複数の超音波のトランスデューサーを持ったマッサージ装置関連出願の援用本出願は、２０１０年１０月１２日に提出された仮出願第６１／４０４，９２３号への優先権を主張し、そしてその全体の内容はこれによって援用のために合体させられる。
【課題】複数の超音波のモードを持っていて振動を異なった周波数で与えることができる単一の振動伝達板を持った超音波の装置を提供する。
【解決手段】その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板；および各々の超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサー２２、２５を備え、超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、なめらかな表面に対して平行している底面を持ち、超音波の振動トランスデューサーのどれでも、底面となめらかな表面までの距離は、おおよそ超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である構成とする。
【解決手段】その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板；および各々の超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサー２２、２５を備え、超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、なめらかな表面に対して平行している底面を持ち、超音波の振動トランスデューサーのどれでも、底面となめらかな表面までの距離は、おおよそ超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である構成とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
当該発明は、マッサージ装置における超音波の導入に関しての技術にかかわる。より具体的に、当該発明は、複数の超音波のモードを持っていて振動を異なった周波数で与えることができる単一の振動伝達板を持った超音波の装置にかかわる。
【背景技術】
【０００２】
肌手入れおよび美化のために用いられる超音波方法は、長く論証され商用製品および治療装置をもって実現されている。次に続く列挙された文書は、本発明の対象に最も関連している参考文献であると思われる：［１］Ｙ．ミツ，“電気泳動装置，超音波の顔面の刺激器，および化粧品添加物を使用する肌美化化粧品システム”，特許番号ＵＳ７，４２７，２７３Ｂ２（２００８）；［２］Ｍ．ヌノムラ，その他，“超音波適用肌手入れ装置”，公開番号ＵＳ２００６／０１４９１６９（２００６）；［３］Ｕ．モトヨシ，“超音波美顔美容器”，公開番号ＪＰ２００７０５０２０４（Ａ）（２００７）；［４］Ｈ．ヒサオ，“超音波美顔器”，公開番号ＪＰ２００１３１４４７３（Ａ）（２００１）；［５］Ｊ．リード，その他，“超音波に基礎づけられた化粧品治療方法および機器”，公開番号ＵＳ２００９／０３１８８５３（２００９）；［６］バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍを見よ）；および［７］Ｓ．Ｈ．ダヤン，“超音波補助的顔面の肌若返り法”，スキンインコーポレーテッドマガジン（２００１）。
【０００３】
あらゆる既存の製品は、およそ同じまたは同様の大きさを持った単一の振動板をトランスデューサーとして励起させる単一の超音波トランスデューサーという普通の特徴を共有する。図１は、先行技術によるそのような種類のデザインの構造図を示す。振動板１、それは通常は金属製であるが、は、人間の肌とそれの外側のなめらかな表面で接触し内面の超音波の周波数の超音波のトランスデューサー２によって駆動される。トランスデューサー２からの振動は、人間の肌または板１の外面と人間の肌との間の肌手入れ製品に板１の駆動振動を通して伝達される。板１およびトランスデューサー２は、取り扱いのために付属筐体構造３の内に一般的に含まれる。
【０００４】
上述の先行技術による装置は、単一の周波数の振動を与えるにすぎない。科学的研究は、人が美化の目的で肌の超音波の処置の恩恵を被るということを論証する。複数の周波数が超音波の装置において使用されることが、要望される。たとえば、より高い周波数の超音波のモードは肌手入れ試料分子を活性化し一方ではより低い周波数のモードは美化効果を高めるように試料の有効成分をより深く肌の中に押しやる。
【０００５】
既存の製品のあるもの、バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍ）において記述された装置のような、については、２の超音波モードが採用されている。その装置は、各板が異なった周波数で振動する超音波トランスデューサーを持っていて、２の別々の振動する板を利用する。そのようなデザインは２の特色のある超音波モードというオプションを与え、ここにより高い周波数の超音波モードは美容製品の分子を活性化するように表面的に作用し、そしてより低い周波数のモードはより低い周波数のモードについてのいっそうよい美化結果を得るためのその製品のより深い浸透を可能にするが、それは使用者が異なった超音波モードの機能がためになるように手動で板の位置を対象肌範囲に対して変えることを要求するという本質的な欠点をもっている。そのような要求は、使用者にとって煩わしい仕事を引き起こしているだけでなくまた非直観的であり、それはおそらく容易に使用者側に混乱をもたらし複数のモードというそれの広告される機能を限定するであろう。
【０００６】
それゆえに、要望されるものは、振動を電子的に切り替えられてもよい異なったモードで与える伝達板を可能にする機構を持った直観的で使いやすい装置である。この機構を用いて、使用者は、装置そのものを操作すると言うより、肌美化プロセスおよびそれの結果にもっと注意を集中させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】Ｙ．ミツ，“電気泳動装置，超音波の顔面の刺激器，および化粧品添加物を使用する肌美化化粧品システム”，特許番号ＵＳ７，４２７，２７３Ｂ２（２００８）
【特許文献２】Ｍ．ヌノムラ，その他，“超音波適用肌手入れ装置”，公開番号ＵＳ２００６／０１４９１６９（２００６）
【特許文献３】Ｕ．モトヨシ，“超音波美顔美容器”，公開番号ＪＰ２００７０５０２０４（Ａ）（２００７）
【特許文献４】Ｈ．ヒサオ，“超音波美顔器”，公開番号ＪＰ２００１３１４４７３（Ａ）（２００１）
【特許文献５】Ｊ．リード，その他，“超音波に基礎づけられた化粧品治療方法および機器”，公開番号ＵＳ２００９／０３１８８５３（２００９）
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍを見よ）
【非特許文献２】Ｓ．Ｈ．ダヤン，“超音波補助的顔面の肌若返り法”，スキンインコーポレーテッドマガジン（２００１）
【発明の概要】
【０００９】
この発明の１の目的は、超音波の振動を複数の周波数で同じ超音波伝達板の表面に発生させることである。
【００１０】
この発明の別の目的は、各トランスデューサーが存する板範囲がそのトランスデューサーの超音波モードに対して整合している厚さを持っていてトランスデューサーの当該周波数での超音波の振動の伝達のために最も能率的であるように、異なった超音波のトランスデューサーの周波数を対応する異なった板厚さと整合させることである。
【００１１】
本発明は、複数の超音波のトランスデューサーによって励起させられる超音波の振動伝達板を持った超音波の装置を教示する。同じ板の複数の超音波のモードの励起は、当該板の各異なった厚さがその厚さに基づいて存する超音波のトランスデューサーの周波数に対して整合するような基礎板厚さをパターン形成することによって実現される。このデザインは、複数のトランスデューサーによっての単一の板の励起の実行可能性を与えそして容易な利用およびいっそうよい肌手入れ結果を生む。
【００１２】
発明の好ましい実施態様において、超音波の装置は、つぎを含む：（１）対象表面と接触がある少なくとも１の板の表面を持った少なくとも１の超音波の振動伝達板；（２）各々が２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の異なった周波数を持っていて伝達板と物理的な接触がある少なくとも２の超音波の振動発生トランスデューサー；（３）異なった超音波のトランスデューサーが存する伝達板の異なった範囲は、残りのものと異なった周波数を持っている各トランスデューサーについて異なった厚さを持っている。
【００１３】
本発明による超音波の装置の１の実施において、各超音波のトランスデューサー下の各異なった板厚さは、超音波の振動をより能率的にトランスデューサーから肌へ伝達するようにそのトランスデューサーの周波数に対して整合する。
【００１４】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なった板厚さは、トランスデューサーが穴の内にそして穴の底面と接触があるよう存する板の中へくぼみ穴を作成することによって実現されてもよい。
【００１５】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なった板厚さは、トランスデューサーがその突出の上面に存する板の上部の突出を作成することによって実現されてもよい。
【００１６】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーは、板の表面に並んで配置される。さらに、異なったトランスデューサーは、第二の周波数を持っている複数のトランスデューサーによって隣接される第一の周波数を持っている少なくとも１のトランスデューサーを含む。
