薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置
【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、サブピクセル単位で発光制御するため、サブピクセル毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））素子が形成されてなる薄膜トランジスタ装置が採用されている。そして、特に半導体層として有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ装置の開発が進められている。
図１５（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置は、例えば、基板９０１１上に、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂ、絶縁層９０１３、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂおよびドレイン電極（図示を省略。）、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが順に積層形成されている。有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂは、絶縁層９０１３上において、有機半導体インクを塗布して乾燥させることにより形成され、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂとドレイン電極との間を埋めるとともに、それらの上を覆うように形成されている。
【０００３】
また、図１５（ａ）に示すように、絶縁層９０１３上には、隣接する素子間を区画するために隔壁９０１６が設けられている。隔壁９０１６には、複数の開口部９０１６ａ〜９０１６ｃが開けられており、開口部９０１６ａには、その底部に、ドレイン電極に接続された接続配線９０１５が露出しており、有機半導体層が形成されていない。接続配線９０１５は、当該有機ＴＦＴ装置の上方に形成される発光素子の電極を接続するための電極である。そして、隔壁９０１６の開口部９０１６ｂ，９０１６ｃには、互いに区画された有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが形成されている。
【０００４】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに用いられる有機ＴＦＴ装置は、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂへの信号の入力により、発光素子の発光制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７６７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置では、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの形成に係るインク塗布に際して、開口部９０１６ｂに対して滴下されたインクと、隣接する開口部９０１６ｃに対して滴下されたインクとが混合されてしまうという事態が生じ得る。具体的には、図１５（ｂ）に示すように、隔壁９０１６に開けられた開口部９０１６ｂ，９０１６ｃに有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂを塗布（滴下）するとき、矢印Ｆ９０で示すように、有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂが、互いに混合してしまうことがある。この場合に、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの層厚が不所望な厚みとなり、また、互いに異なる成分の半導体層を形成しようとする場合には、インクの混合によりトランジスタ性能の低下をもたらすことになる。
【０００７】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部９０１６ｂと開口部９０１６ｃとの間の距離が短くなり、インク９０１７０ａとインク９０１７０ｂとが混合され易くなり、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、隣接する開口部の各内部へ有機半導体インクを滴下した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、次のような特徴を有する。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備る。そして、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、備える。
【０００９】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１０】
第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁における第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成されている。
【００１１】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。このため、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第１開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第２開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００１３】
従って、本発明に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の構成の一部を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【図４】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の概略を示す工程フロー図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の形成方法の概略を示す工程フロー図である。
【図５】ＴＦＴ基板１０１の製造過程で、有機半導体インクを塗布した状態を示す模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、隔壁１０１６の形成に係る工程を順に示す模式工程図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、隔壁１０１６の形成に係る工程を順に示す模式工程図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一工程を示す模式工程図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一部工程を順に示す模式工程図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一部工程を順に示す模式工程図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板における隔壁３０１６の構成を示す模式平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板における隔壁４０１６の構成を示す模式平面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板における隔壁の開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義の仕方を示す模式図である。
【図１４】（ａ）は、変形例１に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例３に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図である。
【図１５】（ａ）は、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成のうち、有機ＴＦＴ装置の構成の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置の製造過程のうち、有機半導体インクの塗布に係る工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備る。そして、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、備える。
【００１６】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１７】
第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁における第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成されている。
【００１８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。このため、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第１開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第２開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００１９】
従って、本発明に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
ここで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置のように、隔壁における第１開口部を臨む側面部で傾斜の緩急に差異を設けた場合、有機半導体層の形成における有機半導体インクを塗布した際に、急峻な斜面である側よりも、緩やかな斜面である側へと偏ったインクの表面プロファイルとなる。これは、隔壁の側面部とインクとの接触角、およびインクの表面張力の関係に起因する。
【００２０】
即ち、インクの溢れ出しを抑制したい側である第２開口部が隣接する側の部分を相対的に急峻な斜面とし、溢れ出しても問題を生じない側の側面部を相対的に緩やかな斜面にすることで、インクの表面プロファイルを上記のように制御することができ、第１開口部に塗布したインクと第２開口部に塗布したインクとが不所望に混合することを確実に抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記のように、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
【００２１】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分についても、傾斜が相対的に急峻な斜面とすることで、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第２開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第１開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００２２】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分に対して、当該第２開口部を挟んで対向する部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する部分に対して、第２開口部を挟んで対向する部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることで、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、当該傾斜が相対的に緩やかな斜面の方に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２３】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることにより、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、第１開口部が隣接する側を除く他の部分に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２４】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、当該傾斜が相対的に緩やかな斜面の方に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２５】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を除く部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を除く他の部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることにより、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、第２開口部が隣接する側を除く他の部分に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２６】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、傾斜の緩急が、隔壁の側面と、隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている、ことを特徴とする。
【００２７】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面である第２開口部が隣接する側の部分は、傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５[ｄｅｇ．]以上大きい、ことを特徴とする。
なお、上記において、「傾斜が相対的に緩やかな斜面」の傾斜角度は、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。また、上記において、「傾斜が相対的に急峻な斜面」の傾斜角度は、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００２８】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記の何れかの態様に係る薄膜トランジスタ装置と、薄膜トランジスタ装置の上方に設けられた平坦化膜と、平坦化膜をその厚み方向に挿通するコンタクトホールと、平坦化膜上に形成され、コンタクトホールを介して、第１の薄膜トランジスタ素子または第２のトランジスタ素子におけるドレイン電極またはソース電極と電気的に接続された下部電極と、下部電極の上方に形成された上部電極と、下部電極と上部電極との間に介挿された有機発光層とを備える、ことを特徴とする。
【００２９】
上記のように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置を構成中に含んでいるので、上記効果をそのまま得ることができ、高い発光品質を有する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備える、ことを特徴とする。このように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備えるので、上記同様に、高い発光品質を備える。
【００３０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、次の第１工程から第６工程を備える。
（ｉ） 第１工程；基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する。
（ｉｉ） 第２工程；第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する。
【００３１】
（ｉｉｉ） 第３工程；絶縁層上において、第１のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、第２のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する。
【００３２】
（ｉｖ） 第４工程；絶縁層上において、第１および第２のソース電極上、および、第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する。
（ｖ） 第５工程；積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する。
【００３３】
（ｖｉ） 第６工程；第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第１開口部の内部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、第１のソース電極および第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する。
【００３４】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成するとともに、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側となる部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。
【００３５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において隔壁を形成するのに際して、第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を、傾斜が相対的に急峻な斜面とするので、第１開口部の内部に対して有機半導体材料を含む有機半導体インクを塗布した際に、インクは第２開口部が隣接する側とは異なる、傾斜が相対的に緩やかな斜面の方へと偏った表面プロファイルを有することになる。これより、第５工程において、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、側面部における傾斜が急峻な斜面とされた部分、即ち、第２開口部が隣接する側への有機半導体インクの溢れ出しが確実に抑制され、これより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合を抑制することができ、高品質な薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
