表示装置及びその製造方法
【課題】製造プロセスを増やすことなく、オイルに対する耐性の高いバンプを形成することを目的とする。
【解決手段】第３上面６８を囲むように樹脂層５０を貫通する切れ目７６が形成されている。膜５２は、切れ目７６の内側では樹脂層５０の底面を除く全体を覆い、切れ目７６の外側では樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように形成する。切れ目７６の内側では膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０を残し、切れ目７６の外側では膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体を除去する。切れ目７６の内側に樹脂層５０及び膜５２からバンプ４８を形成し、切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で膜５２からシャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。
【解決手段】第３上面６８を囲むように樹脂層５０を貫通する切れ目７６が形成されている。膜５２は、切れ目７６の内側では樹脂層５０の底面を除く全体を覆い、切れ目７６の外側では樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように形成する。切れ目７６の内側では膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０を残し、切れ目７６の外側では膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体を除去する。切れ目７６の内側に樹脂層５０及び膜５２からバンプ４８を形成し、切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で膜５２からシャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）は、液晶ディスプレイに取って代わると期待されているディスプレイである（特許文献１参照）。このディスプレイは、偏光を利用した液晶シャッタ方式とは異なり、機械シャッタ方式によって光の透過窓を開閉することで画像を表示する。シャッタは薄膜からなり、１画素を構成するシャッタの縦横サイズは数100μｍオーダで厚みが数μｍオーダである。１シャッタの開閉により、１画素のオンオフ動作が可能となる。シャッタは、静電引力によって動作するようになっている。
【０００３】
シャッタは一対の光透過性基板の間にシールで囲まれたスペースに配置され、このスペースはオイルで満たされている。オイルは、シャッタの駆動のためのバネのくっつきを防止し、光透過性基板との光屈折率の差を小さくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一対の光透過性基板間のギャップは、両者間にバンプを配置することで維持されている。バンプは、シャッタ及びその駆動機構が形成された一方の光透過性基板に形成された台座と、これに対向する他方の光透過性基板に形成された支柱と、を対向させて構成されている。台座は、シャッタと同時に形成することができるので、シャッタを構成する材料で被覆することができ、オイルに対する耐性が高くなる。これに対して、支柱は、樹脂が露出しているため、その成分がオイル中に溶出し重合物が生成されるという問題があった。
【０００６】
本発明は、製造プロセスを増やすことなく、オイルに対する耐性の高いバンプを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る表示装置の製造方法は、第１基板に、バンプ、シャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための駆動部を含む構造物を形成する工程と、前記第１基板に対向するように第２基板を配置する工程と、前記第１基板及び前記第２基板の間にオイルを充填する工程と、を含み、前記構造物を形成する工程は、パターニングされた樹脂層を前記第１基板に形成する工程と、前記シャッタ及び前記駆動部を形成するための材料であって前記樹脂層よりも前記オイルに対する耐性の高い材料でパターニングされた膜を前記樹脂層上に形成する工程と、前記膜を残して前記樹脂層の一部を除去する工程と、を含み、前記樹脂層は、最も低い第１上面と、前記第１上面よりも高い第２上面と、最も高い第３上面と、前記第１上面から底面に下がる第１側面と、前記第１上面から前記第２上面に上がる第２側面と、を有し、前記第３上面を囲むように前記樹脂層を貫通する切れ目が形成され、前記膜は、前記切れ目の内側では前記樹脂層の前記底面を除く全体を覆い、前記切れ目の外側では前記樹脂層の少なくとも一部が露出するように形成し、前記樹脂層の一部を除去する工程では、前記切れ目の内側では前記膜に全体的に覆われた前記樹脂層を残し、前記切れ目の外側では前記膜からの露出面から連続する前記樹脂層の全体を除去し、前記構造物を形成する工程で、前記切れ目の内側に前記樹脂層及び前記膜によって前記バンプを形成し、前記切れ目の外側に前記膜によって前記シャッタと前記駆動部の少なくとも一部とを形成することを特徴とする。本発明によれば、バンプの内部を構成する樹脂層は、その底面を除く全体が、樹脂層よりもオイルに対する耐性の高い材料からなる膜で覆われているので、オイルに樹脂層の成分が溶出しないようになっている。また、膜は、シャッタ及び駆動部と同時に形成するので、製造プロセスを増やすこともない。
【０００８】
（２）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第２フォトレジスト層上に第３フォトレジスト層を形成する工程と、前記第３フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第１上面よりも高い中間上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第１上面上に前記第２上面を有する部分が配置され、前記中間上面上に前記第３上面を有する部分が配置されるようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第３上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１１】
（５）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１２】
（６）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第３上面の形成領域を除去して、前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、前記第１基板上及びパターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１３】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、前記第３上面が形成される前記フォトリソグラフィで、前記第３上面の周縁部を形成する領域では、現像液に対する溶解度が、前記第３上面の中央部を形成する領域より高く、前記切れ目を形成する領域よりも低くなるように、多諧調マスクを使用した露光を行い、前記第３上面の前記周縁部を斜めに下がるように形成することを特徴としてもよい。
【００１４】
（８）本発明に係る表示装置は、第１基板と、前記第１基板に形成されたシャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための、前記シャッタと接続された駆動部と、間隔をあけて前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に配置されたバンプと、前記第１基板及び前記第２基板の間に充填されたオイルと、を有し、前記バンプは、前記第１基板に形成された樹脂層と、前記樹脂層の底面を除く全体を覆う膜と、を含み、前記シャッタ及び前記駆動部は、前記膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする。前記膜は、前記オイルに対する耐性が、前記樹脂層よりも高いことを特徴としてもよい。本発明によれば、バンプの内部を構成する樹脂層は、その底面を除く全体が、樹脂層よりもオイルに対する耐性の高い材料からなる膜で覆われているので、オイルに樹脂層の成分が溶出しないようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図２】シャッタ及びその駆動部の斜視図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｃ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｄ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｅ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｆ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｇ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｈ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｉ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｊ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｋ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｌ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｂ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｃ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｄ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｅ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｆ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ａ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｂ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｃ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｄ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｅ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ａ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｂ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｃ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｄ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｅ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ａ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｂ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｃ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｄ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｅ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の実施形態の変形例に係る表示装置を説明する図である。
