薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置
【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが開けられている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各底部には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅは、側面部１０１６ｉに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｊに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。
【解決手段】隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが開けられている。開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各底部には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅは、側面部１０１６ｉに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｊに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、サブピクセル単位で発光制御するため、サブピクセル毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））素子が形成されてなる薄膜トランジスタ装置が採用されている。そして、特に半導体層として有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ装置の開発が進められている。
図１８（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置は、例えば、基板９０１１上に、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂ、絶縁層９０１３、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂおよびドレイン電極（図示を省略。）、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが順に積層形成されている。有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂは、絶縁層９０１３上において、有機半導体インクを塗布して乾燥させることにより形成され、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂとドレイン電極との間を埋めるとともに、それらの上を覆うように形成されている。
【０００３】
また、図１８（ａ）に示すように、絶縁層９０１３上には、隣接する薄膜トランジスタ素子における有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂ間を区画するために隔壁９０１６が設けられている。隔壁９０１６には、複数の開口部９０１６ａ〜９０１６ｃが開けられており、開口部９０１６ａには、その底部に、ドレイン電極に接続された接続配線９０１５が露出しており、有機半導体層が形成されていない。接続配線９０１５は、当該有機ＴＦＴ装置の上方に形成される発光素子の電極を接続するための電極である。そして、隔壁９０１６の開口部９０１６ｂ，９０１６ｃには、互いに区画された有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが形成されている。
【０００４】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに用いられるＴＦＴ素子は、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂへの信号の入力により、発光素子部の発光制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７６７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術に係るＴＦＴ装置では、有機半導体層を形成したくない部分（図１８（ａ）では、開口部９０１６ａの内部）にまで有機半導体層が形成されてしまい、他の素子（例えば、発光素子部）との間での電気的接続の不良を生じるという問題がある。具体的には、図１８（ｂ）に示すように、隔壁９０１６に開けられた開口部９０１６ｂ，９０１６ｃの内部に有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂを塗布（滴下）するとき、有機半導体ンク９０１７０ａ，９０１７０ｂが溢れて開口部９０１６ａの内部に入り込むことがある（図１８（ｂ）における矢印Ｆ９１）。この場合に、電気的な接続を図るために設けた接続配線９０１５上が有機半導体層で覆われてしまうことになる。
【０００７】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部間の距離が短くなり、開口部から溢れたインクが他の開口部にまで入り込み易くなることから、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
また、図１８（ｂ）に示すように、各開口部９０１６ｂ，９０１６ｃの内部への有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂの塗布は、隔壁９０１６の頂面よりも盛り上がるようになされるため、場合によっては有機半導体インク９０１７０ａと有機半導体インク９０１７０ｂとが混合する惧れがある。この場合に、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの層厚が不所望な厚みとなり、また、互いに異なる成分の半導体層を形成しようとする場合には、インクの混合によりトランジスタ性能の低下をもたらすことになる。
【０００８】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部９０１６ｂと開口部９０１６ｃとの間の距離が短くなり、インク９０１７０ａとインク９０１７０ｂとが混合され易くなり、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、次のような特徴を有する。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、有機半導体層とを備える。
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。絶縁層は、ゲート電極とソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿されている。有機半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極とドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間に、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１１】
ここで、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁には、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではない。
【００１２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部および第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部に有機半導体インクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、ソース電極およびドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００１４】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができる。また、第１開口部の内部に形成される有機半導体層の層厚についても、インクの溢れ出しを抑制することにより、高精度に制御することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部および第２開口部の各内部に塗布（滴下）した際、上記一方の開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、他方の開口部が隣接する側とは反対側で相対的に高い、という表面プロファイルを有することになる。
【００１６】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、第１開口部と第２開口部との各内部に塗布した有機半導体インク同士が、不所望に混合されるという事態を抑制することができる。よって、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００１７】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の構成の一部を示す模式断面図である。
【図３】ＴＦＴ基板１０１の一部構成を示す模式平面図である。
【図４】（ａ）は、図３に示すＴＦＴ基板１０１におけるＡ−Ａ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｃ−Ｃ’断面の構成を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の概略を示す工程フロー図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の形成方法の概略を示す工程フロー図である。
【図６】（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれに有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した状態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｅ−Ｅ’断面の構成を示す模式断面図である。
【図７】（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。
【図８】（ａ）、（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図ある。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。
【図１０】（ａ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図である。
【図１１】（ａ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態６に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の実施の形態７に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１４】（ａ）は、本発明の実施の形態９に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１０に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態１１に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１５】（ａ）は、本発明の実施の形態１２に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１３に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態１４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板における隔壁の開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義の仕方を示す模式図である。
【図１７】（ａ）は、変形例１に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例３に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図である。
【図１８】（ａ）は、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成のうち、ＴＦＴ基板の構成の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係るＴＦＴ基板の製造過程のうち、有機半導体インクの塗布に係る工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、有機半導体層とを備える。
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。絶縁層は、ゲート電極とソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿されている。有機半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極とドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間に、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００２１】
ここで、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁には、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではない。
【００２２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部および第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【００２３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部に有機半導体インクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、ソース電極およびドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００２４】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができる。また、第１開口部の内部に形成される有機半導体層の層厚についても、インクの溢れ出しを抑制することにより、高精度に制御することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部および第２開口部の各内部に塗布（滴下）した際、上記一方の開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、他方の開口部が隣接する側とは反対側で相対的に高い、という表面プロファイルを有することになる。
【００２６】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、第１開口部と第２開口部との各内部に塗布した有機半導体インク同士が、不所望に混合されるという事態を抑制することができる。よって、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００２７】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部および第２開口部を臨む側面部の他方についても、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。このような構成を更に採用する場合には、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００２８】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、第３開口部、第１開口部、および第２開口部が、平面視において、この順に直列配置されており、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用することにより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、少なくとも第３開口部が隣接する側の部分で高さが低く、上記傾斜が相対的に緩やかな斜面とした部分の側で高さが高い、という表面プロファイルを有することになる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクの表面プロファイルを、上記のように偏った状態とすることで、第３開口部への有機半導体インクの溢れ出しをさらに効果的に抑制することができる。
【００２９】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用することにより、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、上記配列方向に対して交差する方向に存在する部分における上記傾斜が相対的に緩やかな斜面とした部分の側で高さが高い、という表面プロファイルを有することになる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクの表面プロファイルを、上記のように偏った状態とすることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに効果的に抑制することができる。
【００３０】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分と、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分とが、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列に係る仮想軸を挟んで、互いに反対側に存在する、ことを特徴とする。上記のように、第１開口部の内部および第２開口部の内部のそれぞれに塗布した有機半導体インクの各表面プロファイルは、上記傾斜が相対的に緩やかな斜面の側で高さが高くなる。よって、第１開口部を臨む側面部と、第２開口部を臨む側面部とで、傾斜が相対的に緩やかな斜面を、上記仮想軸を挟んで互いに反対側に設けることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００３１】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部または第２開口部を臨む側面部の他方について、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合にあっても、他方の開口部（第１開口部または第２開口部）の内部に塗布された有機半導体インクの表面プロファイルの制御を以って、上記一方の開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合が、効果的に抑制できる。
【００３２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、傾斜の緩急が、隔壁の側面と、隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面である第２開口部が隣接する側の部分は、傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５[ｄｅｇ．]以上大きい、ことを特徴とする。
【００３３】
なお、上記において、「傾斜が相対的に緩やかな斜面」の傾斜角度は、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。また、上記において、「傾斜が相対的に急峻な斜面」の傾斜角度は、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子は、上記態様の何れかに係る薄膜トランジスタ装置と、薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、平坦化膜上、および平坦化膜のコンタクトホールを臨む側面上に形成され、ドレイン電極またはソース電極と電気的に接続された下部電極と、下部電極の上方に形成された上部電極と、下部電極と上部電極との間に介挿された有機発光層と、を備え、コンタクトホールが第３開口部と連通している、ことを特徴とする。
【００３４】
このように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記本発明の何れかの態様に係る薄膜トランジスタ装置を備えているので、高品質であって、且つ、製造時における高い歩留まりを確保することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備える、ことを特徴とする。これにより、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置についても、高品質であって、且つ、製造時における高い歩留まりを確保することができる。
【００３５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、次の工程を備える。
（ｉ） 第１工程；基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する。
（ｉｉ） 第２工程；第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する。
【００３６】
（ｉｉｉ） 第３工程；絶縁層上において、第１のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、第２のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する。
【００３７】
（ｉｖ） 第４工程；絶縁層上において、第１および第２のソース電極上と第１および第２のドレイン電極上とその周辺領域を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する。
（ｖ） 第５工程；積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する。
【００３８】
（ｖｉ） 第６工程；第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、第１のソース電極および第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する。
【００３９】
そして、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部とは異なる側に、第３開口部も設けるとともに、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成する。そして、上記第５工程においては、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部または第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。
【００４０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、第１開口部および第２開口部を臨む各側面部について、上記のように部分ごとに緩急をつけた斜面で構成するので、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部にインクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、第１のソース電極および第１のドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００４１】
また、第１開口部および第２開口部を臨む各側面部について、上記のように部分ごとに緩急をつけた斜面で構成することにより、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとが、互いに混合することを抑制することができる。これは、上記同様に、各有機半導体インクの表面プロファイルを、第１開口部および第２開口部の各側面部の傾斜に緩急をつけることで制御できるということに起因する。
【００４２】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法を用いれば、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができ、また、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００４３】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、隔壁における第１開口部または第２開口部の他方を臨む側面部ついても、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。このような構成を更に採用する場合には、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００４４】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
第１開口部および第２開口部を臨む各側面部に、傾斜が相対的に急峻な斜面と、傾斜が相対的に緩やかな斜面とをする具体的な方法として、次のような方法を採用することができる。
【００４５】
（１） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする、ことを特徴とする。
（２） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部を形成しようとする部分に対して、感光性レジスト材料を露光した後に、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う、ことを特徴とする。
【００４６】
（３） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う、ことを特徴とする。
上記（１）から（３）の何れの方法を採用した場合においても、側面部に、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とを、確実に形成することができる。
【００４７】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に規定されるものである。また、「上方」との用語は、間に間隔をあけた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用するものである。
以下では、幾つかの具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００４８】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
以下では、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について図１を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００４９】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の配置については、これに限られない。