【００３６】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、上記第５工程において、隔壁における第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成するとともに、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側となる部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面になるように隔壁を形成する、ことを特徴とする。このように、第５工程において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分についても、傾斜が相対的に急峻な斜面とすることで、第６工程における有機半導体インクの塗布の際に、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第１開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００３７】
従って、上記構成を採用する場合には、第１開口部が隣接する側への有機半導体インクの溢れ出しが確実に抑制され、これより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合を抑制することができ、高品質な薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
第１開口部を臨む側面部に、傾斜が相対的に急峻な斜面と、傾斜が相対的に緩やかな斜面とをする具体的な方法として、次のような方法を採用することができる。
【００３８】
（１） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする、ことを特徴とする。
（２） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部を形成しようとする部分に対して、感光性レジスト材料を露光した後に、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う、ことを特徴とする。
【００３９】
（３） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う、ことを特徴とする。
上記（１）から（３）の何れの方法を採用した場合においても、側面部に、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とを、確実に形成することができる。
【００４０】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に規定されるものである。また、「上方」との用語は、間に間隔をあけた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用するものである。
以下では、幾つかの具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００４１】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
以下では、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について図１を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００４２】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の配置については、これに限られない。
【００４３】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成について、図２の模式断面図および図３（ａ）の模式平面図を用い説明する。
図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１０１を備える。ＴＦＴ装置としてのＴＦＴ基板１０１は、基板１０１１の上に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが互いに間隔をあけた状態で積層され、その上を覆うように、絶縁層１０１３が積層形成されている。絶縁層１０１３の上には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂがそれぞれゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂに対応して設けられ、また、図３（ａ）に示すように、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂのそれぞれに対してＹ軸方向に間隔をあけてドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが設けられている。
【００４４】
また、図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、ソース電極１０１４ａに対してＸ軸方向左側に間隔をあけて、接続配線１０１５が形成されている。なお、接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃから延出形成され、あるいは、これらの一方と電気的に接続されている。
図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、接続配線１０１５、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃ、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄを、それぞれ囲繞するよう隔壁１０１６が形成されている。換言すると、図３（ａ）に示すように、隔壁１０１６に開けられた３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃのうち、接続配線１０１５が底部に露出するＸ軸方向左側の開口部１０１６ａが、チャネル部とは異なる部分であり、アノード１０３とのコンタクト部として機能する。
【００４５】
一方、底部にソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃが露出する開口部１０１６ｂ、および底部にソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄが露出する開口部１０１６ｃが、それぞれチャネル部として機能する部分である。
隔壁１０１６で囲繞された各領域のうち、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの上に相当する領域、およびソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの上に相当する領域には、それぞれ有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが積層形成されている。有機半導体層１０１７ａは、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの間の間隙、およびソース電極１０１４ａ、ドレイン電極１０１４ｃの各上を充填するように形成され、これら電極１０１４ａ，１０１４ｃと密に接している。有機半導体層１０１７ｂについても、同様に、電極１０１４ｂ，１０１４ｄと密に接するよう形成されている。そして、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、隔壁１０１６により互いに区画されている。
【００４６】
図２に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂおよび絶縁層１０１３の上を覆うように、パッシベーション膜１０１８が積層形成されている。ただし、接続配線１０１５の上に相当する箇所は、開口されている。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１は、以上のような構成を有する。
【００４７】
次に、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０１上は、平坦化膜１０２で被覆されている。ただし、接続配線１０１５の上は、コンタクトホール１０２ａが開けられている。そして、平坦化膜１０２の主面に沿ってアノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５が順に積層形成されている。これら、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５は、平坦化膜１０２におけるコンタクトホール１０２ａを臨む側面に沿っても形成されており、アノード１０３は、接続配線１０１５と接触し、電気的に接続されている。
【００４８】
ホール注入層１０５の上には、発光部（サブピクセル）に相当する箇所を囲繞するようにバンク１０６が形成されている。バンク１０６が囲繞することで形成される開口部には、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９が順に積層形成されている。
さらに、電子輸送層１０９の上、およびバンク１０６の露出面を覆うように、カソード１１０および封止層１１１が順に積層形成され、封止層１１１に対向するようにＣＦ（カラーフィルタ）基板１１３が配され、間に接着層１１２が充填されて互いに接合されている。ＣＦ基板１１３は、基板１１３１のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成され構成されている。
【００４９】
３．有機ＥＬ表示パネル１０の構成材料
有機ＥＬ表示パネル１０では、例えば、各部位を次のような材料を用い形成することができる。
（ｉ） 基板１０１１
基板１０１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００５０】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂） 、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１ 種、または２ 種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００５１】
（ｉｉ） ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ
ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂは、例えば、導電性を有する材料であれば特に限定されない。
具体的な材料として、たとえば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５２】
（ｉｉｉ） 絶縁層１０１３
絶縁層１０１３は、ゲート絶縁層として機能するものであって、例えば、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００５３】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１ 種または２ 種以上組み合わせて用いることができる。
【００５４】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
（ｉｖ） ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、および接続配線１０１５
ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、および接続配線１０１５は、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成するための上記材料を用い形成することができる。
【００５５】
（ｖ） 有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂ
有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、例えば、半導体特性を有し、溶媒に可溶であれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン） （ＰＴＶ）もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン） （ＰＰＶ） などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン） （ＰＦＯ） などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３） のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン） （ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール） （ＢＴ） 、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン） （Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５６】
また、溶媒に可溶な無機材料も使用することが可能である。
（ｖｉ） パッシベーション膜１０１８
パッシベーション膜１０１８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂や、フッ素系樹脂などを用い形成することができる。
（ｖｉｉ） 平坦化膜１０２
平坦化膜１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
【００５７】
（ｖｉｉｉ） アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
（ｉｘ） 透明導電膜１０４
透明導電膜１０４は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。
【００５８】
（ｘ） ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。なお、図２に示す本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、金属酸化物からなるホール注入層１０５を構成することを想定しているが、この場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００５９】
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯＸ）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００６０】
（ｘｉ） バンク１０６
バンク１０６は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００６１】
なお、バンク１０６を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０６の表面と発光層１０８の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０６が規定する開口部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１０６の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００６２】
（ｘｉｉ） ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（ｘｉｉｉ） 有機発光層１０８
発光層１０８は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００６３】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００６４】
（ｘｉｖ） 電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（ｘｖ） カソード１１０
カソード１１０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００６５】
カソード１１０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層の構造、あるいは、前記いずれかの層に銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【００６６】
（ｘｖｉ） 封止層１１１
封止層１１１は、発光層１０８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００６７】
封止層１１１は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
４．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成のうち、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６およびその周辺の構成について、図３（ａ）および図３（ｂ）を用い説明する。
【００６８】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１では、接続配線１０１５の一部、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃの各一部、ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄの各一部を、それぞれ囲繞するように隔壁１０６が形成されている。これにより、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃがあけられている。
【００６９】
なお、図３（ａ）および図３（ｂ）では、ＴＦＴ基板１０１における他のサブピクセルに相当する箇所での構成については図示していないが、同様の構成となっている。
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向の最も左側に設けられた開口部１０１６ａの底部には、接続配線１０１５が露出しており、上述のように、当該接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃの一方（本実施の形態では、ドレイン電極１０１４ｃ）と接続されており、また、図２に示すように、アノード１０３が接続されることになる。
【００７０】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向の中央の開口部１０１６ｂの底部には、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの各一部が露出しており、Ｘ軸方向右側の開口部１０１６ｃの底部には、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの各一部が露出している。
図３（ａ）に示すように、各開口部１０１６ｂ，１０１６ｃ内では、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄとは、Ｙ軸方向において互いに間隔をあけた状態で配置されている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃ内には、上記のように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが形成され、当該部分がチャネル部として機能する。
【００７１】
