誘電体磁器組成物
【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつａ＋ｂ＝１を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。
【解決手段】ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつａ＋ｂ＝１を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波誘電体、特にマイクロ波やミリ波等の高周波領域において使用される種々の共振器材料、フィルター材料、ＭＩＣ用誘電体基板材料、アンテナ材料、積層チップコンデンサー材料、アイソレータ材料等の携帯電話部品の容量素子等に好適に用いることができるマイクロ波誘電体磁器組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信技術の進歩により、自動車電話や携帯電話、ＰＨＳ（簡易型携帯電話）などの移動体通信システムやＧＰＳ（汎地球測位システム）が急速に普及している。そのため通信機に利用される周波数帯域が拡大し、マイクロ波帯域での利用が盛んになっている。
このマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器、アンテナ等の部品が用いられていた。しかし、これらの部品はマイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、携帯電話基地局用のフィルター装置、自動車用電話機、携帯電話機および小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であった。
これに対し、近年のマイクロ波フィルターや発信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることによって回路部品の小型化が盛んに行われ一般化しつつある。
【０００３】
近年、通信技術の進歩により、自動車電話や携帯電話、ＰＨＳ等の移動体通信システム、ＧＰＳが急速に普及し、マイクロ波帯域での利用が盛んになっている。このマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器、アンテナ等の部品が用いられてきた。
しかし、これらの部品はマイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、自動車用電話機、携帯電話機および小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であった。
【０００４】
このような誘電体共振器に用いられる誘電体材料には、使用周波数帯域における誘電率（εｒ）が高く、マイクロ波帯域での無負荷品質係数（Ｑ）と共振周波数（ｆ０）との積（Ｑ×ｆ０、以下、Ｑｆと略称する。）が高く、かつ共振周波数の温度係数（τｆ：ｐｐｍ／Ｋ）がゼロを中心に正から負に自由に制御できることが強く要望され、携帯電話部品等に用いられるコンデンサーなどの容量素子材には、εｒが１８０以上さらにはτｆが任意に制御可能であることが要望されている。
【０００５】
このような誘電体磁器組成物として、例えば特許文献１には、Ｌｉ２Ｏ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＣａＯ系の誘電体磁器組成物が開示されている。しかしながら、この組成系における誘電率の最大値は２２０を僅かに超える程度であり、温度係数を好適に調整した場合は２００程度までしか高くできないという欠点があった。さらには原料としてランタノイド系酸化物などを用いており、近年の希土類の価格高騰により製品価格が高くなるという欠点も有している。
また特許文献２にはＡｇ（Ｎｂ１−ｘＴａｘ）Ｏ３を含有する誘電率４６０以下の複合誘電体材料が開示されている。この中で例えば誘電率４５５のＡｇ（Ｎｂ０．７５Ｔａ０．２５）Ｏ３に対し、ＣａＴｉＯ３および有機高分子を添加した材料が述べられているが、誘電率に関しては１２以上とするのみで具体的な記述は無く、更にはこの組成系は酸化銀を原料の一部に利用していることから、原料原価が極めて高くなり、なおかつその合成には高酸素濃度雰囲気中での焼成が必要になるという欠点を有しており、製品コストが極めて高くなるという問題点を有している。
このように以上の従来技術では、何れも近年の小型化に要求されるεｒ＞２５０、Ｑｆ≧１００ＧＨｚにおいて共振周波数の温度係数τｆを自由にコントロールできるものは開示されておらず、更に原料価格の面からも工業的に利用価値の低いものであった。
【特許文献１】特開２０００−３３５９６４号公報
【特許文献２】特開２００６−２６０８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、特に高価な原料を使用することなく、極めて高い誘電率を有する誘電体組成物を提供し、さらにそれを用いて高い誘電率を有しながら温度安定性に優れた複合誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体磁器、樹脂誘電体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（Ｃａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３−ＮａＮｂＯ３系複合酸化物はマイクロ波領域において十分なＱ値を保持しつつ、極めて高い誘電率をもつ。また、これらの複合酸化物のモル比を制御した共振周波数の温度変化τｆが負の誘電体磁器組成物に対し、高誘電率かつ温度係数がプラスの誘電体磁器組成物を複合化することにより、誘電率が極めて高く、温度変化に対して特性を安定させることができた。
これらの技術により誘電体磁器および誘電体樹脂を得ることができ、前記課題を解決した。
【０００８】
即ち、本願請求項１に記載の誘電体磁器組成物は、ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが、０．０３０≦ａ≦０．１７０、０．８３≦ｂ≦０．９７０、ａ＋ｂ＝１を満足し、かつＡＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成していることを特徴とする。
Ａ（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）成分は誘電体磁器として高周波領域において安定した電気特性を有しており、Ｔｉとの複合酸化物を形成し、誘電率を上昇させる作用がある。また、ＮａＮｂＯ３成分との固溶体を作り、その組成比に応じて誘電率を１７０〜１４００の範囲内で、共振周波数の温度係数τｆを−６５０〜−１８００（ｐｐｍ/Ｋ）と負の範囲で調整することを可能とする。
