表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
【課題】抵抗層の表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極を形成可能な表示装置およびその製造方法並びに電子機器を提供する
【解決手段】基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する表示装置。
【解決手段】基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、２つの電極間に有機層と共に抵抗層を有する有機電界発光素子を備えた表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するのに伴い、高性能な表示素子が要求されている。例えば有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示素子は、自発光型表示素子であり、視野角の広さ、コントラスト、応答速度の点で優れている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は基板上に第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有しており、総膜厚は数百ｎｍである。このような素子の膜厚の小さな有機ＥＬ表示装置では、第１電極上のパーティクル（異物）や突起物により、第１電極および第２電極間で短絡が生じる虞がある。
【０００４】
このような電極間での短絡を防ぐため、電極と有機層との間に無機の酸化物からなる抵抗層（高抵抗層）を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献１，２）。例えば、トップエミッション型であれば、有機層と第２電極との間に抵抗層が配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１８６６３７号公報
【特許文献２】特開２０１０−５６０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この抵抗層を有する表示装置を製造する場合、抵抗層と第２電極とは、異なるマスクにより形成される。これは、第２電極を、基板上の取り出し配線層（外部接続層）に電気的に接続し、外部の駆動回路との接続を確保するためである。抵抗層と第２電極とを同じマスクにより形成すると、取り出し配線層と第２電極との間に抵抗層が存在し、電気的接触が阻害される。即ち、抵抗層の形成工程と、第２電極の形成工程との間にはマスクの交換作業が必要となる。このマスクの交換は、抵抗層の膜表面（界面）を清浄な状態に保つため、真空中で行われる。
【０００７】
しかしながら、マスクの交換作業は、基板を抵抗層の形成に使用したマスクから剥離した後、基板を保持し、第２電極の形成に使用するマスクを基板に密着させるという工程を経るものであるため、真空中で行うと作業効率は低下し、使用する装置のコストも増す。特に、大型の基板を用いる場合には、基板のたわみが無視できないほどに大きくなり、基板の保持には大掛かりな装置が必要となる。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、抵抗層表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極を形成することができる表示装置およびその製造方法並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による表示装置は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、第２電極は、抵抗層に接する保護電極層と、保護電極層の上層に設けられると共に外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有するものである。本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術による表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、第２電極を形成する工程では、抵抗層に接する保護電極層を形成した後、保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、接続電極層を外部接続層に電気的に接続させるものである。
【００１１】
本技術の表示装置（表示装置の製造方法）では、第２電極が、抵抗層に接する保護電極層と、外部接続層に電気的に接続された接続電極層との少なくとも２層により構成されているので、抵抗層と同じマスクにより、保護電極層を形成した後、マスクを交換して接続電極層を形成することが可能となる。よって、マスクの交換作業を真空中ではなく、例えば不活性ガス中で行っても、保護電極層により抵抗層の表面が汚染されることはなく、また、保護電極層により外部の駆動回路との電気的な接続が確保される。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の表示装置およびその製造方法並びに電子機器によれば、第２電極が抵抗層に接する保護電極層と、外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有するようにしたので、真空中でのマスク交換を行うことなく、抵抗層および第２電極を形成することができる。よって、抵抗層表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図５】図４に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す図である。
【図７】図６に続く工程を表す図である。
【図８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側からみた外観を表す斜視図である。
【図１１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１４】図１に示した表示装置の電流−電圧特性を比較例と共に表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第２電極が保護電極層と接続電極層とにより構成された例）
２．適用例
３．実施例
【００１５】
＜実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表したものであり、図１（Ａ）は、全体構成、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の点線で囲んだ領域を拡大したものである。この表示装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、例えば、基板１１の上に、表示領域１１０として、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（有機電界発光素子）がマトリクス状に配置されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、赤色，緑色および青色を発光する。表示領域１１０の周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０，走査線駆動回路１３０および外部の駆動回路に電気的に接続された配線１５０（外部接続層）が設けられている。配線１５０は、表示領域１１０の周囲を囲むように設けられ、走査線駆動回路１３０側で外部の駆動回路に接続されている。
【００１６】
（全体構成）
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１８】
（画素）
図３は図１（Ｂ）に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ基板１１の側から画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１（トランジスタ１２）、平坦化膜１３、陽極としての第１電極１４、素子分離膜１５、有機層１６、接続層１７、抵抗層１８および陰極としての第２電極１９をこの順に有している。有機層１６は、第１電極１４側から、正孔輸送層１６１、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂおよび電子輸送層１６３をこの順に有している。
【００１９】
このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層（図示せず）により被覆され、更にこの保護層上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層（図示せず）を間にしてガラスなどよりなる封止用基板（図示せず）が全面にわたって張り合わされている。表示装置１はトップエミッション型の表示装置であり、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂから出射された光は、封止用基板側（第２電極１９側）から取り出される。
【００２０】
基板１１は、その一主面側に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体である。例えば石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどの公知のものを用いればよい。中でも、石英やガラスを用いることが好ましい。樹脂製のものを使用する場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などを用いることが可能であるが、この場合には透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とし、表面処理を行うことが好ましい。
【００２１】
トランジスタ１２は、ゲート電極１２１、ゲート絶縁膜１２２、半導体膜１２３、チャネル保護膜１２４、層間絶縁膜１２５およびソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２Ｂにより構成されている。ゲート電極１２１および半導体膜１２３は、それぞれ所定パターンで設けられ、ゲート電極１２１に対向する位置に半導体膜１２３が配置されている。ゲート電極１２１と半導体膜１２３との間にゲート絶縁膜１２２を有している。半導体膜１２３の材料は、結晶性シリコン，アモルファスシリコンまたは酸化物半導体等のいずれであってもよい。半導体膜１２３上には、チャネル保護膜１２４および層間絶縁膜１２５を備え、層間絶縁膜１２５の貫通孔を介して、ソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂが、半導体膜１２３に電気的に接続されている。基板１１上には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（表示領域１１０）とは離間してソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同層の配線１２６Ｃ（配線１５０）が設けられている。図３では、ボトムゲート型のトランジスタ１２を例示したが、上述のように、トップゲート型であってもよい。
【００２２】
平坦化膜１３は、トランンジスタ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂそれぞれの厚みを均一にするためのものである。また、平坦化膜１３により、第１電極１４とソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂとの間の不必要な接触が抑えられる。平坦化膜１３には、トランジスタ１２（駆動トランジスタＴｒ１）と第１電極１４とを接続するための微細な接続孔１３Ｈが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化膜１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂，アクリル樹脂またはノボラック樹脂等の有機絶縁材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機絶縁材料が挙げられる。
