表示装置
【課題】透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置を提供する。
【解決手段】一対の基板と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する表示装置とする。この場合において、一対の電極のうちの一方が、ＩＴＯ粒子修飾電極であることが好ましく、また、メディエータは、銅を含むことが好ましい。
【解決手段】一対の基板と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する表示装置とする。この場合において、一対の電極のうちの一方が、ＩＴＯ粒子修飾電極であることが好ましく、また、メディエータは、銅を含むことが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳細には反射率の高い鏡面表示モードを有するエレクトロクロミック表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビやパソコンモニタ、携帯電話ディスプレイを始めとした情報を表示するための装置（表示装置）は、近年の情報化社会において欠かすことのできない装置である。
【０００３】
表示装置の表示方式は、一般に反射型、透過型、発光型の３つに大きく分けることができる。表示装置を製造する者は、表示装置の製造において、表示装置の置かれる環境を想定して好ましい表示方式を選択するのが一般的である。
【０００４】
ところで近年の表示装置の小型化、薄膜化により表示装置の携帯性が向上し、様々な明るさの環境に携帯移動して表示装置を使用する機会が非常に多くなってきており、ユーザーのニーズも多様化してきている。表示装置のモードとして、例えば、明暗の表示だけでなく、表示画面を鏡面状態にするニーズ等も求められてきている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、一対の基板の一方にミラー層が形成されているエレクトロクロミックミラーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表平１０−５００２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、ミラー層は固定されたものであって、エレクトロクロミック表示素子の鏡面状態を変化させるものに過ぎず、表示装置としての使用については検討しておらず、仮に使用したとしても反射型の表示装置でしか使用できないといった課題がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記課題を鑑み、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点に係る表示装置は、一対の基板と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
以上、本発明により、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る表示装置の概略断面を示す図である。
【図２】メディエータに関する説明のための図である。
【図３】実施形態にかかる表示装置の表示原理を説明する図である。
【図４】実施例に係る表示装置のＩＴＯ電極及びＩＴＯ粒子修飾電極の表面プロファイルを示す図である。
【図５】実施例に係る表示装置の透過スペクトル測定の結果を示す図である。
【図６】実施例に係る表示装置の反射スペクトル測定の結果を示す図である。
【図７】実施例に係る表示装置の透過状態の写真図である。
【図８】実施例に係る表示装置の鏡状態の写真図である。
【図９】実施例に係る表示装置の黒態の写真図である。
【図１０】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１１】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１２】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１３】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る表示装置（以下「本表示装置」という。）１の概略断面を示す図である。図１で示すように、本表示装置１は、一対の基板２、３と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極２１、３１と、一対の電極２１、３１の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層４と、を有する。
【００１４】
