表示装置および電子機器
【課題】４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１〜第３のサブ画素と、第１〜第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備える。各画素では、第１〜第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有する。第１〜第３のサブ画素では、一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、第４のサブ画素では、発光素子から発せられた光の透過率が、第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成される。カラーフィルタを有する第１〜第３のサブ画素とカラーフィルタを有さない第４のサブ画素との間の透過率差が軽減され、輝度バランスが良好となり、所望の色度を表現し易くなる。
【解決手段】表示装置は、各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１〜第３のサブ画素と、第１〜第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備える。各画素では、第１〜第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有する。第１〜第３のサブ画素では、一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、第４のサブ画素では、発光素子から発せられた光の透過率が、第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成される。カラーフィルタを有する第１〜第３のサブ画素とカラーフィルタを有さない第４のサブ画素との間の透過率差が軽減され、輝度バランスが良好となり、所望の色度を表現し易くなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、１つのピクセル（画素）に、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の４色のサブピクセル（サブ画素）が用いられた表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の画素を有する表示装置においてカラー映像表示を行う場合、最も一般的な手法は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色に対応する３つのサブ画素を各画素内に配置し、各サブ画素での輝度レベルを個別に調整するというものである。これにより、画素全体としての色度点および輝度を任意に設定することが可能となり、カラー映像表示が実現される。
【０００３】
このようなカラー映像表示が可能な表示装置の一例として、液晶表示装置が挙げられる。液晶表示装置は一般に、白色光を照射するバックライトと液晶表示パネルとを備えている。液晶表示パネルでは、通常、サブ画素ごとにＲ，Ｇ，Ｂの各色のカラーフィルタが設けられると共に、入射側および出射側のそれぞれに偏光板が貼り合わせられている。このため、バックライトからの照射光の強度が、偏光板およびカラーフィルタにおいて低減し、液晶表示装置全体での光利用効率が低下してしまう。これは、液晶表示装置において大幅なエネルギーロスとなり、消費電力の増大を招く。
【０００４】
そこで、低消費電力化を図るため、液晶表示パネルにおける各画素に４色のサブ画素を用いた構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、上記したＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素に加え、これらの３色よりも高輝度を示す白（Ｗ）や黄（Ｙ）などのサブピクセルを用いて映像表示を行い、これにより輝度効率を向上させて、低消費電力化を図っている。
【０００５】
このような４色のサブ画素を用いた表示装置としては、上記した液晶表示装置の他にも、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が挙げられる（例えば、特許文献２〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公平４−５４２０７号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９１１８号公報
【特許文献３】特開２００５−１２９０５号公報
【特許文献４】特表２００７−２６８６７号公報
【特許文献５】特表２００８−５１８４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記４色のサブ画素を有する有機ＥＬ表示装置では、各サブ画素に白色有機ＥＬ素子が用いられることが多い。このため、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素には、白色光から各色光を選択的に取り出すためのカラーフィルタが設けられる一方で、Ｗのサブ画素には、カラーフィルタが設けられず、白色発光素子から発せられた白色光が直接取り出されるようになっている。このような４色のサブ画素を用いて例えば映像表示を行う場合、高画質化を実現するためには、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素のみを用いる場合とは異なる、新たな輝度調整あるいは色度設計が要求される。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の表示装置は、各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備えている。複数の画素ではそれぞれ、第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、第１ないし第３のサブ画素では、一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、第４のサブ画素では、発光素子から発せられた光の透過率が、第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている。
【００１０】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の表示装置および電子機器では、各画素が、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する第１ないし第３のサブ画素と、これら３つのサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有し、第１ないし第３のサブ画素にはカラーフィルタが設けられている。第４のサブ画素において、発光素子から発せられた光の透過率が、その一部または全部において低減するように構成されていることにより、カラーフィルタを有する第１ないし第３のサブ画素とカラーフィルタを有さない第４のサブ画素との間の透過率差が軽減される。これにより、輝度バランスが良好となり、所望の色度を表現し易くなる。
【００１２】
例えば、一対の基板として、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とが設けられ、これらのうちの封止基板側にカラーフィルタが設けられている場合には、次のような構成となっていることが望ましい。即ち、カラーフィルタが、ブラックマトリクスの第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、第４のサブ画素では、ブラックマトリクスの開口幅が、他のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている。第４のサブ画素では、上記開口のエッジ部分における白色光のけられ（ケラレ）が、他のサブ画素よりも多く生じ、特に斜め方向へ出射する光の透過率が低減される。ここで、上記のようなサブ画素間における透過率差は視野角変化に伴って大きくなる傾向を有するが、そのような開口幅制御を行うことにより、特に斜め方向からみた場合に、所望の色度を表現し易くなる。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の表示装置および電子機器によれば、各画素が、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応すると共に所定のカラーフィルタを有する第１ないし第３のサブ画素と、これら３つのサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有している。第４のサブ画素において、発光素子から発せられた光の透過率を、その一部または全部において低減するように構成することにより、第１ないし第３のサブ画素と第４のサブ画素との間の透過率差を軽減でき、所望の色度を表現することができる。よって、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の駆動回路を表すブロック図である。
【図３】サブ画素のレイアウト例について説明するための模式図である。
【図４】サブ画素の回路構成例を表す等価回路図である。
【図５】（Ａ）はサブ画素（青）、（Ｂ）はサブ画素（白）の詳細構成を表す断面図である。
【図６】ブラックマトリクスの開口の一構成例について説明するための平面模式図である。
【図７】ブラックマトリクスの開口の他の構成例について説明するための平面模式図である。
【図８】変換処理動作の一例を説明するためのフロー図である。
【図９】（Ａ）はサブ画素（青），（Ｂ）はサブ画素（白）における作用を説明するための断面模式図である。
【図１０】視野角に対する透過率変化を示す特性図である。
【図１１】視野角に対する色度変化を示す特性図である。
【図１２】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面図である。
【図１３】視野角に対する透過率変化を示す特性図である。
【図１４】ＮＤフィルタの他の構成例を示す模式図である。
【図１５】変形例２に係る開口形状を説明するための平面模式図である。
【図１６】変形例３に係るサブ画素の構成およびレイアウト例を表す模式図である。
【図１７】実施の形態および変形例の表示装置が用いられるモジュールの一例を表す模式図である。
【図１８】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１９】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（ＢＭ開口を、ＲＧＢよりもＷのサブ画素において小さくした例）
２．第２の実施の形態（Ｗのサブ画素にＮＤフィルタを設けた例）
３．変形例１（ボトムエミッション方式に適用した場合の例）
４．変形例２（ＢＭ開口形状の他の例）
５．モジュールおよび適用例
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示における第１の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えば上面発光方式（いわゆるトップエミッション方式）により、フルカラーの映像表示を行うものである。この有機ＥＬ表示装置１は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），Ｂ（青）の３原色のサブピクセル（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に加え、高輝度を示すサブピクセル（例えば白（Ｗ）のサブ画素１０Ｗ）を含めた４色のサブ画素を用いて上記映像表示を行う。このような有機ＥＬ表示装置１は、例えば、各々が、上記４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにより構成された複数の画素（後述の画素Ｐ）を備えている。これらのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、駆動基板１０上に例えばマトリクス状に配設され、いずれも発光素子として例えば有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子１０ａ）を含んでいる。これらの白色有機ＥＬ素子１０ａは、封止基板２０によって駆動基板１０上に封止されている。
【００１７】
駆動基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる基板上に、ＴＦＴ（後述のＴｒ１，Ｔｒ２等）を含む画素駆動回路（駆動回路３０）等が配設されたものである。この駆動基板１０の表面は、図示しない平坦化膜によって平坦化されている。以下、画素駆動回路１０の詳細構成の一例について述べる。
【００１８】
（画素駆動回路）
図２は、各画素Ｐの駆動回路の一構成例を表すブロック図である。駆動基板１０上には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを含む画素Ｐが、マトリクス状に複数設けられており、これら複数の画素Ｐが配設される表示部Ｓの周辺領域（額縁領域）に、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを駆動するための駆動回路３０が配設されている。表示部Ｓでは、複数の走査線ＷＳＬおよび電源線ＤＳＬが行状に配置され、複数の信号線ＤＴＬ（後述のＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗのいずれかに相当）が列状に配置されている。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬがそれぞれ、上記駆動回路３０に接続されている。尚、駆動回路３０は、駆動基板１０上に直に設けられていてもよいし、あるいは駆動基板１０の周辺領域に接続されたプリント配線基板（ＦＰＣ）等に集積されたものであってもよい。
【００１９】
各画素Ｐにおいて、サブ画素Ｗは、３原色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりも高輝度を示す（表示装置全体の輝度向上もしくは電力低減を目的として設けられた）サブピクセルである。画素Ｐでは、これら４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが、例えば図３（Ａ）に示したように、２×２の行列状に設けられていてもよいし、図３（Ｂ）に示したように、１方向（行方向または列方向）に沿って配列して設けられていてもよい。このように、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの配置レイアウトは特に限定されないが、図１の断面図では、説明上、これらの４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを１方向に並列させたものを例示している。
【００２０】
駆動回路３０は、複数の画素Ｐを順次選択しつつ、選択された画素Ｐ内のサブピクセル１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗに対して映像信号３０Ａに基づく映像信号電圧を書き込むことにより、複数の画素Ｐの表示駆動を行うものである。この駆動回路３０は、映像信号処理回路３１、タイミング生成回路３２、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５を有している。
【００２１】
映像信号処理回路３１は、外部から入力されるデジタルの映像信号３０Ａに対して所定の映像信号処理（例えば、ガンマ補正処理，オーバードライブ処理等）を行うと共に、そのような映像信号処理後の映像信号３１Ａを信号線駆動回路３４に出力するものである。本実施の形態では、４色のサブ画素を用いて映像表示に行うため、この映像信号処理回路３１が、更に所定の変換処理部３１０を有している。変換処理部３１０は、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号を、例えばＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色に対応する映像信号へ変換する変換処理（ＲＧＢ／ＲＧＢＷ変換処理）を行うものである。この変換処理部３１０は、例えば、複数の乗算器および加算器を用いて構成されている。
【００２２】
タイミング生成回路３２は、外部から入力される同期信号３０Ｂに基づいて制御信号３２Ａを生成し出力することにより、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５がそれぞれ、連動して動作するように制御するものである。
【００２３】
走査線駆動回路３３は、制御信号３２Ａに基づいて複数の走査線ＷＳＬに対して選択パルスを順次印加することにより、複数の画素Ｐ（詳細にはサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗ）を順次選択するものである。信号線駆動回路３４は、制御信号３２Ａに基づいて、映像信号処理回路３１から入力される映像信号２１Ａに対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬ（詳細には後述のＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）に印加するものである。電源線駆動回路３５は、制御信号３２Ａに基づいて複数の電源線ＤＳＬに対して制御パルスを順次印加することにより、各画素Ｐ内のサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗにおける白色有機ＥＬ素子１０ａの発光（点灯）動作および消光（消灯）動作の制御を行うものである。
【００２４】
（画素回路）
図４は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの回路構成の一例を表したものである。各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ内には、白色有機ＥＬ素子１０ａと共に、画素回路３６が設けられている。
【００２５】
画素回路３６は、例えば書き込み（サンプリング用）トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量素子Ｃｓを含んで構成されている。書き込みトランジスタＴｒ１は、ゲートが走査線ＷＳＬ、ドレインが信号線ＤＴＬ（ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）にそれぞれ接続され、ソースは、駆動トランジスタＴｒ２のゲートおよび保持容量素子Ｃｓの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のドレインは電源線ＤＳＬに接続され、ソースは、保持容量素子Ｃｓの他端および白色有機ＥＬ素子１０ａのアノードに接続されている。白色有機ＥＬ素子１０ａのカソードは、固定電位ＶＳＳ（例えば、接地電位）に設定されている。書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２はそれぞれ、例えば、ｎチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）である。
【００２６】
尚、図４には、４つのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを纏めて示しているが、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗには、走査線ＷＳＬおよび発光制御線ＤＳＬがそれぞれ各サブ画素に共通して接続されている。一方、信号線ＤＴＬについては、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗのそれぞれに個別に接続されている（信号線ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）。
【００２７】
（有機ＥＬ素子の構成）
白色有機ＥＬ素子１０ａは、駆動基板１０上において、例えば第１電極１１と第２電極１４との間に発光層を含む有機層１３を有するものである。具体的には、白色有機ＥＬ素子１０ａでは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ毎に駆動基板１０上に第１電極１１が設けられており、駆動基板１０および第１電極１１は、各第１電極１１に対向して開口を有する画素間絶縁膜１２によって覆われている。画素間絶縁膜１２の開口において、第１電極１１上に有機層１３が形成されており、この有機層１３上に、第２電極１４が表示領域の全域にわたって設けられている。
【００２８】
第１電極１１は、例えば陽極として機能すると共に、例えば光反射性に優れた導電性材料を用いて構成される。この第１電極１１は、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金よりなる。あるいは、第１電極１１は、それらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜（ミラーとして機能する部分）と、ＩＴＯ、ＩｎＺｎＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。本実施の形態では、封止基板２０の上方から光取り出しがなされるトップエミッション方式において、第１電極１１の一部または全部がミラーとして機能し、白色発光素子１０ａから発せられた光が上方へ向けて反射されるようになっている。第１電極１１の膜厚は、所望の反射率（例えば８０％〜９０％の反射率）が得られるように設定されることが望ましい。