【００１７】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーは同心円状の配置を用いて板と接触してもよく、そしてここにトランスデューサーの少なくともひとつ、すなわち第一のトランスデューサー、は中心クリアランスを持ったリング型であり、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつはリング型第一のトランスデューサーの中心クリアランスの内に存してもよい。
【００１８】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーはトランスデューサーの少なくともひとつを用いて板と接触してもよく、すなわち第一のトランスデューサー、は中心クリアランスを持っており、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつは第一のトランスデューサーの中心クリアランスの内に存し、そしてここに第一のトランスデューサーの外側形状、クリアランスの形状および残りのトランスデューサーの形状はどんな任意の規則正しい形状、たとえば楕円、三角形、長方形、もしくは正方形でも、またはその他任意の不規則な形状であってもよい。
【００１９】
本発明による超音波の装置のまだそのうえに別の実施において、異なったトランスデューサーはトランスデューサーの少なくともひとつを用いて板と接触してもよく、すなわち第一のトランスデューサー、は部分的にとり囲んだ形状である第一のトランスデューサーを生じさせるクリアランスを持っており、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつは第一のトランスデューサーのクリアランスの内に存し、そしてここに第一のトランスデューサーの外側形状、クリアランスの形状および残りのトランスデューサーの形状はどんな任意の規則正しい形状、たとえば楕円、三角形、長方形、もしくは正方形でも、またはその他任意の不規則な形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、先行技術による超音波のトランスデューサーを説明する概略図である；
【図２】図２Ａは、本発明の第一の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図２Ｂは、図２Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図３】図３Ａは、本発明の第二の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図３Ｂは、図３Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図４】図４Ａは、本発明の第三の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図４Ｂは、図４Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図５】図５Ａは、本発明の第四の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図５Ｂは、図５Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図６】図６Ａは、本発明の第五の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図６Ｂは、図６Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図７】図７Ａは、本発明の第六の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図７Ｂは、図７Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図８】図８Ａは、本発明の第七の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図８Ｂは、図８Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図９】図９Ａは、本発明の第八の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図９Ｂは、図９Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図１０】図１０Ａは、本発明の第九の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図１０Ｂは、図１０Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図１１】図１１Ａは、本発明の第十の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図１１Ｂは、図１１Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明が多数の異なった様式、デザインまたは構成で実施されてもさしつかえないとは言え、当該発明の原理の理解を促進するという目的上、図面で説明される実施態様への参照がされて特定の文言が同上のものを記述するために用いられるだろう。発明の範囲の限定がそれによって意図されないことは、それにもかかわらず理解されるだろう。発明と関連がある技術の当業者であれば標準的に頭に浮かぶような、ここに記述するところによる当該発明の原理の任意の変更およびそれ以上の実施が、予期される。
【００２２】
本発明は、その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板；および各々の超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサーを備える、肌手入れマッサージ用の超音波の装置を教示する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、なめらかな表面に対して平行している底面を持っている。超音波の振動トランスデューサーのどれでも、底面となめらかな表面までの距離は、おおよそ超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。この出願の文脈において、トランスデューサーの周波数と整合する板厚さは、超音波のトランスデューサーが振動伝達板表面の上に位置調整される時に、トランスデューサー下の振動伝達板の厚さが最大にトランスデューサーによって発生される振動を伝達するために超音波のトランスデューサーの周波数と整合するということを意味して言う。言い換えれば、当該整合する厚さで、振動伝達板は、板の厚さを横切ってトランスデューサーが存する側に対する板の異なった側までトランスデューサーによって発生される超音波の振動を最も能率的に伝達することができる。そのような厚さは通常は超音波のトランスデューサーが動作する周波数での当該板の固有の音波の半波長のＮ倍であり、そしてここにＮは非零の整数である。
【００２３】
図２Ａは本発明の第一の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図２Ｂは図２Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板２１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）２２；（３）ＴＬＦ２２の底面と板２１の処置表面２６との間の第一の板厚さ２４；（４）板２１における端ぐり２３の中に存するより高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）２５；および（５）ＴＨＦ２５の底面と板２１の処置表面２６との間の第二の板厚さ２７を含む。
【００２４】
ＴＬＦ２２およびＴＨＦ２５は板基礎厚さがＴＬＦ周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にＴＨＦ２５は板２１の中へへこんだ端ぐりタイプ穴構造２３の内に存する。ＴＨＦ２５が存する板範囲の第一の板厚さ２４は、ＴＨＦ周波数と整合する。実施において、単一のＴＬＦに隣接する複数のＴＨＦまたは単一のＴＨＦに隣接する複数のＴＬＦがあってもよい。ＴＨＦ２５およびＴＬＦ２２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２５】
図３Ａは本発明の第二の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図３Ｂは図３Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板３１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）３２；（３）ＴＬＦ３２の底面と板３１の処置表面３６との間の第一の板厚さ３４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）３５；および（５）ＴＨＦ３５の底面と板３１の処置表面３６との間の第二の板厚さ３７を含む。
【００２６】
ＴＬＦ３２およびＴＨＦ３５は板基礎厚さがＴＨＦ周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にＴＬＦ３２は基礎板３１から起こる突出３３の上に位置する。突出３３および基礎板３１は、ＴＬＦ周波数と整合する有効な厚さ３４を形成する。実施において、単一のＴＬＦに隣接する複数のＴＨＦまたは単一のＴＨＦに隣接する複数のＴＬＦがあってもよい。ＴＨＦ３５およびＴＬＦ３２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２７】
