説明

被覆基板及びその製造方法

無機バリアコーティングと界面コーティングとを含む被覆基板であって、当該界面コーティングが、ケイ素結合した放射線感受性基を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、被覆基板、及び当該被覆基板を製造する方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、被覆基板、及びより詳細には、無機バリアコーティングと界面コーティングとを含む被覆基板に関し、当該界面コーティングは、ケイ素結合した放射線感受性基を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。また、本発明は当該被覆基板を製造する方法に関する。
【0002】
関連出願の相互参照
該当なし。
【背景技術】
【0003】
バリアコーティングは、空気、湿分及び環境汚染物質から感受性材料を保護することによって、エレクトロニックパッケージング、食品包装及び表面処理を含む広範な用途において重要な役割を担う。特に、バリアコーティングはポリマー基板に塗工されることが多く、浸透性材料を通過する種々の気体及び液体の透過速度を減少させる。結果として、このようなコーティングは、多くの消費者製品の信頼性を高め且つ有用な耐用年数を延ばす。
【0004】
酸化金属又は窒化金属等の無機材料の単層を含むバリアコーティングは、当該技術分野で既知である。しかしながら、このようなコーティングは、ポリマー基板等の熱膨張が高い材料上での使用では過度に脆性であることが多い。基板とコーティングとの間の熱膨張係数の差によってバリア層に応力が生じる。熱によって誘起される応力は、バリアコーティングのクラッキングを引き起こし、これによって、コーティングの効果を低減させるおそれがある。
【0005】
バリアコーティングにおけるクラック形成を低減させる1つのアプローチは、バリアコーティングに隣接させて有機コーティングを堆積することである。これらの多層コーティングは一般に、無機材料とポリマー材料との交互に配される層を含む。例えば、Czeremuszkin他に対する国際公開第03/016589号パンフレット(A1)は、有機基板層と、基板層上の多層浸透バリアとを含む多層構造を開示しており、バリアは、a)基板層の表面に接触する第1の無機コーティングと、b)無機コーティングの表面に接触する第1の有機コーティングとを含む。
【0006】
Ziegler他に対する国際公開第02/091064号パンフレット(A2)は、有機ディスプレイ材料を組み込む装置への水及び酸素の通過を防止するような、フレキシブルバリア材料を製造する方法を開示しており、当該方法は、ポリマー層を準備する工程と、イオンアシストスパッタリング又は気化によって、ポリマー層上に無機バリア層を堆積させる工程と、当該無機層上に第2のポリマー層を堆積させる工程とを含み、これにより電子ディスプレイ装置に関連し得る複合バリア材料を設けて、水及び/又は酸素の通過の結果としての電子ディスプレイ装置の特性の低下を防止する。
【0007】
Graff他に対する米国特許出願公開第2003/0203210号明細書(A1)は、ポリマー層と無機層とを交互に含む、フレキシブル基板上の多層バリアコーティングを開示しており、フレキシブル基板に直接隣接する層及び最上分離層は、両方とも無機層であってもよい。
【0008】
欧州特許出願公開第1,139,453号明細書(A2)は、とりわけ、EL素子を覆う無機材料から成る膜と、当該無機材料から成る膜を覆う有機材料から成る膜とを含む、EL素子を有する自発光装置を開示している。
【0009】
Haskal他に対する米国特許第5,952,778号明細書は、不動態化金属の第1の層と、無機誘電材料の第2の層と、ポリマーの第3の層とを含む改良された保護被覆を有する封入(encapsulated)有機発光装置を開示している。
【0010】
Graff他に対する米国特許第6,570,352号明細書(B2)は、基板と、基板に隣接する有機発光層スタックと、有機発光素子に隣接する少なくとも1つの第1のバリアスタックとを含む封入有機発光装置を開示しており、少なくとも1つの第1のバリアスタックは、少なくとも1つの第1のバリア層と、少なくとも1つの第1のデカップリング層(decoupling layer)とを含み、少なくとも1つの第1のバリアスタックは、有機発光素子を封入する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
上記の参考文献は、広範なバリア特性を有するコーティングを開示しているが、環境要素、特に水蒸気及び酸素に対する優れた耐性を有するコーティングに対する必要性が存続している。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は、被覆基板であって、
基板と、
基板上の無機バリアコーティングと、
無機バリアコーティング上の界面コーティングであって、当該界面コーティングが、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、当該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングと
を含む、被覆基板を対象とする。
【0013】
本発明はまた、上述の被覆基板を製造する方法であって、
基板上に無機バリアコーティングを形成する工程と、
無機バリアコーティング上に界面コーティングを形成する工程であって、当該界面コーティングが、上記式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、界面コーティングを形成する工程と
を含む、被覆基板を製造する方法を対象とする。
【0014】
本発明は、被覆基板であって、
基板と、
基板上の界面コーティングであって、上記式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、界面コーティングと、
界面コーティング上の無機バリアコーティングと
を含む、被覆基板をさらに対象とする。
【0015】
本発明は、直前の被覆基板を製造する方法であって、
基板上に界面コーティングを形成する工程であって、当該界面コーティングが、上記式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、界面コーティングを形成する工程と、 界面コーティング上に無機バリアコーティングを形成する工程と
を含む、被覆基板を製造する方法をさらに対象とする。
【0016】
被覆基板の無機バリアコーティング及び界面コーティングの複合体は、低い水蒸気透過速度、典型的に1×10-7〜3g/m2/日を有する。また、コーティングは、酸素並びに銅及びアルミニウム等の金属イオンに対して低い浸透性を有する。さらに、コーティングは、電磁スペクトルの可視領域における光に対して透過性又は非透過性であってもよい。さらに、コーティングは、クラッキングに対する高い耐性及び低い圧縮応力を有する。
【0017】
本発明の方法は、従来の機材及び技法、並びに容易に入手可能なシリコーン組成物を使用して実行することができる。例えば、無機バリアコーティングは、化学蒸着技法及び物理蒸着技法を使用して堆積することができる。なお、界面コーティングは、シリコーン組成物を塗工すると共に硬化させる従来の方法を使用して形成することができる。また、本発明の方法は、高スループット製造プロセスに拡張することができる。
【0018】
本発明の被覆基板は、水蒸気及び酸素に対して高い耐性を有する基板を必要とする用途において有用である。例えば、被覆基板は、数多くの電子素子の集積部品用の支持体として又は集積部品として使用することができ、この電子素子としては、半導体素子、液晶、発光ダイオード、有機発光ダイオード、光電子素子、光学素子、光起電セル、薄膜バッテリ、及び太陽電池が挙げられる。なお、被覆基板は、被覆又は封入された電子素子であり得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
本明細書中で使用される場合、「エポキシ置換有機基」という用語は、酸素原子、すなわちエポキシ置換基が、炭素鎖又は環系の2つの隣接する炭素原子と直接結合する一価の有機基を示す。さらに、「シリコーン樹脂中の、 mol%の基R3が放射線感受性基である」という用語は、シリコーン樹脂中の基R3の総モル数に対する、シリコーン樹脂中のケイ素結合した放射線感受性基のモル数の比に100を乗算したものとして定義される。
【0020】
図1に示されるように、本発明による第1の実施形態の被覆基板は、基板100と、基板100上の無機バリアコーティング102と、無機バリアコーティング102上の界面コーティング104であって、当該界面コーティング104が、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、当該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングとを含む。
【0021】
基板は、平面形状、複合形状又は不規則形状を有する任意の剛性又はフレキシブルな材料であってもよい。基板は、電磁スペクトルの可視領域(約400〜約700nm)における光に対して透過性又は非透過性であってもよい。また、基板は、導体、半導体又は不導体であってもよい。なお、基板は、個別素子及び集積回路等の電子素子であってもよい。
【0022】
基板の例としては、シリコン、二酸化ケイ素の表層を有するシリコン、炭化ケイ素、リン化インジウム及びガリウムヒ素等の半導体;石英;石英ガラス;酸化アルミニウム;セラミック;ガラス;金属箔;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリエチレンナフタレート等のポリオレフィン;ポリテトラフルオロエチレン及びポリビニルフルオライド等のフルオロカーボンポリマー;ナイロン等のポリアミド;ポリイミド;ポリ(メチルメタクリレート)等のポリエステル;エポキシ樹脂;ポリエーテル;ポリカーボネート;ポリスルホン;及びポリエーテルスルホンが挙げられるが、それらに限定されない。
