表面被覆切削工具
【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材とその上に形成された被覆膜とを備える表面被覆切削工具に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の切削工具の動向として、地球環境保全の観点から切削油剤を用いないドライ加工が求められていること、被削材が多様化していること、加工能率を一層向上させるため切削速度がより高速になってきていることなどの理由から、工具刃先温度はますます高温になる傾向にあり、工具材料に要求される特性は厳しくなる一方である。特に工具材料の要求特性として、基材上に形成される被覆膜の高温での安定性（耐酸化特性や被覆膜の密着性）はもちろんのこと、切削工具寿命に関係する耐摩耗性の向上や耐欠損性の向上が一段と重要になっている。
【０００３】
耐摩耗性および表面保護機能改善のため、ＷＣ基超硬合金、サーメット、高速度鋼等の硬質基材からなる切削工具や耐摩耗工具等の表面には、硬質被覆膜としてＴｉＡｌの窒化物を単層または複層形成することはよく知られているところである。しかしながら、最近の高速、ドライ加工では、ＴｉＡｌの窒化物からなる被覆膜では十分な工具寿命が得られないのが現状である。
【０００４】
このような状況下、被覆膜の耐熱性を向上し、長い工具寿命を実現する方法として、特許文献１には、ＴｉとＡｌとの複合窒化物において、さらにＳｉを添加した被覆膜が提案されている。このようにＳｉを含む被覆膜は、その表面にＳｉを含有する緻密な酸化保護膜が形成されることから、ＴｉＡｌの窒化物からなる被覆膜よりも耐熱性が優れるという利点がある。しかし、その一方で特許文献１に開示される被覆膜は、その硬度および靭性の性能が十分ではないという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する試みとして、特許文献２および特許文献３には、Ｔｉの窒化物、炭窒化物、窒酸化物、または炭窒酸化物にＳｉを適量含有した層と、ＴｉおよびＡｌを主成分とする窒化物、炭窒化物、窒酸化物、または炭窒酸化物からなる層とを交互に積層した被覆膜が開示されている。また、特許文献４には、ＡｌＴｉＳｉＮからなる層と、ＴｉＳｉＮからなる層とを交互に積層した被覆膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０７−３１０１７４号公報
【特許文献２】特開２０００−３３４６０６号公報
【特許文献３】特開２０００−３３４６０７号公報
【特許文献４】特開２００３−２９１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２および特許文献３に開示されているＴｉＳｉ系の被覆膜は、圧縮残留応力が極端に高いことにより、被覆膜自体が自己破壊しやすいため、基材または下層との密着性が十分ではないという問題があった。また、上記の特許文献４で開示されている被覆膜は、耐熱性、硬度、および靭性に優れる一方、かかる被覆膜で被覆した切削工具を用いて切削加工を行なうと、積層構造中の層間で剥離する傾向があり、十分な工具寿命が得られないという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるというＡｌＴｉＳｉＮの特性と、耐摩耗性と靭性に優れるというＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記のような課題を解決するために、被覆膜の構成について種々の検討を重ねたところ、特許文献４に開示される被覆膜が層間で剥離しやすいのは、積層構造を構成する各層のＳｉ比がマッチングしていなかったことによるものであるという知見を得た。かかる知見に基づいて、ＡｌＴｉＳｉＮからなる層と、ＴｉＳｉＮからなる層との原子比についてさらに鋭意検討を重ねることにより、ついに本発明を完成させたものである。
【００１０】
すなわち、本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
【００１１】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
Ａ層およびＢ層はいずれも、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の層厚であることが好ましい。Ａ層の層厚は、Ｂ層の層厚よりも厚いことが好ましい。
【００１２】
Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（ＩＩ）を満たすことが好ましい。
【００１３】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０３ ・・・（ＩＩ）
被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、該最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。上記の最表面層は、ＡｌＮからなるものであってもよい。さらに、ＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなることが好ましい。
【００１４】
Ａ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．５≦ａ≦０．６、０．０３≦ｃ≦０．０８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなることが好ましく、Ｂ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０．０３≦ｅ≦０．０８、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。
【００１５】
被覆膜は、物理蒸着法により形成されることが好ましい。Ａ層およびＢ層は、アークイオンプレーティング法により形成され、最表面層は、スパッタリング法により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の表面被覆切削工具は、上記のような構成を有することにより、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるというＡｌＴｉＳｉＮの特性と、耐摩耗性および靭性に優れるというＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】基材直上にＡ層が形成され、表面側のＢ層上に最表面層が形成された態様の被覆膜を示す概略断面図である。
【図２】アークイオンプレーティング法とスパッタリング法との両方を行なうことができる複合装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について、詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。なおまた、本発明において、層厚または膜厚は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）により測定し、被覆膜の組成はエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ：Energy Dispersive x-ray Spectroscopy）により測定するものとする。
【００１９】
＜表面被覆切削工具＞
本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備えたものである。このような基本的構成を有する本発明の表面被覆切削工具は、たとえばドリル、エンドミル、フライス加工用または旋削加工用刃先交換型切削チップ、メタルソー、歯切工具、リーマ、タップ、またはクランクシャフトのピンミーリング加工用チップ等として極めて有用に用いることができる。
【００２０】
＜基材＞
本発明の表面被覆切削工具の基材としては、このような切削工具の基材として知られる従来公知のものを特に限定なく使用することができる。たとえば、超硬合金（たとえばＷＣ基超硬合金、ＷＣの他、Ｃｏを含み、あるいはさらにＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の炭窒化物等を添加したものも含む）、サーメット（ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ等を主成分とするもの）、高速度鋼、セラミックス（炭化チタン、炭化硅素、窒化硅素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、およびこれらの混合体など）、立方晶型窒化硼素焼結体、ダイヤモンド焼結体等をこのような基材の例として挙げることができる。このような基材として超硬合金を使用する場合、そのような超硬合金は、組織中に遊離炭素やη相と呼ばれる異常相を含んでいても本発明の効果は示される。
【００２１】
なお、これらの基材は、その表面が改質されたものであっても差し支えない。たとえば、超硬合金の場合はその表面に脱β層が形成されていたり、サーメットの場合には表面硬化層が形成されていてもよく、このように表面が改質されていても本発明の効果は示される。
【００２２】
＜被覆膜＞
本発明の被覆膜は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、該Ａ層および該Ｂ層はそれぞれ２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴としている。
【００２３】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
このような本発明の被覆膜は、基材上の全面を被覆する態様を含むとともに、部分的に被覆膜が形成されていない態様をも含み、さらにまた部分的に被覆膜の一部の積層態様が異なっているような態様をも含む。また、本発明の被覆膜は、その全体の膜厚が１μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする。１μｍ未満であると耐摩耗性に劣る場合があり、１５μｍを超えると基材との密着性および耐欠損性が低下する場合がある。このような被覆膜の特に好ましい膜厚は２μｍ以上８μｍ以下である。本発明の被覆膜は、その表面側に後述の最表面層を含むことができる。なお、上記の被覆膜は、Ａ層、Ｂ層、および最表面層以外の他の任意の層を含んでいてもよい。
【００２４】
以下、このような被覆膜についてさらに詳細に説明する。
＜Ａ層＞