【００２９】
画素間絶縁膜１２は、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの発光領域を電気的に分離し、画素間リークを抑制する機能を有するものである。この画素間絶縁膜１２は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。
【００３０】
有機層１３は、有機電界発光層（ここでは、白色発光層）を含んでおり、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光（白色と見做せる疑似白色光も含む）を発生するようになっている。このような白色発光層は、例えば赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を厚み方向に積層した構造を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
【００３１】
このような有機層１３は、また、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１１が陽極として機能する場合には、この第１電極１１側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、白色発光層または電子輸送層と、第２電極１４との間には、更に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層が設けられていてもよい。また、上記白色発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層とは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して形成されていてもよいし、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ毎に設けられていてもよい。また、それらの層のうちの一部がサブ画素毎に設けられ、その他の層が全サブ画素に共通して設けられていてもよい。
【００３２】
尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。
【００３３】
第２電極１４は、例えば陰極として機能し、例えばサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して設けられ、するものである。この第２電極１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），銀（Ａｇ）およびＩＴＯ，ＩｎＺｎＯ，ＺｎＯ等の透明導電膜等のうちの少なくとも１種よりなる単体金属、それらのうちの２種以上を含む合金、もしくは金属酸化物から構成されている。第２電極１４は、そのような単体金属および合金のうちのいずれかよりなる単層膜であってもよいし、それらのうちの２種以上を積層した積層膜であってもよい。この第２電極１４は、第１電極１１と絶縁された状態で設けられると共に、保護膜１５によって覆われている。
【００３４】
保護層１５は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この保護層１５上に、図示しない接着層を介して封止基板２０が貼り合わせられている。
【００３５】
封止基板２０は、各白色有機ＥＬ素子１０ａを封止するものである。本実施の形態では、上述のようにトップエミッション方式を用いているため、この封止基板２０が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、カラーフィルタ層１６が設けられている。
【００３６】
（カラーフィルタ層１６）
カラーフィルタ層１６は、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに対向して開口（開口Ｍ１，Ｍｗ）を有するブラックマトリクス１６Ｍを有する。詳細には、カラーフィルタ層１６において、ブラックマトリクス１６Ｍは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向して開口Ｍ１を有し、サブ画素１０Ｗに対向して開口Ｍｗを有している。このブラックマトリクス１６Ｍは、例えば黒色の顔料または染料を混入した樹脂よりなる。あるいは、ブラックマトリクス１６Ｍは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層した薄膜フィルタにより構成されていてもよい。
【００３７】
ブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍ１，Ｍｗのうち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向する開口Ｍ１にのみ、カラーフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂ）が形成されている。即ち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにはそれぞれ、対応する色のカラーフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂ）が設けられる一方、サブ画素１０Ｗには、カラーフィルタが設けられていない。
【００３８】
赤色フィルタ１６Ｒは、白色光のうち赤色光を選択的に透過させる（例えば波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。緑色フィルタ１６Ｇは、白色光のうち緑色光を選択的に透過させる（例えば波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。青色フィルタ１６Ｂは、白色光のうち青色光を選択的に透過させる（例えば波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。これらの赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂはそれぞれ、例えば顔料または染料を混入した樹脂よりなる。尚、このようなカラーフィルタ層１６の表面が有機絶縁材料よりなるオーバーコート膜により覆われていてもよい。
【００３９】
このような構成により、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの各色光に変換されて表示光として取り出される一方、サブ画素１０Ｗでは、白色光がそのまま（色変換されることなく）開口Ｍｗを通過して表示光として取り出される。本実施の形態では、このようなカラーフィルタ層１６のブラックマトリクス１６Ｍにおける開口Ｍ１，Ｍｗの開口幅が所定の大小関係となるように設計されている。
【００４０】
（ブラックマトリクスの開口設計）
図５（Ａ）は、サブ画素１０Ｂ、図５（Ｂ）はサブ画素１０Ｗの詳細な断面構成を表したものである。図６および図７は、開口の形状およびレイアウトの一例を模式的に表したものである。
【００４１】
本実施の形態では、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの幅（開口幅ＬBM(W)）が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向する開口Ｍ１の幅（開口幅ＬBM）よりも小さくなるように設計されている。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（以下、サブ画素１０Ｂを例にして説明する）では、図５（Ａ）に示したように、白色有機ＥＬ素子１０ａ上に、開口Ｍ１が設けられ、この開口Ｍ１に青色フィルタ１６Ｂが形成されている。ここで、開口Ｍ１は、一般に、画素開口（第１電極１１に対応する部分）よりも大きくなるように設けられる。これは、以下のような理由による。
【００４２】
即ち、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１では、封止基板２０側にブラックマトリクス１６Ｍを含むカラーフィルタ層１６が設けられる。このような構成において、駆動基板１０との貼り合せ時のアライメント精度を保持する（位置ずれの影響を吸収するマージンを確保する）と共に、表示面（ここでは、封止基板２０の上面）を斜め方向から見た場合の遮光（いわゆるケラレ）を抑制して、各サブ画素での視野角特性を向上させるためである。ここで、ある観察方向（基板法線方向から角度θ1（０°≦θ1＜９０°）傾いた斜め方向）における遮光率Ｚは、例えば以下の式（１）と式（２）によって決まる。つまり、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、ブラックマトリクス１６Ｍにおいて、遮光率Ｚが最小限となるように開口幅ＬBMが設計されている。詳細には、隣接画素からの色光のクロストークや、外光反射等を抑制できる程度の遮光性能を保持しつつ、ケラレの影響を抑えることができる遮光率Ｚとなるような設計がなされている。
【００４３】
Ｌshadow＝Σi［ｔi・tan｛sin-1（ｎair・sinθair／ｎsub(i)）]］ ………（１）
Ｚ＝（ＬP＋ｄ−Ｌshadow）／ＬP ………（２）
但し、
Ｌshadow：遮光幅
ｔi：第１電極１１の金属反射面とブラックマトリクス１６Ｍとの間に積層された各層の厚み
ｎsub(i)：第１電極１１の金属反射面とブラックマトリクス１６Ｍとの間に積層された各層の屈折率
ｎair：大気の屈折率
ＬP：第１電極１１の幅（画素幅）
ｄ：開口幅ＬBMと画素幅ＬPとの差（開口マージン）
【００４４】
一方、斜め方向におけるカラーフィルタ透過率Ｔは、スネルの法則およびランバートベールの法則により、式（Ａ），（Ｂ）のように表される。尚、式（Ａ）における記号「＾」は「べき乗」を表し、例えば「Ｂ＾２」は「Ｂ2」を意味する。つまり、カラーフィルタの透過率が異なる場合、観測角度θ1が大きくなるほど透過率の差異が大きくなり、斜め方向における色度変化が生じる。
Ｔ＝Ｔ0＾（１／cosθ2） ………（Ａ）
sinθ1／sinθ2＝ｎCF ………（Ｂ）
但し、
Ｔ0：カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）の正面での透過率
θ2：カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）中の光線透過角度
θ1：観察角度（視野角）
ｎCF：観察環境とカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）との屈折率比
を示す。
【００４５】
一方、図５（Ｂ）に示したように、サブ画素１０Ｗでは、他のサブ画素（ここでは、サブ画素１０Ｂ）と同様、白色有機ＥＬ素子１０ａ上に開口Ｍｗが設けられ、この開口Ｍｗについても、上記と同様の理由から、画素幅ＬPよりも大きくなるように設けられる。但し、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの開口幅ＬBM(W)は、上記開口幅ＬBMよりも小さくなっている。
【００４６】
このように、本実施の形態では、サブ画素１０Ｗにおいて、開口幅ＬBM(W)が他のサブ画素の開口幅ＬBMよりも小さく設定されることにより、遮光率Ｚが大きくなり、透過率が低減されている。但し、この際、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける、赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇ，青色フィルタ１６Ｂの各透過率Ｔを考慮して（サブ画素１０Ｗにおける透過率が、各カラーフィルタの透過率Ｔと同等となるように）、開口幅ＬBM(W)が設定されることが望ましい。尚、上記式（Ａ）における透過率Ｔ0は、カラーフィルタ材料の濃度および厚み等に応じて変化するものであり、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に異なるものである。
【００４７】
ここでは、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの各画素幅ＬPは互いに同一であることから、サブ画素１０Ｗにおける開口マージンｄWが、サブ画素１０Ｂの開口マージンｄよりも小さく（狭く）設計されている。これにより、サブ画素１０Ｗでは、上述の式（１），（２）によって定められる遮光率Ｚが、サブ画素１０Ｂのそれよりも大きくなり、この傾向は、詳細は後述するが、特に観察角度θ1が大きくなるほど増す。
【００４８】
実際には、画素の形状（第１電極１１の面形状）は、図６および図７に示したように、例えば方形（矩形または正方形）となっている。このように、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて、Ｘ方向およびＹ方向の各方向に沿って開口マージンｄを有する場合、サブ画素１０Ｗにおいても、Ｘ方向およびＹ方向の各方向に沿って、開口マージンｄWを設けるとよい。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、Ｘ方向において、画素幅ＬP１に対して開口マージンｄを考慮した開口幅ＬBM１、Ｙ方向において、画素幅ＬP２に対して開口マージンｄを考慮した開口幅ＬBM２にそれぞれ設計される。一方、サブ画素１０Ｗでは、Ｘ方向において、画素幅ＬP１に対して開口マージンｄｗを考慮した開口幅ＬBM(W)１、Ｙ方向において、画素幅ＬP２に対して開口マージンｄｗを考慮した開口幅ＬBM(W)２にそれぞれ設計される。尚、Ｘ方向およびＹ方向は、表示面（基板面）に平行な面内において互いに直交する２方向とする。
【００４９】
尚、ここでは、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂについては、互いに同一の開口幅ＬBMおよび開口マージンｄとなるように設定したが、これらの開口幅ＬBMおよび開口マージンｄは、各サブ画素間において必ずしも同一でなくともよい。赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂの間でも、透過帯域が互いに異なると共に、顔料の濃度等の他の設計条件に依存して、サブ画素間で透過率（特に斜め方向における透過率）に差が生じる場合もある。このため、そのような透過率差を軽減するために、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれかにおいて他のサブ画素よりも開口幅が小さく（または大きく）なるように、あるいはサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにおける各開口幅が互いに異なるように（透過波長毎に）、設計されていてもよい。例えば、ＲＧＢの各透過波長帯域における透過率を、各カラーフィルタの濃度に相関させて（各カラーフィルタ濃度を考慮して）調整したものが挙げられる。これにより、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間において各透過率に差がある場合にも、それを低減して、より所望の色度を得易くなる。
【００５０】
また、Ｘ方向とＹ方向との各方向において、開口マージンｄ，ｄｗを同一幅としたが、各方向において異なるようにしてもよい。例えば、Ｘ，Ｙ方向のうちの選択的な一方向（例えば水平方向に一致する方向）における開口幅のみを調整し、もう一方の方向（例えば垂直方向に一致する方向）では４つのサブ画素間で同一の開口幅となるようにしてもよい。あるいは、Ｘ方向とＹ方向とにおいて、開口幅の調整比率が異なっていてもよい。これにより、特に良好な視野角特性（色度）が必要となる方向においてのみ選択的に開口制御（透過率制御）を行うことができ、他の方向では、サブ画素１０Ｗの開口幅を小さくすることなく反射率抑制の効果を得られるようにすることができる。
【００５１】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、図２および図４に示したように、駆動回路３０が、映像信号３０Ａおよび同期信号３０Ｂに基づき、表示部Ｓ内の各画素Ｐを駆動し、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗを用いて表示駆動を行う。この際、映像信号処理回路３０は、各サブピクセル１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗへ供給する映像信号を生成するために、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号３０Ａに対し、以下に説明するような変換処理を施す。
【００５２】
（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの映像信号への変換処理）
ここで一般に、入力される映像信号３０Ａは、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するものであるため、映像信号処理回路３０は、まず、入力された映像信号３０Ａ（Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号）に対して、以下のような変換処理（ＲＧＢ／ＲＧＢＷ変換処理）を行う。図８に、この変換処理部３１０における処理フローを示す。
【００５３】
即ち、変換処理部３１０は、まず、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号（入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ））を取得する（ステップＳ１０１）。次いで、変換処理部３１０は、この入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を、ＣＩＥ（Commission Internationale de l'Eclairage）により規定される表色系である３刺激値に対応する映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に変換する（ステップＳ１０２）。
【００５４】
具体的には、パネル固有のＲ，Ｇ，Ｂの飽和色を予め測定しておき、その測定結果に基づき、例えば以下の式（３）により規定される変換マトリクス（変換行列）Ｍを求める。次いで、この変換マトリクスＭの逆行列Ｍ-1を用いて、以下の式（４）に基づき、色域を決定する画素（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）を用いた場合の所望の白色点（白色点Ａとする）における混合比率（ｒ，ｇ，ｂ）を求める。このようにして求めた混合比率（ｒ，ｇ，ｂ）を用い、以下の式（５），（６）に基づき、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を、映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に変換する。
【００５５】
【数１】
【００５６】
尚、上記式中のＲｘ，Ｇｘ，Ｂｘ，Ｗｘは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｘ座標に対応する値であり、Ｒｙ，Ｇｙ，Ｂｙ，Ｗｙは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｙ座標に対応する値であり、Ｒｚ，Ｇｚ，Ｂｚ，Ｗｚは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｚ座標（即ち、１−ｘ−ｙ）に対応する値を示す。
【００５７】
また、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、例えば各色について８ビットまたは１６ビットの映像信号であり、例えば２．２乗等のガンマ関数に従ってその強度を表したものであるが、各サブ画素の発光色度点および輝度を規定するものであれば、これには限られない。更に、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）から映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）への変換手法については、上記した手法には限られず、他の公知の手法を用いてもよい。加えて、上記白色点Ａは１つに限らず、複数点設定することができ、それら複数の白色点Ａに対する変換マトリクスＭを求めておいてもよい。また、変換マトリクスＭは、パネル内の表示部Ｓ全域の画素Ｐを対象として求めてもよいし、画素Ｐあるいは選択的な領域（複数の画素Ｐを含む）を対象としてもよい。
【００５８】
次に、変換処理部３１０は、３刺激値に対応する映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）によって表現される色度を、サブ画素１０Ｗを含めたＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにより表現し得る映像信号（変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ））を生成する。
