薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来における薄膜磁気ヘッドの構造の部分縦断面図である。
【０００３】図１３に示す符号１は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）からなるスライダであり、このスライダ１上にＡｌ2Ｏ3膜１０を介して薄膜磁気ヘッド１１が形成される。
【０００４】図１３に示すように前記Ａｌ2Ｏ3膜１０上には磁性材料製の下部シールド層３が形成される。前記下部シールド層３上にはＡｌ2Ｏ3などで形成された下部ギャップ層４が形成され、前記下部ギャップ層４上には、前記薄膜磁気ヘッド１１の記録媒体Ｄ側の前端面からハイト方向後方（図示Ｙ方向）にかけて所定長さの磁気抵抗効果素子５が形成される。前記磁気抵抗効果素子５は例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したスピンバルブ型薄膜素子である。
【０００５】図１３に示すように前記磁気抵抗効果素子５上から前記下部ギャップ層４上にかけてＡｌ2Ｏ3などで形成された上部ギャップ層６が形成され、前記上部ギャップ層６上には磁性材料製の上部シールド層７が形成される。
【０００６】前記下部シールド層３から前記上部シールド層７までの各層で再生用のＭＲヘッドが構成される。
【０００７】前記上部シールド層７上は例えばＡｌ2Ｏ3などで形成された保護層８が形成されるが、前記上部シールド層７上に記録用のインダクティブヘッドが設けられていてもよい。
【０００８】図１３に示すように前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で形成された保護層９が形成される。
【０００９】今後のさらなる高記録密度化に適切に対応するには、前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面から前記記録媒体Ｄまでの浮上距離Ｈ１を短くしスペーシングロスの低減を図らなければならない。そのためにはできる限り前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面に形成された保護層９の膜厚Ｔ１を薄くする必要性があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記保護層９の膜厚Ｔ１を薄くしていくと、前記保護層９にはピンホール等の欠陥が発生しやすくなる。
【００１１】前記保護層９にピンホール等の欠陥が生じると、例えば前記磁気ヘッド１１を製造する過程で使用される溶剤や空気中の水分が前記保護層９内に浸透して、前記溶剤や水分が下部シールド層３及び上部シールド層７の前端面にまで到達しやすくなる。このとき下部シールド層３と上部シールド層７間には電位差が生じているため、前記下部シールド層３と上部シールド層７間の電位差による電池効果により、下部シールド層３及び上部シールド層７が腐食してしまうといった問題が発生した。
【００１２】このように前記下部シールド層３及び上部シールド層７が腐食すると、前記下部シールド層３及び上部シールド層７のシールド機能は低下し、再生時にノイズを適切に遮断できず、再生特性の低下を招いてしまう。
【００１３】そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に下部シールド層と上部シールド層間を導電層で電気的に繋いで、前記下部シールド層と上部シールド層とを同電位にし、前記下部シールド層と上部シールド層の耐腐食性を適切に向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】また本発明は、前記導電層の形成位置を適切に規定して、耐腐食性の向上とともにさらなる再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子に導通接続される主電極層と同じ工程時に前記導電層を形成できるようにし、少ない工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド層と、前記下部シールド層上に形成された下部ギャップ層と、前記下部ギャップ層上であって、記録媒体側の前端面からハイト方向に所定の長さで形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上から前記下部ギャップ層上にかけて形成された上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層と上部シールド層間は、前記上部ギャップ層及び下部ギャップ層を貫通する導電層によって導通接続されていることを特徴とするものである。
【００１７】本発明のように前記上部シールド層と下部シールド層を導電層で導通接続させると前記上部シールド層と下部シールド層は同電位になるから、薄膜磁気ヘッドの前端面（記録媒体と対向する側の面）に形成される保護層がスペーシングロス低減のために薄くされても、従来に比べて溶剤や空気中の水分の浸透などによって引き起こされる電池効果は低減され、前記上部シールド層と下部シールド層との耐腐食性を向上させることができる。
【００１８】したがって本発明では、前記上部シールド層及び下部シールド層のシールド機能を適切に保つことができ、高記録密度化においても再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００１９】また本発明では、前記主電極層が前記磁気抵抗効果素子と導通接続されて形成され、前記導電層は前記主電極層と同一材料で形成されることが好ましい。これにより少ない製造工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することができる。
【００２０】また本発明では、前記主電極層は前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に延びて形成され、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間に形成されていることが好ましく、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間の真ん中に形成されていることがより好ましい。このように導電層をトラック幅方向の真ん中に形成することで、シールド層に対する外部磁界の影響を少なくでき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【００２１】また本発明では、前記主電極層上は前記上部ギャップ層上に形成され、前記主電極層上は絶縁材料層に覆われ、前記上部シールド層は、前記絶縁材料層、上部ギャップ層及び導電層上に形成されることが好ましい。これにより前記主電極層と上部シールド層間は適切に絶縁が保たれ、前記主電極層からのセンス電流が前記上部シールド層に分流するなどの不具合を無くすことができ、再生特性の向上を図ることが可能である。
【００２２】また本発明では、前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。
【００２３】また本発明では、前記記録媒体側の前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。かかる場合、前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（TetrahedralAmorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００２４】これにより適切にスペーシングロスを低減でき、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。しかも本発明では上記のように保護層が薄く形成され、製造工程中の溶剤や水分等が前記保護層内に浸透し、前記溶剤や水分等が前記シールド層の前端面にまで到達しやくなっても、前記シールド層は同電位にされているから適切に前記シールド層の腐食を抑制でき、前記シールド層のシールド機能を良好に維持することが可能である。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成し、前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成する工程と、（ｂ）前記磁気抵抗効果素子上から下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｃ）前記下部ギャップ層及び上部ギャップ層に前記下部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、この穴部内に導電層を形成する工程と、（ｄ）前記上部ギャップ層上及び前記導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【００２６】上記した本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、前記下部シールド層と上部シールド層間に導電層を容易に且つ適切に形成でき、前記シールド層の耐腐食性を効果的に向上させることが可能な薄膜磁気へッドを製造することが可能である。
【００２７】また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。（ｅ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成する工程と、（ｆ）前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側に電極層を形成する工程と、（ｇ）前記（ｅ）工程と（ｆ）工程間に、あるいは前記（ｆ）工程の電極層を形成した後に前記下部ギャップ層上に穴部を形成する工程と、（ｈ）前記磁気抵抗効果素子上、電極層上及び下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｉ）前記（ｇ）工程で下部ギャップ層に穴部が形成された位置と同位置に、第１の穴部を前記上部ギャップ層に形成し、また前記電極層上に形成された上部ギャップ層に、前記電極層にまで貫通する第２の穴部を形成する工程と、（ｊ）前記第２の穴部から上部ギャップ層上にかけて主電極層を形成し、前記第１の穴部内に導電層を形成する工程と、（ｋ）前記主電極層上を絶縁材料で覆い、前記絶縁材料層上、上部ギャップ層上及び導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【００２８】この発明においても、前記下部シールド層と上部シールド層間に導電層を容易に且つ適切に形成でき、前記シールド層の耐腐食性を効果的に向上させることが可能な薄膜磁気へッドを製造することが可能である。
【００２９】また本発明では前記（ｉ）工程で、上部ギャップ層に第１の穴部と第２の穴部を同時に形成することが好ましい。本発明では、前記（ｇ）工程で予め下部ギャップ層に導電層を形成するための穴部を設けておくことで、前記（ｉ）工程で、ほぼ同じ掘り込み量で第１の穴部と第２の穴部を形成でき、これにより特に前記第２の穴部の形成時、掘り込みすぎて前記電極層に損傷を与えるといったことを低減させることが可能である。
【００３０】また本発明では、前記（ｊ）工程で、前記主電極層を形成すると同時に、前記主電極層と同じ材質で前記導電層を形成することが好ましい。これにより少ない製造工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することができる。
【００３１】また本発明では、前記（ｊ）工程で、トラック幅方向における前記主電極層間に前記導電層が位置するように、前記主電極層及び導電層を形成することが好ましい。また前記トラック幅方向における前記主電極層間の真ん中に前記導電層が位置するように前記主電極層及び導電層を形成することがより好ましい。
【００３２】また本発明では、前記（ｄ）工程及び前記（ｋ）工程後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体側の前端面に保護層を形成し、前記保護層の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とすることが好ましい。このとき前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分平面図、図２は図１に示す２−２線から前記薄膜磁気ヘッドを切断し矢印方向から見た際の、前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。なお図１に示す部分平面図には、図２に示す上部シールド層３２、下部ギャップ層２４、上部ギャップ層２８及び前記上部シールド層３２より上の層は図示されていない。
【００３４】また以下では、図１及び図２に示す図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。図示Ｚ方向は記録媒体Ｄの移動方向である。
【００３５】図２に示す符号２０は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などで形成されたスライダである。本発明における薄膜磁気ヘッド２１は、前記スライダ２０上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁層２２を介して形成される。
【００３６】図２に示すように前記絶縁層２２の上にはパーマロイ（ＮｉＦｅ系合金）やセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）などの磁性材料で形成された下部シールド層２３が形成されている。
【００３７】前記下部シールド層２３上にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された下部ギャップ層２４が形成されている。前記下部ギャップ層２４にはハイト方向後方（図示Ｙ方向）に穴部２４ａが形成されている。
【００３８】図２に示すように前記下部ギャップ層２４上には磁気抵抗効果素子２５が形成される。図１及び図２R>２に示すように前記磁気抵抗効果素子２５は薄膜磁気ヘッド２１の前端面からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。
【００３９】前記磁気抵抗効果素子２５は、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したスピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵抗効果素子、トンネル効果（ＴＭＲ効果）を利用したトンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気効果（ＡＭＲ効果）を利用した異方性磁気抵抗効果素子である。
【００４０】図１に示すように前記磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には例えば、硬磁性材料製のハードバイアス層２６が設けられている。前記ハードバイアス層２６は、前記磁気抵抗効果素子２５が例えばスピンバルブ型薄膜素子である場合、前記スピンバルブ型薄膜素子を構成するＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成されたフリー磁性層の磁化をトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ揃えるためのものである。なお前記ハードバイアス層２６は設けられていなくてもよい。
【００４１】図１及び図２に示す実施形態では、前記ハードバイアス層２６上に重ねて電極層２７（サブ電極層）が形成されている。
【００４２】図２に示すように前記磁気抵抗効果素子２５、電極層２７及び下部ギャップ層２４上には、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された上部ギャップ層２８が形成されている。
【００４３】図２に示すように前記上部ギャップ層２８には、前記電極層２７上に第２の穴部２８ａが形成されている。前記第２の穴部２８ａは前記電極層２７の表面にまで貫通しており、この第２の穴部２８ａ内から前記上部ギャップ層２８表面にかけて主電極層２９が形成されている。前記主電極層２９と電極層２７は前記第２の穴部２８ａを介して導通接続されている。
【００４４】図１に示すように主電極層２９は、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成された電極層２７上に第２の穴部２８ａを介してハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びて形成されている。図１では前記主電極層２９の平面は略直方形状であるが、図１の主電極層２９の形状は簡略化して図示されたものであり、前記主電極層２９は図１の形状に限るものではない。
【００４５】図１及び図２に示すように、前記主電極層２９は、前記主電極層２９の上面からその周囲にかけてレジストなどの有機絶縁材料や無機絶縁材料で形成された絶縁材料層３０によって覆われている。
【００４６】図２に示すように前記上部ギャップ層２８には前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａと同位置に第１の穴部２８ｂが形成され、前記第１の穴部２８ｂ及び穴部２４ａからは前記下部シールド層２３の表面が露出している。
【００４７】前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａと前記上部ギャップ層２８に形成された第１の穴部２８ｂ内には導電層３１が形成され、この導電層３１の下面は前記下部シールド層２３と導通接続された状態になっている。