【0023】
個別素子の例としては、ダイオード、例えば、PINダイオード、基準電圧ダイオード、バラクタダイオード、アバランシェダイオード、DIAC、ガンダイオード、スナップ(Snap)ダイオード、IMPATTダイオード、トンネルダイオード、チェナーダイオード、ノーマル(p−n)ダイオード及びショットキーダイオード;トランジスタ、例えば、バイポーラトランジスタ(例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)及びダーリントントランジスタ)、及び電界効果トランジスタ(FET)(例えば、酸化金属半導体FET(MOSFET)、ジャンクションFET(JFET)、金属−半導体FET(MESFET)、有機FET、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及び有機電界効果トランジスタを含む薄膜トランジスタ(TFT));サイリスタ、例えば、DIAC、TRIAC、シリコン制御整流素子(SCR)、分散バッファゲートターンオフ(DB−GTO)サイリスタ、ゲートターンオフ(GTO)サイリスタ、MOFSET制御サイリスタ(MCT)、改良アノードゲートターンオフ(MA−GTO)サイリスタ、静電誘導サイリスタ(SITh)、及び電界制御サイリスタ(FCTh);バリスタ;抵抗器;コンデンサ;キャパシタ;サーミスタ;及び光電子素子、例えば、光ダイオード、太陽電池(例えばCIGS太陽電池及び有機光起電セル)、光トランジスタ、光電子倍増管、光集積回路(IOC)素子、光依存抵抗器、レーザーダイオード、発光ダイオード(LED)及び有機発光ダイオード(OLED)、例えば、低分子OLED(SM−OLED)及びポリマー発光ダイオード(PLED)が挙げられるが、これらに限定されない。
【0024】
集積回路の例としては、モノリシック集積回路、例えば、メモリIC(DRAM及びSRAMを含むRAM(ランダムアクセスメモリ)並びにROM(読取り専用メモリ));ロジック回路;アナログ集積回路;ハイブリッド集積回路、例えば、薄膜ハイブリッドIC及び厚膜ハイブリッドIC;薄膜バッテリ;及び燃料電池が挙げられるが、これらに限定されない。
【0025】
無機バリアコーティングは、水蒸気(湿分)に対する低浸透性を有する無機材料を含むいずれかのバリアコーティングであってもよい。無機材料は、導体、不導体又は半導体であってもよい。
【0026】
無機バリアコーティングは、無機材料の1つの層を含む単層コーティング、又は少なくとも2つの異なる無機材料を含む2つ以上の層を含む多層コーティングであってもよく、多層コーティングでは、直接隣接する層が、異なる無機材料を含む(すなわち、これらの無機材料が異なる組成及び/又は特性を有する)。単層コーティングにおける無機材料の層が、2つ以上の成分(例えばTiN)を含む場合、層は、層の組成が厚さに応じて変化する勾配層となり得る。同様に、多層コーティングにおける無機材料の少なくとも1つの層が、2つ以上の成分を含む場合、層は勾配層となり得る。多層コーティングは通常、2〜7つの層、あるいは2〜5つの層、あるいは2〜3つの層を含む。
【0027】
単層無機バリアコーティングは通常、0.03〜3μm、あるいは0.1〜1μm、あるいは0.2〜0.8μmの厚さを有する。多層無機バリアコーティングは通常、0.06〜5μm、あるいは0.1〜3μm、あるいは0.2〜2.5μmの厚さを有する。無機バリアコーティングの厚さが0.03μm未満である場合では、湿分に対するコーティングの浸透性が、用途によっては高すぎることがある。無機バリアコーティングの厚さが5μmより厚い場合には、無機バリアコーティングが、クラッキングの影響を受けやすくなるおそれがある。
【0028】
無機バリアコーティングは、電磁スペクトルの可視領域(約400〜約700nm)における光に対して透過性又は非透過性であってもよい。透過性無機バリアコーティングは通常、電磁スペクトルの可視領域における光に対して、少なくとも30%、あるいは少なくとも60%、あるいは少なくとも80%の透過パーセントを有する。
【0029】
無機材料の例としては、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、ニッケル及び金等の金属;アルミニウムマグネシウム合金、銀マグネシウム合金、リチウムアルミニウム合金、インジウムマグネシウム合金、及びアルミニウムカルシウム合金等の合金;二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン(II)、酸化チタン(III)、酸化バリウム、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化スズ(II)、酸化スズ(IV)、酸化インジウム(III)、酸化鉛(II)、酸化鉛(IV)、酸化亜鉛、酸化タンタル(V)、酸化イットリウム(III)、五酸化リン、三酸化二ホウ素、酸化ジルコニウム(IV)、及び酸化カルシウム等の酸化物;酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)及び酸化インジウムセリウム等の混合酸化物;窒化ケイ素、窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化インジウム(III)及び窒化ガリウム等の窒化物;窒化ケイ素アルミニウム等の混合窒化物;シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキシナイトライド、及びボロンオキシナイトライド等のオキシナイトライド;炭化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化ホウ素及び炭化カルシウム等の炭化物;シリコンオキシカーバイド等のオキシカーバイド;アルミニウムシリコンオキシナイトライド及びチタンシリコンオキシナイトライド等の混合オキシナイトライド;フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウム等のフッ化物;並びに炭窒化ケイ素等の炭窒化物が挙げられるが、これらに限定されない。
【0030】
無機バリアコーティングは、第1の実施形態の被覆基板を製造する方法において以下に説明するように形成することができる。
【0031】
界面コーティングは、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有する少なくとも1つのシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、当該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)。
【0032】
本明細書中で使用される場合、「シリコーン樹脂の硬化生成物」という用語は、三次元網目構造を有する架橋シリコーン樹脂を示す。界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物の1つの層を含む単層コーティング、又は式(I)を有するシリコーン樹脂の、少なくとも2つの異なる硬化生成物の2つ以上の層を含む多層コーティングであってもよく、多層コーティングでは、直接隣接する層が、異なる硬化生成物を含む(すなわち、これらの硬化生成物が異なる組成及び/又は特性を有する)。多層コーティングは通常、2〜7つの層、あるいは2〜5つの層、あるいは2〜3つの層を含む。
【0033】
単層界面コーティングは通常、0.03〜30μm、あるいは0.1〜10μm、あるいは0.1〜1.5μmの厚さを有する。多層界面コーティングは通常、0.06〜30μm、あるいは0.2〜10μm、あるいは0.2〜3μmの厚さを有する。界面コーティングの厚さが0.03μm未満である場合では、コーティングが不連続となることがある。界面コーティングの厚さが30μmより厚い場合には、界面コーティングが、接着性の低減及び/又はクラッキングを示すおそれがある。
【0034】
界面コーティングは通常、高い透過性を示す。例えば、界面コーティングは通常、電磁スペクトルの可視領域(約400〜約700nm)における光に関して、少なくとも90%、あるいは少なくとも92%、あるいは少なくとも94%の透過パーセントを有する。
【0035】
式(I)を有するシリコーン樹脂は、Tシロキサン単位、Tシロキサン単位及びQシロキサン単位、又はMシロキサン単位及び/又はDシロキサン単位と組み合わせてTシロキサン単位及び/又はQシロキサン単位を含有してもよい。例えば、シリコーン樹脂は、T樹脂、TQ樹脂、MT樹脂、DT樹脂、MDT樹脂、MQ樹脂、DQ樹脂、MDQ樹脂、MTQ樹脂、DTQ樹脂、又はMDTQ樹脂であってもよい。なお、式(I)(式中、c=1である)を有するシリコーン樹脂は、ホモポリマー又はコポリマーであってもよい。
【0036】
1及びR2で示されるヒドロカルビル基及びハロゲン置換ヒドロカルビル基は通常、1〜10個の炭素原子、あるいは1〜6個の炭素原子、あるいは1〜4個の炭素原子を有する。少なくとも3個の炭素原子を含有する非環式ヒドロカルビル基及びハロゲン置換ヒドロカルビル基は、分岐構造又は非分岐構造を有してもよい。ヒドロカルビル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、1−メチルエチル、ブチル、1−メチルプロピル、2−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチル、ペンチル、1−メチルブチル、1−エチルプロピル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル及びデシル等のアルキル;シクロペンチル、シクロヘキシル及びメチルシクロヘキシル等のシクロアルキル;フェニル及びナフチル等のアリール;トリル及びキシリル等のアルカリール;ベンジル及びフェネチル等のアラルキル;ビニル、アリル及びプロペニル等のアルケニル;スチリル及びシンナミル等のアリールアルケニル;並びに、エチニル及びプロピニル等のアルキニルが挙げられるが、これらに限定されない。ハロゲン置換ヒドロカルビル基の例としては、3,3,3−トリフルオロプロピル、3−クロロプロピル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、2,2,2−トリフルオロエチル、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル、及び2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチルが挙げられるが、これらに限定されない。