次に、図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、隔壁１０１６における開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部は、斜面で構成されているとともに、その一部の傾斜を他に比べて急峻にしている。具底的には、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｃ側の側面部１０１６ｅの傾斜は、開口部１０１６ａ側の側面部１０１６ｄ、および開口部１０１６ｂを挟んでＹ軸方向に対向する側面部１０１６ｈ，１０１６ｉの傾斜よりも急峻なものとなっている。
【００７２】
また、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂ側の側面部１０１６ｆの傾斜は、開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇ、および開口部１０１６ｃを挟んでＹ軸方向に対向する側面部１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜よりも急峻なものとなっている。
ここで、下地層である絶縁層１０１３、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの表面に対する側面部１０１６ｄの傾斜角度を角度θｄとし、同様に、側面部１０１６ｅの傾斜角度を角度θｅ、側面部１０１６ｈの傾斜角度を角度θｈ、側面部１０１６ｉの傾斜角度を角度θｉとするとき、本実施の形態では、次の関係を満足する。
【００７３】
［数１］ θｅ＞θｄ
［数２］ θｅ＞θｈ
［数３］ θｅ＞θｉ
また、下地層である絶縁層１０１３、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの表面に対する側面部１０１６ｆの傾斜角度を角度θｆとし、同様に、側面部１０１６ｇの傾斜角度を角度θｇ、側面部１０１６ｊの傾斜角度を角度θｊ、側面部１０１６ｋの傾斜角度を角度θｋとするとき、次の関係も満足する。
【００７４】
［数４］ θｆ＞θｇ
［数５］ θｆ＞θｊ
［数６］ θｆ＞θｋ
ここで、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度θｅ，θｆが、他の側面部（緩傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｇ，θｈ，θｉ，θｊ，θｋに対して、５［ｄｅｇ．］以上大きくなっていることが好ましい。
【００７５】
また、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度θｅ，θｆは、例えば、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。さらに、傾斜が緩やかな緩傾斜側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｇ，θｈ，θｉ，θｊ，θｋは、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００７６】
上記のように、隔壁１０６において、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの傾斜角度に差異を設けるのは、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成の際に、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクと、開口部１０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとが、混合してしまうことを抑制するためである。換言すると、開口部１０１６ｂの内部と，１０１６ｃの内部に有機半導体インクを塗布した際に、傾斜を緩やかにした側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの側に有機半導体インクの表面フプロファイルが偏るようにしている。これについては、後述する。
【００７７】
５．有機ＥＬ表示装置１の製造方法
有機ＥＬ表示装置１の製造方法、特に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図２と図４を用い説明する。
図２および図４（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０１のベースとなる基板１０１１を準備する（ステップＳ１）。そして、当該基板１０１１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子を形成し、ＴＦＴ基板１０１を形成する（ステップＳ２）。
【００７８】
次に、図２および図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁材料からなる平坦化膜１０２を形成する（ステップＳ３）。図２に示すように、平坦化膜１０２では、ＴＦＴ基板１０１における接続配線１０１５の上方に相当する箇所にコンタクトホール１０２ａがあけられ、その他の部分のＺ軸方向上面を略平坦化されている。
次に、平坦化膜１０２上にアノード１０３を形成する（ステップＳ４）。ここで、図２に示すように、アノード１０３は、発光単位（サブピクセル）で区画され形成されており、コンタクトホール１０２ａの側壁に沿って一部がＴＦＴ基板１０１の接続配線１０１５に接続される。
【００７９】
なお、アノード１０３は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などにより金属膜を成膜した後、サブピクセル単位にエッチングすることで形成できる。
次に、アノード１０３の上面を覆うように透明導電膜１０４を形成する（ステップＳ５）。図２に示すように、透明導電膜１０４は、アノード１０３の上面のみならず側端面も覆っており、また、コンタクトホール１０２ａ内においてもアノード１０３の上面を覆っている。なお、透明導電膜１０４は、上記同様に、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜した後、エッチングによりサブピクセル単位に区画することにより形成される。
【００８０】
次に、透明導電膜１０４上にホール注入層１０５を形成する（ステップＳ６）。図２に示すように、ホール注入層１０５は、透明導電膜１０４上の全面を覆うように形成されているが、サブピクセル毎に区画した状態で形成することもできる。
金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からホール注入層１０５を形成する場合には、金属酸化膜の形成は、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタ装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比が５０［％］以上７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００８１】
次に、各サブピクセルを規定するバンク１０６を形成する（ステップＳ７）。図２に示すように、バンク１０６は、ホール注入層１０５の上に積層形成される。
バンク１０６の形成は、先ず、ホール注入層１０５の上に、バンク１０６の材料層を積層形成する。この材料層は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの感光性樹脂成分とフッ素成分を含む材料を用い、スピンコート法等により形成される。なお、本実施の形態においては、感光性樹脂材料の一例として、日本ゼオン製ネガ型感光性材料（品番：ＺＰＮ１１６８）を用いることができる。次に、材料層をパターニングして、各サブピクセルに対応する開口部を形成する。開口部の形成には、材料層の表面にマスクを配して露光を行い、その後で現像を行うことにより形成できる。
【００８２】
次に、ホール注入層１０５上におけるバンク１０６で規定された各凹部内に対し、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９を順に積層形成する（ステップＳ８〜Ｓ１０）。
ホール輸送層１０７は、その構成材料である有機化合物からなる膜を印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。有機発光層１０８についても、同様に、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。
【００８３】
次に、電子輸送層１０９上にカソード１１０および封止層１１１を順に積層する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。図２に示すように、カソード１１０および封止層１１１は、バンク１０６の頂面も被覆するように形成されており、全面に形成されている。
次に、封止層１１１上に接着樹脂材を塗布し、予め準備しておいたＣＦ（カラーフィルタ）パネルを接合する（ステップＳ１３）。図２に示すように、接着層１１２により接合されるＣＦパネル１１３は、基板１０３１のＺ軸方向下面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成されてなる。
【００８４】
以上のように、有機ＥＬ表示素子としての有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
なお、図示を省略しているが、有機ＥＬ表示パネル１０に対して駆動制御部２０を付設して有機ＥＬ表示装置１を形成した後（図１を参照）、エージング処理を施すことにより有機ＥＬ表示装置１が完成する。エージング処理は、例えば、処理前におけるホール注入性に対して、ホールの移動度が１／１０以下となるまで通電を行うことでなされ、具体的には、実際の使用時における輝度以上であって、且つ、その３倍以下の輝度となるように、予め規定された時間、通電処理を実行する。
【００８５】
次に、ＴＦＴ基板１０１の形成方法について、図３（ｂ）および図４（ｂ）を用い説明する。
図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、基板１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（ステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記アノード１０３の形成方法と同様の方法とすることができる。
【００８６】
次に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（ステップＳ２２）。そして、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、さらには接続配線１０１５を形成する（ステップＳ２３）。
次に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の上を覆うように、隔壁１０１６を形成するためのレジスト膜を堆積させる（ステップＳ２４）。そして、堆積させたレジスト膜に対して、マスク露光およびパターニングを施し（ステップＳ２５）、隔壁１０１６を形成する（ステップＳ２６）。この部分については、具体例をあげて後述する。
【００８７】
隔壁１０１６を形成した後、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対し、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インクを塗布する（ステップＳ２７）。そして、これを乾燥させることにより（ステップＳ２８）、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが形成できる（ステップＳ２９）。
最後に、開口部１０１６ａを除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成して（ステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
【００８８】
６．有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの塗布時における表面プロファイル
上記ステップＳ２７において塗布された有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルについて、図５を用い説明する。
図５に示すように、開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃの内部にそれぞれ塗布された有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂは、それぞれの表面プロファイルがＸ軸方向に左右対称とはならず、互いに他の開口部から離れる方向（矢印Ｆ１，Ｆ２に示す各方向）に偏った表面プロファイルとなる。
【００８９】
これは、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅの傾斜を他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｈ，１０１６ｉよりも急峻にし、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆの傾斜を他の側面部１０１６ｇ，１０１６ｊ，１０１６ｋよりも急峻にしていることに起因する。即ち、隔壁１０１６の表面の撥液性が面内で略同一であるので、隔壁１０１６の表面とインク１０１７０ａ，１０１７０ｂの接触角との関係、および有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面張力の関係、さらに隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角の関係（上記[数１]から[数６]を参照）に基づき、インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルが図５に示すように規定される。
【００９０】
なお、図示をしていないが、側面部１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋについても傾斜が、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆよりも緩やかであるので（図３（ａ）を参照）、インク１０１７０ａ，１０１７０ｂとの各接触部は、側面部１０１６ｄ，１０１６ｇに対するインク１０１７０ａ，１０１７０ｂの各接触形態と同様となる。
７．奏することができる効果
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、ＴＦＴ基板１０１において、隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜を、その他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋよりも急峻なものとしている。このため、図５に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれの内部に対して有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した際には、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂが急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを除く側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋの側へと偏った表面プロファイルを有することになる。
【００９１】
本実施の形態では、上記のように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを図５に示すようにコントロールすることで、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を確実に抑制することができる。
よって、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、上記のように、その製造時において、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成に際して、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を抑制、これより高い品質を有する。そして、このような効果を有するＴＦＴ基板１０１を構成要素として備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、それを備える有機ＥＬ表示装置１も高い品質を有する。
【００９２】
８．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法について、図６および図７を用い説明する。
先ず、図６（ａ）に示すように、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ、絶縁層１０１３、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５が形成された中間物を用意する。なお、図６および図７では、ドレイン電極１０１４ｃ．１０１４ｄの図示を省略している。
【００９３】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、スピンコート法などを用い、絶縁層１０１３および電極１０１４ａ〜１０１４ｄ，１０１５の上を覆うように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積する。
次に、図６（ｃ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、隔壁１０１６を形成しようとする箇所に開口５０１ａ〜５０１ｄがあけられたマスク５０１を配する。この状態でマスク５０１の開口５０１ａ〜５０１ｄを通して、露光を実行する。
【００９４】
次に、図７（ａ）に示すように、一回目の露光が実行された感光性レジスト材料膜１０１６１の上方に、傾斜が相対的に急峻な斜面を形成しようとする箇所に開口５０２ａ〜５０２ｄがあけられたマスク５０２を配する。そして、この状態でマスク５０２の開口５０２ａ〜５０２ｄを通して、２回目の露光を実行する。ここで、傾斜が相対的に急峻な斜面とは、図３に示す側面部１０１６ｅ，１０１６ｆである。
【００９５】
次に、現像およびベークを施すことによって、図７（ｂ）に示すように、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆと、傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋを有する隔壁１０１６が形成できる。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法について、図８を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、その構造は上記実施の形態１と同様であり、また、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法を除く、有機ＥＬ表示パネルの製造方法についても上記実施の形態１と同様である。
