記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法
【課題】 製造時に書き込み禁止エリアが指定されていても、再利用可能な記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法を提供すること。
【解決手段】 記憶装置２０は、書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが割り当てられる不揮発性のメモリー３０と、メモリーを制御するメモリー制御回路４０とを有し、メモリー制御回路は、メモリーの書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスター４１と、書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスター４２と、初期化コマンドに基づいて書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路４３と、を含む。
【解決手段】 記憶装置２０は、書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが割り当てられる不揮発性のメモリー３０と、メモリーを制御するメモリー制御回路４０とを有し、メモリー制御回路は、メモリーの書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスター４１と、書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスター４２と、初期化コマンドに基づいて書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路４３と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリーとして、ＥＥＰＲＯＭやＦＥＲＡＭ等が知られている。これらのメモリーは、ホスト装置とのデータ送受信を行い、そのデータのリード／ライトを行う。例えば、インクジェット方式のプリンターには、インクカートリッジが取り付けられる。このインクカートリッジには、不揮発性メモリーを有する記憶装置が設けられているものがある（例えば、特許文献１）。不揮発性メモリーには、製造メーカー、製造年月日等の製造情報、インクカートリッジの容量・種類等の書き換え不要な情報と、インク残量などの書き換え可能な情報とが記憶され、記憶装置は、これらの情報をプリンターとの間で送受信する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２９９４０５号公報
【特許文献２】特開平６−８４３８６号公報
【特許文献３】特開２００５−２２２５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクカートリッジ等のような消耗品を、インクを再充填してリユースすることが環境対策の必要上から求められている。しかし、製造年月日を含む製造情報等の書き換え不要な情報を保護するために、その記憶エリアは書き込み禁止（ライトロック）エリアとされている。従って、新たな製造情報を書き込み禁止エリアに記憶することができない。このため、消耗品を再利用しようとしても、その記憶装置は交換する他なかった。
【０００５】
なお、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、記憶装置の物理アドレスに対して論理アドレスを設定して、ブロック単位で書き換え回数を平均化することは知られている（特許文献２，３）。
【０００６】
本発明の幾つかの態様では、書き込み禁止エリアの指定／指定解除と、書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を保持することにより、アドレス変更可能な書き込み禁止エリア内の情報を製造元にて書き換え可能とすることで、再利用可能な記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の一態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーと、
前記メモリーを制御するメモリー制御回路と、
を有し、
前記メモリー制御回路は、
前記メモリーの前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターと、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスターと、
初期化コマンドに基づいて前記書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路と、
を含む記憶装置に関する。
【０００８】
本発明の一態様では、メモリーの書き込み禁止エリアを設定する書き込み禁止エリア設定レジスターを、初期化回路により初期化できる。従って、書き込み禁止エリア設定レジスターの初期化後は、全エリアで書き込み禁止が解除されるので、メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込むことができる。よって、記憶装置を再利用することができる。このとき、先頭アドレス設定レジスターには、初期化前または初期化後の書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が保持されている。初期化前の先頭アドレスが記憶されている場合、先頭アドレス設定レジスターの値を参照すれば、初期化後に書き込み可能エリアのアドレスを初期化前とは異ならせることができる。その後、先頭アドレス設定レジスターは、その異なる先頭アドレスに書き換えられていても良い。これに反して、先頭アドレス設定レジスターが存在しないと、書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化してしまうと、初期化前に書き込み禁止エリア及び書き込み可能エリアがいずれのエリアに存在したかを認識できなくなるが、本発明の一態様ではそのようなことがない。
【０００９】
（２）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターは、前記初期化回路により前記書き込み禁止エリア設定レジスターが初期化された後に、初期化前の先頭アドレス情報とは異なる新たな先頭アドレス情報を再設定することができる。
【００１０】
このように、先頭アドレス設定レジスターにて再設定された書き込み可能エリアの先頭アドレスを参照して、初期化毎にシフトする書き込み可能エリアの先頭アドレスを指定することができる。特に、書き込み可能エリアの先頭アドレスをシーケンシャル動作の先頭アドレスとする場合に有利となる。
【００１１】
（３）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターは、初期化後の前記書き込み可能エリアを初期化前に前記書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリア内に設定する前記新たな先頭アドレス情報が再設定されても良い。
【００１２】
こうすると、書き込み可能エリアが初期化前後で重複されず、不揮発性メモリー内の各エリアでの書き換え回数がより平均化される。
【００１３】
（４）本発明の一態様では、前記メモリー制御回路は、前記メモリーにアクセスするアクセス回路をさらに有し、前記アクセス回路は、前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込むことができる。
【００１４】
このように、新たな先頭アドレス情報を参照することで、初期化前に書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリアに新たな情報を書き込むことができる。
【００１５】
（５）本発明の一態様では、前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で同一の値が設定されることができる。
【００１６】
つまり、初期化後には書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化前と同じアドレス情報に書き換えれば良い。この場合でも、初期化前後で書き込み禁止エリアの物理アドレスを変更するには、書き込み禁止エリア設定レジスター及び先頭アドレス設定レジスターの各アドレス情報を論理アドレスとして用いて、不揮発性メモリーの書き込み禁止エリアの物理アドレスを生成すれば良い。例えば、（書き込み禁止エリア設定レジスターのアドレス情報）＋（先頭アドレス設定レジスターのアドレス情報）＝不揮発性メモリーの物理アドレスとすることができる。
【００１７】
（６）本発明の一態様では、前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で異なるアドレス情報が設定されてもよい。
【００１８】
この場合には、書き込み禁止エリア設定レジスターのアドレス情報は、メモリーの物理アドレスと一致する。
【００１９】
（７）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターに記憶された先頭アドレス情報に基づいて、シーケンシャルアドレスを生成するアドレスカウンターをさらに有することができる。
【００２０】
こうすると、シーケンシャルアドレスの先頭アドレスを、書き込み可能エリアの先頭アドレスに一致させることができる。つまり、先頭アドレス設定レジスターを、アドレスカウンターの初期値を先頭アドレスに設定するアドレスカウンター初期値設定レジスターとして使用することができる。
【００２１】
（８）本発明の一態様では、前記書き込み可能エリアの先頭アドレスは、前記書き込み禁止エリアのアドレスよりも上位アドレスに設定され、前記アクセス回路は、前記シーケンシャルアドレスに基づいて前記メモリーを前記書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスし、かつ、前記書き込み禁止エリア設定レジスターの情報に基づいて書き込みを禁止することができる。
【００２２】
こうすると、シーケンシャル動作として、書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスすることができ、また、動作の過程で新たな情報を書き換えるときには、書き込み禁止エリアへの書き込みを禁止できる。
【００２３】
（９）本発明の他の態様は、（１）〜（８）のいずれかに記載の記憶装置を含む基板に関する。こうすると、記憶装置を含む基板を単位として再利用することができる。
【００２４】
（１０）本発明のさらに他の態様は、（１）〜（８）のいずれかに記載の記憶装置を含む液体容器に関する。こうすると、記憶装置を含む液体容器を単位として再利用することができる。
【００２５】
（１１）本発明のさらに他の態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーを再利用可能とするための記憶装置の初期化方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
を有する記憶装置の初期化方法に関する。
【００２６】
本発明方法では、不揮発性メモリーの書き込み禁止エリアを設定する書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化できる。しかも、初期化前に書き込み禁止エリアを設定していたアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出し、読み出されたアドレス情報に基づいて、初期化前に書き込み禁止エリアであったエリアの先頭アドレス情報を先頭アドレス設定レジスターに記憶している。このため、初期化後にも、過去の書き込み可能エリアの先頭アドレスを保持できる。こうして、初期化後に不揮発性メモリーに新たな情報を書き込む際には、過去の書き込み可能エリアの先頭アドレスに基づいて、過去の書き込み可能エリアとは異なるエリアを新たな書き込み可能エリアとして指定することができる。
【００２７】