【００４８】図２に示すように前記上部ギャップ層２８上、絶縁材料層３０上及び導電層３１上には、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などで形成された上部シールド層３２が形成されている。
【００４９】図２に示す下部シールド層２３から前記上部シールド層３２までの各層で再生用のＭＲヘッドｈ１が構成される。
【００５０】図２に示す実施形態の薄膜磁気ヘッド２１は前記ＭＲヘッドｈ１上に記録用のインダクティブヘッドｈ２が積層形成された複合型の薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００５１】図２に示す実施形態では、前記上部シールド層３２はインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能している。
【００５２】前記インダクティブヘッドｈ２の下部コア層３２上には、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に、例えば有機材料で形成されたＧｄ決め層３３が形成されている。前記Ｇｄ決め層３３よりもさらにハイト方向後方（図示Ｙ方向）には、磁性材料製のバックギャップ層３４が形成されている。前記バックギャップ層３４は前記下部コア層３２と磁気的に接続されている。
【００５３】図２に示すように前記Ｇｄ決め層３３上から薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）にかけて、下から下部磁極層３５、磁気ギャップ層３６及び上部磁極層３７からなる磁極層３８が形成されている。前記下部磁極層３５や上部磁極層３７はＮｉＦｅ系合金、ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などの磁性材料で形成される。一方、前記磁気ギャップ層３６はＮｉＰなどのメッキ形成可能な非磁性導電材料で形成される。
【００５４】図２に示すように前記磁極層３８とバックギャップ層３４間であって前記下部コア層３２上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁下地層３９を介して、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成された第１コイル層４０が巻回形成されている。
【００５５】前記第１コイル層４０の各導体部間はレジストなどの有機絶縁材料層４１によって埋められており、前記第１コイル層４０上及び前記有機絶縁材料層４１上はＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料層４２などによって覆われている。前記無機絶縁材料層４２、磁極層３８及びバックギャップ層３４のそれぞれの表面はＣＭＰ技術等を用いて平坦化されている。
【００５６】図２に示すように、前記無機絶縁材料層４２上には第２コイル層４３が巻回形成されている。図２に示すように前記第２コイル層４３はレジストなどの有機絶縁材料層４４によって覆われており、さらに前記有機絶縁材料層４４上にはＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成された上部コア層４５が例えばフレームメッキ法などで形成されている。図２に示すように前記上部コア層４５の先端部４５ａは、前記上部磁極層３７上に磁気的に接続されている。この実施形態では前記先端部４５ａの前端面は、薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）と同一面上で形成されず、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退しているが、前記先端部４５ａの前端面が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と同一面上に形成されていてもよい。
【００５７】また前記上部コア層４５の基端部４５ｂは前記バックギャップ層３０上に磁気的に接続されている。
【００５８】図２に示す下部コア層３２から上部コア層４５までの各層で記録用ヘッドのインダクティブヘッドｈ２が構成される。
【００５９】インダクティブヘッドｈ２では、前記第１コイル層４０及び第２コイル層４３に記録電流が流れると記録磁界が発生し、上部磁極層３７−上部コア層４５−バックギャップ層３４−下部コア層３２−下部磁極層３５を経る磁路が形成される。前記磁気ギャップ層３６を挟んだ下部磁極層３５と上部磁極層３７間からの漏れ磁界によって記録媒体Ｄに信号が記録される。
【００６０】図２に示すように、前記上部コア層４５上はＡｌ2Ｏ3などの保護層４６によって覆われている。また図２に示すように前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）には保護層４７が形成されている。前記保護層４７はＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral AmorphousCarbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００６１】本発明における薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について以下に説明する。図２に示すように本発明では前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間が、導電層３１によって導通接続されている。前記導電層３１によって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間が導通接続されると前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同電位にすることが可能である。
【００６２】このため前記薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に、前記薄膜磁気ヘッドを溶剤に浸したとき、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４７から前記溶剤が浸透して、また磁気ヘッドの駆動時のときなどに空気中の水分が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４３から浸透して、前記溶剤や水分が前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２には電池効果が発生しにくくあるいは発生せず、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２の腐食を従来に比べて適切に抑制することができる。
【００６３】本発明では、このように下部シールド層２３と上部シールド層３２の耐腐食性を向上させることができることで、前記シールド層２３、３２のシールド機能を良好に保つことができ、よって再生時にノイズを適切に前記シールド層２３、３２で遮断でき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００６４】また本発明では、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護層４７の膜厚Ｔ２は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と記録媒体Ｄ間の浮上距離Ｈ２を縮めることができ、スペーシングロスの低減を図ることができる。また本発明では、このように保護層４７の膜厚が薄く形成されることにより、前記保護層４７にピンホール等の欠陥が形成され、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に使用される溶剤や空気中の水分が下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまでより浸透しやすくなっても、本発明では上記したように前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とが同電位にされたことで、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２間に電池効果が発生しにくく、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２は従来に比べて腐食され難くなり、高記録密度化においても再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になっている。
【００６５】次に前記導電層３１の材質について以下に説明する。前記導電層３１は非磁性導電材料で形成されることが好ましい。本発明では前記導電層３１が非磁性導電材料で形成されるとき、前記導電層３１は前記主電極層２９と同一材料で形成されることが好ましい。本発明では後述する製造方法で説明するように、前記導電層３１を主電極層２９と同じ工程時に同時に形成することが可能である。
【００６６】このように本発明では前記導電層３１を前記主電極層２９と同じ材質で同時に形成することが可能であり、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することが可能になっている。
【００６７】また後述する製造方法で説明するように、前記導電層３１を、ハードバイアス層２６、電極層２７及び主電極層２９の各工程時と同時に積層形成していき、前記導電層３１を下から、ハードバイアス層２６、電極層２７及び主電極層２９と同じ材質からなる積層構造で形成することも可能である。
【００６８】なお前記導電層３１は、前記主電極層２９と別工程で形成され、材質が前記主電極層２９と異なるものでもかまわない。
【００６９】前記導電層３１はＣｕ、ＮｉＰ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕから１種または２種以上の非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００７０】また前記導電層３１は単層構造であってもよいが、多層構造であってもかまわず、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造を例示することができる。
【００７１】また前記導電層３１は磁性材料で形成されてもよい。前記導電層３１を磁性材料で形成すると、前記導電層３１が磁化され、磁気抵抗効果素子２５に磁気的な影響を与える心配はあるものの、下部シールド層２３及び上部シールド層３２の耐食性を向上させるという効果は適切に発揮できる。
【００７２】また前記導電層３１を磁性材料で形成し、図２に示すようにＭＲヘッドｈ１の上部シールド層３２とインダクティブヘッドｈ２の下部コア層３２とを同じ層で兼用している場合には、以下のように前記導電層３１の縦断面における形成位置を規定することが好ましい。
【００７３】すなわち図２に示す実施形態の薄膜磁気ヘッド２１では、前記導電層３１の記録媒体Ｄ側の前端面３１ａが、バックギャップ層３４の記録媒体Ｄ側の前端面３４ａよりも記録媒体Ｄ側（図示Ｙ方向とは逆方向）に位置していると、上部コア層４５からバックギャップ層３４を介して下部コア層３２に導かれる一部の記録磁界が、前記導電層３１を介して下部シールド層２３に流入する可能性がある。これによって再生時及び記録時のＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間における磁気的な干渉が強まり、再生特性及び記録特性が低下してしまう。
【００７４】このため前記導電層３１が磁性材料で形成され、且つ下部コア層３２と上部シールド層３２とが同じ層で形成されているタイプの複合型薄膜磁気ヘッドである場合、前記導電層３１の前端面３１ａは前記バックギャップ層３４の前端面３４ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成されていることが好ましい。より好ましくは、前記導電層３１の前端面３１ａは前記バックギャップ層３４の後端面３４ｂよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置することである。
【００７５】なお前記導電層３１はＮｉＦｅ系合金、ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などの磁性材料で形成できる。
【００７６】次に前記導電層３１を真上から見た際の前記導電層３１の形成位置について説明する。図１に示すように前記導電層３１は、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びる主電極層３０、３０の間に形成されている。
【００７７】また図１に示すように、前記導電層３１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３１ｂと前記主電極層２９の内側端面までの間隔Ｈ３は、前記導電層３１の両側において同じ長さであり、すなわち前記導電層３１は、トラック幅方向における主電極層２９、２９間の真ん中に形成されていることが好ましい。
【００７８】これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても前記導電層３１がトラック幅方向（図示Ｘ方向）の真ん中に形成されたことでシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７９】また本発明では前記導電層３１が、下部シールド層２３及び上部シールド層３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における真ん中に位置していることがさらに好ましい。また前記導電層３１は前記磁気抵抗効果素子２５のハイト方向（図示Ｙ方向）の真後ろに形成されていることがさらに好ましい。これによりより適切に外部磁場に対する影響を弱くでき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８０】また磁気抵抗効果素子２５の上下（図示Ｚ方向）に電極層が形成されるような構造の磁気抵抗効果素子２５を使用する場合、例えばトンネル型磁気抵抗効果型素子やＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の場合は、図１のように平面的に見たときに磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に主電極層２９は形成されないから、図１のように主電極層２９間に導電層３１を配置することはそもそもできない。
【００８１】かかる場合でも、上記したように前記導電層３１を、下部シールド層２３及び上部シールド層３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における真ん中に位置させ、また前記導電層３１を前記磁気抵抗効果素子２５のハイト方向（図示Ｙ方向）の真後ろに形成することで、これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても、シールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８２】また前記導電層３１の膜面（図示Ｘ方向とＹ方向とで形成される面）と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。前記導電層３１の膜面と平行な方向の断面積が１μｍ2よりも小さくなると、前記導電層３１の形成を所定形状で形成することが困難で、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間を適切に導通接続させにくくなり好ましくない。
【００８３】一方、前記導電層３１の膜面と平行な方向の断面積が５００μｍ2よりも大きくなると、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における主電極層２９間に形成された前記導電層３１が、前記主電極層２９と電気的に干渉しあるいは接触しやくなり主電極層２９から磁気抵抗効果素子２５に流れるセンス電流の一部が導電層３１に分流するなどの不具合が発生しやすくなり好ましくない。
【００８４】なお図１に示す前記導電層３１の両側端面３１ｂと前記主電極層２９間の間隔Ｈ３は、０．５μｍ以上であることが好ましい。これにより前記主電極層２９と導電層３１間の電気的な干渉を抑制できる。
【００８５】なお図１に示す主電極層２９は、上部シールド層３２の後端面よりもさらにハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びて形成され、前記主電極層２９の後端部からは、引出し層４８が形成されている。この引出し層４８から主電極層２９、磁気抵抗効果素子２５にセンス電流が流れる。
【００８６】次に前記導電層３１の形状について以下に説明する。図１に示すように前記導電層３１の膜面と平行な方向における断面の形状は略四角形であるが、前記断面の形状が略丸形状等であってもかまわない。また図２R>２に示すように前記導電層３１の縦断面の両側端部は、下部シールド層２３表面から垂直方向（図示Ｚ方向）に延びているが、前記両側端部は湾曲していてもよいし傾斜していてもよい。
【００８７】次に前記導電層３１以外の図１、図２の薄膜磁気ヘッド２１の特徴的部分について以下に説明する。
【００８８】図２に示すように、前記主電極層２９の上面及びその周囲は絶縁材料層３０によって覆われており、これによって前記上部シールド層３２と主電極層２９間が導通接続されることを防止でき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することが可能である。前記絶縁材料層３０はレジストなどの有機絶縁材料で形成されてもよいし、無機絶縁材料で形成されてもよい。材質により製造方法が異なるので、その点については後述する。