積層体を構成するＡ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなることを特徴とする。このようなＡ層は、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるため、高速、ドライ加工時の刃先の耐欠損性に効果的である。また、上記ａは０．５≦ａ≦０．６であり、上記ｃは０．０３≦ｃ≦０．０８であることがより好ましい。この場合耐熱性、硬度、および圧縮残留応力のバランスがさらに良好なものとなる。上記式中、ａが０．３５未満であるか、またはｃが０．１を超えると、Ｓｉ添加による耐熱性（特に耐酸化性）および硬度を向上させる効果を十分に得ることができず、ａが０．７を超えると、被覆膜の硬度が大きく低下して耐摩耗性が低下するため好ましくない。
【００２５】
なお、ＡｌaＴｉbＳｉcＮという表記において、「ＡｌaＴｉbＳｉc」と、「Ｎ」との組成比は１：１の場合のみに限られるものではなく、組成比として可能である比を全て含み得るものであり、両者の比は特に限定されない。
【００２６】
＜Ｂ層＞
上記のＡ層とともに積層体を構成するＢ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）であることを特徴とする。このようなＢ層は、耐摩耗性と靭性に優れるが、さらなる高速、ドライ加工へ対応するためにはそれ単体では限界があるため、本発明においては上記のＡ層と交互に積層されるものである。上記のｅが０．１以下であることにより、Ｂ層の急激な圧縮応力の増加を抑制し、密着性の低下を抑制することができる。ここで、上記ｅは０．０３≦ｅ≦０．０８であることがより好ましく、この場合耐摩耗性と靭性のバランスが一層良好なものとなる。上記式中、ｅが０．１を超えると、圧縮残留応力が大きくなり、層間剥離が生じやすくなるため好ましくない。
【００２７】
なお、ＴｉdＳｉeＮという表記において、「ＴｉdＳｉe」と「Ｎ」との組成比は１：１の場合のみに限られるものではなく、組成比として可能である比を全て含み得るものであり、両者の比は特に限定されない。
【００２８】
＜Ａ層およびＢ層の層厚＞
上記のようなＡ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であることを特徴とする。このような層厚のＡ層およびＢ層を２層以上交互に積層させることにより、Ａ層およびＢ層の密着が強固なものとなり、層間の剥離を抑制しつつ、Ａ層およびＢ層の両層が有するそれぞれの特性を享受することができる。かかるＡ層およびＢ層は、層間で剥離しない程度に薄くすることにより密着性を向上できることから、可能な限り薄い層厚であることが好ましいが、製造設備の都合上、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。これらの層厚が２ｎｍ未満の場合、成膜装置の基材をセットする回転テーブルの回転数が早すぎて、装置のスペック上成膜が困難となり、２０ｎｍを超えると層厚が厚すぎるため、Ａ層およびＢ層の両層が有するそれぞれの特性を享受することができない。
【００２９】
このようなＢ層は、Ａ層よりも圧縮応力が高くなる傾向にある。このため、Ａ層の層厚が、Ｂ層の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより被覆膜全体の応力バランスが安定したものとなり、密着性や耐欠損性を向上させることができる。なお、本発明は、Ａ層およびＢ層を交互に各２層以上積層させた積層体を形成するが、かかる積層体を構成する各Ａ層および各Ｂ層の層厚は、同一の厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。各Ａ層の層厚および各Ｂ層の層厚がそれぞれ異なる場合、最も厚みが薄いＡ層の層厚が、最も厚みが厚いＢ層の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより被覆膜全体の応力バランスが顕著に良好なものとなる。
【００３０】
ここで、被覆膜１０５に含まれる積層体は、図１に示されるように基材１１０の直上に設けてもよいし、基材１１０上に中間層を形成した後に、該中間層上に設けてもよい。かかる積層体は、Ａ層１０２およびＢ層１０３の両層が交互に積層される限り、どちらの層により積層を開始してもよいし、どちらの層により積層を終えてもよい。また、被覆膜１０５の最表面に最表面層１０４を形成してもよいし、最表面層１０４を形成しなくてもよい。最表面層１０４を形成する場合、図１に示すようにＢ層１０３上に最表面層１０４を形成してもよいし、図示はしていないがＡ層上に最表面層を形成してもよい。また、積層体上にバインダー層を形成してから最表面層１０４を形成してもよい。なお、図１における点線部分は積層が繰り返されていることを示すものであるが、本発明の積層態様の最少積層数はＡ層１０２、Ｂ層１０３がともに２層ずつである計４層の場合である。
【００３１】
＜Ｓｉの原子比＞
Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとはそれぞれ、各式中において０．１以下であることを特徴とする。これにより耐熱性を向上しつつ圧縮応力の増加を抑えることができ、密着性の低下を防ぐことができる。Ｓｉの原子比であるｃまたはｅが０．１を超えると、圧縮応力が増加することにより層間の剥離が生じやすくなる。
【００３２】
＜Ｓｉの原子比の差＞
本発明の被覆膜は、上記のＡ層と上記のＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含むことを基本とする。これは、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるＡ層と、耐摩耗性および靭性に優れるＢ層とを交互に積層させることにより、これらの両層が有するそれぞれの特性を享受することを期待したものである。しかし、これら両層をＳｉの組成を限定せずに単純に積層させただけでは両層が有する特性を十分に発揮することができず、特に鉄系の被削材の高速加工およびドライ加工において、被覆膜に含まれる積層体中の層間での剥離が発生しやすいものであった。
【００３３】
そこで、本発明者らが種々の検討を重ねた結果、上記のＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとが、以下の式（Ｉ）を満たすことにより、Ａ層とＢ層との密着性を高め、層間での剥離を抑制することができることを見出した。
【００３４】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
なお、式（Ｉ）中の｜ｃ−ｅ｜を以下においては「Ｓｉの原子比の差」とも記す。
【００３５】
Ｓｉの原子比の差が０．０５を超えると、被覆膜に含まれるＳｉの厚み方向の組成の均一性が取れなくなるためか、各層の応力差が大きすぎるためか、その理由は定かではないが密着性が低下する。Ａ層およびＢ層の密着性を向上する観点から、Ａ層およびＢ層を構成するＳｉの原子比の差は、０．０３以下であることがより好ましい。
【００３６】
＜最表面層＞
本発明の表面被覆切削工具は、上記被覆膜の表面側（すなわち被覆膜の基材と接する側とは反対側）に最表面層を備えることが好ましい。ここで、最表面層は、その層厚が０．０５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上２μｍ以下である。
【００３７】
このような最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。このようにＢ層を構成する組成の炭窒化物からなる最表面層は、その層中に炭素が分散していることにより、窒化物に比して摩擦係数が低く、潤滑性が高いものとなる。このため、切削加工中の工具の刃先が高温になりにくくなり、被覆膜の酸化を抑制するとともに、被削材が刃先に溶着しにくくなり、加工面粗さを向上させることができる。
【００３８】
また、最表面層は、ＡｌＮからなるものとすることも好ましい。ＡｌＮからなる最表面層は、切削で高温になったときにアルミナとなって耐熱性を向上させるとともに、被削材の耐溶着性をも向上させることができる。最表面層を構成するＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなることが好ましい。六方晶構造のＡｌＮは、熱浸透率が著しく低下して断熱効果が発揮されるため、耐酸化摩耗性および耐熱亀裂性を向上させ、工具寿命を向上させることができる。
【００３９】
＜製造方法＞
本発明の被覆膜は、物理的蒸着法（ＰＶＤ法）により形成されることが好ましい。これは、本発明の被覆膜を基材表面に成膜するためには結晶性の高い化合物を形成することができる成膜プロセスであることが不可欠であり、種々の成膜方法を検討した結果、物理的蒸着法を用いることが最適であることが見出されたからである。物理的蒸着法には、たとえばスパッタリング法、イオンプレーティング法などがあるが、特に原料元素のイオン率が高いカソードアークイオンプレーティング法を用いると、被覆膜を形成する前に基材表面に対して金属またはガスイオンボンバードメント処理が可能となるため、被覆膜と基材との密着性が格段に向上するので好ましい。
【００４０】
したがって、本発明の被覆膜は、物理的蒸着法の一種であるカソードアークイオンプレーティング法を採用してＡ層およびＢ層を形成することが好ましく、Ａ層およびＢ層を形成した後にＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合は、Ａ層およびＢ層の形成と同様カソードアークイオンプレーティング法により最表面層を形成することが好ましい。これによりＴｉＳｉＣＮの結晶構造を緻密にすることができる。
【００４１】
一方、Ａ層およびＢ層をアークイオンプレーティング法により形成した後に、ＡｌＮからなる最表面層を形成する場合は、スパッタリング法により最表面層を形成することが好ましい。スパッタリング法を用いて最表面層を形成することにより、ＡｌＮの結晶構造を緻密にすることができる。
【００４２】
図２は、カソードアークイオンプレーティング法とスパッタリング法の両方を行なうことができる複合装置の概略図である。ＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合は、対向するアーク蒸発源２０１、２０２において、アーク蒸発源２０１にはＡ層用のＡｌＴｉＳｉターゲットをセットし、アーク蒸発源２０２にはＢ層用のＴｉＳｉターゲットをセットするとともに、回転テーブル２０４に基材２１０（切削工具）をセットする。
【００４３】
ここで、アーク蒸発源２０１にセットされるターゲットの組成（ＡｌとＴｉとＳｉとの比）によりＡ層を構成するＡｌaＴｉbＳｉcＮの原子比であるａ、ｂ、およびｃを決定することができる。また、アーク蒸発源２０２にセットされるターゲットの組成（ＴｉとＳｉとの比）によりＢ層を構成するＴｉdＳｉeＮの原子比であるｄ、およびｅを決定することができる。
【００４４】