【0037】
3で示される放射線感受性基の例としては、アクリロイルオキシアルキル、置換アクリロイルオキシアルキル、アルケニルエーテル基、アルケニル及びエポキシ置換有機基が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書中で使用される場合、「放射線感受性基」という用語は、150〜800nmの波長を有する放射線に曝されると、フリーラジカル光開始剤又はカチオン性光開始剤の存在下で、反応種、例えば、フリーラジカル又はカチオンを形成する基を意味する。
【0038】
3で示されるアクリロイルオキシアルキル基の例としては、アクリロイルオキシメチル、2−アクリロイルオキシエチル、3−アクリロイルオキシプロピル、及び4−アクリロイルオキシブチルが挙げられるが、これらに限定されない。
【0039】
3で示される置換アクリロイルオキシアルキル基の例としては、メタクリロイルオキシメチル、2−メタクリロイルオキシエチル、及び3−メタクリロイルオキシルプロピルが挙げられるが、これらに限定されない。
【0040】
3で示されるアルケニルエーテル基の例としては、式−O−R4−O−CH=CH2(式中、R4はC1〜C10ヒドロカルビレン又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビレンである)を有するビニルエーテル基が挙げられるが、これに限定されない。
【0041】
4で示されるヒドロカルビレン基は通常、1〜10個の炭素原子、あるいは1〜6個の炭素原子、あるいは1〜4個の炭素原子を有する。ヒドロカルビレン基の例としては、メチレン、エチレン、プロパン−1,3−ジイル、2−メチルプロパン−1,3−ジイル、ブタン−1,4−ジイル、ブタン−1,3−ジイル、ペンタン−1,5−ジイル、ペンタン−1,4−ジイル、ヘキサン−1,6−ジイル、オクタン−1,8−ジイル及びデカン−1,10−ジイル等のアルキレン;シクロヘキサン−1,4−ジイル等のシクロアルキレン;フェニレン等のアリーレンが挙げられるが、これらに限定されない。ハロゲン置換ヒドロカルビレン基の例としては、二価の炭化水素基(ここで、1つ又は複数の水素原子がハロゲン、例えばフッ素、塩素及び臭素で置換される)、例えば−CH2CH2CF2CF2CH2CH2−が挙げられるが、これに限定されない。
【0042】
3で示されるアルケニル基の例としては、ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル及びヘキセニルが挙げられるが、これらに限定されない。
【0043】
3で示されるエポキシ置換有機基の例としては、2,3−エポキシプロピル、3,4−エポキシブチル、4,5−エポキシペンチル、2−グリシドキシエチル、3−グリシドキシプロピル、4−グリシドキシブチル、2−(3,4−エポキシシロヘキシル(epoxycylohexyl))エチル、3−(3,4−エポキシシロヘキシル)プロピル、2−(3,4−エポキシ−3−メチルシロヘキシル)−2−メチルエチル、2−(2,3−エポキシシロペンチル)エチル、及び3−(2,3エポキシシロペンチル)プロピルが挙げられるが、これらに限定されない。
【0044】
シリコーン樹脂の式(I)中、下付き文字a、b、c及びdはモル分率である。下付き文字aは通常、0〜0.95、あるいは0〜0.8、あるいは0〜0.2の値を有し、下付き文字bは通常、0〜0.95、あるいは0〜0.8、あるいは0〜0.5の値を有し、下付き文字cは通常、0〜1、あるいは0.3〜1、あるいは0.5〜1の値を有し、下付き文字dは通常、0〜0.9、あるいは0〜0.5、あるいは0〜0.1の値を有し、c+dの合計は通常、0.1〜1、あるいは0.2〜1、あるいは0.5〜1、あるいは0.8〜1の値を有する。
【0045】
シリコーン樹脂は通常、500〜1,000,000、あるいは1,000〜100,000、あるいは1,000〜50,000、あるいは1,000〜20,000、あるいは1,000〜10,000の重量平均分子量(Mw)を有し、ここで、分子量は、屈折率検出器及びポリスチレン基準を用いてゲル浸透クロマトグラフィによって求められたものである。
【0046】
シリコーン樹脂は通常、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を含有する。一般的に、シリコーン樹脂中の少なくとも50mol%、あるいは少なくとも65mol%、あるいは少なくとも80mol%の基R3が放射線感受性基である。
【0047】
シリコーン樹脂の例としては、下記式:
【0048】
【化1】

【0049】
(式中、Meはメチルであり、Phはフェニルであり、Viはビニルであり、且つ括弧外の下付き数字は、モル分率を示す)を有する樹脂が挙げられるが、これらに限定されない。また、上記式中、単位の順序は特定されるものではない。
【0050】
ケイ素結合した放射線感受性基を有するシリコーン樹脂を調製する方法は、当該技術分野で既知である。例えば、ケイ素結合したアクリロイルオキシアルキル基又は置換アクリロイルオキシアルキル基を含有するシリコーン樹脂は、米国特許第5,738,976号明細書及び米国特許第5,959,038号明細書に例示されているように、酸触媒又は塩基触媒の存在下で、アクリロイルオキシアルキル−又は置換アクリロイルオキシアルキルアルコキシシランと、アルコキシシランとを共加水分解することによって調製され得る。あるいは、このような樹脂は、米国特許第4,568,566号明細書に教示されているように、アクリロイルオキシアルキル−又は置換アクリロイルオキシアルキルクロロシラン(acryloyloxayalkylchlorosilane)と、少なくとも1つのクロロシランとを共加水分解することによって調製され得る。
【0051】
ケイ素結合したアルケニルエーテル基を含有するシリコーン樹脂は、米国特許第5,861,467号明細書に記載されているように、酸性縮合触媒の存在下でアルコキシシランと水とを反応させ、続いて、反応混合物を、ヒドロキシ置換ビニルエーテル及びエステル交換触媒により処理することによって調製され得る。要するに、この方法は、(I)(a)式RxSi(OR14-xを有するシラン、(b)水、及び(c)酸性縮合触媒を反応させる工程と、(II)工程(I)の混合物からアルコールを除去する工程と、(III)工程(II)の混合物を中和させる工程と、(IV)式HO−R2−O−CH=CH2を有するビニルエーテル化合物を添加する工程と、(V)工程(IV)の混合物にエステル交換触媒を添加する工程と、(VI)工程(V)の混合物から揮発分を除去する工程とを含み、Rは、1〜20個の炭素原子を有する一価の炭化水素又はハロ炭化水素ラジカルであり、R1は、1〜8個の炭素原子を有する一価のアルキルラジカルであり、R2は、1〜20個の炭素原子を有する二価の炭化水素又はハロ炭化水素ラジカルであり、xは0〜3の値を有するが、但し、アルコキシラジカルに対する水のモル比は0.5未満である。
【0052】
あるいは、アルケニルエーテル基を含有するシリコーン樹脂は、米国特許第5,824,761号明細書に記載されているように、非酸性縮合触媒の存在下で、アルコキシシラン、水、及びヒドロキシ置換ビニルエーテル化合物を反応させた後、反応混合物を、エステル交換触媒により処理することによって調製され得る。要するに、この方法は、(I)(a)式RxSi(OR14-xを有するシラン、(b)水、及び(c)カルボン酸アミン、カルボン酸重金属、イソシアン酸塩、シラノール酸塩、フェノキシド、メルカプチド、CaO、BaO、LiOH、BuLi、アミン及び水酸化アンモニウムから選択される非酸性縮合触媒、(d)式HO−R2−O−CH=CH2を有するビニルエーテル化合物を反応させること、(II)(I)の混合物からアルコールを除去すること、(III)(II)の混合物を中和させること、(IV)(III)の混合物にエステル交換触媒を添加すること、(V)(IV)の混合物から揮発分を除去することを含み、Rは、1〜20個の炭素原子を有する一価の炭化水素又はハロ炭化水素ラジカルであり、R1は、1〜8個の炭素原子を有する一価のアルキルラジカルであり、R2は、1〜20個の炭素原子を有する二価の炭化水素又はハロ炭化水素ラジカルであり、xは0〜3の値を有するが、但し、アルコキシラジカルに対する水のモル比は0.5未満である。
【0053】
ケイ素結合したアルケニル基を含有するシリコーン樹脂は、トルエン等の有機溶媒中でクロロシラン前駆体である適切な混合物を共加水分解することによって調製され得る。例えば、(CH33SiO1/2単位、CH3SiO3/2単位、及びH2C=CHSiO3/2単位を含むシリコーン樹脂は、トルエン中で式(CH33SiClを有する化合物、式CH3SiCl3を有する化合物、及び式H2C=CHSiCl3を有する化合物を共加水分解することによって調製され得る。塩酸水溶液及びシリコーン加水分解物を分離し、加水分解物を水で洗浄して残留酸を除去し、穏やかな縮合触媒の存在下で加熱して樹脂を必要な粘度にまで「増粘」する。所望であれば、樹脂を有機溶媒中で縮合触媒によってさらに処理して、ケイ素結合したヒドロキシ基の含量を低減させてもよい。あるいは、クロロ、それに類する−Br、−I、−OCH3、−OC(O)CH3、−N(CH32、NHCOCH3、及び−SCH3以外の加水分解性基を含有するシランを、共加水分解反応における出発原料として利用することができる。樹脂生成物の特性は、シランの種類、シランのモル比、縮合度、及び加工条件によって決まる。
【0054】
