説明

表面実装用水晶発振器

【課題】高価なセラミック板を焼成・積層して形成したH型断面のパッケージを使用しないで、水晶片を密封封入したパッケージ(水晶振動子)をIC実装基板に積層接合して、廉価な表面実装用水晶発振器を構成するようにする。
【解決手段】表面実装用水晶発振器において、ICチップ4を接合したIC実装基板7と気密封止された水晶片3と水晶パッケージ2a,2bとからなる水晶振動子2とを積層して接合し、該IC実装基板7の水晶振動子接続端子9aと該水晶振動子の端子9bとを導電体6a、例えば、コアなし半田ボールまたは異方性導電シート、により接続したことを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面実装用水晶発振器に係り、とくに、IC実装基板に実装したICチップの高さを位置決めの基準として用いて半田ボール等の導電体で水晶振動子とIC実装基板とを接続した温度補償型水晶発振器(TCXO)に関する。
【背景技術】
【0002】
水晶振動子とICチップとを一体化させた水晶デバイスの代表的なものとして、水晶振動子と、この水晶振動子に用いる発振回路を集積したICチップとを一体化させた表面実装用水晶発振器がある。
【0003】
表面実装用水晶発振器は、小型かつ軽量であることから、とくに携帯型の電子機器、例えば、携帯電話器において、周波数や時間の基準源として広く用いられている。
【0004】
このような、表面実装用水晶発振器の代表的なものとして、図16に示すように、セラミック板2aの両主面に開口部を形成したセラミック板2b,2cをそれぞれ焼成・積層して凹部12a,12bを形成して、断面がH型のセラミックパッケージ2を構成し、一方の凹部12aに水晶片3を水晶保持端子3bに導電性接着剤3aにより接合してから金属リング13を介してリッド8により密閉封入し、また、他方の凹部12bにIC実装基板7にIC実装用バンプ5と異方性導電樹脂14によりICチップ4を固定し、接合端子15a,15bにより水晶振動子に接合してから、格納してH型の表面実装用水晶発振器を構成する。そして、実装基板(図示せず)に発振器実装端子により水晶発振器を実装する(特許文献1)。
【0005】
とくに、温度補償型水晶発振器(TCXO)は、その小型化が最近進んでおり、外形寸法が2.0mm×1.6mm×0.8mmのサイズまでの発振器が生産されているが、さらなる小型化が要求されており、現在、サイズが1.6mm×1.2mm×0.7mmのTCXOの開発が進められている。しかしながら、TCXOが小型化するに従い、その製造が困難になる反面、その価格は、昨今、下がらざるを得ない傾向にある。そのため、製造が簡単で、かつ低価格な小型TCXOの実現が渇望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2009−105628号公報
【特許文献2】特開2004−180012号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、この種の従来の表面実装用水晶発振器では、セラミック板を複数枚(例えば3枚)焼成・積層してH型断面のパッケージを形成し、それぞれの凹部に水晶片とICチップを樹脂で覆ってから格納してから密閉封入していたが、セラミックパッケージが極めて高価であるため水晶発振器がコスト高になるとともに、ICチップを樹脂で覆う際に、樹脂がパッケージの凹部からはみ出さないように注入することが非常に難しいため、その生産性が極めて低い等の問題点があった。
【0008】
また、圧電発振器において、外部端子と接続端子を電気的に接続するための導電体として半田ボールを用い、発振回路基板に位置規制手段を設け、半田ボールと接続端子と外部端子に対して水平方向に正確に配置するものがあるが、ICチップの高さを位置決めの基準として利用するものではなかった(特許文献2)。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記した課題を解決するため、本発明の表面実装用水晶発振器は、ICチップを接合したIC実装基板または水晶接続基板と、気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子と、を積層して接合し、該IC実装基板または、水晶接続基板の水晶振動子接続端子と該水晶振動子の端子を導電体により接続したことを特徴とする。
【0010】
また、本発明の表面実装用水晶発振器は、前記導電体が、コアなし半田ボールからなることを特徴とする。
【0011】
ここで、前記コアなし半田ボールの直径が、50μmから300μmであることを特徴とする。
【0012】
さらに、前記導電体が、異方性導電シートからなることを特徴とする。
【0013】
また、前記異方性導電シートが、平面視で環状に形成され、または、前記異方性導電シートが、平面視でテープ状に形成されていることを特徴とする。
【0014】
またさらに、前記異方性導電シートが、接着性を有し、または、前記異方性導電シートが、接着性を有しないことを特徴とする。
【0015】
