表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法
【課題】表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】このＥＬ装置（表示装置）１００は、複数の画素２と、画素２に設けられた反射層２３と、反射層２３の表面上に形成され、反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４と、反射層酸化膜２４の上方に有機発光層２７を介して形成された対向電極２８とを備える。また、複数の画素２は、異なる膜厚の反射層酸化膜２４を有するように形成されている。
【解決手段】このＥＬ装置（表示装置）１００は、複数の画素２と、画素２に設けられた反射層２３と、反射層２３の表面上に形成され、反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４と、反射層酸化膜２４の上方に有機発光層２７を介して形成された対向電極２８とを備える。また、複数の画素２は、異なる膜厚の反射層酸化膜２４を有するように形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関し、特に、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置および表示装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示されている表示装置および表示装置の製造方法では、各画素に設けられた反射層（光反射層）の上方には透明電極を介して発光層（発光体）および半反射層（第２電極）が形成されている。また、各画素に設けられた反射層と半反射層との距離を調整するために、反射層と半反射層との間に１層〜３層に積層された透明電極（第１電極）を形成している。これにより、発光層から発光された光を反射層と半反射層との間で共振させ、光強度を強めた状態で半反射層側から光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を出射させる光共振構造が構成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４８６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、反射層と半反射層との距離の調整を行うために、１層〜３層の積層数の透明電極を形成しているため、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化する。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、複数の画素と、画素に設けられた反射層と、反射層と、反射層の表面上に形成され、反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して形成された半反射層とを備え、複数の画素は、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成されている。
【０００７】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、反射層の表面上に形成された反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を、複数の画素が、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成することによって、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、透明電極（画素電極）の積層数を調整することにより反射層と半反射層との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【０００８】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素には、それぞれ、画素トランジスタが設けられており、反射層は、画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。このように構成すれば、たとえば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて、反射層に電圧を印加することができるので、反射層の表面を陽極酸化して、反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。これにより、反射層を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置に設けることなく反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。
【０００９】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜は、平面的に見て、反射層の上面上の略全域に形成されている。このように構成すれば、たとえば、反射層酸化膜が反射層の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層と半反射層との間の距離を反射層の上面の全域にわたって均一にすることができる。
【００１０】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜と発光層との間には、単層の画素電極が形成されている。このように構成すれば、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層と半反射層との間の距離を調整するために透明電極（画素電極）を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極の構造を簡素化することができる。
【００１１】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素は、最大強度を有する波長が異なる光を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、最大強度を有する波長が短い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成されている。このように構成すれば、反射層酸化膜が波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層と半反射層との間の距離を調整することができる。
【００１２】
この場合、好ましくは、複数の画素は、それぞれ、赤色、緑色および青色のうち、１つの光の色で発光するように構成されており、赤色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、緑色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成され、青色に発光する画素には、反射層酸化膜は形成されていない。このように構成すれば、青色に発光する画素にも反射層酸化膜が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。
【００１３】
この第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示装置の構造が複雑化するのを抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。
【００１４】
この発明の第３の局面における表示装置の製造方法は、複数の画素に反射層を形成する工程と、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して半反射層を形成する工程とを備える。
【００１５】
この第３の局面による表示装置の製造方法では、上記のように、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を備えることによって、反射層の表面を酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００１６】
この場合、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、反射層を陽極酸化することにより反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成することができるので、透明電極を積層して形成する場合と比べて、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１７】
上記陽極酸化する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、画素トランジスタを形成する工程をさらに備え、反射層を形成する工程は、反射層と画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とを接続するように反射層を形成する工程を含み、反射層酸化膜を形成する工程は、画素トランジスタから反射層に電圧を印加することにより反射層を陽極酸化することによって、反射層の表面上に反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて容易に反射層酸化膜を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。
【００１８】
上記反射層に電圧を印加する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、複数の画素において、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）の平面図である。図２および図３は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。図４は、図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の構成について説明する。なお、本発明の一実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のＥＬ装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２１】
本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１ａの表面上には、複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１０１と、表示領域１０１を囲むように配置される非表示領域１０２とが設けられている。非表示領域１０２には、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。表示領域１０１に配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。