【図１０】本発明の実施形態の他の変形例に係る表示装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。表示装置は、光透過性の第１基板１０（例えばガラス基板）と、光透過性の第２基板１２（例えばガラス基板）と、を有する。第１基板１０及び第２基板１２は、間隔をあけて対向するように配置されている。第１基板１０は、図示しない薄膜トランジスタや配線などが形成された回路基板又はＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板である。第１基板１０には、複数（多数）のシャッタ１４が設けられている。シャッタ１４は、図示しない薄膜トランジスタや配線などの上に設けられている。
【００１８】
図２は、シャッタ及びその駆動部の斜視図である。シャッタ１４は、無機材料からなる。図１に示すシャッタ１４は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８とを含む膜５２から構成されている。シャッタ１４は、駆動開口２０を有するプレートである。また、シャッタ１４には、強度を高めるために凹部２２が形成されているが、この凹部２２は貫通していない。駆動開口２０を光が通過し、駆動開口２０以外の部分で光を遮断する。駆動開口２０は一方向に長い形状になっている。なお、光は、第１基板１０に重ねられたバックライト２４から供給される。
【００１９】
シャッタ１４は、第１バネ２６に支持されて第１基板１０から浮くようになっている。複数（図２では４つ）の第１バネ２６によってシャッタ１４が支持されている。第１バネ２６は、第１アンカー部２８で第１基板１０に固定されている。
【００２０】
第１バネ２６は、弾性変形可能な材料からなる。第１バネ２６は、厚みの薄い板状をなしており、厚み方向を横方向（第１基板１０の板面に平行な方向）に向けて、幅方向を上下方向（第１基板１０の板面に垂直な方向）に向けて配置されている。これにより、第１バネ２６は、その厚み方向である横方向に変形できるようになっている。
【００２１】
第１バネ２６は、シャッタ１４から離れる方向（駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向）に延びる第１部３０と、駆動開口２０の長さ方向に沿った方向であって駆動開口２０の長さ方向の中央から外方向に向かって延びる第２部３２と、さらにシャッタ１４から離れる方向（駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向）に延びる第３部３４と、を有する。そして、シャッタ１４は、図２に矢印で示すように、駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向に移動できるように第１バネ２６に支持されている。
【００２２】
第１基板１０には、第２アンカー部３６に支持された第２バネ３８が設けられている。第２バネ３８も、弾性変形可能な材料からなる。第２バネ３８は、厚みの薄い板状をなしており、厚み方向を横方向（第１基板１０の板面に平行な方向）に向けて、幅方向を上下方向（第１基板１０の板面に垂直な方向）に向けて配置されている。これにより、第２バネ３８は、その厚み方向である横方向に変形できるようになっている。また、第２バネ３８は、ループ状になっており、第２アンカー部３６から延びた帯状部が、屈曲して折り返されて、同じ第２アンカー部３６に戻るようになっている。
【００２３】
第２バネ３８は、第１バネ２６の第２部３２よりもシャッタ１４から離れた側で、この第２部３２に対向するようになっている。第２アンカー部３６に電圧を印加し、第１バネ２６の第２部３２との電位差によって生じる静電引力によって、第２部３２が第２アンカー部３６に引き寄せられるようになっている。第２部３２が引き寄せられると、第２部３２と一体的な第１部３０を介して、シャッタ１４も引き寄せられる。つまり、第１バネ２６及び第２バネ３８は、シャッタ１４を機械的に駆動するための駆動部４０を構成するためのものである。
【００２４】
駆動部４０は、シャッタ１４の少なくとも一部と同じ材料から形成されている。例えば、第１バネ２６及び第２バネ３８は、シャッタ１４を構成する膜５２の一部（例えばアモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６）から構成されている。駆動部４０のその他の部分は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８とを含む膜から構成してもよい。
【００２５】
第２基板１２には遮光膜４２が形成されている。遮光膜４２には、固定開口４４が形成されている。シャッタ１４の上述した駆動開口２０と遮光膜４２の固定開口４４は、対向する位置に配置されており、両者が連通すれば光が通過し、シャッタ１４の移動によって遮光膜４２の固定開口４４が遮蔽されると光が遮断される。言い換えると、遮光膜４２の固定開口４４への光の通過及び遮断を制御するように、シャッタ１４は機械的に駆動される。対応する１つの駆動開口２０及び１つの固定開口４４によって１画素が構成され、多数の画素によって画像が表示されるようになっている。そのため、複数（多数）のシャッタ１４が設けられている。シャッタ１４及び駆動部４０は、駆動開口２０及び固定開口４４を通過する光の有無及び強弱によって画像を表示する表示領域に配置されている。
【００２６】
第１基板１０及び第２基板１２は、図示しないシール材によって間隔をあけて固定されている。シール材は第１基板１０及び第２基板１２の対向面同士に密着している。第１基板１０及び第２基板１２の間（図示しないシール材によって封止された空間）にはオイル４６（例えばシリコーンオイル）が満たされている。シャッタ１４及び駆動部４０は、オイル４６内に配置されている。オイル４６によってシャッタ１４及び駆動部４０の動きによる振動を抑えることができ、第１バネ２６と第２バネ３８のくっつきも防止することができる。第１基板１０及び第２基板１２がガラスからなる場合、ガラスと屈折率の近いオイル４６を使用すれば、オイル４６を満たすことで、第１基板１０及び第２基板１２との界面での光の反射を減らすことができる。
【００２７】
表示装置は、第１基板１０及び第２基板１２間の間隔を保持するバンプ４８を有する。バンプ４８は、第１基板１０に形成された樹脂層５０を有する。樹脂層５０の底面を除く全体は、膜５２によって覆われている。膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０を形成するための材料からなる。例えば、膜５２は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８と、を含む。これらの材料は、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性が高い。バンプ４８もオイル４６内に配置されている。図１に示すバンプ４８は、第２基板１２との間に隙間が形成される高さで形成されており、バンプ４８と遮光膜４２との間にオイル４６が入るようになっている。したがって、バンプ４８の上面もオイル４６に接触している。第１基板１０及び第２基板１２が接近するような力が加えられると、バンプ４８が遮光膜４２に当たって、それ以上両基板が接近しないようになっている。但し、バンプ４８は、バンプ４８の上面が第２基板１２、或いは第２基板１２に形成された遮光膜４２に接するように形成してもよい。
【００２８】
本実施形態によれば、バンプ４８の内部を構成する樹脂層５０は、その底面（第１基板１０に密着する面）を除く全体が、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料からなる膜５２で覆われているので、オイル４６に樹脂層５０の成分が溶出しないようになっている。
【００２９】
次に、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。
【００３０】
［第１の実施形態］
図３Ａ〜図３Ｌは、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００３１】
図３Ａに示すように、第１基板１０上に第１フォトレジスト層５４を形成する。第１フォトレジスト層５４は、感光性を有する樹脂である。第１フォトレジスト層５４は、上述したシャッタ１４の浮く高さに対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第１フォトレジスト層５４の厚みは、シャッタ１４の浮く高さと同じかそれ以上である。また、第１フォトレジスト層５４は、駆動部４０の第１基板１０から浮いた状態の部分（例えば第１バネ２６及び第２バネ３８）の浮く高さに対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第１フォトレジスト層５４の厚みは、第１バネ２６及び第２バネ３８の浮く高さと同じかそれ以上である。なお、図１に示すように、シャッタ１４の下端（凹部２２の反対面）と第１バネ２６及び第２バネ３８の下端とは、同じ高さにある。
【００３２】
図３Ｂに示すように、第１フォトレジスト層５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィは露光と現像を含む。露光では、図示しないマスクを介して、第１フォトレジスト層５４に部分的に光を照射する。これにより、第１フォトレジスト層５４が、現像液に溶解する部分と溶解しにくい部分とを有するようになる。現像を行うことで、第１フォトレジスト層５４はパターニングされる。パターニングされた第１フォトレジスト層５４は、第１上面５６を有する。第１上面５６は、第１基板１０から浮かせて配置する部材（例えばシャッタ１４並びに第１バネ２６及び第２バネ３８）を形成するための面である。したがって、第１上面５６の高さ位置（第１基板１０の上面からの高さ位置。以下、同じ。）は、シャッタ１４の下端（最も低い面）及び第１バネ２６及び第２バネ３８の下端の高さ位置になる。なお、第１フォトレジスト層５４は硬化処理されることで収縮するので、第１上面５６の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第１フォトレジスト層５４の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第１切れ目５８を第１フォトレジスト層５４に形成する。
【００３３】
図３Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層５４上に第２フォトレジスト層６０を形成する。第２フォトレジスト層６０も、感光性を有する樹脂前駆体である。第２フォトレジスト層６０は、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向の幅に対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第２フォトレジスト層６０の厚みは、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向の幅と同じかそれ以上である。また、シャッタ１４に凹部２２を形成するときには、第２フォトレジスト層６０は、凹部２２の深さ（正確には、下に突出する凹部２２の突出下面から凹部２２の周囲の部分の下面までの高さの差）に対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第２フォトレジスト層６０の厚みは、凹部２２の深さと同じかそれ以上である。
【００３４】
図３Ｄに示すように、第２フォトレジスト層６０をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィの詳細は上述した通りである。パターニングされた第２フォトレジスト層６０は、第２上面６２を有する。第１上面５６から第２上面６２までの高さは、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向に幅に相当する。また、第１上面５６から第２上面６２までの高さは、シャッタ１４の凹部２２の深さに相当する。なお、第２フォトレジスト層６０も硬化処理されることで収縮するので、第２上面６２の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第２フォトレジスト層６０の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第２切れ目６４を第２フォトレジスト層６０に形成する。
【００３５】
