記録担体
【課題】バーコードとタグを個別の工程で作製する必要がない非接触型の記録担体を提供する。
【解決手段】データを記憶するメモリと、質問器から非接触で送られてきた信号に従って、メモリからデータを読み出す制御回路と、読み出されたデータをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、コンバータによって変換されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有する。アルゴリズムに従って変換されたデータをメモリに予め記憶しておいても良い。この場合、アルゴリズムに従って変換を行うためのコンバータを設けなくとも良い。
【解決手段】データを記憶するメモリと、質問器から非接触で送られてきた信号に従って、メモリからデータを読み出す制御回路と、読み出されたデータをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、コンバータによって変換されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有する。アルゴリズムに従って変換されたデータをメモリに予め記憶しておいても良い。この場合、アルゴリズムに従って変換を行うためのコンバータを設けなくとも良い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線で信号の授受を行う記録担体に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線で信号の送受信を行い個体の識別をする技術（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）は、様々な分野において実用化が進められており、新しい情報通信の形態としてさらなる市場の拡大が見込まれている。ＲＦＩＤでは主に、リーダ、リーダライタまたはインテロゲータと呼ばれる質問器と、ＲＦタグとの間で、無線で信号の送受信が行われる。ＲＦタグには識別情報が記憶されており、質問器との間において無線で信号の送受信を行うことで、ＲＦタグに記憶されている識別情報を非接触の状態で読み出し、対象の個体の識別を行うことができる。ＲＦタグの形状は、カード状、或いはカードよりもさらに小型のチップ状であることが多いが、用途に合わせて様々な形状を採りうる。
【０００３】
識別情報はＲＦタグに搭載されているメモリに記憶させることができるが、ＲＦタグはそのメモリの種類によって、識別情報の書き換えが不可能なタイプと、識別情報の書き換えが可能なタイプとに分類される。データの書き換えが不可能なタイプのＲＦタグの場合、書き込まれた識別情報は基本的にそのまま保存され続ける。書き換えが可能なタイプのＲＦタグの場合も、一連の利用に際して識別情報の書き換えは行わないのが一般的である。しかし、書き換えが可能なタイプのＲＦタグは、書き換えが不可能なタイプとは異なり、一連の利用が終了した後に識別情報を書き換えることで、再利用することが可能である。
【０００４】
ところで、識別情報などのデータの読み出し時におけるＲＦタグの信頼性は、バーコードと比較すると実用化に適するほど高くないのが現状である。ＲＦタグは読み出されたデータが間違っている、もしくはデータが読み出せないという誤動作は１％程度と言われており、実用化のレベルには達していない。そこで、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合に備えて、ＲＦタグとバーコードを併用することで、ＲＦタグの実用化を実現させる動きがある。下記特許文献１には、ＲＦＩＤ機能を有するバーコード用シールについて記載されている。
【特許文献１】特開２００１−５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バーコードは至近距離での読み取りが必要なので通信距離を短くせざるを得ず、利便さに欠けているが、ＲＦタグとは異なり読み取り時の誤動作がほとんど起こらないというメリットを有する。よって、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合でも、バーコードを併用することでデータをほぼ正確に読み出すことができる。そして、予めバーコードが有するデータとＲＦタグが有する識別情報とを結びつけるためのデータベースを用意しておき、該データベースを用いてバーコードのデータからＲＦタグの識別情報を引き出すことで、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合でも個体の識別を行うことができる。
【０００６】
しかし、バーコードとＲＦタグを併用する場合、それぞれを個別の工程で作製しなくてはならない。また、バーコードが有するデータは、目視で簡単に読み取ることができるため、識別情報を極秘に取り扱いたい場合に、識別情報に結びつく該データを容易に認識できるバーコードを用いることはセキュリティ上好ましくない。
【０００７】
さらに、データを書き換えることができるタイプのＲＦタグの場合、ＲＦタグを再利用する際に記憶されている識別番号の書き換えを行う必要がある。この場合、バーコードが有するデータの書き換えは不可能なので、ＲＦタグに組み合わされているバーコードの付け替えを行わなくてはならず、作業が煩雑である。
【０００８】
本発明は上述した問題に鑑み、バーコードとＲＦタグを個別の工程で作製する必要がない記録担体の提供を課題とする。また本発明は、バーコードを表示するか否かを選択することができる記録担体の提供を課題とする。また本発明は、データの書き換えを行う場合に、バーコードの付け替え作業の煩雑さを解消することができる記録担体の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の記録担体は、リーダ、リーダライタまたはインテロゲータと呼ばれる質問器から無線で送られてきた信号を受信し、該信号に従ってメモリに記憶されたデータを含む信号を無線で質問器に送信することができ、さらにメモリに記憶されたデータを、光学式マーク認識（ＯＭＲ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｒｋ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ）により読み取るためのコードを表示する表示装置を有する。該表示装置を有することで、記録担体に何らかの不具合が生じ、メモリに記憶されたデータを質問器が認識できなくなった場合に、表示装置において表示されたコードから光学的にデータを読み出すことができる。
【００１０】
具体的に本発明の記録担体は、データを記憶するためのメモリと、質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置とを有する。
【００１１】
なおコードは、一次元コード（バーコード）であっても良いし、２次元コードであっても良い。光学的にデータを読み出すことができるのであれば、あらゆる形態のコードを用いることができる。また、質問器との間において無線で信号の送受信を行うためのアンテナ回路を有していても良い。
【００１２】
また本発明の記録担体は、メモリ、制御回路、変調回路、コンバータ、映像信号生成回路などの集積回路と、表示装置とを同じ基板上に形成していても良い。
【００１３】
また本発明では、アルゴリズムに従って変換されたデータをメモリに記憶しておいても良い。この場合、アルゴリズムに従って変換を行うためのコンバータを記録担体内に設けなくとも良い。そして変換前のデータと、変換後のデータを同じメモリ内の別の領域に記憶させておいても良いし、別々のメモリに記憶させておいても良い。
【００１４】
また表示装置は、複数の画素を有する画素部と、映像信号に従って該画素部の駆動を制御するための駆動回路とを有する。各画素には、映像信号に従って少なくとも２値の階調を表示することができる表示素子を有する。そして該表示素子には、例えば電子ペーパー或いはデジタルペーパーと呼ばれる表示装置に用いられているような、電圧の印加により階調を制御することができ、なおかつメモリ性を有する素子を用いることができる。
【００１５】
具体的に表示装置には、非水系電気泳動型の表示素子、２つの電極間の高分子材料中に液晶のドロップレットを分散させたＰＤＬＣ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）方式の表示素子、２つの電極間にカイラルネマチック液晶またはコレステリック液晶を有する表示素子、２つの電極間に帯電した微粒子を有し、該微粒子を電界により粉体中で移動させる粉体移動方式の表示素子などを用いることができる。また非水系電気泳動型の表示素子には、２つの電極間に帯電した微粒子を分散させた分散液を挟み込んだ表示素子、帯電した微粒子を分散させた分散液を、絶縁膜を間に挟んだ２つの電極上に有する表示素子、それぞれ異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボールを、２つの電極間において溶媒中に分散させた表示素子、溶液中に帯電した微粒子が複数分散されているマイクロカプセルを２つの電極間に有する表示素子などが含まれる。
【００１６】
また表示装置に用いることができる表示素子として、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の記録担体は、表示装置を集積回路と同じ基板上に形成し、該表示装置においてコードを表示させることで、従来のようにコードと集積回路を別途形成する必要が無くなる。
【００１８】
また本発明の記録担体は、表示装置においてコードを表示させるか否かを選択することができる。よって、セキュリティレベルを高めたい場合にコードを表示させないでおくなど、従来のバーコード付きＲＦタグに比べて様々な用途が期待できる。
【００１９】
また本発明の記録担体は、メモリにおいてデータの書き換えが行われた場合でも、該データに合わせて表示されるコードを変更することができるので、コードの付け替えの煩雑さを解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２１】
（実施の形態１）
本発明の記録担体の構成について、図１（Ａ）を用いて説明する。図１（Ａ）は本発明の記録担体の一形態を大まかに示すブロック図である。図１（Ａ）において記録担体１００は、データを記憶するためのメモリ１０９と、質問器１２０から無線で送られてきた信号に従って、メモリ１０９からデータを読み出す制御回路１０８と、読み出されたデータをアルゴリズムに従って変換するコンバータ１１３と、コンバータ１１３によって変換されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路１１２と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置１０４とを有している。
【００２２】
図１（Ａ）に示した記録担体１００の、より具体的な構成の一例を図２に示す。図２は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図２において記録担体１００は、アンテナ回路１０１と、集積回路１０２と、蓄電池１０３と、表示装置１０４とを有している。集積回路１０２は、電源回路１０５と、復調回路１０６と、変調回路１０７と、制御回路１０８と、メモリ１０９と、充電回路１１０と、映像信号生成回路１１２と、コンバータ１１３とを有している。また表示装置１０４は、駆動回路１１４と、画素部１１５とを有している。
【００２３】
質問器１２０から無線で信号が送られてくると、アンテナ回路１０１において該信号が受信され、質問器からの命令を含む信号が生成される。復調回路１０６は、アンテナ回路１０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路１０８に出力する。制御回路１０８は復調回路１０６から入力された信号を解析し、質問器１２０から送られてきた命令の内容に従ってメモリ１０９に記憶されているデータを読み出す。なお制御回路１０８は復調回路１０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ１０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００２４】
制御回路１０８において、メモリ１０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路１０７に送られる。変調回路１０７は該信号に従ってアンテナ回路１０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器１２０で受信される。上記一連の動作により、記録担体１００が有するメモリ１０９内のデータを質問器１２０に無線で送ることができる。よって、記録担体１００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００２５】
一方電源回路１０５は、アンテナ回路１０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路１０５において生成された電源用の電圧は、制御回路１０８と、充電回路１１０とに与えられる。なお、アンテナ回路１０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路１０８と、充電回路１１０とに与えるようにしても良い。充電回路１１０は、電源回路１０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池１０３の充電を行う。また電源回路１０５において生成された電源用の電圧は、集積回路１０２内の復調回路１０６、変調回路１０７、制御回路１０８、メモリ１０９、映像信号生成回路１１２またはコンバータ１１３などの各種回路や、表示装置１０４に供給される。
【００２６】
なお蓄電池１０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路１０５を制御するための充電制御回路を、集積回路１０２に設けても良い。また電源回路１０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池１０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００２７】
また、本発明の記録担体１００では、復調回路１０６からの信号に従って、メモリ１０９に記憶されているデータが制御回路１０８により読み出され、コンバータ１１３に送られる。コンバータ１１３は、入力されたデータを定められたアルゴリズムに従って変換することで、コードを表示するための映像信号を生成し、映像信号生成回路１１２に出力する。該アルゴリズムは、メモリ１０９に記憶されていても良いし、別途用意されたメモリに記憶されていても良い。制御回路１０８によってメモリから読み出されたアルゴリズムを用い、コンバータ１１３はデータの変換を行う。映像信号生成回路１１２は、表示装置１０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置１０４に入力する。
【００２８】
表示装置１０４では、入力された映像信号に従って駆動回路１１４が画素部１１５の動作を制御することで、メモリ１０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部１１５に表示させる。画素部１１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００２９】
なお、表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが、互いに異なる複数のコンバータ１１３を設け、表示装置に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。
【００３０】
なお、図２では蓄電池１０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池の代わりに一次電池を用いていても良い。図３は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図２にて既に示したものには、図３でも同じ符号を付す。
【００３１】
図３に示す記録担体１００は、アンテナ回路１０１と、集積回路１０２と、一次電池１１１と、表示装置１０４とを有している。集積回路１０２は、復調回路１０６と、変調回路１０７と、制御回路１０８と、メモリ１０９と、映像信号生成回路１１２と、コンバータ１１３とを有している。また表示装置１０４は、駆動回路１１４と、画素部１１５とを有している。図３に示す記録担体１００では、一次電池１１１から、集積回路１０２内の復調回路１０６、変調回路１０７、制御回路１０８、メモリ１０９、映像信号生成回路１１２またはコンバータ１１３などの各種回路や、表示装置１０４に電源用の電圧が供給される。
【００３２】
また、図２、図３に示す本発明の記録担体１００では、表示装置１０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器１２０からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ１０９が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置１０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００３３】
さらに図２、図３に示す本発明の記録担体１００では、画素部１１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ１０９が壊れてデータが読み出せない、表示装置１０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他、集積回路１０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体１００と質問器１２０の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置１０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００３４】
なお図２、図３に示す記録担体１００と質問器との間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また、変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。さらに、質問器１２０と記録担体１００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００３５】
また、図２、図３に示す記録担体１００では、メモリ１０９は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ１０９に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ１０９として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００３６】
図２、図３では、アンテナ回路１０１を有する記録担体１００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路１０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路１０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路１０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００３７】
また図２、図３では、アンテナ回路１０１を１つだけ有する記録担体１００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００３８】
また図２、図３では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ１０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ１０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００３９】
（実施の形態２）
本発明の記録担体の構成について、図１（Ｂ）を用いて説明する。図１（Ｂ）は本発明の記録担体の一形態を大まかに示すブロック図である。図１（Ｂ）において記録担体２００は、データを記憶するためのメモリ２０９と、メモリ２０９に記憶されているデータをアルゴリズムに従って変換することで得られるデータが記憶されている映像信号用メモリ２１６と、質問器２２０から無線で送られてきた信号に従って、映像信号用メモリ２１６からデータを読み出す制御回路２０８と、読み出されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路２１２と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置２０４とを有している。
【００４０】
図１（Ｂ）に示した記録担体２００の、より具体的な構成の一例を図４に示す。図４は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図４において記録担体２００は、アンテナ回路２０１と、集積回路２０２と、蓄電池２０３と、表示装置２０４とを有している。集積回路２０２は、電源回路２０５と、復調回路２０６と、変調回路２０７と、制御回路２０８と、メモリ２０９と、充電回路２１０と、映像信号生成回路２１２と、映像信号用メモリ２１６とを有している。また表示装置２０４は、駆動回路２１４と、画素部２１５とを有している。
【００４１】
質問器２２０から無線で信号が送られてくると、実施の形態１の場合と同様に、アンテナ回路２０１において該信号が受信され、質問器２２０からの命令を含む信号が生成される。復調回路２０６は、アンテナ回路２０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路２０８に出力する。制御回路２０８は復調回路２０６から入力された信号を解析し、質問器２２０から送られてきた命令の内容に従ってメモリ２０９に記憶されているデータを読み出す。なお、制御回路２０８は復調回路２０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ２０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００４２】
制御回路２０８において、メモリ２０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路２０７に送られる。変調回路２０７は該信号に従ってアンテナ回路２０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器２２０で受信される。上記一連の動作により、記録担体２００が有するメモリ２０９内のデータを質問器２２０に無線で送ることができる。よって、記録担体２００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００４３】
一方電源回路２０５は、アンテナ回路２０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路２０５において生成された電源用の電圧は、制御回路２０８と、充電回路２１０とに与えられる。なお、アンテナ回路２０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路２０８と、充電回路２１０とに与えるようにしても良い。充電回路２１０は、電源回路２０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池２０３の充電を行う。また電源回路２０５において生成された電源用の電圧は、集積回路２０２内の復調回路２０６、変調回路２０７、制御回路２０８、メモリ２０９、映像信号生成回路２１２または映像信号用メモリ２１６などの各種回路や、表示装置２０４に供給される。
【００４４】
なお、蓄電池２０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路２０５を制御するための充電制御回路を、集積回路２０２に設けても良い。また電源回路２０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池２０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００４５】
また本発明の記録担体２００では、定められたアルゴリズムに従ってメモリ２０９に記憶されているデータを変換することで得られる映像信号のデータが、映像信号用メモリ２１６に記憶されている。質問器２２０からの命令に従って映像信号用メモリ２１６に記憶されている該データが制御回路２０８により読み出され、映像信号として映像信号生成回路２１２に出力される。映像信号生成回路２１２は、表示装置２０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置２０４に入力する。
【００４６】
表示装置２０４では、入力された映像信号に従って駆動回路２１４が画素部２１５の動作を制御することで、メモリ２０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部２１５に表示させる。画素部２１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００４７】
なお表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが互いに異なる複数の映像信号のデータを映像信号用メモリ２１６に記憶させておくことで、表示装置に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。この場合、一つの映像信号用メモリ２１６内の異なる領域に上記複数のデータを記憶しておいても良いし、複数の映像信号用メモリ２１６を用いて上記複数のデータを記憶しておいても良い。
【００４８】
また、図４ではメモリ２０９と映像信号用メモリ２１６とを有する記録担体２００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。映像信号用メモリ２１６を設けずに、映像信号用メモリ２１６に記憶するべきデータもメモリ２０９に記憶させることも可能である。
【００４９】
なお、図４では蓄電池２０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池の代わりに一次電池を用いていても良い。図５は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図４にて既に示したものには、図５でも同じ符号を付す。
【００５０】
図５に示す記録担体２００は、アンテナ回路２０１と、集積回路２０２と、一次電池２１１と、表示装置２０４とを有している。集積回路２０２は、復調回路２０６と、変調回路２０７と、制御回路２０８と、メモリ２０９と、映像信号生成回路２１２と、映像信号用メモリ２１６とを有している。また表示装置２０４は、駆動回路２１４と、画素部２１５とを有している。図５に示す記録担体２００では、一次電池２１１から、集積回路２０２内の復調回路２０６、変調回路２０７、制御回路２０８、メモリ２０９、映像信号生成回路２１２または映像信号用メモリ２１６などの各種回路や、表示装置２０４に電源用の電圧が供給される。
【００５１】
また、図４、図５に示す本発明の記録担体２００では、表示装置２０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器２２０からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ２０９及び映像信号用メモリ２１６が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置２０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００５２】
さらに、図４、図５に示す本発明の記録担体２００では、画素部２１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６が壊れてデータが読み出せない、表示装置２０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他集積回路２０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体２００と質問器２２０の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置２０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００５３】
なお、図４、図５に示す記録担体２００と質問器との間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。また質問器２２０と記録担体２００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００５４】