【００８９】また本発明では、上記した絶縁材料層３０を形成しなくても、前記主電極層２９と上部シールド層３２間の絶縁を確保できる構造を提示できる。
【００９０】例えば図２に示す磁気抵抗効果素子２５及び電極層２７の周囲を絶縁層で埋め、その絶縁層上に主電極層２９を形成し、前記磁気抵抗効果素子２９上から前記主電極層２９上にかけて上部ギャップ層２８を形成するのである。かかる場合、前記主電極層２９上は前記上部ギャップ層２８によって覆われることになるので、あらためて絶縁材料層３０を形成する必要がない。
【００９１】次に本発明では、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２は、同じ磁性材料で形成されても良いし、異なる磁性材料で形成されてもよい。
【００９２】図２に示す実施形態では前記上部シールド層３２はインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能するため、前記上部シールド層３２はシールド機能とともにコア機能をも併せ持つことが好ましい。
【００９３】シールド機能として必要な磁気特性は高透磁率や低磁歪定数等であり、コア機能として必要な磁気特性は高飽和磁束密度等である。従って上部シールド層３２は下部シールド層２３と同等な透磁率及び磁歪定数を有し、且つ前記下部シールド層２３よりも大きい飽和磁束密度を有することが好ましい。
【００９４】例えば前記上部シールド層３２と下部シールド層２３を共にＮｉＦｅ系合金で形成することができるが、かかる場合、上部シールド層３２に使用されるＮｉＦｅ系合金のＦｅ組成比を下部シールド層２３に使用されるＮｉＦｅ系合金のＦｅ組成比よりも多くすることで、前記上部シールド層３２の飽和磁束密度を前記下部シールド層２３よりも大きくすることができる。
【００９５】なお前記上部シールド層３２と下部シールド層２３とを異なる磁性材料で形成した場合は、本発明のように導電層３１が形成されていないと、通常、同一材料で形成された場合に比べて、前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間の電位差は大きくなり、より前記上部シールド層３２及び下部シールド層２３が電池効果によって腐食されやすくなるが、本発明のように前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間を導電層３１で電気的に繋げることで、たとえ前記上部シールド層３２と下部シールド層２３とが異なる材質で形成されていても、電池効果を抑制でき、前記上部シールド層３２及び下部シールド層２３の耐腐食性を向上させることが可能になる。
【００９６】図３は本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造の部分縦断面図である。
【００９７】図３に示す第２実施形態の薄膜磁気ヘッド２１では図２の薄膜磁気ヘッド２１と異なって、ＭＲヘッドｈ１を構成する上部シールド層３２と、インダクティブヘッドｈ２を構成する下部コア層５２とが分離して形成されており、前記下部コア層５２と上部シールド層３２間にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された絶縁層（分離層）５０が形成されている。
【００９８】すなわち図３に示す薄膜磁気ヘッド２１はＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とが同じ層を兼用せずに完全に別々に形成された形態であり、図３のような薄膜磁気ヘッド２１は、ピギーバック（piggy back）型の薄膜磁気ヘッドと呼ばれる。
【００９９】ピギーバック型の薄膜磁気ヘッド２１は、図２の薄膜磁気ヘッド２１に比べて記録時及び再生時におけるＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間の磁気的な干渉を適切に抑制できるという利点がある。
【０１００】図３に示す薄膜磁気ヘッド２１では、下部コア層５２と上部シールド層３２とが分離形成されているから、この下部コア層５２と上部シールド層３２間に電位差が生じ、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分などが、特に高記録密度化に対応するために保護層４７が薄くされることで、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護層４７内から浸透し、前記下部コア層５２及び上部シールド層３２が腐食しやすくなる。
【０１０１】このため図３では、前記下部コア層５２及び上部シールド層３２間が導電層５１によって導通接続されており、これによって前記下部コア層５２と上部シールド層３２とが同電位になり、前記下部コア層５２と前記上部シールド層３２の耐腐食性を向上させることができる。
【０１０２】前記導電層５１は非磁性導電材料で形成されても磁性材料で形成されてもどちらでもよいが、磁性材料で形成される場合、特に下部コア層５２の形成時と同じ工程時に前記導電層５１を形成することが好ましい。かかる場合、前記下部コア層５２と導電層５１は一体化した状態になる。
【０１０３】また前記導電層５１が特に磁性材料で形成される場合には、前記導電層５１の記録媒体Ｄ側の前端面５１ａを前記バックギャップ層３４の記録媒体Ｄ側の前端面３４ａよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成することが好ましい。これにより記録磁界の一部が下部コア層５２から前記導電層５１を介して上部シールド層３２に導かれるのを防止でき、再生特性及び記録特性に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することが可能である。
【０１０４】なおかかる場合、前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間を電気的に繋ぐ導電層３１が磁性材料で形成されているとき、前記導電層３１の前端面３１ａを、前記導電層層５１の前端面５１ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成することが良好な再生特性を維持できる点で好ましいと考えられる。
【０１０５】また図３のように下部コア層５２と上部シールド層３２とを別々に形成する場合、前記下部コア層５２を、コア機能を向上させるため高飽和磁束密度等を有する磁性材料で形成し、一方、上部シールド層３２を、シールド機能を向上させるため高透磁率及び低磁歪定数等を有する磁性材料で形成することが好ましい。
【０１０６】また図３では下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同じ磁性材料で形成し、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２のシールド機能を共に同程度に向上させることが好ましい。
【０１０７】なお図２及び図３に示す薄膜磁気ヘッド２１では、ＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とが複合形成された形態であるが、本発明では前記薄膜磁気ヘッド２１がＭＲヘッドｈ１のみで構成されていてもよい。
【０１０８】図４ないし図９は本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。図４ないし図９は薄膜磁気ヘッドの製造工程中における部分縦断面図である。
【０１０９】なお製造工程中の薄膜磁気ヘッドは、図４に示すＡ−Ａ線よりも図示左側のＢ領域にまで延ばされて形成されている。薄膜磁気ヘッドの製造の最終工程で、前記薄膜磁気ヘッドはＡ−Ａ線まで削り込まれ、すなわち図４に示すＢ領域の各積層膜は削り落とされ、Ａ−Ａ線が完成した薄膜磁気ヘッドの前端面となる。以下で「薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面」なる表現を用いたとき、それは薄膜磁気ヘッドをＡ−Ａ線からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に切断したときの切断面のことを表し、図４に示すＢ領域の存在については、図５以降、説明及び図示はしないことにする。
【０１１０】図４では、スライダ２０上にＡｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層２２を形成し、さらに前記絶縁層２２上に磁性材料製の下部シールド層２３をメッキ法、蒸着法、スパッタ法等で形成する。次に前記下部シールド層２３上にＡｌ2Ｏ3などの絶縁材料からなる下部ギャップ層２４をスパッタ法や蒸着法により形成する。
【０１１１】次に図４では、前記下部ギャップ層２４の上に磁気抵抗効果素子２５を形成する。前記磁気抵抗効果素子２５は、前記下部ギャップ層２４上の全面に一旦形成された後、レジスト層（図示しない）を用いて図４に示す所定形状にパターン形成される。
【０１１２】図４に示すように、前記磁気抵抗効果素子２５は、下部ギャップ層２４上に薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面（Ａ−Ａ線からの切断面）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で残される。なお前記磁気抵抗効果素子２５は、スピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用したトンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ効果）を利用した異方性磁気抵抗効果素子などである。
【０１１３】その後、前記磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に、ハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びるハードバイアス層２６及び電極層２７をレジスト層（図示しない）を用いてパターン形成する。前記ハードバイアス層２６及び電極層２７の平面形状は例えば図１のようになる。なお前記ハードバイアス層２６は設けなくてもよい。また前記磁気抵抗効果素子２５がトンネル型磁気抵抗効果型素子やＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の場合は、前記磁気抵抗効果素子２５の上下に電極層が形成されることになる。
【０１１４】図４のように、下部ギャップ層２４上に磁気抵抗効果素子２５、ハードバイアス層２６及び電極層２７をパターン形成した後、図５のように、前記磁気抵抗効果素子２５上、電極層２７上及び下部ギャップ層２４上にレジスト層６０を形成する。さらに前記下部ギャップ層２４上に形成されたレジスト層６０の一部分に露光現像によって穴部６０ａを形成し、この穴部６０ａ内から前記下部ギャップ層２４表面を露出させる。
【０１１５】そして前記穴部６０ａから露出する前記下部ギャップ層２４をＲＩＥ法やイオンミリング法などで削り（点線部分が削られる）、前記下部ギャップ層２４に下部シールド層２３にまで貫通する穴部２４ａを形成する。そして前記レジスト層６０を除去する。
【０１１６】次に図６に示す工程では、前記磁気抵抗効果素子２５上、電極層２７上、下部ギャップ層２４上及び前記穴部２４ａから露出した下部シールド層２３上にかけて上部ギャップ層２８をスパッタ法や蒸着法により形成する。
【０１１７】そして前記上部ギャップ層２８上にレジスト層６７を形成する。次に前記電極層２７上に形成された上部ギャップ層２８上のレジスト層６７、及び前工程で下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａ内を埋める上部ギャップ層２８上のレジスト層６７をそれぞれ露光現像によって除去し、前記レジスト層６７に穴部６７ａ、６７ｂを形成する。
【０１１８】次に前記穴部６７ａ、６７ｂから露出する上部ギャップ層２８をＲＩＥ法やイオンミリング法などによって除去し、前記上部ギャップ層２８に電極層２７表面が露出する第２の穴部２８ａと、下部シールド層２３表面が露出する第１の穴部２８ｂを形成する。
【０１１９】ここで、図５に示す工程で下部ギャップ層２４に予め穴部２４ａを形成しておいたことの利点について説明する。
【０１２０】図５工程で前記下部ギャップ層２４に予め穴部２４ａを形成しておくと、図６工程で前記レジスト層６７に形成された穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚みは上部ギャップ層２８の厚み分だけになる。
【０１２１】仮に前記下部ギャップ層２４に穴部２４ａを開けておかないと、前記レジスト層６７の穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚みは下部ギャップ層２４と上部ギャップ層２８とを合わせた厚みになる。かかる場合、前記レジスト層６７の穴部６７ａから露出する絶縁層の厚み（上部ギャップ層２８の厚み分のみ）と穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚み（下部ギャップ層２４と上部ギャップ層２８とを合わせた厚み）が異なるため、前記穴部６７ａ、６７ｂから露出する上部ギャップ層２８を削り終えた時点では、まだ穴部６７ｂ内には下部ギャップ層２４が残っている状態になる。よって前記穴部６７ｂから露出する下部ギャップ層２４をイオンミリングなどで削って下部シールド層２３表面を露出させようとすると、穴部６７ａでは露出した電極層２７が削られる結果になり、前記電極層２７に損傷を与えてしまう。特にミリングレートは電極層２７の方が下部ギャップ層２４より速いから、前記電極層２７は大きなダメージを受ける。
【０１２２】上記した問題点を解消するため、本発明では図５工程でまず下部ギャップ層２４に穴部２４ａを形成し、図６工程で、レジスト層６７に形成されたそれぞれの穴部６７ａ、６７ｂから露出する絶縁層の厚みを上部ギャップ層２８の厚み分のみとした。これにより電極層２７が削り込まれるといった問題は発生しなくなり、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
【０１２３】図６工程で、前記上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを形成した後、前記レジスト層６７を除去する。
【０１２４】次に図７に示す工程では、前記上部ギャップ層２８上、第２の穴部２８ａ及び第２の穴部３８ｂ内に一旦、レジスト層６１を形成した後、前記レジスト層６１を露光現像して図７のように一部、前記レジスト層６１を残す。なおこの露光現像によって上部ギャップ層２８の第２の穴部２８ａ及び第１の穴部２８ｂ内を埋めていたレジスト層６１は全て除去されると共に、前記穴部２８ａ、２８ｂの周囲に前記穴部２８ａ、２８ｂよりも面積の大きな所定形状のパターン６１ａ、６１ｂが前記レジスト層６１に形成される。
【０１２５】ここで前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ａは、次工程で主電極層２９が形成される領域であり、前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ｂは、次工程で導電層３１が形成される領域である。
【０１２６】そして図８に示す工程で、前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ａに主電極層２９を成膜する。前記主電極層２９はスパッタ法や蒸着法などで形成される。
【０１２７】前記主電極層２９は前記上部ギャップ層２８に形成された穴部２８ａ内にも形成され、前記主電極層２９は前記電極層２７と導通接続される。
【０１２８】この主電極層２９と同じ工程時及び同じ手法で前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ｂ内に導電層３１を形成する。前記導電層３１を前記主電極層２９と同じ工程時に同時に形成することで、前記導電層３１の材質は前記主電極層２９と同じになる。
【０１２９】前記導電層３１は下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２８を介して下部シールド層２３に導通接続される。そして前記レジスト層６１を除去する。
【０１３０】図９に示す工程では、前記主電極層２９上及びその周囲をレジストなどの有機材料で形成された絶縁材料層３０で覆う。形成方法としては、一旦、前記主電極層２９上や上部ギャップ層２８上全面にレジスト層を形成した後、露光現像で前記主電極層２９の上面及びその周囲にのみ前記レジスト層を残し、残されたレジスト層をポストベークして硬化させる。
【０１３１】次に前記絶縁材料層３０、上部ギャップ層２８及び電極層３１上に例えばＮｉＦｅ系合金などからなる磁性材料あるいは非磁性導電材料からなるメッキ下地層３２ａをスパッタ法や蒸着法で成膜した後、前記メッキ下地層３２ａ上に磁性材料製の上部シールド層３２をメッキ形成する。
【０１３２】以上、図４ないし図９に示す各工程によって図２、図３に示すＭＲヘッドｈ１を製造することが可能である。
【０１３３】なお図８工程で、主電極層２９と導電層３１とを同時に形成すれば、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することができるが、前記主電極層２９と導電層３１とを同時に形成せず、別々に形成してもよい。
【０１３４】また図５工程で下部ギャップ層２４に穴部２４ａを形成しなくても、以下の方法であれば、前記電極層２７に損傷を与えず、上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを開けることもできる。
