誘電体磁器組成物および電子部品
【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、０．０３≦ｘ≦０．３０、０．００＜ｙ≦０．０５、０．０２＜ｚ≦０．２、０≦ａ≦０．２、０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３、０．９７≦ｍ≦１．０３、第１副成分は、酸化亜鉛であり、第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、第１副成分が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、第２副成分は主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。
【解決手段】（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、０．０３≦ｘ≦０．３０、０．００＜ｙ≦０．０５、０．０２＜ｚ≦０．２、０≦ａ≦０．２、０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３、０．９７≦ｍ≦１．０３、第１副成分は、酸化亜鉛であり、第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、第１副成分が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、第２副成分は主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため、電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化しても静電容量を維持するために比誘電率が高く、さらに高電圧下で使用するために交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物および電子部品が求められている。
【０００３】
従来、磁器コンデンサ、積層コンデンサ、高周波用コンデンサ、高電圧用コンデンサ等として広く利用されている高誘電率誘電体磁器組成物として、特許文献１〜４のようにＢａＴｉＯ３ −ＢａＺｒＯ３ −ＣａＴｉＯ３ −ＳｒＴｉＯ３ 系の磁器組成物を主成分としたものが知られている。
【０００４】
しかし、このような従来のＢａＴｉＯ３ −ＢａＺｒＯ３ −ＣａＴｉＯ３ −ＳｒＴｉＯ３ 系の磁器組成物は、強誘電性であるため、高い静電容量、低い誘電損失を維持したまま、高い交流破壊電圧を確保することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開１９９４−３０２２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−１０４７７４号公報
【特許文献３】特開２００３−１０９４３０号公報
【特許文献４】特開２００４−２３８２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物により構成される誘電体層を有する電子部品を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物である。
【０００９】
本発明によれば、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００１０】
本発明の実施形態に係る電子部品は、前記誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
【００１１】
本発明の実施形態に係る電子部品としては、特に限定されないが、単板型セラミックコンデンサ、貫通型コンデンサ、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００１４】
セラミックコンデンサ２
図１（Ａ）に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が３〜２０ｍｍ程度、好ましくは３〜１５ｍｍ程度である。
【００１５】
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
【００１６】
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
【００１７】
誘電体層１０
前記セラミックコンデンサ２の誘電体層１０は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
【００１８】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物である。
【００１９】
前記組成式中のｘは、Ｃａの比率を表し、その範囲は０．０３≦ｘ≦０．３０である。Ｃａがこの範囲で含有されることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｘは、好ましくは０．０８≦ｘ≦０．１６である。
【００２０】
前記組成式中のｙは、Ｓｒの比率を表し、その範囲は０．００＜ｙ≦０．０５である。Ｓｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率が向上し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｙは好ましくは０．００６≦ｙ≦０．０２である。
【００２１】
前記組成式中のｚは、Ｚｒの比率を表し、その範囲は０．０２＜ｚ≦０．２である。Ｚｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚは好ましくは０．０６≦ｚ≦０．１５である。
【００２２】
前記組成式中のａは、Ｓｎの比率を表し、その範囲は０≦ａ≦０．２である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ａは好ましくは０≦ａ≦０．１５である。
【００２３】
前記組成式中のｚ＋ａは、ＺｒとＳｎの合計比率を表し、その範囲は０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚ＋ａは好ましくは０．０６≦ｚ＋ａ≦０．２である。
【００２４】
前記組成式中のｍはＡサイトの成分であるＢａ、Ｃａ、Ｓｒと、Ｂサイト成分であるＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル比を表わし、０．９７≦ｍ≦１．０３である。ｍをこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上する傾向となる。このような観点から、ｍは好ましくは０．９７≦ｍ＜１．００である。
【００２５】
前記第１副成分は、酸化亜鉛である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されている。第１副成分の含有量をこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧、焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から第１副成分の含有量は好ましくは０．８〜６重量％である。
【００２６】
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、好ましくはＬａ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第２副成分が前記主成分１００重量％に対して０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている。第２副成分の含有量をこの範囲にすることで、交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。また、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、所定の組成および量の主成分を有し、所定の量の第１副成分を有することにより、第２副成分の含有量を比較的少なくしても、交流破壊電圧を向上させ、温度特性を良好にすることができる。このような観点から、第２副成分の含有量は好ましくは０．０１重量％以上０．０９重量％以下である。
【００２７】
セラミックコンデンサ２の製造方法