本発明では、前記ICチップが、金バンプにより前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板に接合され、または、半田バンプにより前記IC実装基板に接合されていることを特徴とする。
【0016】
さらに、前記ICチップと前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板との接合部を絶縁性のエポキシ系接着剤で保護し、また、前記IC実装基板または前記水晶振動子接続基板と前記ICチップの間に絶縁性のエポキシ系接着剤を充填したことを特徴とする。
【0017】
また、本発明では、前記IC実装基板の内部(内層)にGND層を埋設して形成したことを特徴とする。
【0018】
さらに、前記IC実装基板の内部に前記IC実装基板に形成した配線の下に対応するようGND層を埋設して形成したことを特徴とする。
【0019】
またさらに、前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成し、該GND層の最大外形寸法が水晶接続用端子及び水晶接続用端子とICチップの配線パターンの外枠寸法よりも大に形成したことを特徴とする。
【0020】
また、前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする。
【0021】
本発明では、前記ICチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする。
【発明の効果】
【0022】
IC実装基板または水晶振動子接続基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とを導電体、例えば、コアなし半田ボールまたは異方性導電シート、で接続したので、IC実装基板または水晶振動子接続基板と水晶振動子の接続後の間隔を一定にすることができるとともに、正確、廉価かつ高生産性で表面実装用水晶振動子を製造できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である、温度補償型水晶発振器の実施例1を示し、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とをコアなし半田ボールで接続した実施例を示し、(a)は、上から見た平面図、(b)は、その縦断面図を示す、(c)は、IC実装基板内にGND層を形成した実施例の縦断面を示す。
【図2】図1に示した本発明の温度補償型水晶発振器の底面図を示す。
【図3】図1に示した本発明の温度補償型水晶発振器において、ICチップをIC実装基板の上面に実装した状態を示す平面図である。
【図4】図1にA矢視で示す部分の部分拡大断面図である。
【図5】図1に示した本発明の実施例1の温度補償型水晶発振器のブロック図である。
【図6】本発明の表面実装用水晶発振器の実施例2である、温度補償型水晶発振器の縦断面図を示し、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とを異方性導電シートで接続した実施の形態を示す。
【図7】図6に示した本発明の温度補償型水晶発振器の実施例2の底面図を示す。
【図8】図6に示した本発明の温度補償型水晶発振器に用いる異方性導電シートを上から見た平面図を示す。
【図9】図6に示した本発明の温度補償型水晶発振器において、ICチップをIC実装基板の上面に実装した状態を示す平面図である。
【図10】本発明の温度補償型水晶発振器の実施例3の縦断面図を示し、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とを接着力のある異方性導電シートで接続した実施の形態を示す。
【図11】図10に示した本発明の温度補償型水晶発振器の実施例3の底面図を示す。
【図12】図10に示した本発明の温度補償型水晶発振器に用いる接着力のある異方性導電シートを上から見た平面図を示す。
【図13】図10に示した本発明の温度補償型水晶発振器において、ICチップをIC実装基板に実装する状態を示す平面図を示し、(a)は水晶振動子をIC端子側から見た平面図、(b)は、ICチップをIC端子に搭載後の平面図である。
【図14】本発明の温度補償型水晶発振器の実施例4の縦断面図を示し、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子とを接着力のない異方性導電シートで接続した実施の形態を示す。
【図15】図14に示した本発明の温度補償型水晶発振器の実施例4の底面図を示す。
【図16】従来例のH字状断面のパッケージをもつ表面実装型水晶発振器の縦断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例を添付した図面に基づいて説明する。
【0025】
実施例1
実施例1は、IC実装基板と水晶振動子を接続する導電体に、コアなし半田ボールを用いたものである。
【0026】
