表示装置及びその製造方法
【課題】隣接する表示画素間で混色を生じることなく、各表示画素の形成領域の略全域に均一な膜厚を有する担体輸送層が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面側に突出して配設されたバンク１８により、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の形成領域Ｒpxが画定された絶縁性基板１１において、ＵＶオゾン処理等により親液化処理した後、酸系の水溶液に浸漬してソフトエッチングを施してバンク１８表面に形成された酸化膜を除去し、その後、トリアジンチオール化合物等の撥液処理溶液に浸漬してバンク１８表面にトリアジンチオール化合物の被膜を形成して撥液化することにより、絶縁性基板１１上に親液性を示す領域（画素電極１５表面）と、撥液性を示す領域（バンク１８表面）とを共存させた親疎水パターンを形成する。
【解決手段】一面側に突出して配設されたバンク１８により、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の形成領域Ｒpxが画定された絶縁性基板１１において、ＵＶオゾン処理等により親液化処理した後、酸系の水溶液に浸漬してソフトエッチングを施してバンク１８表面に形成された酸化膜を除去し、その後、トリアジンチオール化合物等の撥液処理溶液に浸漬してバンク１８表面にトリアジンチオール化合物の被膜を形成して撥液化することにより、絶縁性基板１１上に親液性を示す領域（画素電極１５表面）と、撥液性を示す領域（バンク１８表面）とを共存させた親疎水パターンを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、担体輸送材料からなる液状材料を塗布することにより担体輸送層が形成される発光素子を有する複数の表示画素を、二次元配列した表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライト導光板などを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように、例えば概略、ガラス基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる正孔輸送層（正孔注入層）や電子輸送性発光層（発光層）を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送性発光材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法を適用する必要があるため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクを用いる場合があり、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリント法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで良好に有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、ガラス基板等の絶縁性基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料からなる液状材料（溶液）を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に連続的に突出して形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報 （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子ＥＬ表示パネルにおいては、インクジェット法やノズルプリント法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）を製造する際に、上記有機材料からなる液状材料が塗布される各画素形成領域（アノード電極）や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、画素形成領域内（特にアノード電極上）に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ素子の発光動作時における発光開始電圧や有機ＥＬ層から放射される光の波長（すなわち、画像表示時の色度）が設計値からずれて、所望の表示画質が得られなくなってしまったり、特に有機ＥＬ層の膜厚に薄い領域ができると、そこに発光駆動電流が集中して流れることにより、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなり、表示パネルの信頼性や寿命が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、隣接する表示画素間で混色を生じることなく、各表示画素の形成領域の略全域に均一な膜厚を有する担体輸送層が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上にそれぞれ画素電極が設けられた前記複数の表示画素の形成領域間に隔壁を形成する工程と、
前記画素電極表面を親液化する工程と、
前記隔壁の表面をエッチングする工程と、
前記隔壁の表面を撥液化する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記画素電極表面を親液化する工程は、ＵＶオゾン処理又は酸素プラズマ処理により、少なくとも前記画素電極表面を、前記担体輸送層を形成する担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁の表面をエッチングする工程は、前記画素電極表面を親液化する処理の際に少なくとも前記隔壁の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁の表面を撥液化する工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、少なくとも前記隔壁の表面に前記トリアジンチオール化合物を結合させて、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記画素電極は、表面が導電性の酸化金属層により形成されていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、少なくとも表面が低抵抗の金属材料により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記表示画素の形成領域は、前記隔壁により画定されることを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項７記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層は、前記画素形成領域に露出する前記画素電極上に形成されることを特徴とする。
【００１６】
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記親液化された前記画素電極上に、前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して、前記担体輸送層を形成する工程と、前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在して電気的に接続された単一の対向電極を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする。
請求項１０記載の発明に係る表示装置は、請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、隣接する表示画素間で混色を生じることなく、各表示画素の形成領域の略全域にわたり、膜厚の均一性が改善された有機ＥＬ層等を含む担体輸送層が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、上述した高分子系の有機材料からなる有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００１９】
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（表示素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２０】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが図面左右方向に繰り返し複数（３の倍数）配列されるとともに、図面上下方向に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２１】
表示パネル１０は、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して配設されたバンク（隔壁）形状を有する共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃにより、図面上下方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又はＰＸｂの画素形成領域からなる各色画素領域が画定される。また、各色画素領域に含まれる複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又はＰＸｂが形成される各画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、上記共通電圧ラインＬｃの配設方向に並行して図面上下方向（すなわち列方向）にデータラインＬｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交して図面左右方向（すなわち行方向）に選択ラインＬｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが配設されている。
【００２２】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）からなる画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬと、を備えている。
【００２３】
供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５（例えばアノード電極）に表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流が流れるための所定の高電圧（供給電圧Ｖsc）を印加し、共通電圧ラインＬｃは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（例えばカソード電極）に所定の低電圧（共通電圧Ｖcom；例えば接地電位Ｖgnd）を印加するように設定されている。
【００２４】
画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が表示パネル１０（絶縁性基板１１）の行方向に配設された選択ラインＬｓに、ドレイン端子が上記供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタＴｒ１１と、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ソース端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ドレイン端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１２と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１３（発光駆動用のスイッチング素子）と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。ここでは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであっても、ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極）が表示パネル１０の列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに接続されている。また、図２において、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。
【００２６】
なお、図２に示した画素駆動回路ＤＣにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが選択ドライバから印加される。また、供給電圧ラインＬａは、図示を省略した電源ドライバに接続され、上記選択信号Ｓselと同期したタイミングで同じ行に配列された表示画素ＰＩＸに所定の供給電圧Ｖscが電源ドライバから印加される。データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調電流Ｉdataが流れる。
【００２７】
そして、このような回路構成を有する画素駆動回路ＤＣを備えた表示画素ＰＩＸ（表示パネル１０）における駆動制御動作は、まず、書込動作期間において、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、該選択信号Ｓselに同期して図示を省略した電源ドライバからローレベルの供給電圧Ｖscを供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａに対して印加する。
【００２８】
このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバは、表示データに応じた電流値を有する階調電流ＩdataがデータラインＬｄに流れるように制御する。つまり、データドライバは、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流値を制御するドライバであり、本実施形態においては、書込動作期間中において固定されたローレベルの電圧である供給電圧Ｖscに対してデータドライバがデータラインＬｄの電位を低くして、表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）側からデータラインＬｄ方向に所望の電流値の階調電流Ｉdataを引き抜くように流すものとする。
【００２９】
これにより、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの供給電圧Ｖscが接点Ｎ１１（トランジスタＴｒ１３のゲート端子；キャパシタＣｓの一端側）に印加されるとともに、階調電流Ｉdataの引き込み動作によりトランジスタＴｒ１２を介してローレベルの供給電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが接点Ｎ１２（トランジスタＴｒ１３のソース端子；キャパシタＣｓの他端側）に印加され、トランジスタＴｒ１３にはデータドライバで設定された階調電流Ｉdataが強制的に流されることになる。
【００３０】
このとき、キャパシタＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（充電される）。この蓄積された電荷の量は、書込動作時にトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間を流れる階調電流Ｉdataの電流値によって自動的に設定される。また、このとき、ローレベルの供給電圧Ｖscは、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃを介してカソード端子に印加される共通電位Ｖcom（接地電位Ｖgnd）以下に設定されているので、有機ＥＬ素子ＯＥＬには、順バイアス電圧が印加されないため、書込動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流が流れず、発光動作は行われない。
【００３１】
次いで、発光動作期間においては、選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、電源ドライバから供給電圧ラインＬａに対して、ハイレベルの供給電圧Ｖscを印加する。また、このタイミングに同期して、データドライバによる階調電流Ｉdataの引き抜き動作を停止する。
【００３２】