（１２）本発明のさらに他の態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーに情報を再記憶する記憶装置の再記憶方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターに、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報を設定する工程と、
前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込む工程と、
を有する記憶装置の再記憶方法に関する。
【００２８】
本発明方法では、上述した初期化のステップの後では、書き込み禁止エリア設定レジスターにて書き込み禁止が解除されるので、不揮発性メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込んで再記憶させることができる。よって、記憶装置を再利用することができる。このとき、先頭アドレス設定レジスターには、初期化前に書き込み可能エリアであったエリアの新たな先頭アドレス情報が保持されている。よって、先頭アドレス設定レジスターの値は、書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化した後に変更される。これにより、書き込み可能エリアを初期化前後で重複させないことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）はプリンター等のホスト装置と記憶装置とを接続したシステムのブロック図であり、図１（Ｂ）は初期化／再書き込みを制御するホスト装置と記憶装置とを接続したシステムのブロック図である。
【図２】記憶装置のブロック図である。
【図３】図２の不揮発性メモリーの書き込み可能／禁止エリアが初期化後にシフトする様子を示す図である。
【図４】書き込み禁止エリア設定レジスターにて初期化及び再設定される書き込み禁止エリアのアドレス情報を示す図である。
【図５】先頭アドレス設定レジスターに設定される書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を示す図である。
【図６】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続されて初期化と再記憶が実施される記憶装置のブロック図である。
【図７】プリンターに搭載される液体容器の概略斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は記憶装置が搭載される基板の正面図、図８（Ｂ）は基板の側面図である。
【図９】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続される記憶装置の初期化動作を示すフローチャートである。
【図１０】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続される記憶装置の再記憶動作を示すフローチャートである。
【図１１】図１（Ａ）に示すホスト装置と接続される記憶装置からのデータ読み出し動作を示す図である。
【図１２】図１（Ａ）に示すホスト装置と接続される記憶装置へのデータ書き込み動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３１】
１．システム構成
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に本実施形態のシステムの構成例を示す。図１（Ａ）に示す実使用時のシステムは、ホスト装置１０、記憶装置２０を含む。ホスト装置１０はインクジェット方式のプリンター本体であり、記憶装置２０はインクカートリッジに設けられた記憶装置である場合を例に説明するが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、ホスト装置１０はメモリーカードのリーダー／ライターであってもよく、記憶装置２０はメモリーカードであってもよい。図１（Ｂ）に示すホスト装置１２は、使用済インクカートリッジが回収され、製造元にて記憶装置２０を初期化して再記憶させるものである。
【００３２】
２．初期化可能な記憶装置の基本構成
図２は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）のホスト装置１０，１２に接続される記憶装置２０を示している。記憶装置２０は、端子を介してホスト装置１０，１２に接続され、ホスト装置１０，１２からの制御に従ったメモリーアクセスや初期化等を行う。具体的には記憶装置２０は、不揮発性メモリー３０と、不揮発性メモリー３０を制御するメモリー制御回路４０とを含んでいる。
【００３３】
不揮発性メモリー３０は、例えばＦＥＲＡＭ（強誘電体メモリー）や、フラッシュメモリー等のＥＥＰＲＯＭにより構成されるが、これらに限定されない。例えば、不揮発性のメモリーセル３０は、ハードディスクドライブ等の磁気ドライブや、ＤＶＤ等の光学ドライブであってもよい。不揮発性メモリー３０は、書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが割り当てられる。
【００３４】
メモリー制御回路４０は、書き込み禁止エリア設定レジスター４１と、先頭アドレス設定レジスター４２と、初期化回路４３と、を含んでいる。書き込み禁止エリア設定レジスター４１及び先頭アドレス設定レジスター４２は、書き換え可能でかつ高速読み出し可能な不揮発性メモリーとすることができる。
【００３５】
書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、不揮発性メモリー３０の書き込み禁止エリア３２を設定するアドレス情報が記憶される。つまり、不揮発性メモリー３０自体は全エリアが書き換え可能であるが、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報に基づいてメモリー制御回路４０による書き込みが禁止される。先頭アドレス設定レジスター４２には、書き込み可能エリア３１の先頭アドレス情報が記憶される。初期化回路４３は、図１（Ｂ）のホスト装置１２からの初期化コマンドに基づいて書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化する。
【００３６】
ここで、書き込み禁止エリア設定レジスター４１、先頭アドレス設定レジスター４２及び初期化回路４３の動作を、図３〜図５を参照して説明する。図３は図２に示す不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが、初期化回数Ｎ（Ｎは０を含む整数）毎にシフトすることが示されている。
【００３７】
図３の例では、初期化回数Ｎ＝０〜２で不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１が重ならないようにシフトしている。初期化回数０〜２に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレスを図３に示す３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃとする。
【００３８】
図４は、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１を設定するアドレス情報を示している。図４では、書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化回路４３により初期化され、初期化後の再設定により初期化回数Ｎ毎にアドレス情報がシフトすることが示されている。
【００３９】
図４は、例えば１バイトのメモリー容量につき１ビットのレジスター素子が用意された書き込み禁止エリア設定レジスター４１を示している。図４に示す「０」は書き込み可能を示し、「１」は書き込み禁止を示す。「０」及び「１」の意味づけを図４とは逆にしても良い。初期化により不揮発性メモリー３０の全エリアに「０」が割り当てられるので、全エリアが書き換え可能となる。図３に示す初期化回数Ｎ＝０〜２後の設定状態では、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１（図３の「０」と対応するエリア）は例えば８バイト（６４ビット）のエリアである。不揮発性メモリー３０の全メモリー容量を例えば６４バイト（５１２ビット）とすると、５６バイトのエリアが書き込み禁止エリア３２となる。
【００４０】
図４において、初期化回数Ｎ＝０では、図３に示す初期化回数Ｎ＝０での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレス（先頭の８バイトエリア）に例えば「０」に設定される。図３に示す初期化回数Ｎ＝０での書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに例えば「１」に設定される。
【００４１】
その後、書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化回路４３により初期化されると、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報はオール０とされる。これにより、不揮発性メモリー３０の全エリアが書き換え可能となり、記憶装置２０を回収後に再利用することが可能となる。
【００４２】
初期化回数Ｎ＝１の初期化後に、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図３に示す初期化回数Ｎ＝１での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレスに「０」が設定され、残りの書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに「１」が設定される。
【００４３】
さらに、初期化回数Ｎ＝２の初期化により、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報はオール０とされる。初期化回数Ｎ＝２の初期化後に、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図３に示す初期化回数Ｎ＝２での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレスに「０」が設定され、残りの書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに「１」が設定される。
【００４４】
図５は、先頭アドレス設定レジスター４２に設定される書き込み可能エリア３１の先頭アドレス情報を示す図である。図３に示す書き込み可能エリア３１の各先頭アドレス３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃは、それぞれ例えば８ビットの先頭アドレス情報として表示することができる。不揮発性メモリー３０の８バイトエリアにつき、先頭アドレスの１ビットが用意されている。
【００４５】
その場合、図３の先頭アドレス３１Ａは、図５に示すように０番アドレス（００００００００）である。先頭アドレス３１Ｂは、先頭アドレス３１Ａから８バイトエリアだけシフトした６４番アドレス（００００１０００）である。先頭アドレス３１Ｃは、先頭アドレス３１Ｂから８バイトエリアだけシフトした１２８番アドレス（０００１００００）である。初期化回数Ｎ＝７で、書き込み可能エリア３１は不揮発性メモリー３０の最終アドレスに指定され、初期化回数Ｎ＝８で書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａは０番アドレスに戻される。このようにして、ブロック単位（例えば８バイトエリア）で書き換え回数を平均化している。
【００４６】
このように、本実施形態では、記憶装置２０が不揮発性メモリー３０と書き込み禁止エリア設定レジスター４１と初期化回路４３とを有し、不揮発性メモリー３０の書き込み禁止エリア３２を設定する書き込み禁止エリア設定レジスター４１を、初期化回路４３により初期化することができる。従って、書き込み禁止エリア設定レジスター４１の初期化後は、図４に示すように全エリアに「０」が割り当てられ、不揮発性メモリー３０に対する書き込み禁止が解除される。よって、図３に示すように初期化１及び初期化２の後に、メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込むことができる。従って、記憶装置２０を再利用することができる。
