表示パネルの製造方法および表示パネル
【課題】ラインバンク方式のような画素規定層を設けることなく、有機発光層の膜厚を均一化することができる表示パネルの製造方法等を提供する。
【解決手段】平坦化膜１０３上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法は、平坦化膜１０３の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁１１１と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ第１隔壁１１１の上端部よりも低い位置で第１の方向へのインクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁１２１とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が流路よりも高くなるように、第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁１１１の間にインクを第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【解決手段】平坦化膜１０３上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法は、平坦化膜１０３の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁１１１と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ第１隔壁１１１の上端部よりも低い位置で第１の方向へのインクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁１２１とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が流路よりも高くなるように、第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁１１１の間にインクを第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法および表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネル（以下、表示パネルと略記する）の研究・開発が進められている。この表示パネルでは、各画素部が、アノード電極およびカソード電極と、その間に介挿された有機発光層とを有している。そして、表示パネルの駆動においては、アノード電極からホール注入し、カソード電極から電子注入し、有機発光層内でホールと電子とが再結合することにより発光する。
【０００３】
上記有機発光層の製法の例として蒸着法と印刷法とが存在する。特に印刷法の一つであるインクジェット法によって画素領域にインクを滴下して発光層を形成する場合は、インク滴下により隣接する他の画素領域である他の色の材料と混ざる（混色）ことを防ぐために、隣接する他の画素領域との間を絶縁材料などから構成された隔壁（バンク）によって区画する必要がある。その隔壁を形成する方式には、複数のライン状に形成された隔壁によって有機発光層（画素領域）をストライプ状に区画する方式（ラインバンク方式：特許文献１）と、井桁状(格子状)に形成された隔壁によって各画素の周囲を囲繞する方式（ピクセルバンク方式）とが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２０００４９号公報
【発明の概要】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では以下のような問題が生じる。
ラインバンク方式の場合、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて画素領域に塗布すると、複数の画素領域に亘って有機発光層を形成する材料が移動するので、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一にできる。
しかし、ラインバンク方式の場合、ライン状に配置した複数の画素部の各々を区画するために、画素部の端部での発光を制御するための画素規定層という隔壁とは別の層を、ライン状の隔壁に直交させて配置することが必要となる。
【０００６】
そのため、この画素規定層という別の層の形成のために、有機ＥＬ表示パネルを形成するプロセスが一つ増え、コスト増になるという問題がある。
一方、ピクセルバンク方式の場合、前記画素規定層は不要となって、コスト上の問題は解消される。しかし、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて塗布した場合、複数の画素部（画素領域）の一つ一つは個々に規制されているため、複数の画素領域間に亘って有機発光層を形成する材料が移動せず、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一化することが難しいという問題がある。なお、上記問題は、他の機能を有する有機層を形成する場合にも同様に生じる。
【０００７】
本発明は、上記課題の解決を図るためになされたものであって、ラインバンク方式のような画素規定層を設けることなく、有機発光層の膜厚を均一化することができる表示パネルの製造方法および表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示パネルは、平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と具備し、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機発光層と同じ材料の層が存在する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法では、第２隔壁を形成するために、例えば従来のピクセルバンク方式を採用することができ、第２隔壁を容易に形成することができる。さらに、第２隔壁に対してフォトリソグラフィ等の従来技術を適用したり、平坦化膜の第２隔壁形成予定部位に窪み部を形成したりすることで容易に流路を形成することができる。
【００１１】
また、インクが滴下されると、第２隔壁を挟んで隣接する画素領域は、第２隔壁の流路を介して連続することとなり、少なくとも２つの画素領域間で有機発光材料を含むインクのレベリング（厚み調整）が可能となり、均一の発光層を得ることができる。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有しているため、画素領域に有機発光層をインクジェット方式で形成する際に、第２隔壁を挟んだ画素領域間でインクが連続することとなり、均一な膜厚の有機発光層を有することとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示すブロック図である。
【図２】画像表示部１０における画素部１００を示すＡ−Ａ’模式断面図である。
【図３】画像表示部１０における画素部１００を示すＢ−Ｂ’模式断面図である。
【図４】画像表示部１０におけるバンク１１１，１２１の構造を示す模式平面図および模式断面図である。
【図５】発光層１１３が形成される前のバンク１１１，１２１の構造を示す模式斜視図である。
【図６】平坦化膜に形成された窪み部１２３を示す模式平面図である。
【図７】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程を示す模式断面図である。
【図８】画像表示部１０の製造方法におけるアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図９】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程を示す模式断面図である。
【図１０】画像表示部１０の製造方法における有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１１】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程およびアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図１２】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程および有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１３】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程の一部を詳細に示す模式断面図である。
【図１４】インク１７２の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図１５】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１６】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１７】変形例２に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１８】変形例３に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図１９】変形例４に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図２０】変形例５に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図２１】変形例６の例１に係るインク５０５の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図２２】変形例６の例２に係るインク５１５の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図２３】変形例７に係るバンク１１１，５５３の構造を示す模式斜視図である。
【図２４】有機ＥＬ表示パネル１を含む有機ＥＬ表示装置６００を示す外観斜視図である。
【図２５】有機ＥＬ表示装置６００の要部構成を模式的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[本発明の一態様の概要]
本発明の一態様は、平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機発光層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【００１４】
ここでいう「インクを間欠的に滴下する」とは、インクを所定時間をおいて液滴として射出して滴下を行うことをいう。
また、前記インクの滴下は、前記一組の第１隔壁の間に存在する複数の画素領域と複数の第２隔壁とに対して行われる。あるいは、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域に下層窪み部を形成する工程を具備し、前記隔壁形成工程において、前記下層窪み部の内部形状に追従させて、前記下層窪みに対応した上層窪み部と前記第１隔壁よりも低い上面部とを有する第２隔壁を形成し、前記滴下工程における前記第２隔壁に対する前記インクの滴下は、前記上層窪み部に対して行われる。さらに、前記上層窪み部に滴下されたインクが溢れて、前記第１の方向への前記インクの流動が許容される。
【００１５】
また、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対して滴下するインク量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対して滴下するインク量よりも多い。あるいは、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出回数は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出回数よりも多い。あるいは、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出量よりも多い。
【００１６】
また、前記隔壁形成工程において、前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、塗布された隔壁材料が前記下層窪み部の内部に入り込んだ後、前記第１隔壁及び前記第２隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する。あるいは、前記マスクパターンは、前記第２隔壁の平面領域を前記下層窪み部の平面領域より広く残すマスクパターンである。
【００１７】
また、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域にマスクパターンを介して下層窪み部を形成する下層窪み部形成工程を具備し、前記下層窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである。あるいは、前記下層窪み部形成工程において、前記マルチトーンのマスクパターンによりコンタクトホールが形成される領域とコンタクトホールの周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて前記下層窪み部形成領域に対して露光し、前記平坦化膜に段差を有する下層窪み部を形成する。
【００１８】
また、前記隔壁形成工程において、前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、前記第１隔壁が形成される領域及び前記第２隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する。あるいは、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する電極層形成工程を具備し、前記画素電極層の端部の一部は、前記下層窪み部の内部に配置されており、前記隔壁形成工程において、前記第２隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆する。さらに、前記画素電極層は、前記画素領域から前記下層窪み部の内部に延び、前記下層窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、前記画素電極層の端部の一部は、前記屈曲した部分である。
【００１９】
本発明の一態様の表示パネルは、平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と具備し、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機発光層と同じ材料の層が存在する。
【００２０】
[実施の形態]
以下では、本発明を実施するための形態の一例について、図面を参酌しながら説明する。
なお、以下の説明で用いる形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の実施の形態に限定を受けるものではない。
１．有機ＥＬ表示パネル１の概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１（以下、「表示パネル１」と略記する）の全体構成について、図１を用い説明する。
【００２１】
表示パネル１は、画像表示部１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。画像表示部１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示器であり、複数の画素部が配列され構成されている。
また、駆動制御部２０は、信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３と制御回路２５とから構成されている。信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３には、後述する薄膜トランジスタ層に薄膜トランジスタからなる画素回路を制御する制御配線が接続されている。
【００２２】
信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３は、電力供給部（図２１参照）から電力が供給される。なお、実際の表示パネル１では、画像表示部１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
２．画像表示部１０の構成
画像表示部１０の構成について図２および図３を用いて説明する。なお、本実施の形態に係る画像表示部１０は、一例として、トップエミッション型の有機ＥＬ表示器を採用している。また、画像表示部１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色の発光材料を有する有機発光層を備える画素部１００を複数有し、これらがマトリクス状に配置され構成されている。なお、図１において、「円Ｃ」の内側に、複数の画素部１００の配列の一部を拡大して模式的に示した。
【００２３】
図２は、一部の画素部１００について、図1におけるＡ-Ａ’断面を模式的に示した図である。また、図３は、１つの画素部１００について、図２に示すＢ-Ｂ’断面を模式的に示した図である。なお、図２および図３の上側（Ｚ軸方向）を、画像表示部１０の上方として説明する。
画像表示部１０には、基板１０１の上面に薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）１０２が形成され、その上方に平坦化膜１０３が形成されている。
【００２４】
ＴＦＴ層１０２は、基板１０１上面に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０５や配線パターンが形成されてなる。そのＴＦＴ層１０２と平坦化膜１０３との間には、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７が介挿されている。なお、図２および図３において、ＴＦＴ層１０２を簡略化して図示しており、一部の構成の図示を省略している。
ＴＦＴ１０５は、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって作動させられ、各画素部１００に電力を供給する。ＴＦＴ１０５は、図３に示すように、ソース１０５ａ、ドレイン１０５ｂ、チャネル層１０５ｃ、ゲート絶縁膜１０５ｄ、ゲート電極１０５ｅが積層されてなる。
【００２５】
なお、一方のＴＦＴ１０５のソース１０５ａもしくはドレイン１０５ｂが延長され、画素部１００と電気的に接続されるＳＤ電極（ソースドレイン電極）１０６が形成されている。パッシベーション膜１０７は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）等の無機系誘電材料や、アクリル系、ポリイミド系等の有機系誘電材料によって形成されている。
【００２６】
平坦化膜１０３は、凹凸が存在するＴＦＴ層１０２上に堆積させられ、ＴＦＴ層１０２の上方に平坦面１０３ａが形成されている。なお、平坦化面１０３ａは、少なくとも画素部１００が形成される領域を平坦にできればよく、後述するコンタクトホールや窪み部等が形成されている等、全ての領域が平坦化されている必要はない。
また、平坦化膜１０３は、パッシベーション膜１０７と同等の機能を持たせることが可能であるので、その場合にはパッシベーション膜１０７は必須ではない。つまり、平坦化膜はＴＦＴ層の上面に形成される。
【００２７】
本実施の形態において、行列上に配された複数の画素部１００をストライプ状に区画するラインバンク方式が採用されている。そのため、画像表示部１０には、画素部１００をストライプ状に区画する複数の第１バンク１１１（図２）が、平坦化膜１０３上に並設されている。第１バンク１１１は、Ｙ軸方向に直線的に延設されている。また、第１バンク１１１の断面（Ｙ軸方向と直交する断面である。）形状は、図２に示すように、略台形状が望ましく、Ｘ軸方向の両側面１１１ａの各々が傾斜面となっており、頂部は概ね平坦な頂面１１１ｂとなっている（つまり、断面形状は、平坦化膜１０３の平坦化面１０３ａを基準にすると先細り状の台形状である。）。そして、２つの側面１１１ａが、それぞれ、画素部１００の有機発光層１１３の１側面を規定する隔壁として機能している。
【００２８】
互いに隣り合う第１バンク１１１間の領域には、平坦化膜１０３上面にアノード電極１１２が形成され、そのアノード電極１１２の上方または上面に有機発光層１１３が形成されている。なお、アノード電極１１２および有機発光層１１３は、画素部１００毎に分離された状態で形成されている。また、少なくとも発光領域において、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間には、例えば正孔注入層（図示省略）や正孔輸送層（図示省略）等が挿入されていても良い。
【００２９】
そして、第１バンク１１１および有機発光層１１３の上方または上面に、カソード電極１１４、および封止層（図示省略）が、順に積層形成されている。なお、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間には電子輸送層（図示省略）や電子注入層（図示省略）が、画素部１００の発光特性に応じて挿入されていても良い。また、図３において、Ｚ軸方向の最上部に、切断面の奥側にある第１バンク１１１の側面１１１ａに沿って形成されたカソード電極１１４が白塗りで図示されている。
【００３０】
また、画像表示部１０には、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間において、列状に配された複数の画素部１００間の領域を横断する複数の第２バンク１２１（図３）が形成されている。各第２バンク１２１は、一組の第１バンク１１１とそれぞれ連結されている。それら第２バンク１２１によって、第１バンク１１１の延設方向（Ｙ軸方向）における画素部１００の境界が形成されている。
【００３１】
第２バンク１２１の断面（Ｘ軸方向と直交する断面である。）形状は、第１バンク１１１と大きく異なっている。第２バンク１２１の断面形状は、図３に示すように、あたかも、第１バンク１１１と同様な断面形状のバンクが、平坦化膜１０３の窪みに陥没して形成されたような形状をしている。これは、後述するように第２バンク１２１の形成方法に起因するものである。
【００３２】
なお、第１バンク１１１，第２バンク１２１（以下、「バンク１１１，１２１」と略記する）および平坦化膜１０３は絶縁性を有している。
本実施の形態において、画素部１００は、平坦化膜１０３上に積層されたアノード電極１１２、有機発光層１１３、およびカソード電極１１４からなり、その平面視における領域（以下、平面領域と記載する）が、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって規定されている。
【００３３】
画素部１００の平面領域は、主に有機発光層１１３の平面領域によって定まり、有機発光層１１３は、Ｘ軸方向において一組の第１バンク１１１によって挟まれ、Ｙ軸方向において一組の第２バンク１２１によって挟まれ、その平面領域が制限されている。
すなわち、一組の第１バンク１１１間に並ぶ各画素部１００のＸ軸と交差する両側面は、一組の第１バンク１１１によって規定され、一組の第２バンク１２１間に並ぶ各画素部１００のＹ軸と交差する両側面は、一組の第２バンク１２１によって規定されているのである
３．各部構成
以下に、画像表示部１０の主要な構成の材料を示す。
ａ）基板１０１
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
ｂ）平坦化膜１０３
平坦化膜１０３には、ポジ型の感光性樹脂材料であるポリイミド系、アクリル系、シクロテン系、ノボラック系が用いられている。なお、平坦化膜１０３の材料として、例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン等の感光性樹脂材料を用いることもできる。また、ネガ型の感光性樹脂材料を用いてもよい。
ｃ）アノード電極１１２
