質量分析計
イオンが使用時に移送される開口を有する複数の電極（２ａ）を含むイオンガイドまたは質量分析器（２）が開示される。擬ポテンシャル障壁がイオンガイドまたは質量分析器（２）の出口に作成される。擬ポテンシャル障壁の振幅または深さは、イオンの質量電荷比に反比例する。イオンをイオンガイドまたは質量分析器（２）の長さに沿って推進させるために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧（４）がイオンガイドまたは質量分析器（２）の電極（２ａ）に印加される。電極（２ａ）に印加される過渡ＤＣ電圧（４）の振幅は、イオンがそれらの質量電荷比の逆順でイオンガイドまたは質量分析器（２）から出射されるように、時間と共に増加される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、質量分析計および質量分析の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
質量分析計に共通する要件は、イオンが中間圧力、すなわち、イオンがイオンガイドを通過する際にイオンおよびガス分子間の衝突が生じやすい圧力に維持された領域を通って転送されることである。イオンは、例えば、比較的高い圧力に維持されたイオン化領域から比較的低い圧力に維持された質量分析器に輸送される必要があり得る。約１０-3〜１０1ｍｂａｒの中間圧力で動作する無線周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）（ＲＦ）輸送イオンガイドを使用して、イオンを中間圧力に維持された領域を通って輸送することが知られている。また、ＡＣ不均一電界（ＡＣ ｉｎｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）による荷電粒子またはイオンに対する時間平均力を、荷電粒子またはイオンを電界のより弱い領域へ加速するようなものにすることが周知である。電界の極小値は、一般に擬ポテンシャル井戸（ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｗｅｌｌ）または谷と呼ばれる。ＲＦイオンガイドは、擬ポテンシャル井戸をイオンガイドの中心軸に沿って形成させて、イオンがイオンガイド内に半径方向に閉じ込められるようにすることによって、この現象を利用するように設計される。
【０００３】
ＲＦイオンガイドを使用して、イオンを半径方向に閉じ込め、およびイオンをイオンガイド内で衝突誘起解離またはフラグメンテーションさせることが知られている。イオンのフラグメンテーションは、通常、ＲＦイオンガイドまたは専用のガス衝突セル内のいずれかにおいて１０-3〜１０-1ｍｂａｒの範囲の圧力で実施される。
【０００４】
また、ＲＦイオンガイドを使用して、イオンをイオン移動度セパレータ（ｉｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｓｅｐａｒａｔｏｒ）またはスペクトロメータ（ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）内に半径方向に閉じ込めることが知られている。イオン移動度分離は、大気圧または１０-1〜１０1ｍｂａｒの範囲の圧力で実施され得る。
【０００５】
異なる形態のＲＦイオンガイドが知られており、多極ロッドセットイオンガイドおよびリングスタック（ｒｉｎｇ ｓｔａｃｋ）またはイオントンネル（ｉｏｎ ｔｕｎｎｅｌ）イオンガイドを含む。リングスタックまたはイオントンネルイオンガイドは、ＲＦ電圧の互いに反対の位相が隣り合う電極に印加される積層リング電極セット（ｓｔａｃｋｅｄ ｒｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｓｅｔ）を含む。擬ポテンシャル井戸は、イオンがイオンガイド内に半径方向に閉じ込められるようにイオンガイドの中心軸に沿って形成される。イオンガイドは、比較的高い移送効率を有する。
【０００６】
イオンをイオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、ＲＦ電圧が細長いロッドセットに印加されるＲＦイオンガイドが米国特許公開公報２００５／０２５３０６４に開示されている。静的な軸方向電界がイオンをイオンガイドの軸に沿って推進するように配置される。また、ＲＦ軸方向電界がイオンガイドの出口に配置される。ＲＦ軸方向電界は、イオンに対する障壁として作用する軸方向擬ポテンシャル障壁を生成する。擬ポテンシャル障壁の大きさは、イオンの質量電荷比の逆数に依存する。したがって、比較的低い質量電荷比を有するイオンは、比較的大きい振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。擬ポテンシャル障壁は、比較的低い質量電荷比を有するイオンに対しては静的な軸方向電界の影響を弱めるように作用するが、比較的高い質量電荷比を有するイオンに対しては静的な軸方向電界の影響を弱めるようには作用しない。したがって、比較的高い質量電荷比を有するイオンがイオンガイドから排出される。イオンは、イオンガイド内で操作され得るか、または静的または振動する電界の振幅を調節することによって質量選択的に排出され得る。
【０００７】
上記公知のイオンガイドは、特定の質量電荷比を有するイオンに対して明確な半径方向安定性条件を有する。これは、維持される半径方向ポテンシャルがおよそ二次である性質（ｑｕａｄｒａｔｉｃ ｎａｔｕｒｅ）によって決定される。したがって、イオンガイドの軸に沿った振動電界に何らかの変化があると、望ましくない半径方向の不安定性および／または共鳴効果が生じ、その結果、イオンがシステムから失われ得るという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、改善されたイオンガイドまたは質量分析器を提供することが所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によると、
複数の電極を含むイオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁（ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｂａｒｒｉｅｒｓ）、波形形状（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓ）もしくは井戸（ｗｅｌｌｓ）が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進する手段とを含む質量分析器であって、
前記質量分析器は、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段をさらに含む、質量分析器が提供される。
【００１０】
一動作モードにおいて、質量電荷比≧Ｍ１を有するイオンが好ましくは前記イオンガイドを出て、他方質量電荷比＜Ｍ２を有するイオンが好ましくは前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸によって前記イオンガイド内に軸方向にトラップまたは閉じ込められる。好ましくは、Ｍ１は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第１の範囲にある。好ましくは、Ｍ２は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第２の範囲にある。一実施形態によると、Ｍ１およびＭ２は同じ値を有し得る。
【００１１】
一動作モードにおいて、イオンは、好ましくはそれらの質量電荷比の順またはそれらの質量電荷比の逆順で、前記質量分析器から逐次排出される。
【００１２】
上記好適な実施形態によると、前記イオンガイドは、ｎ個の軸方向セグメントを含み、ここでｎは、（ｉ）１〜１０、（ｉｉ）１１〜２０、（ｉｉｉ）２１〜３０、（ｉｖ）３１〜４０、（ｖ）４１〜５０、（ｖｉ）５１〜６０、（ｖｉｉ）６１〜７０、（ｖｉｉｉ）７１〜８０、（ｉｘ）８１〜９０、（ｘ）９１〜１００、および（ｘｉ）＞１００からなる群から選択される。各軸方向セグメントは、好ましくは１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０または＞２０個の電極を含む。前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸方向長さは、好ましくは（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される。前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の間隔は、好ましくは（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される。
【００１３】
前記イオンガイドは、好ましくは（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有する。
【００１４】
前記イオンガイドは、好ましくは少なくとも（ｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｉｉ）３０〜４０個の電極、（ｉｖ）４０〜５０個の電極、（ｖ）５０〜６０個の電極、（ｖｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｖｉｉｉ）８０〜９０個の電極、（ｉｘ）９０〜１００個の電極、（ｘ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｉｉ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｉｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖ）＞１５０個の電極を含む。
【００１５】
上記好適な実施形態によると、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンは、使用時に前記開口を通って移送される。前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは実質的に円形、長方形、正方形または楕円形の開口を有する。
【００１６】
一実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズであるか、または実質的に同じ面積を有する開口を有する。別の実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、サイズまたは面積が前記イオンガイドの軸に沿った方向に漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する。
【００１７】
上記好適な実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する開口を有する。
【００１８】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに間隔をあけられる。
【００１９】
前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、開口を含み、かつ前記開口の内径または寸法の隣り合う電極間の中心間軸方向間隔に対する比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される。
【００２０】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さまたは軸方向長さを有する。
【００２１】
他の一実施形態によると、前記イオンガイドは、セグメント化ロッドセット（ｓｅｇｍｅｎｔｅｄ ｒｏｄ ｓｅｔ）イオンガイドを含む。前記イオンガイドは、例えば、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極イオンガイドまたは８個より多くのセグメント化ロッドセットを含むイオンガイドを含み得る。前記イオンガイドは、好ましくは（ｉ）略または実質的に円形断面、（ｉｉ）略または実質的に双曲面、（ｉｉｉ）円弧または部分円形断面、（ｉｖ）略または実質的に長方形断面、および（ｖ）略または実質的に正方形断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む。
【００２２】
別の実施形態によると、前記イオンガイドは、複数のグループのプレート電極（ｐｌａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って配置されるような複数のプレート電極を含み得る。各グループのプレート電極は、好ましくは第１のプレート電極および第２のプレート電極を含む。前記第１および第２のプレート電極は、好ましくは実質的に同じ平面内に配置され、かつ好ましくは前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に配置される。前記質量分析器は、好ましくはイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに含む。
【００２３】
各グループの電極は、好ましくは第３の電極および第４の電極をさらに含む。前記第３および第４の電極は、好ましくは実質的に同じ平面内に配置され、かつ好ましくは前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に前記第１および第２の電極とは異なる方向に配置される。前記ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくはイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記ＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３のおよび第４のプレート電極に印加するように構成される。第２の半径方向は、好ましくは第１の半径方向と直交する。
【００２４】
前記イオンを駆動または推進するための手段は、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む。前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくは（ｉ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｉ）１つのポテンシャル井戸、（ｉｉｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｖ）複数のポテンシャル井戸、（ｖ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁と１つのポテンシャル井戸の組み合わせ、または（ｖｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁と複数のポテンシャル井戸の組み合わせを作成する。
【００２５】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、好ましくは繰り返し波形または方形波を含む。
【００２６】
上記好適な実施形態によると、複数の軸方向ＤＣポテンシャル井戸が好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って平行移動されるか、または複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って電極に漸進的に印加される。
【００２７】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される第１の手段をさらに含む。
【００２８】
前記第１の手段は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さをｘ1ボルトだけ期間ｔ1にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される。好ましくは、ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ1は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００２９】
前記質量分析器は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度またはレート（ｒａｔｅ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第２の手段をさらに含む。前記第２の手段は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極にｘ2ｍ／ｓだけ期間ｔ2にわたって印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択される。好ましくは、ｔ2は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００３０】
上記好適な実施形態によると、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００３１】
上記好適な実施形態によると、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００３２】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される。
【００３３】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００３４】
前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００３５】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００３６】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００３７】
一実施形態によると、前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００３８】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００３９】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、好ましくは（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００４０】
好ましくは、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って提供または作成される。
【００４１】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００４２】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００４３】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、好ましくは前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期（ｐｅｒｉｏｄｉｃｉｔｙ）、またはその倍数である周期を有する。
【００４４】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第３の手段を含む。
【００４５】
前記第３の手段は、好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ3ボルトだけ期間ｔ3にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ3は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ3は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００４６】
前記質量分析器は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第４の手段をさらに含む。前記第４の手段は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ4ＭＨｚだけ期間ｔ4にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ4は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ4は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００４７】
一実施形態によると、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００４８】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００４９】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％および／または前記複数の電極のうちの少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０または＞５０個に印加するように構成される。
【００５０】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００５１】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００５２】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００５３】
前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００５４】
前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００５５】