図1(a),(b)及び図4に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例1の温度補償型水晶発振器は、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなるIC実装基板7の上面主面上にIC実装用バンプ(半田または金バンプ)5、あるいはフリップチップ・ボンディングにより実装されたICチップ4と、このICチップ4の上面主面上に、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板2a,2bからなり、かつ、その内部に水晶片3を水晶保持端子3bに導電性接着剤3aにより接合保持して構成した水晶パッケージ2(水晶振動子という)を接着し、水晶パッケージ2の上部開口をコバールまたは水晶板からなるリッド8をシーム溶接等により、密封封入して、構成されている。
【0027】
IC実装基板7の上面主面にIC実装バンプ5またはフリップチップ・ボンディングにより実装されたICチップ4の下面主面と該上面主面との間には、熱応力による端子のクラック防止のため絶縁性のエポキシ樹脂11が充填され、また、ICチップ4の接合部4aは絶縁性のエポキシ樹脂で水晶パッケージ2と接合してもよい。
【0028】
そして、半田ボール6aがコアなしのため上から加熱押圧すると変形してしまうので、IC実装基板7にIC実装バンプ5を介して接合したICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準位置として用い、IC実装基板7の水晶振動子接続端子9aと水晶振動子2の底面に設けた水晶振動子2の端子9bとをコアなし(内部にコア部分がない中実の)の半田ボール6a(導電体)を介在させ、半田ボール6aを加熱・溶融させて機械的・電気的に水晶振動子2とIC実装基板の7とに接続する。ここで、接続後、塵埃の侵入を防止するため、コアなし半田ボール6aの周囲を樹脂封止してもよい。
【0029】
ここで、コアなし半田ボール6aを直接IC実装基板7の上面に設けた水晶振動子接続端子9a上に載置してもよいが、予めIC実装基板7上に半田を印刷した後、溶融してコアなし半田ボール6aを個片またはウエハレベルで形成してもよい。あるいは、予め水晶振動子2の端子9b上に半田を印刷した後、溶融してコアなし半田ボール6aを個片またはウエハレベルで形成してもよい。
【0030】
とくに、本実施例1で、コアなし半田ボール(例えば、鉛フリー半田ボール)を水晶振動子とIC実装基板の接続に用いることにより、例えば、銅コアボールにSnAgメッキしたコアありボールに比べて廉価な導電体としての半田ボールが得られるようになる。
【0031】
ここで、できるだけ、水晶発振器の低背化をはかるため、接続に用いる半田ボール6aの直径は50μm〜300μmの範囲内とする。
【0032】
さらに、IC実装基板7の下面(底面)主面には、図2に示すように、顧客の実装基板(図示せず)に発振器を実装するための発振器実装端子30(外部端子)(VDD:電源端子、GND:接地端子、OUT:発振出力端子、AFC:自動周波数制御端子)が設けられている。これらの発振器実装端子30は、とくに、図4に詳細に示すように、IC実装基板7を貫通するビアホールに形成した貫通電極30aによりIC実装バンプ5の電極パッド5aに接続されている。
【0033】
また、IC実装基板7の上面主面には、前述したように、半田ボール6aを用いて水晶振動子2とIC実装基板7とを接続するために、水晶接続用端子(GND,X1,X2端子)9aが設けられ、これらの水晶接続用端子9aはICチップ4をIC実装基板7に実装するための電極パッド5aに接続されている。
【0034】
また、図3に示すように、ICチップ4をIC実装基板7に実装した状態では、水晶接続用端子9a(GND)はIC端子50(GND)に、X1端子9a(X1)は端子X1に、また、X2端子9a(X2)はX2端子にそれぞれ接続されている。ここで、図3の右下の水晶接続用端子はダミーまたはGND端子であって、オープンまたはGND端子に接続され、水晶振動子2を均等に保持するためにコアなし半田ボール6aを用いて、水晶振動子2と接続してもよい。
【0035】
また、図5に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である温度補償型水晶発振器の温度補償回路は、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路20と、温度センサ回路20の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路21と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリ25と、水晶発振回路23と、水晶発振回路23に接続された自動周波数制御入力調整回路26と、定電圧回路27と、水晶発振回路23が出力するアナログ信号を出力するための出力バッファ回路24と、から構成されている。
【0036】