ケイ素結合したエポキシ置換有機基を含有するシリコーン樹脂は、米国特許第5,468,826号明細書に記載されているように、有機チタン酸塩触媒の存在下で、エポキシ官能性アルコキシシランとアルコキシシランとを共加水分解することによって調製され得る。あるいは、ケイ素結合したエポキシ置換有機基を含有するシリコーン樹脂は、米国特許第6,831,145号明細書、同第5,310,843号明細書、同第5,530,075号明細書、同第5,283,309号明細書、同第5,468,827号明細書、同第5,486,588号明細書、及び同第5,358,983号明細書に記載されているように、ヒドロシリル化触媒の存在下で、ケイ素結合した水素原子を含有するシリコーン樹脂を、エポキシ官能性アルケンと反応させることによって調製され得る。特に、ケイ素結合したエポキシ置換有機基と、ケイ素結合した水素原子とを含有するシリコーン樹脂を調製する方法を、以下の実施例のセクションで説明する。
【0055】
界面コーティングは、第1の実施形態の被覆基板を製造する方法において以下に説明するように形成することができる。
【0056】
図2に示されるように、第1の実施形態の被覆基板は、界面コーティング104上の付加的な無機バリアコーティング106をさらに含んでいてもよい。付加的な無機バリアコーティング106は、第1の実施形態の被覆基板の無機バリアコーティング102について上記で説明及び例示した通りである。
【0057】
図3に示されるように、第1の実施形態の被覆基板は、界面コーティング104上に少なくとも2つ(図示したものは3つ)の交互に配される無機バリアコーティング108及び界面コーティング110をさらに含んでいてもよく、交互に配される各界面コーティング110が、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。交互に配される無機バリアコーティング108及び交互に配される界面コーティング110は、第1の実施形態の被覆基板の無機バリアコーティング102及び界面コーティング104について上記で説明した通りである。
【0058】
第1の実施形態の被覆基板は、基板上に無機バリアコーティングを形成すること、及び無機バリアコーティング上に界面コーティングを形成することによって製造することができ、この界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。
【0059】
被覆基板を製造する上記の方法の第1の工程では、無機バリアコーティングが基板上に形成される。基板及び無機バリアコーティングは、第1の実施形態の被覆基板について上記で説明及び例示した通りである。
【0060】
無機バリアコーティングを形成する方法は、当該技術分野で既知である。例えば、無機バリアコーティングは、化学蒸着技法、例えば、熱化学蒸着、プラズマ促進化学蒸着、光化学蒸着、電子サイクロトロン共鳴、誘導結合プラズマ、磁気閉込めプラズマ、及び噴射蒸着;並びに物理蒸着技法、例えば、RFスパッタリング、原子層堆積、及びDCマグネトロンスパッタリングを用いて堆積させることができる。
【0061】
第1の実施形態の被覆基板を製造する方法の第2の工程では、界面コーティングが、無機バリアコーティング上に形成され、この界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。界面コーティングは、第1の実施形態の被覆基板について上記で説明及び例示した通りである。
【0062】
界面コーティングは、様々な方法を用いて形成され得る。例えば、界面コーティングは、(i)式(I)を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン組成物を、無機バリアコーティング上に塗工すること、及び(ii)シリコーン樹脂を硬化させることによって形成され得る。
【0063】
シリコーン組成物は、上記で説明及び例示したような、式(I)を有するシリコーン樹脂を含む任意のシリコーン組成物であってもよい。シリコーン組成物は、式(I)をそれぞれ有する単一のシリコーン樹脂又は2つ以上の異なるシリコーン樹脂を含んでいてもよい。
【0064】
シリコーン組成物は、付加的な成分を含み得る(但し、当該成分は、シリコーン樹脂を硬化させて、被覆基板の上記のような界面層を形成することを防止しないものとする)。付加的な成分の例としては、接着促進剤、染料、顔料、抗酸化剤、熱安定剤、難燃剤、流動調整剤、充填剤(例えば、増量充填剤及び強化用充填剤)、有機溶媒、架橋剤、光開始剤、及び有機過酸化物が挙げられるが、これらに限定されない。
【0065】
例えば、シリコーン組成物は、少なくとも1つの光開始剤をさらに含んでいてもよい。光開始剤は、シリコーン樹脂中の放射線感受性基の性質に応じて、カチオン性光開始剤又はフリーラジカル光開始剤であってもよい。例えば、樹脂が、アルケニルエーテル又はエポキシ置換有機基を含有する場合、シリコーン組成物は、少なくとも1つのカチオン性光開始剤をさらに含み得る。カチオン性光開始剤は、150〜800nmの波長を有する放射線に曝されると、シリコーン樹脂の硬化(架橋)を開始させることができる任意のカチオン性光開始剤であり得る。カチオン性光開始剤の例としては、オニウム塩、スルホン酸のジアリールヨードニウム塩、スルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、ボロン酸のジアリールヨードニウム塩、及びボロン酸のトリアリールスルホニウム塩が挙げられるが、これらに限定されない。
【0066】
好適なオニウム塩としては、R72+MXZ-、R73+MXZ-、R73Se+MXZ-、R74+MXZ-、及びR74+MXZ-(式中、R7は独立して、1〜30個の炭素原子を有するヒドロカルビル又は置換ヒドロカルビルであり、Mは、遷移金属、希土類金属、ランタニド金属、半金属、リン及びイオウから選択される元素であり、Xは、ハロ(例えば、クロロ、ブロモ、ヨード)であり、zはz及びXの電荷の積とMの酸化数とを加算したものが−1となるような値を有する)から選択される式を有する塩が挙げられる。ヒドロカルビル基の置換基の例としては、C1〜C8アルコキシ、C1〜C16アルキル、ニトロ、クロロ、ブロモ、シアノ、カルボキシル、メルカプト、並びに、複素環式芳香族基、例えば、ピリジル、チオフェニル及びピラニルが挙げられるが、これらに限定されない。Mで示される金属の例としては、遷移金属、例えば、Fe、Ti、Zr、Sc、V、Cr及びMn;ランタノイド金属、例えば、Pr及びNd;他の金属、例えば、Cs、Sb、Sn、Bi、Al、Ga及びIn;半金属、例えば、B及びAs;並びにPが挙げられるが、これらに限定されない。式MXZ-は、非塩基、非求核性アニオンを示す。式MXZ-を有するアニオンの例としては、BF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-、SbCl6-、及びSnCl6-が挙げられるが、これらに限定されない。
【0067】
オニウム塩の例としては、ビス−ジアリールヨードニウム塩、例えば、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、及びジアルキルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられるが、これらに限定されない。
【0068】
スルホン酸のジアリールヨードニウム塩の例としては、ペルフルオロアルキルスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、例えば、ペルフルオロブタンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、ペルフルオロエタンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、ペルフルオロオクタンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、及びトリフルオロメタンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩;並びに、アリールスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、例えば、パラ−トルエンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、ベンゼンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩、及び3−ニトロベンゼンスルホン酸のジアリールヨードニウム塩が挙げられるが、これらに限定されない。
【0069】
スルホン酸のトリアリールスルホニウム塩の例としては、ペルフルオロアルキルスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、例えば、ペルフルオロブタンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、ペルフルオロエタンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、ペルフルオロオクタンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、及びトリフルオロメタンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩;並びに、アリールスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、例えば、パラ−トルエンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、ベンゼンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩、及び3−ニトロベンゼンスルホン酸のトリアリールスルホニウム塩が挙げられるが、これらに限定されない。
【0070】