本実施形態において一対の基板２、３は、電解質層４を挟み保持するために用いられるものであって、基板２、３の少なくとも一方が透明であればよいが、双方透明であれば、透過型の表示装置を実現することができる。本実施形態では説明のため双方透明な場合で説明する。なお、基板２、３の材料としては、ある程度の硬さ、化学的安定性を有し、安定的に材料層を保持することができる限りにおいて限定されるわけではないが、ガラス、プラスチック、金属、半導体等を採用することができ、透明な基板として用いる場合はガラスやプラスチックを用いることができる。
【００１５】
また本実施形態において、一対の基板２、３のそれぞれには、対向する面側（内側）に電極２１、３１が形成されている。この電極は一対の電極２、３によって挟持される材料層に電圧を印加するために用いられるものである。電極の材料としては、好適な導電性を有する限りにおいて限定されるわけではないが、例えば基板２、３の材質が透明な基板である場合はＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極であることが好ましい。
【００１６】
また本実施形態において、電極２１、３１のいずれか一方が、比較的大きな凹凸が付された粒子修飾電極であり、他方が平滑な電極であることが好ましい。ここで粒子修飾電極とは粒子が電極表面に固定され比較的大きな凹凸が形成された電極をいう。粒子修飾電極の凹凸の大きさとしては限定されるわけではないが、高低差が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にあることが好ましく、例えば、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の粒子を基板に配置、固定したもので実現することができる。粒子の材料としては限定されるわけではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化チタン、ＮｉＯ等を例示することができ、ＩＴＯ、ＩＺＯの粒子、特にＩＴＯであることは導電性を確実にすることができる観点からより好ましい。
【００１７】
また本実施形態に係る電極は、基板上に、表示したい文字などのパターンにあわせた形状として形成してもよく、また、同じ複数の領域毎に区分された電極パターンを複数基板上に並べて形成したものであってもよい。複数の領域毎に区分すると、この各領域を画素とし、画素毎に表示を制御し、複雑な形状の表示にも対応できるといった利点がある。
【００１８】
電極間の距離としては、後に詳述するエレクトロクロミック材料における銀が微粒子として十分析出し、消失する電界を印加することができる限りにおいて限定されるわけではないが、１μｍ以上１０ｍｍ以下が可能であり、望ましくは１μｍ以上１ｍｍ以下の範囲である。
【００１９】
なお本実施形態に係る電極は、それぞれ導電性を有する配線を介して電源に接続されており、この電源のＯＮ、ＯＦＦにより材料層に電圧の印加、印加の解除を制御することができる。
【００２０】
また本実施形態に係る電解質層４は、支持塩としての電解質を含むとともに、銀イオンを含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含んでいる。また本実施形態に係る電解質層４は、上記銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータのほか、これら材料を保持するための溶媒を含んでいる。
【００２１】
本実施形態の電解質層における電解質は、エレクトロクロミック材料の酸化還元等を促進するためものであり支持塩である。電解質は、臭素イオンを含むことが好ましく、例えばＬｉＢｒ、ＫＢｒ、ＮａＢｒ、臭化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＢｒ）等を例示することができる。なお、電解質の濃度としては、限定されるわけではないが、エレクトロクロミック材料の５倍程度含んでいることが好ましく、例えば５ｍＭ以上５Ｍ以下であることは好ましく、より好ましくは２５ｍＭ以上５００ｍＭ以下である。
【００２２】
また本実施形態において溶媒は、上記エレクトロクロミック材料、電気化学発光材料及び電解質を安定的に保持することができる限りにおいて限定されるわけではないが、水等の極性溶媒であってもよいし、極性のない有機溶媒等一般的なものも用いることができる。溶媒としては、限定されるわけではないが、例えばＤＭＳＯを用いることができる。
【００２３】
本実施形態においてエレクトロクロミック材料とは、直流電圧を印加することによって酸化還元反応を起こす材料であり、銀イオンを含む塩であることが好ましい。このエレクトロクロミック材料は酸化還元反応によって銀微粒子を析出、又は消失させ、これに基づく色の変化を生じさせ表示を行なうものである。銀を含むエレクトロクロミック材料としては限定されるわけではないが、ＡｇＮＯ３、ＡｇＣｌＯ４、ＡｇＢｒ、を挙げることができる。なお、エレクトロクロミック材料の濃度については、上記機能を有する限りにおいて特に限定されるわけではなく、材料によって適宜調整が可能であるが、５Ｍ以下であることが望ましく、より望ましくは１ｍＭ〜１Ｍ、さらに望ましくは５ｍＭ〜１００ｍＭである。
