触媒系
【課題】配位子、および酸のレベルが比較的高いが、先行技術の欠点を、少なくともある程度は処理および緩和した触媒系を確立する。
【解決手段】エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）パラジウム金属またはその化合物、ｂ）二座ホスフィン配位子、およびｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸を組み合わせることにより得られ、該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する。
【解決手段】エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）パラジウム金属またはその化合物、ｂ）二座ホスフィン配位子、およびｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸を組み合わせることにより得られ、該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、
ａ）パラジウム金属またはその化合物、
ｂ）二座ホスフィン配位子、および
ｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸
を組み合わせることにより得られ、
該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する、触媒系。
【請求項２】
前記酸と前記配位子との比は、５：１から９５：１の範囲内である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項３】
前記酸と前記金属とのモル比は、１０：１から７５０００：１の範囲内である、請求項１または２に記載の触媒系。
【請求項４】
前記配位子は、以下の一般式（Ｉ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒系：
【化１】
［式中、
Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール部分を含み、これに利用可能な隣接する炭素原子の所でリン原子が結合している架橋基であり；
ＡおよびＢはそれぞれ独立に、低級アルキレンを表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、アリール部分（Ａｒ）の置換基であり、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ２0
、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27または−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）ＣＲ16（Ｒ17）（
Ｒ18）（ここで、Ｊは低級アルキレンを表す）を表すか；Ｋ、Ｚ、ＤおよびＥから選択される２個の隣接する基はそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、さらなるフェニル環を形成し、該フェニル環は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基により任意に置換されていてもよく；
Ｒ13からＲ18はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ1からＲ12はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）は、それぞれ独立に、リンを表す］。
【請求項５】
Ｑ1および／またはＱ2に結合している少なくとも１個の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基、すなわ
ち、ＣＲ1Ｒ2Ｒ3、ＣＲ4Ｒ5Ｒ6、ＣＲ7Ｒ8Ｒ9、ＣＲ10Ｒ11Ｒ12、ＣＲ13Ｒ14Ｒ15または
ＣＲ16Ｒ17Ｒ18は代わりに、基（Ａｄ）で表すこともでき、この際：
Ａｄはそれぞれ独立に、その３級炭素原子のうちのいずれか１つを介してリン原子に結合している任意に置換されていてもよいアダマンチルまたはコングレシル基を表し、該任意の置換は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基によるか；Ｑ1および
／またはＱ2の一方または両方、あるいはＱ3（存在する場合）に結合している両方の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基は、適切なＱ1またはＱ2（またはＱ3）と一緒になって、任意に置換さ
れていてもよい２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、式：
【化２】
の環系を形成し、
上式中、
Ｒ49およびＲ54はそれぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙは、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し、Ｒ55は存在する場合、水素、低級アルキルまたはアリールを表す、請求項４に記載の触媒系。
【請求項６】
前記配位子は、
（Ａｄ）S（ＣＲ7Ｒ8Ｒ9）TＱ2−Ａ−（Ｋ，Ｄ）Ａｒ（Ｅ，Ｚ）−Ｂ−Ｑ1（Ａｄ）u（ＣＲ1Ｒ2Ｒ3）v
と表され、上式中、Ａｒ、Ａ、Ｂ、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺ、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3ならびにＲ1からＲ27は請求項５と同様に定義され、
ＳおよびＵは０、１または２であるが、ただし、Ｓ＋Ｕ≧１であり；
ＴおよびＶは０、１または２であるが、ただし、Ｔ＋Ｖ≦３であり；
ＷおよびＸは０、１または２である、請求項４または５に記載の触媒系。
【請求項７】
前記配位子は、一般式（ＩＩＩ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒系：
【化３】
［式中、
Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）は、それぞれ独立に、Ｃ１
−Ｃ１０アルキレンを表し；
Ｋ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
Ｄ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
Ｅ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
あるいは、Ｄ1およびＥ1の両方は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒になって、任意に置換されていてもよいフェニル環を形成し；
Ｘ1は、ＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシクロ
［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ1お
よびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系：
【化４】
を形成し；
Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ4は、ＣＲ1
0（Ｒ11）（Ｒ12）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシ
クロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ3および
Ｘ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系：
【化５】
を形成し、
Ｑ1およびＱ2は、それぞれ独立に、リンを表し；
Ｍは、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、もしくはＯｓ、またはそれらの金属カチオンを表し；
Ｌ1は、任意に置換されていてもよいシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリー
ル基を表し；
Ｌ2は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アルキルアリール、ハロ、ＣＯ、Ｐ（Ｒ43）（
Ｒ44）Ｒ45またはＮ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48からそれぞれ独立に選択される１個または複数の配位子を表し；
Ｒ1からＲ18は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリー
ル、ハロまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ30およびＲ43からＲ48は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ49、Ｒ54およびＲ55は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙ1およびＹ2は存在する場合、それぞれ独立に、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し；
ｎ＝０または１であり；
ｍ＝０から５であるが；
ただし、ｎ＝１である場合、ｍは０に等しく、ｎが０に等しい場合、ｍは０に等しくない］。
【請求項８】
アダマンチルは、非置換アダマンチル、または１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基で置換されているアダマンチル、またはそれらの組合せを表す、請求項５〜７のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項９】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基またはその誘導体は、非置換の２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基、または１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基で置換されている２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基、またはその組合せを表す、請求項５〜８のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１０】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基またはその誘導体は、該２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基骨格中に１個もしくは複数の酸素原子を含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１１】
コングレシルは、非置換コングレシルを表す、請求項５〜１０のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１２】
前記パラジウムは、金属の形態である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１３】
前記触媒系は、液体反応媒質中に、液体担体に溶解されているポリマー分散剤を含み、該ポリマー分散剤は、触媒系の金属または金属化合物の粒子のコロイド懸濁液を液体担体内で安定化させることが可能である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１４】
エチレン系不飽和化合物と、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法。
【請求項１５】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を１種または複数の非プロトン性溶剤中で行う、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
適切なエチレン系不飽和化合物には、Ｃ30までの、すなわち、２から３０個の炭素原子を含み、直鎖または分枝鎖、環式または非環式または部分環式であってよく、二重結合が炭素鎖の任意の適切な位置を占めてよく、それらのすべての立体異性体も包含するエテン、プロペン、ヘキセン、酢酸ビニルなどのビニル化合物、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセンなどが含まれる、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
エチレン系不飽和化合物は、エテン、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン、ペンテン、ヘキセン、オクテン、デセン、ドデセン、トリイソブチレン、トリプロピレン、内部Ｃ14オレフィン、内部Ｃ15−Ｃ18オレフィン、１，５−シクロオクタジエン、シクロドデセン、ペンテン酸メチル、ペンテンニトリル、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、１，５−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、２，４−ヘプタジエン、１，３−ペンタジエン、および１，３−ヘキサジエンから選択される、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】
１種または複数の反応成分と、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の触媒系とを含む反応媒質。
【請求項１９】
媒質中に存在する遊離酸の量は、５００ｐｐｍを上回る、請求項１８に記載の反応媒質。
【請求項２０】
ａ）パラジウム金属またはその化合物、
ｂ）二座ホスフィン配位子、および
ｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸
を組み合わせることにより得られ、
該配位子は、該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する系の、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する際の触媒としての使用方法。
【請求項２１】
前記配位子は、請求項４〜１３のいずれか一項に記載の配位子である、請求項２０に記載の使用方法。
【請求項１】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、
ａ）パラジウム金属またはその化合物、
ｂ）二座ホスフィン配位子、および
ｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸
を組み合わせることにより得られ、
該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する、触媒系。