ボロン酸のジアリールヨードニウム塩の例としては、ペルハロアリールボロン酸のジアリールヨードニウム塩が挙げられるが、これに限定されない。ボロン酸のトリアリールスルホニウム塩の例としては、ペルハロアリールボロン酸のトリアリールスルホニウム塩が挙げられるが、これに限定されない。ボロン酸のジアリールヨードニウム塩、及びボロン酸のトリアリールスルホニウム塩は、欧州特許出願第05/62,922号明細書に例示されているように当該技術分野で既知である。
【0071】
カチオン性光開始剤は、それぞれ上記したような、単一のカチオン性光開始剤、又は2つ以上の異なるカチオン性光開始剤を含む混合物であってもよい。カチオン性光開始剤の濃度は通常、シリコーン樹脂の重量に基づき、0.01〜20%(w/w)、あるいは0.1〜20%(w/w)、あるいは0.1〜5%である。
【0072】
シリコーン樹脂が、アクリロイルオキシアルキル(acryoyloxyalkyl)、置換アクリロイルオキシアルキル、又はアルケニル基を含有する場合、シリコーン組成物は、少なくとも1つのフリーラジカル光開始剤をさらに含んでいてもよい。フリーラジカル光開始剤は、150〜800nmの波長を有する放射線に曝されると、シリコーン樹脂の硬化(架橋)を開始させることができる任意のフリーラジカル光開始剤であり得る。
【0073】
フリーラジカル光開始剤の例としては、ベンゾフェノン;4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン;ハロゲン化ベンゾフェノン;アセトフェノン;α−ヒドロキシアセトフェノン;ジクロロアセトフェノン及びトリクロロアセトフェノン等のクロロアセトフェノン;2,2−ジエトキシアセトフェノン等のジアルコキシアセトフェノン;2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパノン及び1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ヒドロキシアルキルフェノン(hydoxyalkylphenones);2−メチル−4’−(メチルチオ)−2−モルホリノプロピオフェノン(morpholiniopropiophenone)等のα−アミノアルキルフェノン;ベンゾイン;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、及びベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル;2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のベンジルケタール;ジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド等のアシルホスフィンオキシド;キサントン誘導体;チオキサントン誘導体;フルオレノン誘導体;メチルフェニルグリオキシレート;アセトナフトン;アントラキノン(anthraquninone)誘導体;芳香族化合物の塩化スルホニル(sufonyl);並びに、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム等のO−アシルα−オキシミノケトンが挙げられるが、これらに限定されない。
【0074】
また、フリーラジカル光開始剤は、米国特許第4,260,780号明細書(参照により本明細書中に援用される)においてWestによって規定されるフェニルメチルポリシラン等のポリシラン、米国特許第4,314,956号明細書(参照により本明細書中に援用される)においてBaney他によって規定されるアミノ化メチルポリシラン、米国特許第4,276,424号明細書(参照により本明細書中に援用される)におけるPeterson他のメチルポリシラン;及び米国特許第4,324,901号明細書(参照により本明細書中に援用される)においてWest他によって規定されるポリシラスチレンであってもよい。
【0075】
フリーラジカル光開始剤は、単一のフリーラジカル光開始剤、又は2つ以上の異なるフリーラジカル光開始剤を含む混合物であってもよい。フリーラジカル光開始剤の濃度は通常、シリコーン樹脂の重量に基づき、0.1〜20%(w/w)、あるいは1〜10%(w/w)である。
【0076】
シリコーン組成物が、ケイ素結合したアルケニル基、アクリロイルオキシアルキル基、又は置換アクリロイルオキシアルキルを有するシリコーン樹脂を含む場合、シリコーン組成物は、少なくとも1つの有機過酸化物をさらに含んでいてもよい。有機過酸化物の例としては、ジアロイルペルオキシド、例えば、過酸化ジベンゾイル、ジ−p−クロロベンゾイルペルオキシド、及びビス−2,4−ジクロロベンゾオイルペルオキシド;ジアルキルペルオキシド、例えば、ジ−t−ブチルペルオキシド及び2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルペルオキシ)ヘキサン;ジアラルキルペルオキシド、例えば、ジクミルペルオキシド;アルキルアラルキルペルオキシド、例えば、t−ブチルクミルペルオキシド及び1,4−ビス(t−ブチルペルオキシイソプロピル)ベンゼン;並びに、アルキルアロイルペルオキシド、例えば、t−ブチルペルベンゾエート、t−ブチルペルアセテート、及びt−ブチルペルオクトエートが挙げられる。
【0077】
有機過酸化物は、単一の過酸化物、又は2つ以上の異なる過酸化物を含む混合物であってもよい。有機過酸化物の濃度は通常、シリコーン樹脂の重量に基づき、0.1〜20%(w/w)、あるいは1〜10%(w/w)である。
【0078】
シリコーン組成物が2つ以上の成分を含有する場合、組成物は通常、周囲温度において所定の割合で、シリコーン樹脂と、いずれかの任意の成分とを組み合わせることによって調製される。混合は、バッチプロセス又は連続プロセスのいずれかにおける、粉砕、混合及び攪拌等の当該技術分野で既知のいずれかの技法によって達成され得る。特殊な機器は、成分の粘度及び最終シリコーン組成物の粘度に応じて決定される。
【0079】
シリコーン組成物は、スピンコーティング、浸漬、噴霧及びはけ塗り等の従来の方法を用いて、無機バリアコーティング上に塗工され得る。
【0080】
シリコーン樹脂は、シリコーン組成物が光開始剤又は有機過酸化物を含有するか否かに応じて、様々な方法を用いて硬化され得る。例えば、シリコーン樹脂は、大気圧下、室温(約23±2℃)〜250℃、あるいは室温〜200℃、あるいは室温〜180℃の温度で樹脂を加熱することによって硬化され得る。
【0081】
あるいは、シリコーン樹脂は、樹脂を電子線に曝すことによって硬化され得る。通常、加速電圧は約0.1〜100keVであり、真空は約10〜10.3Paであり、電子流は約0.0001〜1アンペアであり、電力は約0.1ワット〜1キロワットで変化する。照射量は通常、約100マイクロクーロン/cm2〜100クーロン/cm2、あるいは約1〜10クーロン/cm2である。電圧に応じて、曝露時間は通常、約10秒〜1時間である。
【0082】
また、シリコーン組成物が、上記のようなカチオン性光開始剤又はフリーラジカル光開始剤をさらに含む場合、シリコーン樹脂は、シリコーン樹脂を硬化(架橋)させるのに十分な照射量の、150〜800nm、あるいは200〜400nmの波長を有する放射線に樹脂を曝すことによって硬化され得る。光源は通常、中圧水銀灯である。放射線の線量は通常、30〜1,000mJ/cm2、あるいは50〜500mJ/cm2である。なお、膜は、放射線に曝されている間、又は曝した後に外部加熱して、硬化速度及び/又は硬化度を高めることができる。
【0083】
さらに、シリコーン組成物が有機過酸化物をさらに含む場合、シリコーン樹脂は、上記のように樹脂を電子線に曝すことによって、又は室温(約23±2℃)〜180℃の温度で0.05〜1時間の間、膜を加熱することによって硬化され得る。
【0084】
第1の実施形態の被覆基板を製造する方法は、界面コーティング上に付加的な無機バリアコーティングを形成することをさらに含み得る。あるいは、この方法は、界面コーティング上に、少なくとも2つの交互に配される無機バリアコーティング及び界面コーティングを形成することをさらに含んでもよく、交互に配される各界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。
【0085】
また、上記のような基板の表面、無機バリアコーティング、及び/又は界面コーティングは、その上に無機バリアコーティング又は界面コーティングを形成する前に、物理的又は化学的に処理され得る。表面処理の例としては、溶媒洗浄、コロナ放電、プラズマ放電、下塗剤の塗工、及び物理的な粗面化処理が挙げられるが、これらに限定されない。
【0086】
図4に示されるように、本発明による第2の実施形態の被覆基板は、基板200と、基板200上の界面コーティング202であって、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む界面コーティング202と、界面コーティング202上の無機バリアコーティング204とを含む。基板、界面コーティング、及び無機バリアコーティングは、第1の実施形態の被覆基板について上記で説明及び例示した通りである。
【0087】
図5に示されるように、第2の実施形態の被覆基板は、無機バリアコーティング204上に付加的な界面コーティング206をさらに含んでいてもよく、この付加的な界面コーティング206は、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。付加的な界面コーティングは、第1の実施形態の被覆基板の界面コーティングについて上記で説明及び例示した通りである。
【0088】
図6に示されるように、第2の実施形態の被覆基板は、無機バリアコーティング204上に、少なくとも2つ(図示したものは3つ)の交互に配される界面コーティング208及び無機バリアコーティング210をさらに含んでいてもよく、交互に配される各界面コーティング208は、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。交互に配される界面コーティング及び無機バリアコーティングは、第1の実施形態の被覆基板の界面コーティング及び無機バリアコーティングについて上記で説明及び例示した通りである。