【００２３】
第１電極１４は、有機層１６（正孔輸送層１６１）に正孔を注入する電極であり、平坦化膜１３上にそれぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに設けられている。第１電極１４は、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの対向面に反射面を有しており、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂから出射された光を表示面側（第２電極１９側）へと反射する。このため、できるだけ第１電極１４が高い反射率を備えていることが、発光効率を高めるうえで、好ましい。第１電極１４は、例えば銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金からなり、その厚みは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。あるいは、第１電極１４を上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが挙げられる。
【００２４】
素子分離膜１５は、第１電極１４と第２電極１９との間の絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状に成形するためのものであり、発光領域に対応して開口部が設けられている。素子分離膜１５は、例えばＳｉＯ2等の無機絶縁材料の上に、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールまたはポジ型感光性ポリイミド等の感光性樹脂を積層させて形成する。素子分離膜１５の上層、すなわち、正孔輸送層１６１ないし第２電極１９は、開口部だけでなく素子分離膜１５の上に設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口部のみである。
【００２５】
正孔輸送層１６１は、第１電極１４に生じた正孔を発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂへ効率良く輸送するためのものであり、第１電極１４上にそれぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。ここでは、この正孔輸送層１６１が正孔注入層としての役割も担うが、正孔輸送層１６１と第１電極１４との間に正孔注入層を別に設けるようにしてもよい。
【００２６】
正孔輸送層１６１の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。本実施の形態では、４０ｎｍ程度である。正孔輸送層１６１には、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）が使用できる。
【００２７】
発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、それぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に設けられている。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、それぞれ赤色，緑色および青色を発光する。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、それぞれ赤色，緑色および青色を発光する発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち、少なくとも１種類を含んでいる。赤色発光材料，緑色発光材料および青色発光材料は、蛍光性あるいは燐光性のどちらであってもよい。
【００２８】
赤色を発光する発光層１６２Ｒは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス[（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル]−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００２９】
緑色を発光する発光層１６２Ｇは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３０】
青色を発光する発光層１６２Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス[２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル]ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３１】
電子輸送層１６３は、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものであり、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ上にそれぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。ここでは、この電子輸送層１６３が電子注入層としての役割も担うが、電子輸送層１６３と発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの間に電子注入層を別に設けるようにしてもよい。電子輸送層１６３の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベンまたはこれらの誘導体や金属錯体を用いることができる。電子輸送層１６３は、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（略称Ａｌｑ3）により構成されている。
【００３２】
接続層１７は電子輸送層１６３と抵抗層１８との間に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、有機層１６（電子輸送層１６３）と抵抗層１８との間の電気的接続を補助するためのものである。接続層１７は、例えば、厚みが１〜１０ｎｍ程度であり、電子輸送性の有機材料と低仕事関数の金属材料との混合層により構成されている。具体的には、有機材料として、例えば、Ａｌｑ3、金属材料としてマグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはリチウム（Ｌｉ）等を用いることができる。また、接続層１７を、金属の合金により構成してもよく、例えば、マグネシウム，カルシウム，リチウム，アルミニウムあるいは銀等のうち、２種以上を混合した合金を用いることができる。
【００３３】
抵抗層１８は、第１電極１４と第２電極１９との間の短絡の発生を防止するためのものであり、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。抵抗層１８は、第１電極１４および第２電極１９よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極１４上にパーティクル（異物）や突起物が存在したまま、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した場合、第１電極１４および第２電極１９が接してしまい、短絡が生じる虞がある。抵抗層１８により、この第１電極１４と第２電極１９との接触を防ぐことができる。
【００３４】
抵抗層１８は、例えば、電気抵抗率が１×１０5Ω・ｍ以上１×１０11Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましく、１×１０5Ω・ｍ以上１×１０9Ω・ｍ以下であることがより好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、駆動電圧を低く抑えることができるためである。抵抗層１８は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物よりなり、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。抵抗層１８の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００３５】
第２電極１９は、第１電極１４と絶縁された状態で抵抗層１８の上に、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。本実施の形態では、この第２電極１９が、抵抗層１８に接する保護電極層１９Ａおよび保護電極層１９Ａの上層（保護電極層１９Ａの表示面側）の接続電極層１９Ｂにより構成されている。接続電極層１９Ｂは保護電極層１９Ａの直上に設けられており、これらは互いに接している。
【００３６】
詳細は後述するが、保護電極層１９Ａは、抵抗層１８の表面（第２電極１９との界面）を保護するためのものであり、抵抗層１８の形成時に使用するマスク（後述の図６ マスク２１）と同一のマスクにより形成されている。即ち、保護電極層１９Ａは、平面視で、抵抗層１８と基板１１上の同じ位置に設けられており、実質的に同じ面積を有している。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成時に抵抗層１８の表面が保護される。抵抗層１８の表面保護として、例えば絶縁膜等により保護することも考えられる。しかし、抵抗層１８の表面を保護する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに接続された接続電極層１９Ｂとを同様の材料により構成することで、良好な電気的接触が得られ、デバイス特性の低下が抑えられる。
【００３７】
接続電極層１９Ｂは、第２電極１９と配線１２６Ｃとの電気的な接続を確保するためのものであり、基板１１上の配線１２６Ｃに接して設けられている。接続電極層１９Ｂは、保護電極層１９Ａよりも広い面積に亘って設けられ、保護電極層１９Ａおよび抵抗層１８の端面を介して配線１２６Ｃに接している。接続電極層１９Ｂは、保護電極層１９Ａとは異なるマスク（後述の図７ マスク２２）を用いて形成されている。抵抗層１８の表面は、上述のように保護電極層１９Ａに保護されているため、抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成に使用したマスクから、接続電極層１９Ｂの形成に使用するマスクへの交換は、真空中で行う必要がなく、例えば、不活性ガス中で簡便に行うことが可能となる。
【００３８】
保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂは、光透過性の透明材料からなり、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）により構成されている。保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂを同じ材料により構成してもよく、あるいは、抵抗層１８の保護および配線１２６Ｃとの電気的接続機能を向上させるため、上記透明材料を互いに適切に組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００３９】
保護電極層１９Ａの厚みは、例えば５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。保護電極層１９Ａは、この範囲内であれば、抵抗層１８の表面を十分保護できるためである。一方、接続電極層１９Ｂの厚みは、ディスプレイの大きさ，有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光効率およびディスプレイに必要な輝度などに応じて変更するが、例えば、１００ｎｍ〜数μｍ程度であり、配線１２６Ｃとの良好な電気的接続を保つため、保護電極層１９Ａよりも厚いことが好ましい。
【００４０】
（保護層および封止用基板）
