記憶媒体およびその製造方法
【課題】記憶媒体の表面で異なる表面粗さを低コストで実現することができる記憶媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】記憶媒体１４の製造にあたって、データ領域３１では磁性体３２および非磁性体の配置に基づき第１パターンが確立される。その一方で、非データ領域３５では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンが確立される。その結果、データ領域３１および非データ領域３５に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域３１の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域３５の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体１４の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体１４の製造コストは低減される。
【解決手段】記憶媒体１４の製造にあたって、データ領域３１では磁性体３２および非磁性体の配置に基づき第１パターンが確立される。その一方で、非データ領域３５では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンが確立される。その結果、データ領域３１および非データ領域３５に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域３１の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域３５の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体１４の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体１４の製造コストは低減される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に組み込まれる記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばコンタクトスタートストップ（ＣＳＳ）方式を採用するＨＤＤでは、磁気ディスクの表面にいわゆるＣＳＳ領域が形成される。ＣＳＳ領域はデータ領域の外側に規定される。磁気ディスクの静止時、ヘッドスライダはＣＳＳ領域に着地する。データ領域の表面では極限まで小さい表面粗さが要求される一方で、ＣＳＳ領域の表面では比較的に大きな表面粗さが要求される。その結果、ＣＳＳ領域の表面にヘッドスライダの吸着は防止される。
【特許文献１】特開平１１−１６１５８号公報
【特許文献２】国際公開第９８／２７５４８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
こうした磁気ディスクの製造にあたって、基板の表面に記録磁性膜が形成される。形成後、記録磁性膜の表面の全面にわたって平坦化処理が実施される。こうしてデータ領域でできる限り小さい表面粗さが確立される。その後、ＣＳＳ領域の表面は例えばレーザ加工処理に基づき荒らされる。こうしてＣＳＳ領域の表面で比較的に大きな表面粗さが確立される。こうした２度の処理には手間がかかる。磁気ディスクの製造コストは上昇してしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、記憶媒体の表面で異なる表面粗さを低コストで実現することができる記憶媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、記憶媒体は、基板と、前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、前記複合膜は、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする。
【０００６】
こうした記憶媒体の製造にあたって、データ領域では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンが確立される。その一方で、非データ領域では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンが確立される。その結果、データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体の製造コストは低減される。
【０００７】
上記目的を達成するために、記憶媒体の製造方法は、基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体で相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域を形成する工程と、前記データ領域および前記非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
こうした製造方法によれば、基板の表面には相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域が形成される。データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体の製造コストは低減される。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、記憶媒体およびその製造方法は、記憶媒体の表面で異なる表面粗さを低コストで実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１２】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。
【００１３】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１４】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１５】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１６】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１７】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００１８】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。磁気情報すなわち２値情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、２値情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００１９】
図２は本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク１４の構造を概略的に示す。この磁気ディスク１４はディスクリートトラック媒体を構成する。磁気ディスク１４の表裏面には環状のデータ領域３１が規定される。データ領域３１には磁気ディスク１４の周方向すなわちダウントラック方向に沿って複数筋の記録トラック３２、３２…が延びる。記録トラック３２は同心円状に延びる環状の磁性体から形成される。
【００２０】
データ領域３１には磁気ディスク１４の半径方向すなわちクロストラック方向に沿って延びる複数筋のサーボセクタ領域３３が規定される。サーボセクタ領域３３にはサーボパターンが確立される。サーボパターンは磁性体から形成される。隣接するサーボセクタ領域３３の間にはデータセクタ領域３４が確保される。データセクタ領域３４内で記録トラック３２に２値情報が格納される。サーボセクタ領域３３およびデータセクタ領域３４でデータ領域３１が確立される。
【００２１】
磁気ディスク１４の表裏面にはデータ領域３１に隣接する環状の非データ領域３５が規定される。この磁気ディスク１４では非データ領域３５は磁気ディスク１４の最内周記録トラック３２より内周側に規定される。ここでは、非データ領域３５はコンタクトスタートストップ（ＣＳＳ）領域を構成する。磁気ディスク１４の静止時、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５で磁気ディスク１４の表面に受け止められる。すなわち、ＨＤＤ１１はＣＳＳ方式を採用する。
【００２２】
図３に示されるように、データ領域３１のデータセクタ領域３４では、隣接する記録トラック３２、３２同士が環状の非磁性体すなわち分離トラック３６で隔てられる。分離トラック３６は、記録トラック３２と同様に、磁気ディスク１４のダウントラック方向に沿って同心円状に延びる。こうしてデータ領域３１では記録トラック３２および分離トラック３６の配置に基づき磁気ディスク１４の表面に第１パターンを確立する。第１パターンでは記録トラック３２、３２同士のピッチＰ１および分離トラック３６のトラック幅Ｗ１が規定される。