次に、セラミックコンデンサ２の製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
【００２８】
主成分の原料および各副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３ ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３ ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３ ）、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）、酸化スズ（ＳｎＯ２ ）などを用いることができる。この他、たとえば水酸化物など、焼成後に酸化物やチタン化合物となる種々の化合物を用いることも可能である。その場合、金属元素の元素数が合うように、含有量を適宜変更すればよい。
【００２９】
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
【００３０】
第１副成分および第２副成分の原料としては、特に限定されず、焼成により上記した酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
【００３１】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法としては、まず主成分の原料または、主成分の原料と各副成分の原料とを配合し、ジルコニアボールなどによるボールミルなどを用いて湿式混合する。第１副成分をこの時点で配合する場合には、上記した誘電体磁器組成物の組成になるように第１副成分を配合してもよいし、一部のみ配合して、仮焼き後に残りの第１副成分を添加してもよい。
【００３２】
得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１０００〜１３００℃、より好ましくは１１５０〜１２５０℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。また、主成分の原料と、副成分の原料と、を別々に仮焼した後、混合して誘電体磁器組成物粉末としても良い。
【００３３】
次いで、得られた仮焼き粉を粗粉砕する。第１副成分を一部のみ配合した場合には、ここで、仮焼き前に添加した第１副成分の原料と合わせて上記した誘電体磁器組成物の組成になるように残りの第１副成分を添加する。
【００３４】
仮焼き粉または仮焼き粉と副成分の原料を、ボールミルなどにより湿式粉砕して、さらに混合し、乾燥して誘電体磁器組成物粉末とする。上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
【００３５】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末にバインダを適量添加し、造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に圧縮成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１２００〜１４００℃、より好ましくは１２８０〜１３６０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
【００３６】
得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。
【００３７】
このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００３８】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００３９】
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良いし、貫通型コンデンサの誘電体層を上記した誘電体磁器組成物を用いて作製してもよい。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４１】
試料１〜５８
主成分の原料として、ＢａＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＴｉＯ２ 、ＺｒＯ２ およびＳｎＯ２ を、それぞれ準備した。また、第１副成分の原料としてＺｎＯ２ 、第２副成分の原料として、Ｌａ２Ｏ３ 、Ｐｒ６Ｏ１１ 、Ｐｍ２Ｏ３ 、Ｎｄ２Ｏ３ 、Ｓｍ２Ｏ３ 、Ｅｕ２Ｏ３ 、Ｇｄ２Ｏ３ 、Ｙ２Ｏ３ をそれぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１および表２の試料１〜５８に示す組成となるように、それぞれ秤量し、この原料配合物をボールミルで湿式混合撹拌を３時間行い、脱水乾燥後、１１７０〜１２１０℃で仮焼成し、化学反応を行わせた。
【００４２】
次いで、これを粗粉砕した後，再びポットミルで０．５〜２μｍ程度に微粉砕し，脱水乾燥した後，これに有機結合剤としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加し，造粒整粒を行い，顆粒粉末とした。この顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し直径１６．５ｍｍ，厚さ１．１５ｍｍの円板状の成形物とした。
【００４３】
得られた成形体を、空気中で、１３５０℃前後で本焼成し，磁器素体を得た。このようにして得られた磁器素体の両面に銀（Ａｇ）ペーストで焼付け電極を形成し、これにリード線を半田付けして磁器コンデンサを得た。このようにして得られた試料の比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧、温度特性、焼結性を測定した結果を表３に示す。
【００４４】
（比誘電率（ε））
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、８０００以上を良好とした。
【００４５】
（誘電損失（ｔａｎδ））
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では１．５％以下を良好とした。
【００４６】
（交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ））
交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電圧を測定し、単位厚み当たりの交流破壊電圧を求めた。交流破壊電圧は高いほうが好ましく、本実施例では、４．５ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
【００４７】
（温度特性（ＴＣ））
コンデンサ試料に対し、８５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、基準温度２０℃における静電容量に対する８５℃での静電容量の変化率（ΔＣ／Ｃ２０）（単位は％）を算出した。本実施例ではΔＣ／Ｃ２０は、Ｚ５Ｕ特性を満たす＋２０％〜−５６％を好ましい範囲とした。
【００４８】
（焼結性）
得られた焼結体について、焼成後の焼結体の寸法および重量から、焼結体密度を算出し、その焼結体密度が５．５ｇ／ｃｍ３以上のものを○、５．５ｇ／ｃｍ３未満の物を×とした。ここで、基準を５．５ｇ／ｃｍ３未満としたのは、５．５ｇ／ｃｍ３未満だと素地の強度が著しく低下してしまうためである。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】
【表４】
【００５３】
試料１〜７より、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが０．９６の場合（試料１）に比べ、比誘電率が高く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが１．０４の場合（試料７）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料７では、焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性を測定できなかった。
【００５４】
