装置の作製方法
【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の基板上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
光を前記第1の基板を通過させて、前記有機化合物層に照射し、前記素子層を前記第1の基板より剥離することを特徴とする装置の作製方法。
【請求項1】
第1の基板上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
光を前記第1の基板を通過させて、前記有機化合物層に照射し、前記素子層を前記第1の基板より剥離することを特徴とする装置の作製方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【公開番号】特開2013−84973(P2013−84973A)
【公開日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−265200(P2012−265200)
【出願日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【分割の表示】特願2007−47097(P2007−47097)の分割
【原出願日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【分割の表示】特願2007−47097(P2007−47097)の分割
【原出願日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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