薄膜アセンブリおよび薄膜アセンブリの製造方法
基材（２）および、薄膜技術によって基材上に設けられた少なくとも１つの電子薄膜構成要素（８）、を有する、薄膜アセンブリ（１）であって、ここでベース電極（４）が基材上に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成する、ベース電極薄膜層（２１）が、上部トップ電極（９）と併せて配置されており；
この基材（２）は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板（２）から構成され、
この導体層（５）は、ベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素（８）の位置上はスムージングされており、および
接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層（５）と、薄膜構成要素（８）の積層薄膜層（２１）と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極（４）の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。
この基材（２）は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板（２）から構成され、
この導体層（５）は、ベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素（８）の位置上はスムージングされており、および
接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層（５）と、薄膜構成要素（８）の積層薄膜層（２１）と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極（４）の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、基材および、薄膜技術によって基材上に設けられた、少なくとも一つの電子薄膜構成要素、を有する、薄膜アセンブリであって、ベース電極が基材に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成するベース電極薄膜層が、上部トップ電極と併せて配置されている、薄膜アセンブリ、に関する。
【０００２】
また本発明は、薄膜技術によって基材に設けられた、少なくとも１つの電子薄膜構成要素を有する、薄膜アセンブリの製造方法にも関する。
【０００３】
米国特許第４，８３９，５５８には、基材上に設けられたエレクトロルミネセンスエレメントを有するアセンブリが記載されており、これはプリント回路基板としての機能を果たし得、そして他の電子構成要素を有しうる。知られているエレクトロルミネセンスアセンブリは、厚膜構造として基材に設けられており、そして、エッチング後に残された、銅で覆われたベース電極上にプリントされた、エレクトロルミネセンス層を有する。電極を形成する内部酸化スズ層を有する透明なガラスカバーが、この上に、付着剤を用いて、取り付けられている。このような構造は、特に厚さ方向において、比較的大きな寸法を有するという欠点だけでなく、製造が困難であるという欠点も有する。
【０００４】
一方、欧州特許出願公開ＥＰ１０８７６４９ Ａには、エレクトロルミネセンスアセンブリを基材に設けること、そして、薄膜技術による封入において、とりわけ有機（無機も含む）発光層が活性エレクトロルミネセンス層として提供されること、が記載されている。同様に、ベース電極が、例えば気相からのデポジットによって基材上に設けられ、そして発光層の上に、伝導材質が、気相から同様にデポジットされ、トップ電極が形成される。ディスプレイ用のエレクトロルミネセンスエレメントのマトリックス様のアセンブリを提供する点からは、トップ電極は直線形で配置され、そしてベース電極は柱形で配置され、そして活性エレクトロルミネセンスエレメントは「ポイントで賢明に(pointwisely)」処理される。エレクトロルミネセンスアセンブリを実現する場合において適用される薄膜技術を考慮すると、ガラス基材が使われ、そしてこれには、個々の薄層の層が容易にとりつけられるように、十分に平坦な表面が提供され、一方で要求される不活性性能を保護する、すなわち物質がガラス材料からそれぞれの薄層構造中へ拡散しないようにされる。しかしながらこのようなガラス基材は、比較的複雑でありそして製造に費用がかかるという不利益があり、そしてさらなる電子構成要素のマウント、とりわけ小型回路アセンブリに際しては、適していない。
【０００５】
また、金属コーティング、特に銅コーティング、を絶縁または誘電ベース体上に有する標準的なプリント回路基板は、薄膜技術に適合しない。
【０００６】
本発明の目的はこれらの欠点を克服するものであり、簡潔にそして費用効率のよい手法で、また複雑なガラス基材などを必要とすることなく、実現可能な薄膜アセンブリの製造を与える技術を提供するものである。本発明は特に、通常使用されるプリント回路基板、所望の電子薄膜構成要素などの集積化、とりわけエレクトロルミネセンスアセンブリ、での使用を可能にすることを目的とするが、しかし他の電子構成要素で同様に直接にでもよく、またはもちろん、さらに電気構成要素の通常の手法におけるマウンティングも可能である。
【０００７】
本発明において、まず定義される薄膜アセンブリは、
基材が、絶縁材ベース体と、導体層としての金属コーティングと、を有する、それ自体知られているプリント回路基板から構成され、
導体層はベース電極を形成し、この目的のため、少なくとも薄膜構成要素の位置上はスムージングされており、および
接触層が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層と、薄膜構成要素の積層薄膜層と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極の表面上に物理的または化学的に吸着されている、
ことを特徴とする。
【０００８】
本発明において、通常使用されるプリント回路基板は、薄膜システムに適合するように条件付けされている。そうすることで、導体層、すなわちプリント回路基板の金属面は、ベース電極を形成するようにスムージングされておりおよび／または研磨されており、こうして薄膜アセンブリのベースが提供される。必要であれば、こうして得られるベース電極は化学的または電気化学的に補強されていてもよく、このような補強材のとりつけによって、ベース電極の表面の上記のスムージングがなされていてもよい。スムージングは、特に、最大平均表面粗さが１０ｎｍ、好ましくは３ｎｍ、をもたらし、それぞれの粗さ評価は、２０×２０μｍ２（マイクロ粗さ(micro-roughness)）の寸法を有する、技術的に関連する表面に限定される。より大きな外側の広がり（マイクロ粗さ）の不均一さは、薄膜技術において不適切である。
こうして得られた、ベース電極の顕微鏡的にスムースな表面の上に、接触層が存在し、これは好ましくは金属であり、しかし他の無機または有機化学層または半導体層であってもよく、そして、特に、幾つかの機能の役割を果たすことができる：一方、この接触層は、物質が、金属コーティングから、例えば有機エレクトロルミネセンス層を有する積層薄膜アセンブリ中に拡散しないように、金属コーティング（ベース電極）を不導体化するのに役立つ。一方、接触層は、特に接触「促進」層を構成して、薄膜構成要素の活性なまたは不動態の薄膜層と、ベース電極と、の間で、電気接触を増強し、安定化させる。さらに、この接触層は、付着促進改善層も構成し、ベース電極上の薄膜構造の付着力を安定化させ、こうして長期の付着が確保される。
それぞれの接触層自体は、集積化されるそれぞれの薄膜構成要素に応じて選択され、そして一般的に、フォトリソグラフを用いて、および通常の薄膜技術の手法、すなわち熱蒸発、コールドカソードデポジット、スピンコーティングなどによって、パターン化される。接触層は、例えば、特にアルミニウム、金、パラジウムまたは白金などの金属を有し、また、伝導性の懸濁液または溶液、例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸など、を用いて、接触層を作成してもよい。ベース電極を形成する導体層のスムージング、および接触層を設けることによって、それぞれの薄膜構造の良好な付着、同様に適切な電気接触が確保され、こうして誘電ベース体および金属コーティングを有する通常用いられるプリント回路基板における薄膜構造の集積化が可能となる。
現在主に行われているプリント回路基板は、この事例では、両面銅コーティングが施されたエポキシ樹脂ベース体から構成される。銅コーティングまたは、一般的な金属コーティングなどは、比較的厚く、そして、有利な手法では、それぞれの薄膜構造に対してクーリングエレメントとしての機能も果たす；このクーリング機能において、銅コーティングはそれに応じた厚さ（または補強）が選択されてもよい。また、同然のことながら、フレキシブルなプリント回路基板を用いることもでき、これは「導体トラックホイル(conduct track foils)」ともいわれており、例えばポリイミド、ポリエチレンナフタレートまたはポリエステルの絶縁材料ベース体を有し、ここで金属コーティング（例えば銅など）が、さらに導体層として提供されていてもよい。
【０００９】
上記の「電子」という用語は、特に電子光学システムまたは層、特にエレクトロルミネセンスアセンブリなど、を包含する、広義の意味で理解されるべきであり、それ自体は例えば欧州特許出願公開ＥＰ０８５４６６２ Ａ、さらに米国特許第４８３９５５８および欧州特許出願公開ＥＰ１０８７６４９ Ａの冒頭に記載されている。しかしながら類似の手法として、太陽電池、センサー、そしてとりわけ光学センサー、また温度センサーなど、さらには、ダイオード、トランジスター、電界効果トランジスター、発光ダイオード、抵抗、コンデンサーおよび保護エレメント（例えばスナッバー）などの電子構成要素が、例えば、本発明による技術を含む「電子」薄膜構成要素として考えられる。これ自体は知られていることであるが、これらの薄膜構成要素は、大気の影響に備えて、封入によってそれぞれ保護されていてもよく、ここで、さらに封入でゲッター材料を導入することも実行可能であり、遊離のガス充填容積を封じ込めてもよく、ここでゲッター材料は、ガス容積中に含まれる酸素および／または水を吸収し、こうして、望ましくない化学工程から、薄膜構成要素を保護する。薄膜構成要素としての、エレクトロルミネセンスのまたは光起電性のアセンブリまたは光学センサーの場合には、封入は半透明または透明に作成してもよく、必要に応じて同様に処理されたトップ電極および別個の接触層としてでもよく、さらに、接触増強、安定化および不動態化されていてもよい。
【００１０】
エレクトロルミネセンスアセンブリの場合には、それ自体知られた手法における封入は、局所的ベース電極または局所的薄膜構成要素それぞれに配向された、色変換および／または屈折率整合層(index matching layers)を備えていてもよい。
【００１１】
通常使用されるプリント回路基板の基材としての使用を考慮すると、有利な手法において本発明によって実行可能であり、そして、局所的ベース電極の最も多様なパターンを提供するためのもたらされる選択肢では、薄膜構成要素システムを構成するエレクトロルミネセンスデバイスが特に有利であり、個々のフィードスルーを有する局所的ベース電極が、絶縁グリッド構造におけるプリント回路基板上に供される場合は、プレーナーエレクトロルミネセンス薄膜システム、同様にプレーナー、を伴ってもよく、またはストリップ形態に抜け目なくまたは符号形態にパターン化された、トップ電極を上述のように配置してもよい。このような配位を伴って、それぞれの薄膜構造およびトップ電極は、個々のエレクトロルミネセンスエレメントにおける制御選択を失うことなく、特に簡潔な手法で、集積化することができる。
【００１２】
通常用いられるプリント回路基板の使用における他の利点は、いわゆるビア連結(via connections)であり、これ自体は知られたものであるが、プリント回路基板のベース体を通して、電極の接触に供されうる。このようなフィードスルー、そして特にレーザードリルフィードスルーは、狭く、小型取付であるため、構成要素、とりわけ特に高い密度を有する光電子構成要素、の集積化を可能にし、例えば複数の小さな、密に接するピクセルを有するディスプレイシステム、すなわち高解像度ディスプレイシステム、を得ることが可能となる。しかしながら、機械的な穴またはプラズマエッジの連結に基づくフィードスルーもまた、考慮できる。有利な手法において、ベース電極の連結におけるフィードスルーが、これらのベース電極の下に直接提供される；これは「電極を介した(via-in-electrode)（ＶＩＥ）」構造といわれる。しかしながら、トップ電極の接触の点において、関連する電極に対して、オフセットの手法でフィードスルーを置くこともまた一般的であり、実行可能であり、これは、プリント回路基板の上方側の上に、パッドを介することによって、構成要素に、水平の電気連結を設置することを必要とする。このような構造は「電極を介さない(via-off-electrode)（ＶＯＥ）」構造といわれる。
【００１３】
プリント回路基板上に幾つかの薄膜構成要素を設ける場合、通常の場合は、薄膜構成要素間のプリント回路基板の金属コーティングのゾーンを排除する必要があり、これにより、例えばフォトレジストなどを含む別の絶縁材が提供され、そして、フォトリソグラフィー工程によって、横方向にパターン化された手法でとりつけられる。このような絶縁材は、ベース電極を含めて、個々の薄膜構成要素を封じ込め、従って互いに関連して同様に絶縁する。この場合、絶縁材のとりつけの前に、通常使用される薄層技術によって設けられた不動態化層によって、金属コーティングまたは導体層に覆われていないプリント回路基板ゾーンに、「接し(close)」させてもよく、そして、プリント回路基板のベース体からでてくる物質による、それぞれの薄膜構成要素の任意の汚染を防止することができる。この不動態化層は、例えば、酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物を含みうる。ここでも、それぞれの不動態化層は、もちろん、残りの材料の性質に応じて再び選択してもよく、特に、プリント回路基板のベース体の材料、不動態化は、一般に、フォトリソグラフィカル的に(photolitographically)パターン化され、そして通常の薄膜工程（例えば温度蒸発、スピンコーティング、インクプリント工程またはコールドカソードコーティングなど）によって設けられる。このようなパターン化のかわりに、局所的適用、初期の全表面、不動態化層の一律な適用、例えばラミネートなど、もまた実行可能であり、パターニングは次いでフォトリソグラフィーエッチング技術を用いて実現できる。
【００１４】
上述したように、現状の薄膜アセンブリで通常使用されるプリント回路基板の適用性における必須の特性は、導体層においてみることができ、そしてパターニングによって導体層から得られる局所的ベース電極は、低い表面粗さが得られるようにスムージングされている。このスムージングはそれ自体知られている様々な手法によって実現でき、機械的、また電気化学的、化学的、および化学機械的(chemicomechanical)スムージング手法および／またはイオンエッチングによる研磨、同様にこれらの手法の組み合わせなどが考えられる。この点において、特に、例えば、硫酸、硝酸またはクロロ硫酸の使用による化学エッチングによる導体層のスムージングが実行可能である。一方、例えば、アルゴンまたはアルゴンクラスタなどの個々のまたは幾つかの原子または分子の粒子のボンバードメントによって導体層がスムージングされる場合もまた、利点がある。
【００１５】
局所的ベース電極の補強が提供される場合は、さらに、フォトリソグラフィー手順による残存ゾーンにおいて一時的に、プリント回路基板を前もって不導体化するのが適している。このために設けられる不動態化層は、次いで、それぞれの薄膜構成要素、特に接触層、の適用の前に、再び取り除かれる。
【００１６】
導体層がパターン化され、局所的ベース電極が形成される場合、導体層の（特にフォトリソグラフィック）パターニングの前に、さらに、導体層のスムージングを行うことが可能である。