前記1つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００５６】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、好ましくは（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００５７】
好ましくは、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される。
【００５８】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００５９】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００６０】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有する。前記極小値および／または極大値は、好ましくは前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する。
【００６１】
上記好適な実施形態によると、前記第２の振幅は、好ましくは前記第１の振幅よりも小さいか、または大きい。好ましくは、前記第２の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００６２】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第５の手段をさらに含む。
【００６３】
前記第５の手段は、好ましくは前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ5ボルトだけ期間ｔ5にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ5は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ5は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６４】
前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第６の手段をさらに含む。
【００６５】
前記第６の手段は、好ましくは前記電極に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ6ＭＨｚだけ期間ｔ6にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ6は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ6は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６６】
前記質量分析器は、好ましくは、第１のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が好ましくはＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁または井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む。
【００６７】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第１のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第７の手段をさらに含む。
【００６８】
前記第７の手段は、好ましくは前記第１のＤＣ電圧の振幅をｘ7ボルトだけ期間ｔ7にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ7は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ7は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６９】
前記質量分析器は、好ましくは第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第３の振幅を有する１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段をさらに含む。前記第３の振幅は、好ましくは前記第１の振幅および／または前記第２の振幅と異なる。一実施形態によると、前記第３の振幅は、前記第２の振幅と同じであり得るが、前記第１の振幅とは異なり得る。
【００７０】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００７１】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００７２】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される。
【００７３】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００７４】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００７５】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００７６】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００７７】
前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００７８】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００７９】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００８０】
一実施形態によると、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される。
【００８１】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００８２】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００８３】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する。
【００８４】
前記第３の振幅は、好ましくは前記第１の振幅および／または前記第２の振幅よりも小さいか、または大きい。前記第３の振幅の前記第１の振幅に対する比は、好ましくは（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００８５】
前記第３の振幅の前記第２の振幅に対する比は、好ましくは（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００８６】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第８の手段をさらに含み得る。
【００８７】
前記第８の手段は、好ましくは前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ8ボルトだけ期間ｔ8にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ8は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ8は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００８８】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第９の手段をさらに含む。
【００８９】
前記第９の手段は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ9ＭＨｚだけ期間ｔ9にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ9は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ9は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９０】
前記質量分析器は、好ましくは第２のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む。
【００９１】
前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１０の手段をさらに含む。
【００９２】
前記第１０の手段は、好ましくは前記第２のＤＣ電圧の振幅をｘ10ボルトだけ期間ｔ10にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ10は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ10は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９３】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記イオンガイドの前記電極のうちの少なくともいくつかに印加され、かつイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように作用するＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１１の手段をさらに含む。
【００９４】
前記第１１の手段は、好ましくは前記少なくともいくつかの電極に印加される前記ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅をｘ11ボルトだけ期間ｔ11にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ11は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ11は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９５】
前記質量分析器は、好ましくは一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＜１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１．０×１０-3ｍｂａｒ、および（ｉｖ）＜１．０×１０-4ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む。
【００９６】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む。
【００９７】
前記質量分析器は、好ましくは前記イオンガイドを通るガスフロー（ｇａｓ ｆｌｏｗ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される手段をさらに含む。
【００９８】
一実施形態によると、一動作モードにおいて、イオンが好ましくは前記イオンガイド内にトラップされるが、実質的にフラグメンテーションされないように構成される。
【００９９】
前記質量分析器は、前記イオンガイド内においてイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化する（ｔｈｅｒｍａｌｉｓｉｎｇ）ための手段をさらに含み得る。
【０１００】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイド内においてイオンを実質的にフラグメンテーションする手段をさらに含み得る。
【０１０１】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに含み得、一動作モードにおいて、前記１つ以上の電極がイオンをパルス化して前記イオンガイドへ入力および／またはそこから出力するように構成される。
【０１０２】
本発明の別の態様によると、上記質量分析器を含む質量分析計が提供される。
【０１０３】
前記質量分析計は、好ましくは（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源を含む。
【０１０４】
前記質量分析計は、好ましくは連続またはパルス化イオン源を含む。
【０１０５】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の質量フィルタをさらに含む。前記１つ以上の質量フィルタは、好ましくは（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）扇形磁場質量フィルタ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｅｃｔｏｒ ｍａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ）または質量分析器からなる群から選択される。
【０１０６】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップをさらに含む。前記１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくは
（ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多極ロッドセットもしくはセグメント化多極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉ）開口を有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップであって、使用時にイオンは、前記開口を通って移送され、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズもしくは面積の開口を有するか、またはサイズまたは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉｉ）１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、前記１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含むか、あるいは少なくとも前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが走行する平面内に一般に配置される、１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
（ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドであって、前記イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含み、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４の電極に印加するための手段を含み、前記第２の半径方向は、好ましくは前記第１の半径方向とは異なる、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される。
【０１０７】
一好適な実施形態によると、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくはイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップを含み、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する。
【０１０８】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくはイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成および適合される第４のＡＣまたはＲＦ電圧手段を含む。
【０１０９】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくは１ビームまたはグループのイオンを前記質量分析器から受け取り、そして前記ビームまたはグループのイオンを変換または分割して、少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０個の別々のパケットのイオンが任意の特定の時刻に前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に閉じ込めおよび／または隔離されるように構成および適合される。各パケットのイオンは、好ましくは前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸内に別々に閉じ込めおよび／または隔離される。
【０１１０】
前記質量分析計は、一動作モードにおいて、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％を通るか、またはそれに沿って上流および／または下流へ推進するように構成および適合される手段をさらに含む。
【０１１１】
一実施形態によると、前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する前記電極に印加するように構成および適合される過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む。
【０１１２】
一実施形態によると、前記質量分析計は、好ましくは少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する電極に印加するように構成および適合されるＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む。
【０１１３】
前記質量分析計は、好ましくは前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの少なくとも一部を（ｉ）＞０．０００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）０．０００１〜１００ｍｂａｒ、および（ｉｘ）０．００１〜１０ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように構成および適合される手段をさらに含む。
【０１１４】
前記質量分析計は、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメンテーションするように構成および適合される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含み得る。別の実施形態によると、前記質量分析計は、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含み得る。
【０１１５】
一実施形態によると、前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器と前記衝突、フラグメンテーションまたは反応セルとの間のポテンシャル差を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む。
【０１１６】
一実施形態によると、前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置されるさらなる質量分析器をさらに含む。前記さらなる質量分析器は、好ましくは（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）扇形磁場質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）２Ｄまたは直線四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される。
【０１１７】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器の動作と同期して、前記さらなる分析器の質量電荷比移送ウィンドウ（ｍａｓｓ ｔｏ ｃｈａｒｇｅ ｒａｔｉｏ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｗｉｎｄｏｗ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む。
【０１１８】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するステップと、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法が提供される。
【０１１９】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するための手段と、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２０】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するステップと、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップとを含む方法が提供される。
【０１２１】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される手段と、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２２】
各電極グループは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０または＞１０個の電極を含み得る。
【０１２３】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるステップと、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法が提供される。