【００４７】
このとき、先頭アドレス設定レジスター４２には、図５に示すように、初期化前に書き込み可能エリア３１であったエリアの先頭アドレス情報が保持しておくことができる。よって、先頭アドレス設定レジスター４２の値を参照すれば、書き込み可能エリア３１のアドレス情報を、初期化前後で異なるように変更できる。これに反して、先頭アドレス設定レジスター４２が存在しないと、図４のように書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化して全エリアに「１」を割り付けてしまうと、初期化前に書き込み禁止エリア３２がいずれのエリアに存在したかを認識できなくなるが、本実施形態ではそのようなことがない。特に、先頭アドレス設定レジスター４２の値を参照すれば、図４に示すように書き込み可能エリア３１を初期化前後で重複させないことも可能となる。
【００４８】
また、本実施形態では、先頭アドレス設定レジスター４２は、初期化回路４３により書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化された後に、初期化前の先頭アドレス情報とは異なる新たな先頭アドレス情報を再設定することができる。つまり、初期化１の後には先頭アドレス３１Ｂのアドレス情報が、初期化２の後には先頭アドレス３１Ｃのアドレス情報が、先頭アドレス設定レジスター４２に更新登録される。このようにすると、初期化毎にシフトする書き込み可能エリア３１の先頭アドレスを指定することができる。特に、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスをシーケンシャル動作の先頭アドレスとする場合に有利となる。
【００４９】
本実施形態では、先頭アドレス設定レジスター４２は、初期化後の書き込み可能エリア３１を初期化前に書き込み禁止エリア３２に割り当てられていたエリア内に設定する新たな先頭アドレス情報が再設定することができる。例えば、初期化１後の書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂは、初期化０後の書き込み可能エリア３１のアドレスである。同様に、初期化２後の書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｃは、初期化１後の書き込み可能エリア３１のアドレスである。こうすると、書き込み可能エリア３１が初期化前後で重複されず、不揮発性メモリー３０内の各エリアでの書き換え回数がより平均化される。
【００５０】
３．ホスト装置とデータ送受信する記憶装置、基板及び液体容器
３．１．記憶装置
図６は、図１（Ａ）に示すホスト装置と接続されて制御され、あるいは図１（Ｂ）に示すホスト装置１２と接続されて初期化と再記憶される記憶装置２０のブロック図である。図６では、記憶装置２０はホスト装置１２と接続される電源端子ＴＶ、グランド端子ＴＧ、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲを有する。電源端子ＴＶ、グランド端子ＴＧ、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲには、それぞれホスト装置１０からの電源電圧ＶＤＤ、グランド電圧ＶＳＳ、システムクロックＳＣＫ、データ信号ＳＤＡ、リセット信号ＸＲＳＴが供給される。
【００５１】
記憶装置２０は、電源端子ＴＶ及びグランド端子ＴＧに接続される電源回路４４を有し、電源回路４４は記憶装置２０内の各部に電源を供給する。記憶装置２０は、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲに接続されるＩ／Ｏ（入出力）コントローラー４５を有する。記憶装置２０は、リセット信号ＸＲＳＴがアクティブの時に図１（Ａ）に示すホスト装置１０と送受信可能であるが、図１（Ｂ）に示すホスト装置１２と接続さて初期化及び再記憶されると際には、リセット信号ＸＲＳＴは必ずしも必要ではない。記憶装置２０がホスト装置１０，１２と送受信するには、クロック端子ＴＫからのシステムクロック信号ＳＣＫに従って、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータが入力され、データ端子ＴＤを介してデータが出力される。なお、Ｉ／Ｏコントローラー４５はコマンドデコーダーを含んでいる。
【００５２】
ホスト装置１０，１２が不揮発性メモリー３０にデータを読み書きするために、アドレスカウンター４６とアクセス回路４７が設けられている。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０，１２からのクロックに基づいてアドレスを生成することができる。また、アドレスカウンター４６は、不揮発性メモリー３０をシーケンシャルにアクセスする際に使用することができる。アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６にて生成されるアドレスに従って不揮発性メモリー３０にアクセスして、データを読み書きする。
【００５３】
３．２．液体容器
本実施形態の記憶装置２０が設けられた液体容器１００の詳細な構成例について、図７を用いて説明する。なお以下では、図１（Ａ）に示すホスト装置１０がインクジェット方式のプリンターであり、液体容器１００がインクカートリッジであり、基板１１０が、インクカートリッジに設けられた回路基板である場合を例に説明する。但し、本実施形態では、ホスト装置、液体容器、基板は、他の装置、容器、基板であってもよい。例えば、ホスト装置はメモリーカードのリーダー／ライターであってもよく、基板はメモリーカードに設けられた回路基板であってもよい。
【００５４】
図７に示すインクカートリッジ１００（広義には液体容器）の内部には、インクを収容するための図示しないインク室が形成される。また、インクカートリッジ１００には、インク室に連通するインク供給口１２０が設けられる。このインク供給口１２０は、インクカートリッジ１００がプリンター（ホスト装置）１０に装着されたときに、印刷ヘッドユニットにインクを供給するためのものである。
【００５５】
インクカートリッジ１００は、回路基板１１０（広義には基板）を含む。回路基板１１０には、本実施形態の記憶装置２０が設けられ、データの記憶やホスト装置１０とのデータ送受信を行う。回路基板１１０は、例えばプリント基板により実現され、インクカートリッジ１００の表面に設けられる。
【００５６】
３．３．基板
図８（Ａ）、図８（Ｂ）に、本実施形態の記憶装置２０が設けられた回路基板１１０の詳細な構成例を示す。図８（Ａ）に示すように、回路基板１１０の表面（ホスト装置と接続される面）には、上述した端子ＴＶ，ＴＧ，ＴＫ，ＴＲ，ＴＤが設けられる。そして、インクカートリッジ１００がプリンター（ホスト装置）１０または初期化と再記憶のためのホスト装置１２に装着されたときに、それらの端子とホスト装置側の端子が接触（電気的に接続）することで、電源やデータのやり取りが行われる。各端子は、例えば矩形状（略矩形状）に形成された金属端子により実現される。そして、各端子は、回路基板１１０に設けられた図示しない配線パターン層やスルホールを介して、記憶装置２０に接続される。
【００５７】
図８（Ｂ）に示すように、回路基板１１０の裏面（ホスト装置と接続される面の裏側の面）には、本実施形態の記憶装置２０が設けられる。この記憶装置２０には、インク又はインクカートリッジ１００に関連する種々のデータが格納される。格納データには、インクカートリッジ１００を識別するＩＤに加え、製造情報などの書き換え不要な情報と、インク消費量等の書き換えが必要なデータが含まれる。インク消費量のデータは、インクカートリッジ１００内に収容されたインクについて、印刷の実行等に伴い消費されるインク量の累計を示すデータである。このインク消費量のデータは、インクカートリッジ１００内のインク量を示す情報であってもよく、消費したインク量の割合を示す情報であってもよい。
【００５８】
３．４．初期化と再記憶
次に、図９及び図１０示すフローチャートに従って、記憶装置２０の初期化と再記憶の動作について説明する。以下では、図９及び図１０の動作を、図３に示す初期化０の状態の不揮発性メモリー３０から初期化１の状態の不揮発性メモリー３０に再記憶させる例を挙げて説明する。なお、図９が初期化動作を、図１０が初期化後に実施される再記憶動作を示している。
【００５９】
先ず、ホスト装置１２は、図４に示す初期化０の状態の書き込み禁止エリア設定レジスター４１の情報をアドレス０から順次読み出す（Ｓ１）。ホスト装置１２は、読み出された情報のうち「１」を先頭からカウントする（Ｓ２）。図４に示す初期化０の状態の書き込み禁止エリア設定レジスター４１では、先頭アドレスの情報が「０」であるので、カウント値は「０」である。
【００６０】
次に、ホスト装置１２は、カウント値「０」を先頭アドレス設定レジスター４２に書き込む（Ｓ３）。これにより、図５に示すように、初期化０の状態での書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａ（図３参照）のアドレス情報が先頭アドレス設定レジスター４２に書き込まれる。なお、図９に示すステップＳ１からステップＳ３の工程は、図３に示す初期化０の状態で出荷する際に実施されている場合もある。この場合でも、回収後に図９に示すステップＳ１からステップＳ３の工程を実施することで、データの確実性が担保される。
【００６１】
次に、ホスト装置１２は初期化回路４３に初期化コマンドを送出し、初期化回路４３により書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化する（Ｓ４）。これにより、図４に示すように禁止エリア設定レジスター４１は全エリアに「０」が書き込まれる。それにより、不揮発性メモリー３０はその全エリアにデータを書き込むことが可能となる。なお、ステップＳ４の終了後に、不揮発性メモリー３０の内容を消去しても良い。ただし、上書き可能な不揮発性メモリー３０であれば、内容消去は不要である。
【００６２】
初期化が終了すると、記憶装置２０は製造工場に引き渡されて、不揮発性メモリー３０の再記憶動作が実施される。その際記憶動作を、図１０を参照して説明する。なお、本実施形態では、初期化と再記憶はホスト装置１２により行うものとして説明するが、異なるホスト装置を用いることができる。
【００６３】
ホスト装置１２は、図９のステップＳ３にて先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された先頭アドレス情報を、データ端子ＴＤを介して読み出す（Ｓ５）。それにより、ホスト装置１２は、今回の初期化前の状態、つまり図３に示す初期化０の状態での不揮発性メモリー３０における書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａを取得することができる。
【００６４】
次にホスト装置１２は、ステップＳ５で取得された先頭アドレス３１Ａに、例えば予め決められた書き込み可能エリア３１の容量（例えば８バイト）を加算して、新たな書き込み可能エリア３１の先頭アドレス（図３の初期化１の状態での先頭アドレス３１Ｂに相当）を算出する（Ｓ６）。なお、予め決められた書き込み可能エリア３１の容量（例えば８バイト）は、ホスト装置１２が保持していても良いが、記憶装置２０が書き込み可能エリア３１の容量を設定するレジスターを有していてもよい。後者の場合、ホスト装置１２が記憶装置２０のレジスターから書き込み可能エリア３１の容量を読み出すことで取得する。
【００６５】
なお、ステップＳ６またはそれ以降の工程にて、先頭アドレス設定レジスター４２を書き換えて、新たな書き込み可能エリア３１の先頭アドレス（図３の初期化１の状態での先頭アドレス３１Ｂに相当）を設定しておくことができる。
【００６６】
次に、ホスト装置１２は、回収された記憶装置２０を再利用するために、ステップＳ６で取得された新たな先頭アドレスを参照して、不揮発性メモリー３０に新たな情報を書き込む（Ｓ７）。そのために、図１（Ｂ）に示すホスト装置１２は、記憶装置２０のクロック端子ＴＫを介してシステムクロック信号ＳＣＫを送出し、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータを送出する。このとき、このとき、インクカートリッジ１００でのインク消費量等の書き換えを要するデータは、先頭アドレス１３Ｂ（図３）から開始される８バイトの書き込み可能エリア３１に記憶される。