アノード電極１１２は、金属性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成されており、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などを用い形成されている。また、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ等の半導体材料を用いてアノード電極１１２を形成することもできる。
【００３４】
ここで、金属性材料は、温度が上昇すると抵抗が大きくなるものを指し、半導体材料は、温度が上昇すると抵抗が小さくなるものを指す。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の場合には、高反射性の材料で形成されていることが好ましい。
ｄ）バンク１１１，１２１
バンク１１１，１２１は、樹脂等の有機材料で形成されており、ポジ型の感光性および絶縁性を有する。バンク１１１，１２１の形成に用いる有機材料の例としては、（シクロテン系樹脂）があげられる。そして、バンク１１１，１２１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。なお、ネガ型の感光性材料を用いることもできる。
【００３５】
さらに、バンク１１１，１２１の形成においては、塗布処理、露光・現像処理、ベーク処理などが施されるので、それらの処理の後にインク塗布工程での良好なインク撥水性や、パネルの駆動・保管時における分解ガス量が微量であること等、所望の機能を有する材料で形成されることが好ましい。
なお、バンク１１１，１２１の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以上の材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間でのリーク電流、あるいは隣接画素部１００間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
【００３６】
また、第１バンク１１１に撥液性をもたせるために、フッ素樹脂等の撥水性を有する材料を用いるか、あるいは表面をフッ素ガスでプラズマ処理することもできる。もし、バンク１１１を親液性の材料を用いて形成した場合には、画像表示部１０の製造時に、有機発光材料を含むインクがバンク１１１の表面を伝ってＸ軸方向に隣り合う画素部１００間を移動し、互いに異なる色のインクが混ざってしまう虞がある。
【００３７】
さらに、バンク１１１，１２１の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
ｅ）有機発光層１１３
有機発光層１１３は、アノード電極１１２から注入されたホールと、カソード電極１１４から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１１３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用いて製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００３８】
具体的には、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
ｆ）カソード電極１１４
カソード電極１１４は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００３９】
カソード電極１１４の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
ｇ）封止層
封止層は、有機発光層１１３などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
４．バンク１１１，１２１、アノード電極１１２および平坦化膜等の詳細な構成
以下、図２〜図４を参照して、第１バンク１１１，第２バンク１２１、および平坦化膜１０３等について説明する。図４（ａ）は、画像表示部１０の一部について、第１バンク１１１，第２バンク１２１の平面図を模式的に示した図である。また、図４（ｂ），（ｃ）はＸ−Ｘ’断面を、図４（ｄ），（ｅ）はＹ−Ｙ’断面を模式的に示した図である。なお、これらの図に、有機発光層１１３やカソード電極１１４は図示されていない。
ａ）画素領域１００ａ
図４（ａ）に示すように、画素部１００が形成される画素領域１００ａが、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって囲繞されている。各画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に長尺の矩形状とされている。なお、図４（ｂ），（ｃ）において、Ｚ軸方向の上側に、切断面の奥側にある第２バンク１２１が白塗りで図示されている。
【００４０】
各画素領域１００ａ（および画素部１００）は、図中の記号Ｒ，Ｇ，Ｂで示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色に対応している。また、画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に並ぶものが互いに同じ色に対応している。一方、Ｘ軸方向の並びに着目すると、画素領域１００ａの対応する色がＲＧＢの順に変化する。つまり、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間に存する複数の画素領域１００ａは、互いに同じ色に対応している。一方、任意の画素領域１００ａは、一組の第１バンク１１１によってＸ軸方向において区画された両隣の画素領域１００ａのそれぞれと異なる色に対応している。
ｂ）窪み部１２２
図５に発光層１１３が形成される前のバンク１１１，１２１の構造の斜視図を示し、図６に平坦化膜１０３の上面を示す。平坦化膜１０３の上面は、大部分が平坦面１０３ａとされているが、第２バンク１２１下の領域に、窪み部１２２が形成されている。
【００４１】
窪み部１２２は、上部が箱形状の箱形部１２３（上部窪み部）とされ、下部が略円柱形状のコンタクトホール部１２５（下部窪み部）とされている（図３および図４参照）。箱形部１２３の内部形状は底面および上面（正確には、開口の実存する面はなく、仮想上面となる。）が例えば長方形にされた角錐台形状とされ、コンタクトホール部１２５の内部形状は例えば円錐台形状とされており、それら箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とは連通している。
【００４２】
図６に示すように、窪み部１２２は、Ｙ軸方向において互いに隣り合う画素領域１００ａ間に、Ｘ軸方向において互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間の領域を横断して形成されている。また、箱形部１２３は、複数の画素領域１００ａの境界を形成する領域を、第１バンク１１１と交差する方向に横断して形成されている。
具体的には、箱形部１２３は、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１のうち、一方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置から、他方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置まで連続した領域に形成されている。なお、本実施の形態において、箱形部１２３は、Ｘ軸方向と交差する辺部（縁部）が、第１バンク１１１の側面１１１ａの下（この下の位置が図６において第１バンク１１１を示す２点鎖線である。）に進入した状態で形成されている。
【００４３】
また、平坦化膜１０３の上面において、Ｘ軸方向に隣り合う箱形部１２３の間には所定の間隔を置いた領域１０３ｂが存在し、当該領域１０３ｂの上方に第１バンク１１１の頂面１１１ｂが位置する。頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３（領域１０３ｂ）の高さは、画素領域１００ａにおける平坦化膜１０３の高さと同じにされている。つまり、平坦化膜１０３における領域１０３と画素領域１００ａとは同一平面内に存する。
【００４４】
一方、箱形部１２３が形成された領域では、平坦化膜１０３の高さは、頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３の領域１０３ｂの高さよりも低くなっている。なお、領域１０３ｂは、頂面１１１ｂに沿ってＹ軸方向に延びており、Ｙ軸方向において、高さが均一にされている。
箱形部１２３は、図６に示すように、四角形の底面１２３ａと、窪みの上方が拡大する向きに傾斜した４つの側面１２３ｂ，１２３ｃとを有する。この箱形部１２３内に、図３に示すように、アノード電極１１２の電極端部１１２ａ，１１２ｂが位置するようにアノード電極１１２が形成されている。
【００４５】
コンタクトホール部１２５は、平坦化膜１０３における箱形部１２３の下方に存する部分を貫通する穴であり、箱形部１２３の底面１２３ａに形成されている。そして、箱形部１２３の底面１２３ａ側と、ＴＦＴ１０５のＳＤ電極１０６側とにそれぞれ開口を有している。
なお、箱形部１２３は、平面視において四角形の形状をしているが、円形でも良く、多角形でも良い。さらには、コンタクトホール部１２５は、平面視において円形の形状をしているが、四角でも良く、多角形でも良い。
【００４６】
箱形部１２３とコンタクトホール部１２５との間には、図３に示すように、段差が生じている。窪み部１２２は、段差が形成された箇所において段階的に縮径しており、箱形部１２３の４つの側面１２３ｂ，１２３ｃや、コンタクトホール部１２５において連続的に縮径している。さらに、窪み部１２２は、段差が一段にされているが、複数段の段差を形成することができる。
【００４７】
また、各段差において、図３に示すように、コンタクトホール部１２５の開口縁は、角を有する形状であってもよいし、図３とは異なり、角がなく湾曲している形状であってもよい。さらにまた、箱形部１２３の側面１２３ｂ，１２３ｃと底面１２３ａとが交わる部分についても同様に、角を有する形状であってもよいし、角がなく湾曲している形状であってもよい。
【００４８】
また、本実施の形態において、箱形部１２３は、平坦化膜の上面（平坦面１０３ａ）に開口する上側開口部を有している。コンタクトホール部１２５は、平坦化膜の下面（パッシベーション膜１０７側の面）に開口する下側開口部を有している。
上記のコンタクトホール部１２５内には、図３に示すように、アノード電極１１２の一部が凹入してコンタクトプラグ１１２ｃが形成され、そのコンタクトプラグ１１２ｃはＳＤ電極１０６に電気的に接続されている。
ｃ）アノード電極１１２
アノード電極１１２は画素部１００ごとに設けられており、互いに隣り合う画素部１００のアノード電極１１２間には、絶縁のために所定の離間距離が確保されている。つまり、図３において、左側に位置する窪み部１２２内で、左側のアノード電極１１２の電極端部１１２ａと右側のアノード電極１１２の電極端部１１２ｂとが絶縁性を確保するために離れている。なお、コンタクトプラグ１１２ｃの円板形状の下端部によって、ＳＤ電極１０６との接続が行われ、この部分がコンタクト部となる。
【００４９】
なお、図６から分かるように、平面視において、コンタクト部の領域は、箱形部１２３の底面１２３ａの領域よりも小さくされている。つまり、窪み部１２２の平面視における面積が、コンタクトホール部１２５の平面視における面積よりも大きくされている。
また、Ｚ軸方向において、コンタクトホール部１２５の領域全てが、箱形部１２３の領域と重なっている。つまり、平面視において、コンタクトホール部１２３は、箱形部１２３の領域内に存在する。
ｄ）窪み部１２２と第１バンク１１１
図４（ｃ）のＸ２−Ｘ２’断面に示すように、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う窪み部１２２間には所定の離間距離が確保されている。具体的には、箱形部１２３は第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下には形成されていない。これは、平坦化膜１０３の第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域の高さを画素領域１００ａと同じにしておくためである。これにより、第１バンク１１１の頂面１１１ｂの高さがＹ軸方向において略均一になる。このように、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域１０３ｂ（図６参照）に窪み部１２２を形成しないことで、第１バンク１１１の形状や頂面１１１ｂの高さを良好に保つことができる。なお、前述のように、箱形部１２３は第１バンク１１１の側面１１１ａ下の領域１０３ｂに形成されているが、これは第２バンク１２１を全体的に低くし、有機発光材料を含むインクを塗布した場合に、Ｙ軸方向に並ぶ画素領域１００ａ間でインクの流動性を向上させるためである。
ｅ）窪み部１２２と第２バンク１２１
第２バンク１２１は、上記窪み部１２２の上面に形成され、窪み部１２２の内部形状に追従する形状になる。具体的には、第２バンク１２１は、図６に示す箱形部１２３の底面１２３ａと、４つの側面１２３ｂ，１２３ｃとに沿う形状とされ、図３及び図５に示すように、第２バンク１２１上部に窪み部１２２と略相似形の小さな窪みである窪み部１２７が形成されている。また、製造条件等によるが、コンタクトホール部１２５の上方に小さな窪みが形成される。
【００５０】
なお、窪み部１２７内には、製造上の都合により、有機発光材料１２９が堆積させられているが（図３）、第２バンク１２１によって絶縁されているため発光しない。
また、第２バンク１２１には、図６に示す平坦面１０３ａよりも高い位置に突出させられた突出部１２１ａが形成されている（図３参照）。その突出部１２１ａによって、Ｙ軸方向における画素部１００の境界が形成されている。具体的には、突出部１２１ａの有機発光層１１３側の傾斜面１２１ｂによって、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面が規定されているのである。このことから、箱形部１２３は、複数の画素部１００の各々の境界となる領域に形成され、当該箱形部１２３に第２バンク１２１が形成されている。
【００５１】
なお、正確には、突出部１２１ａは、アノード電極１１２の上面よりも高くされている。しかしながら、本実施の形態において、突出部１２１ａの平坦面１０３ａからの突出量に比して、アノード電極１１２の厚さは、例えば、１０分の１前後と非常に薄くされているため、上述のように簡明に表現した。
上記突出部１２１ａは、第１バンク１１１よりも低くされている。これにより、後述するように、有機発光材料を含むインク滴下時に、第１バンク１１１の延設方向へのインクの流動が許容される。つまり、第１バンク１１１（の上面あるいは上端部）よりも低い上面を有する第２バンク１２１により本発明の通路が構成される。また、画素領域１００ａに塗布されたインクは、第１バンク１１１により、異なる色に対応する隣の画素領域１００ａに流入することが防止される。
【００５２】
また、突出部１２１ａの端部は、Ｙ軸方向において、窪み部１２２外へ食み出し、平坦面１０３ａの上方（つまり、アノード電極１１２の上面）に位置している（図３や図４（ｅ））。すなわち、平面視において、第２バンク１２１の領域が、窪み部１２２の領域よりも大きくされているのである。その結果、電界が集中し易いアノード電極１１２の屈曲部１１２ｄが、第２バンク１２１によって覆われることとなる。具体的には、第２バンク１２１の突出部１２１ａと側壁１２１ｃとによって屈曲部１１２ｄが覆われている。なお、図３において、屈曲部１１２ｄは、角張った形状に描かれているが、比較的小さい曲率半径で折れ曲がっているような形状でもよい。その場合は、曲率半径の小さい部分を第２バンク１２１によって被覆することができる。
５．表示パネルの作動
上記画像表示部１０に画像を表示する場合、アクティブマトリクス方式により、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって、ＴＦＴ１０５を介して所定の画素部１００に電圧が印加される。その結果、所定の画素部１００のアノード電極１１２とカソード電極１１４との間に電流が流れて有機発光層１１３が発光させられる。また、画素部１００が対応する色（赤、緑、青）に応じて有機発光層１１３を形成する有機発光材料が異なり、各画素部１００は赤、緑、青のいずれかの色の光を放射する。
【００５３】
上記画像表示部１０は、有機発光材料を含んだインクが塗布された際に第２バンク１２２の上面に存する通路により、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上で連続することとなり、Ｙ軸方向に並ぶ複数の有機発光層１１３の膜厚が均一にされる。このため、輝度や色度も均一になり、良質な画像を表示することができる。
なお、前述のように、第２バンク１２１の窪み部１２７内に堆積した有機発光材料１２９は、第２バンク１２１によってアノード電極１１２と電気的に絶縁されているため、有機発光材料１２９に電流が流れず、発光することはない。
６．製造方法
上記表示パネル１の製造方法を、以下に説明する。
【００５４】
図７〜図１０に、画像表示部１０の製造時におけるＸ１−Ｘ１’断面およびＸ２−Ｘ２’断面を左右に並べて模式的に示す。また、図１１、図１２に、表示パネル１の製造時におけるＹ２−Ｙ２’断面を模式的に示す。
図７〜図１０において、Ｘ１−Ｘ１’断面を（ａ１）等に示し、Ｘ２−Ｘ２’断面を（ａ２）等に示している。なお、（ａ１）等および（ａ２）等を、単に（ａ）等と略記する場合がある。図７〜図１２において、基板１０１の図示を省略し、ＴＦＴ層１０２はＳＤ電極１０６以外の図示を省略する。また、Ｙ１−Ｙ１’断面については、他の図面および本実施の形態の説明から容易に推測できるため、図示を省略する。なお、上記図において、切断面の奥側にあるバンク１１１、１２１の側面や、窪み部１２２の側面等が白塗りで図示されている場合がある。これは、第１バンク１１１と第２バンク１２１との高さの違いを分かり易く示すためである。
ａ）平坦化膜形成工程
図７（ａ１），（ａ２）に示すように、ＴＦＴ層１０２上にポジ型の感光性材料からなるレジスト膜１３７が塗布された後に、マルチトーンマスク１４０を用いて露光が行われる。その後、現像処理において、図７（ａ２），（ｂ２）に示すように、光が照射された部分（露光部分）が取り除かれて、窪み部１２２（箱形部１２３およびコンタクトホール部１２５である。）が形成される。その後、焼成処理（ベーク処理）が行われる。
【００５５】
レジスト膜１３７は、スピンコート法等の液層製膜法によって塗布され、ＴＦＴ層１０２上の凹凸が埋まることで表面が平坦化される。なお、レジスト膜は、スピンコート法以外に、スリットコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法等の液層製膜法によっても塗布することもできる。
露光処理に用いられるマルチトーンマスク１４０は、光を透過させる透光部１４１と、透過光を弱める半透光部１４２と、光を遮る遮光部１４３とからなる。半透光部１４２は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものや、任意の透過率を持った膜をさらに積層して透過率を調整したもの等があり、このような半透光部１４２によって中間露光を実現している。特に、ＲＧＢ毎に窪み部１２３の深さを異ならせる場合のマルチトーンマスク１４０は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものが、好適である。
【００５６】
Ｘ１−Ｘ１’断面は、画素領域１００ａに対応しており、窪み部１２２が形成されないため、遮光部１４３によって遮光されている。その結果、図７（ｂ１）に示すように、平坦面１０３ａが維持される。一方、Ｘ２−Ｘ２’断面、Ｙ２−Ｙ２’断面では、それぞれ図７（ａ２），（ｂ２）、図１１（ａ），（ｂ）を対比すると分かるように、透光部１４１は、コンタクトホール部１２５の形成領域に対応し、半透光部１４２は箱形部１２３の形成領域（コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域）に対応している。なお、本実施の形態において、コンタクトホール部１２５の形成領域と箱形部１２３の形成領域とが重なっているため、上記半透光部１４２は、箱形部１２３の形成領域のうち、コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域に対応している。
【００５７】
現像処理において、透光部１４１を通過した強い光が照射された部分が取り除かれて、平坦化膜１０３を貫通する穴、つまり、コンタクトホール部１２５が形成される。また、半透光部１４２を通過した弱い光が照射された部分（コンタクトホール部１２５の形成領域を除く）が取り除かれて、平坦化膜１０３の上面が凹み、箱形部１２３が形成される。なお、パッシベーション膜１０７（図３参照）には、レジスト膜１３７が塗布される前に、リソグラフィ処理（露光、現像、エッチング処理等）により、コンタクトホール部１２５と連通する開口部が形成されている。もしくはパッシベーション膜１０７が形成されていない。
【００５８】
焼成処理により、例えば、レジスト膜１３７に残留していた溶媒等が取り除かれて形成された形状が安定するとともにＴＦＴ層１０２との密着性が向上する。
ここで、露光処理と窪み部１２２の形状との関係について簡単に説明する。箱形部１２３およびコンタクトホール部１２５は、上方に向かって拡径する形状とされている。これは、透光部１４１および半透光部１４２を通過した光が、回折によって広がることに起因する。
【００５９】
具体的に説明する。例えば、透光部１４１を直進する光は比較的強く、レジスト膜１３７の最深部まで到達するが、回折した光は比較的弱いため、レジスト膜１３７の中間あるいは表面までしか到達しない。特に、直進光との角度差が大きいほど光の強度が弱まる。その結果、透光部１４１に対応する部分はレジスト膜１３７の下面側に開口し、その周囲は徐々にレジスト膜１３７の厚さが増加するため傾斜面となるのである。
【００６０】
上記事情は、箱形部１２３についても同様である。なお、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７に形成された開口部がコンタクトホールの一部であると考えることもできる。その場合には、窪み部１２２は、コンタクトホールのうちの上記開口部を除いた部分の機能を有していると考えることができる。
ｂ）アノード電極形成工程
アノード電極１１２を形成する処理を、図８（ａ）〜（ｅ）、図１１（ｃ）〜（ｇ）に示す。
【００６１】
まず、平坦化膜１０３上に、例えばスパッタリング、真空蒸着等によりＡｇおよびＩＴＯ等の薄膜１４９を形成する（図８（ａ）、図１１（ｃ））。
次に、薄膜１４９上にポジ型のレジスト１５０を塗布し、モノトーンマスク１５１を用いて露光する（図８（ｂ）、図１１（ｄ））。モノトーンマスク１５１は、光を透過させる透光部１５２と、光を遮る遮光膜部１５３とからなる。このモノトーンマスク１５１によって、レジスト１５０の露光部分は格子形状になる。
【００６２】
そして、現像、焼成処理によって、レジスト１５０を所定のパターンに形成する（図８（ｃ）、図１１（ｅ））。このとき、レジスト１５０は、平面視において、格子形状の溝１５５によって区画され、複数の矩形状部分が行列状に並べられた形状にされる。
その後、ドライエッチング処理（あるいはウェットエッチング処理）により、薄膜１４９のレジスト１５０に被覆されていない格子形状の部分が取り除かれて平面視矩形状のアノード電極１１２が形成される（図８（ｄ）、図１１（ｆ））。その後、レジスト１５０が取り除かれる（図８（ｅ）、図１１（ｇ））。
ｃ）バンク形成工程
平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上にバンク１１１，１２１を形成するバンク形成工程について説明する。
【００６３】
アノード電極１１２が形成された平坦化膜１０３上に、ポジ型の感光性樹脂材料からなるバンク材料を塗布し、モノトーンマスク１６１を用いて露光する（図９（ａ）、図１２（ａ））。