【０１２４】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するための手段と、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる手段と、
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するための手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２５】
好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に低減するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ12ボルトだけ期間ｔ12にわたり漸進的に低減するように構成される。好ましくは、ｘ12は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ12は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【０１２６】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するステップと、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なるステップと、
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するステップとを含む方法が提供される。
【０１２７】
本発明の一態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が、使用時に、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするための手段と、
使用時に、前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１２８】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段は、好ましくは前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするように構成され、ここでθは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。
【０１２９】
本発明の一態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするステップと、
前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップとを含む方法が提供される。
【０１３０】
好ましくは、前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップは、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするステップを含み、ここでθは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。
【０１３１】
本発明の一好適な実施形態によると、イオンをイオンガイド内に半径方向に中心軸の回りに閉じ込めるように構成されるＲＦイオンガイドが提供される。１つ以上の擬ポテンシャル障壁が好ましくはイオンガイドの中心軸に沿った１つ以上のポイントで維持される。１つ以上の擬ポテンシャル障壁の大きさ（ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、好ましくはイオンの質量電荷比に依存する。１つ以上の擬ポテンシャル障壁は、イオンガイドの入口および／または出口に位置付けられ得る。１つ以上の擬ポテンシャル障壁がイオンガイドの長さに沿ってイオンガイドの入口と出口との間の１つ以上の位置に位置付けられ得る他の実施形態が考えられる。
【０１３２】
ＲＦイオンガイドは、好ましくは開口を有する１スタックの環状電極を含む。使用時に、イオンは開口を通って移送される。イオンをイオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、ＲＦ電圧の互いに反対の位相が好ましくは交互する電極に印加される。イオンガイドは、好ましくはリングスタックまたはイオントンネルイオンガイドを含む。
【０１３３】
好ましくは、イオンは、好ましくはイオンガイドの電極に印加される１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形によって、イオンガイドに沿っておよびそこを通って推進される。特定の質量電荷比値を有するイオンに対して、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が実質的に実効擬ポテンシャル障壁（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｂａｒｒｉｅｒ）よりも小さければ、これらのイオンは、擬ポテンシャル障壁を越えて、またはそこを通って駆動されることはない。その結果、これらのイオンは、イオンガイド内に閉じ込められたままになる。特定の質量電荷比値を有するイオンに対して、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が実質的に実効擬ポテンシャル障壁よりも大きければ、これらのイオンは、擬ポテンシャル障壁を越えてまたは通って駆動されることになるので、イオンガイドを出ることになる。
【０１３４】
イオンは、イオンガイドの電極に印加される１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を増加するか、および／または擬ポテンシャル障壁の実効振幅を低減することによって、それらの質量電荷比の降順に擬ポテンシャル障壁を越えて漸進的に駆動され得る。擬ポテンシャル障壁の振幅は、印加ＲＦ電圧の振幅を低減するか、および／または印加ＲＦ電圧の周波数を増加することによって低減し得る。
【０１３５】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、さらなるＤＣポテンシャルを擬ポテンシャル障壁に近い電極に印加することによって増加され得る。この実施形態によると、障壁の振幅が質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁および質量電荷比非依存ＤＣポテンシャル障壁の組み合わせである。実効障壁の振幅は、ＲＦ電圧の振幅を低減するか、および／または印加ＲＦ電圧の印加周波数を増加するか、および／または印加ＤＣポテンシャルの振幅を低減することによって低減され得る。軸方向にイオンガイドから質量選択的に排出されるイオンは、さらなる処理および／または解析のために前方へ移送され得る。
【０１３６】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、特定の質量電荷比を有するイオンが十分な軸方向エネルギー有するならば、イオンは、擬ポテンシャル障壁を乗り越え、そして上記好適なイオンガイドに入ることになるように、イオンガイドの入口に配置され得る。特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに不十分な軸方向エネルギーを有する場合、イオンは、好ましくはイオンガイドに入ることを防止され、そしてしたがってシステムから失われる。好適なイオンガイドは、低質量カットオフ特性に影響を与えるように使用され得る。この低質量カットオフの特性は、質量電荷比依存障壁の振幅を増加するか、および／またはイオンガイドに入るイオンの軸方向エネルギーを増加することによって変更され得る。
【０１３７】
特に好適な実施形態によると、第１のＡＣまたはＲＦ電圧が電極に印加され、軸方向に隣り合う電極が第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにする。次いで、一対の電極の極性が切り換え、または反転され得る。したがって、ある時間において、複数の電極の極性は、＋−＋−＋−＋−から＋−＋＋−−＋−へ変化するようにされ得る。その結果、イオンガイドのある部分または区分に沿った電極の実効厚さが有効に増加される。
【０１３８】
多相ＲＦ電圧が電極に印加され得るさらなる実施形態が考えられる。例えば、最初に１２０°位相差が隣り合う電極間に維持されるように、三相ＲＦ電圧が印加され得る。擬ポテンシャル障壁がイオンガイドまたは質量分析器のある領域または区分において電極間または多くの電極の位相関係を変更することによって作成され得る。例えば、イオンガイドまたは質量分析器のある区分に沿った位相関係またはパターンが１２３ １２３ １２３ １２３ １２３から１２３ ３３１ １１２ ２２３ １２３に変化するようにされ得る。この実施形態によると、イオンガイドまたは質量分析器のある部分または区分に沿った電極の実効厚さがやはり有効に増加される。したがって、そうでない場合にイオンガイドの長さに沿って形成される擬ポテンシャル波形形状の振幅よりも大きな振幅を有する擬ポテンシャル障壁がこの領域に作成されることになる。
【０１３９】
本発明の一態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、ここで、ｎ≧２である手段と、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するための手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１４０】
好ましくは、ｎは、（ｉ）２、（ｉｉ）３、（ｉｉｉ）４、（ｉｖ）５、（ｖ）６、（ｖｉ）７、（ｖｉｉ）８、（ｖｉｉｉ）９、（ｉｘ）１０、および（ｘ）＞１０からなる群から選択される。
【０１４１】
前記第１の位相関係または第１のアスペクト比は、好ましくは第１の周期、パターン、シーケンスまたは値を有し、かつ前記第２の位相関係または第２のアスペクト比は、好ましくは第２の異なる周期、パターン、シーケンスまたは値を有する。
【０１４２】
本発明の一態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、ここで、ｎ≧２であるステップと、
前記複数の電極の間の第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するステップと、
１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするステップとを含む方法が提供される。
【０１４３】
本発明の別の態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、ここで、ｎ≧２である手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１４４】
本発明の別の態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、ここで、ｎ≧２であるステップと、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするステップとを含む方法が提供される。
【０１４５】
この実施形態によると、１つ以上の電極の位相は、漸進的に変更またはスキャンされ得る。１つ以上の電極の位相は、少なくともθ°だけスキャンされ得る。ここで、θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。１つ以上の電極の位相が漸進的に変更またはスキャンされるにつれ、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の高さは、好ましくは増加または低減する。
【０１４６】
上記好適な実施形態によると、積層リングイオンガイドの中心近くのイオンは、広い範囲の条件で安定した軌跡を有することになる。これは、四重極ロッドセットにおけるイオンに対する半径方向安定性条件とは対照的である。四重極ロッドセットにおいては、そのようなデバイスの軸に沿って振動電界の性質を変化させることによって、イオンの喪失を生じさせる望ましくない半径方向不安定性および／または共鳴が生じ得る。
【０１４７】
また、多重極ロッドセットは、上記好適な実施形態にかかる障壁デバイスまたは質量分析器に比べて、製造するには比較的大きくかつ高価である。したがって、上記好適な実施形態にかかるイオンガイドまたは質量分析器は、公知構成に比べて特に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１４８】
ここで、添付の図面を参照して、本発明の種々実施形態を、あくまで例として、説明する。
【０１４９】
ここで、図１を参照して本発明の一実施形態を説明する。この実施形態によると、ＲＦリングスタックイオンガイド２が提供される。好ましくは、イオンガイドは、好ましくは使用時にＤＣポテンシャルに保持または維持される入口プレートまたは電極１、および複数の他の環状電極またはプレート２ａを含む。変調された（ＲＦ）ポテンシャルの互いに反対の位相が、好ましくはイオンガイドを形成する交番電極またはプレート２ａに印加される。好ましくは、イオンガイド２は、好ましくは使用時にＤＣポテンシャルに保持または維持される出口プレートまたは電極３を含む。
【０１５０】
上記好適な実施形態によると、図示のようにさらなる過渡ＤＣポテンシャル４が好ましくはリング電極２ａのうちの１つ以上に印加される。過渡ＤＣポテンシャル４は、好ましくは比較的短い期間に１つ以上の電極２ａに同時に印加される。次いで、ＤＣポテンシャル４は、好ましくは１つ以上の隣接または後続の電極２ａに切り換えまたは印加される。上記好適な実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣポテンシャルもしくは電圧または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくはイオンをイオンガイド２の長さに沿って特定の方向に推進するために、イオンガイド２の電極２ａのうちのいくつかまたはすべてに順次印加される。
【０１５１】
好ましくは、イオンガイド２は、好ましくは内径が５ｍｍの一続きの環状電極２ａを含む。図２は、ｘ，ｙ平面上で見た場合の積層リングイオンガイド２を示す。各電極２ａは、好ましくは厚さが０．５ｍｍであり、かつ隣り合う電極の中心間間隔が好ましくは１．５ｍｍである。入口および出口電極１、３の開口の直径は、好ましくは２ｍｍである。
【０１５２】
図３Ａは、最大電圧が１００Ｖであり、周波数が１ＭＨｚであるＲＦ電圧がイオンガイド２に印加される場合に質量電荷比が１００であるイオンが受けるようなイオンガイド２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルのプロットを示す。図３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるようなイオンガイド２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルの比較用プロットを示す。
【０１５３】
図３Ａおよび３Ｂに示すプロットは、図１に示されるような形状を有するイオンガイドの三次元コンピュータシミュレーション（ＳＩＭＩＯＮ）における電圧勾配を記録することによって得た。１周波数サイクルの間の最大電圧に相当する静的なＤＣ電圧（ｓｔａｔｉｃ ＤＣ ｖｏｌｔａｇｅ）を各レンズ素子に印加した。次いで、擬ポテンシャルを、次式を使用して、記録された電界から直接計算した。
【０１５４】
【数１】
【０１５５】
ここで、ｑは、イオン（ｚ．ｅ）上の全電荷であり、ｅは、電子電荷であり、ｚは、電荷の数であり、ｍは、イオンの原子質量であり、Ωは、変調ポテンシャルの周波数であり、およびＥは、記録された電界である。
【０１５６】
図４は、イオンガイド２の出口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイド２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルをｚ軸の中心に沿って切断した（ｃｕｔ）ものを示す。電圧および周波数の条件は、質量電荷比が１００であるイオンについては上記のとおりである。
【０１５７】
図３Ａおよび図３Ｂから分かるように、ｚ軸における軸方向擬ポテンシャルの波形形状は、比較的高い質量電荷比を有するイオンに対するものよりも比較的低い質量電荷比を有するイオンの方が大きい。図４から明らかなように、中心軸に沿った、軸方向擬ポテンシャル波形形状は、中心軸から半径方向に離れた位置の擬ポテンシャル波形形状の振幅と比べて、比較的低い振幅を有する。イオンは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形をイオンガイド２の電極２ａに印加することによって、イオンガイド２に沿って容易に推進され得る。
【０１５８】
図５は、本発明の一実施形態を示す。ここで、好ましくは、出口開口３の直前または直ぐ上流の最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂは、好ましくは先行する環状プレートまたは電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧源と好ましくは異なる第２のＲＦ電圧源によって駆動される。
【０１５９】
好ましくは最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの一方または両方に印加される第２のＲＦ電圧の振幅がその他のプレートまたは電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧の振幅に対して増加される場合、イオントンネルイオンガイドまたは質量分析器２の出口における擬ポテンシャル波形形状の深さおよびしたがって擬ポテンシャル障壁の高さは、好ましくは増加される。
【０１６０】
別の実施形態によると、最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの一方または両方に印加される第２のＲＦ変調周波数は、イオンガイドまたは質量分析器２のその他の電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧の変調周波数に対して低減され得る。
【０１６１】
図６Ａは、質量電荷比が１００であるイオンが受けるようなイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルのプロットを示す。ここで、最大振幅が１００Ｖであり、かつ周波数が１ＭＨｚである第１のＲＦ電圧が環状プレートまたは電極２ａに印加され、最大振幅が４００ＶであるＲＦ電圧がプレート５ｂ（出口電極３の直ぐ上流に配置される）に印加され、および最大振幅が２００Ｖである第３のＲＦ電圧がプレート５ａ（電極５ｂの上流に配置される）に印加される。プレートまたは電極２ａ、５ａ、５ｂのすべてに印加される変調ポテンシャルの位相および周波数は、同一であった。図６Ｂは、質量電荷比が５００より高いイオンが受けるようなイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルを示す。
【０１６２】
図７は、イオンガイドまたは質量分析器２の出口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルをｚ軸の中心に沿って切断したものを示す。電圧および周波数の条件は、質量電荷比が１００であるイオンについての図６Ａを参照する上記の記載のとおりである。
【０１６３】
イオンガイドまたは質量分析器２の出口において変調ポテンシャルの振幅を増加すると、その結果、好ましくはイオンの質量電荷比に反比例する振幅を有する擬ポテンシャル障壁が生成される。
【０１６４】
上記好適な実施形態によると、イオンは、好ましくは外部イオン源からイオンガイド中へ導入される。イオンは、例えば、パルス化してまたは連続してのいずれかによって時刻Ｔ0で導入され得る。イオンが導入されると、イオンガイドまたは質量分析器２に入ったイオンの軸方向エネルギーは、好ましくは、特定範囲内の質量電荷比を有するすべてのイオンが半径方向ＲＦ電界によって閉じ込められ、かつ好ましくは擬ポテンシャル障壁の存在によってイオンガイドまたは質量分析器２から出ることが防止されるように構成される。
【０１６５】
イオンガイドまたは質量分析器２内に閉じ込められたイオンの初期エネルギーの広がりは、冷却ガスをイオンガイドまたは質量分析器２のイオン閉じ込め領域内に導入することによって低減され得る。イオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくは１０-5〜１０1ｍｂａｒの範囲またはより好ましくは１０-3〜１０-1ｍｂａｒの範囲の圧力に維持される。イオンの運動エネルギー（ｋｉｎｅｔｉｃ ｅｎｅｒｇｙ）は、好ましくはイオンとガス分子との間の衝突の結果として低減されることになる。したがって、イオンは、熱エネルギー（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｎｅｒｇｉｅｓ）に冷却することになる。
【０１６６】
一旦イオンがイオンガイドまたは質量分析器２内に蓄積されると、入口電極１に印加されるＤＣ電圧は、イオンが入口を介してイオンガイドまたは質量分析器２から出ることを防止するために上昇され得る。
【０１６７】
別の実施形態によると、１つ以上の適切なポテンシャルをイオンガイドまたは質量分析器２の入口に配置された１つ以上の環状プレートまたは電極に印加することによって、１つ以上の擬ポテンシャル障壁がイオンガイドまたは質量分析器２の入口において形成され得る。
【０１６８】