図４Ａは本発明の第三の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図４Ｂは図４Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板４１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）４２；（３）ＴＬＦ４２の底面と板４１の処置表面４６との間の第一の板厚さ４４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）４５；および（５）ＴＨＦ４５の底面と板４１の処置表面４６との間の第二の板厚さ４７を含む。
【００２８】
ＴＬＦ４２およびＴＨＦ４５は同心円状の環状の配置を用いて同じ板４１において組み入れられ、そしてここにＴＬＦ４２はリング型トランスデューサーでありＴＨＦ４５はＴＬＦ４２の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板４１の中へへこんだ端ぐり穴４３の内に存するより小さい丸いトランスデューサーである。第一の板厚さ４４、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ４７、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ４５およびＴＬＦ４２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２９】
図５Ａは本発明の第四の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図５Ｂは図５Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板５１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）５２；（３）ＴＬＦ５２の底面と板５１の処置表面５６との間の第一の板厚さ５４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）５５；および（５）ＴＨＦ５５の底面と板５１の処置表面５６との間の第二の板厚さ５７を含む。
【００３０】
ＴＬＦ５２およびＴＨＦ５５は同心円状の配置を用いて同じ板５１において組み入れられ、そしてここにＴＨＦ５５はリング型トランスデューサーでありＴＬＦ５２は基礎板５１から起こる突出５３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出５３は、ＴＨＦ５５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ５７、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ５４、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＨＦ５５およびＴＬＦ５２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００３１】
図６Ａは本発明の第五の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図６Ｂは図６Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板６１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）６２；（３）ＴＬＦ６２の底面と板６１の処置表面６６との間の第一の板厚さ６４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）６５；および（５）ＴＨＦ６５の底面と板６１の処置表面６６との間の第二の板厚さ６７を含む。
【００３２】
ＴＬＦ６２およびＴＨＦ６５はＴＬＦ６２が中心クリアランスを持っていて同じ板６１において組み入れられそしてＴＨＦ６５はＴＬＦ６２の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板６１の中へへこんだ端ぐり穴６３の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ６４、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ６７、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ６５は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＬＦ６２は、ＴＨＦ６５を囲む楕円形の筒の形状をしている。
【００３３】
図６Ａにおいて、ＴＬＦ６２、中心クリアランスおよびＴＨＦ６５は楕円形の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００３４】
図７Ａは本発明の第六の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図７Ｂは図７Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板７１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）７２；（３）ＴＬＦ７２の底面と板７１の処置表面７６との間の第一の板厚さ７４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）７５；および（５）ＴＨＦ７５の底面と板７１の処置表面７６との間の第二の板厚さ７７を含む。
【００３５】
ＴＬＦ７２およびＴＨＦ７５は、同じ板７１において組み入れられる。ＴＨＦ７５は中心クリアランスを持っていてそしてＴＬＦ７２は基礎板７１から起こる突出７３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出７３は、ＴＨＦ７５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ７７、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ７４、すなわち有効な板厚さＺＬＦ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＬＦ７２は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＨＦ７５は、ＴＬＦ７２を囲む楕円形の筒の形状をしている。
【００３６】
図７Ａにおいて、ＴＬＦ７２、中心クリアランスおよびＴＨＦ７５は楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００３７】
図８Ａは本発明の第七の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図８Ｂは図８Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板８１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）８２；（３）ＴＬＦ８２の底面と板８１の処置表面８６との間の第一の板厚さ８４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）８５；および（５）ＴＨＦ８５の底面と板８１の処置表面８６との間の第二の板厚さ８７を含む。
【００３８】
ＴＬＦ８２およびＴＨＦ８５は、同じ板８１において組み入れられる。ＴＬＦ８２は、ＴＬＦ８２を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。ＴＨＦ８５は、ＴＬＦ８２のクリアランスの内に位置づけられ基礎板８１の中へへこんだ端ぐり穴８３の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ８４、すなわち板基礎のより大きい厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ８７、すなわち有効な板厚さ８７は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ８５は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＬＦ８２は、実質的にＴＨＦ８５を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。
【００３９】
図８Ａにおいて、ＴＬＦ８２、中心クリアランスおよびＴＨＦ８５は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００４０】
図９Ａは本発明の第八の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図９Ｂは図９Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板９１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）９２；（３）ＴＬＦ９２の底面と板９１の処置表面９６との間の第一の板厚さ９４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）９５；および（５）ＴＨＦ９５の底面と板９１の処置表面９６との間の第二の板厚さ９７、すなわち板のより小さい厚さ、を含む。
【００４１】