【００９６】
図８に示すように、堆積した感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、ハーフトーンマスクであるマスク５０３を配する。マスク５０３には、光透過部５０３ａ〜５０３ｈが設けられている。このうち、光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈと光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇとは、互いに光透過率が相違する。具体的には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ、１０１６ｆ，・・に対応する箇所の光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇの光透過率は、他の光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈの光透過率よりも高くなっている。
【００９７】
以上のような構成を有するマスク５０３を配した状態で、露光・現像を実行した後、ベークすることにより、図３（ｂ）に示すような、隔壁１０１６を形成することができる。即ち、光の透過率が大きく設定された光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇを通して露光された箇所では、他の光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈを通して露光された箇所よりも、上記［数１］〜［数６］で示す関係のように、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度が大きくなる。
【００９８】
なお、この後の工程は、上記実施の形態１と同様である。
以上のような製造方法によっても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを傾斜が相対的に急峻な斜面とすることができ、上記のような効果を得ることができる。
【００９９】
［実施の形態３］
次に、図９および図１０を用い、有機ＥＬ表示装置１の製造方法の別の実施形態について説明する。図９および図１０は、図６（ｂ）から図７（ｂ）に示す工程に対応する工程を示す。
図９（ａ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積した後、その上方にマスク５０４を配する。マスク５０４には、隔壁１０６を形成しようとする各箇所に対応して、開口５０４ａ〜５０４ｄがあけられている。
【０１００】
そして、マスク５０４の開口５０４ａ〜５０４ｄを通して一回目の露光および現像をすることにより、図９（ｂ）に示すように、開口５０４ａ〜５０４ｄの各々に対応する箇所に感光性レジスト材料膜１０１６２が残る。ここで、感光性レジスト材料膜１０１６２が規定する開口部１０１６２ａ〜１０１６２ｃを臨む各側面部１０１６２ｄ〜１０１６２ｇ，・・は、全て同じ傾斜角となっており、図３における側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋの傾斜角と同一となっている。
【０１０１】
なお、本実施の形態に係る製造方法では、この時点でのベークを行わない。
次に、図１０（ａ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６２上方に、マスク５０５を配する。マスク５０５には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆ，・・を形成しようとする箇所に対応して、開口５０５ａ〜５０５ｄがあけられている。
【０１０２】
そして、マスク５０５にあけられた開口５０５ａ〜５０５ｄを通して、二回目の露光および現像を行う。その後、ベークをすることにより、図１０（ｂ）に示すような隔壁１０１６が形成できる。
この後、上記実施の形態１，２などと同様の工程を実行することにより、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【０１０３】
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを傾斜が相対的に急峻な斜面とすることができ、上記のような効果を得ることができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１１を用い説明する。なお、以下では、上記実施の形態１との相違点である、ＴＦＴ基板における隔壁３０１６の構成だけを説明する。
【０１０４】
図１１に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６では、３つの開口部３０１６ａ〜３０１６ｃがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。
本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの開口形状が、各コーナー部分が曲率を以って構成されている。このため、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃを臨む側面部は、明確に複数の側面部に分けることはできない。
【０１０５】
開口部３０１６ａの底部には、上記実施の形態１と同様に、アノードとの接続に供される接続配線３０１５が配設されており、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃには、それぞれソース電極３０１４ａ，３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１０６】
上記構成において、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃを臨む側面部のうち、領域３０１６ｅ，３０１６ｆが領域３０１６ｄ，３０１６ｇを含む他の領域に比べて傾斜が相対的に急峻な斜面になっている。
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクと、開口部３０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を確実に抑制することができる。よって、製造されたＴＦＴ基板は、高品質であり、これを備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置も高品質なものとすることができる。
【０１０７】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１２を用い説明する。なお、以下では、上記実施の形態１との相違点である、ＴＦＴ基板における隔壁４０１６の構成だけを説明する。
図１２に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁４０１６では、３つの開口部４０１６ａ〜４０１６ｃがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。
【０１０８】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁４０１６は、上記実施の形態１，５と比べて、開口部４０１６ａ〜４０１６ｃの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であり、上記実施の形態５では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの開口形状が角丸の（コーナーが曲率をもった）長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部４０１６ａ〜４０１６ｃの開口形状は、八角形となっている。
【０１０９】
開口部４０１６ａの底部には、上記実施の形態１と同様に、アノードとの接続に供される接続配線４０１５が配設されており、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃには、それぞれソース電極４０１４ａ，４０１４ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１１０】
なお、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの底部においては、ソース電極４０１４ａ，４０１６ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄの全体が露出するように配設されている。
上記において、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部４０１６ｅ，４０１６ｆが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に急峻な斜面になっている。
【０１１１】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部４０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクと、開口部４０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を確実に抑制することができる。よって、製造されたＴＦＴ基板は、高品質であり、これを備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置も高品質なものとすることができる。
【０１１２】
なお、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの開口形状については、四角形や八角形に限定されるものではなく、種々の形状を採用することができる。また、隣接する開口部同士の間において、互いの開口形状や開口サイズを同一とする必要は必ずしもなく、互いに異なった開口形状とすることや、互いに異なった開口サイズとすることなどもできる。
［その他の事項］
上記実施の形態１〜５では、有機ＥＬ表示パネル１０に用いるＴＦＴ基板を一例としたが、適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネルや電界放出表示パネルなどに適用することもできる。さらに、電子ペーパなどにも適用することができる。
【０１１３】
また、上記実施の形態１〜５の各構成材料は、一例として示したものであって、適宜変更が可能である。
また、図２に示すように、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、トップエミッション型の構成を一例としたが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各使用材料およびレイアウト設計について、適宜の変更が可能である。
【０１１４】
また、上記においては、ＴＦＴ基板１０１などにおける開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義についての説明をしなかったが、図１３（ａ）に示すように下地層の主面に対する側面部がなす角度θとすることができる。なお、図１３（ｂ）に示すように、側面部の開口部底に近い部分に“ダレ”が生じている場合には（二点鎖線で囲んだ部分）、“ダレ”を除外して考えた場合の傾斜角度とすることができる。
【０１１５】
また、上記では、隔壁が規定する開口部の開口形状について、４つの形状を一例として示したが、これ以外にも、種々の開口形状のものを採用することができる。例えば、図１４（ａ）に示すように、正方形の開口形状のものや、図１４（ｂ）に示すように、一辺が円弧状で、残りの３辺が直線であるような形状や、図１４（ｃ）に示すように、円形あるいは長円形などとすることもできる。
【０１１６】
また、本発明は、隣接する開口部間での有機半導体インクの混合を抑制するためだけでなく、例えば、隣接する開口部に対して塗布した有機半導体インクを溢れ出させたくないような場合にも、上記構成を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルを備える表示装置に用いられ、高精細化によっても高品質なＴＦＴ素子を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１１８】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機ＥＬ表示パネル
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１０１．ＴＦＴ基板
１０２．平坦化膜
１０２ａ．コンタクトホール
１０３．アノード
１０４．透明導電膜
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１．封止層
１１２．接着層
１１３．ＣＦ基板
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５．マスク
１０１１，１１３１．基板
１０１２ａ，１０１２ｂ．ゲート電極
１０１３．絶縁層
１０１４ａ，１０１４ｂ，３０１４ａ，３０１４ｂ，４０１４ａ，４０１４ｂ．ソース電極
１０１４ｃ，１０１４ｄ，３０１４ｃ，３０１４ｄ，４０１４ｃ，４０１４ｄ．ドレイン電極
１０１５，３０１５，４０１５．接続配線
１０１６，３０１６，４０１６．隔壁
１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ，３０１６ａ，３０１６ｂ，３０１６ｃ，４０１６ａ，４０１６ｂ，４０１６ｃ．開口部
１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋ，３０１６ｄ，３０１６ｅ，３０１６ｆ，３０１６ｇ，４０１６ｄ，４０１６ｅ，４０１６ｆ，４０１６ｇ．側面部
１０１７ａ，１０１７ｂ．有機半導体層
１０１８．パッシベーション膜
１１３２．カラーフィルタ
１１３３．ブラックマトリクス
１０１６０，１０１６１，１０１６２．感光性レジスト材料膜
１０１７０ａ，１０１７０ｂ．有機半導体インク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、サブピクセル単位で発光制御するため、サブピクセル毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））素子が形成されてなる薄膜トランジスタ装置が採用されている。そして、特に半導体層として有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ装置の開発が進められている。
図１５（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置は、例えば、基板９０１１上に、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂ、絶縁層９０１３、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂおよびドレイン電極（図示を省略。）、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが順に積層形成されている。有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂは、絶縁層９０１３上において、有機半導体インクを塗布して乾燥させることにより形成され、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂとドレイン電極との間を埋めるとともに、それらの上を覆うように形成されている。
【０００３】
また、図１５（ａ）に示すように、絶縁層９０１３上には、隣接する素子間を区画するために隔壁９０１６が設けられている。隔壁９０１６には、複数の開口部９０１６ａ〜９０１６ｃが開けられており、開口部９０１６ａには、その底部に、ドレイン電極に接続された接続配線９０１５が露出しており、有機半導体層が形成されていない。接続配線９０１５は、当該有機ＴＦＴ装置の上方に形成される発光素子の電極を接続するための電極である。そして、隔壁９０１６の開口部９０１６ｂ，９０１６ｃには、互いに区画された有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが形成されている。
【０００４】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに用いられる有機ＴＦＴ装置は、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂへの信号の入力により、発光素子の発光制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７６７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置では、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの形成に係るインク塗布に際して、開口部９０１６ｂに対して滴下されたインクと、隣接する開口部９０１６ｃに対して滴下されたインクとが混合されてしまうという事態が生じ得る。具体的には、図１５（ｂ）に示すように、隔壁９０１６に開けられた開口部９０１６ｂ，９０１６ｃに有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂを塗布（滴下）するとき、矢印Ｆ９０で示すように、有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂが、互いに混合してしまうことがある。この場合に、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの層厚が不所望な厚みとなり、また、互いに異なる成分の半導体層を形成しようとする場合には、インクの混合によりトランジスタ性能の低下をもたらすことになる。
【０００７】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部９０１６ｂと開口部９０１６ｃとの間の距離が短くなり、インク９０１７０ａとインク９０１７０ｂとが混合され易くなり、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、隣接する開口部の各内部へ有機半導体インクを滴下した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、次のような特徴を有する。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備る。そして、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、備える。
【０００９】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１０】
第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁における第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成されている。
