負極基材
【課題】高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、上記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる。
【解決手段】ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、上記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関し、特に、充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高い出力電圧と、高いエネルギー密度を兼ね備えた電池の研究開発が盛んに進められている。特に、内部抵抗が低く、充放電による電池容量の低下が少ない、充放電サイクル特性に優れた二次電池が求められている。例えば、薄膜状の非晶質シリコン又は微結晶シリコンを負極材料（負極活物質）として用いたリチウム二次電池が知られている（特許文献１参照）。具体的には、集電体上にシリコン薄膜からなる負極材料層を形成した負極を用いたリチウム二次電池が開示されており、シリコン薄膜の形成には、ＣＶＤ法（化学気相成長法、化学蒸着法ともいう）やスパッタリング法等の薄膜形成手法が用いられている。
【０００３】
ここで、シリコン等の材料は、リチウムの吸蔵／放出に伴って、膨張／収縮を繰り返すと考えられている。集電体上にシリコン薄膜を形成した負極では、集電体と負極材料層との密着性が高いため、負極材料の膨張／収縮に伴う集電体の膨張／収縮が頻繁に行われることになる。このため、充放電に伴って負極材料層及び集電体に皺等の不可逆的な変形が発生するおそれがある。特に、集電体に銅箔等の延性に富んだ金属箔を用いた場合、変形の程度が大きくなる傾向にある。負極が変形すると、電極としての体積が増加して電気化学反応が不均一になる等の理由から、電池のエネルギー密度が低下するおそれがある。また、充放電に伴う膨張／収縮を繰り返す間に、負極材料が微粉化して集電体から脱離したり、場合によっては薄膜状のまま脱離したりするおそれもあり、電池の充放電サイクル特性が悪化する要因となる。
【０００４】
負極の変形を抑制する方法としては、引張り強さや引張り弾性率等の機械的強度が高い材料を集電体として用いる方法が挙げられる。しかしながら、このような材料からなる集電体上に、薄膜状の負極材料からなる負極材料層を形成した場合、負極材料層と集電体との密着性が不十分となり、十分な充放電サイクル特性が得られないおそれがある。このため、特許文献１には、負極材料と合金化する材料からなる中間層を集電体と負極材料層との間に配置し、中間層よりも機械的強度が高い集電体を用いることによって、充放電時における負極材料の脱離を抑制するとともに、皺等の発生を抑制する技術が開示されている。具体的には、中間層として銅層を用い、集電体としてニッケル箔が用いられている。
【０００５】
上記特許文献１以外にも、負極材料層としてシリコンに銅を固溶させた薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている（特許文献２参照）。また、負極材料層として、リチウムと合金化する金属と、リチウムと合金化しない金属とからなる合金薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている（特許文献３参照）。具体的には、リチウムと合金化して固溶体又は金属間化合物等を形成する金属として、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、及びＳｉ等が用いられ、リチウムと合金化しない金属として、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＭｎ等が用いられている。
【０００６】
また、厚さ方向への変形量が５μｍ〜２０μｍである変形部が、１ｃｍ２あたり１０個以上形成され、且つ、変形部による開口率が４％以下である集電体を用いることによって、充放電に伴う電極の変形を抑制する技術が開示されている（特許文献４参照）。さらには、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる薄膜状の負極材料層の表面及び内部の少なくとも一方に、リチウム非吸蔵性材料を配置させる技術が開示されている（特許文献５参照）。
【特許文献１】特開２００２−０８３５９４号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９１７７号公報
【特許文献３】特開２００２−３７３６４７号公報
【特許文献４】特開２００３−０１７０６９号公報
【特許文献５】特開２００５−１９６９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の各種負極材料いずれをもってしても、十分な出力電圧、エネルギー密度、及び充放電サイクル特性を有する電池は得られていないのが現状である。従って、本発明の目的は、上述した従来技術とは異なる構成により、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、パターン化されたシリカ系被膜上に金属膜が形成された負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、上記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、さらにはこの負極基材の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
＜負極基材＞
本発明に係る負極基材１０の模式図を図１に示す。図１に示される通り、本発明に係る負極基材１０は、支持体１１と、シリカ系被膜１２と、金属膜１３とから構成される。より詳しくは、本発明に係る負極基材１０は、パターン形成されたシリカ系被膜１２を有する支持体１１の表面にさらに金属膜１３を備えたものである。
【００１３】
本発明に係る負極基材１０は、次のようにして得られる。先ず、支持体１１上にホトレジストパターンを形成する。形成されたホトレジストパターン上にシリカ系被膜形成用塗布液を塗布してシリカ系被膜を形成する。次いで、不要なホトレジストパターンを除去することにより、支持体１１上にパターン化されたシリカ系被膜１２を得る。最後に、パターン化されたシリカ系被膜１２を有する支持体１１に対して、金属膜１３を形成する。
【００１４】
＜支持体＞
本発明に係る負極基材１０に用いられる支持体１１は、その表面上にホトレジストパターンやシリカ系被膜１２を形成できるものであればよく、特に限定されない。例えば、電子部品用の基板等の従来公知のものが用いられる。具体的には、シリコンウエハ、有機系又は無機系の反射防止膜が設けられたシリコンウエハ、磁性膜が形成されたシリコンウエハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。なお、これらの支持体は、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン及びタンタルから選ばれる少なくとも１種の元素を含む材料、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の集電体を兼ねてもよいし、これらの集電体上に形成されてもよい。
【００１５】
＜ホトレジストパターン＞
パターン化されたシリカ系被膜１２を形成するのに必要なホトレジストパターンは、従来公知のホトレジスト組成物により形成されるものであり、特に限定されない。具体的には、従来公知のホトレジスト組成物を支持体１１上に塗布した後、パターン露光により所定形状にパターン化されたホトレジストパターンである。好ましくは、後述するホトレジスト組成物により形成されたホトレジストパターンである。
【００１６】
［ホトレジスト組成物］
ホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物としては、特に限定されず、従来公知のホトレジスト組成物が用いられる。
【００１７】
〔ポジ型ホトレジスト組成物〕
ポジ型の化学増幅型ホトレジスト組成物としては、活性光線又は放射線照射により酸を発生する酸発生剤成分（以下、（Ａ）成分という）、及び酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する樹脂成分（以下、（Ｂ）成分という）とを基本成分とするものが好ましく用いられる。（Ｂ）成分としては、アルカリ可溶性樹脂の水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されてアルカリ不溶性になっている樹脂が用いられる。このような（Ｂ）成分を、前記（Ａ）成分と組み合わせて用いることにより、露光部分では酸が発生し、これが前記酸解離性溶解抑制基による保護を解離する。その結果、その露光部分がアルカリ可溶性となり、現像の際に露光部分だけが選択的に除去されて所定形状のホトレジストパターンが得られる。
【００１８】
（酸発生剤成分（Ａ））
（Ａ）成分としては、活性光線又は放射線の照射により、直接もしくは間接的に酸を発生する物質である。
【００１９】
このような酸発生剤の第一の態様としては、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−メチル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−エチル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−プロピル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジエトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジプロポキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３−メトキシ−５−エトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３−メトキシ−５−プロポキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（２−フリル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（５−メチル−２−フリル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、トリス（１，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリス（２，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、ならびにトリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレ−ト等の下記の一般式（ａ１）で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。
【００２０】
【化１】
【００２１】
上記一般式（ａ１）中、Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、及びＲ３ａは、それぞれ独立なハロゲン化アルキル基であり、当該アルキル基の炭素原子数は１〜６である。
【００２２】
また、酸発生剤の第二の態様としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、ならびに、オキシムスルホネ−ト基を含有する下記の一般式（ａ２）で表される化合物が挙げられる。
【００２３】
【化２】
【００２４】
上記一般式（ａ２）中、Ｒ４ａは、一価、二価、もしくは三価の有機基であり、また、Ｒ５ａは、置換、未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族性化合物基であり、ｎは１〜６の整数である。
【００２５】
前記一般式（ａ２）中、Ｒ４ａは、芳香族性化合物基であることが特に好ましく、このような芳香族性化合物基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基等の複素環基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を１個以上有していてもよい。また、Ｒ５ａとしては炭素原子数１〜６の低級アルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
【００２６】
上記一般式（ａ２）で表わされる酸発生剤としては、ｎ＝１の時、Ｒ４ａがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、Ｒ５ａがメチル基の化合物、具体的にはα−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メトキシフェニル）アセトニトリル、〔２−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−２，３−ジヒドロキシチオフェン−３−イリデン〕（ｏ−トリル）アセトニトリル等が挙げられる。ｎ＝２の時、上記一般式で表わされる酸発生剤としては、具体的には下記化学式（ａ２−１）〜（ａ２−８）で表される酸発生剤が挙げられる。
【００２７】
【化３】
【００２８】
さらに、酸発生剤の第三の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩を用いることができる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも２つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基等の置換基を有しいてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、１価基（遊離原子価が１つ）であっても、２価基（遊離原子価が２つ）以上であってもよいが、１価基であることが望ましい（ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする）。ナフタレン環の数は１〜３が好ましい。
【００２９】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記一般式（ａ３）で示される構造が好ましい。
【００３０】
【化４】
【００３１】
上記一般式（ａ３）中、Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうち少なくとも１つは下記一般式（ａ４）で示される基であり、残りは炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基である。あるいは、Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうちの一つが下記一般式（ａ４）で示される基であり、残りの２つは、それぞれ独立して、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状アルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。
【００３２】
【化５】
【００３３】
上記一般式（ａ４）中、Ｒ９ａ、Ｒ１０ａは、それぞれ独立して、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、Ｒ１１ａは単結合又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立して０又は１〜２の整数であり、ｐ＋ｑは３以下である。ただし、Ｒ１０ａが複数存在する場合、それらは相互に同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ９ａが複数存在する場合、それらは相互に同じであっても異なっていてもよい。
【００３４】
上記Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうち、前記一般式（ａ４）で示される基の数は、化合物の安定性の点から、好ましくは１つであり、残りは、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、前記２つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて３〜９員環を構成する。環を構成する原子（硫黄原子を含む）の数は、好ましくは５〜６である。
【００３５】
また、前記アルキレン基が有してもよい置換基としては、酸素原子（この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する）、水酸基等が挙げられる。
【００３６】
また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基等が挙げられる。
【００３７】
これらのカチオン部として好適なものとしては、以下の化学式（ａ５）、（ａ６）で示すもの等を挙げることができ、特に化学式（ａ６）で示す構造が好ましい。
【００３８】
【化６】
【００３９】
このようなカチオン部としては、ヨ−ドニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。
【００４０】
したがって、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。
【００４１】
このような光酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンが好ましい。
【００４２】
フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素原子数１〜２０の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素原子数１〜１０であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短く、好ましい。具体的には安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を挙げることができる。
【００４３】
アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素原子数６〜２０のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられ、安価に合成可能なことから、炭素原子数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には好ましいものとして、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。
【００４４】
前記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パ−フルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。
【００４５】
中でも、好ましいアニオン部として、以下の一般式（ａ７）で示すものが挙げられる。
【００４６】
【化７】
【００４７】
上記一般式（ａ７）において、Ｒ１２ａは、下記一般式（ａ８）、（ａ９）で示す構造や、化学式（ａ１０）で示す構造が挙げられる。
【００４８】
【化８】
【００４９】
上記一般式（ａ８）中、ｌは１〜４の整数であり、一般式（ａ９）中、Ｒ１３ａは水素原子、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基を示し、ｍは１〜３の整数である。中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。
【００５０】
また、アニオン部としては、以下の化学式（ａ１１）及び（ａ１２）で表わされる窒素を含有するものを用いることもできる。
【００５１】
【化９】
【００５２】
上記式（ａ１１）、（ａ１２）中、Ｘａ１は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素原子数は２〜６であり、好ましくは３〜５、最も好ましくは炭素原子数３である。また、Ｘａ２、Ｘａ３は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素原子数は１〜１０であり、好ましくは１〜７、より好ましくは１〜３である。
【００５３】
Ｘａ１のアルキレン基の炭素原子数又はＸａ２、Ｘａ３のアルキル基の炭素原子数が小さいほどレジスト溶媒への溶解性も良好であるため好ましい。
【００５４】
また、Ｘａ１のアルキレン基又はＸａ２、Ｘａ３のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。
【００５５】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記化学式（ａ１３）、（ａ１４）の化合物である。
【００５６】
【化１０】
【００５７】
さらに、酸発生剤の別の態様としては、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類；ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレ−ト、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体；ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、Ｎ−メチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ−メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル；Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩；ベンゾイントシラート、α−メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類；その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。
【００５８】
さらに、酸発生剤の第四の態様としては、下記一般式（ａ１５）で表わされる化合物を用いることができる。
【００５９】
【化１１】
【００６０】
上記式（ａ１５）中、Ｘａ４は原子価ｓの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、ｓは１又は２である。ｎは括弧内の構造の繰り返し単位を表わす。Ｒ１４ａはＸａ４に結合している有機基であり、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数４〜３０の複素環基、炭素原子数１〜３０のアルキル基、炭素原子数２〜３０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜３０のアルキニル基を表し、Ｒ１４ａはアルキル、ヒドロキシ、アルコシキ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコシキカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｒ１４ａの個数はｓ＋ｎ（ｓ−１）＋１であり、Ｒ１４ａはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、２個以上のＲ１４ａが互いに直接、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＮＲ１５ａ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素原子数１〜３のアルキレン基若しくはフェニレン基を介して結合し、Ｘａ４を含む環構造を形成してもよい。Ｒ１５ａは炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数６〜１０のアリール基である。
【００６１】
Ｘａ５は下記一般式（ａ１６）で表される構造である。
【００６２】
【化１２】
【００６３】
上記式（ａ１６）中、Ｘａ７は炭素原子数１〜８のアルキレン基、炭素原子数６〜２０のアリーレン基、又は炭素原子数８〜２０の複素環化合物の２価の基を表し、Ｘａ７は炭素原子数１〜８のアルキル、炭素原子数１〜８のアルコキシ、炭素原子数６〜１０のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｘａ８は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＮＲ１５ａ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素数１〜３のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。ｎは括弧内の構造の繰り返し単位数を表わす。ｎ＋１個のＸａ７及びｎ個のＸａ８はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１５ａは前述の定義と同じである。