【０１３５】すなわち図６工程で、まずレジスト層６７に穴部６７ａのみを露光現像で形成して、前記穴部６７ａから露出する上部ギャップ層２８を削って第２の穴部２８ａを形成し、前記第２の穴部２８ａから電極層２７表面を露出させる。次に前記レジスト層６７を一旦、除去し、次に新たなレジスト層を前記上部ギャップ層２８上に形成する。このとき前記上部ギャップ層２８に形成された第２の穴部２８ａ内も前記レジスト層で埋め、前記レジスト層に図６に示す穴部６７ｂのみを露光現像で形成し、前記穴部６７ｂから露出する上部ギャップ層２８及び下部ギャップ層２４を削って、前記下部シールド層２３表面を露出させる。
【０１３６】つまり上記した方法では、上部ギャップ層２８に形成される第１の穴部２８ｂと第２の穴部２８ａを別々のレジスト層を用いて別々の工程時に開けるのである。
【０１３７】上記した方法であれば、図５工程で、下部ギャップ層２４に穴部２４ａを開けなくても、電極層２７に損傷を与えずに、前記上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを形成できる。
【０１３８】また図９工程では、前記主電極層２９上及びその周囲を、レジストなどの有機絶縁材料で形成された絶縁材料層３０で覆っているが、無機絶縁材料層で覆うこともできる。
【０１３９】図１０（薄膜磁気ヘッドの製造工程中の部分縦断面図）に示す工程では、前記主電極層２９、上部ギャップ層２８及び導電層３１上にレジスト層６２を形成した後、露光現像によって前記レジスト層６２を前記導電層３１上、および薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面（図４に示すＡ−Ａ線からの切断面）から主電極層２９の前端面までの間に残す。
【０１４０】そして前記レジスト層６２に覆われていない主電極層２９上、および上部ギャップ層２８上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などで形成された無機絶縁材料層６３をスパッタ法や蒸着法などにより形成する。そして前記レジスト層６２を除去する。
【０１４１】上記した方法によって前記主電極層２９の上面及びその周囲に無機絶縁材料層６３を形成することができる。
【０１４２】なお、前記レジスト層６２を薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から主電極層２９の前端面までの間に残し、この部分に無機絶縁材料層６３が形成されないようにした理由は、この部分に無機絶縁材料層６３が形成されると、薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から前記無機絶縁材料層６３が露出し、下部シールド層２３と上部シールド層３２間の間隔、すなわちギャップ長Ｇｌが広がってしまうからである。高記録密度化に適切に対応するには、前記ギャップ長Ｇｌは短いことが好ましく、前記薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から前記無機絶縁材料層６３が露出しないようにすることにより、前記ギャップ長Ｇｌを下部ギャップ層２４、磁気抵抗効果素子２５及び上部ギャップ層２８の膜厚を足し合わせた大きさで抑えることが可能になる。
【０１４３】また図４と図５に示す工程を逆に行ってもよい。その製造工程は図１１と図１２に示されている。
【０１４４】図１１に示す工程では、スライダ２０上に絶縁層２２、下部シールド層２３及び下部ギャップ層２４を形成した後、前記下部ギャップ層２４上にレジスト層６４を形成し、前記レジスト層６４に露光現像により穴部６４ａを形成する。そして前記穴部６４ａから露出する下部ギャップ層２４を除去し、前記下部ギャップ層２４に下部シールド層２３表面が露出する穴部２４ａを形成する。そして前記レジスト層６４を除去する。
【０１４５】図１２に示す工程では、前記前記下部ギャップ層２４上の全面に磁気抵抗効果素子２５を形成した後、前記磁気抵抗効果素子２５上にレジスト層６５を形成し、このレジスト層６５に前記ハードバイアス層２６及び電極層２７を形成するための穴部６５ａを露光現像で形成する。このとき、前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａ上のレジスト層も露光現像で除去して穴部６５ｂを形成する。
【０１４６】各穴部６５ａ、６５ｂからは不必要な磁気抵抗効果素子２５が露出しているので、前記磁気抵抗効果素子２５をＲＩＥ法やイオンミリング法などで除去した後、前記ハードバイアス層２６及び電極層２７を前記レジスト層６５に形成された穴部６５ａ、６５ｂ内に形成する。そして前記レジスト層６５を除去する。
【０１４７】その後、図６以降と同じ工程を辿るが、図１１１１及び図１２工程を経て形成された導電層３１は、３層構造となり、一番下がハードバイアス層２６と同じ材質層２６ａ、２層目が電極層２７と同じ材質の層２７ａ、３層目が主電極層２９と同じ材質の層になる。
【０１４８】また図８に示す工程で、主電極層２９と導電層３１を形成するとき、図１に示すように、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びる主電極層２９の間に前記導電層３１が位置するように、図６工程時に、上部ギャップ層２８に形成される第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂの形成位置、及び図７工程時に、レジスト層６１に形成されるパターン６１ａ、６１ｂの形状を適切に規定することが好ましい。
【０１４９】また図１に示すようにトラック幅方向（図示Ｘ方向）における前記主電極層２９の間の真ん中に前記導電層３１を位置させることがより好ましい。
【０１５０】これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても前記導電層３１がトラック幅方向（図示Ｘ方向）の真ん中に形成されたことでシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５１】また本発明では、図９に示す上部シールド層３２までを形成した後、図２あるいは図３に示すインダクティブヘッドｈ２を形成してもよい。
【０１５２】また本発明では、図９に示すＭＲヘッドｈ１を形成した後、あるいはＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とを積層形成した後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体Ｄ側の前端面に図２及び図３に示すように保護層４７を形成する。本発明では、前記保護層４７の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下で形成することが好ましい。これによりスペーシングロスを低減させることができ、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５３】なお本発明では、前記保護層４７をＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成することが好ましい。
【０１５４】以上のように本発明によれば、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層４３で電気的に接続することにより、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッドの製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保護層４７内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても、前記下部シールド層２３及び前記上部シールド層３２が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することができる。
【０１５５】このため本発明では、高記録密度化に適切に対応するために前記保護層４７の膜厚が薄く形成され、前記溶剤等が従来に比べて前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまでより到達しやすくなっても、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食しにくい高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５６】また本発明では、前記導電層３１を主電極層２９と同じ形成時に同時に形成でき、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することができる。
【０１５７】さらに本発明では、前記導電層３１の形成位置を、トラック幅方向における主電極層２９、２９間の特に真ん中に位置させることで、前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生してもシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５８】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部シールド層と上部シールド層間を導電層で電気的に接続することにより、前記下部シールド層と上部シールド層とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッドの製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保護層内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部シールド層及び上部シールド層にまで到達しても、前記下部シールド層及び前記上部シールド層が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することができる。
【０１５９】このため本発明では、高記録密度化に適切に対応するために前記保護層の膜厚が薄く形成され、前記溶剤等が従来に比べて前記下部シールド層及び上部シールド層にまでより到達しやすくなっても、前記下部シールド層及び上部シールド層が腐食しにくい高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図２】図１に示す２−２線から前記薄膜磁気ヘッドを切断した際の前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図３】本発明における別の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図４】図２及び図３の本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図、
【図１０】本発明における別の製造方法を示す一工程図、
【図１１】本発明における別の製造方法を示す一工程図、
【図１２】図１１の次に行なわれる一工程図、
【図１３】従来における薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【符号の説明】
２１ 薄膜磁気ヘッド
２３ 下部シールド層
２４ 下部ギャップ層
２４ａ （下部ギャップ層に形成された）穴部
２５ 磁気抵抗効果素子
２６ ハードバイアス層
２７ 電極層（サブ電極層）
２８ 上部ギャップ層
２８ａ 第２の穴部
２８ｂ 第１の穴部
２９ 主電極層
３０ 絶縁材料層
３１ 導電層
３２ 上部シールド層
４７ 保護層
６０、６１、６２、６４、６５、６７ レジスト層
６３ 無機絶縁材料層
Ｄ 記録媒体
ｈ１ ＭＲヘッド
ｈ２ インダクティブヘッド
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は従来における薄膜磁気ヘッドの構造の部分縦断面図である。
【０００３】図１３に示す符号１は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）からなるスライダであり、このスライダ１上にＡｌ2Ｏ3膜１０を介して薄膜磁気ヘッド１１が形成される。
【０００４】図１３に示すように前記Ａｌ2Ｏ3膜１０上には磁性材料製の下部シールド層３が形成される。前記下部シールド層３上にはＡｌ2Ｏ3などで形成された下部ギャップ層４が形成され、前記下部ギャップ層４上には、前記薄膜磁気ヘッド１１の記録媒体Ｄ側の前端面からハイト方向後方（図示Ｙ方向）にかけて所定長さの磁気抵抗効果素子５が形成される。前記磁気抵抗効果素子５は例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したスピンバルブ型薄膜素子である。
【０００５】図１３に示すように前記磁気抵抗効果素子５上から前記下部ギャップ層４上にかけてＡｌ2Ｏ3などで形成された上部ギャップ層６が形成され、前記上部ギャップ層６上には磁性材料製の上部シールド層７が形成される。
【０００６】前記下部シールド層３から前記上部シールド層７までの各層で再生用のＭＲヘッドが構成される。
【０００７】前記上部シールド層７上は例えばＡｌ2Ｏ3などで形成された保護層８が形成されるが、前記上部シールド層７上に記録用のインダクティブヘッドが設けられていてもよい。
【０００８】図１３に示すように前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で形成された保護層９が形成される。
【０００９】今後のさらなる高記録密度化に適切に対応するには、前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面から前記記録媒体Ｄまでの浮上距離Ｈ１を短くしスペーシングロスの低減を図らなければならない。そのためにはできる限り前記薄膜磁気ヘッド１１の前端面に形成された保護層９の膜厚Ｔ１を薄くする必要性があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記保護層９の膜厚Ｔ１を薄くしていくと、前記保護層９にはピンホール等の欠陥が発生しやすくなる。
【００１１】前記保護層９にピンホール等の欠陥が生じると、例えば前記磁気ヘッド１１を製造する過程で使用される溶剤や空気中の水分が前記保護層９内に浸透して、前記溶剤や水分が下部シールド層３及び上部シールド層７の前端面にまで到達しやすくなる。このとき下部シールド層３と上部シールド層７間には電位差が生じているため、前記下部シールド層３と上部シールド層７間の電位差による電池効果により、下部シールド層３及び上部シールド層７が腐食してしまうといった問題が発生した。
【００１２】このように前記下部シールド層３及び上部シールド層７が腐食すると、前記下部シールド層３及び上部シールド層７のシールド機能は低下し、再生時にノイズを適切に遮断できず、再生特性の低下を招いてしまう。
【００１３】そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に下部シールド層と上部シールド層間を導電層で電気的に繋いで、前記下部シールド層と上部シールド層とを同電位にし、前記下部シールド層と上部シールド層の耐腐食性を適切に向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】また本発明は、前記導電層の形成位置を適切に規定して、耐腐食性の向上とともにさらなる再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子に導通接続される主電極層と同じ工程時に前記導電層を形成できるようにし、少ない工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド層と、前記下部シールド層上に形成された下部ギャップ層と、前記下部ギャップ層上であって、記録媒体側の前端面からハイト方向に所定の長さで形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上から前記下部ギャップ層上にかけて形成された上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層と上部シールド層間は、前記上部ギャップ層及び下部ギャップ層を貫通する導電層によって導通接続されていることを特徴とするものである。
【００１７】本発明のように前記上部シールド層と下部シールド層を導電層で導通接続させると前記上部シールド層と下部シールド層は同電位になるから、薄膜磁気ヘッドの前端面（記録媒体と対向する側の面）に形成される保護層がスペーシングロス低減のために薄くされても、従来に比べて溶剤や空気中の水分の浸透などによって引き起こされる電池効果は低減され、前記上部シールド層と下部シールド層との耐腐食性を向上させることができる。
【００１８】したがって本発明では、前記上部シールド層及び下部シールド層のシールド機能を適切に保つことができ、高記録密度化においても再生特性の向上を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００１９】また本発明では、前記主電極層が前記磁気抵抗効果素子と導通接続されて形成され、前記導電層は前記主電極層と同一材料で形成されることが好ましい。これにより少ない製造工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することができる。
【００２０】また本発明では、前記主電極層は前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に延びて形成され、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間に形成されていることが好ましく、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間の真ん中に形成されていることがより好ましい。このように導電層をトラック幅方向の真ん中に形成することで、シールド層に対する外部磁界の影響を少なくでき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【００２１】また本発明では、前記主電極層上は前記上部ギャップ層上に形成され、前記主電極層上は絶縁材料層に覆われ、前記上部シールド層は、前記絶縁材料層、上部ギャップ層及び導電層上に形成されることが好ましい。これにより前記主電極層と上部シールド層間は適切に絶縁が保たれ、前記主電極層からのセンス電流が前記上部シールド層に分流するなどの不具合を無くすことができ、再生特性の向上を図ることが可能である。