【０００９】
組成比である前記ａ，ｂを前記範囲に限定することにより、次の効果が得えられる。まずａを０．０３０以上の値とすることにより誘電率及び共振周波数の温度変化τｆを調整することができ、誘電率も１７０以上と高いまま保つことができる。また、ａが０．１７０以下の値とするのは、τｆ値が負の値を保てるためである。ａの値が０．０３０未満であれば、誘電率及び共振周波数の温度変化τｆを調整する効果が十分に得られず、また、ａの値が０．１７０より大きい場合は共振周波数の温度変化τｆが急激に大きな正の値となり、高温安定性に優れた高誘電率誘電体が得られなくなる。
【００１０】
請求項２に記載の本発明は、共振周波数の温度係数τｆ値が正であり、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％と、請求項１に記載の誘電体磁器組成物２０〜９０体積％とを混合した複合誘電体磁器組成物である。
共振周波数の温度係数τｆが正の値を示し、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を、請求項１の誘電体磁器組成物と混合し、第２の誘電体磁器組成物をその１０〜８０体積％とすることにより、誘電率の温度変化の調整を容易にすることができる複合誘電体磁器組成物が得られる。第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％に限定した理由は、この範囲においては誘電特性を安定化するのが容易であるためである。これに対して、第２の誘電体磁器組成物が１０体積％以下であれば誘電率が低下し、さらには温度係数が負へ大きくシフトし、逆に８０体積％を超えると、温度係数が正へ大きくシフトし、誘電率の温度安定性が低下してしまう。
【００１１】
前記第２の誘電体磁器組成物に当てはまるのは、たとえばＡｇＮｂＯ３、ＡｇＴａＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＡＴｉＯ３とＮａＮｂＯ３との組成比を変えたｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ただしＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種、ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００かつ、０．０００≦ｄ＜０．８２９かつ、ｃ＋ｄ＝１）などであり、いずれも化学的に安定で、１５０以上の高誘電率かつ共振周波数の温度係数τｆが正の材料であるが、これらの誘電体磁器組成物などを適量混合することによって、高誘電率を有しながら温度安定性に優れた誘電体磁器組成物や、高誘電率を有しながら任意の温度における誘電率変化挙動を示す誘電体磁器組成物を容易に得ることが可能となる。
【００１２】
請求項３に記載の本発明は、前記第２の誘電体磁器組成物が一般式ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００、０．０００≦ｄ≦０．８２９、ｃ＋ｄ＝１を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物である。
この範囲のｃ、ｄ値を満たすｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３成分は、誘電率が１７０〜１４００と高く、共振周波数の温度変化τｆが正に大きいため、請求項１に記載のａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３の成分と混合することにより、誘電率が高く、温度変化しても特性の変化が少ない、優れた複合誘電体磁器組成物を得られる。
このように、誘電率が極めて高く、かつ共振周波数が負の誘電体磁器組成物を用いることは、高誘電率材料の設計の自由度を広げ、高誘電率ながら温度変化に対して安定した誘電体磁器組成物の設計を容易に得ることが可能となる。
【００１３】
請求項４に記載の本発明は、請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物２０〜９７体積％と、残部が絶縁体磁器組成物からなる複合誘電体磁器組成物であり、前記絶縁体磁器組成物は１０５０℃以下で焼成可能であることを特徴とする複合誘電体磁器組成物である。
すなわち前記絶縁体磁器組成成分は３〜８０体積％となる。
絶縁体磁器組成成分は、高誘電率でτｆ値が負である前記ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３成分と、τｆ値が正である前記ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３との固溶体成分、この両固溶体同士の固溶体化を阻害し、焼結ロットごとの特性バラツキおよびτｆ値が小さく安定した誘電体磁器を得る効果がある。３〜８０体積％の範囲の限定については、前記両固溶体同士の固溶体化を妨げる働きが十分であり、τｆ値を小さい値に制御できるためである。３体積％以下の添加では前記両固溶体化を妨げる働きが低く、逆に８０体積％を超えるとτｆ値の増加が避けられない。
１０５０℃以下で焼成可能とした理由は、この温度を超えると前記両固溶体同士の固溶が進行し、その混合比に応じてａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３成分系固溶体単一相あるいはｃＡＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３成分系固溶体単一相となり、目的の特性が得られないため適していないのである。
【００１４】
請求項５に記載の本発明は、前記絶縁体磁器組成物が、特にガラスあるいは酸化ビスマスであることを特徴とする複合誘電体磁器組成物である。
これらは、誘電体磁器組成物の混合物に対し、ガラス成分あるいは酸化ビスマスの低温で固化可能な組成物を添加することにより、共振周波数温度特性τｆが負である成分と、τｆが正である成分の固溶体化を進行させずに焼結することが可能となる。
【００１５】