また、図４、図５に示す記録担体２００では、メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ２０９または映像信号用メモリ２１６に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００５５】
図４、図５では、アンテナ回路２０１を有する記録担体２００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路２０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路２０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路２０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００５６】
また図４、図５では、アンテナ回路２０１を１つだけ有する記録担体２００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００５７】
また図４、図５では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ２０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ２０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００５８】
本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することができる。
【００５９】
（実施の形態３）
本発明の記録担体の構成について、図６を用いて説明する。図６は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図６において記録担体３００は、アンテナ回路３０１と、集積回路３０２と、蓄電池３０３と、表示装置３０４と、端子３１７とを有している。集積回路３０２は、電源回路３０５と、復調回路３０６と、変調回路３０７と、制御回路３０８と、メモリ３０９と、充電回路３１０と、映像信号生成回路３１２と、コンバータ３１３と、インターフェース３１８とを有している。また表示装置３０４は、駆動回路３１４と、画素部３１５とを有している。
【００６０】
質問器から無線で信号が送られてくると、実施の形態１と同様に、アンテナ回路３０１において該信号が受信され、質問器からの命令を含む信号が生成される。復調回路３０６は、アンテナ回路３０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路３０８に出力する。制御回路３０８は復調回路３０６から入力された信号を解析し、質問器から送られてきた命令の内容に従ってメモリ３０９に記憶されているデータを読み出す。なお制御回路３０８は復調回路３０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ３０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００６１】
制御回路３０８において、メモリ３０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路３０７に送られる。変調回路３０７は該信号に従ってアンテナ回路３０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器で受信される。上記一連の動作により、記録担体３００からメモリ３０９内のデータを質問器に無線で送ることができる。よって、記録担体３００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００６２】
また本実施の形態の記録担体３００は、端子３１７を用いて直接質問器と接続することもできる。端子３１７から信号が入力されると、該信号はインターフェース３１８において、電圧の振幅の調整、波形の整形などの信号処理が施され、集積回路３０２内の各種回路や表示装置３０４などに入力される。また、集積回路３０２からインターフェース３１８及び端子３１７を介して、質問器へ出力用の信号を送ることもできる。端子３１７とインターフェース３１８を設けることで、無線での信号の送受信が不可能な場合でも、質問器と通信を行うことができる。
【００６３】
一方電源回路３０５は、アンテナ回路３０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路３０５において生成された電源用の電圧は、制御回路３０８と、充電回路３１０とに与えられる。なお、アンテナ回路３０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路３０８と、充電回路３１０とに与えるようにしても良い。充電回路３１０は、電源回路３０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池３０３の充電を行う。また電源回路３０５において生成された電源用の電圧は、集積回路３０２内の復調回路３０６、変調回路３０７、制御回路３０８、メモリ３０９、映像信号生成回路３１２、コンバータ３１３またはインターフェース３１８などの各種回路や、表示装置３０４に供給される。
【００６４】
なお、蓄電池３０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路３０５を制御するための充電制御回路を、集積回路３０２に設けても良い。また、電源回路３０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池３０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００６５】
なお本実施の形態では、端子３１７及びインターフェース３１８を介して、電源回路３０５や表示装置３０４に直接電源用の電圧を供給することができる。よって、無線で電力の供給が不可能な場合でも、記録担体３００への電力の供給を行うことができる。
【００６６】
また本発明の記録担体３００では、復調回路３０６からの信号に従って、メモリ３０９に記憶されているデータが制御回路３０８により読み出され、コンバータ３１３に送られる。コンバータ３１３は、入力されたデータを定められたアルゴリズムに従って変換することで、コードを表示するための映像信号を生成し、映像信号生成回路３１２に出力する。該アルゴリズムは、メモリ３０９に記憶されていても良いし、別途用意されたメモリに記憶されていても良い。制御回路３０８によってメモリ３０９から読み出されたアルゴリズムを用い、コンバータ３１３はデータの変換を行う。またアルゴリズムを端子３１７から記録担体３００に入力するようにしても良い。映像信号生成回路３１２は、表示装置３０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置３０４に入力する。
【００６７】
表示装置３０４では、入力された映像信号に従って駆動回路３１４が画素部３１５の動作を制御することで、メモリ３０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部３１５に表示させる。画素部３１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００６８】
また表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが互いに異なる複数のコンバータ３１３を設け、表示装置３０４に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。
【００６９】
なお、図６では蓄電池３０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池３０３の代わりに一次電池を用いていても良い。図７は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図６にて既に示したものには、図７でも同じ符号を付す。
【００７０】
図７に示す記録担体３００は、アンテナ回路３０１と、集積回路３０２と、一次電池３１１と、表示装置３０４と端子３１７を有している。集積回路３０２は、復調回路３０６と、変調回路３０７と、制御回路３０８と、メモリ３０９と、映像信号生成回路３１２と、コンバータ３１３と、インターフェース３１８とを有している。また表示装置３０４は、駆動回路３１４と、画素部３１５とを有している。図７に示す記録担体３００では、一次電池３１１から、集積回路３０２内の復調回路３０６、変調回路３０７、制御回路３０８、メモリ３０９、映像信号生成回路３１２、コンバータ３１３またはインターフェース３１８などの各種回路や、表示装置３０４に電源用の電圧が供給される。
【００７１】
また、図６、図７に示す本発明の記録担体３００では、表示装置３０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ３０９が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置３０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００７２】
さらに、図６、図７に示す本発明の記録担体３００では、画素部３１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ３０９が壊れてデータが読み出せない、表示装置３０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他集積回路３０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体３００と質問器の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置３０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００７３】
なお、図６、図７に示す記録担体３００と質問器の間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。また質問器と記録担体３００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００７４】
また図６、図７に示す記録担体３００では、メモリ３０９は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ３０９に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ３０９として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００７５】
図６、図７では、アンテナ回路３０１を有する記録担体３００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路３０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路３０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路３０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００７６】
また図６、図７では、アンテナ回路３０１を１つだけ有する記録担体３００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００７７】
また図６、図７では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ３０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ３０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００７８】
本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することができる。
【実施例１】
【００７９】
本実施例では、本発明の記録担体の外観と、その内部の具体的な構成について説明する。
【００８０】
図８（Ａ）に、本発明の記録担体の斜視図を一例として示す。図８（Ａ）に示す記録担体は、アンテナ回路４０１と、集積回路４０２と、表示装置４０３とを有している。図８（Ａ）では、表示装置４０３の画素部に一次元コード４０４を表示している例を示す。
【００８１】
また図８（Ｂ）に、図８（Ａ）で示した記録担体において、基板４０５からカバー材４０６を取り外した様子を示す。基板４０５上にはアンテナ回路４０１及び集積回路４０２が設けられており、アンテナ回路４０１及び集積回路４０２は基板４０５とカバー材４０６の間に挟まれている。また表示装置４０３は、アンテナ回路４０１及び集積回路４０２と共に基板４０５上に設けられている。
【００８２】
記録担体は、アンテナ回路４０１が集積回路４０２と共に基板４０５上に形成されていても良いし、基板４０５上に形成された集積回路４０２に別途用意したアンテナ回路４０１が接続されていても良い。また表示装置４０３は、集積回路４０２と共に基板４０５上に形成することができる。
【００８３】
なお図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示した記録担体では、カバー材４０６は、表示装置４０３と重なる領域において開口部４０７を有している。表示装置４０３を開口部４０７において露出した状態とすることで、表示装置４０３に表示されるコードをスキャナで読み取ることができる。なおカバー材４０６は必ずしも開口部４０７を有する必要はない。例えばカバー材４０６が、少なくとも表示装置４０３と重なる領域において透光性を有するならば、表示装置４０３全体がカバー材４０６で覆われていても、表示装置４０３に表示されるコードをスキャナで読み取ることができる。
【００８４】
なお、アンテナ回路４０１が有するアンテナの形状は、本実施例で示したダイポールアンテナに限定されない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナの他に、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００８５】
本実施例は、上記実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例２】
【００８６】
本実施例では、本発明の記録担体が有するパッシブマトリクス型表示装置のより具体的な構成について、一例を挙げて説明する。
【００８７】
図９（Ａ）に、本発明の記録担体が有する表示装置の画素部５００と、第１電極駆動回路５０１と、第２電極駆動回路５０２の上面図を示す。図９（Ａ）では、画素部５００の周辺に第１電極駆動回路５０１と、第２電極駆動回路５０２とが設けられている。画素部５００は複数の画素５０３を有しており、各画素５０３には表示素子が設けられている。また図９（Ｂ）に、各画素５０３に設けられた表示素子の断面図を示す。
【００８８】
表示素子５０７は、第１電極駆動回路５０１によって映像信号の電圧が与えられる第１電極５０４と、第２電極駆動回路５０２によって選択される第２電極５０５と、第１電極５０４及び第２電極５０５によって電圧が印加される表示材料５０６とを有する。
【００８９】
なお本実施例では、第１電極５０４と第２電極５０５の間に表示材料５０６を有する表示素子５０７の構成を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。絶縁膜を間に挟んだ第１電極と第２電極の上に表示材料を有する表示素子であっても良い。ただしこの場合、第２電極、絶縁膜、第１電極、光を反射する絶縁膜、表示材料の順に積層する。そして、表示材料が、第１電極と第２電極のうち第２電極のみと重なる領域と、第１電極と第２電極の両方と重なる領域とが形成されるように、第１電極を部分的に形成し、表示材料は帯電した微粒子を溶媒中に分散したものを用いる。
【００９０】
また図９（Ｂ）では、表示材料５０６として、溶媒５０８と、溶媒５０８中に分散されたツイスティングボール５０９とを用いている。第１電極に印加される映像信号の電圧に従って、異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボール５０９が溶媒５０８中で回転することで、２値の階調の表示を行うことができる。なお本実施例で用いることができる表示材料はこれに限定されない。
【００９１】
なお本実施例では、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を例に挙げて説明したが、本発明で用いられる表示素子はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【００９２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【００９３】
本実施例では、本発明の記録担体が有するアクティブマトリクス型表示装置のより具体的な構成について、一例を挙げて説明する。
【００９４】
図１０（Ａ）に、本発明の記録担体が有する表示装置の画素部６００と、信号線駆動回路６０１と、走査線駆動回路６０２の上面図を示す。図１０（Ａ）では、画素部６００の周辺に信号線駆動回路６０１と、走査線駆動回路６０２とが設けられている。画素部６００は複数の画素６０３を有している。
【００９５】
画素６０３はトランジスタ６１０と、表示素子６０７と、保持容量６１１とを有している。図１０（Ｂ）に、各画素６０３に設けられた表示素子６０７の断面図を示す。表示素子６０７は、第１電極６０４と、第２電極６０５と、第１電極６０４及び第２電極６０５によって電圧が印加される表示材料６０６とを有する。トランジスタ６１０のゲート電極は、走査線駆動回路６０２によって選択される走査線６１２に接続されている。またトランジスタ６１０のソース領域とドレイン領域は、一方が信号線駆動回路６０１から映像信号の電圧が与えられる信号線６１３に、他方が表示素子６０７の第１電極６０４に、直接或いは電気的に接続される。
【００９６】
なお図１０（Ａ）では、表示素子６０７の第１電極６０４と第２電極６０５の間に印加された電圧を保持するために、表示素子６０７と並列に保持容量６１１が接続されているが、表示材料６０６のメモリ性の高さが表示を維持するのに十分な程度に高いのであれば、保持容量６１１を必ずしも設ける必要はない。
【００９７】
なお本実施例では、第１電極６０４と第２電極６０５の間に表示材料６０６を有する表示素子６０７の構成を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。絶縁膜を間に挟んだ第１電極と第２電極の上に表示材料を有する表示素子であっても良い。ただしこの場合、第２電極、絶縁膜、第１電極、光を反射する絶縁膜、表示材料の順に積層する。そして、表示材料が、第１電極と第２電極のうち第２電極のみと重なる領域と、第１電極と第２電極の両方と重なる領域とが形成されるように、第１電極を部分的に形成し、表示材料は帯電した微粒子を溶媒中に分散したものを用いる。
【００９８】
また図１０（Ｂ）では、表示材料６０６として、溶媒６０８と、溶媒６０８中に分散されたツイスティングボール６０９とを用いている。第１電極６０４に印加される映像信号の電圧に従って、異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボール６０９が溶媒６０８中で回転することで、２値の階調の表示を行うことができる。なお本実施例で用いることができる表示材料はこれに限定されない。
【００９９】
またトランジスタ６１０の形状は図１０（Ｂ）に示した形態に限定されない。例えばトランジスタ６１０として、ゲート電極が基板と活性層の間に設けられたボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。
【０１００】
なお本実施例では、各画素にスイッチング素子として機能するトランジスタを一つ設けたアクティブマトリクス型の画素部の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素に設けるトランジスタの数は複数であっても良いし、トランジスタ以外に容量、抵抗、コイルなどの素子が電気的に接続されていても良い。
【０１０１】
なお本実施例では、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を例に挙げて説明したが、本発明で用いられる表示素子はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【０１０２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例４】
【０１０３】
本実施例では、画素部に表示されるシンボルの種類と、画素部の構成について説明する。
【０１０４】
図１１（Ａ）に、一次元コードを表示している画素部１８０１の様子を示す。一次元コードは、情報の表示を行うためのシンボル１８０２と、シンボル１８０２の左右に設けられるマージン１８０３とを有している。シンボル１８０２は、一次元コードが有する情報や、一次元コードの規格により異なるが、基本的には複数のバーとスペースが順に並んだ構成を有している。また図１１（Ａ）に示すように、バーとスペースが並んでいる領域の下に、数字が表示されていても良い。
【０１０５】
マージン１８０３は一次元コードを読み取るために設けられている余白の領域である。マージン１８０３は、規格により異なるが、シンボル１８０２が有するバーのうち、最も細いバーの幅の１０倍以上、左右にそれぞれ設けるのが望ましい。画素部１８０１に表示される一次元コードのマージン１８０３の幅が固定されている場合、画素部１８０１のうち、予めマージン１８０３として用いる領域に画素を配置しないでおくことも可能である。
【０１０６】
図１１（Ｂ）に、マージン１８０３の幅が予め固定されている一次元コードを表示する場合において、画素部１８０１において画素が配置される領域（画素配置領域）１８０４を示す。画素配置領域１８０４にはシンボル１８０２を表示することができる。そして画素配置領域１８０４は、一対のマージン１８０３の間に配置されている。
【０１０７】
なお図１１（Ｂ）では、マージン１８０３となる領域に敢えて画素を配置せず、シンボル１８０２を表示する領域にのみ画素を配置する例について示しているが、本発明はこの構成に限定されない。マージン１８０３となる領域にも画素を配置し、映像信号によりマージン１８０３となる領域を形成するようにしても良い。
【０１０８】
次に図１２（Ａ）に、二次元コードを表示している画素部９０１の様子を示す。二次元コードは、情報の表示を行うためのシンボル９０２と、シンボル９０２の上下左右に設けられるマージン９０３とを有している。シンボル９０２は、二次元コードが有する情報や、二次元コードの規格により異なるが、基本的には複数のセルとスペースが配置された構成を有している。また図１２（Ａ）に示すように、シンボル９０２の配置されている方向に関わらずデータの読み出しが可能になるように、シンボル９０２内に切り出しシンボル９０５が表示されていても良い。
【０１０９】
マージン９０３は二次元コードを読み取るために設けられている余白の領域である。マージン９０３は、規格により異なるが、シンボル９０２が有するセルの幅の４倍以上、左右上下にそれぞれ設けるのが望ましい。画素部９０１に表示される二次元コードのマージン９０３の幅が固定されている場合、画素部９０１のうち、予めマージン９０３として用いる領域に画素を配置しないでおくことも可能である。
【０１１０】
図１２（Ｂ）に、マージン９０３の幅が予め固定されている二次元コードを表示する場合において、画素部９０１において画素が配置される領域（画素配置領域）９０４を示す。画素配置領域９０４にはシンボル９０２を表示することができる。そして画素配置領域９０４は、上下左右、マージン９０３に囲まれている。
【０１１１】
なお図１２（Ｂ）では、マージン９０３となる領域に敢えて画素を配置せず、シンボル９０２を表示する領域にのみ画素を配置する例について示しているが、本発明はこの構成に限定されない。マージン９０３となる領域にも画素を配置し、映像信号によりマージン９０３となる領域を形成するようにしても良い。
【０１１２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１１３】
次に、本発明の記録担体の作製方法について詳しく述べる。なお本実施例では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を半導体素子の一例として示すが、本発明の記録担体に用いられる半導体素子はこれに限定されない。例えばＴＦＴの他に、記憶素子、ダイオード、抵抗、容量、インダクタなどを用いることができる。
【０１１４】
まず図１３（Ａ）に示すように、耐熱性を有する基板７００上に、絶縁膜７０１、剥離層７０２、絶縁膜７０３と、半導体膜７０４とを順に形成する。絶縁膜７０１、剥離層７０２、絶縁膜７０３及び半導体膜７０４は連続して形成することが可能である。
【０１１５】
基板７００として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレス基板を含む金属基板、またはシリコン基板等の半導体基板を用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【０１１６】
プラスチック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【０１１７】
なお本実施例では、剥離層７０２を基板７００上の全面に設けているが本発明はこの構成に限定されない。例えばフォトリソグラフィ法などを用いて、基板７００上において剥離層７０２を部分的に形成する様にしても良い。
【０１１８】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。
【０１１９】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、基板７００中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体膜７０４中に拡散し、ＴＦＴなどの半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。また絶縁膜７０３は、剥離層７０２に含まれる不純物元素が半導体膜７０４中に拡散するのを防ぎ、なおかつ後の半導体素子を剥離する工程において、半導体素子を保護する役目も有している。
【０１２０】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、単数の絶縁膜を用いたものであっても、複数の絶縁膜を積層して用いたものであっても良い。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜、膜厚５０ｎｍの窒化酸化珪素膜、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を順に積層して絶縁膜７０３を形成するが、各膜の材質、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層の酸化窒化珪素膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン系樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法、印刷法などによって形成しても良い。また、中層の窒化酸化珪素膜に代えて、窒化珪素膜（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）を用いてもよい。また、上層の酸化窒化珪素膜に代えて、酸化珪素膜を用いていても良い。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。
【０１２１】
或いは、剥離層７０２に最も近い、絶縁膜７０３の下層を酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜で形成し、中層をシロキサン系樹脂で形成し、上層を酸化珪素膜で形成しても良い。
【０１２２】
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも１種を有していても良い。
【０１２３】
酸化珪素膜は、シランと酸素、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）と酸素等の組み合わせの混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、シランとアンモニアの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜は、代表的には、シランと一酸化二窒素の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。
【０１２４】
剥離層７０２は、金属膜、金属酸化膜、金属膜と金属酸化膜とを積層して形成される膜を用いることができる。金属膜と金属酸化膜は、単層であっても良いし、複数の層が積層されていても良い。また、金属膜や金属酸化膜の他に、金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。剥離層７０２は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。
