表示装置、電子機器
【課題】 表示品質を向上させ、さらには品質寿命を向上させることが可能な表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明の表示装置は、複数の画素にて構成される表示領域２ａを備える表示装置であって、前記表示領域２ａが、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域２１と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域２２とを備えることを特徴とする。
【解決手段】 本発明の表示装置は、複数の画素にて構成される表示領域２ａを備える表示装置であって、前記表示領域２ａが、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域２１と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域２２とを備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置に代表される自発光型表示装置は、バックライトを必要としないため薄型化が可能な表示装置として脚光を浴びている。このような有機ＥＬ装置は、例えば特許文献１に開示されているように、表示領域内に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色のサブ画素（表示の最小単位）をストライプ状に配列し、３つのサブ画素を１画素としてフルカラーの表示を可能としている。
【特許文献１】特開２００２−２５２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に開示された表示装置は、表示領域内において各々共通の画素構成により一様にフルカラー表示を行うものである。このような構成は、テレビのように表示領域における輝度の時間積分値が画素によらず略一定の表示を行う場合には好適であるが、逆に表示領域内での輝度の時間積分値が画素毎に異なるような表示を行う場合には、以下のような問題を生じる場合がある。つまり、１）輝度の時間積分値が大きい色の画素について輝度劣化が他の色よりも進み易い、２）輝度の時間積分値が大きい色の画素について輝度劣化が相対的に早いことで、全体としてホワイトバランスが崩れ、色味が変わったり、焼付きが生じ易い、３）単色表示したい領域に、フルカラー用の３色のサブ画素が存在すると開口率が低くなり、単色表示部分の輝度劣化が早くなる、等の問題が生じ得る。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、上記問題を悉く解決し、もって表示品質を向上させ、さらには品質寿命を向上させることが可能な表示装置の提供を目的としている。また、本発明は、このような高品質の表示が可能な表示装置を備える電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、複数の画素にて構成される表示領域を備え、前記表示領域が、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域とを備えることを特徴とする。なお、第１発光波長範囲と第２発光波長範囲とは互いに同一波長範囲でないものを意味しており、両範囲が完全同一でなければ良く、一方の範囲が他方の範囲に含まれることを除外するものではない。
【０００６】
このような本発明の表示装置は、第１表示領域の第１画素群と第２表示領域の第２画素群とで発光波長範囲が異なり、つまり発光可能な色の範囲（種類）が異なることとなる。したがって、本発明の表示装置が具備する表示領域は、表示可能な色がそれぞれ異なる第１表示領域と第２表示領域とに少なくとも分割されることとなり、表示領域の設計自由度を高めることができるようになる。
また、この場合、表示領域のうちの所定領域に必要な色の発光が可能な画素を配設し、しかも当該領域において不必要な色の画素を排除できるため、全体として開口率を高めることができる。つまり、従来の構成では、例えば単色表示を行う領域にも一様にフルカラー表示用の画素を配設しているため、不必要な色に係る画素が備えられたことによる開口率低下は免れなかったが、本発明では不必要な色に係る画素を排除することで、これを解決することができたのである。
また、そのような必要な色の画素のみにより所定の表示領域を構成することにより、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域全体に配置する場合に比して、１画素当りの輝度を低減させても、該従来と同程度の面輝度を得ることができ、したがって１画素当りの輝度劣化も低減され、消費電力を低減することも可能となり、ひいては輝度寿命を高めることも可能となる。
また、本発明の表示装置では解像度も向上されている。つまり、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域全体に配置する場合に比して、所定領域内における必要な色の画素数を増大させることができ、ひいては解像度の向上に寄与することができるのである。
【０００７】
本発明の表示装置では、前記第１画素群が複数種の色光を表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が１種の色光を表示可能な画素にて構成されてなるものとすることができる。この場合、第１表示領域では２色以上の表示が可能となる一方、第２表示領域では単色表示が可能となる。そして、特に第２表示領域では、従来のようなフルカラー表示用の画素を備える場合に比して、開口率向上、解像度向上、輝度寿命向上を実現することができるようになる。なお、具体的には、前記第１画素群を、所定の色光を発光可能なサブ画素と、これとは異なる色光を発光可能なサブ画素とを少なくとも含む画素にて構成する一方、前記第２画素群を、所定の色光を発光可能な１種のサブ画素のみを含む画素にて構成することで、上記構成を実現することができる。
【０００８】
さらに、前記第１画素群がフルカラー表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が単色表示可能な画素にて構成されてものとすることができる。具体的には、前記第１画素群を、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素とを含む画素にて構成する一方、前記第２画素群を、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素との中から選択される１又は２のサブ画素を含む画素にて構成することができる。
【０００９】
上記のような複数種のサブ画素を備える場合、各種サブ画素がそれぞれ同一の大きさにて構成されてなるものとすることができる。この場合、表示領域に形成するサブ画素の数により開口率を調整することができ、開口率の設計が容易となる。なお、サブ画素を長方形状にて構成し、画素を該長方形状のサブ画素を複数含む正方形状にて構成することが好ましい。
【００１０】
次に、本発明の電子機器は上記表示装置を備えることを特徴とし、このような電子機器によると、その表示部において高品質の表示を提供できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の表示装置の一実施形態としての有機ＥＬ装置について、及びその有機ＥＬ装置の製造方法について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１２】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面模式図、図３及び図４は画素の構成を拡大して示す平面模式図、図５及び図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有し、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には単位表示領域Ｐが設けられている。
【００１４】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、単位表示領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００１５】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００１６】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図５及び図６に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、基板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｃとに区画されている。
【００１７】
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色のいずれかを発光可能なドット（サブ画素）を表示の最小駆動単位として複数有しており、該各ドット（サブ画素）が図１に示した単位表示領域Ｐを構成している。そして、本実施形態では、表示領域２ａがフルカラー表示を行う第１表示領域２１と、単色表示を行う第２表示領域２２とを有して構成されている。第１表示領域２１には、図３にも示す通り、赤色（Ｒ）を発光可能なＲドットＡ１と、緑色（Ｇ）を発光可能なＧドットＡ２と、青色（Ｂ）を発光可能なＢドットＡ３の異なる３色のドットからなる画素Ａが複数配列されている。一方、第２表示領域２２には、図４にも示す通り、赤色（Ｒ）を発光可能なＲドットＡ１を３つ含んで構成された画素Ａ’が複数配列されている。