そして、複合装置２００内が真空となるように排気した後に、複合装置内をたとえば５００℃に加熱した状態で回転テーブル２０４を５ｒｐｍで回転させながら、Ａｒガスによるスパッタクリーニング（ボンバード）を行なう。その後、基材に−５０Ｖのバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を３ｒｐｍで回転させながら、アーク電流によりアーク蒸発源２０１、２０２をアーク放電させることにより、各ターゲットをイオン化させる。同時に反応ガスである窒素をガス導入口２０５から導入し、基材２１０の表面にＡ層およびＢ層を交互に成膜する。
【００４５】
すなわち、アーク蒸発源２０１の前を基材２１０が通過するときにＡｌaＴｉbＳｉcＮからなるＡ層が成膜され、アーク蒸発源２０２の前を基材２１０が通過するときにＴｉdＳｉeＮからなるＢ層が成膜され、このように回転テーブル２０４が回転するのに従いＡ層とＢ層とを順次交互に積層させることができる。なお、成膜する間のアーク蒸発源２０１のアーク電流、およびテーブルの回転数を調整することにより、Ａ層およびＢ層の層厚を調整することができる。
【００４６】
ここで、アーク蒸発源２０１、２０２のアーク電流を低くするほど、Ａ層およびＢ層の層厚は薄く形成される。したがって、Ａ層の層厚をＢ層の層厚よりも厚くするためには、アーク蒸発源２０１のアーク電流をアーク蒸発源２０２のアーク電流よりも大きくすればよい。ただし、ターゲットの放電を安定させるためにはアーク電流は８０Ａ以上とする必要がある。アーク電流を８０Ａ未満にすると、アーク放電が不安定になり、Ａ層およびＢ層の層厚を均一に形成しにくくなる。
【００４７】
また、アーク電流を１５０Ａ程度とした場合、テーブルの回転数を３ｒｐｍ以上１５ｒｐｍ以下にすることにより、２０ｎｍ以下の層厚のＡ層およびＢ層を形成することができる。テーブルの回転数を３ｒｐｍ未満にすると、Ａ層およびＢ層の層厚が２０ｎｍを超える場合があり、一方、１５ｒｐｍを超えることは製造設備の制約上好ましくない。なお、Ａ層およびＢ層の各層厚が２ｎｍ未満では回転テーブルの回転数が非常に早くなり、複合装置のスペック上成膜が困難となる。なお、複合装置２００は、複数のヒータ２０６が備えられている。
【００４８】
上記のようにＡ層およびＢ層を形成した後に、カソードアークイオンプレーティング法によりＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合、まずはチャンバー内の窒素およびＡｒを排気してから、ガス導入口２０５から反応ガスである窒素と炭素ガスとを導入する。同時に、基材２１０にバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、アーク電流を印加してアーク蒸発源２０２をアーク放電し、ＴｉＳｉターゲットをイオン化させることにより形成する。
【００４９】
このようにカソードアークイオンプレーティング法により最表面層を形成する場合は、チャンバー内の温度を５５０℃以上の高温にした上で、成膜時のバイアス電圧を２００Ｖ以上に印加して成膜することが好ましい。このような条件で成膜することにより緻密なＴｉＳｉＣＮを形成することができる。なお、最表面層を形成するときのバイアス電圧が、３０Ｖ以上１００Ｖ以下のような通常のアークイオンプレーティング法の成膜条件では、炭素ガスであるメタンやアセチレンが十分に分解されずに部分的に炭素が析出し、耐熱性および強度が低下する場合があるため好ましくない。
【００５０】
一方、ＡｌＮからなる最表面層を形成する場合は、複合装置２００に上記Ａ層用およびＢ層用のターゲットをセットするのに加えて、スパッタ蒸発源２０３にＡｌターゲットをセットする。そして、上記と同様のアークイオンプレーティング法を用いてＡ層およびＢ層を形成した後に、スパッタリング法により最表面層を形成する。ＡｌＮからなる最表面層を形成するときには、チャンバー内の温度を７００℃以下とすることが好ましく、より好ましくは４５０℃以上５５０℃以下である。そして、チャンバー内の圧力が０．６ＰａになるようにＡｒと窒素を１：１の流量比で導入するとともに、基材２１０にパルスＤＣバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、スパッタ蒸発源２０３に所定の電力を加えてＡｌターゲットをイオン化し、窒素と反応させることによりＡｌＮからなる最表面層を成膜する。
【００５１】
このようにスパッタリング法により最表面層を形成する場合は、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の層厚を成膜するごとに、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数を１００ｋＨｚ以下、または３００ｋＨｚ以上となるように交互に制御することが好ましい。そして、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が３００ｋＨｚ以上のときには、基材バイアス電圧を５０Ｖ未満、かつ周波数１００ｋＨｚ以下とすることがより好ましく、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が１００ｋＨｚ以下のときには、基材バイアス電圧を５０Ｖ以上、かつ周波数２００ｋＨｚ以上とすることがより好ましい。このようにチャンバー内の温度、基材バイアス電圧、およびパルス周波数を調整することにより、熱浸透率が低く、六方晶を含む緻密な結晶構造のＡｌＮを形成することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
＜実施例１〜２１、比較例１〜１２＞
図２のようなカソードアークイオンプレーティング法とスパッタリング法の両方を行なうことができる複合装置を用い、各層形成用のターゲットを蒸発源にセットし、基材温度４５０℃にて基材上に被覆膜を成膜した。
【００５４】
基材としては、超硬合金製エンドミル（φ１０ｍｍ、６枚刃）、超硬合金製ドリル（φ８ｍｍ）、Ｐ２０相当超硬合金製フライス用スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）の３種類を準備し、それぞれに表１に示した被覆膜を成膜した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
実施例１〜２１および比較例１〜１２では、表１中の「組成」の欄に記載した「Ａ層」および「Ｂ層」を積層させた上で、その最表面に表１中の「組成」の欄に記載した「最表面層」を形成することにより被覆膜を構成した。また、最表面層を形成しない場合は、表１中に「−」を示した。「層厚」の欄には、Ａ層、Ｂ層、および最表面層のそれぞれの層厚を示し、「全体膜厚」の欄は、被覆膜の膜厚を示した。また、「Ｓｉ比の差」の欄には、その積層体を構成するＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとの差を示した。
【００５７】
たとえば、実施例１は、図２の複合装置を用い、アーク蒸発源２０１のターゲット材料にＡｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05をセットし、アーク蒸発源２０２のターゲット材料にＴｉ0.96Ｓｉ0.04をそれぞれセットして、被覆膜を形成した表面被覆切削工具に関するものである。なお、目的の組成からなる被覆膜を得るためにＮ2ガス、ＣＨ4ガス、およびＡｒガスからなる群より選択される１種以上の反応ガスを導入してチャンバー内の圧力を調整した。このようなターゲット材料を用いることにより、Ａ層を構成するＳｉの原子比とＢ層を構成するＳｉの原子比との差が０．０１の被覆膜を得ることができる。
【００５８】
まず、図２の複合装置のチャンバー内の圧力が真空になるように排気した後に、チャンバー内の温度を５７０℃まで昇温した。そして、Ａｒガスを導入してチャンバー内の圧力を３．０Ｐａに保持し、ＤＣバイアス電圧を徐々に上げながら−１０００Ｖとし基材表面のクリーニング（ボンバード）を１５分間行なった。その後アルゴンガスを排気した。これにより、Ａｒイオンが基材表面をスパッタクリーニングし強固な汚れや酸化膜が除去された。
【００５９】
次に、Ａ層およびＢ層を成膜した。チャンバー内の圧力が３ＰａになるようにＮ2ガスを導入し、基材ＤＣバイアス電圧を−５０Ｖとした。Ａｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05ターゲットをアーク電流１５０Ａとしてイオン化し、Ｔｉ0.96Ｓｉ0.04ターゲットをアーク電流１３０Ａとしてイオン化し、それぞれＮ2ガスと反応させることにより、基材上に層厚が８ｎｍのＡｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05ＮからなるＡ層と、層厚が６ｎｍのＴｉ0.96Ｓｉ0.04ＮからなるＢ層とを交互に成膜した。なお、Ａ層とＢ層の積層数はそれぞれ２１４層であった。
【００６０】
そして、最後に最表面層を成膜した。チャンバー内の温度を５５０℃として、その圧力が３Ｐａとなるように、Ｎ2ガスとメタンガスとを４：１の流量比で導入し、基材ＤＣバイアス電圧を２００Ｖとした。そして、Ｔｉ0.96Ｓｉ0.04ターゲットをアーク電流１３０Ａとしてイオン化し、Ｎ2ガスおよびメタンガスと反応させることにより、層厚が０．５μｍのＴｉ0.96Ｓｉ0.04ＣＮからなる最表面層を成膜し、本発明の表面被覆切削工具を作製した。なお、実施例２〜２１および比較例１〜１２の表面被覆切削工具も実施例１と同様にして作製した。
【００６１】
このようにして得られた表面被覆切削工具（すなわち表面被覆エンドミル、表面被覆ドリル、表面被覆フライス加工用スローアウェイチップ）について次に示す切削条件にて評価を行なった。その切削評価の結果を表２に示す。
【００６２】
（１）エンドミル評価
表面被覆エンドミルにおいては、基材として上記の通り６枚刃、外径１０ｍｍの超硬合金製エンドミルを用い、被削材はＳＫＤ１１（ＨＲＣ６１）とし、側面切削をダウンカットで切削速度＝２００ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．０２５ｍｍ／刃、切込み量ａp＝１０ｍｍ、ａe＝０．６ｍｍ、エアーブローでエンドミル切削を行なった。そして、切削長５０ｍ時点での切れ刃外周の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６３】
（２）ドリル評価
表面被覆ドリルにおいては、基材として上記の通り外径８ｍｍの超硬合金製ドリルを用い、被削材はＳ５０Ｃとし、穴加工を切削速度＝８０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２５ｍｍ／ｒｅｖ、穴深さ３０ｍｍの貫通穴、切削油なしでドリル切削を行なった。そして、切削長３０ｍ時点での先端マージン部の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６４】