【００１７】
既に述べたとおり、リジッドなプリント回路基板のみでなく、フレキシブルなプリント回路基板もまた、本発明による技術に即して実施することができる。現在、このようなフレキシブルなプリント回路基板は、例えば、多面的な形態における機械的にしっかりとしたそして設置面積をとらない連結手法として用いられており、例えば「フラットなリボンケーブル構造」であり、そしてこれは装置の個々の電気構成要素の間の移動可能な連結の設置を可能にするのみでなく、曲げ、折りたたみおよびねじりによる、ハウジングの内部での利用による、プリント回路基板の最適な配置も可能にする。本明細書に記載される技術による、このようなフレキシブルプリント回路基板における、薄膜構成要素の集積化は、現在のところ、例えば通常使用されるリジッドな厚い構成要素の場合であっても、プリント回路基板の補強をもたらすことなく、不動のまたは活性な薄膜構成要素の集積化によるフレキシブルゾーンの利用の選択を提供する。従って、可動な、フレキシブルなそして機械的にしっかりした構成要素を得ることができ、そして薄膜構成要素自体のようなプリント回路基板は、薄膜構成要素の低容量化および低重量化のために、実質的に低い程度で、機械的負荷において応力をうける。フレキシブルなプリント回路基板、結果としてフレキシブルな薄膜アセンブリ、の使用としては、振動、加速などにさらされる、機械的に高度に応力を受けうる弾性電子構成要素；フレキシブルさがその機能性の一部であるような構成要素、例えばキーボードまたはセンサーなど；曲げられる「マウント可能な」折りたたみ回路基板；さらにはロールアップスクリーンなど、幾つかの適用が考えられる。
【００１８】
このようなフレキシブルなプリント回路基板を用いて、それぞれの薄膜システムに適合するように、既に注記したように導体層は再び調整される。
そのため、薄膜構成要素のベース電極を形成する導体層は、スムージングされているかまたは研磨されておりそして必要に応じて補強されている；さらに、ベース電極は、構成要素と適切な接触層を備えていてもよく、これは通常の薄膜工程、すなわち熱蒸発、コールドカソードデポジット、スピンコーティングなどによって設けることができる。
一般的に、全ての薄膜工程は、フレキシブルな基材のコーティングに特に適しており、そのためフレキシブルな構造物を形成することができ、
ここで工程中、とりわけ、個々の工程ステーションの間の基材の輸送において、適応調整を必要に応じて行うことができる。
従って、リジッドなプリント回路基板がフレキシブルなプリント回路基板に置き換えられる場合であっても、それぞれの薄膜構成要素の構造の修飾は必要とせず；
そしてまさに、フレキシブルなプリント回路基板の使用によって、活性なフレキシブルシート材料への適用スペクトルの拡張が可能な、薄膜技術であり；
従って、とても小さな構成要素寸法を有する完全にフレキシブルなそして超軽量な薄膜アセンブリの製造が可能となり；そして
振動などの強い機械的応力、そして強い加速または減速に対して、比較的明らかに厚いそして重い通常使用される構成要素と比較して、より大きな範囲で対処することができる。
また、マウントされた折りたたみまたはロールアップ回路基板を得ることができ、すなわち、薄膜アセンブリは、それぞれの装置またはハウジングに対する、電子構成要素の最適な空間適応を可能にする。
フレキシブルな不動態化またはフレキシブルな封入は、いずれも問題となることはないであろう。リジッドなガラスの貼付の代わりに、例えば、薄いガラスラミネート、またはポリマー−酸化物複合層系の使用が実行可能であり、そしてこれらは厚さが薄くても、ガスまたは大気の浸透に対して十分な保護を提供し、そしてそれぞれの薄膜構成要素の何れの汚染も効果的に保護することができる。
フレキシブルなプリント回路基板基材において、封入材料の適した選択および設計もまた、アセンブリ全体のまさに中立面における、集積化された薄膜構成要素の配置を可能にし、低い引っ張り力および圧力のみならず、例えば、薄膜構成要素自体においてシステム全体のたわみの場合、すなわちプリント回路基板／封入の境界層の領域も、考えられ得る。
【００１９】
フレキシブルな封入層を、必要に応じて前もって作って、プリント回路基板に取り付けてもよく、ここで例えば、付着促進中間層としての付着層、同様に湿気および空気に対するバリアー層としての不動態化層もまた設けることができる。また、封入層を、必要に応じて、薄膜構成要素の上に、複合体システムとして直接組み立ててもよい。
【００２０】
光電子アレイ活性薄膜構成要素またはディスプレイの場合は、（フレキシブルな）封入の適合は、透明または半透明に設計されてもよく、そしてフレキシブルなプリント回路基板は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリアクリルまたはポリエーテルエーテルケトンなど、金属フィルム、金属合金、伝導性金属酸化物（例えばアルミニウムをドープした酸化亜鉛、亜鉛をドープした酸化インジウムなど）、但しこれらのベース材料は透明なまたは半透明な金属フィルムであることを条件とする、および／または伝導性懸濁液または溶液（ポリアニリンまたはポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸に基づく）、を用いて、透明または半透明に作成することもできる。
【００２１】
光電子的に活性な薄膜構成要素を含むフレキシブルなプリント回路基板を折りたたむまたは丸めるオプションは、特にディスプレイシステムにおいてとりわけ重要である。この点において、弾性の、機械的にしっかりした、そしてロールアップまたは折りたたみのスクリーン、同様にロールアップまたは折りたたみの光起電性セル、が想定されうる。さらに、ロールアップまたは折りたたみのキーボード、同様にフレキシブルなプリント回路基板を有する薄膜アセンブリが用いられる他の作業制御物、とりわけ、ポータブルな電子装置、いわゆる携帯型、の分野でも非常に有利である。
【００２２】
フレキシブルなプリント回路基板を基材として有する薄膜構成要素の製造に関して、いわゆるロール−トゥ−ロール(roll-to-roll)工程が、特に有利な手法として適用可能である。この工程は、リールからほどかれたフレキシブルなプリント回路基板シートを使用しており、前もって作られたフレキシブルな封入シートが供給されそして薄膜構成要素に設けられてもよく、この封入シートは、同様にリールからほどかれてもよい。もちろん、これに関連して、フレキシブルなプリント回路基板またはフレキシブルな封入のいずれかのみがリール材料として提供されてもよい。
【００２３】
スムージングおよび／または研磨において、例えばフレキシブルなプリント回路基板をテーブル上で覆うように導いて、またはスムージングされるフレキシブルなプリント回路基板の裏にキャリアーを一時的に配置して、などにより、フレキシブルなプリント回路基板に一時的な補強が提供されてもよい。これらはスムージングおよび／または研磨手順において、基材の堅さを確保することを目的とする。この一時的な補強または堅くする手段は、さらなる製作工程において、任意の望ましい、適切な段階で、再び取り除くことができる。
【００２４】
以下において、本発明は、特に好ましい実施態様として詳細に説明されるが、しかしながらこれは限定するものではなく、また図面に関連している。図面は、詳しくは以下を示している：
【００２５】
図１Ａおよび１Ｂは、それぞれ、エレクトロルミネセンスデバイスを構成する、薄膜アセンブリの概略的な断面説明図および上面図である；
【００２６】
図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは、エレクトロルミネセンスデバイスの連続的な作製工程の、図１Ｂと同様の概略的な上面図である；
【００２７】
図２Ｄは、図１Ａと同様の概略的な断面説明図であり、図２Ａおよび２Ｃによる作製工程における中間段階であり、そしてデバイスの完成の前である；
【００２８】
図３〜８は、詳細には、通常用いられるプリント回路基板とは異なる、エレクトロルミネセンスデバイスの製造である；
図３Ａはプリント回路基板などの概略的な断面であり、図３Ｂおよび３Ｃは、金属コーティングのフィードスルーおよびフォトリソグラフィーパターニングによって設けられる、プリント回路基板の調製を概略説明するものである；および
図４Ａは、ベース電極の補強の適用の調製における、基材の下方面における不動態化層の適用後の状態を比較断面説明図で表す；
図４Ｂおよび４Ｃは、パターン化された金属コーティングにおける補強を設ける工程（図４Ｂ）および電極表面のスムージング工程（図４Ｃ）、そして不動態化層を取り除いた状態（図４Ｄ）を、詳細に表す；
図５Ａ〜５Ｃは、局所的接触層を製造するためのレジストパターンの適用（図５Ａ）、デポジットされた接触層を有するアセンブリ（図５Ｂ）、および、最終的に、一時的なレジストパターンを取り除いた後（割り込みエッジ）の、基材とベース電極と接触層の状態（図５Ｃ）を表す；
図６Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、基材の上方側でパターン化された不動態化層の、局所的、フォトリソグラフィカル的な適用における、連続的な工程を示す；
図７Ａ、７Ｂおよび７Ｃは、光電子的に活性な有機層（図７Ａ）、上方光透過性接触層（図７Ｂ）および薄膜構成要素アセンブリの完成における上方光不透過性トップ電極（図７Ｃ）を設ける個々の工程を示す；
図８Ａ、８Ｂおよび８Ｃは、エレクトロルミネセンス薄膜アセンブリにおける封入を設ける最終工程を示しており、付着ビーズを用いて（図８Ａ）、封入層が取り付けられ（図８Ｂ）、そして横方向にパターン化された色変換層を集積化する（図８Ｃ）；
【００２９】
図９Ａ〜９Ｄは、有機光電子薄膜材料を含む光起電性セルを製造する連続的な生産工程である；
【００３０】
図１０および１１は、それぞれ「有機」ダイオード（図１０）および電界効果トランジスター（図１１）を有する薄膜アセンブリの、類似する概略的な断面説明図である；
【００３１】
図１２は、概略的な断面説明図において、フレキシブルプリント回路基板を基板として有し、薄膜構成要素上にフレキシブル封入を有する、フレキシブル薄膜アセンブリであり、ここで個々の層の厚さ寸法は、相対関係において縮尺でおおよそ示される；
【００３２】
図１３Ａおよび１３Ｂは、本発明のフレキシブル薄膜アセンブリの、さらに簡略化した概略的な断面説明図であって、無負荷の状態（図１３Ａ）および曲げられた状態（図１３Ｂ）であり、アセンブリの中立面に設けられた薄膜構成要素があり、そしてアセンブリの外の領域では、薄膜構成要素上に、張力も圧力も作用していないのが明らかである；
【００３３】
図１４は、ロール−トゥ−ロール(roll-to-roll)工程におけるフレキシブル薄膜アセンブリの製造を概略説明する略図である；
【００３４】
図１５は、フレキシブル薄膜アセンブリの製造における、機械的なスムージングおよび研磨手順の過程中の、一時的に堅くする手段のとりつけを説明する、詳細な見取り図である。
【００３５】
図ｌＡは、断面描写におけるエレクトロルミネセンスのデバイス１を構成する薄膜アセンブリを概略的に説明する。このエレクトロルミネセンスデバイス１は、絶縁ベース体３を有する、通常用いられるプリント回路基板２を、基材として有しており、この上に局所的ベース電極４が、パターン化された金属コーティングの残物としてまたはプリント回路基板２の導体層５として設けられている。機械的にまたはレーザーで穴を開けられたフィードスルー６を介した、これらのベース電極４は、基材の下方面に提供された接触部位６’と接続され、これにより適切な制御シグナルが、基材の下方面からベース電極４へ適用されることができる。図１Ｂにおいて、これらのベース電極４は、例えば、四角面として認識することができ、そして上面図にてグリッド成形された絶縁材構造７によって、互いに分離されている。
【００３６】
ベース電極４および絶縁材構造７の上に、有機エレクトロルミネセンス薄膜構造が設けられ、特にプレーナー方式では、薄膜構造は、例えば欧州特許公開ＥＰ１０８７６４９ Ａまたは欧州特許公開ＥＰ０８５４６６２ Ａに記載されるように一般的に構成される（これらの文献の内容は、参照して本明細書に導入されている。）。
【００３７】
有機エレクトロルミネセンス層システム８の上に、半透明の、伝導性トップ電極９が（好ましくはプレーナー方式で）設けられ、これは必要に応じてエレメント形態においてストリップ形態である。ここまでに記載されたアセンブリ全体は、半透明封入層１０によって、周辺に向かって閉じられており、以下と同様にガス容積１１を放出し、カラーコンバーターまたはインデックスマッチング層１２は、それ自体知られた方法で、封入層１０中にさらに集積化される（欧州特許公開ＥＰ０８５４６６２ Ａ参照。）。
【００３８】
図１Ｂの概略的上面図から、これらのカラーコンバーターまたはインデックスマッチング層１２は、例えば、原色青、緑および赤色の、ストリップ形態で存在することが明らかである（これは図１Ｂ中において、異なる網掛けＢ、Ｇ、Ｒで概略的に示される。）。線方向において（図１Ｂの説明図による）、これらのカラーポイント：青、緑および赤、は、通常、他のもののそばに設けられ、線方向およびカラム方向の両方におけるこれらのカラーポイントの活性化は、適切な制御シグナルをそれぞれのベース電極４へ設けることによって、フィードスルー６を介して果たされる。一方、プレーナーの様式に適用する場合は、トップ電極９を一定の電位に充電することができる。
【００３９】
図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは、適正なエレクトロルミネセンスデバイスの製造（封入前）における、製造工程の異なる概略上面図であり、これらの製造工程後に得られた中間製造物は、図２Ｄの概略断面図で表される。
【００４０】
図２Ａにおいて、外側に構造された導体層５’は入手可能であり、ベース電極４のマトリックスを形成する。これらのマトリックス形態で存在するベース電極４の間に、グリッド形状の絶縁材構造物７が、個々のベース電極４を互いに離すように提供される。その後の工程で、図２Ｂに示されるように、有機エレクトロルミネセンスシステム８が平坦に設けられる（図２Ｂに加えて図２Ｄも参照。）。その後、光透過性トップ電極９は、プレーナー様式と同様に、デポジットされ、図２Ｄによるアセンブリを得ることができる。この点において、ベース電極４の形成における、導体層５のパターニング（図２Ａ参照）は、プリント回路基板２の前処理の事前に行われ、レーザーバイアス(vias)６と接触部位６’を作成することを、付加することもできる。
【００４１】
図３Ａは、概略的断面説明図であり（同様に、他の形状も概略的断面説明図である）、２重金属コーティング５（上方面）および１５（下方面）を有する プリント回路基板２を示しており、それぞれ、例えばエポキシ樹脂などの誘電ベース体３に提供される。金属コーティング５、１５は、通常は銅などから作成される。
【００４２】
プリント回路基板２は、現在の薄膜アセンブリの基材を構成するものであるが、第１工程でフィードスルー６が設けられ（図３Ｂ参照）、このフィードスルーは、隣接して設計された目が詰まったピクセルの観点からは、すなわちエレクトロルミネセンスデバイス１の高解像度容量が製造される場合は、ガルバニック銅コーティングを伴う穴壁を有するレーザー穴として作成できる。この点において、このようなフィードスルーまたはレーザー穴６は、好ましくは、最終的に得られるように、設けられるベース電極４の下にそれぞれ製造され、ベース電極４の狭いマトリックス配置が基材の下部面から適切に制御可能なように設計される。
【００４３】
図３Ｃにおける次の工程は、金属コーティングのフォトリソグラフィックパターニングを包含しており、すなわち、プリント回路基板２のベース体３の上方面および下方面の導体層５、１５である。
このようなパターニングはそれ自体通常用いられるものと同様であり、そのため、通常実施される中間工程を記載することなく、その後に得られた構造を図３Ｃに概略説明することができる。
表面全面の導体層と識別するために、それぞれ得られた上方および下方の導体層構造物は、それぞれ、５’および１５’に代えて、５および１５と示す。現在、導体層の残存する部分１５は、下方面の接触部位６’を形成する。
【００４４】