【００２４】
本実施形態においてメディエータとは、銀よりも電気化学的に低いエネルギーで酸化還元を行なうことのできる材料をいう。メディエータの酸化体が銀から随時電子を授受することによって酸化による消色反応を補助することができる。この場合のイメージ図を図２に示しておく。なお、メディエータとしては、上記機能を有する限りにおいて限定されるわけではないが、銅（ＩＩ）イオンの塩であることが好ましく、例えばＣｕＣｌ２、ＣｕＳＯ４、ＣｕＢｒ２を挙げることができる。なおメディエータの濃度としては、上記機能を奏する限りにおいて限定されず、また材料によって適宜調整が可能であるが、５ｍＭ以上２０ｍＭ以下であることが望ましく、より望ましくは１５ｍＭ以下である。２０ｍＭ以下とすることで過度の色付きを防止することができる。なお、銀イオンと銅（ＩＩ）イオンの濃度比としては、限定されるわけではないが、銀イオンを１０とした場合、銅（ＩＩ）イオンは１以上３以下の範囲であることが好ましい。
【００２５】
また、本実施形態においては、上記構成要件のほか、例えば増粘剤を加えることができる。増粘剤を加えることでエレクトロクロミック素子のメモリ性を向上させることができる。なお増粘剤の例としては、特に限定されるわけではないが、例えばポリビニルアルコール等を例示することができる。なお増粘剤の濃度としては、特に限定されるわけではないが、例えば５重量％以上２０重量％以下の範囲で含ませておくことは好ましい。
【００２６】
本表示装置は、例えば電圧を引加した状態で反射状態又は黒状態を、電圧を解除した状態で透過状態を実現することができる。本実施形態に係る素子の状態の概念図を図２に示しておく。
【００２７】
本表示装置では、電極間に電圧を印加すると、一方の電極ではエレクトロクロミック中の銀イオンが還元されて銀４１として析出する一方、電圧を解除すると、銀は再び銀イオンとして溶解する。この場合において、銀４１が平滑な電極状に形成されれば鏡状態となり（図３（Ａ））、粒子修飾電極上に形成されれば、光は乱反射され黒状態となる（図３（Ｂ））。なおこの場合において、観測者にとって、平滑な電極が形成される基板が手前、凹凸のある粒子修飾電極が形成された基板が奥側となる。なお、この直流電圧印加の際の電圧の強度としては、一対の基板間の距離、一対の電極間の距離によって適宜調整が可能であり、限定されるものではなく、電界強度として例えば１．０×１０３Ｖ／ｍ以上１．０×１０５Ｖ／ｍ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは１．０×１０４Ｖ／ｍ以下の範囲内である。
【００２８】
以上、本発明により、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置となる。特に本実施形態では、メディエータを有しており、銀よりも低いエネルギーで酸化還元材料が可能となり、繰り返し耐久性が非常に優れたものとなっている。
【実施例】
【００２９】
ここで、実際に上記表示装置について作成し、その効果の確認を行なった。以下説明する。
【００３０】
一対の基板としてガラス基板を用い、一対の電極としてＩＴＯ電極を用い、エレクトロクロミック材料としてＡｇＮＯ３を用い、溶媒としてＤＭＳＯを、支持電解質（対極反応材料）としてＴＢＡＢｒを、メディエータとしてＣｕＣｌ２を用いた。なお本実施例において、一方の電極は平滑なＩＴＯが形成された電極基板（ＩＴＯ電極）とし、他方はＩＴＯ電極上に１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の粒径のＩＴＯ粒子分散液をスピンコート（５００ｒｐｍ×５秒、１５００ｒｐｍ×１５秒）で塗布し、２５０℃で１時間焼成したもの（ＩＴＯ粒子修飾電極）を用いた。また、本実施例において、ＡｇＮＯ３の濃度は５０ｍＭ、ＴＢＡＢｒの濃度は２５０ｍＭ、メディエータの濃度は１０ｍＭとした。また、スペーサーを用い、一対の電極間の距離を５００μｍとして上記電解質層を一対の基板間に挟持させた。図４に、ＩＴＯ電極及びＩＴＯ粒子修飾電極の表面プロファイルを示しておく。
【００３１】
次に、この電極間に、＋２．５Ｖ〜−２．５Ｖの電圧を印加した際の透過スペクトル測定を行った。この結果を図５に示しておく。この結果、＋２．５Ｖ及び−２．５Ｖのいずれの状態においても、光を十分に遮断させていることが確認でき、消色時には十分光を透過できていることが確認できた。
【００３２】
次に、上記電圧を印加した際の反射スペクトルについても測定を行った。この結果を図６に示しておく。この結果、−２．５Ｖでは、十分な反射特性を有している一方、＋２．５Ｖでは、非常に低い反射率を示していることが確認でき、黒状態となっていることが確認できた。即ち、上記の結果から−２．５Ｖでは、反射状態即ち鏡状態を実現でき、＋２．５Ｖでは黒状態、消色時には光透過状態を実現できていることが確認できた。また、このそれぞれの状態における写真図を図７乃至９に示しておく。図７は消色時、図８は反射表示時、図９は黒表示時をそれぞれ示している。