試料８〜１３より、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料９〜１２）には、ｘが０の場合（試料８）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料８では、焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性を測定できなかった。また、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料８〜１３）には、ｘが０．４の場合（試料１３）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００５５】
試料１４〜１８より、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０の場合（試料１４）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。また、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０．０６の場合（試料１８）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５６】
試料１９〜２６より、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高くなり、誘電損失が低くなり、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．２５の場合（試料２６）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５７】
試料２０〜２５、２７〜３２より、組成式中のａが０≦ａ≦０．２の場合（試料２０〜２５、２７〜３１）は、ａが０．２５の場合（試料３２）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５８】
試料１９、３３〜３７より、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３６）は、組成式中のｚ＋ａが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高く、誘電損失が低く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３６）は、組成式中のｚ＋ａが０．４０の場合（試料３７）に比べ、比誘電率が高く、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５９】
試料３８〜４４より、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料３９〜４３）は、酸化亜鉛の含有量が０．３重量％の場合（試料３８）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料３８は焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性の測定ができなかった。また、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料３９〜４３）は、酸化亜鉛の含有量が１５重量％の場合に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００６０】
試料４、４５〜５８より、第２副成分としてＬａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｐｍ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３およびＹ２Ｏ３から選ばれる少なくとも１種からなる第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４５〜５１、５３〜５７）は、前記第２副成分が含まれない場合（試料５２）に比べて交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、前記第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４５〜５１、５３〜５７）は、前記第２副成分が０．４重量％含まれる場合（試料５８）に比べて比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【符号の説明】
【００６１】
２… 単板型セラミックコンデンサ
４… 保護樹脂
６，８… リード端子
１０… 誘電体層
１２，１４… 端子電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため、電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化しても静電容量を維持するために比誘電率が高く、さらに高電圧下で使用するために交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物および電子部品が求められている。
【０００３】
従来、磁器コンデンサ、積層コンデンサ、高周波用コンデンサ、高電圧用コンデンサ等として広く利用されている高誘電率誘電体磁器組成物として、特許文献１〜４のようにＢａＴｉＯ３ −ＢａＺｒＯ３ −ＣａＴｉＯ３ −ＳｒＴｉＯ３ 系の磁器組成物を主成分としたものが知られている。
【０００４】
しかし、このような従来のＢａＴｉＯ３ −ＢａＺｒＯ３ −ＣａＴｉＯ３ −ＳｒＴｉＯ３ 系の磁器組成物は、強誘電性であるため、高い静電容量、低い誘電損失を維持したまま、高い交流破壊電圧を確保することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開１９９４−３０２２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−１０４７７４号公報
【特許文献３】特開２００３−１０９４３０号公報
【特許文献４】特開２００４−２３８２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物により構成される誘電体層を有する電子部品を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物である。
【０００９】
本発明によれば、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００１０】
本発明の実施形態に係る電子部品は、前記誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
【００１１】
本発明の実施形態に係る電子部品としては、特に限定されないが、単板型セラミックコンデンサ、貫通型コンデンサ、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００１４】
セラミックコンデンサ２
図１（Ａ）に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が３〜２０ｍｍ程度、好ましくは３〜１５ｍｍ程度である。
【００１５】
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
【００１６】
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
【００１７】
誘電体層１０
前記セラミックコンデンサ２の誘電体層１０は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
【００１８】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物である。
【００１９】
前記組成式中のｘは、Ｃａの比率を表し、その範囲は０．０３≦ｘ≦０．３０である。Ｃａがこの範囲で含有されることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｘは、好ましくは０．０８≦ｘ≦０．１６である。
【００２０】
前記組成式中のｙは、Ｓｒの比率を表し、その範囲は０．００＜ｙ≦０．０５である。Ｓｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率が向上し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｙは好ましくは０．００６≦ｙ≦０．０２である。