その後に、図４Ａから明らかであるように、一時的な不動態化層１６が基材の下方面に設けられる。この一時的な不動態化層１６は、製造されたベース電極４の位置における、導体層５の化学的または電気化学的な補強の次の適用を考慮して、プリント回路基板２の下方面領域を一時的に不導体化する役割を有する。この不動態化層１６は、それ自体知られているフォトリソグラフィカル的な手法により設けることができる。
【００４５】
既に記載しているが、その後の工程は、パターン化された導体層５の化学的または電気化学的な補強を包含し、補強層は図４Ｂにおいて５Ａとして示されている。この金属層５Ａは、例えば図２Ａによるマトリックス配置のように、パターン化された導体層５と併せて、それぞれのベース電極４を形成する。しかしながらこれらのベース電極４は、所望の活性なまたは不動の電子薄膜構成要素、すなわち簡単な場合における光電子ＥＬデバイス１、を構成するには、未だ適していない。なぜならば、このような導体層５の表面は粗く、そしてそれは補強５Ａが提供された導体層５の表面であるためである。従って次の工程は、低い表面粗さ、例えば最大平均表面粗さ１０ｎｍまたは好ましくは３ｎｍ、を実現するために、ベース電極４のスムージングおよび／または研磨を包含する。この平坦な状態を図４Ｃで図解説明する。スムージングおよび研磨は、例えば機械的、化学的、電気化学的、化学機械的な、またはイオンエッチングによる、通常の手法で行うことができる。記載するまでもないが、これらの加工を組み合わせることも実行可能である。
【００４６】
作られる表面粗さは、当然ながら、それぞれの適用の様式、すなわち設けられるそれぞれの薄膜構成要素、に依存し、そのため上記の平均粗さ値からの逸脱もまた考えられ得る。
【００４７】
ベース電極４に金属補強５Ａが提供されることは必ずしも必要ではないことに注意すべきであり、なぜならば金属コーティング、すなわちプリント回路基板の導体層５、が既に十分に厚い場合などである。さらに、導体層のパターニング（図３Ｃ参照）および導体層の表面スムージング（図４Ｃ）の順序を変化させることも一般的に意図されることであり、すなわち導体層５’のスムージングを最初に実現し、そしてその後に適切な手法で導体層５’をフォトリソグラフィカル的にエッチングし、ベース電極４、すなわちパターン化された導体層５を形成することもできる。
【００４８】
製造段階を完了する工程において、下方の不動態化層１６を取り除き、図４Ｄによる基材構造物が得られることとなる。
【００４９】
次の段階で、現在は平坦なベース電極４に、接触層が設けられ、割り込みエッジ１７の形態による一時的なレジスト構造が、ベース電極の間の空間に最初に提供される（図５Ａに示される。）。その後、得られた構造の上方表面全てが、接触層材料の層１８’でコーティングされ、これによって接触層材料が、割り込みエッジ１７の下方領域に設けられていないこととなり、そしてその後の取り除き工程（エッチング工程）で、割り込みエッジ１７を取り除くことができ、所望の接触層１８が、残存する表面領域として残される（図５Ｂおよび５Ｃ参照）。
【００５０】
接触層１８は、それぞれの薄膜パッケージの、次に設けられるその後の層の電気接触の役目を果たし、同様に、ベース電極４の薄膜パッケージの付着を安定化し、最終的に、保護のために、導体層５または補強５ａを不導体化する。しかしながら、接触層１８の導入は、導体層５または補強５ａそれぞれから、外部物質の相互拡散による、薄膜システムの汚染も考えられ得る。各接触層１８の材料は、通常は、設けられるそれぞれの薄膜構成要素に依存して選択され、例えばアルミニウム、金、パラジウムまたは白金、合金などの金属から、あるいは炭素または半導体化合物などから構成されてよく、また伝導性の懸濁液または溶液（例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸）から構成されてもよい。
【００５１】
接触材料コート１８’は、例えば熱蒸発、コールドカソードスパッタリング、電子ビーム蒸着、レーザーパルスによるコーティングなど、通常の薄膜手順によって設けられてよく、同様に、例えば浸漬、スプレー、スピンおよびインクジェットプリントなどの液相からのコーティング方法によって設けられてもよく、これによって、導体層５または補強５ａ上における接触材料の、物理的または化学的吸着が確保される。
この物理的または化学的吸着は、導体層５、５ａ上への付着に適切であるか、あるいは導体層５、５ａから分離しない。
液相からの均一なコーティング方法を用いて、接触層１８の側面パターニングを行うこともでき、例えば導体プレート２をコートした後に、ドライエッチング方法によって行うことができる。このような加工が設けられた場合、割り込みエッジ法によるパターニングを省くことができる。
【００５２】
その後に、上方の不動態化層の適用が行われ、それの上に配置されたベース電極４（加えて接触層１８）の間の領域が不導体化され、そしてこれにより、それぞれの薄膜構成要素の設けられた薄膜パッケージへの、これらの領域を介した、プリント回路基板２のベース体からの物質の浸透が防がれる。最終的に、新たな、一時的なレジスト構造１９が、図６Ａによる第１工程で、ベース電極４上の接触層１８上に設けられ、その後、不動態化層２０の材料がデポジットされる（図６Ｂ参照）。その後、レジスト層と不動態化層とが、ベース電極４上からフォトリソグラフィカル的に取り除かれ、そしてプリント回路基板２の絶縁材ベース体３のベース材料が暴露されている場所で、パターン化された不動態化層２０のみが中間領域に残される（図６Ｃ参照）。不動態化層２０に提供されたウィンドウ２０’を介して、接触層１８が、これの下に配置されたベース電極と併せて露出される。当然ながら、不動態化層２０は、適切な場合のみに設けてもよく、またはベース体３の誘電材料からの拡散による、物質による特定の薄膜パッケージの用意された混入が懸念される場合に設けてもよい。このような物質の拡散が懸念されない場合であっても、不動態化層２０の適用を行ってもよいが、他の絶縁材構造（図ｌＡおよび１Ｂの７）をベース電極４の間に提供してもよい。不動態化層２０の材料は、用いられる材料の機能として選択されるが、特にベース体３の材料から選択される。上述の通り、フォトリソグラフィーによって適切にパターン化され（図６Ａおよび６Ｂ参照）、そして不動態化層２０の材料は、熱蒸発、コールドカソードスパッタリングなどの通常の薄膜技術によって設けることができ、ベース体３上の不動態化材料の物理的または化学的吸着が、付着に十分な範囲で確保される。不動態化層２０の材料は、例えば二酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物であってよい。
【００５３】
図６Ａ〜６Ｃに示される技術の代わりとして、例えばラミネート形態などの、不動態化材料の均一な適用を、表面全体に仮に提供することも実行可能であり、その後に、図６Ｃによる構造が最終的に得られるように、この不動態化層をフォトリソグラフィカル的にパターン化してもよい。
【００５４】
こうして得られたアセンブリは、ここで、所望の薄膜構成要素８を積み重ねるために、薄膜技術によってそれぞれの電子層を適用できる状態であり、簡単な場合には、光電子的に活性な、有機薄膜構造を構成する；エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス１（図１Ａ参照）を得るために、１つまたは幾つかの光電子的に活性な有機層２１が、図６Ｃにより調製された基材上にデポジットされ、図７Ａにおけるアセンブリが得られる。明らかであるとおり、有機ＥＬ材料は、例えば表面の全面積にデポジットされ、これは特に簡便な生産を提供する。（必要に応じて複数層の）有機ＥＬ薄膜システム２１（これの厚さは数ｎｍ〜数百ｎｍの範囲であり得る）と同様に、透明なまたは半透明な接触層２２が、プレーナー様式においてその後に設けられる（図７Ｂ参照）；その後に設けられる透明なまたは半透明なトップ電極９もまた、平坦に設けられる（図７Ｃ参照）。また、バリエーションとして、上方の接触層２２を、トップ電極９と同様に、完面的(holohedrally)よりはストリップ形態(strip-wisely)でまたは符号形態(symbolwisely)でパターン化することも実行可能である。
【００５５】
エレクトロルミネセンスデバイス１の実現に用いられる、有機光電子的活性層材料の例として、ポリおよびオリゴフェニル類、アリールアミン類、ポリおよびオリゴアゾメチン類が挙げられる。トップ電極９と同様に、透明なまたは半透明な接触層２２として、透明なまたは半透明な金属、合金、半導体化合物（層厚さ５０ｎｍ以下）、伝導性金属酸化物（例えばアルミニウムをドープした酸化亜鉛、亜鉛をドープした酸化インジウムなど）、伝導性のゾル−ゲル系および／または伝導性の懸濁液および溶液（ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸ベースのもの）を用いることができる。
【００５６】
最終的に、こうして得られた薄膜アセンブリ（図７Ｃ参照）は、保護カバーが別途提供され、最後に、ガスおよび湿気が不透製の付着ビーズ２３が、まず周辺に設けられる（図８Ａ参照）。この付着ビーズ２３の上面に、光透過性の封入層１０がその後に設けられ、薄膜構成要素２６を適切に封入する、そしてこれはベース電極４、接触層１８、薄膜構造８、上方接触層２２およびトップ電極９を有しており、ガス容積２５が残されており、ここで酸素および／または水または湿気のゲッター材料を、それ自体知られた手法により含めてもよい。
【００５７】
図８Ｃで説明されるように、側面にパターン化された色変換層１２（図８Ｃのかわりに図１Ａおよび１Ｂも参照できる）もまた、必要に応じて、ガス容積２５および個々の薄膜構成要素２６の上方に、封入層１０において集積され得る。
【００５８】
この手法によって、所望の薄膜アセンブリが完成し、接触部位６’上において必要とされる制御連結が提供される。所望の制御機能を実現するために、プリント回路基板２の上に、他の構成要素を、それ自体知られた手法によりマウントしてもよく、これについては詳細記載を省く。
【００５９】
図９Ａ〜９Ｄは、生産工程が異なる、他の典型的な実施態様を説明するものであり、すなわち薄膜アセンブリが、有機、光電子活性層システムから作成された光起電性セルを有するものであり、そしてこの製造は、一般的に、上記の図３Ａ〜８Ｃを参照して、同様に実行可能である。
【００６０】
詳細には、所望の光電子的に活性な有機層システム２１を、適切なベース電極４（それぞれ、パターン化された導体層５、補強５Ａおよび接触層１８を、図７Ａで解明されたのと同様の手法により、有している）上にデポジットさせ、ここで光透過性接触層２２（図９Ｂ参照）、そしてその上に光透過性トップ電極９（図９Ｃ参照）が、再び平坦にデポジットされていてもよい。最終的に、図８Ａおよび８Ｂで既に説明されたのと同様の手法で、周辺のガスおよび湿気を透過しないビーズ２３を備える、光透過性封入層１０が、図９Ｄで説明されるように付着されうる。
【００６１】
図１０は、プリント回路基板２に集積された有機ダイオード３０の形態における、他の典型的な実施態様を説明しており、ここで適切な有機ダイオード薄膜システム２１’が、上記と同様の手法で、再び、接触層１８を有するベース電極４上に設けられる。上面に、上方接触層２２’があり、これはこの事例では光透過性でなくてもよく、そしてトップ電極９’もまた光透過性でなくてもよい。加えて図１０から理解されるように、パターン化された下方の金属コーティング１５およびプリント回路基板２のベース体３、さらに堅固な付着ビーズ２３そして封入層１０’もまた、この事例では不透明な構造形で実行可能である。
【００６２】
幾つかは同様に、図１１によるトランジスター構造４０でそのままの状態であり、ここで接触層１８’は。ベース電極４（これはパターン化された上方導体層５および補強５Ａを有している）の上方に再び設けられ、そしてこの接触層１８’は、例えば、形成された電界効果構造４０のゲート接触を形成する。トランジスター構造４０の接触層１８’の上に、絶縁材層４１中に、例えば酸化アルミニウムが処理され、それの上に有機的に活性な層２１’が順次設けられ、そしてソース接触層４２と通じ、一方で接触層４３を排出させる。これらの接触は、トランジスター構造４０の側面に配置された、ベース電極４Ｓ、４Ｄを介して、そしてそれぞれフィードスルー６Ｓ、６Ｄおよび接触部位６’と、下方で接続され。
【００６３】
同様の手法で、他の薄膜構成要素、すなわち活性および不動構成要素の両方が、プリント回路基板基材２上に直接積み重ねられてもよく、または同様に集積されてもよく、そしてここで、パターン化され、必要に応じて補強された導体層５のそれぞれのスムージング（および５Ａ、それぞれ）、さらにはベース電極４または下方面電極のスムージングの実行が必須である。薄膜構造間での接触および安定した付着を確立する、所望の接触層が、平坦なまたは研磨されたベース電極の上に設けられる。それ自体通常使用されそして本発明の技術によってプリント回路基板に集積されうる他の構成要素として、例えばセンサーが挙げられ、ここで光学センサーの場合は、それぞれの光透過性上方接触層、電極および封入層が提供される必要がある。
【００６４】
前述の技術は、リジッドなプリント回路基板、そしてフレキシブルなプリント回路基板の両方に、実質的に同一の方法で適用することができる。フレキシブルなプリント回路基板２では、例えば、フレキシブルな、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエステルまたはポリエーテルエーテルケトンフィルムなどの絶縁ベース体３を有し、そして同様の手法で、金属層（特に銅）を、伝導性層５の片面および両面の両方に提供することができる。
【００６５】
最終的に全体がフレキシブルオーバーロールアセンブリを得る目的で、上記技術に対して事実上の改変なく、薄膜構造８、同様に接触層１８およびトップ電極９、そして非常に薄い、薄膜システム８が、有利な手法において、このようなフレキシブル構造に特に適しており、さらにリジッドでないガラスが貼り付けられる封入１０を確保する範囲での適合も必要であり、一方でフレキシブルな薄いガラスラミネーターまたはポリマー−酸化物コンポジット層システムまたは同様のフレキシブル封入層１０が挿入可能である。
【００６６】
フレキシブル材料のこのような封入層１０を、フレキシブルプリント回路基板２上に設けることができ、またはこれの上にとりつけられた薄膜システム８に、付着中間層４４を介して設けることができ、同様に湿気および空気に対するバリアー層として作用する不動態化層４５にも設けることができる。図１２において概略的に説明する。図１２の説明図において、相対厚さ割合を可能な限り表していることに留意すべきであり、ここで薄膜構成要素８は、フレキシブル薄膜アセンブリ全体の中立面となっている。これはアセンブリ全体のほぼ中心平面であり、材料および形状（とりわけ封入層１０の）、同様にフレキシブルプリント回路基板２に依存する。
【００６７】
フレキシブルな種類のこのような薄膜アセンブリを図解するが、さらにより簡潔にした形態で図１３Ａに示し、そして図１３Ｂにおいて、この薄膜アセンブリの、曲がったまたは部分的に折りたたまれた状態を示す。後者の事例では、引っ張り力は曲げられた領域において材料の外面に作用し、これを図１３Ｂにおいて矢印４６として図解する。ここで図１３Ｂにおいて矢印４７で示された力は、曲げられた領域において内面側に作用する。中立面４８は、薄膜システム８で好ましく配置されるものであるが、このような曲げにおいても実質的に力が作用せず、そのため、アセンブリ全体が曲げられた場合であっても、引っ張り力または圧力は薄膜構成要素８自体には生じない。
【００６８】
図１４は、いわゆるロール−トゥ−ロール工程における、フレキシブルプリント回路基板を有する薄膜アセンブリの生産を概略的に示す。ここで、フレキシブルな金属で覆われたベース材料（例えば銅で覆われたポリイミドフィルムなど）が、スターティングリールからプロセスチャンバーまたはステーション５１へ、フレキシブルプリント回路基板シート２’として供給され、そしてフォトリソグラフィックパターニングが行われ、そして金属コーティング５の補強５Ａ、すなわち導体層が、前述の通り設けられる。
【００６９】