【００１８】
つまり、表示領域２ａには画素Ａ，Ａ’が所定の配列にて配置されてなり、該画素Ａと画素Ａ’とは発光可能な波長範囲が異なるものであって、画素Ａはフルカラーの波長範囲（概ね３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ程度）の発光が可能で、画素Ａ’は赤色の波長範囲（概ね５８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の発光が可能とされている。そして、複数の画素Ａを所定パターンで含む第１画素群にて構成される表示領域が、フルカラー表示可能な第１表示領域２１として構成され、一方、複数の画素Ａ’を所定パターンで含む第２画素群にて構成される表示領域が、赤色表示可能な第２表示領域２２として構成されている。なお、図３及び図４に示すように、各ドット（サブ画素）Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ同一長方形状、且つ同一面積にて構成されてなり、各画素Ａ，Ａ’はそれぞれ略正方形状にて構成されている。
【００１９】
図２に戻り、非表示領域２ｃには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５の両側には、走査側駆動回路１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２０】
図５は第１表示領域２１の断面構成図であって、該第１表示領域２１は上述の通り３種のドット（サブ画素）Ａ１、Ａ２、Ａ３にて構成されている。
第１表示領域２１では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２１】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２２】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２３】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００２４】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００２５】
バンク部１１２は、図５に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００２６】
無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００２７】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、下部開口部１１２ｃより開口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図５に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００２８】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００２９】
一方、有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子とが再結合し、発光が行われる。
【００３０】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
【００３１】
また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３は平面視ストライプ状に配置されている。
【００３２】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００３３】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００３４】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００３５】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００３６】
図５に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００３７】
一方、図６は第２表示領域２２の断面構成図であって、赤色のドット（サブ画素）Ａ１のみによって構成されている。なお、第２表示領域２２では、図５に示した第１表示領域２１とは発光層１１０ｂの構成のみが異なり、その他の断面構成は同様のため説明を省略する。つまり、第２表示領域２２では、３つの赤色ドットＡ１が１つの画素を構成しており、各ドットＡ１には、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１が配設されている。なお、第１表示領域２１では、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もあるが、当該第２表示領域２２においては、発光効率が低下するおそれがあるため、ＬｉＦを形成しない方が好ましい。
【００３８】
以上のような構成を有する本実施形態の有機ＥＬ装置によると、表示領域２ａが、フルカラー表示が可能な第１表示領域２１と、単色表示のみが可能な第２表示領域２２とにより構成されている。この場合、表示領域２ａの全域にフルカラー用の画素を配設するのではなく、所定の領域（第２表示領域２２）に必要な色の発光が可能な画素を配設し、しかも当該領域２２において不必要な色の画素を排除できるため、全体として開口率を高めることができる。また、そのような必要な色の画素のみにより所定の領域（第２表示領域２２）を構成することにより、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域２ａ全体に配置する場合に比して、１画素当りの輝度を低減させても、該従来と同程度の面輝度を得ることができ、したがって１画素当りの輝度劣化も低減され、消費電力を低減することも可能となり、ひいては輝度寿命を高めることも可能となる。
【００３９】
具体的には、図７に示すように寿命が向上する。図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置の第２表示領域２２における輝度（実施例）と、表示領域の全てをフルカラー表示用の画素にて構成した場合における輝度（比較例）とについて、その時間変化を表したグラフである。なお、縦軸は１画素当りの面輝度（ｃｄ／ｍ２）、横軸は時間（ｈｏｕｒ）を表している。
図７に示す通り、本実施形態の有機ＥＬ装置によると、実施例及び比較例の有機ＥＬ装置に関し、１画素において初期値３００ｃｄ／ｍ２の面輝度が得られるような画素設定とした場合、輝度が初期値の８０％となる時間は、比較例では８０００時間であったのに対し、実施例では４００００時間であった。つまり、本実施形態の構成の導入により、輝度の劣化時間が約５倍となったのである。
【００４０】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置では解像度も向上されている。つまり、フルカラー用の画素を表示領域２ａ全体に配置する場合に比して、所定領域（第２表示領域２２）内における必要な色の画素数を増大させることができ、解像度を向上させることができるのである。
【００４１】
なお、本実施形態では第１表示領域２１をフルカラー表示用、第２表示領域２２を単色表示用として構成しているが、例えば第１表示領域２１をフルカラー表示用、第２表示領域２２を二色表示用、或いは第１表示領域２１を二色表示用、第２表示領域２２を単色表示用として構成してもよい。また、単色表示用に、白色発光材料を用いて、白色発光としても良い。これにより沢山のバリエーションを有した表示領域２ａを構成することができる。
【００４２】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）陰極形成工程及び（５）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。
なお、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、液滴吐出装置（インクジェット装置）を用いた液体吐出法（インクジェット法）にて行われる。
【００４３】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置にバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。
【００４４】
（１）−１ 無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図８に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４５】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形にて形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図８に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。なお、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより発光層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４６】
（１）−２ 有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図８に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられ、全画素共通のパターンを有して形成するものとしている。