【００２２】また本発明では、前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。
【００２３】また本発明では、前記記録媒体側の前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。かかる場合、前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（TetrahedralAmorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００２４】これにより適切にスペーシングロスを低減でき、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。しかも本発明では上記のように保護層が薄く形成され、製造工程中の溶剤や水分等が前記保護層内に浸透し、前記溶剤や水分等が前記シールド層の前端面にまで到達しやくなっても、前記シールド層は同電位にされているから適切に前記シールド層の腐食を抑制でき、前記シールド層のシールド機能を良好に維持することが可能である。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成し、前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成する工程と、（ｂ）前記磁気抵抗効果素子上から下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｃ）前記下部ギャップ層及び上部ギャップ層に前記下部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、この穴部内に導電層を形成する工程と、（ｄ）前記上部ギャップ層上及び前記導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【００２６】上記した本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、前記下部シールド層と上部シールド層間に導電層を容易に且つ適切に形成でき、前記シールド層の耐腐食性を効果的に向上させることが可能な薄膜磁気へッドを製造することが可能である。
【００２７】また本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。（ｅ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成する工程と、（ｆ）前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側に電極層を形成する工程と、（ｇ）前記（ｅ）工程と（ｆ）工程間に、あるいは前記（ｆ）工程の電極層を形成した後に前記下部ギャップ層上に穴部を形成する工程と、（ｈ）前記磁気抵抗効果素子上、電極層上及び下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｉ）前記（ｇ）工程で下部ギャップ層に穴部が形成された位置と同位置に、第１の穴部を前記上部ギャップ層に形成し、また前記電極層上に形成された上部ギャップ層に、前記電極層にまで貫通する第２の穴部を形成する工程と、（ｊ）前記第２の穴部から上部ギャップ層上にかけて主電極層を形成し、前記第１の穴部内に導電層を形成する工程と、（ｋ）前記主電極層上を絶縁材料で覆い、前記絶縁材料層上、上部ギャップ層上及び導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【００２８】この発明においても、前記下部シールド層と上部シールド層間に導電層を容易に且つ適切に形成でき、前記シールド層の耐腐食性を効果的に向上させることが可能な薄膜磁気へッドを製造することが可能である。
【００２９】また本発明では前記（ｉ）工程で、上部ギャップ層に第１の穴部と第２の穴部を同時に形成することが好ましい。本発明では、前記（ｇ）工程で予め下部ギャップ層に導電層を形成するための穴部を設けておくことで、前記（ｉ）工程で、ほぼ同じ掘り込み量で第１の穴部と第２の穴部を形成でき、これにより特に前記第２の穴部の形成時、掘り込みすぎて前記電極層に損傷を与えるといったことを低減させることが可能である。
【００３０】また本発明では、前記（ｊ）工程で、前記主電極層を形成すると同時に、前記主電極層と同じ材質で前記導電層を形成することが好ましい。これにより少ない製造工程数で前記導電層を容易に且つ適切に形成することができる。
【００３１】また本発明では、前記（ｊ）工程で、トラック幅方向における前記主電極層間に前記導電層が位置するように、前記主電極層及び導電層を形成することが好ましい。また前記トラック幅方向における前記主電極層間の真ん中に前記導電層が位置するように前記主電極層及び導電層を形成することがより好ましい。
【００３２】また本発明では、前記（ｄ）工程及び前記（ｋ）工程後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体側の前端面に保護層を形成し、前記保護層の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とすることが好ましい。このとき前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分平面図、図２は図１に示す２−２線から前記薄膜磁気ヘッドを切断し矢印方向から見た際の、前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。なお図１に示す部分平面図には、図２に示す上部シールド層３２、下部ギャップ層２４、上部ギャップ層２８及び前記上部シールド層３２より上の層は図示されていない。
【００３４】また以下では、図１及び図２に示す図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。図示Ｚ方向は記録媒体Ｄの移動方向である。
【００３５】図２に示す符号２０は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などで形成されたスライダである。本発明における薄膜磁気ヘッド２１は、前記スライダ２０上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁層２２を介して形成される。
【００３６】図２に示すように前記絶縁層２２の上にはパーマロイ（ＮｉＦｅ系合金）やセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）などの磁性材料で形成された下部シールド層２３が形成されている。
【００３７】前記下部シールド層２３上にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された下部ギャップ層２４が形成されている。前記下部ギャップ層２４にはハイト方向後方（図示Ｙ方向）に穴部２４ａが形成されている。
【００３８】図２に示すように前記下部ギャップ層２４上には磁気抵抗効果素子２５が形成される。図１及び図２R>２に示すように前記磁気抵抗効果素子２５は薄膜磁気ヘッド２１の前端面からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。
【００３９】前記磁気抵抗効果素子２５は、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したスピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵抗効果素子、トンネル効果（ＴＭＲ効果）を利用したトンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気効果（ＡＭＲ効果）を利用した異方性磁気抵抗効果素子である。
【００４０】図１に示すように前記磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には例えば、硬磁性材料製のハードバイアス層２６が設けられている。前記ハードバイアス層２６は、前記磁気抵抗効果素子２５が例えばスピンバルブ型薄膜素子である場合、前記スピンバルブ型薄膜素子を構成するＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成されたフリー磁性層の磁化をトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ揃えるためのものである。なお前記ハードバイアス層２６は設けられていなくてもよい。
【００４１】図１及び図２に示す実施形態では、前記ハードバイアス層２６上に重ねて電極層２７（サブ電極層）が形成されている。
【００４２】図２に示すように前記磁気抵抗効果素子２５、電極層２７及び下部ギャップ層２４上には、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された上部ギャップ層２８が形成されている。
【００４３】図２に示すように前記上部ギャップ層２８には、前記電極層２７上に第２の穴部２８ａが形成されている。前記第２の穴部２８ａは前記電極層２７の表面にまで貫通しており、この第２の穴部２８ａ内から前記上部ギャップ層２８表面にかけて主電極層２９が形成されている。前記主電極層２９と電極層２７は前記第２の穴部２８ａを介して導通接続されている。
【００４４】図１に示すように主電極層２９は、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成された電極層２７上に第２の穴部２８ａを介してハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びて形成されている。図１では前記主電極層２９の平面は略直方形状であるが、図１の主電極層２９の形状は簡略化して図示されたものであり、前記主電極層２９は図１の形状に限るものではない。
【００４５】図１及び図２に示すように、前記主電極層２９は、前記主電極層２９の上面からその周囲にかけてレジストなどの有機絶縁材料や無機絶縁材料で形成された絶縁材料層３０によって覆われている。
【００４６】図２に示すように前記上部ギャップ層２８には前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａと同位置に第１の穴部２８ｂが形成され、前記第１の穴部２８ｂ及び穴部２４ａからは前記下部シールド層２３の表面が露出している。
【００４７】前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａと前記上部ギャップ層２８に形成された第１の穴部２８ｂ内には導電層３１が形成され、この導電層３１の下面は前記下部シールド層２３と導通接続された状態になっている。
【００４８】図２に示すように前記上部ギャップ層２８上、絶縁材料層３０上及び導電層３１上には、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などで形成された上部シールド層３２が形成されている。
【００４９】図２に示す下部シールド層２３から前記上部シールド層３２までの各層で再生用のＭＲヘッドｈ１が構成される。
【００５０】図２に示す実施形態の薄膜磁気ヘッド２１は前記ＭＲヘッドｈ１上に記録用のインダクティブヘッドｈ２が積層形成された複合型の薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００５１】図２に示す実施形態では、前記上部シールド層３２はインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能している。
【００５２】前記インダクティブヘッドｈ２の下部コア層３２上には、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に、例えば有機材料で形成されたＧｄ決め層３３が形成されている。前記Ｇｄ決め層３３よりもさらにハイト方向後方（図示Ｙ方向）には、磁性材料製のバックギャップ層３４が形成されている。前記バックギャップ層３４は前記下部コア層３２と磁気的に接続されている。
【００５３】図２に示すように前記Ｇｄ決め層３３上から薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）にかけて、下から下部磁極層３５、磁気ギャップ層３６及び上部磁極層３７からなる磁極層３８が形成されている。前記下部磁極層３５や上部磁極層３７はＮｉＦｅ系合金、ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などの磁性材料で形成される。一方、前記磁気ギャップ層３６はＮｉＰなどのメッキ形成可能な非磁性導電材料で形成される。
【００５４】図２に示すように前記磁極層３８とバックギャップ層３４間であって前記下部コア層３２上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁下地層３９を介して、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成された第１コイル層４０が巻回形成されている。
【００５５】前記第１コイル層４０の各導体部間はレジストなどの有機絶縁材料層４１によって埋められており、前記第１コイル層４０上及び前記有機絶縁材料層４１上はＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料層４２などによって覆われている。前記無機絶縁材料層４２、磁極層３８及びバックギャップ層３４のそれぞれの表面はＣＭＰ技術等を用いて平坦化されている。
【００５６】図２に示すように、前記無機絶縁材料層４２上には第２コイル層４３が巻回形成されている。図２に示すように前記第２コイル層４３はレジストなどの有機絶縁材料層４４によって覆われており、さらに前記有機絶縁材料層４４上にはＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成された上部コア層４５が例えばフレームメッキ法などで形成されている。図２に示すように前記上部コア層４５の先端部４５ａは、前記上部磁極層３７上に磁気的に接続されている。この実施形態では前記先端部４５ａの前端面は、薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）と同一面上で形成されず、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退しているが、前記先端部４５ａの前端面が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と同一面上に形成されていてもよい。
【００５７】また前記上部コア層４５の基端部４５ｂは前記バックギャップ層３０上に磁気的に接続されている。
【００５８】図２に示す下部コア層３２から上部コア層４５までの各層で記録用ヘッドのインダクティブヘッドｈ２が構成される。
【００５９】インダクティブヘッドｈ２では、前記第１コイル層４０及び第２コイル層４３に記録電流が流れると記録磁界が発生し、上部磁極層３７−上部コア層４５−バックギャップ層３４−下部コア層３２−下部磁極層３５を経る磁路が形成される。前記磁気ギャップ層３６を挟んだ下部磁極層３５と上部磁極層３７間からの漏れ磁界によって記録媒体Ｄに信号が記録される。
【００６０】図２に示すように、前記上部コア層４５上はＡｌ2Ｏ3などの保護層４６によって覆われている。また図２に示すように前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）には保護層４７が形成されている。前記保護層４７はＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral AmorphousCarbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００６１】本発明における薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について以下に説明する。図２に示すように本発明では前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間が、導電層３１によって導通接続されている。前記導電層３１によって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間が導通接続されると前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同電位にすることが可能である。
【００６２】このため前記薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に、前記薄膜磁気ヘッドを溶剤に浸したとき、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４７から前記溶剤が浸透して、また磁気ヘッドの駆動時のときなどに空気中の水分が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４３から浸透して、前記溶剤や水分が前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２には電池効果が発生しにくくあるいは発生せず、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２の腐食を従来に比べて適切に抑制することができる。