これにより、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、接点Ｎ１１への供給電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、接点Ｎ１２への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、キャパシタＣｓは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。
【００３３】
このように、キャパシタＣｓが書込動作時に蓄積された電荷（充電電圧）を保持することにより、接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）の電位差が保持されることになり、トランジスタＴｒ１３が階調電流Ｉdataの電流値に応じた電流値の電流を流すことができるような状態を維持する。また、供給電圧ラインＬａには、共通電圧Ｖcom（接地電位Ｖgnd）よりも高い電圧レベルで、且つ、発光動作期間にトランジスタＴｒ１３を流れる電流が飽和電流となるようにドレイン−ソース間電位差が十分高くなるような所定の電圧値の供給電圧Ｖscが印加されると、トランジスタＴｒ１３は、書込動作時に蓄積された電荷によるゲート−ソース間電位差によって、書込動作時に流れる階調電流Ｉdataの電流値に応じた発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に流し、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電流Ｉdataひいては表示データにしたがった輝度で発光動作する。
【００３４】
そして、このような一連の駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次繰り返し実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３５】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図であり、図４は、本実施形態に係る表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示し、図４においては、図３に示した平面レイアウトのうち、共通電圧ラインＬｃの下層に形成される各トランジスタ及び配線層等を具体的に示す。また、図４において、括弧数字は、各導電層（配線層を含む）の上下の順を表し、数字が小さいほど下層側（絶縁性基板１１側）に形成され、大きいほど上層側（視野側）に形成されていることを示す。また、図５、図６は、各々、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【００３６】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）Ｒpxにおいて、図３に示した平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方及び右方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び共通電圧ラインＬｃが各々配設されている。
【００３７】
ここで、図３〜図６に示すように、供給電圧ラインＬａは、共通電圧ラインＬｃよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａは、同層に設けられ、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース、ドレインを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース、ドレインと同じ工程で形成される。また、データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲートを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによってゲートと同じ工程で形成される。
【００３８】
すなわち、表示画素ＰＩＸは、図５、図６に示すように、絶縁性基板１１上に表示画素ＰＩＸ内に設けられる画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、及び、選択ラインＬｓやデータラインＬｄを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及び配線層を被覆するように順次形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して、その上層に、画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１６ｂ（担体輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６、及び、共通電圧Ｖcomが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７からなる有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されている。
【００３９】
画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、図３、図４に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が列方向に配設されたデータラインＬｄに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１３が列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに沿って延在するように配置されている。
【００４０】
ここで、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、周知の電界効果型トランジスタ構造を有し、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄと、を有している。
【００４１】
なお、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層ＢＬが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。
【００４２】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｂを介してキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成されている。
【００４３】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｃを介してデータラインＬｄに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成されている。
【００４４】
トランジスタＴｒ１３は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１３ｇがキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１３ｓがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成され、同ドレイン電極Ｔｒ１３ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成されている。
【００４５】
また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成された一端側の電極Ｅcaと、ソース電極Ｔｒ１３ｓと一体的に形成された他端側の電極Ｅcbと、がゲート絶縁膜１２を介して対向して延在するように形成されている。
選択ラインＬｓは、図３、図４、図６に示すように、ゲート絶縁膜１２上に延在し、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａと同一層に形成されている。
【００４６】
さらに、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（キャパシタＣｓの電極Ｅcb）上の保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４には、図５に示すように、コンタクトホールＨＬｄが形成され、当該ソース電極Ｔｒ１３ｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５とが電気的に接続されるように、金属材料（コンタクトメタルＭＴＬ）が埋め込まれている。
【００４７】
そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上には、図５、図６に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層１６、及び、例えばカソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。ここで、本実施形態においては、有機ＥＬ層１６において発光した光を、絶縁性基板１１と反対側に（後述する封止樹脂層１９及び封止基板２０を介して）出射するトップエミッション型の発光構造を有している表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。そのため、画素電極１５が少なくとも光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有することになる。ここで、画素電極１５は、後述する製造方法（図７〜図１０参照）において説明するように、下層側の反射金属層１５ａと上層側の透明な導電性酸化金属層１５ｂからなる積層構造を有している。
【００４８】
また、列方向の各画素形成領域Ｒpx間（各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域相互の境界領域）には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（厳密には、有機ＥＬ層１６の形成領域）を画定するためのバンク（隔壁）１８が平坦化膜１４の上面から突出するように設けられている。ここで、本実施形態においては、当該バンク１８は、例えば図５に示すように、列方向に延在し、各画素形成領域Ｒpx間の層間絶縁膜としての機能も果たす下層側の下地層１８ｘと、導電性材料からなり、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃの列方向に延在する部分である上層側のバンクメタル層１８ａからなる積層構造を有している。
【００４９】
バンク１８は、より具体的には、行方向に沿って隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域付近に露出する平坦化膜１４上から、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５の列方向の周縁上に一部が重なるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなる下地層１８ｘが列方向に延在するように設けられ、当該下地層１８ｘ上に、導電性材料（例えば、金属材料）からなるバンクメタル層１８ａが厚さ方向に突出し且つ列方向に延在するように順次積層形成されている。列方向に沿った複数の下地層１８ｘ及びバンクメタル層１８ａの各端は、図１に示すように、複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域の外側において行方向に沿って連結されている。
【００５０】
すなわち、上記積層構造を有するバンク１８を表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状の平面パターンを有するように配設することにより、列方向（図面上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸをそれぞれ有する複数のストライプ状の画素形成領域が画定されるとともに、バンク１８のバンクメタル層１８ａにより、表示パネル１０の全域に配列された表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の各々に所定の電圧（共通電圧Ｖcom）を共通に印加することができる配線層（共通電圧ラインＬｃ）として機能させることができる。
【００５１】
すなわち、図５、図６に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（カソード電極）１７を、バンクメタル層１８ａを備えたバンク１８上に延在し且つ、バンクメタル層１８ａに電気的に接続されるように形成することにより、バンク１８（バンクメタル層１８ａ）を共通電圧ラインＬｃとして兼用することができる。
なお、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及びバンク１８が形成された絶縁性基板１１上には、図５、図６に示すように、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止基板２０が接合されている。
【００５２】
そして、このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層（有機ＥＬ素子ＯＥＬの絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ等の機能素子、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調電流Ｉdataに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１３（ソース電極Ｔｒ１３ｓ）からコンタクトホールＨＬｄ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＥＬが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５３】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０において、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有する場合（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型である場合）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）を介することなく封止基板２０の一面側（図５、図６の図面上方）に出射される。
【００５４】
なお、本実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示素子（有機ＥＬ素子）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光透過性を有する画素電極１５、及び、光反射特性を有する対向電極１７を適用して、有機ＥＬ層１６において発光した光が、光透過性を有する画素電極１５を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１７で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）を介して他面側（図５、図６の図面下方）に出射されるボトムエミッション型の発光構造を有する表示素子を適用するものであってもよい。
【００５５】
（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図７乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図５に示したＡ−Ａ断面から見たパネル構造の製造工程について説明する。また、図１１は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜材料の化学構造式及び被膜材料がバンクメタル層１８ａに被膜した状態での結合を示す概念図である。
【００５６】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の形成領域（画素形成領域）Ｒpxに、上述した画素駆動回路（図２〜図４参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、データラインＬｄや選択ラインＬｓ等の配線層を形成する（図５、図６参照）。
【００５７】