【請求項２】
前記酸と前記配位子との比は、５：１から９５：１の範囲内である、請求項１に記載の触媒系。
【請求項３】
前記酸と前記金属とのモル比は、１０：１から７５０００：１の範囲内である、請求項１または２に記載の触媒系。
【請求項４】
前記配位子は、以下の一般式（Ｉ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒系：
【化１】
［式中、
Ａｒは、任意に置換されていてもよいアリール部分を含み、これに利用可能な隣接する炭素原子の所でリン原子が結合している架橋基であり；
ＡおよびＢはそれぞれ独立に、低級アルキレンを表し；
Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺは、アリール部分（Ａｒ）の置換基であり、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ２0
、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27、Ｃ（Ｏ）ＳＲ27または−Ｊ−Ｑ3（ＣＲ13（Ｒ14）（Ｒ15）ＣＲ16（Ｒ17）（
Ｒ18）（ここで、Ｊは低級アルキレンを表す）を表すか；Ｋ、Ｚ、ＤおよびＥから選択される２個の隣接する基はそれらが結合しているアリール環の炭素原子と一緒になって、さらなるフェニル環を形成し、該フェニル環は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基により任意に置換されていてもよく；
Ｒ13からＲ18はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ27はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ1からＲ12はそれぞれ独立に、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3（存在する場合）は、それぞれ独立に、リンを表す］。
【請求項５】
Ｑ1および／またはＱ2に結合している少なくとも１個の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基、すなわ
ち、ＣＲ1Ｒ2Ｒ3、ＣＲ4Ｒ5Ｒ6、ＣＲ7Ｒ8Ｒ9、ＣＲ10Ｒ11Ｒ12、ＣＲ13Ｒ14Ｒ15または
ＣＲ16Ｒ17Ｒ18は代わりに、基（Ａｄ）で表すこともでき、この際：
Ａｄはそれぞれ独立に、その３級炭素原子のうちのいずれか１つを介してリン原子に結合している任意に置換されていてもよいアダマンチルまたはコングレシル基を表し、該任意の置換は、水素、低級アルキル、ハロ、シアノ、ニトロ、ＯＲ19、ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、Ｃ（Ｏ）Ｒ21、Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、ＮＲ23Ｒ24、Ｃ（Ｏ）ＮＲ25Ｒ26、Ｃ（Ｓ）Ｒ25Ｒ26、ＳＲ27またはＣ（Ｏ）ＳＲ27から選択される１個または複数の置換基によるか；Ｑ1および
／またはＱ2の一方または両方、あるいはＱ3（存在する場合）に結合している両方の（ＣＲｘＲｙＲｚ）基は、適切なＱ1またはＱ2（またはＱ3）と一緒になって、任意に置換さ
れていてもよい２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、式：
【化２】
の環系を形成し、
上式中、
Ｒ49およびＲ54はそれぞれ独立に、水素、低級アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙは、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し、Ｒ55は存在する場合、水素、低級アルキルまたはアリールを表す、請求項４に記載の触媒系。
【請求項６】
前記配位子は、
（Ａｄ）S（ＣＲ7Ｒ8Ｒ9）TＱ2−Ａ−（Ｋ，Ｄ）Ａｒ（Ｅ，Ｚ）−Ｂ−Ｑ1（Ａｄ）u（ＣＲ1Ｒ2Ｒ3）v
と表され、上式中、Ａｒ、Ａ、Ｂ、Ｋ、Ｄ、ＥおよびＺ、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3ならびにＲ1からＲ27は請求項５と同様に定義され、
ＳおよびＵは０、１または２であるが、ただし、Ｓ＋Ｕ≧１であり；
ＴおよびＶは０、１または２であるが、ただし、Ｔ＋Ｖ≦３であり；
ＷおよびＸは０、１または２である、請求項４または５に記載の触媒系。
【請求項７】
前記配位子は、一般式（ＩＩＩ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒系：
【化３】
［式中、
Ａ1およびＡ2ならびにＡ3、Ａ4およびＡ5（存在する場合）は、それぞれ独立に、Ｃ１
−Ｃ１０アルキレンを表し；
Ｋ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
Ｄ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
Ｅ1は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリール、Ｈｅｔ、ハロ、シアノ、ニトロ、−
ＯＲ19、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ20、−Ｃ（Ｏ）Ｒ21、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ22、−Ｎ（Ｒ23）Ｒ24、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ25）Ｒ26、−Ｃ（Ｓ）（Ｒ27）Ｒ28、−ＳＲ29、−Ｃ（Ｏ）ＳＲ30、および−ＣＦ3からなる群から選択され；
あるいは、Ｄ1およびＥ1の両方は、それらが結合しているシクロペンタジエニル環の炭素原子と一緒になって、任意に置換されていてもよいフェニル環を形成し；
Ｘ1は、ＣＲ1（Ｒ2）（Ｒ3）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ2は、ＣＲ4（Ｒ5）（Ｒ6）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ1およびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシクロ
［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、もしくはＸ1お
よびＸ2はそれらが結合しているＱ2と一緒になって、式ＩＩＩａの環系：
【化４】
を形成し；
Ｘ3は、ＣＲ7（Ｒ8）（Ｒ9）、コングレシルまたはアダマンチルを表し、Ｘ4は、ＣＲ1
0（Ｒ11）（Ｒ12）、コングレシルまたはアダマンチルを表すか、Ｘ3およびＸ4はそれら
が結合しているＱ1と一緒になって、任意に置換されていてもよい２−ホスファ−トリシ
クロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基またはその誘導体を形成するか、Ｘ3および
Ｘ4はそれらが結合しているＱ1と一緒になって、式ＩＩＩｂの環系：
【化５】
を形成し、
Ｑ1およびＱ2は、それぞれ独立に、リンを表し；
Ｍは、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、もしくはＯｓ、またはそれらの金属カチオンを表し；
Ｌ1は、任意に置換されていてもよいシクロペンタジエニル、インデニルまたはアリー
ル基を表し；