【００５９】
具体的には、まず、上記Ｒ，Ｇ，Ｂに加えて、Ｗについてのパネル固有の飽和色を予め測定しておき、その測定結果に基づいて、以下の式（７）〜（９）により規定される変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂを求める。尚、これらの変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの各飽和色のうち、（Ｗ，Ｇ，Ｂ）、（Ｒ，Ｗ，Ｂ）および（Ｒ，Ｇ，Ｗ）の各組み合わせによって得られるものである。
【００６０】
【数２】
【００６１】
次いで、この変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂの逆行列Ｍｒ-1，Ｍｇ-1，Ｍｂ-1と、映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を用いて、以下の式（１０）〜（１５）に基づき、（Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐ）、（Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐ）および（Ｒｐ，Ｇｐ，Ｗｐ）の各組み合わせのうち、いずれの値も０（ゼロ）以上になる組み合わせを求める。そして、この組み合わせに含まれない色の映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか）を０として、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色に対応する変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）を生成する。
【００６２】
【数３】
【００６３】
例えば、まず、式（１０），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐ）を求め、これらのＷｐ，Ｇｐ，Ｂｐの各値が０以上であるか否かを判定し、Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐのいずれの値も０以上となる場合には（ステップＳ１０３：Ｙ）、Ｒの映像信号を０と置き換えた映像信号（０，Ｇｐ，Ｂｐ，Ｗｐ）を、変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０４）。
【００６４】
一方、Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐの各値のいずれかが０未満である場合には（ステップＳ１０３：Ｎ）、式（１１），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐ）を求め、これらのＲｐ，Ｗｐ，Ｂｐの各値が０以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。この結果、Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐのいずれの値も０以上である場合には（ステップＳ１０５：Ｙ）、Ｇの映像信号を０と置き換えた映像信号（Ｒｐ，０，Ｂｐ，Ｗｐ）を、変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０６）。一方、Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐの各値のいずれかが０未満の場合には（ステップＳ１０５：Ｎ）、式（１２），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｒｐ，Ｇｐ，Ｗｐ）を求め、Ｂの映像信号を０と置き換えた映像信号（Ｒｐ，Ｇｐ，０，Ｗｐ）を変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０７）。
【００６５】
【数２】
【００６６】
【数３】
【００６７】
次いで、上記のようにして生成した変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）を、例えば所定のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を用いて、所望の値（発光強度）に変換する（ステップＳ１０８）。このようにして、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗへの供給用の映像信号（出力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ））を生成し、出力する（ステップＳ１０９）。但し、このような発光強度の変換は、ＬＵＴを用いて行うのではなく、ガンマカーブや近似式を用いた演算によって行うようにしてもよい。また、このステップＳ１０８の変換処理を行わないようにしてもよい。以上により、変換処理部３１０における変換処理が終了となる。
【００６８】
（発光駆動動作）
次に、上記のような映像信号に基づく発光駆動動作について説明する。即ち、上記変換処理によって生成された４色のいずれかに対応する映像信号電圧が信号線ＤＴＬに印加され、かつ電源線ＤＳＬに所定の電圧が印加されている期間中に、走査線駆動回路３３が、走査線ＷＳＬの電圧をオフ電圧からオン電圧へ上げる。これにより、書き込みトランジスタＴｒ１がオン状態となり、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇが映像信号電圧へと上昇する。その結果、補助容量素子Ｃｓに対して映像信号電圧が書き込まれ、保持される。尚、この段階では、まだ、白色有機ＥＬ素子１０ａのアノード−カソード間には電流が流れない（白色有機ＥＬ素子１０ａが発光しない）。駆動トランジスタＴｒ２から供給される電流Ｉｄは、白色有機ＥＬ素子１０ａのアノード−カソード間に並列に存在する素子容量（図示せず）へと流れ、この素子容量が充電される。
【００６９】
続いて、走査線駆動回路３３が、走査線ＷＳＬの電圧をオン電圧からオフ電圧へと下げると、書き込みトランジスタＴｒ１がオフ状態となり、駆動トランジスタＴｒ２のゲートがフローティングとなる。これにより、駆動トランジスタＴｒ２のドレイン−ソース間に電流Ｉｄが流れ、ソース電位Ｖｓおよびゲート電位Ｖｇが上昇する。これにより、白色有機ＥＬ素子１０ａでは、アノード電圧が上昇し、アノード−カソード間に、補助容量素子Ｃｓに保持された映像信号電圧（ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ）に応じた駆動電流（電流Ｉｄ）が流れる。
【００７０】
この結果、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗ内の白色有機ＥＬ素子１０ａへ駆動電流が注入され、有機層１３内の発光層（白色発光層）において正孔と電子とが再結合し、白色光が生じる。この白色光のうち上方（封止基板２０側）へ発せられた光は、そのままカラーフィルタ層１６へ向かい、下方（駆動基板１０側）へ発せられた光は、第１電極１１において上方へ反射された後、カラーフィルタ層１６へ向かう。これにより、サブ画素１１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗのそれぞれにおいて、白色光がカラーフィルタ層１６へ入射する。
【００７１】
ここで、カラーフィルタ層１６では、ブラックマトリクス１６Ｍに、サブ画素１１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇに対向して開口Ｍ１および対応色のフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇ，青色フィルタ１６Ｂ）を有し、サブ画素１０Ｗに対向して開口Ｍｗ（カラーフィルタなし）を有している。このため、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光が、赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂをそれぞれ通過して、赤，緑，青の各色光が表示光として上面側（封止基板２０側）から取り出される。一方、サブ画素１０Ｗでは、上記白色光が、そのまま表示光として上面側から取り出される。このようにして、有機ＥＬ表示装置１では、フルカラーの映像表示がなされる。また、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを用いて上記のように映像表示を行うことにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素のみを用いる場合と比べ、輝度効率が向上し、低消費電力化が図られる。
【００７２】
（ブラックマトリクス開口形状による作用）
上述のように、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、対応するカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）を透過して、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの表示光として取り出される一方、サブ画素１０Ｗでは、白色光がそのまま表示光として取り出される。
【００７３】
そのため、白色有機ＥＬ素子１０ａからの白色光のうち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）により特定の帯域の色光のみが選択的に取り出されることになり、カラーフィルタを有さない高輝度を示すサブ画素１０Ｗに比べ表示光の透過率（輝度）が低くなる。即ち、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、Ｗのサブ画素１０Ｗとの間で透過率に差が生じる。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、透過率が約７５〜８５％程度となり、サブ画素１０Ｗでは、１００％に近くなる。このような透過率差が生じると、各色間での輝度バランスが崩れ、所望の色度を表現しにくくなる。
【００７４】
また、ブラックマトリクス開口Ｍ１に形成されるカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）では、光の透過方向（フィルタ内を通過する光の進行方向）によって、光路長が異なる。このため、光路長がより長くなる斜め方向（正面方向（基板法線方向）から傾いた方向）では、正面方向に比べ、透過光量が減少し易い。従って、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、特に斜め方向において透過率が低くなる傾向がある。一方、サブ画素１０Ｗでは、そのようなカラーフィルタが設けられていないために、斜め方向においても透過率はそれほど低下しない。つまり、特に斜め方向において、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとサブ画素１０Ｗとの間の透過率差が顕著となり、色度点が正面方向の色度点から更にずれたものとなり、視野角特性の低下を招く。
【００７５】
他方、上述したように、斜め方向における透過率は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、上記式（１），（２）で表される遮光率Ｚと、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）の材料，濃度等とにより概ね決定され、サブ画素１０Ｗでは、遮光率Ｚにより概ね決定される。
【００７６】
ここで、本実施の形態では、図５〜図７に示したように、カラーフィルタ層１６に配置されるブラックマトリクス１６Ｍにおいて、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの開口幅ＬBM(W)が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの開口Ｍ１の開口幅ＬBMよりも小さくなるように設計されている。これにより、図９（Ａ）に示したように、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（ここではサブ画素１０Ｂを例示する）では、斜め方向へ向かって透過（出射）する色光（図中破線矢印）の光量がより多くなるように、上述したような観点から最適な開口幅ＬBMおよび開口マージンｄが設定されている。一方、図９（Ｂ）に示したように、サブ画素１０Ｗでは、開口Ｍｗが、そのような開口幅ＬBMよりも小さな開口幅ＬBM(W)を有することにより、サブ画素１０Ｂよりも斜め方向へ向かって透過する色光がブラックマトリクスＭｗによって遮光され易くなる（ケラレが生じ易い）。このように、サブ画素１０Ｂの一部、即ちブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍｗのエッジ付近におけるケラレを利用することにより、サブ画素１０Ｗでは、斜め方向における透過率が軽減される。よって、特に透過率差が顕著となる斜め方向において、サブ画素間での透過率差が軽減され、視野角全体において良好な輝度バランスが保持される。
【００７７】
また、本実施の形態では、開口幅ＬBM(W)は、開口幅ＬBMと同様、画素幅Ｌｐよりも大きくなるように設計されているため、正面方向における透過率については低下しない。上述したように、各サブ画素間での透過率差は、斜め方向において顕著にあらわれるため、正面方向よりも斜め方向における透過率差を軽減することにより、各サブ画素間における透過率の近似を効率的に行うことができる。
【００７８】
例えば、図１０に、帯域透過率０．８を有する青色フィルタ１６Ｂが設けられたサブ画素１０Ｂと、透過率が０．９９である（高透過率フィルタを設けた）サブ画素１０Ｗとの視野角に対する透過率変化について示す。具体的には、実施例として、サブ画素１０Ｂ（画素幅ＬP：５０μｍ，開口幅ＬBM：７０μｍ，開口マージンｄ：１０μｍ）の透過率Ｂ１と、サブ画素１０Ｗ（画素幅ＬP：５０μｍ，開口幅ＬBM(W)：６５μｍ，開口マージンｄｗ：７．５μｍ）の透過率Ｗ１について示す。また、比較例として、サブ画素１０Ｂと同様の画素幅ＬP，開口幅ＬBM，開口マージンｄで設計したサブ画素１０Ｗについての透過率Ｗ１００についても示す。
【００７９】
このように、開口幅および開口マージンを同一とした場合、サブ画素１０Ｂの透過率Ｂ１と、サブ画素１０Ｗの透過率Ｗ１００との間に透過率差が生じ、特に観察角度θ1が大きくなる斜め方向においてその差が大きくなることがわかる。これに対し、開口幅および開口マージンをサブ画素１０Ｂよりも小さくなるように設計したサブ画素１０Ｗの透過率Ｗ１は、比較例の透過率Ｗ１００に比べ、サブ画素１０Ｂの透過率Ｂ１に近似することがわかる。
【００８０】
また、一定の発光スペクトル下において、上記実施例に係るサブ画素１０Ｂ，１０Ｗを、混合させて点灯した場合の視野角に対する色度変化について、図１１に示す。また、比較例として、上記のようにそれぞれを同一の開口幅および開口マージンで設計したサブ画素１０Ｂ，１０Ｗを混色させた場合の色度変化について示す。開口幅および開口マージンをサブ画素１０Ｂよりも小さく設計したサブ画素１０Ｗを用いた実施例では、それらを同一に設計した比較例に比べ、観察角度θ１が増しても、色度変化がほとんどみられなかった。これにより、サブ画素間の透過率差によって生じる色度変化（特に視野角の変化に伴って変化する色度変化）が、サブ画素１０Ｗの開口幅制御によって抑制されることがわかる。
【００８１】
以上のように本実施の形態では、各画素Ｐが、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、これらよりも高輝度を示すサブ画素１０Ｗとを有し、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにはカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）が設けられている。サブ画素１０Ｗにおいて、白色有機ＥＬ素子１０ａから発せられた白色光の透過率が、その一部または全部において低減するように構成されている。具体的には、本実施の形態では、トップエミッション方式による有機ＥＬ表示装置１において、サブ画素１０Ｗでは、ブラックマトリクス１６Ｍの開口幅ＬBM(W)が、他のサブ画素における各開口幅ＬBMよりも小さくなっている。これにより、サブ画素１０Ｗの一部において白色光のけられ（ケラレ）が、他のサブ画素よりも多く生じ、特に斜め方向へ出射する光の透過率が低減される。従って、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）を有するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとカラーフィルタを有さないサブ画素１０Ｗとの間の透過率差が軽減される。ここで、上記のようなサブ画素間における透過率差は視野角変化に伴って大きくなる傾向を有するが、そのような開口幅制御を行うことにより、特に斜め方向からみた場合に、所望の輝度および色度を表現できる。よって、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能となる。
【００８２】
次に、第２の実施の形態および変形例について説明する。以下では、各形態における概略構成または要部構成のみを示し、また、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【００８３】
＜第２の実施の形態＞
図１２は、本開示における第２の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記第１の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、いわゆるトップエミッション方式により、フルカラーの映像表示を行うものである。この有機ＥＬ表示装置２は、また、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを用いて上記映像表示を行うものであり、これらのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗはいずれも、発光素子として白色有機ＥＬ素子１０ａを含んでいる。また、この白色有機ＥＬ素子１０ａは、駆動基板１０および封止基板２０間に設けられると共に、封止基板２０側にカラーフィルタ層１６が形成されている。
【００８４】
また、本実施の形態においても、カラーフィルタ層１６が、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに対向して開口Ｍ１を有するブラックマトリクス１６Ｍを有すると共に、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、その開口Ｍ１にカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）が形成されている。
【００８５】
但し、本実施の形態では、上記第１の実施の形態と異なり、カラーフィルタ層１６において、ブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍ１の開口幅ＬBMおよび開口マージンｄ（図１２には図示せず）が各サブ画素間において互いに同一となっている。また、サブ画素１０Ｗでは、ＮＤフィルタ１７（減光フィルタ）が形成されている。このＮＤフィルタ１７は、例えばサブ画素１０Ｗの全域において透過光量を低減させる機能フィルタである。このＮＤフィルタ１７の透過率は、他のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと同等に設定されていることが望ましい。
【００８６】
本実施の形態のように、サブ画素１０Ｗに透過率制御機能を有するＮＤフィルタ１７を設けることによっても、ブラックマトリクス１６Ｍの開口幅制御を行う上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８７】
例えば、図１３に、帯域透過率０．８を有する青色フィルタ１６Ｂが設けられたサブ画素１０Ｂの視野角に対する透過率変化（透過率Ｂ２）と、全可視波長帯域において概ね０．８の透過率を有するＮＤフィルタ１７を設けたサブ画素１０Ｗの視野角に対する透過率変化（透過率Ｗ２）について示す。この際、サブ画素１０Ｂ，１０Ｗのいずれにおいても、画素幅ＬPを５０μｍ，開口幅ＬBMを７０μｍとした。
【００８８】