【００６７】
最後に、ホスト装置１２は、不揮発性メモリー３０に新たに記憶された再記憶データに従って、書き込み禁止エリア設定レジスター４１を再設定することができる。ただし、書き込み禁止エリア設定レジスター４１の情報を論理アドレスとして用いるとき（後述する）は、ステップＳ８の動作は省略できる。書き込み禁止エリア設定レジスター４１を再設定するために、ホスト装置１２は、記憶装置２０のクロック端子ＴＫを介してシステムクロック信号ＳＣＫを送出し、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータを送出する。それにより、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図４の初期化直後のオール０の状態から、初期化１の状態に書き換えられる。こうして、記憶装置２０を再利用することができる。
【００６８】
なお、図４に示す初期化１から初期化２の状態に書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化し再設定する動作も、図９及び図１０と同様にして実施される。
【００６９】
３．５．書き込み禁止エリア設定レジスターの物理アドレスと論理アドレス
図１０のステップＳ８を実行すると、書き込み禁止エリア設定レジスター４１には、初期化の前後で異なるアドレス情報が設定される。この場合には、書き込み禁止エリア設定レジスター４１のアドレス情報を、不揮発性メモリー３０の物理アドレスと一致させることができる。
【００７０】
一方、書き込み禁止エリア設定レジスター４１には、初期化の前後で同一の値が設定されても良い。つまり、初期化後には書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化前と同じアドレス情報に書き換えれば良く、図４の初期化０の状態に戻される。この場合でも、初期化前後で書き込み可能エリア３１の物理アドレスを変更するには、書き込み禁止エリア設定レジスター４１及び先頭アドレス設定レジスター４２の各アドレス情報を論理アドレスとして用い、例えば、（書き込み禁止エリア設定レジスター４１のアドレス情報）＋（先頭アドレス設定レジスター４２のアドレス情報）＝不揮発性メモリー３０の物理アドレスとすることができる。
【００７１】
３．６．記憶装置に対する通常動作での書き込み／読み出し動作
３．６．１ 読み出し動作
図１１は、図１（Ａ）に示すホスト装置（プリンター）１０と接続される記憶装置２０からのデータ読み出し動作を示している。読み出し動作は、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスから順にシーケンシャルに指定して、不揮発性メモリー３０からのデータを順次読み出すことができる。なお、以下の説明は、図３〜図５に示す初期化１の状態の記憶装置２０について説明するが、初期化０，２の場合も同様に実施できる。
【００７２】
また、以下の説明では、図１０のステップＳ６にて、先頭アドレス設定レジスター４２が書き換えられ、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定されているものとする。ただし、図１０のステップＳ６のみが実行された場合、つまり、先頭アドレス設定レジスター４２が書き換えられず、先頭アドレス設定レジスター４２に初期化前の過去の先頭アドレス１３Ａが保存されていても良い。この場合、図１０及び図１２のステップＳ２では、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された先頭アドレス１３Ａに、既知の書き込みエリア３１の容量（８バイト）だけ加算して先頭アドレス１３Ｂを算出し、その先頭アドレス１３Ｂをアドレスカウンター４６の初期値として設定できる。
【００７３】
図１１において、データリードコマンドが入力された後に（Ｓ１）、アドレスカウンター４６の初期値として、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定される（Ｓ２）。
【００７４】
次に、ホスト装置１０からクロックが記憶装置２０に入力される。なお、本実施形態ではホスト装置１０からのクロックが、不揮発性メモリー３０のシーケンシャルアドレス（論理アドレス）を指定している。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに基づいて、初期値である書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂから順に物理アドレスを生成する（Ｓ３）。
【００７５】
アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６から入力されたアドレスを指定し、先ず、書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂからインクカートリッジ１００のＩＤを読み出す（Ｓ４）。ＩＤは書き換え不要ではあるが、ホスト装置１０がインクカートリッジ１００を制御するために最初に取得すべき情報であるので、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスに格納されている。
【００７６】
その後、アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに従ってアドレスを更新する（Ｓ５）。更新されたアドレスが読み出しエンドか否かを判断し（Ｓ６）、ステップＳ６がＮＯであれば、ステップＳ４に戻ってデータ読み出しが継続される。その際、ホスト装置１０からのシーケンシャルなアドレス指定に従い、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１のデータが読み出され、その後書き込み禁止エリア３２のデータが読み出される。ステップＳ６の判断がＹＥＳであればデータ読み出しは終了する。
【００７７】
このように、先頭アドレス設定レジスター４２は、アドレスカウンター４６のアドレス初期値設定レジスターとして機能する。このため、記憶装置２０が回収される毎に書き込み可能エリア３１のアドレスがシフトされても、ホスト装置１０は初期化前後にかかわらずシーケンシャルな論理アドレスを指定するだけで済む。
【００７８】
３．６．２．書き込み動作
図１２は、図１（Ａ）に示すホスト装置（プリンター）１０と接続される記憶装置２０へのデータ書き込み動作を示している。書き込み動作は、読み出し動作のようなシーケンシャル動作でなく、ランダムアクセスが可能である。
【００７９】
データライトコマンドが入力された後に（Ｓ１）、アドレスカウンター４６の初期値として、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定される（Ｓ２）。
【００８０】
次に、ホスト装置１０からクロック（論理アドレス）と書き込みデータが記憶装置２０に入力される（Ｓ３）。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに基づいて、初期値である書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂだけシフトさせて物理アドレスを生成させ、アクセス回路４７に出力する（Ｓ４）。
【００８１】
アクセス回路４７は、アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６から入力されたアドレスが、書き込み可能エリア３１内のアドレスであるか否かを判断する（Ｓ５）。このために、アクセス回路４７は、書き込み禁止エリア設定レジスター４１のテーブルを参照し、指定されたアドレスに「０」が記録されているか否かを判断する。指定されたアドレスが書き込み可能エリア３１内であれば、アクセス回路４７は不揮発性メモリー３０の指定アドレスに書き込みデータを書き込む（Ｓ６）。
【００８２】
ステップＳ５の判断がＮＯである場合、またはステップＳ６の動作が終了した場合、書き込み動作が終了したか否かが判断される（Ｓ７）。ステップＳ７での判断がＮＯであればステップＳ３に戻って書き込み動作が継続され、ＹＥＳであれば書き込み動作は終了する。
【００８３】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。またホスト装置、記憶装置等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１０，１２ ホスト装置、２０ 記憶装置、３０ 不揮発性メモリー、３１ 書き込み可能エリア、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 先頭アドレス、３２ 書き込み禁止エリア、
４０ メモリー制御回路、４１ 書き込み禁止エリア設定レジスター、４２ 先頭アドレス設定レジスター、４３ 初期化回路、４４ 電源回路、４５ Ｉ／Ｏコントローラー、４６ アドレスカウンター、４７ アクセス回路、１００ 液体容器（インクカートリッジ）、１１０ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリーとして、ＥＥＰＲＯＭやＦＥＲＡＭ等が知られている。これらのメモリーは、ホスト装置とのデータ送受信を行い、そのデータのリード／ライトを行う。例えば、インクジェット方式のプリンターには、インクカートリッジが取り付けられる。このインクカートリッジには、不揮発性メモリーを有する記憶装置が設けられているものがある（例えば、特許文献１）。不揮発性メモリーには、製造メーカー、製造年月日等の製造情報、インクカートリッジの容量・種類等の書き換え不要な情報と、インク残量などの書き換え可能な情報とが記憶され、記憶装置は、これらの情報をプリンターとの間で送受信する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２９９４０５号公報
【特許文献２】特開平６−８４３８６号公報
【特許文献３】特開２００５−２２２５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクカートリッジ等のような消耗品を、インクを再充填してリユースすることが環境対策の必要上から求められている。しかし、製造年月日を含む製造情報等の書き換え不要な情報を保護するために、その記憶エリアは書き込み禁止（ライトロック）エリアとされている。従って、新たな製造情報を書き込み禁止エリアに記憶することができない。このため、消耗品を再利用しようとしても、その記憶装置は交換する他なかった。
【０００５】
なお、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、記憶装置の物理アドレスに対して論理アドレスを設定して、ブロック単位で書き換え回数を平均化することは知られている（特許文献２，３）。
【０００６】
本発明の幾つかの態様では、書き込み禁止エリアの指定／指定解除と、書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を保持することにより、アドレス変更可能な書き込み禁止エリア内の情報を製造元にて書き換え可能とすることで、再利用可能な記憶装置、基板、液体容器及び記憶装置の再記憶方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の一態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーと、
前記メモリーを制御するメモリー制御回路と、
を有し、
前記メモリー制御回路は、
前記メモリーの前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターと、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスターと、
初期化コマンドに基づいて前記書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路と、
を含む記憶装置に関する。
【０００８】