バンク材料の塗布では、例えば、スピンコート法などを用い、平坦化膜１０３上にバンク材料層１６０を概ね均一な厚さで堆積させる。バンク材料層１６０における窪み部１２２の周辺部分では、窪み部１２２内へのバンク材料の流入があるため、バンク材料層１６０の厚みが薄くなっている。
【００６４】
なお、窪み部１２２等が形成されて凹凸のある部分では多少厚さが変化してもよい。バンク材料の塗布において、例えば、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法、スリットコート法などを用いることもできる。
モノトーンマスク１６１は、光を透過させる透光部１６２と、光を遮る遮光部１６３とからなる。本実施の形態では、バンク材料層１６０はポジ型の感光性材料からなるため、第１バンク１１１、第２バンク１２１が形成される部分が遮光され、バンク１１１、１２１以外の部分に光が照射される。
【００６５】
次に、現像処理によって画素領域１００ａ上のバンク材料層１６０が取り除かれ、残存部分が焼成処理される（図９（ｂ）、図１２（ｂ））。このように、第１バンク１１１および第２バンク１２１が同時に形成される。
上記第２バンク１２１に対する露光および焼成について、図１３（ａ），（ｂ）に模式的に示して説明する。これらは、それぞれ図１２（ａ），（ｂ）に対応している。
【００６６】
図１３（ａ）に示すように、遮光部１６３は、箱形部１２３よりも若干広い領域に対応している。これは、第２バンク１２１を箱形部１２３よりも若干広い領域に形成して、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄを被覆する他、第２バンク１２１の上面を第１バンク１１１の上面よりも低くするためである。
また、前述した図７（ａ２），（ｂ２）の露光処理と窪み部１２２の形状との関係と同様に、透光部１６２を通過した光が回折によって広がるため（図１３（ａ）中Ｐ，Ｑの矢印）、バンク材料層１６０のうちの遮光部１６２の下に位置する部分であって透光部１６２に近い部分を弱く照らすことができる。これにより、図１３の（ｂ）に示すように、画素領域側の側面が平坦化膜１０３から上方に離れるに従って窪み部１２２側に近づくように傾斜する側面１６６ａが形成される。
【００６７】
窪み部１２２の周辺のバンク材料層１６０は窪み部１２２内に流入するため、窪み部１２２の周辺でのバンク材料層１６０の厚みが、画素領域１００ａやＸ軸方向に隣り合う画素領域１００ａの間でのバンク材料層１６０の厚みよりも薄くなっている。すなわち、窪み部１２２の周辺でのバンク材料層１６０の上面位置が、第１バンク１１１となる画素領域１００ａ間でのバンク材料１６０の上面位置よりも低くなっている。
【００６８】
これにより、窪み部１２２の領域に形成される第２バンク１２１の上面は、特別なプロセスを経ずに、第１バンク１１１の上面よりも低くなる。
上記露光後の現像処理により、図１３（ｂ）に示す第２バンク１２１の未焼成体１６６が得られる。その後、焼成処理において、未焼成体１６６が変形し、画素領域１００ａ側の傾斜面１６６ａの傾斜角度が小さくなり（直線Ｒ）、第２バンク１２１が形成される。なお、この焼成処理において、未焼成体１６６の表面部分が溶融して、その溶融部分が画素電極１１２と密着し順テーパー形状となる。また焼成処理により、さらに画素領域１００ａ側（箱形部１２３の外側）に僅かに流動し、未焼成体１６６（あるいは第２バンク１２１）がＹ軸方向に広がる場合がある。
【００６９】
上述の露光、現像処理において、平坦下層１３０の窪み部１２２の上面及び窪み部１２２の周辺上面に第２バンク１２１が形成されることで、第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされる。第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされていることで、後述する印刷処理において、有機発光材料を含むインクが第２バンク１２１を越えて流動することが可能になる。
【００７０】
なお、第１バンク１１１の高さが一様でない場合、第２バンク１２１の高さが、第１バンク１１１の最小の高さよりも低ければよい。また、滴下された直後において、インク１７２の流動をよりスムーズにするために、第２バンク１２１の高さを、第１バンク１１１の高さの８０％以下にすることが好ましい。なお、ここでいうバンク１１１，１２１の高さは、平坦化膜１０３の平坦面１０３ａを基準とした高さとする。なお、本実施の形態において、第２バンク１２１の高さは、第１バンク１１１の高さの３０％以上かつ６０％以下にされている。
【００７１】
バンク１１１の形成においては、有機発光層１１３の形成に用いるインクが隣接する画素部１００に漏れ出さないようにするため、少なくとも表面の一部が撥液性にされている。なお、第２バンク１２１は、バンク１１１を構成する材料と同じあっても良いし、異なっても良い。同じ材料の場合、バンク１１１，１２１を効率的（同時）に成形することができる。
ｄ）有機発光層形成工程
有機発光層１１３の形成工程について説明する。
【００７２】
有機発光層１１３の形成には、インクジェット法が用いられる。図１０（ａ）、図１２（ｃ）、図１４（ａ）に、印刷装置のインクジェットヘッド１７０を示す。なお、図１４は、説明の便宜上、インクジェットヘッド１７０は、ノズル１７１を現すためにインクの射出方向から見た状態の図であり、ノズル１７１から射出されるインク１７２をインクジェットヘッド１７０の右側に示す。ノズル１７は、一組の第１バンク１１１間の略中央上方に配されるが、図１４では、画素領域の平面図を示すため、画素領域に重ならないように、インクジェットヘッド１７０と射出されたインク１７２とを表している。
【００７３】
インクジェットヘッド１７０は、図１０及び図１２に示すように、Ｙ軸方向に延設され、複数のノズル１７１から有機発光材料を含むインク１７２を第１バンク１１１間に間欠的に滴下する。各ノズル１７１からは、対応する色のインク１７２が射出される。ここでは、Ｙ軸方向に同色の画素が形成されるため、同一色のインク１７２が滴下される。
塗布されたインク１７３（画素領域等に着弾し接触しているインクを指し、ノズル１７１からは射出されているが着弾していないインク１７２と区別する。）は、その表面張力によって第１バンク１１１間で盛り上がり、上面が湾曲した状態となる（図１０（ｂ））。第１バンク１１１は撥液性にされており、塗布されたインク１７３がはじかれて第１バンク１１１を超えにくくされている。それは、Ｘ軸方向に隣り合う画素領域１００ａには、互いに異なる色のインク１７２が塗布されているため、第１バンク１１１を超えて異色のインク１７２が混ざらないようにするためである。
【００７４】
また、インク１７２は、第２バンク１２１上にも滴下され（図１２（ｃ））、第２バンク１２１上にもインク１７３が塗布される。塗布されたインク１７３は、その表面張力によって第２バンク１２１上で盛り上がり、上面が湾曲する状態で隣り合うインク１７３同士がつながる（図１２（ｄ））。これにより、塗布されたインク１７３が、Ｙ軸方向に連なった状態となり、Ｙ軸方向に流動できるようになる。このため、第２バンク１２１を挟んでＹ軸方向に隣接する画素領域１００ａ上に塗布されたインク量が平均化される（図１４（ｂ））。
【００７５】
なお、第２バンク１２１は、撥液性にされているため、第２バンク１２１上に塗布されたインク１７３は平面視において円形状をしているが、時間の経過と共に乾燥が始まり、結果的に図１（ｂ）に示すように平坦状となる。
塗布されたインク１７３を乾燥させると、所定の厚さの有機発光層１１３が形成される（図１０（ｃ）、図１２（ｆ））。また、第２バンク１２１の窪み部１２７内に、有機発光材料１２９が堆積するが、前述のように発光しないようにされている。
【００７６】
インク１７２の滴下は、図１４（ａ）に示すように、列方向に等間隔をおいて行われ、画素領域１００ａに対してだけでなく、第２バンク１２１に対して行われる。具体的には、窪み部１２２と、窪み部１２２の両側（窪み部１２２に対して列方向の隣り合う両側部分である。）の合計３か所である。窪み部１２２の両側の位置は、第２バンク１２１上であって隣り合う画素領域１００ａに近い位置である。
【００７７】
第２バンク１２１上に塗布されるインク１７２を射出する間隔、つまり、ノズルピッチは、第２バンク１２１上に塗布された後（着弾後）のインク１７３の直径ｄ（図１４（ｂ））よりも小さい必要がある。なお、着弾後のインク１７３の直径は、インク量、第２バンク１２１の撥液性等によって変化するが、試し打ち等により求めることができる。
インク１７２の滴下量は、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで区画される画素領域１００ａであって、塗布されたインク１７３の上面が第２バンク１２１の上面よりも高くなるように、設定される必要がある。
ｅ）カソード電極形成工程等
カソード電極１１４を形成する工程について説明する。
【００７８】
スパッタリング法、真空蒸着法等によって陰極材料を有機発光層１１３等上に堆積させ、カソード電極１１４を形成する（図１０（ｃ）、図１２（ｇ））。なお、カソード電極１１４の層上には、真空蒸着法によって封止膜が製膜されても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に樹脂を封入して封止膜としても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に不活性ガスを封入しても良い（図示省略）。
７．作用効果
本実施の形態の表示パネル１は、複数の画素部１００をライン状の第１バンク１１１によってストライプ状に区画するラインバンク方式とされている。なお、一組の第１バンク１１１により区画されている複数の画素部１００が配列する方向が本発明の「第１の方向」に相当する。
【００７９】
一方、複数の画素部１００を区画する第２バンク１２１は、その高さが第１バンク１１１の高さよりも低く形成されている。これにより、有機発光層１１３を形成する場合に、第２バンク１２１上に塗布されたインク１７３を介してＹ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上に塗布されたインク１７３が連続することとなり、塗布されたインク１７３がＹ軸方向に流動でき、Ｙ軸方向に並ぶ複数の画素領域１００ａにおいて、インク１７２の塗布量が均一になる（図１２（ｄ）〜（ｅ））。
【００８０】
また、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上に塗布されたインク１７３が第２バンク１２１上で連続することでＹ軸方向に流動でき、乾燥後の有機発光層１１３の膜厚を調節しやすくなる。例えば、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上のインク１７３が第２バンク１２１上で連続していない場合、各画素領域１００ａに滴下するインク１７２の液滴数を１つでも増減させると有機発光層１１３の膜厚が比較的大きく変化して、目標の厚さにすることが困難な場合がある。それに対して、本実施の形態の表示パネル１では、窪み部１２２の容積を調節し、第２バンク１２１の窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の体積を調節することで、有機発光層１１３の膜厚を微調整することが可能である。
【００８１】
また、本実施の形態の表示パネル１では、平坦化膜１０３に窪み部１２３が形成されており、その窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。そのため、バンク１１１，１２１を露光する際には、マルチトーンマスク１４０の使用が必須ではなくなり、マルチトーンマスク１４０に適合したバンク材料を選択する必要はない。よって、バンク材料の選択肢が増加し、バンク材料の制約が少なくなる。ただし、マルチトーンマスク１４０を使用し、かつ、窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成してもよい。
【００８２】
なお、マルチトーンマスクを用いた場合でも、平坦化膜１０３に深さの異なる穴を形成することは一般的に行われていることから、平坦化膜１０３に必然的に形成されるコンタクトホールと窪み部とを同時に形成することは容易である。すなわち、製造工程数を増加させずに、互いに高さの異なる２つのバンク１１１，１２１を同時に形成することができるのである。なお、本実施の形態において、窪み部１２２がコンタクトホール部１２５を有しており、窪み部１２２がコンタクトホールの機能を備えている。
【００８３】
また、本実施の形態の表示パネル１では、アノード電極１１２は、画素領域１００ａだけでなく、窪み部１２３内に延びている。アノード電極１１２の窪み部１２３内に配置された部分は、第２バンク１２１に覆われているため、有機発光層１１３を発光させるために寄与しない。しかしながら、仮に画素領域１００ａに電極端部１１２ｂが位置していると、局部的な電流（あるいはショート）を防止するために第２バンク１２１によって電極端部１１２ｂを被覆した場合に、アノード電極１１２の露出面積が減少してしまう可能性がある。その結果、有効に発光し得る面積が減少する。
【００８４】
それに対して、本実施の形態において、電極端部１１２ａ，１１２ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２の露出面積が減少しにくくなり、有効に発光し得る面積が大きくなる。
なお、電極端部１１２ａ，１１２ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２に窪み部１２３の開口縁に沿う屈曲部１１２ｄが形成されることとなるが、第２バンク１２１は窪み部１２３より広くされているため、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄが覆われ、有機発光層１１３に局部的に電流が流れることが防止されている。
【００８５】
また、本実施の形態の表示パネル１では、平面視において、窪み部１２２が形成される領域内に、コンタクトホール部１２５が形成されている。窪み部とコンタクトホールとを異なる領域に形成すると、画素領域１００ａが狭くなってしまうが、窪み部１２２内にコンタクトホール部１２５が形成されていることにより、画素領域１００ａの減少を抑制することができる。
８．第２バンクの窪み部について＜変形例１＞
第２バンク１２１の窪み部１２７の形状は、箱形部１２３の形状を変えることで容易に変化させることができる。図１５、図１６には、それぞれ、箱形部１２３の深さ、広さを変化させることにより、第２バンク１２１の窪み部１２７の深さＤ、広さＷを変えた例を示す。窪み部１２７の深さ、広さを変えることで、窪み部１２７の容積（内部空間の体積）を変化させ、有機発光層１１３の厚みを調整したり、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を増減させたりできる。
【００８６】
なお、窪み部１２７には、有機発光材料１２９が堆積するが電流が供給されないため、発光に寄与しない。しかしながら、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を変化させることで、画素領域１００ａでの有機発光層１１３の膜厚を調節することが可能である。例えば、赤、緑、青の色ごとに有機発光層１１３の膜厚を調節する場合に、各色のインク１７２の滴下量を変えなくとも、予め窪み部１２７の体積を色ごとに異ならせておくことで、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することができる。そして、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することにより、発光色に応じた輝度、色度調整が容易になる。なお、３色全ての有機発光層１１３の膜厚を色ごとに異ならせることは必須ではなく、例えば、３色中の２色の有機発光層１１３の膜厚が等しくてもよい。
【００８７】
箱形部１２３の深さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０に、互いに透過率の異なる複数の半透光部１４２を設けることができる。そして、マルチトーンマスクを、深い窪み部を形成する部分に透過率の高い半透光部が対応し、浅い窪み部を形成する部分に透過率の低い半透光部が対応するように形成する。そのマルチトーンマスクを用いて露光、現像処理を行うことによって、深さの異なる窪み部を同時に形成することができる。なお、窪み部を深くする場合、平坦化膜１０３を貫通させてもよい。
【００８８】
箱形部１２３の広さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０の半透光部１４２の広さを変えることができる。
なお、色ごとに箱形部１２３の深さと広さとの両方を異ならせることもできる。
本変形例において、箱形部１２３の深さや広さは変化するが、コンタクトホール部１２５の下側開口部の大きさや形状は変化しない。これにより、アノード電極とＴＦＴ層１０２との導電性を変化させずに済む。
９．第２バンクの傾斜面について＜変形例２＞
第２バンク１２１は、Ｙ軸方向の端部の画素領域１００ａ側の傾斜面１２１ｂにおいて、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面を規定している。その傾斜面１２１ｂの傾斜角度を、赤、緑、青の色ごとに異ならせることができる。
【００８９】
図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）に、それぞれ傾斜面１２１ｂの傾斜角度をθ１〜θ３と、異ならせた例を示す。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を調整するには、箱形部１２３に対する第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを調節することでなされる。例えば、図１７（ａ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを短くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を小さくした場合、バンクの焼成処理（図１３（ｂ）参照）で説明した変形の度合いが大きくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。逆に、図１７（ｃ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを長くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を大きくした場合、焼成処理による変形の度合いが小さくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。図１７（ｂ）では、箱形部１２３からの食み出し量が（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさにされており、傾斜面１２１ｂの傾斜角度も（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさになる。
【００９０】
なお、図中の直線Ｍ１，Ｍ３によって、（ａ）と（ｃ）とにおける箱形部１２３からの食み出し量の違いを視覚的に表している。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を各色のインク１７２に適した角度とすることで、例えば、乾燥後に形成される有機発光層１１３の膜厚が不均一になることを防止する等、有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。
【００９１】
具体的に説明する。複数の画素領域１００ａ上等に滴下された直後のインク１７３は、Ｙ軸方向に連なった状態で貯留されている（図１２（ｄ）参照）。しかし、乾燥が進み、貯留されたインク１７３の上面高さが第２バンク１２１以下になった場合、各画素領域１００ａ上のインク１７３は、第２バンク１２１の窪み部１２７上のインク１７３と分離される。そして、第２バンク１２１の傾斜面１２１ｂが撥液性にされ、かつ、乾燥途中のインク１７３に流動性が残っている場合は、各画素領域１００ａ上のインク１７２の上面は、その表面張力によって湾曲する。その湾曲の度合いを、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を適切にすることで、乾燥後の有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。傾斜面１２１ｂの傾斜角度は、例えば、各色のインク１７２の粘性や表面張力に基づいて決定することができる。なお、３色全ての有機発光層１１３に対応する傾斜面１２１ｂの傾斜角度が互いに異なっている必要はなく、２色分の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が同じであってもよい。すなわち、各色で使用するインク１７２の特性に合わせて適切な傾斜角度を設定できるので、使用できるインクの選択肢が増える。
【００９２】
なお、特開２００７−３１１２３５号公報には、バンク表面に親液性の突状部を形成することで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止している。それに対して、本変形例の表示パネル１では、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を変えることで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止することができる。
１０．画像素示部の構造について＜変形例３＞
上記実施の形態において、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間に有機発光層１１３が挟まれていた。さらに、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間にホール注入輸送層を介挿し、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間に電子注入層を介挿することができる。
【００９３】
図１８に、図１におけるＡ−Ａ’断面を模式的に示す。本変形例の画像表示部２００は、アノード電極１１２上にホール注入輸送層２０１が積層形成され、有機発光層１１３上に電子注入層２０２が積層形成されている。
ホール注入輸送層２０１は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１１３に対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。そのホール注入輸送層２０１は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化金属によって形成することができる。ここで、ホール注入輸送層２０１を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。なお、ホール注入輸送層２０１については、上記のような金属酸化物を以って形成する他に、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）や、フタロシアニン系、トリアリールアミン系、トリフェニルアミン系、などを用い形成することもできる。
【００９４】
ホール注入輸送層２０１の形成は、前記アノード電極形成工程の後、バンク形成工程の前に行われる。そして、スパッタリング法、真空蒸着法等によって平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、ホール注入輸送層２０１が形成される。なお、ホール注入輸送層２０１を酸化金属によって形成する場合には、平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、金属膜を製膜し、その金属膜を酸化することによってホール注入輸送層２０１を形成することができる。
【００９５】