このように、ＮＤフィルタ１７を有するサブ画素１０Ｗを用いた場合、サブ画素１０Ｂ，１０Ｗの透過率Ｂ２，Ｗ２は略一致し、視野角変化に伴う透過率の差異はほとんど存在しないことがわかった。尚、ここでは、ＮＤフィルタ１７として、サブ画素１０Ｗの全域にわたって透過率を低減するものを例示したが、このＮＤフィルタ１７の透過率はサブ画素１０Ｗ全域において一律であってもよいし、領域毎に異なっていてもよい。例えば、図１４（Ａ）に示したように、中央領域ｄ１よりも端部領域ｄ２において低透過率となるように構成されたＮＤフィルタ１７Ａであってもよい。また、図１４（Ｂ）に示したように、中央領域ｄ１から領域ｄ２，ｄ３，端部領域ｄ４にかけて段階的に透過率が低減するように構成されたＮＤフィルタ１７Ｂであってもよい。更には、図１４（Ｃ）に示したように、中央部から端部に向かって徐々に（連続的に）透過率が低くなるように構成されたＮＤフィルタ１７Ｃであってもよい。尚、図１４（Ａ）〜（Ｃ）において左図は、ＮＤフィルタ１７Ａ〜１７ＣのＸＹ平面構成、右図は、ＸＹ面形状の中央部から端部までの領域における透過率変化を表す概念図である。また、図１４（Ｃ）の左図では、色の濃淡により透過率分布を表しており、白に近い程透過率が相対的に高く、黒に近い程透過率が相対的に低いことを示している。このような構成により、よりきめ細やかな透過率制御が可能となり、斜め方向においても所望の色度を得易くなる。
【００８９】
尚、上述のＮＤフィルタ１７の透過率およびＮＤフィルタ１７Ａ〜１７Ｃの領域毎の透過率は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間で互いに同一であってもよいし、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎（透過波長毎）に異なっていてもよい。例えば、サブ画素自体が視野角方向（斜め方向）に色度変化を生じる（例えば、概ね黄色方向に変化する）場合、その変化している色の補色（例えば、黄色方向に変化している場合には青色）に対応するサブ画素における透過率を高めるとよい。これにより、視野角方向における色度をバランスよく維持することができる。また、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのうち高透過率に設定されたサブ画素での透過率をより高くすることにより、視野角方向の色度を維持するようにしてもよい。
【００９０】
＜変形例１＞
尚、上記第１，第２の実施の形態では、トップエミッション方式による発光方式を用いた有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本開示における表示装置は、下面発光型（いわゆるボトムエミッション方式）の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合、封止基板２０ではなく、駆動基板１０上にカラーフィルタ層が形成される。このため、上述のようなブラックマトリクス１６Ｍを設ける必要はないが（発光点からカラーフィルタまでの距離が近いため不要）、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素ではカラーフィルタが形成される一方、Ｗのサブ画素ではそのようなカラーフィルタが設けられない。従って、上記第１の実施の形態と同様に、Ｗのサブ画素と、他のサブ画素との間において、透過率差が生じ、色度変化が生じてしまう。
【００９１】
そこで、本変形例のようなボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、駆動基板１０上のＷのサブ画素に対応する領域に、上記第２の実施の形態で説明したようなＮＤフィルタを設けるとよい。これにより、ボトムエミッション方式においても、Ｗのサブ画素では、駆動基板１０の下方から取り出される表示光（白色光）の透過率を低減して、上記サブ画素間での透過率差を軽減することができる。これにより、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００９２】
尚、ボトムエミッション方式では、上記第１の実施の形態において説明した第１電極１１が、透明導電膜により構成され、第２電極１４が反射性金属よりなるか、あるいは透明導電膜と反射金属膜との積層膜により構成される。
【００９３】
＜変形例２＞
図１５は、上記第１の実施の形態において説明したブラックマトリクス１６Ｍの開口形状の他の例を模式的に表したものである。本変形例では、Ｗのサブ画素に対向する開口Ｍｗ１が、例えば円形となっている。尚、画素幅ＬPについては、各サブ画素間で同一であり、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素における開口Ｍ１では開口マージンｄとなるように設計されている。一歩、開口Ｍｗ１では、開口形状が円形であるため、開口マージンが変化するが、最も大きな箇所で開口マージンｄｗとなっている。
【００９４】
このように、Ｗのサブ画素における開口形状を円形のような形状（等方的な形状）としてもよい。これにより、等方的に透過率を制御することができる。尚、円形の他にも、楕円形や多角形等であってもよい。
【００９５】
＜変形例３＞
図１６（Ａ），（Ｂ）は、変形例３に係るサブ画素のレイアウトについて説明するための模式図である。上記実施の形態等では、高輝度を示すサブ画素として、白色光を発するサブ画素１０Ｗを設け、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色を用いて映像表示を行う場合を例示したが、高輝度画素としては、Ｗに限らずＹ（黄）のサブ画素１１Ｙを用いてもよい。このサブ画素１１Ｙは、上記実施の形態等と同様の白色有機ＥＬ素子１０ａと、黄色フィルタとを組み合わせて実現してもよいし、あるいは発光素子として黄色有機ＥＬ素子を用いて、カラーフィルタを形成しないようにしてもよい。黄色有機ＥＬ素子としては、発光層として、例えば緑色発光層および赤色発光層を積層したもの等を用いることができる。尚、各サブ画素のレイアウトとしては、上記第１の実施の形態と同様、２×２の行列状であってもよいし、行方向または列方向に沿って一列に設けられていてもよい。
【００９６】
＜モジュールおよび適用例＞
続いて、図１７〜図２２を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置１等（以下では、有機ＥＬ表示装置１を例に挙げる）の適用例について説明する。上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば以下に説明するようなテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この有機ＥＬ表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００９７】
（モジュール）
表示装置１は、例えば、図１７に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、駆動回路３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００９８】
（適用例１）
図１８は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【００９９】
（適用例２）
図１９は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１００】
（適用例３）
図２０は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０１】
（適用例４）
図２１は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０２】
（適用例５）
図２２は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０３】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記第１の実施の形態では、サブ画素１０Ｗにおけるブラックマトリクス１６Ｍの開口幅のみを変更した構成を例示したが、このような構成に限定されず、サブ画素１０Ｗの開口幅が他のサブ画素に比べ、相対的に小さくなっていれば、本開示における効果と同等の効果を得ることができる。例えば、サブ画素１０Ｗ以外のサブ画素における開口幅を変更してもよいし、サブ画素１０Ｗにおける画素開口幅（第１電極の幅）を変更して透過率を制御するようにしてもよいし、それらの変更制御を組み合わせてもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態等では、各サブ画素が発光素子として、白色発光層を有する白色有機ＥＬ素子１０ａを有する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ内の発光素子としてＲ，Ｇ，Ｂの各色光を個別に発するものを用いてもよい。また、白色発光層についても、発光色が異なる複数の発光層が積層された構造ではなく、面内方向に複数の発光層を配置した構造であってもよい。更に、上記実施の形態等では、発光素子の一例として自発光型の有機ＥＬ素子を挙げて説明したが、自発光型の発光素子に限定されず、例えば液晶表示素子などの発光素子（表示素子）を用いてもよい。
【０１０５】
更に、上記実施の形態等では、上記実施の形態等では、第１電極１１が陽極（アノード）として機能すると共に第２電極１４が陰極（カソード）として機能する場合を例に挙げて説明したが、逆に、第１電極１１が陰極として機能すると共に第２電極１４が陽極として機能するようにしてもよい。
【０１０６】
加えて、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置１がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られない。例えば画素回路において、必要に応じて、容量素子やトランジスタ等を追加したり置き換えたりするようにしてもよい。また、その場合には、画素回路の変更に応じて、上述した走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１０７】
また、上記実施の形態等では、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５における駆動動作を、タイミング生成回路３２が制御する場合について説明したが、他の回路がこれらの駆動動作を制御するようにしてもよい。また、このような走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５に対する制御は、ハードウェア（回路）で行われるようにしてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われるようにしてもよい。
【０１０８】
尚、本開示の表示装置および電子機器は、以下の（１）〜（２０）に記載したような構成であってもよい。
（１）各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応すると共に、第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、前記複数の画素ではそれぞれ、前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている表示装置。
（２）前記一対の基板は、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とであり、前記カラーフィルタは、前記封止基板側に設けられている上記(1)に記載の表示装置。
（３）前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、前記第４のサブ画素では、前記ブラックマトリクスの開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている上記(1)または(2)に記載の表示装置。
（４）前記ブラックマトリクスでは、前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口の形状が方形であり、前記第４のサブ画素に対向する開口の形状が、円形、楕円形またはｎ角形（ｎは５以上の整数）である上記(1)〜(3)のいずれかに記載の表示装置。
（５）前記第１ないし第４のサブ画素はいずれも、前記駆動基板上に互いに同一形状の画素電極を有し、前記ブラックマトリクスの各開口の形状は、前記画素電極の基板面に平行な面形状よりも大きくなっている上記(1)〜(4)のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に各開口幅が設定されている上記(1)〜(5)のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅が、カラーフィルタ濃度を考慮して設定されている上記(1)〜(6)のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記複数の画素は直交する２方向に沿って２次元的に配列され、前記２方向のうちの選択的な一方向において、前記第４のサブ画素における開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている上記(1)〜(7)のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、前記ブラックマトリクスの前記第４のサブ画素に対向する開口には、減光フィルタ（Neutral Density filter）が設けられている上記(1)〜(8)のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記減光フィルタの透過率は、前記第１ないし第３のサブ画素の各カラーフィルタにおける透過帯域の透過率と同等に設定されている上記(1)〜(9)のいずれかに記載の表示装置。
（１１）前記減光フィルタの透過率は、中央部よりも端部においてより低透過率となるように構成されている上記(1)〜(10)のいずれかに記載の表示装置。
（１２）前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって段階的に透過率が低くなるように構成されている上記(1)〜(11)のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって連続的に透過率が低くなるように構成されている上記(1)〜(12)のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に透過率が設定されている上記(1)〜(13)のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記一対の基板は、透明基板上に画素駆動回路を有する駆動基板と、封止基板とであり、前記カラーフィルタは、前記駆動基板側に設けられている上記(1)〜(14)のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記駆動基板上の、前記第１ないし第３のサブ画素に対応する領域には前記カラーフィルタ、前記第４のサブ画素に対応する領域には、減光フィルタ（Neutral Density filter）がそれぞれ設けられている上記(1)〜(15)のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記第４のサブ画素は、白（Ｗ）または黄（Ｙ）の色に対応するものである上記(1)〜(16)のいずれかに記載の表示装置。
（１８）前記発光素子は有機電界発光素子である上記(1)〜(17)のいずれかに記載の表示装置。
（１９）前記有機電界発光素子は白色光を発する上記(1)〜(18)のいずれかに記載の表示装置。
（２０）各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、前記複数の画素ではそれぞれ、前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０９】
１，２…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動基板、１０ａ…白色有機ＥＬ素子、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ…サブ画素、３０…駆動回路，３０Ａ，３１Ａ…映像信号、３０Ｂ…同期信号、３１…映像信号処理回路、３１０…変換処理部、３２…タイミング生成回路、３２Ａ…制御信号、３３…走査線駆動回路、３４…信号線駆動回路、３５…電源線駆動回路、１１…第１電極、１２…画素間絶縁膜、１３…有機層、１４…第２電極、１５…保護膜、１６…カラーフィルタ層、１６Ｍ…ブラックマトリクス、Ｍ１，Ｍｗ…開口、１６Ｒ…赤色フィルタ、１６Ｇ…緑色フィルタ、１６Ｂ…青色フィルタ、１７…ＮＤフィルタ、ＬBM，ＬBM(W)…開口幅、ＬP…開口幅、ｄ，ｄｗ…開口マージン、ＷＳＬ…走査線、ＤＴＬ，ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…書き込みトランジスタ、Ｔｒ２…駆動トランジスタ、Ｃｓ…保持容量素子、Ｉｄ…電流、Ｖｇ…ゲート電位、Ｖｓ…ソース電位、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、ＶＳＳ…固定電位。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、１つのピクセル（画素）に、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の４色のサブピクセル（サブ画素）が用いられた表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の画素を有する表示装置においてカラー映像表示を行う場合、最も一般的な手法は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色に対応する３つのサブ画素を各画素内に配置し、各サブ画素での輝度レベルを個別に調整するというものである。これにより、画素全体としての色度点および輝度を任意に設定することが可能となり、カラー映像表示が実現される。
【０００３】
このようなカラー映像表示が可能な表示装置の一例として、液晶表示装置が挙げられる。液晶表示装置は一般に、白色光を照射するバックライトと液晶表示パネルとを備えている。液晶表示パネルでは、通常、サブ画素ごとにＲ，Ｇ，Ｂの各色のカラーフィルタが設けられると共に、入射側および出射側のそれぞれに偏光板が貼り合わせられている。このため、バックライトからの照射光の強度が、偏光板およびカラーフィルタにおいて低減し、液晶表示装置全体での光利用効率が低下してしまう。これは、液晶表示装置において大幅なエネルギーロスとなり、消費電力の増大を招く。
【０００４】
そこで、低消費電力化を図るため、液晶表示パネルにおける各画素に４色のサブ画素を用いた構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、上記したＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素に加え、これらの３色よりも高輝度を示す白（Ｗ）や黄（Ｙ）などのサブピクセルを用いて映像表示を行い、これにより輝度効率を向上させて、低消費電力化を図っている。
【０００５】
このような４色のサブ画素を用いた表示装置としては、上記した液晶表示装置の他にも、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が挙げられる（例えば、特許文献２〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公平４−５４２０７号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９１１８号公報
【特許文献３】特開２００５−１２９０５号公報
【特許文献４】特表２００７−２６８６７号公報
【特許文献５】特表２００８−５１８４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記４色のサブ画素を有する有機ＥＬ表示装置では、各サブ画素に白色有機ＥＬ素子が用いられることが多い。このため、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素には、白色光から各色光を選択的に取り出すためのカラーフィルタが設けられる一方で、Ｗのサブ画素には、カラーフィルタが設けられず、白色発光素子から発せられた白色光が直接取り出されるようになっている。このような４色のサブ画素を用いて例えば映像表示を行う場合、高画質化を実現するためには、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素のみを用いる場合とは異なる、新たな輝度調整あるいは色度設計が要求される。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の表示装置は、各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備えている。複数の画素ではそれぞれ、第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、第１ないし第３のサブ画素では、一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、第４のサブ画素では、発光素子から発せられた光の透過率が、第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている。
【００１０】