具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇ、及び、ゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成されるキャパシタＣｓの一方側の電極Ｅca、データラインＬｄ（図５参照）を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。
【００５８】
次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣ上に設けられたブロック層ＢＬの両側に半導体層ＳＭＣとオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと接続されたキャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓ、並びに、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ及びＴｒ１３ｄと接続された供給電圧ラインＬａ（図６参照）を同時に形成する。
【００５９】
なお、上述したトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄ、キャパシタＣｓの他端側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａは、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層からなる積層配線構造を有しているものであってもよい。また、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、逆スタガ型に限らずコプラナ型等であってもよい。
【００６０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、キャパシタＣｓ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、５０ｎｍ〜１００ｎｍ厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び１μｍ〜１０μｍ厚の感光性有機樹脂材料等からなる平坦化膜１４を順次形成した後、平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３を光の照射及びエッチャントによりパターニングして、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（又は、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb）の上面が露出するコンタクトホールＨＬｄを形成する。
【００６１】
次いで、図７（ｃ）に示すように、上記コンタクトホールＨＬｄに金属材料からなるコンタクトメタルＭＴＬを埋め込む。ここで、コンタクトメタルＭＴＬは、例えば無電解めっき法等を用いて、銅（Ｃｕ）等の金属材料を堆積して形成される厚膜を適用することができる。その後、図８（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに、当該コンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された画素電極１５を形成する。
【００６２】
画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の少なくとも何れかを含む金属または合金等からなる光反射特性を有する反射金属膜をスパッタリング法等を用いて薄膜形成し、所定の形状にパターニングすることによりコンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された下層の反射金属層１５ａを形成する。その後、当該反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明電極材料からなる（光透過特性を有する）酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層１５ａの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより上層の導電性酸化金属層１５ｂを形成する。
【００６３】
このように、上層の酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層１５ａとの間でエッチャントによる電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００６４】
次いで、反射金属層１５ａ及び導電性酸化金属層１５ｂからなる上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなる絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図８（ｂ）に示すように、行方向に沿って互いに隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５との間の領域（隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）において、列方向に沿うように、後述するバンク１８の最下層となる下地層１８ｘを形成する。下地層１８ｘは、図１において、供給電圧ラインＬｃと略同一形状であり、表示画素ＰＩＸの画素形成領域が複数のストライプ形状に開口されるように形成されている。
【００６５】
次いで、図９（ａ）に示すように、下地層１８ｘ上に、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は、これらを主成分とした金属単体又は合金等の低抵抗の非酸化金属材料からなるバンクメタル層１８ａ（供給電圧ラインＬｃ）を、表示画素ＰＩＸの画素形成領域が複数のストライプ形状に開口されるように形成する。バンクメタル層１８ａは表面が非酸化金属材料であれば、内部が非酸化金属材料以外の材料を含んでいてもよい。
【００６６】
具体的には、上記下地層１８ｘを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、例えばスパッタ法や真空蒸着法等を用いて上記金属材料の薄膜を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて下地層１８ｘ上に所定のパターンを有して残留させることによりバンクメタル層１８ａを形成する。バンクメタル層１８ａは、列方向に延在している部分において、行方向の両側部から下地層１８ｘが露出するように行方向の幅が下地層１８ｘよりも幅狭に形成されている。下地層１８ｘは、平坦化膜１４とバンクメタル層１８ａとの間の密着性を改善するために介在された層であり、その熱膨張係数は、平坦化膜１４の熱膨張係数とバンクメタル層１８ａの熱膨張係数との間であることが好ましい。
【００６７】
これにより、図１に示すように、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層１６の形成領域）Ｒpxがバンクメタル層１８ａ及び下地層１８ｘからなるバンク１８により周囲を囲まれて画定され、当該画素形成領域Ｒpxごとに画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）の上面が露出した状態となる。
【００６８】
次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等を施すことにより、上記バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面（及び、画素電極１５の周辺領域に露出する下地層１８ｘ表面を含むものであってもよい）の親液化を行う。親液化処理の際にバンクメタル層１８ａの表面の一部は酸化されてしまい、このままでは、バンクメタル層１８ａの表面に後述する撥液化処理を行うことができないため、バンクメタル層１８ａの表面の酸化膜を除去する。次いで、酸化膜が除去されたバンクメタル層１８ａの表面に選択的に撥液化処理を施す。
【００６９】
ここで、画素電極１５の親液化処理の一例であるＵＶオゾン処理においては、酸素ガス雰囲気中で絶縁性基板１１に対して紫外光を照射することにより、活性酸素ラジカルを発生させて、画素電極１５（ＩＴＯ等からなる導電性酸化金属層）の表面を、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒に対して濡れ性が向上するように親液化（親水化）する。
【００７０】
また、酸化膜除去処理は、上述したバンク１８が一面側に形成された絶縁性基板１１を過硫酸アンモニウム等の酸系の水溶液に浸漬することにより、バンクメタル層１８ａの表面をソフトエッチングして表面の酸化膜を除去した後、純水で洗浄し、乾燥させる。次いで行われるバンクメタル層１８ａの撥液化処理は、具体的には、絶縁性基板１１をトリアジントリチオール又は官能基にフッ素を含むフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液の処理槽内に挿入して浸漬する。この処理工程における撥液処理溶液の温度は概ね２０〜３０℃程度、浸漬時間は概ね数十秒〜１０分程度に設定する。その後、絶縁性基板１１を撥液処理溶液から取り出し、アルコール等により濯いで絶縁性基板１１表面に残留する撥液処理溶液（トリアジンチオール化合物）を洗い流し、絶縁性基板１１を純水で２次洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させる。
【００７１】
このとき、トリアジンチオール化合物は、酸化膜除去処理で酸化膜が除去されたバンクメタル層１８ａ表面の金属と選択的に結合して被膜が形成されることになるが、画素電極１５表面の金属酸化物（導電性酸化金属層１５ｂ）や、下地層１８ｘを形成する無機絶縁膜には撥液性を発現する程度には被膜されない。
【００７２】
すなわち、トリアジンチオール化合物の一例として適用可能なフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、図１１（ａ）に示すように、トリアジン（３個の窒素を含む六員環構造）の窒素（−Ｎ）にチオール基（−ＳＨ）が結合した分子構造に加え、特定のチオール基（−ＳＨ）のＳ原子にアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）及びフッ化アルキル基（−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ３）が順次結合した分子構造を有し、他のトリアジンチオール化合物と同様に、図１１（ｂ）に示すように、それ自体が撥液性を示すトリアジントリチオールに加えてさらに撥液性を示すフッ素原子を含んでいるので、バンクメタル層１８ａの表面に形成される被膜は、トリアジントリチオールよりも強い撥液性を示す。なお、上述した処理工程において使用する撥液処理溶液の濃度は、概ね１×１０−４〜１×１０−２mol／Ｌの範囲が好ましい。
【００７３】
なお、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、チオール基のＳ原子がアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）と結合した分子構造を有しているが、直接フッ化アルキル基と結合してもよく、またトリアジンチオール化合物がバンクメタル層１８ａに被覆される際に著しい立体障害にならない限りアルキル基、フッ化アルキル基の炭素数に特別な制限はない。また、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、残る二つのチオール基の一つのＳ原子において、水素基に代わって直接又は間接的にフッ化アルキル基が置換形成されていてもよく、或いはフッ素原子を含む基の炭素間がオレフィン二重結合を有していてもよい。また、その他のトリアジンチオール誘導体として、例えば、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩或いは６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を用い、水に溶解して被膜１８ｃを被膜してもよい。
【００７４】
これにより、絶縁性基板１１の一面側に形成された各構成のうち、親液化処理によって形成された酸化膜を酸化膜除去処理によって除去された、金属材料からなるバンクメタル層１８ａの表面では、トリアジンチオール化合物との結合性が著しく向上しているので、撥液性を十分に示す程度にトリアジンチオール化合物の被膜が形成され、一方、酸化金属層（ＩＴＯ等）１５ｂにより被覆された画素電極１５の表面及び下地層１８ｘの表面、画素電極１５間から露出した平坦化膜１４（或いは保護絶縁膜１３）には付着しにくく、被膜がほとんど形成されない。したがって、同一の絶縁性基板１１上において、バンクメタル層１８ａの表面のみが撥液化処理され、当該バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面は撥液化処理されていない状態（親液性が保持された状態）が実現される。
【００７５】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下になる状態と規定する。
【００７６】
また、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxが、撥液化処理されたバンク１８により、隣接する他の色の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxと隔離されるので、後述する有機ＥＬ層１６となる発光層（電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液（液状材料）を塗布する場合であっても、バンク１８を越えて隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。
【００７７】
次いで、図９（ｂ）に示すように、上記バンク１８により囲まれた（画定された）各色の画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、溶液を連続的に流し込むノズルプリント法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥により残留溶媒を除去し正孔輸送層１６ａを形成する。続いて、図１０（ａ）に示すように、当該正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥により残留溶媒を除去し電子輸送性発光層１６ｂを形成する。これにより、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。
【００７８】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、塗布された基板１１を載置するステージ及び／又はステージ上の雰囲気を１００℃以上の温度条件で加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。
【００７９】
ここで、画素電極１５及びその周辺の下地層１８ｘの表面は、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（画素電極１５上）に充分馴染んで均等に広がる。
【００８０】
これにより、後述するように、有機化合物含有液を加熱乾燥処理する際に、当該有機化合物含有液が縁辺領域方向に引っ張られながら乾燥するので、正孔輸送層１６ａが画素電極１５の中央表面上で盛り上がりすぎることがないため、膜厚の均一性が向上する。また、バンクメタル層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８１】
また、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水や或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中でステージを加熱或いは１Torr以下の減圧雰囲気下でステージ上の雰囲気を加熱して乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。
【００８２】
この場合においても、上述した正孔輸送層１６ａと同様に、画素電極１５上の正孔輸送層１６ａ及びその周辺の下地層１８ｘの表面は、上記有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（正孔輸送層１６ａ上）に充分馴染んで均等に広がる。