電子注入層２０２は、カソード電極１１２から注入された電子を有機発光層１１３へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フッ化リチウム、などで形成されることが好ましい。
電子注入層２０２の形成は、有機発光層形成工程の後、カソード電極形成工程の前に行われる。そして、真空蒸着法等によって上記材料が有機発光層１１３およびバンク１１１，１２１上に製膜される。
【００９６】
本変形例の画像表示部２００でも、バンク形成工程において、窪み部１２２の上方に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。よって、前記実施の形態に記載の作用効果を奏することができる。また、本変形例の画像表示部２００は、ホール注入輸送層２０１と電子注入層２０２とを備えており、有機発光層１１３への電荷（ホール、電子）の供給バランスを制御でき、より発光効率が高くなる。
【００９７】
なお、本変形例において、ホール注入輸送層２０１が平坦化膜１０３の全面を覆うように形成されているが、アノード電極１１２上だけに形成してもよい。また、アノード電極１１２が反射電極である場合、アノード電極１１２とホール注入輸送層２０１との間に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜等からなる電極被覆層を介挿してもよい。また、本変形例において、電子注入層２０２を省略してもよい。なお、本変形例において、箱型部の底面は、第１バンク１１１の底面より低くされ、さらに、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下におけるホール注入輸送層２０１の下面よりも低くされている。
１１.平坦化層の窪み部について＜変形例４＞
前記実施の形態および変形例において、窪み部１２２は、箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とを有していた。その箱形部１２３を、平坦化膜の下面側に開口するまで深くして、窪み部１２２の容積を最大にすることもできる。
【００９８】
図１９は、本変形例における表示パネルの断面（図２のＢ−Ｂ'断面に相当する）を示す図である。本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施の形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施の形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
平坦化膜２５３には、略四角錐台形状の窪み部２７２が形成されている。この窪み部２７２は、上側開口部の形状は前記実施の形態の窪み部１２２と同じにされている。窪み部２７２の底面２７２ａは、パッシベーション膜１０７の上面によって形成されている。また、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，２７２ｃ（図１９には側面２７２ｂだけ、代表的に示す）には、いずれも段差は形成されておらず、窪み部２７２は、上側開口部から下側開口部に向かって連続的に縮径する形状とされている。
【００９９】
上記窪み部２７２は、前記図７（ａ２），（ｂ２）、および図１１（ａ），（ｂ）の工程において、概ね底面２７２ａに相当する領域に、透光部１４１の光を照射した後、現像することで形成することができる。つまり、マルチトーンマスクを用いなくとも、モノトーンマスクを用いた露光処理によって窪み部２７２を形成することができる。なお、前記図７（ａ２），（ｂ２）の工程において説明したように、露光処理における光の回折に起因して、側面２７２ｂ，２７２ｃが傾斜し、窪み部２７２が下方に向かって縮径する形状となっている。
【０１００】
また、窪み部２７２内に配置されたアノード電極２６２は、パッシベーション膜１０７の開口１０７ａを通り抜け、コンタクト部２６２ｇにおいてＳＤ電極１０６に接続されている。このように、本変形例の窪み部２７２は、平面視において、コンタクト部２６２ｇと重なる領域に形成されており、コンタクトホールとしての機能を兼ね備えている。
第２バンク２７１は、窪み部２７２の底面２７２ａおよび側面２７２ｂ，２８２ｃに沿った形状とされている。また、前記実施の形態の第２バンク１２１と同様に突出部２７１ａ、および、傾斜面２７１ｂが形成されている。窪み部２７２が深くなっていることで、第２バンク２７１の上部の窪み部２７７の容積は、前記実施の形態の窪み部１２７よりも大きくなっている。その結果、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積は、前記実施の形態の有機発光材料１２９の体積よりも大きくなっている。なお、図において、有機発光層１１３の膜厚は前記実施の形態と同じにされているが、インクの塗布量を等しくした場合、本変形例の有機発光層の膜厚は、前記実施の形態のものより薄くなる。
【０１０１】
第２バンク２７１の形成、および、有機発光層１１３の形成は、前記実施の形態と同様である。
本変形例では、窪み部２７２を有する平坦化膜２５３を、モノトーンマスクを用いて露光することができ、平坦化膜２５３の形成が容易である。また、窪み部２７２の容積を可及的に大きくできるため、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積を大きくしたい場合に好適である。なお、本変形例では、図１９に示すように、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，２７２ｃ（図において、側面２７２ｂを代表的に示す）は、それぞれ平面とされているが、これに限られない。即ち、窪み部２７２の側面は、少なくとも一部が曲面であってもよい。なお、窪み部２７２の側面全てが曲面であってもよく、例えば、窪み部をお椀状の形状にしてもよい。
１２．第２バンクの窪み部について＜変形例５＞
前記実施の形態および変形例では、窪み部１２２等は、Ｘ軸方向において、第１バンク１１１の側面１１１ａ下に進入していたが、第１バンク１１１下に進入しない態様とすることもできる。
【０１０２】
図２０（ａ），（ｂ）は、本変形例における表示パネルの断面（それぞれ、図４のＸ１−Ｘ１’断面、Ｘ２−Ｘ２'断面に相当する）を示す図である。この図において、有機発光層やカソード電極の図示が省略されている。
本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施の形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施の形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
【０１０３】
本変形例では、Ｘ軸方向において、窪み部４２２の縁部（側面４２３ｃの上端）は、第１バンク４１１の側面４１１ａの下端位置でとどまっており、第１バンク４１１下に進入していない（側面４１１ａの下端位置と窪み部４２２の縁部とが一致している。）。そのため、第２バンク４２１には、中央に第１バンク４１１より低い低部４５１（低部により、本発明の「流路」の一部が構成される。）が形成され、Ｘ軸方向における端部に第１バンク４１１と同じ高さの高部４５２が形成されている。その結果、低部４５１のＸ軸方向における長さが、前記実施の形態の第２バンク１２１より小さくなっている。この点では、インクの流動性を向上させるという観点で、前記実施の形態の第２バンク１２１よりも劣っている。しかしながら、第１バンク４１１の頂面４１１ｂの高さをより安定的に確保するという点で、前記実施の形態よりも優れている。
【０１０４】
また、本変形例では、窪み部４２２の容積が小さくなっているが、コンタクトホール部４２５の大きさは前記実施の形態と同じであり、箱形部４２３の容積が減少している。また、箱形部４２３の容積が減少したのに伴い、第２バンク４２１の上部の窪み部４２７の容積も小さくなっている。
なお、第１バンク４１１と第２バンク４２１との境界は明確ではないが、第１バンク４１１のうちの画素領域１００ａに隣接する部分を延長した部分が第１バンク４１１であり、図２０（ｂ）において、第１バンク４１１の側面４１１ａを破線で示す。また、図２０（ｂ）において、第１バンク４１１を除いた部分が第２バンク４２１となる。つまり、第１バンク４１１のＸ軸方向の外側部分（破線の外側部分）が第２バンク４２となる。
【０１０５】
なお、上記高部４５２を第１バンク４１１の構成要素と考えることもできる。その場合には、本変形例では、第１バンク４１１の幅（Ｘ軸方向における長さ）が一定ではなく、第２バンク４２１と隣接する部分において広くなっていると考えることができる。そのように考えた場合、窪み部４２２の縁部が、第１バンク４１１の側面４１１ａの下に進入している態様となる。
１３．インクの滴下について＜変形例６＞
上記実施の形態では、第２バンク１２１上にインク１７３を塗布（貯留）するために、第２バンク１２１上の３か所に対してインク７２を射出していたが、第２バンクを介してＹ軸方向（本発明の「第１の方向」である。）に隣り合う画素領域に塗布されたインクが第２バンク上のインクを介して連続すれば良く、インクの塗布方法等は実施の形態で説明した方法に限定されるものではない。以下、別の塗布方法について図２１、図２２を用いて説明する。なお、インクが塗布される画素領域の構造は上記実施の形態と同様である。
ａ）例１
本例１において、インクジェットヘッド５０１は、実施の形態と同様に、Ｙ軸方向に等間隔に設けられた複数のノズル５０３を有している。第２バンク１２１へのインク５０５の射出は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して２回行われる。つまり、画素領域１００ａへのインク５０５の射出回数は１回であり、第２バンク１２１へのインク５０５の射出回数は２回である。
【０１０６】
なお、本例では、第２バンクの幅（Ｙ軸方向（第１の方向）の寸法である。）が広く、インクの塗布量が多い場合について説明している。例えば、１回のインクの射出量が多い場合は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して１回行われても良い。
ｂ）例２
本例２において、インクジェットヘッド５１１は、実施の形態と同様に、Ｙ軸方向に等間隔に設けられた複数のノズル５１３を有している。第２バンク１２１へのインク５１５の射出は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して行われる。ここでは、第２バンク１２１画素領域１００ａとも射出回数は１回であるが、第２バンク１２１上に射出されるインク量（５１５ａ）は、画素領域１００ａ上に射出されるインク量（５１５ｂ）よりも多くなっている。なお、１回の射出でのインク量を変化させるには、例えば、インクの吐出電圧を変化させたり、第２バンク１２１へと射出するノズル位置が固定されている場合にはノズル径を変化させたりすることで実施できる。
ｃ）例３
上記実施の形態や上記例では、インクを第２隔壁の上面に対して滴下している。これは、バンクを撥液性材料で構成した場合、第２バンク上でインクが弾かれてしまい、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域上のインクが連続しないためである。
【０１０７】
したがって、バンクを親液性の材料で構成した場合、上記のようにインクが弾かれることがないため、第２バンク上にインクを滴下しなくても、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域上のインクが第２バンク上で連続する可能性はある。
１４．第２隔壁＜変形例７＞
実施の形態では、第２隔壁の上面部を第１隔壁の上端部（上面部）よりも低くして流路を構成していたが、第１隔壁からインクがあふれることなく、第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域間でインクが連続して流動できれば良く、第２隔壁のすべての上面部（突出部１２１ａの上面）を第１隔壁よりも低くする必要はない。
【０１０８】
すなわち、実施の形態ではラインバンク方式のバンクを用いた表示パネルに対して本発明を適用した場合について説明したが、本発明はピクセルバンク方式のバンクを用いた表示パネルに対しても適用できる。
以下、第２隔壁についての実施の形態と別の形態について図２３を用いて説明する。なお、実施の形態で説明した部材・構造と同じものは、同じ符号を用いて説明する。
【０１０９】
平坦化膜１０３の上面には複数の画素領域１０３ａが２次元（行列状である。）配置されている。画素領域１０３ａと画素領域１０３ａとの間には、Ｙ軸方向（第１の方向）に延伸する第１バンク１１１と、Ｘ軸方向（第２の方向）に延伸する第２バンク５５３とがそれぞれ形成されている。
第２バンク５５３の上面部５５３ａは、第１バンク１１１の上面部１１１ｂと同じ高さになっている。第２バンク５５３の上面部５５３ａには、第２バンク５５３をＹ軸方向から挟む２つの画素領域１００ａを結ぶ溝５５３ｂが形成されている。
【０１１０】
溝５５３の底は、有機発光層を形成する際に塗布されるインク（乾燥前である。）の上面よりも低い位置にある。すなわち、溝５５３は、第２バンク５５３をＹ軸方向から挟んだ２つの画素領域間でインクの流動が可能となる深さを有している。
なお、溝５５３ｂの断面形状は、ここでは「Ｖ」字状をしているが、例えば、「Ｕ」状、「凹」状、段付の凹状等の他の形状であっても良い。また、平面視において、溝５５３ｂはＹ軸方向に直線的に延伸しているが、例えば、湾曲していても良いし、枝分かれしても良い。さらに、溝５５３ｂの本数は、１本に限定するものでなく、複数本あっても良い。
［その他］
１．流路
ａ）構成
実施の形態において、流路は、一組の第１隔壁における互いに対向しあう面と、第２隔壁の上面とで構成されている。つまり、一組の第１隔壁間であって塗布されたインクの上面よりも低い位置に存在する第２隔壁の上面部とで流路が構成される。
【０１１１】
変形例７においては、流路は、第２隔壁に形成された溝であって塗布されたインクの上面よりも低い部分で構成されている。
このように、流路は、第１隔壁と第２隔壁とで構成しても良いし、第２隔壁だけで構成しても良い。なお、流路を第２隔壁だけで構成する場合、第２の隔壁の上面部は第１隔壁の上面部よりも高くても良いし、低くても良い。
ｂ）形状
流路は、実施の形態や変形例７で示すように、隣り合う画素領域間でインクの流動が許容されれば、その形状を特に限定するものではない。また、本数についても変形例７の欄で説明したように特に限定するものではない。
ｃ）容量
実施の形態では流路の一部を第２隔壁の窪み部で構成し、窪み部の容量を変化させたものを変形例４で説明している。このように、流路に流れるインクの流量について特に限定するものではないが、流路の容量を調節することによって、画素領域に塗布されたインクの膜厚を調整できるという効果がある。
２．画素領域と第１及第２の方向
実施の形態では、画素領域は平面視において第１の方向（Ｙ軸方向）に長い矩形状をしていたが、第１の方向に短い矩形状であっても良い。さらには、円形状、楕円、長円形状であっても良いし、三角形等の多角形状であっても良い。
【０１１２】
第１の方向と第２の方向とは、実施の形態でのＸ軸方向とＹ軸方向のように、直交していても良い。この場合、単位面積当たりの画素領域の占有面積が四角形の場合よりも小さくなる。なお、第１の方向及び第２の方向は、隣り合っている、画素領域と画素領域の間を一定方向に延伸する方向である。この方向は、画素領域が並ぶ方向でもあり、画素領域の境界線と第１の方向及び第２の方向とが一致する必要はない。
【０１１３】
また、画素領域の平面視形状を例えば正六角形状として、第１の方向と第２の方向との角度を９０度以外の１２０度とすることもできる。この場合、単位面積当たりの画素領域の占有面積を大きくできる。
３．有機層
実施の形態等では、有機発光材料を含むインクを用いて有機発光層を形成する場合について説明している。つまり、有機発光層を有機層に適用した場合について説明している。しかしながら、本発明は、有機材料を含むインクを用いて有機層を形成する場合に適用でき、有機発光層以外の他の有機層にも適用できる。他の有機層としては、例えば、正孔輸送層、正孔注入層等がある。
【０１１４】
また、表示パネルは、実施の形態では有機発光層を備える有機ＥＬ表示パネルであったが、例えば、正孔輸送層や正孔注入層を有機材料で構成し、発光層を無機材料で構成した無機発光層を備える無機ＥＬ表示パネルであっても良い。
４．上記実施の形態およびその変形例において説明した表示パネル１は、例えば、テレビジョン受像機等の表示装置に用いられる。図２４に、表示パネル１を備えた有機ＥＬ表示装置６００（以下、単に表示装置６００と記載する）を示す。また、図２５に、表示装置６００の主要構成を示すブロック図を示す。
【０１１５】
表示装置６００は、表示パネル１の他に、チューナ６１０と、外部信号入力部６１１と、映像処理部６１２と、音声処理部６１３と、制御部６１４と、表示パネル１に電力を供給する電力供給部６１５とを備えている。また、表示装置６００には、内部もしくは外部にスピーカ６１６が接続されている。
表示装置６００において、チューナ６１０によって受信された信号が、図示を省略する復調・分離回路によって映像信号と音声信号に分離され、それぞれ映像処理部６１２と音声処理部６１３に伝送される。映像処理部６１２では、映像信号を複合してフレーム画像信号を生成し、表示パネル１に所定周期で順次伝送する。表示パネル１の制御回路２５は、フレーム画像信号に基づいて少なくとも信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３を制御し、画像表示部１０に１フレーム分の画像を順次表示させる（図１参照）。音声処理部６１３は、音声信号を複合および増幅し、スピーカ６１６に出力する。
【０１１６】
外部信号入力部６１１には、例えば、ＤＶＤレコーダ６２０等の外部の映像再生機器が接続され、その映像再生機器の映像信号、音声信号が入力される。映像処理部６１２、音声処理部６１３は、制御部６１４の指令に応じてチューナ６１０または外部信号入力部６１１のいずれかの信号を選択し、表示パネル１等に出力する。
制御部６１４は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、図示を省略するリモートコントローラや操作スイッチ等によって入力される動作指令に応じて、各構成を制御し、表示装置６００の各種の動作を実現する。
【０１１７】
上記表示装置６００は、前記実施の形態およびその変形例に記載の表示パネル１を備えることで、前記実施の形態等と同様の作用効果を奏することができる。
５．上記実施の形態および変形例１〜３では、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために一例としての各構成を採用するものであり、本発明は、本質的な部分を除き、上記形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、図２に示すように、有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にアノード電極１１２が配されている構成を一例として採用したが、本発明は、これに限らず有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にカソード電極１１４が配されているような構成を採用することもできる。
６．上記実施の形態および変形例１〜７では、アノード電極１１２を反射金属とし、カソード電極１１４を透明もしくは半透明金属としたトップエミッション構造としても良いし、アノード電極１１２を透明もしくは半透明金属とし、カソード電極１１４を反射金属としたボトムエミッション構造としても良い。
７．上記の実施の形態および変形例１〜７では、基板上にＴＦＴ層１０２を有するアクティブマトリックス駆動を前提に説明したが、本願はパッシブマトリックス駆動にも適用できる。この場合、ＴＦＴ層は必要なく、有機発光層を駆動するための駆動配線によって有機発光層に電流を供給することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、輝度ムラが少なく、高い画質性能を有する表示装置を実現するに有用である。
【符号の説明】
【０１１９】
１ 有機ＥＬ表示パネル
１０，２００ 画像表示部
１００ 画素部
１００ａ 画素領域
１０１ 基板
１０２ ＴＦＴ層
１０３ 平坦化膜
１０３ａ 平坦面
１１１ 第１バンク
１１２ アノード電極
１１２ｅ 開口縁部
１１３ 有機発光層
１１４ カソード電極
１２１ 第２バンク
１２１ａ 突出部
１２１ｂ 傾斜面
１２２ 窪み部
１２３ 箱形部
１２５ コンタクトホール
１２７ 窪み部
１２９ 有機発光材料
１４０ マルチトーンマスク
１７２ インク
３００ 有機ＥＬ表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法および表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネル（以下、表示パネルと略記する）の研究・開発が進められている。この表示パネルでは、各画素部が、アノード電極およびカソード電極と、その間に介挿された有機発光層とを有している。そして、表示パネルの駆動においては、アノード電極からホール注入し、カソード電極から電子注入し、有機発光層内でホールと電子とが再結合することにより発光する。
【０００３】
上記有機発光層の製法の例として蒸着法と印刷法とが存在する。特に印刷法の一つであるインクジェット法によって画素領域にインクを滴下して発光層を形成する場合は、インク滴下により隣接する他の画素領域である他の色の材料と混ざる（混色）ことを防ぐために、隣接する他の画素領域との間を絶縁材料などから構成された隔壁（バンク）によって区画する必要がある。その隔壁を形成する方式には、複数のライン状に形成された隔壁によって有機発光層（画素領域）をストライプ状に区画する方式（ラインバンク方式：特許文献１）と、井桁状(格子状)に形成された隔壁によって各画素の周囲を囲繞する方式（ピクセルバンク方式）とが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２０００４９号公報
【発明の概要】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では以下のような問題が生じる。
ラインバンク方式の場合、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて画素領域に塗布すると、複数の画素領域に亘って有機発光層を形成する材料が移動するので、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一にできる。
しかし、ラインバンク方式の場合、ライン状に配置した複数の画素部の各々を区画するために、画素部の端部での発光を制御するための画素規定層という隔壁とは別の層を、ライン状の隔壁に直交させて配置することが必要となる。
【０００６】
そのため、この画素規定層という別の層の形成のために、有機ＥＬ表示パネルを形成するプロセスが一つ増え、コスト増になるという問題がある。
一方、ピクセルバンク方式の場合、前記画素規定層は不要となって、コスト上の問題は解消される。しかし、有機発光層を形成する材料をインクジェット等の印刷方式にて塗布した場合、複数の画素部（画素領域）の一つ一つは個々に規制されているため、複数の画素領域間に亘って有機発光層を形成する材料が移動せず、複数の画素部において有機発光層の膜厚を均一化することが難しいという問題がある。なお、上記問題は、他の機能を有する有機層を形成する場合にも同様に生じる。
【０００７】
本発明は、上記課題の解決を図るためになされたものであって、ラインバンク方式のような画素規定層を設けることなく、有機発光層の膜厚を均一化することができる表示パネルの製造方法および表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示パネルは、平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と具備し、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機発光層と同じ材料の層が存在する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法では、第２隔壁を形成するために、例えば従来のピクセルバンク方式を採用することができ、第２隔壁を容易に形成することができる。さらに、第２隔壁に対してフォトリソグラフィ等の従来技術を適用したり、平坦化膜の第２隔壁形成予定部位に窪み部を形成したりすることで容易に流路を形成することができる。