【００２３】
図４に示されるように、磁気ディスク１４は基板４１を備える。基板４１には例えばガラス基板が用いられる。基板４１の表面には軟磁性の裏打ち層４２が広がる。裏打ち層４２では、基板４１の表面に平行に規定される面内方向に磁化容易軸が確立される。裏打ち層４２の表面には複合膜４３が広がる。複合膜４３では記録トラック３２および分離トラック３６が交互に配置される。記録トラック３２では、基板４１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が確立される。
【００２４】
記録トラック３２の表面および分離トラック３６の表面で第１表面４４が規定される。後述のように、第１表面４４では所定の表面粗さが確立される。ここでは、第１表面４４の表面粗さは著しく小さく規定される。こうして第１表面４４は平坦面で規定される。第１表面４４は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜４５、および、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜４６で被覆されればよい。
【００２５】
図５に示されるように、非データ領域３５には、データ領域３１と同様に、磁気ディスク１４の周方向すなわちダウントラック方向に沿って複数筋の環状の磁性体４７、４７…が延びる。磁性体４７は同心円状に形成される。隣接する磁性体４７、４７同士は環状の非磁性体４８で隔てられる。非磁性体４８は、磁性体４７と同様に、磁気ディスク１４のダウントラック方向に沿って同心円状に延びる。こうして非データ領域３５では、磁性体４７および非磁性体４８の配置に基づき磁気ディスク１４の表面に第２パターンが確立される。
【００２６】
図６に示されるように、非データ領域３５では、前述と同様に、基板４１の表面に裏打ち層４２が広がる。裏打ち層４２の表面に前述の複合膜４３が形成される。複合膜４３では環状の磁性体４７および環状の非磁性体４８が交互に配置される。ただし、磁性体４７には２値情報は格納されない。磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面には第２表面４９が規定される。第２表面４９では所定の表面粗さが確立される。第２表面４９は前述の保護膜４５および潤滑膜４６で被覆される。
【００２７】
第２パターンでは磁性体４７、４７同士のピッチＰ２および非磁性体４８のトラック幅Ｗ２が規定される。ピッチＰ２は前述のピッチＰ１よりも大きく設定される。ここでは、ピッチＰ２はピッチＰ１の２倍より大きく設定されることが望ましい。同時に、トラック幅Ｗ２は前述のトラック幅Ｗ１よりも大きく設定される。こうして非データ領域３５の第２パターンはデータ領域３１の第１パターンと異なる。非データ領域３５の第２表面４９の表面粗さはデータ領域３１の第１表面４４の表面粗さより大きく設定される。
【００２８】
磁気ディスク１４の静止中、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５の第２表面４９に受け止められる。磁気ディスク１４が回転し始めると、浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９を摺動する。浮上ヘッドスライダ２２には磁気ディスク１４の回転に基づき気流が作用する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９から浮上する。キャリッジアーム１９が磁気ディスク１４の外周に向かって支軸１８回りで揺動する。浮上ヘッドスライダ２２は第１表面４４から浮上し続ける。電磁変換素子はデータ領域３１上で目標の記録トラック３２に対して位置決めされる。２値情報の書き込みや読み出しは実施される。
【００２９】
２値情報の書き込みや読み出しが完了すると、キャリッジアーム１９は磁気ディスク１４の内周に向かって支軸１８回りで揺動する。こうした揺動に基づき、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５上に位置決めされる。磁気ディスク１４の回転数が低下すると、浮上ヘッドスライダ２２への気流の作用は低下する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９に接触する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９を摺動する。磁気ディスク１４の回転が停止する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９で非データ領域３５上に受け止められる。
【００３０】
以上のようなＨＤＤ１１では、後述の製造方法に基づきデータ領域３１の第１表面４４および非データ領域３５の第２表面４９の間で異なる表面粗さが容易に実現される。第１表面４４では極めて小さな表面粗さが確立される。第１表面４４で平坦面が確立される。その結果、データ領域３１上で浮上ヘッドスライダ２２は安定的に浮上することができる。その一方で、第２表面４９では比較的に大きな表面粗さが確立される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９を摺動しても、摩擦力の生成は緩和される。同時に、第２表面４９に浮上ヘッドスライダ２２の吸着は回避される。こうした磁気ディスク１４はこれまでに比べて低コストで製造される。磁気ディスク１４はＨＤＤ１１の低コスト化に貢献する。
【００３１】
次に、磁気ディスク１４の製造方法を説明する。まず、基板４１が用意される。基板４１はスパッタリング装置に装着される。スパッタリング装置のチャンバ内には真空環境が確立される。チャンバ内で基板４１の表面には裏打ち層４２が形成される。形成にあたってチャンバ内には所定のターゲットがセットされる。裏打ち層４２はデータ領域３１および非データ領域３５の両方に広がる。その後、図７に示されるように、裏打ち層４２の表面には磁性連続膜５１が形成される。形成にあたってチャンバ内には所定のターゲットがセットされる。
【００３２】
その後、磁性連続膜５１の表面には所定のパターンでレジスト膜５２が形成される。レジスト膜５２は前述の記録トラック３２および磁性体４７に相当する領域を覆い隠す。レジスト膜５２の形成にあたって例えばナノインプリント技術が利用される。例えば磁性連続膜５１の表面に塗布されるレジスト樹脂にマスタ媒体が重ね合わせられる。マスタ媒体には所定の凹凸パターンが形成される。マスタ媒体の凹凸パターンの形成にあたって例えばフォトリソグラフィー技術が利用される。こうしたマスタ媒体の凹凸パターンがレジスト樹脂に転写される。
【００３３】
磁性連続膜５１にはドライエッチング処理が実施される。その結果、図８に示されるように、レジスト膜５２の周囲で磁性連続膜５１には溝５３が形成される。同時に、レジスト膜５２直下で記録トラック３２および磁性体４７が形成される。溝５３内で裏打ち層４２の表面は露出する。その後、図９に示されるように、溝５３内には非磁性材料５４が充填される。ここでは、非磁性材料５４は溝５３から溢れ出る。充填後、記録トラック３２および磁性体４７上からレジスト膜５２は除去される。こうして第１パターンのデータ領域３１および第２パターンの非データ領域３５が同時に確立される。
【００３４】
データ領域３１の表面および非データ領域３５の表面に同時に平坦化処理が施される。平坦化処理にあたってガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）技術が利用される。図１０に示されるように、イオン化されたガスクラスターがデータ領域３１の表面および非データ領域３５の表面に照射される。このとき、ガス種やガスクラスターの速度、ガスクラスターの照射量といった平坦化処理の条件はデータ領域３１の表面の平坦化に最適な条件に設定される。その結果、データ領域３１では記録トラック３２の表面および分離トラック３６の表面は極限まで揃えられる。こうしてデータ領域３１の第１表面４４では平坦面が規定される。
【００３５】
その一方で、第２パターンでは、第１パターンのピッチＰ１よりも大きなピッチＰ２および第１パターンのトラック幅Ｗ１よりも大きなトラック幅Ｗ２が規定される。しかも、平坦化処理の条件は非データ領域３５の表面の平坦化に最適な条件に設定されない。その結果、平坦化処理が実施されると、非データ領域３５の表面では磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面の間に所定の段差が残存する。こうした段差に基づき非データ領域３５の第２表面４９では第１表面４４の表面粗さよりも大きな表面粗さが確立される。こうして複合膜４３が形成される。
【００３６】