【００６３】本発明では、このように下部シールド層２３と上部シールド層３２の耐腐食性を向上させることができることで、前記シールド層２３、３２のシールド機能を良好に保つことができ、よって再生時にノイズを適切に前記シールド層２３、３２で遮断でき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００６４】また本発明では、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護層４７の膜厚Ｔ２は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と記録媒体Ｄ間の浮上距離Ｈ２を縮めることができ、スペーシングロスの低減を図ることができる。また本発明では、このように保護層４７の膜厚が薄く形成されることにより、前記保護層４７にピンホール等の欠陥が形成され、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に使用される溶剤や空気中の水分が下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまでより浸透しやすくなっても、本発明では上記したように前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とが同電位にされたことで、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２間に電池効果が発生しにくく、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２は従来に比べて腐食され難くなり、高記録密度化においても再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になっている。
【００６５】次に前記導電層３１の材質について以下に説明する。前記導電層３１は非磁性導電材料で形成されることが好ましい。本発明では前記導電層３１が非磁性導電材料で形成されるとき、前記導電層３１は前記主電極層２９と同一材料で形成されることが好ましい。本発明では後述する製造方法で説明するように、前記導電層３１を主電極層２９と同じ工程時に同時に形成することが可能である。
【００６６】このように本発明では前記導電層３１を前記主電極層２９と同じ材質で同時に形成することが可能であり、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することが可能になっている。
【００６７】また後述する製造方法で説明するように、前記導電層３１を、ハードバイアス層２６、電極層２７及び主電極層２９の各工程時と同時に積層形成していき、前記導電層３１を下から、ハードバイアス層２６、電極層２７及び主電極層２９と同じ材質からなる積層構造で形成することも可能である。
【００６８】なお前記導電層３１は、前記主電極層２９と別工程で形成され、材質が前記主電極層２９と異なるものでもかまわない。
【００６９】前記導電層３１はＣｕ、ＮｉＰ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕから１種または２種以上の非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００７０】また前記導電層３１は単層構造であってもよいが、多層構造であってもかまわず、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造を例示することができる。
【００７１】また前記導電層３１は磁性材料で形成されてもよい。前記導電層３１を磁性材料で形成すると、前記導電層３１が磁化され、磁気抵抗効果素子２５に磁気的な影響を与える心配はあるものの、下部シールド層２３及び上部シールド層３２の耐食性を向上させるという効果は適切に発揮できる。
【００７２】また前記導電層３１を磁性材料で形成し、図２に示すようにＭＲヘッドｈ１の上部シールド層３２とインダクティブヘッドｈ２の下部コア層３２とを同じ層で兼用している場合には、以下のように前記導電層３１の縦断面における形成位置を規定することが好ましい。
【００７３】すなわち図２に示す実施形態の薄膜磁気ヘッド２１では、前記導電層３１の記録媒体Ｄ側の前端面３１ａが、バックギャップ層３４の記録媒体Ｄ側の前端面３４ａよりも記録媒体Ｄ側（図示Ｙ方向とは逆方向）に位置していると、上部コア層４５からバックギャップ層３４を介して下部コア層３２に導かれる一部の記録磁界が、前記導電層３１を介して下部シールド層２３に流入する可能性がある。これによって再生時及び記録時のＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間における磁気的な干渉が強まり、再生特性及び記録特性が低下してしまう。
【００７４】このため前記導電層３１が磁性材料で形成され、且つ下部コア層３２と上部シールド層３２とが同じ層で形成されているタイプの複合型薄膜磁気ヘッドである場合、前記導電層３１の前端面３１ａは前記バックギャップ層３４の前端面３４ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成されていることが好ましい。より好ましくは、前記導電層３１の前端面３１ａは前記バックギャップ層３４の後端面３４ｂよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置することである。
【００７５】なお前記導電層３１はＮｉＦｅ系合金、ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などの磁性材料で形成できる。
【００７６】次に前記導電層３１を真上から見た際の前記導電層３１の形成位置について説明する。図１に示すように前記導電層３１は、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びる主電極層３０、３０の間に形成されている。
【００７７】また図１に示すように、前記導電層３１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３１ｂと前記主電極層２９の内側端面までの間隔Ｈ３は、前記導電層３１の両側において同じ長さであり、すなわち前記導電層３１は、トラック幅方向における主電極層２９、２９間の真ん中に形成されていることが好ましい。
【００７８】これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても前記導電層３１がトラック幅方向（図示Ｘ方向）の真ん中に形成されたことでシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７９】また本発明では前記導電層３１が、下部シールド層２３及び上部シールド層３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における真ん中に位置していることがさらに好ましい。また前記導電層３１は前記磁気抵抗効果素子２５のハイト方向（図示Ｙ方向）の真後ろに形成されていることがさらに好ましい。これによりより適切に外部磁場に対する影響を弱くでき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８０】また磁気抵抗効果素子２５の上下（図示Ｚ方向）に電極層が形成されるような構造の磁気抵抗効果素子２５を使用する場合、例えばトンネル型磁気抵抗効果型素子やＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の場合は、図１のように平面的に見たときに磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に主電極層２９は形成されないから、図１のように主電極層２９間に導電層３１を配置することはそもそもできない。
【００８１】かかる場合でも、上記したように前記導電層３１を、下部シールド層２３及び上部シールド層３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における真ん中に位置させ、また前記導電層３１を前記磁気抵抗効果素子２５のハイト方向（図示Ｙ方向）の真後ろに形成することで、これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても、シールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８２】また前記導電層３１の膜面（図示Ｘ方向とＹ方向とで形成される面）と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。前記導電層３１の膜面と平行な方向の断面積が１μｍ2よりも小さくなると、前記導電層３１の形成を所定形状で形成することが困難で、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間を適切に導通接続させにくくなり好ましくない。
【００８３】一方、前記導電層３１の膜面と平行な方向の断面積が５００μｍ2よりも大きくなると、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における主電極層２９間に形成された前記導電層３１が、前記主電極層２９と電気的に干渉しあるいは接触しやくなり主電極層２９から磁気抵抗効果素子２５に流れるセンス電流の一部が導電層３１に分流するなどの不具合が発生しやすくなり好ましくない。
【００８４】なお図１に示す前記導電層３１の両側端面３１ｂと前記主電極層２９間の間隔Ｈ３は、０．５μｍ以上であることが好ましい。これにより前記主電極層２９と導電層３１間の電気的な干渉を抑制できる。
【００８５】なお図１に示す主電極層２９は、上部シールド層３２の後端面よりもさらにハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びて形成され、前記主電極層２９の後端部からは、引出し層４８が形成されている。この引出し層４８から主電極層２９、磁気抵抗効果素子２５にセンス電流が流れる。
【００８６】次に前記導電層３１の形状について以下に説明する。図１に示すように前記導電層３１の膜面と平行な方向における断面の形状は略四角形であるが、前記断面の形状が略丸形状等であってもかまわない。また図２R>２に示すように前記導電層３１の縦断面の両側端部は、下部シールド層２３表面から垂直方向（図示Ｚ方向）に延びているが、前記両側端部は湾曲していてもよいし傾斜していてもよい。
【００８７】次に前記導電層３１以外の図１、図２の薄膜磁気ヘッド２１の特徴的部分について以下に説明する。
【００８８】図２に示すように、前記主電極層２９の上面及びその周囲は絶縁材料層３０によって覆われており、これによって前記上部シールド層３２と主電極層２９間が導通接続されることを防止でき、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することが可能である。前記絶縁材料層３０はレジストなどの有機絶縁材料で形成されてもよいし、無機絶縁材料で形成されてもよい。材質により製造方法が異なるので、その点については後述する。
【００８９】また本発明では、上記した絶縁材料層３０を形成しなくても、前記主電極層２９と上部シールド層３２間の絶縁を確保できる構造を提示できる。
【００９０】例えば図２に示す磁気抵抗効果素子２５及び電極層２７の周囲を絶縁層で埋め、その絶縁層上に主電極層２９を形成し、前記磁気抵抗効果素子２９上から前記主電極層２９上にかけて上部ギャップ層２８を形成するのである。かかる場合、前記主電極層２９上は前記上部ギャップ層２８によって覆われることになるので、あらためて絶縁材料層３０を形成する必要がない。
【００９１】次に本発明では、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２は、同じ磁性材料で形成されても良いし、異なる磁性材料で形成されてもよい。
【００９２】図２に示す実施形態では前記上部シールド層３２はインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能するため、前記上部シールド層３２はシールド機能とともにコア機能をも併せ持つことが好ましい。
【００９３】シールド機能として必要な磁気特性は高透磁率や低磁歪定数等であり、コア機能として必要な磁気特性は高飽和磁束密度等である。従って上部シールド層３２は下部シールド層２３と同等な透磁率及び磁歪定数を有し、且つ前記下部シールド層２３よりも大きい飽和磁束密度を有することが好ましい。
【００９４】例えば前記上部シールド層３２と下部シールド層２３を共にＮｉＦｅ系合金で形成することができるが、かかる場合、上部シールド層３２に使用されるＮｉＦｅ系合金のＦｅ組成比を下部シールド層２３に使用されるＮｉＦｅ系合金のＦｅ組成比よりも多くすることで、前記上部シールド層３２の飽和磁束密度を前記下部シールド層２３よりも大きくすることができる。
【００９５】なお前記上部シールド層３２と下部シールド層２３とを異なる磁性材料で形成した場合は、本発明のように導電層３１が形成されていないと、通常、同一材料で形成された場合に比べて、前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間の電位差は大きくなり、より前記上部シールド層３２及び下部シールド層２３が電池効果によって腐食されやすくなるが、本発明のように前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間を導電層３１で電気的に繋げることで、たとえ前記上部シールド層３２と下部シールド層２３とが異なる材質で形成されていても、電池効果を抑制でき、前記上部シールド層３２及び下部シールド層２３の耐腐食性を向上させることが可能になる。
【００９６】図３は本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造の部分縦断面図である。
【００９７】図３に示す第２実施形態の薄膜磁気ヘッド２１では図２の薄膜磁気ヘッド２１と異なって、ＭＲヘッドｈ１を構成する上部シールド層３２と、インダクティブヘッドｈ２を構成する下部コア層５２とが分離して形成されており、前記下部コア層５２と上部シールド層３２間にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された絶縁層（分離層）５０が形成されている。
【００９８】すなわち図３に示す薄膜磁気ヘッド２１はＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とが同じ層を兼用せずに完全に別々に形成された形態であり、図３のような薄膜磁気ヘッド２１は、ピギーバック（piggy back）型の薄膜磁気ヘッドと呼ばれる。
【００９９】ピギーバック型の薄膜磁気ヘッド２１は、図２の薄膜磁気ヘッド２１に比べて記録時及び再生時におけるＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間の磁気的な干渉を適切に抑制できるという利点がある。
【０１００】図３に示す薄膜磁気ヘッド２１では、下部コア層５２と上部シールド層３２とが分離形成されているから、この下部コア層５２と上部シールド層３２間に電位差が生じ、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分などが、特に高記録密度化に対応するために保護層４７が薄くされることで、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護層４７内から浸透し、前記下部コア層５２及び上部シールド層３２が腐食しやすくなる。
【０１０１】このため図３では、前記下部コア層５２及び上部シールド層３２間が導電層５１によって導通接続されており、これによって前記下部コア層５２と上部シールド層３２とが同電位になり、前記下部コア層５２と前記上部シールド層３２の耐腐食性を向上させることができる。
【０１０２】前記導電層５１は非磁性導電材料で形成されても磁性材料で形成されてもどちらでもよいが、磁性材料で形成される場合、特に下部コア層５２の形成時と同じ工程時に前記導電層５１を形成することが好ましい。かかる場合、前記下部コア層５２と導電層５１は一体化した状態になる。
【０１０３】また前記導電層５１が特に磁性材料で形成される場合には、前記導電層５１の記録媒体Ｄ側の前端面５１ａを前記バックギャップ層３４の記録媒体Ｄ側の前端面３４ａよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成することが好ましい。これにより記録磁界の一部が下部コア層５２から前記導電層５１を介して上部シールド層３２に導かれるのを防止でき、再生特性及び記録特性に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することが可能である。
【０１０４】なおかかる場合、前記上部シールド層３２と下部シールド層２３間を電気的に繋ぐ導電層３１が磁性材料で形成されているとき、前記導電層３１の前端面３１ａを、前記導電層層５１の前端面５１ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成することが良好な再生特性を維持できる点で好ましいと考えられる。
【０１０５】また図３のように下部コア層５２と上部シールド層３２とを別々に形成する場合、前記下部コア層５２を、コア機能を向上させるため高飽和磁束密度等を有する磁性材料で形成し、一方、上部シールド層３２を、シールド機能を向上させるため高透磁率及び低磁歪定数等を有する磁性材料で形成することが好ましい。