【００１１】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。このため、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第１開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第２開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００１３】
従って、本発明に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の構成の一部を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【図４】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の概略を示す工程フロー図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の形成方法の概略を示す工程フロー図である。
【図５】ＴＦＴ基板１０１の製造過程で、有機半導体インクを塗布した状態を示す模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、隔壁１０１６の形成に係る工程を順に示す模式工程図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、隔壁１０１６の形成に係る工程を順に示す模式工程図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一工程を示す模式工程図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一部工程を順に示す模式工程図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程のうち、ＴＦＴ基板１０１の隔壁１０１６の形成に係る一部工程を順に示す模式工程図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板における隔壁３０１６の構成を示す模式平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板における隔壁４０１６の構成を示す模式平面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板における隔壁の開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義の仕方を示す模式図である。
【図１４】（ａ）は、変形例１に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例３に係るＴＦＴ基板での隔壁における開口部の開口形状を示す模式平面図である。
【図１５】（ａ）は、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成のうち、有機ＴＦＴ装置の構成の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置の製造過程のうち、有機半導体インクの塗布に係る工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備る。そして、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、備える。
【００１６】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１７】
第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁における第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成されている。
【００１８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。このため、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第１開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第２開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００１９】
従って、本発明に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
ここで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置のように、隔壁における第１開口部を臨む側面部で傾斜の緩急に差異を設けた場合、有機半導体層の形成における有機半導体インクを塗布した際に、急峻な斜面である側よりも、緩やかな斜面である側へと偏ったインクの表面プロファイルとなる。これは、隔壁の側面部とインクとの接触角、およびインクの表面張力の関係に起因する。
【００２０】
即ち、インクの溢れ出しを抑制したい側である第２開口部が隣接する側の部分を相対的に急峻な斜面とし、溢れ出しても問題を生じない側の側面部を相対的に緩やかな斜面にすることで、インクの表面プロファイルを上記のように制御することができ、第１開口部に塗布したインクと第２開口部に塗布したインクとが不所望に混合することを確実に抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記のように、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合を抑制することができ、高い品質を備える。
【００２１】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分についても、傾斜が相対的に急峻な斜面とすることで、有機半導体層の形成に係る有機半導体インクの塗布の際に、第２開口部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第１開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００２２】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分に対して、当該第２開口部を挟んで対向する部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する部分に対して、第２開口部を挟んで対向する部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることで、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、当該傾斜が相対的に緩やかな斜面の方に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２３】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることにより、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、第１開口部が隣接する側を除く他の部分に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２４】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、当該傾斜が相対的に緩やかな斜面の方に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２５】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を除く部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このように、第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を除く他の部分を、傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることにより、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクは、第２開口部が隣接する側を除く他の部分に向けて偏った表面プロファイルを有することとなる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクと混合するという事態をさらに確実に抑制することができる。
【００２６】
従って、上記構成を採用する場合には、隣接する第１開口部と第２開口部との各々に有機半導体インクを塗布（滴下）した際に、互いのインクの混合をさらに確実に抑制することができ、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、傾斜の緩急が、隔壁の側面と、隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている、ことを特徴とする。
【００２７】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面である第２開口部が隣接する側の部分は、傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５[ｄｅｇ．]以上大きい、ことを特徴とする。
なお、上記において、「傾斜が相対的に緩やかな斜面」の傾斜角度は、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。また、上記において、「傾斜が相対的に急峻な斜面」の傾斜角度は、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００２８】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記の何れかの態様に係る薄膜トランジスタ装置と、薄膜トランジスタ装置の上方に設けられた平坦化膜と、平坦化膜をその厚み方向に挿通するコンタクトホールと、平坦化膜上に形成され、コンタクトホールを介して、第１の薄膜トランジスタ素子または第２のトランジスタ素子におけるドレイン電極またはソース電極と電気的に接続された下部電極と、下部電極の上方に形成された上部電極と、下部電極と上部電極との間に介挿された有機発光層とを備える、ことを特徴とする。
【００２９】
上記のように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置を構成中に含んでいるので、上記効果をそのまま得ることができ、高い発光品質を有する。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備える、ことを特徴とする。このように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備えるので、上記同様に、高い発光品質を備える。
【００３０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、次の第１工程から第６工程を備える。
（ｉ） 第１工程；基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する。
（ｉｉ） 第２工程；第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する。
【００３１】
（ｉｉｉ） 第３工程；絶縁層上において、第１のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、第２のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する。
【００３２】
（ｉｖ） 第４工程；絶縁層上において、第１および第２のソース電極上、および、第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する。
（ｖ） 第５工程；積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する。
【００３３】
（ｖｉ） 第６工程；第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第１開口部の内部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、第１のソース電極および第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する。
【００３４】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成するとともに、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側となる部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。
【００３５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において隔壁を形成するのに際して、第１開口部を臨む側面部のうち、第２開口部が隣接する側の部分を、傾斜が相対的に急峻な斜面とするので、第１開口部の内部に対して有機半導体材料を含む有機半導体インクを塗布した際に、インクは第２開口部が隣接する側とは異なる、傾斜が相対的に緩やかな斜面の方へと偏った表面プロファイルを有することになる。これより、第５工程において、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、側面部における傾斜が急峻な斜面とされた部分、即ち、第２開口部が隣接する側への有機半導体インクの溢れ出しが確実に抑制され、これより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合を抑制することができ、高品質な薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
【００３６】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、上記第５工程において、隔壁における第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成するとともに、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側となる部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面になるように隔壁を形成する、ことを特徴とする。このように、第５工程において、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、第１開口部が隣接する側の部分についても、傾斜が相対的に急峻な斜面とすることで、第６工程における有機半導体インクの塗布の際に、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、隣接する第１開口部に溢れ出す、という事態が生じるのを確実に抑制することができる。
【００３７】
従って、上記構成を採用する場合には、第１開口部が隣接する側への有機半導体インクの溢れ出しが確実に抑制され、これより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合を抑制することができ、高品質な薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
第１開口部を臨む側面部に、傾斜が相対的に急峻な斜面と、傾斜が相対的に緩やかな斜面とをする具体的な方法として、次のような方法を採用することができる。
【００３８】
（１） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする、ことを特徴とする。
（２） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部を形成しようとする部分に対して、感光性レジスト材料を露光した後に、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う、ことを特徴とする。
【００３９】
（３） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う、ことを特徴とする。
上記（１）から（３）の何れの方法を採用した場合においても、側面部に、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とを、確実に形成することができる。
【００４０】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に規定されるものである。また、「上方」との用語は、間に間隔をあけた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用するものである。
以下では、幾つかの具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００４１】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
以下では、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について図１を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００４２】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の配置については、これに限られない。
【００４３】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成について、図２の模式断面図および図３（ａ）の模式平面図を用い説明する。
図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１０１を備える。ＴＦＴ装置としてのＴＦＴ基板１０１は、基板１０１１の上に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが互いに間隔をあけた状態で積層され、その上を覆うように、絶縁層１０１３が積層形成されている。絶縁層１０１３の上には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂがそれぞれゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂに対応して設けられ、また、図３（ａ）に示すように、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂのそれぞれに対してＹ軸方向に間隔をあけてドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが設けられている。
【００４４】
また、図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、ソース電極１０１４ａに対してＸ軸方向左側に間隔をあけて、接続配線１０１５が形成されている。なお、接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃから延出形成され、あるいは、これらの一方と電気的に接続されている。