ここで、平坦化の条件が、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度のピッチやトラック幅を有する領域に対して最適な条件に設定されると、その領域では平坦化が実現される。その一方で、前述と同一の条件で、例えば１００ｎｍを超えるピッチやトラック幅を有する領域に対して平坦化処理が実施されると、ピッチやトラック幅が増大するにつれて平坦化の程度は軽減される。さらに、前述と同一の条件で、例えば１μｍ以上のピッチやトラック幅を有する領域に対して平坦化処理が実施されると、平坦化はほとんど実現されない。すなわち、平坦化の度合いはパターンの寸法に依存する。したがって、平坦化処理の条件およびパターンの寸法の調整に基づき表面粗さが調整されることができる。
【００３７】
その後、複合膜４３の表面には保護膜４５が形成される。形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜４５の形成後、保護膜４５の表面には潤滑膜４６が塗布される。塗布にあたって例えばディップ法が用いられる。ディップ法では基板４１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に浸される。こうして磁気ディスク１４は製造される。
【００３８】
以上のような製造方法によれば、データ領域３１および非データ領域３５で異なるパターンが確立される。データ領域３１の第１表面４４の表面粗さおよび非データ領域３５の第２表面４９の表面粗さの相違はパターンの相違に依存する。ここでは、第２パターンで、第１パターンのピッチＰ１よりも大きなピッチＰ２および第１パターンのトラック幅Ｗ１よりも大きなトラック幅Ｗ２が規定される。その結果、１度の平坦化処理に基づき非データ領域３５の第２表面４９でデータ領域３１の第１表面４４よりも大きな表面粗さが確立される。こうして磁気ディスク１４の表面で低コストで容易に異なる表面粗さが確立される。
【００３９】
なお、平坦化処理にあたって、ガスクラスターイオンビーム技術に代えて、化学機械研磨法（ＣＭＰ）が利用されてもよい。このとき、平坦化処理の条件には例えば研磨時の圧力、スラリパッドおよび磁気ディスクの間の相対速度、研磨時の温度、スラリの種類、スラリパッドの種類といった条件が含まれる。こうした平坦化処理の条件がデータ領域３１の表面の平坦化に最適な条件に設定されればよい。こうした化学機械研磨法によってもデータ領域３１の表面および非データ領域３５の表面で異なる表面粗さが容易に確立されることができる。
【００４０】
図１１に示されるように、非データ領域３５では、磁性体４７および非磁性体４８は、ダウントラック方向５５に対して所定の交差角αで交差する方向５６に沿って延びてもよい。交差角αは、ダウントラック方向５５に対して時計回りおよび反時計回りに０度より大きく９０度以下の角度に設定されればよい。データ領域３１は前述と同様に構成される。ピッチＰ２およびトラック幅Ｗ２は前述と同様に設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４１】
図１２に示されるように、非データ領域３５では磁性体４７内に例えば円柱状の非磁性体４８が埋め込まれる。非磁性体４８は基板４１の表面に沿って所定の間隔で配置されればよい。磁性体４７および非磁性体４８の間に所定の段差が形成される。データ領域３１は前述と同様に構成される。ここでは、非磁性体４８の直径Ｄ１はデータ領域３１のピッチＰ１より大きく設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４２】
図１３に示されるように、磁気ディスク１４はビットパターンド媒体を構成してもよい。データ領域３１では、記録トラック３２は複数の磁性体６１で確立される。磁性体６１はダウントラック方向に等間隔に配列される。磁性体６１同士は非磁性体６２で相互に隔てられる。磁性体６１同士は非磁性体６２で磁気的に分離される。磁性体６１の表面および非磁性体６２の表面で第１表面４４が規定される。各磁性体６１は磁性ドットを構成する。各磁性体６１に２値情報は記録される。ここでは、相互に隣接する記録トラック３２同士の間でダウントラック方向に磁性体６１の位置は揃えられる。相互に隣接する磁性体６１同士の間にはクロストラック方向に間隔Ｐ３およびダウントラック方向に間隔Ｐ４が規定される。
【００４３】
図１４に示されるように、非データ領域３５では磁性体６３内に例えば円柱状の非磁性体６４が埋め込まれる。こうした非磁性体６４は基板４１の表面に沿って所定の間隔で配置される。磁性体６３および非磁性体６４の間に所定の段差が形成される。ここでは、非磁性体６４の直径Ｄ２はデータ領域３１のピッチＰ３およびピッチＰ４のそれぞれより大きく設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４４】
図１５は本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク１４ａを示す。この磁気ディスク１４ａでは、非データ領域３５は例えば最外周記録トラック３２および最内周記録トラック３２の間に規定される。非データ領域３５はデータ領域３１を２つに分断する。この非データ領域３５は例えばゼロキャリブレーション時に利用される。データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。その他、前述の磁気ディスク１４と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４５】
浮上ヘッドスライダ２２の素子内蔵膜には例えば電磁変換素子に隣接してヒータが組み込まれる。ヒータは例えば電熱線から形成される。ヒータに電力が供給されると、ヒータは発熱する。ヒータの熱でヒータとともに電磁変換素子や素子内蔵膜は熱膨張する。その結果、いわゆる突き出しが形成される。電磁変換素子は磁気ディスク１４ａに向かって変位する。突き出しの突き出し量の設定にあたってゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、突き出しが非データ領域３５の第２表面４９に接触する際に突き出しの突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出しの突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出しの突き出し量が設定されると、電磁変換素子は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４ａの表面から浮上することができる。
【００４６】
こうしたＨＤＤ１１では、ゼロキャリブレーション時に浮上ヘッドスライダ２２の突き出しは非データ領域３５の第２表面４９に接触する。前述のように、第２表面４９ではデータ領域３１の第１表面４４より大きい表面粗さが確立されることから、データ領域３１の第１表面４４との接触時に比べて突き出しおよび第２表面４９の間で摩擦力は低減される。その他、非データ領域３５は、浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、浮上ヘッドスライダ２２の退避領域として利用されてもよい。浮上ヘッドスライダ２２が磁気ディスク１４ａに接触しても、摩擦力の低減に基づき浮上ヘッドスライダ２２や磁気ディスク１４ａの損傷はできる限り回避される。
【００４７】
図１６は本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク１４ｂを示す。この磁気ディスク１４ｂでは非データ領域３５は最外周記録トラック３２より外周側に配置される。データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。この磁気ディスク１４ｂは、図１７に示されるように、ロードアンロード方式を採用するＨＤＤ１１ａに組み込まれる。ＨＤＤ１１ａでは、ヘッドサスペンション２１の先端にヘッドサスペンション２１の先端から前方に延びるロードタブ６５が区画される。ロードタブ６５はキャリッジアーム１９の揺動に基づきクロストラック方向に移動することができる。ロードタブ６５の移動経路上には磁気ディスク１４の外側でランプ部材６６が配置される。ランプ部材６６はベース１３に固定される。ロードタブ６５はランプ部材６６に受け止められる。ランプ部材６６にはロードタブ６５の移動経路に沿って延びるランプ６６ａが形成される。このランプ６６ａは磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかるにつれて磁気ディスク１４の表面を含む仮想平面から遠ざかる。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４８】