【００６４】
Ｘａ６−はオニウムの対イオンである。その個数は１分子当たりｎ＋１であり、そのうち少なくとも１個は下記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンであって、残りは他のアニオンであってもよい。
【００６５】
【化１３】
【００６６】
上記式（ａ１７）中、Ｒ１６ａは水素原子の８０％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｔはその個数を示し、１〜５の整数である。ｔ個のＲ１６ａはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００６７】
上記一般式（ａ１５）のオニウムイオンの好ましい具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド、ビス〔４−｛ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィド、ビス｛４−［ビス（４−フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド、４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジ−ｐ−トリルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジフェニルスルホニウム、２−［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン、４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、２−ナフチルメチル（１−エトキシカルボニル）エチルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−ｐ−トリルヨードニウム、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウム、（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム、ビス（４−デシルオキシ）フェニルヨードニウム、４−（２−ヒドロキシテトラデシルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４−イソプロピルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム、又は４−イソブチルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウムが挙げられる。
【００６８】
上記一般式（ａ１５）のアニオン成分は、上記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンを少なくとも１個有する。残りのアニオン成分は他のアニオンであってよい。他のアニオンとしては、特に限定されず、従来公知のアニオンを用いることができる。例えば、Ｆ−、Ｃｒ−、Ｂｒ−、Ｉ−等のハロゲンイオン；ＯＨ−；ＣｌＯ４−；ＦＳＯ３−、ＣｌＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、Ｃ６Ｈ５ＳＯ３−、ＣＦ３ＳＯ３−等のスルホン酸イオン類；ＨＳＯ４−、ＳＯ４２−等の硫酸イオン類；ＨＣＯ３−、ＣＯ３２−等の炭酸イオン類；Ｈ２ＰＯ４−、ＨＰＯ４２−、ＰＯ４３−等のリン酸イオン類；ＰＦ６−、ＰＦ５ＯＨ−等のフルオロリン酸イオン類；ＢＦ４−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−、Ｂ（Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）４−等のホウ酸イオン類；ＡｌＣｌ４−；ＢｉＦ６−等が挙げられる。その他、ＳｂＦ６−、ＳｂＦ５ＯＨ−等のフルオロアンチモン酸イオン類、あるいはＡＳＦ６−、ＡｓＦ５ＯＨ−等のフルオロヒ素酸イオン類も挙げられるが、これらは毒性の元素を含むため好ましくない。
【００６９】
上記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、Ｒ１６ａはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素原子数は１〜８、さらに好ましい炭素原子数は１〜４である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基；イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の分岐アルキル基；さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは１００％である。フッ素原子の置換率が８０％未満である場合には、上記一般式（ａ１５）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。
【００７０】
特に好ましいＲ１６ａは、炭素原子数が１〜４、かつフッ素原子の置換率が１００％の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、ＣＦ３、ＣＦ３ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２（ＣＦ３）ＣＦ、（ＣＦ３）３Ｃが挙げられる。Ｒ１６ａの個数ｔは、１〜５の整数であり、好ましくは２〜４、特に好ましくは２又は３である。
【００７１】
好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、［（ＣＦ３ＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］−、又は［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−が挙げられ、これらのうち、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］−、又は［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］−が特に好ましい。
【００７２】
上記一般式（ａ１５）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩のうち、下記一般式（ａ１８）で表されるジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムトリフルオロトリスフルオロアルキルホスファートが特に好ましく用いられる。
【００７３】
【化１４】
【００７４】
上記式（ａ１８）中、ｕは１〜８の整数であり、好ましくは１〜４の整数である。
【００７５】
上記（Ａ）成分の酸発生剤として、好ましくは一般式（ａ２）、及び（ａ１８）の中から選ばれる少なくとも１種を用いるものであって、一般式（ａ２）中、好ましいｎの値は２であり、また、好ましいＲ４ａは、二価の炭素数１〜８の置換もしくは非置換のアルキレン基、又は、置換もしくは非置換の芳香族基であり、また、好ましいＲ５ａは、炭素数１〜８の置換もしくは非置換のアルキル基、又は、置換もしくは非置換のアリール基である。
【００７６】
上述したような（Ａ）成分は、単独で用いることも、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７７】
また、（Ａ）成分の配合量は、ポジ型ホトレジスト組成物中、０．０５〜５質量％とすることが好ましい。（Ａ）成分の配合量を０．０５質量％以上とすることによって充分な感度が得られるようになり、また、５質量％以下とすることによって溶剤に対する溶解性が向上して均一な溶液が得られ、保存安定性が向上する傾向がある。
【００７８】
（樹脂成分（Ｂ））
上記樹脂成分としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する、ノボラック樹脂（Ｂ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）、及びアクリル樹脂（Ｂ３）のうちの少なくとも一種を含む樹脂であるか、又は混合樹脂や共重合体であってもよい。
【００７９】
［（Ｂ１）ノボラック樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するノボラック樹脂（Ｂ１）としては、下記の一般式（ｂ１）で表される樹脂を使用することができる。
【化１５】
【００８０】
上記一般式（ｂ１）中、Ｒ１ｂは、酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２ｂ及びＲ３ｂは、それぞれ独立に水素原子もしくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｎは繰り返し単位を意味する。
【００８１】
さらに、上記Ｒ１ｂで示される酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式（ｂ２）又は（ｂ３）で示される、炭素原子数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。
【００８２】
【化１６】
【００８３】
上記一般式（ｂ２）及び（ｂ３）中、Ｒ４ｂ、及びＲ５ｂは、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｒ６ｂは炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ７ｂは炭素原子数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ｏは０又は１である。
【００８４】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００８５】
ここで、上記一般式（ｂ２）で示される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プロポキシエチル基、ｎ−ブトキシエチル基、ｉｓｏ−ブトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基等が挙げられ、上記式（ｂ３）の酸解離性溶解抑制基として、例えばｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素数が１〜６のものが挙げられる。
【００８６】
［（Ｂ２）ポリヒドロキシスチレン樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）としては、下記の一般式（ｂ４）で表される樹脂を使用することができる。
【００８７】
【化１７】
【００８８】
上記一般式（ｂ４）中、Ｒ８ｂは、水素原子もしくは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ９ｂは、酸解離性溶解抑制基であり、ｎは繰り返し単位を意味する。
【００８９】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００９０】
前記Ｒ９ｂで示される酸解離性溶解抑制基としては、上記一般式（ｂ２）及び（ｂ３）に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。
【００９１】
さらに、前記酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類等を挙げることができる。
【００９２】
［（Ｂ３）アクリル樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂（Ｂ３）としては、下記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）で表される樹脂を使用することができる。
【００９３】
【化１８】
【００９４】
上記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）中、Ｒ１０ｂ〜Ｒ１７ｂは、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、フッ素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のフッ素化アルキル基であり（ただし、Ｒ１１ｂが水素原子であることはない）、Ｘｂ１はそれが結合している炭素原子と共に炭素原子数５〜２０の炭化水素環を形成し、Ｘｂ２は置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基であり、ｎは繰り返し単位を意味し、ｃは０〜４であり、ｄは０又は１である。
【００９５】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、前記アルキル基の水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子により置換されたものである。
【００９６】
前記Ｒ１１ｂとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素原子数２〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、前記Ｒ１３ｂ、Ｒ１４ｂ、Ｒ１６ｂ、及びＲ１７ｂとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
【００９７】
前記Ｘｂ１は、それが結合している炭素原子と共に炭素原子数５〜２０の脂肪族環式基を形成する。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【００９８】
さらに、前記Ｘｂ１の脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素数１〜４の直鎖又は分岐状の低級アルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【００９９】
前記Ｘｂ２は、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【０１００】
さらに、前記Ｘｂ２の脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素原子数１〜４の直鎖又は分岐状の低級アルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【０１０１】
また、Ｘｂ２がアルキル基である場合、炭素原子数１〜２０、好ましくは６〜１５の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基等が挙げられる。
【０１０２】
上記一般式（ｂ５）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ５−１）〜（ｂ５−３）で表されるものを挙げることができる。
【０１０３】
【化１９】
【０１０４】
上記一般式（ｂ５−１）〜（ｂ５−３）中のＲ１８ｂは水素原子又はメチル基であり、ｎは繰り返し単位である。
【０１０５】
上記一般式（ｂ６）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ６−１）〜（ｂ６−２８）で表されるものを挙げることができる。
【０１０６】
【化２０】
【０１０７】
【化２１】
【０１０８】
上記一般式（ｂ７）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ７−１）〜（ｂ７−２２）で表されるものを挙げることができる。
【０１０９】
【化２２】
【０１１０】
【化２３】
【０１１１】
【化２４】
【０１１２】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）は、前記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）の構成単位に対して、さらにエーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。
【０１１３】
このような構成単位は、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位である。エーテル結合を有する重合性化合物としては、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレートである。これらの化合物は単独もしくは２種以上を組み合わせて使用できる。
【０１１４】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類等を挙げることができる。
【０１１５】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）の中でも、前記一般式（ｂ７）で表わされる構成単位と、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位と、（メタ）アクリル酸単位と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル類からなる構成単位とを有する共重合体であることが好ましい。
【０１１６】
このような共重合体としては、下記一般式（ｂ８）で表わされる共重合体であることが好ましい。
【０１１７】
【化２５】
【０１１８】
上記一般式（ｂ８）中、Ｒ２０ｂは、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２１ｂは、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、Ｒ２２ｂは、炭素原子数２〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｘｂ１は前述の定義と同様である。
【０１１９】
さらに、上記一般式（ｂ８）で表わされる共重合体において、ｅ、ｆ、及びｇは、それぞれ質量比で、ｅは１〜３０質量％であり、ｆは２０〜７０質量％であり、ｇは２０〜７０質量％である。
【０１２０】
また、（Ｂ）成分のポリスチレン換算質量平均分子量は、好ましくは１０，０００〜６００，０００であり、より好ましくは５０，０００〜６００，０００であり、さらに好ましくは２３０，０００〜５５０，０００である。このような質量平均分子量とすることにより、基板との剥離性が低下することなく、レジスト膜の十分な強度を保持でき、さらにはメッキ処理時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を引き起こすことがなくなる。
【０１２１】
さらに、（Ｂ）成分は、分散度が１．０５以上の樹脂であることが好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするメッキに対する応力耐性や、メッキ処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を回避できる。
【０１２２】
このような（Ｂ）成分の配合量は、ポジ型ホトレジスト組成物中、５〜６０質量％とすることが好ましい。
【０１２３】
（アルカリ可溶性樹脂（Ｃ））
さらに、本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、アルカリ可溶性樹脂を適宜配合することができる。このような（Ｃ）成分としては、アルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ｃ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）、アクリル樹脂（Ｃ３）、及びビニル樹脂（Ｃ４）の中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【０１２４】
［（Ｃ１）アルカリ可溶性ノボラック樹脂］
前記アルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ｃ１）としては、ポリスチレン換算質量平均分子量が１，０００〜５０，０００であることが好ましい。
【０１２５】
このようなノボラック樹脂（Ｃ１）は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」と称する）とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。この際に使用されるフェノール類としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
【０１２６】
また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
【０１２７】
本発明においては、ｏ−クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。
【０１２８】
［（Ｃ２）アルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン樹脂］
前記アルカリ可溶性のポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）としては、質量平均分子量が１，０００〜５０，０００であることが好ましい。
【０１２９】
このようなポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。さらに前記ポリヒドロキシスチレン樹脂は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましく、このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等が挙げられる。
【０１３０】
［（Ｃ３）アルカリ可溶性アクリル樹脂］
前記アルカリ可溶性のアクリル樹脂（Ｃ３）としては、質量平均分子量が５０，０００〜８００，０００であることが好ましい。
【０１３１】
このようなアクリル樹脂（Ｃ３）としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導されたモノマー、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導されたモノマーを含有することが好ましい。
【０１３２】
前記エーテル結合を有する重合性化合物としては、２−メトキシエチル（メタ）アクリラート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリラート、３−メトキシブチル（メタ）アクリラート、エチルカルビトール（メタ）アクリラート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリラート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリラート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリラート等のエーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等を例示することができ、好ましくは、２−メトキシエチルアクリラート、メトキシトリエチレングリコールアクリラートである。これらの化合物は、単独で使用することも、２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１３３】
前記カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有する化合物等を例示することができ、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの化合物は、単独で使用することも、２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１３４】
［（Ｃ４）アルカリ可溶性ポリビニル樹脂］
前記アルカリ可溶性のポリビニル樹脂（Ｃ４）としては、質量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であることが好ましく、５０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。
【０１３５】
このようなポリビニル樹脂（Ｃ４）は、ポリ（ビニル低級アルキルエーテル）であり、下記一般式（ｃ１）で表されるビニル低級アルキルエーテルの単独又は２種以上の混合物を重合することにより得られる（共）重合体からなる。
【化２６】
【０１３６】
上記一般式（ｃ１）において、Ｒ１ｃは炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
【０１３７】