（３）フライス評価
表面被覆フライス加工用スローアウェイチップにおいては、基材として上記の通りＰ２０相当超硬合金製スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）を用い、被削材はＳＣＭ４３５（幅３００ｍｍ×長さ２００ｍｍのブロック材）とし、切削速度＝３００ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２５ｍｍ／ｔ、切込み量＝１．５ｍｍ、切削油なしでフライス切削を行なった。そして、切削時間１５分時点での逃げ面の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６５】
【表２】
【００６６】
表２より、実施例１〜２１の表面被覆切削工具は、比較例１〜１２の表面被覆切削工具と比較して工具寿命が著しく向上しており、高速、ドライ加工に十分対応できることがわかった。すなわち、本発明の表面被覆切削工具が、ＡｌＴｉＳｉＮの特性とＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものであることが確認された。
【００６７】
＜実施例２２〜４２、比較例１３〜２６＞
上記の実施例１と同一の複合装置を用い、各層形成用のターゲットを蒸発源にセットし、基材温度４５０℃にて基材上に、それぞれに表３に示した被覆膜を成膜した。
【００６８】
基材としては、超硬合金製エンドミル（φ１２ｍｍ、６枚刃）、超硬合金製ドリル（φ１０ｍｍ）、Ｐ２０相当超硬合金製フライス用スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）の３種類を準備し、それぞれに表３に示した被覆膜を成膜した。
【００６９】
【表３】
【００７０】
実施例２２〜４２および比較例１３〜２６では、表３中の「組成」の欄に記載した「Ａ層」および「Ｂ層」を積層させた上で、その最表面に表３中の「最表面層の結晶構造」の欄に記載した結晶構造のＡｌＮからなる最表面層を形成することにより被覆膜を構成した。また、最表面層を形成しない場合は、表３中に「−」を示した。「層厚」の欄には、Ａ層、Ｂ層、および最表面層のそれぞれの層厚を示し、「全体膜厚」の欄は、被覆膜の膜厚を示した。また、「Ｓｉ比の差」の欄には、その積層体を構成するＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとの差を示した。
【００７１】
たとえば実施例２２においては、上記の実施例１とは最表面層の組成が異なる他は実施例１と同様の方法により表面被覆切削工具を作製した。すなわち、実施例１と同一の方法でＡ層およびＢ層の積層体を形成した後に、チャンバー内の温度を５３０℃とし、チャンバー内の圧力が１ＰａになるようにＡｒガスとＮ2ガスを１：１の流量比で導入した上で、基材２１０にパルスＤＣバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、スパッタ蒸発源２０３に２ｋＷのスパッタ電力を加えてＡｌターゲットをイオン化し、Ｎ2ガスと反応させることによりＡｌＮからなる最表面層を形成した。
【００７２】
このようなスパッタリング法により形成される最表面層は、３０ｎｍの層厚を成膜するごとに、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数として３２０ｋＨｚと８０ｋＨｚとを交互に制御した。そして、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が３２０ｋＨｚのときには、基材バイアス電圧を４０Ｖとし、パルス周波数を８０ｋＨｚとしたのに対し、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が８０ｋＨｚのときには、基材バイアス電圧を６０Ｖとし、パルス周波数を２２０ｋＨｚとすることにより形成した。なお、実施例２３〜４２および比較例１３〜２６の表面被覆切削工具も実施例２２と同様にして作製した。
【００７３】
このようにして得られた表面被覆切削工具（すなわち表面被覆エンドミル、表面被覆ドリル、表面被覆フライス加工用スローアウェイチップ）について次に示す切削条件にて評価を行なった。その切削評価の結果を表４に示す。
【００７４】
（１）エンドミル評価
表面被覆エンドミルにおいては、基材として上記の通り６枚刃、外径１２ｍｍの超硬合金製エンドミルを用い、被削材はＳＫＤ１１（ＨＲＣ６１）とし、側面切削をダウンカットで切削速度＝２３０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．０３ｍｍ／刃、切込み量ａp＝６ｍｍ、ａe＝０．６ｍｍ、エアーブローでエンドミル切削を行なった。そして、切削長４５ｍ時点での切れ刃外周の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７５】
（２）ドリル評価
表面被覆ドリルにおいては、基材として上記の通り外径１０ｍｍの超硬合金製ドリルを用い、被削材はＳ５０Ｃとし、穴加工を切削速度＝７０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．３ｍｍ／ｒｅｖ、穴深さ３０ｍｍの貫通穴、切削油なしでドリル切削を行なった。そして、切削長３０ｍ時点での先端マージン部の摩耗幅を測定した。摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７６】
（３）フライス評価
表面被覆フライス加工用スローアウェイチップにおいては、基材として上記の通りＰ２０相当超硬合金製スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）を用い、被削材はＳＣＭ４４０（幅３００ｍｍ×長さ２００ｍｍのブロック材）とし、切削速度＝２５０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２ｍｍ／ｔ、切込み量＝２．０ｍｍ、切削油なしでフライス切削を行なった。そして、切削時間１５分時点での逃げ面の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７７】
【表４】
【００７８】
表４より、実施例２２〜４２の表面被覆切削工具は、比較例１３〜２６の表面被覆切削工具と比較して工具寿命が著しく向上しており、高速、ドライ加工に十分対応できることがわかった。すなわち、本発明の表面被覆切削工具が、ＡｌＴｉＳｉＮの特性とＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものであることが確認された。
【００７９】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００８０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８１】
１１０，２１０ 基材、１０２ Ａ層、１０３ Ｂ層、２００ 複合装置、２０１，２０２ アーク蒸発源、２０３ スパッタ蒸発源、２０４ 回転テーブル、２０５ ガス導入口、２０６ ヒータ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材とその上に形成された被覆膜とを備える表面被覆切削工具に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の切削工具の動向として、地球環境保全の観点から切削油剤を用いないドライ加工が求められていること、被削材が多様化していること、加工能率を一層向上させるため切削速度がより高速になってきていることなどの理由から、工具刃先温度はますます高温になる傾向にあり、工具材料に要求される特性は厳しくなる一方である。特に工具材料の要求特性として、基材上に形成される被覆膜の高温での安定性（耐酸化特性や被覆膜の密着性）はもちろんのこと、切削工具寿命に関係する耐摩耗性の向上や耐欠損性の向上が一段と重要になっている。
【０００３】
耐摩耗性および表面保護機能改善のため、ＷＣ基超硬合金、サーメット、高速度鋼等の硬質基材からなる切削工具や耐摩耗工具等の表面には、硬質被覆膜としてＴｉＡｌの窒化物を単層または複層形成することはよく知られているところである。しかしながら、最近の高速、ドライ加工では、ＴｉＡｌの窒化物からなる被覆膜では十分な工具寿命が得られないのが現状である。
【０００４】
このような状況下、被覆膜の耐熱性を向上し、長い工具寿命を実現する方法として、特許文献１には、ＴｉとＡｌとの複合窒化物において、さらにＳｉを添加した被覆膜が提案されている。このようにＳｉを含む被覆膜は、その表面にＳｉを含有する緻密な酸化保護膜が形成されることから、ＴｉＡｌの窒化物からなる被覆膜よりも耐熱性が優れるという利点がある。しかし、その一方で特許文献１に開示される被覆膜は、その硬度および靭性の性能が十分ではないという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する試みとして、特許文献２および特許文献３には、Ｔｉの窒化物、炭窒化物、窒酸化物、または炭窒酸化物にＳｉを適量含有した層と、ＴｉおよびＡｌを主成分とする窒化物、炭窒化物、窒酸化物、または炭窒酸化物からなる層とを交互に積層した被覆膜が開示されている。また、特許文献４には、ＡｌＴｉＳｉＮからなる層と、ＴｉＳｉＮからなる層とを交互に積層した被覆膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０７−３１０１７４号公報
【特許文献２】特開２０００−３３４６０６号公報
【特許文献３】特開２０００−３３４６０７号公報
【特許文献４】特開２００３−２９１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２および特許文献３に開示されているＴｉＳｉ系の被覆膜は、圧縮残留応力が極端に高いことにより、被覆膜自体が自己破壊しやすいため、基材または下層との密着性が十分ではないという問題があった。また、上記の特許文献４で開示されている被覆膜は、耐熱性、硬度、および靭性に優れる一方、かかる被覆膜で被覆した切削工具を用いて切削加工を行なうと、積層構造中の層間で剥離する傾向があり、十分な工具寿命が得られないという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるというＡｌＴｉＳｉＮの特性と、耐摩耗性と靭性に優れるというＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記のような課題を解決するために、被覆膜の構成について種々の検討を重ねたところ、特許文献４に開示される被覆膜が層間で剥離しやすいのは、積層構造を構成する各層のＳｉ比がマッチングしていなかったことによるものであるという知見を得た。かかる知見に基づいて、ＡｌＴｉＳｉＮからなる層と、ＴｉＳｉＮからなる層との原子比についてさらに鋭意検討を重ねることにより、ついに本発明を完成させたものである。