図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、接続配線１０１５、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃ、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄを、それぞれ囲繞するよう隔壁１０１６が形成されている。換言すると、図３（ａ）に示すように、隔壁１０１６に開けられた３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃのうち、接続配線１０１５が底部に露出するＸ軸方向左側の開口部１０１６ａが、チャネル部とは異なる部分であり、アノード１０３とのコンタクト部として機能する。
【００４５】
一方、底部にソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃが露出する開口部１０１６ｂ、および底部にソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄが露出する開口部１０１６ｃが、それぞれチャネル部として機能する部分である。
隔壁１０１６で囲繞された各領域のうち、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの上に相当する領域、およびソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの上に相当する領域には、それぞれ有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが積層形成されている。有機半導体層１０１７ａは、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの間の間隙、およびソース電極１０１４ａ、ドレイン電極１０１４ｃの各上を充填するように形成され、これら電極１０１４ａ，１０１４ｃと密に接している。有機半導体層１０１７ｂについても、同様に、電極１０１４ｂ，１０１４ｄと密に接するよう形成されている。そして、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、隔壁１０１６により互いに区画されている。
【００４６】
図２に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂおよび絶縁層１０１３の上を覆うように、パッシベーション膜１０１８が積層形成されている。ただし、接続配線１０１５の上に相当する箇所は、開口されている。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１は、以上のような構成を有する。
【００４７】
次に、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０１上は、平坦化膜１０２で被覆されている。ただし、接続配線１０１５の上は、コンタクトホール１０２ａが開けられている。そして、平坦化膜１０２の主面に沿ってアノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５が順に積層形成されている。これら、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５は、平坦化膜１０２におけるコンタクトホール１０２ａを臨む側面に沿っても形成されており、アノード１０３は、接続配線１０１５と接触し、電気的に接続されている。
【００４８】
ホール注入層１０５の上には、発光部（サブピクセル）に相当する箇所を囲繞するようにバンク１０６が形成されている。バンク１０６が囲繞することで形成される開口部には、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９が順に積層形成されている。
さらに、電子輸送層１０９の上、およびバンク１０６の露出面を覆うように、カソード１１０および封止層１１１が順に積層形成され、封止層１１１に対向するようにＣＦ（カラーフィルタ）基板１１３が配され、間に接着層１１２が充填されて互いに接合されている。ＣＦ基板１１３は、基板１１３１のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成され構成されている。
【００４９】
３．有機ＥＬ表示パネル１０の構成材料
有機ＥＬ表示パネル１０では、例えば、各部位を次のような材料を用い形成することができる。
（ｉ） 基板１０１１
基板１０１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００５０】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂） 、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１ 種、または２ 種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００５１】
（ｉｉ） ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ
ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂは、例えば、導電性を有する材料であれば特に限定されない。
具体的な材料として、たとえば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５２】
（ｉｉｉ） 絶縁層１０１３
絶縁層１０１３は、ゲート絶縁層として機能するものであって、例えば、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００５３】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１ 種または２ 種以上組み合わせて用いることができる。
【００５４】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
（ｉｖ） ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、および接続配線１０１５
ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、および接続配線１０１５は、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成するための上記材料を用い形成することができる。
【００５５】
（ｖ） 有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂ
有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、例えば、半導体特性を有し、溶媒に可溶であれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン） （ＰＴＶ）もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン） （ＰＰＶ） などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン） （ＰＦＯ） などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３） のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン） （ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール） （ＢＴ） 、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン） （Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５６】
また、溶媒に可溶な無機材料も使用することが可能である。
（ｖｉ） パッシベーション膜１０１８
パッシベーション膜１０１８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂や、フッ素系樹脂などを用い形成することができる。
（ｖｉｉ） 平坦化膜１０２
平坦化膜１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
【００５７】
（ｖｉｉｉ） アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
（ｉｘ） 透明導電膜１０４
透明導電膜１０４は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。
【００５８】
（ｘ） ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。なお、図２に示す本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、金属酸化物からなるホール注入層１０５を構成することを想定しているが、この場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００５９】
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯＸ）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００６０】
（ｘｉ） バンク１０６
バンク１０６は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００６１】
なお、バンク１０６を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０６の表面と発光層１０８の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０６が規定する開口部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１０６の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００６２】
（ｘｉｉ） ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（ｘｉｉｉ） 有機発光層１０８
発光層１０８は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００６３】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００６４】
（ｘｉｖ） 電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（ｘｖ） カソード１１０
カソード１１０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００６５】
カソード１１０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層の構造、あるいは、前記いずれかの層に銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【００６６】
（ｘｖｉ） 封止層１１１
封止層１１１は、発光層１０８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００６７】
封止層１１１は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
４．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成のうち、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６およびその周辺の構成について、図３（ａ）および図３（ｂ）を用い説明する。
【００６８】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１では、接続配線１０１５の一部、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃの各一部、ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄの各一部を、それぞれ囲繞するように隔壁１０６が形成されている。これにより、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃがあけられている。
【００６９】
なお、図３（ａ）および図３（ｂ）では、ＴＦＴ基板１０１における他のサブピクセルに相当する箇所での構成については図示していないが、同様の構成となっている。
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向の最も左側に設けられた開口部１０１６ａの底部には、接続配線１０１５が露出しており、上述のように、当該接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃの一方（本実施の形態では、ドレイン電極１０１４ｃ）と接続されており、また、図２に示すように、アノード１０３が接続されることになる。
【００７０】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向の中央の開口部１０１６ｂの底部には、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの各一部が露出しており、Ｘ軸方向右側の開口部１０１６ｃの底部には、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの各一部が露出している。
図３（ａ）に示すように、各開口部１０１６ｂ，１０１６ｃ内では、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄとは、Ｙ軸方向において互いに間隔をあけた状態で配置されている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃ内には、上記のように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが形成され、当該部分がチャネル部として機能する。
【００７１】
次に、図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、隔壁１０１６における開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部は、斜面で構成されているとともに、その一部の傾斜を他に比べて急峻にしている。具底的には、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｃ側の側面部１０１６ｅの傾斜は、開口部１０１６ａ側の側面部１０１６ｄ、および開口部１０１６ｂを挟んでＹ軸方向に対向する側面部１０１６ｈ，１０１６ｉの傾斜よりも急峻なものとなっている。
【００７２】
また、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂ側の側面部１０１６ｆの傾斜は、開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇ、および開口部１０１６ｃを挟んでＹ軸方向に対向する側面部１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜よりも急峻なものとなっている。
ここで、下地層である絶縁層１０１３、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの表面に対する側面部１０１６ｄの傾斜角度を角度θｄとし、同様に、側面部１０１６ｅの傾斜角度を角度θｅ、側面部１０１６ｈの傾斜角度を角度θｈ、側面部１０１６ｉの傾斜角度を角度θｉとするとき、本実施の形態では、次の関係を満足する。
【００７３】
［数１］ θｅ＞θｄ
［数２］ θｅ＞θｈ
［数３］ θｅ＞θｉ
また、下地層である絶縁層１０１３、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの表面に対する側面部１０１６ｆの傾斜角度を角度θｆとし、同様に、側面部１０１６ｇの傾斜角度を角度θｇ、側面部１０１６ｊの傾斜角度を角度θｊ、側面部１０１６ｋの傾斜角度を角度θｋとするとき、次の関係も満足する。
【００７４】
［数４］ θｆ＞θｇ
［数５］ θｆ＞θｊ
［数６］ θｆ＞θｋ
ここで、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度θｅ，θｆが、他の側面部（緩傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｇ，θｈ，θｉ，θｊ，θｋに対して、５［ｄｅｇ．］以上大きくなっていることが好ましい。
【００７５】
また、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度θｅ，θｆは、例えば、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。さらに、傾斜が緩やかな緩傾斜側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｇ，θｈ，θｉ，θｊ，θｋは、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００７６】
上記のように、隔壁１０６において、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの傾斜角度に差異を設けるのは、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成の際に、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクと、開口部１０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとが、混合してしまうことを抑制するためである。換言すると、開口部１０１６ｂの内部と，１０１６ｃの内部に有機半導体インクを塗布した際に、傾斜を緩やかにした側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの側に有機半導体インクの表面フプロファイルが偏るようにしている。これについては、後述する。
【００７７】
５．有機ＥＬ表示装置１の製造方法
有機ＥＬ表示装置１の製造方法、特に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図２と図４を用い説明する。
図２および図４（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０１のベースとなる基板１０１１を準備する（ステップＳ１）。そして、当該基板１０１１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子を形成し、ＴＦＴ基板１０１を形成する（ステップＳ２）。
【００７８】
次に、図２および図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁材料からなる平坦化膜１０２を形成する（ステップＳ３）。図２に示すように、平坦化膜１０２では、ＴＦＴ基板１０１における接続配線１０１５の上方に相当する箇所にコンタクトホール１０２ａがあけられ、その他の部分のＺ軸方向上面を略平坦化されている。