保護層は、絶縁性材料，導電性材料のいずれにより構成されていてもよく、例えば２μｍ〜３μｍの厚みで形成されている。例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-XＮx）あるいはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等の無機アモルファス性の絶縁性材料を用いることができる。このような材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４１】
封止用基板は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１９の側に位置し、接着層と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板は、ガラス等により構成されている。
【００４２】
封止用基板には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられている。これにより有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光が取り出されると共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光が吸収され、良好なコントラストが得られる。
【００４３】
カラーフィルタとして、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタが、それぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形状で隙間なく形成されている。これらのカラーフィルタは、顔料を含む樹脂により構成されており、顔料を適宜選択することより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整することができる。
【００４４】
遮光膜は、例えば黒色の着色剤を含み、光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。黒色の樹脂膜は、安価かつ容易に形成することができるため好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物からなる薄膜を少なくとも１層有し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。具体的には、クロムと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層させたものを用いることができる。
【００４５】
（配線）
配線１２６Ｃ（配線１５０）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），銀（Ａｇ），アルミニウム合金，銀合金等あるいはこれらの積層構造からなるソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同じ材料により構成され、表示領域１１０の外側に、矩形状に設けられている。配線１２６Ｃは、外部の駆動回路、例えばドライバＩＣ等に電気的に接続され、配線１２６Ｃを介して有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに信号が供給されるようになっている。
【００４６】
［表示装置１の製造方法］
図４は、本実施の形態に係る表示装置１の製造方法の流れを表したものであり、図５，図６および図７は、図４に示した製造方法を工程順に表した図である。以下、この順に説明する。
【００４７】
まず、上述した材料よりなる基板１１に絶縁膜（図示せず）を成膜し、この絶縁膜上にパターン状のゲート電極１２１，ゲート電極１２１を覆うゲート絶縁膜１２２，パターン状の半導体膜１２３，チャネル保護膜１２４および層間絶縁膜１２５をこの順に形成する。次いで、層間絶縁膜１２５に貫通孔を設け、この貫通孔を介して半導体膜１２３に電気的に接続するソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同時に配線１２６Ｃを形成しておく。これにより、基板１１上にトランジスタ１２および配線１２６Ｃが形成される。このトランジスタ１２（駆動トランジスタＴｒ１）を含む画素駆動回路１４０を形成した後、例えば感光性樹脂よりなる平坦化膜１３を設ける。
【００４８】
（第１電極１４の形成工程）
次いで、基板１１の全面に例えばアルミニウム，モリブデン，チタン，銀，アルミニウム合金あるいは銀合金等からなる金属膜またはこれらの金属膜とＩＴＯ，ＺｎＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＩＺＯ，ＩＴｉＯ，ＩＷＯ等の透明導電膜との積層構造を形成し、これをパターニングすることにより第１電極１４を形成する。第１電極１４は、平坦化膜１３の接続孔１３Ｈを介してトランジスタ１２のソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと導通させておく（ステップＳ１０１）。
【００４９】
（素子分離膜１５の形成工程）
続いて、図５（Ａ）に示したように第１電極１４上および平坦化膜１３上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長法）によりＳｉＯ2等の無機絶縁材料を成膜してパターニングを行い、更に感光性樹脂を積層させて素子分離膜１５を形成する。（ステップＳ１０２）
【００５０】
素子分離膜１５を形成した後、基板１１の表面、即ち第１電極１４および素子分離膜１５を形成した側の面を酸素プラズマ処理し、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板１１を所定温度、例えば７０℃〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
【００５１】
次いで、大気圧下で四フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、続けてプラズマ処理のために加熱された基板１１を室温まで冷却する。この作業により、特に素子分離膜１５の上面および側面についての撥水化処理（撥液化処理）がなされ、その濡れ性が低下する。
【００５２】
（正孔輸送層１６１の形成工程）
撥水化処理を行った後、上述した材料よりなる正孔輸送層１６１を有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して形成する（ステップＳ１０３）。例えば、蒸着法により上述の材料よりなる正孔輸送層１６１を第１電極１４上および素子分離膜１５上に成膜する。
【００５３】
（発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂの形成工程）
正孔輸送層１６１を形成した後、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにそれぞれ発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂをパターン化して形成する（ステップＳ１０４）。
【００５４】
（電子輸送層１６３および接続層１７の形成工程）
発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂを形成した後、図５（Ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１６３および接続層１７をこの順に形成する（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）。
【００５５】
（抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成工程）
接続層１７を形成した後、図６に示したように、表示領域１１０に対応する部分に開口を有するマスク２１を用いて、真空装置内で抵抗層１８および保護電極層１９Ａをこの順に連続して形成する（ステッップＳ１０７，Ｓ１０８）。図６（Ａ）は、この工程の一部の断面構成、図６（Ｂ）は全体の平面構成を表すものである。抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成は、例えばスパッタ法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンプレーティング法により行う。このとき、第２電極１９と配線１２６Ｃとの電気的な接続が、抵抗層１８により阻害されないよう、配線１２６Ｃはマスク２１で完全に覆っておく。
【００５６】
（マスクの交換および接続電極層１９Ｂの形成工程）
保護電極層１９Ａを形成した後、マスク２１から基板１１を剥離し、別のマスク２２を基板１１に密着させる（図７）。表示装置１では、第２電極１９が、保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂにより構成されているため、このマスク２１からマスク２２への交換を真空中で行う必要がなく、不活性ガス中で行うことができる。以下、これについて説明する。
【００５７】
上述のように、第２電極と配線との電気的な接続を確保するため、抵抗層と第２電極とは別のマスクにより形成される。第２電極が単層である場合、マスクの交換を真空中で行わず、例えば不活性ガス中で行うと、不活性ガス中に残留している酸素や水分が抵抗層の表面に付着し、抵抗層の抵抗率に変化を及ぼす。抵抗層には、酸化物材料がよく用いられ、この抵抗率は酸化物膜の表面や内部に含まれる酸素の量に大きく影響されるためである。この抵抗率の変化が、抵抗層と第２電極との電気的接触を阻害し、表示装置の高電圧化や信頼性の低下の原因となり得る。一方、マスクの交換を真空中で行う場合、真空中で基板をマスクから剥離した後、基板を保持し、別のマスクを密着させる工程を行うことになるため、作業効率は低下し、使用する装置のコストも増す。特に、大型の基板を用いる場合には、基板のたわみが無視できないほどに大きくなり、基板の保持には大掛かりな装置が必要となる。
【００５８】
これに対し、本実施の形態の表示装置１では、第２電極１９が、保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂの２層により構成されている。よって、マスク２１からマスク２２への交換を、不活性ガス中で行っても、抵抗層１８の表面が保護電極層１９Ａにより保護されているため、酸素や水分により汚染される虞がない。即ち、抵抗層１８表面の汚染を防止し、かつ簡便な方法により第２電極１９を形成することができる。このとき、抵抗層１８と保護電極層１９Ａとが同一のマスク（マスク２１）により形成されているため、抵抗層１８の端面（側面）は不活性ガスに接し、酸素や水分が付着する虞がある。しかし、この抵抗層１８の端面から発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）までの距離は、積層方向の抵抗層１８と発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの間の距離よりも大きいため、デバイス特性にはほとんど影響しない。
【００５９】
マスク２１からマスク２２への交換作業は、具体的には、まず、抵抗層１８および保護電極層１９Ａを成膜した真空装置内をアルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ2）などの不活性ガスで大気圧までベントする。次いで、この装置内でマスク２１から基板１１を剥離した後、基板１１にマスク２２を密着させる。マスク２２は、図７に示したように、配線１２６Ｃと第２電極１９（接続電極層１９Ｂ）とを電気的に接続するため、表示領域１１０および配線１５０の少なくとも一部に対応する部分に開口が設けられている。図７（Ａ）は、この工程の一部の断面構成、図７（Ｂ）は全体の平面構成を表すものである。不活性ガス中の残留酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下、露点は、−５０℃以下であることが好ましい。マスク２２を基板１１に密着させた後、再度真空引きを行い、接続電極層１９Ｂを形成する。
【００６０】
また、表示装置１の製造工程では、不活性ガス中でマスク２１からマスク２２への交換を行うことができるため、マスク２１を剥離した後、マスク２２を密着させる前に、保護電極層１９Ａに対し、例えば、リーク電流を抑えるための表面処理を行うことが可能となる。表面処理としては、例えば、レーザ照射や不活性ガスの噴射等による異物除去の他、酸素プラズマやオゾンガス雰囲気によるラジカル酸素との接触を行うことができる。保護電極層１９Ａ表面の異物をラジカル酸素に曝すことにより、異物周辺の抵抗層１８の抵抗率が局所的に増加し、リーク電流が抑えられる。