このようなポリビニル樹脂（Ｃ４）は、ビニル系化合物から得られる重合体であり、このようなポリビニル樹脂としては、具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。中でも、ガラス転移点の低さに鑑みてポリビニルメチルエーテルが好ましい。
【０１３８】
このような（Ｃ）アルカリ可溶性樹脂の配合量は、前記（Ｂ）成分１００質量部に対して、５〜９５質量部とすることが好ましく、より好ましくは１０〜９０質量部とされる。５質量部以上とすることによりクラック耐性を向上させることができ、９５質量部以下とすることにより現像時の膜減りを防ぐことができる傾向がある。
【０１３９】
（その他成分）
上記ポジ型ホトレジスト組成物は、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、及びジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、又はモノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。これらは単独で用いることもでき、また、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１４０】
これらの有機溶剤の使用量は、本発明に係る化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を（例えば、スピンコート法）使用して得られるホトレジスト層の膜厚が１μｍ以上となるように、固形分濃度が３０質量％以上となる範囲が好ましい。より好ましくは、本発明に係る組成物を使用して得られるホトレジスト層の膜厚は、１μｍ〜２００μｍの範囲である。
【０１４１】
上記ポジ型の化学増幅型ホトレジスト組成物は、さらに所望により混和性のある添加物、例えば、レジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、増感剤、酸拡散制御剤、接着助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等の慣用されているものを添加含有させることができる。
【０１４２】
〔ネガ型ホトレジスト組成物〕
一方、ネガ型ホトレジスト組成物としては、活性光線又は放射線照射により酸を発生する酸発生剤成分（上記（Ａ）成分と同様）、及び多官能エポキシ樹脂（以下、（Ｄ）成分という）を基本成分とするものが好ましく用いられる。（Ｄ）成分を酸発生剤と組み合わせて用いると、露光部分で発生した酸により、その部分がカチオン重合してアルカリ不溶性となり、現像の際に未露光部分だけが選択的に除去されて所定形状のホトレジストパターンが得られる。
【０１４３】
（多官能エポキシ樹脂（Ｄ））
多官能エポキシ樹脂（Ｄ）としては特に限定されないが、厚膜のパターンを形成するのに十分なエポキシ基を１分子中に有するエポキシ樹脂が好ましい。このような多官能エポキシ樹脂としては、多官能フェノール・ノボラック型エポキシ樹脂、多官能オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官能トリフェニル型ノボラック型エポキシ樹脂、多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのうち、多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。その官能性は５官能以上が好ましく、例えば、ジャパンエポキシレジン社製の「エピコート１５７Ｓ７０」や、大日本インキ化学工業株式会社製の「エピクロンＮ−７７５」が市販品として入手でき、特に好ましく用いられる。
【０１４４】
前記多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂は、下記一般式（ｄ１）で表される。
【化２７】
【０１４５】
前記式（ｄ１）のビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂と重合した重合体でもよい。前記式（ｄ１）中、Ｒ１ｄ〜Ｒ６ｄはＨ又はＣＨ３であり、ｖは繰り返し単位である。
【０１４６】
ホトレジスト組成物中における上記多官能エポキシ樹脂の含有量は、８０質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、９２質量％〜９９．４質量％であることがより好ましい。これにより、上記支持体１１上にコーティングした際に、高感度で適当な硬度のホトレジスト膜が得られる。
【０１４７】
（酸発生剤成分（Ａ））
酸発生剤成分（Ａ）は、上記ポジ型で用いられる酸発生剤と同様のものが用いられる。この酸発生剤成分（Ａ）は、活性光線又は放射線照射によりカチオン成分を生じるものであり、そのカチオン成分が重合開始剤として作用する。
【０１４８】
上記（Ａ）成分は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。上記（Ａ）成分の含有量は、上記多官能エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．５〜２０質量部であることが好ましい。（Ａ）成分の含有量を上記範囲内とすることにより、十分な感度を保持しつつ、永久膜特性を維持することができる。
【０１４９】
（その他成分）
上記ネガ型ホトレジスト組成物は、上記ポジ型と同様に、従来公知の溶剤成分が用いられる。また、γ−ブチロラクトン、β−プロピオラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン系溶剤は、ホトレジストパターン形成時における加熱処理により、ラクトンが開環してポリマー中の官能基と反応する結果、ホトレジスト膜中に組み込まれる性質を有するため好ましく用いられる。グリコール酸アルキルエステル、乳酸アルキルエステル、２−ヒドロキシ酪酸アルキルエステル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶剤は、コーティング性及びレベリング性を向上させる性質を有するため好ましく用いられる。
【０１５０】
上記ネガ型ホトレジスト組成物は、増感剤として、上記多官能エポキシ樹脂と架橋形成可能な置換基を少なくとも２以上有する芳香族多環式化合物を用いてもよい。このような芳香族多環式化合物の増感機能により、ホトレジスト組成物を高感度化できる。具体的には、水酸基、カルボキシル基、及びアミノ基等を２以上有する、ナフタレン化合物、ジナフタレン化合物、アントラセン化合物、フェナントロリン化合物等の芳香族多環式化合物が好ましく用いられる。これらのうち、ナフタレン化合物がより好ましく、特に、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレンが架橋効率向上の観点から好ましく用いられる。
【０１５１】
また、上記ネガ型ホトレジスト組成物は、成膜性改善のために高分子直鎖２官能エポキシ樹脂を含有してもよい。硬化後の物性を低下させずに、硬化前のレジスト組成物の柔軟性を向上させる観点から、オキセタン誘導体やエポキシ誘導体を含有させてもよい。さらには、所望により、混和性のある添加剤、例えば、パターン性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤、カップリング剤等の従来公知のものを適宜含有させることができる。
【０１５２】
本発明で用いられる化学増幅型ホトレジスト組成物は、例えば従来のポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物を用いたホトレジストパターン形成方法を適用することができる。具体的には、上述の支持体１１上に、溶液状に調製されたホトレジスト組成物をスピンナー等で塗布し、プレベークを行ってホトレジスト膜を形成する。あるいは、両面を保護膜で保護してドライフィルムとし、これを支持体１１上に貼り付けてホトレジスト膜を形成してもよい。ドライフィルムとすれば、支持体１１上への塗布、乾燥が省略でき、より簡便にホトレジストパターンを形成できる。
【０１５３】
次いで、ホトレジスト膜に対して選択的に露光処理を行う。露光処理には、ｇ、ｈ、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ２エキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ 極端紫外光）、電子線（ＥＢ）、軟Ｘ線、Ｘ線等を用いることができ、所望のマスクパターンを介しての照射、又は直接描画を行う。好ましくは、ＫｒＦエキシマレーザ光が用いられる。続いて、露光後加熱処理（ポストエクスポージャーベーク、以下、ＰＥＢということもある）を行う。ＰＥＢ処理後、アルカリ性水溶液等の現像液を用いて現像処理し、水洗、乾燥等の必要に応じた処理を施すことにより、ホトレジストパターンが得られる。現像液は、特に限定されず、従来公知のアルカリ性水溶液等を用いることができる。
【０１５４】
プレベークにおける加熱温度及び露光後加熱（ＰＥＢ）における加熱温度は、７０〜１６０℃、好ましくは１００〜１５０℃である。加熱時間は、４０〜１８０秒間、好ましくは６０〜９０秒間の範囲で設定される。なお、場合によっては、上記アルカリ現像後、ポストベーク工程を含んでもよい。
【０１５５】
なお、上記ホトレジストパターンのアスペクト比は、０．１以上であることが好ましい。ホトレジストパターンのアスペクト比を０．１以上とすることにより、パターン化されたシリカ系被膜１２のアスペクト比を増大させることができる。従って、負極基材１０の表面積を増大できるため、後述する金属膜量を増大させることができる結果、さらなる高出力化、高エネルギー密度化が達成される。
【０１５６】
＜シリカ系被膜＞
本発明に係る負極基材１０におけるシリカ系被膜１２は、シリカ系被膜形成用塗布液から形成される。具体的には、負極基材１０上に形成されたホトレジストパターン上に、シリカ系被膜形成用塗布液を塗布した後、ホトレジストパターンを除去したときに支持体１１上に残存するシリカ系被膜１２である。上記シリカ系被膜形成用塗布液は、シロキサンポリマーと、溶剤とを含有してなるシリカ系被膜形成用組成物からなる。
【０１５７】
［シロキサンポリマー］
シロキサンポリマーとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物が用いられる。
【化２８】
【０１５８】
上記一般式（Ｉ）において、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ’はアルキル基、又はフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。Ｓｉに複数のＲが結合している場合、該複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。Ｓｉに結合している複数の（ＯＲ’）基は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒとしてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。Ｒ’としてのアルキル基は好ましくは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。Ｒ’としてのアルキル基は、特に加水分解速度の点から炭素数１又は２が好ましい。
【０１５９】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが４の場合、シラン化合物（ｉ）は下記一般式（ＩＩ）で表される。
【化２９】
【０１６０】
上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４であって、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４の条件を満たす整数である。
【０１６１】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが３の場合、シラン化合物（ｉｉ）は下記一般式（ＩＩＩ）で表される。
【化３０】
【０１６２】
上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ５は水素原子、上記Ｒと同じアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ｅ、ｆ、及びｇは、０≦ｅ≦３、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦３であって、かつｅ＋ｆ＋ｇ＝３の条件を満たす整数である。
【０１６３】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが２の場合、シラン化合物（ｉｉｉ）は下記一般式（ＩＶ）で表される。
【化３１】
【０１６４】
上記一般式（ＩＶ）中、Ｒ９及びＲ１０は水素原子、上記Ｒと同じアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｒ１１、及びＲ１２は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ｈ及びｉは、０≦ｈ≦２、０≦ｉ≦２であって、かつｈ＋ｉ＝２の条件を満たす整数である。
【０１６５】
上記シラン化合物（ｉ）の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられ、中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
【０１６６】
上記シラン化合物（ｉｉ）の具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルオキシシラン、ジメトキシモノエトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシルモノメトキシシラン、ジペンチルオキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシモノプロポキシシラン、ジフェニルオキシルモノメトキシシラン、ジフェニルオキシモノエトキシシラン、ジフェニルオキシモノプロポキシシラン、メトキシエトキシプロポキシシラン、モノプロポキシジメトキシシラン、モノプロポキシジエトキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、モノぺンチルオキシジエトキシシラン、モノフェニルオキシジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリフェニルオキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリペンチルオキシシラン、プロピルトリフェニルオキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ブチルトリペンチルオキシシラン、ブチルトリフェニルオキシシラン、メチルモノメトキシジエトキシシラン、エチルモノメトキシジエトキシシラン、プロピルモノメトキシジエトキシシラン、ブチルモノメトキシジエトキシシラン、メチルモノメトキシジプロポキシシラン、メチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシジプロポキシシラン、エチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、エチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、プロピルモノメトキシジプロポキシシラン、プロピルモノメトキシジペンチルオキシシラン、プロピルモノメトキシジフェニルオキシシラン、ブチルモノメトキシジプロポキシシラン、ブチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、ブチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、メチルメトキシエトキシプロポキシシラン、プロピルメトキシエトキシプロポキシシラン、ブチルメトキシエトキシプロポキシシラン、メチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、エチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、プロピルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ブチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等が挙げられ、中でもトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリメトキシシランが好ましい。
【０１６７】
上記シラン化合物（ｉｉｉ）の具体例としては、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジプロポキシシラン、ジペンチルオキシシラン、ジフェニルオキシシラン、メトキシエトキシシラン、メトキシプロポキシシラン、メトキシペンチルオキシシラン、メトキシフェニルオキシシラン、エトキシプロポキシシラン、エトキシペンチルオキシシラン、エトキシフェニルオキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルメトキシエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルメトキシプロポキシシラン、メチルメトキシペンチルオキシシラン、メチルメトキシフェニルオキシシラン、エチルジプロポキシシラン、エチルメトキシプロポキシシラン、エチルジペンチルオキシシラン、エチルジフェニルオキシシラン、プロピルジメトキシシラン、プロピルメトキシエトキシシラン、プロピルエトキシプロポキシシラン、プロピルジエトキシシラン、プロピルジペンチルオキシシラン、プロピルジフェニルオキシシラン、ブチルジメトキシシラン、ブチルメトキシエトキシシラン、ブチルジエトキシシラン、ブチルエトキシプロポキシシシラン、ブチルジプロポキシシラン、ブチルメチルジペンチルオキシシラン、ブチルメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジペンチルオキシシラン、ジメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルエトキシプロポキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシプロポキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルエトキシプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジペンチルオキシシラン、ジプロピルジフェニルオキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジブチルジプロポキシシラン、ジブチルメトキシペンチルオキシシラン、ジブチルメトキシフェニルオキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルエチルジプロポキシシラン、メチルエチルジペンチルオキシシラン、メチルエチルジフェニルオキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、メチルブチルジメトキシシラン、メチルブチルジエトキシシラン、メチルブチルジプロポキシシラン、メチルエチルエトキシプロポキシシラン、エチルプロピルジメトキシシラン、エチルプロピルメトキシエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルメトキシエトキシシラン、プロピルブチルジメトキシシラン、プロピルブチルジエトキシシラン、ジブチルメトキシエトキシシラン、ジブチルメトキシプロポキシシラン、ジブチルエトキシプロポキシシラン等が挙げられ、中でもジメトキシシラン、ジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシランが好ましい。
【０１６８】
これらシラン化合物の中では、メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとの組み合わせが好ましい。メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランの配合モル比は、３０：７０〜９０：１０が好ましい。
【０１６９】
また、上記シロキサンポリマーは、質量平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のものが好ましい。これは、主に、成膜性や膜の平坦性を確保することが容易となるからであり、エッチングレート耐性にも優れるからである。特に分子量が低すぎると、シロキサンポリマーが揮発してしまい、成膜できない可能性がある。
【０１７０】
［溶剤］
上記溶剤としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロアルキルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル（ＰＧＤＭ）、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基を全てアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類等が挙げられる。これらの中でも、シクロアルキルケトン又はアルキレングリコールジアルキルエーテルがより好ましい。さらに、アルキレングリコールジメチルエーテルとしては、ＰＧＤＭ（プロピレングリコールジメチルエーテル）が好ましい。これらの有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その配合量は、シリカ系被膜形成用組成物中７０〜９９質量％の範囲が好ましい。
【０１７１】
［その他］
上記シリカ系被膜形成用組成物は、上記シロキサンポリマー及び溶剤以外の他の成分を含有していてもよい。例えば、環状塩基性化合物を含有していてもよい。この環状塩基性化合物としては環状アミンが好ましく、より具体的には、ＤＢＵ（１，８−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ）が好ましく用いられる。
【０１７２】
上記環状塩基性化合物の添加量は、上記シロキサンポリマーの固形分量に対して１０ｐｐｍ〜１％であることが好ましい。この範囲内の添加量であれば、シロキサンポリマーの重合を促進し、被膜中の水分量を低減させることができる。また、シリカ系被膜形成用組成物の液安定性が増し、塗布性が良好となる。
【０１７３】
さらに、上記シリカ系被膜形成用組成物には、ポロージェンが含まれていてもよい。ポロージェンとは、シリカ系被膜形成用組成物からなる塗膜の焼成時に分解され、最終的に形成されるシリカ系被膜１２に空孔を形成させる材料である。このポロージェンとしては、例えばポリアルキレングリコール及びその末端アルキル化物が挙げられる。
【０１７４】
上記ポリアルキレングリコールのアルキレン基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。ポリアルキレングリコールの具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の低級アルキレングリコールが挙げられる。
【０１７５】
上記ポリアルキレングリコールの末端アルキル化物とは、ポリアルキレングリコールの片末端又は両末端の水酸基がアルキル基によってアルコキシ化されたものである。末端のアルコキシ化に用いられるアルキル基は、直鎖状又は枝分かれ状のアルキル基であってよく、その炭素数は１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。特に、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【０１７６】
このポリアルキレングリコールの質量平均分子量（Ｍｗ）は１００〜１０，０００が好ましく、２００〜５，０００がより好ましく、４００〜４，０００がさらに好ましい。質量平均分子量を上記範囲の上限値以下とすることにより、塗布液における相溶性を損なうことなく良好な塗布性が得られ、シリカ系被膜１２の膜厚均一性が良好なものとなる。上記範囲の下限値以上とすることにより、シリカ系被膜１２をポーラスにすることができ、より大きな緩衝作用を奏するようになり好ましい。
【０１７７】
上記ポロージェンの使用量は、シリカ系被膜形成用組成物における固形分（Ｓｉ０２換算質量）に対して、２５〜１００質量％が好ましく、３０〜７０質量％がより好ましい。溶剤成分の使用量を上記範囲の下限値以上とすることにより、ポーラス化させることができ、上記範囲の上限値以下とすることにより十分な強度のシリカ系被膜１２を得ることができる。
【０１７８】