【００５０】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成について、図２の模式断面図および図３を用い説明する。
図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１０１を備える。ＴＦＴ基板１０１は、基板１０１１の上に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが互いに間隔をあけた状態で積層され、その上を覆うように、絶縁層１０１３が積層形成されている。絶縁層１０１３の上には、ゲート電極１０１２ａに対応して、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃが設けられ、同様に、ゲート電極１０１２ｂに対応して、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄが設けられている。図３に示すように、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃ、ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄは、それぞれＹ軸方向に対向した状態で配設されている。
【００５１】
また、図２および図３に示すように、絶縁層１０１３上には、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃに対してＸ軸方向左側に間隔をあけて、接続配線１０１５が形成されている。なお、接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃ、あるいは、ソース電極１０１４ｂまたはドレイン電極１０１４ｄの何れかから延出形成され、あるいは、これらの何れかと電気的に接続されている。
【００５２】
図２および図３に示すように、絶縁層１０１３上には、接続配線１０１５、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃ，ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄを、それぞれ別々に囲繞するよう隔壁１０１６が形成されている。換言すると、図３に示すように、隔壁１０１６に開けられた３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃのうち、接続配線１０１５が底部に露出するＸ軸方向左側の開口部１０１６ａが、チャネル部として機能する部分ではなく、アノード１０３とのコンタクト部として機能する。
【００５３】
一方、底部にソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃが露出する開口部１０１６ｂ、および底部にソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄが露出する開口部１０１６ｃが、それぞれチャネル部として機能する部分である。
図２に示すように、隔壁１０１６で囲繞された各領域のうち、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの上に相当する領域、およびソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの上に相当する領域には、それぞれ有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが積層形成されている。有機半導体層１０１７ａは、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの間の間隙、およびソース電極１０１４ａ、ドレイン電極１０１４ｃの各上を充填するように形成され、これら電極１０１４ａ，１０１４ｃと密に接している。有機半導体層１０１７ｂについても、同様に、電極１０１４ｂ，１０１４ｄと密に接するよう形成されている。そして、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、隔壁１０１６により互いに区画されている。
【００５４】
なお、図３に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各内部においては、絶縁層１０１３の一部は、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄで覆われておらず、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが直に接することになる。
図２に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂおよび絶縁層１０１３の上を覆うように、パッシベーション膜１０１８が積層形成されている。ただし、接続配線１０１５の上に相当する箇所は、開口されている。
【００５５】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１は、以上のような構成を有する。
次に、ＴＦＴ基板１０１上は、平坦化膜１０２で被覆されている。ただし、接続配線１０１５の上は、コンタクトホール１０２ａが開けられている。コンタクトホール１０２ａは、ＴＦＴ基板１０１における開口部１０１６ａと連通している。
【００５６】
平坦化膜１０２の主面上には、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５が順に積層形成されている。これら、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５は、平坦化膜１０２におけるコンタクトホール１０２ａを臨む側面に沿っても形成されており、アノード１０３は、接続配線１０１５と接触し、電気的に接続されている。
【００５７】
ホール注入層１０５の上には、発光部（サブピクセル）に相当する箇所を囲繞するようにバンク１０６が形成されている。バンク１０６が囲繞することで形成される開口部には、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９が順に積層形成されている。
さらに、電子輸送層１０９の上、およびバンク１０６の露出面を覆うように、カソード１１０および封止層１１１が順に積層形成され、封止層１１１に対向するようにＣＦ（カラーフィルタ）基板１１３が配され、間に接着層１１２が充填されて互いに接合されている。ＣＦ基板１１３は、基板１１３１のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成され構成されている。
【００５８】
３．有機ＥＬ表示パネル１０の構成材料
有機ＥＬ表示パネル１０では、例えば、各部位を次のような材料を用い形成することができる。
（ｉ） 基板１０１１
基板１０１１は、例えば、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００５９】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６０】
（ｉｉ） ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ
ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂは、例えば、導電性を有する材料であれば特に限定されない。
具体的な材料として、たとえば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６１】
（ｉｉｉ） 絶縁層１０１３
絶縁層１０１３は、ゲート絶縁層として機能するものであって、例えば、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００６２】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１ 種または２ 種以上組み合わせて用いることができる。
【００６３】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
（ｉｖ） ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ
ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄは、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成するための上記材料を用い形成することができる。
【００６４】
（ｖ） 有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂ
有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、例えば、半導体特性を有し、溶媒に可溶であれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン） （ＰＴＶ ） もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン） （ＰＰＶ） などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン） （ＰＦＯ） などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１） および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン） （ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール） （ＢＴ） 、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン） （Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６５】
また、溶媒に可溶な無機材料も使用することが可能である。
（ｖｉ） パッシベーション膜１０１８
パッシベーション膜１０１８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂や、フッ素系樹脂などを用い形成することができる。
（ｖｉｉ） 平坦化膜１０２
平坦化膜１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
【００６６】
（ｖｉｉｉ） アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
（ｉｘ） 透明導電膜１０４
透明導電膜１０４は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。
【００６７】
（ｘ） ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。なお、図２に示す本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、金属酸化物からなるホール注入層１０５を構成することを想定しているが、この場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００６８】
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯＸ）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００６９】
（ｘｉ） バンク１０６
バンク１０６は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００７０】
なお、バンク１０６を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０６の表面と発光層１０８の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０６が規定する開口部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１０６の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００７１】
（ｘｉｉ） ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（ｘｉｉｉ） 有機発光層１０８
発光層１０８は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００７２】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７３】
（ｘｉｖ） 電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（ｘｖ） カソード１１０
カソード１１０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００７４】
カソード１１０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層の構造、あるいは、前記いずれかの層に銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【００７５】
（ｘｖｉ） 封止層１１１
封止層１１１は、発光層１０８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７６】
封止層１１１は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
４．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成について、図４を用い説明する。図４（ａ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＡ−Ａ’断面を示し、図４（ｂ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＢ−Ｂ’断面を示し、図４（ｃ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＣ−Ｃ’断面を示す。
【００７７】
上述のように、隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃがあけられている。なお、図４などでは、ＴＦＴ基板１０１における他のサブピクセルに相当する箇所での構成については図示していないが、同様の構成となっている。
図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、隔壁１０１６における開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部は、斜面で構成されているとともに、その一部を傾斜が相対的に急峻な斜面とし、他を傾斜が相対的に緩やかな斜面としている。具底的には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ａが隣接する側の側面部１０１６ｄと開口部１０１６ｃが隣接する側の側面部１０１６ｅの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｈの傾斜は、側面部１０１６ｈに対して開口部１０１６ｂを挟んで対向する側面部１０１６ｉの傾斜よりも急峻になっている。
【００７８】
同様に、図４（ａ）および図４（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂが隣接する側の側面部１０１６ｆと、側面部１０１６ｆに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｋの傾斜は、側面部１０１６ｋに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｊの傾斜よりも急峻になっている。
【００７９】
ここで、下地層である絶縁層１０１３の表面に対する側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの各傾斜角度を角度θｄ〜θｋとするとき、本実施の形態では、次の関係を満足する。
［数１］ θｄ＞θｉ
［数２］ θｅ＞θｉ
［数３］ θｈ＞θｉ
［数４］ θｆ＞θｊ
［数５］ θｇ＞θｊ
［数６］ θｋ＞θｊ
ここで、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｅ，θｆ，θｇ，θｈ，θｋが、傾斜が緩やかな側面部（緩傾斜側面部）１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角度θｉ，θｊに対して、５［ｄｅｇ．］以上大きくなっていることが好ましい。
【００８０】
また、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｅ，θｆ，θｇ，θｈ，θｋが、例えば、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましく、傾斜が緩やかな緩傾斜側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角度θｉ，θｊが、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００８１】
上記のように、隔壁１０６において、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの傾斜を上記のように設定するのは、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成の際に、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクが、開口部１０１６ａに溢れ出すことを抑制するとともに、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクと、開口部１０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を抑制するためである。換言すると、開口部１０１６ｂの内部と，１０１６ｃの内部に有機半導体インクを塗布した際に、傾斜を緩やかにした側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの側に有機半導体インクの高さが高い部分が偏るように、各有機半導体インクの表面フプロファイルを制御するものである。これについては、後述する。
【００８２】
５．有機ＥＬ表示装置１の製造方法
有機ＥＬ表示装置１の製造方法、特に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図２と図５（ａ）を用い説明する。
図２および図５（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０１のベースとなる基板１０１１を準備する（図５（ａ）のステップＳ１）。そして、当該基板１０１１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子を形成し、ＴＦＴ基板１０１を形成する（図５（ａ）のステップＳ２）。
【００８３】
次に、図２および図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁材料からなる平坦化膜１０２を形成する（図５（ａ）のステップＳ３）。図２に示すように、平坦化膜１０２では、ＴＦＴ基板１０１における接続配線１０１５の上方に相当する箇所にコンタクトホール１０２ａがあけられ、その他の部分のＺ軸方向上面を略平坦化されている。
次に、平坦化膜１０２上にアノード１０３を形成する（ステップＳ４）。ここで、図２に示すように、アノード１０３は、発光単位（サブピクセル）で区画され形成されており、コンタクトホール１０２ａの側壁に沿って一部がＴＦＴ基板１０１の接続配線１０１５に接続される。
【００８４】
なお、アノード１０３は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などにより金属膜を成膜した後、サブピクセル単位にエッチングすることで形成できる。
次に、アノード１０３の上面を覆うように透明導電膜１０４を形成する（図５（ａ）のステップＳ５）。図２に示すように、透明導電膜１０４は、アノード１０３の上面のみならず側端面も覆っており、また、コンタクトホール１０２ａ内においてもアノード１０３の上面を覆っている。なお、透明導電膜１０４は、上記同様に、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜した後、エッチングによりサブピクセル単位に区画することにより形成される。
【００８５】
次に、透明導電膜１０４上にホール注入層１０５を形成する（図５（ａ）のステップＳ６）。図２に示すように、ホール注入層１０５は、透明導電膜１０４上の全面を覆うように形成されているが、サブピクセル毎に区画した状態で形成することもできる。
金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からホール注入層１０５を形成する場合には、金属酸化膜の形成は、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタ装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比が５０［％］以上７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００８６】
次に、各サブピクセルを規定するバンク１０６を形成する（図５（ａ）のステップＳ７）。図２に示すように、バンク１０６は、ホール注入層１０５の上に積層形成される。
バンク１０６の形成は、先ず、ホール注入層１０５の上に、バンク１０６の材料層を積層形成する。この材料層は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの感光性樹脂成分とフッ素成分を含む材料を用い、スピンコート法等により形成される。なお、本実施の形態においては、感光性樹脂材料の一例として、日本ゼオン製ネガ型感光性材料（品番：ＺＰＮ１１６８）を用いることができる。次に、材料層をパターニングして、各サブピクセルに対応する開口部を形成する。開口部の形成には、材料層の表面にマスクを配して露光を行い、その後で現像を行うことにより形成できる。
【００８７】
次に、ホール注入層１０５上におけるバンク１０６で規定された各凹部内に対し、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９を順に積層形成する（図５（ａ）のステップＳ８〜Ｓ１０）。
ホール輸送層１０７は、その構成材料である有機化合物からなる膜を印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。有機発光層１０８についても、同様に、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。
【００８８】
次に、電子輸送層１０９上にカソード１１０および封止層１１１を順に積層する（図５（ａ）のステップＳ１１，Ｓ１２）。図２に示すように、カソード１１０および封止層１１１は、バンク１０６の頂面も被覆するように形成されており、全面に形成されている。
次に、封止層１１１上に接着樹脂材を塗布し、予め準備しておいたＣＦ（カラーフィルタ）パネルを接合する（図５（ａ）のステップＳ１３）。図２に示すように、接着層１１２により接合されるＣＦパネル１１３は、基板１０３１のＺ軸方向下面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成されてなる。
【００８９】
以上のように、有機ＥＬ表示素子としての有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
なお、図示を省略しているが、有機ＥＬ表示パネル１０に対して駆動制御部２０を付設して有機ＥＬ表示装置１を形成した後（図１を参照）、エージング処理を施すことにより有機ＥＬ表示装置１が完成する。エージング処理は、例えば、処理前におけるホール注入性に対して、ホールの移動度が１／１０以下となるまで通電を行うことでなされ、具体的には、実際の使用時における輝度以上であって、且つ、その３倍以下の輝度となるように、予め規定された時間、通電処理を実行する。
【００９０】
次に、ＴＦＴ基板１０１の形成方法について、図５（ｂ）および図６を用い説明する。図６（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程における一工程での模式平面図であり、図６（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’断面を示す模式断面図であり、図６（ｃ）は、Ｅ−Ｅ’断面を示す模式断面図である。
図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、基板１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（図５（ｂ）のステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記アノード１０３の形成方法と同様の方法とすることができる。
【００９１】
次に、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（図５（ｂ）のステップＳ２２）。そして、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、さらには接続配線１０１５を形成する（図５（ｂ）のステップＳ２３）。
【００９２】
次に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の露出部１０１３ａ，１０１３ｂ上を覆うように、隔壁１０１６を形成するための感光性レジスト材料膜を堆積させ（図５（ｂ）のステップＳ２４）、堆積させた感光性レジスト材料膜に対し、マスク露光およびパターニングを施す（図５（ｂ）のステップＳ２５）。これにより、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すような形態の隔壁１０１６が形成できる（図５（ｂ）のステップＳ２６）。なお、隔壁１０１６の形成に係るより具体的な方法については、後述する。
【００９３】
次に、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各内部に対し、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布する（図５（ｂ）のステップＳ２７）。
次に、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを乾燥させることにより（図５（ｂ）のステップＳ２８）、図２に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対して、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを各々形成することができる（図５（ｂ）のステップＳ２９）。
【００９４】
最後に、図２に示すように、開口部１０１６ａなどのコンタクト領域など除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成して（図５（ｂ）のステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
６．有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの塗布時における表面プロファイル