【０１２５】
剥離層７０２に用いられる金属としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）またはイリジウム（Ｉｒ）等が挙げられる。剥離層７０２は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。
【０１２６】
また剥離層７０２は珪素（Ｓｉ）単体で形成された膜を用いても良いし、珪素（Ｓｉ）を主成分とする化合物で形成された膜を用いても良い。或いは、珪素（Ｓｉ）と上記金属とを含む合金で形成された膜を用いても良い。珪素を含む膜は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【０１２７】
剥離層７０２は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。金属膜と金属酸化膜とが積層された剥離層７０２は、元となる金属膜を形成した後、該金属膜の表面を酸化または窒化させることで形成することができる。具体的には、酸素雰囲気中または一酸化二窒素雰囲気中で元となる金属膜にプラズマ処理を行ったり、酸素雰囲気中または一酸化二窒素雰囲気中で金属膜に加熱処理を行ったりすればよい。また元となる金属膜上に接するように、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜を形成することでも、金属膜の酸化を行うことが出来る。また元となる金属膜上に接するように、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜を形成することで、窒化を行うことが出来る。
【０１２８】
金属膜の酸化または窒化を行うプラズマ処理として、プラズマ密度が１×１０１１ｃｍ−３以上、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３から９×１０１５ｃｍ−３以下であり、マイクロ波（例えば周波数２．４５ＧＨｚ）などの高周波を用いた高密度プラズマ処理を行っても良い。
【０１２９】
なお基となる金属膜の表面を酸化することで、金属膜と金属酸化膜とが積層した剥離層７０２を形成するようにしても良いが、金属膜を形成した後に金属酸化膜を別途形成するようにしても良い。例えば金属としてタングステンを用いる場合、スパッタ法やＣＶＤ法等により元となる金属膜としてタングステン膜を形成した後、該タングステン膜にプラズマ処理を行う。これにより、金属膜に相当するタングステン膜と、該金属膜に接し、なおかつタングステンの酸化物で形成された金属酸化膜とを、形成することができる。
【０１３０】
なおタングステンの酸化物はＷＯＸで表される。Ｘは２以上３以下の範囲内にあり、Ｘが２の場合（ＷＯ２）、Ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ３）となる。タングステンの酸化物を形成するにあたりＸの値に特に制約はなく、エッチングレート等をもとにＸの値を定めれば良い。
【０１３１】
半導体膜７０４は、絶縁膜７０３を形成した後、大気に曝さずに形成することが望ましい。半導体膜７０４の膜厚は２０〜２００ｎｍ（望ましくは４０〜１７０ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ）とする。なお半導体膜７０４は、非晶質半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１３２】
なお半導体膜７０４は、公知の技術により結晶化しても良い。公知の結晶化方法としては、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもできる。また、基板７００として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法、９５０℃程度の高温アニールを用いた結晶化法のうち少なくとも２つ以上を組み合わせた結晶化法を用いても良い。
【０１３３】
例えばレーザ結晶化を用いる場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜７０４の耐性を高めるために、５５０℃、４時間の加熱処理を該半導体膜７０４に対して行なう。そして連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のＹＶＯ４レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力１０Ｗのレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状となるようにレーザ光を成形して、半導体膜７０４に照射する。このときのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度とし、照射する。
【０１３４】
連続発振の気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザなどを用いることが出来る。また連続発振の固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどを用いることが出来る。
【０１３５】
またパルス発振のレーザとして、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いることができる。
【０１３６】
また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を１０ＭＨｚ以上とし、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行なっても良い。パルス発振でレーザ光を半導体膜７０４に照射して半導体膜７０４が溶融してから半導体膜７０４が完全に固化するまでの時間は数十ｎｓｅｃ〜数百ｎｓｅｃと言われている。よって上記周波数を用いることで、半導体膜７０４がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜７０４中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜７０４が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って連続的に成長した単結晶の結晶粒を形成することで、少なくともＴＦＴのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜７０４の形成が可能となる。
【０１３７】
なおレーザ結晶化は、連続発振の基本波のレーザ光と連続発振の高調波のレーザ光とを並行して照射するようにしても良いし、連続発振の基本波のレーザ光とパルス発振の高調波のレーザ光とを並行して照射するようにしても良い。
【０１３８】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【０１３９】
上述したレーザ光の照射により、結晶性がより高められた半導体膜７０４が形成される。なお、予め半導体膜７０４に、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで形成した多結晶半導体を用いるようにしても良い。
【０１４０】
また本実施例では半導体膜７０４を結晶化しているが、結晶化せずに非晶質半導体膜または微結晶半導体膜のまま、後述のプロセスに進んでも良い。非晶質半導体、微結晶半導体を用いたＴＦＴは、多結晶半導体を用いたＴＦＴよりも作製工程が少ない分、コストを抑え、歩留まりを高くすることができるというメリットを有している。
【０１４１】
非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。
【０１４２】
次に半導体膜７０４に対して、ｐ型を付与する不純物元素又はｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープを行う。チャネルドープは半導体膜７０４全体に対して行っても良いし、半導体膜７０４の一部に対して選択的に行っても良い。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を用い、当該ボロンが１×１０１６〜５×１０１７／ｃｍ３の濃度で含まれるよう添加する。
【０１４３】
次に図１３（Ｂ）に示すように、半導体膜７０４を所定の形状に加工（パターニング）し、島状の半導体膜７０５〜７０８を形成する。そして、島状の半導体膜７０５〜７０８を覆うように、ゲート絶縁膜７０９を形成する。ゲート絶縁膜７０９は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素または酸化窒化珪素を含む膜を、単層で、または積層させて形成することができる。積層する場合には、例えば、基板７００側から酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の３層構造とするのが好ましい。
【０１４４】
ゲート絶縁膜７０９は、高密度プラズマ処理を行うことにより島状の半導体膜７０５〜７０８の表面を酸化または窒化することで形成しても良い。高密度プラズマ処理は、例えばＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスとを用いて行う。この場合プラズマの励起をマイクロ波の導入により行うことで、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度のプラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化または窒化することにより、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に接するように形成される。この５〜１０ｎｍの絶縁膜をゲート絶縁膜７０９として用いる。
【０１４５】
上述した高密度プラズマ処理による半導体膜の酸化または窒化は固相反応で進むため、ゲート絶縁膜と半導体膜の界面準位密度をきわめて低くすることができる。また高密度プラズマ処理により半導体膜を直接酸化または窒化することで、形成される絶縁膜の厚さのばらつきを抑えることが出来る。また半導体膜が結晶性を有する場合、高密度プラズマ処理を用いて半導体膜の表面を固相反応で酸化させることにより、結晶粒界においてのみ酸化が速く進んでしまうのを抑え、均一性が良く、界面準位密度の低いゲート絶縁膜を形成することができる。高密度プラズマ処理により形成された絶縁膜を、ゲート絶縁膜の一部または全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを抑えることができる。
【０１４６】
次に図１３（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜７０９上に導電膜を形成した後、該導電膜を所定の形状に加工（パターニング）することで、島状の半導体膜７０５〜７０８の上方に電極７１０を形成する。本実施例では積層された２つの導電膜をパターニングして電極７１０を形成する。導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。または、半導体膜に導電性を付与するリン等の不純物元素をドーピングした、多結晶珪素などの半導体を用いて形成しても良い。
【０１４７】
本実施例では、１層目の導電膜として窒化タンタル膜またはタンタル（Ｔａ）膜を、２層目の導電膜としてタングステン（Ｗ）膜を用いる。２つの導電膜の組み合わせとして、本実施例で示した例の他に、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜、アルミニウム膜とタンタル膜、アルミニウム膜とチタン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、２層の導電膜を形成した後の工程において、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２つの導電膜の組み合わせとして、例えば、ｎ型を付与する不純物がドーピングされた珪素とニッケルシリサイド、ｎ型を付与する不純物がドーピングされたＳｉとＷＳｉｘ等も用いることが出来る。
【０１４８】
また、本実施例では電極７１０を積層された２つの導電膜で形成しているが、本実施例はこの構成に限定されない。電極７１０は単層の導電膜で形成されていても良いし、３つ以上の導電膜を積層することで形成されていても良い。３つ以上の導電膜を積層する３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【０１４９】
導電膜の形成にはＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることが出来る。本実施例では１層目の導電膜を２０〜１００ｎｍの厚さで形成し、２層目の導電膜を１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。
【０１５０】
なお電極７１０を形成する際に用いるマスクとして、レジストの代わりに酸化珪素、酸化窒化珪素等をマスクとして用いてもよい。この場合、パターニングして酸化珪素、酸化窒化珪素等のマスクを形成する工程が加わるが、エッチング時におけるマスクの膜減りがレジストよりも少ないため、所望の幅を有する電極７１０を形成することができる。またマスクを用いずに、液滴吐出法を用いて選択的に電極７１０を形成しても良い。
【０１５１】
なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出または噴出することで所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。
【０１５２】
次に、電極７１０をマスクとして、島状の半導体膜７０５〜７０８に、ｎ型を付与する不純物元素（代表的にはＰ（リン）またはＡｓ（砒素））を低濃度にドープする（第１のドーピング工程）。第１のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１５〜１×１０１９／ｃｍ３、加速電圧：５０〜７０ｋｅＶとしたが、これに限定されるものではない。この第１のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜７０９を介してドーピングがなされ、島状の半導体膜７０５〜７０８に、低濃度不純物領域７１１がそれぞれ形成される。なお、第１のドーピング工程は、ｐチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０６をマスクで覆って行っても良い。
【０１５３】
次に図１４（Ａ）に示すように、ｎチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０５、７０７、７０８を覆うように、マスク７１２を形成する。そしてマスク７１２に加えて電極７１０をマスクとして用い、島状の半導体膜７０６に、ｐ型を付与する不純物元素（代表的にはＢ（ホウ素））を高濃度にドープする（第２のドーピング工程）。第２のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３、加速電圧：２０〜４０ｋｅＶとして行なう。この第２のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜７０９を介してドーピングがなされ、島状の半導体膜７０６に、ｐ型の高濃度不純物領域７１３が形成される。
【０１５４】
次に図１４（Ｂ）に示すように、マスク７１２をアッシング等により除去した後、ゲート絶縁膜７０９及び電極７１０を覆うように、絶縁膜を形成する。該絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層または積層して形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【０１５５】
そして、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜７０９及び該絶縁膜を部分的にエッチングする。上記異方性エッチングによりゲート絶縁膜７０９が部分的にエッチングされて、島状の半導体膜７０５〜７０８上に部分的に形成されたゲート絶縁膜７１４が形成される。また上記異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜７０９及び電極７１０を覆うように形成された絶縁膜が部分的にエッチングされて、電極７１０の側面に接するサイドウォール７１５が形成される。サイドウォール７１５は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。本実施例ではエッチングガスとしては、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いる。なお、サイドウォール７１５を形成する工程は、これらに限定されるものではない。
【０１５６】
次に図１４（Ｃ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０６を覆うようにマスク７１６を形成する。そして、形成したマスク７１６に加えて電極７１０及びサイドウォール７１５をマスクとして用い、ｎ型を付与する不純物元素（代表的にはＰまたはＡｓ）を島状の半導体膜７０５、７０７、７０８に高濃度にドープする（第３のドーピング工程）。第３のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３、加速電圧：６０〜１００ｋｅＶとして行なう。この第３のドーピング工程によって、島状の半導体膜７０５、７０７、７０８に、ｎ型の高濃度不純物領域７１７が形成される。
【０１５７】
なおサイドウォール７１５は、後に高濃度のｎ型を付与する不純物をドーピングし、サイドウォール７１５の下部に低濃度不純物領域またはノンドープのオフセット領域を形成する際のマスクとして機能するものである。よって、低濃度不純物領域またはオフセット領域の幅を制御するには、サイドウォール７１５を形成する際の異方性エッチングの条件またはサイドウォール７１５を形成するための絶縁膜の膜厚を適宜変更し、サイドウォール７１５のサイズを調整すればよい。なお、半導体膜７０６において、サイドウォール７１５の下部に低濃度不純物領域またはノンドープのオフセット領域を形成しても良い。
【０１５８】
次に、マスク７１６をアッシング等により除去した後、不純物領域の加熱処理による活性化を行っても良い。例えば、５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した後、５５０℃、４時間、窒素雰囲気中において、加熱処理を行なえばよい。
【０１５９】
また、水素を含む窒化珪素膜を、１００ｎｍの膜厚に形成した後、４１０℃、１時間、窒素雰囲気中において加熱処理を行ない、島状の半導体膜７０５〜７０８を水素化する工程を行なっても良い。或いは、水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の加熱処理を行ない、島状の半導体膜７０５〜７０８を水素化する工程を行なっても良い。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを用いることが出来る。加熱処理により、水素化のみならず、半導体膜に添加された不純物元素の活性化も行うことが出来る。また、水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。この水素化の工程により、熱的に励起された水素によりダングリングボンドを終端することができる。
【０１６０】
上述した一連の工程により、ｎチャネル型ＴＦＴ７１８、７２１と、容量７２０と、ｐチャネル型ＴＦＴ７１９とが形成される。なお容量７２０は、電極として機能する島状の半導体膜７０７と、ゲート絶縁膜７１４と、電極７１０とで形成されている。
【０１６１】
次に図１５（Ａ）に示すように、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０を保護するための絶縁膜７２２を形成する。絶縁膜７２２は必ずしも設ける必要はないが、絶縁膜７２２を形成することで、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０へ侵入するのを防ぐことが出来る。具体的に絶縁膜７２２として、窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素などを用いるのが望ましい。本実施例では、膜厚６００ｎｍ程度の酸化窒化珪素膜を、絶縁膜７２２として用いる。この場合、上記水素化の工程は、該酸化窒化珪素膜形成後に行っても良い。
【０１６２】
次に、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０を覆うように、絶縁膜７２２上に絶縁膜７２３を形成する。絶縁膜７２３は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ等を用いることができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜７２３を形成しても良い。
【０１６３】
絶縁膜７２３の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。
【０１６４】
次に島状の半導体膜７０５〜７０８がそれぞれ一部露出するように絶縁膜７２２及び絶縁膜７２３にコンタクトホールを形成する。そして、導電膜７２４と、該コンタクトホールを介して島状の半導体膜７０５〜７０８に接する導電膜７２５〜７３２とを形成する。コンタクトホール開口時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。
【０１６５】
導電膜７２４〜７３２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。具体的に導電膜７２４〜７３２として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。導電膜７２４〜７３２は、上記金属が用いられた膜を単層または複数積層させて形成することが出来る。
【０１６６】
アルミニウムを主成分とする合金の例として、アルミニウムを主成分としニッケルを含むものが挙げられる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方とを含むものも例として挙げることが出来る。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７２４〜７３２を形成する材料として最適である。特にアルミニウムシリコン膜は、導電膜７２４〜７３２をパターニングするとき、レジストベークにおけるヒロックの発生をアルミニウム膜に比べて防止することができる。また、珪素（Ｓｉ）の代わりに、アルミニウム膜に０．５％程度のＣｕを混入させても良い。
【０１６７】
導電膜７２４〜７３２は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデンまたはモリブデンの窒化物を用いて形成された膜である。アルミニウムシリコン膜を間に挟むようにバリア膜を形成すると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生をより防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリア膜を形成すると、島状の半導体膜７０５〜７０８上に薄い酸化膜ができていたとしても、バリア膜に含まれるチタンがこの酸化膜を還元し、導電膜７２５〜７３２と島状の半導体膜７０５〜７０８が良好なコンタクトをとることができる。またバリア膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜７２４〜７３２を下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンの５層構造とすることが出来る。
【０１６８】
なお、導電膜７２５、７２６はｎチャネル型ＴＦＴ７１８の高濃度不純物領域７１７に接続されている。導電膜７２７、７２８はｐチャネル型ＴＦＴ７１９の高濃度不純物領域７１３に接続されている。導電膜７３１、７３２はｎチャネル型ＴＦＴ７２１の高濃度不純物領域７１７に接続されている。導電膜７２９、７３０は容量７２０の高濃度不純物領域７１７に接続されている。
【０１６９】
次に図１５（Ｂ）に示すように、導電膜７２４〜７３２を覆うように絶縁膜７３３を形成し、その後、導電膜７２４、７３２の一部が露出するように、該絶縁膜７３３にコンタクトホールを形成する。そして該コンタクトホールおいて導電膜７２４と接するように導電膜７３４を、また導電膜７３２と接するように導電膜７３５を形成する。導電膜７２４〜７３２に用いることが出来る材料であるならば、導電膜７３４、７３５の材料として使用することが出来る。
【０１７０】
絶縁膜７３３は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む膜などを用いることができる。なおフォトリソグラフィ法で開口部を形成するのに用いるマスクを、液滴吐出法または印刷法で形成することができる。また絶縁膜７３３はその材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、液滴吐出法または印刷法などで形成することが出来る。
【０１７１】
次に図１５（Ｃ）に示すように、導電膜７３４、７３５を覆うように、絶縁膜７３３上に保護層７３６を形成する。保護層７３６は、後に剥離層７０２を境にして基板７００を剥離する際に、絶縁膜７３３、導電膜７３４、７３５を保護することができる材料を用いる。例えば、水またはアルコール類に可溶なエポキシ系、アクリレート系、シリコン系の樹脂を全面に塗布することで保護層７３６を形成することができる。
【０１７２】
本実施例では、スピンコート法で水溶性樹脂（東亜合成製：ＶＬ−ＷＳＨＬ１０）を膜厚３０μｍとなるように塗布し、仮硬化させるために２分間の露光を行ったあと、紫外線を裏面から２．５分、表面から１０分、合計１２．５分の露光を行って本硬化させて、保護層７３６を形成する。なお、複数の有機樹脂を積層する場合、有機樹脂同士では使用している溶媒によって塗布または焼成時に一部溶解する、密着性が高くなりすぎるなどの恐れがある。従って、絶縁膜７３３と保護層７３６を共に同じ溶媒に可溶な有機樹脂を用いる場合、後の工程において保護層７３６の除去がスムーズに行なわれるように、絶縁膜７３３を覆うように、無機絶縁膜（窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、ＡｌＮＸ膜、またはＡｌＮＸＯＹ膜）を形成しておくことが好ましい。
【０１７３】
次に図１５（Ｃ）に示すように、絶縁膜７０３から絶縁膜７３３上に形成された導電膜７３４、７３５までの、ＴＦＴに代表される半導体素子や各種導電膜を含む層（以下、「素子形成層７３８」と記す）と、保護層７３６とを、基板７００から剥離する。本実施例では、第１のシート材７３７を保護層７３６に貼り合わせ、物理的な力を用いて基板７００から素子形成層７３８と、保護層７３６とを剥離する。剥離層７０２は、全て除去せず一部が残存した状態であっても良い。
【０１７４】
また上記剥離は、剥離層７０２のエッチングを用いた方法で行っても良い。この場合、剥離層７０２が一部露出するように溝を形成する。溝は、ダイシング、スクライビング、ＵＶ光を含むレーザ光を用いた加工、フォトリソグラフィ法などにより、溝を形成する。溝は、剥離層７０２が露出する程度の深さを有していれば良い。そしてエッチングガスとしてフッ化ハロゲンを用い、該ガスを溝から導入する。本実施例では、例えばＣｌＦ３（三フッ化塩素）を用い、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：８００Ｐａ、時間：３ｈの条件で行なう。また、ＣｌＦ３ガスに窒素を混ぜたガスを用いても良い。ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンを用いることで、剥離層７０２が選択的にエッチングされ、基板７００を素子形成層７３８から剥離することができる。なおフッ化ハロゲンは、気体であっても液体であってもどちらでも良い。
【０１７５】
次に図１６（Ａ）に示すように、素子形成層７３８の上記剥離により露出した面に、第２のシート材７４４を貼り合わせる。そして、素子形成層７３８及び保護層７３６を第１のシート材７３７から剥離した後、保護層７３６を除去する。
【０１７６】
第２のシート材７４４として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、可撓性を有する紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。または第２のシート材７４４として、フレキシブルな無機材料を用いていても良い。プラスチック基板は、極性基のついたポリノルボルネンからなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【０１７７】
なお基板７００上に複数の記録担体に対応する半導体素子を形成している場合には、素子形成層７３８を記録担体ごとに分断する。分断は、レーザ照射装置、ダイシング装置、スクライブ装置等を用いることができる。
【０１７８】