初期時刻Ｔ0において、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成する電極２ａに印加される。一実施形態によると、１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、初期には、比較的低いか、または実質的にゼロであり得る。次いで、一実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、漸進的に最終の最大値へ直線的に（ｒａｍｐｅｄ）増加され得るか、段階的に増加され得るか、または増加され得る。このように、イオンは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された擬ポテンシャル障壁に向かって推進されるか、駆動されるか、または平行移動される。イオンは、好ましくは質量電荷比の逆順でイオンガイドまたは質量分析器２を出るようにされる。すなわち、比較的高い質量電荷比を有するイオンが比較的低い質量電荷比を有するイオンより先にイオンガイドまたは質量分析器２を出る。上記プロセスは、一旦イオンガイドまたは質量分析器２からイオンが無くなると繰り返され得る。
【０１６９】
図８は、イオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの直径が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の残りの部分を含む電極２ａの直径よりも小さい一実施形態を示す。質量選択的擬ポテンシャル障壁が好ましくは図５を参照して前述した実施形態と同様にイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成される。図８に示される実施形態は、好ましくは同様の振幅質量依存擬ポテンシャル障壁を生成するために必要な変調ＲＦポテンシャルの振幅が図５の実施形態よりも小さいという利点を有する。
【０１７０】
図９Ａおよび９Ｂを参照して、イオンガイドまたは質量分析器２内に質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁を生成する好ましさが劣る好ましい方法を説明する。イオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくは図１に示すイオンガイドまたは質量分析器２と同様である。しかし、印加されるＲＦ電圧の振幅、または好ましくはリング電極２ａに印加されるさらなるＲＦまたはＡＣ電圧は、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かってまたはイオンガイドまたは質量分析器２の長さに沿って漸進的に増加するように構成される。図９Ｂは、さらなる変調電圧の最大振幅６および最小振幅７を図９Ａに示すようなイオンガイドまたは質量分析器２のレンズ素子の番号の関数としてプロットしたものを示す。
【０１７１】
レンズ素子ｎに印加されるさらなる時間変化ポテンシャルＶｎの一般形は、以下によって記述され得る。
【０１７２】
【数２】
【０１７３】
ここで、ｎは、レンズ素子のインデックス番号であり、ｆ（ｎ）は、素子ｎに対する振動の振幅を記述する関数であり、およびσは、変調周波数である。
【０１７４】
ｆ（ｎ）によって記述されるさらなる変調ポテンシャルの最大振幅がイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かって図９Ｂに示すような非線形関数で増加するならば、質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成されることになり、好ましくは連続するリング電極２ａに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の交番位相の結果として形成される上記のまたは任意の軸方向擬ポテンシャル波形形状に重畳される。
【０１７５】
別の実施形態によると、１つ以上の質量選択的擬ポテンシャル障壁が、リング電極２ａの内径と、イオンガイドまたは質量分析器２の特定の領域または部分の内部でまたはそれに沿って隣接するリング電極間の間隔とのアスペクト比を変化させることによって、生成または作成され得る。アスペクト比の変化は、リング電極２ａの機械的設計を変更することによって、および／または一続きの２つ以上の近接するリング電極の間の位相または位相関係を変化させることによって実現され得る。例えば、２つの近接するリング電極が変調ポテンシャルの同じ位相（変調されたポテンシャルの互いに反対の位相とは対照的）が供給されるように切り換えられるならば、イオンガイドまたは質量分析器２のこの領域または区分におけるアスペクト比も、実際には、変更されることになる。一実施形態によると、一対の電極の極性または位相は、イオンガイドまたは質量分析器２のある領域または区分の実効アスペクト比がイオンガイドまたは質量分析器２の残りの部分に沿って維持されるようなアスペクト比に対して変化するように切り換えまたは反転され得る。一実施形態によると、擬ポテンシャル障壁のアスペクト比およびしたがって高さは、近接する電極または電極群間の位相差を、例えば、１８０度から０度に連続的にまたはそれ以外で調節することによって、連続的にまたはそれ以外で調節され得る。これらの方法は、印加される変調ポテンシャルの振幅および／または周波数を変化させる手法と併用して使用され得る。
【０１７６】
図１０は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２が四重極質量フィルタなどのより高分解能の質量分析器１１と直列に結合される本発明の一実施形態を示す。これにより、全体的に改善されたデューティサイクルおよび感度を有する質量分析計を提供することができる。好ましくは、イオン源からのイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の上流に位置するイオントラップ８内に蓄積される。次いで、イオンは、好ましくはイオントラップ８の出口に設けられたゲート電極９をパルス化することによってイオントラップ８から周期的に放出される。次いで、イオントラップ８から放出またはパルスとして出射されたイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るように方向付けられる。イオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成される擬ポテンシャル障壁が存在することによって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に軸方向に閉じ込められたままである。一旦イオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ると、ＤＣ障壁電圧が好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口電極１に印加される。これにより、好ましくはイオンが入口電極１における開口を介して上流へ向かって好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出ることが防止される。一旦イオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に蓄積されると、イオンを好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かって駆動または推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成する電極に重畳される。
【０１７７】
１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、好ましくは時間とともに最終の最大電圧へ漸進的に増加される。好ましくは、イオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された擬ポテンシャル障壁を、質量電荷比の降順で、越えるように推進、駆動または押進される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出力は、好ましくはイオンの質量電荷比および時間の関数である。
【０１７８】
まず、比較的高い質量電荷比を有するイオンが好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出る。漸進的により低い質量電荷比を有するイオンが好ましくは後続してイオンガイドまたは質量分析器２を出る。特定の質量電荷比を有するイオンが好ましくは比較的短いまたは狭い期間にわたりイオンガイドまたは質量分析器２を出ることになる。一実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の下流に配置されたスキャン四重極質量フィルタ／分析器１１の質量電荷比移送ウィンドウは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を出るイオンの質量電荷比に同期するようにされる。その結果、スキャン四重極質量分析器１１のデューティサイクルは、好ましくは増加される。イオン検出器１２が好ましくは四重極質量分析器１１の下流に配置され、イオンを検出する。
【０１７９】
別の実施形態によると、四重極質量フィルタ１１の質量電荷比移送ウィンドウは、段階的にまたは他のやり方で増加され得る。これは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を出るイオンの質量電荷比に実質的に同期するようにされる。この実施形態によると、四重極質量フィルタ１１の移送効率およびデューティサイクルは、特定の質量または質量電荷比を有するイオンだけが測定または分析されることが所望される一動作モードにおいて増加され得る。
【０１８０】
別の実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、図１１に示すような直交加速飛行時間質量分析器４に結合され得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくはさらなるイオンガイド１３を介して飛行時間質量分析器１４に結合される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２から受け取られたイオンを移送し、かつイオンを好ましくはイオンが受け取られた順番を維持するやり方で移送するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはさらなるイオンガイド１３の電極に印加される。したがって、イオンは、好ましくは最適なやり方で前方の飛行時間質量分析器１４へ移送される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２および飛行時間質量分析器１４を組み合わせることで、好ましくは質量分析計全体のデューティサイクルおよび感度が改善される。任意の特定の場合に好適なイオンガイドまたは質量分析器２から出力されるイオンは、好ましくは明確な質量電荷比を有する。
【０１８１】
さらなるイオンガイド１３は、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２から現れるか、または受け取られるイオンを複数の別個のイオンパケットに区切る。好ましくは、さらなるイオンガイド１３によって受け取られた各イオンパケットは、好ましくはさらなるイオンガイド１３の長さに沿って連続して平行移動される別々の軸方向ポテンシャル井戸内にトラップされる。したがって、各軸方向ポテンシャル井戸は、好ましくは限定された範囲の質量電荷比を有するイオンを含む。軸方向ポテンシャル井戸は、好ましくは、イオンが直交加速飛行時間質量分析器１４へ向かって、またはその中へ放出されるまで、さらなるイオンガイド１３の長さに沿って継続的に輸送される。直交加速度パルスは、好ましくは、各パケットまたは井戸に存在するイオン（好ましくは、限定された範囲の質量電荷比を有する）の直交加速飛行時間質量分析器１４中への移送を最大化するために、さらなるイオンガイド１３からのイオンの到達に同期するようにされる。
【０１８２】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口に位置付けられ得る。したがって、特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに十分な初期軸方向エネルギーを有するならば、イオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることになる。しかし、特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに不十分な初期軸方向エネルギーを有するならば、イオンは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２に入ることを防止され、そしてシステムから失われ得る。この実施形態によると、イオンガイドまたは質量分析器２は、低質量または質量電荷比カットオフを有するように動作され得る。低質量または質量電荷比カットオフの特性は、質量電荷比依存障壁の振幅を増加または変化させることによって、または好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るイオンの初期軸方向エネルギーを増加または変化させることによって、時間の関数として変更または変化させ得る。擬ポテンシャル障壁の大きさは、ＲＦ電圧を増加することによって、および／または電極に印加されるＲＦ電圧の周波数を低減することによって増加され得る。
【０１８３】
図１２は、入口電極１の直後または直ぐ下流の第１の環状プレートまたは電極１５が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成または構成するその他の環状プレートまたは電極２ａに好ましくは印加されるＲＦ電圧源とは好ましくは別のまたは異なるＲＦ電圧源によって好ましくは駆動される、さらなる実施形態を示す。第１の環状プレートまたは電極１５に印加されるＲＦ電圧の振幅がその他の環状プレートまたは電極２ａに印加されるＲＦ電圧の振幅に対して増加される場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口における擬ポテンシャル障壁の高さは、好ましくは増加される。第１の環状プレートまたは電極１５に印加されるＲＦ変調周波数をイオンガイドまたは質量分析器２のその他の電極２ａに印加されるポテンシャルの変調周波数に対して低減することによっても同様の効果が実現され得る。
【０１８４】
図１３Ａは、最大１００Ｖで周波数が１ＭＨｚのＲＦ電圧が環状プレートまたは電極２ａに印加される場合に質量電荷比が１００であるイオンが受けるような、図１２に示す好適なイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均ポテンシャルまたは擬ポテンシャルのプロットを示す。第１の環状プレートまたは電極１５に印加された変調ポテンシャルの最大振幅は、４００Ｖであった。環状プレートまたは電極２ａ、１５のすべてに印加された変調ポテンシャルの位相および周波数は、同一であった。図１３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるような、イオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿って対応する時間平均ポテンシャルまたは擬ポテンシャルを示す。
【０１８５】
図１４は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルの形態をｚ軸の中心に沿って切断したものを示す。電圧および周波数の条件は、図１３を参照して前述した実施形態に対して前述したとおりである。
【０１８６】
イオンガイドまたは質量分析器２の入口において変調ポテンシャルの振幅を増加すると、その結果、イオンの質量電荷比に反比例する振幅を有する擬ポテンシャル障壁が生成される。十分な軸方向エネルギーを有するイオンは、擬ポテンシャル障壁を乗り越えることになり、および好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ移送されることになり、他方この障壁を乗り越えるのに不十分な軸方向エネルギーを有するイオンは、システムから失われることになる。
【０１８７】
一実施形態によると、低い質量電荷比移送特性は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口の近く、またはその場所に配置される１つ以上の第１の電極１５に印加される変調ポテンシャルの振幅および／または周波数を変化させることによってスキャンされ得るか、変化するようにされ得るか、または段階的に変化するようにされ得る。
【０１８８】
図１５に示すような別の実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａに結合され得る。一好適な実施形態にかかるイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの下流に位置づけられ得、および比較的高い電荷状態のイオンの前方移送を可能にしつつ、比較的低い電荷状態を有するイオンの前方移送を防止するように使用され得る。イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａが質量分析計または質量分析器と組み合わされる場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの下流かつ質量分析計または質量分析器の上流に位置付けられ得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、後の質量分析のために比較的高い電荷状態を有するイオンの前方移送を可能にしつつ、比較的低い電荷状態を有するイオンの前方移送を防止するように使用され得る。
【０１８９】
イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａと組み合わせて使用する場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の領域に設けられる擬ポテンシャル障壁の大きさまたは高さおよびしたがってイオンガイドまたは質量分析器２の低質量電荷比カットオフ特性は、イオンのイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａ中へのパルス化またはイオンのイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａからの出現と同期してスキャンされ得る。所定のドリフト時刻にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａから現れ、かつ所定レベルを下回る質量または質量電荷比を有するイオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を通る移送から除外または防止され得る。この実施形態の重要な用途は、同じ質量電荷比を有するが電荷状態の異なるイオンを区別することにある。
【０１９０】
図１５を参照すると、イオン源からのイオンは、好ましくはイオントラップ８内に蓄積され得る。イオンは、イオントラップ８の出口に配置されたゲート電極９をパルス化することによって、イオントラップ８から周期的に放出され得る。次いで、イオンは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａ中へパルス化され得る。次いで、イオンは、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを通って走行する。次いで、イオンは、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを通過する際に、それらのイオン移動度にしたがって時間的に分離される。比較的高いイオン移動度を有するイオンは、好ましくは比較的低いイオン移動度を有するイオンより先にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａから出ることになる。
【０１９１】
イオンは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出ると、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの出口電極１６と好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口電極１７との間のＤＣポテンシャル差を維持することによって加速される。好ましくは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るイオンは、好ましくはイオンの質量電荷比に依存する振幅を好ましくは有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。比較的低い質量電荷比を有するイオンは、好ましくは比較的高い振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになり、他方比較的高い質量電荷比を有するイオンは、好ましくは比較的低い振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。したがって、ある質量電荷比を下回るイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ移送されないことになる。好適なイオンガイドまたは質量分析器２から前方へ移送されるイオンは、好ましくは必要に応じてさらに処理される。例えば、イオンは、後の質量解析のための質量分析計へ移送され得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることを防止されたイオンは、好ましくはシステムから失われる。
【０１９２】