【００２１】
前記組成式中のｚは、Ｚｒの比率を表し、その範囲は０．０２＜ｚ≦０．２である。Ｚｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚは好ましくは０．０６≦ｚ≦０．１５である。
【００２２】
前記組成式中のａは、Ｓｎの比率を表し、その範囲は０≦ａ≦０．２である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ａは好ましくは０≦ａ≦０．１５である。
【００２３】
前記組成式中のｚ＋ａは、ＺｒとＳｎの合計比率を表し、その範囲は０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚ＋ａは好ましくは０．０６≦ｚ＋ａ≦０．２である。
【００２４】
前記組成式中のｍはＡサイトの成分であるＢａ、Ｃａ、Ｓｒと、Ｂサイト成分であるＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル比を表わし、０．９７≦ｍ≦１．０３である。ｍをこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上する傾向となる。このような観点から、ｍは好ましくは０．９７≦ｍ＜１．００である。
【００２５】
前記第１副成分は、酸化亜鉛である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されている。第１副成分の含有量をこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧、焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から第１副成分の含有量は好ましくは０．８〜６重量％である。
【００２６】
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、好ましくはＬａ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第２副成分が前記主成分１００重量％に対して０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている。第２副成分の含有量をこの範囲にすることで、交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。また、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、所定の組成および量の主成分を有し、所定の量の第１副成分を有することにより、第２副成分の含有量を比較的少なくしても、交流破壊電圧を向上させ、温度特性を良好にすることができる。このような観点から、第２副成分の含有量は好ましくは０．０１重量％以上０．０９重量％以下である。
【００２７】
セラミックコンデンサ２の製造方法
次に、セラミックコンデンサ２の製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
【００２８】
主成分の原料および各副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３ ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３ ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３ ）、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）、酸化スズ（ＳｎＯ２ ）などを用いることができる。この他、たとえば水酸化物など、焼成後に酸化物やチタン化合物となる種々の化合物を用いることも可能である。その場合、金属元素の元素数が合うように、含有量を適宜変更すればよい。
【００２９】
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
【００３０】
第１副成分および第２副成分の原料としては、特に限定されず、焼成により上記した酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
【００３１】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法としては、まず主成分の原料または、主成分の原料と各副成分の原料とを配合し、ジルコニアボールなどによるボールミルなどを用いて湿式混合する。第１副成分をこの時点で配合する場合には、上記した誘電体磁器組成物の組成になるように第１副成分を配合してもよいし、一部のみ配合して、仮焼き後に残りの第１副成分を添加してもよい。
【００３２】
得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１０００〜１３００℃、より好ましくは１１５０〜１２５０℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。また、主成分の原料と、副成分の原料と、を別々に仮焼した後、混合して誘電体磁器組成物粉末としても良い。
【００３３】
次いで、得られた仮焼き粉を粗粉砕する。第１副成分を一部のみ配合した場合には、ここで、仮焼き前に添加した第１副成分の原料と合わせて上記した誘電体磁器組成物の組成になるように残りの第１副成分を添加する。
【００３４】
仮焼き粉または仮焼き粉と副成分の原料を、ボールミルなどにより湿式粉砕して、さらに混合し、乾燥して誘電体磁器組成物粉末とする。上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
【００３５】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末にバインダを適量添加し、造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に圧縮成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１２００〜１４００℃、より好ましくは１２８０〜１３６０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
【００３６】
得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。
【００３７】
このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００３８】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００３９】
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良いし、貫通型コンデンサの誘電体層を上記した誘電体磁器組成物を用いて作製してもよい。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４１】
試料１〜５８
主成分の原料として、ＢａＣＯ３ 、ＣａＣＯ３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＴｉＯ２ 、ＺｒＯ２ およびＳｎＯ２ を、それぞれ準備した。また、第１副成分の原料としてＺｎＯ２ 、第２副成分の原料として、Ｌａ２Ｏ３ 、Ｐｒ６Ｏ１１ 、Ｐｍ２Ｏ３ 、Ｎｄ２Ｏ３ 、Ｓｍ２Ｏ３ 、Ｅｕ２Ｏ３ 、Ｇｄ２Ｏ３ 、Ｙ２Ｏ３ をそれぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１および表２の試料１〜５８に示す組成となるように、それぞれ秤量し、この原料配合物をボールミルで湿式混合撹拌を３時間行い、脱水乾燥後、１１７０〜１２１０℃で仮焼成し、化学反応を行わせた。
【００４２】
次いで、これを粗粉砕した後，再びポットミルで０．５〜２μｍ程度に微粉砕し，脱水乾燥した後，これに有機結合剤としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加し，造粒整粒を行い，顆粒粉末とした。この顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し直径１６．５ｍｍ，厚さ１．１５ｍｍの円板状の成形物とした。
【００４３】