【００１０】
すなわち、本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
【００１１】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
Ａ層およびＢ層はいずれも、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の層厚であることが好ましい。Ａ層の層厚は、Ｂ層の層厚よりも厚いことが好ましい。
【００１２】
Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（ＩＩ）を満たすことが好ましい。
【００１３】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０３ ・・・（ＩＩ）
被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、該最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。上記の最表面層は、ＡｌＮからなるものであってもよい。さらに、ＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなることが好ましい。
【００１４】
Ａ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．５≦ａ≦０．６、０．０３≦ｃ≦０．０８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなることが好ましく、Ｂ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０．０３≦ｅ≦０．０８、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。
【００１５】
被覆膜は、物理蒸着法により形成されることが好ましい。Ａ層およびＢ層は、アークイオンプレーティング法により形成され、最表面層は、スパッタリング法により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の表面被覆切削工具は、上記のような構成を有することにより、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるというＡｌＴｉＳｉＮの特性と、耐摩耗性および靭性に優れるというＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】基材直上にＡ層が形成され、表面側のＢ層上に最表面層が形成された態様の被覆膜を示す概略断面図である。
【図２】アークイオンプレーティング法とスパッタリング法との両方を行なうことができる複合装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について、詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。なおまた、本発明において、層厚または膜厚は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）により測定し、被覆膜の組成はエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ：Energy Dispersive x-ray Spectroscopy）により測定するものとする。
【００１９】
＜表面被覆切削工具＞
本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備えたものである。このような基本的構成を有する本発明の表面被覆切削工具は、たとえばドリル、エンドミル、フライス加工用または旋削加工用刃先交換型切削チップ、メタルソー、歯切工具、リーマ、タップ、またはクランクシャフトのピンミーリング加工用チップ等として極めて有用に用いることができる。
【００２０】
＜基材＞
本発明の表面被覆切削工具の基材としては、このような切削工具の基材として知られる従来公知のものを特に限定なく使用することができる。たとえば、超硬合金（たとえばＷＣ基超硬合金、ＷＣの他、Ｃｏを含み、あるいはさらにＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の炭窒化物等を添加したものも含む）、サーメット（ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ等を主成分とするもの）、高速度鋼、セラミックス（炭化チタン、炭化硅素、窒化硅素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、およびこれらの混合体など）、立方晶型窒化硼素焼結体、ダイヤモンド焼結体等をこのような基材の例として挙げることができる。このような基材として超硬合金を使用する場合、そのような超硬合金は、組織中に遊離炭素やη相と呼ばれる異常相を含んでいても本発明の効果は示される。
【００２１】
なお、これらの基材は、その表面が改質されたものであっても差し支えない。たとえば、超硬合金の場合はその表面に脱β層が形成されていたり、サーメットの場合には表面硬化層が形成されていてもよく、このように表面が改質されていても本発明の効果は示される。
【００２２】
＜被覆膜＞
本発明の被覆膜は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、該Ａ層および該Ｂ層はそれぞれ２０ｎｍ以下の層厚であり、Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴としている。
【００２３】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
このような本発明の被覆膜は、基材上の全面を被覆する態様を含むとともに、部分的に被覆膜が形成されていない態様をも含み、さらにまた部分的に被覆膜の一部の積層態様が異なっているような態様をも含む。また、本発明の被覆膜は、その全体の膜厚が１μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする。１μｍ未満であると耐摩耗性に劣る場合があり、１５μｍを超えると基材との密着性および耐欠損性が低下する場合がある。このような被覆膜の特に好ましい膜厚は２μｍ以上８μｍ以下である。本発明の被覆膜は、その表面側に後述の最表面層を含むことができる。なお、上記の被覆膜は、Ａ層、Ｂ層、および最表面層以外の他の任意の層を含んでいてもよい。
【００２４】
以下、このような被覆膜についてさらに詳細に説明する。
＜Ａ層＞
積層体を構成するＡ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなることを特徴とする。このようなＡ層は、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるため、高速、ドライ加工時の刃先の耐欠損性に効果的である。また、上記ａは０．５≦ａ≦０．６であり、上記ｃは０．０３≦ｃ≦０．０８であることがより好ましい。この場合耐熱性、硬度、および圧縮残留応力のバランスがさらに良好なものとなる。上記式中、ａが０．３５未満であるか、またはｃが０．１を超えると、Ｓｉ添加による耐熱性（特に耐酸化性）および硬度を向上させる効果を十分に得ることができず、ａが０．７を超えると、被覆膜の硬度が大きく低下して耐摩耗性が低下するため好ましくない。
【００２５】
なお、ＡｌaＴｉbＳｉcＮという表記において、「ＡｌaＴｉbＳｉc」と、「Ｎ」との組成比は１：１の場合のみに限られるものではなく、組成比として可能である比を全て含み得るものであり、両者の比は特に限定されない。
【００２６】
＜Ｂ層＞
上記のＡ層とともに積層体を構成するＢ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）であることを特徴とする。このようなＢ層は、耐摩耗性と靭性に優れるが、さらなる高速、ドライ加工へ対応するためにはそれ単体では限界があるため、本発明においては上記のＡ層と交互に積層されるものである。上記のｅが０．１以下であることにより、Ｂ層の急激な圧縮応力の増加を抑制し、密着性の低下を抑制することができる。ここで、上記ｅは０．０３≦ｅ≦０．０８であることがより好ましく、この場合耐摩耗性と靭性のバランスが一層良好なものとなる。上記式中、ｅが０．１を超えると、圧縮残留応力が大きくなり、層間剥離が生じやすくなるため好ましくない。
【００２７】
なお、ＴｉdＳｉeＮという表記において、「ＴｉdＳｉe」と「Ｎ」との組成比は１：１の場合のみに限られるものではなく、組成比として可能である比を全て含み得るものであり、両者の比は特に限定されない。
【００２８】
＜Ａ層およびＢ層の層厚＞
上記のようなＡ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であることを特徴とする。このような層厚のＡ層およびＢ層を２層以上交互に積層させることにより、Ａ層およびＢ層の密着が強固なものとなり、層間の剥離を抑制しつつ、Ａ層およびＢ層の両層が有するそれぞれの特性を享受することができる。かかるＡ層およびＢ層は、層間で剥離しない程度に薄くすることにより密着性を向上できることから、可能な限り薄い層厚であることが好ましいが、製造設備の都合上、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。これらの層厚が２ｎｍ未満の場合、成膜装置の基材をセットする回転テーブルの回転数が早すぎて、装置のスペック上成膜が困難となり、２０ｎｍを超えると層厚が厚すぎるため、Ａ層およびＢ層の両層が有するそれぞれの特性を享受することができない。
【００２９】
このようなＢ層は、Ａ層よりも圧縮応力が高くなる傾向にある。このため、Ａ層の層厚が、Ｂ層の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより被覆膜全体の応力バランスが安定したものとなり、密着性や耐欠損性を向上させることができる。なお、本発明は、Ａ層およびＢ層を交互に各２層以上積層させた積層体を形成するが、かかる積層体を構成する各Ａ層および各Ｂ層の層厚は、同一の厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。各Ａ層の層厚および各Ｂ層の層厚がそれぞれ異なる場合、最も厚みが薄いＡ層の層厚が、最も厚みが厚いＢ層の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより被覆膜全体の応力バランスが顕著に良好なものとなる。