図６（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ａは、Ｙ軸方向に対称な表面プロファイルとなるのではなく、一方の側（それぞれ矢印Ｆ３の側）に偏った表面プロファイルを有する。
【００９５】
一方、図６（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｃの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ｂについても、Ｙ軸方向に対称な表面プロファイルとなるのではなく、一方の側（それぞれ矢印Ｆ４の側）に偏った表面プロファイルを有する。
ここで、図６（ａ）に示すように、開口部１０１６ｂの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ａの表面プロファイルの偏り方向（矢印Ｆ１）と、開口部１０１６ｃの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ｂの表面プロファイルの偏り方向（矢印Ｆ２）とは、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃの配列に係る仮想軸（Ｘ軸に平行な仮想軸）に対して、Ｙ軸方向の上下反対向きとなる。
【００９６】
このように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを制御することにより、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂは、開口部１０１６ａを含む不所望の箇所へ溢れ出すことがなく、また、互いに混合することが抑制される。
７．奏することができる効果
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、ＴＦＴ基板１０１において、隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部のうち、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ａが隣接する側の側面部１０１６ｄと開口部１０１６ｃが隣接する側の側面部１０１６ｅの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｈの傾斜を、側面部１０１６ｈに対して開口部１０１６ｂを挟んで対向する側面部１０１６ｉの傾斜よりも急峻とし（図４（ａ）および図４（ｂ））、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂが隣接する側の側面部１０１６ｆと、側面部１０１６ｆに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｋの傾斜を、側面部１０１６ｋに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｊの傾斜よりも急峻にしている（図４（ａ）および図４（ｃ））。このため、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれの内部に対して有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した際には、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂが傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの側へと偏った表面プロファイルを有することになる。
【００９７】
本実施の形態では、上記のように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すような形態に制御することで、開口部１０１６ａへの有機半導体インク１０１７０ａの溢れ出しの抑制と、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合の抑制とを図ることができる。
よって、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、その製造時における有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成に際して、チャネル部ではない開口部１０１６ａへの有機半導体インク１０１７０ａの溢れ出しを抑制するとともに、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を抑制することができ、高い品質を有する。そして、このような効果を有するＴＦＴ基板１０１を構成要素として備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、それを備える有機ＥＬ表示装置１も高い品質を有する。
【００９８】
８．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法について、図７および図８を用い説明する。なお、図７（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。同様に、図８（ａ）、（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図ある。
【００９９】
先ず、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ、絶縁層１０１３、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５が形成された中間物を用意する。なお、図６および図７では、ドレイン電極１０１４ｃ．１０１４ｄの図示を省略している。
次に、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、例えば、スピンコート法などを用い、絶縁層１０１３および電極１０１４ａ〜１０１４ｄ，１０１５の上を覆うように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積する。
【０１００】
次に、図７（ｅ）、（ｆ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、隔壁１０１６を形成しようとする箇所に開口５０１ａ〜５０１ｄがあけられたマスク５０１を配する。この状態でマスク５０１の開口５０１ａ〜５０１ｄを通して、露光を実行する。
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、一回目の露光が実行された感光性レジスト材料膜１０１６１の上方に、傾斜が相対的に急峻な斜面を形成しようとする箇所に開口５０２ａ，５０２ｂがあけられたマスク５０２を配する。そして、この状態でマスク５０２の開口５０２ａ，５０２ｂを通して、２回目の露光を実行する。ここで、傾斜が相対的に急峻な斜面とは、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋである。
【０１０１】
次に、現像およびベークを施すことによって、図８（ｃ）、（ｄ）に示すように、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋと、傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを有する隔壁１０１６が形成できる。なお、図８（ｃ）、（ｄ）では、図示の都合上、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇの図示を省略している。
【０１０２】
以上のようにして、隔壁１０１６の形成が完了する。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法について、図９を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、その構造は上記実施の形態１と同様であり、また、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法を除く、有機ＥＬ表示パネルの製造方法についても上記実施の形態１と同様である。
【０１０３】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、堆積した感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、ハーフトーンマスクであるマスク５０３を配する。マスク５０３には、光透過部５０３ａ〜５０３ｆが設けられている。このうち、光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆと光透過部５０３ｂ，５０３ｅとは、互いに光透過率が相違する。具体的には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋに対応する箇所の光透過部（図９（ａ）、（ｂ）では、光透過部５０３ｂ，５０３ｅだけを図示）の光透過率は、他の光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆの光透過率よりも高くなっている。
【０１０４】
以上のような構成を有するマスク５０３を配した状態で、露光・現像を実行した後、ベークすることにより、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような、隔壁１０１６を形成することができる。即ち、光の透過率が大きく設定された光透過部５０３ｂ，５０３ｅ，・・を通して露光された箇所では、他の光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆを通して露光された箇所よりも、上記［数１］〜［数６］で示す関係のように、傾斜が急峻な斜面となる（図４（ａ）〜図４（ｃ）の側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋ）。
【０１０５】
なお、この後の工程は、上記実施の形態１と同様である。
以上のような製造方法によっても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを傾斜が相対的に急峻な斜面とし、側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることができ、上記効果を得ることができる。
【０１０６】
［実施の形態３］
次に、図１０および図１１を用い、有機ＥＬ表示装置１の製造方法の別の実施形態について説明する。図１０および図１１は、図７（ｂ）、（ｃ）および図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す工程に対応する工程を示す。
図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積した後、その上方にマスク５０４を配する。マスク５０４には、隔壁１０６を形成しようとする各箇所に対応して、開口５０４ａ〜５０４ｄがあけられている。
【０１０７】
そして、マスク５０４の開口５０４ａ〜５０４ｄを通して一回目の露光および現像をすることにより、図１０（ｃ）、（ｄ）に示すように、開口５０４ａ〜５０４ｄの各々に対応する箇所に感光性レジスト材料膜１０１６２が残る。ここで、感光性レジスト材料膜１０１６２の各側面部１０１６２ｈ，１０１６２ｉ，１０１６２ｊ，１０１６２ｋ，・・は、全て同じ傾斜角となっており、図４（ｂ）、（ｃ）における側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角と同一となっている。
【０１０８】
なお、本実施の形態に係る製造方法では、この時点でのベークを行わない。
次に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６２上方に、マスク５０５を配する。マスク５０５には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを形成しようとする箇所に対応して、開口５０５ａ，５０５ｂ，・・があけられている（図１１（ａ）、（ｂ）では、側面部１０１６１０１６ｈ，１０１６ｋに対応する箇所の開口のみ図示）。
【０１０９】
そして、マスク５０５にあけられた開口５０５ａ，５０５ｂ，・・を通して、二回目の露光および現像を行う。その後、ベークをすることにより、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すような隔壁１０１６が形成できる。
この後、上記実施の形態１，２などと同様の工程を実行することにより、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【０１１０】
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを傾斜が相対的に急峻な斜面とし、側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることができ、上記効果を得ることができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ａ）を用い説明する。なお、図１２（ａ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１１１】
図１２（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２０１６により４つの開口部２０１６ａ，２０１６ｂ，２０１６ｃ，２０１６ｄが規定されている。この内、開口部２０１６ａ，２０１６ｄには、その底部に接続配線２０１５ａ，２０１５ｄがそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
なお、本発明の実施の形態においては、図１２（ａ）に示すように、開口部２０１６ａと開口部２０１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２０１６ｄについては、開口部２０１６ａ〜２０１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１１２】
また、開口部２０１６ｂの底部には、ソース電極２０１４ａおよびドレイン電極２０１４ｃが配されており、開口部２０１６ｃの底部には、ソース電極２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｄが配されている。
開口部２０１６ｂの内部におけるソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃ、および開口部２０１６ｃの内部におけるソース電極２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｄは、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、ソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃとは、長辺同士が対向し、ソース電極２０１４ｂとドレイン電極２０１４ｄとも、長辺同士が対向している。
【０１１３】
また、図１２（ａ）に示すように、隔壁２０１６における開口部２０１６ｂを臨む側面部２０１６ｅ，２０１６ｆ，２０１６ｇ，２０１６ｈのうち、開口部２０１６ａ側の側面部２０１６ｅとＹ軸方向上下の側面部２０１６ｇ，２０１６ｈが、残りの側面部２０１６ｊよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
同様に、隔壁２０１６における開口部２０１６ｃを臨む側面部２０１６ｉ，２０１６ｊ，２０１６ｋ，２０１６ｍのうち、開口部２０１６ｂ側の側面部２０１６ｉと開口部２０１６ｄ側の側面部２０１６ｊとが、Ｙ軸方向上下の側面部２０１６ｋ，２０１６ｍよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
【０１１４】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２０１６ｂ，２０１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２０１６ｂでは、矢印Ｆ５の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２０１６ｃでは、矢印Ｆ６，Ｆ７の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１１５】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ｂ）を用い説明する。なお、図１２（ｂ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
図１２（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２１１６により４つの開口部２１１６ａ，２１１６ｂ，２１１６ｃ，２１１６ｄが規定されている。この内、開口部２１１６ａ，２１１６ｄには、その底部に接続配線がそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
【０１１６】
なお、本発明の実施の形態においても、図１２（ｂ）に示すように、開口部２１１６ａと開口部２１１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２１１６ｄについては、開口部２１１６ａ〜２１１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１１７】
開口部２１１６ｂおよび開口部２１１６ｃの各底部には、ソース電極およびドレイン電極が配されている。開口部２１１６ｂおよび開口部２１１６ｃの各内部におけるソース電極およびドレイン電極は、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、各開口部２１１６ｂ，２１１６ｃの内部おいて、ソース電極とドレイン電極とは、長辺同士が対向している。
【０１１８】
また、図１２（ｂ）に示すように、隔壁２１１６における開口部２１１６ｂを臨む４つの側面部２１１６ｇ，２１１６ｈ，・・のうち、開口部２１１６ａ側の側面部と開口部２１１６ｃ側の側面部が、残りの側面部２１１６ｇ，２１１６ｈよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
同様に、隔壁２１１６における開口部２１１６ｃを臨む４つの側面部２１１６ｉ，・・のうち、開口部２１１６ｂ側の側面部２１１６ｉを除き、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。言い換えれば、開口部２１１６ｃを臨む４つの側面部２１１６ｉ，・・のうち、開口部２１１６ｃが隣接する側の側面部２１１６ｉだけが、他の３つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１１９】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２１１６ｂ，２１１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２１１６ｂでは、矢印Ｆ８，Ｆ９の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２１１６ｃでは、矢印Ｆ１０の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態６］
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ｃ）を用い説明する。なお、図１２（ｃ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１２０】
図１２（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２２１６により４つの開口部２２１６ａ，２２１６ｂ，２２１６ｃ，２２１６ｄが規定されている。この内、開口部２２１６ａ，２２１６ｄには、その底部に接続配線がそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
なお、本発明の実施の形態においても、図１２（ｃ）に示すように、開口部２２１６ａと開口部２２１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２２１６ｄについては、開口部２２１６ａ〜２２１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１２１】
また、開口部２２１６ｂおよび開口部２２１６ｃの各底部には、ソース電極およびドレイン電極が配されている。開口部２２１６ｂおよび開口部２２１６ｃの各内部におけるソース電極およびドレイン電極は、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、各開口部２２１６ｂ，２２１６ｃの内部おいて、ソース電極とドレイン電極とは、長辺同士が対向している。
【０１２２】
また、図１２（ｃ）に示すように、隔壁２２１６における開口部２２１６ｂを臨む４つの側面部２２１６ｇ，２２１６ｈ，・・のうち、Ｙ軸方向上下の側面部２２１６ｇ，２２１６ｈが、他の２つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
同様に、隔壁２２１６における開口部２２１６ｃを臨む４つの側面部２２１６ｋ，２２１６ｍ，・・のうち、Ｙ軸方向上下の側面部２２１６ｋ，２２１６ｍが、他の２つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１２３】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２２１６ｂ，２２１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２２１６ｂでは、矢印Ｆ１１，Ｆ１２の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２２１６ｃでは、矢印Ｆ１３，Ｆ１４の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１２４】
［実施の形態７］
本発明の実施の形態７に係るＴＦＴ基板の構成について、図１３（ａ）を用い説明する。なお、図１３（ａ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
図１３（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄの開口形状が、各コーナー部分が曲率を以って構成されている。このため、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄを臨む側面部は、明確に複数の側面部に分けることはできない。
【０１２５】
開口部３０１６ａ，３０１６ｄの各底部には、上記実施の形態１と同様に、接続配線３０１５ａ，３０１５ｄが配設されており、チャネル部としては機能しない部分である。開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各底部には、ソース電極３０１４ａ，３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの内部は、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１２６】
なお、本発明の実施の形態においても、図１３（ａ）に示すように、開口部３０１６ａと開口部３０１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部３０１６ｄについては、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１２７】
図１３（ａ）に示すように、隔壁３０１６における開口部３０１６ｂを臨む側面部のうち、領域３０１６ｈが、他の領域に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
同様に、隔壁３０１６における開口部３０１６ｃを臨む側面部のうち、領域３０１６ｋが、他の領域に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側に偏った表面プロファイルを有し、開口部３０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側に偏った表面プロファイルを有する。
【０１２８】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態８］
本発明の実施の形態８に係るＴＦＴ基板の構成について、図１３（ｂ）を用い説明する。なお、図１３（ｂ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１２９】
図１３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３１１６では、４つの開口部３１１６ａ〜３１１６ｄがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３１１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３１１６ａ〜３１１６ｄの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３１１６ａ〜３１１６ｄの各開口形状は、八角形となっている。
【０１３０】
開口部３１１６ａ，３１１６ｄの各底部には、上記実施の形態１と同様に、接続配線３１１５ａ，３１１５ｄが配設されており、チャネル部としては機能しない部分である。開口部３１１６ｂ，３１１６ｃの各底部には、それぞれソース電極３１１４ａ，３１１４ｂおよびドレイン電極３１１４ｃ，３１１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３１１６ｂ，３１１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１３１】
なお、本発明の実施の形態においても、図１３（ｂ）に示すように、開口部３１１６ａと開口部３１１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部３１１６ｄについては、開口部３１１６ａ〜３１１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１３２】
図１３（ｂ）に示すように、隔壁３１１６における開口部３１１６ｂを臨む８つの側面部３１１６ｈ，・・のうち、側面部３１１６ｈが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
同様に、隔壁３１１６における開口部３１１６ｃを臨む８つの側面部３１１６ｋ，・・のうち、側面部３１１６ｋが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
【０１３３】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３１１６ｂ，３１１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３１１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側に偏った表面プロファイルを有し、開口部３１１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側に偏った表面プロファイルを有する。
【０１３４】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