浮上ヘッドスライダ２２のアンロード時、キャリッジアーム１９が支軸１８回りで磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかると、ロードタブ６５はランプ６６ａを上っていく。こうして浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面から引き剥がされる。浮上ヘッドスライダ２２はアンロードされる。こうしたアンロードは非データ領域３５上で実施される。その後、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４から外側に待避する。反対に、キャリッジアーム１９が支軸１８回りに磁気ディスク１４の回転軸に向かって揺動すると、ロードタブ６５はランプ６６ａを下っていく。回転中の磁気ディスク１４から浮上ヘッドスライダ２２には浮力が作用する。浮上ヘッドスライダ２２はロードされる。こうした浮上ヘッドスライダ２２のロードは非データ領域３５上で実施される。
【００４９】
以上のようなＨＤＤ１１ａでは、浮上ヘッドスライダ２２のロードおよびアンロードは非データ領域３５上で実施される。したがって、浮上ヘッドスライダ２２のロード時およびアンロード時に浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９に接触しても、浮上ヘッドスライダ２２および第２表面４９の間で摩擦力は低減される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２や磁気ディスク１４ｂの損傷はできる限り回避される。
【００５０】
図１８は本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク１４ｃを示す。この磁気ディスク１４ｃでは、前述の磁気ディスク１４ｂで非データ領域３５はダウントラック方向に途切れる。ここでは、非データ領域３５は最外周記録トラック３２より外周側で例えば磁気ディスク１４ｃの半周にわたって延びる。この磁気ディスク１４ｃは前述のＨＤＤ１１ａに組み込まれる。磁気ディスク１４ｃの回転中、非データ領域３５上で浮上ヘッドスライダ２２のロードが実施される。反対に、データ領域３１上で浮上ヘッドスライダ２２のアンロードが実施される。ロードおよびアンロードのタイミングは磁気ディスク１４ｃの回転周期に基づき決定されればよい。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５１】
浮上ヘッドスライダ２２のロードは非データ領域３５上で実施される。ロード時に浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９に接触しても、浮上ヘッドスライダ２２および第２表面４９の間で摩擦力は低減される。浮上ヘッドスライダ２２および磁気ディスク１４ｃの損傷はできる限り回避される。反対に、浮上ヘッドスライダ２２のアンロードはデータ領域３１上で実施される。データ領域３１の第１表面４４は平坦面で規定される。平坦面の第１表面４４から浮上ヘッドスライダ２２の浮上量は十分に確保される。浮上ヘッドスライダ２２のアンロードは安定的に実施される。浮上ヘッドスライダ２２および磁気ディスク１４ｃの接触は抑制される。
【００５２】
図１９は本発明の第５実施形態に係る磁気ディスク１４ｄを示す。この磁気ディスク１４ｄでは非データ領域３５で磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面を相互に接続する段差７１が形成される。段差７１は、磁性体４７の厚みおよび非磁性体４８の厚みの相違に基づき形成される。ここでは、平坦化処理に基づき非磁性体４８の厚みは磁性体４７の厚みより大きく設定される。潤滑膜４６は流動性を有することから、段差７１は潤滑膜４６で覆われる。その結果、潤滑膜４６の膜厚は段差７１で増大する。段差７１で潤滑膜４６は多量に保持される。なお、データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。非データ領域３５は前述の磁気ディスク１４〜１４ｃのうちのいずれかの位置に配置されればよい。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５３】
こうした磁気ディスク１４ｄによれば、非データ領域３５上を浮上ヘッドスライダ２２が浮上する。段差７１には多量の潤滑膜４６が保持されることから、蒸発に基づき浮上ヘッドスライダ２２に潤滑膜４６が比較的に多量に付着する。浮上ヘッドスライダ２２はデータ領域３１上を浮上する。このとき、浮上ヘッドスライダ２２に付着した潤滑膜４６は蒸発する。蒸発した潤滑膜４６はデータ領域３１の第１表面４４に付着する。こうして潤滑膜４６は非データ領域３５からデータ領域３１に移動する。データ領域３１の第１表面４４では潤滑膜４６の膜厚はできる限り均一に設定される。なお、段差７１の大きさが大きすぎると、浮上ヘッドスライダ２２と非データ領域３５の第２表面４９との接触の可能性が増大する。したがって、段差７１の大きさは浮上ヘッドスライダ２２の浮上量との関係で決定されればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一具体例に係る記憶装置すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図３】一具体例に係るデータ領域の構造を示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った垂直断面図である。
【図５】一具体例に係る非データ領域の構造を示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った垂直断面図である。
【図７】磁性連続膜にエッチング処理を施す工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図８】磁性連続膜に溝を形成する工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図９】溝内に非磁性材料を充填する工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図１０】データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図１１】他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１２】さらに他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１３】他の具体例に係るデータ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１４】さらに他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１７】本発明の他の具体例に係るハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１ 記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４〜１４ｄ 記憶媒体（磁気ディスク）、２２ ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１ データ領域、３２ 磁性体（記録トラック）、３５ 非データ領域、３６ 非磁性体（分離トラック）、４１ 基板、４３ 複合膜、４６ 潤滑膜、４７ 磁性体、４８ 非磁性体、７１ 段差。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に組み込まれる記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばコンタクトスタートストップ（ＣＳＳ）方式を採用するＨＤＤでは、磁気ディスクの表面にいわゆるＣＳＳ領域が形成される。ＣＳＳ領域はデータ領域の外側に規定される。磁気ディスクの静止時、ヘッドスライダはＣＳＳ領域に着地する。データ領域の表面では極限まで小さい表面粗さが要求される一方で、ＣＳＳ領域の表面では比較的に大きな表面粗さが要求される。その結果、ＣＳＳ領域の表面にヘッドスライダの吸着は防止される。
【特許文献１】特開平１１−１６１５８号公報
【特許文献２】国際公開第９８／２７５４８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
こうした磁気ディスクの製造にあたって、基板の表面に記録磁性膜が形成される。形成後、記録磁性膜の表面の全面にわたって平坦化処理が実施される。こうしてデータ領域でできる限り小さい表面粗さが確立される。その後、ＣＳＳ領域の表面は例えばレーザ加工処理に基づき荒らされる。こうしてＣＳＳ領域の表面で比較的に大きな表面粗さが確立される。こうした２度の処理には手間がかかる。磁気ディスクの製造コストは上昇してしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、記憶媒体の表面で異なる表面粗さを低コストで実現することができる記憶媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、記憶媒体は、基板と、前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、前記複合膜は、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする。