本発明の一態様では、メモリーの書き込み禁止エリアを設定する書き込み禁止エリア設定レジスターを、初期化回路により初期化できる。従って、書き込み禁止エリア設定レジスターの初期化後は、全エリアで書き込み禁止が解除されるので、メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込むことができる。よって、記憶装置を再利用することができる。このとき、先頭アドレス設定レジスターには、初期化前または初期化後の書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が保持されている。初期化前の先頭アドレスが記憶されている場合、先頭アドレス設定レジスターの値を参照すれば、初期化後に書き込み可能エリアのアドレスを初期化前とは異ならせることができる。その後、先頭アドレス設定レジスターは、その異なる先頭アドレスに書き換えられていても良い。これに反して、先頭アドレス設定レジスターが存在しないと、書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化してしまうと、初期化前に書き込み禁止エリア及び書き込み可能エリアがいずれのエリアに存在したかを認識できなくなるが、本発明の一態様ではそのようなことがない。
【０００９】
（２）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターは、前記初期化回路により前記書き込み禁止エリア設定レジスターが初期化された後に、初期化前の先頭アドレス情報とは異なる新たな先頭アドレス情報を再設定することができる。
【００１０】
このように、先頭アドレス設定レジスターにて再設定された書き込み可能エリアの先頭アドレスを参照して、初期化毎にシフトする書き込み可能エリアの先頭アドレスを指定することができる。特に、書き込み可能エリアの先頭アドレスをシーケンシャル動作の先頭アドレスとする場合に有利となる。
【００１１】
（３）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターは、初期化後の前記書き込み可能エリアを初期化前に前記書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリア内に設定する前記新たな先頭アドレス情報が再設定されても良い。
【００１２】
こうすると、書き込み可能エリアが初期化前後で重複されず、不揮発性メモリー内の各エリアでの書き換え回数がより平均化される。
【００１３】
（４）本発明の一態様では、前記メモリー制御回路は、前記メモリーにアクセスするアクセス回路をさらに有し、前記アクセス回路は、前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込むことができる。
【００１４】
このように、新たな先頭アドレス情報を参照することで、初期化前に書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリアに新たな情報を書き込むことができる。
【００１５】
（５）本発明の一態様では、前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で同一の値が設定されることができる。
【００１６】
つまり、初期化後には書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化前と同じアドレス情報に書き換えれば良い。この場合でも、初期化前後で書き込み禁止エリアの物理アドレスを変更するには、書き込み禁止エリア設定レジスター及び先頭アドレス設定レジスターの各アドレス情報を論理アドレスとして用いて、不揮発性メモリーの書き込み禁止エリアの物理アドレスを生成すれば良い。例えば、（書き込み禁止エリア設定レジスターのアドレス情報）＋（先頭アドレス設定レジスターのアドレス情報）＝不揮発性メモリーの物理アドレスとすることができる。
【００１７】
（６）本発明の一態様では、前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で異なるアドレス情報が設定されてもよい。
【００１８】
この場合には、書き込み禁止エリア設定レジスターのアドレス情報は、メモリーの物理アドレスと一致する。
【００１９】
（７）本発明の一態様では、前記先頭アドレス設定レジスターに記憶された先頭アドレス情報に基づいて、シーケンシャルアドレスを生成するアドレスカウンターをさらに有することができる。
【００２０】
こうすると、シーケンシャルアドレスの先頭アドレスを、書き込み可能エリアの先頭アドレスに一致させることができる。つまり、先頭アドレス設定レジスターを、アドレスカウンターの初期値を先頭アドレスに設定するアドレスカウンター初期値設定レジスターとして使用することができる。
【００２１】
（８）本発明の一態様では、前記書き込み可能エリアの先頭アドレスは、前記書き込み禁止エリアのアドレスよりも上位アドレスに設定され、前記アクセス回路は、前記シーケンシャルアドレスに基づいて前記メモリーを前記書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスし、かつ、前記書き込み禁止エリア設定レジスターの情報に基づいて書き込みを禁止することができる。
【００２２】
こうすると、シーケンシャル動作として、書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスすることができ、また、動作の過程で新たな情報を書き換えるときには、書き込み禁止エリアへの書き込みを禁止できる。
【００２３】
（９）本発明の他の態様は、（１）〜（８）のいずれかに記載の記憶装置を含む基板に関する。こうすると、記憶装置を含む基板を単位として再利用することができる。
【００２４】
（１０）本発明のさらに他の態様は、（１）〜（８）のいずれかに記載の記憶装置を含む液体容器に関する。こうすると、記憶装置を含む液体容器を単位として再利用することができる。
【００２５】
（１１）本発明のさらに他の態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーを再利用可能とするための記憶装置の初期化方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
を有する記憶装置の初期化方法に関する。
【００２６】
本発明方法では、不揮発性メモリーの書き込み禁止エリアを設定する書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化できる。しかも、初期化前に書き込み禁止エリアを設定していたアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出し、読み出されたアドレス情報に基づいて、初期化前に書き込み禁止エリアであったエリアの先頭アドレス情報を先頭アドレス設定レジスターに記憶している。このため、初期化後にも、過去の書き込み可能エリアの先頭アドレスを保持できる。こうして、初期化後に不揮発性メモリーに新たな情報を書き込む際には、過去の書き込み可能エリアの先頭アドレスに基づいて、過去の書き込み可能エリアとは異なるエリアを新たな書き込み可能エリアとして指定することができる。
【００２７】
（１２）本発明のさらに他の態様は、
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーに情報を再記憶する記憶装置の再記憶方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターに、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報を設定する工程と、
前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込む工程と、
を有する記憶装置の再記憶方法に関する。
【００２８】
本発明方法では、上述した初期化のステップの後では、書き込み禁止エリア設定レジスターにて書き込み禁止が解除されるので、不揮発性メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込んで再記憶させることができる。よって、記憶装置を再利用することができる。このとき、先頭アドレス設定レジスターには、初期化前に書き込み可能エリアであったエリアの新たな先頭アドレス情報が保持されている。よって、先頭アドレス設定レジスターの値は、書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化した後に変更される。これにより、書き込み可能エリアを初期化前後で重複させないことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）はプリンター等のホスト装置と記憶装置とを接続したシステムのブロック図であり、図１（Ｂ）は初期化／再書き込みを制御するホスト装置と記憶装置とを接続したシステムのブロック図である。
【図２】記憶装置のブロック図である。
【図３】図２の不揮発性メモリーの書き込み可能／禁止エリアが初期化後にシフトする様子を示す図である。
【図４】書き込み禁止エリア設定レジスターにて初期化及び再設定される書き込み禁止エリアのアドレス情報を示す図である。
【図５】先頭アドレス設定レジスターに設定される書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を示す図である。
【図６】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続されて初期化と再記憶が実施される記憶装置のブロック図である。
【図７】プリンターに搭載される液体容器の概略斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は記憶装置が搭載される基板の正面図、図８（Ｂ）は基板の側面図である。
【図９】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続される記憶装置の初期化動作を示すフローチャートである。
【図１０】図１（Ｂ）に示すホスト装置と接続される記憶装置の再記憶動作を示すフローチャートである。
【図１１】図１（Ａ）に示すホスト装置と接続される記憶装置からのデータ読み出し動作を示す図である。
【図１２】図１（Ａ）に示すホスト装置と接続される記憶装置へのデータ書き込み動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３１】
１．システム構成
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に本実施形態のシステムの構成例を示す。図１（Ａ）に示す実使用時のシステムは、ホスト装置１０、記憶装置２０を含む。ホスト装置１０はインクジェット方式のプリンター本体であり、記憶装置２０はインクカートリッジに設けられた記憶装置である場合を例に説明するが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、ホスト装置１０はメモリーカードのリーダー／ライターであってもよく、記憶装置２０はメモリーカードであってもよい。図１（Ｂ）に示すホスト装置１２は、使用済インクカートリッジが回収され、製造元にて記憶装置２０を初期化して再記憶させるものである。
【００３２】
２．初期化可能な記憶装置の基本構成
図２は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）のホスト装置１０，１２に接続される記憶装置２０を示している。記憶装置２０は、端子を介してホスト装置１０，１２に接続され、ホスト装置１０，１２からの制御に従ったメモリーアクセスや初期化等を行う。具体的には記憶装置２０は、不揮発性メモリー３０と、不揮発性メモリー３０を制御するメモリー制御回路４０とを含んでいる。
【００３３】
不揮発性メモリー３０は、例えばＦＥＲＡＭ（強誘電体メモリー）や、フラッシュメモリー等のＥＥＰＲＯＭにより構成されるが、これらに限定されない。例えば、不揮発性のメモリーセル３０は、ハードディスクドライブ等の磁気ドライブや、ＤＶＤ等の光学ドライブであってもよい。不揮発性メモリー３０は、書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが割り当てられる。
【００３４】