【００６１】
なお、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うと、保護電極層１９Ａの表面には酸素や水分が付着する虞がある。しかし、保護電極層１９Ａの特性変動の感度は抵抗層１８よりも低く、また、保護電極層１９Ａに、同様の材料からなる接続電極層１９Ｂを重ねて形成するため、特性の低下が抑えられる。
【００６２】
（保護層および封止用基板の形成工程）
第２電極１９を形成した後、基板１１の全面に保護層を形成する。続いて、接着層を間にして保護層の上に封止用基板を貼り合わせる。なお、封止用基板にはあらかじめ、上述した材料よりなる遮光膜およびカラーフィルタを形成しておく。以上により、図１乃至図３に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
［表示装置１の作用・効果］
この表示装置１では、外部の駆動回路より配線１５０を介して、有機ＥＬ素子０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに信号が供給されると共に、走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給される。信号線駆動回路１２０からは、画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１４と接続層１７との間で多重反射し、第２電極１９，カラーフィルタおよび封止用基板を透過して取り出される。第１電極１４と接続層１７との間で発光光を共振させて、光を取り出す共振器構造を備えるようにしてもよい。共振器構造を備えることにより、第２電極１９を透過して射出される光が共振の中心波長付近になるため、表示光の色純度が向上すると共に、その光強度も向上する。すなわち、発光効率が高く、低電圧駆動が可能になるため、消費電力が抑えられ、長寿命になる。
【００６４】
ここでは、第２電極１９が、接続層１７に接する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに電気的に接続された接続電極層１９Ｂとの２層により構成されている。これにより、抵抗層１８の形成に使用したマスク２１をそのまま使用して、即ち、抵抗層１８と連続して保護電極層１９Ａを形成した後、マスク２１からマスク２２への交換を行って、接続電極層１９Ｂを形成することができる。よって、抵抗層１８の表面が保護電極層１９Ａにより覆われているので、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うことができる。また、マスク２２を用いて、接続電極層１９Ｂを形成することにより、外部の駆動回路との電気的な接続は確保される。
【００６５】
以上のように、本実施の形態では、第２電極１９が抵抗層１８に接する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに電気的に接続された接続電極層１９Ｂとを有するようにしたので、真空中で、マスク２１からマスク２２への交換を行うことなく、抵抗層１８および第２電極１９を形成することができる。よって、抵抗層１８表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極１９を形成することが可能となる。
【００６６】
また、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うことができるため、マスク２１を剥離した後、マスク２２を密着させる前に、保護電極層１９Ａに対し、例えば、リーク電流を抑えるための表面処理を行うことが可能となる。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護層および封止用基板から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６９】
（適用例１）
図９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７１】
（適用例３）
図１１は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７２】
（適用例４）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７３】
（適用例５）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【実施例】
【００７４】
更に、本技術の実施例について説明する。
（実施例）
上記実施の形態の有機ＥＬ素子１０Ｇを作製した。その際、抵抗層１８は、厚み５００ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、保護電極層１９Ａは厚み２００ｎｍのＩＴＯ、接続電極層１９Ｂは厚み５００ｎｍのＩＴＯにより形成した。マスク２１からマスク２２への交換は窒素（Ｎ2）中で行った。このときの不活性ガス中の残留酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下、露点は、−５０℃以下であった。
【００７５】
（比較例）
比較例として、保護電極層１９Ａを形成せずに、不活性ガス中でマスクの交換を行って第２電極を形成した。即ち、第２電極が単層であること以外は、上記実施例と同様にして比較例に係る有機ＥＬ素子を作製した。
【００７６】
図１４は、上記実施例に係る有機ＥＬ素子１０Ｇおよび比較例に係る有機ＥＬ素子の電流−電圧特性を表したものである。図１４では、実施例を実線、比較例を点線で示している。比較例の有機ＥＬ素子では、不活性ガス中の残留酸素や水分により、高電圧化されているのに対し、実施例の有機ＥＬ素子１０Ｇでは、正常に保たれることが確認された。よって、保護電極層１９Ａにより抵抗層１８を覆った状態で、マスクを交換することにより、抵抗層１８の表面の汚染が防止され、高電圧化を抑えることができることがわかった。
【００７７】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態等においては、有機層１６の発光層として赤色の発光層１６２Ｒ，緑色の発光層１６２Ｇおよび青色の発光層１６２Ｂを形成した場合について説明したが、発光色が白色のものであってもよい。また、例えば、上記実施の形態では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。
【００７９】
更に、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１９を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極としてもよい。また、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極として基板１１上に、第２電極１９、有機層１６および第１電極１４を基板１１の側からこの順に設け、基板１１側から光を取り出すようにしてもよい。
【００８０】
なお、本技術は以下の様な構成をとることも可能である。
（１）基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する表示装置。
（２）前記抵抗層と前記保護電極層とは、同じマスクを用いて形成されている前記（１）に記載の表示装置
（３）前記接続電極層の面積は、前記保護電極層よりも大きく、前記接続電極層は、前記保護電極層および前記抵抗層の端面に接する前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１電極は光反射性、前記第２電極は光透過性をそれぞれ有する前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記有機層と前記抵抗層との間に、前記有機層と前記抵抗層との間の電気的接続を補助するための接続層を有する前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、前記第２電極を形成する工程では、前記抵抗層に接する保護電極層を形成した後、前記保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、前記接続電極層を前記外部接続層に電気的に接続させる表示装置の製造方法。
（７）前記抵抗層と前記保護電極層とを、連続して同一のマスクにより形成する前記（６）に記載の表示装置の製造方法。
（８）前記接続電極層を形成する工程では、前記保護電極層を形成する工程とは異なるマスクを用いる前記（６）または（７）に記載の表示装置の製造方法。
（９）前記保護電極層を形成した後、前記接続電極層を形成する前に、前記保護電極層に表面処理を施す前記（６）乃至（８）のいすれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（１０）表示装置を備え、前記表示装置は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する電子機器。
【符号の説明】
【００８１】
１…表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…トランジスタ、１３…平坦化膜、１４…第１電極、１５…素子分離膜、１６…有機層、１６１…正孔輸送層、１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ…発光層、１６３…電子輸送層、１７…接続層、１８…抵抗層、１９…第２電極、１９Ａ…保護電極層、１９Ｂ…接続電極層、２１，２２…マスク。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、２つの電極間に有機層と共に抵抗層を有する有機電界発光素子を備えた表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するのに伴い、高性能な表示素子が要求されている。例えば有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示素子は、自発光型表示素子であり、視野角の広さ、コントラスト、応答速度の点で優れている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は基板上に第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有しており、総膜厚は数百ｎｍである。このような素子の膜厚の小さな有機ＥＬ表示装置では、第１電極上のパーティクル（異物）や突起物により、第１電極および第２電極間で短絡が生じる虞がある。
【０００４】
このような電極間での短絡を防ぐため、電極と有機層との間に無機の酸化物からなる抵抗層（高抵抗層）を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献１，２）。例えば、トップエミッション型であれば、有機層と第２電極との間に抵抗層が配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１８６６３７号公報
【特許文献２】特開２０１０−５６０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この抵抗層を有する表示装置を製造する場合、抵抗層と第２電極とは、異なるマスクにより形成される。これは、第２電極を、基板上の取り出し配線層（外部接続層）に電気的に接続し、外部の駆動回路との接続を確保するためである。抵抗層と第２電極とを同じマスクにより形成すると、取り出し配線層と第２電極との間に抵抗層が存在し、電気的接触が阻害される。即ち、抵抗層の形成工程と、第２電極の形成工程との間にはマスクの交換作業が必要となる。このマスクの交換は、抵抗層の膜表面（界面）を清浄な状態に保つため、真空中で行われる。
【０００７】