【0089】
第2の実施形態の被覆基板は、基板上に界面コーティングを形成することであって、この界面コーティングが、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、界面コーティングを形成すること、及び界面コーティング上に無機バリアコーティングを形成することによって製造され得る。界面コーティングは、(i)基板上に、式(I)を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン組成物を塗工すること、及び(ii)シリコーン樹脂を硬化させることによって形成され得る。シリコーン組成物、当該組成物を塗工する方法、及びシリコーン樹脂を硬化させる方法は、第1の実施形態の被覆基板を製造する方法について上記で説明した通りである。また、無機バリアコーティングは、第1の実施形態の被覆基板を製造することについて上記で説明した方法を用いて、界面コーティング上に形成され得る。
【0090】
第2の実施形態の被覆基板を製造する方法は、無機バリアコーティング上に付加的な界面コーティングを形成することをさらに含むことができ、この付加的な界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。あるいは、この方法は、無機バリアコーティング上に、少なくとも2つの交互に配される界面コーティング及び無機バリアコーティングを形成することをさらに含んでもよく、交互に配される各界面コーティングは、式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む。
【0091】
被覆基板の無機バリアコーティング及び界面コーティングの複合体は、低い水蒸気透過速度、典型的に1×10-7〜3g/m2/日を有する。また、コーティングは、酸素、並びに銅及びアルミニウム等の金属イオンに対して低い浸透性を有する。さらに、コーティングは、電磁スペクトルの可視領域における光に対して透過性又は非透過性であり得る。さらに、コーティングは、クラッキングに対する高い耐性及び低い圧縮応力を有する。
【0092】
本発明の方法は、従来の機材及び技法、並びに容易に入手可能なシリコーン組成物を使用して実行することができる。例えば、無機バリアコーティングは、化学蒸着技法及び物理蒸着技法を使用して堆積させることができる。なお、界面コーティングは、シリコーン組成物を塗工すると共に硬化させる従来の方法を使用して形成することができる。また、本発明の方法は、高スループット製造プロセスに拡張することができる。
【0093】
本発明の被覆基板は、水蒸気及び酸素に対して高い耐性を有する基板を必要とする用途において有用である。例えば、被覆基板は、数多くの電子素子の集積部品用の支持体として又はこの集積部品として使用することができ、この電子素子としては、半導体素子、液晶、発光ダイオード、有機発光ダイオード、光電子素子、光学素子、光起電セル、薄膜バッテリ、及び太陽電池が挙げられる。なお、被覆基板は、被覆又は封入された電子素子であり得る。
【実施例】
【0094】
以下の例は、本発明の被覆基板及び方法をより詳細に例示するために示すものであるが、添付の特許請求の範囲に概説される発明を限定するように考えられるものではない。特に断りのない限り、実施例中に報告される部及びパーセンテージは全て、重量に基づくものである。以下の方法及び材料を実施例において使用した。
【0095】
<NMRスペクトル>
シリコーン樹脂の核磁気共鳴スペクトル(29Si NMR及び13C NMR)を、Varian Mercury 400MHz NMRスペクトロメータを用いて得た。樹脂(0.5〜1.0g)を、0.5ozガラスバイアル内で2.5〜3mLのクロロホルム−dに溶解した。この溶液をテフロン(登録商標)NMR管に移し、クロロホルム−d(0.04M)中に溶解させたCr(acac)3の3〜4mLの溶液を管に添加した。
【0096】
<分子量>
放射線感受性基を有するシリコーン樹脂の重量平均分子量(Mw)は、35℃のPLgel(Polymer Laboratories, Inc.)5−μmカラム、1mL/分のTHF移動相、及び屈折率検出器を用いたゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)によって求めた。ポリスチレン基準を、較正曲線(3次)に使用した。ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂のMwを同様に求め、移動相のみをトルエンとした。
【0097】
<厚さ及び屈折率>
シリコンウエハ上のバリアコーティング及び界面コーティングの厚さ及び屈折率を、J.A.Woollam XLS−100 VASEエリプソメータを用いて求めた。厚さについてnm単位で表される報告された値は、同一被覆ウエハの異なる領域で実施された9つの測定の平均値を示す。屈折率は、589nmの波長を有する光に対して23℃で求めた。
【0098】
<圧縮応力>
シリコンウエハ上のコーティングの圧縮応力を、KLA Tencor FLX−2320(KLA Tencor, Milpitas, CA)薄膜応力測定システムを用いて18〜22℃の温度で求めた。
【0099】
<透過性>
Shimadzu Scientific Instruments Model UV−2401PC分光計を用いて、被覆ガラスウエハのUV−可視スペクトル(200〜800nm)の特性を決定した。空気中、空試料チャンバ内でバックグラウンドスキャンを実施した。透過パーセントは、430nm、470nm、530nm、550nm及び650nmの吸光値から算出した。
【0100】
<密度>
10.2cmの直径を有する回路基板上に堆積する膜の質量、厚さ及び表面積を測定することによって、水素添加シリコンオキシカーバイドを含むバリア層の密度を求める。層の質量は、大気条件(25℃、101.3kPa)下で1×10-5gの正確度を有する化学天秤を用いて求めた。
【0101】
<無機バリアコーティングの堆積>
5〜10分間、40Paの圧力でCF4及びO2から発生するプラズマ、500sccmのCF4流速、100sccmのO2流速、40WのLF電力、及び500WのRF電力を用いて、初めにチャンバの内面をプラズマエッチングすることによって、各被覆基板の製造前に堆積チャンバを完全に清浄した。プラズマエッチング後、チャンバの壁をイソプロピルアルコールで拭き、窒素で乾燥させた。
【0102】
25℃の基板温度、2周波数方式で作動するApplied Process Technologies(Tucson, Az)からのModel No.2212 HDP平行板化学蒸着システム、0.09Torr(12.0Pa)の圧力、上部電極(シャワーヘッド)に接続されるRF電源、及び下部電極(基板ホルダ)に接続されるLF電源を用いて、無機バリアコーティング(炭化ケイ素、水素添加シリコンオキシカーバイド)を堆積させた。
【0103】
<カルシウムの堆積>
1インチの正方形開口部の3×3配列を有するシャドウマスクを介して、BOC Edwards model E306Aコーティングシステムを用いた10-6mbarの開始圧力下における熱蒸発(上方技法)によって、カルシウムをガラスウエハ上に堆積させて100nmの厚さとした。コーティングシステムに、クリスタルバランス膜厚モニター(crystal balance film thickness monitor)を設けた。金属を酸化アルミニウムるつぼに入れ、るつぼをタングステンワイヤスパイラル内に位置付けることによって、又は金属を直接タングステンバスケットに入れることによって、蒸着源を調製する。膜の堆積速度(秒速0.1〜0.3nm)及び厚さを、堆積プロセスの間モニターした。1インチの正方形高反射金属鏡の3×3配列を、各ガラスウエハ上に作製した。
【0104】
<窒化チタンの堆積>
窒化チタン(TiN)を、Denton DV−502Aスパッタリングシステムを用いて水素添加シリコンオキシカーバイド(SiCOH)の層上に堆積させて100nmの厚さとした。1×10-6Torr(0.13mPa)のベース圧力で、圧力が3mTorr(0.4Pa)に達するまで、アルゴンをチャンバに導入した。TiNを、標的とした遮蔽体の後方に50ワットの電力で1分間堆積させた後、3mTorr(0.4Pa)の圧力を維持しながら、窒素及びアルゴンの95:5(v/v)混合物をチャンバ内に導入した。標的とした遮蔽体を開き、電力を400ワットに上昇させ、TiNを10分間反応性スパッタリングした。
【0105】
Darocur(登録商標)4265光開始剤:CIBA Specialty Chemicalsから販売される、50%の2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンと、50%の2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニル−ホスフィンオキシドとの混合物。
【0106】
UV9380C光開始剤:GE Toshiba Siliconesから販売される、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート。
【0107】
Irgacure(登録商標)819光開始剤:Ciba Specialty Chemicalsから販売されるビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド。
【0108】
Pfaltz&Bauer T17775光開始剤:Pfaltz & Bauer (Waterbury, CT)から販売される、炭酸プロピレン中に溶解させた50%のトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩の溶液。
【0109】
<実施例1>