図３Ｅに示すように、パターニングされた第２フォトレジスト層６０上に第３フォトレジスト層６６を形成する。第３フォトレジスト層６６も、感光性を有する樹脂前駆体である。第３フォトレジスト層６６は、その上面がバンプ４８の樹脂層５０の上面の高さ位置（第１基板１０の上面からの高さ位置）に到達する厚みを少なくとも有する。
【００３６】
図３Ｆに示すように、第３フォトレジスト層６６をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィの詳細は上述した通りである。パターニングされた第３フォトレジスト層６６は、第３上面６８を有する。第１基板１０の上面から第３上面６８までの高さは、バンプ４８の樹脂層５０の高さである。なお、第３フォトレジスト層６６も硬化処理されることで収縮するので、第３上面６８の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第３フォトレジスト層６６の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第３切れ目７０を第３フォトレジスト層６６に形成する。
【００３７】
こうして、第１フォトレジスト層５４、第２フォトレジスト層６０及び第３フォトレジスト層６６から樹脂層５０を形成する。つまり、パターニングされた樹脂層５０を第１基板１０に形成する。樹脂層５０は、最も低い第１上面５６を有する。樹脂層５０は、第１上面５６よりも高い第２上面６２を有する。樹脂層５０は、最も高い第３上面６８を有する。樹脂層５０は、第１上面５６から底面に下がる第１側面７２を有する。樹脂層５０は、第１上面５６から第２上面６２に上がる第２側面７４を有する。樹脂層５０には、第３上面６８を囲むように貫通する切れ目７６が形成されている。切れ目７６は、第１フォトレジスト層５４、第２フォトレジスト層６０及び第３フォトレジスト層６６にそれぞれ形成された第１切れ目５８、第２切れ目６４及び第３切れ目７０が連通して形成されている。
【００３８】
図３Ｇに示すように、膜５２を、樹脂層５０上及び第１基板１０上に形成する。膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０を形成するための材料であって、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料（無機材料など）から形成する。例えば、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６を形成し、その上にアルミニウムなどの金属からなる第２膜１８を形成する。
【００３９】
図３Ｈに示すように、エッチングレジスト７８を膜５２上に形成する。エッチングレジスト７８のパターニングにもリソグラフィを適用することができる。パターニングされたエッチングレジスト７８は、シャッタ１４及び駆動部４０並びにバンプ４８を形成する領域を覆う。
【００４０】
図３Ｉに示すように、ウエットエッチングを適用して、金属からなる第２膜１８をエッチングする。ウエットエッチングの等方性によって、エッチングレジスト７８から露出した第２膜１８は除去される。
【００４１】
図３Ｊに示すように、ドライエッチングを適用して、半導体からなる第１膜１６をエッチングする。ドライエッチングの異方性によって、樹脂層５０の上面（第１上面５６及び第２上面６２）の第１膜１６は除去されるが、樹脂層５０の側面（第２側面７４）の第１膜１６は除去されずに残る。
【００４２】
図３Ｋに示すように、エッチングレジスト７８を除去する。シャッタ１４を形成する領域では、樹脂層５０の第１上面５６、第１側面７２及び第２上面６２の上に膜５２（第１膜１６及び第２膜１８）が残されている。第１バネ２６及び第２バネ３８を形成する領域では、それぞれ、樹脂層５０の第２側面７４に膜５２（第１膜１６）が残されている。樹脂層５０の切れ目７６の内側では、樹脂層５０の底面を除く全体を覆うように膜５２（第１膜１６及び第２膜１８）が残されている。樹脂層５０の切れ目７６の外側では、樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように膜５２が残る。
【００４３】
図３Ｌに示すように、膜５２から露出した樹脂層５０を除去する。除去には例えばアッシングを適用することができる。樹脂層５０の除去は、上述したエッチングレジスト７８の除去と同時に行ってもよい。これにより、膜５２を残して樹脂層５０の一部を除去することができる。樹脂層５０の切れ目７６の内側では、膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０が残る。樹脂層５０の切れ目７６の外側では、膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体が除去される。
【００４４】
切れ目７６の内側に、樹脂層５０及び膜５２から成るバンプ４８を形成する。切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で、膜５２から、シャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。こうして、第１基板１０に、バンプ４８、シャッタ１４及びシャッタ１４を機械的に駆動するための駆動部４０を含む構造物を形成する。
【００４５】
その後、図１に示すように、バンプ４８を介して、第１基板１０に対向するように第２基板１２を配置する。第１基板１０及び第２基板１２の間にオイル４６を充填する。
【００４６】
本実施形態によれば、バンプ４８の内部を構成する樹脂層５０は、その底面を除く全体が、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料からなる膜５２で覆われているので、オイル４６に樹脂層５０の成分が溶出しないようになっている。また、膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０と同時に形成するので、製造プロセスを増やすこともない。
【００４７】
［第２の実施形態］
図４Ａ〜図４Ｆは、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００４８】
図４Ａに示すように、第１基板２１０上に、後述する第１上面２５６の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層２５４を形成する。好ましくは、第１フォトレジスト層２５４は、その上面が、硬化収縮したときに後述する第２上面２６２の高さ位置と同じになる厚みで形成する。
【００４９】
図４Ｂに示すように、第１フォトレジスト層２５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィは、多諧調露光（例えばハーフトーン露光）を含む。詳しくは、光の透過領域２８２と、光の半透過領域２８４と、遮光領域２８６と、を有するマスク２８０を使用して露光を行う。半透過領域２８４は、透過領域２８２よりも光の透過率が低い領域であればよく、その透過率は５０％に限らない。第１フォトレジスト層２５４は、ポジ型であれば、透過領域２８２を通る光が照射された領域は厚み方向の全体が現像液に溶解しやすくなり、半透過領域２８４を通る光が照射された領域は厚み方向の一部が現像液に溶解しやすくなる。光が照射されない領域は現像液に溶解しにくくなっている。なお、第１フォトレジスト層２５４は、ネガ型を適用することもできるがその詳細はポジ型と同様に周知であるため説明を省略する。
【００５０】
図４Ｃに示すように、現像を行って、第１フォトレジスト層２５４を、第１上面２５６及び第１上面２５６よりも高い中間上面２８８を有するようにパターニングする。中間上面２８８は後述する第２上面２６２と同じ高さであってもよい。本実施形態によれば、多諧調露光を適用することで、一度のフォトリソグラフィで、二段階の高さの上面（第１上面２５６及び中間上面２８８）を形成することができるので、プロセスを簡略化することができる。
【００５１】
図４Ｄに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層２５４上に第２フォトレジスト層２６０を形成する。第２フォトレジスト層２６０は、中間上面２８８の上方で、第３上面２６８の高さ位置に至る厚みで形成する。
【００５２】
図４Ｅに示すように、第２フォトレジスト層２６０を、フォトリソグラフィによってパターニングする。詳しくは、第１フォトレジスト層２５４の第１上面２５６上に、第２フォトレジスト層２６０の一部から第２上面２６２を有する部分を形成する。また、第１フォトレジスト層２５４の中間上面２８８上に、第２フォトレジスト層２６０の一部から第３上面２６８を有する部分を形成する。以上のプロセスによって、第１上面２５６、第２上面２６２及び第３上面２６８を有する樹脂層２５０を形成する。樹脂層２５０上に膜２５２を形成し、これをパターニングし、図４Ｆに示すように、第１基板２１０に、バンプ２４８、シャッタ２１４及びシャッタ２１４を機械的に駆動するための駆動部２４０を含む構造物を形成する。
【００５３】
本実施形態のその他の詳細については、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００５４】
［第３の実施形態］
図５Ａ〜図５Ｅは、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００５５】
図５Ａに示すように、第１基板３１０上に、後述する第３上面３６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層３５４を形成する。
【００５６】
図５Ｂに示すように、第１フォトレジスト層３５４を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第１上面３５６及び第３上面３６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。
【００５７】
図５Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層３５４上に第２フォトレジスト層３６０を形成する。第１上面３５６の上方では、第２フォトレジスト層３６０は、その上面が、後述する第２上面３６２の高さ位置と同じかそれ以上の高さ位置になる厚みで形成する。
【００５８】
図５Ｄに示すように、第２フォトレジスト層３６０を、フォトリソグラフィによって、第２上面３６２を有するようにパターニングする。以上のプロセスによって、第１上面３５６、第２上面３６２及び第３上面３６８を有する樹脂層３５０を形成する。そして、樹脂層３５０上に膜３５２を形成し、これをパターニングし、図５Ｅに示すように、第１基板３１０に、バンプ３４８、シャッタ３１４及びシャッタ３１４を機械的に駆動するための駆動部３４０を含む構造物を形成する。
【００５９】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００６０】
［第４の実施形態］
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００６１】
図６Ａに示すように、第１基板４１０上に、その上面が、後述する第１上面４５６の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層４５４を形成する。
【００６２】
図６Ｂに示すように、第１フォトレジスト層４５４をフォトリソグラフィによって第１上面４５６を有するようにパターニングする。
【００６３】
図６Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層４５４上に、上面が高従する第３上面４６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層４６０を形成する。
【００６４】
図６Ｄに示すように、第２フォトレジスト層４６０を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第２上面４６２及び第３上面４６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。以上のプロセスによって、第１上面４５６、第２上面４６２及び第３上面４６８を有する樹脂層４５０を形成する。そして、樹脂層４５０上に膜４５２を形成し、これをパターニングし、図６Ｅに示すように、第１基板４１０に、バンプ４４８、シャッタ４１４及びシャッタ４１４を機械的に駆動するための駆動部４４０を含む構造物を形成する。
【００６５】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００６６】
［第５の実施形態］