【００３３】
また、−２．５Ｖを１０秒、０．５Ｖを２０秒、２．５Ｖを１０秒、−０．５Ｖを２０秒行なった場合の７００ｎｍの透過率及び反射率を図９に示しておく。この結果、ＩＴＯ電極側では、−２．５Ｖ印加時では反射率が上昇する一方透過率が下がり反射状態であることが確認でき、０．５Ｖでは透過率が上昇する一方反射率が減少し透過状態となっていることが確認でき、２．５Ｖでは透過率が下がる一方反射率も減少した状態であり黒状態であることが確認でき、−０．５Ｖでは透過率が上昇し反射率が減少したままであるため透過状態であることが確認できた。しかも、この状態は、上記電圧サイクルを１０００回繰り返し行なっても維持できていることが確認できた。この結果を図１１に示しておく。
【００３４】
本実施例の素子に対し、改めて繰り返し特性について確認した。この結果を図１２及び図１３に示しておく。図１２は、−２．５Ｖを１０秒、−０．５Ｖを１５秒を４０００回程度繰り返し行なった場合の７００ｎｍの透過率を、図１３はそのうち１０回程度間での範囲を拡大したものである。なお、比較例として、本実施例と同様の素子であるが、ＣｕＣｌ２を含ませていない素子を作成して同様の評価を行なっている（図１３参照）。この結果、ＣｕＣｌ２を含ませることで極めて優れた繰り返し耐久性を有していることが確認できた。
【００３５】
以上、本実施例により、本発明の効果を確認することができた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、表示装置として産業上の利用可能性がある。
【符号の説明】
【００３７】
１…表示装置，２、３…基板，４…電解質層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳細には反射率の高い鏡面表示モードを有するエレクトロクロミック表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビやパソコンモニタ、携帯電話ディスプレイを始めとした情報を表示するための装置（表示装置）は、近年の情報化社会において欠かすことのできない装置である。
【０００３】
表示装置の表示方式は、一般に反射型、透過型、発光型の３つに大きく分けることができる。表示装置を製造する者は、表示装置の製造において、表示装置の置かれる環境を想定して好ましい表示方式を選択するのが一般的である。
【０００４】
ところで近年の表示装置の小型化、薄膜化により表示装置の携帯性が向上し、様々な明るさの環境に携帯移動して表示装置を使用する機会が非常に多くなってきており、ユーザーのニーズも多様化してきている。表示装置のモードとして、例えば、明暗の表示だけでなく、表示画面を鏡面状態にするニーズ等も求められてきている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、一対の基板の一方にミラー層が形成されているエレクトロクロミックミラーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表平１０−５００２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、ミラー層は固定されたものであって、エレクトロクロミック表示素子の鏡面状態を変化させるものに過ぎず、表示装置としての使用については検討しておらず、仮に使用したとしても反射型の表示装置でしか使用できないといった課題がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記課題を鑑み、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点に係る表示装置は、一対の基板と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
以上、本発明により、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る表示装置の概略断面を示す図である。
【図２】メディエータに関する説明のための図である。
【図３】実施形態にかかる表示装置の表示原理を説明する図である。
【図４】実施例に係る表示装置のＩＴＯ電極及びＩＴＯ粒子修飾電極の表面プロファイルを示す図である。
【図５】実施例に係る表示装置の透過スペクトル測定の結果を示す図である。
【図６】実施例に係る表示装置の反射スペクトル測定の結果を示す図である。
【図７】実施例に係る表示装置の透過状態の写真図である。
【図８】実施例に係る表示装置の鏡状態の写真図である。
【図９】実施例に係る表示装置の黒態の写真図である。