式(HSiO3/2)及び7,100の重量平均分子量を有するハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂(26.68g)、70mLのトルエン、並びに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン中に溶解させた白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の10μL(23%w/w白金)の溶液を、フラスコ内で混合して、80℃に加熱した。その後、アリルグリシジルエーテル(48.4g)をこの混合物に約1時間かけて滴下した。添加が完了したら、混合物を室温まで冷却した。トルエン及び過剰のアリルグリシジルエーテルを、ロータリエバポレータを用いて減圧下40℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で一晩放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0110】
【化2】

【0111】
、及び23,400の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0112】
<実施例2>
濃塩酸(37%、600g)、1,020gのトルエン、及び3.0gのオクチルスルホン酸ナトリウム塩一水和物を、フラスコ内で混合した。90.75g(0.67mol)のトリクロロシラン、100.15g(0.67mol)のメチルトリクロロシラン、及び6.14g(0.038mol)のトリクロロビニルシランからなる溶液をこの混合物に約1時間かけて滴下した。混合物を室温で4時間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を100mLの45%スルホン酸(2回)、及び250mLの脱イオン水で洗浄した(10回)。この溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥し、焼結ガラスフィルタに通した。トルエンを、ロータリエバポレータを用いて減圧下30℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で一晩放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0113】
【化3】

【0114】
、及び11,600の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0115】
<実施例3>
トルエン(967g)、596.04g(2.40mol)の[3−(メタクリロイルオキシ)プロピル]−トリメトキシシラン、855.84g(4.80mol)のメチルトリエトキシシラン、28.8molの水、10.6gのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液(25%水溶液)、2,400gのメタノール、及び0.664gの2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノールをフラスコ内で混合した。混合物を2時間還流させながら攪拌及び加熱した。Dean−Starkトラップを用いて、溶媒(7,330g)を蒸留によって除去した。蒸留中、トルエンを混合物に添加して、一定樹脂濃度を維持した。混合物の温度を約1時間かけて約110℃にまで徐々に上昇させた。その後、混合物を室温まで冷却した。次に、酢酸(3.4mL)を、1時間かけて攪拌した混合物に滴下した。混合物を1,000mLの脱イオン水で洗浄し(10回)、その後濾過した。トルエンを、ロータリエバポレータを用いて減圧下40℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で3時間放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0116】
【化4】

【0117】
、及び12,600の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0118】
<実施例4>
トルエン(100g)、27.39g(0.24mol)のアリルグリシジルエーテル、及び、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン中に溶解させた白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の50mg(24.5%白金)の溶液を、窒素下、コンデンサ、温度計及び磁気攪拌棒を備えるフラスコ内で混合した。式(HSiO3/2)及び12,000の重量平均分子量を有するハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂(0.258mol)をこの混合物に徐々に添加した。添加が完了したら、混合物を還流させながら加熱し、反応の進行をガスクロマトグラフィによる分析用に一定分量の混合物を定期的に取り出すことによってモニターした。2時間後、混合物を室温にまで冷却し、トルエン及び過剰のアリルグリシジルエーテルを、ロータリエバポレータを用いて減圧下40℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で一晩放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0119】
【化5】

【0120】
、及び8,000の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0121】
<実施例5>
トルエン(47g)、27.39g(0.24mol)のアリルグリシジルエーテル、及び、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン中に溶解させた白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の50mg(24.5%白金)の溶液を、窒素下、コンデンサ、温度計及び磁気攪拌棒を備えるフラスコ内で混合した。式(HSiO3/2)及び2,500の重量平均分子量を有するハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂(0.258mol)をこの混合物に徐々に添加した。添加が完了したら、混合物を還流しながら加熱し、反応の進行をガスクロマトグラフィによる分析用に一定分量の混合物を定期的に取り出すことによってモニターした。2時間後、混合物を室温にまで冷却し、トルエン及び過剰のアリルグリシジルエーテルを、ロータリエバポレータを用いて減圧下40℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で一晩放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0122】
【化6】

【0123】
、及び9,000の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0124】
<実施例6>
トルエン(30g)、11.41g(0.1mol)のアリルグリシジルエーテル、及び、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン中に溶解させた白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の30mg(24.5%白金)の溶液を、窒素下、コンデンサ、温度計及び磁気攪拌棒を備えるフラスコ内で混合した。式(HSiO3/20.6(MeSiO3/20.4及び18,000の重量平均分子量を有するハイドロジェンメチルシルセスキオキサン樹脂(0.1mol)をこの混合物に徐々に添加した。添加が完了したら、混合物を還流させながら加熱し、反応の進行をガスクロマトグラフィによる分析用に一定分量の混合物を定期的に取り出すことによってモニターした。5時間後、混合物を室温にまで冷却し、トルエン及び過剰のアリルグリシジルエーテルを、ロータリエバポレータを用いて減圧下40℃で除去した。残渣を真空(1Pa)下、室温で一晩放置し、29Si NMR及び13C NMRによって求めた式:
【0125】
【化7】

【0126】
、及び6,000の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を得た。
【0127】
<実施例7>
メチルイソブチルケトン中に溶解させた、25%の実施例1のシリコーン樹脂及び5%のUV9380C光開始剤から成る溶液(5mL)を0.2μmフィルタに通した。約2mLの濾液を、直径100mmのシリコンウエハ上でスピンコーティング(2,000rpmで20秒間)し、約1μmの厚さを有する膜を形成した。膜を、水銀Hバルブ(200〜320nm)を備えたFusion UV Light Systemを用いて450W/インチで、約1J/cm2の紫外線に曝した。
【0128】
<実施例8>
メチルイソブチルケトン中に溶解させた、22%の実施例2のシリコーン樹脂及び10%のDarocur(登録商標)4265光開始剤から成る溶液(5mL)を0.2μmフィルタに通した。約2mLの濾液を、直径100mmのシリコンウエハ上でスピンコーティング(2,000rpmで20秒間)し、約1μmの厚さを有する膜を形成した。膜を、水銀Hバルブ(200〜320nm)及びDバルブ(350〜440nm)の両方を備えたFusion UV Light Systemを用いて450W/インチで、約1J/cm2の紫外線に曝した。次に、被覆ウエハを、60分間約150℃のホットプレート上で加熱した。
【0129】
<実施例9>
プロピレングリコールメチルエーテルアセテート中に溶解させた、30%の実施例3のシリコーン樹脂及び10%のIrgacure(登録商標)819光開始剤から成る溶液(5mL)を0.2μmフィルタに通した。約2mLの濾液を、直径100mmの前処理されたシリコンウエハ上でスピンコーティング(2,000rpmで20秒間)し、約1μmの厚さを有するコーティングを形成した(シリコンウエハは、0.15Torr(20Pa)の圧力及び100WのRF電力で1分間酸素プラズマを用いてコーティングを堆積する前に、処理を行った)。コーティングを、水銀Hバルブ(200〜320nm)を備えたFusion UV Light Systemを用い、450W/インチで約1J/cm2の紫外線に曝した。