なお、開口部の開口形状については、四角形や八角形に限定されるものではなく、種々の形状を採用することができる。また、隣接する開口部同士の間において、互いの開口形状や開口サイズを同一とする必要は必ずしもなく、互いに異なった開口形状とすることや、互いに異なった開口サイズとすることなどもできる。
【０１３５】
［実施の形態９］
本発明の実施の形態９に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ａ）を用い説明する。なお、図１４（ａ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
図１４（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁４０１６で規定される開口部４０１６ｂの底部に、ソース電極４０１４ａおよびドレイン電極４０１４ｃが配されている。ソース電極４０１４ａとドレイン電極４０１４ｃとは、それぞれＴ字状の平面形状を有し、Ｘ軸方向に延伸する部分同士が対向している。
【０１３６】
図１４（ａ）に示すように、隔壁４０１６における開口部４０１６ｂを臨む４つの側面部４０１６ｈ，・・のうち、側面部４０１６ｈが、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ａ）では、一つの開口部４０１６ｂだけを抜き出して表しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１３７】
以上のような開口部４０１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１０］
本発明の実施の形態１０に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ｂ）を用い説明する。なお、図１４（ｂ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１３８】
図１４（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁４１１６で規定される開口部４１１６ｂの底部に、ソース電極４１１４ａおよびドレイン電極４１１４ｃが配されている。ソース電極４１１４ａおよびドレイン電極４１１４ｃは、ともに櫛歯状の平面形状を有し、各櫛歯部分同士が対向している。
図１４（ｂ）に示すように、隔壁４１１６における開口部４１１６ｂを臨む４つの側面部４１１６ｈ，・・のうち、側面部４１１６ｈが、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ｂ）でも、一つの開口部４１１６ｂだけを抜き出して示しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１３９】
以上のような開口部４１１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１１］
本発明の実施の形態１１に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ｃ）を用い説明する。なお、図１４（ｃ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１４０】
図１４（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁４２１６で規定される開口部４２１６ｂの開口形状および底部形状が、ともに円形をしている。そして、開口部４２１６ｂの底部に配されたソース電極４２１４ａおよびドレイン電極４２１４ｃの外辺形状が円形または円弧状となっている。
図１４（ｃ）に示すように、隔壁４２１６における開口部４２１６ｂを臨む側面部のうち、領域４２１６ｈが、他の領域に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ｃ）でも、一つの開口部４２１６ｂだけを抜き出して表しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１４１】
以上のような開口部４２１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
また、本実施の形態では、ソース電極４２１４ａおよびドレイン電極４２１４ｃの平面形状を、円形または円弧状としているので、“回り込み電流”の低減を図ることもできる。
【０１４２】
［実施の形態１２］
実施の形態１２に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ａ）を用い説明する。なお、図１５（ａ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
図１５（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５０１６により規定された５つの開口部５０１６ａ〜５０１６ｅがあけられている。開口部５０１６ａ，５０１６ｅの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５０１６ａ，５０１６ｅは、チャネル部として機能しない部分である。
【０１４３】
本実施の形態においては、開口部５０１６ａと開口部５０１６ｅとの間に、互いに間隔をあけた３つの開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１４４】
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ａ）に示すように、開口部５０１６ａと開口部５０１６ｅとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５０１６ｅについては、開口部５０１６ａ〜５０１６ｄが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１４５】
隔壁５０１６における開口部５０１６ｂを臨む４つの側面部５０１６ｆ，・・のうち、側面部５０１６ｆは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５０１６における開口部５０１６ｃを臨む４つの側面部５０１６ｇ，・・のうち、側面部５０１６ｇは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５０１６における開口部５０１６ｄを臨む４つの側面部５０１６ｈ，・・のうち、側面部５０１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１４６】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１５）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ１６）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５０１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１７）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１４７】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１３］
実施の形態１３に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ｂ）を用い説明する。なお、図１５（ｂ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１４８】
図１５（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５１１６により規定された６つの開口部５１１６ａ〜５１１６ｆが設けられている。開口部５１１６ａ，５１１６ｆの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５１１６ａ，５１１６ｆは、チャネル部として機能しない部分である。
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ｂ）に示すように、開口部５１１６ａと開口部５１１６ｆとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５１１６ｆについては、開口部５１１６ａ〜５１１６ｅが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１４９】
本実施の形態においては、開口部５１１６ａと開口部５１１６ｆとの間に、互いに間隔をあけ、マトリクス状に配置された４つの開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１５０】
隔壁５１１６における開口部５１１６ｂを臨む４つの側面部５１１６ｇ，・・のうち、側面部５１１６ｇは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５１１６における開口部５１１６ｃを臨む４つの側面部５１１６ｈ，・・のうち、側面部５１１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５１１６における開口部５１１６ｄを臨む４つの側面部５１１６ｉ，・・のうち、側面部５１１６ｉは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５１１６における開口部５１１６ｅを臨む４つの側面部５１１６ｊ，・・のうち、側面部５１１６ｊは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１５１】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５１１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１８）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２０）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１９）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｅの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２１）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１５２】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１４］
実施の形態１４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ｃ）を用い説明する。なお、図１５（ｃ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１５３】
図１５（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５２１６により規定された７つの開口部５２１６ａ〜５２１６ｇが設けられている。開口部５２１６ａ，５２１６ｇの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５２１６ａ，５２１６ｇは、チャネル部として機能しない部分である。
本実施の形態においては、開口部５２１６ａと開口部５２１６ｇとの間に、互いに間隔をあけた状態で５つの開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１４ｅ，５２１４ｆは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１５４】
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ｃ）に示すように、開口部５２１６ａと開口部５２１６ｇとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５２１６ｇについては、開口部５２１６ａ〜５２１６ｆが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１５５】
隔壁５２１６における開口部５２１６ｂを臨む４つの側面部５２１６ｈ，・・のうち、側面部５２１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５２１６における開口部５２１６ｃを臨む４つの側面部５２１６ｉ，・・のうち、側面部５２１６ｉは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５２１６ｄを臨む４つの側面部５２１６ｊ，５２１６ｋ，・・のうち、側面部５２１６ｊ，５２１６ｋは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５２１６ｅを臨む４つの側面部５２１６ｍ，・・のうち、側面部５２１６ｍは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５１１６ｆを臨む４つの側面部５２１６ｎ，・・のうち、側面部５２１６ｎは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１５６】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５２１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ２２）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２５）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上下（矢印Ｆ２３，Ｆ２６）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｅの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ２４）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｆの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２７）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１５７】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［その他の事項］
上記実施の形態１，４〜１４では、有機ＥＬ表示パネル１０に用いるＴＦＴ基板を一例としたが、適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネルや電界放出表示パネルなどに適用することもできる。さらに、電子ペーパなどにも適用することができる。
【０１５８】
また、上記実施の形態１，４〜１４の各構成材料は、一例として示したものであって、適宜変更が可能である。
また、図２に示すように、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、トップエミッション型の構成を一例としたが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各使用材料およびレイアウト設計について、適宜の変更が可能である。
【０１５９】
また、上記においては、ＴＦＴ基板１０１などにおける開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義についての説明をしなかったが、図１６（ａ）に示すように下地層の主面に対する側面部がなす角度θとすることができる。なお、図１６（ｂ）に示すように、側面部の開口部底に近い部分に“ダレ”が生じている場合には（二点鎖線で囲んだ部分）、“ダレ”を除外して考えた場合の傾斜角度とすることができる。
【０１６０】
また、上記では、隔壁が規定する開口部の開口形状について、４つの形状を一例として示したが、これ以外にも、種々の開口形状のものを採用することができる。例えば、図１７（ａ）に示すように、正方形の開口形状のものや、図１７（ｂ）に示すように、一辺が円弧状で、残りの３辺が直線であるような形状や、図１７（ｃ）に示すように、円形あるいは長円形などとすることもできる。
【０１６１】
また、本発明は、隣接する開口部間での有機半導体インクの混合を抑制するためだけでなく、例えば、隣接する開口部に対して塗布した有機半導体インクを溢れ出させたくないような場合にも、上記構成を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどのパネルを備える表示装置に用いられ、高精細化によっても高品質なＴＦＴ装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１６３】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機ＥＬ表示パネル
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１０１．ＴＦＴ基板
１０２．平坦化膜
１０２ａ．コンタクトホール
１０３．アノード
１０４．透明導電膜
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１．封止層
１１２．接着層
１１３．ＣＦ基板
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５．マスク
１０１１，１１３１．基板
１０１２ａ，１０１２ｂ．ゲート電極
１０１３．絶縁層
１０１４ａ，１０１４ｂ，２０１４ａ，２０１４ｂ，３０１４ａ，３０１４ｂ，３１１４ａ，３１１４ｂ，４０１４ａ，４１１４ａ，４２１４ａ．ソース電極
１０１４ｃ，１０１４ｄ，２０１４ｃ，２０１４ｄ，３０１４ｃ，３０１４ｄ，３１１４ｃ，３１１４ｄ，４０１４ｃ，４１１４ｃ，４２１４ｃ．ドレイン電極
１０１５，２０１５ａ，２０１５ｄ，３０１５ａ，３０１５ｄ，３１１５ａ，３１１５ｄ．接続配線
１０１６，２０１６，２１１６，２２１６，３０１６，３１１６，４０１６，４１１６，４２１６，５０１６，５１１６，５２１６．隔壁
１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ，２０１６ａ，２０１６ｂ，２０１６ｃ，２０１６ｄ，２１１６ａ，２１１６ｂ，２１１６ｃ，２１１６ｄ，２２１６ａ，２２１６ｂ，２２１６ｃ，２２１６ｄ，３０１６ａ，３０１６ｂ，３０１６ｃ，３０１６ｄ，３１１６ａ，３１１６ｂ，３１１６ｃ，３１１６ｄ，４０１６ｂ，４１１６ｂ，４２１６ｂ，５０１６ａ，５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄ，５０１６ｅ，５１１６ａ，５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅ，５１１６ｆ，５２１６ａ，５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆ，５２１６ｇ．開口部
１０１７ａ，１０１７ｂ．有機半導体層
１０１８．パッシベーション膜
１１３２．カラーフィルタ
１１３３．ブラックマトリクス
１０１６０，１０１６１，１０１６２．感光性レジスト材料膜
１０１７０ａ，１０１７０ｂ．有機半導体インク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、サブピクセル単位で発光制御するため、サブピクセル毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））素子が形成されてなる薄膜トランジスタ装置が採用されている。そして、特に半導体層として有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ装置の開発が進められている。
図１８（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置は、例えば、基板９０１１上に、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂ、絶縁層９０１３、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂおよびドレイン電極（図示を省略。）、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが順に積層形成されている。有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂは、絶縁層９０１３上において、有機半導体インクを塗布して乾燥させることにより形成され、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂとドレイン電極との間を埋めるとともに、それらの上を覆うように形成されている。
【０００３】
また、図１８（ａ）に示すように、絶縁層９０１３上には、隣接する薄膜トランジスタ素子における有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂ間を区画するために隔壁９０１６が設けられている。隔壁９０１６には、複数の開口部９０１６ａ〜９０１６ｃが開けられており、開口部９０１６ａには、その底部に、ドレイン電極に接続された接続配線９０１５が露出しており、有機半導体層が形成されていない。接続配線９０１５は、当該有機ＴＦＴ装置の上方に形成される発光素子の電極を接続するための電極である。そして、隔壁９０１６の開口部９０１６ｂ，９０１６ｃには、互いに区画された有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが形成されている。
【０００４】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに用いられるＴＦＴ素子は、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂへの信号の入力により、発光素子部の発光制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７６７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術に係るＴＦＴ装置では、有機半導体層を形成したくない部分（図１８（ａ）では、開口部９０１６ａの内部）にまで有機半導体層が形成されてしまい、他の素子（例えば、発光素子部）との間での電気的接続の不良を生じるという問題がある。具体的には、図１８（ｂ）に示すように、隔壁９０１６に開けられた開口部９０１６ｂ，９０１６ｃの内部に有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂを塗布（滴下）するとき、有機半導体ンク９０１７０ａ，９０１７０ｂが溢れて開口部９０１６ａの内部に入り込むことがある（図１８（ｂ）における矢印Ｆ９１）。この場合に、電気的な接続を図るために設けた接続配線９０１５上が有機半導体層で覆われてしまうことになる。
【０００７】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部間の距離が短くなり、開口部から溢れたインクが他の開口部にまで入り込み易くなることから、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
また、図１８（ｂ）に示すように、各開口部９０１６ｂ，９０１６ｃの内部への有機半導体インク９０１７０ａ，９０１７０ｂの塗布は、隔壁９０１６の頂面よりも盛り上がるようになされるため、場合によっては有機半導体インク９０１７０ａと有機半導体インク９０１７０ｂとが混合する惧れがある。この場合に、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの層厚が不所望な厚みとなり、また、互いに異なる成分の半導体層を形成しようとする場合には、インクの混合によりトランジスタ性能の低下をもたらすことになる。
【０００８】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部９０１６ｂと開口部９０１６ｃとの間の距離が短くなり、インク９０１７０ａとインク９０１７０ｂとが混合され易くなり、上記のような問題を生じ易いと考えられる。
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、次のような特徴を有する。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、有機半導体層とを備える。
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。絶縁層は、ゲート電極とソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿されている。有機半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極とドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間に、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００１１】
ここで、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁には、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではない。
【００１２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部および第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部に有機半導体インクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、ソース電極およびドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００１４】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができる。また、第１開口部の内部に形成される有機半導体層の層厚についても、インクの溢れ出しを抑制することにより、高精度に制御することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部および第２開口部の各内部に塗布（滴下）した際、上記一方の開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、他方の開口部が隣接する側とは反対側で相対的に高い、という表面プロファイルを有することになる。
【００１６】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、第１開口部と第２開口部との各内部に塗布した有機半導体インク同士が、不所望に混合されるという事態を抑制することができる。よって、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００１７】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の構成の一部を示す模式断面図である。
【図３】ＴＦＴ基板１０１の一部構成を示す模式平面図である。
【図４】（ａ）は、図３に示すＴＦＴ基板１０１におけるＡ−Ａ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｃ−Ｃ’断面の構成を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の概略を示す工程フロー図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の形成方法の概略を示す工程フロー図である。
