗加熱ボード３１の下面加熱面に線蒸着材３を接触させる線蒸着材供給部４０を備えるので、従来技術のように孔径の最適設計等を要することなく簡易な設計で下方蒸着装置を構成することができる。また、線蒸着材及び基板の供給機構を備えるため、大気開放せずに連続的に基板を処理することができる。
【００３８】
また、本発明によると、電源３２から抵抗加熱ボード３１に印加される電力を調整するのではなく、線蒸着材３の送り速度を調整するだけで蒸発レートを制御できるので、蒸発レートの制御性及び応答性に優れる下方蒸着装置を提供することができる。
【００３９】
またさらに、本発明によると、蒸発工程終了時に、線蒸着材３の送りを停止するだけで蒸発を停止できるので、従来技術のように残った溶融材料の処理を要することなく無駄な蒸着材料及び電力を消費することがなく好適である。従って、連続的に多数の基板を処理する場合の成膜インターバル中にも線蒸着材３の供給と電源３２への通電を停止して蒸発を中断できるので、本発明は、連続的に多数の基板を処理する装置において特に有利である。
【００４０】
上記実施例に本発明の最も好適な例を示したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で変形可能である。例えば、上記実施例では図１Ｂに示すように、一対の抵抗加熱ボード３１の外側端部から線蒸着材３を接触させる構成を示したが、図５Ａに示すように、１つの抵抗加熱ボード３１の一端又は両端側から線蒸着材３を接触させる構成としてもよい。また、上記実施例では図１Ｂに示すように、一対の抵抗加熱ボード３１に対してその長手軸に対して対称位置に一対の成膜位置Ｐ３を配置したが、図５Ｂに示すように、二対の成膜位置Ｐ３を配置してもよい。即ち、基板ステージが抵抗加熱ボードの直下に配置されず、かつ、（蒸着材料の無駄を防止するために）抵抗加熱ボードの長手方向が分ける２つの領域の両方に基板ステージが配置されるようにすれば、抵抗加熱ボード及び成膜位置の位置及び数は適宜設定可能である。なお、図５Ｂの構成の場合には、（図の左側に）さらに２セットの仕込室１６及び準備室１８を備える。
【００４１】
また、上記実施例では線蒸着材３を直線上にして送り出す構成を示したが、図６に示すように、線蒸着材３を一定の曲率で曲げた状態で送り出すようにしてもよい。この場合、ガイド４５は上記曲率を持った誘導部を有する。この構成により、線蒸着材供給部の設置位置に自由度をもたせることができ、成膜時の線蒸着材供給部による影を減らして成膜位置Ｐ３を広く設定することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０．真空槽
１５、１７．ゲートバルブ
１６．仕込室
１８．準備室
２０．搬送機構
２１．水平経路
２２．鉛直経路
２３．水平搬送手段
２３ａ．ローラ
２３ｂ．ローラ駆動手段
２４．基板ステージ
２５．昇降機構
２６．回転駆動機構
２７．基板トレー
３０．抵抗加熱部
３１．抵抗加熱ボード
３１ａ．下面
３２．電源
４０．線蒸着材供給部
４１．ドライブローラ
４２．ボビン
４３、４５．ガイド
４４．送り速度調整部
５０．モニタ
５５．シャッタ
６０．ＲＦ電圧印加手段
６１．ＲＦアンテナ
６２．ＲＦ電源
７０．制御部
Ｐ１．格納位置
Ｐ２．方向転換位置
Ｐ３．成膜位置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽、
前記真空槽内部に配置され、基板を載置する基板ステージ、
前記真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され、下面に加熱面を有する抵抗加熱ボード、及び
前記真空槽内部に配置され、前記抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材の先端を接触させる線蒸着材供給部
を備えた蒸着装置。
【請求項２】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記線蒸着材供給部が、前記線蒸着材の送り速度を調整する送り速度調整部を備えた蒸着装置。
【請求項３】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記抵抗加熱ボードの少なくとも前記下面加熱面が、熱分解窒化ボロンからなるコーティングを有する蒸着装置。
【請求項４】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記基板ステージと前記抵抗加熱ボードが鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置される蒸着装置。
【請求項５】
請求項１に記載の蒸着装置であって、さらに、前記基板ステージを水平方向に回転させる回転駆動機構を備えた蒸着装置。
【請求項６】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記下面加熱面に対する前記線蒸着材の接触角が１５°以上４５°以下となるように前記線蒸着材供給部が配置される蒸着装置。
【請求項７】
請求項１に記載の蒸着装置であって、さらに、
前記基板を成膜位置まで搬送し又は該成膜位置から搬送する搬送機構、及び
前記搬送機構及び前記送り速度調整部を制御する制御部
を備え、
前記制御部が、前記基板が前記成膜位置にない場合には、前記送り速度調整部に前記線蒸着材の送りを停止させるように構成された蒸着装置。
【請求項１】
真空槽、
前記真空槽内部に配置され、基板を載置する基板ステージ、
前記真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され、下面に加熱面を有する抵抗加熱ボード、及び
前記真空槽内部に配置され、前記抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材の先端を接触させる線蒸着材供給部
を備えた蒸着装置。
【請求項２】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記線蒸着材供給部が、前記線蒸着材の送り速度を調整する送り速度調整部を備えた蒸着装置。
【請求項３】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記抵抗加熱ボードの少なくとも前記下面加熱面が、熱分解窒化ボロンからなるコーティングを有する蒸着装置。
【請求項４】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記基板ステージと前記抵抗加熱ボードが鉛直方向においてオーバーラップしない位置に配置される蒸着装置。
【請求項５】
請求項１に記載の蒸着装置であって、さらに、前記基板ステージを水平方向に回転させる回転駆動機構を備えた蒸着装置。
【請求項６】
請求項１に記載の蒸着装置において、前記下面加熱面に対する前記線蒸着材の接触角が１５°以上４５°以下となるように前記線蒸着材供給部が配置される蒸着装置。
【請求項７】
請求項１に記載の蒸着装置であって、さらに、
前記基板を成膜位置まで搬送し又は該成膜位置から搬送する搬送機構、及び
前記搬送機構及び前記送り速度調整部を制御する制御部
を備え、
前記制御部が、前記基板が前記成膜位置にない場合には、前記送り速度調整部に前記線蒸着材の送りを停止させるように構成された蒸着装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１０８１５９（Ｐ２０１３−１０８１５９Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５６４６５（Ｐ２０１１−２５６４６５）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００１４６００９）株式会社昭和真空 (72)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００１４６００９）株式会社昭和真空 (72)
【Ｆターム（参考）】
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