【0130】
<実施例10>
プロピレングリコールメチルエーテルアセテート中に溶解させた、30%の実施例1のシリコーン樹脂及び10%のPfaltz&Bauer T17775光開始剤から成る溶液(5mL)を0.2μmフィルタに通した。約2mLの濾液を、直径100mmの前処理されたシリコンウエハ上でスピンコーティング(2,000rpmで20秒間)し、約1μmの厚さを有するコーティングを形成した(シリコンウエハは、0.15Torr(20Pa)の圧力及び100WのRF電力で1分間酸素プラズマを用いてコーティングを堆積する前に、処理を行った)。コーティングを、水銀バルブ(300〜400nm)を備えたQuintel Mask Alignerを用いて、約1J/cm2の紫外線に曝した。次に、被覆ウエハを、60分間約150℃のホットプレート上で加熱した。
【0131】
<実施例11〜実施例16>
実施例11〜実施例16のそれぞれにおいて、以下の被覆基板を、表1に示す加工条件を用いて製造した。
実施例11:Silicon/SiCOH(1.9)
実施例12:Silicon/IFL3
実施例13:Silicon/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)
実施例14:Silicon/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)
実施例15:Silicon/SiCOH(1.9)/IFL3/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)
実施例16:Silicon/SiCOH(1.9)/IFL3/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)/TiN/SiC/SiCOH(1.5)/SiCOH(1.9)
ここで、Siliconは、直径100mmのシリコンウエハを示し、IFL3は、(実施例9に記載されるように調製される)実施例3のシリコーン樹脂の硬化生成物を含む界面層を示し、SiCOH(1.9)は、1.9g/cm3の密度を有するアモルファス水素添加シリコンオキシカーバイドの層を示し、SiCは、1.85g/cm3の密度を有する炭化ケイ素の層を示し、SiCOH(1.5)は、1.5g/cm3の密度を有するアモルファス水素添加シリコンオキシカーバイドの層を示し、TiNは窒化チタンの層を示す。被覆基板の特性を表1に示す。
【0132】
【表1】

【0133】
<実施例17〜実施例23>
実施例17〜実施例22のそれぞれにおいて、シリコンウエハを150mm直径のCorning(登録商標)1737ガラスウエハに置き替えた以外、実施例11〜実施例16に記載したように被覆基板を製造した。被覆ガラス基板の透過パーセントを表2に示す。実施例23では、被覆されていないガラスウエハの透過パーセントを比較のために測定した。
【0134】
【表2】

【0135】
<実施例24〜実施例30>
実施例24〜実施例29のそれぞれにおいて、初めに、上記のように1インチの正方形開口部の3×3配列を有するシャドウマスクを介して熱蒸発(上方技法)によって各ガラスウエハ上にカルシウムを堆積させて100nmの厚さとした以外、実施例17〜実施例22に記載したように被覆基板を製造した。
【0136】
次に、実施例17〜実施例22のバリアコーティング及び界面コーティングをカルシウム被覆ガラスウエハ上に堆積させた。ウエハを20℃で30〜50%のRHに曝し、各ウエハ上で550nmにおけるカルシウムの正方形の透過パーセントを一定間隔で測定した。湿分及び酸素に曝されると、金属カルシウムは、経時的に反応し、カルシウムの酸化物、水酸化物及び/又は塩の透過層を次第に形成する。それぞれの被覆基板に関する透過パーセントの10%及び30%の増大に対応する時間(時間)を表3に示す。実施例30では、カルシウムでのみ被覆されるガラスの透過パーセントを比較のために測定した。
【0137】
【表3】

【図面の簡単な説明】
【0138】
【図1】本発明による第1の実施形態の被覆基板の断面図である。
【図2】界面コーティング上に付加的な無機バリアコーティングをさらに含む、第1の実施形態の被覆基板の断面図である。
【図3】界面コーティング上に少なくとも2つの交互に配される無機バリアコーティング及び界面コーティングをさらに含む、第1の実施形態の被覆基板の断面図である。
【図4】本発明による第2の実施形態の被覆基板の断面図である。
【図5】無機バリアコーティング上に付加的な界面コーティングをさらに含む、第2の実施形態の被覆基板の断面図である。
【図6】無機バリアコーティング上に少なくとも2つの交互に配される界面コーティング及び無機バリアコーティングをさらに含む、第2の実施形態の被覆基板の断面図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
被覆基板であって、
基板と、
該基板上の無機バリアコーティングと、
該無機バリアコーティング上の界面コーティングであって、該界面コーティングが、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングと
を含む、被覆基板。
【請求項2】
前記基板が電子素子である、請求項1に記載の被覆基板。
【請求項3】
前記シリコーン樹脂の式中の下付き文字cが1の値を有する、請求項1に記載の被覆基板。
【請求項4】
前記放射線感受性基が、アクリロイルオキシアルキル、置換アクリロイルオキシアルキル、アルケニルエーテル基、アルケニル及びエポキシ置換有機基から選択される、請求項1に記載の被覆基板。
【請求項5】
前記界面コーティング上に付加的な無機バリアコーティングをさらに含む、請求項1に記載の被覆基板。
【請求項6】
前記界面コーティング上に少なくとも2つの交互に配される無機バリアコーティング及び界面コーティングをさらに含み、交互に配される各界面コーティングが式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、請求項1に記載の被覆基板。
【請求項7】
被覆基板であって、
基板と、
該基板上の界面コーティングであって、該界面コーティングが、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングと、
前記界面コーティング上の無機バリアコーティングと
を含む、被覆基板。
【請求項8】
前記基板が電子素子である、請求項7に記載の被覆基板。
【請求項9】
前記シリコーン樹脂の式中の下付き文字cが1の値を有する、請求項7に記載の被覆基板。
【請求項10】
前記放射線感受性基が、アクリロイルオキシアルキル、置換アクリロイルオキシアルキル、アルケニルエーテル基、アルケニル及びエポキシ置換有機基から選択される、請求項7に記載の被覆基板。
【請求項11】
前記無機バリアコーティング上に付加的な界面コーティングをさらに含み、該付加的な界面コーティングが式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、請求項7に記載の被覆基板。
【請求項12】
前記無機バリアコーティング上に少なくとも2つの交互に配される界面コーティング及び無機バリアコーティングをさらに含み、交互に配される各界面コーティングが式(I)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む、請求項7に記載の被覆基板。
【請求項13】
被覆基板を製造する方法であって、
基板上に無機バリアコーティングを形成する工程と、
該無機バリアコーティング上に界面コーティングを形成する工程であって、該界面コーティングが、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングを形成する工程と
を含む、被覆基板を製造する方法。
【請求項14】
被覆基板を製造する方法であって、
基板上に界面コーティングを形成する工程であって、該界面コーティングが、式(R132SiO1/2a(R32SiO2/2b(R3SiO3/2c(SiO4/2d(I)(式中、各R1は独立して、C1〜C10ヒドロカルビル、C1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル、又は−OR2であり、ここで、R2はC1〜C10ヒドロカルビル又はC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、各R3は独立してR1、−H又は放射線感受性基であり、aは0〜0.95であり、bは0〜0.95であり、cは0〜1であり、dは0〜0.9であり、c+d=0.1〜1であり、a+b+c+d=1である)を有するシリコーン樹脂の硬化生成物を含む(但し、該シリコーン樹脂は、1分子当たり平均して少なくとも2つのケイ素結合した放射線感受性基を有する)界面コーティングを形成する工程と、
前記界面コーティング上に無機バリアコーティングを形成する工程と
を含む、被覆基板を製造する方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公表番号】特表2009−511290(P2009−511290A)
【公表日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−534551(P2008−534551)
【出願日】平成18年9月18日(2006.9.18)
【国際出願番号】PCT/US2006/036265
【国際公開番号】WO2007/044181
【国際公開日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【出願人】(596012272)ダウ・コーニング・コーポレイション (347)
【出願人】(000110077)東レ・ダウコーニング株式会社 (338)
【Fターム(参考)】