【００８３】
これにより、後述するように、有機化合物含有液を加熱乾燥処理する際に、当該有機化合物含有液が縁辺領域方向に引っ張られながら乾燥するので、正孔輸送層１６ａ上に形成される電子輸送性発光層１６ｂの膜厚の均一性が向上する。また、バンクメタル層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８４】
その後、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等により電子注入層となるカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）、マグネシウム、フッ化リチウム等の金属材料からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。
【００８５】
また、対向電極１７は、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）を画定するバンク１８上にまで延在する単一の導電層として形成されるとともに、バンク１８を形成するバンクメタル層１８ａと電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８を形成するバンクメタル層１８ａを各表示画素ＰＩＸに共通に接続された共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとして適用することができる。このように、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間に対向電極１７と等電位のバンクメタル層１８ａを網羅することによってカソード全体のシート抵抗を下げ、表示パネル１０全体で均一な表示特性にすることができる。
【００８６】
次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層１９をＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、封止蓋や封止基板２０を接合する（貼り合わせる）ことにより、図５、図６に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。
【００８７】
なお、上述した実施形態においては、有機ＥＬ層１６が正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
また、上記実施形態では、画素電極１５をアノードとしたが、これに限らずカソードとしてもよい。このとき、有機ＥＬ層１６は、画素電極１５に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
【００８８】
（比較検証）
次に、上述した本発明に係る表示装置の製造方法に特有の作用効果について、具体的に検証する。
図１２は、ＵＶオゾン処理における紫外光の照射時間と純水接触角との関係を示す実験データであり、図１３は、親液化処理後のソフトエッチングの処理時間と撥液化処理後の純水接触角との関係を示す実験データである。ここで、図１２（ａ）及び図１３（ａ）は、各実験により得られた数値データの表であり、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）は、図１２（ａ）及び図１３（ａ）に示した数値データをグラフ化したものである。
【００８９】
上述した実施形態においては、一面側に突出して配設されたバンク１８により、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxが画定された絶縁性基板１１において、ＵＶオゾン処理等により親液化処理した後、過硫酸アンモニウム等の酸系の水溶液に浸漬してバンク１８の表面にソフトエッチングを施し、その後、トリアジンチオール化合物等の撥液処理溶液に浸漬してバンク表面にトリアジンチオール化合物の被膜を形成し、撥液化することにより、絶縁性基板１１上に親液性を示す領域（画素電極表面）と、撥液性を示す領域（バンク表面）とを共存させた親疎水パターンを形成する製造方法を示した。
【００９０】
ここで、絶縁性基板上に親疎水パターンを形成する方法としては、上述した実施形態に示した製造方法の他に、例えば撥液処理溶液に絶縁性基板を浸漬してバンク表面を撥液化した後、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等により各画素形成領域に露出する画素電極（導電性酸化金属層）表面を親液化する手法（以下、便宜的に「第１の比較例」と記す）が考えられる。
【００９１】
このような製造方法においては、先の工程において撥液化したバンク表面に形成された撥液性の被膜（トリアジンチオール化合物の被膜）が、親液化処理の際のＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理により分解されて、バンク表面の撥液性が低下してしまい、有機化合物含有液を塗布する際に、隣接する画素形成領域（有機ＥＬ素子）に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたりする等の問題を有している。
【００９２】
このような問題を回避する手法としては、例えばＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等により各画素形成領域の画素電極を親液化した後、バンク表面をソフトエッチングすることなしに撥液処理溶液に絶縁性基板を浸漬してバンク表面に撥液性の被膜を形成させて撥液化する製造方法（以下、便宜的に「第２の比較例」と記す）が考えられる。
【００９３】
この場合、バンク（又はバンク表面）を形成する金属材料として、銅や銀、又はこれらを主成分とする低抵抗の合金を適用した場合、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等によりこれらの金属の表面に形成された酸化膜を除去していないので、後続する撥液化処理において撥液性の被膜（トリアジンチオール化合物の被膜）が形成されにくくなったり、有機ＥＬ層上に形成される対向電極（例えばカソード電極）とバンクとの接合性が低下して接触抵抗が高くなる等の問題を有している。特に、バンクを形成する金属材料として、低抵抗で比較的安価な銅を適用した場合、銀を適用した場合に比較して酸化されやすく、撥液化処理におけるトリアジンチオール化合物の結合が極端に起こりにくくなり、撥液性の被膜が充分に形成されず撥液性が著しく低下する傾向がある。
【００９４】
ここで、上記第１及び第２の比較例において、各々バンクを形成する金属材料として、銅を用い、親液化処理としてＵＶオゾン処理を適用した場合の純水接触角を測定すると、表１に示すように、銅をトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液に浸漬して被膜を形成し撥液化した後、ＵＶオゾン処理を施す第１の比較例においては、純水接触角が７３．２°となり、また、銅をＵＶオゾン処理した後、バンク表面をソフトエッチングすることなしに撥液処理溶液に浸漬して撥液化する第２の比較例においては、純水接触角が５４．５°となり、いずれの場合においても純水接触角が比較的低くく、撥液性が低下することが判明した。
【００９５】
【表１】
【００９６】
一方、上述した実施形態にも示したように、画素電極上に形成される有機ＥＬ層（正孔輸送層）の材料として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の有機化合物含有液を適用した場合、当該溶液の塗布乾燥工程において凝集しやすく、形成される正孔輸送層の膜厚が不均一になりやすいという特性を有している。ここで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを適用した正孔輸送層の膜厚を均一化するためには、画素電極（導電性酸化金属層）の表面の純水接触角を概ね１０°以下になるように親液化処理を行う必要がある。
【００９７】
このような観点に基づいて、上述した実施形態に示した製造方法における各処理工程ごとの純水接触角を検証すると、まず、絶縁性基板に対してＵＶオゾン処理を施し、画素電極（導電性酸化金属層）表面を親液化する処理においては、図３に示すように、紫外光の照射時間（ＵＶ照射時間）が長くなるほど、画素電極表面の純水接触角が１０°以下にまで低くなり、上述したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対する親液性が向上することが判明した。
【００９８】
ここで、上記純水接触角の測定は、具体的には、親液化処理として、フィルジェン株式会社製のＵＶオゾンクリーナー（型式：ＮＬ−ＵＶ２５３）を用い、酸素注入条件として流量１０Ｌ／ｍｉｎ、注入時間０．３ｍｉｎに設定し、画素電極表面に形成されるＩＴＯ膜（導電性酸化金属層）をＵＶオゾン処理したものを用いた。
【００９９】
これにより、絶縁性基板（ＩＴＯ膜からなる導電性酸化金属層を備えた画素電極）に対する親液化処理として、概ね４分（ｍｉｎ）以上紫外光を照射することにより１０°以下の純水接触角が得られ、より好ましくは、１０分（ｍｉｎ）程度照射することにより１０°以下の純水接触角が安定的に得られることが判明した。
【０１００】
次いで、上記ＵＶオゾン処理の後、１．０wt％の濃度で、室温程度の液温に設定された過硫酸アンモニウム水溶液に絶縁性基板を浸漬してソフトエッチングを施すことにより、上記ＵＶオゾン処理によりバンクを形成する銅の表面に形成された酸化膜を除去する。その後、トリアジンチオール化合物の撥液処理溶液に浸漬してバンクを形成する銅の表面に撥液性の被膜を形成して撥液化処理を行う。この場合のバンク（銅）表面の純水接触角は、図１３に示すように、ソフトエッチングの処理時間（過硫酸アンモニウム水溶液への浸漬時間）が長くなるほど上昇し、上述した表１に示したように、ソフトエッチングを行わずに撥液化処理を行った場合の純水接触角（７３．２°、５４．５°）に比較して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対して充分な撥液性を示す１３０°程度に設定されることが判明した。
【０１０１】
これにより、絶縁性基板上に配設されたバンク（銅）に対する撥液化処理に先立って実行するソフトエッチングとして、概ね１０秒以上過硫酸アンモニウム水溶液に浸漬することにより１３０°程度の純水接触角が安定的に得られることが判明した。
また、この撥液化処理を行った後の画素電極（ＩＴＯ膜）表面の純粋接触角は、図１３に示すように、ソフトエッチングの処理時間に関わらず、略一定（概ね９〜１１°程度）となり、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対する充分な親液性を維持していることが判明した。
【０１０２】
このように、金属材料により形成されたバンクにより各表示画素（有機ＥＬ素子）の形成領域が画定された絶縁性基板（パネル基板）において、ＵＶオゾン処理等により画素形成領域（画素電極）の親液化処理を行い、その後、バンク表面のソフトエッチングを施した後、トリアジンチオール化合物の被膜を形成して撥液化する製造方法によれば、画素形成領域に露出する画素電極（ＩＴＯ膜）表面における純水接触角を概ね１０°以下として良好な親液性を実現することができるとともに、当該画素形成領域を画定するバンク表面における純水接触角を概ね１３０°以上として良好な撥液性を実現することができるので、有機ＥＬ層を形成するための有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）を絶縁性基盤上に塗布する工程において、有機化合物含有液が画素電極上の全域に充分馴染んで広がり膜厚が均一化された有機ＥＬ層（発光機能層）を形成することができるとともに、隣接する画素形成領域（有機ＥＬ素子）に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止することができる。
【０１０３】
また、ＵＶオゾン処理等による親液化処理によりバンク表面に形成される酸化膜が、撥液化処理前のソフトエッチングにより除去されるので、有機ＥＬ層の形成後に各画素形成領域（画素電極）に共通に設けられる対向電極と上記バンクとの接合性が向上して、良好な電気的な接続を実現することができる。
【０１０４】
したがって、発光動作時における発光開始電圧や、有機ＥＬ層から放射される光の波長（色度）の設計値からのずれを抑制して、所望の表示画質を得ることできるとともに、有機ＥＬ素子の劣化や接続不良の発生を抑制して、信頼性や寿命に優れた表示パネルを実現することができる。
【０１０５】
なお、上述した比較検証においては、画素電極の親液化処理としてＵＶオゾン処理を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＵＶオゾン処理と同様に、プラズマ中で酸素ラジカルを発生させて、画素電極（ＩＴＯ等からなる導電性酸化金属層）の表面を親液化（親水化）する酸素プラズマ処理により親液化処理を施す場合であっても、上記実験データと略同等の結果が得られ、同等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】本実施形態に係る表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。
【図５】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。
【図６】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【図７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図８】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜材料の化学構造式及び被膜材料がバンクメタル層に被膜した状態での結合を示す概念図である。
【図１２】ＵＶオゾン処理における紫外光の照射時間と純水接触角との関係を示す実験データである。
【図１３】親液化処理後のソフトエッチングの処理時間と撥液化処理後の純水接触角との関係を示す実験データである。
【符号の説明】
【０１０７】
１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 導電性酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
１８ バンク
１８ｘ 下地層
１８ａ バンクメタル層
ＰＩＸ 表示画素
Ｒpx 画素形成領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、担体輸送材料からなる液状材料を塗布することにより担体輸送層が形成される発光素子を有する複数の表示画素を、二次元配列した表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライト導光板などを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように、例えば概略、ガラス基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる正孔輸送層（正孔注入層）や電子輸送性発光層（発光層）を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送性発光材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法を適用する必要があるため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクを用いる場合があり、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリント法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで良好に有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、ガラス基板等の絶縁性基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料からなる液状材料（溶液）を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に連続的に突出して形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報 （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子ＥＬ表示パネルにおいては、インクジェット法やノズルプリント法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）を製造する際に、上記有機材料からなる液状材料が塗布される各画素形成領域（アノード電極）や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、画素形成領域内（特にアノード電極上）に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ素子の発光動作時における発光開始電圧や有機ＥＬ層から放射される光の波長（すなわち、画像表示時の色度）が設計値からずれて、所望の表示画質が得られなくなってしまったり、特に有機ＥＬ層の膜厚に薄い領域ができると、そこに発光駆動電流が集中して流れることにより、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなり、表示パネルの信頼性や寿命が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、隣接する表示画素間で混色を生じることなく、各表示画素の形成領域の略全域に均一な膜厚を有する担体輸送層が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上にそれぞれ画素電極が設けられた前記複数の表示画素の形成領域間に隔壁を形成する工程と、