【００３０】
ここで、被覆膜１０５に含まれる積層体は、図１に示されるように基材１１０の直上に設けてもよいし、基材１１０上に中間層を形成した後に、該中間層上に設けてもよい。かかる積層体は、Ａ層１０２およびＢ層１０３の両層が交互に積層される限り、どちらの層により積層を開始してもよいし、どちらの層により積層を終えてもよい。また、被覆膜１０５の最表面に最表面層１０４を形成してもよいし、最表面層１０４を形成しなくてもよい。最表面層１０４を形成する場合、図１に示すようにＢ層１０３上に最表面層１０４を形成してもよいし、図示はしていないがＡ層上に最表面層を形成してもよい。また、積層体上にバインダー層を形成してから最表面層１０４を形成してもよい。なお、図１における点線部分は積層が繰り返されていることを示すものであるが、本発明の積層態様の最少積層数はＡ層１０２、Ｂ層１０３がともに２層ずつである計４層の場合である。
【００３１】
＜Ｓｉの原子比＞
Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとはそれぞれ、各式中において０．１以下であることを特徴とする。これにより耐熱性を向上しつつ圧縮応力の増加を抑えることができ、密着性の低下を防ぐことができる。Ｓｉの原子比であるｃまたはｅが０．１を超えると、圧縮応力が増加することにより層間の剥離が生じやすくなる。
【００３２】
＜Ｓｉの原子比の差＞
本発明の被覆膜は、上記のＡ層と上記のＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含むことを基本とする。これは、耐熱性、硬度、および応力バランスに優れるＡ層と、耐摩耗性および靭性に優れるＢ層とを交互に積層させることにより、これらの両層が有するそれぞれの特性を享受することを期待したものである。しかし、これら両層をＳｉの組成を限定せずに単純に積層させただけでは両層が有する特性を十分に発揮することができず、特に鉄系の被削材の高速加工およびドライ加工において、被覆膜に含まれる積層体中の層間での剥離が発生しやすいものであった。
【００３３】
そこで、本発明者らが種々の検討を重ねた結果、上記のＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとが、以下の式（Ｉ）を満たすことにより、Ａ層とＢ層との密着性を高め、層間での剥離を抑制することができることを見出した。
【００３４】
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
なお、式（Ｉ）中の｜ｃ−ｅ｜を以下においては「Ｓｉの原子比の差」とも記す。
【００３５】
Ｓｉの原子比の差が０．０５を超えると、被覆膜に含まれるＳｉの厚み方向の組成の均一性が取れなくなるためか、各層の応力差が大きすぎるためか、その理由は定かではないが密着性が低下する。Ａ層およびＢ層の密着性を向上する観点から、Ａ層およびＢ層を構成するＳｉの原子比の差は、０．０３以下であることがより好ましい。
【００３６】
＜最表面層＞
本発明の表面被覆切削工具は、上記被覆膜の表面側（すなわち被覆膜の基材と接する側とは反対側）に最表面層を備えることが好ましい。ここで、最表面層は、その層厚が０．０５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上２μｍ以下である。
【００３７】
このような最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなることが好ましい。このようにＢ層を構成する組成の炭窒化物からなる最表面層は、その層中に炭素が分散していることにより、窒化物に比して摩擦係数が低く、潤滑性が高いものとなる。このため、切削加工中の工具の刃先が高温になりにくくなり、被覆膜の酸化を抑制するとともに、被削材が刃先に溶着しにくくなり、加工面粗さを向上させることができる。
【００３８】
また、最表面層は、ＡｌＮからなるものとすることも好ましい。ＡｌＮからなる最表面層は、切削で高温になったときにアルミナとなって耐熱性を向上させるとともに、被削材の耐溶着性をも向上させることができる。最表面層を構成するＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなることが好ましい。六方晶構造のＡｌＮは、熱浸透率が著しく低下して断熱効果が発揮されるため、耐酸化摩耗性および耐熱亀裂性を向上させ、工具寿命を向上させることができる。
【００３９】
＜製造方法＞
本発明の被覆膜は、物理的蒸着法（ＰＶＤ法）により形成されることが好ましい。これは、本発明の被覆膜を基材表面に成膜するためには結晶性の高い化合物を形成することができる成膜プロセスであることが不可欠であり、種々の成膜方法を検討した結果、物理的蒸着法を用いることが最適であることが見出されたからである。物理的蒸着法には、たとえばスパッタリング法、イオンプレーティング法などがあるが、特に原料元素のイオン率が高いカソードアークイオンプレーティング法を用いると、被覆膜を形成する前に基材表面に対して金属またはガスイオンボンバードメント処理が可能となるため、被覆膜と基材との密着性が格段に向上するので好ましい。
【００４０】
したがって、本発明の被覆膜は、物理的蒸着法の一種であるカソードアークイオンプレーティング法を採用してＡ層およびＢ層を形成することが好ましく、Ａ層およびＢ層を形成した後にＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合は、Ａ層およびＢ層の形成と同様カソードアークイオンプレーティング法により最表面層を形成することが好ましい。これによりＴｉＳｉＣＮの結晶構造を緻密にすることができる。
【００４１】
一方、Ａ層およびＢ層をアークイオンプレーティング法により形成した後に、ＡｌＮからなる最表面層を形成する場合は、スパッタリング法により最表面層を形成することが好ましい。スパッタリング法を用いて最表面層を形成することにより、ＡｌＮの結晶構造を緻密にすることができる。
【００４２】
図２は、カソードアークイオンプレーティング法とスパッタリング法の両方を行なうことができる複合装置の概略図である。ＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合は、対向するアーク蒸発源２０１、２０２において、アーク蒸発源２０１にはＡ層用のＡｌＴｉＳｉターゲットをセットし、アーク蒸発源２０２にはＢ層用のＴｉＳｉターゲットをセットするとともに、回転テーブル２０４に基材２１０（切削工具）をセットする。
【００４３】
ここで、アーク蒸発源２０１にセットされるターゲットの組成（ＡｌとＴｉとＳｉとの比）によりＡ層を構成するＡｌaＴｉbＳｉcＮの原子比であるａ、ｂ、およびｃを決定することができる。また、アーク蒸発源２０２にセットされるターゲットの組成（ＴｉとＳｉとの比）によりＢ層を構成するＴｉdＳｉeＮの原子比であるｄ、およびｅを決定することができる。
【００４４】
そして、複合装置２００内が真空となるように排気した後に、複合装置内をたとえば５００℃に加熱した状態で回転テーブル２０４を５ｒｐｍで回転させながら、Ａｒガスによるスパッタクリーニング（ボンバード）を行なう。その後、基材に−５０Ｖのバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を３ｒｐｍで回転させながら、アーク電流によりアーク蒸発源２０１、２０２をアーク放電させることにより、各ターゲットをイオン化させる。同時に反応ガスである窒素をガス導入口２０５から導入し、基材２１０の表面にＡ層およびＢ層を交互に成膜する。
【００４５】
すなわち、アーク蒸発源２０１の前を基材２１０が通過するときにＡｌaＴｉbＳｉcＮからなるＡ層が成膜され、アーク蒸発源２０２の前を基材２１０が通過するときにＴｉdＳｉeＮからなるＢ層が成膜され、このように回転テーブル２０４が回転するのに従いＡ層とＢ層とを順次交互に積層させることができる。なお、成膜する間のアーク蒸発源２０１のアーク電流、およびテーブルの回転数を調整することにより、Ａ層およびＢ層の層厚を調整することができる。
【００４６】
ここで、アーク蒸発源２０１、２０２のアーク電流を低くするほど、Ａ層およびＢ層の層厚は薄く形成される。したがって、Ａ層の層厚をＢ層の層厚よりも厚くするためには、アーク蒸発源２０１のアーク電流をアーク蒸発源２０２のアーク電流よりも大きくすればよい。ただし、ターゲットの放電を安定させるためにはアーク電流は８０Ａ以上とする必要がある。アーク電流を８０Ａ未満にすると、アーク放電が不安定になり、Ａ層およびＢ層の層厚を均一に形成しにくくなる。
【００４７】
また、アーク電流を１５０Ａ程度とした場合、テーブルの回転数を３ｒｐｍ以上１５ｒｐｍ以下にすることにより、２０ｎｍ以下の層厚のＡ層およびＢ層を形成することができる。テーブルの回転数を３ｒｐｍ未満にすると、Ａ層およびＢ層の層厚が２０ｎｍを超える場合があり、一方、１５ｒｐｍを超えることは製造設備の制約上好ましくない。なお、Ａ層およびＢ層の各層厚が２ｎｍ未満では回転テーブルの回転数が非常に早くなり、複合装置のスペック上成膜が困難となる。なお、複合装置２００は、複数のヒータ２０６が備えられている。
【００４８】
上記のようにＡ層およびＢ層を形成した後に、カソードアークイオンプレーティング法によりＴｉＳｉＣＮからなる最表面層を形成する場合、まずはチャンバー内の窒素およびＡｒを排気してから、ガス導入口２０５から反応ガスである窒素と炭素ガスとを導入する。同時に、基材２１０にバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、アーク電流を印加してアーク蒸発源２０２をアーク放電し、ＴｉＳｉターゲットをイオン化させることにより形成する。
【００４９】
このようにカソードアークイオンプレーティング法により最表面層を形成する場合は、チャンバー内の温度を５５０℃以上の高温にした上で、成膜時のバイアス電圧を２００Ｖ以上に印加して成膜することが好ましい。このような条件で成膜することにより緻密なＴｉＳｉＣＮを形成することができる。なお、最表面層を形成するときのバイアス電圧が、３０Ｖ以上１００Ｖ以下のような通常のアークイオンプレーティング法の成膜条件では、炭素ガスであるメタンやアセチレンが十分に分解されずに部分的に炭素が析出し、耐熱性および強度が低下する場合があるため好ましくない。
【００５０】