メモリー制御回路４０は、書き込み禁止エリア設定レジスター４１と、先頭アドレス設定レジスター４２と、初期化回路４３と、を含んでいる。書き込み禁止エリア設定レジスター４１及び先頭アドレス設定レジスター４２は、書き換え可能でかつ高速読み出し可能な不揮発性メモリーとすることができる。
【００３５】
書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、不揮発性メモリー３０の書き込み禁止エリア３２を設定するアドレス情報が記憶される。つまり、不揮発性メモリー３０自体は全エリアが書き換え可能であるが、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報に基づいてメモリー制御回路４０による書き込みが禁止される。先頭アドレス設定レジスター４２には、書き込み可能エリア３１の先頭アドレス情報が記憶される。初期化回路４３は、図１（Ｂ）のホスト装置１２からの初期化コマンドに基づいて書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化する。
【００３６】
ここで、書き込み禁止エリア設定レジスター４１、先頭アドレス設定レジスター４２及び初期化回路４３の動作を、図３〜図５を参照して説明する。図３は図２に示す不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１と書き込み禁止エリア３２とが、初期化回数Ｎ（Ｎは０を含む整数）毎にシフトすることが示されている。
【００３７】
図３の例では、初期化回数Ｎ＝０〜２で不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１が重ならないようにシフトしている。初期化回数０〜２に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレスを図３に示す３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃとする。
【００３８】
図４は、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１を設定するアドレス情報を示している。図４では、書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化回路４３により初期化され、初期化後の再設定により初期化回数Ｎ毎にアドレス情報がシフトすることが示されている。
【００３９】
図４は、例えば１バイトのメモリー容量につき１ビットのレジスター素子が用意された書き込み禁止エリア設定レジスター４１を示している。図４に示す「０」は書き込み可能を示し、「１」は書き込み禁止を示す。「０」及び「１」の意味づけを図４とは逆にしても良い。初期化により不揮発性メモリー３０の全エリアに「０」が割り当てられるので、全エリアが書き換え可能となる。図３に示す初期化回数Ｎ＝０〜２後の設定状態では、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１（図３の「０」と対応するエリア）は例えば８バイト（６４ビット）のエリアである。不揮発性メモリー３０の全メモリー容量を例えば６４バイト（５１２ビット）とすると、５６バイトのエリアが書き込み禁止エリア３２となる。
【００４０】
図４において、初期化回数Ｎ＝０では、図３に示す初期化回数Ｎ＝０での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレス（先頭の８バイトエリア）に例えば「０」に設定される。図３に示す初期化回数Ｎ＝０での書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに例えば「１」に設定される。
【００４１】
その後、書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化回路４３により初期化されると、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報はオール０とされる。これにより、不揮発性メモリー３０の全エリアが書き換え可能となり、記憶装置２０を回収後に再利用することが可能となる。
【００４２】
初期化回数Ｎ＝１の初期化後に、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図３に示す初期化回数Ｎ＝１での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレスに「０」が設定され、残りの書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに「１」が設定される。
【００４３】
さらに、初期化回数Ｎ＝２の初期化により、書き込み禁止エリア設定レジスター４１に記憶されるアドレス情報はオール０とされる。初期化回数Ｎ＝２の初期化後に、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図３に示す初期化回数Ｎ＝２での書き込み可能エリア３１に対応するエリア内のアドレスに「０」が設定され、残りの書き込み禁止エリア３２に対応するエリア内のアドレスに「１」が設定される。
【００４４】
図５は、先頭アドレス設定レジスター４２に設定される書き込み可能エリア３１の先頭アドレス情報を示す図である。図３に示す書き込み可能エリア３１の各先頭アドレス３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃは、それぞれ例えば８ビットの先頭アドレス情報として表示することができる。不揮発性メモリー３０の８バイトエリアにつき、先頭アドレスの１ビットが用意されている。
【００４５】
その場合、図３の先頭アドレス３１Ａは、図５に示すように０番アドレス（００００００００）である。先頭アドレス３１Ｂは、先頭アドレス３１Ａから８バイトエリアだけシフトした６４番アドレス（００００１０００）である。先頭アドレス３１Ｃは、先頭アドレス３１Ｂから８バイトエリアだけシフトした１２８番アドレス（０００１００００）である。初期化回数Ｎ＝７で、書き込み可能エリア３１は不揮発性メモリー３０の最終アドレスに指定され、初期化回数Ｎ＝８で書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａは０番アドレスに戻される。このようにして、ブロック単位（例えば８バイトエリア）で書き換え回数を平均化している。
【００４６】
このように、本実施形態では、記憶装置２０が不揮発性メモリー３０と書き込み禁止エリア設定レジスター４１と初期化回路４３とを有し、不揮発性メモリー３０の書き込み禁止エリア３２を設定する書き込み禁止エリア設定レジスター４１を、初期化回路４３により初期化することができる。従って、書き込み禁止エリア設定レジスター４１の初期化後は、図４に示すように全エリアに「０」が割り当てられ、不揮発性メモリー３０に対する書き込み禁止が解除される。よって、図３に示すように初期化１及び初期化２の後に、メモリーの全エリアを利用して新たな情報を書き込むことができる。従って、記憶装置２０を再利用することができる。
【００４７】
このとき、先頭アドレス設定レジスター４２には、図５に示すように、初期化前に書き込み可能エリア３１であったエリアの先頭アドレス情報が保持しておくことができる。よって、先頭アドレス設定レジスター４２の値を参照すれば、書き込み可能エリア３１のアドレス情報を、初期化前後で異なるように変更できる。これに反して、先頭アドレス設定レジスター４２が存在しないと、図４のように書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化して全エリアに「１」を割り付けてしまうと、初期化前に書き込み禁止エリア３２がいずれのエリアに存在したかを認識できなくなるが、本実施形態ではそのようなことがない。特に、先頭アドレス設定レジスター４２の値を参照すれば、図４に示すように書き込み可能エリア３１を初期化前後で重複させないことも可能となる。
【００４８】
また、本実施形態では、先頭アドレス設定レジスター４２は、初期化回路４３により書き込み禁止エリア設定レジスター４１が初期化された後に、初期化前の先頭アドレス情報とは異なる新たな先頭アドレス情報を再設定することができる。つまり、初期化１の後には先頭アドレス３１Ｂのアドレス情報が、初期化２の後には先頭アドレス３１Ｃのアドレス情報が、先頭アドレス設定レジスター４２に更新登録される。このようにすると、初期化毎にシフトする書き込み可能エリア３１の先頭アドレスを指定することができる。特に、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスをシーケンシャル動作の先頭アドレスとする場合に有利となる。
【００４９】
本実施形態では、先頭アドレス設定レジスター４２は、初期化後の書き込み可能エリア３１を初期化前に書き込み禁止エリア３２に割り当てられていたエリア内に設定する新たな先頭アドレス情報が再設定することができる。例えば、初期化１後の書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂは、初期化０後の書き込み可能エリア３１のアドレスである。同様に、初期化２後の書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｃは、初期化１後の書き込み可能エリア３１のアドレスである。こうすると、書き込み可能エリア３１が初期化前後で重複されず、不揮発性メモリー３０内の各エリアでの書き換え回数がより平均化される。
【００５０】
３．ホスト装置とデータ送受信する記憶装置、基板及び液体容器
３．１．記憶装置
図６は、図１（Ａ）に示すホスト装置と接続されて制御され、あるいは図１（Ｂ）に示すホスト装置１２と接続されて初期化と再記憶される記憶装置２０のブロック図である。図６では、記憶装置２０はホスト装置１２と接続される電源端子ＴＶ、グランド端子ＴＧ、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲを有する。電源端子ＴＶ、グランド端子ＴＧ、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲには、それぞれホスト装置１０からの電源電圧ＶＤＤ、グランド電圧ＶＳＳ、システムクロックＳＣＫ、データ信号ＳＤＡ、リセット信号ＸＲＳＴが供給される。
【００５１】
記憶装置２０は、電源端子ＴＶ及びグランド端子ＴＧに接続される電源回路４４を有し、電源回路４４は記憶装置２０内の各部に電源を供給する。記憶装置２０は、クロック端子ＴＫ、データ端子ＴＤ、リセット端子ＴＲに接続されるＩ／Ｏ（入出力）コントローラー４５を有する。記憶装置２０は、リセット信号ＸＲＳＴがアクティブの時に図１（Ａ）に示すホスト装置１０と送受信可能であるが、図１（Ｂ）に示すホスト装置１２と接続さて初期化及び再記憶されると際には、リセット信号ＸＲＳＴは必ずしも必要ではない。記憶装置２０がホスト装置１０，１２と送受信するには、クロック端子ＴＫからのシステムクロック信号ＳＣＫに従って、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータが入力され、データ端子ＴＤを介してデータが出力される。なお、Ｉ／Ｏコントローラー４５はコマンドデコーダーを含んでいる。
【００５２】
ホスト装置１０，１２が不揮発性メモリー３０にデータを読み書きするために、アドレスカウンター４６とアクセス回路４７が設けられている。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０，１２からのクロックに基づいてアドレスを生成することができる。また、アドレスカウンター４６は、不揮発性メモリー３０をシーケンシャルにアクセスする際に使用することができる。アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６にて生成されるアドレスに従って不揮発性メモリー３０にアクセスして、データを読み書きする。
【００５３】
３．２．液体容器
本実施形態の記憶装置２０が設けられた液体容器１００の詳細な構成例について、図７を用いて説明する。なお以下では、図１（Ａ）に示すホスト装置１０がインクジェット方式のプリンターであり、液体容器１００がインクカートリッジであり、基板１１０が、インクカートリッジに設けられた回路基板である場合を例に説明する。但し、本実施形態では、ホスト装置、液体容器、基板は、他の装置、容器、基板であってもよい。例えば、ホスト装置はメモリーカードのリーダー／ライターであってもよく、基板はメモリーカードに設けられた回路基板であってもよい。