【００１１】
また、インクが滴下されると、第２隔壁を挟んで隣接する画素領域は、第２隔壁の流路を介して連続することとなり、少なくとも２つの画素領域間で有機発光材料を含むインクのレベリング（厚み調整）が可能となり、均一の発光層を得ることができる。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有しているため、画素領域に有機発光層をインクジェット方式で形成する際に、第２隔壁を挟んだ画素領域間でインクが連続することとなり、均一な膜厚の有機発光層を有することとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示すブロック図である。
【図２】画像表示部１０における画素部１００を示すＡ−Ａ’模式断面図である。
【図３】画像表示部１０における画素部１００を示すＢ−Ｂ’模式断面図である。
【図４】画像表示部１０におけるバンク１１１，１２１の構造を示す模式平面図および模式断面図である。
【図５】発光層１１３が形成される前のバンク１１１，１２１の構造を示す模式斜視図である。
【図６】平坦化膜に形成された窪み部１２３を示す模式平面図である。
【図７】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程を示す模式断面図である。
【図８】画像表示部１０の製造方法におけるアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図９】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程を示す模式断面図である。
【図１０】画像表示部１０の製造方法における有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１１】画像表示部１０の製造方法における平坦化膜形成工程およびアノード電極形成工程を示す模式断面図である。
【図１２】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程および有機発光層形成工程を示す模式断面図である。
【図１３】画像表示部１０の製造方法におけるバンク形成工程の一部を詳細に示す模式断面図である。
【図１４】インク１７２の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図１５】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１６】変形例１に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１７】変形例２に係る画像表示部１０のバンク１１１，１２１の構造を示す模式断面図である。
【図１８】変形例３に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図１９】変形例４に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図２０】変形例５に係る画像表示部１０の画素部１００の構造を示す模式断面図である。
【図２１】変形例６の例１に係るインク５０５の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図２２】変形例６の例２に係るインク５１５の射出及び塗布を説明する模式図である。
【図２３】変形例７に係るバンク１１１，５５３の構造を示す模式斜視図である。
【図２４】有機ＥＬ表示パネル１を含む有機ＥＬ表示装置６００を示す外観斜視図である。
【図２５】有機ＥＬ表示装置６００の要部構成を模式的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[本発明の一態様の概要]
本発明の一態様は、平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機発光層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。
【００１４】
ここでいう「インクを間欠的に滴下する」とは、インクを所定時間をおいて液滴として射出して滴下を行うことをいう。
また、前記インクの滴下は、前記一組の第１隔壁の間に存在する複数の画素領域と複数の第２隔壁とに対して行われる。あるいは、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域に下層窪み部を形成する工程を具備し、前記隔壁形成工程において、前記下層窪み部の内部形状に追従させて、前記下層窪みに対応した上層窪み部と前記第１隔壁よりも低い上面部とを有する第２隔壁を形成し、前記滴下工程における前記第２隔壁に対する前記インクの滴下は、前記上層窪み部に対して行われる。さらに、前記上層窪み部に滴下されたインクが溢れて、前記第１の方向への前記インクの流動が許容される。
【００１５】
また、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対して滴下するインク量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対して滴下するインク量よりも多い。あるいは、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出回数は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出回数よりも多い。あるいは、前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出量よりも多い。
【００１６】
また、前記隔壁形成工程において、前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、塗布された隔壁材料が前記下層窪み部の内部に入り込んだ後、前記第１隔壁及び前記第２隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する。あるいは、前記マスクパターンは、前記第２隔壁の平面領域を前記下層窪み部の平面領域より広く残すマスクパターンである。
【００１７】
また、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域にマスクパターンを介して下層窪み部を形成する下層窪み部形成工程を具備し、前記下層窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである。あるいは、前記下層窪み部形成工程において、前記マルチトーンのマスクパターンによりコンタクトホールが形成される領域とコンタクトホールの周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて前記下層窪み部形成領域に対して露光し、前記平坦化膜に段差を有する下層窪み部を形成する。
【００１８】
また、前記隔壁形成工程において、前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、前記第１隔壁が形成される領域及び前記第２隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する。あるいは、前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する電極層形成工程を具備し、前記画素電極層の端部の一部は、前記下層窪み部の内部に配置されており、前記隔壁形成工程において、前記第２隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆する。さらに、前記画素電極層は、前記画素領域から前記下層窪み部の内部に延び、前記下層窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、前記画素電極層の端部の一部は、前記屈曲した部分である。
【００１９】
本発明の一態様の表示パネルは、平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と具備し、前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機発光層と同じ材料の層が存在する。
【００２０】
[実施の形態]
以下では、本発明を実施するための形態の一例について、図面を参酌しながら説明する。
なお、以下の説明で用いる形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の実施の形態に限定を受けるものではない。
１．有機ＥＬ表示パネル１の概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１（以下、「表示パネル１」と略記する）の全体構成について、図１を用い説明する。
【００２１】
表示パネル１は、画像表示部１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。画像表示部１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示器であり、複数の画素部が配列され構成されている。
また、駆動制御部２０は、信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３と制御回路２５とから構成されている。信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３には、後述する薄膜トランジスタ層に薄膜トランジスタからなる画素回路を制御する制御配線が接続されている。
【００２２】
信号線駆動回路２１と走査線駆動回路２３は、電力供給部（図２１参照）から電力が供給される。なお、実際の表示パネル１では、画像表示部１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
２．画像表示部１０の構成
画像表示部１０の構成について図２および図３を用いて説明する。なお、本実施の形態に係る画像表示部１０は、一例として、トップエミッション型の有機ＥＬ表示器を採用している。また、画像表示部１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色の発光材料を有する有機発光層を備える画素部１００を複数有し、これらがマトリクス状に配置され構成されている。なお、図１において、「円Ｃ」の内側に、複数の画素部１００の配列の一部を拡大して模式的に示した。
【００２３】
図２は、一部の画素部１００について、図1におけるＡ-Ａ’断面を模式的に示した図である。また、図３は、１つの画素部１００について、図２に示すＢ-Ｂ’断面を模式的に示した図である。なお、図２および図３の上側（Ｚ軸方向）を、画像表示部１０の上方として説明する。
画像表示部１０には、基板１０１の上面に薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）１０２が形成され、その上方に平坦化膜１０３が形成されている。
【００２４】
ＴＦＴ層１０２は、基板１０１上面に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０５や配線パターンが形成されてなる。そのＴＦＴ層１０２と平坦化膜１０３との間には、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７が介挿されている。なお、図２および図３において、ＴＦＴ層１０２を簡略化して図示しており、一部の構成の図示を省略している。
ＴＦＴ１０５は、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって作動させられ、各画素部１００に電力を供給する。ＴＦＴ１０５は、図３に示すように、ソース１０５ａ、ドレイン１０５ｂ、チャネル層１０５ｃ、ゲート絶縁膜１０５ｄ、ゲート電極１０５ｅが積層されてなる。
【００２５】
なお、一方のＴＦＴ１０５のソース１０５ａもしくはドレイン１０５ｂが延長され、画素部１００と電気的に接続されるＳＤ電極（ソースドレイン電極）１０６が形成されている。パッシベーション膜１０７は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）等の無機系誘電材料や、アクリル系、ポリイミド系等の有機系誘電材料によって形成されている。
【００２６】
平坦化膜１０３は、凹凸が存在するＴＦＴ層１０２上に堆積させられ、ＴＦＴ層１０２の上方に平坦面１０３ａが形成されている。なお、平坦化面１０３ａは、少なくとも画素部１００が形成される領域を平坦にできればよく、後述するコンタクトホールや窪み部等が形成されている等、全ての領域が平坦化されている必要はない。
また、平坦化膜１０３は、パッシベーション膜１０７と同等の機能を持たせることが可能であるので、その場合にはパッシベーション膜１０７は必須ではない。つまり、平坦化膜はＴＦＴ層の上面に形成される。
【００２７】
本実施の形態において、行列上に配された複数の画素部１００をストライプ状に区画するラインバンク方式が採用されている。そのため、画像表示部１０には、画素部１００をストライプ状に区画する複数の第１バンク１１１（図２）が、平坦化膜１０３上に並設されている。第１バンク１１１は、Ｙ軸方向に直線的に延設されている。また、第１バンク１１１の断面（Ｙ軸方向と直交する断面である。）形状は、図２に示すように、略台形状が望ましく、Ｘ軸方向の両側面１１１ａの各々が傾斜面となっており、頂部は概ね平坦な頂面１１１ｂとなっている（つまり、断面形状は、平坦化膜１０３の平坦化面１０３ａを基準にすると先細り状の台形状である。）。そして、２つの側面１１１ａが、それぞれ、画素部１００の有機発光層１１３の１側面を規定する隔壁として機能している。
【００２８】
互いに隣り合う第１バンク１１１間の領域には、平坦化膜１０３上面にアノード電極１１２が形成され、そのアノード電極１１２の上方または上面に有機発光層１１３が形成されている。なお、アノード電極１１２および有機発光層１１３は、画素部１００毎に分離された状態で形成されている。また、少なくとも発光領域において、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間には、例えば正孔注入層（図示省略）や正孔輸送層（図示省略）等が挿入されていても良い。
【００２９】
そして、第１バンク１１１および有機発光層１１３の上方または上面に、カソード電極１１４、および封止層（図示省略）が、順に積層形成されている。なお、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間には電子輸送層（図示省略）や電子注入層（図示省略）が、画素部１００の発光特性に応じて挿入されていても良い。また、図３において、Ｚ軸方向の最上部に、切断面の奥側にある第１バンク１１１の側面１１１ａに沿って形成されたカソード電極１１４が白塗りで図示されている。
【００３０】
また、画像表示部１０には、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間において、列状に配された複数の画素部１００間の領域を横断する複数の第２バンク１２１（図３）が形成されている。各第２バンク１２１は、一組の第１バンク１１１とそれぞれ連結されている。それら第２バンク１２１によって、第１バンク１１１の延設方向（Ｙ軸方向）における画素部１００の境界が形成されている。
【００３１】
第２バンク１２１の断面（Ｘ軸方向と直交する断面である。）形状は、第１バンク１１１と大きく異なっている。第２バンク１２１の断面形状は、図３に示すように、あたかも、第１バンク１１１と同様な断面形状のバンクが、平坦化膜１０３の窪みに陥没して形成されたような形状をしている。これは、後述するように第２バンク１２１の形成方法に起因するものである。
【００３２】
なお、第１バンク１１１，第２バンク１２１（以下、「バンク１１１，１２１」と略記する）および平坦化膜１０３は絶縁性を有している。
本実施の形態において、画素部１００は、平坦化膜１０３上に積層されたアノード電極１１２、有機発光層１１３、およびカソード電極１１４からなり、その平面視における領域（以下、平面領域と記載する）が、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって規定されている。
【００３３】
画素部１００の平面領域は、主に有機発光層１１３の平面領域によって定まり、有機発光層１１３は、Ｘ軸方向において一組の第１バンク１１１によって挟まれ、Ｙ軸方向において一組の第２バンク１２１によって挟まれ、その平面領域が制限されている。
すなわち、一組の第１バンク１１１間に並ぶ各画素部１００のＸ軸と交差する両側面は、一組の第１バンク１１１によって規定され、一組の第２バンク１２１間に並ぶ各画素部１００のＹ軸と交差する両側面は、一組の第２バンク１２１によって規定されているのである
３．各部構成
以下に、画像表示部１０の主要な構成の材料を示す。
ａ）基板１０１
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
ｂ）平坦化膜１０３
平坦化膜１０３には、ポジ型の感光性樹脂材料であるポリイミド系、アクリル系、シクロテン系、ノボラック系が用いられている。なお、平坦化膜１０３の材料として、例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン等の感光性樹脂材料を用いることもできる。また、ネガ型の感光性樹脂材料を用いてもよい。
ｃ）アノード電極１１２
アノード電極１１２は、金属性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成されており、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などを用い形成されている。また、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ等の半導体材料を用いてアノード電極１１２を形成することもできる。
【００３４】
ここで、金属性材料は、温度が上昇すると抵抗が大きくなるものを指し、半導体材料は、温度が上昇すると抵抗が小さくなるものを指す。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の場合には、高反射性の材料で形成されていることが好ましい。
ｄ）バンク１１１，１２１
バンク１１１，１２１は、樹脂等の有機材料で形成されており、ポジ型の感光性および絶縁性を有する。バンク１１１，１２１の形成に用いる有機材料の例としては、（シクロテン系樹脂）があげられる。そして、バンク１１１，１２１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。なお、ネガ型の感光性材料を用いることもできる。
【００３５】
さらに、バンク１１１，１２１の形成においては、塗布処理、露光・現像処理、ベーク処理などが施されるので、それらの処理の後にインク塗布工程での良好なインク撥水性や、パネルの駆動・保管時における分解ガス量が微量であること等、所望の機能を有する材料で形成されることが好ましい。
なお、バンク１１１，１２１の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以上の材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０５［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間でのリーク電流、あるいは隣接画素部１００間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
【００３６】
また、第１バンク１１１に撥液性をもたせるために、フッ素樹脂等の撥水性を有する材料を用いるか、あるいは表面をフッ素ガスでプラズマ処理することもできる。もし、バンク１１１を親液性の材料を用いて形成した場合には、画像表示部１０の製造時に、有機発光材料を含むインクがバンク１１１の表面を伝ってＸ軸方向に隣り合う画素部１００間を移動し、互いに異なる色のインクが混ざってしまう虞がある。
【００３７】
さらに、バンク１１１，１２１の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
ｅ）有機発光層１１３
有機発光層１１３は、アノード電極１１２から注入されたホールと、カソード電極１１４から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１１３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用いて製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００３８】
具体的には、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
ｆ）カソード電極１１４
カソード電極１１４は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００３９】
カソード電極１１４の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
ｇ）封止層
封止層は、有機発光層１１３などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の画像表示部１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
４．バンク１１１，１２１、アノード電極１１２および平坦化膜等の詳細な構成
以下、図２〜図４を参照して、第１バンク１１１，第２バンク１２１、および平坦化膜１０３等について説明する。図４（ａ）は、画像表示部１０の一部について、第１バンク１１１，第２バンク１２１の平面図を模式的に示した図である。また、図４（ｂ），（ｃ）はＸ−Ｘ’断面を、図４（ｄ），（ｅ）はＹ−Ｙ’断面を模式的に示した図である。なお、これらの図に、有機発光層１１３やカソード電極１１４は図示されていない。
ａ）画素領域１００ａ
図４（ａ）に示すように、画素部１００が形成される画素領域１００ａが、第１バンク１１１と第２バンク１２１とによって囲繞されている。各画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に長尺の矩形状とされている。なお、図４（ｂ），（ｃ）において、Ｚ軸方向の上側に、切断面の奥側にある第２バンク１２１が白塗りで図示されている。
【００４０】
各画素領域１００ａ（および画素部１００）は、図中の記号Ｒ，Ｇ，Ｂで示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色に対応している。また、画素領域１００ａは、Ｙ軸方向に並ぶものが互いに同じ色に対応している。一方、Ｘ軸方向の並びに着目すると、画素領域１００ａの対応する色がＲＧＢの順に変化する。つまり、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間に存する複数の画素領域１００ａは、互いに同じ色に対応している。一方、任意の画素領域１００ａは、一組の第１バンク１１１によってＸ軸方向において区画された両隣の画素領域１００ａのそれぞれと異なる色に対応している。
ｂ）窪み部１２２
図５に発光層１１３が形成される前のバンク１１１，１２１の構造の斜視図を示し、図６に平坦化膜１０３の上面を示す。平坦化膜１０３の上面は、大部分が平坦面１０３ａとされているが、第２バンク１２１下の領域に、窪み部１２２が形成されている。
【００４１】