請求項６に記載の本発明は、請求項１の誘電体組成物、または請求項２から請求項５のいずれかに記載の複合誘電体磁器組成物を粉末状態で樹脂中に分散した構造を有する樹脂誘電体である。樹脂と混合することにより、柔軟性や易加工性、割れ欠けにくさなどを持つことにより、アンテナや携帯用電子機器などに使用する誘電体として使用することができる。樹脂については特に下記に限定するものではないが、適当な例としてはポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレン、液晶ポリマー、シンジオタクチックポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレンなどを用いることができる。樹脂誘電体は、そのうちの樹脂が占める割合が３体積％以上８０体積％以下の範囲が柔軟性や易加工性、誘電率や温度変化による変化が少ないために好ましく、さらには５〜３０体積％の範囲が良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１から請求項６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物、複合誘電体磁器組成物、誘電体樹脂を用いることは、これら誘電体基板、誘電体共振器、誘電体多層基板、誘電体アンテナのサイズを小さく設計でき、またその高い誘電率や、０に近く制御したτｆ値により使用時の温度変化に対して特性の変動が小さく、これらを搭載した電子機器の小型化や、更には省スペース設計により生じた電子機器の空き領域に他の機能部品を搭載させて多機能化を図れるようになるなどの産業的な効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を、実施例を基に詳細に説明する。
【実施例】
【００１８】
実施例１
本発明の誘電体磁器組成物を以下の要領で試料を作製し、その特性を調べた。 この実施例１は、請求項１に記載の磁器組成成分に関する実施例を示す。
まず、９９．９％以上の高純度のＴｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５の各種原料を用い、表１の各配合比率になるように秤量し、その後メタノールを用い、３００ｍｌのウレタン内張りポットミルおよび高純度で直径５ｍｍ〜直径１２ｍｍの球状酸化ジルコニウムボールを用いて２４時間混合し、その後６０℃で乾燥させた。
その後乾燥粉末をアルミナ製乳鉢で粉砕し、アルミナ製るつぼを用いて９００〜１３００℃の範囲で、粒子同士がネッキングを起こし始める程度までの加熱、いわゆる仮焼結を行なった。
そして、この仮焼物を再度乳鉢で粉砕した後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）５％水溶液を４質量部添加し、乳鉢で均一になるよう攪拌し、その後３２０メッシュの篩いを用い整粒し、プレス圧１００ＭＰａで直径１２ｍｍ、厚み７ｍｍの円盤状に成型した。
その後、上記成型体を焼成温度１４００℃で約２時間保持で焼成しマイクロ波誘電体磁器を得た。得られたマイクロ波誘電体磁器の上下面を番手＃２００のダイヤモンドホイールを用い研磨し直径１０ｍｍ×厚さ５ｍｍの測定用素子に加工した後、Ｈａｋｋｉ−Ｃｏｌｅｍａｎ法によりヒューレットパッカード社のネットワークアナライザーを用い測定周波数５〜１０ＧＨｚ、さらに恒温槽を用いεｒ値、Ｑｆ値および温度に対する変化特性τｆを調べた。
【００１９】
以上の作業を表１に示す試料について行った。 表１は、第１誘電体磁器組成成分であるａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３はａ、ｂ各々の成分量およびＡ成分を変化させたときの諸特性との関連を調べたものである。
【００２０】
【表１】
表1に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
【００２１】
表１から明らかなように、本発明の基本成分である第１誘電体磁器組成成分ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３でのａ値、ｂ値を前記請求の範囲内とした試料.１〜試料.８については、誘電率が１７０以上、Ｑｆ値が１００（ＧＨｚ）以上、τｆ値がいずれも負の範囲であり、目的とする特性が得られた。
また、ａ値が請求の範囲より小さい値である０．０２とした比較試料.９および１１は、誘電率の低下が起こり、適していない。また、ａの値が逆に０．１７０を超えて大きい比較試料.１０,１２の場合は、τｆ値が大きく正の値を示すために、やはり適していない。
【００２２】
実施例２
本発明請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物試料を以下の要領で製作し、その特性を調べた。この実施例２は、実施例１中の試料.６を請求項１に記載の誘電体磁器組成物として、第２の誘電体磁器組成物と混合した実施例である。
試料の製作はおおむね実施例１に示した方法と同じであるが、乾燥粉末を乳鉢で粉砕する段階で実施例１中の試料.６と第２の誘電体磁器組成物を混合した。
第２の誘電体磁器組成物の材質や量を変えて実施例１と同様の実験を行い、誘電特性を測定した。結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】
表２に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
【００２５】
表２の結果より本発明請求項２に示す複合誘電体磁器組成物は、誘電率はいずれも２５０を超えつつＱｆ値も３００(ＧＨｚ)超える良好な特性を有していることがわかる。特筆すべきはτｆが正負に１００（ｐｐｍ／Ｋ）以内と非常に制御されており、高温特性にも優れていることがわかる。
第２の誘電体磁器組成物の割合が、１０体積％未満もしくは８０体積％を超える比較試料.２６、２７はいずれもτｆ値が正負に大きい値となり適さなかった。
比較試料である試料.２９および３０は、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２の誘電率が低いために、混合した複合磁器組成物も誘電率をはじめ誘電特性が満足できなかった。
【００２６】
実施例３
この実施例３は、請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物に関する実施例を示す。
請求項１に記載の誘電体磁器組成物は試料.６を用いた。
第２の誘電体磁器組成物は１０〜８０体積％を占め、ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００、かつ０．０００≦ｄ＜０．８２９、かつｃ＋ｄ＝１を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる。
この両者をｃ、ｄ値および組成の条件を変え、実施例２と同様の方法にて両者を混合し、最終的に複合誘電体磁器組成物を得た。この結果を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】
