【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方とゲートとが電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する発光素子とを有する表示装置であって、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記発光素子は、画素に設けられ、
前記第１のトランジスタは、バンドギャップが２ｅＶ以上である酸化物半導体を有し、
静止画像を表示する場合における一定期間の前記画素への書き込み回数をＡ回、動画像を表示する場合における前記一定期間の前記画素への書き込み回数をＢ回とするとき、ＡはＢよりも小さいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方とゲートとが電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する発光素子とを有する表示装置であって、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記発光素子は、画素に設けられ、
前記第１のトランジスタは、バンドギャップが２ｅＶ以上である酸化物半導体を有し、
静止画像を表示する場合における書き込み期間が始まってから次の書き込み期間が始まるまでの第１の時間と、動画像を表示する場合における書き込み期間が始まってから次の書き込み期間が始まるまでの第２の時間とを比較したとき、前記第１の時間は前記第２の時間より長いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方とゲートとが電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する発光素子とを有する表示装置であって、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記発光素子は、画素に設けられ、
前記第１のトランジスタは、バンドギャップが２ｅＶ以上である酸化物半導体を有し、
静止画像を表示する期間において、高電位電源及び低電位電源が、前記画素を駆動する回路へ供給されない期間を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１６Ａ／μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記画素は蛍光体を有し、
断面構造において、前記蛍光体は前記発光素子に隣接することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、ＩｎとＧａとＺｎとを有することを特徴とする表示装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【公開番号】特開２０１３−９２７８３（Ｐ２０１３−９２７８３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２６５９２３（Ｐ２０１２−２６５９２３）
【出願日】平成２４年１２月５日（２０１２．１２．５）
【分割の表示】特願２０１０−２３２９８８（Ｐ２０１０−２３２９８８）の分割
【原出願日】平成２２年１０月１５日（２０１０．１０．１５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】