図７Ａ〜図７Ｅは、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００６７】
図７Ａに示すように、第１基板５１０上に、上面が、後述する第１上面５５６の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層５５４を形成する。
【００６８】
図７Ｂに示すように、第１フォトレジスト層５５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。パターニングによって、第１フォトレジスト層５５４を第３上面５６８の形成領域５６８ａから除去する。また、第１フォトレジスト層５５４は、第１上面５５６を有するようにパターニングする。
【００６９】
図７Ｃに示すように、第１基板５１０上及びパターニングされた第１フォトレジスト層５５４上に、上面が、後述する第３上面５６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層５６０を形成する。
【００７０】
図７Ｄに示すように、第２フォトレジスト層５６０を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第２上面５６２及び第３上面５６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。以上のプロセスによって、第１上面５５６、第２上面５６２及び第３上面５６８を有する樹脂層５５０を形成する。そして、樹脂層５５０上に膜５５２を形成し、これをパターニングし、図７Ｅに示すように、第１基板５１０に、バンプ５４８、シャッタ５１４及びシャッタ５１４を機械的に駆動するための駆動部５４０を含む構造物を形成する。
【００７１】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００７２】
［応用例］
図８Ａ〜図８Ｂは、本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【００７３】
上述した実施形態では、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングするので、例えば図４Ｅに示すように、第３上面２６８の周縁部には角が形成されている。第２フォトレジスト層２６０がポストベークによって収縮すると、第３上面２６８の中央が窪み、周縁部の角が立ち上がる形状になる。この形状の第３上面に膜を形成して得られたバンプは、周縁部のみが支持機能を果たすのでその周縁部に応力が集中するという問題があった。
【００７４】
そこで、本例では、図８Ａに示すように、バンプ１４８の内部を構成する樹脂層１５０の第３上面１６８の周縁部１６８ａを丸くし、その上に膜１５２を形成した。こうすることで、周縁部１６８ａへの応力の集中を避けることができ、バンプ１４８の強度を高めることができる。
【００７５】
図８Ｂは、周縁部が丸くなった形状の第３上面を形成する方法を説明するための図である。この例では、第３上面１６８を形成するフォトリソグラフィで多諧調露光を行う。使用される多諧調マスク１８０は、光の透過領域１８２と、光の半透過領域１８４と、遮光領域１８６と、を有する。半透過領域１８４は、透過領域１８２よりも光の透過率が低い領域であればよく、その透過率は５０％に限らない。
【００７６】
フォトレジスト層がポジ型であれば、厚み方向の全体を除去する領域の上方に、多諧調マスク１８０の光の透過領域１８２を配置し、除去しない領域の上方に遮光領域１８６を配置する。そして、第３上面１６８の周縁部１６８ａの上方に半透過領域１８４を配置する。
【００７７】
第３上面１６８の周縁部１６８ａを形成する領域では、現像液に対する溶解度が、第３上面１６８の中央部を形成する領域より高く、切れ目１７６を形成する領域よりも低くなる。これにより、第３上面１６８の周縁部１６８ａを斜めに下がるように（例えば丸く）形成することができる。本応用例の内容は、上述したいずれの実施形態にも適用することができる。
【００７８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、図１から図８Ｂにおいては、バンプ４８と第２基板１２との間に隙間が形成されている構成としているが、バンプ４８は、図９に示すようにバンプ４８の上面が第２基板１２に形成された遮光膜４２に接するように形成してもよいし、図１０に示すようにバンプ４８の上面が第２基板１２に接するように形成してもよい。また、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 第１基板、１２ 第２基板、１４ シャッタ、１６ 第１膜、１８ 第２膜、２０ 駆動開口、２２ 凹部、２４ バックライト、２６ 第１バネ、２８ 第１アンカー部、３０ 第１部、３２ 第２部、３４ 第３部、３６ 第２アンカー部、３８ 第２バネ、４０ 駆動部、４２ 遮光膜、４４ 固定開口、４６ オイル、４８ バンプ、５０ 樹脂層、５２ 膜、５４ 第１フォトレジスト層、５６ 第１上面、５８ 第１切れ目、６０ 第２フォトレジスト層、６２ 第２上面、６４ 第２切れ目、６６ 第３フォトレジスト層、６８ 第３上面、７０ 第３切れ目、７２ 第１側面、７４ 第２側面、７６ 切れ目、７８ エッチングレジスト、１４８ バンプ、１５０ 樹脂層、１５２ 膜、１６８ 第３上面、１７６ 切れ目、１８０ 多諧調マスク、１８２ 透過領域、１８４ 半透過領域、１８６ 遮光領域、２１０ 第１基板、２１４ シャッタ、２４０ 駆動部、２４８ バンプ、２５０ 樹脂層、２５２ 膜、２５４ 第１フォトレジスト層、２５６ 第１上面、２６０ 第２フォトレジスト層、２６２ 第２上面、２６８ 第３上面、２８０ マスク、２８２ 透過領域、２８４ 半透過領域、２８６ 遮光領域、２８８ 中間上面、３１０ 第１基板、３１４ シャッタ、３４０ 駆動部、３４８ バンプ、３５０ 樹脂層、３５２ 膜、３５４ 第１フォトレジスト層、３５６ 第１上面、３６０ 第２フォトレジスト層、３６２ 第２上面、３６８ 第３上面、４１０ 第１基板、４１４ シャッタ、４４０ 駆動部、４４８ バンプ、４５０ 樹脂層、４５２ 膜、４５４ 第１フォトレジスト層、４５６ 第１上面、４６０ 第２フォトレジスト層、４６２ 第２上面、４６８ 第３上面、５１０ 第１基板、５１４ シャッタ、５４０ 駆動部、５４８ バンプ、５５０ 樹脂層、５５２ 膜、５５４ 第１フォトレジスト層、５５６ 第１上面、５６０ 第２フォトレジスト層、５６２ 第２上面、５６８ 第３上面。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）は、液晶ディスプレイに取って代わると期待されているディスプレイである（特許文献１参照）。このディスプレイは、偏光を利用した液晶シャッタ方式とは異なり、機械シャッタ方式によって光の透過窓を開閉することで画像を表示する。シャッタは薄膜からなり、１画素を構成するシャッタの縦横サイズは数100μｍオーダで厚みが数μｍオーダである。１シャッタの開閉により、１画素のオンオフ動作が可能となる。シャッタは、静電引力によって動作するようになっている。
【０００３】
シャッタは一対の光透過性基板の間にシールで囲まれたスペースに配置され、このスペースはオイルで満たされている。オイルは、シャッタの駆動のためのバネのくっつきを防止し、光透過性基板との光屈折率の差を小さくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一対の光透過性基板間のギャップは、両者間にバンプを配置することで維持されている。バンプは、シャッタ及びその駆動機構が形成された一方の光透過性基板に形成された台座と、これに対向する他方の光透過性基板に形成された支柱と、を対向させて構成されている。台座は、シャッタと同時に形成することができるので、シャッタを構成する材料で被覆することができ、オイルに対する耐性が高くなる。これに対して、支柱は、樹脂が露出しているため、その成分がオイル中に溶出し重合物が生成されるという問題があった。
【０００６】
本発明は、製造プロセスを増やすことなく、オイルに対する耐性の高いバンプを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る表示装置の製造方法は、第１基板に、バンプ、シャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための駆動部を含む構造物を形成する工程と、前記第１基板に対向するように第２基板を配置する工程と、前記第１基板及び前記第２基板の間にオイルを充填する工程と、を含み、前記構造物を形成する工程は、パターニングされた樹脂層を前記第１基板に形成する工程と、前記シャッタ及び前記駆動部を形成するための材料であって前記樹脂層よりも前記オイルに対する耐性の高い材料でパターニングされた膜を前記樹脂層上に形成する工程と、前記膜を残して前記樹脂層の一部を除去する工程と、を含み、前記樹脂層は、最も低い第１上面と、前記第１上面よりも高い第２上面と、最も高い第３上面と、前記第１上面から底面に下がる第１側面と、前記第１上面から前記第２上面に上がる第２側面と、を有し、前記第３上面を囲むように前記樹脂層を貫通する切れ目が形成され、前記膜は、前記切れ目の内側では前記樹脂層の前記底面を除く全体を覆い、前記切れ目の外側では前記樹脂層の少なくとも一部が露出するように形成し、前記樹脂層の一部を除去する工程では、前記切れ目の内側では前記膜に全体的に覆われた前記樹脂層を残し、前記切れ目の外側では前記膜からの露出面から連続する前記樹脂層の全体を除去し、前記構造物を形成する工程で、前記切れ目の内側に前記樹脂層及び前記膜によって前記バンプを形成し、前記切れ目の外側に前記膜によって前記シャッタと前記駆動部の少なくとも一部とを形成することを特徴とする。本発明によれば、バンプの内部を構成する樹脂層は、その底面を除く全体が、樹脂層よりもオイルに対する耐性の高い材料からなる膜で覆われているので、オイルに樹脂層の成分が溶出しないようになっている。また、膜は、シャッタ及び駆動部と同時に形成するので、製造プロセスを増やすこともない。
【０００８】
（２）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第２フォトレジスト層上に第３フォトレジスト層を形成する工程と、前記第３フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第１上面よりも高い中間上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第１上面上に前記第２上面を有する部分が配置され、前記中間上面上に前記第３上面を有する部分が配置されるようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第３上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１１】
（５）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１２】
（６）（１）に記載された表示装置の製造方法において、パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、前記第１フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第３上面の形成領域を除去して、前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、前記第１基板上及びパターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、を含むことを特徴としてもよい。
【００１３】
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、前記第３上面が形成される前記フォトリソグラフィで、前記第３上面の周縁部を形成する領域では、現像液に対する溶解度が、前記第３上面の中央部を形成する領域より高く、前記切れ目を形成する領域よりも低くなるように、多諧調マスクを使用した露光を行い、前記第３上面の前記周縁部を斜めに下がるように形成することを特徴としてもよい。
【００１４】