上記シリカ系被膜１２は、ホトレジストパターンが形成された支持体１１上に、シリカ系被膜形成用塗布液を塗布して加熱乾燥及び焼成した後、ホトレジストパターンを除去することにより得られる。シリカ系被膜形成用塗布液の塗布方法については特に限定されず、例えばスプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法等の任意の塗布方法を用いることができる。
【０１７９】
加熱乾燥は、８０〜３００℃で１〜６分間の時間をかけて行うのが好ましく、３段階以上、段階的に昇温することがより好ましい。例えば、大気中又は窒素等の不活性ガス雰囲気中、７０〜１２０℃で３０秒〜２分間、１回目の乾燥処理を行なった後、１３０〜２２０℃で３０秒〜２分間、２回目の乾燥処理を行い、さらに１５０〜３００℃で３０秒〜２分間、３回目の乾燥処理を行なう。このように、３段階以上、好ましくは３〜６段階程度の段階的な乾燥処理を行なうことにより、塗膜の表面を均一化できる。
【０１８０】
また、焼成は、３００〜４００℃程度の温度で、窒素雰囲気中で行なわれるのが好ましい。
【０１８１】
レジストパターンの上部に形成されたシリカ系被膜は、適宜、支持体全面をエッチング処理（エッチバック）すること等により除去することが可能である。なお、この際のエッチング処理は、公知のエッチング方法を用いることにより行われる。
【０１８２】
ホトレジストパターンの除去の際に用いられる剥離液としては、特に限定されず、従来公知のホトレジスト用剥離液が用いられる。例えば、有機系剥離液、水系剥離液、Ｏ２アッシング処理のいずれを用いることもできる。
【０１８３】
＜金属膜＞
本発明に係る負極基材１０における金属膜１３は、メッキ処理により形成されるものが好ましいが、特に限定されるものではない。メッキ処理は従来公知のものが用いられ、上述のシリカ系被膜１２上に金属膜１３を形成できるものであれば特に限定されない。また、金属膜１３は、多段階メッキ処理により複数の層から構成されていてもよい。このような金属膜を形成する工程、即ちメッキ処理工程は、好ましくは、洗浄工程、触媒化処理工程に続いて、無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を行い、さらに無電解錫メッキ工程、又は電解錫メッキ工程を含む。
【０１８４】
本発明に好適なメッキ処理について、以下に具体的に説明する。
【０１８５】
［洗浄工程］
先ず、シリカ系被膜１２を備えた支持体１１を、リン酸系溶液中に浸漬させて洗浄を行う。リン酸系溶液としては、リン酸ナトリウムなどが用いられる。浸漬時間は、３０〜１８０秒とすることが好ましく、４５〜９０秒とすることがより好ましい。
【０１８６】
［触媒化工程］
上記洗浄工程を経た支持体１１を、所定濃度の塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化錫の濃度は、０．０１ｇ／ｄｍ３〜０．１０ｇ／ｄｍ３が好ましく、０．０３ｇ／ｄｍ３〜０．０７ｇ／ｄｍ３がより好ましい。また、浸漬時間は１５〜１８０秒とすることが好ましく、３０〜６０秒とすることがより好ましい。
【０１８７】
次いで、塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させた支持体１１を、所定濃度の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化パラジウムの濃度は、０．０１ｇ／ｄｍ３〜０．３ｇ／ｄｍ３が好ましく、０．０３ｇ／ｄｍ３〜０．０７ｇ／ｄｍ３がより好ましい。また、浸漬時間は１５〜１８０秒とすることが好ましく、３０〜６０秒とすることがより好ましい。
【０１８８】
［無電解ニッケルメッキ工程］
上記触媒化工程を経た支持体１１を、ニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキを行う。ニッケルメッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸ニッケルを０．０５Ｍ〜０．２０Ｍ、次亜リン酸ナトリウムを０．１０Ｍ〜０．３０Ｍ、鉛イオンを０．０５ｐｐｍ〜０．３０ｐｐｍ、錯化剤を０．０５Ｍ〜０．３０Ｍ含有するニッケルメッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、カルボン酸類の錯化剤が好ましく用いられる。ニッケルメッキ浴の温度は、５０℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは４．０〜５．５が好ましい。ｐＨの調整には水酸化ナトリウム、硫酸が用いられる。
【０１８９】
なお、上記無電解ニッケルメッキの代わりに、無電解銅メッキを行ってもよい。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。
【０１９０】
［無電解銅メッキ工程］
上記触媒化工程を経た支持体１１を、銅メッキ浴中に浸漬させて銅メッキを行う。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸銅を０．０２Ｍ〜０．１０Ｍ、ホルマリンを０．１０Ｍ〜０．４０Ｍ、２，２’−ビピリジルを１．０ｐｐｍ〜２０．０ｐｐｍ、界面活性剤（ポリエチレングリコールなど）を５０．０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍ、錯化剤を０．２０Ｍ〜０．４０Ｍ含有する銅メッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、エチレン−アミン系の錯化剤が好ましく用いられる。銅メッキ浴の温度は、５０℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは１１．５〜１２．５が好ましい。また、空気通気による攪拌を行うのが好ましい。ｐＨの調整には水酸化カリウム、硫酸が用いられる。
【０１９１】
［無電解錫メッキ工程］
上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体１１を、錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキを行うことにより、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が形成される。錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、塩化錫を０．０２Ｍ〜０．２０Ｍ、三塩化チタンなどの還元剤を０．０２Ｍ〜０．０８Ｍ、クエン酸３ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）などの錯化剤を０．１０Ｍ〜０．５０Ｍ含有する錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、４５℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは６．５〜８．５が好ましい。ｐＨの調整には炭酸ナトリウム又はアンモニアと塩酸が用いられる。なお、錫メッキ処理は、窒素雰囲気下で行われるのが好ましい。
【０１９２】
［電解錫メッキ工程］
なお、上記無電解錫メッキの代わりに、電解錫メッキを行ってもよい。このような錫メッキ工程としては、上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体１１を、錫メッキ浴中に浸漬、通電させて電解錫メッキを行うことにより、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が形成される。電解錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、レイボルド株式会社の市販メッキ液、スタータークルモ錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、１０℃〜２８℃が好ましく、ｐＨは１．０〜１．５とすることが好ましい。また、適用電流密度は０．５Ａ／ｄｍ２〜６．０Ａ／ｄｍ２が好ましい。
【０１９３】
＜二次電池＞
上記負極基材１０は、二次電池用負極基材、特にリチウム二次電池用負極基材として好適に用いられる。リチウム二次電池は、電解液として有機溶媒及びリチウム塩を用い、負極と正極との間で行われるリチウムイオン（Ｌｉ＋）の移動による電荷の授受により、充放電がなされる二次電池であり、出力電圧が高く、エネルギー密度が高いという利点を有する。従来のリチウム二次電池では、通常、負極として炭素、正極として遷移金属酸化物リチウム化合物が用いられていたが、近年ではさらなる高出力、高エネルギー密度を求めて負極材料の検討が進められている。負極材料は、薄膜を形成することができ、且つリチウムを可逆的に吸蔵／放出できるものであることが必要であるところ、上記負極基材１０はこれらの要求を満たすため、好適に用いられる。ここで、「吸蔵」とは、リチウムを可逆的に内包したり、リチウムと可逆的に合金、固溶体等を形成したり、リチウムと可逆的に化学結合したりすることである。
【０１９４】
上記負極基材１０を、リチウム二次電池の負極材料として利用する際には、負極基材１０を集電体上に積層して負極を形成することが必要である。ただし、上記支持体１１が導電性を有するものであればその必要はなく、支持体１１が集電体となり得る。集電体は、導電性を有するものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。従来一般的なリチウム二次電池に用いられる集電体が用いられる。好ましくは、上記負極基材１０との密着性が良好なものである。また、リチウムと合金化しない材料であることが好ましい。具体的には、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン、及びタンタルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む材料が挙げられる。また、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の構造が好ましい。特に、金属箔を用いることが好ましく、具体的には、銅箔等を用いることが好ましい。集電体の厚さは特に限定されない。
【０１９５】
一般に、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層して形成された負極では、粒子状の負極材料を結着剤等とともに集電体上に積層した負極に比べ、内部抵抗を低減できる。即ち、上記負極基材１０を集電体上に積層して形成された負極によれば、発電特性が高いリチウム二次電池が得られる。しかしながら、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層した負極では、負極材料層と集電体との密着性が大きいため、充放電に伴う負極材料層の膨張／収縮によって、負極材料層や集電体に皺等の変形が発生するおそれがある。特に、銅箔等の延性に富んだ金属箔を集電体に用いた場合、変形の程度がより大きくなる傾向にある。このため、薄膜状の負極材料層を集電体上に単に積層するだけでは、電池としてのエネルギー密度が低下したり、充放電サイクル特性が悪化するおそれがある。
【０１９６】
これに対して、本発明に係る上記負極基材１０は、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が積層された構造を有するため、リチウムの吸蔵／放出に伴って金属膜１３が膨張／収縮することにより生ずる応力は、シリカ系被膜１２の緩衝作用により緩和される。このため、充放電時に生ずる応力の増大を抑制することができる結果、負極基材や集電体における皺等の変形の発生を抑制できる。ひいては、負極基材の亀裂や集電体からの剥離を抑制できる。即ち、上記負極基材１０を集電体上に積層して形成された負極によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池が得られる。
【０１９７】
なお、負極以外の構成については特に限定されず、従来公知のリチウム二次電池と同様の構成でよい。具体的には、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる正極、リチウム伝導性を有する電解質から主に構成される。電解質は、必要によりセパレータによって保持され、セパレータに保持された状態で負極及び正極と接触し、リチウムの交換が行われる。
【０１９８】
正極は、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる限り特に限定されず、リチウム二次電池に一般的に用いられる正極が用いられる。具体的には、集電体上に正極材料層を積層した正極を用いればよい。例えば、正極材料と導電剤、結着剤とを分散溶媒中に分散させてスラリー状とし、集電体上に塗布した後に乾燥させることにより形成される。集電体、正極材料層の厚さは特に限定されず、電池設計容量等に応じて任意に設定される。
【０１９９】
正極材料も特に限定されず、リチウムと遷移元素とを含む酸化物等の従来公知のものが用いられる。具体的には、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＣｏ０．５Ｎｉ０．５Ｏ２等が用いられる。導電剤は、電気伝導性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、アセチレンブラック、カーボンブラック、黒鉛粉末等が用いられる。結着剤は、正極を形成した後に正極材料層の形状を保持できるものであれば特に限定されず、ゴム系結着剤や、フッ素樹脂等の樹脂系結着剤が用いられる。
【０２００】
セパレータは、リチウム伝導性を有する電解質を保持することができ、負極と正極との間の電気的な絶縁を保つことができるものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。例えば、多孔質ポリプロピレン薄膜、多孔質ポリエチレン薄膜等の多孔質性樹脂薄膜や、ポリオレフィン等を含む樹脂製不織布等が用いられる。
【０２０１】
電解質は、リチウム伝導性を有するものであればよく、特に限定されない。例えば、リチウムを含む電解質を非水溶媒に溶解させた非水電解質溶液が用いられる。リチウムを含む電解質としては、例えば、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３等のリチウム塩が用いられる。非水溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、エトキシメトキシエタン等、又はこれら非水溶媒の混合溶媒が用いられる。非水電解質溶液の濃度は特に限定されず、いわゆるポリマー電解質や固体電解質等を用いてもよい。
【０２０２】
本発明に係る上記負極基材１０を負極として利用したリチウム二次電池は、コイン形、円筒形、角形、あるいは平板形の電池等の様々な形状とすることができる。また、その容量も特に限定されず、精密機器等に用いる小型の電池からハイブリッド自動車等に用いる大型の電池にまで適用できる。
【実施例】
【０２０３】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２０４】
〔実施例〕
下記構造式（ｚ１）で表される化合物（Ｋ−１Ｓ（商品名）：サンアプロ社製）１質量部、下記構造式（ｚ２）で表される酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂４０質量部、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをホルムアルデヒドと酸触媒の存在下で付加縮合して得たノボラック樹脂６０質量部、及び１，５−ジヒドロキシナフタレン１質量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに均一に溶解させ、孔径１μｍのメンブレンフィルターを通して濾過し、固形分質量濃度２０質量％のポジ型レジスト組成物を得た。
【化３２】
【０２０５】
このポジ型レジスト組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターで塗布後、乾燥し、２μｍの膜厚を有する感光性樹脂組成物層を得た。このポジ型レジスト組成物層をホットプレートにより１３０℃で１分プリベークした。その後、ＰＬＡ−５０１Ｆ（コンタクトアライナー：キャノン社製）を用いてパターン露光（ソフトコンタクト、ＧＨＩ線）を行い、ホットプレートにより７５℃で５分、露光後加熱（ＰＥＢ）を行い、３質量％テトラメチルアンモニウム水酸化物を用いて浸漬法により２分現像処理を行った。シリコンウエハ上に径１μｍ（ピッチ２μｍ）のホール形状のホトレジストパターンを得た。
【０２０６】
他方、メチルトリメトキシシラン２２０．０ｇ、テトラメトキシシラン２４６．０ｇ、プロピレングリコールモノプロピルエーテル３０１．０ｇを混合し、撹拌した。この混合物に水２０４．０ｇ、６０％硝酸５２μＬを加え、さらに３時間撹拌した。その後、２６℃で２日間反応させた。前記反応物８．０ｇと、プロピレングリコールモノプロピルエーテル１１．８ｇ、ＤＢＵの０．１％プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液０．２ｇを混合し、シリカ系被膜形成用組成物を得た。
【０２０７】
得られたシリカ系被膜形成用組成物をスピンコートにより、前記ホトレジストパターンが形成されたシリコンウエハ上に塗布し、８０℃、１５０℃、及び２００℃の各ホットプレート上で各１分間ずつ加熱した。さらに、剥離１０４（東京応化工業社製）を用いて７０℃にて２０分間浸漬処理し、次いで、窒素雰囲気中で、４００℃、３０分間、焼成し、膜厚が約２μｍのシリカ系被膜を形成した。
【０２０８】
このパターン上のシリカ系被膜が形成されたシリコンウエハを、リン酸ナトリウム溶液中に６０秒間浸漬して洗浄処理を行った。続いて、上記洗浄工程を経たシリコンウエハを、０．０５ｇ／ｄｍ３の塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に６０秒間浸漬させ、さらに、０．０５ｇ／ｄｍ３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液中に６０秒間浸漬させることにより、触媒化工程を行った。
【０２０９】
次いで、上記触媒化工程を経たシリコンウエハを、硫酸ニッケル０．２０Ｍ、次亜リン酸ナトリウム０．３０Ｍ、鉛イオン０．３０ｐｐｍ、カルボン酸類の錯化剤０．３０Ｍからなるニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキ処理を行った。なお、このときのニッケルメッキ浴の温度は７０℃とし、ｐＨは５．５に調整した。
【０２１０】
さらに、上記無電解ニッケルメッキ工程を経たシリコンウエハを、塩化錫を０．２０Ｍ、三塩化チタン等の還元剤を０．０８Ｍ、クエン酸３ナトリウム０．５０Ｍからなる錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキ処理を行った。なお、このときの錫メッキ浴の温度は７０℃とし、ｐＨは８．５に調整した。
【０２１１】
上記実施例にて得られた負極基材を用い、以下の手法で非水電解液二次電池を作製した。この電池の１〜３サイクル後の放電容量を以下の方法で測定した。結果を以下の表１に示す。
【０２１２】
実施例１で得た各負極基材を作用極とし、対極（正極）としてＬｉＣｏＯ２を用い、両極を、セパレーターを介して対向させた。非水電解液としてＬｉＰＦ6／エチレンカーボネートとジメチルカーボネートの混合液（１：１容量比）を用いて常法により非水電解液二次電池を作製した。この非水電解液二次電池は、正極と負極との容量比は１：１であった。
【０２１３】
１〜３サイクル後の各放電容量として単位容積当たりの放電容量（ｍＡｈ／ｃｍ２）を測定した。単位容積当たりの放電容量は、負極の体積を基準とした。但し、充電時の負極の膨張は考慮しなかった。
【０２１４】
【表１】
【０２１５】
上記負極基材に対して、実施例の錫メッキ処理を施した負極基材の表面積は、平面状にメッキ処理を施した場合の約１９０％であった。
【産業上の利用可能性】
【０２１６】
本発明に係る負極基材１０によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現が可能であり、例えば、携帯機器等に用いる小型の電池から、ハイブリッド自動車等に用いる大型の電池まで、容量を問わず、各種用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１７】
【図１】本発明に係る負極基材の模式図である。
【符号の説明】
【０２１８】
１０ 負極基材
１１ 支持体
１２ シリカ系被膜
１３ 金属膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関し、特に、充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高い出力電圧と、高いエネルギー密度を兼ね備えた電池の研究開発が盛んに進められている。特に、内部抵抗が低く、充放電による電池容量の低下が少ない、充放電サイクル特性に優れた二次電池が求められている。例えば、薄膜状の非晶質シリコン又は微結晶シリコンを負極材料（負極活物質）として用いたリチウム二次電池が知られている（特許文献１参照）。具体的には、集電体上にシリコン薄膜からなる負極材料層を形成した負極を用いたリチウム二次電池が開示されており、シリコン薄膜の形成には、ＣＶＤ法（化学気相成長法、化学蒸着法ともいう）やスパッタリング法等の薄膜形成手法が用いられている。
【０００３】
ここで、シリコン等の材料は、リチウムの吸蔵／放出に伴って、膨張／収縮を繰り返すと考えられている。集電体上にシリコン薄膜を形成した負極では、集電体と負極材料層との密着性が高いため、負極材料の膨張／収縮に伴う集電体の膨張／収縮が頻繁に行われることになる。このため、充放電に伴って負極材料層及び集電体に皺等の不可逆的な変形が発生するおそれがある。特に、集電体に銅箔等の延性に富んだ金属箔を用いた場合、変形の程度が大きくなる傾向にある。負極が変形すると、電極としての体積が増加して電気化学反応が不均一になる等の理由から、電池のエネルギー密度が低下するおそれがある。また、充放電に伴う膨張／収縮を繰り返す間に、負極材料が微粉化して集電体から脱離したり、場合によっては薄膜状のまま脱離したりするおそれもあり、電池の充放電サイクル特性が悪化する要因となる。
【０００４】
負極の変形を抑制する方法としては、引張り強さや引張り弾性率等の機械的強度が高い材料を集電体として用いる方法が挙げられる。しかしながら、このような材料からなる集電体上に、薄膜状の負極材料からなる負極材料層を形成した場合、負極材料層と集電体との密着性が不十分となり、十分な充放電サイクル特性が得られないおそれがある。このため、特許文献１には、負極材料と合金化する材料からなる中間層を集電体と負極材料層との間に配置し、中間層よりも機械的強度が高い集電体を用いることによって、充放電時における負極材料の脱離を抑制するとともに、皺等の発生を抑制する技術が開示されている。具体的には、中間層として銅層を用い、集電体としてニッケル箔が用いられている。
【０００５】
上記特許文献１以外にも、負極材料層としてシリコンに銅を固溶させた薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている（特許文献２参照）。また、負極材料層として、リチウムと合金化する金属と、リチウムと合金化しない金属とからなる合金薄膜を用い、リチウムの吸蔵量を抑制することによって、リチウムを吸蔵した場合の負極材料の膨張を抑制する技術が開示されている（特許文献３参照）。具体的には、リチウムと合金化して固溶体又は金属間化合物等を形成する金属として、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、及びＳｉ等が用いられ、リチウムと合金化しない金属として、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＭｎ等が用いられている。
【０００６】
また、厚さ方向への変形量が５μｍ〜２０μｍである変形部が、１ｃｍ２あたり１０個以上形成され、且つ、変形部による開口率が４％以下である集電体を用いることによって、充放電に伴う電極の変形を抑制する技術が開示されている（特許文献４参照）。さらには、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる薄膜状の負極材料層の表面及び内部の少なくとも一方に、リチウム非吸蔵性材料を配置させる技術が開示されている（特許文献５参照）。
【特許文献１】特開２００２−０８３５９４号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９１７７号公報
【特許文献３】特開２００２−３７３６４７号公報
【特許文献４】特開２００３−０１７０６９号公報