【０１０６】また図３では下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同じ磁性材料で形成し、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２のシールド機能を共に同程度に向上させることが好ましい。
【０１０７】なお図２及び図３に示す薄膜磁気ヘッド２１では、ＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とが複合形成された形態であるが、本発明では前記薄膜磁気ヘッド２１がＭＲヘッドｈ１のみで構成されていてもよい。
【０１０８】図４ないし図９は本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。図４ないし図９は薄膜磁気ヘッドの製造工程中における部分縦断面図である。
【０１０９】なお製造工程中の薄膜磁気ヘッドは、図４に示すＡ−Ａ線よりも図示左側のＢ領域にまで延ばされて形成されている。薄膜磁気ヘッドの製造の最終工程で、前記薄膜磁気ヘッドはＡ−Ａ線まで削り込まれ、すなわち図４に示すＢ領域の各積層膜は削り落とされ、Ａ−Ａ線が完成した薄膜磁気ヘッドの前端面となる。以下で「薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面」なる表現を用いたとき、それは薄膜磁気ヘッドをＡ−Ａ線からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に切断したときの切断面のことを表し、図４に示すＢ領域の存在については、図５以降、説明及び図示はしないことにする。
【０１１０】図４では、スライダ２０上にＡｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層２２を形成し、さらに前記絶縁層２２上に磁性材料製の下部シールド層２３をメッキ法、蒸着法、スパッタ法等で形成する。次に前記下部シールド層２３上にＡｌ2Ｏ3などの絶縁材料からなる下部ギャップ層２４をスパッタ法や蒸着法により形成する。
【０１１１】次に図４では、前記下部ギャップ層２４の上に磁気抵抗効果素子２５を形成する。前記磁気抵抗効果素子２５は、前記下部ギャップ層２４上の全面に一旦形成された後、レジスト層（図示しない）を用いて図４に示す所定形状にパターン形成される。
【０１１２】図４に示すように、前記磁気抵抗効果素子２５は、下部ギャップ層２４上に薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面（Ａ−Ａ線からの切断面）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で残される。なお前記磁気抵抗効果素子２５は、スピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用したトンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ効果）を利用した異方性磁気抵抗効果素子などである。
【０１１３】その後、前記磁気抵抗効果素子２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に、ハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びるハードバイアス層２６及び電極層２７をレジスト層（図示しない）を用いてパターン形成する。前記ハードバイアス層２６及び電極層２７の平面形状は例えば図１のようになる。なお前記ハードバイアス層２６は設けなくてもよい。また前記磁気抵抗効果素子２５がトンネル型磁気抵抗効果型素子やＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の場合は、前記磁気抵抗効果素子２５の上下に電極層が形成されることになる。
【０１１４】図４のように、下部ギャップ層２４上に磁気抵抗効果素子２５、ハードバイアス層２６及び電極層２７をパターン形成した後、図５のように、前記磁気抵抗効果素子２５上、電極層２７上及び下部ギャップ層２４上にレジスト層６０を形成する。さらに前記下部ギャップ層２４上に形成されたレジスト層６０の一部分に露光現像によって穴部６０ａを形成し、この穴部６０ａ内から前記下部ギャップ層２４表面を露出させる。
【０１１５】そして前記穴部６０ａから露出する前記下部ギャップ層２４をＲＩＥ法やイオンミリング法などで削り（点線部分が削られる）、前記下部ギャップ層２４に下部シールド層２３にまで貫通する穴部２４ａを形成する。そして前記レジスト層６０を除去する。
【０１１６】次に図６に示す工程では、前記磁気抵抗効果素子２５上、電極層２７上、下部ギャップ層２４上及び前記穴部２４ａから露出した下部シールド層２３上にかけて上部ギャップ層２８をスパッタ法や蒸着法により形成する。
【０１１７】そして前記上部ギャップ層２８上にレジスト層６７を形成する。次に前記電極層２７上に形成された上部ギャップ層２８上のレジスト層６７、及び前工程で下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａ内を埋める上部ギャップ層２８上のレジスト層６７をそれぞれ露光現像によって除去し、前記レジスト層６７に穴部６７ａ、６７ｂを形成する。
【０１１８】次に前記穴部６７ａ、６７ｂから露出する上部ギャップ層２８をＲＩＥ法やイオンミリング法などによって除去し、前記上部ギャップ層２８に電極層２７表面が露出する第２の穴部２８ａと、下部シールド層２３表面が露出する第１の穴部２８ｂを形成する。
【０１１９】ここで、図５に示す工程で下部ギャップ層２４に予め穴部２４ａを形成しておいたことの利点について説明する。
【０１２０】図５工程で前記下部ギャップ層２４に予め穴部２４ａを形成しておくと、図６工程で前記レジスト層６７に形成された穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚みは上部ギャップ層２８の厚み分だけになる。
【０１２１】仮に前記下部ギャップ層２４に穴部２４ａを開けておかないと、前記レジスト層６７の穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚みは下部ギャップ層２４と上部ギャップ層２８とを合わせた厚みになる。かかる場合、前記レジスト層６７の穴部６７ａから露出する絶縁層の厚み（上部ギャップ層２８の厚み分のみ）と穴部６７ｂから露出する絶縁層の厚み（下部ギャップ層２４と上部ギャップ層２８とを合わせた厚み）が異なるため、前記穴部６７ａ、６７ｂから露出する上部ギャップ層２８を削り終えた時点では、まだ穴部６７ｂ内には下部ギャップ層２４が残っている状態になる。よって前記穴部６７ｂから露出する下部ギャップ層２４をイオンミリングなどで削って下部シールド層２３表面を露出させようとすると、穴部６７ａでは露出した電極層２７が削られる結果になり、前記電極層２７に損傷を与えてしまう。特にミリングレートは電極層２７の方が下部ギャップ層２４より速いから、前記電極層２７は大きなダメージを受ける。
【０１２２】上記した問題点を解消するため、本発明では図５工程でまず下部ギャップ層２４に穴部２４ａを形成し、図６工程で、レジスト層６７に形成されたそれぞれの穴部６７ａ、６７ｂから露出する絶縁層の厚みを上部ギャップ層２８の厚み分のみとした。これにより電極層２７が削り込まれるといった問題は発生しなくなり、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
【０１２３】図６工程で、前記上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを形成した後、前記レジスト層６７を除去する。
【０１２４】次に図７に示す工程では、前記上部ギャップ層２８上、第２の穴部２８ａ及び第２の穴部３８ｂ内に一旦、レジスト層６１を形成した後、前記レジスト層６１を露光現像して図７のように一部、前記レジスト層６１を残す。なおこの露光現像によって上部ギャップ層２８の第２の穴部２８ａ及び第１の穴部２８ｂ内を埋めていたレジスト層６１は全て除去されると共に、前記穴部２８ａ、２８ｂの周囲に前記穴部２８ａ、２８ｂよりも面積の大きな所定形状のパターン６１ａ、６１ｂが前記レジスト層６１に形成される。
【０１２５】ここで前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ａは、次工程で主電極層２９が形成される領域であり、前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ｂは、次工程で導電層３１が形成される領域である。
【０１２６】そして図８に示す工程で、前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ａに主電極層２９を成膜する。前記主電極層２９はスパッタ法や蒸着法などで形成される。
【０１２７】前記主電極層２９は前記上部ギャップ層２８に形成された穴部２８ａ内にも形成され、前記主電極層２９は前記電極層２７と導通接続される。
【０１２８】この主電極層２９と同じ工程時及び同じ手法で前記レジスト層６１に形成されたパターン６１ｂ内に導電層３１を形成する。前記導電層３１を前記主電極層２９と同じ工程時に同時に形成することで、前記導電層３１の材質は前記主電極層２９と同じになる。
【０１２９】前記導電層３１は下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２８を介して下部シールド層２３に導通接続される。そして前記レジスト層６１を除去する。
【０１３０】図９に示す工程では、前記主電極層２９上及びその周囲をレジストなどの有機材料で形成された絶縁材料層３０で覆う。形成方法としては、一旦、前記主電極層２９上や上部ギャップ層２８上全面にレジスト層を形成した後、露光現像で前記主電極層２９の上面及びその周囲にのみ前記レジスト層を残し、残されたレジスト層をポストベークして硬化させる。
【０１３１】次に前記絶縁材料層３０、上部ギャップ層２８及び電極層３１上に例えばＮｉＦｅ系合金などからなる磁性材料あるいは非磁性導電材料からなるメッキ下地層３２ａをスパッタ法や蒸着法で成膜した後、前記メッキ下地層３２ａ上に磁性材料製の上部シールド層３２をメッキ形成する。
【０１３２】以上、図４ないし図９に示す各工程によって図２、図３に示すＭＲヘッドｈ１を製造することが可能である。
【０１３３】なお図８工程で、主電極層２９と導電層３１とを同時に形成すれば、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することができるが、前記主電極層２９と導電層３１とを同時に形成せず、別々に形成してもよい。
【０１３４】また図５工程で下部ギャップ層２４に穴部２４ａを形成しなくても、以下の方法であれば、前記電極層２７に損傷を与えず、上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを開けることもできる。
【０１３５】すなわち図６工程で、まずレジスト層６７に穴部６７ａのみを露光現像で形成して、前記穴部６７ａから露出する上部ギャップ層２８を削って第２の穴部２８ａを形成し、前記第２の穴部２８ａから電極層２７表面を露出させる。次に前記レジスト層６７を一旦、除去し、次に新たなレジスト層を前記上部ギャップ層２８上に形成する。このとき前記上部ギャップ層２８に形成された第２の穴部２８ａ内も前記レジスト層で埋め、前記レジスト層に図６に示す穴部６７ｂのみを露光現像で形成し、前記穴部６７ｂから露出する上部ギャップ層２８及び下部ギャップ層２４を削って、前記下部シールド層２３表面を露出させる。
【０１３６】つまり上記した方法では、上部ギャップ層２８に形成される第１の穴部２８ｂと第２の穴部２８ａを別々のレジスト層を用いて別々の工程時に開けるのである。
【０１３７】上記した方法であれば、図５工程で、下部ギャップ層２４に穴部２４ａを開けなくても、電極層２７に損傷を与えずに、前記上部ギャップ層２８に第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂを形成できる。
【０１３８】また図９工程では、前記主電極層２９上及びその周囲を、レジストなどの有機絶縁材料で形成された絶縁材料層３０で覆っているが、無機絶縁材料層で覆うこともできる。
【０１３９】図１０（薄膜磁気ヘッドの製造工程中の部分縦断面図）に示す工程では、前記主電極層２９、上部ギャップ層２８及び導電層３１上にレジスト層６２を形成した後、露光現像によって前記レジスト層６２を前記導電層３１上、および薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面（図４に示すＡ−Ａ線からの切断面）から主電極層２９の前端面までの間に残す。
【０１４０】そして前記レジスト層６２に覆われていない主電極層２９上、および上部ギャップ層２８上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などで形成された無機絶縁材料層６３をスパッタ法や蒸着法などにより形成する。そして前記レジスト層６２を除去する。
【０１４１】上記した方法によって前記主電極層２９の上面及びその周囲に無機絶縁材料層６３を形成することができる。
【０１４２】なお、前記レジスト層６２を薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から主電極層２９の前端面までの間に残し、この部分に無機絶縁材料層６３が形成されないようにした理由は、この部分に無機絶縁材料層６３が形成されると、薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から前記無機絶縁材料層６３が露出し、下部シールド層２３と上部シールド層３２間の間隔、すなわちギャップ長Ｇｌが広がってしまうからである。高記録密度化に適切に対応するには、前記ギャップ長Ｇｌは短いことが好ましく、前記薄膜磁気ヘッドの前端面となるべき面から前記無機絶縁材料層６３が露出しないようにすることにより、前記ギャップ長Ｇｌを下部ギャップ層２４、磁気抵抗効果素子２５及び上部ギャップ層２８の膜厚を足し合わせた大きさで抑えることが可能になる。
【０１４３】また図４と図５に示す工程を逆に行ってもよい。その製造工程は図１１と図１２に示されている。
【０１４４】図１１に示す工程では、スライダ２０上に絶縁層２２、下部シールド層２３及び下部ギャップ層２４を形成した後、前記下部ギャップ層２４上にレジスト層６４を形成し、前記レジスト層６４に露光現像により穴部６４ａを形成する。そして前記穴部６４ａから露出する下部ギャップ層２４を除去し、前記下部ギャップ層２４に下部シールド層２３表面が露出する穴部２４ａを形成する。そして前記レジスト層６４を除去する。
【０１４５】図１２に示す工程では、前記前記下部ギャップ層２４上の全面に磁気抵抗効果素子２５を形成した後、前記磁気抵抗効果素子２５上にレジスト層６５を形成し、このレジスト層６５に前記ハードバイアス層２６及び電極層２７を形成するための穴部６５ａを露光現像で形成する。このとき、前記下部ギャップ層２４に形成された穴部２４ａ上のレジスト層も露光現像で除去して穴部６５ｂを形成する。
【０１４６】各穴部６５ａ、６５ｂからは不必要な磁気抵抗効果素子２５が露出しているので、前記磁気抵抗効果素子２５をＲＩＥ法やイオンミリング法などで除去した後、前記ハードバイアス層２６及び電極層２７を前記レジスト層６５に形成された穴部６５ａ、６５ｂ内に形成する。そして前記レジスト層６５を除去する。
【０１４７】その後、図６以降と同じ工程を辿るが、図１１１１及び図１２工程を経て形成された導電層３１は、３層構造となり、一番下がハードバイアス層２６と同じ材質層２６ａ、２層目が電極層２７と同じ材質の層２７ａ、３層目が主電極層２９と同じ材質の層になる。
【０１４８】また図８に示す工程で、主電極層２９と導電層３１を形成するとき、図１に示すように、磁気抵抗効果素子２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びる主電極層２９の間に前記導電層３１が位置するように、図６工程時に、上部ギャップ層２８に形成される第２の穴部２８ａと第１の穴部２８ｂの形成位置、及び図７工程時に、レジスト層６１に形成されるパターン６１ａ、６１ｂの形状を適切に規定することが好ましい。
【０１４９】また図１に示すようにトラック幅方向（図示Ｘ方向）における前記主電極層２９の間の真ん中に前記導電層３１を位置させることがより好ましい。
【０１５０】これにより前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生しても前記導電層３１がトラック幅方向（図示Ｘ方向）の真ん中に形成されたことでシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５１】また本発明では、図９に示す上部シールド層３２までを形成した後、図２あるいは図３に示すインダクティブヘッドｈ２を形成してもよい。
【０１５２】また本発明では、図９に示すＭＲヘッドｈ１を形成した後、あるいはＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とを積層形成した後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体Ｄ側の前端面に図２及び図３に示すように保護層４７を形成する。本発明では、前記保護層４７の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下で形成することが好ましい。これによりスペーシングロスを低減させることができ、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５３】なお本発明では、前記保護層４７をＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成することが好ましい。