（８）本発明に係る表示装置は、第１基板と、前記第１基板に形成されたシャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための、前記シャッタと接続された駆動部と、間隔をあけて前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に配置されたバンプと、前記第１基板及び前記第２基板の間に充填されたオイルと、を有し、前記バンプは、前記第１基板に形成された樹脂層と、前記樹脂層の底面を除く全体を覆う膜と、を含み、前記シャッタ及び前記駆動部は、前記膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする。前記膜は、前記オイルに対する耐性が、前記樹脂層よりも高いことを特徴としてもよい。本発明によれば、バンプの内部を構成する樹脂層は、その底面を除く全体が、樹脂層よりもオイルに対する耐性の高い材料からなる膜で覆われているので、オイルに樹脂層の成分が溶出しないようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図２】シャッタ及びその駆動部の斜視図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｃ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｄ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｅ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｆ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｇ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｈ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｉ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｊ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｋ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図３Ｌ】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｂ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｃ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｄ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｅ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４Ｆ】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ａ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｂ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｃ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｄ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５Ｅ】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ａ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｂ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｃ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｄ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６Ｅ】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ａ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｂ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｃ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｄ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７Ｅ】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の実施形態の変形例に係る表示装置を説明する図である。
【図１０】本発明の実施形態の他の変形例に係る表示装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。表示装置は、光透過性の第１基板１０（例えばガラス基板）と、光透過性の第２基板１２（例えばガラス基板）と、を有する。第１基板１０及び第２基板１２は、間隔をあけて対向するように配置されている。第１基板１０は、図示しない薄膜トランジスタや配線などが形成された回路基板又はＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板である。第１基板１０には、複数（多数）のシャッタ１４が設けられている。シャッタ１４は、図示しない薄膜トランジスタや配線などの上に設けられている。
【００１８】
図２は、シャッタ及びその駆動部の斜視図である。シャッタ１４は、無機材料からなる。図１に示すシャッタ１４は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８とを含む膜５２から構成されている。シャッタ１４は、駆動開口２０を有するプレートである。また、シャッタ１４には、強度を高めるために凹部２２が形成されているが、この凹部２２は貫通していない。駆動開口２０を光が通過し、駆動開口２０以外の部分で光を遮断する。駆動開口２０は一方向に長い形状になっている。なお、光は、第１基板１０に重ねられたバックライト２４から供給される。
【００１９】
シャッタ１４は、第１バネ２６に支持されて第１基板１０から浮くようになっている。複数（図２では４つ）の第１バネ２６によってシャッタ１４が支持されている。第１バネ２６は、第１アンカー部２８で第１基板１０に固定されている。
【００２０】
第１バネ２６は、弾性変形可能な材料からなる。第１バネ２６は、厚みの薄い板状をなしており、厚み方向を横方向（第１基板１０の板面に平行な方向）に向けて、幅方向を上下方向（第１基板１０の板面に垂直な方向）に向けて配置されている。これにより、第１バネ２６は、その厚み方向である横方向に変形できるようになっている。
【００２１】
第１バネ２６は、シャッタ１４から離れる方向（駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向）に延びる第１部３０と、駆動開口２０の長さ方向に沿った方向であって駆動開口２０の長さ方向の中央から外方向に向かって延びる第２部３２と、さらにシャッタ１４から離れる方向（駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向）に延びる第３部３４と、を有する。そして、シャッタ１４は、図２に矢印で示すように、駆動開口２０の長さ方向に交差（例えば直交）する方向に移動できるように第１バネ２６に支持されている。
【００２２】
第１基板１０には、第２アンカー部３６に支持された第２バネ３８が設けられている。第２バネ３８も、弾性変形可能な材料からなる。第２バネ３８は、厚みの薄い板状をなしており、厚み方向を横方向（第１基板１０の板面に平行な方向）に向けて、幅方向を上下方向（第１基板１０の板面に垂直な方向）に向けて配置されている。これにより、第２バネ３８は、その厚み方向である横方向に変形できるようになっている。また、第２バネ３８は、ループ状になっており、第２アンカー部３６から延びた帯状部が、屈曲して折り返されて、同じ第２アンカー部３６に戻るようになっている。
【００２３】
第２バネ３８は、第１バネ２６の第２部３２よりもシャッタ１４から離れた側で、この第２部３２に対向するようになっている。第２アンカー部３６に電圧を印加し、第１バネ２６の第２部３２との電位差によって生じる静電引力によって、第２部３２が第２アンカー部３６に引き寄せられるようになっている。第２部３２が引き寄せられると、第２部３２と一体的な第１部３０を介して、シャッタ１４も引き寄せられる。つまり、第１バネ２６及び第２バネ３８は、シャッタ１４を機械的に駆動するための駆動部４０を構成するためのものである。
【００２４】
駆動部４０は、シャッタ１４の少なくとも一部と同じ材料から形成されている。例えば、第１バネ２６及び第２バネ３８は、シャッタ１４を構成する膜５２の一部（例えばアモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６）から構成されている。駆動部４０のその他の部分は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８とを含む膜から構成してもよい。
【００２５】
第２基板１２には遮光膜４２が形成されている。遮光膜４２には、固定開口４４が形成されている。シャッタ１４の上述した駆動開口２０と遮光膜４２の固定開口４４は、対向する位置に配置されており、両者が連通すれば光が通過し、シャッタ１４の移動によって遮光膜４２の固定開口４４が遮蔽されると光が遮断される。言い換えると、遮光膜４２の固定開口４４への光の通過及び遮断を制御するように、シャッタ１４は機械的に駆動される。対応する１つの駆動開口２０及び１つの固定開口４４によって１画素が構成され、多数の画素によって画像が表示されるようになっている。そのため、複数（多数）のシャッタ１４が設けられている。シャッタ１４及び駆動部４０は、駆動開口２０及び固定開口４４を通過する光の有無及び強弱によって画像を表示する表示領域に配置されている。
【００２６】
第１基板１０及び第２基板１２は、図示しないシール材によって間隔をあけて固定されている。シール材は第１基板１０及び第２基板１２の対向面同士に密着している。第１基板１０及び第２基板１２の間（図示しないシール材によって封止された空間）にはオイル４６（例えばシリコーンオイル）が満たされている。シャッタ１４及び駆動部４０は、オイル４６内に配置されている。オイル４６によってシャッタ１４及び駆動部４０の動きによる振動を抑えることができ、第１バネ２６と第２バネ３８のくっつきも防止することができる。第１基板１０及び第２基板１２がガラスからなる場合、ガラスと屈折率の近いオイル４６を使用すれば、オイル４６を満たすことで、第１基板１０及び第２基板１２との界面での光の反射を減らすことができる。
【００２７】
表示装置は、第１基板１０及び第２基板１２間の間隔を保持するバンプ４８を有する。バンプ４８は、第１基板１０に形成された樹脂層５０を有する。樹脂層５０の底面を除く全体は、膜５２によって覆われている。膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０を形成するための材料からなる。例えば、膜５２は、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６と、アルミニウムなどの金属からなる第２膜１８と、を含む。これらの材料は、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性が高い。バンプ４８もオイル４６内に配置されている。図１に示すバンプ４８は、第２基板１２との間に隙間が形成される高さで形成されており、バンプ４８と遮光膜４２との間にオイル４６が入るようになっている。したがって、バンプ４８の上面もオイル４６に接触している。第１基板１０及び第２基板１２が接近するような力が加えられると、バンプ４８が遮光膜４２に当たって、それ以上両基板が接近しないようになっている。但し、バンプ４８は、バンプ４８の上面が第２基板１２、或いは第２基板１２に形成された遮光膜４２に接するように形成してもよい。
【００２８】
本実施形態によれば、バンプ４８の内部を構成する樹脂層５０は、その底面（第１基板１０に密着する面）を除く全体が、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料からなる膜５２で覆われているので、オイル４６に樹脂層５０の成分が溶出しないようになっている。
【００２９】
次に、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。