しかしながら、マスクの交換作業は、基板を抵抗層の形成に使用したマスクから剥離した後、基板を保持し、第２電極の形成に使用するマスクを基板に密着させるという工程を経るものであるため、真空中で行うと作業効率は低下し、使用する装置のコストも増す。特に、大型の基板を用いる場合には、基板のたわみが無視できないほどに大きくなり、基板の保持には大掛かりな装置が必要となる。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、抵抗層表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極を形成することができる表示装置およびその製造方法並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による表示装置は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、第２電極は、抵抗層に接する保護電極層と、保護電極層の上層に設けられると共に外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有するものである。本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術による表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、第２電極を形成する工程では、抵抗層に接する保護電極層を形成した後、保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、接続電極層を外部接続層に電気的に接続させるものである。
【００１１】
本技術の表示装置（表示装置の製造方法）では、第２電極が、抵抗層に接する保護電極層と、外部接続層に電気的に接続された接続電極層との少なくとも２層により構成されているので、抵抗層と同じマスクにより、保護電極層を形成した後、マスクを交換して接続電極層を形成することが可能となる。よって、マスクの交換作業を真空中ではなく、例えば不活性ガス中で行っても、保護電極層により抵抗層の表面が汚染されることはなく、また、保護電極層により外部の駆動回路との電気的な接続が確保される。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の表示装置およびその製造方法並びに電子機器によれば、第２電極が抵抗層に接する保護電極層と、外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有するようにしたので、真空中でのマスク交換を行うことなく、抵抗層および第２電極を形成することができる。よって、抵抗層表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図５】図４に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す図である。
【図７】図６に続く工程を表す図である。
【図８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側からみた外観を表す斜視図である。
【図１１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１４】図１に示した表示装置の電流−電圧特性を比較例と共に表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第２電極が保護電極層と接続電極層とにより構成された例）
２．適用例
３．実施例
【００１５】
＜実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表したものであり、図１（Ａ）は、全体構成、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の点線で囲んだ領域を拡大したものである。この表示装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、例えば、基板１１の上に、表示領域１１０として、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（有機電界発光素子）がマトリクス状に配置されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、赤色，緑色および青色を発光する。表示領域１１０の周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０，走査線駆動回路１３０および外部の駆動回路に電気的に接続された配線１５０（外部接続層）が設けられている。配線１５０は、表示領域１１０の周囲を囲むように設けられ、走査線駆動回路１３０側で外部の駆動回路に接続されている。
【００１６】
（全体構成）
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１８】
（画素）
図３は図１（Ｂ）に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ基板１１の側から画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１（トランジスタ１２）、平坦化膜１３、陽極としての第１電極１４、素子分離膜１５、有機層１６、接続層１７、抵抗層１８および陰極としての第２電極１９をこの順に有している。有機層１６は、第１電極１４側から、正孔輸送層１６１、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂおよび電子輸送層１６３をこの順に有している。
【００１９】
このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層（図示せず）により被覆され、更にこの保護層上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層（図示せず）を間にしてガラスなどよりなる封止用基板（図示せず）が全面にわたって張り合わされている。表示装置１はトップエミッション型の表示装置であり、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂから出射された光は、封止用基板側（第２電極１９側）から取り出される。
【００２０】
基板１１は、その一主面側に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体である。例えば石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどの公知のものを用いればよい。中でも、石英やガラスを用いることが好ましい。樹脂製のものを使用する場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などを用いることが可能であるが、この場合には透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とし、表面処理を行うことが好ましい。
【００２１】
トランジスタ１２は、ゲート電極１２１、ゲート絶縁膜１２２、半導体膜１２３、チャネル保護膜１２４、層間絶縁膜１２５およびソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２Ｂにより構成されている。ゲート電極１２１および半導体膜１２３は、それぞれ所定パターンで設けられ、ゲート電極１２１に対向する位置に半導体膜１２３が配置されている。ゲート電極１２１と半導体膜１２３との間にゲート絶縁膜１２２を有している。半導体膜１２３の材料は、結晶性シリコン，アモルファスシリコンまたは酸化物半導体等のいずれであってもよい。半導体膜１２３上には、チャネル保護膜１２４および層間絶縁膜１２５を備え、層間絶縁膜１２５の貫通孔を介して、ソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂが、半導体膜１２３に電気的に接続されている。基板１１上には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（表示領域１１０）とは離間してソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同層の配線１２６Ｃ（配線１５０）が設けられている。図３では、ボトムゲート型のトランジスタ１２を例示したが、上述のように、トップゲート型であってもよい。
【００２２】
平坦化膜１３は、トランンジスタ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂそれぞれの厚みを均一にするためのものである。また、平坦化膜１３により、第１電極１４とソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂとの間の不必要な接触が抑えられる。平坦化膜１３には、トランジスタ１２（駆動トランジスタＴｒ１）と第１電極１４とを接続するための微細な接続孔１３Ｈが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化膜１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂，アクリル樹脂またはノボラック樹脂等の有機絶縁材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機絶縁材料が挙げられる。
【００２３】
第１電極１４は、有機層１６（正孔輸送層１６１）に正孔を注入する電極であり、平坦化膜１３上にそれぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに設けられている。第１電極１４は、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの対向面に反射面を有しており、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂから出射された光を表示面側（第２電極１９側）へと反射する。このため、できるだけ第１電極１４が高い反射率を備えていることが、発光効率を高めるうえで、好ましい。第１電極１４は、例えば銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金からなり、その厚みは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。あるいは、第１電極１４を上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが挙げられる。
【００２４】
素子分離膜１５は、第１電極１４と第２電極１９との間の絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状に成形するためのものであり、発光領域に対応して開口部が設けられている。素子分離膜１５は、例えばＳｉＯ2等の無機絶縁材料の上に、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールまたはポジ型感光性ポリイミド等の感光性樹脂を積層させて形成する。素子分離膜１５の上層、すなわち、正孔輸送層１６１ないし第２電極１９は、開口部だけでなく素子分離膜１５の上に設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口部のみである。
【００２５】
正孔輸送層１６１は、第１電極１４に生じた正孔を発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂへ効率良く輸送するためのものであり、第１電極１４上にそれぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。ここでは、この正孔輸送層１６１が正孔注入層としての役割も担うが、正孔輸送層１６１と第１電極１４との間に正孔注入層を別に設けるようにしてもよい。
【００２６】
正孔輸送層１６１の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。本実施の形態では、４０ｎｍ程度である。正孔輸送層１６１には、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）が使用できる。
【００２７】