【００４７】
上部開口部１１２ｄは、図８に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。
これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００４８】
形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理を施すことが好ましく、具体的にはバンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００４９】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に発光素子形成工程では、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、ここで、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともあり、つまり画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
【００５０】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。すなわち、図９に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成物を充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを相対的に移動させることによっても組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００５１】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向させて配置し、ノズルＨ２から液状組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成されており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された液状組成物の液滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００５２】
本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５３】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５４】
上記の液状組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【００５５】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５６】
電極面１１１ａ上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極面１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００５７】
インクジェットヘッドの構造については、図１７に示すようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１８のように配置することが好ましい。図１７中、符号Ｈ７は前記のインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板であり、この支持基板Ｈ７上に複数のインクジェットヘッドＨ１が備えられている。インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェットヘッドＨ１は、吐出ノズルを基板側に向けるとともに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２０に複数（図１７では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。
【００５８】
また図１８において、符号１１１５は基板２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。このように、インクジェットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッチに対しても対応させることができる。
【００５９】
図１８に示す基板２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１７に示すヘッドＨ及び図１８に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用いるものである。
【００６０】
次に、図１０に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図１０に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００６１】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ１が形成される。このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される態様であっても構わない。
【００６２】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６３】
（３）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００６４】
図１１に、インクジェットにより発光層形成用材料を含む液状組成物の吐出工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら液状組成物を吐出する。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液滴が吐出ノズルから吐出され、この液滴を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６５】
本実施形態では、図２に示した通り、第１表示領域２１と第２表示領域２２とでは、各色のドットパターンが異なるため、それぞれ領域で吐出態様が異なることとなる。
第１表示領域２１では、図１２に示すように、基板２上に滴下された液状組成物滴１１０ｅを乾燥させることなく、異なる色の発光層形成材料を含有する液状組成物滴１１０ｆ及び１１０ｇの吐出配置を行うようになっている。一方、第２表示領域２２では、赤色発光層形成材料を含有する液状組成物１１０ｇを吐出配置するようになっている。つまり、本実施形態では、インクジェットにより吐出工程を行っているため、所定のドットに対して、所定の色の吐出を選択的に行うことができるようになっている。
【００６６】
吐出された各液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは、図１２に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇで濡れることがなく、液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６７】
なお、第１表示領域２１と第２表示領域２２との境界部にダミー画素を配置されている。ダミー画素はバンク部１１２にて囲まれた開口部１１２ｇは有するものの、該ダミー画素には液滴が吐出されず、したがって発光層が形成されないこととなる。
上述した通り、第１表示領域２１では赤色、緑色、青色の各色発光層形成材料を含む液状組成物を吐出する一方、第２表示領域２２では赤色の発光層形成材料を含む液状組成物を吐出するものとしている。この場合、仮に第１表示領域２１と第２表示領域２２とを連続で形成する場合には、両者の境界で色の混じりが生じる惧れがあるが、本実施形態のようにダミー画素を配置することで、該混じりによる表示不良の発生を防止ないし抑制することが可能となる。なお、該ダミー領域には、これと平面的に重なるように遮光部を設けておくことが好ましい。
【００６８】
本実施形態に用いる発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体の他、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色発光層毎に同じ種類のものを用いるものとしている。
【００６９】
次に、乾燥処理を行う。第１表示領域２１では、上記各色用の液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇを所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図１３に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図１３においては赤、緑、青に発光する発光層が１つずつ図示されているが、図２やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（各色に対応）が形成されている。
【００７０】
一方、第２表示領域２２では、赤色用の液状組成物１１０ｇを配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図１４に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１が形成される。
【００７１】