表３に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
表３の「※割合」は、ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３の複合誘電体磁器組成物に占める割合を体積％で表したもの
【００２９】
表３から明らかなように、本発明の範囲内である試料．４１〜４４は温度係数τｆが±１００（ｐｐｍ／Ｋ）以内であるにもかかわらず、誘電率が３５０を超える極めて優秀な値を示した。しかしながら、本発明の範囲外である比較試料．４５、４６では請求項１に記載の誘電体磁器組成成分ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３および第２の誘電体磁器組成成分ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３同士の固溶体化が起こり、誘電率は極めて高いものの温度係数τｆが正負に大きいという、好ましくない特性となった。
【００３０】
実施例４、実施例５
この実施例４は、本発明請求項４および請求項５に記載の、複合誘電体磁器組成物に関する実施例である。
２０〜９７体積％を占める請求項３に記載の誘電体磁器組成物は試料.４２を用いた。一方３〜８０体積％を占める絶縁体組成物は、１０５０℃以下の熱処理で硬化可能であるガラス、酸化ビスマス、酸化ホウ素、三酸化アンチモンを挙げた。
これらを実施例１に示した工程の仮焼結後に混合し、複合誘電体組成物を得た。
【００３１】
【表４】
【００３２】
表４に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
表４の「※割合」は、絶縁体組成物の複合誘電体磁器組成物に占める割合を体積％で表したもの
【００３３】
表４の結果より、請求項４の複合誘電体組成物は、絶縁体組成物を３〜８０体積％の組成では、誘電率自体は試料.４２より劣るものの、τｆ値をきわめて小さくすることができ、また製造ロットごとのばらつきも非常に小さいという結果を得た。また、特に有効なのはガラスと酸化ビスマスであることが分かった。
また、実施例には記載していないが１０５０℃を超える温度でしか固化しない絶縁体組成物の場合は、試料.４２のａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３とｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３両成分の固溶体同士の固溶体化が進行するために、誘電諸特性に低下が見られた。
【００３４】
実施例５
実施例３で得られた試料.４２の組成物を、粉末の段階で各種樹脂（フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ナイロン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート）と混合を行い、樹脂誘電体を作製した。粉状の誘電体磁器組成物が樹脂で固められた構造となるために、高誘電率で取り扱いや加工が簡単にでき、アンテナや携帯用電子機器などに適用できた。樹脂の種類や誘電体磁器組成物の分量は、求められる誘電率や耐環境性、アンテナ特性、密度、費用などから適当な種類と組成を選ぶことができる。
【００３５】
以上に述べた本発明の誘電体磁器組成物、複合誘電体磁器組成物、樹脂誘電体は、それぞれの組成成分を特定範囲内で制御することによって、高周波領域における誘電率を２５０以上と極めて高く保ちながら、Ｑｆ値を１００以上と高く、τｆを制御することで共振周波数の温度係数を制御することを可能にする。また、前記誘電体組成物と樹脂を複合したものは、高誘電率で樹脂の優位点（変形、被加工性、破壊のしにくさなど）を持つ樹脂誘電体とすることができた。
また、本発明に使用する材料は、Ｃａ，Ｓｒ，Ｎａ，Ｔｉなどであり、希少金属や高価な原料を必要とせずに製造できるために、誘電体組成物として極めて安価に製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の基本組成成分のマイクロ波誘電体磁器組成物は、Ｑｆ値が高いので、マイクロ波領域において使用される共振器材料、フィルター材料、コンデンサー材料、温度補償用コンデンサー材料、高放電材料、バリア放電用材料、イオン発生源、高周波医療器具用部材、アイソレータ等の部材として利用できる。
またその高い誘電率や０に近く制御したτｆ値により、これらを搭載した電子機器の小型化や、更には省スペース設計により生じた電子機器の空き領域に他の機能部品を搭載させて多機能化を図れるようになるなどの産業的な効果を有する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波誘電体、特にマイクロ波やミリ波等の高周波領域において使用される種々の共振器材料、フィルター材料、ＭＩＣ用誘電体基板材料、アンテナ材料、積層チップコンデンサー材料、アイソレータ材料等の携帯電話部品の容量素子等に好適に用いることができるマイクロ波誘電体磁器組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信技術の進歩により、自動車電話や携帯電話、ＰＨＳ（簡易型携帯電話）などの移動体通信システムやＧＰＳ（汎地球測位システム）が急速に普及している。そのため通信機に利用される周波数帯域が拡大し、マイクロ波帯域での利用が盛んになっている。
このマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器、アンテナ等の部品が用いられていた。しかし、これらの部品はマイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、携帯電話基地局用のフィルター装置、自動車用電話機、携帯電話機および小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であった。
これに対し、近年のマイクロ波フィルターや発信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることによって回路部品の小型化が盛んに行われ一般化しつつある。
【０００３】
近年、通信技術の進歩により、自動車電話や携帯電話、ＰＨＳ等の移動体通信システム、ＧＰＳが急速に普及し、マイクロ波帯域での利用が盛んになっている。このマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器、アンテナ等の部品が用いられてきた。
しかし、これらの部品はマイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、自動車用電話機、携帯電話機および小型ＧＰＳ装置等に適用できるような部品の小型化は不可能であった。