【００２２】
画素２は、画素選択用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、駆動電流制御用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ素子１０とから構成されている。なお、ＴＦＴ８は、本発明の「画素トランジスタ」の一例である。ＴＦＴ７のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ８のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の他方（ＴＦＴ８のゲート）と共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。
【００２３】
次に、図２〜図４を参照して、本発明の一実施形態による画素２の詳細な構成について説明する。
【００２４】
図４に示すように、ＥＬ装置１００の画素２では、基板１ａの表面上には、バッファ膜１２およびバッファ膜１３が形成されている。このバッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるとともに、バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の画素選択用のＴＦＴ７、および、駆動電流制御用のＴＦＴ８が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層１４１、および、能動層１４２が形成されている。
【００２５】
バッファ膜１３の表面上には、能動層１４１（１４２）を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４１（１４２）上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ＴＦＴ７のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５１（ゲート線５）が形成されている。このゲート電極５１は、クロムやモリブデンなどからなる。ＴＦＴ８のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５２が形成されている。絶縁膜１５、ゲート電極５１およびゲート電極５２の表面上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。
【００２６】
また、図２に示すように、保持容量９は、能動層１４１（１４２）と同一層から形成されている活性層９１上に絶縁膜１５（図４参照）を介してゲート層９２が形成されることにより構成されている。
【００２７】
また、図４に示すように、絶縁膜１５には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１５１ａ（１５２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１５１ｂ（１５２ｂ）が形成されている。層間絶縁膜１６には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）が形成されている。
【００２８】
コンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）に接続するようにソース電極１７（１８）が形成されるとともに、コンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）には、能動層１４１（１４２）のドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）に接続するようにドレイン電極１９（２０）が形成されている。
【００２９】
また、図３に示すように、保持容量９の活性層９１と、ＴＦＴ７のソース電極１７（ソース領域１４１ａ）と、ＴＦＴ８のゲート電極５２とは、配線層９３により電気的に接続されている。また、保持容量９のゲート層９２と、ＴＦＴ８のドレイン電極２０（ドレイン領域１４２ｂ）と、共通給電線１１とは、電気的に接続されている。
【００３０】
ソース電極１７（１８）、ドレイン電極１９（２０）および層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約３００ｎｍの厚みを有するパッシベーション膜２１が形成されている。
【００３１】
パッシベーション膜２１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる有機平坦化膜２２が形成されている。パッシベーション膜２１および有機平坦化膜２２には、それぞれ、コンタクトホール２１ａおよびコンタクトホール２２ａが形成されている。このコンタクトホール２１ａおよび２２ａは、ＴＦＴ８のソース電極１８を露出させるために形成されている。また、有機平坦化膜２２の表面上の画素２（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応する領域毎に、それぞれ、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜からなる反射層２３が形成されている。
【００３２】
ここで、本実施形態では、反射層２３は、コンタクトホール２１ａおよび２２ａを介してＴＦＴ８のソース電極１８と電気的に接続されている。また、反射層２３の表面（上面および側面）上の略全領域には、平面的に見て、反射層２３が陽極酸化された酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成されている。また、反射層酸化膜２４は、画素２毎に設けられた、後述する有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応するように異なる膜厚に形成されている。具体的には、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＲ（赤色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４１は、約４８ｎｍの膜厚ｔ１に形成されている。また、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＧ（緑色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４２は、約２４ｎｍの膜厚ｔ２に形成されている。なお、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＢ（青色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４は、０ｎｍの膜厚である（形成されていない）。このように、複数の画素２は、最大強度を有する波長が異なる光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１は、最大強度を有する波長が短い光（たとえば、Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成されている。
【００３３】
このように、有機発光層２７からの光を対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間で共振させ、光強度を強めた状態で対向電極２８（半反射層）側から光を出射させることが可能である。また、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離は、反射層酸化膜２４の厚みにより調整され、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離に対応した波長の光（Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色））が対向電極２８（半反射層）側から出射される。
【００３４】
また、ＴＦＴ８のソース電極１８、パッシベーション膜２１のコンタクトホール２１ａ、有機平坦化膜２２のコンタクトホール２２ａおよび反射層酸化膜２４の表面を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２５が形成されている。この画素電極２５は、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを介してソース電極１８と接続されている。この画素電極２５は、画素２毎に設けられており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。
【００３５】
また、隣接する各画素２の間の領域には、画素電極２５の表面上を覆うように、それぞれ、隔壁２６が形成されている。
【００３６】
また、隔壁２６および画素電極２５を覆うように有機発光層２７が形成されている。なお、有機発光層２７は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層２７の表面上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極２８が形成されている。なお、対向電極２８は、本発明の「半反射層」の一例である。また、画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８により、有機ＥＬ素子層（有機エレクトロルミネッセンス素子層）２９が構成される。有機ＥＬ素子層２９の対向電極２８上には、封止膜３０が形成されている。封止膜３０の表面上には、接着層３１を介して封止基板３２が貼り合わされている。
【００３７】
画素電極２５を陽極、対向電極２８を陰極とした場合には、共通給電線１１に正電源、対向電極２８に負電源を接続する。そして、ＴＦＴ７により選択された画素２は、信号線６からの信号に応じてＴＦＴ８により共通給電線１１からの駆動電流が制御されるとともに画素電極２５に印加される。これにより、有機発光層２７から光を出射させることが可能である。
【００３８】
図５は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。図６〜図１０は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。図１１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。図１２〜図１６は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図４および図５〜図１６を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３９】