【００５４】
図７に示すインクカートリッジ１００（広義には液体容器）の内部には、インクを収容するための図示しないインク室が形成される。また、インクカートリッジ１００には、インク室に連通するインク供給口１２０が設けられる。このインク供給口１２０は、インクカートリッジ１００がプリンター（ホスト装置）１０に装着されたときに、印刷ヘッドユニットにインクを供給するためのものである。
【００５５】
インクカートリッジ１００は、回路基板１１０（広義には基板）を含む。回路基板１１０には、本実施形態の記憶装置２０が設けられ、データの記憶やホスト装置１０とのデータ送受信を行う。回路基板１１０は、例えばプリント基板により実現され、インクカートリッジ１００の表面に設けられる。
【００５６】
３．３．基板
図８（Ａ）、図８（Ｂ）に、本実施形態の記憶装置２０が設けられた回路基板１１０の詳細な構成例を示す。図８（Ａ）に示すように、回路基板１１０の表面（ホスト装置と接続される面）には、上述した端子ＴＶ，ＴＧ，ＴＫ，ＴＲ，ＴＤが設けられる。そして、インクカートリッジ１００がプリンター（ホスト装置）１０または初期化と再記憶のためのホスト装置１２に装着されたときに、それらの端子とホスト装置側の端子が接触（電気的に接続）することで、電源やデータのやり取りが行われる。各端子は、例えば矩形状（略矩形状）に形成された金属端子により実現される。そして、各端子は、回路基板１１０に設けられた図示しない配線パターン層やスルホールを介して、記憶装置２０に接続される。
【００５７】
図８（Ｂ）に示すように、回路基板１１０の裏面（ホスト装置と接続される面の裏側の面）には、本実施形態の記憶装置２０が設けられる。この記憶装置２０には、インク又はインクカートリッジ１００に関連する種々のデータが格納される。格納データには、インクカートリッジ１００を識別するＩＤに加え、製造情報などの書き換え不要な情報と、インク消費量等の書き換えが必要なデータが含まれる。インク消費量のデータは、インクカートリッジ１００内に収容されたインクについて、印刷の実行等に伴い消費されるインク量の累計を示すデータである。このインク消費量のデータは、インクカートリッジ１００内のインク量を示す情報であってもよく、消費したインク量の割合を示す情報であってもよい。
【００５８】
３．４．初期化と再記憶
次に、図９及び図１０示すフローチャートに従って、記憶装置２０の初期化と再記憶の動作について説明する。以下では、図９及び図１０の動作を、図３に示す初期化０の状態の不揮発性メモリー３０から初期化１の状態の不揮発性メモリー３０に再記憶させる例を挙げて説明する。なお、図９が初期化動作を、図１０が初期化後に実施される再記憶動作を示している。
【００５９】
先ず、ホスト装置１２は、図４に示す初期化０の状態の書き込み禁止エリア設定レジスター４１の情報をアドレス０から順次読み出す（Ｓ１）。ホスト装置１２は、読み出された情報のうち「１」を先頭からカウントする（Ｓ２）。図４に示す初期化０の状態の書き込み禁止エリア設定レジスター４１では、先頭アドレスの情報が「０」であるので、カウント値は「０」である。
【００６０】
次に、ホスト装置１２は、カウント値「０」を先頭アドレス設定レジスター４２に書き込む（Ｓ３）。これにより、図５に示すように、初期化０の状態での書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａ（図３参照）のアドレス情報が先頭アドレス設定レジスター４２に書き込まれる。なお、図９に示すステップＳ１からステップＳ３の工程は、図３に示す初期化０の状態で出荷する際に実施されている場合もある。この場合でも、回収後に図９に示すステップＳ１からステップＳ３の工程を実施することで、データの確実性が担保される。
【００６１】
次に、ホスト装置１２は初期化回路４３に初期化コマンドを送出し、初期化回路４３により書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化する（Ｓ４）。これにより、図４に示すように禁止エリア設定レジスター４１は全エリアに「０」が書き込まれる。それにより、不揮発性メモリー３０はその全エリアにデータを書き込むことが可能となる。なお、ステップＳ４の終了後に、不揮発性メモリー３０の内容を消去しても良い。ただし、上書き可能な不揮発性メモリー３０であれば、内容消去は不要である。
【００６２】
初期化が終了すると、記憶装置２０は製造工場に引き渡されて、不揮発性メモリー３０の再記憶動作が実施される。その際記憶動作を、図１０を参照して説明する。なお、本実施形態では、初期化と再記憶はホスト装置１２により行うものとして説明するが、異なるホスト装置を用いることができる。
【００６３】
ホスト装置１２は、図９のステップＳ３にて先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された先頭アドレス情報を、データ端子ＴＤを介して読み出す（Ｓ５）。それにより、ホスト装置１２は、今回の初期化前の状態、つまり図３に示す初期化０の状態での不揮発性メモリー３０における書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ａを取得することができる。
【００６４】
次にホスト装置１２は、ステップＳ５で取得された先頭アドレス３１Ａに、例えば予め決められた書き込み可能エリア３１の容量（例えば８バイト）を加算して、新たな書き込み可能エリア３１の先頭アドレス（図３の初期化１の状態での先頭アドレス３１Ｂに相当）を算出する（Ｓ６）。なお、予め決められた書き込み可能エリア３１の容量（例えば８バイト）は、ホスト装置１２が保持していても良いが、記憶装置２０が書き込み可能エリア３１の容量を設定するレジスターを有していてもよい。後者の場合、ホスト装置１２が記憶装置２０のレジスターから書き込み可能エリア３１の容量を読み出すことで取得する。
【００６５】
なお、ステップＳ６またはそれ以降の工程にて、先頭アドレス設定レジスター４２を書き換えて、新たな書き込み可能エリア３１の先頭アドレス（図３の初期化１の状態での先頭アドレス３１Ｂに相当）を設定しておくことができる。
【００６６】
次に、ホスト装置１２は、回収された記憶装置２０を再利用するために、ステップＳ６で取得された新たな先頭アドレスを参照して、不揮発性メモリー３０に新たな情報を書き込む（Ｓ７）。そのために、図１（Ｂ）に示すホスト装置１２は、記憶装置２０のクロック端子ＴＫを介してシステムクロック信号ＳＣＫを送出し、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータを送出する。このとき、このとき、インクカートリッジ１００でのインク消費量等の書き換えを要するデータは、先頭アドレス１３Ｂ（図３）から開始される８バイトの書き込み可能エリア３１に記憶される。
【００６７】
最後に、ホスト装置１２は、不揮発性メモリー３０に新たに記憶された再記憶データに従って、書き込み禁止エリア設定レジスター４１を再設定することができる。ただし、書き込み禁止エリア設定レジスター４１の情報を論理アドレスとして用いるとき（後述する）は、ステップＳ８の動作は省略できる。書き込み禁止エリア設定レジスター４１を再設定するために、ホスト装置１２は、記憶装置２０のクロック端子ＴＫを介してシステムクロック信号ＳＣＫを送出し、データ端子ＴＤを介してコマンドまたはデータを送出する。それにより、書き込み禁止エリア設定レジスター４１は、図４の初期化直後のオール０の状態から、初期化１の状態に書き換えられる。こうして、記憶装置２０を再利用することができる。
【００６８】
なお、図４に示す初期化１から初期化２の状態に書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化し再設定する動作も、図９及び図１０と同様にして実施される。
【００６９】
３．５．書き込み禁止エリア設定レジスターの物理アドレスと論理アドレス
図１０のステップＳ８を実行すると、書き込み禁止エリア設定レジスター４１には、初期化の前後で異なるアドレス情報が設定される。この場合には、書き込み禁止エリア設定レジスター４１のアドレス情報を、不揮発性メモリー３０の物理アドレスと一致させることができる。
【００７０】
一方、書き込み禁止エリア設定レジスター４１には、初期化の前後で同一の値が設定されても良い。つまり、初期化後には書き込み禁止エリア設定レジスター４１を初期化前と同じアドレス情報に書き換えれば良く、図４の初期化０の状態に戻される。この場合でも、初期化前後で書き込み可能エリア３１の物理アドレスを変更するには、書き込み禁止エリア設定レジスター４１及び先頭アドレス設定レジスター４２の各アドレス情報を論理アドレスとして用い、例えば、（書き込み禁止エリア設定レジスター４１のアドレス情報）＋（先頭アドレス設定レジスター４２のアドレス情報）＝不揮発性メモリー３０の物理アドレスとすることができる。
【００７１】
３．６．記憶装置に対する通常動作での書き込み／読み出し動作
３．６．１ 読み出し動作
図１１は、図１（Ａ）に示すホスト装置（プリンター）１０と接続される記憶装置２０からのデータ読み出し動作を示している。読み出し動作は、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスから順にシーケンシャルに指定して、不揮発性メモリー３０からのデータを順次読み出すことができる。なお、以下の説明は、図３〜図５に示す初期化１の状態の記憶装置２０について説明するが、初期化０，２の場合も同様に実施できる。
【００７２】
また、以下の説明では、図１０のステップＳ６にて、先頭アドレス設定レジスター４２が書き換えられ、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定されているものとする。ただし、図１０のステップＳ６のみが実行された場合、つまり、先頭アドレス設定レジスター４２が書き換えられず、先頭アドレス設定レジスター４２に初期化前の過去の先頭アドレス１３Ａが保存されていても良い。この場合、図１０及び図１２のステップＳ２では、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された先頭アドレス１３Ａに、既知の書き込みエリア３１の容量（８バイト）だけ加算して先頭アドレス１３Ｂを算出し、その先頭アドレス１３Ｂをアドレスカウンター４６の初期値として設定できる。
【００７３】
図１１において、データリードコマンドが入力された後に（Ｓ１）、アドレスカウンター４６の初期値として、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定される（Ｓ２）。
【００７４】
次に、ホスト装置１０からクロックが記憶装置２０に入力される。なお、本実施形態ではホスト装置１０からのクロックが、不揮発性メモリー３０のシーケンシャルアドレス（論理アドレス）を指定している。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに基づいて、初期値である書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂから順に物理アドレスを生成する（Ｓ３）。
【００７５】
アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６から入力されたアドレスを指定し、先ず、書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂからインクカートリッジ１００のＩＤを読み出す（Ｓ４）。ＩＤは書き換え不要ではあるが、ホスト装置１０がインクカートリッジ１００を制御するために最初に取得すべき情報であるので、書き込み可能エリア３１の先頭アドレスに格納されている。
【００７６】
その後、アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに従ってアドレスを更新する（Ｓ５）。更新されたアドレスが読み出しエンドか否かを判断し（Ｓ６）、ステップＳ６がＮＯであれば、ステップＳ４に戻ってデータ読み出しが継続される。その際、ホスト装置１０からのシーケンシャルなアドレス指定に従い、不揮発性メモリー３０の書き込み可能エリア３１のデータが読み出され、その後書き込み禁止エリア３２のデータが読み出される。ステップＳ６の判断がＹＥＳであればデータ読み出しは終了する。