【特許文献５】特開２００５−１９６９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の各種負極材料いずれをもってしても、十分な出力電圧、エネルギー密度、及び充放電サイクル特性を有する電池は得られていないのが現状である。従って、本発明の目的は、上述した従来技術とは異なる構成により、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、パターン化されたシリカ系被膜上に金属膜が形成された負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、上記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、さらにはこの負極基材の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現を可能とする負極基材、この負極基材を用いた二次電池、この負極基材の形成に用いられるホトレジスト組成物、及びこの負極基材の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
＜負極基材＞
本発明に係る負極基材１０の模式図を図１に示す。図１に示される通り、本発明に係る負極基材１０は、支持体１１と、シリカ系被膜１２と、金属膜１３とから構成される。より詳しくは、本発明に係る負極基材１０は、パターン形成されたシリカ系被膜１２を有する支持体１１の表面にさらに金属膜１３を備えたものである。
【００１３】
本発明に係る負極基材１０は、次のようにして得られる。先ず、支持体１１上にホトレジストパターンを形成する。形成されたホトレジストパターン上にシリカ系被膜形成用塗布液を塗布してシリカ系被膜を形成する。次いで、不要なホトレジストパターンを除去することにより、支持体１１上にパターン化されたシリカ系被膜１２を得る。最後に、パターン化されたシリカ系被膜１２を有する支持体１１に対して、金属膜１３を形成する。
【００１４】
＜支持体＞
本発明に係る負極基材１０に用いられる支持体１１は、その表面上にホトレジストパターンやシリカ系被膜１２を形成できるものであればよく、特に限定されない。例えば、電子部品用の基板等の従来公知のものが用いられる。具体的には、シリコンウエハ、有機系又は無機系の反射防止膜が設けられたシリコンウエハ、磁性膜が形成されたシリコンウエハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。なお、これらの支持体は、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン及びタンタルから選ばれる少なくとも１種の元素を含む材料、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の集電体を兼ねてもよいし、これらの集電体上に形成されてもよい。
【００１５】
＜ホトレジストパターン＞
パターン化されたシリカ系被膜１２を形成するのに必要なホトレジストパターンは、従来公知のホトレジスト組成物により形成されるものであり、特に限定されない。具体的には、従来公知のホトレジスト組成物を支持体１１上に塗布した後、パターン露光により所定形状にパターン化されたホトレジストパターンである。好ましくは、後述するホトレジスト組成物により形成されたホトレジストパターンである。
【００１６】
［ホトレジスト組成物］
ホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物としては、特に限定されず、従来公知のホトレジスト組成物が用いられる。
【００１７】
〔ポジ型ホトレジスト組成物〕
ポジ型の化学増幅型ホトレジスト組成物としては、活性光線又は放射線照射により酸を発生する酸発生剤成分（以下、（Ａ）成分という）、及び酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する樹脂成分（以下、（Ｂ）成分という）とを基本成分とするものが好ましく用いられる。（Ｂ）成分としては、アルカリ可溶性樹脂の水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されてアルカリ不溶性になっている樹脂が用いられる。このような（Ｂ）成分を、前記（Ａ）成分と組み合わせて用いることにより、露光部分では酸が発生し、これが前記酸解離性溶解抑制基による保護を解離する。その結果、その露光部分がアルカリ可溶性となり、現像の際に露光部分だけが選択的に除去されて所定形状のホトレジストパターンが得られる。
【００１８】
（酸発生剤成分（Ａ））
（Ａ）成分としては、活性光線又は放射線の照射により、直接もしくは間接的に酸を発生する物質である。
【００１９】
このような酸発生剤の第一の態様としては、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−メチル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−エチル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（５−プロピル−２−フリル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジエトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，５−ジプロポキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３−メトキシ−５−エトキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３−メトキシ−５−プロポキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−[２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）エテニル]−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（２−フリル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（５−メチル−２−フリル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−[２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル]−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、トリス（１，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリス（２，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、ならびにトリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレ−ト等の下記の一般式（ａ１）で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。
【００２０】
【化１】
【００２１】
上記一般式（ａ１）中、Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、及びＲ３ａは、それぞれ独立なハロゲン化アルキル基であり、当該アルキル基の炭素原子数は１〜６である。
【００２２】
また、酸発生剤の第二の態様としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、ならびに、オキシムスルホネ−ト基を含有する下記の一般式（ａ２）で表される化合物が挙げられる。
【００２３】
【化２】
【００２４】
上記一般式（ａ２）中、Ｒ４ａは、一価、二価、もしくは三価の有機基であり、また、Ｒ５ａは、置換、未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族性化合物基であり、ｎは１〜６の整数である。
【００２５】
前記一般式（ａ２）中、Ｒ４ａは、芳香族性化合物基であることが特に好ましく、このような芳香族性化合物基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基等の複素環基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を１個以上有していてもよい。また、Ｒ５ａとしては炭素原子数１〜６の低級アルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
【００２６】
上記一般式（ａ２）で表わされる酸発生剤としては、ｎ＝１の時、Ｒ４ａがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、Ｒ５ａがメチル基の化合物、具体的にはα−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メトキシフェニル）アセトニトリル、〔２−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−２，３−ジヒドロキシチオフェン−３−イリデン〕（ｏ−トリル）アセトニトリル等が挙げられる。ｎ＝２の時、上記一般式で表わされる酸発生剤としては、具体的には下記化学式（ａ２−１）〜（ａ２−８）で表される酸発生剤が挙げられる。
【００２７】
【化３】
【００２８】
さらに、酸発生剤の第三の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩を用いることができる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも２つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基等の置換基を有しいてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、１価基（遊離原子価が１つ）であっても、２価基（遊離原子価が２つ）以上であってもよいが、１価基であることが望ましい（ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする）。ナフタレン環の数は１〜３が好ましい。
【００２９】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記一般式（ａ３）で示される構造が好ましい。
【００３０】
【化４】
【００３１】
上記一般式（ａ３）中、Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうち少なくとも１つは下記一般式（ａ４）で示される基であり、残りは炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基である。あるいは、Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうちの一つが下記一般式（ａ４）で示される基であり、残りの２つは、それぞれ独立して、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状アルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。
【００３２】
【化５】
【００３３】
上記一般式（ａ４）中、Ｒ９ａ、Ｒ１０ａは、それぞれ独立して、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、Ｒ１１ａは単結合又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立して０又は１〜２の整数であり、ｐ＋ｑは３以下である。ただし、Ｒ１０ａが複数存在する場合、それらは相互に同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ９ａが複数存在する場合、それらは相互に同じであっても異なっていてもよい。
【００３４】
上記Ｒ６ａ、Ｒ７ａ、Ｒ８ａのうち、前記一般式（ａ４）で示される基の数は、化合物の安定性の点から、好ましくは１つであり、残りは、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、前記２つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて３〜９員環を構成する。環を構成する原子（硫黄原子を含む）の数は、好ましくは５〜６である。
【００３５】
また、前記アルキレン基が有してもよい置換基としては、酸素原子（この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する）、水酸基等が挙げられる。
【００３６】
また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基等が挙げられる。
【００３７】
これらのカチオン部として好適なものとしては、以下の化学式（ａ５）、（ａ６）で示すもの等を挙げることができ、特に化学式（ａ６）で示す構造が好ましい。
【００３８】
【化６】
【００３９】
このようなカチオン部としては、ヨ−ドニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。
【００４０】
したがって、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。
【００４１】
このような光酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンが好ましい。
【００４２】
フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素原子数１〜２０の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素原子数１〜１０であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短く、好ましい。具体的には安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を挙げることができる。
【００４３】
アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素原子数６〜２０のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられ、安価に合成可能なことから、炭素原子数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には好ましいものとして、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。
【００４４】
前記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パ−フルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。
【００４５】
中でも、好ましいアニオン部として、以下の一般式（ａ７）で示すものが挙げられる。
【００４６】
【化７】
【００４７】
上記一般式（ａ７）において、Ｒ１２ａは、下記一般式（ａ８）、（ａ９）で示す構造や、化学式（ａ１０）で示す構造が挙げられる。
【００４８】
【化８】
【００４９】
上記一般式（ａ８）中、ｌは１〜４の整数であり、一般式（ａ９）中、Ｒ１３ａは水素原子、水酸基、炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素原子数１〜６の直鎖もしくは分岐鎖状のアルコキシ基を示し、ｍは１〜３の整数である。中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。
【００５０】
また、アニオン部としては、以下の化学式（ａ１１）及び（ａ１２）で表わされる窒素を含有するものを用いることもできる。
【００５１】
【化９】
【００５２】
上記式（ａ１１）、（ａ１２）中、Ｘａ１は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素原子数は２〜６であり、好ましくは３〜５、最も好ましくは炭素原子数３である。また、Ｘａ２、Ｘａ３は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素原子数は１〜１０であり、好ましくは１〜７、より好ましくは１〜３である。
【００５３】
Ｘａ１のアルキレン基の炭素原子数又はＸａ２、Ｘａ３のアルキル基の炭素原子数が小さいほどレジスト溶媒への溶解性も良好であるため好ましい。
【００５４】
また、Ｘａ１のアルキレン基又はＸａ２、Ｘａ３のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。
【００５５】
このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記化学式（ａ１３）、（ａ１４）の化合物である。
【００５６】
【化１０】
【００５７】
さらに、酸発生剤の別の態様としては、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類；ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレ−ト、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体；ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、Ｎ−メチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ−メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル；Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩；ベンゾイントシラート、α−メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類；その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。
【００５８】
さらに、酸発生剤の第四の態様としては、下記一般式（ａ１５）で表わされる化合物を用いることができる。
【００５９】
【化１１】
【００６０】
上記式（ａ１５）中、Ｘａ４は原子価ｓの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、ｓは１又は２である。ｎは括弧内の構造の繰り返し単位を表わす。Ｒ１４ａはＸａ４に結合している有機基であり、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数４〜３０の複素環基、炭素原子数１〜３０のアルキル基、炭素原子数２〜３０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜３０のアルキニル基を表し、Ｒ１４ａはアルキル、ヒドロキシ、アルコシキ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコシキカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｒ１４ａの個数はｓ＋ｎ（ｓ−１）＋１であり、Ｒ１４ａはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、２個以上のＲ１４ａが互いに直接、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＮＲ１５ａ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素原子数１〜３のアルキレン基若しくはフェニレン基を介して結合し、Ｘａ４を含む環構造を形成してもよい。Ｒ１５ａは炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数６〜１０のアリール基である。
【００６１】
Ｘａ５は下記一般式（ａ１６）で表される構造である。
【００６２】
【化１２】
【００６３】
上記式（ａ１６）中、Ｘａ７は炭素原子数１〜８のアルキレン基、炭素原子数６〜２０のアリーレン基、又は炭素原子数８〜２０の複素環化合物の２価の基を表し、Ｘａ７は炭素原子数１〜８のアルキル、炭素原子数１〜８のアルコキシ、炭素原子数６〜１０のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｘａ８は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−ＮＲ１５ａ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素数１〜３のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。ｎは括弧内の構造の繰り返し単位数を表わす。ｎ＋１個のＸａ７及びｎ個のＸａ８はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１５ａは前述の定義と同じである。
【００６４】
Ｘａ６−はオニウムの対イオンである。その個数は１分子当たりｎ＋１であり、そのうち少なくとも１個は下記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンであって、残りは他のアニオンであってもよい。
【００６５】
【化１３】
【００６６】
上記式（ａ１７）中、Ｒ１６ａは水素原子の８０％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｔはその個数を示し、１〜５の整数である。ｔ個のＲ１６ａはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００６７】
上記一般式（ａ１５）のオニウムイオンの好ましい具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド、ビス〔４−｛ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィド、ビス｛４−［ビス（４−フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド、４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジ−ｐ−トリルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジフェニルスルホニウム、２−［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン、４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、２−ナフチルメチル（１−エトキシカルボニル）エチルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−ｐ−トリルヨードニウム、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウム、（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム、ビス（４−デシルオキシ）フェニルヨードニウム、４−（２−ヒドロキシテトラデシルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４−イソプロピルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム、又は４−イソブチルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウムが挙げられる。
【００６８】
上記一般式（ａ１５）のアニオン成分は、上記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンを少なくとも１個有する。残りのアニオン成分は他のアニオンであってよい。他のアニオンとしては、特に限定されず、従来公知のアニオンを用いることができる。例えば、Ｆ−、Ｃｒ−、Ｂｒ−、Ｉ−等のハロゲンイオン；ＯＨ−；ＣｌＯ４−；ＦＳＯ３−、ＣｌＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、Ｃ６Ｈ５ＳＯ３−、ＣＦ３ＳＯ３−等のスルホン酸イオン類；ＨＳＯ４−、ＳＯ４２−等の硫酸イオン類；ＨＣＯ３−、ＣＯ３２−等の炭酸イオン類；Ｈ２ＰＯ４−、ＨＰＯ４２−、ＰＯ４３−等のリン酸イオン類；ＰＦ６−、ＰＦ５ＯＨ−等のフルオロリン酸イオン類；ＢＦ４−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−、Ｂ（Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）４−等のホウ酸イオン類；ＡｌＣｌ４−；ＢｉＦ６−等が挙げられる。その他、ＳｂＦ６−、ＳｂＦ５ＯＨ−等のフルオロアンチモン酸イオン類、あるいはＡＳＦ６−、ＡｓＦ５ＯＨ−等のフルオロヒ素酸イオン類も挙げられるが、これらは毒性の元素を含むため好ましくない。