一方、ＡｌＮからなる最表面層を形成する場合は、複合装置２００に上記Ａ層用およびＢ層用のターゲットをセットするのに加えて、スパッタ蒸発源２０３にＡｌターゲットをセットする。そして、上記と同様のアークイオンプレーティング法を用いてＡ層およびＢ層を形成した後に、スパッタリング法により最表面層を形成する。ＡｌＮからなる最表面層を形成するときには、チャンバー内の温度を７００℃以下とすることが好ましく、より好ましくは４５０℃以上５５０℃以下である。そして、チャンバー内の圧力が０．６ＰａになるようにＡｒと窒素を１：１の流量比で導入するとともに、基材２１０にパルスＤＣバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、スパッタ蒸発源２０３に所定の電力を加えてＡｌターゲットをイオン化し、窒素と反応させることによりＡｌＮからなる最表面層を成膜する。
【００５１】
このようにスパッタリング法により最表面層を形成する場合は、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の層厚を成膜するごとに、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数を１００ｋＨｚ以下、または３００ｋＨｚ以上となるように交互に制御することが好ましい。そして、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が３００ｋＨｚ以上のときには、基材バイアス電圧を５０Ｖ未満、かつ周波数１００ｋＨｚ以下とすることがより好ましく、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が１００ｋＨｚ以下のときには、基材バイアス電圧を５０Ｖ以上、かつ周波数２００ｋＨｚ以上とすることがより好ましい。このようにチャンバー内の温度、基材バイアス電圧、およびパルス周波数を調整することにより、熱浸透率が低く、六方晶を含む緻密な結晶構造のＡｌＮを形成することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
＜実施例１〜２１、比較例１〜１２＞
図２のようなカソードアークイオンプレーティング法とスパッタリング法の両方を行なうことができる複合装置を用い、各層形成用のターゲットを蒸発源にセットし、基材温度４５０℃にて基材上に被覆膜を成膜した。
【００５４】
基材としては、超硬合金製エンドミル（φ１０ｍｍ、６枚刃）、超硬合金製ドリル（φ８ｍｍ）、Ｐ２０相当超硬合金製フライス用スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）の３種類を準備し、それぞれに表１に示した被覆膜を成膜した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
実施例１〜２１および比較例１〜１２では、表１中の「組成」の欄に記載した「Ａ層」および「Ｂ層」を積層させた上で、その最表面に表１中の「組成」の欄に記載した「最表面層」を形成することにより被覆膜を構成した。また、最表面層を形成しない場合は、表１中に「−」を示した。「層厚」の欄には、Ａ層、Ｂ層、および最表面層のそれぞれの層厚を示し、「全体膜厚」の欄は、被覆膜の膜厚を示した。また、「Ｓｉ比の差」の欄には、その積層体を構成するＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとの差を示した。
【００５７】
たとえば、実施例１は、図２の複合装置を用い、アーク蒸発源２０１のターゲット材料にＡｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05をセットし、アーク蒸発源２０２のターゲット材料にＴｉ0.96Ｓｉ0.04をそれぞれセットして、被覆膜を形成した表面被覆切削工具に関するものである。なお、目的の組成からなる被覆膜を得るためにＮ2ガス、ＣＨ4ガス、およびＡｒガスからなる群より選択される１種以上の反応ガスを導入してチャンバー内の圧力を調整した。このようなターゲット材料を用いることにより、Ａ層を構成するＳｉの原子比とＢ層を構成するＳｉの原子比との差が０．０１の被覆膜を得ることができる。
【００５８】
まず、図２の複合装置のチャンバー内の圧力が真空になるように排気した後に、チャンバー内の温度を５７０℃まで昇温した。そして、Ａｒガスを導入してチャンバー内の圧力を３．０Ｐａに保持し、ＤＣバイアス電圧を徐々に上げながら−１０００Ｖとし基材表面のクリーニング（ボンバード）を１５分間行なった。その後アルゴンガスを排気した。これにより、Ａｒイオンが基材表面をスパッタクリーニングし強固な汚れや酸化膜が除去された。
【００５９】
次に、Ａ層およびＢ層を成膜した。チャンバー内の圧力が３ＰａになるようにＮ2ガスを導入し、基材ＤＣバイアス電圧を−５０Ｖとした。Ａｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05ターゲットをアーク電流１５０Ａとしてイオン化し、Ｔｉ0.96Ｓｉ0.04ターゲットをアーク電流１３０Ａとしてイオン化し、それぞれＮ2ガスと反応させることにより、基材上に層厚が８ｎｍのＡｌ0.55Ｔｉ0.4Ｓｉ0.05ＮからなるＡ層と、層厚が６ｎｍのＴｉ0.96Ｓｉ0.04ＮからなるＢ層とを交互に成膜した。なお、Ａ層とＢ層の積層数はそれぞれ２１４層であった。
【００６０】
そして、最後に最表面層を成膜した。チャンバー内の温度を５５０℃として、その圧力が３Ｐａとなるように、Ｎ2ガスとメタンガスとを４：１の流量比で導入し、基材ＤＣバイアス電圧を２００Ｖとした。そして、Ｔｉ0.96Ｓｉ0.04ターゲットをアーク電流１３０Ａとしてイオン化し、Ｎ2ガスおよびメタンガスと反応させることにより、層厚が０．５μｍのＴｉ0.96Ｓｉ0.04ＣＮからなる最表面層を成膜し、本発明の表面被覆切削工具を作製した。なお、実施例２〜２１および比較例１〜１２の表面被覆切削工具も実施例１と同様にして作製した。
【００６１】
このようにして得られた表面被覆切削工具（すなわち表面被覆エンドミル、表面被覆ドリル、表面被覆フライス加工用スローアウェイチップ）について次に示す切削条件にて評価を行なった。その切削評価の結果を表２に示す。
【００６２】
（１）エンドミル評価
表面被覆エンドミルにおいては、基材として上記の通り６枚刃、外径１０ｍｍの超硬合金製エンドミルを用い、被削材はＳＫＤ１１（ＨＲＣ６１）とし、側面切削をダウンカットで切削速度＝２００ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．０２５ｍｍ／刃、切込み量ａp＝１０ｍｍ、ａe＝０．６ｍｍ、エアーブローでエンドミル切削を行なった。そして、切削長５０ｍ時点での切れ刃外周の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６３】
（２）ドリル評価
表面被覆ドリルにおいては、基材として上記の通り外径８ｍｍの超硬合金製ドリルを用い、被削材はＳ５０Ｃとし、穴加工を切削速度＝８０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２５ｍｍ／ｒｅｖ、穴深さ３０ｍｍの貫通穴、切削油なしでドリル切削を行なった。そして、切削長３０ｍ時点での先端マージン部の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６４】
（３）フライス評価
表面被覆フライス加工用スローアウェイチップにおいては、基材として上記の通りＰ２０相当超硬合金製スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）を用い、被削材はＳＣＭ４３５（幅３００ｍｍ×長さ２００ｍｍのブロック材）とし、切削速度＝３００ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２５ｍｍ／ｔ、切込み量＝１．５ｍｍ、切削油なしでフライス切削を行なった。そして、切削時間１５分時点での逃げ面の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００６５】
【表２】
【００６６】
表２より、実施例１〜２１の表面被覆切削工具は、比較例１〜１２の表面被覆切削工具と比較して工具寿命が著しく向上しており、高速、ドライ加工に十分対応できることがわかった。すなわち、本発明の表面被覆切削工具が、ＡｌＴｉＳｉＮの特性とＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものであることが確認された。
【００６７】
＜実施例２２〜４２、比較例１３〜２６＞
上記の実施例１と同一の複合装置を用い、各層形成用のターゲットを蒸発源にセットし、基材温度４５０℃にて基材上に、それぞれに表３に示した被覆膜を成膜した。
【００６８】
基材としては、超硬合金製エンドミル（φ１２ｍｍ、６枚刃）、超硬合金製ドリル（φ１０ｍｍ）、Ｐ２０相当超硬合金製フライス用スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）の３種類を準備し、それぞれに表３に示した被覆膜を成膜した。
【００６９】
【表３】
【００７０】
実施例２２〜４２および比較例１３〜２６では、表３中の「組成」の欄に記載した「Ａ層」および「Ｂ層」を積層させた上で、その最表面に表３中の「最表面層の結晶構造」の欄に記載した結晶構造のＡｌＮからなる最表面層を形成することにより被覆膜を構成した。また、最表面層を形成しない場合は、表３中に「−」を示した。「層厚」の欄には、Ａ層、Ｂ層、および最表面層のそれぞれの層厚を示し、「全体膜厚」の欄は、被覆膜の膜厚を示した。また、「Ｓｉ比の差」の欄には、その積層体を構成するＡ層を構成するＳｉの原子比ｃと、Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとの差を示した。
【００７１】
たとえば実施例２２においては、上記の実施例１とは最表面層の組成が異なる他は実施例１と同様の方法により表面被覆切削工具を作製した。すなわち、実施例１と同一の方法でＡ層およびＢ層の積層体を形成した後に、チャンバー内の温度を５３０℃とし、チャンバー内の圧力が１ＰａになるようにＡｒガスとＮ2ガスを１：１の流量比で導入した上で、基材２１０にパルスＤＣバイアス電圧を印加し、回転テーブル２０４を回転させながら、スパッタ蒸発源２０３に２ｋＷのスパッタ電力を加えてＡｌターゲットをイオン化し、Ｎ2ガスと反応させることによりＡｌＮからなる最表面層を形成した。
【００７２】
このようなスパッタリング法により形成される最表面層は、３０ｎｍの層厚を成膜するごとに、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数として３２０ｋＨｚと８０ｋＨｚとを交互に制御した。そして、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が３２０ｋＨｚのときには、基材バイアス電圧を４０Ｖとし、パルス周波数を８０ｋＨｚとしたのに対し、スパッタ蒸発源２０３のパルス周波数が８０ｋＨｚのときには、基材バイアス電圧を６０Ｖとし、パルス周波数を２２０ｋＨｚとすることにより形成した。なお、実施例２３〜４２および比較例１３〜２６の表面被覆切削工具も実施例２２と同様にして作製した。