【００７７】
このように、先頭アドレス設定レジスター４２は、アドレスカウンター４６のアドレス初期値設定レジスターとして機能する。このため、記憶装置２０が回収される毎に書き込み可能エリア３１のアドレスがシフトされても、ホスト装置１０は初期化前後にかかわらずシーケンシャルな論理アドレスを指定するだけで済む。
【００７８】
３．６．２．書き込み動作
図１２は、図１（Ａ）に示すホスト装置（プリンター）１０と接続される記憶装置２０へのデータ書き込み動作を示している。書き込み動作は、読み出し動作のようなシーケンシャル動作でなく、ランダムアクセスが可能である。
【００７９】
データライトコマンドが入力された後に（Ｓ１）、アドレスカウンター４６の初期値として、先頭アドレス設定レジスター４２に記憶された、初期化１の状態に対応する書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂが設定される（Ｓ２）。
【００８０】
次に、ホスト装置１０からクロック（論理アドレス）と書き込みデータが記憶装置２０に入力される（Ｓ３）。アドレスカウンター４６は、ホスト装置１０からのクロックに基づいて、初期値である書き込み可能エリア３１の先頭アドレス３１Ｂだけシフトさせて物理アドレスを生成させ、アクセス回路４７に出力する（Ｓ４）。
【００８１】
アクセス回路４７は、アクセス回路４７は、アドレスカウンター４６から入力されたアドレスが、書き込み可能エリア３１内のアドレスであるか否かを判断する（Ｓ５）。このために、アクセス回路４７は、書き込み禁止エリア設定レジスター４１のテーブルを参照し、指定されたアドレスに「０」が記録されているか否かを判断する。指定されたアドレスが書き込み可能エリア３１内であれば、アクセス回路４７は不揮発性メモリー３０の指定アドレスに書き込みデータを書き込む（Ｓ６）。
【００８２】
ステップＳ５の判断がＮＯである場合、またはステップＳ６の動作が終了した場合、書き込み動作が終了したか否かが判断される（Ｓ７）。ステップＳ７での判断がＮＯであればステップＳ３に戻って書き込み動作が継続され、ＹＥＳであれば書き込み動作は終了する。
【００８３】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。またホスト装置、記憶装置等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１０，１２ ホスト装置、２０ 記憶装置、３０ 不揮発性メモリー、３１ 書き込み可能エリア、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 先頭アドレス、３２ 書き込み禁止エリア、
４０ メモリー制御回路、４１ 書き込み禁止エリア設定レジスター、４２ 先頭アドレス設定レジスター、４３ 初期化回路、４４ 電源回路、４５ Ｉ／Ｏコントローラー、４６ アドレスカウンター、４７ アクセス回路、１００ 液体容器（インクカートリッジ）、１１０ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーと、
前記メモリーを制御するメモリー制御回路と、
を有し、
前記メモリー制御回路は、
前記メモリーの前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターと、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスターと、
初期化コマンドに基づいて前記書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路と、
を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記先頭アドレス設定レジスターは、前記初期化回路により前記書き込み禁止エリア設定レジスターが初期化された後に、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報が再設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記先頭アドレス設定レジスターは、初期化後の前記書き込み可能エリアを初期化前に前記書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリア内に設定する前記新たな先頭アドレス情報が再設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記メモリー制御回路は、前記メモリーにアクセスするアクセス回路をさらに有し、
前記アクセス回路は、前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で同一の値が設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で異なる値が設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかにおいて、
前記先頭アドレス設定レジスターに記憶された先頭アドレス情報に基づいて、シーケンシャルアドレスを生成するアドレスカウンターをさらに有することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレスは、前記書き込み禁止エリアのアドレスよりも上位アドレスに設定され、
前記アクセス回路は、前記シーケンシャルアドレスに基づいて前記メモリーを前記書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスし、かつ、前記書き込み禁止エリア設定レジスターの情報に基づいて書き込みが禁止されることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の記憶装置を含むことを特徴とする基板。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の記憶装置を含むことを特徴とする液体容器。
【請求項１１】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーを再利用可能とするための記憶装置の初期化方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
を有することを特徴とする記憶装置の初期化方法。
【請求項１２】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーに情報を再記憶する記憶装置の再記憶方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターに、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報を設定する工程と、
前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込む工程と、
を有することを特徴とする記憶装置の再記憶方法。
【請求項１】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーと、
前記メモリーを制御するメモリー制御回路と、
を有し、
前記メモリー制御回路は、
前記メモリーの前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報が記憶される不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターと、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報が記憶される不揮発性の先頭アドレス設定レジスターと、
初期化コマンドに基づいて前記書き込み禁止エリア設定レジスターを初期化する初期化回路と、
を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記先頭アドレス設定レジスターは、前記初期化回路により前記書き込み禁止エリア設定レジスターが初期化された後に、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報が再設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記先頭アドレス設定レジスターは、初期化後の前記書き込み可能エリアを初期化前に前記書き込み禁止エリアに割り当てられていたエリア内に設定する前記新たな先頭アドレス情報が再設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記メモリー制御回路は、前記メモリーにアクセスするアクセス回路をさらに有し、
前記アクセス回路は、前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込むことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で同一の値が設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターには、初期化の前後で異なる値が設定されることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかにおいて、
前記先頭アドレス設定レジスターに記憶された先頭アドレス情報に基づいて、シーケンシャルアドレスを生成するアドレスカウンターをさらに有することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記書き込み可能エリアの先頭アドレスは、前記書き込み禁止エリアのアドレスよりも上位アドレスに設定され、
前記アクセス回路は、前記シーケンシャルアドレスに基づいて前記メモリーを前記書き込み可能エリア、前記書き込み禁止エリアの順で読み出しアクセスし、かつ、前記書き込み禁止エリア設定レジスターの情報に基づいて書き込みが禁止されることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の記憶装置を含むことを特徴とする基板。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の記憶装置を含むことを特徴とする液体容器。
【請求項１１】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーを再利用可能とするための記憶装置の初期化方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
を有することを特徴とする記憶装置の初期化方法。
【請求項１２】
書き込み可能エリアと書き込み禁止エリアとが割り当てられる不揮発性のメモリーに情報を再記憶する記憶装置の再記憶方法であって、
前記書き込み禁止エリアを設定するアドレス情報を不揮発性の書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出す工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターから読み出されたアドレス情報に基づいて、先頭アドレス情報設定レジスターに、前記書き込み可能エリアの先頭アドレス情報を記憶する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターを書き込み可能な情報に書き換えて初期化する工程と、
前記書き込み禁止エリア設定レジスターに、初期化前とは異なる新たな先頭アドレス情報を設定する工程と、
前記新たな先頭アドレス情報に基づいて、前記メモリーに新たな情報を書き込む工程と、
を有することを特徴とする記憶装置の再記憶方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１９０２２９（Ｐ２０１２−１９０２２９Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５２８２５（Ｐ２０１１−５２８２５）
【出願日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]