【００６９】
上記一般式（ａ１７）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、Ｒ１６ａはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素原子数は１〜８、さらに好ましい炭素原子数は１〜４である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基；イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の分岐アルキル基；さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは１００％である。フッ素原子の置換率が８０％未満である場合には、上記一般式（ａ１５）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。
【００７０】
特に好ましいＲ１６ａは、炭素原子数が１〜４、かつフッ素原子の置換率が１００％の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、ＣＦ３、ＣＦ３ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ２（ＣＦ３）ＣＦ、（ＣＦ３）３Ｃが挙げられる。Ｒ１６ａの個数ｔは、１〜５の整数であり、好ましくは２〜４、特に好ましくは２又は３である。
【００７１】
好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、［（ＣＦ３ＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４］−、又は［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−が挙げられ、これらのうち、［（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４］−、［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３］−、又は［（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４］−が特に好ましい。
【００７２】
上記一般式（ａ１５）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩のうち、下記一般式（ａ１８）で表されるジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムトリフルオロトリスフルオロアルキルホスファートが特に好ましく用いられる。
【００７３】
【化１４】
【００７４】
上記式（ａ１８）中、ｕは１〜８の整数であり、好ましくは１〜４の整数である。
【００７５】
上記（Ａ）成分の酸発生剤として、好ましくは一般式（ａ２）、及び（ａ１８）の中から選ばれる少なくとも１種を用いるものであって、一般式（ａ２）中、好ましいｎの値は２であり、また、好ましいＲ４ａは、二価の炭素数１〜８の置換もしくは非置換のアルキレン基、又は、置換もしくは非置換の芳香族基であり、また、好ましいＲ５ａは、炭素数１〜８の置換もしくは非置換のアルキル基、又は、置換もしくは非置換のアリール基である。
【００７６】
上述したような（Ａ）成分は、単独で用いることも、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７７】
また、（Ａ）成分の配合量は、ポジ型ホトレジスト組成物中、０．０５〜５質量％とすることが好ましい。（Ａ）成分の配合量を０．０５質量％以上とすることによって充分な感度が得られるようになり、また、５質量％以下とすることによって溶剤に対する溶解性が向上して均一な溶液が得られ、保存安定性が向上する傾向がある。
【００７８】
（樹脂成分（Ｂ））
上記樹脂成分としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する、ノボラック樹脂（Ｂ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）、及びアクリル樹脂（Ｂ３）のうちの少なくとも一種を含む樹脂であるか、又は混合樹脂や共重合体であってもよい。
【００７９】
［（Ｂ１）ノボラック樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するノボラック樹脂（Ｂ１）としては、下記の一般式（ｂ１）で表される樹脂を使用することができる。
【化１５】
【００８０】
上記一般式（ｂ１）中、Ｒ１ｂは、酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２ｂ及びＲ３ｂは、それぞれ独立に水素原子もしくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｎは繰り返し単位を意味する。
【００８１】
さらに、上記Ｒ１ｂで示される酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式（ｂ２）又は（ｂ３）で示される、炭素原子数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。
【００８２】
【化１６】
【００８３】
上記一般式（ｂ２）及び（ｂ３）中、Ｒ４ｂ、及びＲ５ｂは、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｒ６ｂは炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ７ｂは炭素原子数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ｏは０又は１である。
【００８４】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００８５】
ここで、上記一般式（ｂ２）で示される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プロポキシエチル基、ｎ−ブトキシエチル基、ｉｓｏ−ブトキシエチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基等が挙げられ、上記式（ｂ３）の酸解離性溶解抑制基として、例えばｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素数が１〜６のものが挙げられる。
【００８６】
［（Ｂ２）ポリヒドロキシスチレン樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）としては、下記の一般式（ｂ４）で表される樹脂を使用することができる。
【００８７】
【化１７】
【００８８】
上記一般式（ｂ４）中、Ｒ８ｂは、水素原子もしくは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ９ｂは、酸解離性溶解抑制基であり、ｎは繰り返し単位を意味する。
【００８９】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００９０】
前記Ｒ９ｂで示される酸解離性溶解抑制基としては、上記一般式（ｂ２）及び（ｂ３）に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。
【００９１】
さらに、前記酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類等を挙げることができる。
【００９２】
［（Ｂ３）アクリル樹脂］
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂（Ｂ３）としては、下記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）で表される樹脂を使用することができる。
【００９３】
【化１８】
【００９４】
上記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）中、Ｒ１０ｂ〜Ｒ１７ｂは、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、フッ素原子又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のフッ素化アルキル基であり（ただし、Ｒ１１ｂが水素原子であることはない）、Ｘｂ１はそれが結合している炭素原子と共に炭素原子数５〜２０の炭化水素環を形成し、Ｘｂ２は置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基であり、ｎは繰り返し単位を意味し、ｃは０〜４であり、ｄは０又は１である。
【００９５】
なお、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、前記アルキル基の水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子により置換されたものである。
【００９６】
前記Ｒ１１ｂとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素原子数２〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、前記Ｒ１３ｂ、Ｒ１４ｂ、Ｒ１６ｂ、及びＲ１７ｂとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
【００９７】
前記Ｘｂ１は、それが結合している炭素原子と共に炭素原子数５〜２０の脂肪族環式基を形成する。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【００９８】
さらに、前記Ｘｂ１の脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素数１〜４の直鎖又は分岐状の低級アルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【００９９】
前記Ｘｂ２は、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基（さらに置換基を有していてもよい）が好ましい。
【０１００】
さらに、前記Ｘｂ２の脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子（＝Ｏ）等の極性基や、炭素原子数１〜４の直鎖又は分岐状の低級アルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子（＝Ｏ）が好ましい。
【０１０１】
また、Ｘｂ２がアルキル基である場合、炭素原子数１〜２０、好ましくは６〜１５の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基等が挙げられる。
【０１０２】
上記一般式（ｂ５）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ５−１）〜（ｂ５−３）で表されるものを挙げることができる。
【０１０３】
【化１９】
【０１０４】
上記一般式（ｂ５−１）〜（ｂ５−３）中のＲ１８ｂは水素原子又はメチル基であり、ｎは繰り返し単位である。
【０１０５】
上記一般式（ｂ６）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ６−１）〜（ｂ６−２８）で表されるものを挙げることができる。
【０１０６】
【化２０】
【０１０７】
【化２１】
【０１０８】
上記一般式（ｂ７）で表わされるアクリル樹脂の好ましい具体例としては、下記一般式（ｂ７−１）〜（ｂ７−２２）で表されるものを挙げることができる。
【０１０９】
【化２２】
【０１１０】
【化２３】
【０１１１】
【化２４】
【０１１２】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）は、前記一般式（ｂ５）〜（ｂ７）の構成単位に対して、さらにエーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。
【０１１３】
このような構成単位は、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位である。エーテル結合を有する重合性化合物としては、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、好ましくは、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレートである。これらの化合物は単独もしくは２種以上を組み合わせて使用できる。
【０１１４】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類等を挙げることができる。
【０１１５】
さらに、このようなアクリル樹脂（Ｂ３）の中でも、前記一般式（ｂ７）で表わされる構成単位と、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位と、（メタ）アクリル酸単位と、（メタ）アクリル酸アルキルエステル類からなる構成単位とを有する共重合体であることが好ましい。
【０１１６】
このような共重合体としては、下記一般式（ｂ８）で表わされる共重合体であることが好ましい。
【０１１７】
【化２５】
【０１１８】
上記一般式（ｂ８）中、Ｒ２０ｂは、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２１ｂは、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、Ｒ２２ｂは、炭素原子数２〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｘｂ１は前述の定義と同様である。
【０１１９】
さらに、上記一般式（ｂ８）で表わされる共重合体において、ｅ、ｆ、及びｇは、それぞれ質量比で、ｅは１〜３０質量％であり、ｆは２０〜７０質量％であり、ｇは２０〜７０質量％である。
【０１２０】
また、（Ｂ）成分のポリスチレン換算質量平均分子量は、好ましくは１０，０００〜６００，０００であり、より好ましくは５０，０００〜６００，０００であり、さらに好ましくは２３０，０００〜５５０，０００である。このような質量平均分子量とすることにより、基板との剥離性が低下することなく、レジスト膜の十分な強度を保持でき、さらにはメッキ処理時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を引き起こすことがなくなる。
【０１２１】
さらに、（Ｂ）成分は、分散度が１．０５以上の樹脂であることが好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするメッキに対する応力耐性や、メッキ処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を回避できる。
【０１２２】
このような（Ｂ）成分の配合量は、ポジ型ホトレジスト組成物中、５〜６０質量％とすることが好ましい。
【０１２３】
（アルカリ可溶性樹脂（Ｃ））
さらに、本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、アルカリ可溶性樹脂を適宜配合することができる。このような（Ｃ）成分としては、アルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ｃ１）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）、アクリル樹脂（Ｃ３）、及びビニル樹脂（Ｃ４）の中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【０１２４】
［（Ｃ１）アルカリ可溶性ノボラック樹脂］
前記アルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ｃ１）としては、ポリスチレン換算質量平均分子量が１，０００〜５０，０００であることが好ましい。
【０１２５】
このようなノボラック樹脂（Ｃ１）は、例えばフェノール性水酸基を持つ芳香族化合物（以下、単に「フェノール類」と称する）とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。この際に使用されるフェノール類としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
【０１２６】
また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
【０１２７】
本発明においては、ｏ−クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。
【０１２８】
［（Ｃ２）アルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン樹脂］
前記アルカリ可溶性のポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）としては、質量平均分子量が１，０００〜５０，０００であることが好ましい。
【０１２９】
このようなポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｃ２）を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。さらに前記ポリヒドロキシスチレン樹脂は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましく、このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等が挙げられる。
【０１３０】
［（Ｃ３）アルカリ可溶性アクリル樹脂］
前記アルカリ可溶性のアクリル樹脂（Ｃ３）としては、質量平均分子量が５０，０００〜８００，０００であることが好ましい。
【０１３１】
このようなアクリル樹脂（Ｃ３）としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導されたモノマー、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導されたモノマーを含有することが好ましい。
【０１３２】
前記エーテル結合を有する重合性化合物としては、２−メトキシエチル（メタ）アクリラート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリラート、３−メトキシブチル（メタ）アクリラート、エチルカルビトール（メタ）アクリラート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリラート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリラート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリラート等のエーテル結合及びエステル結合を有する（メタ）アクリル酸誘導体等を例示することができ、好ましくは、２−メトキシエチルアクリラート、メトキシトリエチレングリコールアクリラートである。これらの化合物は、単独で使用することも、２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１３３】
前記カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有する化合物等を例示することができ、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの化合物は、単独で使用することも、２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１３４】
［（Ｃ４）アルカリ可溶性ポリビニル樹脂］
前記アルカリ可溶性のポリビニル樹脂（Ｃ４）としては、質量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であることが好ましく、５０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。
【０１３５】
このようなポリビニル樹脂（Ｃ４）は、ポリ（ビニル低級アルキルエーテル）であり、下記一般式（ｃ１）で表されるビニル低級アルキルエーテルの単独又は２種以上の混合物を重合することにより得られる（共）重合体からなる。
【化２６】
【０１３６】
上記一般式（ｃ１）において、Ｒ１ｃは炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
【０１３７】
このようなポリビニル樹脂（Ｃ４）は、ビニル系化合物から得られる重合体であり、このようなポリビニル樹脂としては、具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。中でも、ガラス転移点の低さに鑑みてポリビニルメチルエーテルが好ましい。
【０１３８】
このような（Ｃ）アルカリ可溶性樹脂の配合量は、前記（Ｂ）成分１００質量部に対して、５〜９５質量部とすることが好ましく、より好ましくは１０〜９０質量部とされる。５質量部以上とすることによりクラック耐性を向上させることができ、９５質量部以下とすることにより現像時の膜減りを防ぐことができる傾向がある。
【０１３９】
（その他成分）
上記ポジ型ホトレジスト組成物は、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、及びジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、又はモノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。これらは単独で用いることもでき、また、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１４０】
これらの有機溶剤の使用量は、本発明に係る化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を（例えば、スピンコート法）使用して得られるホトレジスト層の膜厚が１μｍ以上となるように、固形分濃度が３０質量％以上となる範囲が好ましい。より好ましくは、本発明に係る組成物を使用して得られるホトレジスト層の膜厚は、１μｍ〜２００μｍの範囲である。
【０１４１】
上記ポジ型の化学増幅型ホトレジスト組成物は、さらに所望により混和性のある添加物、例えば、レジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、増感剤、酸拡散制御剤、接着助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等の慣用されているものを添加含有させることができる。
【０１４２】
〔ネガ型ホトレジスト組成物〕
一方、ネガ型ホトレジスト組成物としては、活性光線又は放射線照射により酸を発生する酸発生剤成分（上記（Ａ）成分と同様）、及び多官能エポキシ樹脂（以下、（Ｄ）成分という）を基本成分とするものが好ましく用いられる。（Ｄ）成分を酸発生剤と組み合わせて用いると、露光部分で発生した酸により、その部分がカチオン重合してアルカリ不溶性となり、現像の際に未露光部分だけが選択的に除去されて所定形状のホトレジストパターンが得られる。
【０１４３】
（多官能エポキシ樹脂（Ｄ））
多官能エポキシ樹脂（Ｄ）としては特に限定されないが、厚膜のパターンを形成するのに十分なエポキシ基を１分子中に有するエポキシ樹脂が好ましい。このような多官能エポキシ樹脂としては、多官能フェノール・ノボラック型エポキシ樹脂、多官能オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官能トリフェニル型ノボラック型エポキシ樹脂、多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのうち、多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。その官能性は５官能以上が好ましく、例えば、ジャパンエポキシレジン社製の「エピコート１５７Ｓ７０」や、大日本インキ化学工業株式会社製の「エピクロンＮ−７７５」が市販品として入手でき、特に好ましく用いられる。
【０１４４】
前記多官能ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂は、下記一般式（ｄ１）で表される。
【化２７】
【０１４５】