次いでシート材料２’を、プロセスチャンバーまたはステーション５２に、ローラーを介して供給し、そして金属コーティング５、５Ａは平坦であるかおよび／または研磨される。このプロセスチャンバー５２に入る前に、フレキシブルプリント回路基板シート２’を、背面において、フレキシブルキャリアーホイル５３（これはリール５４からほどかれる）を用いて堅くしてもよい。プロセスチャンバー５２を経た後、一時的に堅くするために提供された、このフレキシブルキャリアーホイル５３を、リール５５で巻き取ることができる。記載するまでもないが、キャリアーホイル５３は、製造工程のより後の段階で取り除いてもよい。
【００７０】
スムージングまたは研磨手順において、シート材料２’は、プロセスチャンバー５２内で、必要に応じて平坦なテーブル５６に導かれてもよく、これによりシート材料２’の実質的に有効に堅くすることまたは支持することを確保することができる。
【００７１】
次いで、シート材料２’を、工程領域またはプロセスチャンバー５７に入れて、例えば図４〜６によって原理を上述されるように、ここで研磨された金属コーティング５、５Ａが完成し（接触層１８）そして不導体化される（不動態化層２０）。
【００７２】
プロセスステーションまたはチャンバー５８において、（活性または不動）薄膜層（例えば２１）、上方の、そして例えば光透過性接触層２２、そして必要に応じて同様に光透過性トップ電極９を用いて、フレキシブルプリント回路基板２のコーティングが行われ、完了することにより薄膜構成要素が得られる。活性（または必要に応じて不動）薄膜層は、それ自体知られた有機または無機材料を含んでもよい。
【００７３】
最終的に、フレキシブルプリント回路基板２、すなわちシート材料２’、を、プロセスステーション５９において封入層１０でコーティングしてもよく、そしてこれは好ましくはシート材料としてリール６０からほどかれ、フレキシブルプリント回路基板２’に供給されそしてその上にラミネートされる。最後に、こうして得られたシート材料６１、すなわちフレキシブルプリント回路基板およびフレキシブル封入を有するフレキシブル薄膜アセンブリ、は、リール６２に巻き取られ、その後の切断または成型工程に向けて準備される。
【００７４】
上記および図１３Ａおよび１３Ｂで説明したように、プロセスステーション５９において、フレキシブルプリント回路基板シート上に、封入層がラミネートされる場合は、薄膜構成要素を中立面４８に置くように、封入１０が講じられるのが有利である。これによって、薄膜システム８は、その後のシステム全体の曲げにおいて、何れの機械的な力に事実上曝されることがないよう確保され、これにより剥離および部分クラックを避けることができる。
【００７５】
図１５は、プロセスステーション５２における機械的スムージングおよび研磨手順を、より詳細に図解しており、それぞれスムージングおよび研磨ロール６３、６４を有し、または類似物が概略的に示されている。上記の通り、フレキシブルプリント回路基板２’を、一時的なキャリアーフィルム５３を用いて、その背面で堅くし、そしてさらに、スムージングまたはラッピングおよび研磨ロールまたはディスク６３、６４において、支持体として役割を果たす、平坦な研磨テーブル５６上に導く。上述のとおり、キャリアーホイル５３を、このスムージング手順の後にすぐに取り除いてもよく、またより遅くにプリント回路基板シート２’から取り除いてもよい。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、基材および、薄膜技術によって基材上に設けられた、少なくとも一つの電子薄膜構成要素、を有する、薄膜アセンブリであって、ベース電極が基材に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成するベース電極薄膜層が、上部トップ電極と併せて配置されている、薄膜アセンブリ、に関する。
【０００２】
また本発明は、薄膜技術によって基材に設けられた、少なくとも１つの電子薄膜構成要素を有する、薄膜アセンブリの製造方法にも関する。
【０００３】
米国特許第４，８３９，５５８には、基材上に設けられたエレクトロルミネセンスエレメントを有するアセンブリが記載されており、これはプリント回路基板としての機能を果たし得、そして他の電子構成要素を有しうる。知られているエレクトロルミネセンスアセンブリは、厚膜構造として基材に設けられており、そして、エッチング後に残された、銅で覆われたベース電極上にプリントされた、エレクトロルミネセンス層を有する。電極を形成する内部酸化スズ層を有する透明なガラスカバーが、この上に、付着剤を用いて、取り付けられている。このような構造は、特に厚さ方向において、比較的大きな寸法を有するという欠点だけでなく、製造が困難であるという欠点も有する。
【０００４】
一方、欧州特許出願公開ＥＰ１０８７６４９ Ａには、エレクトロルミネセンスアセンブリを基材に設けること、そして、薄膜技術による封入において、とりわけ有機（無機も含む）発光層が活性エレクトロルミネセンス層として提供されること、が記載されている。同様に、ベース電極が、例えば気相からのデポジットによって基材上に設けられ、そして発光層の上に、伝導材質が、気相から同様にデポジットされ、トップ電極が形成される。ディスプレイ用のエレクトロルミネセンスエレメントのマトリックス様のアセンブリを提供する点からは、トップ電極は直線形で配置され、そしてベース電極は柱形で配置され、そして活性エレクトロルミネセンスエレメントは「ポイントで賢明に(pointwisely)」処理される。エレクトロルミネセンスアセンブリを実現する場合において適用される薄膜技術を考慮すると、ガラス基材が使われ、そしてこれには、個々の薄層の層が容易にとりつけられるように、十分に平坦な表面が提供され、一方で要求される不活性性能を保護する、すなわち物質がガラス材料からそれぞれの薄層構造中へ拡散しないようにされる。しかしながらこのようなガラス基材は、比較的複雑でありそして製造に費用がかかるという不利益があり、そしてさらなる電子構成要素のマウント、とりわけ小型回路アセンブリに際しては、適していない。
【０００５】
また、金属コーティング、特に銅コーティング、を絶縁または誘電ベース体上に有する標準的なプリント回路基板は、薄膜技術に適合しない。
【０００６】
本発明の目的はこれらの欠点を克服するものであり、簡潔にそして費用効率のよい手法で、また複雑なガラス基材などを必要とすることなく、実現可能な薄膜アセンブリの製造を与える技術を提供するものである。本発明は特に、通常使用されるプリント回路基板、所望の電子薄膜構成要素などの集積化、とりわけエレクトロルミネセンスアセンブリ、での使用を可能にすることを目的とするが、しかし他の電子構成要素で同様に直接にでもよく、またはもちろん、さらに電気構成要素の通常の手法におけるマウンティングも可能である。
【０００７】
本発明において、まず定義される薄膜アセンブリは、
基材が、絶縁材ベース体と、導体層としての金属コーティングと、を有する、それ自体知られているプリント回路基板から構成され、
導体層はベース電極を形成し、この目的のため、少なくとも薄膜構成要素の位置上はスムージングされており、および
接触層が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層と、薄膜構成要素の積層薄膜層と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極の表面上に物理的または化学的に吸着されている、
ことを特徴とする。
【０００８】
本発明において、通常使用されるプリント回路基板は、薄膜システムに適合するように条件付けされている。そうすることで、導体層、すなわちプリント回路基板の金属面は、ベース電極を形成するようにスムージングされておりおよび／または研磨されており、こうして薄膜アセンブリのベースが提供される。必要であれば、こうして得られるベース電極は化学的または電気化学的に補強されていてもよく、このような補強材のとりつけによって、ベース電極の表面の上記のスムージングがなされていてもよい。スムージングは、特に、最大平均表面粗さが１０ｎｍ、好ましくは３ｎｍ、をもたらし、それぞれの粗さ評価は、２０×２０μｍ２（マイクロ粗さ(micro-roughness)）の寸法を有する、技術的に関連する表面に限定される。より大きな外側の広がり（マイクロ粗さ）の不均一さは、薄膜技術において不適切である。
こうして得られた、ベース電極の顕微鏡的にスムースな表面の上に、接触層が存在し、これは好ましくは金属であり、しかし他の無機または有機化学層または半導体層であってもよく、そして、特に、幾つかの機能の役割を果たすことができる：一方、この接触層は、物質が、金属コーティングから、例えば有機エレクトロルミネセンス層を有する積層薄膜アセンブリ中に拡散しないように、金属コーティング（ベース電極）を不導体化するのに役立つ。一方、接触層は、特に接触「促進」層を構成して、薄膜構成要素の活性なまたは不動態の薄膜層と、ベース電極と、の間で、電気接触を増強し、安定化させる。さらに、この接触層は、付着促進改善層も構成し、ベース電極上の薄膜構造の付着力を安定化させ、こうして長期の付着が確保される。
それぞれの接触層自体は、集積化されるそれぞれの薄膜構成要素に応じて選択され、そして一般的に、フォトリソグラフを用いて、および通常の薄膜技術の手法、すなわち熱蒸発、コールドカソードデポジット、スピンコーティングなどによって、パターン化される。接触層は、例えば、特にアルミニウム、金、パラジウムまたは白金などの金属を有し、また、伝導性の懸濁液または溶液、例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸など、を用いて、接触層を作成してもよい。ベース電極を形成する導体層のスムージング、および接触層を設けることによって、それぞれの薄膜構造の良好な付着、同様に適切な電気接触が確保され、こうして誘電ベース体および金属コーティングを有する通常用いられるプリント回路基板における薄膜構造の集積化が可能となる。
現在主に行われているプリント回路基板は、この事例では、両面銅コーティングが施されたエポキシ樹脂ベース体から構成される。銅コーティングまたは、一般的な金属コーティングなどは、比較的厚く、そして、有利な手法では、それぞれの薄膜構造に対してクーリングエレメントとしての機能も果たす；このクーリング機能において、銅コーティングはそれに応じた厚さ（または補強）が選択されてもよい。また、同然のことながら、フレキシブルなプリント回路基板を用いることもでき、これは「導体トラックホイル(conduct track foils)」ともいわれており、例えばポリイミド、ポリエチレンナフタレートまたはポリエステルの絶縁材料ベース体を有し、ここで金属コーティング（例えば銅など）が、さらに導体層として提供されていてもよい。
【０００９】
上記の「電子」という用語は、特に電子光学システムまたは層、特にエレクトロルミネセンスアセンブリなど、を包含する、広義の意味で理解されるべきであり、それ自体は例えば欧州特許出願公開ＥＰ０８５４６６２ Ａ、さらに米国特許第４８３９５５８および欧州特許出願公開ＥＰ１０８７６４９ Ａの冒頭に記載されている。しかしながら類似の手法として、太陽電池、センサー、そしてとりわけ光学センサー、また温度センサーなど、さらには、ダイオード、トランジスター、電界効果トランジスター、発光ダイオード、抵抗、コンデンサーおよび保護エレメント（例えばスナッバー）などの電子構成要素が、例えば、本発明による技術を含む「電子」薄膜構成要素として考えられる。これ自体は知られていることであるが、これらの薄膜構成要素は、大気の影響に備えて、封入によってそれぞれ保護されていてもよく、ここで、さらに封入でゲッター材料を導入することも実行可能であり、遊離のガス充填容積を封じ込めてもよく、ここでゲッター材料は、ガス容積中に含まれる酸素および／または水を吸収し、こうして、望ましくない化学工程から、薄膜構成要素を保護する。薄膜構成要素としての、エレクトロルミネセンスのまたは光起電性のアセンブリまたは光学センサーの場合には、封入は半透明または透明に作成してもよく、必要に応じて同様に処理されたトップ電極および別個の接触層としてでもよく、さらに、接触増強、安定化および不動態化されていてもよい。
【００１０】
エレクトロルミネセンスアセンブリの場合には、それ自体知られた手法における封入は、局所的ベース電極または局所的薄膜構成要素それぞれに配向された、色変換および／または屈折率整合層(index matching layers)を備えていてもよい。
【００１１】
通常使用されるプリント回路基板の基材としての使用を考慮すると、有利な手法において本発明によって実行可能であり、そして、局所的ベース電極の最も多様なパターンを提供するためのもたらされる選択肢では、薄膜構成要素システムを構成するエレクトロルミネセンスデバイスが特に有利であり、個々のフィードスルーを有する局所的ベース電極が、絶縁グリッド構造におけるプリント回路基板上に供される場合は、プレーナーエレクトロルミネセンス薄膜システム、同様にプレーナー、を伴ってもよく、またはストリップ形態に抜け目なくまたは符号形態にパターン化された、トップ電極を上述のように配置してもよい。このような配位を伴って、それぞれの薄膜構造およびトップ電極は、個々のエレクトロルミネセンスエレメントにおける制御選択を失うことなく、特に簡潔な手法で、集積化することができる。
【００１２】
通常用いられるプリント回路基板の使用における他の利点は、いわゆるビア連結(via connections)であり、これ自体は知られたものであるが、プリント回路基板のベース体を通して、電極の接触に供されうる。このようなフィードスルー、そして特にレーザードリルフィードスルーは、狭く、小型取付であるため、構成要素、とりわけ特に高い密度を有する光電子構成要素、の集積化を可能にし、例えば複数の小さな、密に接するピクセルを有するディスプレイシステム、すなわち高解像度ディスプレイシステム、を得ることが可能となる。しかしながら、機械的な穴またはプラズマエッジの連結に基づくフィードスルーもまた、考慮できる。有利な手法において、ベース電極の連結におけるフィードスルーが、これらのベース電極の下に直接提供される；これは「電極を介した(via-in-electrode)（ＶＩＥ）」構造といわれる。しかしながら、トップ電極の接触の点において、関連する電極に対して、オフセットの手法でフィードスルーを置くこともまた一般的であり、実行可能であり、これは、プリント回路基板の上方側の上に、パッドを介することによって、構成要素に、水平の電気連結を設置することを必要とする。このような構造は「電極を介さない(via-off-electrode)（ＶＯＥ）」構造といわれる。
【００１３】
プリント回路基板上に幾つかの薄膜構成要素を設ける場合、通常の場合は、薄膜構成要素間のプリント回路基板の金属コーティングのゾーンを排除する必要があり、これにより、例えばフォトレジストなどを含む別の絶縁材が提供され、そして、フォトリソグラフィー工程によって、横方向にパターン化された手法でとりつけられる。このような絶縁材は、ベース電極を含めて、個々の薄膜構成要素を封じ込め、従って互いに関連して同様に絶縁する。この場合、絶縁材のとりつけの前に、通常使用される薄層技術によって設けられた不動態化層によって、金属コーティングまたは導体層に覆われていないプリント回路基板ゾーンに、「接し(close)」させてもよく、そして、プリント回路基板のベース体からでてくる物質による、それぞれの薄膜構成要素の任意の汚染を防止することができる。この不動態化層は、例えば、酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物を含みうる。ここでも、それぞれの不動態化層は、もちろん、残りの材料の性質に応じて再び選択してもよく、特に、プリント回路基板のベース体の材料、不動態化は、一般に、フォトリソグラフィカル的に(photolitographically)パターン化され、そして通常の薄膜工程（例えば温度蒸発、スピンコーティング、インクプリント工程またはコールドカソードコーティングなど）によって設けられる。このようなパターン化のかわりに、局所的適用、初期の全表面、不動態化層の一律な適用、例えばラミネートなど、もまた実行可能であり、パターニングは次いでフォトリソグラフィーエッチング技術を用いて実現できる。
【００１４】