【図１０】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１１】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１２】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【図１３】実施例に係る表示装置に対し電圧を変化させた場合の透過率及び反射率を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る表示装置（以下「本表示装置」という。）１の概略断面を示す図である。図１で示すように、本表示装置１は、一対の基板２、３と、一対の基板の対向する面に形成される一対の電極２１、３１と、一対の電極２１、３１の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層４と、を有する。
【００１４】
本実施形態において一対の基板２、３は、電解質層４を挟み保持するために用いられるものであって、基板２、３の少なくとも一方が透明であればよいが、双方透明であれば、透過型の表示装置を実現することができる。本実施形態では説明のため双方透明な場合で説明する。なお、基板２、３の材料としては、ある程度の硬さ、化学的安定性を有し、安定的に材料層を保持することができる限りにおいて限定されるわけではないが、ガラス、プラスチック、金属、半導体等を採用することができ、透明な基板として用いる場合はガラスやプラスチックを用いることができる。
【００１５】
また本実施形態において、一対の基板２、３のそれぞれには、対向する面側（内側）に電極２１、３１が形成されている。この電極は一対の電極２、３によって挟持される材料層に電圧を印加するために用いられるものである。電極の材料としては、好適な導電性を有する限りにおいて限定されるわけではないが、例えば基板２、３の材質が透明な基板である場合はＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極であることが好ましい。
【００１６】
また本実施形態において、電極２１、３１のいずれか一方が、比較的大きな凹凸が付された粒子修飾電極であり、他方が平滑な電極であることが好ましい。ここで粒子修飾電極とは粒子が電極表面に固定され比較的大きな凹凸が形成された電極をいう。粒子修飾電極の凹凸の大きさとしては限定されるわけではないが、高低差が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にあることが好ましく、例えば、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の粒子を基板に配置、固定したもので実現することができる。粒子の材料としては限定されるわけではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化チタン、ＮｉＯ等を例示することができ、ＩＴＯ、ＩＺＯの粒子、特にＩＴＯであることは導電性を確実にすることができる観点からより好ましい。
【００１７】
また本実施形態に係る電極は、基板上に、表示したい文字などのパターンにあわせた形状として形成してもよく、また、同じ複数の領域毎に区分された電極パターンを複数基板上に並べて形成したものであってもよい。複数の領域毎に区分すると、この各領域を画素とし、画素毎に表示を制御し、複雑な形状の表示にも対応できるといった利点がある。
【００１８】
電極間の距離としては、後に詳述するエレクトロクロミック材料における銀が微粒子として十分析出し、消失する電界を印加することができる限りにおいて限定されるわけではないが、１μｍ以上１０ｍｍ以下が可能であり、望ましくは１μｍ以上１ｍｍ以下の範囲である。
【００１９】
なお本実施形態に係る電極は、それぞれ導電性を有する配線を介して電源に接続されており、この電源のＯＮ、ＯＦＦにより材料層に電圧の印加、印加の解除を制御することができる。
【００２０】
また本実施形態に係る電解質層４は、支持塩としての電解質を含むとともに、銀イオンを含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含んでいる。また本実施形態に係る電解質層４は、上記銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータのほか、これら材料を保持するための溶媒を含んでいる。
【００２１】
本実施形態の電解質層における電解質は、エレクトロクロミック材料の酸化還元等を促進するためものであり支持塩である。電解質は、臭素イオンを含むことが好ましく、例えばＬｉＢｒ、ＫＢｒ、ＮａＢｒ、臭化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＢｒ）等を例示することができる。なお、電解質の濃度としては、限定されるわけではないが、エレクトロクロミック材料の５倍程度含んでいることが好ましく、例えば５ｍＭ以上５Ｍ以下であることは好ましく、より好ましくは２５ｍＭ以上５００ｍＭ以下である。