【図６】（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれに有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した状態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’断面の構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｅ−Ｅ’断面の構成を示す模式断面図である。
【図７】（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。
【図８】（ａ）、（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図ある。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。
【図１０】（ａ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図である。
【図１１】（ａ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の一部工程を示す模式工程図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態６に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の実施の形態７に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１４】（ａ）は、本発明の実施の形態９に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１０に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態１１に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１５】（ａ）は、本発明の実施の形態１２に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１３に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態１４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板における隔壁の開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義の仕方を示す模式図である。
【図１７】（ａ）は、変形例１に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例３に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図である。
【図１８】（ａ）は、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成のうち、ＴＦＴ基板の構成の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係るＴＦＴ基板の製造過程のうち、有機半導体インクの塗布に係る工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、有機半導体層とを備える。
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。絶縁層は、ゲート電極とソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿されている。有機半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、およびソース電極とドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における有機半導体層との間に、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００２１】
ここで、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、隔壁には、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではない。
【００２２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部および第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。
【００２３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち第３開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部に有機半導体インクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、ソース電極およびドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００２４】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができる。また、第１開口部の内部に形成される有機半導体層の層厚についても、インクの溢れ出しを抑制することにより、高精度に制御することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部をまたは第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時において、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部および第２開口部の各内部に塗布（滴下）した際、上記一方の開口部の内部に塗布した有機半導体インクが、他方の開口部が隣接する側とは反対側で相対的に高い、という表面プロファイルを有することになる。
【００２６】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、その製造時において、第１開口部と第２開口部との各内部に塗布した有機半導体インク同士が、不所望に混合されるという事態を抑制することができる。よって、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００２７】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部および第２開口部を臨む側面部の他方についても、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面である、ことを特徴とする。このような構成を更に採用する場合には、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００２８】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、第３開口部、第１開口部、および第２開口部が、平面視において、この順に直列配置されており、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用することにより、第１開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、少なくとも第３開口部が隣接する側の部分で高さが低く、上記傾斜が相対的に緩やかな斜面とした部分の側で高さが高い、という表面プロファイルを有することになる。よって、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクの表面プロファイルを、上記のように偏った状態とすることで、第３開口部への有機半導体インクの溢れ出しをさらに効果的に抑制することができる。
【００２９】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用することにより、第２開口部の内部に塗布された有機半導体インクは、上記配列方向に対して交差する方向に存在する部分における上記傾斜が相対的に緩やかな斜面とした部分の側で高さが高い、という表面プロファイルを有することになる。よって、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクの表面プロファイルを、上記のように偏った状態とすることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに効果的に抑制することができる。
【００３０】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分と、隔壁における第２開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分とが、３つの開口部（第１開口部、第２開口部、第３開口部）の配列に係る仮想軸を挟んで、互いに反対側に存在する、ことを特徴とする。上記のように、第１開口部の内部および第２開口部の内部のそれぞれに塗布した有機半導体インクの各表面プロファイルは、上記傾斜が相対的に緩やかな斜面の側で高さが高くなる。よって、第１開口部を臨む側面部と、第２開口部を臨む側面部とで、傾斜が相対的に緩やかな斜面を、上記仮想軸を挟んで互いに反対側に設けることで、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００３１】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、上記構成に加え、隔壁における第１開口部を臨む側面部または第２開口部を臨む側面部の他方について、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に緩やかな斜面である、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合にあっても、他方の開口部（第１開口部または第２開口部）の内部に塗布された有機半導体インクの表面プロファイルの制御を以って、上記一方の開口部の内部に塗布された有機半導体インクとの混合が、効果的に抑制できる。
【００３２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、傾斜の緩急が、隔壁の側面と、隔壁が設けられる下地層の上面とのなす角度の大小を以って規定されている、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面である第２開口部が隣接する側の部分は、傾斜が相対的に緩やかな部分よりも、その傾斜角度が５[ｄｅｇ．]以上大きい、ことを特徴とする。
【００３３】
なお、上記において、「傾斜が相対的に緩やかな斜面」の傾斜角度は、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。また、上記において、「傾斜が相対的に急峻な斜面」の傾斜角度は、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子は、上記態様の何れかに係る薄膜トランジスタ装置と、薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、平坦化膜上、および平坦化膜のコンタクトホールを臨む側面上に形成され、ドレイン電極またはソース電極と電気的に接続された下部電極と、下部電極の上方に形成された上部電極と、下部電極と上部電極との間に介挿された有機発光層と、を備え、コンタクトホールが第３開口部と連通している、ことを特徴とする。
【００３４】
このように、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記本発明の何れかの態様に係る薄膜トランジスタ装置を備えているので、高品質であって、且つ、製造時における高い歩留まりを確保することができる。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備える、ことを特徴とする。これにより、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置についても、高品質であって、且つ、製造時における高い歩留まりを確保することができる。
【００３５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、次の工程を備える。
（ｉ） 第１工程；基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する。
（ｉｉ） 第２工程；第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する。
【００３６】
（ｉｉｉ） 第３工程；絶縁層上において、第１のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、第２のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する。
【００３７】
（ｉｖ） 第４工程；絶縁層上において、第１および第２のソース電極上と第１および第２のドレイン電極上とその周辺領域を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する。
（ｖ） 第５工程；積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する。
【００３８】
（ｖｉ） 第６工程；第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、第１のソース電極および第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する。
【００３９】
そして、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、第２開口部とは異なる側に、第３開口部も設けるとともに、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成する。そして、上記第５工程においては、隔壁における第１開口部を臨む側面部のうち、第３開口部が隣接する側の部分と、第１開口部または第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。
【００４０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、第１開口部および第２開口部を臨む各側面部について、上記のように部分ごとに緩急をつけた斜面で構成するので、有機半導体層を形成するための有機半導体インクを第１開口部の内部に塗布した際、上記第３開口部が隣接する側とは異なる側におけるインクの表面高さが、第３開口部が隣接する側におけるインクの表面高さに比べて高い、という表面プロファイルを有することになる。逆にいえば、第１開口部の内部にインクを塗布（滴下）した場合において、第３開口部が隣接する側でのインクの表面高さが、第１のソース電極および第１のドレイン電極が偏って配された側におけるインクの表面高さよりも低くすることができる。
【００４１】
また、第１開口部および第２開口部を臨む各側面部について、上記のように部分ごとに緩急をつけた斜面で構成することにより、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとが、互いに混合することを抑制することができる。これは、上記同様に、各有機半導体インクの表面プロファイルを、第１開口部および第２開口部の各側面部の傾斜に緩急をつけることで制御できるということに起因する。
【００４２】
よって、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法を用いれば、有機半導体インクが第３開口部に対して溢れ出すことを抑制することができ、チャネルとして機能しない箇所への有機半導体層の形成を防ぐことができ、また、第１の薄膜トランジスタ素子と第２の薄膜トランジスタ素子とについて、有機半導体層の構成材料という観点およびその層厚という観点から、高精度に形成することができる。
【００４３】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第５工程において、隔壁における第１開口部または第２開口部の他方を臨む側面部ついても、上記一方の開口部が隣接する側の部分が、傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。このような構成を更に採用する場合には、第１開口部の内部に塗布した有機半導体インクと、第２開口部の内部に塗布した有機半導体インクとの混合を、さらに確実に抑制することができる。
【００４４】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制するとともに、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
第１開口部および第２開口部を臨む各側面部に、傾斜が相対的に急峻な斜面と、傾斜が相対的に緩やかな斜面とをする具体的な方法として、次のような方法を採用することができる。
【００４５】
（１） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする、ことを特徴とする。
（２） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部を形成しようとする部分に対して、感光性レジスト材料を露光した後に、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う、ことを特徴とする。
【００４６】
（３） 本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、上記第５工程において、隔壁における第１開口部および第２開口部を臨む各側面部のうち、傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分の光透過率が、傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分の光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う、ことを特徴とする。
上記（１）から（３）の何れの方法を採用した場合においても、側面部に、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とを、確実に形成することができる。
【００４７】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に規定されるものである。また、「上方」との用語は、間に間隔をあけた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用するものである。
以下では、幾つかの具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００４８】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
以下では、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について図１を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００４９】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の配置については、これに限られない。
【００５０】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成について、図２の模式断面図および図３を用い説明する。
図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１０１を備える。ＴＦＴ基板１０１は、基板１０１１の上に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが互いに間隔をあけた状態で積層され、その上を覆うように、絶縁層１０１３が積層形成されている。絶縁層１０１３の上には、ゲート電極１０１２ａに対応して、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃが設けられ、同様に、ゲート電極１０１２ｂに対応して、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄが設けられている。図３に示すように、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃ、ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄは、それぞれＹ軸方向に対向した状態で配設されている。
【００５１】
また、図２および図３に示すように、絶縁層１０１３上には、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃに対してＸ軸方向左側に間隔をあけて、接続配線１０１５が形成されている。なお、接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃ、あるいは、ソース電極１０１４ｂまたはドレイン電極１０１４ｄの何れかから延出形成され、あるいは、これらの何れかと電気的に接続されている。
【００５２】
図２および図３に示すように、絶縁層１０１３上には、接続配線１０１５、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃ，ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄを、それぞれ別々に囲繞するよう隔壁１０１６が形成されている。換言すると、図３に示すように、隔壁１０１６に開けられた３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃのうち、接続配線１０１５が底部に露出するＸ軸方向左側の開口部１０１６ａが、チャネル部として機能する部分ではなく、アノード１０３とのコンタクト部として機能する。
【００５３】
一方、底部にソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃが露出する開口部１０１６ｂ、および底部にソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄが露出する開口部１０１６ｃが、それぞれチャネル部として機能する部分である。
図２に示すように、隔壁１０１６で囲繞された各領域のうち、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの上に相当する領域、およびソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの上に相当する領域には、それぞれ有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが積層形成されている。有機半導体層１０１７ａは、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの間の間隙、およびソース電極１０１４ａ、ドレイン電極１０１４ｃの各上を充填するように形成され、これら電極１０１４ａ，１０１４ｃと密に接している。有機半導体層１０１７ｂについても、同様に、電極１０１４ｂ，１０１４ｄと密に接するよう形成されている。そして、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、隔壁１０１６により互いに区画されている。
【００５４】
なお、図３に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各内部においては、絶縁層１０１３の一部は、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄで覆われておらず、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが直に接することになる。
図２に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂおよび絶縁層１０１３の上を覆うように、パッシベーション膜１０１８が積層形成されている。ただし、接続配線１０１５の上に相当する箇所は、開口されている。
【００５５】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１は、以上のような構成を有する。
次に、ＴＦＴ基板１０１上は、平坦化膜１０２で被覆されている。ただし、接続配線１０１５の上は、コンタクトホール１０２ａが開けられている。コンタクトホール１０２ａは、ＴＦＴ基板１０１における開口部１０１６ａと連通している。
【００５６】
平坦化膜１０２の主面上には、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５が順に積層形成されている。これら、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５は、平坦化膜１０２におけるコンタクトホール１０２ａを臨む側面に沿っても形成されており、アノード１０３は、接続配線１０１５と接触し、電気的に接続されている。
【００５７】
ホール注入層１０５の上には、発光部（サブピクセル）に相当する箇所を囲繞するようにバンク１０６が形成されている。バンク１０６が囲繞することで形成される開口部には、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９が順に積層形成されている。
さらに、電子輸送層１０９の上、およびバンク１０６の露出面を覆うように、カソード１１０および封止層１１１が順に積層形成され、封止層１１１に対向するようにＣＦ（カラーフィルタ）基板１１３が配され、間に接着層１１２が充填されて互いに接合されている。ＣＦ基板１１３は、基板１１３１のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成され構成されている。
【００５８】
３．有機ＥＬ表示パネル１０の構成材料
有機ＥＬ表示パネル１０では、例えば、各部位を次のような材料を用い形成することができる。
（ｉ） 基板１０１１
基板１０１１は、例えば、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００５９】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６０】
（ｉｉ） ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ
ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂは、例えば、導電性を有する材料であれば特に限定されない。
具体的な材料として、たとえば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６１】
（ｉｉｉ） 絶縁層１０１３
絶縁層１０１３は、ゲート絶縁層として機能するものであって、例えば、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００６２】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１ 種または２ 種以上組み合わせて用いることができる。