【０００６】
こうした記憶媒体の製造にあたって、データ領域では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンが確立される。その一方で、非データ領域では磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンが確立される。その結果、データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体の製造コストは低減される。
【０００７】
上記目的を達成するために、記憶媒体の製造方法は、基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体で相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域を形成する工程と、前記データ領域および前記非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
こうした製造方法によれば、基板の表面には相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域が形成される。データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理が施されると、データ領域の表面が第１表面粗さに形成されると同時に、非データ領域の表面が第１表面粗さより大きい第２表面粗さに形成される。こうして記憶媒体の表面では１度の平坦化処理で異なる表面粗さが確立される。記憶媒体の製造コストは低減される。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、記憶媒体およびその製造方法は、記憶媒体の表面で異なる表面粗さを低コストで実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１２】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。
【００１３】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１４】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１５】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１６】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１７】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００１８】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。磁気情報すなわち２値情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、２値情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００１９】
図２は本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク１４の構造を概略的に示す。この磁気ディスク１４はディスクリートトラック媒体を構成する。磁気ディスク１４の表裏面には環状のデータ領域３１が規定される。データ領域３１には磁気ディスク１４の周方向すなわちダウントラック方向に沿って複数筋の記録トラック３２、３２…が延びる。記録トラック３２は同心円状に延びる環状の磁性体から形成される。
【００２０】
データ領域３１には磁気ディスク１４の半径方向すなわちクロストラック方向に沿って延びる複数筋のサーボセクタ領域３３が規定される。サーボセクタ領域３３にはサーボパターンが確立される。サーボパターンは磁性体から形成される。隣接するサーボセクタ領域３３の間にはデータセクタ領域３４が確保される。データセクタ領域３４内で記録トラック３２に２値情報が格納される。サーボセクタ領域３３およびデータセクタ領域３４でデータ領域３１が確立される。
【００２１】
磁気ディスク１４の表裏面にはデータ領域３１に隣接する環状の非データ領域３５が規定される。この磁気ディスク１４では非データ領域３５は磁気ディスク１４の最内周記録トラック３２より内周側に規定される。ここでは、非データ領域３５はコンタクトスタートストップ（ＣＳＳ）領域を構成する。磁気ディスク１４の静止時、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５で磁気ディスク１４の表面に受け止められる。すなわち、ＨＤＤ１１はＣＳＳ方式を採用する。
【００２２】
図３に示されるように、データ領域３１のデータセクタ領域３４では、隣接する記録トラック３２、３２同士が環状の非磁性体すなわち分離トラック３６で隔てられる。分離トラック３６は、記録トラック３２と同様に、磁気ディスク１４のダウントラック方向に沿って同心円状に延びる。こうしてデータ領域３１では記録トラック３２および分離トラック３６の配置に基づき磁気ディスク１４の表面に第１パターンを確立する。第１パターンでは記録トラック３２、３２同士のピッチＰ１および分離トラック３６のトラック幅Ｗ１が規定される。
【００２３】
図４に示されるように、磁気ディスク１４は基板４１を備える。基板４１には例えばガラス基板が用いられる。基板４１の表面には軟磁性の裏打ち層４２が広がる。裏打ち層４２では、基板４１の表面に平行に規定される面内方向に磁化容易軸が確立される。裏打ち層４２の表面には複合膜４３が広がる。複合膜４３では記録トラック３２および分離トラック３６が交互に配置される。記録トラック３２では、基板４１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が確立される。
【００２４】
記録トラック３２の表面および分離トラック３６の表面で第１表面４４が規定される。後述のように、第１表面４４では所定の表面粗さが確立される。ここでは、第１表面４４の表面粗さは著しく小さく規定される。こうして第１表面４４は平坦面で規定される。第１表面４４は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜４５、および、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜４６で被覆されればよい。
【００２５】
図５に示されるように、非データ領域３５には、データ領域３１と同様に、磁気ディスク１４の周方向すなわちダウントラック方向に沿って複数筋の環状の磁性体４７、４７…が延びる。磁性体４７は同心円状に形成される。隣接する磁性体４７、４７同士は環状の非磁性体４８で隔てられる。非磁性体４８は、磁性体４７と同様に、磁気ディスク１４のダウントラック方向に沿って同心円状に延びる。こうして非データ領域３５では、磁性体４７および非磁性体４８の配置に基づき磁気ディスク１４の表面に第２パターンが確立される。
【００２６】
図６に示されるように、非データ領域３５では、前述と同様に、基板４１の表面に裏打ち層４２が広がる。裏打ち層４２の表面に前述の複合膜４３が形成される。複合膜４３では環状の磁性体４７および環状の非磁性体４８が交互に配置される。ただし、磁性体４７には２値情報は格納されない。磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面には第２表面４９が規定される。第２表面４９では所定の表面粗さが確立される。第２表面４９は前述の保護膜４５および潤滑膜４６で被覆される。
【００２７】
第２パターンでは磁性体４７、４７同士のピッチＰ２および非磁性体４８のトラック幅Ｗ２が規定される。ピッチＰ２は前述のピッチＰ１よりも大きく設定される。ここでは、ピッチＰ２はピッチＰ１の２倍より大きく設定されることが望ましい。同時に、トラック幅Ｗ２は前述のトラック幅Ｗ１よりも大きく設定される。こうして非データ領域３５の第２パターンはデータ領域３１の第１パターンと異なる。非データ領域３５の第２表面４９の表面粗さはデータ領域３１の第１表面４４の表面粗さより大きく設定される。
【００２８】
磁気ディスク１４の静止中、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５の第２表面４９に受け止められる。磁気ディスク１４が回転し始めると、浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９を摺動する。浮上ヘッドスライダ２２には磁気ディスク１４の回転に基づき気流が作用する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９から浮上する。キャリッジアーム１９が磁気ディスク１４の外周に向かって支軸１８回りで揺動する。浮上ヘッドスライダ２２は第１表面４４から浮上し続ける。電磁変換素子はデータ領域３１上で目標の記録トラック３２に対して位置決めされる。２値情報の書き込みや読み出しは実施される。