好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口内またはその場所に設けられた擬ポテンシャル障壁の大きさは、イオン移動度分離の際に漸進的に増加され得る。図１６は、イオン移動度ドリフト時間の関数としての質量電荷比値のプロットを示す。図から分かるように、一価イオンおよび多価イオンは、２つの別個のバンドに分かれる。任意の与えられたドリフト時間において、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出る一価イオンは、同時にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出る多価イオンよりも低い質量電荷比を有することになる。したがって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口における擬ポテンシャル障壁の高さが図１６に示すライン１８に示されたよりも小さな質量電荷比値を有するイオンが除外されるようなドリフト時間でスキャンされるように構成されるならば、ほとんど多価イオンだけが好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることになる。一価イオンは、好ましくは失われることになる。これにより、多価イオンの後段における検出に対して信号対ノイズを著しく改善するという利点が得られる結果となる。
【０１９３】
イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａは、ドリフト管を含み得る。ここで、軸方向電界は、ドリフト管の長さに沿って印加されるか、または維持される。あるいは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａは、開口を有する複数の電極を含むイオンガイドを含み得る。ここで、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形がイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータの電極に印加される。ＡＣまたはＲＦ電圧が電極に印加されて、イオンを中心軸に閉じ込め、それにより移送を最大化し得る。イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａに対する好適な動作圧力は、好ましくは１０-2ｍｂａｒ〜１０2ｍｂａｒの範囲内にあり、より好ましくは１０-1ｍｂａｒ〜１０1ｍｂａｒの範囲にある。
【０１９４】
イオン移動度にしたがって分離されたイオンのグループは、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形をイオンガイドまたは質量分析器２を含む電極に印加することによって、分離を失わずに、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を通って移送される。これは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２がまた直交加速飛行時間質量分析器に結合される際に特に有利である。デューティサイクルは、質量分析器の直交サンプリングパルスをイオンの直交加速度電極への到達と同期させることによって改善され得る。
【０１９５】
複数の擬ポテンシャル障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に、またはその長さに沿って生成または作成される他の実施形態が考えられる。これによって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内にトラップされたイオン群がより複雑なやり方で操作されることが可能になる。例えば、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を充填する際に使用される第１のデバイスまたは領域の低質量電荷比カットオフ特性は、それと異なるより高い第２のデバイスまたは領域の低質量電荷比カットオフ特性（好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口におけるイオンの排出を可能にするために使用される）と組み合わされ得る。これにより、２つのカットオフ値の間の質量電荷比値を有するイオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２内にトラップされることが可能になる。
【０１９６】
図１７は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２が直交加速飛行時間質量分析器１４に結合された実験構成を示す。イオンの連続ビームをエレクトロスプレーイオン化源から導入した。イオンは、アルゴン約１０-1ｍｂａｒの圧力に維持された第１の積層リングイオンガイド１９を通るように構成された。イオンをイオンガイド１９を通っておよびそれに沿って推進するために、振幅が２Ｖの過渡ＤＣポテンシャルをイオンガイド１９の長さに沿って印加および漸進的に平行移動した。イオンは、好ましくはＤＣ専用出口プレート２０における開口を介してイオンガイド１９を出て、そして入口電極２１を介して、アルゴン約１０-2ｍｂａｒに維持された好適な積層リングイオンガイドまたは質量分析器２に入る。イオンガイド１９の出口プレート２０と好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口プレート２１との間のポテンシャル差を−２Ｖに維持した。好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出る際に、イオンは、転送領域を通って、そして次いで直交加速飛行時間質量分析器１４によって質量分析される。イオンを上流のイオンガイド１９および好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に半径方向に閉じ込めるために、イオンガイド１９および好適なイオンガイドまたは質量分析器２の両方に、周波数が２ＭＨｚで２００Ｖｐｋ−ｐｋのＲＦ電圧を供給した。
【０１９７】
ＤＣ電圧の印加に加えて、好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口プレート２１を独立した可変振幅を有する独立したＲＦ源に結合した。ＲＦ源の周波数は、７５０ＭＨｚであった。実験中に、入口プレート２１に印加される変調ポテンシャルの振幅を０Ｖから５５０Ｖｐｋ−ｐｋに増加した。
【０１９８】
図１８Ａ〜図１８Ｅは、平均分子質量が１０００であるポリエチレングリコールおよびトリアセチル−シクロデキストリン（ここで、［Ｍ＋Ｈ］＋＝２０３４．６）を含む標準化合物の混合物を連続注入して得られた質量スペクトルを示す。
【０１９９】
図１８Ａは、入口プレート２１に印加されたＲＦ電圧の振幅が０Ｖであった場合に記録された質量スペクトルを示す。図１８Ｂ〜図１８Ｅは、入口プレート２１に印加されたＲＦ電圧の振幅を手動で０Ｖから最大の５５０Ｖｐｋ−ｐｋに増加した際に得られた質量スペクトルを示す。図１８Ｅに示す質量スペクトルは、ＲＦ電圧を最大の５５０Ｖｐｋ−ｐｋに設定した場合に得られたものである。すべての質量スペクトルについて、その強度を同じ値に正規化して、直接に比較できるようにした。
【０２００】
図１８Ａ〜図１８Ｅから分かるように、入口プレート２１に印加されるＲＦ電圧の振幅が漸進的に増加されるにつれ、低質量電荷比イオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることがより一層防止され、およびしたがって質量スペクトルに現れない。図１８Ｅに示すように最大ＲＦ振幅の５５０Ｖｐｋ−ｐｋを印加した場合、質量電荷比＜１８００を有するイオンの大多数は、より高い質量電荷比を有するイオンに対応するピークが減衰されること無く、取り除かれたことが見て取れる。
【０２０１】
ＲＦポテンシャルを入口プレート２１に印加することによって、ＲＦの振幅が増加されるにつれ大きさが増加する質量依存障壁が生成される。特定のＲＦ振幅において、ある質量電荷比を下回るイオンは、この擬ポテンシャル障壁を乗り越えることができず、およびしたがって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることが防止される。
【０２０２】
好適なイオンガイドまたは質量分析器２の近接する素子に印加されるＡＣポテンシャルの周波数が異なるならば、質量選択的障壁を形成する変調ポテンシャルと好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に半径方向にイオンを閉じ込めるために使用される変調ポテンシャルとの間に何らかの相互作用があり得る。この相互作用は、イオンガイドまたは質量分析器２のこれらの領域内のイオンの不安定性を招き得る。この相互作用が望ましくない場合、異なるＡＣポテンシャルの領域は、ＡＣポテンシャルではなく、ＤＣポテンシャルによって供給される電極によって分離または遮蔽され得る。
【０２０３】
上記好適な実施形態によると、イオンは、好ましくはゲート電極を使用してパルス化されて好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ入力される。しかし、例えば、ＭＡＬＤＩイオン源などのパルス化イオン源が使用される実施形態、および時刻Ｔ0がレーザの発射に対応する実施形態などの別の実施形態が考えられる。
【０２０４】
一実施形態によると、フラグメンテーション領域またはデバイスが質量分離領域の後または下流に設けられ得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２とフラグメンテーション領域またはデバイスとの間のポテンシャル差は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が好ましくは直線的-に増加されるにつれ、直線的に低減され得る。次いで、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、与えられた時刻に所望の質量電荷比範囲のイオンをフラグメンテーションするために最適化され得る。
【０２０５】
上記好適な実施形態によると、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の形態の電界が好ましくは擬ポテンシャル障壁を越えてまたは横断してイオンを駆動するように使用される。他の実施形態によると、イオンは、ガスフローによって生じる粘性抵抗（ｖｉｓｃｏｕｓ ｄｒａｇ）によって、擬ポテンシャル障壁を横断するよう駆動され得る。ガスフローによる粘性抵抗は、１０-2ｍｂａｒよりも大きい、好ましくは１０-1ｍｂａｒよりも大きいガス圧に対して著しくなる。また、ガスフローによる粘性抵抗は、電界による力（１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形から導かれる力など）と組み合わされ得る。イオンにかかる粘性抵抗よる力および電界による力は、一斉に働くように構成され得るか、またはあるいは、互いに反対するように構成され得る。
【０２０６】
本発明を好適な実施形態を参照して説明してきたが、添付の特許請求の範囲に記載されるような発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が形態および詳細においてなされ得ることが当業者に理解される。
【図面の簡単な説明】
【０２０７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかるｙ，ｚ平面における積層リングイオンガイドを示す。
【図２】図２は、本発明の一実施形態にかかるｘ，ｙ平面における積層リングイオンガイドを示す。
【図３Ａ】図３Ａは、質量電荷比が１００であるイオンが受けるイオンガイドの中心軸に沿った軸方向擬ポテンシャルのプロットを示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるイオンガイドの中心軸に沿った軸方向擬ポテンシャルのプロットを示す。
【図４】図４は、図３Ａに示す実施形態に対するものであって、かつ質量電荷比が１００であるイオンが受ける軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図５】図５は、質量電荷比依存障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器の出口に設けられる本発明の一実施形態を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、図５に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が１００であるイオンが受けるような軸方向擬ポテンシャルの、イオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図５に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が５００であるイオンが受けるような軸方向擬ポテンシャルの、イオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図７】図７は、図６Ａに示す実施形態に対するものであって、かつ質量電荷比が１００であるイオンが受けるような軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図８】図８は、質量電荷比依存障壁がイオンガイドまたは質量分析器の出口に形成され、かつ出口電極が比較的小さい開口を有するように構成される本発明の別の実施形態を示す。
【図９Ａ】図９Ａは、質量電荷比依存障壁がイオンガイドまたは質量分析器の出口に形成されるさらなる実施形態を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、電極に印加されるさらなる時間変化ポテンシャルの最大および最小ポテンシャルを示す。
【図１０】図１０は、好適なイオンガイドまたは質量分析器が使用時にスキャンされる四重極ロッドセット質量分析器と結合される一実施形態を示す。
【図１１】図１１は、好適なイオンガイドまたは質量分析器が直交加速飛行時間質量分析器に結合される一実施形態を示す。
【図１２】図１２は、質量電荷比依存障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器の入口に形成される一実施形態を示す。
【図１３Ａ】図１３Ａは、図１２に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が１００であるイオンの受けるような軸方向擬ポテンシャルのイオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１２に示すようなイオンガイドの中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が５００であるイオンの受けるような軸方向擬ポテンシャルのイオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図１４】図１４は、質量電荷比が１００であるイオンの受けるような、図１３Ａに示されるような軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図１５】図１５は、イオン移動度分離デバイスが好適なイオンガイドまたは質量分析器に結合される一実施形態を示す。
【図１６】図１６は、イオンの質量電荷比のイオン移動度デバイスを通るドリフト時間の関数としてのプロットを示し、低質量カットオフ動作に対するスキャンラインを示す。
【図１７】図１７は、図１８Ａ〜図１８Ｅに示すような実験データを生成するために使用された実験構成を示す。
【図１８Ａ】図１８Ａは、軸方向擬ポテンシャル障壁が存在しない場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１７に示すような好適なイオンガイドまたは質量分析器の入口に設けられた場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｂに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｄ】図１８Ｄは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｃに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｅ】図１８Ｅは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｄに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、質量分析計および質量分析の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
質量分析計に共通する要件は、イオンが中間圧力、すなわち、イオンがイオンガイドを通過する際にイオンおよびガス分子間の衝突が生じやすい圧力に維持された領域を通って転送されることである。イオンは、例えば、比較的高い圧力に維持されたイオン化領域から比較的低い圧力に維持された質量分析器に輸送される必要があり得る。約１０-3〜１０1ｍｂａｒの中間圧力で動作する無線周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）（ＲＦ）輸送イオンガイドを使用して、イオンを中間圧力に維持された領域を通って輸送することが知られている。また、ＡＣ不均一電界（ＡＣ ｉｎｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）による荷電粒子またはイオンに対する時間平均力を、荷電粒子またはイオンを電界のより弱い領域へ加速するようなものにすることが周知である。電界の極小値は、一般に擬ポテンシャル井戸（ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｗｅｌｌ）または谷と呼ばれる。ＲＦイオンガイドは、擬ポテンシャル井戸をイオンガイドの中心軸に沿って形成させて、イオンがイオンガイド内に半径方向に閉じ込められるようにすることによって、この現象を利用するように設計される。
【０００３】
ＲＦイオンガイドを使用して、イオンを半径方向に閉じ込め、およびイオンをイオンガイド内で衝突誘起解離またはフラグメンテーションさせることが知られている。イオンのフラグメンテーションは、通常、ＲＦイオンガイドまたは専用のガス衝突セル内のいずれかにおいて１０-3〜１０-1ｍｂａｒの範囲の圧力で実施される。
【０００４】
また、ＲＦイオンガイドを使用して、イオンをイオン移動度セパレータ（ｉｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｓｅｐａｒａｔｏｒ）またはスペクトロメータ（ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）内に半径方向に閉じ込めることが知られている。イオン移動度分離は、大気圧または１０-1〜１０1ｍｂａｒの範囲の圧力で実施され得る。
【０００５】
異なる形態のＲＦイオンガイドが知られており、多極ロッドセットイオンガイドおよびリングスタック（ｒｉｎｇ ｓｔａｃｋ）またはイオントンネル（ｉｏｎ ｔｕｎｎｅｌ）イオンガイドを含む。リングスタックまたはイオントンネルイオンガイドは、ＲＦ電圧の互いに反対の位相が隣り合う電極に印加される積層リング電極セット（ｓｔａｃｋｅｄ ｒｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｓｅｔ）を含む。擬ポテンシャル井戸は、イオンがイオンガイド内に半径方向に閉じ込められるようにイオンガイドの中心軸に沿って形成される。イオンガイドは、比較的高い移送効率を有する。
【０００６】
イオンをイオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、ＲＦ電圧が細長いロッドセットに印加されるＲＦイオンガイドが米国特許公開公報２００５／０２５３０６４に開示されている。静的な軸方向電界がイオンをイオンガイドの軸に沿って推進するように配置される。また、ＲＦ軸方向電界がイオンガイドの出口に配置される。ＲＦ軸方向電界は、イオンに対する障壁として作用する軸方向擬ポテンシャル障壁を生成する。擬ポテンシャル障壁の大きさは、イオンの質量電荷比の逆数に依存する。したがって、比較的低い質量電荷比を有するイオンは、比較的大きい振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。擬ポテンシャル障壁は、比較的低い質量電荷比を有するイオンに対しては静的な軸方向電界の影響を弱めるように作用するが、比較的高い質量電荷比を有するイオンに対しては静的な軸方向電界の影響を弱めるようには作用しない。したがって、比較的高い質量電荷比を有するイオンがイオンガイドから排出される。イオンは、イオンガイド内で操作され得るか、または静的または振動する電界の振幅を調節することによって質量選択的に排出され得る。
【０００７】
上記公知のイオンガイドは、特定の質量電荷比を有するイオンに対して明確な半径方向安定性条件を有する。これは、維持される半径方向ポテンシャルがおよそ二次である性質（ｑｕａｄｒａｔｉｃ ｎａｔｕｒｅ）によって決定される。したがって、イオンガイドの軸に沿った振動電界に何らかの変化があると、望ましくない半径方向の不安定性および／または共鳴効果が生じ、その結果、イオンがシステムから失われ得るという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、改善されたイオンガイドまたは質量分析器を提供することが所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によると、
複数の電極を含むイオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁（ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｂａｒｒｉｅｒｓ）、波形形状（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓ）もしくは井戸（ｗｅｌｌｓ）が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進する手段とを含む質量分析器であって、
前記質量分析器は、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段をさらに含む、質量分析器が提供される。
【００１０】