【００６３】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
（ｉｖ） ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ
ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄは、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成するための上記材料を用い形成することができる。
【００６４】
（ｖ） 有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂ
有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、例えば、半導体特性を有し、溶媒に可溶であれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン） （ＰＴＶ ） もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン） （ＰＰＶ） などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン） （ＰＦＯ） などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１） および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン） （ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール） （ＢＴ） 、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン） （Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６５】
また、溶媒に可溶な無機材料も使用することが可能である。
（ｖｉ） パッシベーション膜１０１８
パッシベーション膜１０１８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂や、フッ素系樹脂などを用い形成することができる。
（ｖｉｉ） 平坦化膜１０２
平坦化膜１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
【００６６】
（ｖｉｉｉ） アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
（ｉｘ） 透明導電膜１０４
透明導電膜１０４は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。
【００６７】
（ｘ） ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。なお、図２に示す本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、金属酸化物からなるホール注入層１０５を構成することを想定しているが、この場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００６８】
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯＸ）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００６９】
（ｘｉ） バンク１０６
バンク１０６は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００７０】
なお、バンク１０６を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０６の表面と発光層１０８の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０６が規定する開口部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１０６の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００７１】
（ｘｉｉ） ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（ｘｉｉｉ） 有機発光層１０８
発光層１０８は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００７２】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７３】
（ｘｉｖ） 電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（ｘｖ） カソード１１０
カソード１１０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００７４】
カソード１１０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層の構造、あるいは、前記いずれかの層に銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【００７５】
（ｘｖｉ） 封止層１１１
封止層１１１は、発光層１０８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７６】
封止層１１１は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
４．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の構成について、図４を用い説明する。図４（ａ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＡ−Ａ’断面を示し、図４（ｂ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＢ−Ｂ’断面を示し、図４（ｃ）は、図３のＴＦＴ基板１０１のＣ−Ｃ’断面を示す。
【００７７】
上述のように、隔壁１０１６には、３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃがあけられている。なお、図４などでは、ＴＦＴ基板１０１における他のサブピクセルに相当する箇所での構成については図示していないが、同様の構成となっている。
図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、隔壁１０１６における開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部は、斜面で構成されているとともに、その一部を傾斜が相対的に急峻な斜面とし、他を傾斜が相対的に緩やかな斜面としている。具底的には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ａが隣接する側の側面部１０１６ｄと開口部１０１６ｃが隣接する側の側面部１０１６ｅの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｈの傾斜は、側面部１０１６ｈに対して開口部１０１６ｂを挟んで対向する側面部１０１６ｉの傾斜よりも急峻になっている。
【００７８】
同様に、図４（ａ）および図４（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂが隣接する側の側面部１０１６ｆと、側面部１０１６ｆに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｋの傾斜は、側面部１０１６ｋに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｊの傾斜よりも急峻になっている。
【００７９】
ここで、下地層である絶縁層１０１３の表面に対する側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの各傾斜角度を角度θｄ〜θｋとするとき、本実施の形態では、次の関係を満足する。
［数１］ θｄ＞θｉ
［数２］ θｅ＞θｉ
［数３］ θｈ＞θｉ
［数４］ θｆ＞θｊ
［数５］ θｇ＞θｊ
［数６］ θｋ＞θｊ
ここで、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｅ，θｆ，θｇ，θｈ，θｋが、傾斜が緩やかな側面部（緩傾斜側面部）１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角度θｉ，θｊに対して、５［ｄｅｇ．］以上大きくなっていることが好ましい。
【００８０】
また、傾斜が急峻な側面部（急傾斜側面部）１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋの傾斜角度θｄ，θｅ，θｆ，θｇ，θｈ，θｋが、例えば、３５［°］以上４０［°］以下の範囲内とすることが好ましく、傾斜が緩やかな緩傾斜側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角度θｉ，θｊが、例えば、２５［°］以上３０［°］以下の範囲内とすることが好ましい。
【００８１】
上記のように、隔壁１０６において、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部１０１６ｄ〜１０１６ｋの傾斜を上記のように設定するのは、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成の際に、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクが、開口部１０１６ａに溢れ出すことを抑制するとともに、開口部１０１６ｂの内部に塗布した有機半導体インクと、開口部１０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクとの混合を抑制するためである。換言すると、開口部１０１６ｂの内部と，１０１６ｃの内部に有機半導体インクを塗布した際に、傾斜を緩やかにした側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの側に有機半導体インクの高さが高い部分が偏るように、各有機半導体インクの表面フプロファイルを制御するものである。これについては、後述する。
【００８２】
５．有機ＥＬ表示装置１の製造方法
有機ＥＬ表示装置１の製造方法、特に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図２と図５（ａ）を用い説明する。
図２および図５（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０１のベースとなる基板１０１１を準備する（図５（ａ）のステップＳ１）。そして、当該基板１０１１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子を形成し、ＴＦＴ基板１０１を形成する（図５（ａ）のステップＳ２）。
【００８３】
次に、図２および図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁材料からなる平坦化膜１０２を形成する（図５（ａ）のステップＳ３）。図２に示すように、平坦化膜１０２では、ＴＦＴ基板１０１における接続配線１０１５の上方に相当する箇所にコンタクトホール１０２ａがあけられ、その他の部分のＺ軸方向上面を略平坦化されている。
次に、平坦化膜１０２上にアノード１０３を形成する（ステップＳ４）。ここで、図２に示すように、アノード１０３は、発光単位（サブピクセル）で区画され形成されており、コンタクトホール１０２ａの側壁に沿って一部がＴＦＴ基板１０１の接続配線１０１５に接続される。
【００８４】
なお、アノード１０３は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などにより金属膜を成膜した後、サブピクセル単位にエッチングすることで形成できる。
次に、アノード１０３の上面を覆うように透明導電膜１０４を形成する（図５（ａ）のステップＳ５）。図２に示すように、透明導電膜１０４は、アノード１０３の上面のみならず側端面も覆っており、また、コンタクトホール１０２ａ内においてもアノード１０３の上面を覆っている。なお、透明導電膜１０４は、上記同様に、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜した後、エッチングによりサブピクセル単位に区画することにより形成される。
【００８５】
次に、透明導電膜１０４上にホール注入層１０５を形成する（図５（ａ）のステップＳ６）。図２に示すように、ホール注入層１０５は、透明導電膜１０４上の全面を覆うように形成されているが、サブピクセル毎に区画した状態で形成することもできる。
金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からホール注入層１０５を形成する場合には、金属酸化膜の形成は、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタ装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比が５０［％］以上７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ２］以上２．８［Ｗ／ｃｍ２］以下となる成膜条件を採用することができる。
【００８６】
次に、各サブピクセルを規定するバンク１０６を形成する（図５（ａ）のステップＳ７）。図２に示すように、バンク１０６は、ホール注入層１０５の上に積層形成される。
バンク１０６の形成は、先ず、ホール注入層１０５の上に、バンク１０６の材料層を積層形成する。この材料層は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの感光性樹脂成分とフッ素成分を含む材料を用い、スピンコート法等により形成される。なお、本実施の形態においては、感光性樹脂材料の一例として、日本ゼオン製ネガ型感光性材料（品番：ＺＰＮ１１６８）を用いることができる。次に、材料層をパターニングして、各サブピクセルに対応する開口部を形成する。開口部の形成には、材料層の表面にマスクを配して露光を行い、その後で現像を行うことにより形成できる。
【００８７】
次に、ホール注入層１０５上におけるバンク１０６で規定された各凹部内に対し、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９を順に積層形成する（図５（ａ）のステップＳ８〜Ｓ１０）。
ホール輸送層１０７は、その構成材料である有機化合物からなる膜を印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。有機発光層１０８についても、同様に、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。
【００８８】
次に、電子輸送層１０９上にカソード１１０および封止層１１１を順に積層する（図５（ａ）のステップＳ１１，Ｓ１２）。図２に示すように、カソード１１０および封止層１１１は、バンク１０６の頂面も被覆するように形成されており、全面に形成されている。
次に、封止層１１１上に接着樹脂材を塗布し、予め準備しておいたＣＦ（カラーフィルタ）パネルを接合する（図５（ａ）のステップＳ１３）。図２に示すように、接着層１１２により接合されるＣＦパネル１１３は、基板１０３１のＺ軸方向下面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成されてなる。
【００８９】
以上のように、有機ＥＬ表示素子としての有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
なお、図示を省略しているが、有機ＥＬ表示パネル１０に対して駆動制御部２０を付設して有機ＥＬ表示装置１を形成した後（図１を参照）、エージング処理を施すことにより有機ＥＬ表示装置１が完成する。エージング処理は、例えば、処理前におけるホール注入性に対して、ホールの移動度が１／１０以下となるまで通電を行うことでなされ、具体的には、実際の使用時における輝度以上であって、且つ、その３倍以下の輝度となるように、予め規定された時間、通電処理を実行する。
【００９０】
次に、ＴＦＴ基板１０１の形成方法について、図５（ｂ）および図６を用い説明する。図６（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程における一工程での模式平面図であり、図６（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’断面を示す模式断面図であり、図６（ｃ）は、Ｅ−Ｅ’断面を示す模式断面図である。
図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、基板１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（図５（ｂ）のステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記アノード１０３の形成方法と同様の方法とすることができる。
【００９１】
次に、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（図５（ｂ）のステップＳ２２）。そして、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、さらには接続配線１０１５を形成する（図５（ｂ）のステップＳ２３）。
【００９２】
次に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の露出部１０１３ａ，１０１３ｂ上を覆うように、隔壁１０１６を形成するための感光性レジスト材料膜を堆積させ（図５（ｂ）のステップＳ２４）、堆積させた感光性レジスト材料膜に対し、マスク露光およびパターニングを施す（図５（ｂ）のステップＳ２５）。これにより、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すような形態の隔壁１０１６が形成できる（図５（ｂ）のステップＳ２６）。なお、隔壁１０１６の形成に係るより具体的な方法については、後述する。
【００９３】
次に、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各内部に対し、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布する（図５（ｂ）のステップＳ２７）。
次に、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを乾燥させることにより（図５（ｂ）のステップＳ２８）、図２に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対して、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを各々形成することができる（図５（ｂ）のステップＳ２９）。
【００９４】
最後に、図２に示すように、開口部１０１６ａなどのコンタクト領域など除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成して（図５（ｂ）のステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
６．有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの塗布時における表面プロファイル
図６（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ａは、Ｙ軸方向に対称な表面プロファイルとなるのではなく、一方の側（それぞれ矢印Ｆ３の側）に偏った表面プロファイルを有する。
【００９５】
一方、図６（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｃの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ｂについても、Ｙ軸方向に対称な表面プロファイルとなるのではなく、一方の側（それぞれ矢印Ｆ４の側）に偏った表面プロファイルを有する。
ここで、図６（ａ）に示すように、開口部１０１６ｂの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ａの表面プロファイルの偏り方向（矢印Ｆ１）と、開口部１０１６ｃの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０ｂの表面プロファイルの偏り方向（矢印Ｆ２）とは、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃの配列に係る仮想軸（Ｘ軸に平行な仮想軸）に対して、Ｙ軸方向の上下反対向きとなる。
【００９６】
このように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを制御することにより、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂは、開口部１０１６ａを含む不所望の箇所へ溢れ出すことがなく、また、互いに混合することが抑制される。
７．奏することができる効果
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、ＴＦＴ基板１０１において、隔壁１０１６の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む各側面部のうち、開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、開口部１０１６ａが隣接する側の側面部１０１６ｄと開口部１０１６ｃが隣接する側の側面部１０１６ｅの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｈの傾斜を、側面部１０１６ｈに対して開口部１０１６ｂを挟んで対向する側面部１０１６ｉの傾斜よりも急峻とし（図４（ａ）および図４（ｂ））、開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、開口部１０１６ｂが隣接する側の側面部１０１６ｆと、側面部１０１６ｆに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｇの各傾斜、および、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃが配列されたＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に存在する側面部１０１６ｋの傾斜を、側面部１０１６ｋに対して開口部１０１６ｃを挟んで対向する側面部１０１６ｊの傾斜よりも急峻にしている（図４（ａ）および図４（ｃ））。このため、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃのそれぞれの内部に対して有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂを塗布した際には、各有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂが傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの側へと偏った表面プロファイルを有することになる。
【００９７】
本実施の形態では、上記のように、有機半導体インク１０１７０ａ，１０１７０ｂの表面プロファイルを図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すような形態に制御することで、開口部１０１６ａへの有機半導体インク１０１７０ａの溢れ出しの抑制と、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合の抑制とを図ることができる。
よって、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、その製造時における有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成に際して、チャネル部ではない開口部１０１６ａへの有機半導体インク１０１７０ａの溢れ出しを抑制するとともに、有機半導体インク１０１７０ａと有機半導体インク１０１７０ｂとの混合を抑制することができ、高い品質を有する。そして、このような効果を有するＴＦＴ基板１０１を構成要素として備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、それを備える有機ＥＬ表示装置１も高い品質を有する。
【００９８】
８．ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法
ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法について、図７および図８を用い説明する。なお、図７（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図である。同様に、図８（ａ）、（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、図４（ｂ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図であり、（ｂ）、（ｄ）は、図４（ｃ）に示す断面に相当する部分の製造に係る一部工程を示す模式工程図ある。
【００９９】
先ず、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ、絶縁層１０１３、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５が形成された中間物を用意する。なお、図６および図７では、ドレイン電極１０１４ｃ．１０１４ｄの図示を省略している。
次に、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、例えば、スピンコート法などを用い、絶縁層１０１３および電極１０１４ａ〜１０１４ｄ，１０１５の上を覆うように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積する。
【０１００】
次に、図７（ｅ）、（ｆ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、隔壁１０１６を形成しようとする箇所に開口５０１ａ〜５０１ｄがあけられたマスク５０１を配する。この状態でマスク５０１の開口５０１ａ〜５０１ｄを通して、露光を実行する。
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、一回目の露光が実行された感光性レジスト材料膜１０１６１の上方に、傾斜が相対的に急峻な斜面を形成しようとする箇所に開口５０２ａ，５０２ｂがあけられたマスク５０２を配する。そして、この状態でマスク５０２の開口５０２ａ，５０２ｂを通して、２回目の露光を実行する。ここで、傾斜が相対的に急峻な斜面とは、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋである。
【０１０１】
次に、現像およびベークを施すことによって、図８（ｃ）、（ｄ）に示すように、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋと、傾斜が相対的に緩やかな斜面である側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを有する隔壁１０１６が形成できる。なお、図８（ｃ）、（ｄ）では、図示の都合上、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇの図示を省略している。