【０００４】
このような誘電体共振器に用いられる誘電体材料には、使用周波数帯域における誘電率（εｒ）が高く、マイクロ波帯域での無負荷品質係数（Ｑ）と共振周波数（ｆ０）との積（Ｑ×ｆ０、以下、Ｑｆと略称する。）が高く、かつ共振周波数の温度係数（τｆ：ｐｐｍ／Ｋ）がゼロを中心に正から負に自由に制御できることが強く要望され、携帯電話部品等に用いられるコンデンサーなどの容量素子材には、εｒが１８０以上さらにはτｆが任意に制御可能であることが要望されている。
【０００５】
このような誘電体磁器組成物として、例えば特許文献１には、Ｌｉ２Ｏ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＣａＯ系の誘電体磁器組成物が開示されている。しかしながら、この組成系における誘電率の最大値は２２０を僅かに超える程度であり、温度係数を好適に調整した場合は２００程度までしか高くできないという欠点があった。さらには原料としてランタノイド系酸化物などを用いており、近年の希土類の価格高騰により製品価格が高くなるという欠点も有している。
また特許文献２にはＡｇ（Ｎｂ１−ｘＴａｘ）Ｏ３を含有する誘電率４６０以下の複合誘電体材料が開示されている。この中で例えば誘電率４５５のＡｇ（Ｎｂ０．７５Ｔａ０．２５）Ｏ３に対し、ＣａＴｉＯ３および有機高分子を添加した材料が述べられているが、誘電率に関しては１２以上とするのみで具体的な記述は無く、更にはこの組成系は酸化銀を原料の一部に利用していることから、原料原価が極めて高くなり、なおかつその合成には高酸素濃度雰囲気中での焼成が必要になるという欠点を有しており、製品コストが極めて高くなるという問題点を有している。
このように以上の従来技術では、何れも近年の小型化に要求されるεｒ＞２５０、Ｑｆ≧１００ＧＨｚにおいて共振周波数の温度係数τｆを自由にコントロールできるものは開示されておらず、更に原料価格の面からも工業的に利用価値の低いものであった。
【特許文献１】特開２０００−３３５９６４号公報
【特許文献２】特開２００６−２６０８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、特に高価な原料を使用することなく、極めて高い誘電率を有する誘電体組成物を提供し、さらにそれを用いて高い誘電率を有しながら温度安定性に優れた複合誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体磁器、樹脂誘電体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（Ｃａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３−ＮａＮｂＯ３系複合酸化物はマイクロ波領域において十分なＱ値を保持しつつ、極めて高い誘電率をもつ。また、これらの複合酸化物のモル比を制御した共振周波数の温度変化τｆが負の誘電体磁器組成物に対し、高誘電率かつ温度係数がプラスの誘電体磁器組成物を複合化することにより、誘電率が極めて高く、温度変化に対して特性を安定させることができた。
これらの技術により誘電体磁器および誘電体樹脂を得ることができ、前記課題を解決した。
【０００８】
即ち、本願請求項１に記載の誘電体磁器組成物は、ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが、０．０３０≦ａ≦０．１７０、０．８３≦ｂ≦０．９７０、ａ＋ｂ＝１を満足し、かつＡＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成していることを特徴とする。
Ａ（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）成分は誘電体磁器として高周波領域において安定した電気特性を有しており、Ｔｉとの複合酸化物を形成し、誘電率を上昇させる作用がある。また、ＮａＮｂＯ３成分との固溶体を作り、その組成比に応じて誘電率を１７０〜１４００の範囲内で、共振周波数の温度係数τｆを−６５０〜−１８００（ｐｐｍ/Ｋ）と負の範囲で調整することを可能とする。
【０００９】
組成比である前記ａ，ｂを前記範囲に限定することにより、次の効果が得えられる。まずａを０．０３０以上の値とすることにより誘電率及び共振周波数の温度変化τｆを調整することができ、誘電率も１７０以上と高いまま保つことができる。また、ａが０．１７０以下の値とするのは、τｆ値が負の値を保てるためである。ａの値が０．０３０未満であれば、誘電率及び共振周波数の温度変化τｆを調整する効果が十分に得られず、また、ａの値が０．１７０より大きい場合は共振周波数の温度変化τｆが急激に大きな正の値となり、高温安定性に優れた高誘電率誘電体が得られなくなる。
【００１０】
請求項２に記載の本発明は、共振周波数の温度係数τｆ値が正であり、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％と、請求項１に記載の誘電体磁器組成物２０〜９０体積％とを混合した複合誘電体磁器組成物である。
共振周波数の温度係数τｆが正の値を示し、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を、請求項１の誘電体磁器組成物と混合し、第２の誘電体磁器組成物をその１０〜８０体積％とすることにより、誘電率の温度変化の調整を容易にすることができる複合誘電体磁器組成物が得られる。第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％に限定した理由は、この範囲においては誘電特性を安定化するのが容易であるためである。これに対して、第２の誘電体磁器組成物が１０体積％以下であれば誘電率が低下し、さらには温度係数が負へ大きくシフトし、逆に８０体積％を超えると、温度係数が正へ大きくシフトし、誘電率の温度安定性が低下してしまう。
【００１１】
前記第２の誘電体磁器組成物に当てはまるのは、たとえばＡｇＮｂＯ３、ＡｇＴａＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＡＴｉＯ３とＮａＮｂＯ３との組成比を変えたｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ただしＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種、ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００かつ、０．０００≦ｄ＜０．８２９かつ、ｃ＋ｄ＝１）などであり、いずれも化学的に安定で、１５０以上の高誘電率かつ共振周波数の温度係数τｆが正の材料であるが、これらの誘電体磁器組成物などを適量混合することによって、高誘電率を有しながら温度安定性に優れた誘電体磁器組成物や、高誘電率を有しながら任意の温度における誘電率変化挙動を示す誘電体磁器組成物を容易に得ることが可能となる。