ＴＬＦ９２およびＴＨＦ９５は、同じ板９１において組み入れられる。ＴＨＦ９５は、ＴＨＦ９５を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。ＴＬＦ９２は、基礎板９１から起こる突出９３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出９３は、ＴＨＦ９５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ９７、すなわち板の基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ９４、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＬＦ９２は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＨＦ９５は、実質的にＴＬＦ９２を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。
【００４２】
図９Ａにおいて、ＴＬＦ９２、中心クリアランスおよびＴＨＦ９５は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００４３】
図１０Ａは本発明の第九の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図１０Ｂは図１０Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板１０１；（２）第一の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ１）１０２；（３）ＴＦ１１０２の底面と板１０１の処置表面１０６との間の第一の板厚さ１０３；（４）第一の周波数と異なっている、第二の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ２）１０４；および（５）ＴＦ２１０４の底面と板１０１の処置表面１０６との間の第二の板厚さ１０５を含む。
【００４４】
ＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４は、同じ板面の表面に組み入れられる。第一の板厚さ１０３は、ＴＦ１１０２の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ１０５は、ＴＦ２１０４の超音波の周波数と整合する。実施において、単一のＴＦ２１０４に隣接する複数のＴＦ１１０２または単一のＴＦ１１０２に隣接する複数のＴＦ２１０４があってもよい。あるいは、複数のＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４は、入り混じった状態で行列をなして配置されてもよい。複数のＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４はまた、各集合が同じ周波数のトランスデューサーを持ちながら別々の集合をなして配置されてもよく、そして異なった集合は同じ板の異なった範囲の表面に位置調整される。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数に対して整合する板厚さに基づいて存する。
【００４５】
図２Ａおよび図２Ｂ、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図１０Ａおよび図１０Ｂにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。１のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の５０％よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。
【００４６】
図１０Ａにおいて、ＴＦ１およびＴＦ２は円の形状として示されるが、ＴＦ１およびＴＦ２の実際の形状はどんな規則正しいまたは不規則な形状であってもよい。
【００４７】
図１１Ａは本発明の第十の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図１１Ｂは図１１Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板１１１；（２）第一の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ１）１１２；（３）ＴＦ１１１２の底面と板１１１の処置表面１１６との間の第一の板厚さ１１３；（４）第一の周波数と異なっている第二の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ２）１１４；および（５）ＴＦ２１１４の底面と板１１１の処置表面１１６との間の第二の板厚さ１１５を含む。
【００４８】
ＴＦ１１１２およびＴＦ２１１４は、同じ板面の表面に組み入れられる。ＴＦ２１１４は、中心クリアランスを持っている。ＴＦ１１１２は、ＴＦ２１１４の中心クリアランスの中に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ１１３は、ＴＦ１１１２の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ１１５は、ＴＦ２１１４の超音波の周波数と整合する。ＴＦ１１１２は、円柱の形状をしている。ＴＦ２１１４は、ＴＦ１１１２を囲む環状の筒の形状をしている。
【００４９】
図３Ａおよび図３Ｂ、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図１０Ａおよび図１０Ｂにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。１のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の５０％よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。
【００５０】
図１１Ａにおいて、ＴＦ２およびそれの中心クリアランスは円の形状として示されるが、ＴＦ１、ＴＦ２および中心クリアランスの実際の形状は実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。また単一のＴＦ２のトランスデューサー中心クリアランスの中に存する複数のＴＦ１があってもよい。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数と整合する板厚さに基づいて存する。
【００５１】
前文に記述された実施態様において、超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。理想的には、超音波の振動トランスデューサーの底面となめらかな処置表面までの距離は、超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。実施において、各超音波のトランスデューサー下の各板厚さは、超音波のトランスデューサーによって発生される波の周波数と同じ周波数で超音波の振動板の内に伝わる音波の半波長の整数倍の−２０％と＋２０％との変動の範囲内であってもさしつかえない。
【００５２】
本発明の１以上の実施態様が上に説明されたと同時に、当業者はそれらの実施態様に対しての変更および採用が本発明の範囲および精神からはずれずにされてもさしつかえないということを認識するだろう。
【技術分野】
【０００１】
当該発明は、マッサージ装置における超音波の導入に関しての技術にかかわる。より具体的に、当該発明は、複数の超音波のモードを持っていて振動を異なった周波数で与えることができる単一の振動伝達板を持った超音波の装置にかかわる。
【背景技術】
【０００２】
肌手入れおよび美化のために用いられる超音波方法は、長く論証され商用製品および治療装置をもって実現されている。次に続く列挙された文書は、本発明の対象に最も関連している参考文献であると思われる：［１］Ｙ．ミツ，“電気泳動装置，超音波の顔面の刺激器，および化粧品添加物を使用する肌美化化粧品システム”，特許番号ＵＳ７，４２７，２７３Ｂ２（２００８）；［２］Ｍ．ヌノムラ，その他，“超音波適用肌手入れ装置”，公開番号ＵＳ２００６／０１４９１６９（２００６）；［３］Ｕ．モトヨシ，“超音波美顔美容器”，公開番号ＪＰ２００７０５０２０４（Ａ）（２００７）；［４］Ｈ．ヒサオ，“超音波美顔器”，公開番号ＪＰ２００１３１４４７３（Ａ）（２００１）；［５］Ｊ．リード，その他，“超音波に基礎づけられた化粧品治療方法および機器”，公開番号ＵＳ２００９／０３１８８５３（２００９）；［６］バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍを見よ）；および［７］Ｓ．Ｈ．ダヤン，“超音波補助的顔面の肌若返り法”，スキンインコーポレーテッドマガジン（２００１）。
【０００３】
あらゆる既存の製品は、およそ同じまたは同様の大きさを持った単一の振動板をトランスデューサーとして励起させる単一の超音波トランスデューサーという普通の特徴を共有する。図１は、先行技術によるそのような種類のデザインの構造図を示す。振動板１、それは通常は金属製であるが、は、人間の肌とそれの外側のなめらかな表面で接触し内面の超音波の周波数の超音波のトランスデューサー２によって駆動される。トランスデューサー２からの振動は、人間の肌または板１の外面と人間の肌との間の肌手入れ製品に板１の駆動振動を通して伝達される。板１およびトランスデューサー２は、取り扱いのために付属筐体構造３の内に一般的に含まれる。
【０００４】
上述の先行技術による装置は、単一の周波数の振動を与えるにすぎない。科学的研究は、人が美化の目的で肌の超音波の処置の恩恵を被るということを論証する。複数の周波数が超音波の装置において使用されることが、要望される。たとえば、より高い周波数の超音波のモードは肌手入れ試料分子を活性化し一方ではより低い周波数のモードは美化効果を高めるように試料の有効成分をより深く肌の中に押しやる。
【０００５】