上述したように、現状の薄膜アセンブリで通常使用されるプリント回路基板の適用性における必須の特性は、導体層においてみることができ、そしてパターニングによって導体層から得られる局所的ベース電極は、低い表面粗さが得られるようにスムージングされている。このスムージングはそれ自体知られている様々な手法によって実現でき、機械的、また電気化学的、化学的、および化学機械的(chemicomechanical)スムージング手法および／またはイオンエッチングによる研磨、同様にこれらの手法の組み合わせなどが考えられる。この点において、特に、例えば、硫酸、硝酸またはクロロ硫酸の使用による化学エッチングによる導体層のスムージングが実行可能である。一方、例えば、アルゴンまたはアルゴンクラスタなどの個々のまたは幾つかの原子または分子の粒子のボンバードメントによって導体層がスムージングされる場合もまた、利点がある。
【００１５】
局所的ベース電極の補強が提供される場合は、さらに、フォトリソグラフィー手順による残存ゾーンにおいて一時的に、プリント回路基板を前もって不導体化するのが適している。このために設けられる不動態化層は、次いで、それぞれの薄膜構成要素、特に接触層、の適用の前に、再び取り除かれる。
【００１６】
導体層がパターン化され、局所的ベース電極が形成される場合、導体層の（特にフォトリソグラフィック）パターニングの前に、さらに、導体層のスムージングを行うことが可能である。
【００１７】
既に述べたとおり、リジッドなプリント回路基板のみでなく、フレキシブルなプリント回路基板もまた、本発明による技術に即して実施することができる。現在、このようなフレキシブルなプリント回路基板は、例えば、多面的な形態における機械的にしっかりとしたそして設置面積をとらない連結手法として用いられており、例えば「フラットなリボンケーブル構造」であり、そしてこれは装置の個々の電気構成要素の間の移動可能な連結の設置を可能にするのみでなく、曲げ、折りたたみおよびねじりによる、ハウジングの内部での利用による、プリント回路基板の最適な配置も可能にする。本明細書に記載される技術による、このようなフレキシブルプリント回路基板における、薄膜構成要素の集積化は、現在のところ、例えば通常使用されるリジッドな厚い構成要素の場合であっても、プリント回路基板の補強をもたらすことなく、不動のまたは活性な薄膜構成要素の集積化によるフレキシブルゾーンの利用の選択を提供する。従って、可動な、フレキシブルなそして機械的にしっかりした構成要素を得ることができ、そして薄膜構成要素自体のようなプリント回路基板は、薄膜構成要素の低容量化および低重量化のために、実質的に低い程度で、機械的負荷において応力をうける。フレキシブルなプリント回路基板、結果としてフレキシブルな薄膜アセンブリ、の使用としては、振動、加速などにさらされる、機械的に高度に応力を受けうる弾性電子構成要素；フレキシブルさがその機能性の一部であるような構成要素、例えばキーボードまたはセンサーなど；曲げられる「マウント可能な」折りたたみ回路基板；さらにはロールアップスクリーンなど、幾つかの適用が考えられる。
【００１８】
このようなフレキシブルなプリント回路基板を用いて、それぞれの薄膜システムに適合するように、既に注記したように導体層は再び調整される。
そのため、薄膜構成要素のベース電極を形成する導体層は、スムージングされているかまたは研磨されておりそして必要に応じて補強されている；さらに、ベース電極は、構成要素と適切な接触層を備えていてもよく、これは通常の薄膜工程、すなわち熱蒸発、コールドカソードデポジット、スピンコーティングなどによって設けることができる。
一般的に、全ての薄膜工程は、フレキシブルな基材のコーティングに特に適しており、そのためフレキシブルな構造物を形成することができ、
ここで工程中、とりわけ、個々の工程ステーションの間の基材の輸送において、適応調整を必要に応じて行うことができる。
従って、リジッドなプリント回路基板がフレキシブルなプリント回路基板に置き換えられる場合であっても、それぞれの薄膜構成要素の構造の修飾は必要とせず；
そしてまさに、フレキシブルなプリント回路基板の使用によって、活性なフレキシブルシート材料への適用スペクトルの拡張が可能な、薄膜技術であり；
従って、とても小さな構成要素寸法を有する完全にフレキシブルなそして超軽量な薄膜アセンブリの製造が可能となり；そして
振動などの強い機械的応力、そして強い加速または減速に対して、比較的明らかに厚いそして重い通常使用される構成要素と比較して、より大きな範囲で対処することができる。
また、マウントされた折りたたみまたはロールアップ回路基板を得ることができ、すなわち、薄膜アセンブリは、それぞれの装置またはハウジングに対する、電子構成要素の最適な空間適応を可能にする。
フレキシブルな不動態化またはフレキシブルな封入は、いずれも問題となることはないであろう。リジッドなガラスの貼付の代わりに、例えば、薄いガラスラミネート、またはポリマー−酸化物複合層系の使用が実行可能であり、そしてこれらは厚さが薄くても、ガスまたは大気の浸透に対して十分な保護を提供し、そしてそれぞれの薄膜構成要素の何れの汚染も効果的に保護することができる。
フレキシブルなプリント回路基板基材において、封入材料の適した選択および設計もまた、アセンブリ全体のまさに中立面における、集積化された薄膜構成要素の配置を可能にし、低い引っ張り力および圧力のみならず、例えば、薄膜構成要素自体においてシステム全体のたわみの場合、すなわちプリント回路基板／封入の境界層の領域も、考えられ得る。
【００１９】
フレキシブルな封入層を、必要に応じて前もって作って、プリント回路基板に取り付けてもよく、ここで例えば、付着促進中間層としての付着層、同様に湿気および空気に対するバリアー層としての不動態化層もまた設けることができる。また、封入層を、必要に応じて、薄膜構成要素の上に、複合体システムとして直接組み立ててもよい。
【００２０】
光電子アレイ活性薄膜構成要素またはディスプレイの場合は、（フレキシブルな）封入の適合は、透明または半透明に設計されてもよく、そしてフレキシブルなプリント回路基板は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリアクリルまたはポリエーテルエーテルケトンなど、金属フィルム、金属合金、伝導性金属酸化物（例えばアルミニウムをドープした酸化亜鉛、亜鉛をドープした酸化インジウムなど）、但しこれらのベース材料は透明なまたは半透明な金属フィルムであることを条件とする、および／または伝導性懸濁液または溶液（ポリアニリンまたはポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸に基づく）、を用いて、透明または半透明に作成することもできる。
【００２１】
光電子的に活性な薄膜構成要素を含むフレキシブルなプリント回路基板を折りたたむまたは丸めるオプションは、特にディスプレイシステムにおいてとりわけ重要である。この点において、弾性の、機械的にしっかりした、そしてロールアップまたは折りたたみのスクリーン、同様にロールアップまたは折りたたみの光起電性セル、が想定されうる。さらに、ロールアップまたは折りたたみのキーボード、同様にフレキシブルなプリント回路基板を有する薄膜アセンブリが用いられる他の作業制御物、とりわけ、ポータブルな電子装置、いわゆる携帯型、の分野でも非常に有利である。
【００２２】
フレキシブルなプリント回路基板を基材として有する薄膜構成要素の製造に関して、いわゆるロール−トゥ−ロール(roll-to-roll)工程が、特に有利な手法として適用可能である。この工程は、リールからほどかれたフレキシブルなプリント回路基板シートを使用しており、前もって作られたフレキシブルな封入シートが供給されそして薄膜構成要素に設けられてもよく、この封入シートは、同様にリールからほどかれてもよい。もちろん、これに関連して、フレキシブルなプリント回路基板またはフレキシブルな封入のいずれかのみがリール材料として提供されてもよい。
【００２３】
スムージングおよび／または研磨において、例えばフレキシブルなプリント回路基板をテーブル上で覆うように導いて、またはスムージングされるフレキシブルなプリント回路基板の裏にキャリアーを一時的に配置して、などにより、フレキシブルなプリント回路基板に一時的な補強が提供されてもよい。これらはスムージングおよび／または研磨手順において、基材の堅さを確保することを目的とする。この一時的な補強または堅くする手段は、さらなる製作工程において、任意の望ましい、適切な段階で、再び取り除くことができる。
【００２４】
以下において、本発明は、特に好ましい実施態様として詳細に説明されるが、しかしながらこれは限定するものではなく、また図面に関連している。図面は、詳しくは以下を示している：
【００２５】
図１Ａおよび１Ｂは、それぞれ、エレクトロルミネセンスデバイスを構成する、薄膜アセンブリの概略的な断面説明図および上面図である；
【００２６】
図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは、エレクトロルミネセンスデバイスの連続的な作製工程の、図１Ｂと同様の概略的な上面図である；
【００２７】
図２Ｄは、図１Ａと同様の概略的な断面説明図であり、図２Ａおよび２Ｃによる作製工程における中間段階であり、そしてデバイスの完成の前である；
【００２８】
図３〜８は、詳細には、通常用いられるプリント回路基板とは異なる、エレクトロルミネセンスデバイスの製造である；
図３Ａはプリント回路基板などの概略的な断面であり、図３Ｂおよび３Ｃは、金属コーティングのフィードスルーおよびフォトリソグラフィーパターニングによって設けられる、プリント回路基板の調製を概略説明するものである；および
図４Ａは、ベース電極の補強の適用の調製における、基材の下方面における不動態化層の適用後の状態を比較断面説明図で表す；
図４Ｂおよび４Ｃは、パターン化された金属コーティングにおける補強を設ける工程（図４Ｂ）および電極表面のスムージング工程（図４Ｃ）、そして不動態化層を取り除いた状態（図４Ｄ）を、詳細に表す；
図５Ａ〜５Ｃは、局所的接触層を製造するためのレジストパターンの適用（図５Ａ）、デポジットされた接触層を有するアセンブリ（図５Ｂ）、および、最終的に、一時的なレジストパターンを取り除いた後（割り込みエッジ）の、基材とベース電極と接触層の状態（図５Ｃ）を表す；
図６Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、基材の上方側でパターン化された不動態化層の、局所的、フォトリソグラフィカル的な適用における、連続的な工程を示す；
図７Ａ、７Ｂおよび７Ｃは、光電子的に活性な有機層（図７Ａ）、上方光透過性接触層（図７Ｂ）および薄膜構成要素アセンブリの完成における上方光不透過性トップ電極（図７Ｃ）を設ける個々の工程を示す；
図８Ａ、８Ｂおよび８Ｃは、エレクトロルミネセンス薄膜アセンブリにおける封入を設ける最終工程を示しており、付着ビーズを用いて（図８Ａ）、封入層が取り付けられ（図８Ｂ）、そして横方向にパターン化された色変換層を集積化する（図８Ｃ）；
【００２９】
図９Ａ〜９Ｄは、有機光電子薄膜材料を含む光起電性セルを製造する連続的な生産工程である；
【００３０】
図１０および１１は、それぞれ「有機」ダイオード（図１０）および電界効果トランジスター（図１１）を有する薄膜アセンブリの、類似する概略的な断面説明図である；
【００３１】
図１２は、概略的な断面説明図において、フレキシブルプリント回路基板を基板として有し、薄膜構成要素上にフレキシブル封入を有する、フレキシブル薄膜アセンブリであり、ここで個々の層の厚さ寸法は、相対関係において縮尺でおおよそ示される；
【００３２】
図１３Ａおよび１３Ｂは、本発明のフレキシブル薄膜アセンブリの、さらに簡略化した概略的な断面説明図であって、無負荷の状態（図１３Ａ）および曲げられた状態（図１３Ｂ）であり、アセンブリの中立面に設けられた薄膜構成要素があり、そしてアセンブリの外の領域では、薄膜構成要素上に、張力も圧力も作用していないのが明らかである；
【００３３】
図１４は、ロール−トゥ−ロール(roll-to-roll)工程におけるフレキシブル薄膜アセンブリの製造を概略説明する略図である；
【００３４】
図１５は、フレキシブル薄膜アセンブリの製造における、機械的なスムージングおよび研磨手順の過程中の、一時的に堅くする手段のとりつけを説明する、詳細な見取り図である。
【００３５】
図ｌＡは、断面描写におけるエレクトロルミネセンスのデバイス１を構成する薄膜アセンブリを概略的に説明する。このエレクトロルミネセンスデバイス１は、絶縁ベース体３を有する、通常用いられるプリント回路基板２を、基材として有しており、この上に局所的ベース電極４が、パターン化された金属コーティングの残物としてまたはプリント回路基板２の導体層５として設けられている。機械的にまたはレーザーで穴を開けられたフィードスルー６を介した、これらのベース電極４は、基材の下方面に提供された接触部位６’と接続され、これにより適切な制御シグナルが、基材の下方面からベース電極４へ適用されることができる。図１Ｂにおいて、これらのベース電極４は、例えば、四角面として認識することができ、そして上面図にてグリッド成形された絶縁材構造７によって、互いに分離されている。
【００３６】
ベース電極４および絶縁材構造７の上に、有機エレクトロルミネセンス薄膜構造が設けられ、特にプレーナー方式では、薄膜構造は、例えば欧州特許公開ＥＰ１０８７６４９ Ａまたは欧州特許公開ＥＰ０８５４６６２ Ａに記載されるように一般的に構成される（これらの文献の内容は、参照して本明細書に導入されている。）。
【００３７】
有機エレクトロルミネセンス層システム８の上に、半透明の、伝導性トップ電極９が（好ましくはプレーナー方式で）設けられ、これは必要に応じてエレメント形態においてストリップ形態である。ここまでに記載されたアセンブリ全体は、半透明封入層１０によって、周辺に向かって閉じられており、以下と同様にガス容積１１を放出し、カラーコンバーターまたはインデックスマッチング層１２は、それ自体知られた方法で、封入層１０中にさらに集積化される（欧州特許公開ＥＰ０８５４６６２ Ａ参照。）。
【００３８】
図１Ｂの概略的上面図から、これらのカラーコンバーターまたはインデックスマッチング層１２は、例えば、原色青、緑および赤色の、ストリップ形態で存在することが明らかである（これは図１Ｂ中において、異なる網掛けＢ、Ｇ、Ｒで概略的に示される。）。線方向において（図１Ｂの説明図による）、これらのカラーポイント：青、緑および赤、は、通常、他のもののそばに設けられ、線方向およびカラム方向の両方におけるこれらのカラーポイントの活性化は、適切な制御シグナルをそれぞれのベース電極４へ設けることによって、フィードスルー６を介して果たされる。一方、プレーナーの様式に適用する場合は、トップ電極９を一定の電位に充電することができる。
【００３９】
図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは、適正なエレクトロルミネセンスデバイスの製造（封入前）における、製造工程の異なる概略上面図であり、これらの製造工程後に得られた中間製造物は、図２Ｄの概略断面図で表される。
【００４０】
図２Ａにおいて、外側に構造された導体層５’は入手可能であり、ベース電極４のマトリックスを形成する。これらのマトリックス形態で存在するベース電極４の間に、グリッド形状の絶縁材構造物７が、個々のベース電極４を互いに離すように提供される。その後の工程で、図２Ｂに示されるように、有機エレクトロルミネセンスシステム８が平坦に設けられる（図２Ｂに加えて図２Ｄも参照。）。その後、光透過性トップ電極９は、プレーナー様式と同様に、デポジットされ、図２Ｄによるアセンブリを得ることができる。この点において、ベース電極４の形成における、導体層５のパターニング（図２Ａ参照）は、プリント回路基板２の前処理の事前に行われ、レーザーバイアス(vias)６と接触部位６’を作成することを、付加することもできる。
【００４１】
図３Ａは、概略的断面説明図であり（同様に、他の形状も概略的断面説明図である）、２重金属コーティング５（上方面）および１５（下方面）を有する プリント回路基板２を示しており、それぞれ、例えばエポキシ樹脂などの誘電ベース体３に提供される。金属コーティング５、１５は、通常は銅などから作成される。
【００４２】