次に図１６（Ｂ）に示すように、メモリ性を有する表示材料を用いて画素部を形成する。本実施例ではマイクロカプセル７３９を含む表示材料７４５を用いた例を示す。表示材料７４５は、例えば印刷法を用いることで、電極として機能する導電膜７３５上に選択的に塗布することが出来る。そして表示材料７４５を導電膜７３５と導電膜７４０の間に挟むように、導電膜７４０が形成された基板７４１を第２のシート材７４４に貼り合わせる。導電膜７３５に用いることが出来る材料であれば、導電膜７４０の材料として使用することが出来る。
【０１７９】
本実施例ではマイクロカプセル７３９として、青色の溶液中にＴｉを含む白色の微粒子が複数分散されているタイプのものを用いている。このマイクロカプセル７３９に電圧を印加することで、白色の微粒子がマイクロカプセル７３９中で電気泳動し、電圧の極性に応じて白または青の表示を行うことが出来る。
【０１８０】
なお本発明で用いることが出来るマイクロカプセルは、このタイプに限定されない。例えば本発明では、白色及び黒色が半球ずつに分かれ、それぞれの半球が異なる電荷に帯電するような球状のマイクロカプセルを用いていても良い。このタイプのマイクロカプセルを用いる場合、マイクロカプセルが電圧の印加により自由に回転することが出来るよう、表示材料中にマイクロカプセルを浮遊させるための溶媒を設ける。
【０１８１】
次に図１６（Ｂ）に示すように、支持体７４６に形成されたアンテナ７４２を導電膜７３４と電気的に接続させる。アンテナ７４２と導電膜７３４との電気的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ））７４３でアンテナ７４２と導電膜７３４とを圧着させることにより行うことが出来る。異方導電性フィルムの他に、異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ））等を用いて圧着させても良い。また、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０１８２】
なお本実施例では、半導体素子を形成した後に、別途用意したアンテナ７４２を半導体素子に電気的に接続させる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成するようにしても良い。この場合、アンテナとして機能する導電膜を、その一部が導電膜７３４と接するように形成すれば良い。アンテナとして機能する導電膜は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を用いて形成することが出来る。アンテナとして機能する導電膜は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。アンテナとして機能する導電膜は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。
【０１８３】
アンテナとして機能する導電膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、めっき法、フォトリソグラフィ法、蒸着法等を用いて形成することが出来る。
【０１８４】
例えばスクリーン印刷法を用いる場合、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性を有する粒子（導電体粒子）を有機樹脂に分散させた導電性のペーストを、絶縁膜７３３上に選択的に印刷することでアンテナとして機能する導電膜を形成することができる。導電体粒子は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等を用いて形成することが出来る。導電体粒子は上記金属で形成されたものの他に、上記金属を主成分とする合金で形成されていても良いし、上記金属を含む化合物を用いて形成されていても良い。またハロゲン化銀の微粒子または分散性ナノ粒子も用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂として、ポリイミド、シロキサン系樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂等を用いることが出来る。
【０１８５】
上記金属の合金の一例として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の組み合わせが挙げられる。また例えば、銅（Ｃｕ）を銀（Ａｇ）でコートした導電体粒子なども用いることが可能である。
【０１８６】
なおアンテナとして機能する導電膜の形成にあたり、印刷法や液滴吐出法で導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストに、銀を主成分とする導電体粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより、アンテナとして機能する導電膜を形成することができる。焼成は、赤外ランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプなどを用いたランプアニールで行なっても良いし、電気炉を用いたファーネスアニールで行なっても良い。またエキシマレーザや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザーアニール法で行なっても良い。また、半田や鉛フリーの半田を主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。半田や鉛フリーの半田は、低コストであるといった利点を有している。
【０１８７】
印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずともアンテナとして機能する導電膜を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、記録担体の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０１８８】
なお本実施例では素子形成層７３８を基板７００から剥離して利用する例を示しているが、剥離層７０２を設けずに、基板７００上に上述の素子形成層７３８を作製し、記録担体として利用しても良い。
【０１８９】
また本実施例では、全てのＴＦＴ７１８、７１９、７２１と、容量７２０とにおいて、ゲート絶縁膜７１４の膜厚を全て同じにしているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば容量７２０が有するゲート絶縁膜７１４の膜厚と、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１が有するゲート絶縁膜７１４の膜厚とが異なるようにしても良い。或いは、より高速での駆動が要求される回路において、他の回路よりもＴＦＴが有するゲート絶縁膜の膜厚を薄くするようにしても良い。
【０１９０】
なお本実施例では薄膜トランジスタを例に挙げて説明しているが、本発明はこの構成に限定されない。薄膜トランジスタの他に、単結晶シリコンを用いて形成されたトランジスタ、ＳＯＩを用いて形成されたトランジスタなども用いることができる。また、有機半導体を用いたトランジスタであっても良いし、カーボンナノチューブを用いたトランジスタであってもよい。
【０１９１】
本実施例は、上記実施の形態、実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１９２】
本実施例では、単結晶基板に形成された半導体素子上に絶縁膜を形成する、本発明の作製方法について説明する。なお本実施例では半導体素子としてトランジスタを用いた場合を例に挙げて説明するが、単結晶基板に形成される半導体素子はトランジスタに限定されない。
【０１９３】
まず図１７（Ａ）に示すように、半導体基板８００に形成されたトランジスタ８０１及びトランジスタ８０２を覆うように、絶縁膜８０３を形成する。
【０１９４】
半導体基板８００は、例えば、ｎ型またはｐ型の導電型を有する単結晶シリコン基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０１９５】
トランジスタ８０１とトランジスタ８０２は、互いに素子分離用絶縁膜８０４により電気的に分離されている。素子分離用絶縁膜８０４の形成には、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）またはトレンチ分離法等を用いることができる。
【０１９６】
また半導体基板８００にはｐウェル８０５が形成されており、該ｐウェル８０５にトランジスタ８０２が形成されている。なお本実施例ではｎ型の導電型を有する単結晶シリコン基板を半導体基板８００として用い、該半導体基板８００にｐウェル８０５を形成した例を示している。半導体基板８００に形成されたｐウェル８０５は、ｐ型の導電型を付与する不純物元素を半導体基板８００に選択的に導入することによって形成することができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０１９７】
なお本実施例では、半導体基板８００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、トランジスタ８０１が形成される領域にはｎウェルを形成していない。しかし、ｎ型を付与する不純物元素を導入することにより、トランジスタ８０１が形成される領域にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
【０１９８】
また半導体基板８００としてｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合、該半導体基板にｎ型を付与する不純物元素を選択的に導入し、ｎウェルを形成すれば良い。そして該ｎウェルにトランジスタ８０１を形成することができる。
【０１９９】
トランジスタ８０１及びトランジスタ８０２は、ゲート絶縁膜８０６を有している。本実施例では、半導体基板８００を熱酸化することで形成された酸化珪素膜を、ゲート絶縁膜８０６として用いる。また、熱酸化により酸化珪素膜を形成した後、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させて酸窒化珪素膜を形成し、酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された層を、ゲート絶縁膜８０６として用いても良い。また熱酸化ではなく、プラズマ処理を用いてゲート絶縁膜８０６を形成してもよい。例えば、高密度プラズマ処理により半導体基板８００の表面を酸化または窒化することで、ゲート絶縁膜８０６として用いる酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜または窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜を形成することができる。
【０２００】
またトランジスタ８０１及びトランジスタ８０２は、ゲート絶縁膜８０６上に導電膜８０７を有している。本実施例では導電膜８０７が、順に積層された２層の導電膜で形成されている例を示している。導電膜８０７は、単層の導電膜を用いていても良いし、３層以上の導電膜が積層された構造を用いていても良い。
【０２０１】
導電膜８０７として、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等を用いることが出来る。また導電膜８０７は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。または、半導体膜に導電性を付与するリン等の不純物元素をドーピングした、多結晶珪素などの半導体を用いて形成しても良い。本実施例において導電膜８０７は、窒化タンタルを用いた導電膜と、タングステンを用いた導電膜とが積層された構成を有している。
【０２０２】
またトランジスタ８０１は、半導体基板８００にソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域８０９を有する。そして一対の不純物領域８０９の間が、トランジスタ８０１のチャネル形成領域に相当する。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。本実施例では、不純物元素としてボロン（Ｂ）を用いる。
【０２０３】
またトランジスタ８０２は、半導体基板８００のｐウェル８０５にソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域８０８を有する。そして一対の不純物領域８０８の間が、トランジスタ８０２のチャネル形成領域に相当する。不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。本実施例では、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。
【０２０４】
次に絶縁膜８０３にコンタクトホールを形成し、不純物領域８０８、８０９を一部露出させる。次にコンタクトホールを介して不純物領域８０８、８０９と接続する導電膜８１０〜８１３を形成する。導電膜８１０〜８１３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。
【０２０５】
絶縁膜８０３は、無機絶縁膜、有機樹脂膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む膜などを用いることができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。また絶縁膜８０３はその材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、液滴吐出法または印刷法などで形成することが出来る。
【０２０６】
なお本発明の記録担体に用いるトランジスタは、本実施例において図示した構造に限定されるものではない。例えば、逆スタガ構造であっても良い。
【０２０７】
次に図１７（Ｂ）に示すように絶縁膜８１５を形成する。そして絶縁膜８１５をエッチングしコンタクトホールを形成し、導電膜８１０、８１３の一部を露出させる。絶縁膜８１５は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の膜であっても良いが、平坦性の観点から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を用いて、エッチングを用いずにコンタクトホールを形成しても良い。次に絶縁膜８１５上に、コンタクトホールを介して導電膜８１０と接する導電膜８１６、導電膜８１３と接する導電膜８１７を形成する。
【０２０８】
次に導電膜８１６に接するように、絶縁膜８１５上に電極８１８を形成する。図１７（Ｂ）では、光を反射しやすい導電膜を用いて電極８１８を形成し、反射型の液晶素子を作製する例を示すが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極を透明導電膜で形成することで、透過型の液晶素子を形成することができる。なお反射型の液晶素子の場合、電極８１８を敢えて設けず、導電膜８１６の一部を電極として用いることもできる。また液晶素子に限らず、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子なども用いることができる。
【０２０９】
そして、導電膜８１６、電極８１８を覆うように、配向膜８１９を形成し、ラビング処理を施す。配向膜８１９は、表示装置となる領域に、パターニング等により選択的に形成する。
【０２１０】
次に液晶を封止するためのシール材８２０を形成する。一方、透明導電膜を用いた電極８２１と、ラビング処理が施された配向膜８２２とが形成された基板８２３を用意する。そして、シール材８２０で囲まれた領域に液晶８２４を滴下し、別途用意しておいた基板８２３を、電極８２１と電極８１８とが向かい合うように、シール材８２０を用いて貼り合わせる。なおシール材８２０にはフィラーが混入されていても良い。
【０２１１】
なお、カラーフィルタや、ディスクリネーションを防ぐための遮蔽膜（ブラックマトリクス）などが形成されていても良い。また、基板８２３の電極８２１が形成されている面とは逆の面に、偏光板８２５を貼り合わせておく。
【０２１２】
電極８１８または電極８２１に用いられる透明導電膜には、例えば酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などを用いることができる。電極８１８と液晶８２４と電極８２１が重なり合うことで、液晶素子８２６が形成されている。
【０２１３】
上述した液晶の注入は、ディスペンサ式（滴下式）を用いているが、本発明はこれに限定されない。基板８２３を貼り合わせてから液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いていても良い。
【０２１４】
次に、支持体８３０に形成されたアンテナ８３１を導電膜８１７と電気的に接続させる。アンテナ８３１と導電膜８１７との電気的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ））８３２でアンテナ８３１と導電膜８１７とを圧着させることにより行うことが出来る。異方導電性フィルムの他に、異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ））等を用いて圧着させても良い。また、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０２１５】
なお本実施例では、半導体素子を形成した後に、別途用意したアンテナ８３１を半導体素子に電気的に接続させる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成するようにしても良い。この場合、アンテナとして機能する導電膜を、その一部が導電膜８１７と接するように形成すれば良い。アンテナとして機能する導電膜は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を用いて形成することが出来る。アンテナとして機能する導電膜は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。アンテナとして機能する導電膜は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。
【０２１６】
アンテナとして機能する導電膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、めっき法、フォトリソグラフィ法、蒸着法等を用いて形成することが出来る。
【０２１７】
例えばスクリーン印刷法を用いる場合、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性を有する粒子（導電体粒子）を有機樹脂に分散させた導電性のペーストを、絶縁膜７３３上に選択的に印刷することでアンテナとして機能する導電膜を形成することができる。導電体粒子は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等を用いて形成することが出来る。導電体粒子は上記金属で形成されたものの他に、上記金属を主成分とする合金で形成されていても良いし、上記金属を含む化合物を用いて形成されていても良い。またハロゲン化銀の微粒子または分散性ナノ粒子も用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂として、ポリイミド、シロキサン系樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂等を用いることが出来る。
【０２１８】
上記金属の合金の一例として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の組み合わせが挙げられる。また例えば、銅（Ｃｕ）を銀（Ａｇ）でコートした導電体粒子なども用いることが可能である。
【０２１９】
なおアンテナとして機能する導電膜の形成にあたり、印刷法や液滴吐出法で導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストに、銀を主成分とする導電体粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより、アンテナとして機能する導電膜を形成することができる。焼成は、赤外ランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプなどを用いたランプアニールで行なっても良いし、電気炉を用いたファーネスアニールで行なっても良い。またエキシマレーザや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザーアニール法で行なっても良い。また、半田や鉛フリーの半田を主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。半田や鉛フリーの半田は、低コストであるといった利点を有している。
【０２２０】
印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずともアンテナとして機能する導電膜を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、記録担体の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０２２１】
なお、本実施例は、上記実施の形態または実施例と適宜組み合わせて実施することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０２２２】
【図１】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図３】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図４】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図５】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図６】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図７】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図８】本発明の記録担体の構成を示す斜視図
【図９】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図及び断面図。
【図１０】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図及び断面図。
【図１１】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図。
【図１２】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図。
【図１３】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１４】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１５】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１６】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１７】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【符号の説明】
【０２２３】
１００ 記録担体
１０１ アンテナ回路
１０２ 集積回路
１０３ 蓄電池
１０４ 表示装置
１０５ 電源回路
１０６ 復調回路
１０７ 変調回路
１０８ 制御回路
１０９ メモリ
１１０ 充電回路
１１１ 一次電池
１１２ 映像信号生成回路
１１３ コンバータ
１１４ 駆動回路
１１５ 画素部
１２０ 質問器
２００ 記録担体
２０１ アンテナ回路
２０２ 集積回路
２０３ 蓄電池
２０４ 表示装置
２０５ 電源回路
２０６ 復調回路
２０７ 変調回路
２０８ 制御回路
２０９ メモリ
２１０ 充電回路
２１１ 一次電池
２１２ 映像信号生成回路
２１４ 駆動回路
２１５ 画素部
２１６ 映像信号用メモリ
２２０ 質問器
３００ 記録担体
３０１ アンテナ回路
３０２ 集積回路
３０３ 蓄電池
３０４ 表示装置
３０５ 電源回路
３０６ 復調回路
３０７ 変調回路
３０８ 制御回路
３０９ メモリ
３１０ 充電回路
３１１ 一次電池
３１２ 映像信号生成回路
３１３ コンバータ
３１４ 駆動回路
３１５ 画素部
３１７ 端子
３１８ インターフェース
４０１ アンテナ回路
４０２ 集積回路
４０３ 表示装置
４０５ 基板
４０６ カバー材
４０７ 開口部
５００ 画素部
５０１ 第１電極駆動回路
５０２ 第２電極駆動回路
５０３ 画素
５０４ 第１電極
５０５ 第２電極
５０６ 表示材料
５０７ 表示素子
５０８ 溶媒
５０９ ツイスティングボール
６００ 画素部
６０１ 信号線駆動回路
６０２ 走査線駆動回路
６０３ 画素
６０４ 第１電極
６０５ 第２電極
６０６ 表示材料
６０７ 表示素子
６０８ 溶媒
６０９ ツイスティングボール
６１０ トランジスタ
６１１ 保持容量
６１２ 走査線
６１３ 信号線
７００ 基板
７０１ 絶縁膜
７０２ 剥離層
７０３ 絶縁膜
７０４ 半導体膜
７０５ 半導体膜
７０６ 半導体膜
７０９ ゲート絶縁膜
７１０ 電極
７１１ 低濃度不純物領域
７１２ マスク
７１３ 高濃度不純物領域
７１４ ゲート絶縁膜
７１５ サイドウォール
７１６ マスク
７１７ 高濃度不純物領域
７１８ ＴＦＴ
７１８ ＴＦＴ
７１９ ＴＦＴ
７２０ 容量
７２１ ＴＦＴ
７２２ 絶縁膜
７２３ 絶縁膜
７２４ 導電膜
７２５ 導電膜
７２７ 導電膜
７２９ 導電膜
７３１ 導電膜
７３２ 導電膜
７３３ 絶縁膜
７３４ 導電膜
７３５ 導電膜
７３６ 保護層
７３７ シート材
７３８ 素子形成層
７３９ マイクロカプセル
７４０ 導電膜
７４１ 基板
７４２ アンテナ
７４３ 異方導電性フィルム
７４４ シート材
７４５ 表示材料
７４６ 支持体
８００ 半導体基板
８０１ トランジスタ
８０２ トランジスタ
８０３ 絶縁膜
８０４ 素子分離用絶縁膜
８０５ ｐウェル
８０６ ゲート絶縁膜
８０７ 導電膜
８０８ 不純物領域
８０９ 不純物領域
８１０ 導電膜
８１３ 導電膜
８１５ 絶縁膜
８１６ 導電膜
８１７ 導電膜
８１８ 電極
８１９ 配向膜
８２０ シール材
８２１ 電極
８２２ 配向膜
８２３ 基板
８２４ 液晶
８２５ 偏光板
８２６ 液晶素子
８３０ 支持体
８３１ アンテナ
８３２ 異方導電性フィルム
９０１ 画素部
９０２ シンボル
９０３ マージン
９０４ 画素配置領域
９０５ 切り出しシンボル
１８０１ 画素部
１８０２ シンボル
１８０３ マージン
１８０４ 画素配置領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線で信号の授受を行う記録担体に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線で信号の送受信を行い個体の識別をする技術（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）は、様々な分野において実用化が進められており、新しい情報通信の形態としてさらなる市場の拡大が見込まれている。ＲＦＩＤでは主に、リーダ、リーダライタまたはインテロゲータと呼ばれる質問器と、ＲＦタグとの間で、無線で信号の送受信が行われる。ＲＦタグには識別情報が記憶されており、質問器との間において無線で信号の送受信を行うことで、ＲＦタグに記憶されている識別情報を非接触の状態で読み出し、対象の個体の識別を行うことができる。ＲＦタグの形状は、カード状、或いはカードよりもさらに小型のチップ状であることが多いが、用途に合わせて様々な形状を採りうる。
【０００３】
識別情報はＲＦタグに搭載されているメモリに記憶させることができるが、ＲＦタグはそのメモリの種類によって、識別情報の書き換えが不可能なタイプと、識別情報の書き換えが可能なタイプとに分類される。データの書き換えが不可能なタイプのＲＦタグの場合、書き込まれた識別情報は基本的にそのまま保存され続ける。書き換えが可能なタイプのＲＦタグの場合も、一連の利用に際して識別情報の書き換えは行わないのが一般的である。しかし、書き換えが可能なタイプのＲＦタグは、書き換えが不可能なタイプとは異なり、一連の利用が終了した後に識別情報を書き換えることで、再利用することが可能である。
【０００４】
ところで、識別情報などのデータの読み出し時におけるＲＦタグの信頼性は、バーコードと比較すると実用化に適するほど高くないのが現状である。ＲＦタグは読み出されたデータが間違っている、もしくはデータが読み出せないという誤動作は１％程度と言われており、実用化のレベルには達していない。そこで、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合に備えて、ＲＦタグとバーコードを併用することで、ＲＦタグの実用化を実現させる動きがある。下記特許文献１には、ＲＦＩＤ機能を有するバーコード用シールについて記載されている。