得られた成形体を、空気中で、１３５０℃前後で本焼成し，磁器素体を得た。このようにして得られた磁器素体の両面に銀（Ａｇ）ペーストで焼付け電極を形成し、これにリード線を半田付けして磁器コンデンサを得た。このようにして得られた試料の比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧、温度特性、焼結性を測定した結果を表３に示す。
【００４４】
（比誘電率（ε））
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、８０００以上を良好とした。
【００４５】
（誘電損失（ｔａｎδ））
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では１．５％以下を良好とした。
【００４６】
（交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ））
交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電圧を測定し、単位厚み当たりの交流破壊電圧を求めた。交流破壊電圧は高いほうが好ましく、本実施例では、４．５ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
【００４７】
（温度特性（ＴＣ））
コンデンサ試料に対し、８５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、基準温度２０℃における静電容量に対する８５℃での静電容量の変化率（ΔＣ／Ｃ２０）（単位は％）を算出した。本実施例ではΔＣ／Ｃ２０は、Ｚ５Ｕ特性を満たす＋２０％〜−５６％を好ましい範囲とした。
【００４８】
（焼結性）
得られた焼結体について、焼成後の焼結体の寸法および重量から、焼結体密度を算出し、その焼結体密度が５．５ｇ／ｃｍ３以上のものを○、５．５ｇ／ｃｍ３未満の物を×とした。ここで、基準を５．５ｇ／ｃｍ３未満としたのは、５．５ｇ／ｃｍ３未満だと素地の強度が著しく低下してしまうためである。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】
【表４】
【００５３】
試料１〜７より、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが０．９６の場合（試料１）に比べ、比誘電率が高く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが１．０４の場合（試料７）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料７では、焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性を測定できなかった。
【００５４】
試料８〜１３より、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料９〜１２）には、ｘが０の場合（試料８）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料８では、焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性を測定できなかった。また、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料８〜１３）には、ｘが０．４の場合（試料１３）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００５５】
試料１４〜１８より、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０の場合（試料１４）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。また、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０．０６の場合（試料１８）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５６】
試料１９〜２６より、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高くなり、誘電損失が低くなり、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．２５の場合（試料２６）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５７】
試料２０〜２５、２７〜３２より、組成式中のａが０≦ａ≦０．２の場合（試料２０〜２５、２７〜３１）は、ａが０．２５の場合（試料３２）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５８】
試料１９、３３〜３７より、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３６）は、組成式中のｚ＋ａが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高く、誘電損失が低く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３６）は、組成式中のｚ＋ａが０．４０の場合（試料３７）に比べ、比誘電率が高く、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５９】
試料３８〜４４より、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料３９〜４３）は、酸化亜鉛の含有量が０．３重量％の場合（試料３８）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料３８は焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性の測定ができなかった。また、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料３９〜４３）は、酸化亜鉛の含有量が１５重量％の場合に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００６０】
試料４、４５〜５８より、第２副成分としてＬａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｐｍ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３およびＹ２Ｏ３から選ばれる少なくとも１種からなる第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４５〜５１、５３〜５７）は、前記第２副成分が含まれない場合（試料５２）に比べて交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、前記第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４５〜５１、５３〜５７）は、前記第２副成分が０．４重量％含まれる場合（試料５８）に比べて比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【符号の説明】
【００６１】
２… 単板型セラミックコンデンサ
４… 保護樹脂
６，８… リード端子
１０… 誘電体層
１２，１４… 端子電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
【請求項１】
（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３ の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−１４０２５８（Ｐ２０１２−１４０２５８Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２９２５６２（Ｐ２０１０−２９２５６２）
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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