プリント回路基板２は、現在の薄膜アセンブリの基材を構成するものであるが、第１工程でフィードスルー６が設けられ（図３Ｂ参照）、このフィードスルーは、隣接して設計された目が詰まったピクセルの観点からは、すなわちエレクトロルミネセンスデバイス１の高解像度容量が製造される場合は、ガルバニック銅コーティングを伴う穴壁を有するレーザー穴として作成できる。この点において、このようなフィードスルーまたはレーザー穴６は、好ましくは、最終的に得られるように、設けられるベース電極４の下にそれぞれ製造され、ベース電極４の狭いマトリックス配置が基材の下部面から適切に制御可能なように設計される。
【００４３】
図３Ｃにおける次の工程は、金属コーティングのフォトリソグラフィックパターニングを包含しており、すなわち、プリント回路基板２のベース体３の上方面および下方面の導体層５、１５である。
このようなパターニングはそれ自体通常用いられるものと同様であり、そのため、通常実施される中間工程を記載することなく、その後に得られた構造を図３Ｃに概略説明することができる。
表面全面の導体層と識別するために、それぞれ得られた上方および下方の導体層構造物は、それぞれ、５’および１５’に代えて、５および１５と示す。現在、導体層の残存する部分１５は、下方面の接触部位６’を形成する。
【００４４】
その後に、図４Ａから明らかであるように、一時的な不動態化層１６が基材の下方面に設けられる。この一時的な不動態化層１６は、製造されたベース電極４の位置における、導体層５の化学的または電気化学的な補強の次の適用を考慮して、プリント回路基板２の下方面領域を一時的に不導体化する役割を有する。この不動態化層１６は、それ自体知られているフォトリソグラフィカル的な手法により設けることができる。
【００４５】
既に記載しているが、その後の工程は、パターン化された導体層５の化学的または電気化学的な補強を包含し、補強層は図４Ｂにおいて５Ａとして示されている。この金属層５Ａは、例えば図２Ａによるマトリックス配置のように、パターン化された導体層５と併せて、それぞれのベース電極４を形成する。しかしながらこれらのベース電極４は、所望の活性なまたは不動の電子薄膜構成要素、すなわち簡単な場合における光電子ＥＬデバイス１、を構成するには、未だ適していない。なぜならば、このような導体層５の表面は粗く、そしてそれは補強５Ａが提供された導体層５の表面であるためである。従って次の工程は、低い表面粗さ、例えば最大平均表面粗さ１０ｎｍまたは好ましくは３ｎｍ、を実現するために、ベース電極４のスムージングおよび／または研磨を包含する。この平坦な状態を図４Ｃで図解説明する。スムージングおよび研磨は、例えば機械的、化学的、電気化学的、化学機械的な、またはイオンエッチングによる、通常の手法で行うことができる。記載するまでもないが、これらの加工を組み合わせることも実行可能である。
【００４６】
作られる表面粗さは、当然ながら、それぞれの適用の様式、すなわち設けられるそれぞれの薄膜構成要素、に依存し、そのため上記の平均粗さ値からの逸脱もまた考えられ得る。
【００４７】
ベース電極４に金属補強５Ａが提供されることは必ずしも必要ではないことに注意すべきであり、なぜならば金属コーティング、すなわちプリント回路基板の導体層５、が既に十分に厚い場合などである。さらに、導体層のパターニング（図３Ｃ参照）および導体層の表面スムージング（図４Ｃ）の順序を変化させることも一般的に意図されることであり、すなわち導体層５’のスムージングを最初に実現し、そしてその後に適切な手法で導体層５’をフォトリソグラフィカル的にエッチングし、ベース電極４、すなわちパターン化された導体層５を形成することもできる。
【００４８】
製造段階を完了する工程において、下方の不動態化層１６を取り除き、図４Ｄによる基材構造物が得られることとなる。
【００４９】
次の段階で、現在は平坦なベース電極４に、接触層が設けられ、割り込みエッジ１７の形態による一時的なレジスト構造が、ベース電極の間の空間に最初に提供される（図５Ａに示される。）。その後、得られた構造の上方表面全てが、接触層材料の層１８’でコーティングされ、これによって接触層材料が、割り込みエッジ１７の下方領域に設けられていないこととなり、そしてその後の取り除き工程（エッチング工程）で、割り込みエッジ１７を取り除くことができ、所望の接触層１８が、残存する表面領域として残される（図５Ｂおよび５Ｃ参照）。
【００５０】
接触層１８は、それぞれの薄膜パッケージの、次に設けられるその後の層の電気接触の役目を果たし、同様に、ベース電極４の薄膜パッケージの付着を安定化し、最終的に、保護のために、導体層５または補強５ａを不導体化する。しかしながら、接触層１８の導入は、導体層５または補強５ａそれぞれから、外部物質の相互拡散による、薄膜システムの汚染も考えられ得る。各接触層１８の材料は、通常は、設けられるそれぞれの薄膜構成要素に依存して選択され、例えばアルミニウム、金、パラジウムまたは白金、合金などの金属から、あるいは炭素または半導体化合物などから構成されてよく、また伝導性の懸濁液または溶液（例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸）から構成されてもよい。
【００５１】
接触材料コート１８’は、例えば熱蒸発、コールドカソードスパッタリング、電子ビーム蒸着、レーザーパルスによるコーティングなど、通常の薄膜手順によって設けられてよく、同様に、例えば浸漬、スプレー、スピンおよびインクジェットプリントなどの液相からのコーティング方法によって設けられてもよく、これによって、導体層５または補強５ａ上における接触材料の、物理的または化学的吸着が確保される。
この物理的または化学的吸着は、導体層５、５ａ上への付着に適切であるか、あるいは導体層５、５ａから分離しない。
液相からの均一なコーティング方法を用いて、接触層１８の側面パターニングを行うこともでき、例えば導体プレート２をコートした後に、ドライエッチング方法によって行うことができる。このような加工が設けられた場合、割り込みエッジ法によるパターニングを省くことができる。
【００５２】
その後に、上方の不動態化層の適用が行われ、それの上に配置されたベース電極４（加えて接触層１８）の間の領域が不導体化され、そしてこれにより、それぞれの薄膜構成要素の設けられた薄膜パッケージへの、これらの領域を介した、プリント回路基板２のベース体からの物質の浸透が防がれる。最終的に、新たな、一時的なレジスト構造１９が、図６Ａによる第１工程で、ベース電極４上の接触層１８上に設けられ、その後、不動態化層２０の材料がデポジットされる（図６Ｂ参照）。その後、レジスト層と不動態化層とが、ベース電極４上からフォトリソグラフィカル的に取り除かれ、そしてプリント回路基板２の絶縁材ベース体３のベース材料が暴露されている場所で、パターン化された不動態化層２０のみが中間領域に残される（図６Ｃ参照）。不動態化層２０に提供されたウィンドウ２０’を介して、接触層１８が、これの下に配置されたベース電極と併せて露出される。当然ながら、不動態化層２０は、適切な場合のみに設けてもよく、またはベース体３の誘電材料からの拡散による、物質による特定の薄膜パッケージの用意された混入が懸念される場合に設けてもよい。このような物質の拡散が懸念されない場合であっても、不動態化層２０の適用を行ってもよいが、他の絶縁材構造（図ｌＡおよび１Ｂの７）をベース電極４の間に提供してもよい。不動態化層２０の材料は、用いられる材料の機能として選択されるが、特にベース体３の材料から選択される。上述の通り、フォトリソグラフィーによって適切にパターン化され（図６Ａおよび６Ｂ参照）、そして不動態化層２０の材料は、熱蒸発、コールドカソードスパッタリングなどの通常の薄膜技術によって設けることができ、ベース体３上の不動態化材料の物理的または化学的吸着が、付着に十分な範囲で確保される。不動態化層２０の材料は、例えば二酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物であってよい。
【００５３】
図６Ａ〜６Ｃに示される技術の代わりとして、例えばラミネート形態などの、不動態化材料の均一な適用を、表面全体に仮に提供することも実行可能であり、その後に、図６Ｃによる構造が最終的に得られるように、この不動態化層をフォトリソグラフィカル的にパターン化してもよい。
【００５４】
こうして得られたアセンブリは、ここで、所望の薄膜構成要素８を積み重ねるために、薄膜技術によってそれぞれの電子層を適用できる状態であり、簡単な場合には、光電子的に活性な、有機薄膜構造を構成する；エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス１（図１Ａ参照）を得るために、１つまたは幾つかの光電子的に活性な有機層２１が、図６Ｃにより調製された基材上にデポジットされ、図７Ａにおけるアセンブリが得られる。明らかであるとおり、有機ＥＬ材料は、例えば表面の全面積にデポジットされ、これは特に簡便な生産を提供する。（必要に応じて複数層の）有機ＥＬ薄膜システム２１（これの厚さは数ｎｍ〜数百ｎｍの範囲であり得る）と同様に、透明なまたは半透明な接触層２２が、プレーナー様式においてその後に設けられる（図７Ｂ参照）；その後に設けられる透明なまたは半透明なトップ電極９もまた、平坦に設けられる（図７Ｃ参照）。また、バリエーションとして、上方の接触層２２を、トップ電極９と同様に、完面的(holohedrally)よりはストリップ形態(strip-wisely)でまたは符号形態(symbolwisely)でパターン化することも実行可能である。
【００５５】
エレクトロルミネセンスデバイス１の実現に用いられる、有機光電子的活性層材料の例として、ポリおよびオリゴフェニル類、アリールアミン類、ポリおよびオリゴアゾメチン類が挙げられる。トップ電極９と同様に、透明なまたは半透明な接触層２２として、透明なまたは半透明な金属、合金、半導体化合物（層厚さ５０ｎｍ以下）、伝導性金属酸化物（例えばアルミニウムをドープした酸化亜鉛、亜鉛をドープした酸化インジウムなど）、伝導性のゾル−ゲル系および／または伝導性の懸濁液および溶液（ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸ベースのもの）を用いることができる。
【００５６】
最終的に、こうして得られた薄膜アセンブリ（図７Ｃ参照）は、保護カバーが別途提供され、最後に、ガスおよび湿気が不透製の付着ビーズ２３が、まず周辺に設けられる（図８Ａ参照）。この付着ビーズ２３の上面に、光透過性の封入層１０がその後に設けられ、薄膜構成要素２６を適切に封入する、そしてこれはベース電極４、接触層１８、薄膜構造８、上方接触層２２およびトップ電極９を有しており、ガス容積２５が残されており、ここで酸素および／または水または湿気のゲッター材料を、それ自体知られた手法により含めてもよい。
【００５７】
図８Ｃで説明されるように、側面にパターン化された色変換層１２（図８Ｃのかわりに図１Ａおよび１Ｂも参照できる）もまた、必要に応じて、ガス容積２５および個々の薄膜構成要素２６の上方に、封入層１０において集積され得る。
【００５８】
この手法によって、所望の薄膜アセンブリが完成し、接触部位６’上において必要とされる制御連結が提供される。所望の制御機能を実現するために、プリント回路基板２の上に、他の構成要素を、それ自体知られた手法によりマウントしてもよく、これについては詳細記載を省く。
【００５９】
図９Ａ〜９Ｄは、生産工程が異なる、他の典型的な実施態様を説明するものであり、すなわち薄膜アセンブリが、有機、光電子活性層システムから作成された光起電性セルを有するものであり、そしてこの製造は、一般的に、上記の図３Ａ〜８Ｃを参照して、同様に実行可能である。
【００６０】
詳細には、所望の光電子的に活性な有機層システム２１を、適切なベース電極４（それぞれ、パターン化された導体層５、補強５Ａおよび接触層１８を、図７Ａで解明されたのと同様の手法により、有している）上にデポジットさせ、ここで光透過性接触層２２（図９Ｂ参照）、そしてその上に光透過性トップ電極９（図９Ｃ参照）が、再び平坦にデポジットされていてもよい。最終的に、図８Ａおよび８Ｂで既に説明されたのと同様の手法で、周辺のガスおよび湿気を透過しないビーズ２３を備える、光透過性封入層１０が、図９Ｄで説明されるように付着されうる。
【００６１】
図１０は、プリント回路基板２に集積された有機ダイオード３０の形態における、他の典型的な実施態様を説明しており、ここで適切な有機ダイオード薄膜システム２１’が、上記と同様の手法で、再び、接触層１８を有するベース電極４上に設けられる。上面に、上方接触層２２’があり、これはこの事例では光透過性でなくてもよく、そしてトップ電極９’もまた光透過性でなくてもよい。加えて図１０から理解されるように、パターン化された下方の金属コーティング１５およびプリント回路基板２のベース体３、さらに堅固な付着ビーズ２３そして封入層１０’もまた、この事例では不透明な構造形で実行可能である。
【００６２】
幾つかは同様に、図１１によるトランジスター構造４０でそのままの状態であり、ここで接触層１８’は。ベース電極４（これはパターン化された上方導体層５および補強５Ａを有している）の上方に再び設けられ、そしてこの接触層１８’は、例えば、形成された電界効果構造４０のゲート接触を形成する。トランジスター構造４０の接触層１８’の上に、絶縁材層４１中に、例えば酸化アルミニウムが処理され、それの上に有機的に活性な層２１’が順次設けられ、そしてソース接触層４２と通じ、一方で接触層４３を排出させる。これらの接触は、トランジスター構造４０の側面に配置された、ベース電極４Ｓ、４Ｄを介して、そしてそれぞれフィードスルー６Ｓ、６Ｄおよび接触部位６’と、下方で接続され。
【００６３】
同様の手法で、他の薄膜構成要素、すなわち活性および不動構成要素の両方が、プリント回路基板基材２上に直接積み重ねられてもよく、または同様に集積されてもよく、そしてここで、パターン化され、必要に応じて補強された導体層５のそれぞれのスムージング（および５Ａ、それぞれ）、さらにはベース電極４または下方面電極のスムージングの実行が必須である。薄膜構造間での接触および安定した付着を確立する、所望の接触層が、平坦なまたは研磨されたベース電極の上に設けられる。それ自体通常使用されそして本発明の技術によってプリント回路基板に集積されうる他の構成要素として、例えばセンサーが挙げられ、ここで光学センサーの場合は、それぞれの光透過性上方接触層、電極および封入層が提供される必要がある。
【００６４】
前述の技術は、リジッドなプリント回路基板、そしてフレキシブルなプリント回路基板の両方に、実質的に同一の方法で適用することができる。フレキシブルなプリント回路基板２では、例えば、フレキシブルな、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエステルまたはポリエーテルエーテルケトンフィルムなどの絶縁ベース体３を有し、そして同様の手法で、金属層（特に銅）を、伝導性層５の片面および両面の両方に提供することができる。
【００６５】
最終的に全体がフレキシブルオーバーロールアセンブリを得る目的で、上記技術に対して事実上の改変なく、薄膜構造８、同様に接触層１８およびトップ電極９、そして非常に薄い、薄膜システム８が、有利な手法において、このようなフレキシブル構造に特に適しており、さらにリジッドでないガラスが貼り付けられる封入１０を確保する範囲での適合も必要であり、一方でフレキシブルな薄いガラスラミネーターまたはポリマー−酸化物コンポジット層システムまたは同様のフレキシブル封入層１０が挿入可能である。
【００６６】
フレキシブル材料のこのような封入層１０を、フレキシブルプリント回路基板２上に設けることができ、またはこれの上にとりつけられた薄膜システム８に、付着中間層４４を介して設けることができ、同様に湿気および空気に対するバリアー層として作用する不動態化層４５にも設けることができる。図１２において概略的に説明する。図１２の説明図において、相対厚さ割合を可能な限り表していることに留意すべきであり、ここで薄膜構成要素８は、フレキシブル薄膜アセンブリ全体の中立面となっている。これはアセンブリ全体のほぼ中心平面であり、材料および形状（とりわけ封入層１０の）、同様にフレキシブルプリント回路基板２に依存する。
【００６７】