ここで、詳述すると、温度センサ回路20は、温度変化に対し出力が1次関数的に変化する電圧を発生し、温度補償回路21は、温度センサ回路20の出力電圧から水晶振動子2の周波数温度変化分を補償するための電圧を発生する。不揮発性メモリ25は、温度補償に用いるデータを格納し、自動周波数制御入力調整回路26は、AFC入力電圧に対する電圧利得を調整し、AFC入力電圧による周波数可変幅を調整する。また、水晶発振回路23は、ICチップ4の外部に接続された水晶振動子2と内蔵した増幅器、可変容量素子により電圧制御水晶発振器を構成している。さらに、定電圧回路27は、DC電源電圧から温度や電源電圧に依存しないICチップ内部で使用する電圧を発生し、出力バッファ回路24は、水晶発振回路の出力をバッファし、発振出力として出力する。
【0037】
また、図1(c)に示すように、IC実装基板7の内部にGND層7bを、あるいはIC実装基板7の配線の下にGND層7bを、GND層7bの最大外形寸法が水晶接続用端子9a及びICチップ4の配線パターンの外枠寸法よりも大きくなるように埋設して形成して、顧客の実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した時に、水晶発振器の発振周波数が変動しないようにする。
【0038】
このようにして、IC実装基板7の配線パターン、IC実装電極の下にGND層を形成したので、携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶接続用端子9a及び水晶接続用端子9aとICチップ4の配線パターンと実装基板間の容量が変化して発振周波数が変化することが回避される。
【0039】
このように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例1である温度補償型水晶発振器では、コアあり半田ボールと比較して廉価なコアなし半田ボールにより、IC実装基板に実装したICチップの高さを位置決めの基準として用いて、IC実装基板の水晶振動子接続端子と水晶振動子の端子を接続したので、正確、廉価かつ高生産性で水晶発振器を、個片またはウエハレベルで、製造することができるようになる。
【0040】
実施例2
実施例2は、IC実装基板と水晶振動子を接続する導電体に異方性導電シートを用いたものである。
【0041】
すなわち、図6に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例2の温度補償型水晶発振器は、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなるIC実装基板7の上面主面上にIC実装用バンプ(半田または金バンプ)5、あるいはフリップチップ・ボンディングにより実装されたICチップ4と、このICチップ4の上面主面上に、セラミックまたは水晶板2a,2bからなり、かつ、その内部に水晶片3を水晶保持端子3bに導電性接着剤3aにより接合保持して構成した水晶パッケージ2(水晶振動子という)を接着し、水晶パッケージ2の上部開口をコバールまたは水晶板からなるリッド8を溶接などにより、密封封入して、構成されている。
【0042】
IC実装基板7の上面主面にIC実装バンプ5またはフリップチップ・ボンディングにより実装されたICチップ4の下面主面と該上面主面との間に、絶縁性のエポキシ樹脂11を充填してもよい。
【0043】
そして、IC実装基板7にIC実装バンプ5を介して接合されたICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準として用い、IC実装基板7の水晶振動子接続端子9aと水晶振動子2の底面に設けた水晶振動子の端子9bに導電体である環状(枠型の)異方性導電シート6b(図8参照)を介在させて接続し、ICチップ4と水晶振動子2を接着剤4aで固定する。
【0044】
この異方性導電シート6bは、シートの面方向に絶縁性を保持し、その厚み方向に導通性をもち、厚み方向に挟んで加圧することにより、電気的に水晶振動子接続端子9aと水晶振動子の端子9bとが接続される。
【0045】
しかし、加圧により異方性導電シート6bが厚み方向に変形するので、実施例1と同様にICチップ4の垂直方向の高さhを位置決めの基準位置として用いる。
【0046】
ここで、異方性導電シート6aとしては、例えば、厚みが、30μm、導電粒子として粒子径が2μmのニッケル粒子をバインダー中に含有させたもの(接着力がある)、または、カーボン系導電繊維を絶縁性シリコーンの厚さ方向に高密度に配向した異方性導電シート(接着力なし)であって、シートの厚さが、例えば、200μm、導通繊維径が30μmのもの(例えば、信越ポリマー社・MAFタイプ)が用いられる。この異方性導電シート6bは、個片の水晶発振器のIC実装基板7の上面に環状に打ち抜いたものを個々に貼りつけてもよいし、あるいはウエハレベルで水晶発振器を製造する際、無駄を省くため、ウエハ上にテープ状の異方性導電シートを十文字に貼りつけた後、個片に分割してもよい。
【0047】
また、IC実装基板7の下面(裏面)主面には、図7に示し、かつ実施例1で詳述したように、顧客の実装基板(図示せず)に本発明の表面実装用水晶発振器を実装するための発振器実装端子(外部端子)30が設けられている。
【0048】