【００１２】
請求項３に記載の本発明は、前記第２の誘電体磁器組成物が一般式ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００、０．０００≦ｄ≦０．８２９、ｃ＋ｄ＝１を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物である。
この範囲のｃ、ｄ値を満たすｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３成分は、誘電率が１７０〜１４００と高く、共振周波数の温度変化τｆが正に大きいため、請求項１に記載のａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３の成分と混合することにより、誘電率が高く、温度変化しても特性の変化が少ない、優れた複合誘電体磁器組成物を得られる。
このように、誘電率が極めて高く、かつ共振周波数が負の誘電体磁器組成物を用いることは、高誘電率材料の設計の自由度を広げ、高誘電率ながら温度変化に対して安定した誘電体磁器組成物の設計を容易に得ることが可能となる。
【００１３】
請求項４に記載の本発明は、請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物２０〜９７体積％と、残部が絶縁体磁器組成物からなる複合誘電体磁器組成物であり、前記絶縁体磁器組成物は１０５０℃以下で焼成可能であることを特徴とする複合誘電体磁器組成物である。
すなわち前記絶縁体磁器組成成分は３〜８０体積％となる。
絶縁体磁器組成成分は、高誘電率でτｆ値が負である前記ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３成分と、τｆ値が正である前記ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３との固溶体成分、この両固溶体同士の固溶体化を阻害し、焼結ロットごとの特性バラツキおよびτｆ値が小さく安定した誘電体磁器を得る効果がある。３〜８０体積％の範囲の限定については、前記両固溶体同士の固溶体化を妨げる働きが十分であり、τｆ値を小さい値に制御できるためである。３体積％以下の添加では前記両固溶体化を妨げる働きが低く、逆に８０体積％を超えるとτｆ値の増加が避けられない。
１０５０℃以下で焼成可能とした理由は、この温度を超えると前記両固溶体同士の固溶が進行し、その混合比に応じてａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３成分系固溶体単一相あるいはｃＡＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３成分系固溶体単一相となり、目的の特性が得られないため適していないのである。
【００１４】
請求項５に記載の本発明は、前記絶縁体磁器組成物が、特にガラスあるいは酸化ビスマスであることを特徴とする複合誘電体磁器組成物である。
これらは、誘電体磁器組成物の混合物に対し、ガラス成分あるいは酸化ビスマスの低温で固化可能な組成物を添加することにより、共振周波数温度特性τｆが負である成分と、τｆが正である成分の固溶体化を進行させずに焼結することが可能となる。
【００１５】
請求項６に記載の本発明は、請求項１の誘電体組成物、または請求項２から請求項５のいずれかに記載の複合誘電体磁器組成物を粉末状態で樹脂中に分散した構造を有する樹脂誘電体である。樹脂と混合することにより、柔軟性や易加工性、割れ欠けにくさなどを持つことにより、アンテナや携帯用電子機器などに使用する誘電体として使用することができる。樹脂については特に下記に限定するものではないが、適当な例としてはポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレン、液晶ポリマー、シンジオタクチックポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレンなどを用いることができる。樹脂誘電体は、そのうちの樹脂が占める割合が３体積％以上８０体積％以下の範囲が柔軟性や易加工性、誘電率や温度変化による変化が少ないために好ましく、さらには５〜３０体積％の範囲が良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１から請求項６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物、複合誘電体磁器組成物、誘電体樹脂を用いることは、これら誘電体基板、誘電体共振器、誘電体多層基板、誘電体アンテナのサイズを小さく設計でき、またその高い誘電率や、０に近く制御したτｆ値により使用時の温度変化に対して特性の変動が小さく、これらを搭載した電子機器の小型化や、更には省スペース設計により生じた電子機器の空き領域に他の機能部品を搭載させて多機能化を図れるようになるなどの産業的な効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を、実施例を基に詳細に説明する。
【実施例】
【００１８】
実施例１
本発明の誘電体磁器組成物を以下の要領で試料を作製し、その特性を調べた。 この実施例１は、請求項１に記載の磁器組成成分に関する実施例を示す。
まず、９９．９％以上の高純度のＴｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５の各種原料を用い、表１の各配合比率になるように秤量し、その後メタノールを用い、３００ｍｌのウレタン内張りポットミルおよび高純度で直径５ｍｍ〜直径１２ｍｍの球状酸化ジルコニウムボールを用いて２４時間混合し、その後６０℃で乾燥させた。
その後乾燥粉末をアルミナ製乳鉢で粉砕し、アルミナ製るつぼを用いて９００〜１３００℃の範囲で、粒子同士がネッキングを起こし始める程度までの加熱、いわゆる仮焼結を行なった。
そして、この仮焼物を再度乳鉢で粉砕した後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）５％水溶液を４質量部添加し、乳鉢で均一になるよう攪拌し、その後３２０メッシュの篩いを用い整粒し、プレス圧１００ＭＰａで直径１２ｍｍ、厚み７ｍｍの円盤状に成型した。