【特許文献１】特開２００１−５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バーコードは至近距離での読み取りが必要なので通信距離を短くせざるを得ず、利便さに欠けているが、ＲＦタグとは異なり読み取り時の誤動作がほとんど起こらないというメリットを有する。よって、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合でも、バーコードを併用することでデータをほぼ正確に読み出すことができる。そして、予めバーコードが有するデータとＲＦタグが有する識別情報とを結びつけるためのデータベースを用意しておき、該データベースを用いてバーコードのデータからＲＦタグの識別情報を引き出すことで、ＲＦタグの読み取り時に誤動作が生じた場合でも個体の識別を行うことができる。
【０００６】
しかし、バーコードとＲＦタグを併用する場合、それぞれを個別の工程で作製しなくてはならない。また、バーコードが有するデータは、目視で簡単に読み取ることができるため、識別情報を極秘に取り扱いたい場合に、識別情報に結びつく該データを容易に認識できるバーコードを用いることはセキュリティ上好ましくない。
【０００７】
さらに、データを書き換えることができるタイプのＲＦタグの場合、ＲＦタグを再利用する際に記憶されている識別番号の書き換えを行う必要がある。この場合、バーコードが有するデータの書き換えは不可能なので、ＲＦタグに組み合わされているバーコードの付け替えを行わなくてはならず、作業が煩雑である。
【０００８】
本発明は上述した問題に鑑み、バーコードとＲＦタグを個別の工程で作製する必要がない記録担体の提供を課題とする。また本発明は、バーコードを表示するか否かを選択することができる記録担体の提供を課題とする。また本発明は、データの書き換えを行う場合に、バーコードの付け替え作業の煩雑さを解消することができる記録担体の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の記録担体は、リーダ、リーダライタまたはインテロゲータと呼ばれる質問器から無線で送られてきた信号を受信し、該信号に従ってメモリに記憶されたデータを含む信号を無線で質問器に送信することができ、さらにメモリに記憶されたデータを、光学式マーク認識（ＯＭＲ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｒｋ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ）により読み取るためのコードを表示する表示装置を有する。該表示装置を有することで、記録担体に何らかの不具合が生じ、メモリに記憶されたデータを質問器が認識できなくなった場合に、表示装置において表示されたコードから光学的にデータを読み出すことができる。
【００１０】
具体的に本発明の記録担体は、データを記憶するためのメモリと、質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置とを有する。
【００１１】
なおコードは、一次元コード（バーコード）であっても良いし、２次元コードであっても良い。光学的にデータを読み出すことができるのであれば、あらゆる形態のコードを用いることができる。また、質問器との間において無線で信号の送受信を行うためのアンテナ回路を有していても良い。
【００１２】
また本発明の記録担体は、メモリ、制御回路、変調回路、コンバータ、映像信号生成回路などの集積回路と、表示装置とを同じ基板上に形成していても良い。
【００１３】
また本発明では、アルゴリズムに従って変換されたデータをメモリに記憶しておいても良い。この場合、アルゴリズムに従って変換を行うためのコンバータを記録担体内に設けなくとも良い。そして変換前のデータと、変換後のデータを同じメモリ内の別の領域に記憶させておいても良いし、別々のメモリに記憶させておいても良い。
【００１４】
また表示装置は、複数の画素を有する画素部と、映像信号に従って該画素部の駆動を制御するための駆動回路とを有する。各画素には、映像信号に従って少なくとも２値の階調を表示することができる表示素子を有する。そして該表示素子には、例えば電子ペーパー或いはデジタルペーパーと呼ばれる表示装置に用いられているような、電圧の印加により階調を制御することができ、なおかつメモリ性を有する素子を用いることができる。
【００１５】
具体的に表示装置には、非水系電気泳動型の表示素子、２つの電極間の高分子材料中に液晶のドロップレットを分散させたＰＤＬＣ（ｐｏｌｙｍｅｒ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）方式の表示素子、２つの電極間にカイラルネマチック液晶またはコレステリック液晶を有する表示素子、２つの電極間に帯電した微粒子を有し、該微粒子を電界により粉体中で移動させる粉体移動方式の表示素子などを用いることができる。また非水系電気泳動型の表示素子には、２つの電極間に帯電した微粒子を分散させた分散液を挟み込んだ表示素子、帯電した微粒子を分散させた分散液を、絶縁膜を間に挟んだ２つの電極上に有する表示素子、それぞれ異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボールを、２つの電極間において溶媒中に分散させた表示素子、溶液中に帯電した微粒子が複数分散されているマイクロカプセルを２つの電極間に有する表示素子などが含まれる。
【００１６】
また表示装置に用いることができる表示素子として、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の記録担体は、表示装置を集積回路と同じ基板上に形成し、該表示装置においてコードを表示させることで、従来のようにコードと集積回路を別途形成する必要が無くなる。
【００１８】
また本発明の記録担体は、表示装置においてコードを表示させるか否かを選択することができる。よって、セキュリティレベルを高めたい場合にコードを表示させないでおくなど、従来のバーコード付きＲＦタグに比べて様々な用途が期待できる。
【００１９】
また本発明の記録担体は、メモリにおいてデータの書き換えが行われた場合でも、該データに合わせて表示されるコードを変更することができるので、コードの付け替えの煩雑さを解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２１】
（実施の形態１）
本発明の記録担体の構成について、図１（Ａ）を用いて説明する。図１（Ａ）は本発明の記録担体の一形態を大まかに示すブロック図である。図１（Ａ）において記録担体１００は、データを記憶するためのメモリ１０９と、質問器１２０から無線で送られてきた信号に従って、メモリ１０９からデータを読み出す制御回路１０８と、読み出されたデータをアルゴリズムに従って変換するコンバータ１１３と、コンバータ１１３によって変換されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路１１２と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置１０４とを有している。
【００２２】
図１（Ａ）に示した記録担体１００の、より具体的な構成の一例を図２に示す。図２は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図２において記録担体１００は、アンテナ回路１０１と、集積回路１０２と、蓄電池１０３と、表示装置１０４とを有している。集積回路１０２は、電源回路１０５と、復調回路１０６と、変調回路１０７と、制御回路１０８と、メモリ１０９と、充電回路１１０と、映像信号生成回路１１２と、コンバータ１１３とを有している。また表示装置１０４は、駆動回路１１４と、画素部１１５とを有している。
【００２３】
質問器１２０から無線で信号が送られてくると、アンテナ回路１０１において該信号が受信され、質問器からの命令を含む信号が生成される。復調回路１０６は、アンテナ回路１０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路１０８に出力する。制御回路１０８は復調回路１０６から入力された信号を解析し、質問器１２０から送られてきた命令の内容に従ってメモリ１０９に記憶されているデータを読み出す。なお制御回路１０８は復調回路１０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ１０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００２４】
制御回路１０８において、メモリ１０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路１０７に送られる。変調回路１０７は該信号に従ってアンテナ回路１０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器１２０で受信される。上記一連の動作により、記録担体１００が有するメモリ１０９内のデータを質問器１２０に無線で送ることができる。よって、記録担体１００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００２５】
一方電源回路１０５は、アンテナ回路１０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路１０５において生成された電源用の電圧は、制御回路１０８と、充電回路１１０とに与えられる。なお、アンテナ回路１０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路１０８と、充電回路１１０とに与えるようにしても良い。充電回路１１０は、電源回路１０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池１０３の充電を行う。また電源回路１０５において生成された電源用の電圧は、集積回路１０２内の復調回路１０６、変調回路１０７、制御回路１０８、メモリ１０９、映像信号生成回路１１２またはコンバータ１１３などの各種回路や、表示装置１０４に供給される。
【００２６】
なお蓄電池１０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路１０５を制御するための充電制御回路を、集積回路１０２に設けても良い。また電源回路１０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池１０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００２７】
また、本発明の記録担体１００では、復調回路１０６からの信号に従って、メモリ１０９に記憶されているデータが制御回路１０８により読み出され、コンバータ１１３に送られる。コンバータ１１３は、入力されたデータを定められたアルゴリズムに従って変換することで、コードを表示するための映像信号を生成し、映像信号生成回路１１２に出力する。該アルゴリズムは、メモリ１０９に記憶されていても良いし、別途用意されたメモリに記憶されていても良い。制御回路１０８によってメモリから読み出されたアルゴリズムを用い、コンバータ１１３はデータの変換を行う。映像信号生成回路１１２は、表示装置１０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置１０４に入力する。
【００２８】
表示装置１０４では、入力された映像信号に従って駆動回路１１４が画素部１１５の動作を制御することで、メモリ１０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部１１５に表示させる。画素部１１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００２９】
なお、表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが、互いに異なる複数のコンバータ１１３を設け、表示装置に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。
【００３０】
なお、図２では蓄電池１０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池の代わりに一次電池を用いていても良い。図３は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図２にて既に示したものには、図３でも同じ符号を付す。
【００３１】
図３に示す記録担体１００は、アンテナ回路１０１と、集積回路１０２と、一次電池１１１と、表示装置１０４とを有している。集積回路１０２は、復調回路１０６と、変調回路１０７と、制御回路１０８と、メモリ１０９と、映像信号生成回路１１２と、コンバータ１１３とを有している。また表示装置１０４は、駆動回路１１４と、画素部１１５とを有している。図３に示す記録担体１００では、一次電池１１１から、集積回路１０２内の復調回路１０６、変調回路１０７、制御回路１０８、メモリ１０９、映像信号生成回路１１２またはコンバータ１１３などの各種回路や、表示装置１０４に電源用の電圧が供給される。
【００３２】
また、図２、図３に示す本発明の記録担体１００では、表示装置１０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器１２０からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ１０９が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置１０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００３３】
さらに図２、図３に示す本発明の記録担体１００では、画素部１１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ１０９が壊れてデータが読み出せない、表示装置１０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他、集積回路１０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体１００と質問器１２０の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置１０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００３４】
なお図２、図３に示す記録担体１００と質問器との間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また、変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。さらに、質問器１２０と記録担体１００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００３５】
また、図２、図３に示す記録担体１００では、メモリ１０９は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ１０９に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ１０９として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００３６】
図２、図３では、アンテナ回路１０１を有する記録担体１００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路１０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路１０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路１０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００３７】
また図２、図３では、アンテナ回路１０１を１つだけ有する記録担体１００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００３８】
また図２、図３では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ１０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ１０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００３９】
（実施の形態２）
本発明の記録担体の構成について、図１（Ｂ）を用いて説明する。図１（Ｂ）は本発明の記録担体の一形態を大まかに示すブロック図である。図１（Ｂ）において記録担体２００は、データを記憶するためのメモリ２０９と、メモリ２０９に記憶されているデータをアルゴリズムに従って変換することで得られるデータが記憶されている映像信号用メモリ２１６と、質問器２２０から無線で送られてきた信号に従って、映像信号用メモリ２１６からデータを読み出す制御回路２０８と、読み出されたデータを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路２１２と、映像信号を用いてコードを表示する表示装置２０４とを有している。
【００４０】
図１（Ｂ）に示した記録担体２００の、より具体的な構成の一例を図４に示す。図４は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図４において記録担体２００は、アンテナ回路２０１と、集積回路２０２と、蓄電池２０３と、表示装置２０４とを有している。集積回路２０２は、電源回路２０５と、復調回路２０６と、変調回路２０７と、制御回路２０８と、メモリ２０９と、充電回路２１０と、映像信号生成回路２１２と、映像信号用メモリ２１６とを有している。また表示装置２０４は、駆動回路２１４と、画素部２１５とを有している。
【００４１】
質問器２２０から無線で信号が送られてくると、実施の形態１の場合と同様に、アンテナ回路２０１において該信号が受信され、質問器２２０からの命令を含む信号が生成される。復調回路２０６は、アンテナ回路２０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路２０８に出力する。制御回路２０８は復調回路２０６から入力された信号を解析し、質問器２２０から送られてきた命令の内容に従ってメモリ２０９に記憶されているデータを読み出す。なお、制御回路２０８は復調回路２０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ２０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００４２】
制御回路２０８において、メモリ２０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路２０７に送られる。変調回路２０７は該信号に従ってアンテナ回路２０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器２２０で受信される。上記一連の動作により、記録担体２００が有するメモリ２０９内のデータを質問器２２０に無線で送ることができる。よって、記録担体２００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００４３】
一方電源回路２０５は、アンテナ回路２０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路２０５において生成された電源用の電圧は、制御回路２０８と、充電回路２１０とに与えられる。なお、アンテナ回路２０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路２０８と、充電回路２１０とに与えるようにしても良い。充電回路２１０は、電源回路２０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池２０３の充電を行う。また電源回路２０５において生成された電源用の電圧は、集積回路２０２内の復調回路２０６、変調回路２０７、制御回路２０８、メモリ２０９、映像信号生成回路２１２または映像信号用メモリ２１６などの各種回路や、表示装置２０４に供給される。
【００４４】
なお、蓄電池２０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路２０５を制御するための充電制御回路を、集積回路２０２に設けても良い。また電源回路２０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池２０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００４５】
また本発明の記録担体２００では、定められたアルゴリズムに従ってメモリ２０９に記憶されているデータを変換することで得られる映像信号のデータが、映像信号用メモリ２１６に記憶されている。質問器２２０からの命令に従って映像信号用メモリ２１６に記憶されている該データが制御回路２０８により読み出され、映像信号として映像信号生成回路２１２に出力される。映像信号生成回路２１２は、表示装置２０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置２０４に入力する。
【００４６】
表示装置２０４では、入力された映像信号に従って駆動回路２１４が画素部２１５の動作を制御することで、メモリ２０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部２１５に表示させる。画素部２１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００４７】
なお表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが互いに異なる複数の映像信号のデータを映像信号用メモリ２１６に記憶させておくことで、表示装置に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。この場合、一つの映像信号用メモリ２１６内の異なる領域に上記複数のデータを記憶しておいても良いし、複数の映像信号用メモリ２１６を用いて上記複数のデータを記憶しておいても良い。
【００４８】
また、図４ではメモリ２０９と映像信号用メモリ２１６とを有する記録担体２００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。映像信号用メモリ２１６を設けずに、映像信号用メモリ２１６に記憶するべきデータもメモリ２０９に記憶させることも可能である。
【００４９】
なお、図４では蓄電池２０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池の代わりに一次電池を用いていても良い。図５は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図４にて既に示したものには、図５でも同じ符号を付す。
【００５０】
図５に示す記録担体２００は、アンテナ回路２０１と、集積回路２０２と、一次電池２１１と、表示装置２０４とを有している。集積回路２０２は、復調回路２０６と、変調回路２０７と、制御回路２０８と、メモリ２０９と、映像信号生成回路２１２と、映像信号用メモリ２１６とを有している。また表示装置２０４は、駆動回路２１４と、画素部２１５とを有している。図５に示す記録担体２００では、一次電池２１１から、集積回路２０２内の復調回路２０６、変調回路２０７、制御回路２０８、メモリ２０９、映像信号生成回路２１２または映像信号用メモリ２１６などの各種回路や、表示装置２０４に電源用の電圧が供給される。
【００５１】
また、図４、図５に示す本発明の記録担体２００では、表示装置２０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器２２０からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ２０９及び映像信号用メモリ２１６が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置２０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００５２】
さらに、図４、図５に示す本発明の記録担体２００では、画素部２１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６が壊れてデータが読み出せない、表示装置２０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他集積回路２０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体２００と質問器２２０の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置２０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００５３】
なお、図４、図５に示す記録担体２００と質問器との間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。また質問器２２０と記録担体２００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００５４】
また、図４、図５に示す記録担体２００では、メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ２０９または映像信号用メモリ２１６に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ２０９または映像信号用メモリ２１６として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００５５】
図４、図５では、アンテナ回路２０１を有する記録担体２００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路２０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路２０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路２０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００５６】
また図４、図５では、アンテナ回路２０１を１つだけ有する記録担体２００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００５７】
また図４、図５では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ２０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ２０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００５８】
本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することができる。
【００５９】
（実施の形態３）
本発明の記録担体の構成について、図６を用いて説明する。図６は本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図６において記録担体３００は、アンテナ回路３０１と、集積回路３０２と、蓄電池３０３と、表示装置３０４と、端子３１７とを有している。集積回路３０２は、電源回路３０５と、復調回路３０６と、変調回路３０７と、制御回路３０８と、メモリ３０９と、充電回路３１０と、映像信号生成回路３１２と、コンバータ３１３と、インターフェース３１８とを有している。また表示装置３０４は、駆動回路３１４と、画素部３１５とを有している。
【００６０】
質問器から無線で信号が送られてくると、実施の形態１と同様に、アンテナ回路３０１において該信号が受信され、質問器からの命令を含む信号が生成される。復調回路３０６は、アンテナ回路３０１において生成された信号を復調して、後段の制御回路３０８に出力する。制御回路３０８は復調回路３０６から入力された信号を解析し、質問器から送られてきた命令の内容に従ってメモリ３０９に記憶されているデータを読み出す。なお制御回路３０８は復調回路３０６から入力される信号に従って演算処理を行うこともできる。上記演算処理を行う際に、メモリ３０９の領域の一部もしくは別途設けたメモリを一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることができる。
【００６１】
制御回路３０８において、メモリ３０９から読み出されたデータを含む出力用の信号が符号化され、変調回路３０７に送られる。変調回路３０７は該信号に従ってアンテナ回路３０１が受信している無線の信号を変調する。変調された無線の信号は質問器で受信される。上記一連の動作により、記録担体３００からメモリ３０９内のデータを質問器に無線で送ることができる。よって、記録担体３００の識別情報などのデータを認識することができる。
【００６２】