【００２９】
２値情報の書き込みや読み出しが完了すると、キャリッジアーム１９は磁気ディスク１４の内周に向かって支軸１８回りで揺動する。こうした揺動に基づき、浮上ヘッドスライダ２２は非データ領域３５上に位置決めされる。磁気ディスク１４の回転数が低下すると、浮上ヘッドスライダ２２への気流の作用は低下する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９に接触する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９を摺動する。磁気ディスク１４の回転が停止する。浮上ヘッドスライダ２２は第２表面４９で非データ領域３５上に受け止められる。
【００３０】
以上のようなＨＤＤ１１では、後述の製造方法に基づきデータ領域３１の第１表面４４および非データ領域３５の第２表面４９の間で異なる表面粗さが容易に実現される。第１表面４４では極めて小さな表面粗さが確立される。第１表面４４で平坦面が確立される。その結果、データ領域３１上で浮上ヘッドスライダ２２は安定的に浮上することができる。その一方で、第２表面４９では比較的に大きな表面粗さが確立される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９を摺動しても、摩擦力の生成は緩和される。同時に、第２表面４９に浮上ヘッドスライダ２２の吸着は回避される。こうした磁気ディスク１４はこれまでに比べて低コストで製造される。磁気ディスク１４はＨＤＤ１１の低コスト化に貢献する。
【００３１】
次に、磁気ディスク１４の製造方法を説明する。まず、基板４１が用意される。基板４１はスパッタリング装置に装着される。スパッタリング装置のチャンバ内には真空環境が確立される。チャンバ内で基板４１の表面には裏打ち層４２が形成される。形成にあたってチャンバ内には所定のターゲットがセットされる。裏打ち層４２はデータ領域３１および非データ領域３５の両方に広がる。その後、図７に示されるように、裏打ち層４２の表面には磁性連続膜５１が形成される。形成にあたってチャンバ内には所定のターゲットがセットされる。
【００３２】
その後、磁性連続膜５１の表面には所定のパターンでレジスト膜５２が形成される。レジスト膜５２は前述の記録トラック３２および磁性体４７に相当する領域を覆い隠す。レジスト膜５２の形成にあたって例えばナノインプリント技術が利用される。例えば磁性連続膜５１の表面に塗布されるレジスト樹脂にマスタ媒体が重ね合わせられる。マスタ媒体には所定の凹凸パターンが形成される。マスタ媒体の凹凸パターンの形成にあたって例えばフォトリソグラフィー技術が利用される。こうしたマスタ媒体の凹凸パターンがレジスト樹脂に転写される。
【００３３】
磁性連続膜５１にはドライエッチング処理が実施される。その結果、図８に示されるように、レジスト膜５２の周囲で磁性連続膜５１には溝５３が形成される。同時に、レジスト膜５２直下で記録トラック３２および磁性体４７が形成される。溝５３内で裏打ち層４２の表面は露出する。その後、図９に示されるように、溝５３内には非磁性材料５４が充填される。ここでは、非磁性材料５４は溝５３から溢れ出る。充填後、記録トラック３２および磁性体４７上からレジスト膜５２は除去される。こうして第１パターンのデータ領域３１および第２パターンの非データ領域３５が同時に確立される。
【００３４】
データ領域３１の表面および非データ領域３５の表面に同時に平坦化処理が施される。平坦化処理にあたってガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）技術が利用される。図１０に示されるように、イオン化されたガスクラスターがデータ領域３１の表面および非データ領域３５の表面に照射される。このとき、ガス種やガスクラスターの速度、ガスクラスターの照射量といった平坦化処理の条件はデータ領域３１の表面の平坦化に最適な条件に設定される。その結果、データ領域３１では記録トラック３２の表面および分離トラック３６の表面は極限まで揃えられる。こうしてデータ領域３１の第１表面４４では平坦面が規定される。
【００３５】
その一方で、第２パターンでは、第１パターンのピッチＰ１よりも大きなピッチＰ２および第１パターンのトラック幅Ｗ１よりも大きなトラック幅Ｗ２が規定される。しかも、平坦化処理の条件は非データ領域３５の表面の平坦化に最適な条件に設定されない。その結果、平坦化処理が実施されると、非データ領域３５の表面では磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面の間に所定の段差が残存する。こうした段差に基づき非データ領域３５の第２表面４９では第１表面４４の表面粗さよりも大きな表面粗さが確立される。こうして複合膜４３が形成される。
【００３６】
ここで、平坦化の条件が、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度のピッチやトラック幅を有する領域に対して最適な条件に設定されると、その領域では平坦化が実現される。その一方で、前述と同一の条件で、例えば１００ｎｍを超えるピッチやトラック幅を有する領域に対して平坦化処理が実施されると、ピッチやトラック幅が増大するにつれて平坦化の程度は軽減される。さらに、前述と同一の条件で、例えば１μｍ以上のピッチやトラック幅を有する領域に対して平坦化処理が実施されると、平坦化はほとんど実現されない。すなわち、平坦化の度合いはパターンの寸法に依存する。したがって、平坦化処理の条件およびパターンの寸法の調整に基づき表面粗さが調整されることができる。
【００３７】
その後、複合膜４３の表面には保護膜４５が形成される。形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜４５の形成後、保護膜４５の表面には潤滑膜４６が塗布される。塗布にあたって例えばディップ法が用いられる。ディップ法では基板４１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に浸される。こうして磁気ディスク１４は製造される。
【００３８】
以上のような製造方法によれば、データ領域３１および非データ領域３５で異なるパターンが確立される。データ領域３１の第１表面４４の表面粗さおよび非データ領域３５の第２表面４９の表面粗さの相違はパターンの相違に依存する。ここでは、第２パターンで、第１パターンのピッチＰ１よりも大きなピッチＰ２および第１パターンのトラック幅Ｗ１よりも大きなトラック幅Ｗ２が規定される。その結果、１度の平坦化処理に基づき非データ領域３５の第２表面４９でデータ領域３１の第１表面４４よりも大きな表面粗さが確立される。こうして磁気ディスク１４の表面で低コストで容易に異なる表面粗さが確立される。
【００３９】
なお、平坦化処理にあたって、ガスクラスターイオンビーム技術に代えて、化学機械研磨法（ＣＭＰ）が利用されてもよい。このとき、平坦化処理の条件には例えば研磨時の圧力、スラリパッドおよび磁気ディスクの間の相対速度、研磨時の温度、スラリの種類、スラリパッドの種類といった条件が含まれる。こうした平坦化処理の条件がデータ領域３１の表面の平坦化に最適な条件に設定されればよい。こうした化学機械研磨法によってもデータ領域３１の表面および非データ領域３５の表面で異なる表面粗さが容易に確立されることができる。
【００４０】
図１１に示されるように、非データ領域３５では、磁性体４７および非磁性体４８は、ダウントラック方向５５に対して所定の交差角αで交差する方向５６に沿って延びてもよい。交差角αは、ダウントラック方向５５に対して時計回りおよび反時計回りに０度より大きく９０度以下の角度に設定されればよい。データ領域３１は前述と同様に構成される。ピッチＰ２およびトラック幅Ｗ２は前述と同様に設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４１】
図１２に示されるように、非データ領域３５では磁性体４７内に例えば円柱状の非磁性体４８が埋め込まれる。非磁性体４８は基板４１の表面に沿って所定の間隔で配置されればよい。磁性体４７および非磁性体４８の間に所定の段差が形成される。データ領域３１は前述と同様に構成される。ここでは、非磁性体４８の直径Ｄ１はデータ領域３１のピッチＰ１より大きく設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４２】
図１３に示されるように、磁気ディスク１４はビットパターンド媒体を構成してもよい。データ領域３１では、記録トラック３２は複数の磁性体６１で確立される。磁性体６１はダウントラック方向に等間隔に配列される。磁性体６１同士は非磁性体６２で相互に隔てられる。磁性体６１同士は非磁性体６２で磁気的に分離される。磁性体６１の表面および非磁性体６２の表面で第１表面４４が規定される。各磁性体６１は磁性ドットを構成する。各磁性体６１に２値情報は記録される。ここでは、相互に隣接する記録トラック３２同士の間でダウントラック方向に磁性体６１の位置は揃えられる。相互に隣接する磁性体６１同士の間にはクロストラック方向に間隔Ｐ３およびダウントラック方向に間隔Ｐ４が規定される。