その後、上記成型体を焼成温度１４００℃で約２時間保持で焼成しマイクロ波誘電体磁器を得た。得られたマイクロ波誘電体磁器の上下面を番手＃２００のダイヤモンドホイールを用い研磨し直径１０ｍｍ×厚さ５ｍｍの測定用素子に加工した後、Ｈａｋｋｉ−Ｃｏｌｅｍａｎ法によりヒューレットパッカード社のネットワークアナライザーを用い測定周波数５〜１０ＧＨｚ、さらに恒温槽を用いεｒ値、Ｑｆ値および温度に対する変化特性τｆを調べた。
【００１９】
以上の作業を表１に示す試料について行った。 表１は、第１誘電体磁器組成成分であるａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３はａ、ｂ各々の成分量およびＡ成分を変化させたときの諸特性との関連を調べたものである。
【００２０】
【表１】
表1に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
【００２１】
表１から明らかなように、本発明の基本成分である第１誘電体磁器組成成分ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３でのａ値、ｂ値を前記請求の範囲内とした試料.１〜試料.８については、誘電率が１７０以上、Ｑｆ値が１００（ＧＨｚ）以上、τｆ値がいずれも負の範囲であり、目的とする特性が得られた。
また、ａ値が請求の範囲より小さい値である０．０２とした比較試料.９および１１は、誘電率の低下が起こり、適していない。また、ａの値が逆に０．１７０を超えて大きい比較試料.１０,１２の場合は、τｆ値が大きく正の値を示すために、やはり適していない。
【００２２】
実施例２
本発明請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物試料を以下の要領で製作し、その特性を調べた。この実施例２は、実施例１中の試料.６を請求項１に記載の誘電体磁器組成物として、第２の誘電体磁器組成物と混合した実施例である。
試料の製作はおおむね実施例１に示した方法と同じであるが、乾燥粉末を乳鉢で粉砕する段階で実施例１中の試料.６と第２の誘電体磁器組成物を混合した。
第２の誘電体磁器組成物の材質や量を変えて実施例１と同様の実験を行い、誘電特性を測定した。結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】
表２に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
【００２５】
表２の結果より本発明請求項２に示す複合誘電体磁器組成物は、誘電率はいずれも２５０を超えつつＱｆ値も３００(ＧＨｚ)超える良好な特性を有していることがわかる。特筆すべきはτｆが正負に１００（ｐｐｍ／Ｋ）以内と非常に制御されており、高温特性にも優れていることがわかる。
第２の誘電体磁器組成物の割合が、１０体積％未満もしくは８０体積％を超える比較試料.２６、２７はいずれもτｆ値が正負に大きい値となり適さなかった。
比較試料である試料.２９および３０は、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２の誘電率が低いために、混合した複合磁器組成物も誘電率をはじめ誘電特性が満足できなかった。
【００２６】
実施例３
この実施例３は、請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物に関する実施例を示す。
請求項１に記載の誘電体磁器組成物は試料.６を用いた。
第２の誘電体磁器組成物は１０〜８０体積％を占め、ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが０．１７１≦ｃ≦１．０００、かつ０．０００≦ｄ＜０．８２９、かつｃ＋ｄ＝１を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる。
この両者をｃ、ｄ値および組成の条件を変え、実施例２と同様の方法にて両者を混合し、最終的に複合誘電体磁器組成物を得た。この結果を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】
表３に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
表３の「※割合」は、ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３の複合誘電体磁器組成物に占める割合を体積％で表したもの
【００２９】
表３から明らかなように、本発明の範囲内である試料．４１〜４４は温度係数τｆが±１００（ｐｐｍ／Ｋ）以内であるにもかかわらず、誘電率が３５０を超える極めて優秀な値を示した。しかしながら、本発明の範囲外である比較試料．４５、４６では請求項１に記載の誘電体磁器組成成分ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３および第２の誘電体磁器組成成分ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３同士の固溶体化が起こり、誘電率は極めて高いものの温度係数τｆが正負に大きいという、好ましくない特性となった。
【００３０】
実施例４、実施例５
この実施例４は、本発明請求項４および請求項５に記載の、複合誘電体磁器組成物に関する実施例である。
２０〜９７体積％を占める請求項３に記載の誘電体磁器組成物は試料.４２を用いた。一方３〜８０体積％を占める絶縁体組成物は、１０５０℃以下の熱処理で硬化可能であるガラス、酸化ビスマス、酸化ホウ素、三酸化アンチモンを挙げた。
これらを実施例１に示した工程の仮焼結後に混合し、複合誘電体組成物を得た。
【００３１】
【表４】
【００３２】
表４に記載の試料番号で、*印のつくものは、本発明外の比較試料
表４の「※割合」は、絶縁体組成物の複合誘電体磁器組成物に占める割合を体積％で表したもの
【００３３】
表４の結果より、請求項４の複合誘電体組成物は、絶縁体組成物を３〜８０体積％の組成では、誘電率自体は試料.４２より劣るものの、τｆ値をきわめて小さくすることができ、また製造ロットごとのばらつきも非常に小さいという結果を得た。また、特に有効なのはガラスと酸化ビスマスであることが分かった。
また、実施例には記載していないが１０５０℃を超える温度でしか固化しない絶縁体組成物の場合は、試料.４２のａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３とｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３両成分の固溶体同士の固溶体化が進行するために、誘電諸特性に低下が見られた。
【００３４】
実施例５