さらに、IC実装基板7の上面主面には、図9に示し、かつ、実施例1で詳述したように、異方性導電シート6bを用いて水晶振動子2を接続するために、水晶接続用端子9aが設けられている。そして、接着力がある異方性導電シート6aを用いる場合は、隙間を狭くするために、あらかじめ水晶接続用端子9aまたは、水晶振動子の端子9bに接続用半田バンプ28を形成しておく。
【0049】
本実施例2の温度補償型水晶振動子においても、図5に示し、かつ、実施例1で詳述したような、温度補償回路が設けられている。
【0050】
また、実施例1と同様に、IC実装基板7の内部にGND層を埋設して形成してもよい。
【0051】
実施例3
実施例3は、水晶振動子接続基板29と水晶振動子2とを市販の接着力のある、または接着力のない導電体としての異方性導電シートで接続した温度補償型水晶発振器の実施例に関する。
【0052】
この実施例3の接着力のある異方性導電シート6cを用いた水晶発振器では、図10に示すように、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなる水晶振動子接続基板29の水晶接続用端子9aに接続用半田バンプ28を形成する。ICチップ4の上面主面上にIC実装用バンプ(半田または金)5を載置し、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなり、内部に水晶片3を載置した水晶パッケージ2a,2bからなる水晶振動子2の底面に電極パッド5aを介して接続する。次に、水晶振動子接続端子9bと環状(枠型)異方性導電シート6cを載置後(図12参照)に水晶振動子接続端子9aを対向させて重ね、加圧加熱して接続する。この時、補強のためICチップ4を接着剤4aで固定してもよい。
【0053】
また、図11に示すように、水晶振動子接続基板29の下面(裏面)には、顧客の実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装するための発振器実装端子(外部端子)30が設けられている。ICチップ4を水晶振動子2に接続したことにより、携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶振動子接続端子10及びIC端子50(X1)、IC端子50(X2)と、実装基板間の容量が変らないため、発振周波数の変化が回避される。
【0054】
また、実施例1と同様に水晶振動子接続基板29の内部にGND層を埋設して形成してもよい。
【0055】
さらに、図13(a)は、水晶振動子2をIC端子50側から見た平面図である。ここでは、水晶片3とビアホールで接続された水晶振動子接続端子10が設けられており、水晶振動子2の特性を測定することができる。
【0056】
セラミック板2bの両端部には水晶振動子接続基板29と接続するための水晶接続端子9bが設けられており、IC端子50の両端と接続されている。
【0057】
また、セラミック板2bの中央部のIC端子50(X1)とIC端子50(X2)は、それぞれ水晶振動子接続端子10(X1)と水晶振動子接続端子10(X2)に接続されている。
【0058】
ここで、図13(b)は、ICチップ4をIC端子50に搭載後の平面図である。
【0059】
実施例4
実施例3の接着力のある異方性導電シートでは、異方性導電シート6cを加圧して、バインダー中の導電粒子同士を接触させて接続用半田バンプ28と水晶接続端子9bを導通させる。そのとき、バインダーを加熱することにより水晶振動子2と水晶振動子接続基板29を接着できる。
【0060】
これに対して、実施例4の接着力がない異方性導電シートを用いた水晶発振器では、図14に示すように、接続用半田バンプ28を形成することなく、異方性導電シートを加圧することで水晶接続端子9bと導通できる。そのとき、位置決めと機械的な強度を保つため、ICチップ4と水晶振動子接続基板29間に接着剤4aを塗布、加熱することで両方を固定する。
【0061】
ここで、上記した接着剤4aとしては、温度を付加して接着する絶縁性のあるエポキシ系接着剤が好適である。また、図15に示すように、水晶振動子接続基板29の下面(底面)には、発振器実装端子(外部端子)30が設けられている。
【0062】
また、ICチップ4を水晶振動子2に接続したことにより携帯電話などの実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した場合、水晶振動子接続端子10及びIC端子50(X1)、IC端子50(X2)と実装基板間の容量が変らないため、発振周波数の変化が回避される。
【0063】
また、実施例1と同様に水晶振動子接続基板29の内部にGND層を埋設して形成してもよい。
【0064】
その他の実施例
実施例1及び2では、ICチップ4をIC実装基板に接続したが、実施例3及び4と同様に、水晶振動子側に接続した構成でもよい。また、実施例3及び4ではICチップ4を水晶振動子側に接続したが、実施例1及び2と同様に、IC実装基板に接続した構成でもよい。
【符号の説明】
【0065】
1 温度補償型水晶発振器(表面実装用水晶発振器)