本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の表示装置および電子機器では、各画素が、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する第１ないし第３のサブ画素と、これら３つのサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有し、第１ないし第３のサブ画素にはカラーフィルタが設けられている。第４のサブ画素において、発光素子から発せられた光の透過率が、その一部または全部において低減するように構成されていることにより、カラーフィルタを有する第１ないし第３のサブ画素とカラーフィルタを有さない第４のサブ画素との間の透過率差が軽減される。これにより、輝度バランスが良好となり、所望の色度を表現し易くなる。
【００１２】
例えば、一対の基板として、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とが設けられ、これらのうちの封止基板側にカラーフィルタが設けられている場合には、次のような構成となっていることが望ましい。即ち、カラーフィルタが、ブラックマトリクスの第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、第４のサブ画素では、ブラックマトリクスの開口幅が、他のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている。第４のサブ画素では、上記開口のエッジ部分における白色光のけられ（ケラレ）が、他のサブ画素よりも多く生じ、特に斜め方向へ出射する光の透過率が低減される。ここで、上記のようなサブ画素間における透過率差は視野角変化に伴って大きくなる傾向を有するが、そのような開口幅制御を行うことにより、特に斜め方向からみた場合に、所望の色度を表現し易くなる。
【発明の効果】
【００１３】
本開示の表示装置および電子機器によれば、各画素が、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応すると共に所定のカラーフィルタを有する第１ないし第３のサブ画素と、これら３つのサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有している。第４のサブ画素において、発光素子から発せられた光の透過率を、その一部または全部において低減するように構成することにより、第１ないし第３のサブ画素と第４のサブ画素との間の透過率差を軽減でき、所望の色度を表現することができる。よって、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の駆動回路を表すブロック図である。
【図３】サブ画素のレイアウト例について説明するための模式図である。
【図４】サブ画素の回路構成例を表す等価回路図である。
【図５】（Ａ）はサブ画素（青）、（Ｂ）はサブ画素（白）の詳細構成を表す断面図である。
【図６】ブラックマトリクスの開口の一構成例について説明するための平面模式図である。
【図７】ブラックマトリクスの開口の他の構成例について説明するための平面模式図である。
【図８】変換処理動作の一例を説明するためのフロー図である。
【図９】（Ａ）はサブ画素（青），（Ｂ）はサブ画素（白）における作用を説明するための断面模式図である。
【図１０】視野角に対する透過率変化を示す特性図である。
【図１１】視野角に対する色度変化を示す特性図である。
【図１２】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面図である。
【図１３】視野角に対する透過率変化を示す特性図である。
【図１４】ＮＤフィルタの他の構成例を示す模式図である。
【図１５】変形例２に係る開口形状を説明するための平面模式図である。
【図１６】変形例３に係るサブ画素の構成およびレイアウト例を表す模式図である。
【図１７】実施の形態および変形例の表示装置が用いられるモジュールの一例を表す模式図である。
【図１８】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１９】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（ＢＭ開口を、ＲＧＢよりもＷのサブ画素において小さくした例）
２．第２の実施の形態（Ｗのサブ画素にＮＤフィルタを設けた例）
３．変形例１（ボトムエミッション方式に適用した場合の例）
４．変形例２（ＢＭ開口形状の他の例）
５．モジュールおよび適用例
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示における第１の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えば上面発光方式（いわゆるトップエミッション方式）により、フルカラーの映像表示を行うものである。この有機ＥＬ表示装置１は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），Ｂ（青）の３原色のサブピクセル（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に加え、高輝度を示すサブピクセル（例えば白（Ｗ）のサブ画素１０Ｗ）を含めた４色のサブ画素を用いて上記映像表示を行う。このような有機ＥＬ表示装置１は、例えば、各々が、上記４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにより構成された複数の画素（後述の画素Ｐ）を備えている。これらのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、駆動基板１０上に例えばマトリクス状に配設され、いずれも発光素子として例えば有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子１０ａ）を含んでいる。これらの白色有機ＥＬ素子１０ａは、封止基板２０によって駆動基板１０上に封止されている。
【００１７】
駆動基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる基板上に、ＴＦＴ（後述のＴｒ１，Ｔｒ２等）を含む画素駆動回路（駆動回路３０）等が配設されたものである。この駆動基板１０の表面は、図示しない平坦化膜によって平坦化されている。以下、画素駆動回路１０の詳細構成の一例について述べる。
【００１８】
（画素駆動回路）
図２は、各画素Ｐの駆動回路の一構成例を表すブロック図である。駆動基板１０上には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを含む画素Ｐが、マトリクス状に複数設けられており、これら複数の画素Ｐが配設される表示部Ｓの周辺領域（額縁領域）に、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを駆動するための駆動回路３０が配設されている。表示部Ｓでは、複数の走査線ＷＳＬおよび電源線ＤＳＬが行状に配置され、複数の信号線ＤＴＬ（後述のＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗのいずれかに相当）が列状に配置されている。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬがそれぞれ、上記駆動回路３０に接続されている。尚、駆動回路３０は、駆動基板１０上に直に設けられていてもよいし、あるいは駆動基板１０の周辺領域に接続されたプリント配線基板（ＦＰＣ）等に集積されたものであってもよい。
【００１９】
各画素Ｐにおいて、サブ画素Ｗは、３原色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりも高輝度を示す（表示装置全体の輝度向上もしくは電力低減を目的として設けられた）サブピクセルである。画素Ｐでは、これら４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが、例えば図３（Ａ）に示したように、２×２の行列状に設けられていてもよいし、図３（Ｂ）に示したように、１方向（行方向または列方向）に沿って配列して設けられていてもよい。このように、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの配置レイアウトは特に限定されないが、図１の断面図では、説明上、これらの４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを１方向に並列させたものを例示している。
【００２０】
駆動回路３０は、複数の画素Ｐを順次選択しつつ、選択された画素Ｐ内のサブピクセル１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗに対して映像信号３０Ａに基づく映像信号電圧を書き込むことにより、複数の画素Ｐの表示駆動を行うものである。この駆動回路３０は、映像信号処理回路３１、タイミング生成回路３２、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５を有している。
【００２１】
映像信号処理回路３１は、外部から入力されるデジタルの映像信号３０Ａに対して所定の映像信号処理（例えば、ガンマ補正処理，オーバードライブ処理等）を行うと共に、そのような映像信号処理後の映像信号３１Ａを信号線駆動回路３４に出力するものである。本実施の形態では、４色のサブ画素を用いて映像表示に行うため、この映像信号処理回路３１が、更に所定の変換処理部３１０を有している。変換処理部３１０は、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号を、例えばＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色に対応する映像信号へ変換する変換処理（ＲＧＢ／ＲＧＢＷ変換処理）を行うものである。この変換処理部３１０は、例えば、複数の乗算器および加算器を用いて構成されている。
【００２２】
タイミング生成回路３２は、外部から入力される同期信号３０Ｂに基づいて制御信号３２Ａを生成し出力することにより、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５がそれぞれ、連動して動作するように制御するものである。
【００２３】
走査線駆動回路３３は、制御信号３２Ａに基づいて複数の走査線ＷＳＬに対して選択パルスを順次印加することにより、複数の画素Ｐ（詳細にはサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗ）を順次選択するものである。信号線駆動回路３４は、制御信号３２Ａに基づいて、映像信号処理回路３１から入力される映像信号２１Ａに対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬ（詳細には後述のＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）に印加するものである。電源線駆動回路３５は、制御信号３２Ａに基づいて複数の電源線ＤＳＬに対して制御パルスを順次印加することにより、各画素Ｐ内のサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗにおける白色有機ＥＬ素子１０ａの発光（点灯）動作および消光（消灯）動作の制御を行うものである。
【００２４】
（画素回路）
図４は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの回路構成の一例を表したものである。各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ内には、白色有機ＥＬ素子１０ａと共に、画素回路３６が設けられている。
【００２５】
画素回路３６は、例えば書き込み（サンプリング用）トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量素子Ｃｓを含んで構成されている。書き込みトランジスタＴｒ１は、ゲートが走査線ＷＳＬ、ドレインが信号線ＤＴＬ（ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）にそれぞれ接続され、ソースは、駆動トランジスタＴｒ２のゲートおよび保持容量素子Ｃｓの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のドレインは電源線ＤＳＬに接続され、ソースは、保持容量素子Ｃｓの他端および白色有機ＥＬ素子１０ａのアノードに接続されている。白色有機ＥＬ素子１０ａのカソードは、固定電位ＶＳＳ（例えば、接地電位）に設定されている。書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２はそれぞれ、例えば、ｎチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）である。
【００２６】
尚、図４には、４つのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを纏めて示しているが、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗには、走査線ＷＳＬおよび発光制御線ＤＳＬがそれぞれ各サブ画素に共通して接続されている。一方、信号線ＤＴＬについては、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗのそれぞれに個別に接続されている（信号線ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ）。
【００２７】
（有機ＥＬ素子の構成）
白色有機ＥＬ素子１０ａは、駆動基板１０上において、例えば第１電極１１と第２電極１４との間に発光層を含む有機層１３を有するものである。具体的には、白色有機ＥＬ素子１０ａでは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ毎に駆動基板１０上に第１電極１１が設けられており、駆動基板１０および第１電極１１は、各第１電極１１に対向して開口を有する画素間絶縁膜１２によって覆われている。画素間絶縁膜１２の開口において、第１電極１１上に有機層１３が形成されており、この有機層１３上に、第２電極１４が表示領域の全域にわたって設けられている。
【００２８】
第１電極１１は、例えば陽極として機能すると共に、例えば光反射性に優れた導電性材料を用いて構成される。この第１電極１１は、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金よりなる。あるいは、第１電極１１は、それらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜（ミラーとして機能する部分）と、ＩＴＯ、ＩｎＺｎＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。本実施の形態では、封止基板２０の上方から光取り出しがなされるトップエミッション方式において、第１電極１１の一部または全部がミラーとして機能し、白色発光素子１０ａから発せられた光が上方へ向けて反射されるようになっている。第１電極１１の膜厚は、所望の反射率（例えば８０％〜９０％の反射率）が得られるように設定されることが望ましい。
【００２９】
画素間絶縁膜１２は、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの発光領域を電気的に分離し、画素間リークを抑制する機能を有するものである。この画素間絶縁膜１２は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。
【００３０】
有機層１３は、有機電界発光層（ここでは、白色発光層）を含んでおり、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光（白色と見做せる疑似白色光も含む）を発生するようになっている。このような白色発光層は、例えば赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を厚み方向に積層した構造を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
【００３１】
このような有機層１３は、また、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１１が陽極として機能する場合には、この第１電極１１側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、白色発光層または電子輸送層と、第２電極１４との間には、更に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層が設けられていてもよい。また、上記白色発光層と、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層とは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して形成されていてもよいし、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ毎に設けられていてもよい。また、それらの層のうちの一部がサブ画素毎に設けられ、その他の層が全サブ画素に共通して設けられていてもよい。
【００３２】
尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。
【００３３】
第２電極１４は、例えば陰極として機能し、例えばサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに共通して設けられ、するものである。この第２電極１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），銀（Ａｇ）およびＩＴＯ，ＩｎＺｎＯ，ＺｎＯ等の透明導電膜等のうちの少なくとも１種よりなる単体金属、それらのうちの２種以上を含む合金、もしくは金属酸化物から構成されている。第２電極１４は、そのような単体金属および合金のうちのいずれかよりなる単層膜であってもよいし、それらのうちの２種以上を積層した積層膜であってもよい。この第２電極１４は、第１電極１１と絶縁された状態で設けられると共に、保護膜１５によって覆われている。
【００３４】
保護層１５は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この保護層１５上に、図示しない接着層を介して封止基板２０が貼り合わせられている。
【００３５】
封止基板２０は、各白色有機ＥＬ素子１０ａを封止するものである。本実施の形態では、上述のようにトップエミッション方式を用いているため、この封止基板２０が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、カラーフィルタ層１６が設けられている。
【００３６】
（カラーフィルタ層１６）
カラーフィルタ層１６は、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに対向して開口（開口Ｍ１，Ｍｗ）を有するブラックマトリクス１６Ｍを有する。詳細には、カラーフィルタ層１６において、ブラックマトリクス１６Ｍは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向して開口Ｍ１を有し、サブ画素１０Ｗに対向して開口Ｍｗを有している。このブラックマトリクス１６Ｍは、例えば黒色の顔料または染料を混入した樹脂よりなる。あるいは、ブラックマトリクス１６Ｍは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層した薄膜フィルタにより構成されていてもよい。
【００３７】
ブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍ１，Ｍｗのうち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向する開口Ｍ１にのみ、カラーフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂ）が形成されている。即ち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにはそれぞれ、対応する色のカラーフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂ）が設けられる一方、サブ画素１０Ｗには、カラーフィルタが設けられていない。
【００３８】
赤色フィルタ１６Ｒは、白色光のうち赤色光を選択的に透過させる（例えば波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。緑色フィルタ１６Ｇは、白色光のうち緑色光を選択的に透過させる（例えば波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。青色フィルタ１６Ｂは、白色光のうち青色光を選択的に透過させる（例えば波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲に透過帯域を有する）ものである。これらの赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂはそれぞれ、例えば顔料または染料を混入した樹脂よりなる。尚、このようなカラーフィルタ層１６の表面が有機絶縁材料よりなるオーバーコート膜により覆われていてもよい。