【００２２】
また本実施形態において溶媒は、上記エレクトロクロミック材料、電気化学発光材料及び電解質を安定的に保持することができる限りにおいて限定されるわけではないが、水等の極性溶媒であってもよいし、極性のない有機溶媒等一般的なものも用いることができる。溶媒としては、限定されるわけではないが、例えばＤＭＳＯを用いることができる。
【００２３】
本実施形態においてエレクトロクロミック材料とは、直流電圧を印加することによって酸化還元反応を起こす材料であり、銀イオンを含む塩であることが好ましい。このエレクトロクロミック材料は酸化還元反応によって銀微粒子を析出、又は消失させ、これに基づく色の変化を生じさせ表示を行なうものである。銀を含むエレクトロクロミック材料としては限定されるわけではないが、ＡｇＮＯ３、ＡｇＣｌＯ４、ＡｇＢｒ、を挙げることができる。なお、エレクトロクロミック材料の濃度については、上記機能を有する限りにおいて特に限定されるわけではなく、材料によって適宜調整が可能であるが、５Ｍ以下であることが望ましく、より望ましくは１ｍＭ〜１Ｍ、さらに望ましくは５ｍＭ〜１００ｍＭである。
【００２４】
本実施形態においてメディエータとは、銀よりも電気化学的に低いエネルギーで酸化還元を行なうことのできる材料をいう。メディエータの酸化体が銀から随時電子を授受することによって酸化による消色反応を補助することができる。この場合のイメージ図を図２に示しておく。なお、メディエータとしては、上記機能を有する限りにおいて限定されるわけではないが、銅（ＩＩ）イオンの塩であることが好ましく、例えばＣｕＣｌ２、ＣｕＳＯ４、ＣｕＢｒ２を挙げることができる。なおメディエータの濃度としては、上記機能を奏する限りにおいて限定されず、また材料によって適宜調整が可能であるが、５ｍＭ以上２０ｍＭ以下であることが望ましく、より望ましくは１５ｍＭ以下である。２０ｍＭ以下とすることで過度の色付きを防止することができる。なお、銀イオンと銅（ＩＩ）イオンの濃度比としては、限定されるわけではないが、銀イオンを１０とした場合、銅（ＩＩ）イオンは１以上３以下の範囲であることが好ましい。
【００２５】
また、本実施形態においては、上記構成要件のほか、例えば増粘剤を加えることができる。増粘剤を加えることでエレクトロクロミック素子のメモリ性を向上させることができる。なお増粘剤の例としては、特に限定されるわけではないが、例えばポリビニルアルコール等を例示することができる。なお増粘剤の濃度としては、特に限定されるわけではないが、例えば５重量％以上２０重量％以下の範囲で含ませておくことは好ましい。
【００２６】
本表示装置は、例えば電圧を引加した状態で反射状態又は黒状態を、電圧を解除した状態で透過状態を実現することができる。本実施形態に係る素子の状態の概念図を図２に示しておく。
【００２７】
本表示装置では、電極間に電圧を印加すると、一方の電極ではエレクトロクロミック中の銀イオンが還元されて銀４１として析出する一方、電圧を解除すると、銀は再び銀イオンとして溶解する。この場合において、銀４１が平滑な電極状に形成されれば鏡状態となり（図３（Ａ））、粒子修飾電極上に形成されれば、光は乱反射され黒状態となる（図３（Ｂ））。なおこの場合において、観測者にとって、平滑な電極が形成される基板が手前、凹凸のある粒子修飾電極が形成された基板が奥側となる。なお、この直流電圧印加の際の電圧の強度としては、一対の基板間の距離、一対の電極間の距離によって適宜調整が可能であり、限定されるものではなく、電界強度として例えば１．０×１０３Ｖ／ｍ以上１．０×１０５Ｖ／ｍ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは１．０×１０４Ｖ／ｍ以下の範囲内である。
【００２８】
以上、本発明により、透過型でも使用が可能であり、高いコントラスト比を可能とする高品質な鏡面状態を有する表示装置となる。特に本実施形態では、メディエータを有しており、銀よりも低いエネルギーで酸化還元材料が可能となり、繰り返し耐久性が非常に優れたものとなっている。
【実施例】
【００２９】
ここで、実際に上記表示装置について作成し、その効果の確認を行なった。以下説明する。
【００３０】
一対の基板としてガラス基板を用い、一対の電極としてＩＴＯ電極を用い、エレクトロクロミック材料としてＡｇＮＯ３を用い、溶媒としてＤＭＳＯを、支持電解質（対極反応材料）としてＴＢＡＢｒを、メディエータとしてＣｕＣｌ２を用いた。なお本実施例において、一方の電極は平滑なＩＴＯが形成された電極基板（ＩＴＯ電極）とし、他方はＩＴＯ電極上に１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の粒径のＩＴＯ粒子分散液をスピンコート（５００ｒｐｍ×５秒、１５００ｒｐｍ×１５秒）で塗布し、２５０℃で１時間焼成したもの（ＩＴＯ粒子修飾電極）を用いた。また、本実施例において、ＡｇＮＯ３の濃度は５０ｍＭ、ＴＢＡＢｒの濃度は２５０ｍＭ、メディエータの濃度は１０ｍＭとした。また、スペーサーを用い、一対の電極間の距離を５００μｍとして上記電解質層を一対の基板間に挟持させた。図４に、ＩＴＯ電極及びＩＴＯ粒子修飾電極の表面プロファイルを示しておく。