発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、それぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に設けられている。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、それぞれ赤色，緑色および青色を発光する。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂは、それぞれ赤色，緑色および青色を発光する発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち、少なくとも１種類を含んでいる。赤色発光材料，緑色発光材料および青色発光材料は、蛍光性あるいは燐光性のどちらであってもよい。
【００２８】
赤色を発光する発光層１６２Ｒは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス[（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル]−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００２９】
緑色を発光する発光層１６２Ｇは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３０】
青色を発光する発光層１６２Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス[２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル]ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３１】
電子輸送層１６３は、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものであり、発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ上にそれぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。ここでは、この電子輸送層１６３が電子注入層としての役割も担うが、電子輸送層１６３と発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの間に電子注入層を別に設けるようにしてもよい。電子輸送層１６３の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベンまたはこれらの誘導体や金属錯体を用いることができる。電子輸送層１６３は、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（略称Ａｌｑ3）により構成されている。
【００３２】
接続層１７は電子輸送層１６３と抵抗層１８との間に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられ、有機層１６（電子輸送層１６３）と抵抗層１８との間の電気的接続を補助するためのものである。接続層１７は、例えば、厚みが１〜１０ｎｍ程度であり、電子輸送性の有機材料と低仕事関数の金属材料との混合層により構成されている。具体的には、有機材料として、例えば、Ａｌｑ3、金属材料としてマグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはリチウム（Ｌｉ）等を用いることができる。また、接続層１７を、金属の合金により構成してもよく、例えば、マグネシウム，カルシウム，リチウム，アルミニウムあるいは銀等のうち、２種以上を混合した合金を用いることができる。
【００３３】
抵抗層１８は、第１電極１４と第２電極１９との間の短絡の発生を防止するためのものであり、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。抵抗層１８は、第１電極１４および第２電極１９よりも電気抵抗が高く、電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。第１電極１４上にパーティクル（異物）や突起物が存在したまま、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した場合、第１電極１４および第２電極１９が接してしまい、短絡が生じる虞がある。抵抗層１８により、この第１電極１４と第２電極１９との接触を防ぐことができる。
【００３４】
抵抗層１８は、例えば、電気抵抗率が１×１０5Ω・ｍ以上１×１０11Ω・ｍ以下の材料により構成されていることが好ましく、１×１０5Ω・ｍ以上１×１０9Ω・ｍ以下であることがより好ましい。この範囲内であれば、十分に短絡の発生を防止し、駆動電圧を低く抑えることができるためである。抵抗層１８は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化モリブデン（ＭｏＯ2，ＭｏＯ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5），酸化ハフニウム（ＨｆＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯx），酸化ニオブと酸化チタンとの混合物，酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合物，酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と酸化錫（ＳｎＯ2）との混合物または酸化亜鉛に酸化マグネシウム、酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のうちから少なくとも１つを混合した混合物よりなり、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。抵抗層１８の厚みは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００３５】
第２電極１９は、第１電極１４と絶縁された状態で抵抗層１８の上に、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。本実施の形態では、この第２電極１９が、抵抗層１８に接する保護電極層１９Ａおよび保護電極層１９Ａの上層（保護電極層１９Ａの表示面側）の接続電極層１９Ｂにより構成されている。接続電極層１９Ｂは保護電極層１９Ａの直上に設けられており、これらは互いに接している。
【００３６】
詳細は後述するが、保護電極層１９Ａは、抵抗層１８の表面（第２電極１９との界面）を保護するためのものであり、抵抗層１８の形成時に使用するマスク（後述の図６ マスク２１）と同一のマスクにより形成されている。即ち、保護電極層１９Ａは、平面視で、抵抗層１８と基板１１上の同じ位置に設けられており、実質的に同じ面積を有している。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成時に抵抗層１８の表面が保護される。抵抗層１８の表面保護として、例えば絶縁膜等により保護することも考えられる。しかし、抵抗層１８の表面を保護する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに接続された接続電極層１９Ｂとを同様の材料により構成することで、良好な電気的接触が得られ、デバイス特性の低下が抑えられる。
【００３７】
接続電極層１９Ｂは、第２電極１９と配線１２６Ｃとの電気的な接続を確保するためのものであり、基板１１上の配線１２６Ｃに接して設けられている。接続電極層１９Ｂは、保護電極層１９Ａよりも広い面積に亘って設けられ、保護電極層１９Ａおよび抵抗層１８の端面を介して配線１２６Ｃに接している。接続電極層１９Ｂは、保護電極層１９Ａとは異なるマスク（後述の図７ マスク２２）を用いて形成されている。抵抗層１８の表面は、上述のように保護電極層１９Ａに保護されているため、抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成に使用したマスクから、接続電極層１９Ｂの形成に使用するマスクへの交換は、真空中で行う必要がなく、例えば、不活性ガス中で簡便に行うことが可能となる。
【００３８】
保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂは、光透過性の透明材料からなり、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）により構成されている。保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂを同じ材料により構成してもよく、あるいは、抵抗層１８の保護および配線１２６Ｃとの電気的接続機能を向上させるため、上記透明材料を互いに適切に組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００３９】
保護電極層１９Ａの厚みは、例えば５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。保護電極層１９Ａは、この範囲内であれば、抵抗層１８の表面を十分保護できるためである。一方、接続電極層１９Ｂの厚みは、ディスプレイの大きさ，有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光効率およびディスプレイに必要な輝度などに応じて変更するが、例えば、１００ｎｍ〜数μｍ程度であり、配線１２６Ｃとの良好な電気的接続を保つため、保護電極層１９Ａよりも厚いことが好ましい。
【００４０】
（保護層および封止用基板）
保護層は、絶縁性材料，導電性材料のいずれにより構成されていてもよく、例えば２μｍ〜３μｍの厚みで形成されている。例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-XＮx）あるいはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等の無機アモルファス性の絶縁性材料を用いることができる。このような材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４１】
封止用基板は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１９の側に位置し、接着層と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板は、ガラス等により構成されている。
【００４２】
封止用基板には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられている。これにより有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光が取り出されると共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光が吸収され、良好なコントラストが得られる。
【００４３】
カラーフィルタとして、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタが、それぞれ有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形状で隙間なく形成されている。これらのカラーフィルタは、顔料を含む樹脂により構成されており、顔料を適宜選択することより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整することができる。
【００４４】
遮光膜は、例えば黒色の着色剤を含み、光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。黒色の樹脂膜は、安価かつ容易に形成することができるため好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物からなる薄膜を少なくとも１層有し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。具体的には、クロムと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層させたものを用いることができる。