前記式（ｄ１）のビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂と重合した重合体でもよい。前記式（ｄ１）中、Ｒ１ｄ〜Ｒ６ｄはＨ又はＣＨ３であり、ｖは繰り返し単位である。
【０１４６】
ホトレジスト組成物中における上記多官能エポキシ樹脂の含有量は、８０質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、９２質量％〜９９．４質量％であることがより好ましい。これにより、上記支持体１１上にコーティングした際に、高感度で適当な硬度のホトレジスト膜が得られる。
【０１４７】
（酸発生剤成分（Ａ））
酸発生剤成分（Ａ）は、上記ポジ型で用いられる酸発生剤と同様のものが用いられる。この酸発生剤成分（Ａ）は、活性光線又は放射線照射によりカチオン成分を生じるものであり、そのカチオン成分が重合開始剤として作用する。
【０１４８】
上記（Ａ）成分は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。上記（Ａ）成分の含有量は、上記多官能エポキシ樹脂１００質量部に対し、０．５〜２０質量部であることが好ましい。（Ａ）成分の含有量を上記範囲内とすることにより、十分な感度を保持しつつ、永久膜特性を維持することができる。
【０１４９】
（その他成分）
上記ネガ型ホトレジスト組成物は、上記ポジ型と同様に、従来公知の溶剤成分が用いられる。また、γ−ブチロラクトン、β−プロピオラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン系溶剤は、ホトレジストパターン形成時における加熱処理により、ラクトンが開環してポリマー中の官能基と反応する結果、ホトレジスト膜中に組み込まれる性質を有するため好ましく用いられる。グリコール酸アルキルエステル、乳酸アルキルエステル、２−ヒドロキシ酪酸アルキルエステル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶剤は、コーティング性及びレベリング性を向上させる性質を有するため好ましく用いられる。
【０１５０】
上記ネガ型ホトレジスト組成物は、増感剤として、上記多官能エポキシ樹脂と架橋形成可能な置換基を少なくとも２以上有する芳香族多環式化合物を用いてもよい。このような芳香族多環式化合物の増感機能により、ホトレジスト組成物を高感度化できる。具体的には、水酸基、カルボキシル基、及びアミノ基等を２以上有する、ナフタレン化合物、ジナフタレン化合物、アントラセン化合物、フェナントロリン化合物等の芳香族多環式化合物が好ましく用いられる。これらのうち、ナフタレン化合物がより好ましく、特に、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレンが架橋効率向上の観点から好ましく用いられる。
【０１５１】
また、上記ネガ型ホトレジスト組成物は、成膜性改善のために高分子直鎖２官能エポキシ樹脂を含有してもよい。硬化後の物性を低下させずに、硬化前のレジスト組成物の柔軟性を向上させる観点から、オキセタン誘導体やエポキシ誘導体を含有させてもよい。さらには、所望により、混和性のある添加剤、例えば、パターン性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤、カップリング剤等の従来公知のものを適宜含有させることができる。
【０１５２】
本発明で用いられる化学増幅型ホトレジスト組成物は、例えば従来のポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物を用いたホトレジストパターン形成方法を適用することができる。具体的には、上述の支持体１１上に、溶液状に調製されたホトレジスト組成物をスピンナー等で塗布し、プレベークを行ってホトレジスト膜を形成する。あるいは、両面を保護膜で保護してドライフィルムとし、これを支持体１１上に貼り付けてホトレジスト膜を形成してもよい。ドライフィルムとすれば、支持体１１上への塗布、乾燥が省略でき、より簡便にホトレジストパターンを形成できる。
【０１５３】
次いで、ホトレジスト膜に対して選択的に露光処理を行う。露光処理には、ｇ、ｈ、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ２エキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ 極端紫外光）、電子線（ＥＢ）、軟Ｘ線、Ｘ線等を用いることができ、所望のマスクパターンを介しての照射、又は直接描画を行う。好ましくは、ＫｒＦエキシマレーザ光が用いられる。続いて、露光後加熱処理（ポストエクスポージャーベーク、以下、ＰＥＢということもある）を行う。ＰＥＢ処理後、アルカリ性水溶液等の現像液を用いて現像処理し、水洗、乾燥等の必要に応じた処理を施すことにより、ホトレジストパターンが得られる。現像液は、特に限定されず、従来公知のアルカリ性水溶液等を用いることができる。
【０１５４】
プレベークにおける加熱温度及び露光後加熱（ＰＥＢ）における加熱温度は、７０〜１６０℃、好ましくは１００〜１５０℃である。加熱時間は、４０〜１８０秒間、好ましくは６０〜９０秒間の範囲で設定される。なお、場合によっては、上記アルカリ現像後、ポストベーク工程を含んでもよい。
【０１５５】
なお、上記ホトレジストパターンのアスペクト比は、０．１以上であることが好ましい。ホトレジストパターンのアスペクト比を０．１以上とすることにより、パターン化されたシリカ系被膜１２のアスペクト比を増大させることができる。従って、負極基材１０の表面積を増大できるため、後述する金属膜量を増大させることができる結果、さらなる高出力化、高エネルギー密度化が達成される。
【０１５６】
＜シリカ系被膜＞
本発明に係る負極基材１０におけるシリカ系被膜１２は、シリカ系被膜形成用塗布液から形成される。具体的には、負極基材１０上に形成されたホトレジストパターン上に、シリカ系被膜形成用塗布液を塗布した後、ホトレジストパターンを除去したときに支持体１１上に残存するシリカ系被膜１２である。上記シリカ系被膜形成用塗布液は、シロキサンポリマーと、溶剤とを含有してなるシリカ系被膜形成用組成物からなる。
【０１５７】
［シロキサンポリマー］
シロキサンポリマーとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物が用いられる。
【化２８】
【０１５８】
上記一般式（Ｉ）において、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ’はアルキル基、又はフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。Ｓｉに複数のＲが結合している場合、該複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。Ｓｉに結合している複数の（ＯＲ’）基は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒとしてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。Ｒ’としてのアルキル基は好ましくは炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。Ｒ’としてのアルキル基は、特に加水分解速度の点から炭素数１又は２が好ましい。
【０１５９】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが４の場合、シラン化合物（ｉ）は下記一般式（ＩＩ）で表される。
【化２９】
【０１６０】
上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４であって、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４の条件を満たす整数である。
【０１６１】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが３の場合、シラン化合物（ｉｉ）は下記一般式（ＩＩＩ）で表される。
【化３０】
【０１６２】
上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ５は水素原子、上記Ｒと同じアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ｅ、ｆ、及びｇは、０≦ｅ≦３、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦３であって、かつｅ＋ｆ＋ｇ＝３の条件を満たす整数である。
【０１６３】
上記一般式（Ｉ）におけるｎが２の場合、シラン化合物（ｉｉｉ）は下記一般式（ＩＶ）で表される。
【化３１】
【０１６４】
上記一般式（ＩＶ）中、Ｒ９及びＲ１０は水素原子、上記Ｒと同じアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｒ１１、及びＲ１２は、それぞれ独立に上記Ｒ’と同じアルキル基又はフェニル基を表す。ｈ及びｉは、０≦ｈ≦２、０≦ｉ≦２であって、かつｈ＋ｉ＝２の条件を満たす整数である。
【０１６５】
上記シラン化合物（ｉ）の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられ、中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
【０１６６】
上記シラン化合物（ｉｉ）の具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリペンチルオキシシラン、トリフェニルオキシシラン、ジメトキシモノエトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシルモノメトキシシラン、ジペンチルオキシモノエトキシシラン、ジペンチルオキシモノプロポキシシラン、ジフェニルオキシルモノメトキシシラン、ジフェニルオキシモノエトキシシラン、ジフェニルオキシモノプロポキシシラン、メトキシエトキシプロポキシシラン、モノプロポキシジメトキシシラン、モノプロポキシジエトキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、モノぺンチルオキシジエトキシシラン、モノフェニルオキシジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリペンチルオキシシラン、エチルトリフェニルオキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリペンチルオキシシラン、プロピルトリフェニルオキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ブチルトリペンチルオキシシラン、ブチルトリフェニルオキシシラン、メチルモノメトキシジエトキシシラン、エチルモノメトキシジエトキシシラン、プロピルモノメトキシジエトキシシラン、ブチルモノメトキシジエトキシシラン、メチルモノメトキシジプロポキシシラン、メチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、メチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、エチルモノメトキシジプロポキシシラン、エチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、エチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、プロピルモノメトキシジプロポキシシラン、プロピルモノメトキシジペンチルオキシシラン、プロピルモノメトキシジフェニルオキシシラン、ブチルモノメトキシジプロポキシシラン、ブチルモノメトキシジペンチルオキシシラン、ブチルモノメトキシジフェニルオキシシラン、メチルメトキシエトキシプロポキシシラン、プロピルメトキシエトキシプロポキシシラン、ブチルメトキシエトキシプロポキシシラン、メチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、エチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、プロピルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ブチルモノメトキシモノエトキシモノブトキシシラン等が挙げられ、中でもトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリメトキシシランが好ましい。
【０１６７】
上記シラン化合物（ｉｉｉ）の具体例としては、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジプロポキシシラン、ジペンチルオキシシラン、ジフェニルオキシシラン、メトキシエトキシシラン、メトキシプロポキシシラン、メトキシペンチルオキシシラン、メトキシフェニルオキシシラン、エトキシプロポキシシラン、エトキシペンチルオキシシラン、エトキシフェニルオキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルメトキシエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルメトキシプロポキシシラン、メチルメトキシペンチルオキシシラン、メチルメトキシフェニルオキシシラン、エチルジプロポキシシラン、エチルメトキシプロポキシシラン、エチルジペンチルオキシシラン、エチルジフェニルオキシシラン、プロピルジメトキシシラン、プロピルメトキシエトキシシラン、プロピルエトキシプロポキシシラン、プロピルジエトキシシラン、プロピルジペンチルオキシシラン、プロピルジフェニルオキシシラン、ブチルジメトキシシラン、ブチルメトキシエトキシシラン、ブチルジエトキシシラン、ブチルエトキシプロポキシシシラン、ブチルジプロポキシシラン、ブチルメチルジペンチルオキシシラン、ブチルメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジペンチルオキシシラン、ジメチルジフェニルオキシシラン、ジメチルエトキシプロポキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシプロポキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルエトキシプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジペンチルオキシシラン、ジプロピルジフェニルオキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジブチルジプロポキシシラン、ジブチルメトキシペンチルオキシシラン、ジブチルメトキシフェニルオキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルエチルジプロポキシシラン、メチルエチルジペンチルオキシシラン、メチルエチルジフェニルオキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、メチルブチルジメトキシシラン、メチルブチルジエトキシシラン、メチルブチルジプロポキシシラン、メチルエチルエトキシプロポキシシラン、エチルプロピルジメトキシシラン、エチルプロピルメトキシエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルメトキシエトキシシラン、プロピルブチルジメトキシシラン、プロピルブチルジエトキシシラン、ジブチルメトキシエトキシシラン、ジブチルメトキシプロポキシシラン、ジブチルエトキシプロポキシシラン等が挙げられ、中でもジメトキシシラン、ジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシランが好ましい。
【０１６８】
これらシラン化合物の中では、メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとの組み合わせが好ましい。メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランの配合モル比は、３０：７０〜９０：１０が好ましい。
【０１６９】
また、上記シロキサンポリマーは、質量平均分子量が１，０００〜１０，０００の範囲のものが好ましい。これは、主に、成膜性や膜の平坦性を確保することが容易となるからであり、エッチングレート耐性にも優れるからである。特に分子量が低すぎると、シロキサンポリマーが揮発してしまい、成膜できない可能性がある。
【０１７０】
［溶剤］
上記溶剤としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロアルキルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル（ＰＧＤＭ）、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基を全てアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類等が挙げられる。これらの中でも、シクロアルキルケトン又はアルキレングリコールジアルキルエーテルがより好ましい。さらに、アルキレングリコールジメチルエーテルとしては、ＰＧＤＭ（プロピレングリコールジメチルエーテル）が好ましい。これらの有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その配合量は、シリカ系被膜形成用組成物中７０〜９９質量％の範囲が好ましい。
【０１７１】
［その他］
上記シリカ系被膜形成用組成物は、上記シロキサンポリマー及び溶剤以外の他の成分を含有していてもよい。例えば、環状塩基性化合物を含有していてもよい。この環状塩基性化合物としては環状アミンが好ましく、より具体的には、ＤＢＵ（１，８−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ）が好ましく用いられる。
【０１７２】
上記環状塩基性化合物の添加量は、上記シロキサンポリマーの固形分量に対して１０ｐｐｍ〜１％であることが好ましい。この範囲内の添加量であれば、シロキサンポリマーの重合を促進し、被膜中の水分量を低減させることができる。また、シリカ系被膜形成用組成物の液安定性が増し、塗布性が良好となる。
【０１７３】
さらに、上記シリカ系被膜形成用組成物には、ポロージェンが含まれていてもよい。ポロージェンとは、シリカ系被膜形成用組成物からなる塗膜の焼成時に分解され、最終的に形成されるシリカ系被膜１２に空孔を形成させる材料である。このポロージェンとしては、例えばポリアルキレングリコール及びその末端アルキル化物が挙げられる。
【０１７４】
上記ポリアルキレングリコールのアルキレン基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。ポリアルキレングリコールの具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の低級アルキレングリコールが挙げられる。
【０１７５】
上記ポリアルキレングリコールの末端アルキル化物とは、ポリアルキレングリコールの片末端又は両末端の水酸基がアルキル基によってアルコキシ化されたものである。末端のアルコキシ化に用いられるアルキル基は、直鎖状又は枝分かれ状のアルキル基であってよく、その炭素数は１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。特に、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【０１７６】
このポリアルキレングリコールの質量平均分子量（Ｍｗ）は１００〜１０，０００が好ましく、２００〜５，０００がより好ましく、４００〜４，０００がさらに好ましい。質量平均分子量を上記範囲の上限値以下とすることにより、塗布液における相溶性を損なうことなく良好な塗布性が得られ、シリカ系被膜１２の膜厚均一性が良好なものとなる。上記範囲の下限値以上とすることにより、シリカ系被膜１２をポーラスにすることができ、より大きな緩衝作用を奏するようになり好ましい。
【０１７７】
上記ポロージェンの使用量は、シリカ系被膜形成用組成物における固形分（Ｓｉ０２換算質量）に対して、２５〜１００質量％が好ましく、３０〜７０質量％がより好ましい。溶剤成分の使用量を上記範囲の下限値以上とすることにより、ポーラス化させることができ、上記範囲の上限値以下とすることにより十分な強度のシリカ系被膜１２を得ることができる。
【０１７８】
上記シリカ系被膜１２は、ホトレジストパターンが形成された支持体１１上に、シリカ系被膜形成用塗布液を塗布して加熱乾燥及び焼成した後、ホトレジストパターンを除去することにより得られる。シリカ系被膜形成用塗布液の塗布方法については特に限定されず、例えばスプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法等の任意の塗布方法を用いることができる。
【０１７９】
加熱乾燥は、８０〜３００℃で１〜６分間の時間をかけて行うのが好ましく、３段階以上、段階的に昇温することがより好ましい。例えば、大気中又は窒素等の不活性ガス雰囲気中、７０〜１２０℃で３０秒〜２分間、１回目の乾燥処理を行なった後、１３０〜２２０℃で３０秒〜２分間、２回目の乾燥処理を行い、さらに１５０〜３００℃で３０秒〜２分間、３回目の乾燥処理を行なう。このように、３段階以上、好ましくは３〜６段階程度の段階的な乾燥処理を行なうことにより、塗膜の表面を均一化できる。
【０１８０】
また、焼成は、３００〜４００℃程度の温度で、窒素雰囲気中で行なわれるのが好ましい。
【０１８１】
レジストパターンの上部に形成されたシリカ系被膜は、適宜、支持体全面をエッチング処理（エッチバック）すること等により除去することが可能である。なお、この際のエッチング処理は、公知のエッチング方法を用いることにより行われる。
【０１８２】
ホトレジストパターンの除去の際に用いられる剥離液としては、特に限定されず、従来公知のホトレジスト用剥離液が用いられる。例えば、有機系剥離液、水系剥離液、Ｏ２アッシング処理のいずれを用いることもできる。
【０１８３】
＜金属膜＞
本発明に係る負極基材１０における金属膜１３は、メッキ処理により形成されるものが好ましいが、特に限定されるものではない。メッキ処理は従来公知のものが用いられ、上述のシリカ系被膜１２上に金属膜１３を形成できるものであれば特に限定されない。また、金属膜１３は、多段階メッキ処理により複数の層から構成されていてもよい。このような金属膜を形成する工程、即ちメッキ処理工程は、好ましくは、洗浄工程、触媒化処理工程に続いて、無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を行い、さらに無電解錫メッキ工程、又は電解錫メッキ工程を含む。
【０１８４】
本発明に好適なメッキ処理について、以下に具体的に説明する。
【０１８５】
［洗浄工程］
先ず、シリカ系被膜１２を備えた支持体１１を、リン酸系溶液中に浸漬させて洗浄を行う。リン酸系溶液としては、リン酸ナトリウムなどが用いられる。浸漬時間は、３０〜１８０秒とすることが好ましく、４５〜９０秒とすることがより好ましい。
【０１８６】
［触媒化工程］
上記洗浄工程を経た支持体１１を、所定濃度の塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化錫の濃度は、０．０１ｇ／ｄｍ３〜０．１０ｇ／ｄｍ３が好ましく、０．０３ｇ／ｄｍ３〜０．０７ｇ／ｄｍ３がより好ましい。また、浸漬時間は１５〜１８０秒とすることが好ましく、３０〜６０秒とすることがより好ましい。
【０１８７】
次いで、塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させた支持体１１を、所定濃度の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液中に所定時間浸漬させる。塩化パラジウムの濃度は、０．０１ｇ／ｄｍ３〜０．３ｇ／ｄｍ３が好ましく、０．０３ｇ／ｄｍ３〜０．０７ｇ／ｄｍ３がより好ましい。また、浸漬時間は１５〜１８０秒とすることが好ましく、３０〜６０秒とすることがより好ましい。
【０１８８】
［無電解ニッケルメッキ工程］
上記触媒化工程を経た支持体１１を、ニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキを行う。ニッケルメッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸ニッケルを０．０５Ｍ〜０．２０Ｍ、次亜リン酸ナトリウムを０．１０Ｍ〜０．３０Ｍ、鉛イオンを０．０５ｐｐｍ〜０．３０ｐｐｍ、錯化剤を０．０５Ｍ〜０．３０Ｍ含有するニッケルメッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、カルボン酸類の錯化剤が好ましく用いられる。ニッケルメッキ浴の温度は、５０℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは４．０〜５．５が好ましい。ｐＨの調整には水酸化ナトリウム、硫酸が用いられる。