次に、平坦化膜１０２上にアノード１０３を形成する（ステップＳ４）。ここで、図２に示すように、アノード１０３は、発光単位（サブピクセル）で区画され形成されており、コンタクトホール１０２ａの側壁に沿って一部がＴＦＴ基板１０１の接続配線１０１５に接続される。
【００７９】
なお、アノード１０３は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などにより金属膜を成膜した後、サブピクセル単位にエッチングすることで形成できる。
次に、アノード１０３の上面を覆うように透明導電膜１０４を形成する（ステップＳ５）。図２に示すように、透明導電膜１０４は、アノード１０３の上面のみならず側端面も覆っており、また、コンタクトホール１０２ａ内においてもアノード１０３の上面を覆っている。なお、透明導電膜１０４は、上記同様に、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜した後、エッチングによりサブピクセル単位に区画することにより形成される。
【００８０】
次に、透明導電膜１０４上にホール注入層１０５を形成する（ステップＳ６）。図２に示すように、ホール注入層１０５は、透明導電膜１０４上の全面を覆うように形成されているが、サブピクセル毎に区画した状態で形成することもできる。
金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からホール注入層１０５を形成する場合には、金属酸化膜の形成は、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタ装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比が５０［％］以上７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００８１】
次に、各サブピクセルを規定するバンク１０６を形成する（ステップＳ７）。図２に示すように、バンク１０６は、ホール注入層１０５の上に積層形成される。
バンク１０６の形成は、先ず、ホール注入層１０５の上に、バンク１０６の材料層を積層形成する。この材料層は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの感光性樹脂成分とフッ素成分を含む材料を用い、スピンコート法等により形成される。なお、本実施の形態においては、感光性樹脂材料の一例として、日本ゼオン製ネガ型感光性材料（品番：ＺＰＮ１１６８）を用いることができる。次に、材料層をパターニングして、各サブピクセルに対応する開口部を形成する。開口部の形成には、材料層の表面にマスクを配して露光を行い、その後で現像を行うことにより形成できる。
【００８２】
次に、ホール注入層１０５上におけるバンク１０６で規定された各凹部内に対し、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９を順に積層形成する（ステップＳ８〜Ｓ１０）。
ホール輸送層１０７は、その構成材料である有機化合物からなる膜を印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。有機発光層１０８についても、同様に、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。
【００８３】
次に、電子輸送層１０９上にカソード１１０および封止層１１１を順に積層する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。図２に示すように、カソード１１０および封止層１１１は、バンク１０６の頂面も被覆するように形成されており、全面に形成されている。
次に、封止層１１１上に接着樹脂材を塗布し、予め準備しておいたＣＦ（カラーフィルタ）パネルを接合する（ステップＳ１３）。図２に示すように、接着層１１２により接合されるＣＦパネル１１３は、基板１０３１のＺ軸方向下面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成されてなる。
【００８４】
以上のように、有機ＥＬ表示素子としての有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
なお、図示を省略しているが、有機ＥＬ表示パネル１０に対して駆動制御部２０を付設して有機ＥＬ表示装置１を形成した後（図１を参照）、エージング処理を施すことにより有機ＥＬ表示装置１が完成する。エージング処理は、例えば、処理前におけるホール注入性に対して、ホールの移動度が１／１０以下となるまで通電を行うことでなされ、具体的には、実際の使用時における輝度以上であって、且つ、その３倍以下の輝度となるように、予め規定された時間、通電処理を実行する。
【００８５】
次に、ＴＦＴ基板１０１の形成方法について、図３（ｂ）および図４（ｂ）を用い説明する。
図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、基板１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（ステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記アノード１０３の形成方法と同様の方法とすることができる。
【００８６】
次に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（ステップＳ２２）。そして、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、さらには接続配線１０１５を形成する（ステップＳ２３）。
次に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の上を覆うように、隔壁１０１６を形成するためのレジスト膜を堆積させる（ステップＳ２４）。そして、堆積させたレジスト膜に対して、マスク露光およびパターニングを施し（ステップＳ２５）、隔壁１０１６を形成する（ステップＳ２６）。この部分については、具体例をあげて後述する。
【００８７】
隔壁１０１６を形成した後、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対し、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インクを塗布する（ステップＳ２７）。そして、これを乾燥させることにより（ステップＳ２８）、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが形成できる（ステップＳ２９）。
最後に、開口部１０１６ａを除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成して（ステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
【００８８】
６．有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの塗布時における表面プロファイル
上記ステップＳ２７において塗布された有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルについて、図５を用い説明する。
図５に示すように、開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃの内部にそれぞれ塗布された有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂは、それぞれの表面プロファイルがＸ軸方向に左右対称とはならず、互いに他の開口部から離れる方向（矢印Ｆ１，Ｆ２に示す各方向）に偏った表面プロファイルとなる。
【００８９】
これは、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅの傾斜を他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｈ，１０１６ｉよりも急峻にし、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆの傾斜を他の側面部１０１６ｇ，１０１６ｊ，１０１６ｋよりも急峻にしていることに起因する。即ち、隔壁１０１６の表面の撥液性が面内で略同一であるので、隔壁１０１６の表面とインク１０１７０ａ，１０１７０ｂの接触角との関係、および有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面張力の関係、さらに隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋの傾斜角の関係（上記[数１]から[数６]を参照）に基づき、インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルが図５に示すように規定される。
【００９０】
なお、図示をしていないが、側面部１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋについても傾斜が、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆよりも緩やかであるので（図３（ａ）を参照）、インク１０１７０ａ，１０１７０ｂとの各接触部は、側面部１０１６ｄ，１０１６ｇに対するインク１０１７０ａ，１０１７０ｂの各接触形態と同様となる。
７．奏することができる効果
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、ＴＦＴ基板１０１において、隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜を、その他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋよりも急峻なものとしている。このため、図５に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれの内部に対して有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した際には、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂが急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを除く側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋの側へと偏った表面プロファイルを有することになる。
【００９１】
本実施の形態では、上記のように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを図５に示すようにコントロールすることで、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を確実に抑制することができる。
よって、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、上記のように、その製造時において、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成に際して、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を抑制、これより高い品質を有する。そして、このような効果を有するＴＦＴ基板１０１を構成要素として備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、それを備える有機ＥＬ表示装置１も高い品質を有する。
【００９２】
８．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法について、図６および図７を用い説明する。
先ず、図６（ａ）に示すように、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ、絶縁層１０１３、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５が形成された中間物を用意する。なお、図６および図７では、ドレイン電極１０１４ｃ．１０１４ｄの図示を省略している。
【００９３】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、スピンコート法などを用い、絶縁層１０１３および電極１０１４ａ〜１０１４ｄ，１０１５の上を覆うように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積する。
次に、図６（ｃ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、隔壁１０１６を形成しようとする箇所に開口５０１ａ〜５０１ｄがあけられたマスク５０１を配する。この状態でマスク５０１の開口５０１ａ〜５０１ｄを通して、露光を実行する。
【００９４】
次に、図７（ａ）に示すように、一回目の露光が実行された感光性レジスト材料膜１０１６１の上方に、傾斜が相対的に急峻な斜面を形成しようとする箇所に開口５０２ａ〜５０２ｄがあけられたマスク５０２を配する。そして、この状態でマスク５０２の開口５０２ａ〜５０２ｄを通して、２回目の露光を実行する。ここで、傾斜が相対的に急峻な斜面とは、図３に示す側面部１０１６ｅ，１０１６ｆである。
【００９５】
次に、現像およびベークを施すことによって、図７（ｂ）に示すように、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆと、傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋを有する隔壁１０１６が形成できる。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法について、図８を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、その構造は上記実施の形態１と同様であり、また、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法を除く、有機ＥＬ表示パネルの製造方法についても上記実施の形態１と同様である。
【００９６】
図８に示すように、堆積した感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、ハーフトーンマスクであるマスク５０３を配する。マスク５０３には、光透過部５０３ａ〜５０３ｈが設けられている。このうち、光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈと光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇとは、互いに光透過率が相違する。具体的には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ、１０１６ｆ，・・に対応する箇所の光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇの光透過率は、他の光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈの光透過率よりも高くなっている。
【００９７】
以上のような構成を有するマスク５０３を配した状態で、露光・現像を実行した後、ベークすることにより、図３（ｂ）に示すような、隔壁１０１６を形成することができる。即ち、光の透過率が大きく設定された光透過部５０３ｂ，５０３ｃ，５０３ｅ，５０３ｇを通して露光された箇所では、他の光透過部５０３ａ，５０３ｄ，５０３ｆ，５０３ｈを通して露光された箇所よりも、上記［数１］〜［数６］で示す関係のように、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆの傾斜角度が大きくなる。
【００９８】
なお、この後の工程は、上記実施の形態１と同様である。
以上のような製造方法によっても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを傾斜が相対的に急峻な斜面とすることができ、上記のような効果を得ることができる。
【００９９】
［実施の形態３］
次に、図９および図１０を用い、有機ＥＬ表示装置１の製造方法の別の実施形態について説明する。図９および図１０は、図６（ｂ）から図７（ｂ）に示す工程に対応する工程を示す。
図９（ａ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積した後、その上方にマスク５０４を配する。マスク５０４には、隔壁１０６を形成しようとする各箇所に対応して、開口５０４ａ〜５０４ｄがあけられている。
【０１００】
そして、マスク５０４の開口５０４ａ〜５０４ｄを通して一回目の露光および現像をすることにより、図９（ｂ）に示すように、開口５０４ａ〜５０４ｄの各々に対応する箇所に感光性レジスト材料膜１０１６２が残る。ここで、感光性レジスト材料膜１０１６２が規定する開口部１０１６２ａ〜１０１６２ｃを臨む各側面部１０１６２ｄ〜１０１６２ｇ，・・は、全て同じ傾斜角となっており、図３における側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ〜１０１６ｋの傾斜角と同一となっている。
【０１０１】
なお、本実施の形態に係る製造方法では、この時点でのベークを行わない。
次に、図１０（ａ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６２上方に、マスク５０５を配する。マスク５０５には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｅ，１０１６ｆ，・・を形成しようとする箇所に対応して、開口５０５ａ〜５０５ｄがあけられている。
【０１０２】
そして、マスク５０５にあけられた開口５０５ａ〜５０５ｄを通して、二回目の露光および現像を行う。その後、ベークをすることにより、図１０（ｂ）に示すような隔壁１０１６が形成できる。
この後、上記実施の形態１，２などと同様の工程を実行することにより、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【０１０３】
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆを傾斜が相対的に急峻な斜面とすることができ、上記のような効果を得ることができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１１を用い説明する。なお、以下では、上記実施の形態１との相違点である、ＴＦＴ基板における隔壁３０１６の構成だけを説明する。
【０１０４】
図１１に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６では、３つの開口部３０１６ａ〜３０１６ｃがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。