【００４５】
（配線）
配線１２６Ｃ（配線１５０）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），銀（Ａｇ），アルミニウム合金，銀合金等あるいはこれらの積層構造からなるソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同じ材料により構成され、表示領域１１０の外側に、矩形状に設けられている。配線１２６Ｃは、外部の駆動回路、例えばドライバＩＣ等に電気的に接続され、配線１２６Ｃを介して有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに信号が供給されるようになっている。
【００４６】
［表示装置１の製造方法］
図４は、本実施の形態に係る表示装置１の製造方法の流れを表したものであり、図５，図６および図７は、図４に示した製造方法を工程順に表した図である。以下、この順に説明する。
【００４７】
まず、上述した材料よりなる基板１１に絶縁膜（図示せず）を成膜し、この絶縁膜上にパターン状のゲート電極１２１，ゲート電極１２１を覆うゲート絶縁膜１２２，パターン状の半導体膜１２３，チャネル保護膜１２４および層間絶縁膜１２５をこの順に形成する。次いで、層間絶縁膜１２５に貫通孔を設け、この貫通孔を介して半導体膜１２３に電気的に接続するソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと同時に配線１２６Ｃを形成しておく。これにより、基板１１上にトランジスタ１２および配線１２６Ｃが形成される。このトランジスタ１２（駆動トランジスタＴｒ１）を含む画素駆動回路１４０を形成した後、例えば感光性樹脂よりなる平坦化膜１３を設ける。
【００４８】
（第１電極１４の形成工程）
次いで、基板１１の全面に例えばアルミニウム，モリブデン，チタン，銀，アルミニウム合金あるいは銀合金等からなる金属膜またはこれらの金属膜とＩＴＯ，ＺｎＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＩＺＯ，ＩＴｉＯ，ＩＷＯ等の透明導電膜との積層構造を形成し、これをパターニングすることにより第１電極１４を形成する。第１電極１４は、平坦化膜１３の接続孔１３Ｈを介してトランジスタ１２のソース・ドレイン電極１２６Ａ，１２６Ｂと導通させておく（ステップＳ１０１）。
【００４９】
（素子分離膜１５の形成工程）
続いて、図５（Ａ）に示したように第１電極１４上および平坦化膜１３上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長法）によりＳｉＯ2等の無機絶縁材料を成膜してパターニングを行い、更に感光性樹脂を積層させて素子分離膜１５を形成する。（ステップＳ１０２）
【００５０】
素子分離膜１５を形成した後、基板１１の表面、即ち第１電極１４および素子分離膜１５を形成した側の面を酸素プラズマ処理し、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板１１を所定温度、例えば７０℃〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
【００５１】
次いで、大気圧下で四フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、続けてプラズマ処理のために加熱された基板１１を室温まで冷却する。この作業により、特に素子分離膜１５の上面および側面についての撥水化処理（撥液化処理）がなされ、その濡れ性が低下する。
【００５２】
（正孔輸送層１６１の形成工程）
撥水化処理を行った後、上述した材料よりなる正孔輸送層１６１を有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して形成する（ステップＳ１０３）。例えば、蒸着法により上述の材料よりなる正孔輸送層１６１を第１電極１４上および素子分離膜１５上に成膜する。
【００５３】
（発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂの形成工程）
正孔輸送層１６１を形成した後、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにそれぞれ発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂをパターン化して形成する（ステップＳ１０４）。
【００５４】
（電子輸送層１６３および接続層１７の形成工程）
発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂを形成した後、図５（Ｂ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１６３および接続層１７をこの順に形成する（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）。
【００５５】
（抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成工程）
接続層１７を形成した後、図６に示したように、表示領域１１０に対応する部分に開口を有するマスク２１を用いて、真空装置内で抵抗層１８および保護電極層１９Ａをこの順に連続して形成する（ステッップＳ１０７，Ｓ１０８）。図６（Ａ）は、この工程の一部の断面構成、図６（Ｂ）は全体の平面構成を表すものである。抵抗層１８および保護電極層１９Ａの形成は、例えばスパッタ法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンプレーティング法により行う。このとき、第２電極１９と配線１２６Ｃとの電気的な接続が、抵抗層１８により阻害されないよう、配線１２６Ｃはマスク２１で完全に覆っておく。
【００５６】
（マスクの交換および接続電極層１９Ｂの形成工程）
保護電極層１９Ａを形成した後、マスク２１から基板１１を剥離し、別のマスク２２を基板１１に密着させる（図７）。表示装置１では、第２電極１９が、保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂにより構成されているため、このマスク２１からマスク２２への交換を真空中で行う必要がなく、不活性ガス中で行うことができる。以下、これについて説明する。
【００５７】
上述のように、第２電極と配線との電気的な接続を確保するため、抵抗層と第２電極とは別のマスクにより形成される。第２電極が単層である場合、マスクの交換を真空中で行わず、例えば不活性ガス中で行うと、不活性ガス中に残留している酸素や水分が抵抗層の表面に付着し、抵抗層の抵抗率に変化を及ぼす。抵抗層には、酸化物材料がよく用いられ、この抵抗率は酸化物膜の表面や内部に含まれる酸素の量に大きく影響されるためである。この抵抗率の変化が、抵抗層と第２電極との電気的接触を阻害し、表示装置の高電圧化や信頼性の低下の原因となり得る。一方、マスクの交換を真空中で行う場合、真空中で基板をマスクから剥離した後、基板を保持し、別のマスクを密着させる工程を行うことになるため、作業効率は低下し、使用する装置のコストも増す。特に、大型の基板を用いる場合には、基板のたわみが無視できないほどに大きくなり、基板の保持には大掛かりな装置が必要となる。
【００５８】
これに対し、本実施の形態の表示装置１では、第２電極１９が、保護電極層１９Ａおよび接続電極層１９Ｂの２層により構成されている。よって、マスク２１からマスク２２への交換を、不活性ガス中で行っても、抵抗層１８の表面が保護電極層１９Ａにより保護されているため、酸素や水分により汚染される虞がない。即ち、抵抗層１８表面の汚染を防止し、かつ簡便な方法により第２電極１９を形成することができる。このとき、抵抗層１８と保護電極層１９Ａとが同一のマスク（マスク２１）により形成されているため、抵抗層１８の端面（側面）は不活性ガスに接し、酸素や水分が付着する虞がある。しかし、この抵抗層１８の端面から発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）までの距離は、積層方向の抵抗層１８と発光層１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂとの間の距離よりも大きいため、デバイス特性にはほとんど影響しない。
【００５９】
マスク２１からマスク２２への交換作業は、具体的には、まず、抵抗層１８および保護電極層１９Ａを成膜した真空装置内をアルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ2）などの不活性ガスで大気圧までベントする。次いで、この装置内でマスク２１から基板１１を剥離した後、基板１１にマスク２２を密着させる。マスク２２は、図７に示したように、配線１２６Ｃと第２電極１９（接続電極層１９Ｂ）とを電気的に接続するため、表示領域１１０および配線１５０の少なくとも一部に対応する部分に開口が設けられている。図７（Ａ）は、この工程の一部の断面構成、図７（Ｂ）は全体の平面構成を表すものである。不活性ガス中の残留酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下、露点は、−５０℃以下であることが好ましい。マスク２２を基板１１に密着させた後、再度真空引きを行い、接続電極層１９Ｂを形成する。
【００６０】
また、表示装置１の製造工程では、不活性ガス中でマスク２１からマスク２２への交換を行うことができるため、マスク２１を剥離した後、マスク２２を密着させる前に、保護電極層１９Ａに対し、例えば、リーク電流を抑えるための表面処理を行うことが可能となる。表面処理としては、例えば、レーザ照射や不活性ガスの噴射等による異物除去の他、酸素プラズマやオゾンガス雰囲気によるラジカル酸素との接触を行うことができる。保護電極層１９Ａ表面の異物をラジカル酸素に曝すことにより、異物周辺の抵抗層１８の抵抗率が局所的に増加し、リーク電流が抑えられる。
【００６１】
なお、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うと、保護電極層１９Ａの表面には酸素や水分が付着する虞がある。しかし、保護電極層１９Ａの特性変動の感度は抵抗層１８よりも低く、また、保護電極層１９Ａに、同様の材料からなる接続電極層１９Ｂを重ねて形成するため、特性の低下が抑えられる。
【００６２】
（保護層および封止用基板の形成工程）
第２電極１９を形成した後、基板１１の全面に保護層を形成する。続いて、接着層を間にして保護層の上に封止用基板を貼り合わせる。なお、封止用基板にはあらかじめ、上述した材料よりなる遮光膜およびカラーフィルタを形成しておく。以上により、図１乃至図３に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
［表示装置１の作用・効果］
この表示装置１では、外部の駆動回路より配線１５０を介して、有機ＥＬ素子０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに信号が供給されると共に、走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給される。信号線駆動回路１２０からは、画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１４と接続層１７との間で多重反射し、第２電極１９，カラーフィルタおよび封止用基板を透過して取り出される。第１電極１４と接続層１７との間で発光光を共振させて、光を取り出す共振器構造を備えるようにしてもよい。共振器構造を備えることにより、第２電極１９を透過して射出される光が共振の中心波長付近になるため、表示光の色純度が向上すると共に、その光強度も向上する。すなわち、発光効率が高く、低電圧駆動が可能になるため、消費電力が抑えられ、長寿命になる。
【００６４】