窪み部１２２は、上部が箱形状の箱形部１２３（上部窪み部）とされ、下部が略円柱形状のコンタクトホール部１２５（下部窪み部）とされている（図３および図４参照）。箱形部１２３の内部形状は底面および上面（正確には、開口の実存する面はなく、仮想上面となる。）が例えば長方形にされた角錐台形状とされ、コンタクトホール部１２５の内部形状は例えば円錐台形状とされており、それら箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とは連通している。
【００４２】
図６に示すように、窪み部１２２は、Ｙ軸方向において互いに隣り合う画素領域１００ａ間に、Ｘ軸方向において互いに隣り合う一組の第１バンク１１１間の領域を横断して形成されている。また、箱形部１２３は、複数の画素領域１００ａの境界を形成する領域を、第１バンク１１１と交差する方向に横断して形成されている。
具体的には、箱形部１２３は、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う一組の第１バンク１１１のうち、一方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置から、他方の第１バンク１１１の側面１１１ａの下端位置まで連続した領域に形成されている。なお、本実施の形態において、箱形部１２３は、Ｘ軸方向と交差する辺部（縁部）が、第１バンク１１１の側面１１１ａの下（この下の位置が図６において第１バンク１１１を示す２点鎖線である。）に進入した状態で形成されている。
【００４３】
また、平坦化膜１０３の上面において、Ｘ軸方向に隣り合う箱形部１２３の間には所定の間隔を置いた領域１０３ｂが存在し、当該領域１０３ｂの上方に第１バンク１１１の頂面１１１ｂが位置する。頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３（領域１０３ｂ）の高さは、画素領域１００ａにおける平坦化膜１０３の高さと同じにされている。つまり、平坦化膜１０３における領域１０３と画素領域１００ａとは同一平面内に存する。
【００４４】
一方、箱形部１２３が形成された領域では、平坦化膜１０３の高さは、頂面１１１ｂの下に位置する平坦化膜１０３の領域１０３ｂの高さよりも低くなっている。なお、領域１０３ｂは、頂面１１１ｂに沿ってＹ軸方向に延びており、Ｙ軸方向において、高さが均一にされている。
箱形部１２３は、図６に示すように、四角形の底面１２３ａと、窪みの上方が拡大する向きに傾斜した４つの側面１２３ｂ，１２３ｃとを有する。この箱形部１２３内に、図３に示すように、アノード電極１１２の電極端部１１２ａ，１１２ｂが位置するようにアノード電極１１２が形成されている。
【００４５】
コンタクトホール部１２５は、平坦化膜１０３における箱形部１２３の下方に存する部分を貫通する穴であり、箱形部１２３の底面１２３ａに形成されている。そして、箱形部１２３の底面１２３ａ側と、ＴＦＴ１０５のＳＤ電極１０６側とにそれぞれ開口を有している。
なお、箱形部１２３は、平面視において四角形の形状をしているが、円形でも良く、多角形でも良い。さらには、コンタクトホール部１２５は、平面視において円形の形状をしているが、四角でも良く、多角形でも良い。
【００４６】
箱形部１２３とコンタクトホール部１２５との間には、図３に示すように、段差が生じている。窪み部１２２は、段差が形成された箇所において段階的に縮径しており、箱形部１２３の４つの側面１２３ｂ，１２３ｃや、コンタクトホール部１２５において連続的に縮径している。さらに、窪み部１２２は、段差が一段にされているが、複数段の段差を形成することができる。
【００４７】
また、各段差において、図３に示すように、コンタクトホール部１２５の開口縁は、角を有する形状であってもよいし、図３とは異なり、角がなく湾曲している形状であってもよい。さらにまた、箱形部１２３の側面１２３ｂ，１２３ｃと底面１２３ａとが交わる部分についても同様に、角を有する形状であってもよいし、角がなく湾曲している形状であってもよい。
【００４８】
また、本実施の形態において、箱形部１２３は、平坦化膜の上面（平坦面１０３ａ）に開口する上側開口部を有している。コンタクトホール部１２５は、平坦化膜の下面（パッシベーション膜１０７側の面）に開口する下側開口部を有している。
上記のコンタクトホール部１２５内には、図３に示すように、アノード電極１１２の一部が凹入してコンタクトプラグ１１２ｃが形成され、そのコンタクトプラグ１１２ｃはＳＤ電極１０６に電気的に接続されている。
ｃ）アノード電極１１２
アノード電極１１２は画素部１００ごとに設けられており、互いに隣り合う画素部１００のアノード電極１１２間には、絶縁のために所定の離間距離が確保されている。つまり、図３において、左側に位置する窪み部１２２内で、左側のアノード電極１１２の電極端部１１２ａと右側のアノード電極１１２の電極端部１１２ｂとが絶縁性を確保するために離れている。なお、コンタクトプラグ１１２ｃの円板形状の下端部によって、ＳＤ電極１０６との接続が行われ、この部分がコンタクト部となる。
【００４９】
なお、図６から分かるように、平面視において、コンタクト部の領域は、箱形部１２３の底面１２３ａの領域よりも小さくされている。つまり、窪み部１２２の平面視における面積が、コンタクトホール部１２５の平面視における面積よりも大きくされている。
また、Ｚ軸方向において、コンタクトホール部１２５の領域全てが、箱形部１２３の領域と重なっている。つまり、平面視において、コンタクトホール部１２３は、箱形部１２３の領域内に存在する。
ｄ）窪み部１２２と第１バンク１１１
図４（ｃ）のＸ２−Ｘ２’断面に示すように、Ｘ軸方向において、互いに隣り合う窪み部１２２間には所定の離間距離が確保されている。具体的には、箱形部１２３は第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下には形成されていない。これは、平坦化膜１０３の第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域の高さを画素領域１００ａと同じにしておくためである。これにより、第１バンク１１１の頂面１１１ｂの高さがＹ軸方向において略均一になる。このように、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下の領域１０３ｂ（図６参照）に窪み部１２２を形成しないことで、第１バンク１１１の形状や頂面１１１ｂの高さを良好に保つことができる。なお、前述のように、箱形部１２３は第１バンク１１１の側面１１１ａ下の領域１０３ｂに形成されているが、これは第２バンク１２１を全体的に低くし、有機発光材料を含むインクを塗布した場合に、Ｙ軸方向に並ぶ画素領域１００ａ間でインクの流動性を向上させるためである。
ｅ）窪み部１２２と第２バンク１２１
第２バンク１２１は、上記窪み部１２２の上面に形成され、窪み部１２２の内部形状に追従する形状になる。具体的には、第２バンク１２１は、図６に示す箱形部１２３の底面１２３ａと、４つの側面１２３ｂ，１２３ｃとに沿う形状とされ、図３及び図５に示すように、第２バンク１２１上部に窪み部１２２と略相似形の小さな窪みである窪み部１２７が形成されている。また、製造条件等によるが、コンタクトホール部１２５の上方に小さな窪みが形成される。
【００５０】
なお、窪み部１２７内には、製造上の都合により、有機発光材料１２９が堆積させられているが（図３）、第２バンク１２１によって絶縁されているため発光しない。
また、第２バンク１２１には、図６に示す平坦面１０３ａよりも高い位置に突出させられた突出部１２１ａが形成されている（図３参照）。その突出部１２１ａによって、Ｙ軸方向における画素部１００の境界が形成されている。具体的には、突出部１２１ａの有機発光層１１３側の傾斜面１２１ｂによって、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面が規定されているのである。このことから、箱形部１２３は、複数の画素部１００の各々の境界となる領域に形成され、当該箱形部１２３に第２バンク１２１が形成されている。
【００５１】
なお、正確には、突出部１２１ａは、アノード電極１１２の上面よりも高くされている。しかしながら、本実施の形態において、突出部１２１ａの平坦面１０３ａからの突出量に比して、アノード電極１１２の厚さは、例えば、１０分の１前後と非常に薄くされているため、上述のように簡明に表現した。
上記突出部１２１ａは、第１バンク１１１よりも低くされている。これにより、後述するように、有機発光材料を含むインク滴下時に、第１バンク１１１の延設方向へのインクの流動が許容される。つまり、第１バンク１１１（の上面あるいは上端部）よりも低い上面を有する第２バンク１２１により本発明の通路が構成される。また、画素領域１００ａに塗布されたインクは、第１バンク１１１により、異なる色に対応する隣の画素領域１００ａに流入することが防止される。
【００５２】
また、突出部１２１ａの端部は、Ｙ軸方向において、窪み部１２２外へ食み出し、平坦面１０３ａの上方（つまり、アノード電極１１２の上面）に位置している（図３や図４（ｅ））。すなわち、平面視において、第２バンク１２１の領域が、窪み部１２２の領域よりも大きくされているのである。その結果、電界が集中し易いアノード電極１１２の屈曲部１１２ｄが、第２バンク１２１によって覆われることとなる。具体的には、第２バンク１２１の突出部１２１ａと側壁１２１ｃとによって屈曲部１１２ｄが覆われている。なお、図３において、屈曲部１１２ｄは、角張った形状に描かれているが、比較的小さい曲率半径で折れ曲がっているような形状でもよい。その場合は、曲率半径の小さい部分を第２バンク１２１によって被覆することができる。
５．表示パネルの作動
上記画像表示部１０に画像を表示する場合、アクティブマトリクス方式により、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３によって、ＴＦＴ１０５を介して所定の画素部１００に電圧が印加される。その結果、所定の画素部１００のアノード電極１１２とカソード電極１１４との間に電流が流れて有機発光層１１３が発光させられる。また、画素部１００が対応する色（赤、緑、青）に応じて有機発光層１１３を形成する有機発光材料が異なり、各画素部１００は赤、緑、青のいずれかの色の光を放射する。
【００５３】
上記画像表示部１０は、有機発光材料を含んだインクが塗布された際に第２バンク１２２の上面に存する通路により、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上で連続することとなり、Ｙ軸方向に並ぶ複数の有機発光層１１３の膜厚が均一にされる。このため、輝度や色度も均一になり、良質な画像を表示することができる。
なお、前述のように、第２バンク１２１の窪み部１２７内に堆積した有機発光材料１２９は、第２バンク１２１によってアノード電極１１２と電気的に絶縁されているため、有機発光材料１２９に電流が流れず、発光することはない。
６．製造方法
上記表示パネル１の製造方法を、以下に説明する。
【００５４】
図７〜図１０に、画像表示部１０の製造時におけるＸ１−Ｘ１’断面およびＸ２−Ｘ２’断面を左右に並べて模式的に示す。また、図１１、図１２に、表示パネル１の製造時におけるＹ２−Ｙ２’断面を模式的に示す。
図７〜図１０において、Ｘ１−Ｘ１’断面を（ａ１）等に示し、Ｘ２−Ｘ２’断面を（ａ２）等に示している。なお、（ａ１）等および（ａ２）等を、単に（ａ）等と略記する場合がある。図７〜図１２において、基板１０１の図示を省略し、ＴＦＴ層１０２はＳＤ電極１０６以外の図示を省略する。また、Ｙ１−Ｙ１’断面については、他の図面および本実施の形態の説明から容易に推測できるため、図示を省略する。なお、上記図において、切断面の奥側にあるバンク１１１、１２１の側面や、窪み部１２２の側面等が白塗りで図示されている場合がある。これは、第１バンク１１１と第２バンク１２１との高さの違いを分かり易く示すためである。
ａ）平坦化膜形成工程
図７（ａ１），（ａ２）に示すように、ＴＦＴ層１０２上にポジ型の感光性材料からなるレジスト膜１３７が塗布された後に、マルチトーンマスク１４０を用いて露光が行われる。その後、現像処理において、図７（ａ２），（ｂ２）に示すように、光が照射された部分（露光部分）が取り除かれて、窪み部１２２（箱形部１２３およびコンタクトホール部１２５である。）が形成される。その後、焼成処理（ベーク処理）が行われる。
【００５５】
レジスト膜１３７は、スピンコート法等の液層製膜法によって塗布され、ＴＦＴ層１０２上の凹凸が埋まることで表面が平坦化される。なお、レジスト膜は、スピンコート法以外に、スリットコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法等の液層製膜法によっても塗布することもできる。
露光処理に用いられるマルチトーンマスク１４０は、光を透過させる透光部１４１と、透過光を弱める半透光部１４２と、光を遮る遮光部１４３とからなる。半透光部１４２は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものや、任意の透過率を持った膜をさらに積層して透過率を調整したもの等があり、このような半透光部１４２によって中間露光を実現している。特に、ＲＧＢ毎に窪み部１２３の深さを異ならせる場合のマルチトーンマスク１４０は、露光機の解像度よりも充分微細なパターンを配置し、単位面積当たりに配置する微細パターンの数を調整して透過率を調整したものが、好適である。
【００５６】
Ｘ１−Ｘ１’断面は、画素領域１００ａに対応しており、窪み部１２２が形成されないため、遮光部１４３によって遮光されている。その結果、図７（ｂ１）に示すように、平坦面１０３ａが維持される。一方、Ｘ２−Ｘ２’断面、Ｙ２−Ｙ２’断面では、それぞれ図７（ａ２），（ｂ２）、図１１（ａ），（ｂ）を対比すると分かるように、透光部１４１は、コンタクトホール部１２５の形成領域に対応し、半透光部１４２は箱形部１２３の形成領域（コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域）に対応している。なお、本実施の形態において、コンタクトホール部１２５の形成領域と箱形部１２３の形成領域とが重なっているため、上記半透光部１４２は、箱形部１２３の形成領域のうち、コンタクトホール部１２５の形成領域以外の領域に対応している。
【００５７】
現像処理において、透光部１４１を通過した強い光が照射された部分が取り除かれて、平坦化膜１０３を貫通する穴、つまり、コンタクトホール部１２５が形成される。また、半透光部１４２を通過した弱い光が照射された部分（コンタクトホール部１２５の形成領域を除く）が取り除かれて、平坦化膜１０３の上面が凹み、箱形部１２３が形成される。なお、パッシベーション膜１０７（図３参照）には、レジスト膜１３７が塗布される前に、リソグラフィ処理（露光、現像、エッチング処理等）により、コンタクトホール部１２５と連通する開口部が形成されている。もしくはパッシベーション膜１０７が形成されていない。
【００５８】
焼成処理により、例えば、レジスト膜１３７に残留していた溶媒等が取り除かれて形成された形状が安定するとともにＴＦＴ層１０２との密着性が向上する。
ここで、露光処理と窪み部１２２の形状との関係について簡単に説明する。箱形部１２３およびコンタクトホール部１２５は、上方に向かって拡径する形状とされている。これは、透光部１４１および半透光部１４２を通過した光が、回折によって広がることに起因する。
【００５９】
具体的に説明する。例えば、透光部１４１を直進する光は比較的強く、レジスト膜１３７の最深部まで到達するが、回折した光は比較的弱いため、レジスト膜１３７の中間あるいは表面までしか到達しない。特に、直進光との角度差が大きいほど光の強度が弱まる。その結果、透光部１４１に対応する部分はレジスト膜１３７の下面側に開口し、その周囲は徐々にレジスト膜１３７の厚さが増加するため傾斜面となるのである。
【００６０】
上記事情は、箱形部１２３についても同様である。なお、絶縁保護膜たるパッシベーション膜１０７に形成された開口部がコンタクトホールの一部であると考えることもできる。その場合には、窪み部１２２は、コンタクトホールのうちの上記開口部を除いた部分の機能を有していると考えることができる。
ｂ）アノード電極形成工程
アノード電極１１２を形成する処理を、図８（ａ）〜（ｅ）、図１１（ｃ）〜（ｇ）に示す。
【００６１】
まず、平坦化膜１０３上に、例えばスパッタリング、真空蒸着等によりＡｇおよびＩＴＯ等の薄膜１４９を形成する（図８（ａ）、図１１（ｃ））。
次に、薄膜１４９上にポジ型のレジスト１５０を塗布し、モノトーンマスク１５１を用いて露光する（図８（ｂ）、図１１（ｄ））。モノトーンマスク１５１は、光を透過させる透光部１５２と、光を遮る遮光膜部１５３とからなる。このモノトーンマスク１５１によって、レジスト１５０の露光部分は格子形状になる。
【００６２】
そして、現像、焼成処理によって、レジスト１５０を所定のパターンに形成する（図８（ｃ）、図１１（ｅ））。このとき、レジスト１５０は、平面視において、格子形状の溝１５５によって区画され、複数の矩形状部分が行列状に並べられた形状にされる。
その後、ドライエッチング処理（あるいはウェットエッチング処理）により、薄膜１４９のレジスト１５０に被覆されていない格子形状の部分が取り除かれて平面視矩形状のアノード電極１１２が形成される（図８（ｄ）、図１１（ｆ））。その後、レジスト１５０が取り除かれる（図８（ｅ）、図１１（ｇ））。
ｃ）バンク形成工程
平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上にバンク１１１，１２１を形成するバンク形成工程について説明する。
【００６３】
アノード電極１１２が形成された平坦化膜１０３上に、ポジ型の感光性樹脂材料からなるバンク材料を塗布し、モノトーンマスク１６１を用いて露光する（図９（ａ）、図１２（ａ））。
バンク材料の塗布では、例えば、スピンコート法などを用い、平坦化膜１０３上にバンク材料層１６０を概ね均一な厚さで堆積させる。バンク材料層１６０における窪み部１２２の周辺部分では、窪み部１２２内へのバンク材料の流入があるため、バンク材料層１６０の厚みが薄くなっている。
【００６４】
なお、窪み部１２２等が形成されて凹凸のある部分では多少厚さが変化してもよい。バンク材料の塗布において、例えば、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法、スリットコート法などを用いることもできる。
モノトーンマスク１６１は、光を透過させる透光部１６２と、光を遮る遮光部１６３とからなる。本実施の形態では、バンク材料層１６０はポジ型の感光性材料からなるため、第１バンク１１１、第２バンク１２１が形成される部分が遮光され、バンク１１１、１２１以外の部分に光が照射される。
【００６５】
次に、現像処理によって画素領域１００ａ上のバンク材料層１６０が取り除かれ、残存部分が焼成処理される（図９（ｂ）、図１２（ｂ））。このように、第１バンク１１１および第２バンク１２１が同時に形成される。
上記第２バンク１２１に対する露光および焼成について、図１３（ａ），（ｂ）に模式的に示して説明する。これらは、それぞれ図１２（ａ），（ｂ）に対応している。
【００６６】
図１３（ａ）に示すように、遮光部１６３は、箱形部１２３よりも若干広い領域に対応している。これは、第２バンク１２１を箱形部１２３よりも若干広い領域に形成して、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄを被覆する他、第２バンク１２１の上面を第１バンク１１１の上面よりも低くするためである。
また、前述した図７（ａ２），（ｂ２）の露光処理と窪み部１２２の形状との関係と同様に、透光部１６２を通過した光が回折によって広がるため（図１３（ａ）中Ｐ，Ｑの矢印）、バンク材料層１６０のうちの遮光部１６２の下に位置する部分であって透光部１６２に近い部分を弱く照らすことができる。これにより、図１３の（ｂ）に示すように、画素領域側の側面が平坦化膜１０３から上方に離れるに従って窪み部１２２側に近づくように傾斜する側面１６６ａが形成される。
【００６７】
窪み部１２２の周辺のバンク材料層１６０は窪み部１２２内に流入するため、窪み部１２２の周辺でのバンク材料層１６０の厚みが、画素領域１００ａやＸ軸方向に隣り合う画素領域１００ａの間でのバンク材料層１６０の厚みよりも薄くなっている。すなわち、窪み部１２２の周辺でのバンク材料層１６０の上面位置が、第１バンク１１１となる画素領域１００ａ間でのバンク材料１６０の上面位置よりも低くなっている。
【００６８】
これにより、窪み部１２２の領域に形成される第２バンク１２１の上面は、特別なプロセスを経ずに、第１バンク１１１の上面よりも低くなる。
上記露光後の現像処理により、図１３（ｂ）に示す第２バンク１２１の未焼成体１６６が得られる。その後、焼成処理において、未焼成体１６６が変形し、画素領域１００ａ側の傾斜面１６６ａの傾斜角度が小さくなり（直線Ｒ）、第２バンク１２１が形成される。なお、この焼成処理において、未焼成体１６６の表面部分が溶融して、その溶融部分が画素電極１１２と密着し順テーパー形状となる。また焼成処理により、さらに画素領域１００ａ側（箱形部１２３の外側）に僅かに流動し、未焼成体１６６（あるいは第２バンク１２１）がＹ軸方向に広がる場合がある。
【００６９】
上述の露光、現像処理において、平坦下層１３０の窪み部１２２の上面及び窪み部１２２の周辺上面に第２バンク１２１が形成されることで、第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされる。第２バンク１２１が第１バンク１１１よりも低くされていることで、後述する印刷処理において、有機発光材料を含むインクが第２バンク１２１を越えて流動することが可能になる。
【００７０】
なお、第１バンク１１１の高さが一様でない場合、第２バンク１２１の高さが、第１バンク１１１の最小の高さよりも低ければよい。また、滴下された直後において、インク１７２の流動をよりスムーズにするために、第２バンク１２１の高さを、第１バンク１１１の高さの８０％以下にすることが好ましい。なお、ここでいうバンク１１１，１２１の高さは、平坦化膜１０３の平坦面１０３ａを基準とした高さとする。なお、本実施の形態において、第２バンク１２１の高さは、第１バンク１１１の高さの３０％以上かつ６０％以下にされている。
【００７１】
バンク１１１の形成においては、有機発光層１１３の形成に用いるインクが隣接する画素部１００に漏れ出さないようにするため、少なくとも表面の一部が撥液性にされている。なお、第２バンク１２１は、バンク１１１を構成する材料と同じあっても良いし、異なっても良い。同じ材料の場合、バンク１１１，１２１を効率的（同時）に成形することができる。
ｄ）有機発光層形成工程
有機発光層１１３の形成工程について説明する。
【００７２】
有機発光層１１３の形成には、インクジェット法が用いられる。図１０（ａ）、図１２（ｃ）、図１４（ａ）に、印刷装置のインクジェットヘッド１７０を示す。なお、図１４は、説明の便宜上、インクジェットヘッド１７０は、ノズル１７１を現すためにインクの射出方向から見た状態の図であり、ノズル１７１から射出されるインク１７２をインクジェットヘッド１７０の右側に示す。ノズル１７は、一組の第１バンク１１１間の略中央上方に配されるが、図１４では、画素領域の平面図を示すため、画素領域に重ならないように、インクジェットヘッド１７０と射出されたインク１７２とを表している。
【００７３】
インクジェットヘッド１７０は、図１０及び図１２に示すように、Ｙ軸方向に延設され、複数のノズル１７１から有機発光材料を含むインク１７２を第１バンク１１１間に間欠的に滴下する。各ノズル１７１からは、対応する色のインク１７２が射出される。ここでは、Ｙ軸方向に同色の画素が形成されるため、同一色のインク１７２が滴下される。
塗布されたインク１７３（画素領域等に着弾し接触しているインクを指し、ノズル１７１からは射出されているが着弾していないインク１７２と区別する。）は、その表面張力によって第１バンク１１１間で盛り上がり、上面が湾曲した状態となる（図１０（ｂ））。第１バンク１１１は撥液性にされており、塗布されたインク１７３がはじかれて第１バンク１１１を超えにくくされている。それは、Ｘ軸方向に隣り合う画素領域１００ａには、互いに異なる色のインク１７２が塗布されているため、第１バンク１１１を超えて異色のインク１７２が混ざらないようにするためである。
【００７４】