フレキシブルな種類のこのような薄膜アセンブリを図解するが、さらにより簡潔にした形態で図１３Ａに示し、そして図１３Ｂにおいて、この薄膜アセンブリの、曲がったまたは部分的に折りたたまれた状態を示す。後者の事例では、引っ張り力は曲げられた領域において材料の外面に作用し、これを図１３Ｂにおいて矢印４６として図解する。ここで図１３Ｂにおいて矢印４７で示された力は、曲げられた領域において内面側に作用する。中立面４８は、薄膜システム８で好ましく配置されるものであるが、このような曲げにおいても実質的に力が作用せず、そのため、アセンブリ全体が曲げられた場合であっても、引っ張り力または圧力は薄膜構成要素８自体には生じない。
【００６８】
図１４は、いわゆるロール−トゥ−ロール工程における、フレキシブルプリント回路基板を有する薄膜アセンブリの生産を概略的に示す。ここで、フレキシブルな金属で覆われたベース材料（例えば銅で覆われたポリイミドフィルムなど）が、スターティングリールからプロセスチャンバーまたはステーション５１へ、フレキシブルプリント回路基板シート２’として供給され、そしてフォトリソグラフィックパターニングが行われ、そして金属コーティング５の補強５Ａ、すなわち導体層が、前述の通り設けられる。
【００６９】
次いでシート材料２’を、プロセスチャンバーまたはステーション５２に、ローラーを介して供給し、そして金属コーティング５、５Ａは平坦であるかおよび／または研磨される。このプロセスチャンバー５２に入る前に、フレキシブルプリント回路基板シート２’を、背面において、フレキシブルキャリアーホイル５３（これはリール５４からほどかれる）を用いて堅くしてもよい。プロセスチャンバー５２を経た後、一時的に堅くするために提供された、このフレキシブルキャリアーホイル５３を、リール５５で巻き取ることができる。記載するまでもないが、キャリアーホイル５３は、製造工程のより後の段階で取り除いてもよい。
【００７０】
スムージングまたは研磨手順において、シート材料２’は、プロセスチャンバー５２内で、必要に応じて平坦なテーブル５６に導かれてもよく、これによりシート材料２’の実質的に有効に堅くすることまたは支持することを確保することができる。
【００７１】
次いで、シート材料２’を、工程領域またはプロセスチャンバー５７に入れて、例えば図４〜６によって原理を上述されるように、ここで研磨された金属コーティング５、５Ａが完成し（接触層１８）そして不導体化される（不動態化層２０）。
【００７２】
プロセスステーションまたはチャンバー５８において、（活性または不動）薄膜層（例えば２１）、上方の、そして例えば光透過性接触層２２、そして必要に応じて同様に光透過性トップ電極９を用いて、フレキシブルプリント回路基板２のコーティングが行われ、完了することにより薄膜構成要素が得られる。活性（または必要に応じて不動）薄膜層は、それ自体知られた有機または無機材料を含んでもよい。
【００７３】
最終的に、フレキシブルプリント回路基板２、すなわちシート材料２’、を、プロセスステーション５９において封入層１０でコーティングしてもよく、そしてこれは好ましくはシート材料としてリール６０からほどかれ、フレキシブルプリント回路基板２’に供給されそしてその上にラミネートされる。最後に、こうして得られたシート材料６１、すなわちフレキシブルプリント回路基板およびフレキシブル封入を有するフレキシブル薄膜アセンブリ、は、リール６２に巻き取られ、その後の切断または成型工程に向けて準備される。
【００７４】
上記および図１３Ａおよび１３Ｂで説明したように、プロセスステーション５９において、フレキシブルプリント回路基板シート上に、封入層がラミネートされる場合は、薄膜構成要素を中立面４８に置くように、封入１０が講じられるのが有利である。これによって、薄膜システム８は、その後のシステム全体の曲げにおいて、何れの機械的な力に事実上曝されることがないよう確保され、これにより剥離および部分クラックを避けることができる。
【００７５】
図１５は、プロセスステーション５２における機械的スムージングおよび研磨手順を、より詳細に図解しており、それぞれスムージングおよび研磨ロール６３、６４を有し、または類似物が概略的に示されている。上記の通り、フレキシブルプリント回路基板２’を、一時的なキャリアーフィルム５３を用いて、その背面で堅くし、そしてさらに、スムージングまたはラッピングおよび研磨ロールまたはディスク６３、６４において、支持体として役割を果たす、平坦な研磨テーブル５６上に導く。上述のとおり、キャリアーホイル５３を、このスムージング手順の後にすぐに取り除いてもよく、またより遅くにプリント回路基板シート２’から取り除いてもよい。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、および薄膜技術によって基材に設けられた少なくとも１つの電子薄膜構成要素、を有し、ベース電極（４）が基材上に提供され、その上に、該薄膜構成要素の一部を形成するベース電極薄膜層（２１）が上部トップ電極（９）と併せて配置されている薄膜アセンブリであって、
該基材は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有するプリント回路基板（２）から構成され；
該導体層（５）はベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために少なくとも薄膜構成要素の位置上はスムージングされており；および
薄膜技術における接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された、導体層（５）と、薄膜構成要素の積層薄膜層（２１）と、の間に提供されており、該接触層は、ベース電極（４）の表面上に、物理的または化学的に吸着されていることを特徴とする薄膜アセンブリ。
【請求項２】
ビア連結は、プリント回路基板（２）において、プリント回路基板（２）のベース体（３）を通じて、電極の電子接触に提供されることを特徴とする、請求項１記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３】
ベース電極（４）に対するフィードスルー（６）が、プリント回路基板（２）において、ベース電極（４）の下方に直接提供されていることを特徴とする、請求項１または２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項４】
スムージングされた導体層（５）であって、２０×２０μｍ２（ミクロ粗さ）の寸法を有する表面積を超えるものは、最大平均表面粗さが１０ｎｍ、好ましくは３ｎｍを示すことを特徴とする、請求項１〜３いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項５】
接触層（２２）もトップ電極（９）の下方に提供されていることを特徴とする、請求項１〜４いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項６】
接触層（１８；２２）も、電極における不動態化層を構成することを特徴とする、請求項１〜５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項７】
接触層（１８；２２）も電極と隣接する薄膜層との間の付着における安定層を構成することを特徴とする、請求項１〜５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項８】
接触層（１８；２２）が、例えばアルミニウム、金、パラジウム、白金または合金から作成される金属層、あるいは炭素または半導体化合物であることを特徴とする、請求項１〜７いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項９】
接触層（１８； ２２）が、例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸をベースとする、伝導性懸濁液または溶液から形成されることを特徴とする、請求項１〜７いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１０】
薄膜不動態化層（２０）が、導体層（５）に覆われていない、暴露されたベース体領域に設けられており、該不動態化層は、ベース体（３）から浮上する物質による、それぞれの薄膜構成要素の汚染を防止することを特徴とする、請求項１〜９いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１１】
前記不動態化層（２０）が、二酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物から作成されることを特徴とする、請求項１０記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１２】
トップ電極（９）および、必要に応じてそれの下に設けられた接触層（２２）が、少なくとも半透明に、好ましくは透明に設計されていることを特徴とする、請求項１〜１１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１３】
エレクトロルミネセンスデバイスが、薄膜構成要素（２４）として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１４】
個々のフィードスルー（６）を有する局所的ベース電極（４）が、絶縁グリッド構造内で、プリント回路基板（２）上に提供されており、
プレーナーと同様にプレーナーエレクトロルミネセンス薄膜システム、またはストリップ形態であるいは符号形態でパターン化されたトップ電極（９）が、その上に配置されていることを特徴とする、請求項１３記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１５】
発光ダイオードが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１６】
光起電性アセンブリが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１７】
センサー、特に光学センサーまたは温度センサー、が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１８】
ダイオード（３０）が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１９】
トランジスター、特に電界効果トランジスター（４０）が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２０】
スナッバーが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２１】
抵抗および／またはコンデンサーが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２２】
封入（１０）が、薄膜構成要素と関連していることを特徴とする、請求項１〜２１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２３】
前記封入（１０）が半透明または透明に設計されていることを特徴とする、請求項２２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２４】
封じ込められたガス容積（１１）が封入（１０）に存在することを特徴とする、請求項２２または２３記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２５】
封入が、局所的ベース電極と一直線上に、色変換および／またはインデックスマッチング層（１２）を備えることを特徴とする、請求項２３または２４記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２６】
プリント回路基板（２）が、それ自体知られているフレキシブルプリント回路基板であることを特徴とする、請求項１〜２５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２７】
薄膜構成要素がフレキシブル構造を有することを特徴とする、請求項２６記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２８】
封入（１０）がフレキシブルであり、例えば薄いガラスラミネートまたはポリマー−酸化物複合層系からなることを特徴とする、請求項２２〜２５いずれかにかかる範囲における、請求項２６または２７記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２９】
前記封入（１０）が、付着促進層（４４）を介して薄膜構成要素（８）にとりつけられていることを特徴とする、請求項２８記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３０】
前記封入（１０）が、湿気および空気に対するバリアー層として作用する不動態化層（４５）を介して、薄膜構成要素（８）の上に、必要に応じて付着−促進層（４４）の上に提供されていることを特徴とする、請求項２８または２９記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３１】
薄膜構成要素（８）が、フレキシブルプリント回路基板（２）とフレキシブル封入（１０）との間に、中立面（４８）において提供されていることを特徴とする、請求項２８〜３０いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３２】
フレキシブルプリント回路基板（２）が透明または半透明であることを特徴とする、請求項２６〜３１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３３】
ロールアップまたは折りたたみシート材料（６１）としての構造形を特徴とする、請求項２６〜３２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３４】
絶縁材ベース体および、導体層としての金属コーティング、を有するプリント回路基板が用いられ；
該導体層が、薄膜構成要素における少なくとも１つのベース電極を形成する目的で、少なくとも局所的にスムージングされており、必要に応じて補強のとりつけがされており；および、
接触層が、それの上に残存する薄膜構成要素をとりつける前に、薄膜技術によってベース電極上に設けられている；
ことを特徴とする、
薄膜技術によって基材上に設けられた、少なくとも１つの電子薄膜構成要素を有する、薄膜アセンブリの製造方法。
【請求項３５】
導体層が、例えばラッピング、研削または研磨などの機械的方法によってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
導体層が電気化学的研磨によってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３７】
導体層が化学機械的研磨によってスムージングされていることをを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３８】
導体層が、例えば硫酸、硝酸またはクロモ硫酸を用いる化学エッチングによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３９】
導体層がイオンエッチングによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項４０】
導体層が、個々のまたは幾つかの原子または分子、例えばアルゴンまたはアルゴンクラスタなど、の粒子を用いるボンバードメントによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項４１】
導体層が、最大平均表面粗さ１０ｎｍに、好ましくは３ｎｍに、２０×２０μｍ２の寸法を有する表面積を超えてスムージングされていることを特徴とする、請求項３４〜４０いずれかに記載の方法。
【請求項４２】
導体層が電気化学的に補強されていることを特徴とする、請求項３４〜４１いずれかに記載の方法。
【請求項４３】
プリント回路基板が、残存する領域において、導体層を局所的に補強する前に、フォトリソグラフィーによって一時的に不導体化されていることを特徴とする、請求項３４〜４２いずれかに記載の方法。
【請求項４４】