前記画素電極表面を親液化する工程と、
前記隔壁の表面をエッチングする工程と、
前記隔壁の表面を撥液化する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記画素電極表面を親液化する工程は、ＵＶオゾン処理又は酸素プラズマ処理により、少なくとも前記画素電極表面を、前記担体輸送層を形成する担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁の表面をエッチングする工程は、前記画素電極表面を親液化する処理の際に少なくとも前記隔壁の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁の表面を撥液化する工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、少なくとも前記隔壁の表面に前記トリアジンチオール化合物を結合させて、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記画素電極は、表面が導電性の酸化金属層により形成されていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、少なくとも表面が低抵抗の金属材料により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記表示画素の形成領域は、前記隔壁により画定されることを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項７記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層は、前記画素形成領域に露出する前記画素電極上に形成されることを特徴とする。
【００１６】
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記親液化された前記画素電極上に、前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して、前記担体輸送層を形成する工程と、前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在して電気的に接続された単一の対向電極を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする。
請求項１０記載の発明に係る表示装置は、請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、隣接する表示画素間で混色を生じることなく、各表示画素の形成領域の略全域にわたり、膜厚の均一性が改善された有機ＥＬ層等を含む担体輸送層が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、上述した高分子系の有機材料からなる有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００１９】
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（表示素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２０】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが図面左右方向に繰り返し複数（３の倍数）配列されるとともに、図面上下方向に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２１】
表示パネル１０は、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して配設されたバンク（隔壁）形状を有する共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃにより、図面上下方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又はＰＸｂの画素形成領域からなる各色画素領域が画定される。また、各色画素領域に含まれる複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又はＰＸｂが形成される各画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、上記共通電圧ラインＬｃの配設方向に並行して図面上下方向（すなわち列方向）にデータラインＬｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交して図面左右方向（すなわち行方向）に選択ラインＬｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが配設されている。
【００２２】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）からなる画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬと、を備えている。
【００２３】
供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５（例えばアノード電極）に表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流が流れるための所定の高電圧（供給電圧Ｖsc）を印加し、共通電圧ラインＬｃは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（例えばカソード電極）に所定の低電圧（共通電圧Ｖcom；例えば接地電位Ｖgnd）を印加するように設定されている。
【００２４】
画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が表示パネル１０（絶縁性基板１１）の行方向に配設された選択ラインＬｓに、ドレイン端子が上記供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタＴｒ１１と、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ソース端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ドレイン端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１２と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１３（発光駆動用のスイッチング素子）と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。ここでは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであっても、ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極）が表示パネル１０の列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに接続されている。また、図２において、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。
【００２６】
なお、図２に示した画素駆動回路ＤＣにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが選択ドライバから印加される。また、供給電圧ラインＬａは、図示を省略した電源ドライバに接続され、上記選択信号Ｓselと同期したタイミングで同じ行に配列された表示画素ＰＩＸに所定の供給電圧Ｖscが電源ドライバから印加される。データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調電流Ｉdataが流れる。
【００２７】
そして、このような回路構成を有する画素駆動回路ＤＣを備えた表示画素ＰＩＸ（表示パネル１０）における駆動制御動作は、まず、書込動作期間において、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、該選択信号Ｓselに同期して図示を省略した電源ドライバからローレベルの供給電圧Ｖscを供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａに対して印加する。
【００２８】
このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバは、表示データに応じた電流値を有する階調電流ＩdataがデータラインＬｄに流れるように制御する。つまり、データドライバは、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流値を制御するドライバであり、本実施形態においては、書込動作期間中において固定されたローレベルの電圧である供給電圧Ｖscに対してデータドライバがデータラインＬｄの電位を低くして、表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）側からデータラインＬｄ方向に所望の電流値の階調電流Ｉdataを引き抜くように流すものとする。
【００２９】
これにより、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの供給電圧Ｖscが接点Ｎ１１（トランジスタＴｒ１３のゲート端子；キャパシタＣｓの一端側）に印加されるとともに、階調電流Ｉdataの引き込み動作によりトランジスタＴｒ１２を介してローレベルの供給電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが接点Ｎ１２（トランジスタＴｒ１３のソース端子；キャパシタＣｓの他端側）に印加され、トランジスタＴｒ１３にはデータドライバで設定された階調電流Ｉdataが強制的に流されることになる。
【００３０】
このとき、キャパシタＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（充電される）。この蓄積された電荷の量は、書込動作時にトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間を流れる階調電流Ｉdataの電流値によって自動的に設定される。また、このとき、ローレベルの供給電圧Ｖscは、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃを介してカソード端子に印加される共通電位Ｖcom（接地電位Ｖgnd）以下に設定されているので、有機ＥＬ素子ＯＥＬには、順バイアス電圧が印加されないため、書込動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流が流れず、発光動作は行われない。
【００３１】
次いで、発光動作期間においては、選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、電源ドライバから供給電圧ラインＬａに対して、ハイレベルの供給電圧Ｖscを印加する。また、このタイミングに同期して、データドライバによる階調電流Ｉdataの引き抜き動作を停止する。
【００３２】
これにより、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、接点Ｎ１１への供給電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、接点Ｎ１２への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、キャパシタＣｓは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。
【００３３】
このように、キャパシタＣｓが書込動作時に蓄積された電荷（充電電圧）を保持することにより、接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）の電位差が保持されることになり、トランジスタＴｒ１３が階調電流Ｉdataの電流値に応じた電流値の電流を流すことができるような状態を維持する。また、供給電圧ラインＬａには、共通電圧Ｖcom（接地電位Ｖgnd）よりも高い電圧レベルで、且つ、発光動作期間にトランジスタＴｒ１３を流れる電流が飽和電流となるようにドレイン−ソース間電位差が十分高くなるような所定の電圧値の供給電圧Ｖscが印加されると、トランジスタＴｒ１３は、書込動作時に蓄積された電荷によるゲート−ソース間電位差によって、書込動作時に流れる階調電流Ｉdataの電流値に応じた発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に流し、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電流Ｉdataひいては表示データにしたがった輝度で発光動作する。
【００３４】
そして、このような一連の駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次繰り返し実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３５】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図であり、図４は、本実施形態に係る表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示し、図４においては、図３に示した平面レイアウトのうち、共通電圧ラインＬｃの下層に形成される各トランジスタ及び配線層等を具体的に示す。また、図４において、括弧数字は、各導電層（配線層を含む）の上下の順を表し、数字が小さいほど下層側（絶縁性基板１１側）に形成され、大きいほど上層側（視野側）に形成されていることを示す。また、図５、図６は、各々、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【００３６】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）Ｒpxにおいて、図３に示した平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方及び右方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び共通電圧ラインＬｃが各々配設されている。
【００３７】