以上のような液状組成物の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７２】
次いで、上記乾燥処理が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７３】
（４）陰極形成工程
次に、図１５及び図１６に示すように、第１表示領域２１と第２表示領域２２のそれぞれに、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００７４】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００７５】
（５）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００７６】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００７７】
（電子機器）
次に、本発明の表示装置を用いた電子機器について説明する。
まず、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の構成の表示装置をインストルメントパネルの表示部に用いた実施形態について説明する。図１９は、インストルメントパネルに備え付ける表示部用基板の構成を模式的に示す平面図であって、図２０は、同じく表示部用基板の構成を模式的に示す断面図である。
【００７８】
当該表示部は、ＴＦＴ等を備えた基板２及び封止ガラス３の間に有機ＥＬ層が挟持された構成の表示本体部３１を主体として構成され、該表示本体部３１の中央部に表示面３２が配設されている。また、基板２に接続されたフレキシブル基板４と、該フレキシブル基板４上に配設されたデータ線駆動ＩＣ５とを備えた外部接続部３３が、上記表示本体部３１に接続されており、該外部接続部３３の端部には外部接続端子６が配設されている。
【００７９】
なお、基板２には、トランジスタアレイが構成され、データ保持回路が備えられるとともに、スキャンドライバが内蔵されている。また、フレキシブル基板４には、データ線や、制御線、電源線等が形成されており、データ線駆動ＩＣは、各ドット（サブ画素）にデータを供給する機能を具備している。また、外部接続端子６は、図示しない外部制御基板から制御信号を、電源基板から電源を受けるための端子である。
【００８０】
一方、図２１は搭載する表示部について、その表示領域の構成を示す説明図である。図２に示した有機ＥＬ装置では、カラー表示可能な範囲が異なる２つの表示領域から構成されていたが、本表示部の表示領域２ａは、赤色の単色表示のみが可能な赤色表示領域２２ａと、青色の単色表示のみが可能な青色表示領域２２ｂと、フルカラー表示が可能なフルカラー表示領域２１とから構成されている。ここで、各表示領域の境界領域にはダミー画素領域２３が構成され、いずれの表示も行わない領域、つまり発光層を具備しない画素領域が形成されている。境界領域は、発光層を形成して、制御回路にて、電流が流れないようにしても良い。
【００８１】
なお、当該ダミー画素領域２３には、その幅方向に３つの画素（つまり９つのドット（サブ画素））が形成されている。また、当該表示部の表示領域２ａは、全体で５６０×５６０の画素を含み、１画素には３つのドット（サブ画素）が含まれており、その表示領域２ａの周辺部にも、ダミー画素領域２３が形成されている。
【００８２】
以上のような構成の表示部は、図２２に示すようにインストルメントパネル部５００に装着されて使用に供される。具体的には、フレキシブル基板４をインストルメントパネル部５００内部に組み込む形にて装着される。赤色表示領域２２ａは、速度表示を行うメータ表示部７１として使用に供され、自動車使用時には常時点灯表示される一方、青色表示領域２２ｂは、運転上必要な情報を表示する必要情報表示部７２として使用に供され、当該情報を出力するタイミングに応じて点灯表示される。さらに、フルカラー表示領域２１は、ナビゲーションシステムからのナビゲーション情報や、車載されたカメラからの外部情報等の付随的に必要な情報をフルカラー表示する任意情報表示部７４として使用に供される。
【００８３】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の構成の表示装置を家電製品の表示部に用いた実施形態について説明する。図２３は、冷蔵庫に備え付ける表示パネルの構成を模式的に示す平面図であって、図２４は、その使用態様を示す平面図である。なお、基板構成等は上記インストルメントパネルに用いたものと同様のため、説明を省略する。
【００８４】
本実施形態に用いた表示パネルの表示領域２ａは、フルカラー表示が可能なフルカラー表示領域２１と、橙色の単色表示のみが可能な橙色表示領域２２ｃと、赤色の単色表示のみが可能な赤色表示領域２２ｄとから構成されている。なお、橙色表示領域２２ｃは、赤色のドット（サブ画素）２つと、緑色のドット（サブ画素）１つとからなる画素にて構成されている。また、表示領域２ａの周辺部にはダミー画素領域２３が構成されている。
【００８５】
以上のような構成の表示パネルは、図２４に示すように冷蔵庫の表示部５５０に装着されて使用に供される。具体的には、赤色表示領域２２ｄは、庫内温度その他の運転状況を表示する運転状況表示部７７として使用に供される一方、橙色表示領域２２ｃは、サービス情報を表示するサービス情報表示部７６として使用に供され、本実施形態では日替わりでレシピが表示される態様となっている。さらに、フルカラー表示領域２１は、上記サービス情報に付随する画像情報を表示する画像表示部７５として使用に供される。
【００８６】
以上のような電子機器によると、表示のバリエーションが増える上、本発明に係る表示装置を具備したものであるため、高品質の表示を高寿命にて提供することができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】第１表示領域に係る画素の平面構成図。
【図４】第２表示領域に係る画素の平面構成図。
【図５】第１表示領域の断面構成を示す図。
【図６】第２表示領域の断面構成を示す図。
【図７】実施例における輝度の経時変化と、比較例における輝度の経時変化とについて示したグラフ。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１２】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１３】実施形態に係る製造方法について第１表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１４】実施形態に係る製造方法について第２表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１５】実施形態に係る製造方法について第１表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１６】実施形態に係る製造方法について第２表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１７】実施形態に係るヘッドの平面構成図。
【図１８】実施形態に係るインクジェット装置の平面構成図。
【図１９】電子機器に装着する表示部を構成する基板の一例を示す平面図。
【図２０】図１９に示した表示部を構成する基板の断面構成を示す断面図。
【図２１】図１９に示した表示部について表示領域の構成を示す平面図。
【図２２】電子機器の一例を示す平面図。
【図２３】電子機器に装着する表示部を構成する基板の一変形例を示す平面図。
【図２４】電子機器の一例を示す平面図。
【符号の説明】
【００８８】
２…基板、２ａ…表示領域、２１…第１表示領域、２２…第２表示領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置に代表される自発光型表示装置は、バックライトを必要としないため薄型化が可能な表示装置として脚光を浴びている。このような有機ＥＬ装置は、例えば特許文献１に開示されているように、表示領域内に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色のサブ画素（表示の最小単位）をストライプ状に配列し、３つのサブ画素を１画素としてフルカラーの表示を可能としている。
【特許文献１】特開２００２−２５２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に開示された表示装置は、表示領域内において各々共通の画素構成により一様にフルカラー表示を行うものである。このような構成は、テレビのように表示領域における輝度の時間積分値が画素によらず略一定の表示を行う場合には好適であるが、逆に表示領域内での輝度の時間積分値が画素毎に異なるような表示を行う場合には、以下のような問題を生じる場合がある。つまり、１）輝度の時間積分値が大きい色の画素について輝度劣化が他の色よりも進み易い、２）輝度の時間積分値が大きい色の画素について輝度劣化が相対的に早いことで、全体としてホワイトバランスが崩れ、色味が変わったり、焼付きが生じ易い、３）単色表示したい領域に、フルカラー用の３色のサブ画素が存在すると開口率が低くなり、単色表示部分の輝度劣化が早くなる、等の問題が生じ得る。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、上記問題を悉く解決し、もって表示品質を向上させ、さらには品質寿命を向上させることが可能な表示装置の提供を目的としている。また、本発明は、このような高品質の表示が可能な表示装置を備える電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、複数の画素にて構成される表示領域を備え、前記表示領域が、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域とを備えることを特徴とする。なお、第１発光波長範囲と第２発光波長範囲とは互いに同一波長範囲でないものを意味しており、両範囲が完全同一でなければ良く、一方の範囲が他方の範囲に含まれることを除外するものではない。