既存の製品のあるもの、バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍ）において記述された装置のような、については、２の超音波モードが採用されている。その装置は、各板が異なった周波数で振動する超音波トランスデューサーを持っていて、２の別々の振動する板を利用する。そのようなデザインは２の特色のある超音波モードというオプションを与え、ここにより高い周波数の超音波モードは美容製品の分子を活性化するように表面的に作用し、そしてより低い周波数のモードはより低い周波数のモードについてのいっそうよい美化結果を得るためのその製品のより深い浸透を可能にするが、それは使用者が異なった超音波モードの機能がためになるように手動で板の位置を対象肌範囲に対して変えることを要求するという本質的な欠点をもっている。そのような要求は、使用者にとって煩わしい仕事を引き起こしているだけでなくまた非直観的であり、それはおそらく容易に使用者側に混乱をもたらし複数のモードというそれの広告される機能を限定するであろう。
【０００６】
それゆえに、要望されるものは、振動を電子的に切り替えられてもよい異なったモードで与える伝達板を可能にする機構を持った直観的で使いやすい装置である。この機構を用いて、使用者は、装置そのものを操作すると言うより、肌美化プロセスおよびそれの結果にもっと注意を集中させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】Ｙ．ミツ，“電気泳動装置，超音波の顔面の刺激器，および化粧品添加物を使用する肌美化化粧品システム”，特許番号ＵＳ７，４２７，２７３Ｂ２（２００８）
【特許文献２】Ｍ．ヌノムラ，その他，“超音波適用肌手入れ装置”，公開番号ＵＳ２００６／０１４９１６９（２００６）
【特許文献３】Ｕ．モトヨシ，“超音波美顔美容器”，公開番号ＪＰ２００７０５０２０４（Ａ）（２００７）
【特許文献４】Ｈ．ヒサオ，“超音波美顔器”，公開番号ＪＰ２００１３１４４７３（Ａ）（２００１）
【特許文献５】Ｊ．リード，その他，“超音波に基礎づけられた化粧品治療方法および機器”，公開番号ＵＳ２００９／０３１８８５３（２００９）
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】バルコビッチエンタープライジズからのフェイスメイト３３０超音波の顔面および肌マッサージ器（ｗｗｗ．ｂａｌｋｏｗｉｔｓｃｈ．ｃｏｍを見よ）
【非特許文献２】Ｓ．Ｈ．ダヤン，“超音波補助的顔面の肌若返り法”，スキンインコーポレーテッドマガジン（２００１）
【発明の概要】
【０００９】
この発明の１の目的は、超音波の振動を複数の周波数で同じ超音波伝達板の表面に発生させることである。
【００１０】
この発明の別の目的は、各トランスデューサーが存する板範囲がそのトランスデューサーの超音波モードに対して整合している厚さを持っていてトランスデューサーの当該周波数での超音波の振動の伝達のために最も能率的であるように、異なった超音波のトランスデューサーの周波数を対応する異なった板厚さと整合させることである。
【００１１】
本発明は、複数の超音波のトランスデューサーによって励起させられる超音波の振動伝達板を持った超音波の装置を教示する。同じ板の複数の超音波のモードの励起は、当該板の各異なった厚さがその厚さに基づいて存する超音波のトランスデューサーの周波数に対して整合するような基礎板厚さをパターン形成することによって実現される。このデザインは、複数のトランスデューサーによっての単一の板の励起の実行可能性を与えそして容易な利用およびいっそうよい肌手入れ結果を生む。
【００１２】
発明の好ましい実施態様において、超音波の装置は、つぎを含む：（１）対象表面と接触がある少なくとも１の板の表面を持った少なくとも１の超音波の振動伝達板；（２）各々が２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の異なった周波数を持っていて伝達板と物理的な接触がある少なくとも２の超音波の振動発生トランスデューサー；（３）異なった超音波のトランスデューサーが存する伝達板の異なった範囲は、残りのものと異なった周波数を持っている各トランスデューサーについて異なった厚さを持っている。
【００１３】
本発明による超音波の装置の１の実施において、各超音波のトランスデューサー下の各異なった板厚さは、超音波の振動をより能率的にトランスデューサーから肌へ伝達するようにそのトランスデューサーの周波数に対して整合する。
【００１４】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なった板厚さは、トランスデューサーが穴の内にそして穴の底面と接触があるよう存する板の中へくぼみ穴を作成することによって実現されてもよい。
【００１５】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なった板厚さは、トランスデューサーがその突出の上面に存する板の上部の突出を作成することによって実現されてもよい。
【００１６】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーは、板の表面に並んで配置される。さらに、異なったトランスデューサーは、第二の周波数を持っている複数のトランスデューサーによって隣接される第一の周波数を持っている少なくとも１のトランスデューサーを含む。
【００１７】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーは同心円状の配置を用いて板と接触してもよく、そしてここにトランスデューサーの少なくともひとつ、すなわち第一のトランスデューサー、は中心クリアランスを持ったリング型であり、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつはリング型第一のトランスデューサーの中心クリアランスの内に存してもよい。
【００１８】
本発明による超音波の装置の別の実施において、異なったトランスデューサーはトランスデューサーの少なくともひとつを用いて板と接触してもよく、すなわち第一のトランスデューサー、は中心クリアランスを持っており、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつは第一のトランスデューサーの中心クリアランスの内に存し、そしてここに第一のトランスデューサーの外側形状、クリアランスの形状および残りのトランスデューサーの形状はどんな任意の規則正しい形状、たとえば楕円、三角形、長方形、もしくは正方形でも、またはその他任意の不規則な形状であってもよい。
【００１９】
本発明による超音波の装置のまだそのうえに別の実施において、異なったトランスデューサーはトランスデューサーの少なくともひとつを用いて板と接触してもよく、すなわち第一のトランスデューサー、は部分的にとり囲んだ形状である第一のトランスデューサーを生じさせるクリアランスを持っており、そしてここに残りのトランスデューサーの少なくともひとつは第一のトランスデューサーのクリアランスの内に存し、そしてここに第一のトランスデューサーの外側形状、クリアランスの形状および残りのトランスデューサーの形状はどんな任意の規則正しい形状、たとえば楕円、三角形、長方形、もしくは正方形でも、またはその他任意の不規則な形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、先行技術による超音波のトランスデューサーを説明する概略図である；
【図２】図２Ａは、本発明の第一の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図２Ｂは、図２Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図３】図３Ａは、本発明の第二の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図３Ｂは、図３Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図４】図４Ａは、本発明の第三の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図４Ｂは、図４Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図５】図５Ａは、本発明の第四の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図５Ｂは、図５Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図６】図６Ａは、本発明の第五の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図６Ｂは、図６Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図７】図７Ａは、本発明の第六の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図７Ｂは、図７Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図８】図８Ａは、本発明の第七の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図８Ｂは、図８Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図９】図９Ａは、本発明の第八の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図９Ｂは、図９Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図１０】図１０Ａは、本発明の第九の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；図１０Ｂは、図１０Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である；