2 水晶パッケージ(水晶振動子)
2a,2b,2c セラミック板
3 水晶片
3a 導電性接着剤
4 ICチップ
5 IC実装用バンプ
6 導電体
6a コアなし半田ボール
6b,6c 異方性導電シート
7 IC実装基板(水晶振動子接続基板)
7b GND層
8 リッド
9a,9b 水晶接続端子
10 水晶振動子接続端子
11 保護用接着剤
12a,12b 凹部
13 金属リング
14 異方性導電樹脂
15 接合端子
20 温度センサ回路
21 温度補償回路
23 水晶発振回路
24 出力バッファ回路
25 不揮発性メモリ
26 自動周波数制御入力調整回路(AFC)
27 定電圧回路
28 接続用半田バンプ
29 水晶振動子接続基板
30 発振器実装端子
50 IC端子

【特許請求の範囲】
【請求項1】
ICチップを接合したIC実装基板または水晶接続基板と、気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子と、を積層・接合して構成した表面実装用水晶振動子において、該IC実装基板または該水晶接続基板の水晶振動子接続端子と該水晶振動子の端子を導電体により接続したことを特徴とする表面実装用水晶発振器。
【請求項2】
前記導電体が、コアなし半田ボールからなることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項3】
前記コアなし半田ボールの直径が、50μmから300μmであることを特徴とする請求項2に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項4】
前記導電体が、異方性導電シートからなることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項5】
前記異方性導電シートが、平面視で環状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項6】
前記異方性導電シートが、平面視でテープ状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項7】
前記異方性導電シートが、接着性を有することを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項8】
前記異方性導電シートが、接着性を有しないことを特徴とする請求項4に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項9】
前記ICチップが、金バンプにより前記IC実装基板または前記水晶接続基板に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項10】
前記ICチップが、半田バンプにより前記IC実装基板または前記水晶接続基板に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項11】
前記ICチップと前記IC実装基板または前記水晶接続基板との接合部を絶縁性のエポキシ系接着剤で保護したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項12】
前記IC実装基板または前記水晶接続基板と前記ICチップの間に絶縁性のエポキシ系接着剤を充填したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項13】
前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項14】
前記IC実装基板の内部に前記IC実装基板に形成した配線の下に対応するようにGND層を埋設して形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項15】
前記IC実装基板の内部にGND層を埋設して形成し、該GND層の最大外形寸法が水晶接続用端子及び水晶接続用端子とICチップの配線パターンの外枠寸法よりも大になるように形成したことを特徴とする請求項1に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項16】
前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項1から15に記載の表面実装用水晶発振器。
【請求項17】
前記ICチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする請求項16に記載の温度補償型水晶発振器。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【公開番号】特開2013−98628(P2013−98628A)
【公開日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−237360(P2011−237360)
【出願日】平成23年10月28日(2011.10.28)
【出願人】(000232483)日本電波工業株式会社 (1,148)
【Fターム(参考)】