【０００６】
このような本発明の表示装置は、第１表示領域の第１画素群と第２表示領域の第２画素群とで発光波長範囲が異なり、つまり発光可能な色の範囲（種類）が異なることとなる。したがって、本発明の表示装置が具備する表示領域は、表示可能な色がそれぞれ異なる第１表示領域と第２表示領域とに少なくとも分割されることとなり、表示領域の設計自由度を高めることができるようになる。
また、この場合、表示領域のうちの所定領域に必要な色の発光が可能な画素を配設し、しかも当該領域において不必要な色の画素を排除できるため、全体として開口率を高めることができる。つまり、従来の構成では、例えば単色表示を行う領域にも一様にフルカラー表示用の画素を配設しているため、不必要な色に係る画素が備えられたことによる開口率低下は免れなかったが、本発明では不必要な色に係る画素を排除することで、これを解決することができたのである。
また、そのような必要な色の画素のみにより所定の表示領域を構成することにより、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域全体に配置する場合に比して、１画素当りの輝度を低減させても、該従来と同程度の面輝度を得ることができ、したがって１画素当りの輝度劣化も低減され、消費電力を低減することも可能となり、ひいては輝度寿命を高めることも可能となる。
また、本発明の表示装置では解像度も向上されている。つまり、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域全体に配置する場合に比して、所定領域内における必要な色の画素数を増大させることができ、ひいては解像度の向上に寄与することができるのである。
【０００７】
本発明の表示装置では、前記第１画素群が複数種の色光を表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が１種の色光を表示可能な画素にて構成されてなるものとすることができる。この場合、第１表示領域では２色以上の表示が可能となる一方、第２表示領域では単色表示が可能となる。そして、特に第２表示領域では、従来のようなフルカラー表示用の画素を備える場合に比して、開口率向上、解像度向上、輝度寿命向上を実現することができるようになる。なお、具体的には、前記第１画素群を、所定の色光を発光可能なサブ画素と、これとは異なる色光を発光可能なサブ画素とを少なくとも含む画素にて構成する一方、前記第２画素群を、所定の色光を発光可能な１種のサブ画素のみを含む画素にて構成することで、上記構成を実現することができる。
【０００８】
さらに、前記第１画素群がフルカラー表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が単色表示可能な画素にて構成されてものとすることができる。具体的には、前記第１画素群を、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素とを含む画素にて構成する一方、前記第２画素群を、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素との中から選択される１又は２のサブ画素を含む画素にて構成することができる。
【０００９】
上記のような複数種のサブ画素を備える場合、各種サブ画素がそれぞれ同一の大きさにて構成されてなるものとすることができる。この場合、表示領域に形成するサブ画素の数により開口率を調整することができ、開口率の設計が容易となる。なお、サブ画素を長方形状にて構成し、画素を該長方形状のサブ画素を複数含む正方形状にて構成することが好ましい。
【００１０】
次に、本発明の電子機器は上記表示装置を備えることを特徴とし、このような電子機器によると、その表示部において高品質の表示を提供できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の表示装置の一実施形態としての有機ＥＬ装置について、及びその有機ＥＬ装置の製造方法について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１２】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面模式図、図３及び図４は画素の構成を拡大して示す平面模式図、図５及び図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有し、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には単位表示領域Ｐが設けられている。
【００１４】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、単位表示領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００１５】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００１６】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図５及び図６に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、基板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｃとに区画されている。
【００１７】
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色のいずれかを発光可能なドット（サブ画素）を表示の最小駆動単位として複数有しており、該各ドット（サブ画素）が図１に示した単位表示領域Ｐを構成している。そして、本実施形態では、表示領域２ａがフルカラー表示を行う第１表示領域２１と、単色表示を行う第２表示領域２２とを有して構成されている。第１表示領域２１には、図３にも示す通り、赤色（Ｒ）を発光可能なＲドットＡ１と、緑色（Ｇ）を発光可能なＧドットＡ２と、青色（Ｂ）を発光可能なＢドットＡ３の異なる３色のドットからなる画素Ａが複数配列されている。一方、第２表示領域２２には、図４にも示す通り、赤色（Ｒ）を発光可能なＲドットＡ１を３つ含んで構成された画素Ａ’が複数配列されている。
【００１８】
つまり、表示領域２ａには画素Ａ，Ａ’が所定の配列にて配置されてなり、該画素Ａと画素Ａ’とは発光可能な波長範囲が異なるものであって、画素Ａはフルカラーの波長範囲（概ね３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ程度）の発光が可能で、画素Ａ’は赤色の波長範囲（概ね５８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の発光が可能とされている。そして、複数の画素Ａを所定パターンで含む第１画素群にて構成される表示領域が、フルカラー表示可能な第１表示領域２１として構成され、一方、複数の画素Ａ’を所定パターンで含む第２画素群にて構成される表示領域が、赤色表示可能な第２表示領域２２として構成されている。なお、図３及び図４に示すように、各ドット（サブ画素）Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ同一長方形状、且つ同一面積にて構成されてなり、各画素Ａ，Ａ’はそれぞれ略正方形状にて構成されている。
【００１９】
図２に戻り、非表示領域２ｃには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５の両側には、走査側駆動回路１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２０】
図５は第１表示領域２１の断面構成図であって、該第１表示領域２１は上述の通り３種のドット（サブ画素）Ａ１、Ａ２、Ａ３にて構成されている。
第１表示領域２１では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２１】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２２】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２３】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００２４】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００２５】
バンク部１１２は、図５に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００２６】
無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００２７】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、下部開口部１１２ｃより開口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図５に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００２８】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００２９】