導体層に覆われていないベース体領域が、残存する薄膜構成要素をとりつける前に、フォトリトグラフィカル的に補助された薄膜技術によって不導体化されていることを特徴とする、請求項３４〜４３いずれかに記載の方法。
【請求項４５】
不動態化層が熱蒸発によって設けられることを特徴とする、請求項４３または４４記載の方法。
【請求項４６】
不動態化層が、コールドカソードコーティングによって設けられることを特徴とする、請求項４３または４４記載の方法。
【請求項４７】
フレキシブルプリント回路基板が、基材として用いられることを特徴とする、請求項３４〜４６いずれかに記載の方法。
【請求項４８】
フレキシブルプリント回路基板が、少なくともスムージング中に、堅くされた層によっておよび／またはテーブル上に導かれることによって一時的に支持されることを特徴とする、請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
リールからほどかれたフレキシブルプリント回路基板シートが用いられることを特徴とする、請求項４７または４８記載の方法。
【請求項５０】
前もって作られたフレキシブル封入シートが、薄膜構成要素を備えたフレキシブルプリント回路基板シート上に設けられることを特徴とする、請求項４７〜４９いずれかに記載の方法。
【請求項５１】
封入シートがリールからほどかれることを特徴とする、請求項５０記載の方法。
【請求項１】
基材、および薄膜技術によって基材に設けられた少なくとも１つの電子薄膜構成要素、を有し、ベース電極（４）が基材上に提供され、その上に、該薄膜構成要素の一部を形成するベース電極薄膜層（２１）が上部トップ電極（９）と併せて配置されている薄膜アセンブリであって、
該基材は、絶縁材ベース体（３）と、導体層（５）としての金属コーティングと、を有するプリント回路基板（２）から構成され；
該導体層（５）はベース電極（４）を形成し、そしてこの目的のために少なくとも薄膜構成要素の位置上はスムージングされており；および
薄膜技術における接触層（１８）が、スムージングされ、必要に応じて補強された、導体層（５）と、薄膜構成要素の積層薄膜層（２１）と、の間に提供されており、該接触層は、ベース電極（４）の表面上に、物理的または化学的に吸着されていることを特徴とする薄膜アセンブリ。
【請求項２】
ビア連結は、プリント回路基板（２）において、プリント回路基板（２）のベース体（３）を通じて、電極の電子接触に提供されることを特徴とする、請求項１記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３】
ベース電極（４）に対するフィードスルー（６）が、プリント回路基板（２）において、ベース電極（４）の下方に直接提供されていることを特徴とする、請求項１または２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項４】
スムージングされた導体層（５）であって、２０×２０μｍ２（ミクロ粗さ）の寸法を有する表面積を超えるものは、最大平均表面粗さが１０ｎｍ、好ましくは３ｎｍを示すことを特徴とする、請求項１〜３いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項５】
接触層（２２）もトップ電極（９）の下方に提供されていることを特徴とする、請求項１〜４いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項６】
接触層（１８；２２）も、電極における不動態化層を構成することを特徴とする、請求項１〜５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項７】
接触層（１８；２２）も電極と隣接する薄膜層との間の付着における安定層を構成することを特徴とする、請求項１〜５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項８】
接触層（１８；２２）が、例えばアルミニウム、金、パラジウム、白金または合金から作成される金属層、あるいは炭素または半導体化合物であることを特徴とする、請求項１〜７いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項９】
接触層（１８； ２２）が、例えばポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸をベースとする、伝導性懸濁液または溶液から形成されることを特徴とする、請求項１〜７いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１０】
薄膜不動態化層（２０）が、導体層（５）に覆われていない、暴露されたベース体領域に設けられており、該不動態化層は、ベース体（３）から浮上する物質による、それぞれの薄膜構成要素の汚染を防止することを特徴とする、請求項１〜９いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１１】
前記不動態化層（２０）が、二酸化ケイ素、ゾル−ゲル系またはエポキシ化合物から作成されることを特徴とする、請求項１０記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１２】
トップ電極（９）および、必要に応じてそれの下に設けられた接触層（２２）が、少なくとも半透明に、好ましくは透明に設計されていることを特徴とする、請求項１〜１１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１３】
エレクトロルミネセンスデバイスが、薄膜構成要素（２４）として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１４】
個々のフィードスルー（６）を有する局所的ベース電極（４）が、絶縁グリッド構造内で、プリント回路基板（２）上に提供されており、
プレーナーと同様にプレーナーエレクトロルミネセンス薄膜システム、またはストリップ形態であるいは符号形態でパターン化されたトップ電極（９）が、その上に配置されていることを特徴とする、請求項１３記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１５】
発光ダイオードが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１６】
光起電性アセンブリが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１７】
センサー、特に光学センサーまたは温度センサー、が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１８】
ダイオード（３０）が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項１９】
トランジスター、特に電界効果トランジスター（４０）が、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２０】
スナッバーが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２１】
抵抗および／またはコンデンサーが、薄膜構成要素として提供されていることを特徴とする、請求項１〜１２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２２】
封入（１０）が、薄膜構成要素と関連していることを特徴とする、請求項１〜２１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２３】
前記封入（１０）が半透明または透明に設計されていることを特徴とする、請求項２２記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２４】
封じ込められたガス容積（１１）が封入（１０）に存在することを特徴とする、請求項２２または２３記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２５】
封入が、局所的ベース電極と一直線上に、色変換および／またはインデックスマッチング層（１２）を備えることを特徴とする、請求項２３または２４記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２６】
プリント回路基板（２）が、それ自体知られているフレキシブルプリント回路基板であることを特徴とする、請求項１〜２５いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２７】
薄膜構成要素がフレキシブル構造を有することを特徴とする、請求項２６記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２８】
封入（１０）がフレキシブルであり、例えば薄いガラスラミネートまたはポリマー−酸化物複合層系からなることを特徴とする、請求項２２〜２５いずれかにかかる範囲における、請求項２６または２７記載の薄膜アセンブリ。
【請求項２９】
前記封入（１０）が、付着促進層（４４）を介して薄膜構成要素（８）にとりつけられていることを特徴とする、請求項２８記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３０】
前記封入（１０）が、湿気および空気に対するバリアー層として作用する不動態化層（４５）を介して、薄膜構成要素（８）の上に、必要に応じて付着−促進層（４４）の上に提供されていることを特徴とする、請求項２８または２９記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３１】
薄膜構成要素（８）が、フレキシブルプリント回路基板（２）とフレキシブル封入（１０）との間に、中立面（４８）において提供されていることを特徴とする、請求項２８〜３０いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３２】
フレキシブルプリント回路基板（２）が透明または半透明であることを特徴とする、請求項２６〜３１いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３３】
ロールアップまたは折りたたみシート材料（６１）としての構造形を特徴とする、請求項２６〜３２いずれかに記載の薄膜アセンブリ。
【請求項３４】
絶縁材ベース体および、導体層としての金属コーティング、を有するプリント回路基板が用いられ；
該導体層が、薄膜構成要素における少なくとも１つのベース電極を形成する目的で、少なくとも局所的にスムージングされており、必要に応じて補強のとりつけがされており；および、
接触層が、それの上に残存する薄膜構成要素をとりつける前に、薄膜技術によってベース電極上に設けられている；
ことを特徴とする、
薄膜技術によって基材上に設けられた、少なくとも１つの電子薄膜構成要素を有する、薄膜アセンブリの製造方法。
【請求項３５】
導体層が、例えばラッピング、研削または研磨などの機械的方法によってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
導体層が電気化学的研磨によってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３７】
導体層が化学機械的研磨によってスムージングされていることをを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３８】
導体層が、例えば硫酸、硝酸またはクロモ硫酸を用いる化学エッチングによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項３９】
導体層がイオンエッチングによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項４０】
導体層が、個々のまたは幾つかの原子または分子、例えばアルゴンまたはアルゴンクラスタなど、の粒子を用いるボンバードメントによってスムージングされていることを特徴とする、請求項３４記載の方法。
【請求項４１】
導体層が、最大平均表面粗さ１０ｎｍに、好ましくは３ｎｍに、２０×２０μｍ２の寸法を有する表面積を超えてスムージングされていることを特徴とする、請求項３４〜４０いずれかに記載の方法。
【請求項４２】
導体層が電気化学的に補強されていることを特徴とする、請求項３４〜４１いずれかに記載の方法。
【請求項４３】
プリント回路基板が、残存する領域において、導体層を局所的に補強する前に、フォトリソグラフィーによって一時的に不導体化されていることを特徴とする、請求項３４〜４２いずれかに記載の方法。
【請求項４４】
導体層に覆われていないベース体領域が、残存する薄膜構成要素をとりつける前に、フォトリトグラフィカル的に補助された薄膜技術によって不導体化されていることを特徴とする、請求項３４〜４３いずれかに記載の方法。
【請求項４５】
不動態化層が熱蒸発によって設けられることを特徴とする、請求項４３または４４記載の方法。
【請求項４６】
不動態化層が、コールドカソードコーティングによって設けられることを特徴とする、請求項４３または４４記載の方法。
【請求項４７】
フレキシブルプリント回路基板が、基材として用いられることを特徴とする、請求項３４〜４６いずれかに記載の方法。
【請求項４８】
フレキシブルプリント回路基板が、少なくともスムージング中に、堅くされた層によっておよび／またはテーブル上に導かれることによって一時的に支持されることを特徴とする、請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
リールからほどかれたフレキシブルプリント回路基板シートが用いられることを特徴とする、請求項４７または４８記載の方法。
【請求項５０】
前もって作られたフレキシブル封入シートが、薄膜構成要素を備えたフレキシブルプリント回路基板シート上に設けられることを特徴とする、請求項４７〜４９いずれかに記載の方法。
【請求項５１】
封入シートがリールからほどかれることを特徴とする、請求項５０記載の方法。
【公表番号】特表２００７−５０５４８４（Ｐ２００７−５０５４８４Ａ）
【公表日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２５５６５（Ｐ２００６−５２５５６５）
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＡＴ２００４／０００３０８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２５２８２
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０５４２００１３）アーテー・ウント・エス・オーストリア・テヒノロギー・ウント・ジュステームテッヒニク・アクチェンゲゼルシャフト (19)
【氏名又は名称原語表記】ＡＴ ＆ Ｓ ＡＵＳＴＲＩＡ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥ ＆ ＳＹＳＴＥＭＴＥＣＨＮＩＫ ＡＫＴＩＥＮＧＥＳＥＬＬＳＣＨＡＦＴ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月９日（２００４．９．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＡＴ２００４／０００３０８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２５２８２
【国際公開日】平成１７年３月１７日（２００５．３．１７）
【出願人】（５０５４２００１３）アーテー・ウント・エス・オーストリア・テヒノロギー・ウント・ジュステームテッヒニク・アクチェンゲゼルシャフト (19)
【氏名又は名称原語表記】ＡＴ ＆ Ｓ ＡＵＳＴＲＩＡ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥ ＆ ＳＹＳＴＥＭＴＥＣＨＮＩＫ ＡＫＴＩＥＮＧＥＳＥＬＬＳＣＨＡＦＴ
【Ｆターム（参考）】
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