まず、図５に示すように、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスでは、工程Ｓ１において、図６に示すように、基板１ａの表面上に形成されたバッファ膜１２および１３の表面上に、ＴＦＴ７および８を形成する。
【００４０】
次に、工程Ｓ２において、図７に示すように、ＴＦＴ７、ＴＦＴ８および層間絶縁膜１６の表面上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるパッシベーション膜２１を形成する。このパッシベーション膜２１は、保護膜としての機能を有する。
【００４１】
次に、工程Ｓ３において、図８に示すように、パッシベーション膜２１の表面上に、塗布法により、感光性のアクリル樹脂を塗布することによって有機平坦化膜２２を形成する。
【００４２】
次に、工程Ｓ４において、図９に示すように、ＴＦＴ８のソース電極１８の上方に位置する有機平坦化膜２２およびパッシベーション膜２１をフォトリソグラフィ技術またはドライエッチングなどにより、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを形成する。これにより、ソース電極１８の表面を露出させることができる。
【００４３】
次に、工程Ｓ５において、図１０に示すように、有機平坦化膜２２の表面上およびＴＦＴ８のソース電極１８の表面上に、スパッタ法により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって反射層２３を形成する。そして、レジスト膜を除去する。反射層２３とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。
【００４４】
次に、本実施形態では、工程Ｓ６において、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる反射層２３を陽極酸化させることにより反射層酸化膜２４を形成する。この反射層酸化膜２４は、反射層２３の酸化物からなる単層のアルミナなどからなる。具体的には、図１１に示すように、複数のＴＦＴ基板１ａを含む大板ガラス基板１の状態で陽極酸化を行う。まず、それぞれのＴＦＴ基板１ａに形成されているゲート線５、信号線６および共通給電線１１に導通する引き出し配線３３を大板ガラス基板１のガラス端Ａまで形成するとともに、パネル駆動回路４０の一方に接続する。また、陰極４１をパネル駆動回路４０の他方に接続する。そして、大板ガラス基板１および陰極４１を硫酸などの溶液が設けられた槽４２内に配置する。
【００４５】
この後、パネル駆動回路４０を駆動させることにより、パネル駆動回路４０から、図１に示す、各画素２のＴＦＴ７にデータ線６を介して信号が入力されるとともに、走査線５を介して信号が入力される。そして、信号が入力された画素２のＴＦＴ８が駆動され、共通給電線１１から、図１２に示す、各ＴＦＴ８のソース電極１８から各画素２のそれぞれの反射層２３に＋１５Ｖの電圧が印加される。また、陰極４１には、−１５Ｖの電圧が印加される。これにより、各画素２のそれぞれの反射層２３が陽極酸化され、反射層２３の表面上に反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成される。そして、反射層酸化膜２４が所望の膜厚に達した際には、印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替えることにより、反射層２３の陽極酸化を停止させる。
【００４６】
具体的な反射層酸化膜２６の製造プロセスとしては、まず、陰極４１に−１５Ｖの電圧を印加するとともに、有機発光層２７から出射される光の色がＲ（赤色）およびＧ（緑色）のそれぞれの画素２の反射層２３に＋１５Ｖの電圧を印加する。このとき、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３には、−１５Ｖの電圧を印加する。これにより、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２４は形成されない。一方、Ｒ（赤色）およびＧ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２６が成長しながら形成される。
【００４７】
次に、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上に、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成された時点で、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成される。
【００４８】
次に、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上に、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成された時点で、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上には、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成される。このように、反射層酸化膜２４は、画素２毎に発光されるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより形成されている。この後、各画素２に形成された反射層酸化膜２４の封孔処理を沸騰水中で行う。
【００４９】
次に、工程Ｓ７において、図１３に示すように、反射層酸化膜２４の表面を覆うように、スパッタ法により、ＩＴＯなどの透明電極を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、透明電極の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって画素電極２５を形成する。そして、レジスト膜を除去する。これにより、画素電極２５とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。
【００５０】
次に、工程Ｓ８において、図１３に示すように、隣接する各画素２の間の領域に、有機平坦化膜２２および画素電極２５の表面上を覆うように、塗布法により、感光性のアクリル樹脂からなる隔壁２６を形成する。
【００５１】
次に、工程Ｓ９において、隔壁２６を形成した後に、アニール処理（脱水処理）を行う。これにより、有機平坦化膜２２および隔壁２６が含んでいた水分を放出させることができる。
【００５２】
次に、工程Ｓ１０において、図１４に示すように、隔壁２６および画素電極２５の表面上を覆うように、有機発光層２７を形成する。なお、有機発光層２７は、低分子材料または高分子材料のいずれか１つから形成してもよい。たとえば、高分子材料により有機発光層を形成する場合では、スピンコート法により液状組成物を塗布した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。低分子材料により有機発光層を形成する場合では、低分子材料を選択的に蒸着することにより形成する方法や、低分子材料を蒸着した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。また、有機発光層２７は、単層に形成してもよいし、複数の層から形成してもよい。
【００５３】
次に、工程Ｓ１１において、図１５に示すように、有機発光層２７の表面上に、蒸着法により、マグネシウムおよび銀などの金属からなるとともに、半反射可能な対向電極２８を形成する。これにより、有機ＥＬ素子層２９（画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８）が形成される。
【００５４】
次に、工程Ｓ１２において、図１６に示すように、対向電極２８の表面上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる封止膜３０を形成する。その後、図４に示すように、封止膜３０の表面上に、接着層３１を形成し、封止基板３２を貼り合わせる。このようにして、本実施形態によるＥＬ装置１００が完成される。
【００５５】
本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に形成された反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４を、複数の画素２が、異なる膜厚の反射層酸化膜２４を有するように形成することによって、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、透明電極（画素電極２５）の積層数を調整することにより、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００５６】
また、本実施形態では、上記のように、反射層２３を、ＴＦＴ８のソース電極１８と接続することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて、反射層２３に電圧を印加することができるので、反射層２３の表面を陽極酸化して、反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。これにより、反射層２３を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置１００に設けることなく反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４を、平面的に見て、反射層２３の上面上の略全域に形成することによって、たとえば、反射層酸化膜２４が反射層２３の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を反射層２３の上面上の全域にわたって均一にすることができる。
【００５８】
また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４と有機発光層２７との間に、単層の画素電極２５を形成することによって、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整するために画素電極２５を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極２５の構造を簡素化することができる。
【００５９】