【０１８９】
なお、上記無電解ニッケルメッキの代わりに、無電解銅メッキを行ってもよい。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。
【０１９０】
［無電解銅メッキ工程］
上記触媒化工程を経た支持体１１を、銅メッキ浴中に浸漬させて銅メッキを行う。銅メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、硫酸銅を０．０２Ｍ〜０．１０Ｍ、ホルマリンを０．１０Ｍ〜０．４０Ｍ、２，２’−ビピリジルを１．０ｐｐｍ〜２０．０ｐｐｍ、界面活性剤（ポリエチレングリコールなど）を５０．０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍ、錯化剤を０．２０Ｍ〜０．４０Ｍ含有する銅メッキ浴が一例として挙げられる。錯化剤としては、エチレン−アミン系の錯化剤が好ましく用いられる。銅メッキ浴の温度は、５０℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは１１．５〜１２．５が好ましい。また、空気通気による攪拌を行うのが好ましい。ｐＨの調整には水酸化カリウム、硫酸が用いられる。
【０１９１】
［無電解錫メッキ工程］
上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体１１を、錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキを行うことにより、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が形成される。錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、塩化錫を０．０２Ｍ〜０．２０Ｍ、三塩化チタンなどの還元剤を０．０２Ｍ〜０．０８Ｍ、クエン酸３ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）などの錯化剤を０．１０Ｍ〜０．５０Ｍ含有する錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、４５℃〜７０℃が好ましく、ｐＨは６．５〜８．５が好ましい。ｐＨの調整には炭酸ナトリウム又はアンモニアと塩酸が用いられる。なお、錫メッキ処理は、窒素雰囲気下で行われるのが好ましい。
【０１９２】
［電解錫メッキ工程］
なお、上記無電解錫メッキの代わりに、電解錫メッキを行ってもよい。このような錫メッキ工程としては、上記無電解ニッケルメッキ、又は無電解銅メッキ工程を経た支持体１１を、錫メッキ浴中に浸漬、通電させて電解錫メッキを行うことにより、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が形成される。電解錫メッキ浴としては、従来公知のものが用いられる。例えば、レイボルド株式会社の市販メッキ液、スタータークルモ錫メッキ浴が一例として挙げられる。錫メッキ浴の温度は、１０℃〜２８℃が好ましく、ｐＨは１．０〜１．５とすることが好ましい。また、適用電流密度は０．５Ａ／ｄｍ２〜６．０Ａ／ｄｍ２が好ましい。
【０１９３】
＜二次電池＞
上記負極基材１０は、二次電池用負極基材、特にリチウム二次電池用負極基材として好適に用いられる。リチウム二次電池は、電解液として有機溶媒及びリチウム塩を用い、負極と正極との間で行われるリチウムイオン（Ｌｉ＋）の移動による電荷の授受により、充放電がなされる二次電池であり、出力電圧が高く、エネルギー密度が高いという利点を有する。従来のリチウム二次電池では、通常、負極として炭素、正極として遷移金属酸化物リチウム化合物が用いられていたが、近年ではさらなる高出力、高エネルギー密度を求めて負極材料の検討が進められている。負極材料は、薄膜を形成することができ、且つリチウムを可逆的に吸蔵／放出できるものであることが必要であるところ、上記負極基材１０はこれらの要求を満たすため、好適に用いられる。ここで、「吸蔵」とは、リチウムを可逆的に内包したり、リチウムと可逆的に合金、固溶体等を形成したり、リチウムと可逆的に化学結合したりすることである。
【０１９４】
上記負極基材１０を、リチウム二次電池の負極材料として利用する際には、負極基材１０を集電体上に積層して負極を形成することが必要である。ただし、上記支持体１１が導電性を有するものであればその必要はなく、支持体１１が集電体となり得る。集電体は、導電性を有するものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。従来一般的なリチウム二次電池に用いられる集電体が用いられる。好ましくは、上記負極基材１０との密着性が良好なものである。また、リチウムと合金化しない材料であることが好ましい。具体的には、銅、ニッケル、ステンレス、モリブデン、タングステン、チタン、及びタンタルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む材料が挙げられる。また、金属箔、不織布、三次元構造を有する金属集電体等の構造が好ましい。特に、金属箔を用いることが好ましく、具体的には、銅箔等を用いることが好ましい。集電体の厚さは特に限定されない。
【０１９５】
一般に、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層して形成された負極では、粒子状の負極材料を結着剤等とともに集電体上に積層した負極に比べ、内部抵抗を低減できる。即ち、上記負極基材１０を集電体上に積層して形成された負極によれば、発電特性が高いリチウム二次電池が得られる。しかしながら、集電体上に薄膜状の負極材料層を積層した負極では、負極材料層と集電体との密着性が大きいため、充放電に伴う負極材料層の膨張／収縮によって、負極材料層や集電体に皺等の変形が発生するおそれがある。特に、銅箔等の延性に富んだ金属箔を集電体に用いた場合、変形の程度がより大きくなる傾向にある。このため、薄膜状の負極材料層を集電体上に単に積層するだけでは、電池としてのエネルギー密度が低下したり、充放電サイクル特性が悪化するおそれがある。
【０１９６】
これに対して、本発明に係る上記負極基材１０は、シリカ系被膜１２上に金属膜１３が積層された構造を有するため、リチウムの吸蔵／放出に伴って金属膜１３が膨張／収縮することにより生ずる応力は、シリカ系被膜１２の緩衝作用により緩和される。このため、充放電時に生ずる応力の増大を抑制することができる結果、負極基材や集電体における皺等の変形の発生を抑制できる。ひいては、負極基材の亀裂や集電体からの剥離を抑制できる。即ち、上記負極基材１０を集電体上に積層して形成された負極によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池が得られる。
【０１９７】
なお、負極以外の構成については特に限定されず、従来公知のリチウム二次電池と同様の構成でよい。具体的には、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる正極、リチウム伝導性を有する電解質から主に構成される。電解質は、必要によりセパレータによって保持され、セパレータに保持された状態で負極及び正極と接触し、リチウムの交換が行われる。
【０１９８】
正極は、リチウムを可逆的に吸蔵／放出できる限り特に限定されず、リチウム二次電池に一般的に用いられる正極が用いられる。具体的には、集電体上に正極材料層を積層した正極を用いればよい。例えば、正極材料と導電剤、結着剤とを分散溶媒中に分散させてスラリー状とし、集電体上に塗布した後に乾燥させることにより形成される。集電体、正極材料層の厚さは特に限定されず、電池設計容量等に応じて任意に設定される。
【０１９９】
正極材料も特に限定されず、リチウムと遷移元素とを含む酸化物等の従来公知のものが用いられる。具体的には、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＣｏ０．５Ｎｉ０．５Ｏ２等が用いられる。導電剤は、電気伝導性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、アセチレンブラック、カーボンブラック、黒鉛粉末等が用いられる。結着剤は、正極を形成した後に正極材料層の形状を保持できるものであれば特に限定されず、ゴム系結着剤や、フッ素樹脂等の樹脂系結着剤が用いられる。
【０２００】
セパレータは、リチウム伝導性を有する電解質を保持することができ、負極と正極との間の電気的な絶縁を保つことができるものであればよく、その材料や構造等は特に限定されない。例えば、多孔質ポリプロピレン薄膜、多孔質ポリエチレン薄膜等の多孔質性樹脂薄膜や、ポリオレフィン等を含む樹脂製不織布等が用いられる。
【０２０１】
電解質は、リチウム伝導性を有するものであればよく、特に限定されない。例えば、リチウムを含む電解質を非水溶媒に溶解させた非水電解質溶液が用いられる。リチウムを含む電解質としては、例えば、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３等のリチウム塩が用いられる。非水溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、エトキシメトキシエタン等、又はこれら非水溶媒の混合溶媒が用いられる。非水電解質溶液の濃度は特に限定されず、いわゆるポリマー電解質や固体電解質等を用いてもよい。
【０２０２】
本発明に係る上記負極基材１０を負極として利用したリチウム二次電池は、コイン形、円筒形、角形、あるいは平板形の電池等の様々な形状とすることができる。また、その容量も特に限定されず、精密機器等に用いる小型の電池からハイブリッド自動車等に用いる大型の電池にまで適用できる。
【実施例】
【０２０３】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２０４】
〔実施例〕
下記構造式（ｚ１）で表される化合物（Ｋ−１Ｓ（商品名）：サンアプロ社製）１質量部、下記構造式（ｚ２）で表される酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂４０質量部、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをホルムアルデヒドと酸触媒の存在下で付加縮合して得たノボラック樹脂６０質量部、及び１，５−ジヒドロキシナフタレン１質量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに均一に溶解させ、孔径１μｍのメンブレンフィルターを通して濾過し、固形分質量濃度２０質量％のポジ型レジスト組成物を得た。
【化３２】
【０２０５】
このポジ型レジスト組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターで塗布後、乾燥し、２μｍの膜厚を有する感光性樹脂組成物層を得た。このポジ型レジスト組成物層をホットプレートにより１３０℃で１分プリベークした。その後、ＰＬＡ−５０１Ｆ（コンタクトアライナー：キャノン社製）を用いてパターン露光（ソフトコンタクト、ＧＨＩ線）を行い、ホットプレートにより７５℃で５分、露光後加熱（ＰＥＢ）を行い、３質量％テトラメチルアンモニウム水酸化物を用いて浸漬法により２分現像処理を行った。シリコンウエハ上に径１μｍ（ピッチ２μｍ）のホール形状のホトレジストパターンを得た。
【０２０６】
他方、メチルトリメトキシシラン２２０．０ｇ、テトラメトキシシラン２４６．０ｇ、プロピレングリコールモノプロピルエーテル３０１．０ｇを混合し、撹拌した。この混合物に水２０４．０ｇ、６０％硝酸５２μＬを加え、さらに３時間撹拌した。その後、２６℃で２日間反応させた。前記反応物８．０ｇと、プロピレングリコールモノプロピルエーテル１１．８ｇ、ＤＢＵの０．１％プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液０．２ｇを混合し、シリカ系被膜形成用組成物を得た。
【０２０７】
得られたシリカ系被膜形成用組成物をスピンコートにより、前記ホトレジストパターンが形成されたシリコンウエハ上に塗布し、８０℃、１５０℃、及び２００℃の各ホットプレート上で各１分間ずつ加熱した。さらに、剥離１０４（東京応化工業社製）を用いて７０℃にて２０分間浸漬処理し、次いで、窒素雰囲気中で、４００℃、３０分間、焼成し、膜厚が約２μｍのシリカ系被膜を形成した。
【０２０８】
このパターン上のシリカ系被膜が形成されたシリコンウエハを、リン酸ナトリウム溶液中に６０秒間浸漬して洗浄処理を行った。続いて、上記洗浄工程を経たシリコンウエハを、０．０５ｇ／ｄｍ３の塩化錫（ＳｎＣｌ２）水溶液中に６０秒間浸漬させ、さらに、０．０５ｇ／ｄｍ３の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液中に６０秒間浸漬させることにより、触媒化工程を行った。
【０２０９】
次いで、上記触媒化工程を経たシリコンウエハを、硫酸ニッケル０．２０Ｍ、次亜リン酸ナトリウム０．３０Ｍ、鉛イオン０．３０ｐｐｍ、カルボン酸類の錯化剤０．３０Ｍからなるニッケルメッキ浴中に浸漬させてニッケルメッキ処理を行った。なお、このときのニッケルメッキ浴の温度は７０℃とし、ｐＨは５．５に調整した。
【０２１０】
さらに、上記無電解ニッケルメッキ工程を経たシリコンウエハを、塩化錫を０．２０Ｍ、三塩化チタン等の還元剤を０．０８Ｍ、クエン酸３ナトリウム０．５０Ｍからなる錫メッキ浴中に浸漬させて錫メッキ処理を行った。なお、このときの錫メッキ浴の温度は７０℃とし、ｐＨは８．５に調整した。
【０２１１】
上記実施例にて得られた負極基材を用い、以下の手法で非水電解液二次電池を作製した。この電池の１〜３サイクル後の放電容量を以下の方法で測定した。結果を以下の表１に示す。
【０２１２】
実施例１で得た各負極基材を作用極とし、対極（正極）としてＬｉＣｏＯ２を用い、両極を、セパレーターを介して対向させた。非水電解液としてＬｉＰＦ6／エチレンカーボネートとジメチルカーボネートの混合液（１：１容量比）を用いて常法により非水電解液二次電池を作製した。この非水電解液二次電池は、正極と負極との容量比は１：１であった。
【０２１３】
１〜３サイクル後の各放電容量として単位容積当たりの放電容量（ｍＡｈ／ｃｍ２）を測定した。単位容積当たりの放電容量は、負極の体積を基準とした。但し、充電時の負極の膨張は考慮しなかった。
【０２１４】
【表１】
【０２１５】
上記負極基材に対して、実施例の錫メッキ処理を施した負極基材の表面積は、平面状にメッキ処理を施した場合の約１９０％であった。
【産業上の利用可能性】
【０２１６】
本発明に係る負極基材１０によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池の実現が可能であり、例えば、携帯機器等に用いる小型の電池から、ハイブリッド自動車等に用いる大型の電池まで、容量を問わず、各種用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１７】
【図１】本発明に係る負極基材の模式図である。
【符号の説明】
【０２１８】
１０ 負極基材
１１ 支持体
１２ シリカ系被膜
１３ 金属膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、前記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材。
【請求項２】
前記ホトレジスパターンが、アスペクト比０．１以上のホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１に記載の負極基材。
【請求項３】
前記ホトレジスパターンが、活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物を用いて形成されるホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の負極基材。
【請求項４】
前記ホトレジスパターンが、ラジカル重合開始剤、及び多官能エポキシ樹脂を含有するネガ型ホトレジスト組成物を用いて形成されるホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の負極基材。
【請求項５】
前記シリカ系被膜形成用塗布液が、シロキサンポリマーと溶剤を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項６】
前記シロキサンポリマーは、下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の負極基材。
【化１】
［式（Ｉ）中、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ’はアルキル基又はフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。］
【請求項７】
前記シラン化合物は、メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとからなることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項８】
前記金属膜が、メッキ処理により形成された金属膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項９】
前記メッキ処理が、無電解銅メッキ処理、無電解ニッケルメッキ処理、無電解錫メッキ処理、及び電解錫メッキ処理よりなる群から選ばれた少なくとも１種のメッキ処理であることを特徴とする請求項８に記載の負極基材。
【請求項１０】
前記メッキ処理が、無電解銅メッキ処理及び無電解ニッケルメッキ処理のうち少なくとも１種のメッキ処理と、無電解錫メッキ処理及び電解錫メッキ処理のうち少なくとも１種のメッキ処理とを含む多段階メッキ処理であることを特徴とする請求項８に記載の負極基材。
【請求項１１】
前記負極基材が、二次電池用負極基材であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の負極基材と、電解質溶液と、この電解質溶液を吸蔵及び放出できる正極基材と、を含むことを特徴とする二次電池。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物であって、
活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物であることを特徴とするホトレジスト組成物。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物であって、
ラジカル重合開始剤、及び多官能エポキシ樹脂を含有するネガ型ホトレジスト組成物であることを特徴とするホトレジスト組成物。
【請求項１５】
負極基材の製造方法であって、
（ｉ）支持体上に、ホトレジストパターンを形成する工程と、
（ｉｉ）前記ホトレジストパターン上にシリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成する工程と、
（ｉｉｉ）前記ホトレジストパターンを除去する工程と、
（ｉｖ）パターン状に加工されたシリカ系被膜が形成された支持体上にメッキ処理により金属膜を形成するメッキ処理工程と、
を含むことを特徴とする負極基材の製造方法。
【請求項１】
ホトレジストパターンが形成された支持体上に、シリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成し、前記ホトレジストパターンを除去した支持体上に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材。
【請求項２】
前記ホトレジスパターンが、アスペクト比０．１以上のホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１に記載の負極基材。
【請求項３】
前記ホトレジスパターンが、活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物を用いて形成されるホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の負極基材。
【請求項４】
前記ホトレジスパターンが、ラジカル重合開始剤、及び多官能エポキシ樹脂を含有するネガ型ホトレジスト組成物を用いて形成されるホトレジストパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の負極基材。
【請求項５】
前記シリカ系被膜形成用塗布液が、シロキサンポリマーと溶剤を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項６】
前記シロキサンポリマーは、下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物から選択される少なくとも１種を加水分解反応させて得られる反応生成物であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の負極基材。
【化１】
［式（Ｉ）中、Ｒは水素原子、アルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ’はアルキル基又はフェニル基を表し、ｎは２〜４の整数を表す。］
【請求項７】
前記シラン化合物は、メチルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとからなることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項８】
前記金属膜が、メッキ処理により形成された金属膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項９】
前記メッキ処理が、無電解銅メッキ処理、無電解ニッケルメッキ処理、無電解錫メッキ処理、及び電解錫メッキ処理よりなる群から選ばれた少なくとも１種のメッキ処理であることを特徴とする請求項８に記載の負極基材。
【請求項１０】
前記メッキ処理が、無電解銅メッキ処理及び無電解ニッケルメッキ処理のうち少なくとも１種のメッキ処理と、無電解錫メッキ処理及び電解錫メッキ処理のうち少なくとも１種のメッキ処理とを含む多段階メッキ処理であることを特徴とする請求項８に記載の負極基材。
【請求項１１】
前記負極基材が、二次電池用負極基材であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の負極基材。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の負極基材と、電解質溶液と、この電解質溶液を吸蔵及び放出できる正極基材と、を含むことを特徴とする二次電池。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物であって、
活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物であることを特徴とするホトレジスト組成物。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のホトレジストパターンの形成に用いられるホトレジスト組成物であって、
ラジカル重合開始剤、及び多官能エポキシ樹脂を含有するネガ型ホトレジスト組成物であることを特徴とするホトレジスト組成物。
【請求項１５】
負極基材の製造方法であって、
（ｉ）支持体上に、ホトレジストパターンを形成する工程と、
（ｉｉ）前記ホトレジストパターン上にシリカ系被膜形成用塗布液からなるシリカ系被膜を形成する工程と、
（ｉｉｉ）前記ホトレジストパターンを除去する工程と、
（ｉｖ）パターン状に加工されたシリカ系被膜が形成された支持体上にメッキ処理により金属膜を形成するメッキ処理工程と、
を含むことを特徴とする負極基材の製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２００８−１５３０３３（Ｐ２００８−１５３０３３Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３３９２５２（Ｐ２００６−３３９２５２）
【出願日】平成１８年１２月１５日（２００６．１２．１５）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【出願人】（５０２２７３０９６）株式会社関東学院大学表面工学研究所 (52)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１５日（２００６．１２．１５）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【出願人】（５０２２７３０９６）株式会社関東学院大学表面工学研究所 (52)
【Ｆターム（参考）】
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