【００３９】
このような構成により、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの各色光に変換されて表示光として取り出される一方、サブ画素１０Ｗでは、白色光がそのまま（色変換されることなく）開口Ｍｗを通過して表示光として取り出される。本実施の形態では、このようなカラーフィルタ層１６のブラックマトリクス１６Ｍにおける開口Ｍ１，Ｍｗの開口幅が所定の大小関係となるように設計されている。
【００４０】
（ブラックマトリクスの開口設計）
図５（Ａ）は、サブ画素１０Ｂ、図５（Ｂ）はサブ画素１０Ｗの詳細な断面構成を表したものである。図６および図７は、開口の形状およびレイアウトの一例を模式的に表したものである。
【００４１】
本実施の形態では、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの幅（開口幅ＬBM(W)）が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対向する開口Ｍ１の幅（開口幅ＬBM）よりも小さくなるように設計されている。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（以下、サブ画素１０Ｂを例にして説明する）では、図５（Ａ）に示したように、白色有機ＥＬ素子１０ａ上に、開口Ｍ１が設けられ、この開口Ｍ１に青色フィルタ１６Ｂが形成されている。ここで、開口Ｍ１は、一般に、画素開口（第１電極１１に対応する部分）よりも大きくなるように設けられる。これは、以下のような理由による。
【００４２】
即ち、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１では、封止基板２０側にブラックマトリクス１６Ｍを含むカラーフィルタ層１６が設けられる。このような構成において、駆動基板１０との貼り合せ時のアライメント精度を保持する（位置ずれの影響を吸収するマージンを確保する）と共に、表示面（ここでは、封止基板２０の上面）を斜め方向から見た場合の遮光（いわゆるケラレ）を抑制して、各サブ画素での視野角特性を向上させるためである。ここで、ある観察方向（基板法線方向から角度θ1（０°≦θ1＜９０°）傾いた斜め方向）における遮光率Ｚは、例えば以下の式（１）と式（２）によって決まる。つまり、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、ブラックマトリクス１６Ｍにおいて、遮光率Ｚが最小限となるように開口幅ＬBMが設計されている。詳細には、隣接画素からの色光のクロストークや、外光反射等を抑制できる程度の遮光性能を保持しつつ、ケラレの影響を抑えることができる遮光率Ｚとなるような設計がなされている。
【００４３】
Ｌshadow＝Σi［ｔi・tan｛sin-1（ｎair・sinθair／ｎsub(i)）]］ ………（１）
Ｚ＝（ＬP＋ｄ−Ｌshadow）／ＬP ………（２）
但し、
Ｌshadow：遮光幅
ｔi：第１電極１１の金属反射面とブラックマトリクス１６Ｍとの間に積層された各層の厚み
ｎsub(i)：第１電極１１の金属反射面とブラックマトリクス１６Ｍとの間に積層された各層の屈折率
ｎair：大気の屈折率
ＬP：第１電極１１の幅（画素幅）
ｄ：開口幅ＬBMと画素幅ＬPとの差（開口マージン）
【００４４】
一方、斜め方向におけるカラーフィルタ透過率Ｔは、スネルの法則およびランバートベールの法則により、式（Ａ），（Ｂ）のように表される。尚、式（Ａ）における記号「＾」は「べき乗」を表し、例えば「Ｂ＾２」は「Ｂ2」を意味する。つまり、カラーフィルタの透過率が異なる場合、観測角度θ1が大きくなるほど透過率の差異が大きくなり、斜め方向における色度変化が生じる。
Ｔ＝Ｔ0＾（１／cosθ2） ………（Ａ）
sinθ1／sinθ2＝ｎCF ………（Ｂ）
但し、
Ｔ0：カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）の正面での透過率
θ2：カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）中の光線透過角度
θ1：観察角度（視野角）
ｎCF：観察環境とカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）との屈折率比
を示す。
【００４５】
一方、図５（Ｂ）に示したように、サブ画素１０Ｗでは、他のサブ画素（ここでは、サブ画素１０Ｂ）と同様、白色有機ＥＬ素子１０ａ上に開口Ｍｗが設けられ、この開口Ｍｗについても、上記と同様の理由から、画素幅ＬPよりも大きくなるように設けられる。但し、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの開口幅ＬBM(W)は、上記開口幅ＬBMよりも小さくなっている。
【００４６】
このように、本実施の形態では、サブ画素１０Ｗにおいて、開口幅ＬBM(W)が他のサブ画素の開口幅ＬBMよりも小さく設定されることにより、遮光率Ｚが大きくなり、透過率が低減されている。但し、この際、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける、赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇ，青色フィルタ１６Ｂの各透過率Ｔを考慮して（サブ画素１０Ｗにおける透過率が、各カラーフィルタの透過率Ｔと同等となるように）、開口幅ＬBM(W)が設定されることが望ましい。尚、上記式（Ａ）における透過率Ｔ0は、カラーフィルタ材料の濃度および厚み等に応じて変化するものであり、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に異なるものである。
【００４７】
ここでは、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの各画素幅ＬPは互いに同一であることから、サブ画素１０Ｗにおける開口マージンｄWが、サブ画素１０Ｂの開口マージンｄよりも小さく（狭く）設計されている。これにより、サブ画素１０Ｗでは、上述の式（１），（２）によって定められる遮光率Ｚが、サブ画素１０Ｂのそれよりも大きくなり、この傾向は、詳細は後述するが、特に観察角度θ1が大きくなるほど増す。
【００４８】
実際には、画素の形状（第１電極１１の面形状）は、図６および図７に示したように、例えば方形（矩形または正方形）となっている。このように、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて、Ｘ方向およびＹ方向の各方向に沿って開口マージンｄを有する場合、サブ画素１０Ｗにおいても、Ｘ方向およびＹ方向の各方向に沿って、開口マージンｄWを設けるとよい。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、Ｘ方向において、画素幅ＬP１に対して開口マージンｄを考慮した開口幅ＬBM１、Ｙ方向において、画素幅ＬP２に対して開口マージンｄを考慮した開口幅ＬBM２にそれぞれ設計される。一方、サブ画素１０Ｗでは、Ｘ方向において、画素幅ＬP１に対して開口マージンｄｗを考慮した開口幅ＬBM(W)１、Ｙ方向において、画素幅ＬP２に対して開口マージンｄｗを考慮した開口幅ＬBM(W)２にそれぞれ設計される。尚、Ｘ方向およびＹ方向は、表示面（基板面）に平行な面内において互いに直交する２方向とする。
【００４９】
尚、ここでは、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂについては、互いに同一の開口幅ＬBMおよび開口マージンｄとなるように設定したが、これらの開口幅ＬBMおよび開口マージンｄは、各サブ画素間において必ずしも同一でなくともよい。赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂの間でも、透過帯域が互いに異なると共に、顔料の濃度等の他の設計条件に依存して、サブ画素間で透過率（特に斜め方向における透過率）に差が生じる場合もある。このため、そのような透過率差を軽減するために、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれかにおいて他のサブ画素よりも開口幅が小さく（または大きく）なるように、あるいはサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにおける各開口幅が互いに異なるように（透過波長毎に）、設計されていてもよい。例えば、ＲＧＢの各透過波長帯域における透過率を、各カラーフィルタの濃度に相関させて（各カラーフィルタ濃度を考慮して）調整したものが挙げられる。これにより、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間において各透過率に差がある場合にも、それを低減して、より所望の色度を得易くなる。
【００５０】
また、Ｘ方向とＹ方向との各方向において、開口マージンｄ，ｄｗを同一幅としたが、各方向において異なるようにしてもよい。例えば、Ｘ，Ｙ方向のうちの選択的な一方向（例えば水平方向に一致する方向）における開口幅のみを調整し、もう一方の方向（例えば垂直方向に一致する方向）では４つのサブ画素間で同一の開口幅となるようにしてもよい。あるいは、Ｘ方向とＹ方向とにおいて、開口幅の調整比率が異なっていてもよい。これにより、特に良好な視野角特性（色度）が必要となる方向においてのみ選択的に開口制御（透過率制御）を行うことができ、他の方向では、サブ画素１０Ｗの開口幅を小さくすることなく反射率抑制の効果を得られるようにすることができる。
【００５１】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、図２および図４に示したように、駆動回路３０が、映像信号３０Ａおよび同期信号３０Ｂに基づき、表示部Ｓ内の各画素Ｐを駆動し、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗを用いて表示駆動を行う。この際、映像信号処理回路３０は、各サブピクセル１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗへ供給する映像信号を生成するために、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号３０Ａに対し、以下に説明するような変換処理を施す。
【００５２】
（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの映像信号への変換処理）
ここで一般に、入力される映像信号３０Ａは、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応するものであるため、映像信号処理回路３０は、まず、入力された映像信号３０Ａ（Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号）に対して、以下のような変換処理（ＲＧＢ／ＲＧＢＷ変換処理）を行う。図８に、この変換処理部３１０における処理フローを示す。
【００５３】
即ち、変換処理部３１０は、まず、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する映像信号（入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ））を取得する（ステップＳ１０１）。次いで、変換処理部３１０は、この入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を、ＣＩＥ（Commission Internationale de l'Eclairage）により規定される表色系である３刺激値に対応する映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に変換する（ステップＳ１０２）。
【００５４】
具体的には、パネル固有のＲ，Ｇ，Ｂの飽和色を予め測定しておき、その測定結果に基づき、例えば以下の式（３）により規定される変換マトリクス（変換行列）Ｍを求める。次いで、この変換マトリクスＭの逆行列Ｍ-1を用いて、以下の式（４）に基づき、色域を決定する画素（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）を用いた場合の所望の白色点（白色点Ａとする）における混合比率（ｒ，ｇ，ｂ）を求める。このようにして求めた混合比率（ｒ，ｇ，ｂ）を用い、以下の式（５），（６）に基づき、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を、映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に変換する。
【００５５】
【数１】
【００５６】
尚、上記式中のＲｘ，Ｇｘ，Ｂｘ，Ｗｘは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｘ座標に対応する値であり、Ｒｙ，Ｇｙ，Ｂｙ，Ｗｙは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｙ座標に対応する値であり、Ｒｚ，Ｇｚ，Ｂｚ，Ｗｚは、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの飽和色を示す色度のｚ座標（即ち、１−ｘ−ｙ）に対応する値を示す。
【００５７】
また、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、例えば各色について８ビットまたは１６ビットの映像信号であり、例えば２．２乗等のガンマ関数に従ってその強度を表したものであるが、各サブ画素の発光色度点および輝度を規定するものであれば、これには限られない。更に、入力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ）から映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）への変換手法については、上記した手法には限られず、他の公知の手法を用いてもよい。加えて、上記白色点Ａは１つに限らず、複数点設定することができ、それら複数の白色点Ａに対する変換マトリクスＭを求めておいてもよい。また、変換マトリクスＭは、パネル内の表示部Ｓ全域の画素Ｐを対象として求めてもよいし、画素Ｐあるいは選択的な領域（複数の画素Ｐを含む）を対象としてもよい。
【００５８】
次に、変換処理部３１０は、３刺激値に対応する映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）によって表現される色度を、サブ画素１０Ｗを含めたＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗにより表現し得る映像信号（変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ））を生成する。
【００５９】
具体的には、まず、上記Ｒ，Ｇ，Ｂに加えて、Ｗについてのパネル固有の飽和色を予め測定しておき、その測定結果に基づいて、以下の式（７）〜（９）により規定される変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂを求める。尚、これらの変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの各飽和色のうち、（Ｗ，Ｇ，Ｂ）、（Ｒ，Ｗ，Ｂ）および（Ｒ，Ｇ，Ｗ）の各組み合わせによって得られるものである。
【００６０】
【数２】
【００６１】
次いで、この変換マトリクスＭｒ，Ｍｇ，Ｍｂの逆行列Ｍｒ-1，Ｍｇ-1，Ｍｂ-1と、映像信号（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を用いて、以下の式（１０）〜（１５）に基づき、（Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐ）、（Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐ）および（Ｒｐ，Ｇｐ，Ｗｐ）の各組み合わせのうち、いずれの値も０（ゼロ）以上になる組み合わせを求める。そして、この組み合わせに含まれない色の映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか）を０として、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色に対応する変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）を生成する。
【００６２】
【数３】
【００６３】
例えば、まず、式（１０），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐ）を求め、これらのＷｐ，Ｇｐ，Ｂｐの各値が０以上であるか否かを判定し、Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐのいずれの値も０以上となる場合には（ステップＳ１０３：Ｙ）、Ｒの映像信号を０と置き換えた映像信号（０，Ｇｐ，Ｂｐ，Ｗｐ）を、変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０４）。
【００６４】
一方、Ｗｐ，Ｇｐ，Ｂｐの各値のいずれかが０未満である場合には（ステップＳ１０３：Ｎ）、式（１１），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐ）を求め、これらのＲｐ，Ｗｐ，Ｂｐの各値が０以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。この結果、Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐのいずれの値も０以上である場合には（ステップＳ１０５：Ｙ）、Ｇの映像信号を０と置き換えた映像信号（Ｒｐ，０，Ｂｐ，Ｗｐ）を、変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０６）。一方、Ｒｐ，Ｗｐ，Ｂｐの各値のいずれかが０未満の場合には（ステップＳ１０５：Ｎ）、式（１２），（１３）〜（１５）に基づいて、（Ｒｐ，Ｇｐ，Ｗｐ）を求め、Ｂの映像信号を０と置き換えた映像信号（Ｒｐ，Ｇｐ，０，Ｗｐ）を変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）とする（ステップＳ１０７）。
【００６５】
【数２】
【００６６】
【数３】
【００６７】
次いで、上記のようにして生成した変換映像信号（ｒ，ｇ，ｂ，ｗ）を、例えば所定のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を用いて、所望の値（発光強度）に変換する（ステップＳ１０８）。このようにして、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗへの供給用の映像信号（出力映像信号（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ））を生成し、出力する（ステップＳ１０９）。但し、このような発光強度の変換は、ＬＵＴを用いて行うのではなく、ガンマカーブや近似式を用いた演算によって行うようにしてもよい。また、このステップＳ１０８の変換処理を行わないようにしてもよい。以上により、変換処理部３１０における変換処理が終了となる。
【００６８】
（発光駆動動作）
次に、上記のような映像信号に基づく発光駆動動作について説明する。即ち、上記変換処理によって生成された４色のいずれかに対応する映像信号電圧が信号線ＤＴＬに印加され、かつ電源線ＤＳＬに所定の電圧が印加されている期間中に、走査線駆動回路３３が、走査線ＷＳＬの電圧をオフ電圧からオン電圧へ上げる。これにより、書き込みトランジスタＴｒ１がオン状態となり、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇが映像信号電圧へと上昇する。その結果、補助容量素子Ｃｓに対して映像信号電圧が書き込まれ、保持される。尚、この段階では、まだ、白色有機ＥＬ素子１０ａのアノード−カソード間には電流が流れない（白色有機ＥＬ素子１０ａが発光しない）。駆動トランジスタＴｒ２から供給される電流Ｉｄは、白色有機ＥＬ素子１０ａのアノード−カソード間に並列に存在する素子容量（図示せず）へと流れ、この素子容量が充電される。
【００６９】
続いて、走査線駆動回路３３が、走査線ＷＳＬの電圧をオン電圧からオフ電圧へと下げると、書き込みトランジスタＴｒ１がオフ状態となり、駆動トランジスタＴｒ２のゲートがフローティングとなる。これにより、駆動トランジスタＴｒ２のドレイン−ソース間に電流Ｉｄが流れ、ソース電位Ｖｓおよびゲート電位Ｖｇが上昇する。これにより、白色有機ＥＬ素子１０ａでは、アノード電圧が上昇し、アノード−カソード間に、補助容量素子Ｃｓに保持された映像信号電圧（ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ）に応じた駆動電流（電流Ｉｄ）が流れる。
【００７０】