また、インク１７２は、第２バンク１２１上にも滴下され（図１２（ｃ））、第２バンク１２１上にもインク１７３が塗布される。塗布されたインク１７３は、その表面張力によって第２バンク１２１上で盛り上がり、上面が湾曲する状態で隣り合うインク１７３同士がつながる（図１２（ｄ））。これにより、塗布されたインク１７３が、Ｙ軸方向に連なった状態となり、Ｙ軸方向に流動できるようになる。このため、第２バンク１２１を挟んでＹ軸方向に隣接する画素領域１００ａ上に塗布されたインク量が平均化される（図１４（ｂ））。
【００７５】
なお、第２バンク１２１は、撥液性にされているため、第２バンク１２１上に塗布されたインク１７３は平面視において円形状をしているが、時間の経過と共に乾燥が始まり、結果的に図１（ｂ）に示すように平坦状となる。
塗布されたインク１７３を乾燥させると、所定の厚さの有機発光層１１３が形成される（図１０（ｃ）、図１２（ｆ））。また、第２バンク１２１の窪み部１２７内に、有機発光材料１２９が堆積するが、前述のように発光しないようにされている。
【００７６】
インク１７２の滴下は、図１４（ａ）に示すように、列方向に等間隔をおいて行われ、画素領域１００ａに対してだけでなく、第２バンク１２１に対して行われる。具体的には、窪み部１２２と、窪み部１２２の両側（窪み部１２２に対して列方向の隣り合う両側部分である。）の合計３か所である。窪み部１２２の両側の位置は、第２バンク１２１上であって隣り合う画素領域１００ａに近い位置である。
【００７７】
第２バンク１２１上に塗布されるインク１７２を射出する間隔、つまり、ノズルピッチは、第２バンク１２１上に塗布された後（着弾後）のインク１７３の直径ｄ（図１４（ｂ））よりも小さい必要がある。なお、着弾後のインク１７３の直径は、インク量、第２バンク１２１の撥液性等によって変化するが、試し打ち等により求めることができる。
インク１７２の滴下量は、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで区画される画素領域１００ａであって、塗布されたインク１７３の上面が第２バンク１２１の上面よりも高くなるように、設定される必要がある。
ｅ）カソード電極形成工程等
カソード電極１１４を形成する工程について説明する。
【００７８】
スパッタリング法、真空蒸着法等によって陰極材料を有機発光層１１３等上に堆積させ、カソード電極１１４を形成する（図１０（ｃ）、図１２（ｇ））。なお、カソード電極１１４の層上には、真空蒸着法によって封止膜が製膜されても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に樹脂を封入して封止膜としても良いし、カソード電極１１４の層上に配置される封止基板との間に不活性ガスを封入しても良い（図示省略）。
７．作用効果
本実施の形態の表示パネル１は、複数の画素部１００をライン状の第１バンク１１１によってストライプ状に区画するラインバンク方式とされている。なお、一組の第１バンク１１１により区画されている複数の画素部１００が配列する方向が本発明の「第１の方向」に相当する。
【００７９】
一方、複数の画素部１００を区画する第２バンク１２１は、その高さが第１バンク１１１の高さよりも低く形成されている。これにより、有機発光層１１３を形成する場合に、第２バンク１２１上に塗布されたインク１７３を介してＹ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上に塗布されたインク１７３が連続することとなり、塗布されたインク１７３がＹ軸方向に流動でき、Ｙ軸方向に並ぶ複数の画素領域１００ａにおいて、インク１７２の塗布量が均一になる（図１２（ｄ）〜（ｅ））。
【００８０】
また、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上に塗布されたインク１７３が第２バンク１２１上で連続することでＹ軸方向に流動でき、乾燥後の有機発光層１１３の膜厚を調節しやすくなる。例えば、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域１００ａ上のインク１７３が第２バンク１２１上で連続していない場合、各画素領域１００ａに滴下するインク１７２の液滴数を１つでも増減させると有機発光層１１３の膜厚が比較的大きく変化して、目標の厚さにすることが困難な場合がある。それに対して、本実施の形態の表示パネル１では、窪み部１２２の容積を調節し、第２バンク１２１の窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の体積を調節することで、有機発光層１１３の膜厚を微調整することが可能である。
【００８１】
また、本実施の形態の表示パネル１では、平坦化膜１０３に窪み部１２３が形成されており、その窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。そのため、バンク１１１，１２１を露光する際には、マルチトーンマスク１４０の使用が必須ではなくなり、マルチトーンマスク１４０に適合したバンク材料を選択する必要はない。よって、バンク材料の選択肢が増加し、バンク材料の制約が少なくなる。ただし、マルチトーンマスク１４０を使用し、かつ、窪み部１２３上に第２バンク１２１を形成してもよい。
【００８２】
なお、マルチトーンマスクを用いた場合でも、平坦化膜１０３に深さの異なる穴を形成することは一般的に行われていることから、平坦化膜１０３に必然的に形成されるコンタクトホールと窪み部とを同時に形成することは容易である。すなわち、製造工程数を増加させずに、互いに高さの異なる２つのバンク１１１，１２１を同時に形成することができるのである。なお、本実施の形態において、窪み部１２２がコンタクトホール部１２５を有しており、窪み部１２２がコンタクトホールの機能を備えている。
【００８３】
また、本実施の形態の表示パネル１では、アノード電極１１２は、画素領域１００ａだけでなく、窪み部１２３内に延びている。アノード電極１１２の窪み部１２３内に配置された部分は、第２バンク１２１に覆われているため、有機発光層１１３を発光させるために寄与しない。しかしながら、仮に画素領域１００ａに電極端部１１２ｂが位置していると、局部的な電流（あるいはショート）を防止するために第２バンク１２１によって電極端部１１２ｂを被覆した場合に、アノード電極１１２の露出面積が減少してしまう可能性がある。その結果、有効に発光し得る面積が減少する。
【００８４】
それに対して、本実施の形態において、電極端部１１２ａ，１１２ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２の露出面積が減少しにくくなり、有効に発光し得る面積が大きくなる。
なお、電極端部１１２ａ，１１２ｂが窪み部１２３に配置されることで、アノード電極１１２に窪み部１２３の開口縁に沿う屈曲部１１２ｄが形成されることとなるが、第２バンク１２１は窪み部１２３より広くされているため、第２バンク１２１によって屈曲部１１２ｄが覆われ、有機発光層１１３に局部的に電流が流れることが防止されている。
【００８５】
また、本実施の形態の表示パネル１では、平面視において、窪み部１２２が形成される領域内に、コンタクトホール部１２５が形成されている。窪み部とコンタクトホールとを異なる領域に形成すると、画素領域１００ａが狭くなってしまうが、窪み部１２２内にコンタクトホール部１２５が形成されていることにより、画素領域１００ａの減少を抑制することができる。
８．第２バンクの窪み部について＜変形例１＞
第２バンク１２１の窪み部１２７の形状は、箱形部１２３の形状を変えることで容易に変化させることができる。図１５、図１６には、それぞれ、箱形部１２３の深さ、広さを変化させることにより、第２バンク１２１の窪み部１２７の深さＤ、広さＷを変えた例を示す。窪み部１２７の深さ、広さを変えることで、窪み部１２７の容積（内部空間の体積）を変化させ、有機発光層１１３の厚みを調整したり、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を増減させたりできる。
【００８６】
なお、窪み部１２７には、有機発光材料１２９が堆積するが電流が供給されないため、発光に寄与しない。しかしながら、窪み部１２７に堆積する有機発光材料１２９の量を変化させることで、画素領域１００ａでの有機発光層１１３の膜厚を調節することが可能である。例えば、赤、緑、青の色ごとに有機発光層１１３の膜厚を調節する場合に、各色のインク１７２の滴下量を変えなくとも、予め窪み部１２７の体積を色ごとに異ならせておくことで、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することができる。そして、有機発光層１１３の膜厚を色ごとに調節することにより、発光色に応じた輝度、色度調整が容易になる。なお、３色全ての有機発光層１１３の膜厚を色ごとに異ならせることは必須ではなく、例えば、３色中の２色の有機発光層１１３の膜厚が等しくてもよい。
【００８７】
箱形部１２３の深さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０に、互いに透過率の異なる複数の半透光部１４２を設けることができる。そして、マルチトーンマスクを、深い窪み部を形成する部分に透過率の高い半透光部が対応し、浅い窪み部を形成する部分に透過率の低い半透光部が対応するように形成する。そのマルチトーンマスクを用いて露光、現像処理を行うことによって、深さの異なる窪み部を同時に形成することができる。なお、窪み部を深くする場合、平坦化膜１０３を貫通させてもよい。
【００８８】
箱形部１２３の広さを異ならせるためには、例えば、マルチトーンマスク１４０の半透光部１４２の広さを変えることができる。
なお、色ごとに箱形部１２３の深さと広さとの両方を異ならせることもできる。
本変形例において、箱形部１２３の深さや広さは変化するが、コンタクトホール部１２５の下側開口部の大きさや形状は変化しない。これにより、アノード電極とＴＦＴ層１０２との導電性を変化させずに済む。
９．第２バンクの傾斜面について＜変形例２＞
第２バンク１２１は、Ｙ軸方向の端部の画素領域１００ａ側の傾斜面１２１ｂにおいて、有機発光層１１３のＹ軸方向における側面を規定している。その傾斜面１２１ｂの傾斜角度を、赤、緑、青の色ごとに異ならせることができる。
【００８９】
図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）に、それぞれ傾斜面１２１ｂの傾斜角度をθ１〜θ３と、異ならせた例を示す。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を調整するには、箱形部１２３に対する第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを調節することでなされる。例えば、図１７（ａ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを短くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を小さくした場合、バンクの焼成処理（図１３（ｂ）参照）で説明した変形の度合いが大きくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。逆に、図１７（ｃ）に示すように、第２バンク１２１のＹ軸方向の長さを長くし、平面視Ｙ軸方向において箱形部１２３から食み出す量を大きくした場合、焼成処理による変形の度合いが小さくなり、焼成後の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が小さくなる。図１７（ｂ）では、箱形部１２３からの食み出し量が（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさにされており、傾斜面１２１ｂの傾斜角度も（ａ）と（ｃ）との中間的な大きさになる。
【００９０】
なお、図中の直線Ｍ１，Ｍ３によって、（ａ）と（ｃ）とにおける箱形部１２３からの食み出し量の違いを視覚的に表している。
傾斜面１２１ｂの傾斜角度を各色のインク１７２に適した角度とすることで、例えば、乾燥後に形成される有機発光層１１３の膜厚が不均一になることを防止する等、有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。
【００９１】
具体的に説明する。複数の画素領域１００ａ上等に滴下された直後のインク１７３は、Ｙ軸方向に連なった状態で貯留されている（図１２（ｄ）参照）。しかし、乾燥が進み、貯留されたインク１７３の上面高さが第２バンク１２１以下になった場合、各画素領域１００ａ上のインク１７３は、第２バンク１２１の窪み部１２７上のインク１７３と分離される。そして、第２バンク１２１の傾斜面１２１ｂが撥液性にされ、かつ、乾燥途中のインク１７３に流動性が残っている場合は、各画素領域１００ａ上のインク１７２の上面は、その表面張力によって湾曲する。その湾曲の度合いを、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を適切にすることで、乾燥後の有機発光層１１３の形状を適切なものとすることができる。傾斜面１２１ｂの傾斜角度は、例えば、各色のインク１７２の粘性や表面張力に基づいて決定することができる。なお、３色全ての有機発光層１１３に対応する傾斜面１２１ｂの傾斜角度が互いに異なっている必要はなく、２色分の傾斜面１２１ｂの傾斜角度が同じであってもよい。すなわち、各色で使用するインク１７２の特性に合わせて適切な傾斜角度を設定できるので、使用できるインクの選択肢が増える。
【００９２】
なお、特開２００７−３１１２３５号公報には、バンク表面に親液性の突状部を形成することで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止している。それに対して、本変形例の表示パネル１では、傾斜面１２１ｂの傾斜角度を変えることで、インクのピンニング位置を制御し、有機発光層の膜厚が不均一になることを防止することができる。
１０．画像素示部の構造について＜変形例３＞
上記実施の形態において、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間に有機発光層１１３が挟まれていた。さらに、アノード電極１１２と有機発光層１１３との間にホール注入輸送層を介挿し、有機発光層１１３とカソード電極１１４との間に電子注入層を介挿することができる。
【００９３】
図１８に、図１におけるＡ−Ａ’断面を模式的に示す。本変形例の画像表示部２００は、アノード電極１１２上にホール注入輸送層２０１が積層形成され、有機発光層１１３上に電子注入層２０２が積層形成されている。
ホール注入輸送層２０１は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１１３に対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。そのホール注入輸送層２０１は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化金属によって形成することができる。ここで、ホール注入輸送層２０１を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。なお、ホール注入輸送層２０１については、上記のような金属酸化物を以って形成する他に、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）や、フタロシアニン系、トリアリールアミン系、トリフェニルアミン系、などを用い形成することもできる。
【００９４】
ホール注入輸送層２０１の形成は、前記アノード電極形成工程の後、バンク形成工程の前に行われる。そして、スパッタリング法、真空蒸着法等によって平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、ホール注入輸送層２０１が形成される。なお、ホール注入輸送層２０１を酸化金属によって形成する場合には、平坦化膜１０３およびアノード電極１１２上に、金属膜を製膜し、その金属膜を酸化することによってホール注入輸送層２０１を形成することができる。
【００９５】
電子注入層２０２は、カソード電極１１２から注入された電子を有機発光層１１３へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フッ化リチウム、などで形成されることが好ましい。
電子注入層２０２の形成は、有機発光層形成工程の後、カソード電極形成工程の前に行われる。そして、真空蒸着法等によって上記材料が有機発光層１１３およびバンク１１１，１２１上に製膜される。
【００９６】
本変形例の画像表示部２００でも、バンク形成工程において、窪み部１２２の上方に第２バンク１２１を形成することで、第１バンク１１１と第２バンク１２１とで露光量を変えなくとも、高さの異なる第１バンク１１１と第２バンク１２１とを同時に形成することができる。よって、前記実施の形態に記載の作用効果を奏することができる。また、本変形例の画像表示部２００は、ホール注入輸送層２０１と電子注入層２０２とを備えており、有機発光層１１３への電荷（ホール、電子）の供給バランスを制御でき、より発光効率が高くなる。
【００９７】
なお、本変形例において、ホール注入輸送層２０１が平坦化膜１０３の全面を覆うように形成されているが、アノード電極１１２上だけに形成してもよい。また、アノード電極１１２が反射電極である場合、アノード電極１１２とホール注入輸送層２０１との間に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜等からなる電極被覆層を介挿してもよい。また、本変形例において、電子注入層２０２を省略してもよい。なお、本変形例において、箱型部の底面は、第１バンク１１１の底面より低くされ、さらに、第１バンク１１１の頂面１１１ｂ下におけるホール注入輸送層２０１の下面よりも低くされている。
１１.平坦化層の窪み部について＜変形例４＞
前記実施の形態および変形例において、窪み部１２２は、箱形部１２３とコンタクトホール部１２５とを有していた。その箱形部１２３を、平坦化膜の下面側に開口するまで深くして、窪み部１２２の容積を最大にすることもできる。
【００９８】
図１９は、本変形例における表示パネルの断面（図２のＢ−Ｂ'断面に相当する）を示す図である。本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施の形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施の形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
平坦化膜２５３には、略四角錐台形状の窪み部２７２が形成されている。この窪み部２７２は、上側開口部の形状は前記実施の形態の窪み部１２２と同じにされている。窪み部２７２の底面２７２ａは、パッシベーション膜１０７の上面によって形成されている。また、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，２７２ｃ（図１９には側面２７２ｂだけ、代表的に示す）には、いずれも段差は形成されておらず、窪み部２７２は、上側開口部から下側開口部に向かって連続的に縮径する形状とされている。
【００９９】
上記窪み部２７２は、前記図７（ａ２），（ｂ２）、および図１１（ａ），（ｂ）の工程において、概ね底面２７２ａに相当する領域に、透光部１４１の光を照射した後、現像することで形成することができる。つまり、マルチトーンマスクを用いなくとも、モノトーンマスクを用いた露光処理によって窪み部２７２を形成することができる。なお、前記図７（ａ２），（ｂ２）の工程において説明したように、露光処理における光の回折に起因して、側面２７２ｂ，２７２ｃが傾斜し、窪み部２７２が下方に向かって縮径する形状となっている。
【０１００】
また、窪み部２７２内に配置されたアノード電極２６２は、パッシベーション膜１０７の開口１０７ａを通り抜け、コンタクト部２６２ｇにおいてＳＤ電極１０６に接続されている。このように、本変形例の窪み部２７２は、平面視において、コンタクト部２６２ｇと重なる領域に形成されており、コンタクトホールとしての機能を兼ね備えている。
第２バンク２７１は、窪み部２７２の底面２７２ａおよび側面２７２ｂ，２８２ｃに沿った形状とされている。また、前記実施の形態の第２バンク１２１と同様に突出部２７１ａ、および、傾斜面２７１ｂが形成されている。窪み部２７２が深くなっていることで、第２バンク２７１の上部の窪み部２７７の容積は、前記実施の形態の窪み部１２７よりも大きくなっている。その結果、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積は、前記実施の形態の有機発光材料１２９の体積よりも大きくなっている。なお、図において、有機発光層１１３の膜厚は前記実施の形態と同じにされているが、インクの塗布量を等しくした場合、本変形例の有機発光層の膜厚は、前記実施の形態のものより薄くなる。
【０１０１】
第２バンク２７１の形成、および、有機発光層１１３の形成は、前記実施の形態と同様である。
本変形例では、窪み部２７２を有する平坦化膜２５３を、モノトーンマスクを用いて露光することができ、平坦化膜２５３の形成が容易である。また、窪み部２７２の容積を可及的に大きくできるため、窪み部２７７に堆積する有機発光材料２７９の体積を大きくしたい場合に好適である。なお、本変形例では、図１９に示すように、窪み部２７２の４つの側面２７２ｂ，２７２ｃ（図において、側面２７２ｂを代表的に示す）は、それぞれ平面とされているが、これに限られない。即ち、窪み部２７２の側面は、少なくとも一部が曲面であってもよい。なお、窪み部２７２の側面全てが曲面であってもよく、例えば、窪み部をお椀状の形状にしてもよい。
１２．第２バンクの窪み部について＜変形例５＞
前記実施の形態および変形例では、窪み部１２２等は、Ｘ軸方向において、第１バンク１１１の側面１１１ａ下に進入していたが、第１バンク１１１下に進入しない態様とすることもできる。
【０１０２】
図２０（ａ），（ｂ）は、本変形例における表示パネルの断面（それぞれ、図４のＸ１−Ｘ１’断面、Ｘ２−Ｘ２'断面に相当する）を示す図である。この図において、有機発光層やカソード電極の図示が省略されている。
本変形例において、平坦化膜や第２隔壁の形状以外は、前記実施の形態と大部分が同じであるため、同じ構成部分には前記実施の形態と同じ符号を付し、異なる構成部分について説明する。
【０１０３】
本変形例では、Ｘ軸方向において、窪み部４２２の縁部（側面４２３ｃの上端）は、第１バンク４１１の側面４１１ａの下端位置でとどまっており、第１バンク４１１下に進入していない（側面４１１ａの下端位置と窪み部４２２の縁部とが一致している。）。そのため、第２バンク４２１には、中央に第１バンク４１１より低い低部４５１（低部により、本発明の「流路」の一部が構成される。）が形成され、Ｘ軸方向における端部に第１バンク４１１と同じ高さの高部４５２が形成されている。その結果、低部４５１のＸ軸方向における長さが、前記実施の形態の第２バンク１２１より小さくなっている。この点では、インクの流動性を向上させるという観点で、前記実施の形態の第２バンク１２１よりも劣っている。しかしながら、第１バンク４１１の頂面４１１ｂの高さをより安定的に確保するという点で、前記実施の形態よりも優れている。
【０１０４】
また、本変形例では、窪み部４２２の容積が小さくなっているが、コンタクトホール部４２５の大きさは前記実施の形態と同じであり、箱形部４２３の容積が減少している。また、箱形部４２３の容積が減少したのに伴い、第２バンク４２１の上部の窪み部４２７の容積も小さくなっている。
なお、第１バンク４１１と第２バンク４２１との境界は明確ではないが、第１バンク４１１のうちの画素領域１００ａに隣接する部分を延長した部分が第１バンク４１１であり、図２０（ｂ）において、第１バンク４１１の側面４１１ａを破線で示す。また、図２０（ｂ）において、第１バンク４１１を除いた部分が第２バンク４２１となる。つまり、第１バンク４１１のＸ軸方向の外側部分（破線の外側部分）が第２バンク４２となる。
【０１０５】