一動作モードにおいて、質量電荷比≧Ｍ１を有するイオンが好ましくは前記イオンガイドを出て、他方質量電荷比＜Ｍ２を有するイオンが好ましくは前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸によって前記イオンガイド内に軸方向にトラップまたは閉じ込められる。好ましくは、Ｍ１は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第１の範囲にある。好ましくは、Ｍ２は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第２の範囲にある。一実施形態によると、Ｍ１およびＭ２は同じ値を有し得る。
【００１１】
一動作モードにおいて、イオンは、好ましくはそれらの質量電荷比の順またはそれらの質量電荷比の逆順で、前記質量分析器から逐次排出される。
【００１２】
上記好適な実施形態によると、前記イオンガイドは、ｎ個の軸方向セグメントを含み、ここでｎは、（ｉ）１〜１０、（ｉｉ）１１〜２０、（ｉｉｉ）２１〜３０、（ｉｖ）３１〜４０、（ｖ）４１〜５０、（ｖｉ）５１〜６０、（ｖｉｉ）６１〜７０、（ｖｉｉｉ）７１〜８０、（ｉｘ）８１〜９０、（ｘ）９１〜１００、および（ｘｉ）＞１００からなる群から選択される。各軸方向セグメントは、好ましくは１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０または＞２０個の電極を含む。前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸方向長さは、好ましくは（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される。前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の間隔は、好ましくは（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される。
【００１３】
前記イオンガイドは、好ましくは（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有する。
【００１４】
前記イオンガイドは、好ましくは少なくとも（ｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｉｉ）３０〜４０個の電極、（ｉｖ）４０〜５０個の電極、（ｖ）５０〜６０個の電極、（ｖｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｖｉｉｉ）８０〜９０個の電極、（ｉｘ）９０〜１００個の電極、（ｘ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｉｉ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｉｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖ）＞１５０個の電極を含む。
【００１５】
上記好適な実施形態によると、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンは、使用時に前記開口を通って移送される。前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは実質的に円形、長方形、正方形または楕円形の開口を有する。
【００１６】
一実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズであるか、または実質的に同じ面積を有する開口を有する。別の実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、サイズまたは面積が前記イオンガイドの軸に沿った方向に漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する。
【００１７】
上記好適な実施形態によると、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する開口を有する。
【００１８】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに間隔をあけられる。
【００１９】
前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、開口を含み、かつ前記開口の内径または寸法の隣り合う電極間の中心間軸方向間隔に対する比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される。
【００２０】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、好ましくは（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さまたは軸方向長さを有する。
【００２１】
他の一実施形態によると、前記イオンガイドは、セグメント化ロッドセット（ｓｅｇｍｅｎｔｅｄ ｒｏｄ ｓｅｔ）イオンガイドを含む。前記イオンガイドは、例えば、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極イオンガイドまたは８個より多くのセグメント化ロッドセットを含むイオンガイドを含み得る。前記イオンガイドは、好ましくは（ｉ）略または実質的に円形断面、（ｉｉ）略または実質的に双曲面、（ｉｉｉ）円弧または部分円形断面、（ｉｖ）略または実質的に長方形断面、および（ｖ）略または実質的に正方形断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む。
【００２２】
別の実施形態によると、前記イオンガイドは、複数のグループのプレート電極（ｐｌａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って配置されるような複数のプレート電極を含み得る。各グループのプレート電極は、好ましくは第１のプレート電極および第２のプレート電極を含む。前記第１および第２のプレート電極は、好ましくは実質的に同じ平面内に配置され、かつ好ましくは前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に配置される。前記質量分析器は、好ましくはイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに含む。
【００２３】
各グループの電極は、好ましくは第３の電極および第４の電極をさらに含む。前記第３および第４の電極は、好ましくは実質的に同じ平面内に配置され、かつ好ましくは前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に前記第１および第２の電極とは異なる方向に配置される。前記ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくはイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記ＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３のおよび第４のプレート電極に印加するように構成される。第２の半径方向は、好ましくは第１の半径方向と直交する。
【００２４】
前記イオンを駆動または推進するための手段は、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む。前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくは（ｉ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｉ）１つのポテンシャル井戸、（ｉｉｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｖ）複数のポテンシャル井戸、（ｖ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁と１つのポテンシャル井戸の組み合わせ、または（ｖｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁と複数のポテンシャル井戸の組み合わせを作成する。
【００２５】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、好ましくは繰り返し波形または方形波を含む。
【００２６】
上記好適な実施形態によると、複数の軸方向ＤＣポテンシャル井戸が好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って平行移動されるか、または複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って電極に漸進的に印加される。
【００２７】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される第１の手段をさらに含む。
【００２８】
前記第１の手段は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さをｘ1ボルトだけ期間ｔ1にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される。好ましくは、ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ1は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００２９】
前記質量分析器は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度またはレート（ｒａｔｅ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第２の手段をさらに含む。前記第２の手段は、好ましくは前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極にｘ2ｍ／ｓだけ期間ｔ2にわたって印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択される。好ましくは、ｔ2は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００３０】
上記好適な実施形態によると、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００３１】
上記好適な実施形態によると、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００３２】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される。
【００３３】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００３４】
前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００３５】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００３６】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００３７】
一実施形態によると、前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００３８】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００３９】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、好ましくは（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００４０】
好ましくは、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って提供または作成される。
【００４１】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００４２】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００４３】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、好ましくは前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期（ｐｅｒｉｏｄｉｃｉｔｙ）、またはその倍数である周期を有する。
【００４４】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第３の手段を含む。
【００４５】
前記第３の手段は、好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ3ボルトだけ期間ｔ3にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ3は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ3は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００４６】
前記質量分析器は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第４の手段をさらに含む。前記第４の手段は、好ましくは前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ4ＭＨｚだけ期間ｔ4にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ4は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ4は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００４７】
一実施形態によると、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００４８】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００４９】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％および／または前記複数の電極のうちの少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０または＞５０個に印加するように構成される。
【００５０】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００５１】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００５２】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００５３】
前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００５４】
前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００５５】
前記1つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００５６】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、好ましくは（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００５７】
好ましくは、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される。
【００５８】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００５９】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００６０】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有する。前記極小値および／または極大値は、好ましくは前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する。
【００６１】
上記好適な実施形態によると、前記第２の振幅は、好ましくは前記第１の振幅よりも小さいか、または大きい。好ましくは、前記第２の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００６２】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第５の手段をさらに含む。
【００６３】
前記第５の手段は、好ましくは前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ5ボルトだけ期間ｔ5にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ5は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ5は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６４】
前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第６の手段をさらに含む。
【００６５】
前記第６の手段は、好ましくは前記電極に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ6ＭＨｚだけ期間ｔ6にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ6は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ6は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６６】
前記質量分析器は、好ましくは、第１のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が好ましくはＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁または井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む。
【００６７】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第１のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第７の手段をさらに含む。
【００６８】
前記第７の手段は、好ましくは前記第１のＤＣ電圧の振幅をｘ7ボルトだけ期間ｔ7にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ7は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ7は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００６９】
前記質量分析器は、好ましくは第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第３の振幅を有する１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段をさらに含む。前記第３の振幅は、好ましくは前記第１の振幅および／または前記第２の振幅と異なる。一実施形態によると、前記第３の振幅は、前記第２の振幅と同じであり得るが、前記第１の振幅とは異なり得る。
【００７０】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する。
【００７１】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する。
【００７２】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される。
【００７３】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、好ましくは軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される。
【００７４】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される。
【００７５】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される。
【００７６】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される。
【００７７】
前記イオンガイドは、好ましくは長さＬを有し、かつ前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される。
【００７８】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、ここで、ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される。
【００７９】
一実施形態によると、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。
【００８０】
一実施形態によると、使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される。
【００８１】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する。