【０１５４】以上のように本発明によれば、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層４３で電気的に接続することにより、前記下部シールド層２３と上部シールド層３２とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッドの製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保護層４７内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても、前記下部シールド層２３及び前記上部シールド層３２が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することができる。
【０１５５】このため本発明では、高記録密度化に適切に対応するために前記保護層４７の膜厚が薄く形成され、前記溶剤等が従来に比べて前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまでより到達しやすくなっても、前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食しにくい高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５６】また本発明では、前記導電層３１を主電極層２９と同じ形成時に同時に形成でき、少ない工程数で前記導電層３１を容易に且つ適切に形成することができる。
【０１５７】さらに本発明では、前記導電層３１の形成位置を、トラック幅方向における主電極層２９、２９間の特に真ん中に位置させることで、前記磁気抵抗効果素子２５等からの誘導電流が発生してもシールド層２３、３２に対する外部磁場の影響を弱くでき、シールド機能を適切に保つことができ、再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１５８】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部シールド層と上部シールド層間を導電層で電気的に接続することにより、前記下部シールド層と上部シールド層とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッドの製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保護層内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部シールド層及び上部シールド層にまで到達しても、前記下部シールド層及び前記上部シールド層が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することができる。
【０１５９】このため本発明では、高記録密度化に適切に対応するために前記保護層の膜厚が薄く形成され、前記溶剤等が従来に比べて前記下部シールド層及び上部シールド層にまでより到達しやすくなっても、前記下部シールド層及び上部シールド層が腐食しにくい高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図２】図１に示す２−２線から前記薄膜磁気ヘッドを切断した際の前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図３】本発明における別の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図４】図２及び図３の本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図、
【図１０】本発明における別の製造方法を示す一工程図、
【図１１】本発明における別の製造方法を示す一工程図、
【図１２】図１１の次に行なわれる一工程図、
【図１３】従来における薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【符号の説明】
２１ 薄膜磁気ヘッド
２３ 下部シールド層
２４ 下部ギャップ層
２４ａ （下部ギャップ層に形成された）穴部
２５ 磁気抵抗効果素子
２６ ハードバイアス層
２７ 電極層（サブ電極層）
２８ 上部ギャップ層
２８ａ 第２の穴部
２８ｂ 第１の穴部
２９ 主電極層
３０ 絶縁材料層
３１ 導電層
３２ 上部シールド層
４７ 保護層
６０、６１、６２、６４、６５、６７ レジスト層
６３ 無機絶縁材料層
Ｄ 記録媒体
ｈ１ ＭＲヘッド
ｈ２ インダクティブヘッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】 下部シールド層と、前記下部シールド層上に形成された下部ギャップ層と、前記下部ギャップ層上であって、記録媒体側の前端面からハイト方向に所定の長さで形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上から前記下部ギャップ層上にかけて形成された上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層と上部シールド層間は、前記上部ギャップ層及び下部ギャップ層を貫通する導電層によって導通接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】 主電極層が前記磁気抵抗効果素子と導通接続されて形成され、前記導電層は前記主電極層と同一材料で形成される請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】 前記主電極層は前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に延びて形成され、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間に形成されている請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】 前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間の真ん中に形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】 前記主電極層は前記上部ギャップ層上に形成され、前記主電極層上は絶縁材料層に覆われ、前記上部シールド層は、前記絶縁材料層、上部ギャップ層及び導電層上に形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】 前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】 前記記録媒体側の前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】 前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成される請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成し、前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成する工程と、（ｂ）前記磁気抵抗効果素子上から下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｃ）前記下部ギャップ層及び上部ギャップ層に前記下部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、この穴部内に導電層を形成する工程と、（ｄ）前記上部ギャップ層上及び前記導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【請求項１０】 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。（ｅ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成する工程と、（ｆ）前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側に電極層を形成する工程と、（ｇ）前記（ｅ）工程と（ｆ）工程間に、あるいは前記（ｆ）工程の電極層を形成した後に前記下部ギャップ層上に穴部を形成する工程と、（ｈ）前記磁気抵抗効果素子上、電極層上及び下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｉ）前記（ｇ）工程で下部ギャップ層に穴部が形成された位置と同位置に、第１の穴部を前記上部ギャップ層に形成し、また前記電極層上に形成された上部ギャップ層に、前記電極層にまで貫通する第２の穴部を形成する工程と、（ｊ）前記第２の穴部から上部ギャップ層上にかけて主電極層を形成し、前記第１の穴部内に導電層を形成する工程と、（ｋ）前記主電極層上を絶縁材料で覆い、前記絶縁材料層上、上部ギャップ層上及び導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【請求項１１】 前記（ｉ）工程で、上部ギャップ層に第１の穴部と第２の穴部を同時に形成する請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】 前記（ｊ）工程で、前記主電極層を形成すると同時に、前記主電極層と同じ材質で前記導電層を形成する請求項１０または１１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】 前記（ｊ）工程で、トラック幅方向における前記主電極層間に前記導電層が位置するように、前記主電極層及び導電層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】 前記トラック幅方向における前記主電極層間の真ん中に前記導電層が位置するように前記主電極層及び導電層を形成する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】 前記（ｄ）工程及び前記（ｋ）工程後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体側の前端面に保護層を形成し、前記保護層の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とする請求項９ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】 前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成する請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１】 下部シールド層と、前記下部シールド層上に形成された下部ギャップ層と、前記下部ギャップ層上であって、記録媒体側の前端面からハイト方向に所定の長さで形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上から前記下部ギャップ層上にかけて形成された上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層と上部シールド層間は、前記上部ギャップ層及び下部ギャップ層を貫通する導電層によって導通接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】 主電極層が前記磁気抵抗効果素子と導通接続されて形成され、前記導電層は前記主電極層と同一材料で形成される請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】 前記主電極層は前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に延びて形成され、前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間に形成されている請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】 前記導電層は、トラック幅方向における主電極層間の真ん中に形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】 前記主電極層は前記上部ギャップ層上に形成され、前記主電極層上は絶縁材料層に覆われ、前記上部シールド層は、前記絶縁材料層、上部ギャップ層及び導電層上に形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】 前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】 前記記録媒体側の前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】 前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成される請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成し、前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成する工程と、（ｂ）前記磁気抵抗効果素子上から下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｃ）前記下部ギャップ層及び上部ギャップ層に前記下部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、この穴部内に導電層を形成する工程と、（ｄ）前記上部ギャップ層上及び前記導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【請求項１０】 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。（ｅ）下部シールド層の上に下部ギャップ層を形成する工程と、（ｆ）前記下部ギャップ層上にハイト方向に所定の長さで磁気抵抗効果素子を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の両側に電極層を形成する工程と、（ｇ）前記（ｅ）工程と（ｆ）工程間に、あるいは前記（ｆ）工程の電極層を形成した後に前記下部ギャップ層上に穴部を形成する工程と、（ｈ）前記磁気抵抗効果素子上、電極層上及び下部ギャップ層上にかけて上部ギャップ層を形成する工程と、（ｉ）前記（ｇ）工程で下部ギャップ層に穴部が形成された位置と同位置に、第１の穴部を前記上部ギャップ層に形成し、また前記電極層上に形成された上部ギャップ層に、前記電極層にまで貫通する第２の穴部を形成する工程と、（ｊ）前記第２の穴部から上部ギャップ層上にかけて主電極層を形成し、前記第１の穴部内に導電層を形成する工程と、（ｋ）前記主電極層上を絶縁材料で覆い、前記絶縁材料層上、上部ギャップ層上及び導電層上に上部シールド層を形成する工程。
【請求項１１】 前記（ｉ）工程で、上部ギャップ層に第１の穴部と第２の穴部を同時に形成する請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】 前記（ｊ）工程で、前記主電極層を形成すると同時に、前記主電極層と同じ材質で前記導電層を形成する請求項１０または１１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】 前記（ｊ）工程で、トラック幅方向における前記主電極層間に前記導電層が位置するように、前記主電極層及び導電層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】 前記トラック幅方向における前記主電極層間の真ん中に前記導電層が位置するように前記主電極層及び導電層を形成する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】 前記（ｄ）工程及び前記（ｋ）工程後、薄膜磁気ヘッドの記録媒体側の前端面に保護層を形成し、前記保護層の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とする請求項９ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】 前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous Carbon）のうち１種または２種以上で形成する請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【図１】
【図４】
【図５】
【図７】
【図２】
【図３】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図２】
【図３】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００３−８５７１２（Ｐ２００３−８５７１２Ａ）
【公開日】平成１５年３月２０日（２００３．３．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−２７３７９５（Ｐ２００１−２７３７９５）
【出願日】平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１５年３月２０日（２００３．３．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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