また、本実施形態では、上記のように、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、最大強度を有する波長が短い光（Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成することによって、反射層酸化膜２４を波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、上記のように、Ｒ（赤色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、Ｇ（緑色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成し、Ｂ（青色）の光の色に発光する画素２には、反射層酸化膜２４を形成しないことによって、Ｂ（青色）に発光する画素２にも反射層酸化膜２４が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。
【００６１】
また、本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に、反射層２３の表面を陽極酸化することにより反射層２３の酸化物からなるとともに、複数の画素２毎において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３の表面を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化することを抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態では、上記のように、ＴＦＴ８から反射層２３に電圧を印加することにより、反射層２３の表面上に反射層酸化膜２４を形成することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて容易に反射層酸化膜２４を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。
【００６３】
また、本実施形態では、上記のように、画素２毎に発光されるＲ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、複数の画素２において、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、たとえば、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００６４】
図１７および図１８は、それぞれ、本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。図１７および図１８を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いた電子機器について説明する。
【００６５】
本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００は、図１７および図１８に示すように、携帯電話２００およびＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）３００などに用いることが可能である。図１７の携帯電話２００においては、表示画面２００ａに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００が用いられる。また、図１８のＰＣ３００においては、キーボード３００ａなどの入力部および表示画面３００ｂなどに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いることが可能である。
【００６６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６７】
たとえば、上記実施形態では、表示装置の一例として、ＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、ＥＬ装置以外の表示装置にも適用可能である。
【００６８】
また、上記実施形態では、ＥＬ装置の一例として、トップエミッション型のＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、トップエミッション型のＥＬ装置以外のＥＬ装置にも適用可能である。
【００６９】
また、上記実施形態では、反射層酸化膜の製造プロセスの一例として、画素トランジスタから反射層に電圧を印加する例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層に別途電圧を印加するための引き出し配線を設け、引き出し配線から電圧を印加してもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、反射層酸化膜の一例として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、４８ｎｍ、２４ｎｍおよび０ｎｍの膜厚に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｂ（青色）にも膜厚ｔ３の反射層酸化膜２４３を形成してもよい。この場合、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）がそれぞれ反射層と対向電極（半反射層）との間で共振可能な反射層酸化膜の膜厚に形成すればよい。たとえば、図１９に示すように、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、１４８ｎｍ、１２４ｎｍおよび１００ｎｍのような膜厚に形成してもよい。
【００７１】
また、上記実施形態では、反射層が画素トランジスタのソース電極に接続されている例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層を表示領域１０１から非表示領域１０２にまで引き延ばして外部と電気的に接続するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図４】図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図６】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。
【図１２】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１８】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１９】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の変形例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
２ 画素
８ ＴＦＴ（画素トランジスタ）
１８ ソース電極
２０ ドレイン電極
２３ 反射層
２４、２４１、２４２、２４３ 反射層酸化膜
２５ 画素電極
２７ 有機発光層（発光層）
２８ 対向電極（半反射層）
１００ ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置（表示装置）
２００ 携帯電話（電子機器）
３００ ＰＣ（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関し、特に、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置、表示装置を備える電子機器および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射層の上方に発光層を介して半反射層を備える表示装置および表示装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示されている表示装置および表示装置の製造方法では、各画素に設けられた反射層（光反射層）の上方には透明電極を介して発光層（発光体）および半反射層（第２電極）が形成されている。また、各画素に設けられた反射層と半反射層との距離を調整するために、反射層と半反射層との間に１層〜３層に積層された透明電極（第１電極）を形成している。これにより、発光層から発光された光を反射層と半反射層との間で共振させ、光強度を強めた状態で半反射層側から光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を出射させる光共振構造が構成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４８６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、反射層と半反射層との距離の調整を行うために、１層〜３層の積層数の透明電極を形成しているため、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化する。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、複数の画素と、画素に設けられた反射層と、反射層と、反射層の表面上に形成され、反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して形成された半反射層とを備え、複数の画素は、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成されている。
【０００７】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、反射層の表面上に形成された反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を、複数の画素が、異なる膜厚の反射層酸化膜を有するように形成することによって、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、透明電極（画素電極）の積層数を調整することにより反射層と半反射層との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【０００８】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素には、それぞれ、画素トランジスタが設けられており、反射層は、画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。このように構成すれば、たとえば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて、反射層に電圧を印加することができるので、反射層の表面を陽極酸化して、反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。これにより、反射層を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置に設けることなく反射層の表面に反射層酸化膜を形成することができる。