【００４３】
図１４に示されるように、非データ領域３５では磁性体６３内に例えば円柱状の非磁性体６４が埋め込まれる。こうした非磁性体６４は基板４１の表面に沿って所定の間隔で配置される。磁性体６３および非磁性体６４の間に所定の段差が形成される。ここでは、非磁性体６４の直径Ｄ２はデータ領域３１のピッチＰ３およびピッチＰ４のそれぞれより大きく設定される。こうしてデータ領域３１および非データ領域３５の間で異なるパターンが確立される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした磁気ディスク１４は前述と同様に製造される。こういった磁気ディスク１４では前述と同様の作用効果が実現される。
【００４４】
図１５は本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク１４ａを示す。この磁気ディスク１４ａでは、非データ領域３５は例えば最外周記録トラック３２および最内周記録トラック３２の間に規定される。非データ領域３５はデータ領域３１を２つに分断する。この非データ領域３５は例えばゼロキャリブレーション時に利用される。データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。その他、前述の磁気ディスク１４と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４５】
浮上ヘッドスライダ２２の素子内蔵膜には例えば電磁変換素子に隣接してヒータが組み込まれる。ヒータは例えば電熱線から形成される。ヒータに電力が供給されると、ヒータは発熱する。ヒータの熱でヒータとともに電磁変換素子や素子内蔵膜は熱膨張する。その結果、いわゆる突き出しが形成される。電磁変換素子は磁気ディスク１４ａに向かって変位する。突き出しの突き出し量の設定にあたってゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、突き出しが非データ領域３５の第２表面４９に接触する際に突き出しの突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出しの突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出しの突き出し量が設定されると、電磁変換素子は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４ａの表面から浮上することができる。
【００４６】
こうしたＨＤＤ１１では、ゼロキャリブレーション時に浮上ヘッドスライダ２２の突き出しは非データ領域３５の第２表面４９に接触する。前述のように、第２表面４９ではデータ領域３１の第１表面４４より大きい表面粗さが確立されることから、データ領域３１の第１表面４４との接触時に比べて突き出しおよび第２表面４９の間で摩擦力は低減される。その他、非データ領域３５は、浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、浮上ヘッドスライダ２２の退避領域として利用されてもよい。浮上ヘッドスライダ２２が磁気ディスク１４ａに接触しても、摩擦力の低減に基づき浮上ヘッドスライダ２２や磁気ディスク１４ａの損傷はできる限り回避される。
【００４７】
図１６は本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク１４ｂを示す。この磁気ディスク１４ｂでは非データ領域３５は最外周記録トラック３２より外周側に配置される。データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。この磁気ディスク１４ｂは、図１７に示されるように、ロードアンロード方式を採用するＨＤＤ１１ａに組み込まれる。ＨＤＤ１１ａでは、ヘッドサスペンション２１の先端にヘッドサスペンション２１の先端から前方に延びるロードタブ６５が区画される。ロードタブ６５はキャリッジアーム１９の揺動に基づきクロストラック方向に移動することができる。ロードタブ６５の移動経路上には磁気ディスク１４の外側でランプ部材６６が配置される。ランプ部材６６はベース１３に固定される。ロードタブ６５はランプ部材６６に受け止められる。ランプ部材６６にはロードタブ６５の移動経路に沿って延びるランプ６６ａが形成される。このランプ６６ａは磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかるにつれて磁気ディスク１４の表面を含む仮想平面から遠ざかる。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４８】
浮上ヘッドスライダ２２のアンロード時、キャリッジアーム１９が支軸１８回りで磁気ディスク１４の回転軸から遠ざかると、ロードタブ６５はランプ６６ａを上っていく。こうして浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面から引き剥がされる。浮上ヘッドスライダ２２はアンロードされる。こうしたアンロードは非データ領域３５上で実施される。その後、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４から外側に待避する。反対に、キャリッジアーム１９が支軸１８回りに磁気ディスク１４の回転軸に向かって揺動すると、ロードタブ６５はランプ６６ａを下っていく。回転中の磁気ディスク１４から浮上ヘッドスライダ２２には浮力が作用する。浮上ヘッドスライダ２２はロードされる。こうした浮上ヘッドスライダ２２のロードは非データ領域３５上で実施される。
【００４９】
以上のようなＨＤＤ１１ａでは、浮上ヘッドスライダ２２のロードおよびアンロードは非データ領域３５上で実施される。したがって、浮上ヘッドスライダ２２のロード時およびアンロード時に浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９に接触しても、浮上ヘッドスライダ２２および第２表面４９の間で摩擦力は低減される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２や磁気ディスク１４ｂの損傷はできる限り回避される。
【００５０】
図１８は本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク１４ｃを示す。この磁気ディスク１４ｃでは、前述の磁気ディスク１４ｂで非データ領域３５はダウントラック方向に途切れる。ここでは、非データ領域３５は最外周記録トラック３２より外周側で例えば磁気ディスク１４ｃの半周にわたって延びる。この磁気ディスク１４ｃは前述のＨＤＤ１１ａに組み込まれる。磁気ディスク１４ｃの回転中、非データ領域３５上で浮上ヘッドスライダ２２のロードが実施される。反対に、データ領域３１上で浮上ヘッドスライダ２２のアンロードが実施される。ロードおよびアンロードのタイミングは磁気ディスク１４ｃの回転周期に基づき決定されればよい。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５１】
浮上ヘッドスライダ２２のロードは非データ領域３５上で実施される。ロード時に浮上ヘッドスライダ２２が第２表面４９に接触しても、浮上ヘッドスライダ２２および第２表面４９の間で摩擦力は低減される。浮上ヘッドスライダ２２および磁気ディスク１４ｃの損傷はできる限り回避される。反対に、浮上ヘッドスライダ２２のアンロードはデータ領域３１上で実施される。データ領域３１の第１表面４４は平坦面で規定される。平坦面の第１表面４４から浮上ヘッドスライダ２２の浮上量は十分に確保される。浮上ヘッドスライダ２２のアンロードは安定的に実施される。浮上ヘッドスライダ２２および磁気ディスク１４ｃの接触は抑制される。
【００５２】
図１９は本発明の第５実施形態に係る磁気ディスク１４ｄを示す。この磁気ディスク１４ｄでは非データ領域３５で磁性体４７の表面および非磁性体４８の表面を相互に接続する段差７１が形成される。段差７１は、磁性体４７の厚みおよび非磁性体４８の厚みの相違に基づき形成される。ここでは、平坦化処理に基づき非磁性体４８の厚みは磁性体４７の厚みより大きく設定される。潤滑膜４６は流動性を有することから、段差７１は潤滑膜４６で覆われる。その結果、潤滑膜４６の膜厚は段差７１で増大する。段差７１で潤滑膜４６は多量に保持される。なお、データ領域３１および非データ領域３５ではそれぞれ前述のいずれかのパターンが確立されればよい。非データ領域３５は前述の磁気ディスク１４〜１４ｃのうちのいずれかの位置に配置されればよい。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５３】