【図１１】図１１Ａは、本発明の第十の好ましい実施態様によるトランスデューサーの上面図を説明する概略図である；そして図１１Ｂは、図１１Ａの超音波のトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明が多数の異なった様式、デザインまたは構成で実施されてもさしつかえないとは言え、当該発明の原理の理解を促進するという目的上、図面で説明される実施態様への参照がされて特定の文言が同上のものを記述するために用いられるだろう。発明の範囲の限定がそれによって意図されないことは、それにもかかわらず理解されるだろう。発明と関連がある技術の当業者であれば標準的に頭に浮かぶような、ここに記述するところによる当該発明の原理の任意の変更およびそれ以上の実施が、予期される。
【００２２】
本発明は、その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板；および各々の超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサーを備える、肌手入れマッサージ用の超音波の装置を教示する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。超音波の振動トランスデューサーの各々は、なめらかな表面に対して平行している底面を持っている。超音波の振動トランスデューサーのどれでも、底面となめらかな表面までの距離は、おおよそ超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。この出願の文脈において、トランスデューサーの周波数と整合する板厚さは、超音波のトランスデューサーが振動伝達板表面の上に位置調整される時に、トランスデューサー下の振動伝達板の厚さが最大にトランスデューサーによって発生される振動を伝達するために超音波のトランスデューサーの周波数と整合するということを意味して言う。言い換えれば、当該整合する厚さで、振動伝達板は、板の厚さを横切ってトランスデューサーが存する側に対する板の異なった側までトランスデューサーによって発生される超音波の振動を最も能率的に伝達することができる。そのような厚さは通常は超音波のトランスデューサーが動作する周波数での当該板の固有の音波の半波長のＮ倍であり、そしてここにＮは非零の整数である。
【００２３】
図２Ａは本発明の第一の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図２Ｂは図２Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板２１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）２２；（３）ＴＬＦ２２の底面と板２１の処置表面２６との間の第一の板厚さ２４；（４）板２１における端ぐり２３の中に存するより高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）２５；および（５）ＴＨＦ２５の底面と板２１の処置表面２６との間の第二の板厚さ２７を含む。
【００２４】
ＴＬＦ２２およびＴＨＦ２５は板基礎厚さがＴＬＦ周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にＴＨＦ２５は板２１の中へへこんだ端ぐりタイプ穴構造２３の内に存する。ＴＨＦ２５が存する板範囲の第一の板厚さ２４は、ＴＨＦ周波数と整合する。実施において、単一のＴＬＦに隣接する複数のＴＨＦまたは単一のＴＨＦに隣接する複数のＴＬＦがあってもよい。ＴＨＦ２５およびＴＬＦ２２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２５】
図３Ａは本発明の第二の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図３Ｂは図３Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板３１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）３２；（３）ＴＬＦ３２の底面と板３１の処置表面３６との間の第一の板厚さ３４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）３５；および（５）ＴＨＦ３５の底面と板３１の処置表面３６との間の第二の板厚さ３７を含む。
【００２６】
ＴＬＦ３２およびＴＨＦ３５は板基礎厚さがＴＨＦ周波数と整合して同じ板において並んで組み入れられ、同時にＴＬＦ３２は基礎板３１から起こる突出３３の上に位置する。突出３３および基礎板３１は、ＴＬＦ周波数と整合する有効な厚さ３４を形成する。実施において、単一のＴＬＦに隣接する複数のＴＨＦまたは単一のＴＨＦに隣接する複数のＴＬＦがあってもよい。ＴＨＦ３５およびＴＬＦ３２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２７】
図４Ａは本発明の第三の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図４Ｂは図４Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板４１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）４２；（３）ＴＬＦ４２の底面と板４１の処置表面４６との間の第一の板厚さ４４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）４５；および（５）ＴＨＦ４５の底面と板４１の処置表面４６との間の第二の板厚さ４７を含む。
【００２８】
ＴＬＦ４２およびＴＨＦ４５は同心円状の環状の配置を用いて同じ板４１において組み入れられ、そしてここにＴＬＦ４２はリング型トランスデューサーでありＴＨＦ４５はＴＬＦ４２の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板４１の中へへこんだ端ぐり穴４３の内に存するより小さい丸いトランスデューサーである。第一の板厚さ４４、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ４７、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ４５およびＴＬＦ４２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００２９】
図５Ａは本発明の第四の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図５Ｂは図５Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板５１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）５２；（３）ＴＬＦ５２の底面と板５１の処置表面５６との間の第一の板厚さ５４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）５５；および（５）ＴＨＦ５５の底面と板５１の処置表面５６との間の第二の板厚さ５７を含む。
【００３０】
ＴＬＦ５２およびＴＨＦ５５は同心円状の配置を用いて同じ板５１において組み入れられ、そしてここにＴＨＦ５５はリング型トランスデューサーでありＴＬＦ５２は基礎板５１から起こる突出５３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出５３は、ＴＨＦ５５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ５７、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ５４、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＨＦ５５およびＴＬＦ５２は両方とも、円柱の形状をしている。
【００３１】
図６Ａは本発明の第五の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図６Ｂは図６Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板６１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）６２；（３）ＴＬＦ６２の底面と板６１の処置表面６６との間の第一の板厚さ６４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）６５；および（５）ＴＨＦ６５の底面と板６１の処置表面６６との間の第二の板厚さ６７を含む。
【００３２】
ＴＬＦ６２およびＴＨＦ６５はＴＬＦ６２が中心クリアランスを持っていて同じ板６１において組み入れられそしてＴＨＦ６５はＴＬＦ６２の中心クリアランスの内に位置づけられ基礎板６１の中へへこんだ端ぐり穴６３の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ６４、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ６７、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ６５は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＬＦ６２は、ＴＨＦ６５を囲む楕円形の筒の形状をしている。
【００３３】