ここでは、第２電極１９が、接続層１７に接する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに電気的に接続された接続電極層１９Ｂとの２層により構成されている。これにより、抵抗層１８の形成に使用したマスク２１をそのまま使用して、即ち、抵抗層１８と連続して保護電極層１９Ａを形成した後、マスク２１からマスク２２への交換を行って、接続電極層１９Ｂを形成することができる。よって、抵抗層１８の表面が保護電極層１９Ａにより覆われているので、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うことができる。また、マスク２２を用いて、接続電極層１９Ｂを形成することにより、外部の駆動回路との電気的な接続は確保される。
【００６５】
以上のように、本実施の形態では、第２電極１９が抵抗層１８に接する保護電極層１９Ａと、配線１２６Ｃに電気的に接続された接続電極層１９Ｂとを有するようにしたので、真空中で、マスク２１からマスク２２への交換を行うことなく、抵抗層１８および第２電極１９を形成することができる。よって、抵抗層１８表面の汚染を防止し、かつ、簡便な方法により第２電極１９を形成することが可能となる。
【００６６】
また、マスク２１からマスク２２への交換を不活性ガス中で行うことができるため、マスク２１を剥離した後、マスク２２を密着させる前に、保護電極層１９Ａに対し、例えば、リーク電流を抑えるための表面処理を行うことが可能となる。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護層および封止用基板から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６９】
（適用例１）
図９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１０は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７１】
（適用例３）
図１１は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７２】
（適用例４）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７３】
（適用例５）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【実施例】
【００７４】
更に、本技術の実施例について説明する。
（実施例）
上記実施の形態の有機ＥＬ素子１０Ｇを作製した。その際、抵抗層１８は、厚み５００ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、保護電極層１９Ａは厚み２００ｎｍのＩＴＯ、接続電極層１９Ｂは厚み５００ｎｍのＩＴＯにより形成した。マスク２１からマスク２２への交換は窒素（Ｎ2）中で行った。このときの不活性ガス中の残留酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下、露点は、−５０℃以下であった。
【００７５】
（比較例）
比較例として、保護電極層１９Ａを形成せずに、不活性ガス中でマスクの交換を行って第２電極を形成した。即ち、第２電極が単層であること以外は、上記実施例と同様にして比較例に係る有機ＥＬ素子を作製した。
【００７６】
図１４は、上記実施例に係る有機ＥＬ素子１０Ｇおよび比較例に係る有機ＥＬ素子の電流−電圧特性を表したものである。図１４では、実施例を実線、比較例を点線で示している。比較例の有機ＥＬ素子では、不活性ガス中の残留酸素や水分により、高電圧化されているのに対し、実施例の有機ＥＬ素子１０Ｇでは、正常に保たれることが確認された。よって、保護電極層１９Ａにより抵抗層１８を覆った状態で、マスクを交換することにより、抵抗層１８の表面の汚染が防止され、高電圧化を抑えることができることがわかった。
【００７７】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態等においては、有機層１６の発光層として赤色の発光層１６２Ｒ，緑色の発光層１６２Ｇおよび青色の発光層１６２Ｂを形成した場合について説明したが、発光色が白色のものであってもよい。また、例えば、上記実施の形態では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。
【００７９】
更に、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１９を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極としてもよい。また、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極として基板１１上に、第２電極１９、有機層１６および第１電極１４を基板１１の側からこの順に設け、基板１１側から光を取り出すようにしてもよい。
【００８０】
なお、本技術は以下の様な構成をとることも可能である。
（１）基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する表示装置。
（２）前記抵抗層と前記保護電極層とは、同じマスクを用いて形成されている前記（１）に記載の表示装置
（３）前記接続電極層の面積は、前記保護電極層よりも大きく、前記接続電極層は、前記保護電極層および前記抵抗層の端面に接する前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１電極は光反射性、前記第２電極は光透過性をそれぞれ有する前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記有機層と前記抵抗層との間に、前記有機層と前記抵抗層との間の電気的接続を補助するための接続層を有する前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、前記第２電極を形成する工程では、前記抵抗層に接する保護電極層を形成した後、前記保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、前記接続電極層を前記外部接続層に電気的に接続させる表示装置の製造方法。
（７）前記抵抗層と前記保護電極層とを、連続して同一のマスクにより形成する前記（６）に記載の表示装置の製造方法。
（８）前記接続電極層を形成する工程では、前記保護電極層を形成する工程とは異なるマスクを用いる前記（６）または（７）に記載の表示装置の製造方法。
（９）前記保護電極層を形成した後、前記接続電極層を形成する前に、前記保護電極層に表面処理を施す前記（６）乃至（８）のいすれか１つに記載の表示装置の製造方法。
（１０）表示装置を備え、前記表示装置は、基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する電子機器。
【符号の説明】
【００８１】
１…表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…トランジスタ、１３…平坦化膜、１４…第１電極、１５…素子分離膜、１６…有機層、１６１…正孔輸送層、１６２Ｒ，１６２Ｇ，１６２Ｂ…発光層、１６３…電子輸送層、１７…接続層、１８…抵抗層、１９…第２電極、１９Ａ…保護電極層、１９Ｂ…接続電極層、２１，２２…マスク。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、
前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する
表示装置。
【請求項２】
前記抵抗層と前記保護電極層とは、同じマスクを用いて形成されている
請求項１に記載の表示装置
【請求項３】
前記接続電極層の面積は、前記保護電極層よりも大きく、
前記接続電極層は、前記保護電極層および前記抵抗層の端面に接する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は光反射性、前記第２電極は光透過性をそれぞれ有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機層と前記抵抗層との間に、前記有機層と前記抵抗層との間の電気的接続を補助するための接続層を有する
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、
前記第２電極を形成する工程では、前記抵抗層に接する保護電極層を形成した後、前記保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、前記接続電極層を前記外部接続層に電気的に接続させる
表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記抵抗層と前記保護電極層とを、連続して同一のマスクにより形成する
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続電極層を形成する工程では、前記保護電極層を形成する工程とは異なるマスクを用いる
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護電極層を形成した後、前記接続電極層を形成する前に、前記保護電極層に表面処理を施す
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、
前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する
電子機器。
【請求項１】
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、
前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する
表示装置。
【請求項２】
前記抵抗層と前記保護電極層とは、同じマスクを用いて形成されている
請求項１に記載の表示装置
【請求項３】
前記接続電極層の面積は、前記保護電極層よりも大きく、
前記接続電極層は、前記保護電極層および前記抵抗層の端面に接する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は光反射性、前記第２電極は光透過性をそれぞれ有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機層と前記抵抗層との間に、前記有機層と前記抵抗層との間の電気的接続を補助するための接続層を有する
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を形成する工程を含み、
前記第２電極を形成する工程では、前記抵抗層に接する保護電極層を形成した後、前記保護電極層上に接続電極層を形成すると共に、前記接続電極層を前記外部接続層に電気的に接続させる
表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記抵抗層と前記保護電極層とを、連続して同一のマスクにより形成する
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続電極層を形成する工程では、前記保護電極層を形成する工程とは異なるマスクを用いる
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護電極層を形成した後、前記接続電極層を形成する前に、前記保護電極層に表面処理を施す
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板上に、第１電極、発光層を含む有機層、抵抗層および第２電極をこの順に有する有機電界発光素子および外部接続層を備え、
前記第２電極は、前記抵抗層に接する保護電極層と、前記保護電極層の上層に設けられると共に前記外部接続層に電気的に接続された接続電極層とを有する
電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−８４４１３（Ｐ２０１３−８４４１３Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２２８７８（Ｐ２０１１−２２２８７８）
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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