この結果、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗ内の白色有機ＥＬ素子１０ａへ駆動電流が注入され、有機層１３内の発光層（白色発光層）において正孔と電子とが再結合し、白色光が生じる。この白色光のうち上方（封止基板２０側）へ発せられた光は、そのままカラーフィルタ層１６へ向かい、下方（駆動基板１０側）へ発せられた光は、第１電極１１において上方へ反射された後、カラーフィルタ層１６へ向かう。これにより、サブ画素１１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｗのそれぞれにおいて、白色光がカラーフィルタ層１６へ入射する。
【００７１】
ここで、カラーフィルタ層１６では、ブラックマトリクス１６Ｍに、サブ画素１１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇに対向して開口Ｍ１および対応色のフィルタ（赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇ，青色フィルタ１６Ｂ）を有し、サブ画素１０Ｗに対向して開口Ｍｗ（カラーフィルタなし）を有している。このため、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光が、赤色フィルタ１６Ｒ，緑色フィルタ１６Ｇまたは青色フィルタ１６Ｂをそれぞれ通過して、赤，緑，青の各色光が表示光として上面側（封止基板２０側）から取り出される。一方、サブ画素１０Ｗでは、上記白色光が、そのまま表示光として上面側から取り出される。このようにして、有機ＥＬ表示装置１では、フルカラーの映像表示がなされる。また、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを用いて上記のように映像表示を行うことにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素のみを用いる場合と比べ、輝度効率が向上し、低消費電力化が図られる。
【００７２】
（ブラックマトリクス開口形状による作用）
上述のように、白色有機ＥＬ素子１０ａ側からの白色光は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、対応するカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）を透過して、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの表示光として取り出される一方、サブ画素１０Ｗでは、白色光がそのまま表示光として取り出される。
【００７３】
そのため、白色有機ＥＬ素子１０ａからの白色光のうち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）により特定の帯域の色光のみが選択的に取り出されることになり、カラーフィルタを有さない高輝度を示すサブ画素１０Ｗに比べ表示光の透過率（輝度）が低くなる。即ち、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、Ｗのサブ画素１０Ｗとの間で透過率に差が生じる。具体的には、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、透過率が約７５〜８５％程度となり、サブ画素１０Ｗでは、１００％に近くなる。このような透過率差が生じると、各色間での輝度バランスが崩れ、所望の色度を表現しにくくなる。
【００７４】
また、ブラックマトリクス開口Ｍ１に形成されるカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）では、光の透過方向（フィルタ内を通過する光の進行方向）によって、光路長が異なる。このため、光路長がより長くなる斜め方向（正面方向（基板法線方向）から傾いた方向）では、正面方向に比べ、透過光量が減少し易い。従って、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、特に斜め方向において透過率が低くなる傾向がある。一方、サブ画素１０Ｗでは、そのようなカラーフィルタが設けられていないために、斜め方向においても透過率はそれほど低下しない。つまり、特に斜め方向において、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとサブ画素１０Ｗとの間の透過率差が顕著となり、色度点が正面方向の色度点から更にずれたものとなり、視野角特性の低下を招く。
【００７５】
他方、上述したように、斜め方向における透過率は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、上記式（１），（２）で表される遮光率Ｚと、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）の材料，濃度等とにより概ね決定され、サブ画素１０Ｗでは、遮光率Ｚにより概ね決定される。
【００７６】
ここで、本実施の形態では、図５〜図７に示したように、カラーフィルタ層１６に配置されるブラックマトリクス１６Ｍにおいて、サブ画素１０Ｗに対向する開口Ｍｗの開口幅ＬBM(W)が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの開口Ｍ１の開口幅ＬBMよりも小さくなるように設計されている。これにより、図９（Ａ）に示したように、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（ここではサブ画素１０Ｂを例示する）では、斜め方向へ向かって透過（出射）する色光（図中破線矢印）の光量がより多くなるように、上述したような観点から最適な開口幅ＬBMおよび開口マージンｄが設定されている。一方、図９（Ｂ）に示したように、サブ画素１０Ｗでは、開口Ｍｗが、そのような開口幅ＬBMよりも小さな開口幅ＬBM(W)を有することにより、サブ画素１０Ｂよりも斜め方向へ向かって透過する色光がブラックマトリクスＭｗによって遮光され易くなる（ケラレが生じ易い）。このように、サブ画素１０Ｂの一部、即ちブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍｗのエッジ付近におけるケラレを利用することにより、サブ画素１０Ｗでは、斜め方向における透過率が軽減される。よって、特に透過率差が顕著となる斜め方向において、サブ画素間での透過率差が軽減され、視野角全体において良好な輝度バランスが保持される。
【００７７】
また、本実施の形態では、開口幅ＬBM(W)は、開口幅ＬBMと同様、画素幅Ｌｐよりも大きくなるように設計されているため、正面方向における透過率については低下しない。上述したように、各サブ画素間での透過率差は、斜め方向において顕著にあらわれるため、正面方向よりも斜め方向における透過率差を軽減することにより、各サブ画素間における透過率の近似を効率的に行うことができる。
【００７８】
例えば、図１０に、帯域透過率０．８を有する青色フィルタ１６Ｂが設けられたサブ画素１０Ｂと、透過率が０．９９である（高透過率フィルタを設けた）サブ画素１０Ｗとの視野角に対する透過率変化について示す。具体的には、実施例として、サブ画素１０Ｂ（画素幅ＬP：５０μｍ，開口幅ＬBM：７０μｍ，開口マージンｄ：１０μｍ）の透過率Ｂ１と、サブ画素１０Ｗ（画素幅ＬP：５０μｍ，開口幅ＬBM(W)：６５μｍ，開口マージンｄｗ：７．５μｍ）の透過率Ｗ１について示す。また、比較例として、サブ画素１０Ｂと同様の画素幅ＬP，開口幅ＬBM，開口マージンｄで設計したサブ画素１０Ｗについての透過率Ｗ１００についても示す。
【００７９】
このように、開口幅および開口マージンを同一とした場合、サブ画素１０Ｂの透過率Ｂ１と、サブ画素１０Ｗの透過率Ｗ１００との間に透過率差が生じ、特に観察角度θ1が大きくなる斜め方向においてその差が大きくなることがわかる。これに対し、開口幅および開口マージンをサブ画素１０Ｂよりも小さくなるように設計したサブ画素１０Ｗの透過率Ｗ１は、比較例の透過率Ｗ１００に比べ、サブ画素１０Ｂの透過率Ｂ１に近似することがわかる。
【００８０】
また、一定の発光スペクトル下において、上記実施例に係るサブ画素１０Ｂ，１０Ｗを、混合させて点灯した場合の視野角に対する色度変化について、図１１に示す。また、比較例として、上記のようにそれぞれを同一の開口幅および開口マージンで設計したサブ画素１０Ｂ，１０Ｗを混色させた場合の色度変化について示す。開口幅および開口マージンをサブ画素１０Ｂよりも小さく設計したサブ画素１０Ｗを用いた実施例では、それらを同一に設計した比較例に比べ、観察角度θ１が増しても、色度変化がほとんどみられなかった。これにより、サブ画素間の透過率差によって生じる色度変化（特に視野角の変化に伴って変化する色度変化）が、サブ画素１０Ｗの開口幅制御によって抑制されることがわかる。
【００８１】
以上のように本実施の形態では、各画素Ｐが、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、これらよりも高輝度を示すサブ画素１０Ｗとを有し、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにはカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）が設けられている。サブ画素１０Ｗにおいて、白色有機ＥＬ素子１０ａから発せられた白色光の透過率が、その一部または全部において低減するように構成されている。具体的には、本実施の形態では、トップエミッション方式による有機ＥＬ表示装置１において、サブ画素１０Ｗでは、ブラックマトリクス１６Ｍの開口幅ＬBM(W)が、他のサブ画素における各開口幅ＬBMよりも小さくなっている。これにより、サブ画素１０Ｗの一部において白色光のけられ（ケラレ）が、他のサブ画素よりも多く生じ、特に斜め方向へ出射する光の透過率が低減される。従って、カラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）を有するサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとカラーフィルタを有さないサブ画素１０Ｗとの間の透過率差が軽減される。ここで、上記のようなサブ画素間における透過率差は視野角変化に伴って大きくなる傾向を有するが、そのような開口幅制御を行うことにより、特に斜め方向からみた場合に、所望の輝度および色度を表現できる。よって、４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能となる。
【００８２】
次に、第２の実施の形態および変形例について説明する。以下では、各形態における概略構成または要部構成のみを示し、また、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【００８３】
＜第２の実施の形態＞
図１２は、本開示における第２の実施の形態に係る表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記第１の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、いわゆるトップエミッション方式により、フルカラーの映像表示を行うものである。この有機ＥＬ表示装置２は、また、４色のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを用いて上記映像表示を行うものであり、これらのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗはいずれも、発光素子として白色有機ＥＬ素子１０ａを含んでいる。また、この白色有機ＥＬ素子１０ａは、駆動基板１０および封止基板２０間に設けられると共に、封止基板２０側にカラーフィルタ層１６が形成されている。
【００８４】
また、本実施の形態においても、カラーフィルタ層１６が、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗに対向して開口Ｍ１を有するブラックマトリクス１６Ｍを有すると共に、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、その開口Ｍ１にカラーフィルタ（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）が形成されている。
【００８５】
但し、本実施の形態では、上記第１の実施の形態と異なり、カラーフィルタ層１６において、ブラックマトリクス１６Ｍの開口Ｍ１の開口幅ＬBMおよび開口マージンｄ（図１２には図示せず）が各サブ画素間において互いに同一となっている。また、サブ画素１０Ｗでは、ＮＤフィルタ１７（減光フィルタ）が形成されている。このＮＤフィルタ１７は、例えばサブ画素１０Ｗの全域において透過光量を低減させる機能フィルタである。このＮＤフィルタ１７の透過率は、他のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと同等に設定されていることが望ましい。
【００８６】
本実施の形態のように、サブ画素１０Ｗに透過率制御機能を有するＮＤフィルタ１７を設けることによっても、ブラックマトリクス１６Ｍの開口幅制御を行う上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８７】
例えば、図１３に、帯域透過率０．８を有する青色フィルタ１６Ｂが設けられたサブ画素１０Ｂの視野角に対する透過率変化（透過率Ｂ２）と、全可視波長帯域において概ね０．８の透過率を有するＮＤフィルタ１７を設けたサブ画素１０Ｗの視野角に対する透過率変化（透過率Ｗ２）について示す。この際、サブ画素１０Ｂ，１０Ｗのいずれにおいても、画素幅ＬPを５０μｍ，開口幅ＬBMを７０μｍとした。
【００８８】
このように、ＮＤフィルタ１７を有するサブ画素１０Ｗを用いた場合、サブ画素１０Ｂ，１０Ｗの透過率Ｂ２，Ｗ２は略一致し、視野角変化に伴う透過率の差異はほとんど存在しないことがわかった。尚、ここでは、ＮＤフィルタ１７として、サブ画素１０Ｗの全域にわたって透過率を低減するものを例示したが、このＮＤフィルタ１７の透過率はサブ画素１０Ｗ全域において一律であってもよいし、領域毎に異なっていてもよい。例えば、図１４（Ａ）に示したように、中央領域ｄ１よりも端部領域ｄ２において低透過率となるように構成されたＮＤフィルタ１７Ａであってもよい。また、図１４（Ｂ）に示したように、中央領域ｄ１から領域ｄ２，ｄ３，端部領域ｄ４にかけて段階的に透過率が低減するように構成されたＮＤフィルタ１７Ｂであってもよい。更には、図１４（Ｃ）に示したように、中央部から端部に向かって徐々に（連続的に）透過率が低くなるように構成されたＮＤフィルタ１７Ｃであってもよい。尚、図１４（Ａ）〜（Ｃ）において左図は、ＮＤフィルタ１７Ａ〜１７ＣのＸＹ平面構成、右図は、ＸＹ面形状の中央部から端部までの領域における透過率変化を表す概念図である。また、図１４（Ｃ）の左図では、色の濃淡により透過率分布を表しており、白に近い程透過率が相対的に高く、黒に近い程透過率が相対的に低いことを示している。このような構成により、よりきめ細やかな透過率制御が可能となり、斜め方向においても所望の色度を得易くなる。
【００８９】
尚、上述のＮＤフィルタ１７の透過率およびＮＤフィルタ１７Ａ〜１７Ｃの領域毎の透過率は、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間で互いに同一であってもよいし、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎（透過波長毎）に異なっていてもよい。例えば、サブ画素自体が視野角方向（斜め方向）に色度変化を生じる（例えば、概ね黄色方向に変化する）場合、その変化している色の補色（例えば、黄色方向に変化している場合には青色）に対応するサブ画素における透過率を高めるとよい。これにより、視野角方向における色度をバランスよく維持することができる。また、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのうち高透過率に設定されたサブ画素での透過率をより高くすることにより、視野角方向の色度を維持するようにしてもよい。
【００９０】
＜変形例１＞
尚、上記第１，第２の実施の形態では、トップエミッション方式による発光方式を用いた有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本開示における表示装置は、下面発光型（いわゆるボトムエミッション方式）の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。この場合、封止基板２０ではなく、駆動基板１０上にカラーフィルタ層が形成される。このため、上述のようなブラックマトリクス１６Ｍを設ける必要はないが（発光点からカラーフィルタまでの距離が近いため不要）、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素ではカラーフィルタが形成される一方、Ｗのサブ画素ではそのようなカラーフィルタが設けられない。従って、上記第１の実施の形態と同様に、Ｗのサブ画素と、他のサブ画素との間において、透過率差が生じ、色度変化が生じてしまう。
【００９１】
そこで、本変形例のようなボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、駆動基板１０上のＷのサブ画素に対応する領域に、上記第２の実施の形態で説明したようなＮＤフィルタを設けるとよい。これにより、ボトムエミッション方式においても、Ｗのサブ画素では、駆動基板１０の下方から取り出される表示光（白色光）の透過率を低減して、上記サブ画素間での透過率差を軽減することができる。これにより、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００９２】
尚、ボトムエミッション方式では、上記第１の実施の形態において説明した第１電極１１が、透明導電膜により構成され、第２電極１４が反射性金属よりなるか、あるいは透明導電膜と反射金属膜との積層膜により構成される。
【００９３】
＜変形例２＞
図１５は、上記第１の実施の形態において説明したブラックマトリクス１６Ｍの開口形状の他の例を模式的に表したものである。本変形例では、Ｗのサブ画素に対向する開口Ｍｗ１が、例えば円形となっている。尚、画素幅ＬPについては、各サブ画素間で同一であり、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブ画素における開口Ｍ１では開口マージンｄとなるように設計されている。一歩、開口Ｍｗ１では、開口形状が円形であるため、開口マージンが変化するが、最も大きな箇所で開口マージンｄｗとなっている。
【００９４】
このように、Ｗのサブ画素における開口形状を円形のような形状（等方的な形状）としてもよい。これにより、等方的に透過率を制御することができる。尚、円形の他にも、楕円形や多角形等であってもよい。
【００９５】
＜変形例３＞
図１６（Ａ），（Ｂ）は、変形例３に係るサブ画素のレイアウトについて説明するための模式図である。上記実施の形態等では、高輝度を示すサブ画素として、白色光を発するサブ画素１０Ｗを設け、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色を用いて映像表示を行う場合を例示したが、高輝度画素としては、Ｗに限らずＹ（黄）のサブ画素１１Ｙを用いてもよい。このサブ画素１１Ｙは、上記実施の形態等と同様の白色有機ＥＬ素子１０ａと、黄色フィルタとを組み合わせて実現してもよいし、あるいは発光素子として黄色有機ＥＬ素子を用いて、カラーフィルタを形成しないようにしてもよい。黄色有機ＥＬ素子としては、発光層として、例えば緑色発光層および赤色発光層を積層したもの等を用いることができる。尚、各サブ画素のレイアウトとしては、上記第１の実施の形態と同様、２×２の行列状であってもよいし、行方向または列方向に沿って一列に設けられていてもよい。
【００９６】
＜モジュールおよび適用例＞
続いて、図１７〜図２２を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置１等（以下では、有機ＥＬ表示装置１を例に挙げる）の適用例について説明する。上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば以下に説明するようなテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この有機ＥＬ表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００９７】
（モジュール）
表示装置１は、例えば、図１７に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、駆動回路３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００９８】
（適用例１）
図１８は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【００９９】
（適用例２）
図１９は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１００】
（適用例３）
図２０は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０１】