【００８２】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、好ましくは近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する。
【００８３】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、好ましくは特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する。
【００８４】
前記第３の振幅は、好ましくは前記第１の振幅および／または前記第２の振幅よりも小さいか、または大きい。前記第３の振幅の前記第１の振幅に対する比は、好ましくは（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００８５】
前記第３の振幅の前記第２の振幅に対する比は、好ましくは（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される。
【００８６】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第８の手段をさらに含み得る。
【００８７】
前記第８の手段は、好ましくは前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ8ボルトだけ期間ｔ8にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ8は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ8は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００８８】
一実施形態によると、前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第９の手段をさらに含む。
【００８９】
前記第９の手段は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ9ＭＨｚだけ期間ｔ9にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ9は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される。好ましくは、ｔ9は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９０】
前記質量分析器は、好ましくは第２のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む。
【００９１】
前記質量分析器は、好ましくは前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１０の手段をさらに含む。
【００９２】
前記第１０の手段は、好ましくは前記第２のＤＣ電圧の振幅をｘ10ボルトだけ期間ｔ10にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ10は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ10は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９３】
一実施形態によると、前記質量分析器は、前記イオンガイドの前記電極のうちの少なくともいくつかに印加され、かつイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように作用するＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１１の手段をさらに含む。
【００９４】
前記第１１の手段は、好ましくは前記少なくともいくつかの電極に印加される前記ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅をｘ11ボルトだけ期間ｔ11にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される。好ましくは、ｘ11は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される。好ましくは、ｔ11は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【００９５】
前記質量分析器は、好ましくは一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＜１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１．０×１０-3ｍｂａｒ、および（ｉｖ）＜１．０×１０-4ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む。
【００９６】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む。
【００９７】
前記質量分析器は、好ましくは前記イオンガイドを通るガスフロー（ｇａｓ ｆｌｏｗ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される手段をさらに含む。
【００９８】
一実施形態によると、一動作モードにおいて、イオンが好ましくは前記イオンガイド内にトラップされるが、実質的にフラグメンテーションされないように構成される。
【００９９】
前記質量分析器は、前記イオンガイド内においてイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化する（ｔｈｅｒｍａｌｉｓｉｎｇ）ための手段をさらに含み得る。
【０１００】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイド内においてイオンを実質的にフラグメンテーションする手段をさらに含み得る。
【０１０１】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに含み得、一動作モードにおいて、前記１つ以上の電極がイオンをパルス化して前記イオンガイドへ入力および／またはそこから出力するように構成される。
【０１０２】
本発明の別の態様によると、上記質量分析器を含む質量分析計が提供される。
【０１０３】
前記質量分析計は、好ましくは（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源を含む。
【０１０４】
前記質量分析計は、好ましくは連続またはパルス化イオン源を含む。
【０１０５】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の質量フィルタをさらに含む。前記１つ以上の質量フィルタは、好ましくは（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）扇形磁場質量フィルタ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｅｃｔｏｒ ｍａｓｓ ｆｉｌｔｅｒ）または質量分析器からなる群から選択される。
【０１０６】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップをさらに含む。前記１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくは
（ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多極ロッドセットもしくはセグメント化多極ロッドセットイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉ）開口を有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップであって、使用時にイオンは、前記開口を通って移送され、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズもしくは面積の開口を有するか、またはサイズまたは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉｉ）１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、前記１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含むか、あるいは少なくとも前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが走行する平面内に一般に配置される、１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
（ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドであって、前記イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含み、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４の電極に印加するための手段を含み、前記第２の半径方向は、好ましくは前記第１の半径方向とは異なる、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される。
【０１０７】
一好適な実施形態によると、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくはイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップを含み、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する。
【０１０８】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくはイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成および適合される第４のＡＣまたはＲＦ電圧手段を含む。
【０１０９】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、好ましくは１ビームまたはグループのイオンを前記質量分析器から受け取り、そして前記ビームまたはグループのイオンを変換または分割して、少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０個の別々のパケットのイオンが任意の特定の時刻に前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に閉じ込めおよび／または隔離されるように構成および適合される。各パケットのイオンは、好ましくは前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸内に別々に閉じ込めおよび／または隔離される。
【０１１０】
前記質量分析計は、一動作モードにおいて、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％を通るか、またはそれに沿って上流および／または下流へ推進するように構成および適合される手段をさらに含む。
【０１１１】
一実施形態によると、前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する前記電極に印加するように構成および適合される過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む。
【０１１２】
一実施形態によると、前記質量分析計は、好ましくは少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する電極に印加するように構成および適合されるＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む。
【０１１３】
前記質量分析計は、好ましくは前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの少なくとも一部を（ｉ）＞０．０００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）０．０００１〜１００ｍｂａｒ、および（ｉｘ）０．００１〜１０ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように構成および適合される手段をさらに含む。
【０１１４】
前記質量分析計は、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメンテーションするように構成および適合される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含み得る。別の実施形態によると、前記質量分析計は、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含み得る。
【０１１５】
一実施形態によると、前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器と前記衝突、フラグメンテーションまたは反応セルとの間のポテンシャル差を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む。
【０１１６】
一実施形態によると、前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置されるさらなる質量分析器をさらに含む。前記さらなる質量分析器は、好ましくは（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）扇形磁場質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）２Ｄまたは直線四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される。
【０１１７】
前記質量分析計は、好ましくは前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器の動作と同期して、前記さらなる分析器の質量電荷比移送ウィンドウ（ｍａｓｓ ｔｏ ｃｈａｒｇｅ ｒａｔｉｏ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｗｉｎｄｏｗ）を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む。
【０１１８】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するステップと、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法が提供される。
【０１１９】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するための手段と、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２０】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するステップと、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップとを含む方法が提供される。
【０１２１】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される手段と、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２２】
各電極グループは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０または＞１０個の電極を含み得る。
【０１２３】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるステップと、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法が提供される。
【０１２４】
本発明の一態様によると、質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するための手段と、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる手段と、
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するための手段とを含む質量分析器が提供される。
【０１２５】
好ましくは前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に低減するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ12ボルトだけ期間ｔ12にわたり漸進的に低減するように構成される。好ましくは、ｘ12は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される。好ましくは、ｔ12は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される。
【０１２６】
本発明の一態様によると、イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するステップと、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なるステップと、
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するステップとを含む方法が提供される。
【０１２７】
本発明の一態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が、使用時に、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするための手段と、
使用時に、前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１２８】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段は、好ましくは前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするように構成され、ここでθは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。
【０１２９】
本発明の一態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするステップと、
前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップとを含む方法が提供される。
【０１３０】
好ましくは、前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップは、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするステップを含み、ここでθは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。
【０１３１】
本発明の一好適な実施形態によると、イオンをイオンガイド内に半径方向に中心軸の回りに閉じ込めるように構成されるＲＦイオンガイドが提供される。１つ以上の擬ポテンシャル障壁が好ましくはイオンガイドの中心軸に沿った１つ以上のポイントで維持される。１つ以上の擬ポテンシャル障壁の大きさ（ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、好ましくはイオンの質量電荷比に依存する。１つ以上の擬ポテンシャル障壁は、イオンガイドの入口および／または出口に位置付けられ得る。１つ以上の擬ポテンシャル障壁がイオンガイドの長さに沿ってイオンガイドの入口と出口との間の１つ以上の位置に位置付けられ得る他の実施形態が考えられる。
【０１３２】
ＲＦイオンガイドは、好ましくは開口を有する１スタックの環状電極を含む。使用時に、イオンは開口を通って移送される。イオンをイオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、ＲＦ電圧の互いに反対の位相が好ましくは交互する電極に印加される。イオンガイドは、好ましくはリングスタックまたはイオントンネルイオンガイドを含む。
【０１３３】
好ましくは、イオンは、好ましくはイオンガイドの電極に印加される１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形によって、イオンガイドに沿っておよびそこを通って推進される。特定の質量電荷比値を有するイオンに対して、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が実質的に実効擬ポテンシャル障壁（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｐｓｅｕｄｏ−ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｂａｒｒｉｅｒ）よりも小さければ、これらのイオンは、擬ポテンシャル障壁を越えて、またはそこを通って駆動されることはない。その結果、これらのイオンは、イオンガイド内に閉じ込められたままになる。特定の質量電荷比値を有するイオンに対して、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が実質的に実効擬ポテンシャル障壁よりも大きければ、これらのイオンは、擬ポテンシャル障壁を越えてまたは通って駆動されることになるので、イオンガイドを出ることになる。
【０１３４】