一方、有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子とが再結合し、発光が行われる。
【００３０】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
【００３１】
また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３は平面視ストライプ状に配置されている。
【００３２】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００３３】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００３４】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００３５】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００３６】
図５に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００３７】
一方、図６は第２表示領域２２の断面構成図であって、赤色のドット（サブ画素）Ａ１のみによって構成されている。なお、第２表示領域２２では、図５に示した第１表示領域２１とは発光層１１０ｂの構成のみが異なり、その他の断面構成は同様のため説明を省略する。つまり、第２表示領域２２では、３つの赤色ドットＡ１が１つの画素を構成しており、各ドットＡ１には、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１が配設されている。なお、第１表示領域２１では、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もあるが、当該第２表示領域２２においては、発光効率が低下するおそれがあるため、ＬｉＦを形成しない方が好ましい。
【００３８】
以上のような構成を有する本実施形態の有機ＥＬ装置によると、表示領域２ａが、フルカラー表示が可能な第１表示領域２１と、単色表示のみが可能な第２表示領域２２とにより構成されている。この場合、表示領域２ａの全域にフルカラー用の画素を配設するのではなく、所定の領域（第２表示領域２２）に必要な色の発光が可能な画素を配設し、しかも当該領域２２において不必要な色の画素を排除できるため、全体として開口率を高めることができる。また、そのような必要な色の画素のみにより所定の領域（第２表示領域２２）を構成することにより、従来のようにフルカラー用の画素を表示領域２ａ全体に配置する場合に比して、１画素当りの輝度を低減させても、該従来と同程度の面輝度を得ることができ、したがって１画素当りの輝度劣化も低減され、消費電力を低減することも可能となり、ひいては輝度寿命を高めることも可能となる。
【００３９】
具体的には、図７に示すように寿命が向上する。図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置の第２表示領域２２における輝度（実施例）と、表示領域の全てをフルカラー表示用の画素にて構成した場合における輝度（比較例）とについて、その時間変化を表したグラフである。なお、縦軸は１画素当りの面輝度（ｃｄ／ｍ２）、横軸は時間（ｈｏｕｒ）を表している。
図７に示す通り、本実施形態の有機ＥＬ装置によると、実施例及び比較例の有機ＥＬ装置に関し、１画素において初期値３００ｃｄ／ｍ２の面輝度が得られるような画素設定とした場合、輝度が初期値の８０％となる時間は、比較例では８０００時間であったのに対し、実施例では４００００時間であった。つまり、本実施形態の構成の導入により、輝度の劣化時間が約５倍となったのである。
【００４０】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置では解像度も向上されている。つまり、フルカラー用の画素を表示領域２ａ全体に配置する場合に比して、所定領域（第２表示領域２２）内における必要な色の画素数を増大させることができ、解像度を向上させることができるのである。
【００４１】
なお、本実施形態では第１表示領域２１をフルカラー表示用、第２表示領域２２を単色表示用として構成しているが、例えば第１表示領域２１をフルカラー表示用、第２表示領域２２を二色表示用、或いは第１表示領域２１を二色表示用、第２表示領域２２を単色表示用として構成してもよい。また、単色表示用に、白色発光材料を用いて、白色発光としても良い。これにより沢山のバリエーションを有した表示領域２ａを構成することができる。
【００４２】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）陰極形成工程及び（５）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。
なお、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、液滴吐出装置（インクジェット装置）を用いた液体吐出法（インクジェット法）にて行われる。
【００４３】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置にバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。
【００４４】
（１）−１ 無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図８に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４５】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形にて形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図８に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。なお、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより発光層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４６】
（１）−２ 有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図８に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられ、全画素共通のパターンを有して形成するものとしている。
【００４７】
上部開口部１１２ｄは、図８に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。
これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００４８】
形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理を施すことが好ましく、具体的にはバンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００４９】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に発光素子形成工程では、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、ここで、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともあり、つまり画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
【００５０】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。すなわち、図９に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成物を充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを相対的に移動させることによっても組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００５１】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向させて配置し、ノズルＨ２から液状組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成されており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された液状組成物の液滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００５２】
本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５３】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５４】
上記の液状組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【００５５】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５６】