【０００９】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜は、平面的に見て、反射層の上面上の略全域に形成されている。このように構成すれば、たとえば、反射層酸化膜が反射層の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層と半反射層との間の距離を反射層の上面の全域にわたって均一にすることができる。
【００１０】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、反射層酸化膜と発光層との間には、単層の画素電極が形成されている。このように構成すれば、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層と半反射層との間の距離を調整するために透明電極（画素電極）を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極の構造を簡素化することができる。
【００１１】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、複数の画素は、最大強度を有する波長が異なる光を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、最大強度を有する波長が短い光を発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成されている。このように構成すれば、反射層酸化膜が波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層と半反射層との間の距離を調整することができる。
【００１２】
この場合、好ましくは、複数の画素は、それぞれ、赤色、緑色および青色のうち、１つの光の色で発光するように構成されており、赤色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚は、緑色に発光する画素に設けられた反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成され、青色に発光する画素には、反射層酸化膜は形成されていない。このように構成すれば、青色に発光する画素にも反射層酸化膜が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。
【００１３】
この第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示装置の構造が複雑化するのを抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。
【００１４】
この発明の第３の局面における表示装置の製造方法は、複数の画素に反射層を形成する工程と、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程と、反射層酸化膜の上方に発光層を介して半反射層を形成する工程とを備える。
【００１５】
この第３の局面による表示装置の製造方法では、上記のように、反射層の表面上に、反射層の表面を酸化することにより反射層の酸化物からなるとともに、複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を備えることによって、反射層の表面を酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００１６】
この場合、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、反射層を陽極酸化することにより反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成することができるので、透明電極を積層して形成する場合と比べて、製造工程数が増加するのを抑制することができる。
【００１７】
上記陽極酸化する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、画素トランジスタを形成する工程をさらに備え、反射層を形成する工程は、反射層と画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とを接続するように反射層を形成する工程を含み、反射層酸化膜を形成する工程は、画素トランジスタから反射層に電圧を印加することにより反射層を陽極酸化することによって、反射層の表面上に反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、表示装置に設けられた画素トランジスタを用いて容易に反射層酸化膜を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。
【００１８】
上記反射層に電圧を印加する工程を含む反射層酸化膜を形成する工程を備える表示装置の製造方法において、好ましくは、反射層酸化膜を形成する工程は、複数の画素において、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む。このように構成すれば、反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜を形成するとともに、反射層と半反射層との間の距離を単層の反射層酸化膜により調整することができるので、たとえば、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）の平面図である。図２および図３は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。図４は、図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の構成について説明する。なお、本発明の一実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のＥＬ装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２１】
本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１ａの表面上には、複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１０１と、表示領域１０１を囲むように配置される非表示領域１０２とが設けられている。非表示領域１０２には、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。表示領域１０１に配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。
【００２２】
画素２は、画素選択用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、駆動電流制御用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ素子１０とから構成されている。なお、ＴＦＴ８は、本発明の「画素トランジスタ」の一例である。ＴＦＴ７のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ８のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の他方（ＴＦＴ８のゲート）と共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。
【００２３】
次に、図２〜図４を参照して、本発明の一実施形態による画素２の詳細な構成について説明する。
【００２４】
図４に示すように、ＥＬ装置１００の画素２では、基板１ａの表面上には、バッファ膜１２およびバッファ膜１３が形成されている。このバッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるとともに、バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の画素選択用のＴＦＴ７、および、駆動電流制御用のＴＦＴ８が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層１４１、および、能動層１４２が形成されている。
【００２５】
バッファ膜１３の表面上には、能動層１４１（１４２）を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４１（１４２）上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ＴＦＴ７のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５１（ゲート線５）が形成されている。このゲート電極５１は、クロムやモリブデンなどからなる。ＴＦＴ８のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５２が形成されている。絶縁膜１５、ゲート電極５１およびゲート電極５２の表面上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。
【００２６】
また、図２に示すように、保持容量９は、能動層１４１（１４２）と同一層から形成されている活性層９１上に絶縁膜１５（図４参照）を介してゲート層９２が形成されることにより構成されている。
【００２７】
また、図４に示すように、絶縁膜１５には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１５１ａ（１５２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１５１ｂ（１５２ｂ）が形成されている。層間絶縁膜１６には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）が形成されている。
【００２８】
コンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）に接続するようにソース電極１７（１８）が形成されるとともに、コンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）には、能動層１４１（１４２）のドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）に接続するようにドレイン電極１９（２０）が形成されている。
【００２９】
また、図３に示すように、保持容量９の活性層９１と、ＴＦＴ７のソース電極１７（ソース領域１４１ａ）と、ＴＦＴ８のゲート電極５２とは、配線層９３により電気的に接続されている。また、保持容量９のゲート層９２と、ＴＦＴ８のドレイン電極２０（ドレイン領域１４２ｂ）と、共通給電線１１とは、電気的に接続されている。
【００３０】