本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの開口形状が、各コーナー部分が曲率を以って構成されている。このため、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃを臨む側面部は、明確に複数の側面部に分けることはできない。
【０１０５】
開口部３０１６ａの底部には、上記実施の形態１と同様に、アノードとの接続に供される接続配線３０１５が配設されており、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃには、それぞれソース電極３０１４ａ，３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１０６】
上記構成において、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃを臨む側面部のうち、領域３０１６ｅ，３０１６ｆが領域３０１６ｄ，３０１６ｇを含む他の領域に比べて傾斜が相対的に急峻な斜面になっている。
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクと、開口部３０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を確実に抑制することができる。よって、製造されたＴＦＴ基板は、高品質であり、これを備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置も高品質なものとすることができる。
【０１０７】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１２を用い説明する。なお、以下では、上記実施の形態１との相違点である、ＴＦＴ基板における隔壁４０１６の構成だけを説明する。
図１２に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁４０１６では、３つの開口部４０１６ａ〜４０１６ｃがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。
【０１０８】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁４０１６は、上記実施の形態１，５と比べて、開口部４０１６ａ〜４０１６ｃの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であり、上記実施の形態５では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃの開口形状が角丸の（コーナーが曲率をもった）長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部４０１６ａ〜４０１６ｃの開口形状は、八角形となっている。
【０１０９】
開口部４０１６ａの底部には、上記実施の形態１と同様に、アノードとの接続に供される接続配線４０１５が配設されており、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃには、それぞれソース電極４０１４ａ，４０１４ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１１０】
なお、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの底部においては、ソース電極４０１４ａ，４０１６ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄの全体が露出するように配設されている。
上記において、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部４０１６ｅ，４０１６ｆが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に急峻な斜面になっている。
【０１１１】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部４０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクと、開口部４０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を確実に抑制することができる。よって、製造されたＴＦＴ基板は、高品質であり、これを備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置も高品質なものとすることができる。
【０１１２】
なお、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの開口形状については、四角形や八角形に限定されるものではなく、種々の形状を採用することができる。また、隣接する開口部同士の間において、互いの開口形状や開口サイズを同一とする必要は必ずしもなく、互いに異なった開口形状とすることや、互いに異なった開口サイズとすることなどもできる。
［その他の事項］
上記実施の形態１〜５では、有機ＥＬ表示パネル１０に用いるＴＦＴ基板を一例としたが、適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネルや電界放出表示パネルなどに適用することもできる。さらに、電子ペーパなどにも適用することができる。
【０１１３】
また、上記実施の形態１〜５の各構成材料は、一例として示したものであって、適宜変更が可能である。
また、図２に示すように、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、トップエミッション型の構成を一例としたが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各使用材料およびレイアウト設計について、適宜の変更が可能である。
【０１１４】
また、上記においては、ＴＦＴ基板１０１などにおける開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義についての説明をしなかったが、図１３（ａ）に示すように下地層の主面に対する側面部がなす角度θとすることができる。なお、図１３（ｂ）に示すように、側面部の開口部底に近い部分に“ダレ”が生じている場合には（二点鎖線で囲んだ部分）、“ダレ”を除外して考えた場合の傾斜角度とすることができる。
【０１１５】
また、上記では、隔壁が規定する開口部の開口形状について、４つの形状を一例として示したが、これ以外にも、種々の開口形状のものを採用することができる。例えば、図１４（ａ）に示すように、正方形の開口形状のものや、図１４（ｂ）に示すように、一辺が円弧状で、残りの３辺が直線であるような形状や、図１４（ｃ）に示すように、円形あるいは長円形などとすることもできる。
【０１１６】
また、本発明は、隣接する開口部間での有機半導体インクの混合を抑制するためだけでなく、例えば、隣接する開口部に対して塗布した有機半導体インクを溢れ出させたくないような場合にも、上記構成を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルを備える表示装置に用いられ、高精細化によっても高品質なＴＦＴ素子を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１１８】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機ＥＬ表示パネル
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１０１．ＴＦＴ基板
１０２．平坦化膜
１０２ａ．コンタクトホール
１０３．アノード
１０４．透明導電膜
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１．封止層
１１２．接着層
１１３．ＣＦ基板
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５．マスク
１０１１，１１３１．基板
１０１２ａ，１０１２ｂ．ゲート電極
１０１３．絶縁層
１０１４ａ，１０１４ｂ，３０１４ａ，３０１４ｂ，４０１４ａ，４０１４ｂ．ソース電極
１０１４ｃ，１０１４ｄ，３０１４ｃ，３０１４ｄ，４０１４ｃ，４０１４ｄ．ドレイン電極
１０１５，３０１５，４０１５．接続配線
１０１６，３０１６，４０１６．隔壁
１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ，３０１６ａ，３０１６ｂ，３０１６ｃ，４０１６ａ，４０１６ｂ，４０１６ｃ．開口部
１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｉ，１０１６ｊ，１０１６ｋ，３０１６ｄ，３０１６ｅ，３０１６ｆ，３０１６ｇ，４０１６ｄ，４０１６ｅ，４０１６ｆ，４０１６ｇ．側面部
１０１７ａ，１０１７ｂ．有機半導体層
１０１８．パッシベーション膜
１１３２．カラーフィルタ
１１３３．ブラックマトリクス
１０１６０，１０１６１，１０１６２．感光性レジスト材料膜
１０１７０ａ，１０１７０ｂ．有機半導体インク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、
各薄膜トランジスタ素子が
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の間隙、および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、
備え、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、
前記隔壁は、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有しており、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を前記隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を前記隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分に対して、当該第２開口部を挟んで対向する部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分を除く部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
前記傾斜の緩急は、前記隔壁の側面部と、前記隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項８】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である前記第２開口部が隣接する側の部分は、前記傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５度以上大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置と、
前記薄膜トランジスタ装置の上方に設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜をその厚み方向に挿通するコンタクトホールと、
前記平坦化膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して、第１の薄膜トランジスタ素子または第２のトランジスタ素子における前記ドレイン電極または前記ソース電極と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に介挿された有機発光層と、
を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ表示素子を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する第１工程と、
前記第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する第２工程と、
前記絶縁層上において、前記第１のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、前記第２のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する第３工程と、
前記絶縁層上において、前記第１および第２のソース電極上、および、前記第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する第４工程と、
前記積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する第５工程と、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第１開口部の内部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する第６工程と、
を備え、
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側となる部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側となる部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部を形成しようとする部分に対して、前記感光性レジスト材料を露光した後に、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１】
互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、
各薄膜トランジスタ素子が
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の間隙、および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、
備え、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、
前記隔壁は、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有しており、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を前記隔壁が囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を前記隔壁が囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分に対して、当該第２開口部を挟んで対向する部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側の部分を除く他の部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分に対して、当該第１開口部を挟んで対向する部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側の部分を除く部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
前記傾斜の緩急は、前記隔壁の側面部と、前記隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項８】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である前記第２開口部が隣接する側の部分は、前記傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５度以上大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置と、
前記薄膜トランジスタ装置の上方に設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜をその厚み方向に挿通するコンタクトホールと、
前記平坦化膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して、第１の薄膜トランジスタ素子または第２のトランジスタ素子における前記ドレイン電極または前記ソース電極と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に介挿された有機発光層と、
を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ表示素子を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する第１工程と、
前記第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する第２工程と、
前記絶縁層上において、前記第１のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、前記第２のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する第３工程と、
前記絶縁層上において、前記第１および第２のソース電極上、および、前記第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する第４工程と、
前記積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する第５工程と、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第１開口部の内部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を隔壁により囲繞することで構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する第６工程と、
を備え、
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第２開口部が隣接する側となる部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部についても、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記第１開口部が隣接する側となる部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面になるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部を形成しようとする部分に対して、前記感光性レジスト材料を露光した後に、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第５工程では、
前記隔壁の前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−１０５８９４（Ｐ２０１３−１０５８９４Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４８８０８（Ｐ２０１１−２４８８０８）
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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