電極面１１１ａ上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極面１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００５７】
インクジェットヘッドの構造については、図１７に示すようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１８のように配置することが好ましい。図１７中、符号Ｈ７は前記のインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板であり、この支持基板Ｈ７上に複数のインクジェットヘッドＨ１が備えられている。インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェットヘッドＨ１は、吐出ノズルを基板側に向けるとともに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２０に複数（図１７では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。
【００５８】
また図１８において、符号１１１５は基板２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。このように、インクジェットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッチに対しても対応させることができる。
【００５９】
図１８に示す基板２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１７に示すヘッドＨ及び図１８に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用いるものである。
【００６０】
次に、図１０に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図１０に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００６１】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ１が形成される。このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される態様であっても構わない。
【００６２】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６３】
（３）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００６４】
図１１に、インクジェットにより発光層形成用材料を含む液状組成物の吐出工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら液状組成物を吐出する。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液滴が吐出ノズルから吐出され、この液滴を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６５】
本実施形態では、図２に示した通り、第１表示領域２１と第２表示領域２２とでは、各色のドットパターンが異なるため、それぞれ領域で吐出態様が異なることとなる。
第１表示領域２１では、図１２に示すように、基板２上に滴下された液状組成物滴１１０ｅを乾燥させることなく、異なる色の発光層形成材料を含有する液状組成物滴１１０ｆ及び１１０ｇの吐出配置を行うようになっている。一方、第２表示領域２２では、赤色発光層形成材料を含有する液状組成物１１０ｇを吐出配置するようになっている。つまり、本実施形態では、インクジェットにより吐出工程を行っているため、所定のドットに対して、所定の色の吐出を選択的に行うことができるようになっている。
【００６６】
吐出された各液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは、図１２に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇで濡れることがなく、液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６７】
なお、第１表示領域２１と第２表示領域２２との境界部にダミー画素を配置されている。ダミー画素はバンク部１１２にて囲まれた開口部１１２ｇは有するものの、該ダミー画素には液滴が吐出されず、したがって発光層が形成されないこととなる。
上述した通り、第１表示領域２１では赤色、緑色、青色の各色発光層形成材料を含む液状組成物を吐出する一方、第２表示領域２２では赤色の発光層形成材料を含む液状組成物を吐出するものとしている。この場合、仮に第１表示領域２１と第２表示領域２２とを連続で形成する場合には、両者の境界で色の混じりが生じる惧れがあるが、本実施形態のようにダミー画素を配置することで、該混じりによる表示不良の発生を防止ないし抑制することが可能となる。なお、該ダミー領域には、これと平面的に重なるように遮光部を設けておくことが好ましい。
【００６８】
本実施形態に用いる発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体の他、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色発光層毎に同じ種類のものを用いるものとしている。
【００６９】
次に、乾燥処理を行う。第１表示領域２１では、上記各色用の液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇを所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図１３に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図１３においては赤、緑、青に発光する発光層が１つずつ図示されているが、図２やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（各色に対応）が形成されている。
【００７０】
一方、第２表示領域２２では、赤色用の液状組成物１１０ｇを配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図１４に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１が形成される。
【００７１】
以上のような液状組成物の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７２】
次いで、上記乾燥処理が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７３】
（４）陰極形成工程
次に、図１５及び図１６に示すように、第１表示領域２１と第２表示領域２２のそれぞれに、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００７４】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００７５】
（５）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００７６】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００７７】
（電子機器）
次に、本発明の表示装置を用いた電子機器について説明する。
まず、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の構成の表示装置をインストルメントパネルの表示部に用いた実施形態について説明する。図１９は、インストルメントパネルに備え付ける表示部用基板の構成を模式的に示す平面図であって、図２０は、同じく表示部用基板の構成を模式的に示す断面図である。
【００７８】
当該表示部は、ＴＦＴ等を備えた基板２及び封止ガラス３の間に有機ＥＬ層が挟持された構成の表示本体部３１を主体として構成され、該表示本体部３１の中央部に表示面３２が配設されている。また、基板２に接続されたフレキシブル基板４と、該フレキシブル基板４上に配設されたデータ線駆動ＩＣ５とを備えた外部接続部３３が、上記表示本体部３１に接続されており、該外部接続部３３の端部には外部接続端子６が配設されている。
【００７９】
なお、基板２には、トランジスタアレイが構成され、データ保持回路が備えられるとともに、スキャンドライバが内蔵されている。また、フレキシブル基板４には、データ線や、制御線、電源線等が形成されており、データ線駆動ＩＣは、各ドット（サブ画素）にデータを供給する機能を具備している。また、外部接続端子６は、図示しない外部制御基板から制御信号を、電源基板から電源を受けるための端子である。
【００８０】
一方、図２１は搭載する表示部について、その表示領域の構成を示す説明図である。図２に示した有機ＥＬ装置では、カラー表示可能な範囲が異なる２つの表示領域から構成されていたが、本表示部の表示領域２ａは、赤色の単色表示のみが可能な赤色表示領域２２ａと、青色の単色表示のみが可能な青色表示領域２２ｂと、フルカラー表示が可能なフルカラー表示領域２１とから構成されている。ここで、各表示領域の境界領域にはダミー画素領域２３が構成され、いずれの表示も行わない領域、つまり発光層を具備しない画素領域が形成されている。境界領域は、発光層を形成して、制御回路にて、電流が流れないようにしても良い。
【００８１】