ソース電極１７（１８）、ドレイン電極１９（２０）および層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなり、約３００ｎｍの厚みを有するパッシベーション膜２１が形成されている。
【００３１】
パッシベーション膜２１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる有機平坦化膜２２が形成されている。パッシベーション膜２１および有機平坦化膜２２には、それぞれ、コンタクトホール２１ａおよびコンタクトホール２２ａが形成されている。このコンタクトホール２１ａおよび２２ａは、ＴＦＴ８のソース電極１８を露出させるために形成されている。また、有機平坦化膜２２の表面上の画素２（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応する領域毎に、それぞれ、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜からなる反射層２３が形成されている。
【００３２】
ここで、本実施形態では、反射層２３は、コンタクトホール２１ａおよび２２ａを介してＴＦＴ８のソース電極１８と電気的に接続されている。また、反射層２３の表面（上面および側面）上の略全領域には、平面的に見て、反射層２３が陽極酸化された酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成されている。また、反射層酸化膜２４は、画素２毎に設けられた、後述する有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））に対応するように異なる膜厚に形成されている。具体的には、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＲ（赤色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４１は、約４８ｎｍの膜厚ｔ１に形成されている。また、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＧ（緑色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４２は、約２４ｎｍの膜厚ｔ２に形成されている。なお、有機発光層２７からパネル外部に出射される光の色がＢ（青色）の画素２の領域では、反射層酸化膜２４は、０ｎｍの膜厚である（形成されていない）。このように、複数の画素２は、最大強度を有する波長が異なる光（Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色））を発光するように構成されており、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１は、最大強度を有する波長が短い光（たとえば、Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成されている。
【００３３】
このように、有機発光層２７からの光を対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間で共振させ、光強度を強めた状態で対向電極２８（半反射層）側から光を出射させることが可能である。また、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離は、反射層酸化膜２４の厚みにより調整され、対向電極２８（半反射層）と反射層２３との間の距離に対応した波長の光（Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色））が対向電極２８（半反射層）側から出射される。
【００３４】
また、ＴＦＴ８のソース電極１８、パッシベーション膜２１のコンタクトホール２１ａ、有機平坦化膜２２のコンタクトホール２２ａおよび反射層酸化膜２４の表面を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２５が形成されている。この画素電極２５は、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを介してソース電極１８と接続されている。この画素電極２５は、画素２毎に設けられており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。
【００３５】
また、隣接する各画素２の間の領域には、画素電極２５の表面上を覆うように、それぞれ、隔壁２６が形成されている。
【００３６】
また、隔壁２６および画素電極２５を覆うように有機発光層２７が形成されている。なお、有機発光層２７は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層２７の表面上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極２８が形成されている。なお、対向電極２８は、本発明の「半反射層」の一例である。また、画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８により、有機ＥＬ素子層（有機エレクトロルミネッセンス素子層）２９が構成される。有機ＥＬ素子層２９の対向電極２８上には、封止膜３０が形成されている。封止膜３０の表面上には、接着層３１を介して封止基板３２が貼り合わされている。
【００３７】
画素電極２５を陽極、対向電極２８を陰極とした場合には、共通給電線１１に正電源、対向電極２８に負電源を接続する。そして、ＴＦＴ７により選択された画素２は、信号線６からの信号に応じてＴＦＴ８により共通給電線１１からの駆動電流が制御されるとともに画素電極２５に印加される。これにより、有機発光層２７から光を出射させることが可能である。
【００３８】
図５は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。図６〜図１０は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。図１１は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。図１２〜図１６は、本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図４および図５〜図１６を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３９】
まず、図５に示すように、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００の製造プロセスでは、工程Ｓ１において、図６に示すように、基板１ａの表面上に形成されたバッファ膜１２および１３の表面上に、ＴＦＴ７および８を形成する。
【００４０】
次に、工程Ｓ２において、図７に示すように、ＴＦＴ７、ＴＦＴ８および層間絶縁膜１６の表面上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるパッシベーション膜２１を形成する。このパッシベーション膜２１は、保護膜としての機能を有する。
【００４１】
次に、工程Ｓ３において、図８に示すように、パッシベーション膜２１の表面上に、塗布法により、感光性のアクリル樹脂を塗布することによって有機平坦化膜２２を形成する。
【００４２】
次に、工程Ｓ４において、図９に示すように、ＴＦＴ８のソース電極１８の上方に位置する有機平坦化膜２２およびパッシベーション膜２１をフォトリソグラフィ技術またはドライエッチングなどにより、コンタクトホール２２ａおよび２１ａを形成する。これにより、ソース電極１８の表面を露出させることができる。
【００４３】
次に、工程Ｓ５において、図１０に示すように、有機平坦化膜２２の表面上およびＴＦＴ８のソース電極１８の表面上に、スパッタ法により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって反射層２３を形成する。そして、レジスト膜を除去する。反射層２３とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。
【００４４】
次に、本実施形態では、工程Ｓ６において、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などからなる反射層２３を陽極酸化させることにより反射層酸化膜２４を形成する。この反射層酸化膜２４は、反射層２３の酸化物からなる単層のアルミナなどからなる。具体的には、図１１に示すように、複数のＴＦＴ基板１ａを含む大板ガラス基板１の状態で陽極酸化を行う。まず、それぞれのＴＦＴ基板１ａに形成されているゲート線５、信号線６および共通給電線１１に導通する引き出し配線３３を大板ガラス基板１のガラス端Ａまで形成するとともに、パネル駆動回路４０の一方に接続する。また、陰極４１をパネル駆動回路４０の他方に接続する。そして、大板ガラス基板１および陰極４１を硫酸などの溶液が設けられた槽４２内に配置する。
【００４５】
この後、パネル駆動回路４０を駆動させることにより、パネル駆動回路４０から、図１に示す、各画素２のＴＦＴ７にデータ線６を介して信号が入力されるとともに、走査線５を介して信号が入力される。そして、信号が入力された画素２のＴＦＴ８が駆動され、共通給電線１１から、図１２に示す、各ＴＦＴ８のソース電極１８から各画素２のそれぞれの反射層２３に＋１５Ｖの電圧が印加される。また、陰極４１には、−１５Ｖの電圧が印加される。これにより、各画素２のそれぞれの反射層２３が陽極酸化され、反射層２３の表面上に反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４が形成される。そして、反射層酸化膜２４が所望の膜厚に達した際には、印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替えることにより、反射層２３の陽極酸化を停止させる。
【００４６】
具体的な反射層酸化膜２６の製造プロセスとしては、まず、陰極４１に−１５Ｖの電圧を印加するとともに、有機発光層２７から出射される光の色がＲ（赤色）およびＧ（緑色）のそれぞれの画素２の反射層２３に＋１５Ｖの電圧を印加する。このとき、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３には、−１５Ｖの電圧を印加する。これにより、Ｂ（青色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２４は形成されない。一方、Ｒ（赤色）およびＧ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、反射層酸化膜２６が成長しながら形成される。
【００４７】