【００３０】
［第１の実施形態］
図３Ａ〜図３Ｌは、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００３１】
図３Ａに示すように、第１基板１０上に第１フォトレジスト層５４を形成する。第１フォトレジスト層５４は、感光性を有する樹脂である。第１フォトレジスト層５４は、上述したシャッタ１４の浮く高さに対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第１フォトレジスト層５４の厚みは、シャッタ１４の浮く高さと同じかそれ以上である。また、第１フォトレジスト層５４は、駆動部４０の第１基板１０から浮いた状態の部分（例えば第１バネ２６及び第２バネ３８）の浮く高さに対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第１フォトレジスト層５４の厚みは、第１バネ２６及び第２バネ３８の浮く高さと同じかそれ以上である。なお、図１に示すように、シャッタ１４の下端（凹部２２の反対面）と第１バネ２６及び第２バネ３８の下端とは、同じ高さにある。
【００３２】
図３Ｂに示すように、第１フォトレジスト層５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィは露光と現像を含む。露光では、図示しないマスクを介して、第１フォトレジスト層５４に部分的に光を照射する。これにより、第１フォトレジスト層５４が、現像液に溶解する部分と溶解しにくい部分とを有するようになる。現像を行うことで、第１フォトレジスト層５４はパターニングされる。パターニングされた第１フォトレジスト層５４は、第１上面５６を有する。第１上面５６は、第１基板１０から浮かせて配置する部材（例えばシャッタ１４並びに第１バネ２６及び第２バネ３８）を形成するための面である。したがって、第１上面５６の高さ位置（第１基板１０の上面からの高さ位置。以下、同じ。）は、シャッタ１４の下端（最も低い面）及び第１バネ２６及び第２バネ３８の下端の高さ位置になる。なお、第１フォトレジスト層５４は硬化処理されることで収縮するので、第１上面５６の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第１フォトレジスト層５４の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第１切れ目５８を第１フォトレジスト層５４に形成する。
【００３３】
図３Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層５４上に第２フォトレジスト層６０を形成する。第２フォトレジスト層６０も、感光性を有する樹脂前駆体である。第２フォトレジスト層６０は、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向の幅に対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第２フォトレジスト層６０の厚みは、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向の幅と同じかそれ以上である。また、シャッタ１４に凹部２２を形成するときには、第２フォトレジスト層６０は、凹部２２の深さ（正確には、下に突出する凹部２２の突出下面から凹部２２の周囲の部分の下面までの高さの差）に対応する厚みを少なくとも有する。すなわち、第２フォトレジスト層６０の厚みは、凹部２２の深さと同じかそれ以上である。
【００３４】
図３Ｄに示すように、第２フォトレジスト層６０をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィの詳細は上述した通りである。パターニングされた第２フォトレジスト層６０は、第２上面６２を有する。第１上面５６から第２上面６２までの高さは、第１バネ２６及び第２バネ３８の高さ方向に幅に相当する。また、第１上面５６から第２上面６２までの高さは、シャッタ１４の凹部２２の深さに相当する。なお、第２フォトレジスト層６０も硬化処理されることで収縮するので、第２上面６２の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第２フォトレジスト層６０の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第２切れ目６４を第２フォトレジスト層６０に形成する。
【００３５】
図３Ｅに示すように、パターニングされた第２フォトレジスト層６０上に第３フォトレジスト層６６を形成する。第３フォトレジスト層６６も、感光性を有する樹脂前駆体である。第３フォトレジスト層６６は、その上面がバンプ４８の樹脂層５０の上面の高さ位置（第１基板１０の上面からの高さ位置）に到達する厚みを少なくとも有する。
【００３６】
図３Ｆに示すように、第３フォトレジスト層６６をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィの詳細は上述した通りである。パターニングされた第３フォトレジスト層６６は、第３上面６８を有する。第１基板１０の上面から第３上面６８までの高さは、バンプ４８の樹脂層５０の高さである。なお、第３フォトレジスト層６６も硬化処理されることで収縮するので、第３上面６８の高さ位置は、硬化処理前の高さ位置よりも若干低くなる。また、第３フォトレジスト層６６の一部は、バンプ４８の樹脂層５０の一部となる。そのため、バンプ４８の樹脂層５０を囲む第３切れ目７０を第３フォトレジスト層６６に形成する。
【００３７】
こうして、第１フォトレジスト層５４、第２フォトレジスト層６０及び第３フォトレジスト層６６から樹脂層５０を形成する。つまり、パターニングされた樹脂層５０を第１基板１０に形成する。樹脂層５０は、最も低い第１上面５６を有する。樹脂層５０は、第１上面５６よりも高い第２上面６２を有する。樹脂層５０は、最も高い第３上面６８を有する。樹脂層５０は、第１上面５６から底面に下がる第１側面７２を有する。樹脂層５０は、第１上面５６から第２上面６２に上がる第２側面７４を有する。樹脂層５０には、第３上面６８を囲むように貫通する切れ目７６が形成されている。切れ目７６は、第１フォトレジスト層５４、第２フォトレジスト層６０及び第３フォトレジスト層６６にそれぞれ形成された第１切れ目５８、第２切れ目６４及び第３切れ目７０が連通して形成されている。
【００３８】
図３Ｇに示すように、膜５２を、樹脂層５０上及び第１基板１０上に形成する。膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０を形成するための材料であって、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料（無機材料など）から形成する。例えば、アモルファスシリコンなどの半導体からなる第１膜１６を形成し、その上にアルミニウムなどの金属からなる第２膜１８を形成する。
【００３９】
図３Ｈに示すように、エッチングレジスト７８を膜５２上に形成する。エッチングレジスト７８のパターニングにもリソグラフィを適用することができる。パターニングされたエッチングレジスト７８は、シャッタ１４及び駆動部４０並びにバンプ４８を形成する領域を覆う。
【００４０】
図３Ｉに示すように、ウエットエッチングを適用して、金属からなる第２膜１８をエッチングする。ウエットエッチングの等方性によって、エッチングレジスト７８から露出した第２膜１８は除去される。
【００４１】
図３Ｊに示すように、ドライエッチングを適用して、半導体からなる第１膜１６をエッチングする。ドライエッチングの異方性によって、樹脂層５０の上面（第１上面５６及び第２上面６２）の第１膜１６は除去されるが、樹脂層５０の側面（第２側面７４）の第１膜１６は除去されずに残る。
【００４２】
図３Ｋに示すように、エッチングレジスト７８を除去する。シャッタ１４を形成する領域では、樹脂層５０の第１上面５６、第１側面７２及び第２上面６２の上に膜５２（第１膜１６及び第２膜１８）が残されている。第１バネ２６及び第２バネ３８を形成する領域では、それぞれ、樹脂層５０の第２側面７４に膜５２（第１膜１６）が残されている。樹脂層５０の切れ目７６の内側では、樹脂層５０の底面を除く全体を覆うように膜５２（第１膜１６及び第２膜１８）が残されている。樹脂層５０の切れ目７６の外側では、樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように膜５２が残る。
【００４３】
図３Ｌに示すように、膜５２から露出した樹脂層５０を除去する。除去には例えばアッシングを適用することができる。樹脂層５０の除去は、上述したエッチングレジスト７８の除去と同時に行ってもよい。これにより、膜５２を残して樹脂層５０の一部を除去することができる。樹脂層５０の切れ目７６の内側では、膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０が残る。樹脂層５０の切れ目７６の外側では、膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体が除去される。
【００４４】
切れ目７６の内側に、樹脂層５０及び膜５２から成るバンプ４８を形成する。切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で、膜５２から、シャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。こうして、第１基板１０に、バンプ４８、シャッタ１４及びシャッタ１４を機械的に駆動するための駆動部４０を含む構造物を形成する。
【００４５】
その後、図１に示すように、バンプ４８を介して、第１基板１０に対向するように第２基板１２を配置する。第１基板１０及び第２基板１２の間にオイル４６を充填する。
【００４６】
本実施形態によれば、バンプ４８の内部を構成する樹脂層５０は、その底面を除く全体が、樹脂層５０よりもオイル４６に対する耐性の高い材料からなる膜５２で覆われているので、オイル４６に樹脂層５０の成分が溶出しないようになっている。また、膜５２は、シャッタ１４及び駆動部４０と同時に形成するので、製造プロセスを増やすこともない。
【００４７】
［第２の実施形態］
図４Ａ〜図４Ｆは、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００４８】
図４Ａに示すように、第１基板２１０上に、後述する第１上面２５６の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層２５４を形成する。好ましくは、第１フォトレジスト層２５４は、その上面が、硬化収縮したときに後述する第２上面２６２の高さ位置と同じになる厚みで形成する。
【００４９】
図４Ｂに示すように、第１フォトレジスト層２５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。フォトリソグラフィは、多諧調露光（例えばハーフトーン露光）を含む。詳しくは、光の透過領域２８２と、光の半透過領域２８４と、遮光領域２８６と、を有するマスク２８０を使用して露光を行う。半透過領域２８４は、透過領域２８２よりも光の透過率が低い領域であればよく、その透過率は５０％に限らない。第１フォトレジスト層２５４は、ポジ型であれば、透過領域２８２を通る光が照射された領域は厚み方向の全体が現像液に溶解しやすくなり、半透過領域２８４を通る光が照射された領域は厚み方向の一部が現像液に溶解しやすくなる。光が照射されない領域は現像液に溶解しにくくなっている。なお、第１フォトレジスト層２５４は、ネガ型を適用することもできるがその詳細はポジ型と同様に周知であるため説明を省略する。
【００５０】
図４Ｃに示すように、現像を行って、第１フォトレジスト層２５４を、第１上面２５６及び第１上面２５６よりも高い中間上面２８８を有するようにパターニングする。中間上面２８８は後述する第２上面２６２と同じ高さであってもよい。本実施形態によれば、多諧調露光を適用することで、一度のフォトリソグラフィで、二段階の高さの上面（第１上面２５６及び中間上面２８８）を形成することができるので、プロセスを簡略化することができる。
【００５１】
図４Ｄに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層２５４上に第２フォトレジスト層２６０を形成する。第２フォトレジスト層２６０は、中間上面２８８の上方で、第３上面２６８の高さ位置に至る厚みで形成する。
【００５２】