図６Ａにおいて、ＴＬＦ６２、中心クリアランスおよびＴＨＦ６５は楕円形の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００３４】
図７Ａは本発明の第六の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図７Ｂは図７Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板７１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）７２；（３）ＴＬＦ７２の底面と板７１の処置表面７６との間の第一の板厚さ７４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）７５；および（５）ＴＨＦ７５の底面と板７１の処置表面７６との間の第二の板厚さ７７を含む。
【００３５】
ＴＬＦ７２およびＴＨＦ７５は、同じ板７１において組み入れられる。ＴＨＦ７５は中心クリアランスを持っていてそしてＴＬＦ７２は基礎板７１から起こる突出７３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出７３は、ＴＨＦ７５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ７７、すなわち板基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ７４、すなわち有効な板厚さＺＬＦ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＬＦ７２は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＨＦ７５は、ＴＬＦ７２を囲む楕円形の筒の形状をしている。
【００３６】
図７Ａにおいて、ＴＬＦ７２、中心クリアランスおよびＴＨＦ７５は楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００３７】
図８Ａは本発明の第七の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図８Ｂは図８Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板８１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）８２；（３）ＴＬＦ８２の底面と板８１の処置表面８６との間の第一の板厚さ８４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）８５；および（５）ＴＨＦ８５の底面と板８１の処置表面８６との間の第二の板厚さ８７を含む。
【００３８】
ＴＬＦ８２およびＴＨＦ８５は、同じ板８１において組み入れられる。ＴＬＦ８２は、ＴＬＦ８２を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。ＴＨＦ８５は、ＴＬＦ８２のクリアランスの内に位置づけられ基礎板８１の中へへこんだ端ぐり穴８３の内に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ８４、すなわち板基礎のより大きい厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。第二の板厚さ８７、すなわち有効な板厚さ８７は、ＴＨＦ周波数と整合する。ＴＨＦ８５は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＬＦ８２は、実質的にＴＨＦ８５を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。
【００３９】
図８Ａにおいて、ＴＬＦ８２、中心クリアランスおよびＴＨＦ８５は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００４０】
図９Ａは本発明の第八の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図９Ｂは図９Ａのトランスデューサーの側断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板９１；（２）より低い周波数のトランスデューサー（ＴＬＦ）９２；（３）ＴＬＦ９２の底面と板９１の処置表面９６との間の第一の板厚さ９４；（４）より高い周波数のトランスデューサー（ＴＨＦ）９５；および（５）ＴＨＦ９５の底面と板９１の処置表面９６との間の第二の板厚さ９７、すなわち板のより小さい厚さ、を含む。
【００４１】
ＴＬＦ９２およびＴＨＦ９５は、同じ板９１において組み入れられる。ＴＨＦ９５は、ＴＨＦ９５を部分的にとり囲んだ形状にするクリアランスを持っている。ＴＬＦ９２は、基礎板９１から起こる突出９３の上部に位置するより小さいトランスデューサーである。突出９３は、ＴＨＦ９５の中心クリアランスの内に位置づけられる。第二の板厚さ９７、すなわち板の基礎厚さ、は、ＴＨＦ周波数と整合する。第一の板厚さ９４、すなわち有効な板厚さ、は、ＴＬＦ周波数と整合する。ＴＬＦ９２は、楕円の上面図を持った柱の形状をしている。ＴＨＦ９５は、実質的にＴＬＦ９２を囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている。
【００４２】
図９Ａにおいて、ＴＬＦ９２、中心クリアランスおよびＴＨＦ９５は楕円または部分的な楕円の形状をなして示されるが、それらは実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。
【００４３】
図１０Ａは本発明の第九の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図１０Ｂは図１０Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板１０１；（２）第一の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ１）１０２；（３）ＴＦ１１０２の底面と板１０１の処置表面１０６との間の第一の板厚さ１０３；（４）第一の周波数と異なっている、第二の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ２）１０４；および（５）ＴＦ２１０４の底面と板１０１の処置表面１０６との間の第二の板厚さ１０５を含む。
【００４４】
ＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４は、同じ板面の表面に組み入れられる。第一の板厚さ１０３は、ＴＦ１１０２の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ１０５は、ＴＦ２１０４の超音波の周波数と整合する。実施において、単一のＴＦ２１０４に隣接する複数のＴＦ１１０２または単一のＴＦ１１０２に隣接する複数のＴＦ２１０４があってもよい。あるいは、複数のＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４は、入り混じった状態で行列をなして配置されてもよい。複数のＴＦ１１０２およびＴＦ２１０４はまた、各集合が同じ周波数のトランスデューサーを持ちながら別々の集合をなして配置されてもよく、そして異なった集合は同じ板の異なった範囲の表面に位置調整される。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数に対して整合する板厚さに基づいて存する。
【００４５】
図２Ａおよび図２Ｂ、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図１０Ａおよび図１０Ｂにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。１のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の５０％よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。
【００４６】
図１０Ａにおいて、ＴＦ１およびＴＦ２は円の形状として示されるが、ＴＦ１およびＴＦ２の実際の形状はどんな規則正しいまたは不規則な形状であってもよい。
【００４７】
図１１Ａは本発明の第十の好ましい実施態様による、トランスデューサーと呼ばれる、超音波の伝達装置の上面図を説明する概略図であり、そして図１１Ｂは図１１Ａのトランスデューサーの断面図を説明する概略図である。当該超音波のトランスデューサーは、（１）板１１１；（２）第一の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ１）１１２；（３）ＴＦ１１１２の底面と板１１１の処置表面１１６との間の第一の板厚さ１１３；（４）第一の周波数と異なっている第二の周波数を持ったトランスデューサー（ＴＦ２）１１４；および（５）ＴＦ２１１４の底面と板１１１の処置表面１１６との間の第二の板厚さ１１５を含む。
【００４８】
ＴＦ１１１２およびＴＦ２１１４は、同じ板面の表面に組み入れられる。ＴＦ２１１４は、中心クリアランスを持っている。ＴＦ１１１２は、ＴＦ２１１４の中心クリアランスの中に存するより小さいトランスデューサーである。第一の板厚さ１１３は、ＴＦ１１１２の超音波の周波数と整合する。第二の板厚さ１１５は、ＴＦ２１１４の超音波の周波数と整合する。ＴＦ１１１２は、円柱の形状をしている。ＴＦ２１１４は、ＴＦ１１１２を囲む環状の筒の形状をしている。
【００４９】