次に、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上に、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成された時点で、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｇ（緑色）の画素２の反射層２３の表面上には、約２４ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４２が形成される。
【００４８】
次に、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上に、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成された時点で、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３に印加されている電圧を＋１５Ｖから−１５Ｖに切り替える。これにより、Ｒ（赤色）の画素２の反射層２３の表面上には、約４８ｎｍの膜厚の反射層酸化膜２４１が形成される。このように、反射層酸化膜２４は、画素２毎に発光されるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより形成されている。この後、各画素２に形成された反射層酸化膜２４の封孔処理を沸騰水中で行う。
【００４９】
次に、工程Ｓ７において、図１３に示すように、反射層酸化膜２４の表面を覆うように、スパッタ法により、ＩＴＯなどの透明電極を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術により、透明電極の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングすることによって画素電極２５を形成する。そして、レジスト膜を除去する。これにより、画素電極２５とＴＦＴ８のソース電極１８とが電気的に接続される。
【００５０】
次に、工程Ｓ８において、図１３に示すように、隣接する各画素２の間の領域に、有機平坦化膜２２および画素電極２５の表面上を覆うように、塗布法により、感光性のアクリル樹脂からなる隔壁２６を形成する。
【００５１】
次に、工程Ｓ９において、隔壁２６を形成した後に、アニール処理（脱水処理）を行う。これにより、有機平坦化膜２２および隔壁２６が含んでいた水分を放出させることができる。
【００５２】
次に、工程Ｓ１０において、図１４に示すように、隔壁２６および画素電極２５の表面上を覆うように、有機発光層２７を形成する。なお、有機発光層２７は、低分子材料または高分子材料のいずれか１つから形成してもよい。たとえば、高分子材料により有機発光層を形成する場合では、スピンコート法により液状組成物を塗布した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。低分子材料により有機発光層を形成する場合では、低分子材料を選択的に蒸着することにより形成する方法や、低分子材料を蒸着した後に、パターニングを行うことにより形成する方法がある。また、有機発光層２７は、単層に形成してもよいし、複数の層から形成してもよい。
【００５３】
次に、工程Ｓ１１において、図１５に示すように、有機発光層２７の表面上に、蒸着法により、マグネシウムおよび銀などの金属からなるとともに、半反射可能な対向電極２８を形成する。これにより、有機ＥＬ素子層２９（画素電極２５、有機発光層２７および対向電極２８）が形成される。
【００５４】
次に、工程Ｓ１２において、図１６に示すように、対向電極２８の表面上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる封止膜３０を形成する。その後、図４に示すように、封止膜３０の表面上に、接着層３１を形成し、封止基板３２を貼り合わせる。このようにして、本実施形態によるＥＬ装置１００が完成される。
【００５５】
本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に形成された反射層２３の酸化物からなる単層の反射層酸化膜２４を、複数の画素２が、異なる膜厚の反射層酸化膜２４を有するように形成することによって、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、透明電極（画素電極２５）の積層数を調整することにより、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００５６】
また、本実施形態では、上記のように、反射層２３を、ＴＦＴ８のソース電極１８と接続することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて、反射層２３に電圧を印加することができるので、反射層２３の表面を陽極酸化して、反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。これにより、反射層２３を陽極酸化する際に、別途、電圧を印加するための素子を表示装置１００に設けることなく反射層２３の表面に反射層酸化膜２４を形成することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４を、平面的に見て、反射層２３の上面上の略全域に形成することによって、たとえば、反射層酸化膜２４が反射層２３の上面上の一部に形成されている場合と異なり、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を反射層２３の上面上の全域にわたって均一にすることができる。
【００５８】
また、本実施形態では、上記のように、反射層酸化膜２４と有機発光層２７との間に、単層の画素電極２５を形成することによって、たとえば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応して、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整するために画素電極２５を最大３層積層させる場合と比べて、画素電極２５の構造を簡素化することができる。
【００５９】
また、本実施形態では、上記のように、最大強度を有する波長が長い光（たとえば、Ｒ（赤色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、最大強度を有する波長が短い光（Ｇ（緑色））を発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成することによって、反射層酸化膜２４を波長の長さに応じた膜厚に形成されているので、波長の長さに応じて反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を調整することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、上記のように、Ｒ（赤色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４１の膜厚ｔ１を、Ｇ（緑色）の光の色に発光する画素２に設けられた反射層酸化膜２４２の膜厚ｔ２よりも大きく形成し、Ｂ（青色）の光の色に発光する画素２には、反射層酸化膜２４を形成しないことによって、Ｂ（青色）に発光する画素２にも反射層酸化膜２４が形成されている場合と比べて、光共振構造をより簡素化させることができる。
【００６１】
また、本実施形態では、上記のように、反射層２３の表面上に、反射層２３の表面を陽極酸化することにより反射層２３の酸化物からなるとともに、複数の画素２毎において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３の表面を陽極酸化することにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、反射層と半反射層との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、表示装置１００の構造および製造プロセスが複雑化することを抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態では、上記のように、ＴＦＴ８から反射層２３に電圧を印加することにより、反射層２３の表面上に反射層酸化膜２４を形成することによって、表示装置１００に設けられたＴＦＴ８を用いて容易に反射層酸化膜２４を陽極酸化により形成する際の電流を供給することができる。
【００６３】
また、本実施形態では、上記のように、画素２毎に発光されるＲ（赤色）Ｇ（緑色）およびＢ（青色）の光の色に対応するように、複数の画素２において、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜２４を形成することによって、反射層２３に電圧を印加する時間を異ならせることにより、容易に、単層の反射層酸化膜２４を形成するとともに、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を単層の反射層酸化膜２４により調整することができるので、たとえば、反射層２３と対向電極２８（半反射層）との間の距離を積層させて形成した透明電極により調整する場合と比べて、製造プロセスが複雑化するのを抑制することができる。
【００６４】
図１７および図１８は、それぞれ、本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。図１７および図１８を参照して、本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いた電子機器について説明する。
【００６５】
本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００は、図１７および図１８に示すように、携帯電話２００およびＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）３００などに用いることが可能である。図１７の携帯電話２００においては、表示画面２００ａに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００が用いられる。また、図１８のＰＣ３００においては、キーボード３００ａなどの入力部および表示画面３００ｂなどに本発明の一実施形態によるＥＬ装置１００を用いることが可能である。
【００６６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６７】
たとえば、上記実施形態では、表示装置の一例として、ＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、ＥＬ装置以外の表示装置にも適用可能である。
【００６８】