ここで、図３〜図６に示すように、供給電圧ラインＬａは、共通電圧ラインＬｃよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａは、同層に設けられ、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース、ドレインを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース、ドレインと同じ工程で形成される。また、データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲートを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによってゲートと同じ工程で形成される。
【００３８】
すなわち、表示画素ＰＩＸは、図５、図６に示すように、絶縁性基板１１上に表示画素ＰＩＸ内に設けられる画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、及び、選択ラインＬｓやデータラインＬｄを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及び配線層を被覆するように順次形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して、その上層に、画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１６ｂ（担体輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６、及び、共通電圧Ｖcomが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７からなる有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されている。
【００３９】
画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、図３、図４に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が列方向に配設されたデータラインＬｄに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１３が列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに沿って延在するように配置されている。
【００４０】
ここで、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、周知の電界効果型トランジスタ構造を有し、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄと、を有している。
【００４１】
なお、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層ＢＬが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。
【００４２】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｂを介してキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成されている。
【００４３】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｃを介してデータラインＬｄに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成されている。
【００４４】
トランジスタＴｒ１３は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１３ｇがキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１３ｓがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成され、同ドレイン電極Ｔｒ１３ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成されている。
【００４５】
また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成された一端側の電極Ｅcaと、ソース電極Ｔｒ１３ｓと一体的に形成された他端側の電極Ｅcbと、がゲート絶縁膜１２を介して対向して延在するように形成されている。
選択ラインＬｓは、図３、図４、図６に示すように、ゲート絶縁膜１２上に延在し、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａと同一層に形成されている。
【００４６】
さらに、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（キャパシタＣｓの電極Ｅcb）上の保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４には、図５に示すように、コンタクトホールＨＬｄが形成され、当該ソース電極Ｔｒ１３ｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５とが電気的に接続されるように、金属材料（コンタクトメタルＭＴＬ）が埋め込まれている。
【００４７】
そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上には、図５、図６に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層１６、及び、例えばカソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。ここで、本実施形態においては、有機ＥＬ層１６において発光した光を、絶縁性基板１１と反対側に（後述する封止樹脂層１９及び封止基板２０を介して）出射するトップエミッション型の発光構造を有している表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。そのため、画素電極１５が少なくとも光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有することになる。ここで、画素電極１５は、後述する製造方法（図７〜図１０参照）において説明するように、下層側の反射金属層１５ａと上層側の透明な導電性酸化金属層１５ｂからなる積層構造を有している。
【００４８】
また、列方向の各画素形成領域Ｒpx間（各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域相互の境界領域）には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（厳密には、有機ＥＬ層１６の形成領域）を画定するためのバンク（隔壁）１８が平坦化膜１４の上面から突出するように設けられている。ここで、本実施形態においては、当該バンク１８は、例えば図５に示すように、列方向に延在し、各画素形成領域Ｒpx間の層間絶縁膜としての機能も果たす下層側の下地層１８ｘと、導電性材料からなり、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃの列方向に延在する部分である上層側のバンクメタル層１８ａからなる積層構造を有している。
【００４９】
バンク１８は、より具体的には、行方向に沿って隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域付近に露出する平坦化膜１４上から、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５の列方向の周縁上に一部が重なるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなる下地層１８ｘが列方向に延在するように設けられ、当該下地層１８ｘ上に、導電性材料（例えば、金属材料）からなるバンクメタル層１８ａが厚さ方向に突出し且つ列方向に延在するように順次積層形成されている。列方向に沿った複数の下地層１８ｘ及びバンクメタル層１８ａの各端は、図１に示すように、複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域の外側において行方向に沿って連結されている。
【００５０】
すなわち、上記積層構造を有するバンク１８を表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状の平面パターンを有するように配設することにより、列方向（図面上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸをそれぞれ有する複数のストライプ状の画素形成領域が画定されるとともに、バンク１８のバンクメタル層１８ａにより、表示パネル１０の全域に配列された表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の各々に所定の電圧（共通電圧Ｖcom）を共通に印加することができる配線層（共通電圧ラインＬｃ）として機能させることができる。
【００５１】
すなわち、図５、図６に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（カソード電極）１７を、バンクメタル層１８ａを備えたバンク１８上に延在し且つ、バンクメタル層１８ａに電気的に接続されるように形成することにより、バンク１８（バンクメタル層１８ａ）を共通電圧ラインＬｃとして兼用することができる。
なお、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及びバンク１８が形成された絶縁性基板１１上には、図５、図６に示すように、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止基板２０が接合されている。
【００５２】
そして、このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層（有機ＥＬ素子ＯＥＬの絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ等の機能素子、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調電流Ｉdataに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１３（ソース電極Ｔｒ１３ｓ）からコンタクトホールＨＬｄ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＥＬが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５３】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０において、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有する場合（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型である場合）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）を介することなく封止基板２０の一面側（図５、図６の図面上方）に出射される。
【００５４】
なお、本実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示素子（有機ＥＬ素子）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光透過性を有する画素電極１５、及び、光反射特性を有する対向電極１７を適用して、有機ＥＬ層１６において発光した光が、光透過性を有する画素電極１５を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１７で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）を介して他面側（図５、図６の図面下方）に出射されるボトムエミッション型の発光構造を有する表示素子を適用するものであってもよい。
【００５５】
（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図７乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図５に示したＡ−Ａ断面から見たパネル構造の製造工程について説明する。また、図１１は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜材料の化学構造式及び被膜材料がバンクメタル層１８ａに被膜した状態での結合を示す概念図である。
【００５６】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の形成領域（画素形成領域）Ｒpxに、上述した画素駆動回路（図２〜図４参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、データラインＬｄや選択ラインＬｓ等の配線層を形成する（図５、図６参照）。
【００５７】
具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇ、及び、ゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成されるキャパシタＣｓの一方側の電極Ｅca、データラインＬｄ（図５参照）を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。
【００５８】
次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣ上に設けられたブロック層ＢＬの両側に半導体層ＳＭＣとオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと接続されたキャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓ、並びに、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ及びＴｒ１３ｄと接続された供給電圧ラインＬａ（図６参照）を同時に形成する。
【００５９】
なお、上述したトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄ、キャパシタＣｓの他端側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａは、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層からなる積層配線構造を有しているものであってもよい。また、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、逆スタガ型に限らずコプラナ型等であってもよい。
【００６０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、キャパシタＣｓ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、５０ｎｍ〜１００ｎｍ厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び１μｍ〜１０μｍ厚の感光性有機樹脂材料等からなる平坦化膜１４を順次形成した後、平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３を光の照射及びエッチャントによりパターニングして、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（又は、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb）の上面が露出するコンタクトホールＨＬｄを形成する。
【００６１】
次いで、図７（ｃ）に示すように、上記コンタクトホールＨＬｄに金属材料からなるコンタクトメタルＭＴＬを埋め込む。ここで、コンタクトメタルＭＴＬは、例えば無電解めっき法等を用いて、銅（Ｃｕ）等の金属材料を堆積して形成される厚膜を適用することができる。その後、図８（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに、当該コンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された画素電極１５を形成する。
【００６２】