【００７３】
このようにして得られた表面被覆切削工具（すなわち表面被覆エンドミル、表面被覆ドリル、表面被覆フライス加工用スローアウェイチップ）について次に示す切削条件にて評価を行なった。その切削評価の結果を表４に示す。
【００７４】
（１）エンドミル評価
表面被覆エンドミルにおいては、基材として上記の通り６枚刃、外径１２ｍｍの超硬合金製エンドミルを用い、被削材はＳＫＤ１１（ＨＲＣ６１）とし、側面切削をダウンカットで切削速度＝２３０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．０３ｍｍ／刃、切込み量ａp＝６ｍｍ、ａe＝０．６ｍｍ、エアーブローでエンドミル切削を行なった。そして、切削長４５ｍ時点での切れ刃外周の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７５】
（２）ドリル評価
表面被覆ドリルにおいては、基材として上記の通り外径１０ｍｍの超硬合金製ドリルを用い、被削材はＳ５０Ｃとし、穴加工を切削速度＝７０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．３ｍｍ／ｒｅｖ、穴深さ３０ｍｍの貫通穴、切削油なしでドリル切削を行なった。そして、切削長３０ｍ時点での先端マージン部の摩耗幅を測定した。摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７６】
（３）フライス評価
表面被覆フライス加工用スローアウェイチップにおいては、基材として上記の通りＰ２０相当超硬合金製スローアウェイチップ（形状：ＳＥＥＴ１３Ｔ３ＡＧＳＮ−Ｇ）を用い、被削材はＳＣＭ４４０（幅３００ｍｍ×長さ２００ｍｍのブロック材）とし、切削速度＝２５０ｍ／ｍｉｎ、送り量＝０．２ｍｍ／ｔ、切込み量＝２．０ｍｍ、切削油なしでフライス切削を行なった。そして、切削時間１５分時点での逃げ面の摩耗幅を測定した。なお、摩耗幅が少ない程、耐摩耗性に優れていることを示している。
【００７７】
【表４】
【００７８】
表４より、実施例２２〜４２の表面被覆切削工具は、比較例１３〜２６の表面被覆切削工具と比較して工具寿命が著しく向上しており、高速、ドライ加工に十分対応できることがわかった。すなわち、本発明の表面被覆切削工具が、ＡｌＴｉＳｉＮの特性とＴｉＳｉＮの特性とを兼備し、耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えたものであることが確認された。
【００７９】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００８０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８１】
１１０，２１０ 基材、１０２ Ａ層、１０３ Ｂ層、２００ 複合装置、２０１，２０２ アーク蒸発源、２０３ スパッタ蒸発源、２０４ 回転テーブル、２０５ ガス導入口、２０６ ヒータ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材とその上に形成された被覆膜とを備え、
前記被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、
前記Ａ層および前記Ｂ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、
前記Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、前記Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たす、表面被覆切削工具。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
【請求項２】
前記Ａ層および前記Ｂ層はいずれも、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の層厚である、請求項１に記載の表面被覆切削工具。
【請求項３】
前記Ａ層の層厚は、前記Ｂ層の層厚よりも厚い、請求項１または２に記載の表面被覆切削工具。
【請求項４】
前記Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、前記Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（ＩＩ）を満たす、請求項１〜３のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０３ ・・・（ＩＩ）
【請求項５】
前記被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、
前記最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなる、請求項１〜４のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項６】
前記被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、
前記最表面層は、ＡｌＮからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項７】
前記ＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなる、請求項６に記載の表面被覆切削工具。
【請求項８】
前記Ａ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．５≦ａ≦０．６、０．０３≦ｃ≦０．０８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなる、請求項１〜７のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項９】
前記Ｂ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０．０３≦ｅ≦０．０８、ｄ＋ｅ＝１）からなる、請求項１〜８のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項１０】
前記被覆膜は、物理蒸着法により形成される、請求項１〜９のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項１１】
前記Ａ層および前記Ｂ層は、アークイオンプレーティング法により形成され、
前記最表面層は、スパッタリング法により形成される、請求項６または７に記載の表面被覆切削工具。
【請求項１】
基材とその上に形成された被覆膜とを備え、
前記被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、
前記Ａ層および前記Ｂ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、
前記Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、前記Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（Ｉ）を満たす、表面被覆切削工具。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０５ ・・・（Ｉ）
【請求項２】
前記Ａ層および前記Ｂ層はいずれも、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の層厚である、請求項１に記載の表面被覆切削工具。
【請求項３】
前記Ａ層の層厚は、前記Ｂ層の層厚よりも厚い、請求項１または２に記載の表面被覆切削工具。
【請求項４】
前記Ａ層を構成するＳｉの原子比ｃと、前記Ｂ層を構成するＳｉの原子比ｅとは、以下の式（ＩＩ）を満たす、請求項１〜３のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
｜ｃ−ｅ｜≦０．０３ ・・・（ＩＩ）
【請求項５】
前記被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、
前記最表面層は、ＴｉdＳｉeＣＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなる、請求項１〜４のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項６】
前記被覆膜は、その表面側に最表面層を有し、
前記最表面層は、ＡｌＮからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項７】
前記ＡｌＮは、六方晶構造を含む結晶構造からなる、請求項６に記載の表面被覆切削工具。
【請求項８】
前記Ａ層は、ＡｌaＴｉbＳｉcＮ（ただし式中、０．５≦ａ≦０．６、０．０３≦ｃ≦０．０８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなる、請求項１〜７のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項９】
前記Ｂ層は、ＴｉdＳｉeＮ（ただし式中、０．０３≦ｅ≦０．０８、ｄ＋ｅ＝１）からなる、請求項１〜８のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項１０】
前記被覆膜は、物理蒸着法により形成される、請求項１〜９のいずれかに記載の表面被覆切削工具。
【請求項１１】
前記Ａ層および前記Ｂ層は、アークイオンプレーティング法により形成され、
前記最表面層は、スパッタリング法により形成される、請求項６または７に記載の表面被覆切削工具。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１６７７８４（Ｐ２０１１−１６７７８４Ａ）
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３２５５２（Ｐ２０１０−３２５５２）
【出願日】平成２２年２月１７日（２０１０．２．１７）
【出願人】（５０３２１２６５２）住友電工ハードメタル株式会社 (390)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１７日（２０１０．２．１７）
【出願人】（５０３２１２６５２）住友電工ハードメタル株式会社 (390)
【Ｆターム（参考）】
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