図４Ｅに示すように、第２フォトレジスト層２６０を、フォトリソグラフィによってパターニングする。詳しくは、第１フォトレジスト層２５４の第１上面２５６上に、第２フォトレジスト層２６０の一部から第２上面２６２を有する部分を形成する。また、第１フォトレジスト層２５４の中間上面２８８上に、第２フォトレジスト層２６０の一部から第３上面２６８を有する部分を形成する。以上のプロセスによって、第１上面２５６、第２上面２６２及び第３上面２６８を有する樹脂層２５０を形成する。樹脂層２５０上に膜２５２を形成し、これをパターニングし、図４Ｆに示すように、第１基板２１０に、バンプ２４８、シャッタ２１４及びシャッタ２１４を機械的に駆動するための駆動部２４０を含む構造物を形成する。
【００５３】
本実施形態のその他の詳細については、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００５４】
［第３の実施形態］
図５Ａ〜図５Ｅは、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００５５】
図５Ａに示すように、第１基板３１０上に、後述する第３上面３６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層３５４を形成する。
【００５６】
図５Ｂに示すように、第１フォトレジスト層３５４を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第１上面３５６及び第３上面３６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。
【００５７】
図５Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層３５４上に第２フォトレジスト層３６０を形成する。第１上面３５６の上方では、第２フォトレジスト層３６０は、その上面が、後述する第２上面３６２の高さ位置と同じかそれ以上の高さ位置になる厚みで形成する。
【００５８】
図５Ｄに示すように、第２フォトレジスト層３６０を、フォトリソグラフィによって、第２上面３６２を有するようにパターニングする。以上のプロセスによって、第１上面３５６、第２上面３６２及び第３上面３６８を有する樹脂層３５０を形成する。そして、樹脂層３５０上に膜３５２を形成し、これをパターニングし、図５Ｅに示すように、第１基板３１０に、バンプ３４８、シャッタ３１４及びシャッタ３１４を機械的に駆動するための駆動部３４０を含む構造物を形成する。
【００５９】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００６０】
［第４の実施形態］
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００６１】
図６Ａに示すように、第１基板４１０上に、その上面が、後述する第１上面４５６の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層４５４を形成する。
【００６２】
図６Ｂに示すように、第１フォトレジスト層４５４をフォトリソグラフィによって第１上面４５６を有するようにパターニングする。
【００６３】
図６Ｃに示すように、パターニングされた第１フォトレジスト層４５４上に、上面が高従する第３上面４６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層４６０を形成する。
【００６４】
図６Ｄに示すように、第２フォトレジスト層４６０を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第２上面４６２及び第３上面４６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。以上のプロセスによって、第１上面４５６、第２上面４６２及び第３上面４６８を有する樹脂層４５０を形成する。そして、樹脂層４５０上に膜４５２を形成し、これをパターニングし、図６Ｅに示すように、第１基板４１０に、バンプ４４８、シャッタ４１４及びシャッタ４１４を機械的に駆動するための駆動部４４０を含む構造物を形成する。
【００６５】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００６６】
［第５の実施形態］
図７Ａ〜図７Ｅは、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。
【００６７】
図７Ａに示すように、第１基板５１０上に、上面が、後述する第１上面５５６の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層５５４を形成する。
【００６８】
図７Ｂに示すように、第１フォトレジスト層５５４をフォトリソグラフィによってパターニングする。パターニングによって、第１フォトレジスト層５５４を第３上面５６８の形成領域５６８ａから除去する。また、第１フォトレジスト層５５４は、第１上面５５６を有するようにパターニングする。
【００６９】
図７Ｃに示すように、第１基板５１０上及びパターニングされた第１フォトレジスト層５５４上に、上面が、後述する第３上面５６８の高さ位置に至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層５６０を形成する。
【００７０】
図７Ｄに示すように、第２フォトレジスト層５６０を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、第２上面５６２及び第３上面５６８を有するようにパターニングする。その詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。以上のプロセスによって、第１上面５５６、第２上面５６２及び第３上面５６８を有する樹脂層５５０を形成する。そして、樹脂層５５０上に膜５５２を形成し、これをパターニングし、図７Ｅに示すように、第１基板５１０に、バンプ５４８、シャッタ５１４及びシャッタ５１４を機械的に駆動するための駆動部５４０を含む構造物を形成する。
【００７１】
本実施形態のその他の詳細については、第１及び第２の実施形態で説明した内容を適用することができる。
【００７２】
［応用例］
図８Ａ〜図８Ｂは、本発明の実施形態の応用例に係る表示装置及びその製造方法を説明する図である。
【００７３】
上述した実施形態では、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングするので、例えば図４Ｅに示すように、第３上面２６８の周縁部には角が形成されている。第２フォトレジスト層２６０がポストベークによって収縮すると、第３上面２６８の中央が窪み、周縁部の角が立ち上がる形状になる。この形状の第３上面に膜を形成して得られたバンプは、周縁部のみが支持機能を果たすのでその周縁部に応力が集中するという問題があった。
【００７４】
そこで、本例では、図８Ａに示すように、バンプ１４８の内部を構成する樹脂層１５０の第３上面１６８の周縁部１６８ａを丸くし、その上に膜１５２を形成した。こうすることで、周縁部１６８ａへの応力の集中を避けることができ、バンプ１４８の強度を高めることができる。
【００７５】
図８Ｂは、周縁部が丸くなった形状の第３上面を形成する方法を説明するための図である。この例では、第３上面１６８を形成するフォトリソグラフィで多諧調露光を行う。使用される多諧調マスク１８０は、光の透過領域１８２と、光の半透過領域１８４と、遮光領域１８６と、を有する。半透過領域１８４は、透過領域１８２よりも光の透過率が低い領域であればよく、その透過率は５０％に限らない。
【００７６】
フォトレジスト層がポジ型であれば、厚み方向の全体を除去する領域の上方に、多諧調マスク１８０の光の透過領域１８２を配置し、除去しない領域の上方に遮光領域１８６を配置する。そして、第３上面１６８の周縁部１６８ａの上方に半透過領域１８４を配置する。
【００７７】
第３上面１６８の周縁部１６８ａを形成する領域では、現像液に対する溶解度が、第３上面１６８の中央部を形成する領域より高く、切れ目１７６を形成する領域よりも低くなる。これにより、第３上面１６８の周縁部１６８ａを斜めに下がるように（例えば丸く）形成することができる。本応用例の内容は、上述したいずれの実施形態にも適用することができる。
【００７８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、図１から図８Ｂにおいては、バンプ４８と第２基板１２との間に隙間が形成されている構成としているが、バンプ４８は、図９に示すようにバンプ４８の上面が第２基板１２に形成された遮光膜４２に接するように形成してもよいし、図１０に示すようにバンプ４８の上面が第２基板１２に接するように形成してもよい。また、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 第１基板、１２ 第２基板、１４ シャッタ、１６ 第１膜、１８ 第２膜、２０ 駆動開口、２２ 凹部、２４ バックライト、２６ 第１バネ、２８ 第１アンカー部、３０ 第１部、３２ 第２部、３４ 第３部、３６ 第２アンカー部、３８ 第２バネ、４０ 駆動部、４２ 遮光膜、４４ 固定開口、４６ オイル、４８ バンプ、５０ 樹脂層、５２ 膜、５４ 第１フォトレジスト層、５６ 第１上面、５８ 第１切れ目、６０ 第２フォトレジスト層、６２ 第２上面、６４ 第２切れ目、６６ 第３フォトレジスト層、６８ 第３上面、７０ 第３切れ目、７２ 第１側面、７４ 第２側面、７６ 切れ目、７８ エッチングレジスト、１４８ バンプ、１５０ 樹脂層、１５２ 膜、１６８ 第３上面、１７６ 切れ目、１８０ 多諧調マスク、１８２ 透過領域、１８４ 半透過領域、１８６ 遮光領域、２１０ 第１基板、２１４ シャッタ、２４０ 駆動部、２４８ バンプ、２５０ 樹脂層、２５２ 膜、２５４ 第１フォトレジスト層、２５６ 第１上面、２６０ 第２フォトレジスト層、２６２ 第２上面、２６８ 第３上面、２８０ マスク、２８２ 透過領域、２８４ 半透過領域、２８６ 遮光領域、２８８ 中間上面、３１０ 第１基板、３１４ シャッタ、３４０ 駆動部、３４８ バンプ、３５０ 樹脂層、３５２ 膜、３５４ 第１フォトレジスト層、３５６ 第１上面、３６０ 第２フォトレジスト層、３６２ 第２上面、３６８ 第３上面、４１０ 第１基板、４１４ シャッタ、４４０ 駆動部、４４８ バンプ、４５０ 樹脂層、４５２ 膜、４５４ 第１フォトレジスト層、４５６ 第１上面、４６０ 第２フォトレジスト層、４６２ 第２上面、４６８ 第３上面、５１０ 第１基板、５１４ シャッタ、５４０ 駆動部、５４８ バンプ、５５０ 樹脂層、５５２ 膜、５５４ 第１フォトレジスト層、５５６ 第１上面、５６０ 第２フォトレジスト層、５６２ 第２上面、５６８ 第３上面。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板に、バンプ、シャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための駆動部を含む構造物を形成する工程と、
前記第１基板に対向するように第２基板を配置する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板の間にオイルを充填する工程と、
を含み、
前記構造物を形成する工程は、パターニングされた樹脂層を前記第１基板に形成する工程と、前記シャッタ及び前記駆動部を形成するための材料であって前記樹脂層よりも前記オイルに対する耐性の高い材料でパターニングされた膜を前記樹脂層上に形成する工程と、前記膜を残して前記樹脂層の一部を除去する工程と、を含み、
前記樹脂層は、最も低い第１上面と、前記第１上面よりも高い第２上面と、最も高い第３上面と、前記第１上面から底面に下がる第１側面と、前記第１上面から前記第２上面に上がる第２側面と、を有し、前記第３上面を囲むように前記樹脂層を貫通する切れ目が形成され、
前記膜は、前記切れ目の内側では前記樹脂層の前記底面を除く全体を覆い、前記切れ目の外側では前記樹脂層の少なくとも一部が露出するように形成し、
前記樹脂層の一部を除去する工程では、前記切れ目の内側では前記膜に全体的に覆われた前記樹脂層を残し、前記切れ目の外側では前記膜からの露出面から連続する前記樹脂層の全体を除去し、