なお、上記高部４５２を第１バンク４１１の構成要素と考えることもできる。その場合には、本変形例では、第１バンク４１１の幅（Ｘ軸方向における長さ）が一定ではなく、第２バンク４２１と隣接する部分において広くなっていると考えることができる。そのように考えた場合、窪み部４２２の縁部が、第１バンク４１１の側面４１１ａの下に進入している態様となる。
１３．インクの滴下について＜変形例６＞
上記実施の形態では、第２バンク１２１上にインク１７３を塗布（貯留）するために、第２バンク１２１上の３か所に対してインク７２を射出していたが、第２バンクを介してＹ軸方向（本発明の「第１の方向」である。）に隣り合う画素領域に塗布されたインクが第２バンク上のインクを介して連続すれば良く、インクの塗布方法等は実施の形態で説明した方法に限定されるものではない。以下、別の塗布方法について図２１、図２２を用いて説明する。なお、インクが塗布される画素領域の構造は上記実施の形態と同様である。
ａ）例１
本例１において、インクジェットヘッド５０１は、実施の形態と同様に、Ｙ軸方向に等間隔に設けられた複数のノズル５０３を有している。第２バンク１２１へのインク５０５の射出は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して２回行われる。つまり、画素領域１００ａへのインク５０５の射出回数は１回であり、第２バンク１２１へのインク５０５の射出回数は２回である。
【０１０６】
なお、本例では、第２バンクの幅（Ｙ軸方向（第１の方向）の寸法である。）が広く、インクの塗布量が多い場合について説明している。例えば、１回のインクの射出量が多い場合は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して１回行われても良い。
ｂ）例２
本例２において、インクジェットヘッド５１１は、実施の形態と同様に、Ｙ軸方向に等間隔に設けられた複数のノズル５１３を有している。第２バンク１２１へのインク５１５の射出は、第２バンク１２１上であって画素領域１００ａに近い２か所に対して行われる。ここでは、第２バンク１２１画素領域１００ａとも射出回数は１回であるが、第２バンク１２１上に射出されるインク量（５１５ａ）は、画素領域１００ａ上に射出されるインク量（５１５ｂ）よりも多くなっている。なお、１回の射出でのインク量を変化させるには、例えば、インクの吐出電圧を変化させたり、第２バンク１２１へと射出するノズル位置が固定されている場合にはノズル径を変化させたりすることで実施できる。
ｃ）例３
上記実施の形態や上記例では、インクを第２隔壁の上面に対して滴下している。これは、バンクを撥液性材料で構成した場合、第２バンク上でインクが弾かれてしまい、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域上のインクが連続しないためである。
【０１０７】
したがって、バンクを親液性の材料で構成した場合、上記のようにインクが弾かれることがないため、第２バンク上にインクを滴下しなくても、Ｙ軸方向に隣り合う画素領域上のインクが第２バンク上で連続する可能性はある。
１４．第２隔壁＜変形例７＞
実施の形態では、第２隔壁の上面部を第１隔壁の上端部（上面部）よりも低くして流路を構成していたが、第１隔壁からインクがあふれることなく、第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域間でインクが連続して流動できれば良く、第２隔壁のすべての上面部（突出部１２１ａの上面）を第１隔壁よりも低くする必要はない。
【０１０８】
すなわち、実施の形態ではラインバンク方式のバンクを用いた表示パネルに対して本発明を適用した場合について説明したが、本発明はピクセルバンク方式のバンクを用いた表示パネルに対しても適用できる。
以下、第２隔壁についての実施の形態と別の形態について図２３を用いて説明する。なお、実施の形態で説明した部材・構造と同じものは、同じ符号を用いて説明する。
【０１０９】
平坦化膜１０３の上面には複数の画素領域１０３ａが２次元（行列状である。）配置されている。画素領域１０３ａと画素領域１０３ａとの間には、Ｙ軸方向（第１の方向）に延伸する第１バンク１１１と、Ｘ軸方向（第２の方向）に延伸する第２バンク５５３とがそれぞれ形成されている。
第２バンク５５３の上面部５５３ａは、第１バンク１１１の上面部１１１ｂと同じ高さになっている。第２バンク５５３の上面部５５３ａには、第２バンク５５３をＹ軸方向から挟む２つの画素領域１００ａを結ぶ溝５５３ｂが形成されている。
【０１１０】
溝５５３の底は、有機発光層を形成する際に塗布されるインク（乾燥前である。）の上面よりも低い位置にある。すなわち、溝５５３は、第２バンク５５３をＹ軸方向から挟んだ２つの画素領域間でインクの流動が可能となる深さを有している。
なお、溝５５３ｂの断面形状は、ここでは「Ｖ」字状をしているが、例えば、「Ｕ」状、「凹」状、段付の凹状等の他の形状であっても良い。また、平面視において、溝５５３ｂはＹ軸方向に直線的に延伸しているが、例えば、湾曲していても良いし、枝分かれしても良い。さらに、溝５５３ｂの本数は、１本に限定するものでなく、複数本あっても良い。
［その他］
１．流路
ａ）構成
実施の形態において、流路は、一組の第１隔壁における互いに対向しあう面と、第２隔壁の上面とで構成されている。つまり、一組の第１隔壁間であって塗布されたインクの上面よりも低い位置に存在する第２隔壁の上面部とで流路が構成される。
【０１１１】
変形例７においては、流路は、第２隔壁に形成された溝であって塗布されたインクの上面よりも低い部分で構成されている。
このように、流路は、第１隔壁と第２隔壁とで構成しても良いし、第２隔壁だけで構成しても良い。なお、流路を第２隔壁だけで構成する場合、第２の隔壁の上面部は第１隔壁の上面部よりも高くても良いし、低くても良い。
ｂ）形状
流路は、実施の形態や変形例７で示すように、隣り合う画素領域間でインクの流動が許容されれば、その形状を特に限定するものではない。また、本数についても変形例７の欄で説明したように特に限定するものではない。
ｃ）容量
実施の形態では流路の一部を第２隔壁の窪み部で構成し、窪み部の容量を変化させたものを変形例４で説明している。このように、流路に流れるインクの流量について特に限定するものではないが、流路の容量を調節することによって、画素領域に塗布されたインクの膜厚を調整できるという効果がある。
２．画素領域と第１及第２の方向
実施の形態では、画素領域は平面視において第１の方向（Ｙ軸方向）に長い矩形状をしていたが、第１の方向に短い矩形状であっても良い。さらには、円形状、楕円、長円形状であっても良いし、三角形等の多角形状であっても良い。
【０１１２】
第１の方向と第２の方向とは、実施の形態でのＸ軸方向とＹ軸方向のように、直交していても良い。この場合、単位面積当たりの画素領域の占有面積が四角形の場合よりも小さくなる。なお、第１の方向及び第２の方向は、隣り合っている、画素領域と画素領域の間を一定方向に延伸する方向である。この方向は、画素領域が並ぶ方向でもあり、画素領域の境界線と第１の方向及び第２の方向とが一致する必要はない。
【０１１３】
また、画素領域の平面視形状を例えば正六角形状として、第１の方向と第２の方向との角度を９０度以外の１２０度とすることもできる。この場合、単位面積当たりの画素領域の占有面積を大きくできる。
３．有機層
実施の形態等では、有機発光材料を含むインクを用いて有機発光層を形成する場合について説明している。つまり、有機発光層を有機層に適用した場合について説明している。しかしながら、本発明は、有機材料を含むインクを用いて有機層を形成する場合に適用でき、有機発光層以外の他の有機層にも適用できる。他の有機層としては、例えば、正孔輸送層、正孔注入層等がある。
【０１１４】
また、表示パネルは、実施の形態では有機発光層を備える有機ＥＬ表示パネルであったが、例えば、正孔輸送層や正孔注入層を有機材料で構成し、発光層を無機材料で構成した無機発光層を備える無機ＥＬ表示パネルであっても良い。
４．上記実施の形態およびその変形例において説明した表示パネル１は、例えば、テレビジョン受像機等の表示装置に用いられる。図２４に、表示パネル１を備えた有機ＥＬ表示装置６００（以下、単に表示装置６００と記載する）を示す。また、図２５に、表示装置６００の主要構成を示すブロック図を示す。
【０１１５】
表示装置６００は、表示パネル１の他に、チューナ６１０と、外部信号入力部６１１と、映像処理部６１２と、音声処理部６１３と、制御部６１４と、表示パネル１に電力を供給する電力供給部６１５とを備えている。また、表示装置６００には、内部もしくは外部にスピーカ６１６が接続されている。
表示装置６００において、チューナ６１０によって受信された信号が、図示を省略する復調・分離回路によって映像信号と音声信号に分離され、それぞれ映像処理部６１２と音声処理部６１３に伝送される。映像処理部６１２では、映像信号を複合してフレーム画像信号を生成し、表示パネル１に所定周期で順次伝送する。表示パネル１の制御回路２５は、フレーム画像信号に基づいて少なくとも信号線駆動回路２１および走査線駆動回路２３を制御し、画像表示部１０に１フレーム分の画像を順次表示させる（図１参照）。音声処理部６１３は、音声信号を複合および増幅し、スピーカ６１６に出力する。
【０１１６】
外部信号入力部６１１には、例えば、ＤＶＤレコーダ６２０等の外部の映像再生機器が接続され、その映像再生機器の映像信号、音声信号が入力される。映像処理部６１２、音声処理部６１３は、制御部６１４の指令に応じてチューナ６１０または外部信号入力部６１１のいずれかの信号を選択し、表示パネル１等に出力する。
制御部６１４は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、図示を省略するリモートコントローラや操作スイッチ等によって入力される動作指令に応じて、各構成を制御し、表示装置６００の各種の動作を実現する。
【０１１７】
上記表示装置６００は、前記実施の形態およびその変形例に記載の表示パネル１を備えることで、前記実施の形態等と同様の作用効果を奏することができる。
５．上記実施の形態および変形例１〜３では、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために一例としての各構成を採用するものであり、本発明は、本質的な部分を除き、上記形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、図２に示すように、有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にアノード電極１１２が配されている構成を一例として採用したが、本発明は、これに限らず有機発光層１１３に対し、そのＺ軸方向下側にカソード電極１１４が配されているような構成を採用することもできる。
６．上記実施の形態および変形例１〜７では、アノード電極１１２を反射金属とし、カソード電極１１４を透明もしくは半透明金属としたトップエミッション構造としても良いし、アノード電極１１２を透明もしくは半透明金属とし、カソード電極１１４を反射金属としたボトムエミッション構造としても良い。
７．上記の実施の形態および変形例１〜７では、基板上にＴＦＴ層１０２を有するアクティブマトリックス駆動を前提に説明したが、本願はパッシブマトリックス駆動にも適用できる。この場合、ＴＦＴ層は必要なく、有機発光層を駆動するための駆動配線によって有機発光層に電流を供給することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、輝度ムラが少なく、高い画質性能を有する表示装置を実現するに有用である。
【符号の説明】
【０１１９】
１ 有機ＥＬ表示パネル
１０，２００ 画像表示部
１００ 画素部
１００ａ 画素領域
１０１ 基板
１０２ ＴＦＴ層
１０３ 平坦化膜
１０３ａ 平坦面
１１１ 第１バンク
１１２ アノード電極
１１２ｅ 開口縁部
１１３ 有機発光層
１１４ カソード電極
１２１ 第２バンク
１２１ａ 突出部
１２１ｂ 傾斜面
１２２ 窪み部
１２３ 箱形部
１２５ コンタクトホール
１２７ 窪み部
１２９ 有機発光材料
１４０ マルチトーンマスク
１７２ インク
３００ 有機ＥＬ表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、
前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、
滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程と
を具備する
表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記インクの滴下は、前記一組の第１隔壁の間に存在する複数の画素領域と複数の第２隔壁とに対して行われる
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域に下層窪み部を形成する工程を具備し、
前記隔壁形成工程において、前記下層窪み部の内部形状に追従させて、前記下層窪みに対応した上層窪み部と前記第１隔壁よりも低い上面部とを有する第２隔壁を形成し、
前記滴下工程における前記第２隔壁に対する前記インクの滴下は、前記上層窪み部に対して行われる
請求項２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記上層窪み部に滴下されたインクが溢れて、前記第１の方向への前記インクの流動が許容される
請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対して滴下するインク量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対して滴下するインク量よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出回数は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出回数よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出量よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記隔壁形成工程において、
前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、
塗布された隔壁材料が前記下層窪み部の内部に入り込んだ後、前記第１隔壁及び前記第２隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する
請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記マスクパターンは、前記第２隔壁の平面領域を前記下層窪み部の平面領域より広く残すマスクパターンである
請求項８に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域にマスクパターンを介して下層窪み部を形成する下層窪み部形成工程を具備し、
前記下層窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記下層窪み部形成工程において、前記マルチトーンのマスクパターンによりコンタクトホールが形成される領域とコンタクトホールの周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて前記下層窪み部形成領域に対して露光し、前記平坦化膜に段差を有する下層窪み部を形成する
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁形成工程において、
前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、
前記第１隔壁が形成される領域及び前記第２隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する電極層形成工程を具備し、
前記画素電極層の端部の一部は、前記下層窪み部の内部に配置されており、
前記隔壁形成工程において、前記第２隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆する
請求項３から１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極層は、前記画素領域から前記下層窪み部の内部に延び、前記下層窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、
前記画素電極層の端部の一部は、前記屈曲した部分である
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、
前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、
前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と
具備し、
前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、
前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機層と同じ材料の層が存在する
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項１】
平坦化膜上に２次元配置された複数の画素領域に、有機材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法であって、
前記平坦化膜の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ前記第１隔壁の上端部よりも低い位置で前記第１の方向への前記インクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁とを形成する隔壁形成工程と、
滴下されたインクの上面が前記流路よりも高くなるように、前記第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁の間に前記インクを前記第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程と
を具備する
表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記インクの滴下は、前記一組の第１隔壁の間に存在する複数の画素領域と複数の第２隔壁とに対して行われる
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域に下層窪み部を形成する工程を具備し、
前記隔壁形成工程において、前記下層窪み部の内部形状に追従させて、前記下層窪みに対応した上層窪み部と前記第１隔壁よりも低い上面部とを有する第２隔壁を形成し、
前記滴下工程における前記第２隔壁に対する前記インクの滴下は、前記上層窪み部に対して行われる
請求項２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記上層窪み部に滴下されたインクが溢れて、前記第１の方向への前記インクの流動が許容される
請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対して滴下するインク量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対して滴下するインク量よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出回数は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出回数よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記滴下工程において、前記インクを充填したインクジェットヘッドを用い、前記インクジェットヘッドの複数の吐出口から前記インクを不連続で吐出させて滴下させ、
前記上層窪み部に対応する吐出口からのインク吐出量は、前記第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域に対応する各吐出口からのインク吐出量よりも多い
請求項３または４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記隔壁形成工程において、
前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、
塗布された隔壁材料が前記下層窪み部の内部に入り込んだ後、前記第１隔壁及び前記第２隔壁を残すマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する
請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記マスクパターンは、前記第２隔壁の平面領域を前記下層窪み部の平面領域より広く残すマスクパターンである
請求項８に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜における前記第２隔壁の形成予定領域にマスクパターンを介して下層窪み部を形成する下層窪み部形成工程を具備し、
前記下層窪み部を形成するマスクパターンは、光の透過率が互いに異なる複数の透光領域を有するマルチトーンのマスクパターンである
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記下層窪み部形成工程において、前記マルチトーンのマスクパターンによりコンタクトホールが形成される領域とコンタクトホールの周囲の領域とに照射される光の透過率を異ならせて前記下層窪み部形成領域に対して露光し、前記平坦化膜に段差を有する下層窪み部を形成する
請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁形成工程において、
前記平坦化膜上に前記第１隔壁及び前記第２隔壁を形成する隔壁材料を塗布し、
前記第１隔壁が形成される領域及び前記第２隔壁が形成される領域に照射される光の透過率が等しくされたマスクパターンを介して前記隔壁材料を露光する
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記隔壁形成工程の前に、前記平坦化膜上に前記複数の画素領域の各々に対応して画素電極層を形成する電極層形成工程を具備し、
前記画素電極層の端部の一部は、前記下層窪み部の内部に配置されており、
前記隔壁形成工程において、前記第２隔壁によって前記画素電極層の端部の一部を被覆する
請求項３から１１のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極層は、前記画素領域から前記下層窪み部の内部に延び、前記下層窪み部の開口縁において屈曲した形状に形成されており、
前記画素電極層の端部の一部は、前記屈曲した部分である
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
平坦化膜の上方に形成され且つ２次元配置された複数の画素領域間を第１の方向に延伸する第１隔壁と、
前記平坦化膜の上方に形成され且つ前記複数の画素領域間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２隔壁と、
前記第１隔壁と前記第２隔壁とにより区画された画素領域に形成された有機発光層と
具備し、
前記第２隔壁は前記第１の隔壁よりも低い上面部を有し、
前記第２隔壁の上面部上に、当該第２隔壁を挟んで隣り合う画素領域の有機層と同じ材料の層が存在する
ことを特徴とする表示パネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１３−８９２９３（Ｐ２０１３−８９２９３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２５６１２（Ｐ２０１１−２２５６１２）
【出願日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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