（適用例４）
図２１は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０２】
（適用例５）
図２２は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、有機ＥＬ表示装置１により構成されている。
【０１０３】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記第１の実施の形態では、サブ画素１０Ｗにおけるブラックマトリクス１６Ｍの開口幅のみを変更した構成を例示したが、このような構成に限定されず、サブ画素１０Ｗの開口幅が他のサブ画素に比べ、相対的に小さくなっていれば、本開示における効果と同等の効果を得ることができる。例えば、サブ画素１０Ｗ以外のサブ画素における開口幅を変更してもよいし、サブ画素１０Ｗにおける画素開口幅（第１電極の幅）を変更して透過率を制御するようにしてもよいし、それらの変更制御を組み合わせてもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態等では、各サブ画素が発光素子として、白色発光層を有する白色有機ＥＬ素子１０ａを有する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ内の発光素子としてＲ，Ｇ，Ｂの各色光を個別に発するものを用いてもよい。また、白色発光層についても、発光色が異なる複数の発光層が積層された構造ではなく、面内方向に複数の発光層を配置した構造であってもよい。更に、上記実施の形態等では、発光素子の一例として自発光型の有機ＥＬ素子を挙げて説明したが、自発光型の発光素子に限定されず、例えば液晶表示素子などの発光素子（表示素子）を用いてもよい。
【０１０５】
更に、上記実施の形態等では、上記実施の形態等では、第１電極１１が陽極（アノード）として機能すると共に第２電極１４が陰極（カソード）として機能する場合を例に挙げて説明したが、逆に、第１電極１１が陰極として機能すると共に第２電極１４が陽極として機能するようにしてもよい。
【０１０６】
加えて、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置１がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られない。例えば画素回路において、必要に応じて、容量素子やトランジスタ等を追加したり置き換えたりするようにしてもよい。また、その場合には、画素回路の変更に応じて、上述した走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１０７】
また、上記実施の形態等では、走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５における駆動動作を、タイミング生成回路３２が制御する場合について説明したが、他の回路がこれらの駆動動作を制御するようにしてもよい。また、このような走査線駆動回路３３、信号線駆動回路３４および電源線駆動回路３５に対する制御は、ハードウェア（回路）で行われるようにしてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われるようにしてもよい。
【０１０８】
尚、本開示の表示装置および電子機器は、以下の（１）〜（２０）に記載したような構成であってもよい。
（１）各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応すると共に、第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、前記複数の画素ではそれぞれ、前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている表示装置。
（２）前記一対の基板は、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とであり、前記カラーフィルタは、前記封止基板側に設けられている上記(1)に記載の表示装置。
（３）前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、前記第４のサブ画素では、前記ブラックマトリクスの開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている上記(1)または(2)に記載の表示装置。
（４）前記ブラックマトリクスでは、前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口の形状が方形であり、前記第４のサブ画素に対向する開口の形状が、円形、楕円形またはｎ角形（ｎは５以上の整数）である上記(1)〜(3)のいずれかに記載の表示装置。
（５）前記第１ないし第４のサブ画素はいずれも、前記駆動基板上に互いに同一形状の画素電極を有し、前記ブラックマトリクスの各開口の形状は、前記画素電極の基板面に平行な面形状よりも大きくなっている上記(1)〜(4)のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に各開口幅が設定されている上記(1)〜(5)のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅が、カラーフィルタ濃度を考慮して設定されている上記(1)〜(6)のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記複数の画素は直交する２方向に沿って２次元的に配列され、前記２方向のうちの選択的な一方向において、前記第４のサブ画素における開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている上記(1)〜(7)のいずれかに記載の表示装置。
（９）前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、前記ブラックマトリクスの前記第４のサブ画素に対向する開口には、減光フィルタ（Neutral Density filter）が設けられている上記(1)〜(8)のいずれかに記載の表示装置。
（１０）前記減光フィルタの透過率は、前記第１ないし第３のサブ画素の各カラーフィルタにおける透過帯域の透過率と同等に設定されている上記(1)〜(9)のいずれかに記載の表示装置。
（１１）前記減光フィルタの透過率は、中央部よりも端部においてより低透過率となるように構成されている上記(1)〜(10)のいずれかに記載の表示装置。
（１２）前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって段階的に透過率が低くなるように構成されている上記(1)〜(11)のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって連続的に透過率が低くなるように構成されている上記(1)〜(12)のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に透過率が設定されている上記(1)〜(13)のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記一対の基板は、透明基板上に画素駆動回路を有する駆動基板と、封止基板とであり、前記カラーフィルタは、前記駆動基板側に設けられている上記(1)〜(14)のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記駆動基板上の、前記第１ないし第３のサブ画素に対応する領域には前記カラーフィルタ、前記第４のサブ画素に対応する領域には、減光フィルタ（Neutral Density filter）がそれぞれ設けられている上記(1)〜(15)のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記第４のサブ画素は、白（Ｗ）または黄（Ｙ）の色に対応するものである上記(1)〜(16)のいずれかに記載の表示装置。
（１８）前記発光素子は有機電界発光素子である上記(1)〜(17)のいずれかに記載の表示装置。
（１９）前記有機電界発光素子は白色光を発する上記(1)〜(18)のいずれかに記載の表示装置。
（２０）各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、前記複数の画素ではそれぞれ、前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０９】
１，２…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動基板、１０ａ…白色有機ＥＬ素子、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ…サブ画素、３０…駆動回路，３０Ａ，３１Ａ…映像信号、３０Ｂ…同期信号、３１…映像信号処理回路、３１０…変換処理部、３２…タイミング生成回路、３２Ａ…制御信号、３３…走査線駆動回路、３４…信号線駆動回路、３５…電源線駆動回路、１１…第１電極、１２…画素間絶縁膜、１３…有機層、１４…第２電極、１５…保護膜、１６…カラーフィルタ層、１６Ｍ…ブラックマトリクス、Ｍ１，Ｍｗ…開口、１６Ｒ…赤色フィルタ、１６Ｇ…緑色フィルタ、１６Ｂ…青色フィルタ、１７…ＮＤフィルタ、ＬBM，ＬBM(W)…開口幅、ＬP…開口幅、ｄ，ｄｗ…開口マージン、ＷＳＬ…走査線、ＤＴＬ，ＤＴＬｒ，ＤＴＬｇ，ＤＴＬｂ，ＤＴＬｗ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…書き込みトランジスタ、Ｔｒ２…駆動トランジスタ、Ｃｓ…保持容量素子、Ｉｄ…電流、Ｖｇ…ゲート電位、Ｖｓ…ソース電位、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、ＶＳＳ…固定電位。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応すると共に、第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、
前記複数の画素ではそれぞれ、
前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、
前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている
表示装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とであり、
前記カラーフィルタは、前記封止基板側に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、
前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記ブラックマトリクスの開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ブラックマトリクスでは、
前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口の形状が方形であり、
前記第４のサブ画素に対向する開口の形状が、円形、楕円形またはｎ角形（ｎは５以上の整数）である
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１ないし第４のサブ画素はいずれも、前記駆動基板上に互いに同一形状の画素電極を有し、
前記ブラックマトリクスの各開口の形状は、前記画素電極の基板面に平行な面形状よりも大きくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に各開口幅が設定されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅が、カラーフィルタ濃度を考慮して設定されている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素は直交する２方向に沿って２次元的に配列され、
前記２方向のうちの選択的な一方向において、前記第４のサブ画素における開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、
前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、
前記ブラックマトリクスの前記第４のサブ画素に対向する開口には、減光フィルタ（Neutral Density filter）が設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記減光フィルタの透過率は、前記第１ないし第３のサブ画素の各カラーフィルタにおける透過帯域の透過率と同等に設定されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記減光フィルタの透過率は、中央部よりも端部においてより低透過率となるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって段階的に透過率が低くなるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって連続的に透過率が低くなるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に透過率が設定されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記一対の基板は、透明基板上に画素駆動回路を有する駆動基板と、封止基板とであり、
前記カラーフィルタは、前記駆動基板側に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記駆動基板上の、前記第１ないし第３のサブ画素に対応する領域には前記カラーフィルタ、前記第４のサブ画素に対応する領域には、減光フィルタ（Neutral Density filter）がそれぞれ設けられている
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第４のサブ画素は、白（Ｗ）または黄（Ｙ）の色に対応するものである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記発光素子は有機電界発光素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記有機電界発光素子は白色光を発する
請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、
前記複数の画素ではそれぞれ、
前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、
前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている
表示装置を有する電子機器。
【請求項１】
各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応すると共に、第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、
前記複数の画素ではそれぞれ、
前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、
前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている
表示装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、画素駆動回路を有する駆動基板と、透明基板よりなる封止基板とであり、
前記カラーフィルタは、前記封止基板側に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、
前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記ブラックマトリクスの開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ブラックマトリクスでは、
前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口の形状が方形であり、
前記第４のサブ画素に対向する開口の形状が、円形、楕円形またはｎ角形（ｎは５以上の整数）である
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１ないし第４のサブ画素はいずれも、前記駆動基板上に互いに同一形状の画素電極を有し、
前記ブラックマトリクスの各開口の形状は、前記画素電極の基板面に平行な面形状よりも大きくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に各開口幅が設定されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅が、カラーフィルタ濃度を考慮して設定されている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素は直交する２方向に沿って２次元的に配列され、
前記２方向のうちの選択的な一方向において、前記第４のサブ画素における開口幅が、前記第１ないし第３のサブ画素における各開口幅よりも小さくなっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１ないし第４のサブ画素に対向して開口を有するブラックマトリクスを備え、
前記カラーフィルタは、前記ブラックマトリクスの前記第１ないし第３のサブ画素に対向する開口にそれぞれ設けられ、
前記ブラックマトリクスの前記第４のサブ画素に対向する開口には、減光フィルタ（Neutral Density filter）が設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記減光フィルタの透過率は、前記第１ないし第３のサブ画素の各カラーフィルタにおける透過帯域の透過率と同等に設定されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記減光フィルタの透過率は、中央部よりも端部においてより低透過率となるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって段階的に透過率が低くなるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記減光フィルタの透過率は、中央部から端部に向かって連続的に透過率が低くなるように構成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１ないし第３のサブ画素ではそれぞれ、その透過波長毎に透過率が設定されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記一対の基板は、透明基板上に画素駆動回路を有する駆動基板と、封止基板とであり、
前記カラーフィルタは、前記駆動基板側に設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記駆動基板上の、前記第１ないし第３のサブ画素に対応する領域には前記カラーフィルタ、前記第４のサブ画素に対応する領域には、減光フィルタ（Neutral Density filter）がそれぞれ設けられている
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第４のサブ画素は、白（Ｗ）または黄（Ｙ）の色に対応するものである
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記発光素子は有機電界発光素子である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記有機電界発光素子は白色光を発する
請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１ないし第３のサブ画素と、前記第１ないし第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備え、
前記複数の画素ではそれぞれ、
前記第１ないし第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有し、
前記第１ないし第３のサブ画素では、前記一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、
前記第４のサブ画素では、前記発光素子から発せられた光の透過率が、前記第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成されている
表示装置を有する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１３−８０５８４（Ｐ２０１３−８０５８４Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１９０５４（Ｐ２０１１−２１９０５４）
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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