また本実施の形態の記録担体３００は、端子３１７を用いて直接質問器と接続することもできる。端子３１７から信号が入力されると、該信号はインターフェース３１８において、電圧の振幅の調整、波形の整形などの信号処理が施され、集積回路３０２内の各種回路や表示装置３０４などに入力される。また、集積回路３０２からインターフェース３１８及び端子３１７を介して、質問器へ出力用の信号を送ることもできる。端子３１７とインターフェース３１８を設けることで、無線での信号の送受信が不可能な場合でも、質問器と通信を行うことができる。
【００６３】
一方電源回路３０５は、アンテナ回路３０１が受信した信号の電圧を整流し、平滑することで、電源用の電圧を生成する。電源回路３０５において生成された電源用の電圧は、制御回路３０８と、充電回路３１０とに与えられる。なお、アンテナ回路３０１が受信した信号を整流、平滑した後に、レギュレータなどの定電圧回路により電圧を安定化させてから、電源用の電圧として制御回路３０８と、充電回路３１０とに与えるようにしても良い。充電回路３１０は、電源回路３０５からの電源用の電圧の高さを調整し、該調整された電圧を用いて蓄電池３０３の充電を行う。また電源回路３０５において生成された電源用の電圧は、集積回路３０２内の復調回路３０６、変調回路３０７、制御回路３０８、メモリ３０９、映像信号生成回路３１２、コンバータ３１３またはインターフェース３１８などの各種回路や、表示装置３０４に供給される。
【００６４】
なお、蓄電池３０３への充電が過剰に行われるのを防ぐように電源回路３０５を制御するための充電制御回路を、集積回路３０２に設けても良い。また、電源回路３０５は、整流回路、平滑用の容量、レギュレータ、スイッチ回路などから構成することができる。上記スイッチ回路にダイオードを用いることで、充電制御回路を用いずとも蓄電池３０３への過剰な充電を抑えることができる。
【００６５】
なお本実施の形態では、端子３１７及びインターフェース３１８を介して、電源回路３０５や表示装置３０４に直接電源用の電圧を供給することができる。よって、無線で電力の供給が不可能な場合でも、記録担体３００への電力の供給を行うことができる。
【００６６】
また本発明の記録担体３００では、復調回路３０６からの信号に従って、メモリ３０９に記憶されているデータが制御回路３０８により読み出され、コンバータ３１３に送られる。コンバータ３１３は、入力されたデータを定められたアルゴリズムに従って変換することで、コードを表示するための映像信号を生成し、映像信号生成回路３１２に出力する。該アルゴリズムは、メモリ３０９に記憶されていても良いし、別途用意されたメモリに記憶されていても良い。制御回路３０８によってメモリ３０９から読み出されたアルゴリズムを用い、コンバータ３１３はデータの変換を行う。またアルゴリズムを端子３１７から記録担体３００に入力するようにしても良い。映像信号生成回路３１２は、表示装置３０４の仕様に合わせて入力された映像信号に信号処理を施し、表示装置３０４に入力する。
【００６７】
表示装置３０４では、入力された映像信号に従って駆動回路３１４が画素部３１５の動作を制御することで、メモリ３０９に記憶されているデータに対応したコードを画素部３１５に表示させる。画素部３１５に表示されたコードから、スキャナなどで光学的にデータを読み取ることができる。
【００６８】
また表示されるコードの種類は、一次元コード（バーコード）や二次元コードであっても良いし、光学的にデータを読み出すことが出来るならば上記以外の形態を有するコードであっても良い。また、データの変換に用いられるアルゴリズムが互いに異なる複数のコンバータ３１３を設け、表示装置３０４に表示するコードの種類を切り替えることも可能である。
【００６９】
なお、図６では蓄電池３０３を用いた記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。蓄電池３０３の代わりに一次電池を用いていても良い。図７は、一次電池を用いた本発明の記録担体の一形態を示すブロック図である。図６にて既に示したものには、図７でも同じ符号を付す。
【００７０】
図７に示す記録担体３００は、アンテナ回路３０１と、集積回路３０２と、一次電池３１１と、表示装置３０４と端子３１７を有している。集積回路３０２は、復調回路３０６と、変調回路３０７と、制御回路３０８と、メモリ３０９と、映像信号生成回路３１２と、コンバータ３１３と、インターフェース３１８とを有している。また表示装置３０４は、駆動回路３１４と、画素部３１５とを有している。図７に示す記録担体３００では、一次電池３１１から、集積回路３０２内の復調回路３０６、変調回路３０７、制御回路３０８、メモリ３０９、映像信号生成回路３１２、コンバータ３１３またはインターフェース３１８などの各種回路や、表示装置３０４に電源用の電圧が供給される。
【００７１】
また、図６、図７に示す本発明の記録担体３００では、表示装置３０４におけるコードの表示は常に行うこともできるし、質問器からの命令によってコードの表示と非表示を切り替えることも可能である。そしてメモリ３０９が書き換え可能なタイプであるならば、表示装置３０４に表示されるコードを、書き換えたデータに合わせて変えることもできる。
【００７２】
さらに、図６、図７に示す本発明の記録担体３００では、画素部３１５において画素にメモリ性を有する表示素子を用いる場合、書き換え時を除いて電力は殆ど消耗されず、コードの表示を長期間維持することができる。よって、メモリ３０９が壊れてデータが読み出せない、表示装置３０４への電源用の電圧の供給が行えない、その他集積回路３０２が有する各種回路に不具合が生じて記録担体３００と質問器の間で通信が行えないなどの問題が生じても、表示装置３０４に一度でもコードを表示させた後であれば、表示されているコードからスキャナなどで光学的にデータを読み出すことが可能である。
【００７３】
なお、図６、図７に示す記録担体３００と質問器の間における無線での信号の送受信は、キャリア（搬送波）として用いる信号を変調することで行われる。キャリアは、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９５０ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなど規格により様々である。また変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。また質問器と記録担体３００との間における信号の伝送方式は、キャリアの波長によって電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式など様々な種類に分類することができる。
【００７４】
また図６、図７に示す記録担体３００では、メモリ３０９は不揮発性メモリであることが望ましい。ただし、電源用の電圧をメモリ３０９に常に供給することでデータを保存することが出来るのであれば、揮発性メモリであっても良い。メモリ３０９として、例えばＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【００７５】
図６、図７では、アンテナ回路３０１を有する記録担体３００の構成について説明しているが、本発明の記録担体は必ずしもアンテナ回路３０１を有していなくとも良い。なおアンテナ回路３０１は、アンテナと該アンテナに並列に接続された容量とを有することを想定しているが、アンテナの種類によっては、必ずしも容量をアンテナ回路３０１に設ける必要はない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００７６】
また図６、図７では、アンテナ回路３０１を１つだけ有する記録担体３００の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナ回路と、信号を受信するためのアンテナ回路と、２つのアンテナ回路を有していても良い。アンテナ回路が１つだと、例えば９５０ＭＨｚの電波で電力の供給と信号の伝送を両方行う場合、遠方まで大電力が伝送され、他の無線機器の受信妨害を起こす可能性がある。そのため、電力の供給は電波の周波数を下げて近距離にて行う方が望ましいが、この場合通信距離は必然的に短くなってしまう。しかしアンテナ回路が２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。例えば電力を送る際は電波の周波数を１３．５６ＭＨｚとして電磁誘導方式を用い、信号を送る際は電波の周波数を９５０ＭＨｚとして電波方式を用いることができる。このように、機能に合わせてアンテナ回路を使い分けることによって、電力の供給は近距離で行い、信号の伝送は遠距離で行うことを可能にすることができる。
【００７７】
また図６、図７では、電池を有するアクティブ型の記録担体の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、電池を有さず、質問器から無線で送信される電力のみを用いて動作を行うパッシブ型であっても良い。ただし、メモリ３０９が揮発性である場合、アクティブ型だと継続してメモリ３０９への電力の供給を行うことができるので、より望ましい。
【００７８】
本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することができる。
【実施例１】
【００７９】
本実施例では、本発明の記録担体の外観と、その内部の具体的な構成について説明する。
【００８０】
図８（Ａ）に、本発明の記録担体の斜視図を一例として示す。図８（Ａ）に示す記録担体は、アンテナ回路４０１と、集積回路４０２と、表示装置４０３とを有している。図８（Ａ）では、表示装置４０３の画素部に一次元コード４０４を表示している例を示す。
【００８１】
また図８（Ｂ）に、図８（Ａ）で示した記録担体において、基板４０５からカバー材４０６を取り外した様子を示す。基板４０５上にはアンテナ回路４０１及び集積回路４０２が設けられており、アンテナ回路４０１及び集積回路４０２は基板４０５とカバー材４０６の間に挟まれている。また表示装置４０３は、アンテナ回路４０１及び集積回路４０２と共に基板４０５上に設けられている。
【００８２】
記録担体は、アンテナ回路４０１が集積回路４０２と共に基板４０５上に形成されていても良いし、基板４０５上に形成された集積回路４０２に別途用意したアンテナ回路４０１が接続されていても良い。また表示装置４０３は、集積回路４０２と共に基板４０５上に形成することができる。
【００８３】
なお図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示した記録担体では、カバー材４０６は、表示装置４０３と重なる領域において開口部４０７を有している。表示装置４０３を開口部４０７において露出した状態とすることで、表示装置４０３に表示されるコードをスキャナで読み取ることができる。なおカバー材４０６は必ずしも開口部４０７を有する必要はない。例えばカバー材４０６が、少なくとも表示装置４０３と重なる領域において透光性を有するならば、表示装置４０３全体がカバー材４０６で覆われていても、表示装置４０３に表示されるコードをスキャナで読み取ることができる。
【００８４】
なお、アンテナ回路４０１が有するアンテナの形状は、本実施例で示したダイポールアンテナに限定されない。アンテナの形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナの他に、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【００８５】
本実施例は、上記実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例２】
【００８６】
本実施例では、本発明の記録担体が有するパッシブマトリクス型表示装置のより具体的な構成について、一例を挙げて説明する。
【００８７】
図９（Ａ）に、本発明の記録担体が有する表示装置の画素部５００と、第１電極駆動回路５０１と、第２電極駆動回路５０２の上面図を示す。図９（Ａ）では、画素部５００の周辺に第１電極駆動回路５０１と、第２電極駆動回路５０２とが設けられている。画素部５００は複数の画素５０３を有しており、各画素５０３には表示素子が設けられている。また図９（Ｂ）に、各画素５０３に設けられた表示素子の断面図を示す。
【００８８】
表示素子５０７は、第１電極駆動回路５０１によって映像信号の電圧が与えられる第１電極５０４と、第２電極駆動回路５０２によって選択される第２電極５０５と、第１電極５０４及び第２電極５０５によって電圧が印加される表示材料５０６とを有する。
【００８９】
なお本実施例では、第１電極５０４と第２電極５０５の間に表示材料５０６を有する表示素子５０７の構成を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。絶縁膜を間に挟んだ第１電極と第２電極の上に表示材料を有する表示素子であっても良い。ただしこの場合、第２電極、絶縁膜、第１電極、光を反射する絶縁膜、表示材料の順に積層する。そして、表示材料が、第１電極と第２電極のうち第２電極のみと重なる領域と、第１電極と第２電極の両方と重なる領域とが形成されるように、第１電極を部分的に形成し、表示材料は帯電した微粒子を溶媒中に分散したものを用いる。
【００９０】
また図９（Ｂ）では、表示材料５０６として、溶媒５０８と、溶媒５０８中に分散されたツイスティングボール５０９とを用いている。第１電極に印加される映像信号の電圧に従って、異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボール５０９が溶媒５０８中で回転することで、２値の階調の表示を行うことができる。なお本実施例で用いることができる表示材料はこれに限定されない。
【００９１】
なお本実施例では、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を例に挙げて説明したが、本発明で用いられる表示素子はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【００９２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【００９３】
本実施例では、本発明の記録担体が有するアクティブマトリクス型表示装置のより具体的な構成について、一例を挙げて説明する。
【００９４】
図１０（Ａ）に、本発明の記録担体が有する表示装置の画素部６００と、信号線駆動回路６０１と、走査線駆動回路６０２の上面図を示す。図１０（Ａ）では、画素部６００の周辺に信号線駆動回路６０１と、走査線駆動回路６０２とが設けられている。画素部６００は複数の画素６０３を有している。
【００９５】
画素６０３はトランジスタ６１０と、表示素子６０７と、保持容量６１１とを有している。図１０（Ｂ）に、各画素６０３に設けられた表示素子６０７の断面図を示す。表示素子６０７は、第１電極６０４と、第２電極６０５と、第１電極６０４及び第２電極６０５によって電圧が印加される表示材料６０６とを有する。トランジスタ６１０のゲート電極は、走査線駆動回路６０２によって選択される走査線６１２に接続されている。またトランジスタ６１０のソース領域とドレイン領域は、一方が信号線駆動回路６０１から映像信号の電圧が与えられる信号線６１３に、他方が表示素子６０７の第１電極６０４に、直接或いは電気的に接続される。
【００９６】
なお図１０（Ａ）では、表示素子６０７の第１電極６０４と第２電極６０５の間に印加された電圧を保持するために、表示素子６０７と並列に保持容量６１１が接続されているが、表示材料６０６のメモリ性の高さが表示を維持するのに十分な程度に高いのであれば、保持容量６１１を必ずしも設ける必要はない。
【００９７】
なお本実施例では、第１電極６０４と第２電極６０５の間に表示材料６０６を有する表示素子６０７の構成を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。絶縁膜を間に挟んだ第１電極と第２電極の上に表示材料を有する表示素子であっても良い。ただしこの場合、第２電極、絶縁膜、第１電極、光を反射する絶縁膜、表示材料の順に積層する。そして、表示材料が、第１電極と第２電極のうち第２電極のみと重なる領域と、第１電極と第２電極の両方と重なる領域とが形成されるように、第１電極を部分的に形成し、表示材料は帯電した微粒子を溶媒中に分散したものを用いる。
【００９８】
また図１０（Ｂ）では、表示材料６０６として、溶媒６０８と、溶媒６０８中に分散されたツイスティングボール６０９とを用いている。第１電極６０４に印加される映像信号の電圧に従って、異なる電荷に帯電する二色の半球を有するツイスティングボール６０９が溶媒６０８中で回転することで、２値の階調の表示を行うことができる。なお本実施例で用いることができる表示材料はこれに限定されない。
【００９９】
またトランジスタ６１０の形状は図１０（Ｂ）に示した形態に限定されない。例えばトランジスタ６１０として、ゲート電極が基板と活性層の間に設けられたボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。
【０１００】
なお本実施例では、各画素にスイッチング素子として機能するトランジスタを一つ設けたアクティブマトリクス型の画素部の構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素に設けるトランジスタの数は複数であっても良いし、トランジスタ以外に容量、抵抗、コイルなどの素子が電気的に接続されていても良い。
【０１０１】
なお本実施例では、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を例に挙げて説明したが、本発明で用いられる表示素子はこの構成に限定されない。本発明の記録担体は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子、液晶素子などを用いることもできる。
【０１０２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例４】
【０１０３】
本実施例では、画素部に表示されるシンボルの種類と、画素部の構成について説明する。
【０１０４】
図１１（Ａ）に、一次元コードを表示している画素部１８０１の様子を示す。一次元コードは、情報の表示を行うためのシンボル１８０２と、シンボル１８０２の左右に設けられるマージン１８０３とを有している。シンボル１８０２は、一次元コードが有する情報や、一次元コードの規格により異なるが、基本的には複数のバーとスペースが順に並んだ構成を有している。また図１１（Ａ）に示すように、バーとスペースが並んでいる領域の下に、数字が表示されていても良い。
【０１０５】
マージン１８０３は一次元コードを読み取るために設けられている余白の領域である。マージン１８０３は、規格により異なるが、シンボル１８０２が有するバーのうち、最も細いバーの幅の１０倍以上、左右にそれぞれ設けるのが望ましい。画素部１８０１に表示される一次元コードのマージン１８０３の幅が固定されている場合、画素部１８０１のうち、予めマージン１８０３として用いる領域に画素を配置しないでおくことも可能である。
【０１０６】
図１１（Ｂ）に、マージン１８０３の幅が予め固定されている一次元コードを表示する場合において、画素部１８０１において画素が配置される領域（画素配置領域）１８０４を示す。画素配置領域１８０４にはシンボル１８０２を表示することができる。そして画素配置領域１８０４は、一対のマージン１８０３の間に配置されている。
【０１０７】
なお図１１（Ｂ）では、マージン１８０３となる領域に敢えて画素を配置せず、シンボル１８０２を表示する領域にのみ画素を配置する例について示しているが、本発明はこの構成に限定されない。マージン１８０３となる領域にも画素を配置し、映像信号によりマージン１８０３となる領域を形成するようにしても良い。
【０１０８】
次に図１２（Ａ）に、二次元コードを表示している画素部９０１の様子を示す。二次元コードは、情報の表示を行うためのシンボル９０２と、シンボル９０２の上下左右に設けられるマージン９０３とを有している。シンボル９０２は、二次元コードが有する情報や、二次元コードの規格により異なるが、基本的には複数のセルとスペースが配置された構成を有している。また図１２（Ａ）に示すように、シンボル９０２の配置されている方向に関わらずデータの読み出しが可能になるように、シンボル９０２内に切り出しシンボル９０５が表示されていても良い。
【０１０９】
マージン９０３は二次元コードを読み取るために設けられている余白の領域である。マージン９０３は、規格により異なるが、シンボル９０２が有するセルの幅の４倍以上、左右上下にそれぞれ設けるのが望ましい。画素部９０１に表示される二次元コードのマージン９０３の幅が固定されている場合、画素部９０１のうち、予めマージン９０３として用いる領域に画素を配置しないでおくことも可能である。
【０１１０】
図１２（Ｂ）に、マージン９０３の幅が予め固定されている二次元コードを表示する場合において、画素部９０１において画素が配置される領域（画素配置領域）９０４を示す。画素配置領域９０４にはシンボル９０２を表示することができる。そして画素配置領域９０４は、上下左右、マージン９０３に囲まれている。
【０１１１】
なお図１２（Ｂ）では、マージン９０３となる領域に敢えて画素を配置せず、シンボル９０２を表示する領域にのみ画素を配置する例について示しているが、本発明はこの構成に限定されない。マージン９０３となる領域にも画素を配置し、映像信号によりマージン９０３となる領域を形成するようにしても良い。
【０１１２】
本実施例は、上記実施の形態または上記実施例と組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１１３】
次に、本発明の記録担体の作製方法について詳しく述べる。なお本実施例では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を半導体素子の一例として示すが、本発明の記録担体に用いられる半導体素子はこれに限定されない。例えばＴＦＴの他に、記憶素子、ダイオード、抵抗、容量、インダクタなどを用いることができる。
【０１１４】
まず図１３（Ａ）に示すように、耐熱性を有する基板７００上に、絶縁膜７０１、剥離層７０２、絶縁膜７０３と、半導体膜７０４とを順に形成する。絶縁膜７０１、剥離層７０２、絶縁膜７０３及び半導体膜７０４は連続して形成することが可能である。
【０１１５】
基板７００として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレス基板を含む金属基板、またはシリコン基板等の半導体基板を用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【０１１６】
プラスチック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【０１１７】
なお本実施例では、剥離層７０２を基板７００上の全面に設けているが本発明はこの構成に限定されない。例えばフォトリソグラフィ法などを用いて、基板７００上において剥離層７０２を部分的に形成する様にしても良い。
【０１１８】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。
【０１１９】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、基板７００中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体膜７０４中に拡散し、ＴＦＴなどの半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。また絶縁膜７０３は、剥離層７０２に含まれる不純物元素が半導体膜７０４中に拡散するのを防ぎ、なおかつ後の半導体素子を剥離する工程において、半導体素子を保護する役目も有している。
【０１２０】
絶縁膜７０１、絶縁膜７０３は、単数の絶縁膜を用いたものであっても、複数の絶縁膜を積層して用いたものであっても良い。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜、膜厚５０ｎｍの窒化酸化珪素膜、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を順に積層して絶縁膜７０３を形成するが、各膜の材質、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層の酸化窒化珪素膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン系樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法、印刷法などによって形成しても良い。また、中層の窒化酸化珪素膜に代えて、窒化珪素膜（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）を用いてもよい。また、上層の酸化窒化珪素膜に代えて、酸化珪素膜を用いていても良い。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。
【０１２１】
或いは、剥離層７０２に最も近い、絶縁膜７０３の下層を酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜で形成し、中層をシロキサン系樹脂で形成し、上層を酸化珪素膜で形成しても良い。
【０１２２】
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも１種を有していても良い。
【０１２３】
酸化珪素膜は、シランと酸素、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）と酸素等の組み合わせの混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、シランとアンモニアの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜は、代表的には、シランと一酸化二窒素の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。
【０１２４】
剥離層７０２は、金属膜、金属酸化膜、金属膜と金属酸化膜とを積層して形成される膜を用いることができる。金属膜と金属酸化膜は、単層であっても良いし、複数の層が積層されていても良い。また、金属膜や金属酸化膜の他に、金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。剥離層７０２は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。
【０１２５】
剥離層７０２に用いられる金属としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）またはイリジウム（Ｉｒ）等が挙げられる。剥離層７０２は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。
【０１２６】
また剥離層７０２は珪素（Ｓｉ）単体で形成された膜を用いても良いし、珪素（Ｓｉ）を主成分とする化合物で形成された膜を用いても良い。或いは、珪素（Ｓｉ）と上記金属とを含む合金で形成された膜を用いても良い。珪素を含む膜は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【０１２７】
剥離層７０２は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。金属膜と金属酸化膜とが積層された剥離層７０２は、元となる金属膜を形成した後、該金属膜の表面を酸化または窒化させることで形成することができる。具体的には、酸素雰囲気中または一酸化二窒素雰囲気中で元となる金属膜にプラズマ処理を行ったり、酸素雰囲気中または一酸化二窒素雰囲気中で金属膜に加熱処理を行ったりすればよい。また元となる金属膜上に接するように、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜を形成することでも、金属膜の酸化を行うことが出来る。また元となる金属膜上に接するように、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜を形成することで、窒化を行うことが出来る。
【０１２８】
金属膜の酸化または窒化を行うプラズマ処理として、プラズマ密度が１×１０１１ｃｍ−３以上、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３から９×１０１５ｃｍ−３以下であり、マイクロ波（例えば周波数２．４５ＧＨｚ）などの高周波を用いた高密度プラズマ処理を行っても良い。
【０１２９】
なお基となる金属膜の表面を酸化することで、金属膜と金属酸化膜とが積層した剥離層７０２を形成するようにしても良いが、金属膜を形成した後に金属酸化膜を別途形成するようにしても良い。例えば金属としてタングステンを用いる場合、スパッタ法やＣＶＤ法等により元となる金属膜としてタングステン膜を形成した後、該タングステン膜にプラズマ処理を行う。これにより、金属膜に相当するタングステン膜と、該金属膜に接し、なおかつタングステンの酸化物で形成された金属酸化膜とを、形成することができる。
【０１３０】
なおタングステンの酸化物はＷＯＸで表される。Ｘは２以上３以下の範囲内にあり、Ｘが２の場合（ＷＯ２）、Ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ３）となる。タングステンの酸化物を形成するにあたりＸの値に特に制約はなく、エッチングレート等をもとにＸの値を定めれば良い。