図３Ａおよび図３Ｂ、そこでは高い周波数のトランスデューサーは低い周波数のトランスデューサーよりも薄い板厚さに基づいて位置するが、においてとは異なって、各トランスデューサー下の板厚さが各トランスデューサーの周波数での半波長の整数倍であれば、図１０Ａおよび図１０Ｂにおける高い周波数のトランスデューサーが低い周波数のトランスデューサーよりも厚い板厚さに基づいて位置してもさしつかえない。１のそのような実施例は高い周波数での完全な音波長である高い周波数のトランスデューサー下の板厚さでありえ、同時に低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは低い周波数での半分の音波長である。低い周波数値が高い周波数値の５０％よりも大きいと、低い周波数のトランスデューサー下の板厚さは高い周波数のトランスデューサー下の板厚さよりも薄い。
【００５０】
図１１Ａにおいて、ＴＦ２およびそれの中心クリアランスは円の形状として示されるが、ＴＦ１、ＴＦ２および中心クリアランスの実際の形状は実際にどんな規則正しいまた不規則な形状であってもよい。また単一のＴＦ２のトランスデューサー中心クリアランスの中に存する複数のＴＦ１があってもよい。あらゆる可能な配置において、各トランスデューサーは、当該トランスデューサーの超音波の周波数と整合する板厚さに基づいて存する。
【００５１】
前文に記述された実施態様において、超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生する。理想的には、超音波の振動トランスデューサーの底面となめらかな処置表面までの距離は、超音波の振動トランスデューサーによって発生される超音波の半波長の整数倍である。実施において、各超音波のトランスデューサー下の各板厚さは、超音波のトランスデューサーによって発生される波の周波数と同じ周波数で超音波の振動板の内に伝わる音波の半波長の整数倍の−２０％と＋２０％との変動の範囲内であってもさしつかえない。
【００５２】
本発明の１以上の実施態様が上に説明されたと同時に、当業者はそれらの実施態様に対しての変更および採用が本発明の範囲および精神からはずれずにされてもさしつかえないということを認識するだろう。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板と、
各々の前記超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサーと、を備え、
前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生し、
前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、前記なめらかな表面に対して平行している底面を持っており、
前記超音波の振動トランスデューサーのどれでも、前記底面と前記なめらかな表面までの距離は、おおよそ前記振動板の内に前記超音波の振動トランスデューサーによって発生される前記超音波の半波長の整数倍である、肌手入れマッサージ用の超音波の装置。
【請求項２】
前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の中にはめ込まれた少なくとも１の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも１の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項６】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項２記載の装置。
【請求項７】
前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の突出する部材に連結された少なくとも１の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも１の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に並んで配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に入り混じった状態で行列をなして配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１４】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に個々別々の集合をなして配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１５】
各集合の中の前記超音波の振動トランスデューサーは、同じ超音波の周波数を持っている、請求項１４記載の装置。
【請求項１】
その各々が、裏側、および人間の肌と接触するためのなめらかな表面を持っている、１以上の超音波の振動伝達板と、
各々の前記超音波の振動板の裏側に連結された少なくとも２の異なった超音波の振動トランスデューサーと、を備え、
前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、２０ｋＨｚから２５ＭＨｚの間の固有の周波数の超音波を発生し、
前記超音波の振動トランスデューサーの各々は、前記なめらかな表面に対して平行している底面を持っており、
前記超音波の振動トランスデューサーのどれでも、前記底面と前記なめらかな表面までの距離は、おおよそ前記振動板の内に前記超音波の振動トランスデューサーによって発生される前記超音波の半波長の整数倍である、肌手入れマッサージ用の超音波の装置。
【請求項２】
前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の中にはめ込まれた少なくとも１の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも１の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項２記載の装置。
【請求項６】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項２記載の装置。
【請求項７】
前記超音波の振動トランスデューサーは、前記超音波の振動板の突出する部材に連結された少なくとも１の第一の超音波の振動トランスデューサーおよび前記超音波の振動板の裏面に連結された少なくとも１の第二の超音波の振動トランスデューサーを備える、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは円柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む環状の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む楕円形の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは楕円形の柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは実質的に前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む部分的な楕円形の筒の形状をしている、請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記第一の超音波の振動トランスデューサーは任意のタイプの上面図を持った柱の形状をしており前記第二の超音波の振動トランスデューサーは任意の上面図を持った筒の形状をしており、前記第二の超音波の振動トランスデューサーは前記第一の超音波の振動トランスデューサーを囲む、請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に並んで配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に入り混じった状態で行列をなして配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１４】
前記異なった超音波の振動トランスデューサーは、前記振動伝達板の各々の表面に個々別々の集合をなして配置される、請求項１記載の装置。
【請求項１５】
各集合の中の前記超音波の振動トランスデューサーは、同じ超音波の周波数を持っている、請求項１４記載の装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−８１２７２（Ｐ２０１２−８１２７２Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−２２２７７２（Ｐ２０１１−２２２７７２）
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（５１１２３９４２１）ラ ピレス，インク． (3)
【氏名又は名称原語表記】Ｌａ Ｐｉｅｒｒｅｓ，Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】１６２０ Ｒａｎｇｅｗｏｏｄ Ｐｌａｃｅ， Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ ９５１３８，Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２２７７２（Ｐ２０１１−２２２７７２）
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（５１１２３９４２１）ラ ピレス，インク． (3)
【氏名又は名称原語表記】Ｌａ Ｐｉｅｒｒｅｓ，Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】１６２０ Ｒａｎｇｅｗｏｏｄ Ｐｌａｃｅ， Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ ９５１３８，Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]