【０１０２】
以上のようにして、隔壁１０１６の形成が完了する。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法について、図９を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、その構造は上記実施の形態１と同様であり、また、ＴＦＴ基板１０１における隔壁１０１６の形成方法を除く、有機ＥＬ表示パネルの製造方法についても上記実施の形態１と同様である。
【０１０３】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、堆積した感光性レジスト材料膜１０１６０の上方に、ハーフトーンマスクであるマスク５０３を配する。マスク５０３には、光透過部５０３ａ〜５０３ｆが設けられている。このうち、光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆと光透過部５０３ｂ，５０３ｅとは、互いに光透過率が相違する。具体的には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋに対応する箇所の光透過部（図９（ａ）、（ｂ）では、光透過部５０３ｂ，５０３ｅだけを図示）の光透過率は、他の光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆの光透過率よりも高くなっている。
【０１０４】
以上のような構成を有するマスク５０３を配した状態で、露光・現像を実行した後、ベークすることにより、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような、隔壁１０１６を形成することができる。即ち、光の透過率が大きく設定された光透過部５０３ｂ，５０３ｅ，・・を通して露光された箇所では、他の光透過部５０３ａ，５０３ｃ，５０３ｄ，５０３ｆを通して露光された箇所よりも、上記［数１］〜［数６］で示す関係のように、傾斜が急峻な斜面となる（図４（ａ）〜図４（ｃ）の側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋ）。
【０１０５】
なお、この後の工程は、上記実施の形態１と同様である。
以上のような製造方法によっても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ、１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを傾斜が相対的に急峻な斜面とし、側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることができ、上記効果を得ることができる。
【０１０６】
［実施の形態３］
次に、図１０および図１１を用い、有機ＥＬ表示装置１の製造方法の別の実施形態について説明する。図１０および図１１は、図７（ｂ）、（ｃ）および図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す工程に対応する工程を示す。
図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積した後、その上方にマスク５０４を配する。マスク５０４には、隔壁１０６を形成しようとする各箇所に対応して、開口５０４ａ〜５０４ｄがあけられている。
【０１０７】
そして、マスク５０４の開口５０４ａ〜５０４ｄを通して一回目の露光および現像をすることにより、図１０（ｃ）、（ｄ）に示すように、開口５０４ａ〜５０４ｄの各々に対応する箇所に感光性レジスト材料膜１０１６２が残る。ここで、感光性レジスト材料膜１０１６２の各側面部１０１６２ｈ，１０１６２ｉ，１０１６２ｊ，１０１６２ｋ，・・は、全て同じ傾斜角となっており、図４（ｂ）、（ｃ）における側面部１０１６ｉ，１０１６ｊの傾斜角と同一となっている。
【０１０８】
なお、本実施の形態に係る製造方法では、この時点でのベークを行わない。
次に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性レジスト材料膜１０１６２上方に、マスク５０５を配する。マスク５０５には、傾斜が相対的に急峻な斜面である側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを形成しようとする箇所に対応して、開口５０５ａ，５０５ｂ，・・があけられている（図１１（ａ）、（ｂ）では、側面部１０１６１０１６ｈ，１０１６ｋに対応する箇所の開口のみ図示）。
【０１０９】
そして、マスク５０５にあけられた開口５０５ａ，５０５ｂ，・・を通して、二回目の露光および現像を行う。その後、ベークをすることにより、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すような隔壁１０１６が形成できる。
この後、上記実施の形態１，２などと同様の工程を実行することにより、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【０１１０】
このような製造方法を用いても、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部のうち、側面部１０１６ｄ，１０１６ｅ，１０１６ｆ，１０１６ｇ，１０１６ｈ，１０１６ｋを傾斜が相対的に急峻な斜面とし、側面部１０１６ｉ，１０１６ｊを傾斜が相対的に緩やかな斜面とすることができ、上記効果を得ることができる。
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ａ）を用い説明する。なお、図１２（ａ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１１１】
図１２（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２０１６により４つの開口部２０１６ａ，２０１６ｂ，２０１６ｃ，２０１６ｄが規定されている。この内、開口部２０１６ａ，２０１６ｄには、その底部に接続配線２０１５ａ，２０１５ｄがそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
なお、本発明の実施の形態においては、図１２（ａ）に示すように、開口部２０１６ａと開口部２０１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２０１６ｄについては、開口部２０１６ａ〜２０１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１１２】
また、開口部２０１６ｂの底部には、ソース電極２０１４ａおよびドレイン電極２０１４ｃが配されており、開口部２０１６ｃの底部には、ソース電極２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｄが配されている。
開口部２０１６ｂの内部におけるソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃ、および開口部２０１６ｃの内部におけるソース電極２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｄは、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、ソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃとは、長辺同士が対向し、ソース電極２０１４ｂとドレイン電極２０１４ｄとも、長辺同士が対向している。
【０１１３】
また、図１２（ａ）に示すように、隔壁２０１６における開口部２０１６ｂを臨む側面部２０１６ｅ，２０１６ｆ，２０１６ｇ，２０１６ｈのうち、開口部２０１６ａ側の側面部２０１６ｅとＹ軸方向上下の側面部２０１６ｇ，２０１６ｈが、残りの側面部２０１６ｊよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
同様に、隔壁２０１６における開口部２０１６ｃを臨む側面部２０１６ｉ，２０１６ｊ，２０１６ｋ，２０１６ｍのうち、開口部２０１６ｂ側の側面部２０１６ｉと開口部２０１６ｄ側の側面部２０１６ｊとが、Ｙ軸方向上下の側面部２０１６ｋ，２０１６ｍよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
【０１１４】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２０１６ｂ，２０１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２０１６ｂでは、矢印Ｆ５の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２０１６ｃでは、矢印Ｆ６，Ｆ７の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１１５】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ｂ）を用い説明する。なお、図１２（ｂ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
図１２（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２１１６により４つの開口部２１１６ａ，２１１６ｂ，２１１６ｃ，２１１６ｄが規定されている。この内、開口部２１１６ａ，２１１６ｄには、その底部に接続配線がそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
【０１１６】
なお、本発明の実施の形態においても、図１２（ｂ）に示すように、開口部２１１６ａと開口部２１１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２１１６ｄについては、開口部２１１６ａ〜２１１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１１７】
開口部２１１６ｂおよび開口部２１１６ｃの各底部には、ソース電極およびドレイン電極が配されている。開口部２１１６ｂおよび開口部２１１６ｃの各内部におけるソース電極およびドレイン電極は、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、各開口部２１１６ｂ，２１１６ｃの内部おいて、ソース電極とドレイン電極とは、長辺同士が対向している。
【０１１８】
また、図１２（ｂ）に示すように、隔壁２１１６における開口部２１１６ｂを臨む４つの側面部２１１６ｇ，２１１６ｈ，・・のうち、開口部２１１６ａ側の側面部と開口部２１１６ｃ側の側面部が、残りの側面部２１１６ｇ，２１１６ｈよりも、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。
同様に、隔壁２１１６における開口部２１１６ｃを臨む４つの側面部２１１６ｉ，・・のうち、開口部２１１６ｂ側の側面部２１１６ｉを除き、傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。言い換えれば、開口部２１１６ｃを臨む４つの側面部２１１６ｉ，・・のうち、開口部２１１６ｃが隣接する側の側面部２１１６ｉだけが、他の３つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１１９】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２１１６ｂ，２１１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２１１６ｂでは、矢印Ｆ８，Ｆ９の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２１１６ｃでは、矢印Ｆ１０の両方の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態６］
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１２（ｃ）を用い説明する。なお、図１２（ｃ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１２０】
図１２（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２２１６により４つの開口部２２１６ａ，２２１６ｂ，２２１６ｃ，２２１６ｄが規定されている。この内、開口部２２１６ａ，２２１６ｄには、その底部に接続配線がそれぞれ配されており、チャネル部として機能する部分ではない。
なお、本発明の実施の形態においても、図１２（ｃ）に示すように、開口部２２１６ａと開口部２２１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部２２１６ｄについては、開口部２２１６ａ〜２２１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１２１】
また、開口部２２１６ｂおよび開口部２２１６ｃの各底部には、ソース電極およびドレイン電極が配されている。開口部２２１６ｂおよび開口部２２１６ｃの各内部におけるソース電極およびドレイン電極は、ともにＸ軸方向に長い長方形状をしている。そして、各開口部２２１６ｂ，２２１６ｃの内部おいて、ソース電極とドレイン電極とは、長辺同士が対向している。
【０１２２】
また、図１２（ｃ）に示すように、隔壁２２１６における開口部２２１６ｂを臨む４つの側面部２２１６ｇ，２２１６ｈ，・・のうち、Ｙ軸方向上下の側面部２２１６ｇ，２２１６ｈが、他の２つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
同様に、隔壁２２１６における開口部２２１６ｃを臨む４つの側面部２２１６ｋ，２２１６ｍ，・・のうち、Ｙ軸方向上下の側面部２２１６ｋ，２２１６ｍが、他の２つの側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１２３】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、開口部２２１６ｂ，２２１６ｃの各内部に対して有機半導体インクを塗布した場合、開口部２２１６ｂでは、矢印Ｆ１１，Ｆ１２の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏り、開口部２２１６ｃでは、矢印Ｆ１３，Ｆ１４の向きに有機半導体インクの表面プロファイルが偏る。
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１２４】
［実施の形態７］
本発明の実施の形態７に係るＴＦＴ基板の構成について、図１３（ａ）を用い説明する。なお、図１３（ａ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
図１３（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３０１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄの開口形状が、各コーナー部分が曲率を以って構成されている。このため、開口部３０１６ａ〜３０１６ｄを臨む側面部は、明確に複数の側面部に分けることはできない。
【０１２５】
開口部３０１６ａ，３０１６ｄの各底部には、上記実施の形態１と同様に、接続配線３０１５ａ，３０１５ｄが配設されており、チャネル部としては機能しない部分である。開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各底部には、ソース電極３０１４ａ，３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの内部は、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１２６】
なお、本発明の実施の形態においても、図１３（ａ）に示すように、開口部３０１６ａと開口部３０１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部３０１６ｄについては、開口部３０１６ａ〜３０１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１２７】
図１３（ａ）に示すように、隔壁３０１６における開口部３０１６ｂを臨む側面部のうち、領域３０１６ｈが、他の領域に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
同様に、隔壁３０１６における開口部３０１６ｃを臨む側面部のうち、領域３０１６ｋが、他の領域に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３０１６ｂ，３０１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側に偏った表面プロファイルを有し、開口部３０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側に偏った表面プロファイルを有する。
【０１２８】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態８］
本発明の実施の形態８に係るＴＦＴ基板の構成について、図１３（ｂ）を用い説明する。なお、図１３（ｂ）は、上記実施の形態１における図３に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１２９】
図１３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３１１６では、４つの開口部３１１６ａ〜３１１６ｄがあけられている。なお、ＴＦＴ基板全体では、更に多数の開口部があけられているが、図示を省略している。本実施の形態に係るＴＦＴ基板の隔壁３１１６は、上記実施の形態１と比べて、開口部３１１６ａ〜３１１６ｄの形状が相違する。具体的には、上記実施の形態１では、開口部１０１６ａ〜１０１６ｃの開口形状が長方形であったのに対し、本実施の形態では、開口部３１１６ａ〜３１１６ｄの各開口形状は、八角形となっている。
【０１３０】
開口部３１１６ａ，３１１６ｄの各底部には、上記実施の形態１と同様に、接続配線３１１５ａ，３１１５ｄが配設されており、チャネル部としては機能しない部分である。開口部３１１６ｂ，３１１６ｃの各底部には、それぞれソース電極３１１４ａ，３１１４ｂおよびドレイン電極３１１４ｃ，３１１４ｄが配設されている。そして、上記同様に、開口部３１１６ｂ，３１１６ｃは、有機半導体層の形成を以ってチャネル部として機能する部分である。
【０１３１】
なお、本発明の実施の形態においても、図１３（ｂ）に示すように、開口部３１１６ａと開口部３１１６ｄとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部３１１６ｄについては、開口部３１１６ａ〜３１１６ｃが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１３２】
図１３（ｂ）に示すように、隔壁３１１６における開口部３１１６ｂを臨む８つの側面部３１１６ｈ，・・のうち、側面部３１１６ｈが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
同様に、隔壁３１１６における開口部３１１６ｃを臨む８つの側面部３１１６ｋ，・・のうち、側面部３１１６ｋが、他の側面部に比べて傾斜が相対的に緩やかな斜面になっている。
【０１３３】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部３１１６ｂ，３１１６ｃの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部３１１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側に偏った表面プロファイルを有し、開口部３１１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側に偏った表面プロファイルを有する。
【０１３４】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
なお、開口部の開口形状については、四角形や八角形に限定されるものではなく、種々の形状を採用することができる。また、隣接する開口部同士の間において、互いの開口形状や開口サイズを同一とする必要は必ずしもなく、互いに異なった開口形状とすることや、互いに異なった開口サイズとすることなどもできる。
【０１３５】
［実施の形態９］
本発明の実施の形態９に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ａ）を用い説明する。なお、図１４（ａ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
図１４（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁４０１６で規定される開口部４０１６ｂの底部に、ソース電極４０１４ａおよびドレイン電極４０１４ｃが配されている。ソース電極４０１４ａとドレイン電極４０１４ｃとは、それぞれＴ字状の平面形状を有し、Ｘ軸方向に延伸する部分同士が対向している。
【０１３６】
図１４（ａ）に示すように、隔壁４０１６における開口部４０１６ｂを臨む４つの側面部４０１６ｈ，・・のうち、側面部４０１６ｈが、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ａ）では、一つの開口部４０１６ｂだけを抜き出して表しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１３７】
以上のような開口部４０１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１０］
本発明の実施の形態１０に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ｂ）を用い説明する。なお、図１４（ｂ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１３８】
図１４（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁４１１６で規定される開口部４１１６ｂの底部に、ソース電極４１１４ａおよびドレイン電極４１１４ｃが配されている。ソース電極４１１４ａおよびドレイン電極４１１４ｃは、ともに櫛歯状の平面形状を有し、各櫛歯部分同士が対向している。
図１４（ｂ）に示すように、隔壁４１１６における開口部４１１６ｂを臨む４つの側面部４１１６ｈ，・・のうち、側面部４１１６ｈが、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ｂ）でも、一つの開口部４１１６ｂだけを抜き出して示しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１３９】
以上のような開口部４１１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１１］
本発明の実施の形態１１に係るＴＦＴ基板の構成について、図１４（ｃ）を用い説明する。なお、図１４（ｃ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１４０】
図１４（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁４２１６で規定される開口部４２１６ｂの開口形状および底部形状が、ともに円形をしている。そして、開口部４２１６ｂの底部に配されたソース電極４２１４ａおよびドレイン電極４２１４ｃの外辺形状が円形または円弧状となっている。
図１４（ｃ）に示すように、隔壁４２１６における開口部４２１６ｂを臨む側面部のうち、領域４２１６ｈが、他の領域に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。なお、図１４（ｃ）でも、一つの開口部４２１６ｂだけを抜き出して表しているが、上記実施の形態１等と同様の開口部配置およびその斜面設定を行うことができる。
【０１４１】
以上のような開口部４２１６ｂの構成を適宜組み合わせることによって、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
また、本実施の形態では、ソース電極４２１４ａおよびドレイン電極４２１４ｃの平面形状を、円形または円弧状としているので、“回り込み電流”の低減を図ることもできる。
【０１４２】
［実施の形態１２］
実施の形態１２に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ａ）を用い説明する。なお、図１５（ａ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
図１５（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５０１６により規定された５つの開口部５０１６ａ〜５０１６ｅがあけられている。開口部５０１６ａ，５０１６ｅの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５０１６ａ，５０１６ｅは、チャネル部として機能しない部分である。
【０１４３】
本実施の形態においては、開口部５０１６ａと開口部５０１６ｅとの間に、互いに間隔をあけた３つの開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１４４】
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ａ）に示すように、開口部５０１６ａと開口部５０１６ｅとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５０１６ｅについては、開口部５０１６ａ〜５０１６ｄが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１４５】
隔壁５０１６における開口部５０１６ｂを臨む４つの側面部５０１６ｆ，・・のうち、側面部５０１６ｆは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５０１６における開口部５０１６ｃを臨む４つの側面部５０１６ｇ，・・のうち、側面部５０１６ｇは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５０１６における開口部５０１６ｄを臨む４つの側面部５０１６ｈ，・・のうち、側面部５０１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１４６】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５０１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１５）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５０１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ１６）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５０１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１７）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１４７】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１３］