【０１３１】
半導体膜７０４は、絶縁膜７０３を形成した後、大気に曝さずに形成することが望ましい。半導体膜７０４の膜厚は２０〜２００ｎｍ（望ましくは４０〜１７０ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ）とする。なお半導体膜７０４は、非晶質半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１３２】
なお半導体膜７０４は、公知の技術により結晶化しても良い。公知の結晶化方法としては、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもできる。また、基板７００として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法、９５０℃程度の高温アニールを用いた結晶化法のうち少なくとも２つ以上を組み合わせた結晶化法を用いても良い。
【０１３３】
例えばレーザ結晶化を用いる場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜７０４の耐性を高めるために、５５０℃、４時間の加熱処理を該半導体膜７０４に対して行なう。そして連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のＹＶＯ４レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力１０Ｗのレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状となるようにレーザ光を成形して、半導体膜７０４に照射する。このときのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度とし、照射する。
【０１３４】
連続発振の気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザなどを用いることが出来る。また連続発振の固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどを用いることが出来る。
【０１３５】
またパルス発振のレーザとして、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いることができる。
【０１３６】
また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を１０ＭＨｚ以上とし、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行なっても良い。パルス発振でレーザ光を半導体膜７０４に照射して半導体膜７０４が溶融してから半導体膜７０４が完全に固化するまでの時間は数十ｎｓｅｃ〜数百ｎｓｅｃと言われている。よって上記周波数を用いることで、半導体膜７０４がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜７０４中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜７０４が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って連続的に成長した単結晶の結晶粒を形成することで、少なくともＴＦＴのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜７０４の形成が可能となる。
【０１３７】
なおレーザ結晶化は、連続発振の基本波のレーザ光と連続発振の高調波のレーザ光とを並行して照射するようにしても良いし、連続発振の基本波のレーザ光とパルス発振の高調波のレーザ光とを並行して照射するようにしても良い。
【０１３８】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【０１３９】
上述したレーザ光の照射により、結晶性がより高められた半導体膜７０４が形成される。なお、予め半導体膜７０４に、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで形成した多結晶半導体を用いるようにしても良い。
【０１４０】
また本実施例では半導体膜７０４を結晶化しているが、結晶化せずに非晶質半導体膜または微結晶半導体膜のまま、後述のプロセスに進んでも良い。非晶質半導体、微結晶半導体を用いたＴＦＴは、多結晶半導体を用いたＴＦＴよりも作製工程が少ない分、コストを抑え、歩留まりを高くすることができるというメリットを有している。
【０１４１】
非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。
【０１４２】
次に半導体膜７０４に対して、ｐ型を付与する不純物元素又はｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープを行う。チャネルドープは半導体膜７０４全体に対して行っても良いし、半導体膜７０４の一部に対して選択的に行っても良い。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を用い、当該ボロンが１×１０１６〜５×１０１７／ｃｍ３の濃度で含まれるよう添加する。
【０１４３】
次に図１３（Ｂ）に示すように、半導体膜７０４を所定の形状に加工（パターニング）し、島状の半導体膜７０５〜７０８を形成する。そして、島状の半導体膜７０５〜７０８を覆うように、ゲート絶縁膜７０９を形成する。ゲート絶縁膜７０９は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素または酸化窒化珪素を含む膜を、単層で、または積層させて形成することができる。積層する場合には、例えば、基板７００側から酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の３層構造とするのが好ましい。
【０１４４】
ゲート絶縁膜７０９は、高密度プラズマ処理を行うことにより島状の半導体膜７０５〜７０８の表面を酸化または窒化することで形成しても良い。高密度プラズマ処理は、例えばＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスとを用いて行う。この場合プラズマの励起をマイクロ波の導入により行うことで、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度のプラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化または窒化することにより、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に接するように形成される。この５〜１０ｎｍの絶縁膜をゲート絶縁膜７０９として用いる。
【０１４５】
上述した高密度プラズマ処理による半導体膜の酸化または窒化は固相反応で進むため、ゲート絶縁膜と半導体膜の界面準位密度をきわめて低くすることができる。また高密度プラズマ処理により半導体膜を直接酸化または窒化することで、形成される絶縁膜の厚さのばらつきを抑えることが出来る。また半導体膜が結晶性を有する場合、高密度プラズマ処理を用いて半導体膜の表面を固相反応で酸化させることにより、結晶粒界においてのみ酸化が速く進んでしまうのを抑え、均一性が良く、界面準位密度の低いゲート絶縁膜を形成することができる。高密度プラズマ処理により形成された絶縁膜を、ゲート絶縁膜の一部または全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを抑えることができる。
【０１４６】
次に図１３（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜７０９上に導電膜を形成した後、該導電膜を所定の形状に加工（パターニング）することで、島状の半導体膜７０５〜７０８の上方に電極７１０を形成する。本実施例では積層された２つの導電膜をパターニングして電極７１０を形成する。導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。または、半導体膜に導電性を付与するリン等の不純物元素をドーピングした、多結晶珪素などの半導体を用いて形成しても良い。
【０１４７】
本実施例では、１層目の導電膜として窒化タンタル膜またはタンタル（Ｔａ）膜を、２層目の導電膜としてタングステン（Ｗ）膜を用いる。２つの導電膜の組み合わせとして、本実施例で示した例の他に、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜、アルミニウム膜とタンタル膜、アルミニウム膜とチタン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、２層の導電膜を形成した後の工程において、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２つの導電膜の組み合わせとして、例えば、ｎ型を付与する不純物がドーピングされた珪素とニッケルシリサイド、ｎ型を付与する不純物がドーピングされたＳｉとＷＳｉｘ等も用いることが出来る。
【０１４８】
また、本実施例では電極７１０を積層された２つの導電膜で形成しているが、本実施例はこの構成に限定されない。電極７１０は単層の導電膜で形成されていても良いし、３つ以上の導電膜を積層することで形成されていても良い。３つ以上の導電膜を積層する３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【０１４９】
導電膜の形成にはＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることが出来る。本実施例では１層目の導電膜を２０〜１００ｎｍの厚さで形成し、２層目の導電膜を１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。
【０１５０】
なお電極７１０を形成する際に用いるマスクとして、レジストの代わりに酸化珪素、酸化窒化珪素等をマスクとして用いてもよい。この場合、パターニングして酸化珪素、酸化窒化珪素等のマスクを形成する工程が加わるが、エッチング時におけるマスクの膜減りがレジストよりも少ないため、所望の幅を有する電極７１０を形成することができる。またマスクを用いずに、液滴吐出法を用いて選択的に電極７１０を形成しても良い。
【０１５１】
なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出または噴出することで所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。
【０１５２】
次に、電極７１０をマスクとして、島状の半導体膜７０５〜７０８に、ｎ型を付与する不純物元素（代表的にはＰ（リン）またはＡｓ（砒素））を低濃度にドープする（第１のドーピング工程）。第１のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１５〜１×１０１９／ｃｍ３、加速電圧：５０〜７０ｋｅＶとしたが、これに限定されるものではない。この第１のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜７０９を介してドーピングがなされ、島状の半導体膜７０５〜７０８に、低濃度不純物領域７１１がそれぞれ形成される。なお、第１のドーピング工程は、ｐチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０６をマスクで覆って行っても良い。
【０１５３】
次に図１４（Ａ）に示すように、ｎチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０５、７０７、７０８を覆うように、マスク７１２を形成する。そしてマスク７１２に加えて電極７１０をマスクとして用い、島状の半導体膜７０６に、ｐ型を付与する不純物元素（代表的にはＢ（ホウ素））を高濃度にドープする（第２のドーピング工程）。第２のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３、加速電圧：２０〜４０ｋｅＶとして行なう。この第２のドーピング工程によって、ゲート絶縁膜７０９を介してドーピングがなされ、島状の半導体膜７０６に、ｐ型の高濃度不純物領域７１３が形成される。
【０１５４】
次に図１４（Ｂ）に示すように、マスク７１２をアッシング等により除去した後、ゲート絶縁膜７０９及び電極７１０を覆うように、絶縁膜を形成する。該絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層または積層して形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【０１５５】
そして、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜７０９及び該絶縁膜を部分的にエッチングする。上記異方性エッチングによりゲート絶縁膜７０９が部分的にエッチングされて、島状の半導体膜７０５〜７０８上に部分的に形成されたゲート絶縁膜７１４が形成される。また上記異方性エッチングにより、ゲート絶縁膜７０９及び電極７１０を覆うように形成された絶縁膜が部分的にエッチングされて、電極７１０の側面に接するサイドウォール７１５が形成される。サイドウォール７１５は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。本実施例ではエッチングガスとしては、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いる。なお、サイドウォール７１５を形成する工程は、これらに限定されるものではない。
【０１５６】
次に図１４（Ｃ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴとなる島状の半導体膜７０６を覆うようにマスク７１６を形成する。そして、形成したマスク７１６に加えて電極７１０及びサイドウォール７１５をマスクとして用い、ｎ型を付与する不純物元素（代表的にはＰまたはＡｓ）を島状の半導体膜７０５、７０７、７０８に高濃度にドープする（第３のドーピング工程）。第３のドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３、加速電圧：６０〜１００ｋｅＶとして行なう。この第３のドーピング工程によって、島状の半導体膜７０５、７０７、７０８に、ｎ型の高濃度不純物領域７１７が形成される。
【０１５７】
なおサイドウォール７１５は、後に高濃度のｎ型を付与する不純物をドーピングし、サイドウォール７１５の下部に低濃度不純物領域またはノンドープのオフセット領域を形成する際のマスクとして機能するものである。よって、低濃度不純物領域またはオフセット領域の幅を制御するには、サイドウォール７１５を形成する際の異方性エッチングの条件またはサイドウォール７１５を形成するための絶縁膜の膜厚を適宜変更し、サイドウォール７１５のサイズを調整すればよい。なお、半導体膜７０６において、サイドウォール７１５の下部に低濃度不純物領域またはノンドープのオフセット領域を形成しても良い。
【０１５８】
次に、マスク７１６をアッシング等により除去した後、不純物領域の加熱処理による活性化を行っても良い。例えば、５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した後、５５０℃、４時間、窒素雰囲気中において、加熱処理を行なえばよい。
【０１５９】
また、水素を含む窒化珪素膜を、１００ｎｍの膜厚に形成した後、４１０℃、１時間、窒素雰囲気中において加熱処理を行ない、島状の半導体膜７０５〜７０８を水素化する工程を行なっても良い。或いは、水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の加熱処理を行ない、島状の半導体膜７０５〜７０８を水素化する工程を行なっても良い。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを用いることが出来る。加熱処理により、水素化のみならず、半導体膜に添加された不純物元素の活性化も行うことが出来る。また、水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。この水素化の工程により、熱的に励起された水素によりダングリングボンドを終端することができる。
【０１６０】
上述した一連の工程により、ｎチャネル型ＴＦＴ７１８、７２１と、容量７２０と、ｐチャネル型ＴＦＴ７１９とが形成される。なお容量７２０は、電極として機能する島状の半導体膜７０７と、ゲート絶縁膜７１４と、電極７１０とで形成されている。
【０１６１】
次に図１５（Ａ）に示すように、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０を保護するための絶縁膜７２２を形成する。絶縁膜７２２は必ずしも設ける必要はないが、絶縁膜７２２を形成することで、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０へ侵入するのを防ぐことが出来る。具体的に絶縁膜７２２として、窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素などを用いるのが望ましい。本実施例では、膜厚６００ｎｍ程度の酸化窒化珪素膜を、絶縁膜７２２として用いる。この場合、上記水素化の工程は、該酸化窒化珪素膜形成後に行っても良い。
【０１６２】
次に、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１及び容量７２０を覆うように、絶縁膜７２２上に絶縁膜７２３を形成する。絶縁膜７２３は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ等を用いることができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜７２３を形成しても良い。
【０１６３】
絶縁膜７２３の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。
【０１６４】
次に島状の半導体膜７０５〜７０８がそれぞれ一部露出するように絶縁膜７２２及び絶縁膜７２３にコンタクトホールを形成する。そして、導電膜７２４と、該コンタクトホールを介して島状の半導体膜７０５〜７０８に接する導電膜７２５〜７３２とを形成する。コンタクトホール開口時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。
【０１６５】
導電膜７２４〜７３２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。具体的に導電膜７２４〜７３２として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。導電膜７２４〜７３２は、上記金属が用いられた膜を単層または複数積層させて形成することが出来る。
【０１６６】
アルミニウムを主成分とする合金の例として、アルミニウムを主成分としニッケルを含むものが挙げられる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方とを含むものも例として挙げることが出来る。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７２４〜７３２を形成する材料として最適である。特にアルミニウムシリコン膜は、導電膜７２４〜７３２をパターニングするとき、レジストベークにおけるヒロックの発生をアルミニウム膜に比べて防止することができる。また、珪素（Ｓｉ）の代わりに、アルミニウム膜に０．５％程度のＣｕを混入させても良い。
【０１６７】
導電膜７２４〜７３２は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデンまたはモリブデンの窒化物を用いて形成された膜である。アルミニウムシリコン膜を間に挟むようにバリア膜を形成すると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生をより防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリア膜を形成すると、島状の半導体膜７０５〜７０８上に薄い酸化膜ができていたとしても、バリア膜に含まれるチタンがこの酸化膜を還元し、導電膜７２５〜７３２と島状の半導体膜７０５〜７０８が良好なコンタクトをとることができる。またバリア膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜７２４〜７３２を下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンの５層構造とすることが出来る。
【０１６８】
なお、導電膜７２５、７２６はｎチャネル型ＴＦＴ７１８の高濃度不純物領域７１７に接続されている。導電膜７２７、７２８はｐチャネル型ＴＦＴ７１９の高濃度不純物領域７１３に接続されている。導電膜７３１、７３２はｎチャネル型ＴＦＴ７２１の高濃度不純物領域７１７に接続されている。導電膜７２９、７３０は容量７２０の高濃度不純物領域７１７に接続されている。
【０１６９】
次に図１５（Ｂ）に示すように、導電膜７２４〜７３２を覆うように絶縁膜７３３を形成し、その後、導電膜７２４、７３２の一部が露出するように、該絶縁膜７３３にコンタクトホールを形成する。そして該コンタクトホールおいて導電膜７２４と接するように導電膜７３４を、また導電膜７３２と接するように導電膜７３５を形成する。導電膜７２４〜７３２に用いることが出来る材料であるならば、導電膜７３４、７３５の材料として使用することが出来る。
【０１７０】
絶縁膜７３３は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む膜などを用いることができる。なおフォトリソグラフィ法で開口部を形成するのに用いるマスクを、液滴吐出法または印刷法で形成することができる。また絶縁膜７３３はその材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、液滴吐出法または印刷法などで形成することが出来る。
【０１７１】
次に図１５（Ｃ）に示すように、導電膜７３４、７３５を覆うように、絶縁膜７３３上に保護層７３６を形成する。保護層７３６は、後に剥離層７０２を境にして基板７００を剥離する際に、絶縁膜７３３、導電膜７３４、７３５を保護することができる材料を用いる。例えば、水またはアルコール類に可溶なエポキシ系、アクリレート系、シリコン系の樹脂を全面に塗布することで保護層７３６を形成することができる。
【０１７２】
本実施例では、スピンコート法で水溶性樹脂（東亜合成製：ＶＬ−ＷＳＨＬ１０）を膜厚３０μｍとなるように塗布し、仮硬化させるために２分間の露光を行ったあと、紫外線を裏面から２．５分、表面から１０分、合計１２．５分の露光を行って本硬化させて、保護層７３６を形成する。なお、複数の有機樹脂を積層する場合、有機樹脂同士では使用している溶媒によって塗布または焼成時に一部溶解する、密着性が高くなりすぎるなどの恐れがある。従って、絶縁膜７３３と保護層７３６を共に同じ溶媒に可溶な有機樹脂を用いる場合、後の工程において保護層７３６の除去がスムーズに行なわれるように、絶縁膜７３３を覆うように、無機絶縁膜（窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、ＡｌＮＸ膜、またはＡｌＮＸＯＹ膜）を形成しておくことが好ましい。
【０１７３】
次に図１５（Ｃ）に示すように、絶縁膜７０３から絶縁膜７３３上に形成された導電膜７３４、７３５までの、ＴＦＴに代表される半導体素子や各種導電膜を含む層（以下、「素子形成層７３８」と記す）と、保護層７３６とを、基板７００から剥離する。本実施例では、第１のシート材７３７を保護層７３６に貼り合わせ、物理的な力を用いて基板７００から素子形成層７３８と、保護層７３６とを剥離する。剥離層７０２は、全て除去せず一部が残存した状態であっても良い。
【０１７４】
また上記剥離は、剥離層７０２のエッチングを用いた方法で行っても良い。この場合、剥離層７０２が一部露出するように溝を形成する。溝は、ダイシング、スクライビング、ＵＶ光を含むレーザ光を用いた加工、フォトリソグラフィ法などにより、溝を形成する。溝は、剥離層７０２が露出する程度の深さを有していれば良い。そしてエッチングガスとしてフッ化ハロゲンを用い、該ガスを溝から導入する。本実施例では、例えばＣｌＦ３（三フッ化塩素）を用い、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：８００Ｐａ、時間：３ｈの条件で行なう。また、ＣｌＦ３ガスに窒素を混ぜたガスを用いても良い。ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンを用いることで、剥離層７０２が選択的にエッチングされ、基板７００を素子形成層７３８から剥離することができる。なおフッ化ハロゲンは、気体であっても液体であってもどちらでも良い。
【０１７５】
次に図１６（Ａ）に示すように、素子形成層７３８の上記剥離により露出した面に、第２のシート材７４４を貼り合わせる。そして、素子形成層７３８及び保護層７３６を第１のシート材７３７から剥離した後、保護層７３６を除去する。
【０１７６】
第２のシート材７４４として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、可撓性を有する紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。または第２のシート材７４４として、フレキシブルな無機材料を用いていても良い。プラスチック基板は、極性基のついたポリノルボルネンからなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【０１７７】
なお基板７００上に複数の記録担体に対応する半導体素子を形成している場合には、素子形成層７３８を記録担体ごとに分断する。分断は、レーザ照射装置、ダイシング装置、スクライブ装置等を用いることができる。
【０１７８】
次に図１６（Ｂ）に示すように、メモリ性を有する表示材料を用いて画素部を形成する。本実施例ではマイクロカプセル７３９を含む表示材料７４５を用いた例を示す。表示材料７４５は、例えば印刷法を用いることで、電極として機能する導電膜７３５上に選択的に塗布することが出来る。そして表示材料７４５を導電膜７３５と導電膜７４０の間に挟むように、導電膜７４０が形成された基板７４１を第２のシート材７４４に貼り合わせる。導電膜７３５に用いることが出来る材料であれば、導電膜７４０の材料として使用することが出来る。
【０１７９】
本実施例ではマイクロカプセル７３９として、青色の溶液中にＴｉを含む白色の微粒子が複数分散されているタイプのものを用いている。このマイクロカプセル７３９に電圧を印加することで、白色の微粒子がマイクロカプセル７３９中で電気泳動し、電圧の極性に応じて白または青の表示を行うことが出来る。
【０１８０】
なお本発明で用いることが出来るマイクロカプセルは、このタイプに限定されない。例えば本発明では、白色及び黒色が半球ずつに分かれ、それぞれの半球が異なる電荷に帯電するような球状のマイクロカプセルを用いていても良い。このタイプのマイクロカプセルを用いる場合、マイクロカプセルが電圧の印加により自由に回転することが出来るよう、表示材料中にマイクロカプセルを浮遊させるための溶媒を設ける。
【０１８１】
次に図１６（Ｂ）に示すように、支持体７４６に形成されたアンテナ７４２を導電膜７３４と電気的に接続させる。アンテナ７４２と導電膜７３４との電気的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ））７４３でアンテナ７４２と導電膜７３４とを圧着させることにより行うことが出来る。異方導電性フィルムの他に、異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ））等を用いて圧着させても良い。また、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０１８２】
なお本実施例では、半導体素子を形成した後に、別途用意したアンテナ７４２を半導体素子に電気的に接続させる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成するようにしても良い。この場合、アンテナとして機能する導電膜を、その一部が導電膜７３４と接するように形成すれば良い。アンテナとして機能する導電膜は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を用いて形成することが出来る。アンテナとして機能する導電膜は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。アンテナとして機能する導電膜は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。
【０１８３】
アンテナとして機能する導電膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、めっき法、フォトリソグラフィ法、蒸着法等を用いて形成することが出来る。
【０１８４】