【００３１】
次に、この電極間に、＋２．５Ｖ〜−２．５Ｖの電圧を印加した際の透過スペクトル測定を行った。この結果を図５に示しておく。この結果、＋２．５Ｖ及び−２．５Ｖのいずれの状態においても、光を十分に遮断させていることが確認でき、消色時には十分光を透過できていることが確認できた。
【００３２】
次に、上記電圧を印加した際の反射スペクトルについても測定を行った。この結果を図６に示しておく。この結果、−２．５Ｖでは、十分な反射特性を有している一方、＋２．５Ｖでは、非常に低い反射率を示していることが確認でき、黒状態となっていることが確認できた。即ち、上記の結果から−２．５Ｖでは、反射状態即ち鏡状態を実現でき、＋２．５Ｖでは黒状態、消色時には光透過状態を実現できていることが確認できた。また、このそれぞれの状態における写真図を図７乃至９に示しておく。図７は消色時、図８は反射表示時、図９は黒表示時をそれぞれ示している。
【００３３】
また、−２．５Ｖを１０秒、０．５Ｖを２０秒、２．５Ｖを１０秒、−０．５Ｖを２０秒行なった場合の７００ｎｍの透過率及び反射率を図９に示しておく。この結果、ＩＴＯ電極側では、−２．５Ｖ印加時では反射率が上昇する一方透過率が下がり反射状態であることが確認でき、０．５Ｖでは透過率が上昇する一方反射率が減少し透過状態となっていることが確認でき、２．５Ｖでは透過率が下がる一方反射率も減少した状態であり黒状態であることが確認でき、−０．５Ｖでは透過率が上昇し反射率が減少したままであるため透過状態であることが確認できた。しかも、この状態は、上記電圧サイクルを１０００回繰り返し行なっても維持できていることが確認できた。この結果を図１１に示しておく。
【００３４】
本実施例の素子に対し、改めて繰り返し特性について確認した。この結果を図１２及び図１３に示しておく。図１２は、−２．５Ｖを１０秒、−０．５Ｖを１５秒を４０００回程度繰り返し行なった場合の７００ｎｍの透過率を、図１３はそのうち１０回程度間での範囲を拡大したものである。なお、比較例として、本実施例と同様の素子であるが、ＣｕＣｌ２を含ませていない素子を作成して同様の評価を行なっている（図１３参照）。この結果、ＣｕＣｌ２を含ませることで極めて優れた繰り返し耐久性を有していることが確認できた。
【００３５】
以上、本実施例により、本発明の効果を確認することができた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、表示装置として産業上の利用可能性がある。
【符号の説明】
【００３７】
１…表示装置，２、３…基板，４…電解質層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、
前記一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する表示装置。
【請求項２】
前記一対の電極のうちの一方が、ＩＴＯ粒子修飾電極である請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記メディエータは、銅を含む、請求項１記載の表示装置。
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板の対向する面に形成される一対の電極と、
前記一対の電極の間に挟持され、銀を含むエレクトロクロミック材料及びメディエータを含む電解質層と、を有する表示装置。
【請求項２】
前記一対の電極のうちの一方が、ＩＴＯ粒子修飾電極である請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記メディエータは、銅を含む、請求項１記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１８１３８９（Ｐ２０１２−１８１３８９Ａ）
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４４７１６（Ｐ２０１１−４４７１６）
【出願日】平成２３年３月２日（２０１１．３．２）
【出願人】（３０４０２１８３１）国立大学法人 千葉大学 (601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２日（２０１１．３．２）
【出願人】（３０４０２１８３１）国立大学法人 千葉大学 (601)
【Ｆターム（参考）】
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