前記構造物を形成する工程で、前記切れ目の内側に前記樹脂層及び前記膜によって前記バンプを形成し、前記切れ目の外側に前記膜によって前記シャッタと前記駆動部の少なくとも一部とを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第２フォトレジスト層上に第３フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第３フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第１上面よりも高い中間上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第１上面上に前記第２上面を有する部分が配置され、前記中間上面上に前記第３上面を有する部分が配置されるようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第３上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第３上面の形成領域を除去して、前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
前記第１基板上及びパターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記第３上面が形成される前記フォトリソグラフィで、前記第３上面の周縁部を形成する領域では、現像液に対する溶解度が、前記第３上面の中央部を形成する領域より高く、前記切れ目を形成する領域よりも低くなるように、多諧調マスクを使用した露光を行い、前記第３上面の前記周縁部を斜めに下がるように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記膜は、半導体膜と金属膜とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置の製造方法において、
前記半導体膜はアモルファスシリコンであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載された表示装置の製造方法において、
前記金属膜はアルミニウムであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記バンプは、前記第２基板と所定の隙間を有して対向していることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記バンプは、前記第２基板と接して形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板に形成されたシャッタ及び前記シャッタと接続された駆動部と、
間隔をあけて前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置されたバンプと、
前記第１基板及び前記第２基板の間に充填されたオイルと、
を有し、
前記バンプは、前記第１基板に形成された樹脂層と、前記樹脂層の底面を除く全体を覆う膜と、を含み、
前記シャッタ及び前記駆動部は、前記膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示装置において、
前記膜は、前記オイルに対する耐性が、前記樹脂層よりも高いことを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４に記載された表示装置において、
前記膜は、半導体膜と金属膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載された表示装置において、
前記半導体膜はアモルファスシリコンであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６に記載された表示装置において、
前記金属膜はアルミニウムであることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記バンプは、前記第２基板と所定の隙間を有して対向していることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記バンプは、前記第２基板と接して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載された表示装置において、
前記第２基板は、開口が形成された遮光膜を有し、
前記バンプは、前記遮光膜と接して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１】
第１基板に、バンプ、シャッタ及び前記シャッタを機械的に駆動するための駆動部を含む構造物を形成する工程と、
前記第１基板に対向するように第２基板を配置する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板の間にオイルを充填する工程と、
を含み、
前記構造物を形成する工程は、パターニングされた樹脂層を前記第１基板に形成する工程と、前記シャッタ及び前記駆動部を形成するための材料であって前記樹脂層よりも前記オイルに対する耐性の高い材料でパターニングされた膜を前記樹脂層上に形成する工程と、前記膜を残して前記樹脂層の一部を除去する工程と、を含み、
前記樹脂層は、最も低い第１上面と、前記第１上面よりも高い第２上面と、最も高い第３上面と、前記第１上面から底面に下がる第１側面と、前記第１上面から前記第２上面に上がる第２側面と、を有し、前記第３上面を囲むように前記樹脂層を貫通する切れ目が形成され、
前記膜は、前記切れ目の内側では前記樹脂層の前記底面を除く全体を覆い、前記切れ目の外側では前記樹脂層の少なくとも一部が露出するように形成し、
前記樹脂層の一部を除去する工程では、前記切れ目の内側では前記膜に全体的に覆われた前記樹脂層を残し、前記切れ目の外側では前記膜からの露出面から連続する前記樹脂層の全体を除去し、
前記構造物を形成する工程で、前記切れ目の内側に前記樹脂層及び前記膜によって前記バンプを形成し、前記切れ目の外側に前記膜によって前記シャッタと前記駆動部の少なくとも一部とを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第２フォトレジスト層上に第３フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第３フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さを超える厚みを有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第１上面よりも高い中間上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第１上面上に前記第２上面を有する部分が配置され、前記中間上面上に前記第３上面を有する部分が配置されるようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第３上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第１上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第２上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層をフォトリソグラフィによって前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
パターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
パターニングされた前記樹脂層を前記第１基板に形成する工程は、
前記第１基板上に、前記第１上面の高さの厚みを少なくとも有する第１フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１フォトレジスト層を、フォトリソグラフィによって、前記第３上面の形成領域を除去して、前記第１上面を有するようにパターニングする工程と、
前記第１基板上及びパターニングされた前記第１フォトレジスト層上に、前記第３上面の高さに至る厚みを少なくとも有する第２フォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２フォトレジスト層を、多諧調露光を含むフォトリソグラフィによって、前記第２上面及び前記第３上面を有するようにパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記第３上面が形成される前記フォトリソグラフィで、前記第３上面の周縁部を形成する領域では、現像液に対する溶解度が、前記第３上面の中央部を形成する領域より高く、前記切れ目を形成する領域よりも低くなるように、多諧調マスクを使用した露光を行い、前記第３上面の前記周縁部を斜めに下がるように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記膜は、半導体膜と金属膜とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置の製造方法において、
前記半導体膜はアモルファスシリコンであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載された表示装置の製造方法において、
前記金属膜はアルミニウムであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記バンプは、前記第２基板と所定の隙間を有して対向していることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記バンプは、前記第２基板と接して形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板に形成されたシャッタ及び前記シャッタと接続された駆動部と、
間隔をあけて前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置されたバンプと、
前記第１基板及び前記第２基板の間に充填されたオイルと、
を有し、
前記バンプは、前記第１基板に形成された樹脂層と、前記樹脂層の底面を除く全体を覆う膜と、を含み、
前記シャッタ及び前記駆動部は、前記膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示装置において、
前記膜は、前記オイルに対する耐性が、前記樹脂層よりも高いことを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４に記載された表示装置において、
前記膜は、半導体膜と金属膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載された表示装置において、
前記半導体膜はアモルファスシリコンであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６に記載された表示装置において、
前記金属膜はアルミニウムであることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記バンプは、前記第２基板と所定の隙間を有して対向していることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記バンプは、前記第２基板と接して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載された表示装置において、
前記第２基板は、開口が形成された遮光膜を有し、
前記バンプは、前記遮光膜と接して形成されていることを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図３Ｇ】
【図３Ｈ】
【図３Ｉ】
【図３Ｊ】
【図３Ｋ】
【図３Ｌ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図３Ｇ】
【図３Ｈ】
【図３Ｉ】
【図３Ｊ】
【図３Ｋ】
【図３Ｌ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−２４２７１２（Ｐ２０１２−２４２７１２Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１４３６２（Ｐ２０１１−１１４３６２）
【出願日】平成２３年５月２３日（２０１１．５．２３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２３日（２０１１．５．２３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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