画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の少なくとも何れかを含む金属または合金等からなる光反射特性を有する反射金属膜をスパッタリング法等を用いて薄膜形成し、所定の形状にパターニングすることによりコンタクトメタルＭＴＬに電気的に接続された下層の反射金属層１５ａを形成する。その後、当該反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明電極材料からなる（光透過特性を有する）酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層１５ａの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより上層の導電性酸化金属層１５ｂを形成する。
【００６３】
このように、上層の酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層１５ａとの間でエッチャントによる電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００６４】
次いで、反射金属層１５ａ及び導電性酸化金属層１５ｂからなる上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなる絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図８（ｂ）に示すように、行方向に沿って互いに隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５との間の領域（隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）において、列方向に沿うように、後述するバンク１８の最下層となる下地層１８ｘを形成する。下地層１８ｘは、図１において、供給電圧ラインＬｃと略同一形状であり、表示画素ＰＩＸの画素形成領域が複数のストライプ形状に開口されるように形成されている。
【００６５】
次いで、図９（ａ）に示すように、下地層１８ｘ上に、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は、これらを主成分とした金属単体又は合金等の低抵抗の非酸化金属材料からなるバンクメタル層１８ａ（供給電圧ラインＬｃ）を、表示画素ＰＩＸの画素形成領域が複数のストライプ形状に開口されるように形成する。バンクメタル層１８ａは表面が非酸化金属材料であれば、内部が非酸化金属材料以外の材料を含んでいてもよい。
【００６６】
具体的には、上記下地層１８ｘを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、例えばスパッタ法や真空蒸着法等を用いて上記金属材料の薄膜を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて下地層１８ｘ上に所定のパターンを有して残留させることによりバンクメタル層１８ａを形成する。バンクメタル層１８ａは、列方向に延在している部分において、行方向の両側部から下地層１８ｘが露出するように行方向の幅が下地層１８ｘよりも幅狭に形成されている。下地層１８ｘは、平坦化膜１４とバンクメタル層１８ａとの間の密着性を改善するために介在された層であり、その熱膨張係数は、平坦化膜１４の熱膨張係数とバンクメタル層１８ａの熱膨張係数との間であることが好ましい。
【００６７】
これにより、図１に示すように、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層１６の形成領域）Ｒpxがバンクメタル層１８ａ及び下地層１８ｘからなるバンク１８により周囲を囲まれて画定され、当該画素形成領域Ｒpxごとに画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）の上面が露出した状態となる。
【００６８】
次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等を施すことにより、上記バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面（及び、画素電極１５の周辺領域に露出する下地層１８ｘ表面を含むものであってもよい）の親液化を行う。親液化処理の際にバンクメタル層１８ａの表面の一部は酸化されてしまい、このままでは、バンクメタル層１８ａの表面に後述する撥液化処理を行うことができないため、バンクメタル層１８ａの表面の酸化膜を除去する。次いで、酸化膜が除去されたバンクメタル層１８ａの表面に選択的に撥液化処理を施す。
【００６９】
ここで、画素電極１５の親液化処理の一例であるＵＶオゾン処理においては、酸素ガス雰囲気中で絶縁性基板１１に対して紫外光を照射することにより、活性酸素ラジカルを発生させて、画素電極１５（ＩＴＯ等からなる導電性酸化金属層）の表面を、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒に対して濡れ性が向上するように親液化（親水化）する。
【００７０】
また、酸化膜除去処理は、上述したバンク１８が一面側に形成された絶縁性基板１１を過硫酸アンモニウム等の酸系の水溶液に浸漬することにより、バンクメタル層１８ａの表面をソフトエッチングして表面の酸化膜を除去した後、純水で洗浄し、乾燥させる。次いで行われるバンクメタル層１８ａの撥液化処理は、具体的には、絶縁性基板１１をトリアジントリチオール又は官能基にフッ素を含むフッ素系トリアジンジチオール誘導体等のトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液の処理槽内に挿入して浸漬する。この処理工程における撥液処理溶液の温度は概ね２０〜３０℃程度、浸漬時間は概ね数十秒〜１０分程度に設定する。その後、絶縁性基板１１を撥液処理溶液から取り出し、アルコール等により濯いで絶縁性基板１１表面に残留する撥液処理溶液（トリアジンチオール化合物）を洗い流し、絶縁性基板１１を純水で２次洗浄した後、窒素ガス（Ｎ２）のブローにより乾燥させる。
【００７１】
このとき、トリアジンチオール化合物は、酸化膜除去処理で酸化膜が除去されたバンクメタル層１８ａ表面の金属と選択的に結合して被膜が形成されることになるが、画素電極１５表面の金属酸化物（導電性酸化金属層１５ｂ）や、下地層１８ｘを形成する無機絶縁膜には撥液性を発現する程度には被膜されない。
【００７２】
すなわち、トリアジンチオール化合物の一例として適用可能なフッ素系トリアジンジチオール誘導体は、図１１（ａ）に示すように、トリアジン（３個の窒素を含む六員環構造）の窒素（−Ｎ）にチオール基（−ＳＨ）が結合した分子構造に加え、特定のチオール基（−ＳＨ）のＳ原子にアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）及びフッ化アルキル基（−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ３）が順次結合した分子構造を有し、他のトリアジンチオール化合物と同様に、図１１（ｂ）に示すように、それ自体が撥液性を示すトリアジントリチオールに加えてさらに撥液性を示すフッ素原子を含んでいるので、バンクメタル層１８ａの表面に形成される被膜は、トリアジントリチオールよりも強い撥液性を示す。なお、上述した処理工程において使用する撥液処理溶液の濃度は、概ね１×１０−４〜１×１０−２mol／Ｌの範囲が好ましい。
【００７３】
なお、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、チオール基のＳ原子がアルキル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）と結合した分子構造を有しているが、直接フッ化アルキル基と結合してもよく、またトリアジンチオール化合物がバンクメタル層１８ａに被覆される際に著しい立体障害にならない限りアルキル基、フッ化アルキル基の炭素数に特別な制限はない。また、上記フッ素系トリアジンジチオール誘導体は、残る二つのチオール基の一つのＳ原子において、水素基に代わって直接又は間接的にフッ化アルキル基が置換形成されていてもよく、或いはフッ素原子を含む基の炭素間がオレフィン二重結合を有していてもよい。また、その他のトリアジンチオール誘導体として、例えば、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩或いは６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を用い、水に溶解して被膜１８ｃを被膜してもよい。
【００７４】
これにより、絶縁性基板１１の一面側に形成された各構成のうち、親液化処理によって形成された酸化膜を酸化膜除去処理によって除去された、金属材料からなるバンクメタル層１８ａの表面では、トリアジンチオール化合物との結合性が著しく向上しているので、撥液性を十分に示す程度にトリアジンチオール化合物の被膜が形成され、一方、酸化金属層（ＩＴＯ等）１５ｂにより被覆された画素電極１５の表面及び下地層１８ｘの表面、画素電極１５間から露出した平坦化膜１４（或いは保護絶縁膜１３）には付着しにくく、被膜がほとんど形成されない。したがって、同一の絶縁性基板１１上において、バンクメタル層１８ａの表面のみが撥液化処理され、当該バンク１８により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１５表面は撥液化処理されていない状態（親液性が保持された状態）が実現される。
【００７５】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下になる状態と規定する。
【００７６】
また、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxが、撥液化処理されたバンク１８により、隣接する他の色の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxと隔離されるので、後述する有機ＥＬ層１６となる発光層（電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液（液状材料）を塗布する場合であっても、バンク１８を越えて隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。
【００７７】
次いで、図９（ｂ）に示すように、上記バンク１８により囲まれた（画定された）各色の画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）Ｒpxに対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、溶液を連続的に流し込むノズルプリント法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥により残留溶媒を除去し正孔輸送層１６ａを形成する。続いて、図１０（ａ）に示すように、当該正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥により残留溶媒を除去し電子輸送性発光層１６ｂを形成する。これにより、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。
【００７８】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、塗布された基板１１を載置するステージ及び／又はステージ上の雰囲気を１００℃以上の温度条件で加熱乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。
【００７９】
ここで、画素電極１５及びその周辺の下地層１８ｘの表面は、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（画素電極１５上）に充分馴染んで均等に広がる。
【００８０】
これにより、後述するように、有機化合物含有液を加熱乾燥処理する際に、当該有機化合物含有液が縁辺領域方向に引っ張られながら乾燥するので、正孔輸送層１６ａが画素電極１５の中央表面上で盛り上がりすぎることがないため、膜厚の均一性が向上する。また、バンクメタル層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８１】
また、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水や或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中でステージを加熱或いは１Torr以下の減圧雰囲気下でステージ上の雰囲気を加熱して乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。
【００８２】
この場合においても、上述した正孔輸送層１６ａと同様に、画素電極１５上の正孔輸送層１６ａ及びその周辺の下地層１８ｘの表面は、上記有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１８により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は当該領域内（正孔輸送層１６ａ上）に充分馴染んで均等に広がる。
【００８３】
これにより、後述するように、有機化合物含有液を加熱乾燥処理する際に、当該有機化合物含有液が縁辺領域方向に引っ張られながら乾燥するので、正孔輸送層１６ａ上に形成される電子輸送性発光層１６ｂの膜厚の均一性が向上する。また、バンクメタル層１８ａの表面は、上記有機化合物含有液に対して撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域への有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８４】
その後、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等により電子注入層となるカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）、マグネシウム、フッ化リチウム等の金属材料からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。
【００８５】
また、対向電極１７は、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）を画定するバンク１８上にまで延在する単一の導電層として形成されるとともに、バンク１８を形成するバンクメタル層１８ａと電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８を形成するバンクメタル層１８ａを各表示画素ＰＩＸに共通に接続された共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとして適用することができる。このように、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）間に対向電極１７と等電位のバンクメタル層１８ａを網羅することによってカソード全体のシート抵抗を下げ、表示パネル１０全体で均一な表示特性にすることができる。
【００８６】
次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層１９をＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、封止蓋や封止基板２０を接合する（貼り合わせる）ことにより、図５、図６に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。
【００８７】
なお、上述した実施形態においては、有機ＥＬ層１６が正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
また、上記実施形態では、画素電極１５をアノードとしたが、これに限らずカソードとしてもよい。このとき、有機ＥＬ層１６は、画素電極１５に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
【００８８】
（比較検証）
次に、上述した本発明に係る表示装置の製造方法に特有の作用効果について、具体的に検証する。
図１２は、ＵＶオゾン処理における紫外光の照射時間と純水接触角との関係を示す実験データであり、図１３は、親液化処理後のソフトエッチングの処理時間と撥液化処理後の純水接触角との関係を示す実験データである。ここで、図１２（ａ）及び図１３（ａ）は、各実験により得られた数値データの表であり、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）は、図１２（ａ）及び図１３（ａ）に示した数値データをグラフ化したものである。