こうした磁気ディスク１４ｄによれば、非データ領域３５上を浮上ヘッドスライダ２２が浮上する。段差７１には多量の潤滑膜４６が保持されることから、蒸発に基づき浮上ヘッドスライダ２２に潤滑膜４６が比較的に多量に付着する。浮上ヘッドスライダ２２はデータ領域３１上を浮上する。このとき、浮上ヘッドスライダ２２に付着した潤滑膜４６は蒸発する。蒸発した潤滑膜４６はデータ領域３１の第１表面４４に付着する。こうして潤滑膜４６は非データ領域３５からデータ領域３１に移動する。データ領域３１の第１表面４４では潤滑膜４６の膜厚はできる限り均一に設定される。なお、段差７１の大きさが大きすぎると、浮上ヘッドスライダ２２と非データ領域３５の第２表面４９との接触の可能性が増大する。したがって、段差７１の大きさは浮上ヘッドスライダ２２の浮上量との関係で決定されればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一具体例に係る記憶装置すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図３】一具体例に係るデータ領域の構造を示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った垂直断面図である。
【図５】一具体例に係る非データ領域の構造を示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った垂直断面図である。
【図７】磁性連続膜にエッチング処理を施す工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図８】磁性連続膜に溝を形成する工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図９】溝内に非磁性材料を充填する工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図１０】データ領域および非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程を概略的に示す垂直断面図である。
【図１１】他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１２】さらに他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１３】他の具体例に係るデータ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１４】さらに他の具体例に係る非データ領域の構造を概略的に示す磁気ディスクの部分拡大平面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１７】本発明の他の具体例に係るハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る記憶媒体すなわち磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１ 記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４〜１４ｄ 記憶媒体（磁気ディスク）、２２ ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１ データ領域、３２ 磁性体（記録トラック）、３５ 非データ領域、３６ 非磁性体（分離トラック）、４１ 基板、４３ 複合膜、４６ 潤滑膜、４７ 磁性体、４８ 非磁性体、７１ 段差。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、
前記複合膜は、
前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、
前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶媒体において、前記非データ領域で前記磁性体の表面および前記非磁性体の表面を相互に接続する段差と、前記データ領域の表面および前記非データ領域の表面に沿って広がる潤滑膜とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体。
【請求項３】
記憶媒体と、
前記記憶媒体に向き合わせられるヘッドスライダとを備え、
前記記憶媒体は、基板と、前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、
前記複合膜は、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の記憶装置において、前記非データ領域で前記磁性体の表面および前記非磁性体の表面を相互に接続する段差と、前記データ領域の表面および前記非データ領域の表面に沿って広がる潤滑膜とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体で相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域を形成する工程と、
前記データ領域および前記非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程とを備えることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の記憶媒体の製造方法において、前記平坦化処理はガスクラスターイオンビーム研磨処理であることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の記憶媒体の製造方法において、前記平坦化処理は化学機械研磨処理であることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、
前記複合膜は、
前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、
前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶媒体において、前記非データ領域で前記磁性体の表面および前記非磁性体の表面を相互に接続する段差と、前記データ領域の表面および前記非データ領域の表面に沿って広がる潤滑膜とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体。
【請求項３】
記憶媒体と、
前記記憶媒体に向き合わせられるヘッドスライダとを備え、
前記記憶媒体は、基板と、前記基板の表面に沿って広がる複合膜とを備え、
前記複合膜は、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンを確立する第１表面粗さのデータ領域と、前記基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体の配置に基づき第１パターンと異なる第２パターンを確立する前記第１表面粗さより大きい第２表面粗さの非データ領域とを区画することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の記憶装置において、前記非データ領域で前記磁性体の表面および前記非磁性体の表面を相互に接続する段差と、前記データ領域の表面および前記非データ領域の表面に沿って広がる潤滑膜とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
基板の表面に沿って広がる磁性体および非磁性体で相互に異なるパターンを確立するデータ領域および非データ領域を形成する工程と、
前記データ領域および前記非データ領域に同一の条件で平坦化処理を施す工程とを備えることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の記憶媒体の製造方法において、前記平坦化処理はガスクラスターイオンビーム研磨処理であることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の記憶媒体の製造方法において、前記平坦化処理は化学機械研磨処理であることを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１０−１０８５３４（Ｐ２０１０−１０８５３４Ａ）
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７６５６８（Ｐ２００８−２７６５６８）
【出願日】平成２０年１０月２８日（２００８．１０．２８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２８日（２００８．１０．２８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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