Ｌ2は、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アルキルアリール、ハロ、ＣＯ、Ｐ（Ｒ43）（
Ｒ44）Ｒ45またはＮ（Ｒ46）（Ｒ47）Ｒ48からそれぞれ独立に選択される１個または複数の配位子を表し；
Ｒ1からＲ18は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリー
ル、ハロまたはＨｅｔを表し；
Ｒ19からＲ30およびＲ43からＲ48は存在する場合、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｒ49、Ｒ54およびＲ55は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキルまたはアリールを表し；
Ｒ50からＲ53は存在する場合、それぞれ独立に、水素、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、アリールまたはＨｅｔを表し；
Ｙ1およびＹ2は存在する場合、それぞれ独立に、酸素、イオウまたはＮ−Ｒ55を表し；
ｎ＝０または１であり；
ｍ＝０から５であるが；
ただし、ｎ＝１である場合、ｍは０に等しく、ｎが０に等しい場合、ｍは０に等しくない］。
【請求項８】
アダマンチルは、非置換アダマンチル、または１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基で置換されているアダマンチル、またはそれらの組合せを表す、請求項５〜７のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項９】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基またはその誘導体は、非置換の２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１｛３，７｝］デシル基、または１個もしくは複数の非置換Ｃ1−Ｃ8アルキル置換基で置換されている２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基、またはその組合せを表す、請求項５〜８のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１０】
２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基またはその誘導体は、該２−ホスファ−トリシクロ［３．３．１．１．｛３，７｝］デシル基骨格中に１個もしくは複数の酸素原子を含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１１】
コングレシルは、非置換コングレシルを表す、請求項５〜１０のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１２】
前記パラジウムは、金属の形態である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１３】
前記触媒系は、液体反応媒質中に、液体担体に溶解されているポリマー分散剤を含み、該ポリマー分散剤は、触媒系の金属または金属化合物の粒子のコロイド懸濁液を液体担体内で安定化させることが可能である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の触媒系。
【請求項１４】
エチレン系不飽和化合物と、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法。
【請求項１５】
エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を１種または複数の非プロトン性溶剤中で行う、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
適切なエチレン系不飽和化合物には、Ｃ30までの、すなわち、２から３０個の炭素原子を含み、直鎖または分枝鎖、環式または非環式または部分環式であってよく、二重結合が炭素鎖の任意の適切な位置を占めてよく、それらのすべての立体異性体も包含するエテン、プロペン、ヘキセン、酢酸ビニルなどのビニル化合物、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセンなどが含まれる、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
エチレン系不飽和化合物は、エテン、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン、ペンテン、ヘキセン、オクテン、デセン、ドデセン、トリイソブチレン、トリプロピレン、内部Ｃ14オレフィン、内部Ｃ15−Ｃ18オレフィン、１，５−シクロオクタジエン、シクロドデセン、ペンテン酸メチル、ペンテンニトリル、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、１，５−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン、２，４−ヘプタジエン、１，３−ペンタジエン、および１，３−ヘキサジエンから選択される、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】
１種または複数の反応成分と、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の触媒系とを含む反応媒質。
【請求項１９】
媒質中に存在する遊離酸の量は、５００ｐｐｍを上回る、請求項１８に記載の反応媒質。
【請求項２０】
ａ）パラジウム金属またはその化合物、
ｂ）二座ホスフィン配位子、および
ｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸
を組み合わせることにより得られ、
該配位子は、該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する系の、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する際の触媒としての使用方法。
【請求項２１】
前記配位子は、請求項４〜１３のいずれか一項に記載の配位子である、請求項２０に記載の使用方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−６３４４０（Ｐ２０１３−６３４４０Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２８１７２１（Ｐ２０１２−２８１７２１）
【出願日】平成２４年１２月２５日（２０１２．１２．２５）
【分割の表示】特願２００６−５５３６６２（Ｐ２００６−５５３６６２）の分割
【原出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（５００４６０２０９）ルーサイト インターナショナル ユーケー リミテッド (30)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１２月２５日（２０１２．１２．２５）
【分割の表示】特願２００６−５５３６６２（Ｐ２００６−５５３６６２）の分割
【原出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（５００４６０２０９）ルーサイト インターナショナル ユーケー リミテッド (30)
【Ｆターム（参考）】
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