例えばスクリーン印刷法を用いる場合、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性を有する粒子（導電体粒子）を有機樹脂に分散させた導電性のペーストを、絶縁膜７３３上に選択的に印刷することでアンテナとして機能する導電膜を形成することができる。導電体粒子は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等を用いて形成することが出来る。導電体粒子は上記金属で形成されたものの他に、上記金属を主成分とする合金で形成されていても良いし、上記金属を含む化合物を用いて形成されていても良い。またハロゲン化銀の微粒子または分散性ナノ粒子も用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂として、ポリイミド、シロキサン系樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂等を用いることが出来る。
【０１８５】
上記金属の合金の一例として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の組み合わせが挙げられる。また例えば、銅（Ｃｕ）を銀（Ａｇ）でコートした導電体粒子なども用いることが可能である。
【０１８６】
なおアンテナとして機能する導電膜の形成にあたり、印刷法や液滴吐出法で導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストに、銀を主成分とする導電体粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより、アンテナとして機能する導電膜を形成することができる。焼成は、赤外ランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプなどを用いたランプアニールで行なっても良いし、電気炉を用いたファーネスアニールで行なっても良い。またエキシマレーザや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザーアニール法で行なっても良い。また、半田や鉛フリーの半田を主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。半田や鉛フリーの半田は、低コストであるといった利点を有している。
【０１８７】
印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずともアンテナとして機能する導電膜を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、記録担体の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０１８８】
なお本実施例では素子形成層７３８を基板７００から剥離して利用する例を示しているが、剥離層７０２を設けずに、基板７００上に上述の素子形成層７３８を作製し、記録担体として利用しても良い。
【０１８９】
また本実施例では、全てのＴＦＴ７１８、７１９、７２１と、容量７２０とにおいて、ゲート絶縁膜７１４の膜厚を全て同じにしているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば容量７２０が有するゲート絶縁膜７１４の膜厚と、ＴＦＴ７１８、７１９、７２１が有するゲート絶縁膜７１４の膜厚とが異なるようにしても良い。或いは、より高速での駆動が要求される回路において、他の回路よりもＴＦＴが有するゲート絶縁膜の膜厚を薄くするようにしても良い。
【０１９０】
なお本実施例では薄膜トランジスタを例に挙げて説明しているが、本発明はこの構成に限定されない。薄膜トランジスタの他に、単結晶シリコンを用いて形成されたトランジスタ、ＳＯＩを用いて形成されたトランジスタなども用いることができる。また、有機半導体を用いたトランジスタであっても良いし、カーボンナノチューブを用いたトランジスタであってもよい。
【０１９１】
本実施例は、上記実施の形態、実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１９２】
本実施例では、単結晶基板に形成された半導体素子上に絶縁膜を形成する、本発明の作製方法について説明する。なお本実施例では半導体素子としてトランジスタを用いた場合を例に挙げて説明するが、単結晶基板に形成される半導体素子はトランジスタに限定されない。
【０１９３】
まず図１７（Ａ）に示すように、半導体基板８００に形成されたトランジスタ８０１及びトランジスタ８０２を覆うように、絶縁膜８０３を形成する。
【０１９４】
半導体基板８００は、例えば、ｎ型またはｐ型の導電型を有する単結晶シリコン基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０１９５】
トランジスタ８０１とトランジスタ８０２は、互いに素子分離用絶縁膜８０４により電気的に分離されている。素子分離用絶縁膜８０４の形成には、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）またはトレンチ分離法等を用いることができる。
【０１９６】
また半導体基板８００にはｐウェル８０５が形成されており、該ｐウェル８０５にトランジスタ８０２が形成されている。なお本実施例ではｎ型の導電型を有する単結晶シリコン基板を半導体基板８００として用い、該半導体基板８００にｐウェル８０５を形成した例を示している。半導体基板８００に形成されたｐウェル８０５は、ｐ型の導電型を付与する不純物元素を半導体基板８００に選択的に導入することによって形成することができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０１９７】
なお本実施例では、半導体基板８００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、トランジスタ８０１が形成される領域にはｎウェルを形成していない。しかし、ｎ型を付与する不純物元素を導入することにより、トランジスタ８０１が形成される領域にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
【０１９８】
また半導体基板８００としてｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合、該半導体基板にｎ型を付与する不純物元素を選択的に導入し、ｎウェルを形成すれば良い。そして該ｎウェルにトランジスタ８０１を形成することができる。
【０１９９】
トランジスタ８０１及びトランジスタ８０２は、ゲート絶縁膜８０６を有している。本実施例では、半導体基板８００を熱酸化することで形成された酸化珪素膜を、ゲート絶縁膜８０６として用いる。また、熱酸化により酸化珪素膜を形成した後、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させて酸窒化珪素膜を形成し、酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された層を、ゲート絶縁膜８０６として用いても良い。また熱酸化ではなく、プラズマ処理を用いてゲート絶縁膜８０６を形成してもよい。例えば、高密度プラズマ処理により半導体基板８００の表面を酸化または窒化することで、ゲート絶縁膜８０６として用いる酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜または窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜を形成することができる。
【０２００】
またトランジスタ８０１及びトランジスタ８０２は、ゲート絶縁膜８０６上に導電膜８０７を有している。本実施例では導電膜８０７が、順に積層された２層の導電膜で形成されている例を示している。導電膜８０７は、単層の導電膜を用いていても良いし、３層以上の導電膜が積層された構造を用いていても良い。
【０２０１】
導電膜８０７として、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等を用いることが出来る。また導電膜８０７は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。または、半導体膜に導電性を付与するリン等の不純物元素をドーピングした、多結晶珪素などの半導体を用いて形成しても良い。本実施例において導電膜８０７は、窒化タンタルを用いた導電膜と、タングステンを用いた導電膜とが積層された構成を有している。
【０２０２】
またトランジスタ８０１は、半導体基板８００にソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域８０９を有する。そして一対の不純物領域８０９の間が、トランジスタ８０１のチャネル形成領域に相当する。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。本実施例では、不純物元素としてボロン（Ｂ）を用いる。
【０２０３】
またトランジスタ８０２は、半導体基板８００のｐウェル８０５にソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域８０８を有する。そして一対の不純物領域８０８の間が、トランジスタ８０２のチャネル形成領域に相当する。不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。本実施例では、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。
【０２０４】
次に絶縁膜８０３にコンタクトホールを形成し、不純物領域８０８、８０９を一部露出させる。次にコンタクトホールを介して不純物領域８０８、８０９と接続する導電膜８１０〜８１３を形成する。導電膜８１０〜８１３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。
【０２０５】
絶縁膜８０３は、無機絶縁膜、有機樹脂膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む膜などを用いることができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。また絶縁膜８０３はその材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、液滴吐出法または印刷法などで形成することが出来る。
【０２０６】
なお本発明の記録担体に用いるトランジスタは、本実施例において図示した構造に限定されるものではない。例えば、逆スタガ構造であっても良い。
【０２０７】
次に図１７（Ｂ）に示すように絶縁膜８１５を形成する。そして絶縁膜８１５をエッチングしコンタクトホールを形成し、導電膜８１０、８１３の一部を露出させる。絶縁膜８１５は樹脂には限定せず、ＣＶＤ酸化膜など他の膜であっても良いが、平坦性の観点から樹脂であることが望ましい。また、感光性樹脂を用いて、エッチングを用いずにコンタクトホールを形成しても良い。次に絶縁膜８１５上に、コンタクトホールを介して導電膜８１０と接する導電膜８１６、導電膜８１３と接する導電膜８１７を形成する。
【０２０８】
次に導電膜８１６に接するように、絶縁膜８１５上に電極８１８を形成する。図１７（Ｂ）では、光を反射しやすい導電膜を用いて電極８１８を形成し、反射型の液晶素子を作製する例を示すが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極を透明導電膜で形成することで、透過型の液晶素子を形成することができる。なお反射型の液晶素子の場合、電極８１８を敢えて設けず、導電膜８１６の一部を電極として用いることもできる。また液晶素子に限らず、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子なども用いることができる。
【０２０９】
そして、導電膜８１６、電極８１８を覆うように、配向膜８１９を形成し、ラビング処理を施す。配向膜８１９は、表示装置となる領域に、パターニング等により選択的に形成する。
【０２１０】
次に液晶を封止するためのシール材８２０を形成する。一方、透明導電膜を用いた電極８２１と、ラビング処理が施された配向膜８２２とが形成された基板８２３を用意する。そして、シール材８２０で囲まれた領域に液晶８２４を滴下し、別途用意しておいた基板８２３を、電極８２１と電極８１８とが向かい合うように、シール材８２０を用いて貼り合わせる。なおシール材８２０にはフィラーが混入されていても良い。
【０２１１】
なお、カラーフィルタや、ディスクリネーションを防ぐための遮蔽膜（ブラックマトリクス）などが形成されていても良い。また、基板８２３の電極８２１が形成されている面とは逆の面に、偏光板８２５を貼り合わせておく。
【０２１２】
電極８１８または電極８２１に用いられる透明導電膜には、例えば酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などを用いることができる。電極８１８と液晶８２４と電極８２１が重なり合うことで、液晶素子８２６が形成されている。
【０２１３】
上述した液晶の注入は、ディスペンサ式（滴下式）を用いているが、本発明はこれに限定されない。基板８２３を貼り合わせてから液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いていても良い。
【０２１４】
次に、支持体８３０に形成されたアンテナ８３１を導電膜８１７と電気的に接続させる。アンテナ８３１と導電膜８１７との電気的な接続は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ））８３２でアンテナ８３１と導電膜８１７とを圧着させることにより行うことが出来る。異方導電性フィルムの他に、異方導電性ペースト（ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ））等を用いて圧着させても良い。また、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行うことも可能である。
【０２１５】
なお本実施例では、半導体素子を形成した後に、別途用意したアンテナ８３１を半導体素子に電気的に接続させる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。アンテナを半導体素子と同じ基板上に形成するようにしても良い。この場合、アンテナとして機能する導電膜を、その一部が導電膜８１７と接するように形成すれば良い。アンテナとして機能する導電膜は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を用いて形成することが出来る。アンテナとして機能する導電膜は、上記金属で形成された膜の他に、上記金属を主成分とする合金で形成された膜、或いは上記金属を含む化合物を用いて形成された膜を用いても良い。アンテナとして機能する導電膜は、上述した膜を単層で用いても良いし、上述した複数の膜を積層して用いても良い。
【０２１６】
アンテナとして機能する導電膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、めっき法、フォトリソグラフィ法、蒸着法等を用いて形成することが出来る。
【０２１７】
例えばスクリーン印刷法を用いる場合、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性を有する粒子（導電体粒子）を有機樹脂に分散させた導電性のペーストを、絶縁膜７３３上に選択的に印刷することでアンテナとして機能する導電膜を形成することができる。導電体粒子は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）等を用いて形成することが出来る。導電体粒子は上記金属で形成されたものの他に、上記金属を主成分とする合金で形成されていても良いし、上記金属を含む化合物を用いて形成されていても良い。またハロゲン化銀の微粒子または分散性ナノ粒子も用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂として、ポリイミド、シロキサン系樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂等を用いることが出来る。
【０２１８】
上記金属の合金の一例として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）と白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の組み合わせが挙げられる。また例えば、銅（Ｃｕ）を銀（Ａｇ）でコートした導電体粒子なども用いることが可能である。
【０２１９】
なおアンテナとして機能する導電膜の形成にあたり、印刷法や液滴吐出法で導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストに、銀を主成分とする導電体粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより、アンテナとして機能する導電膜を形成することができる。焼成は、赤外ランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプなどを用いたランプアニールで行なっても良いし、電気炉を用いたファーネスアニールで行なっても良い。またエキシマレーザや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたレーザーアニール法で行なっても良い。また、半田や鉛フリーの半田を主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。半田や鉛フリーの半田は、低コストであるといった利点を有している。
【０２２０】
印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずともアンテナとして機能する導電膜を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、記録担体の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０２２１】
なお、本実施例は、上記実施の形態または実施例と適宜組み合わせて実施することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０２２２】
【図１】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図３】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図４】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図５】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図６】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図７】本発明の記録担体の構成を示すブロック図。
【図８】本発明の記録担体の構成を示す斜視図
【図９】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図及び断面図。
【図１０】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図及び断面図。
【図１１】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図。
【図１２】本発明の記録担体が有する画素部の構成を示す上面図。
【図１３】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１４】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１５】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１６】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【図１７】本発明の記録担体の作製方法を示す図。
【符号の説明】
【０２２３】
１００ 記録担体
１０１ アンテナ回路
１０２ 集積回路
１０３ 蓄電池
１０４ 表示装置
１０５ 電源回路
１０６ 復調回路
１０７ 変調回路
１０８ 制御回路
１０９ メモリ
１１０ 充電回路
１１１ 一次電池
１１２ 映像信号生成回路
１１３ コンバータ
１１４ 駆動回路
１１５ 画素部
１２０ 質問器
２００ 記録担体
２０１ アンテナ回路
２０２ 集積回路
２０３ 蓄電池
２０４ 表示装置
２０５ 電源回路
２０６ 復調回路
２０７ 変調回路
２０８ 制御回路
２０９ メモリ
２１０ 充電回路
２１１ 一次電池
２１２ 映像信号生成回路
２１４ 駆動回路
２１５ 画素部
２１６ 映像信号用メモリ
２２０ 質問器
３００ 記録担体
３０１ アンテナ回路
３０２ 集積回路
３０３ 蓄電池
３０４ 表示装置
３０５ 電源回路
３０６ 復調回路
３０７ 変調回路
３０８ 制御回路
３０９ メモリ
３１０ 充電回路
３１１ 一次電池
３１２ 映像信号生成回路
３１３ コンバータ
３１４ 駆動回路
３１５ 画素部
３１７ 端子
３１８ インターフェース
４０１ アンテナ回路
４０２ 集積回路
４０３ 表示装置
４０５ 基板
４０６ カバー材
４０７ 開口部
５００ 画素部
５０１ 第１電極駆動回路
５０２ 第２電極駆動回路
５０３ 画素
５０４ 第１電極
５０５ 第２電極
５０６ 表示材料
５０７ 表示素子
５０８ 溶媒
５０９ ツイスティングボール
６００ 画素部
６０１ 信号線駆動回路
６０２ 走査線駆動回路
６０３ 画素
６０４ 第１電極
６０５ 第２電極
６０６ 表示材料
６０７ 表示素子
６０８ 溶媒
６０９ ツイスティングボール
６１０ トランジスタ
６１１ 保持容量
６１２ 走査線
６１３ 信号線
７００ 基板
７０１ 絶縁膜
７０２ 剥離層
７０３ 絶縁膜
７０４ 半導体膜
７０５ 半導体膜
７０６ 半導体膜
７０９ ゲート絶縁膜
７１０ 電極
７１１ 低濃度不純物領域
７１２ マスク
７１３ 高濃度不純物領域
７１４ ゲート絶縁膜
７１５ サイドウォール
７１６ マスク
７１７ 高濃度不純物領域
７１８ ＴＦＴ
７１８ ＴＦＴ
７１９ ＴＦＴ
７２０ 容量
７２１ ＴＦＴ
７２２ 絶縁膜
７２３ 絶縁膜
７２４ 導電膜
７２５ 導電膜
７２７ 導電膜
７２９ 導電膜
７３１ 導電膜
７３２ 導電膜
７３３ 絶縁膜
７３４ 導電膜
７３５ 導電膜
７３６ 保護層
７３７ シート材
７３８ 素子形成層
７３９ マイクロカプセル
７４０ 導電膜
７４１ 基板
７４２ アンテナ
７４３ 異方導電性フィルム
７４４ シート材
７４５ 表示材料
７４６ 支持体
８００ 半導体基板
８０１ トランジスタ
８０２ トランジスタ
８０３ 絶縁膜
８０４ 素子分離用絶縁膜
８０５ ｐウェル
８０６ ゲート絶縁膜
８０７ 導電膜
８０８ 不純物領域
８０９ 不純物領域
８１０ 導電膜
８１３ 導電膜
８１５ 絶縁膜
８１６ 導電膜
８１７ 導電膜
８１８ 電極
８１９ 配向膜
８２０ シール材
８２１ 電極
８２２ 配向膜
８２３ 基板
８２４ 液晶
８２５ 偏光板
８２６ 液晶素子
８３０ 支持体
８３１ アンテナ
８３２ 異方導電性フィルム
９０１ 画素部
９０２ シンボル
９０３ マージン
９０４ 画素配置領域
９０５ 切り出しシンボル
１８０１ 画素部
１８０２ シンボル
１８０３ マージン
１８０４ 画素配置領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項２】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項３】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項４】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項５】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項６】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項７】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項８】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項９】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１０】
第１データを記憶する第１メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１１】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１２】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１３】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１４】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１５】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１６】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項２】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項３】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項４】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項５】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項６】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項７】
データを記憶するメモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項８】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器から無線で送られてきた信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項９】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１０】
第１データを記憶する第１メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、
を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１１】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１２】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有することを特徴とする記録担体。
【請求項１３】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１４】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１５】
データを記憶するメモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記メモリから前記データを読み出す制御回路と、
読み出された前記データをアルゴリズムに従って変換するコンバータと、
前記コンバータによって変換された前記データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【請求項１６】
第１データを記憶する第１メモリと、
前記第１データをアルゴリズムに従って変換することで得られる第２データを記憶する第２メモリと、
質問器からの電波を受信して信号を生成するアンテナ回路と、
前記信号に従って、前記第２メモリから前記第２データを読み出す制御回路と、
読み出された前記第２データを用いて映像信号を生成する映像信号生成回路と、
前記映像信号を用いてコードを表示する表示装置と、を有し、
前記表示装置は、メモリ性を有する表示材料を用いた表示素子を有し、
前記第１メモリまたは前記第２メモリは書き換えができる不揮発性メモリであることを特徴とする記録担体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００８−２３４６３３（Ｐ２００８−２３４６３３Ａ）
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２５０７（Ｐ２００８−３２５０７）
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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