実施の形態１３に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ｂ）を用い説明する。なお、図１５（ｂ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１４８】
図１５（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５１１６により規定された６つの開口部５１１６ａ〜５１１６ｆが設けられている。開口部５１１６ａ，５１１６ｆの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５１１６ａ，５１１６ｆは、チャネル部として機能しない部分である。
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ｂ）に示すように、開口部５１１６ａと開口部５１１６ｆとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５１１６ｆについては、開口部５１１６ａ〜５１１６ｅが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１４９】
本実施の形態においては、開口部５１１６ａと開口部５１１６ｆとの間に、互いに間隔をあけ、マトリクス状に配置された４つの開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１５０】
隔壁５１１６における開口部５１１６ｂを臨む４つの側面部５１１６ｇ，・・のうち、側面部５１１６ｇは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５１１６における開口部５１１６ｃを臨む４つの側面部５１１６ｈ，・・のうち、側面部５１１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５１１６における開口部５１１６ｄを臨む４つの側面部５１１６ｉ，・・のうち、側面部５１１６ｉは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５１１６における開口部５１１６ｅを臨む４つの側面部５１１６ｊ，・・のうち、側面部５１１６ｊは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１５１】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５１１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１８）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２０）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ１９）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５１１６ｅの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２１）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１５２】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［実施の形態１４］
実施の形態１４に係るＴＦＴ基板の構成について、図１５（ｃ）を用い説明する。なお、図１５（ｃ）は、上記実施の形態１におけるＴＦＴ基板１０１の一部に相当する図である。
【０１５３】
図１５（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁５２１６により規定された７つの開口部５２１６ａ〜５２１６ｇが設けられている。開口部５２１６ａ，５２１６ｇの各底部には、接続配線が設けられており、これら開口部５２１６ａ，５２１６ｇは、チャネル部として機能しない部分である。
本実施の形態においては、開口部５２１６ａと開口部５２１６ｇとの間に、互いに間隔をあけた状態で５つの開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆが設けられており、それぞれの底部に、ソース電極およびドレイン電極が配設されている。これら開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１４ｅ，５２１４ｆは、図示を省略している有機半導体層がそれぞれ形成されることにより、チャネル部として機能する部分である。
【０１５４】
なお、本発明の実施の形態においても、図１５（ｃ）に示すように、開口部５２１６ａと開口部５２１６ｇとが、ともにチャネル部として機能する部分ではないが、一方の開口部、例えば、開口部５２１６ｇについては、開口部５２１６ａ〜５２１６ｆが対応するサブピクセルとは異なる、隣接するサブピクセルに対応するＴＦＴ装置に属するものである。
【０１５５】
隔壁５２１６における開口部５２１６ｂを臨む４つの側面部５２１６ｈ，・・のうち、側面部５２１６ｈは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。同様に、隔壁５２１６における開口部５２１６ｃを臨む４つの側面部５２１６ｉ，・・のうち、側面部５２１６ｉは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５２１６ｄを臨む４つの側面部５２１６ｊ，５２１６ｋ，・・のうち、側面部５２１６ｊ，５２１６ｋは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５２１６ｅを臨む４つの側面部５２１６ｍ，・・のうち、側面部５２１６ｍは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっており、隔壁５２１６における開口部５１１６ｆを臨む４つの側面部５２１６ｎ，・・のうち、側面部５２１６ｎは、他の側面部に対して傾斜が相対的に緩やかな斜面となっている。
【０１５６】
以上のような構成を採用することにより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造では、開口部５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆの各内部への有機半導体インクの塗布に際して、開口部５２１６ｂの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ２２）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｃの内部に塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２５）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｄの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上下（矢印Ｆ２３，Ｆ２６）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｅの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向上側（矢印Ｆ２４）に偏った表面プロファイルを有し、開口部５２１６ｆの内部へ塗布した有機半導体インクは、Ｙ軸方向下側（矢印Ｆ２７）に偏った表面プロファイルを有する。
【０１５７】
従って、本実施の形態の構成においても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
［その他の事項］
上記実施の形態１，４〜１４では、有機ＥＬ表示パネル１０に用いるＴＦＴ基板を一例としたが、適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネルや電界放出表示パネルなどに適用することもできる。さらに、電子ペーパなどにも適用することができる。
【０１５８】
また、上記実施の形態１，４〜１４の各構成材料は、一例として示したものであって、適宜変更が可能である。
また、図２に示すように、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、トップエミッション型の構成を一例としたが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各使用材料およびレイアウト設計について、適宜の変更が可能である。
【０１５９】
また、上記においては、ＴＦＴ基板１０１などにおける開口部を臨む側面部の傾斜角度の定義についての説明をしなかったが、図１６（ａ）に示すように下地層の主面に対する側面部がなす角度θとすることができる。なお、図１６（ｂ）に示すように、側面部の開口部底に近い部分に“ダレ”が生じている場合には（二点鎖線で囲んだ部分）、“ダレ”を除外して考えた場合の傾斜角度とすることができる。
【０１６０】
また、上記では、隔壁が規定する開口部の開口形状について、４つの形状を一例として示したが、これ以外にも、種々の開口形状のものを採用することができる。例えば、図１７（ａ）に示すように、正方形の開口形状のものや、図１７（ｂ）に示すように、一辺が円弧状で、残りの３辺が直線であるような形状や、図１７（ｃ）に示すように、円形あるいは長円形などとすることもできる。
【０１６１】
また、本発明は、隣接する開口部間での有機半導体インクの混合を抑制するためだけでなく、例えば、隣接する開口部に対して塗布した有機半導体インクを溢れ出させたくないような場合にも、上記構成を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどのパネルを備える表示装置に用いられ、高精細化によっても高品質なＴＦＴ装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１６３】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機ＥＬ表示パネル
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１０１．ＴＦＴ基板
１０２．平坦化膜
１０２ａ．コンタクトホール
１０３．アノード
１０４．透明導電膜
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１．封止層
１１２．接着層
１１３．ＣＦ基板
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５．マスク
１０１１，１１３１．基板
１０１２ａ，１０１２ｂ．ゲート電極
１０１３．絶縁層
１０１４ａ，１０１４ｂ，２０１４ａ，２０１４ｂ，３０１４ａ，３０１４ｂ，３１１４ａ，３１１４ｂ，４０１４ａ，４１１４ａ，４２１４ａ．ソース電極
１０１４ｃ，１０１４ｄ，２０１４ｃ，２０１４ｄ，３０１４ｃ，３０１４ｄ，３１１４ｃ，３１１４ｄ，４０１４ｃ，４１１４ｃ，４２１４ｃ．ドレイン電極
１０１５，２０１５ａ，２０１５ｄ，３０１５ａ，３０１５ｄ，３１１５ａ，３１１５ｄ．接続配線
１０１６，２０１６，２１１６，２２１６，３０１６，３１１６，４０１６，４１１６，４２１６，５０１６，５１１６，５２１６．隔壁
１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ，２０１６ａ，２０１６ｂ，２０１６ｃ，２０１６ｄ，２１１６ａ，２１１６ｂ，２１１６ｃ，２１１６ｄ，２２１６ａ，２２１６ｂ，２２１６ｃ，２２１６ｄ，３０１６ａ，３０１６ｂ，３０１６ｃ，３０１６ｄ，３１１６ａ，３１１６ｂ，３１１６ｃ，３１１６ｄ，４０１６ｂ，４１１６ｂ，４２１６ｂ，５０１６ａ，５０１６ｂ，５０１６ｃ，５０１６ｄ，５０１６ｅ，５１１６ａ，５１１６ｂ，５１１６ｃ，５１１６ｄ，５１１６ｅ，５１１６ｆ，５２１６ａ，５２１６ｂ，５２１６ｃ，５２１６ｄ，５２１６ｅ，５２１６ｆ，５２１６ｇ．開口部
１０１７ａ，１０１７ｂ．有機半導体層
１０１８．パッシベーション膜
１１３２．カラーフィルタ
１１３３．ブラックマトリクス
１０１６０，１０１６１，１０１６２．感光性レジスト材料膜
１０１７０ａ，１０１７０ｂ．有機半導体インク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、
各薄膜トランジスタ素子が、
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の間隙、および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、
を備え、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、
前記隔壁は、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有しており、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、
前記隔壁には、前記第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、前記第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、
前記第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではなく、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち前記第３開口部が隣接する側の部分と、前記第１開口部をまたは前記第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部および前記第２開口部を臨む側面部の他方についても、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記第３開口部および前記第１開口部および前記第２開口部は、平面視において、この順に直列配置されており、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記３つの開口部の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記３つの開口部の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分と、前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分とは、前記３つの開口部の配列に係る仮想軸を挟んで、互いに反対側に存在する
ことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部または前記第２開口部を臨む側面部の他方については、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
前記傾斜の緩急は、前記隔壁の側面部と、前記隔壁が設けられる下地層の上面とがなす角度の大小を以って規定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項８】
前記傾斜が相対的に急峻な斜面は、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面よりも、その傾斜角度が５度以上大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項９】
前記第３開口部の底部には、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方、または、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方に対して、電気的に接続する配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置と、
前記薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上、および前記平坦化膜の前記コンタクトホールを臨む側面上に形成され、前記ドレイン電極または前記ソース電極と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に介挿された有機発光層と、
を備え、
前記コンタクトホールは、前記第３開口部と連通している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示素子を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する第１工程と、
前記第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する第２工程と、
前記絶縁層上において、前記第１のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、前記第２のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する第３工程と、
前記絶縁層上において、前記第１および第２のソース電極上と前記第１および第２のドレイン電極上とその周辺領域を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する第４工程と、
前記積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する第５工程と、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する第６工程と、
を備え、
前記第５工程では、
前記第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、前記第２開口部とは異なる側に、第３開口部も設けるとともに、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第３開口部が隣接する側の部分と、前記第１開口部または前記第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、前記傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部または前記第２開口部の他方を臨む側面部ついても、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部を形成しようとする部分に対して、前記感光性レジスト材料を露光した後に、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分への光透過率が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分への光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１】
互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、
各薄膜トランジスタ素子が、
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の間隙、および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して密に接する有機半導体層と、
を備え、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記有機半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、
前記隔壁は、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有しており、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、
前記隔壁には、前記第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、前記第２開口部が隣接する側とは異なる側に、第３開口部が設けられており、
前記第３開口部は、その内部に有機半導体層が形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではなく、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部の臨む各側面部が、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成され、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち前記第３開口部が隣接する側の部分と、前記第１開口部をまたは前記第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部および前記第２開口部を臨む側面部の他方についても、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記第３開口部および前記第１開口部および前記第２開口部は、平面視において、この順に直列配置されており、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記３つの開口部の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記３つの開口部の配列方向に対して交差する方向に存在する部分の少なくとも一部が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分と、前記隔壁における前記第２開口部を臨む側面部のうち、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である部分とは、前記３つの開口部の配列に係る仮想軸を挟んで、互いに反対側に存在する
ことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部または前記第２開口部を臨む側面部の他方については、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
前記傾斜の緩急は、前記隔壁の側面部と、前記隔壁が設けられる下地層の上面とがなす角度の大小を以って規定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項８】
前記傾斜が相対的に急峻な斜面は、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面よりも、その傾斜角度が５度以上大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項９】
前記第３開口部の底部には、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方、または、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方に対して、電気的に接続する配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置と、
前記薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上、および前記平坦化膜の前記コンタクトホールを臨む側面上に形成され、前記ドレイン電極または前記ソース電極と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に介挿された有機発光層と、
を備え、
前記コンタクトホールは、前記第３開口部と連通している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機ＥＬ表示素子を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する第１工程と、
前記第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する第２工程と、
前記絶縁層上において、前記第１のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、前記第２のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する第３工程と、
前記絶縁層上において、前記第１および第２のソース電極上と前記第１および第２のドレイン電極上とその周辺領域を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する第４工程と、
前記積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する第５工程と、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、有機半導体材料を塗布して乾燥させ、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極に対して密に接する第１の有機半導体層と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極に対して密に接する第２の有機半導体層とを形成する第６工程と、
を備え、
前記第５工程では、
前記第１開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、前記第２開口部とは異なる側に、第３開口部も設けるとともに、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部を、傾斜が急峻な斜面と、傾斜が緩やかな斜面とで構成し、
前記隔壁における前記第１開口部を臨む側面部のうち、前記第３開口部が隣接する側の部分と、前記第１開口部または前記第２開口部の一方を臨む側面部のうち、他方の開口部が隣接する側の部分とが、前記傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部または前記第２開口部の他方を臨む側面部ついても、前記一方の開口部が隣接する側の部分が、前記傾斜が相対的に急峻な斜面となるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対する露光量を、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分に対する露光量よりも大きくする
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部を形成しようとする部分に対して、前記感光性レジスト材料を露光した後に、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分に対して、露光処理を追加して行う
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第５工程では、
前記隔壁における前記第１開口部および前記第２開口部を臨む各側面部のうち、前記傾斜が相対的に急峻な斜面にしようとする部分への光透過率が、前記傾斜が相対的に緩やかな斜面にしようとする部分への光透過率よりも大きいマスクを用い、露光を行う
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−１０５８９５（Ｐ２０１３−１０５８９５Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４８８０９（Ｐ２０１１−２４８８０９）
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１４日（２０１１．１１．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]