実施例３で得られた試料.４２の組成物を、粉末の段階で各種樹脂（フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ナイロン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート）と混合を行い、樹脂誘電体を作製した。粉状の誘電体磁器組成物が樹脂で固められた構造となるために、高誘電率で取り扱いや加工が簡単にでき、アンテナや携帯用電子機器などに適用できた。樹脂の種類や誘電体磁器組成物の分量は、求められる誘電率や耐環境性、アンテナ特性、密度、費用などから適当な種類と組成を選ぶことができる。
【００３５】
以上に述べた本発明の誘電体磁器組成物、複合誘電体磁器組成物、樹脂誘電体は、それぞれの組成成分を特定範囲内で制御することによって、高周波領域における誘電率を２５０以上と極めて高く保ちながら、Ｑｆ値を１００以上と高く、τｆを制御することで共振周波数の温度係数を制御することを可能にする。また、前記誘電体組成物と樹脂を複合したものは、高誘電率で樹脂の優位点（変形、被加工性、破壊のしにくさなど）を持つ樹脂誘電体とすることができた。
また、本発明に使用する材料は、Ｃａ，Ｓｒ，Ｎａ，Ｔｉなどであり、希少金属や高価な原料を必要とせずに製造できるために、誘電体組成物として極めて安価に製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の基本組成成分のマイクロ波誘電体磁器組成物は、Ｑｆ値が高いので、マイクロ波領域において使用される共振器材料、フィルター材料、コンデンサー材料、温度補償用コンデンサー材料、高放電材料、バリア放電用材料、イオン発生源、高周波医療器具用部材、アイソレータ等の部材として利用できる。
またその高い誘電率や０に近く制御したτｆ値により、これらを搭載した電子機器の小型化や、更には省スペース設計により生じた電子機器の空き領域に他の機能部品を搭載させて多機能化を図れるようになるなどの産業的な効果を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本組成成分が、一般式ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが
０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ
０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつ
ａ＋ｂ＝１
を満足し、ＡＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してなる誘電体磁器組成物。
【請求項２】
共振周波数の温度係数τｆ値が正であり、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％と、
請求項１に記載の誘電体磁器組成物２０〜９０体積％とを混合した複合誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第２の誘電体磁器組成物が一般式ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが
０．１７１≦ｃ≦１．０００かつ
０．０００≦ｄ≦０．８２９かつ
ｃ＋ｄ＝１
を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物
【請求項４】
請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物２０〜９７体積％と、残部絶縁体組成物からなる複合誘電体組成物であり、
前記絶縁体組成物は１０５０℃以下の熱処理を行なうことで固化可能であることを特徴とする複合誘電体組成物。
【請求項５】
前記絶縁体組成物が、特にガラス、酸化ビスマスのいずれかであることを特徴とする複合誘電体組成物。
【請求項６】
請求項１の誘電体組成物、または請求項２から請求項５のいずれかに記載の複合誘電体磁器組成物を、樹脂中に分散した構造を有する樹脂誘電体。
【請求項１】
基本組成成分が、一般式ａＡＴｉＯ３−ｂＮａＮｂＯ３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが
０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ
０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつ
ａ＋ｂ＝１
を満足し、ＡＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してなる誘電体磁器組成物。
【請求項２】
共振周波数の温度係数τｆ値が正であり、かつ誘電率が１５０以上である第２の誘電体磁器組成物を１０〜８０体積％と、
請求項１に記載の誘電体磁器組成物２０〜９０体積％とを混合した複合誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第２の誘電体磁器組成物が一般式ｃＢＴｉＯ３−ｄＮａＮｂＯ３（ＢはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ｃおよびｄが
０．１７１≦ｃ≦１．０００かつ
０．０００≦ｄ≦０．８２９かつ
ｃ＋ｄ＝１
を満足し、ＢＴｉＯ３成分およびＮａＮｂＯ３成分がお互いに固溶体を形成してからなる請求項２に記載の複合誘電体磁器組成物
【請求項４】
請求項３に記載の複合誘電体磁器組成物２０〜９７体積％と、残部絶縁体組成物からなる複合誘電体組成物であり、
前記絶縁体組成物は１０５０℃以下の熱処理を行なうことで固化可能であることを特徴とする複合誘電体組成物。
【請求項５】
前記絶縁体組成物が、特にガラス、酸化ビスマスのいずれかであることを特徴とする複合誘電体組成物。
【請求項６】
請求項１の誘電体組成物、または請求項２から請求項５のいずれかに記載の複合誘電体磁器組成物を、樹脂中に分散した構造を有する樹脂誘電体。
【公開番号】特開２００９−２３４８８８（Ｐ２００９−２３４８８８Ａ）
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８５９５５（Ｐ２００８−８５９５５）
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００２２９１７３）日本タングステン株式会社 (80)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００２２９１７３）日本タングステン株式会社 (80)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]