また、上記実施形態では、ＥＬ装置の一例として、トップエミッション型のＥＬ装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、トップエミッション型のＥＬ装置以外のＥＬ装置にも適用可能である。
【００６９】
また、上記実施形態では、反射層酸化膜の製造プロセスの一例として、画素トランジスタから反射層に電圧を印加する例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層に別途電圧を印加するための引き出し配線を設け、引き出し配線から電圧を印加してもよい。
【００７０】
また、上記実施形態では、反射層酸化膜の一例として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、４８ｎｍ、２４ｎｍおよび０ｎｍの膜厚に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｂ（青色）にも膜厚ｔ３の反射層酸化膜２４３を形成してもよい。この場合、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）がそれぞれ反射層と対向電極（半反射層）との間で共振可能な反射層酸化膜の膜厚に形成すればよい。たとえば、図１９に示すように、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応する反射層酸化膜の膜厚を、それぞれ、１４８ｎｍ、１２４ｎｍおよび１００ｎｍのような膜厚に形成してもよい。
【００７１】
また、上記実施形態では、反射層が画素トランジスタのソース電極に接続されている例を示したが、本発明はこれに限らず、反射層を表示領域１０１から非表示領域１０２にまで引き延ばして外部と電気的に接続するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。
【図４】図３の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図６】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の陽極酸化を説明するための図である。
【図１２】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１８】本発明の一実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１９】本発明の一実施形態によるＥＬ装置の変形例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
２ 画素
８ ＴＦＴ（画素トランジスタ）
１８ ソース電極
２０ ドレイン電極
２３ 反射層
２４、２４１、２４２、２４３ 反射層酸化膜
２５ 画素電極
２７ 有機発光層（発光層）
２８ 対向電極（半反射層）
１００ ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置（表示装置）
２００ 携帯電話（電子機器）
３００ ＰＣ（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
前記画素に設けられた反射層と、
前記反射層の表面上に形成され、前記反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜と、
前記反射層酸化膜の上方に発光層を介して形成された半反射層とを備え、
前記複数の画素は、異なる膜厚の前記反射層酸化膜を有するように形成されている、表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素には、それぞれ、画素トランジスタが設けられており、
前記反射層は、前記画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記反射層酸化膜は、平面的に見て、前記反射層の上面上の略全域に形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記反射層酸化膜と前記発光層との間には、単層の画素電極が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、最大強度を有する波長が異なる光を発光するように構成されており、
前記最大強度を有する波長が長い光を発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚は、前記最大強度を有する波長が短い光を発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、それぞれ、赤色、緑色および青色のうち、１つの光の色で発光するように構成されており、
前記赤色に発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚は、前記緑色に発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成され、
前記青色に発光する画素には、前記反射層酸化膜は形成されていない、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置を備える、電子機器。
【請求項８】
複数の画素に反射層を形成する工程と、
前記反射層の表面上に、前記反射層の表面を酸化することにより前記反射層の酸化物からなるとともに、前記複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程と、
前記反射層酸化膜の上方に発光層を介して半反射層を形成する工程とを備える、表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記反射層を陽極酸化することにより前記反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
画素トランジスタを形成する工程をさらに備え、
前記反射層を形成する工程は、前記反射層と前記画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とを接続するように前記反射層を形成する工程を含み、
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記画素トランジスタから前記反射層に電圧を印加することにより前記反射層を陽極酸化することによって、前記反射層の表面上に前記反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記複数の画素において、前記反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の前記反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
複数の画素と、
前記画素に設けられた反射層と、
前記反射層の表面上に形成され、前記反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜と、
前記反射層酸化膜の上方に発光層を介して形成された半反射層とを備え、
前記複数の画素は、異なる膜厚の前記反射層酸化膜を有するように形成されている、表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素には、それぞれ、画素トランジスタが設けられており、
前記反射層は、前記画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記反射層酸化膜は、平面的に見て、前記反射層の上面上の略全域に形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記反射層酸化膜と前記発光層との間には、単層の画素電極が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、最大強度を有する波長が異なる光を発光するように構成されており、
前記最大強度を有する波長が長い光を発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚は、前記最大強度を有する波長が短い光を発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、それぞれ、赤色、緑色および青色のうち、１つの光の色で発光するように構成されており、
前記赤色に発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚は、前記緑色に発光する画素に設けられた前記反射層酸化膜の膜厚よりも大きく形成され、
前記青色に発光する画素には、前記反射層酸化膜は形成されていない、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置を備える、電子機器。
【請求項８】
複数の画素に反射層を形成する工程と、
前記反射層の表面上に、前記反射層の表面を酸化することにより前記反射層の酸化物からなるとともに、前記複数の画素において異なる膜厚を有する単層の反射層酸化膜を形成する工程と、
前記反射層酸化膜の上方に発光層を介して半反射層を形成する工程とを備える、表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記反射層を陽極酸化することにより前記反射層の酸化物からなる単層の反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
画素トランジスタを形成する工程をさらに備え、
前記反射層を形成する工程は、前記反射層と前記画素トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方とを接続するように前記反射層を形成する工程を含み、
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記画素トランジスタから前記反射層に電圧を印加することにより前記反射層を陽極酸化することによって、前記反射層の表面上に前記反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記反射層酸化膜を形成する工程は、前記複数の画素において、前記反射層に電圧を印加する時間を異ならせることにより異なる膜厚を有する単層の前記反射層酸化膜を形成する工程を含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１０−１５３１７２（Ｐ２０１０−１５３１７２Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２９３７７（Ｐ２００８−３２９３７７）
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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