なお、当該ダミー画素領域２３には、その幅方向に３つの画素（つまり９つのドット（サブ画素））が形成されている。また、当該表示部の表示領域２ａは、全体で５６０×５６０の画素を含み、１画素には３つのドット（サブ画素）が含まれており、その表示領域２ａの周辺部にも、ダミー画素領域２３が形成されている。
【００８２】
以上のような構成の表示部は、図２２に示すようにインストルメントパネル部５００に装着されて使用に供される。具体的には、フレキシブル基板４をインストルメントパネル部５００内部に組み込む形にて装着される。赤色表示領域２２ａは、速度表示を行うメータ表示部７１として使用に供され、自動車使用時には常時点灯表示される一方、青色表示領域２２ｂは、運転上必要な情報を表示する必要情報表示部７２として使用に供され、当該情報を出力するタイミングに応じて点灯表示される。さらに、フルカラー表示領域２１は、ナビゲーションシステムからのナビゲーション情報や、車載されたカメラからの外部情報等の付随的に必要な情報をフルカラー表示する任意情報表示部７４として使用に供される。
【００８３】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の構成の表示装置を家電製品の表示部に用いた実施形態について説明する。図２３は、冷蔵庫に備え付ける表示パネルの構成を模式的に示す平面図であって、図２４は、その使用態様を示す平面図である。なお、基板構成等は上記インストルメントパネルに用いたものと同様のため、説明を省略する。
【００８４】
本実施形態に用いた表示パネルの表示領域２ａは、フルカラー表示が可能なフルカラー表示領域２１と、橙色の単色表示のみが可能な橙色表示領域２２ｃと、赤色の単色表示のみが可能な赤色表示領域２２ｄとから構成されている。なお、橙色表示領域２２ｃは、赤色のドット（サブ画素）２つと、緑色のドット（サブ画素）１つとからなる画素にて構成されている。また、表示領域２ａの周辺部にはダミー画素領域２３が構成されている。
【００８５】
以上のような構成の表示パネルは、図２４に示すように冷蔵庫の表示部５５０に装着されて使用に供される。具体的には、赤色表示領域２２ｄは、庫内温度その他の運転状況を表示する運転状況表示部７７として使用に供される一方、橙色表示領域２２ｃは、サービス情報を表示するサービス情報表示部７６として使用に供され、本実施形態では日替わりでレシピが表示される態様となっている。さらに、フルカラー表示領域２１は、上記サービス情報に付随する画像情報を表示する画像表示部７５として使用に供される。
【００８６】
以上のような電子機器によると、表示のバリエーションが増える上、本発明に係る表示装置を具備したものであるため、高品質の表示を高寿命にて提供することができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】第１表示領域に係る画素の平面構成図。
【図４】第２表示領域に係る画素の平面構成図。
【図５】第１表示領域の断面構成を示す図。
【図６】第２表示領域の断面構成を示す図。
【図７】実施例における輝度の経時変化と、比較例における輝度の経時変化とについて示したグラフ。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１２】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１３】実施形態に係る製造方法について第１表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１４】実施形態に係る製造方法について第２表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１５】実施形態に係る製造方法について第１表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１６】実施形態に係る製造方法について第２表示領域に係るものを説明する工程図。
【図１７】実施形態に係るヘッドの平面構成図。
【図１８】実施形態に係るインクジェット装置の平面構成図。
【図１９】電子機器に装着する表示部を構成する基板の一例を示す平面図。
【図２０】図１９に示した表示部を構成する基板の断面構成を示す断面図。
【図２１】図１９に示した表示部について表示領域の構成を示す平面図。
【図２２】電子機器の一例を示す平面図。
【図２３】電子機器に装着する表示部を構成する基板の一変形例を示す平面図。
【図２４】電子機器の一例を示す平面図。
【符号の説明】
【００８８】
２…基板、２ａ…表示領域、２１…第１表示領域、２２…第２表示領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素にて構成される表示領域を備える表示装置であって、
前記表示領域が、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域とを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１画素群が複数種の色光を表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が１種の色光を表示可能な画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１画素群が、所定の色光を発光可能なサブ画素と、これとは異なる色光を発光可能なサブ画素とを少なくとも含む画素にて構成される一方、
前記第２画素群が、所定の色光を発光可能な１種のサブ画素のみを含む画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１画素群がフルカラー表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が単色表示可能な画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１画素群が、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素とを含む画素にて構成される一方、前記第２画素群が、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素との中から選択される１又は２のサブ画素を含む画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記サブ画素が、それぞれ同一の大きさにて構成されてなることを特徴とする請求項３又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記サブ画素が長方形状にて構成される一方、前記画素が該長方形状のサブ画素を複数含む正方形状にて構成されてなることを特徴とする請求項３、５又は６に記載の表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
複数の画素にて構成される表示領域を備える表示装置であって、
前記表示領域が、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域とを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１画素群が複数種の色光を表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が１種の色光を表示可能な画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１画素群が、所定の色光を発光可能なサブ画素と、これとは異なる色光を発光可能なサブ画素とを少なくとも含む画素にて構成される一方、
前記第２画素群が、所定の色光を発光可能な１種のサブ画素のみを含む画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１画素群がフルカラー表示可能な画素にて構成される一方、前記第２画素群が単色表示可能な画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１画素群が、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素とを含む画素にて構成される一方、前記第２画素群が、赤色を発光可能なサブ画素と、緑色を発光可能なサブ画素と、青色を発光可能なサブ画素との中から選択される１又は２のサブ画素を含む画素にて構成されてなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記サブ画素が、それぞれ同一の大きさにて構成されてなることを特徴とする請求項３又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記サブ画素が長方形状にて構成される一方、前記画素が該長方形状のサブ画素を複数含む正方形状にて構成されてなることを特徴とする請求項３、５又は６に記載の表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２００６−４１００３（Ｐ２００６−４１００３Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２１５３２６（Ｐ２００４−２１５３２６）
【出願日】平成１６年７月２３日（２００４．７．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２３日（２００４．７．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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