【００８９】
上述した実施形態においては、一面側に突出して配設されたバンク１８により、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxが画定された絶縁性基板１１において、ＵＶオゾン処理等により親液化処理した後、過硫酸アンモニウム等の酸系の水溶液に浸漬してバンク１８の表面にソフトエッチングを施し、その後、トリアジンチオール化合物等の撥液処理溶液に浸漬してバンク表面にトリアジンチオール化合物の被膜を形成し、撥液化することにより、絶縁性基板１１上に親液性を示す領域（画素電極表面）と、撥液性を示す領域（バンク表面）とを共存させた親疎水パターンを形成する製造方法を示した。
【００９０】
ここで、絶縁性基板上に親疎水パターンを形成する方法としては、上述した実施形態に示した製造方法の他に、例えば撥液処理溶液に絶縁性基板を浸漬してバンク表面を撥液化した後、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等により各画素形成領域に露出する画素電極（導電性酸化金属層）表面を親液化する手法（以下、便宜的に「第１の比較例」と記す）が考えられる。
【００９１】
このような製造方法においては、先の工程において撥液化したバンク表面に形成された撥液性の被膜（トリアジンチオール化合物の被膜）が、親液化処理の際のＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理により分解されて、バンク表面の撥液性が低下してしまい、有機化合物含有液を塗布する際に、隣接する画素形成領域（有機ＥＬ素子）に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたりする等の問題を有している。
【００９２】
このような問題を回避する手法としては、例えばＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等により各画素形成領域の画素電極を親液化した後、バンク表面をソフトエッチングすることなしに撥液処理溶液に絶縁性基板を浸漬してバンク表面に撥液性の被膜を形成させて撥液化する製造方法（以下、便宜的に「第２の比較例」と記す）が考えられる。
【００９３】
この場合、バンク（又はバンク表面）を形成する金属材料として、銅や銀、又はこれらを主成分とする低抵抗の合金を適用した場合、ＵＶオゾン処理や酸素プラズマ処理等によりこれらの金属の表面に形成された酸化膜を除去していないので、後続する撥液化処理において撥液性の被膜（トリアジンチオール化合物の被膜）が形成されにくくなったり、有機ＥＬ層上に形成される対向電極（例えばカソード電極）とバンクとの接合性が低下して接触抵抗が高くなる等の問題を有している。特に、バンクを形成する金属材料として、低抵抗で比較的安価な銅を適用した場合、銀を適用した場合に比較して酸化されやすく、撥液化処理におけるトリアジンチオール化合物の結合が極端に起こりにくくなり、撥液性の被膜が充分に形成されず撥液性が著しく低下する傾向がある。
【００９４】
ここで、上記第１及び第２の比較例において、各々バンクを形成する金属材料として、銅を用い、親液化処理としてＵＶオゾン処理を適用した場合の純水接触角を測定すると、表１に示すように、銅をトリアジンチオール化合物の撥液処理溶液に浸漬して被膜を形成し撥液化した後、ＵＶオゾン処理を施す第１の比較例においては、純水接触角が７３．２°となり、また、銅をＵＶオゾン処理した後、バンク表面をソフトエッチングすることなしに撥液処理溶液に浸漬して撥液化する第２の比較例においては、純水接触角が５４．５°となり、いずれの場合においても純水接触角が比較的低くく、撥液性が低下することが判明した。
【００９５】
【表１】
【００９６】
一方、上述した実施形態にも示したように、画素電極上に形成される有機ＥＬ層（正孔輸送層）の材料として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の有機化合物含有液を適用した場合、当該溶液の塗布乾燥工程において凝集しやすく、形成される正孔輸送層の膜厚が不均一になりやすいという特性を有している。ここで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを適用した正孔輸送層の膜厚を均一化するためには、画素電極（導電性酸化金属層）の表面の純水接触角を概ね１０°以下になるように親液化処理を行う必要がある。
【００９７】
このような観点に基づいて、上述した実施形態に示した製造方法における各処理工程ごとの純水接触角を検証すると、まず、絶縁性基板に対してＵＶオゾン処理を施し、画素電極（導電性酸化金属層）表面を親液化する処理においては、図３に示すように、紫外光の照射時間（ＵＶ照射時間）が長くなるほど、画素電極表面の純水接触角が１０°以下にまで低くなり、上述したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対する親液性が向上することが判明した。
【００９８】
ここで、上記純水接触角の測定は、具体的には、親液化処理として、フィルジェン株式会社製のＵＶオゾンクリーナー（型式：ＮＬ−ＵＶ２５３）を用い、酸素注入条件として流量１０Ｌ／ｍｉｎ、注入時間０．３ｍｉｎに設定し、画素電極表面に形成されるＩＴＯ膜（導電性酸化金属層）をＵＶオゾン処理したものを用いた。
【００９９】
これにより、絶縁性基板（ＩＴＯ膜からなる導電性酸化金属層を備えた画素電極）に対する親液化処理として、概ね４分（ｍｉｎ）以上紫外光を照射することにより１０°以下の純水接触角が得られ、より好ましくは、１０分（ｍｉｎ）程度照射することにより１０°以下の純水接触角が安定的に得られることが判明した。
【０１００】
次いで、上記ＵＶオゾン処理の後、１．０wt％の濃度で、室温程度の液温に設定された過硫酸アンモニウム水溶液に絶縁性基板を浸漬してソフトエッチングを施すことにより、上記ＵＶオゾン処理によりバンクを形成する銅の表面に形成された酸化膜を除去する。その後、トリアジンチオール化合物の撥液処理溶液に浸漬してバンクを形成する銅の表面に撥液性の被膜を形成して撥液化処理を行う。この場合のバンク（銅）表面の純水接触角は、図１３に示すように、ソフトエッチングの処理時間（過硫酸アンモニウム水溶液への浸漬時間）が長くなるほど上昇し、上述した表１に示したように、ソフトエッチングを行わずに撥液化処理を行った場合の純水接触角（７３．２°、５４．５°）に比較して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対して充分な撥液性を示す１３０°程度に設定されることが判明した。
【０１０１】
これにより、絶縁性基板上に配設されたバンク（銅）に対する撥液化処理に先立って実行するソフトエッチングとして、概ね１０秒以上過硫酸アンモニウム水溶液に浸漬することにより１３０°程度の純水接触角が安定的に得られることが判明した。
また、この撥液化処理を行った後の画素電極（ＩＴＯ膜）表面の純粋接触角は、図１３に示すように、ソフトエッチングの処理時間に関わらず、略一定（概ね９〜１１°程度）となり、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに対する充分な親液性を維持していることが判明した。
【０１０２】
このように、金属材料により形成されたバンクにより各表示画素（有機ＥＬ素子）の形成領域が画定された絶縁性基板（パネル基板）において、ＵＶオゾン処理等により画素形成領域（画素電極）の親液化処理を行い、その後、バンク表面のソフトエッチングを施した後、トリアジンチオール化合物の被膜を形成して撥液化する製造方法によれば、画素形成領域に露出する画素電極（ＩＴＯ膜）表面における純水接触角を概ね１０°以下として良好な親液性を実現することができるとともに、当該画素形成領域を画定するバンク表面における純水接触角を概ね１３０°以上として良好な撥液性を実現することができるので、有機ＥＬ層を形成するための有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）を絶縁性基盤上に塗布する工程において、有機化合物含有液が画素電極上の全域に充分馴染んで広がり膜厚が均一化された有機ＥＬ層（発光機能層）を形成することができるとともに、隣接する画素形成領域（有機ＥＬ素子）に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止することができる。
【０１０３】
また、ＵＶオゾン処理等による親液化処理によりバンク表面に形成される酸化膜が、撥液化処理前のソフトエッチングにより除去されるので、有機ＥＬ層の形成後に各画素形成領域（画素電極）に共通に設けられる対向電極と上記バンクとの接合性が向上して、良好な電気的な接続を実現することができる。
【０１０４】
したがって、発光動作時における発光開始電圧や、有機ＥＬ層から放射される光の波長（色度）の設計値からのずれを抑制して、所望の表示画質を得ることできるとともに、有機ＥＬ素子の劣化や接続不良の発生を抑制して、信頼性や寿命に優れた表示パネルを実現することができる。
【０１０５】
なお、上述した比較検証においては、画素電極の親液化処理としてＵＶオゾン処理を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＵＶオゾン処理と同様に、プラズマ中で酸素ラジカルを発生させて、画素電極（ＩＴＯ等からなる導電性酸化金属層）の表面を親液化（親水化）する酸素プラズマ処理により親液化処理を施す場合であっても、上記実験データと略同等の結果が得られ、同等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】本実施形態に係る表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。
【図５】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。
【図６】本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。
【図７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図８】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図１１】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に形成されるバンク表面の被膜材料の化学構造式及び被膜材料がバンクメタル層に被膜した状態での結合を示す概念図である。
【図１２】ＵＶオゾン処理における紫外光の照射時間と純水接触角との関係を示す実験データである。
【図１３】親液化処理後のソフトエッチングの処理時間と撥液化処理後の純水接触角との関係を示す実験データである。
【符号の説明】
【０１０７】
１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 導電性酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
１８ バンク
１８ｘ 下地層
１８ａ バンクメタル層
ＰＩＸ 表示画素
Ｒpx 画素形成領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上にそれぞれ画素電極が設けられた前記複数の表示画素の形成領域間に隔壁を形成する工程と、
前記画素電極表面を親液化する工程と、
前記隔壁の表面をエッチングする工程と、
前記隔壁の表面を撥液化する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記画素電極表面を親液化する工程は、ＵＶオゾン処理又は酸素プラズマ処理により、少なくとも前記画素電極表面を、前記担体輸送層を形成する担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁の表面をエッチングする工程は、前記画素電極表面を親液化する処理の際に少なくとも前記隔壁の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁の表面を撥液化する工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、少なくとも前記隔壁の表面に前記トリアジンチオール化合物を結合させて、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極は、表面が導電性の酸化金属層により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁は、少なくとも表面が低抵抗の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記表示画素の形成領域は、前記隔壁により画定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記担体輸送層は、前記画素形成領域に露出する前記画素電極上に形成されることを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記親液化された前記画素電極上に、前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して、前記担体輸送層を形成する工程と、
前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在して電気的に接続された単一の対向電極を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素を備えた表示装置の製造方法において、
基板上にそれぞれ画素電極が設けられた前記複数の表示画素の形成領域間に隔壁を形成する工程と、
前記画素電極表面を親液化する工程と、
前記隔壁の表面をエッチングする工程と、
前記隔壁の表面を撥液化する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記画素電極表面を親液化する工程は、ＵＶオゾン処理又は酸素プラズマ処理により、少なくとも前記画素電極表面を、前記担体輸送層を形成する担体輸送性材料を含む溶液に対して親液化することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記隔壁の表面をエッチングする工程は、前記画素電極表面を親液化する処理の際に少なくとも前記隔壁の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記隔壁の表面を撥液化する工程は、トリアジンチオール化合物の溶液に前記基板を浸漬し、少なくとも前記隔壁の表面に前記トリアジンチオール化合物を結合させて、前記担体輸送性材料を含む溶液に対して撥液性を有する被膜を形成することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極は、表面が導電性の酸化金属層により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁は、少なくとも表面が低抵抗の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記表示画素の形成領域は、前記隔壁により画定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記担体輸送層は、前記画素形成領域に露出する前記画素電極上に形成されることを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記親液化された前記画素電極上に、前記担体輸送性材料を含む溶液を塗布、乾燥して、前記担体輸送層を形成する工程と、
前記担体輸送層を介して前記複数の表示画素の前記画素電極に共通に対向し、かつ、前記撥液化された前記隔壁上に延在して電気的に接続された単一の対向電極を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００７−３２３９６３（Ｐ２００７−３２３９６３Ａ）
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１５２９６４（Ｐ２００６−１５２９６４）
【出願日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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