イオンは、イオンガイドの電極に印加される１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を増加するか、および／または擬ポテンシャル障壁の実効振幅を低減することによって、それらの質量電荷比の降順に擬ポテンシャル障壁を越えて漸進的に駆動され得る。擬ポテンシャル障壁の振幅は、印加ＲＦ電圧の振幅を低減するか、および／または印加ＲＦ電圧の周波数を増加することによって低減し得る。
【０１３５】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、さらなるＤＣポテンシャルを擬ポテンシャル障壁に近い電極に印加することによって増加され得る。この実施形態によると、障壁の振幅が質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁および質量電荷比非依存ＤＣポテンシャル障壁の組み合わせである。実効障壁の振幅は、ＲＦ電圧の振幅を低減するか、および／または印加ＲＦ電圧の印加周波数を増加するか、および／または印加ＤＣポテンシャルの振幅を低減することによって低減され得る。軸方向にイオンガイドから質量選択的に排出されるイオンは、さらなる処理および／または解析のために前方へ移送され得る。
【０１３６】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、特定の質量電荷比を有するイオンが十分な軸方向エネルギー有するならば、イオンは、擬ポテンシャル障壁を乗り越え、そして上記好適なイオンガイドに入ることになるように、イオンガイドの入口に配置され得る。特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに不十分な軸方向エネルギーを有する場合、イオンは、好ましくはイオンガイドに入ることを防止され、そしてしたがってシステムから失われる。好適なイオンガイドは、低質量カットオフ特性に影響を与えるように使用され得る。この低質量カットオフの特性は、質量電荷比依存障壁の振幅を増加するか、および／またはイオンガイドに入るイオンの軸方向エネルギーを増加することによって変更され得る。
【０１３７】
特に好適な実施形態によると、第１のＡＣまたはＲＦ電圧が電極に印加され、軸方向に隣り合う電極が第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにする。次いで、一対の電極の極性が切り換え、または反転され得る。したがって、ある時間において、複数の電極の極性は、＋−＋−＋−＋−から＋−＋＋−−＋−へ変化するようにされ得る。その結果、イオンガイドのある部分または区分に沿った電極の実効厚さが有効に増加される。
【０１３８】
多相ＲＦ電圧が電極に印加され得るさらなる実施形態が考えられる。例えば、最初に１２０°位相差が隣り合う電極間に維持されるように、三相ＲＦ電圧が印加され得る。擬ポテンシャル障壁がイオンガイドまたは質量分析器のある領域または区分において電極間または多くの電極の位相関係を変更することによって作成され得る。例えば、イオンガイドまたは質量分析器のある区分に沿った位相関係またはパターンが１２３ １２３ １２３ １２３ １２３から１２３ ３３１ １１２ ２２３ １２３に変化するようにされ得る。この実施形態によると、イオンガイドまたは質量分析器のある部分または区分に沿った電極の実効厚さがやはり有効に増加される。したがって、そうでない場合にイオンガイドの長さに沿って形成される擬ポテンシャル波形形状の振幅よりも大きな振幅を有する擬ポテンシャル障壁がこの領域に作成されることになる。
【０１３９】
本発明の一態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、ここで、ｎ≧２である手段と、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するための手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１４０】
好ましくは、ｎは、（ｉ）２、（ｉｉ）３、（ｉｉｉ）４、（ｉｖ）５、（ｖ）６、（ｖｉ）７、（ｖｉｉ）８、（ｖｉｉｉ）９、（ｉｘ）１０、および（ｘ）＞１０からなる群から選択される。
【０１４１】
前記第１の位相関係または第１のアスペクト比は、好ましくは第１の周期、パターン、シーケンスまたは値を有し、かつ前記第２の位相関係または第２のアスペクト比は、好ましくは第２の異なる周期、パターン、シーケンスまたは値を有する。
【０１４２】
本発明の一態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、ここで、ｎ≧２であるステップと、
前記複数の電極の間の第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するステップと、
１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするステップとを含む方法が提供される。
【０１４３】
本発明の別の態様によると、イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、ここで、ｎ≧２である手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器が提供される。
【０１４４】
本発明の別の態様によると、イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、ここで、ｎ≧２であるステップと、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするステップとを含む方法が提供される。
【０１４５】
この実施形態によると、１つ以上の電極の位相は、漸進的に変更またはスキャンされ得る。１つ以上の電極の位相は、少なくともθ°だけスキャンされ得る。ここで、θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される。１つ以上の電極の位相が漸進的に変更またはスキャンされるにつれ、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の高さは、好ましくは増加または低減する。
【０１４６】
上記好適な実施形態によると、積層リングイオンガイドの中心近くのイオンは、広い範囲の条件で安定した軌跡を有することになる。これは、四重極ロッドセットにおけるイオンに対する半径方向安定性条件とは対照的である。四重極ロッドセットにおいては、そのようなデバイスの軸に沿って振動電界の性質を変化させることによって、イオンの喪失を生じさせる望ましくない半径方向不安定性および／または共鳴が生じ得る。
【０１４７】
また、多重極ロッドセットは、上記好適な実施形態にかかる障壁デバイスまたは質量分析器に比べて、製造するには比較的大きくかつ高価である。したがって、上記好適な実施形態にかかるイオンガイドまたは質量分析器は、公知構成に比べて特に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１４８】
ここで、添付の図面を参照して、本発明の種々実施形態を、あくまで例として、説明する。
【０１４９】
ここで、図１を参照して本発明の一実施形態を説明する。この実施形態によると、ＲＦリングスタックイオンガイド２が提供される。好ましくは、イオンガイドは、好ましくは使用時にＤＣポテンシャルに保持または維持される入口プレートまたは電極１、および複数の他の環状電極またはプレート２ａを含む。変調された（ＲＦ）ポテンシャルの互いに反対の位相が、好ましくはイオンガイドを形成する交番電極またはプレート２ａに印加される。好ましくは、イオンガイド２は、好ましくは使用時にＤＣポテンシャルに保持または維持される出口プレートまたは電極３を含む。
【０１５０】
上記好適な実施形態によると、図示のようにさらなる過渡ＤＣポテンシャル４が好ましくはリング電極２ａのうちの１つ以上に印加される。過渡ＤＣポテンシャル４は、好ましくは比較的短い期間に１つ以上の電極２ａに同時に印加される。次いで、ＤＣポテンシャル４は、好ましくは１つ以上の隣接または後続の電極２ａに切り換えまたは印加される。上記好適な実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣポテンシャルもしくは電圧または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、好ましくはイオンをイオンガイド２の長さに沿って特定の方向に推進するために、イオンガイド２の電極２ａのうちのいくつかまたはすべてに順次印加される。
【０１５１】
好ましくは、イオンガイド２は、好ましくは内径が５ｍｍの一続きの環状電極２ａを含む。図２は、ｘ，ｙ平面上で見た場合の積層リングイオンガイド２を示す。各電極２ａは、好ましくは厚さが０．５ｍｍであり、かつ隣り合う電極の中心間間隔が好ましくは１．５ｍｍである。入口および出口電極１、３の開口の直径は、好ましくは２ｍｍである。
【０１５２】
図３Ａは、最大電圧が１００Ｖであり、周波数が１ＭＨｚであるＲＦ電圧がイオンガイド２に印加される場合に質量電荷比が１００であるイオンが受けるようなイオンガイド２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルのプロットを示す。図３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるようなイオンガイド２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルの比較用プロットを示す。
【０１５３】
図３Ａおよび３Ｂに示すプロットは、図１に示されるような形状を有するイオンガイドの三次元コンピュータシミュレーション（ＳＩＭＩＯＮ）における電圧勾配を記録することによって得た。１周波数サイクルの間の最大電圧に相当する静的なＤＣ電圧（ｓｔａｔｉｃ ＤＣ ｖｏｌｔａｇｅ）を各レンズ素子に印加した。次いで、擬ポテンシャルを、次式を使用して、記録された電界から直接計算した。
【０１５４】
【数１】
【０１５５】
ここで、ｑは、イオン（ｚ．ｅ）上の全電荷であり、ｅは、電子電荷であり、ｚは、電荷の数であり、ｍは、イオンの原子質量であり、Ωは、変調ポテンシャルの周波数であり、およびＥは、記録された電界である。
【０１５６】
図４は、イオンガイド２の出口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイド２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルをｚ軸の中心に沿って切断した（ｃｕｔ）ものを示す。電圧および周波数の条件は、質量電荷比が１００であるイオンについては上記のとおりである。
【０１５７】
図３Ａおよび図３Ｂから分かるように、ｚ軸における軸方向擬ポテンシャルの波形形状は、比較的高い質量電荷比を有するイオンに対するものよりも比較的低い質量電荷比を有するイオンの方が大きい。図４から明らかなように、中心軸に沿った、軸方向擬ポテンシャル波形形状は、中心軸から半径方向に離れた位置の擬ポテンシャル波形形状の振幅と比べて、比較的低い振幅を有する。イオンは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形をイオンガイド２の電極２ａに印加することによって、イオンガイド２に沿って容易に推進され得る。
【０１５８】
図５は、本発明の一実施形態を示す。ここで、好ましくは、出口開口３の直前または直ぐ上流の最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂは、好ましくは先行する環状プレートまたは電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧源と好ましくは異なる第２のＲＦ電圧源によって駆動される。
【０１５９】
好ましくは最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの一方または両方に印加される第２のＲＦ電圧の振幅がその他のプレートまたは電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧の振幅に対して増加される場合、イオントンネルイオンガイドまたは質量分析器２の出口における擬ポテンシャル波形形状の深さおよびしたがって擬ポテンシャル障壁の高さは、好ましくは増加される。
【０１６０】
別の実施形態によると、最後の２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの一方または両方に印加される第２のＲＦ変調周波数は、イオンガイドまたは質量分析器２のその他の電極２ａに印加される第１のＲＦ電圧の変調周波数に対して低減され得る。
【０１６１】
図６Ａは、質量電荷比が１００であるイオンが受けるようなイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルのプロットを示す。ここで、最大振幅が１００Ｖであり、かつ周波数が１ＭＨｚである第１のＲＦ電圧が環状プレートまたは電極２ａに印加され、最大振幅が４００ＶであるＲＦ電圧がプレート５ｂ（出口電極３の直ぐ上流に配置される）に印加され、および最大振幅が２００Ｖである第３のＲＦ電圧がプレート５ａ（電極５ｂの上流に配置される）に印加される。プレートまたは電極２ａ、５ａ、５ｂのすべてに印加される変調ポテンシャルの位相および周波数は、同一であった。図６Ｂは、質量電荷比が５００より高いイオンが受けるようなイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均または擬ポテンシャルを示す。
【０１６２】
図７は、イオンガイドまたは質量分析器２の出口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルをｚ軸の中心に沿って切断したものを示す。電圧および周波数の条件は、質量電荷比が１００であるイオンについての図６Ａを参照する上記の記載のとおりである。
【０１６３】
イオンガイドまたは質量分析器２の出口において変調ポテンシャルの振幅を増加すると、その結果、好ましくはイオンの質量電荷比に反比例する振幅を有する擬ポテンシャル障壁が生成される。
【０１６４】
上記好適な実施形態によると、イオンは、好ましくは外部イオン源からイオンガイド中へ導入される。イオンは、例えば、パルス化してまたは連続してのいずれかによって時刻Ｔ0で導入され得る。イオンが導入されると、イオンガイドまたは質量分析器２に入ったイオンの軸方向エネルギーは、好ましくは、特定範囲内の質量電荷比を有するすべてのイオンが半径方向ＲＦ電界によって閉じ込められ、かつ好ましくは擬ポテンシャル障壁の存在によってイオンガイドまたは質量分析器２から出ることが防止されるように構成される。
【０１６５】
イオンガイドまたは質量分析器２内に閉じ込められたイオンの初期エネルギーの広がりは、冷却ガスをイオンガイドまたは質量分析器２のイオン閉じ込め領域内に導入することによって低減され得る。イオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくは１０-5〜１０1ｍｂａｒの範囲またはより好ましくは１０-3〜１０-1ｍｂａｒの範囲の圧力に維持される。イオンの運動エネルギー（ｋｉｎｅｔｉｃ ｅｎｅｒｇｙ）は、好ましくはイオンとガス分子との間の衝突の結果として低減されることになる。したがって、イオンは、熱エネルギー（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｎｅｒｇｉｅｓ）に冷却することになる。
【０１６６】
一旦イオンがイオンガイドまたは質量分析器２内に蓄積されると、入口電極１に印加されるＤＣ電圧は、イオンが入口を介してイオンガイドまたは質量分析器２から出ることを防止するために上昇され得る。
【０１６７】
別の実施形態によると、１つ以上の適切なポテンシャルをイオンガイドまたは質量分析器２の入口に配置された１つ以上の環状プレートまたは電極に印加することによって、１つ以上の擬ポテンシャル障壁がイオンガイドまたは質量分析器２の入口において形成され得る。
【０１６８】
初期時刻Ｔ0において、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成する電極２ａに印加される。一実施形態によると、１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、初期には、比較的低いか、または実質的にゼロであり得る。次いで、一実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、漸進的に最終の最大値へ直線的に（ｒａｍｐｅｄ）増加され得るか、段階的に増加され得るか、または増加され得る。このように、イオンは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された擬ポテンシャル障壁に向かって推進されるか、駆動されるか、または平行移動される。イオンは、好ましくは質量電荷比の逆順でイオンガイドまたは質量分析器２を出るようにされる。すなわち、比較的高い質量電荷比を有するイオンが比較的低い質量電荷比を有するイオンより先にイオンガイドまたは質量分析器２を出る。上記プロセスは、一旦イオンガイドまたは質量分析器２からイオンが無くなると繰り返され得る。
【０１６９】
図８は、イオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された２つの環状プレートまたは電極５ａ、５ｂの直径が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の残りの部分を含む電極２ａの直径よりも小さい一実施形態を示す。質量選択的擬ポテンシャル障壁が好ましくは図５を参照して前述した実施形態と同様にイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成される。図８に示される実施形態は、好ましくは同様の振幅質量依存擬ポテンシャル障壁を生成するために必要な変調ＲＦポテンシャルの振幅が図５の実施形態よりも小さいという利点を有する。
【０１７０】
図９Ａおよび９Ｂを参照して、イオンガイドまたは質量分析器２内に質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁を生成する好ましさが劣る好ましい方法を説明する。イオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくは図１に示すイオンガイドまたは質量分析器２と同様である。しかし、印加されるＲＦ電圧の振幅、または好ましくはリング電極２ａに印加されるさらなるＲＦまたはＡＣ電圧は、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かってまたはイオンガイドまたは質量分析器２の長さに沿って漸進的に増加するように構成される。図９Ｂは、さらなる変調電圧の最大振幅６および最小振幅７を図９Ａに示すようなイオンガイドまたは質量分析器２のレンズ素子の番号の関数としてプロットしたものを示す。
【０１７１】
レンズ素子ｎに印加されるさらなる時間変化ポテンシャルＶｎの一般形は、以下によって記述され得る。
【０１７２】
【数２】
【０１７３】
ここで、ｎは、レンズ素子のインデックス番号であり、ｆ（ｎ）は、素子ｎに対する振動の振幅を記述する関数であり、およびσは、変調周波数である。
【０１７４】
ｆ（ｎ）によって記述されるさらなる変調ポテンシャルの最大振幅がイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かって図９Ｂに示すような非線形関数で増加するならば、質量電荷比依存擬ポテンシャル障壁が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成されることになり、好ましくは連続するリング電極２ａに印加されるＡＣまたはＲＦ電圧の交番位相の結果として形成される上記のまたは任意の軸方向擬ポテンシャル波形形状に重畳される。
【０１７５】
別の実施形態によると、１つ以上の質量選択的擬ポテンシャル障壁が、リング電極２ａの内径と、イオンガイドまたは質量分析器２の特定の領域または部分の内部でまたはそれに沿って隣接するリング電極間の間隔とのアスペクト比を変化させることによって、生成または作成され得る。アスペクト比の変化は、リング電極２ａの機械的設計を変更することによって、および／または一続きの２つ以上の近接するリング電極の間の位相または位相関係を変化させることによって実現され得る。例えば、２つの近接するリング電極が変調ポテンシャルの同じ位相（変調されたポテンシャルの互いに反対の位相とは対照的）が供給されるように切り換えられるならば、イオンガイドまたは質量分析器２のこの領域または区分におけるアスペクト比も、実際には、変更されることになる。一実施形態によると、一対の電極の極性または位相は、イオンガイドまたは質量分析器２のある領域または区分の実効アスペクト比がイオンガイドまたは質量分析器２の残りの部分に沿って維持されるようなアスペクト比に対して変化するように切り換えまたは反転され得る。一実施形態によると、擬ポテンシャル障壁のアスペクト比およびしたがって高さは、近接する電極または電極群間の位相差を、例えば、１８０度から０度に連続的にまたはそれ以外で調節することによって、連続的にまたはそれ以外で調節され得る。これらの方法は、印加される変調ポテンシャルの振幅および／または周波数を変化させる手法と併用して使用され得る。
【０１７６】
図１０は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２が四重極質量フィルタなどのより高分解能の質量分析器１１と直列に結合される本発明の一実施形態を示す。これにより、全体的に改善されたデューティサイクルおよび感度を有する質量分析計を提供することができる。好ましくは、イオン源からのイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の上流に位置するイオントラップ８内に蓄積される。次いで、イオンは、好ましくはイオントラップ８の出口に設けられたゲート電極９をパルス化することによってイオントラップ８から周期的に放出される。次いで、イオントラップ８から放出またはパルスとして出射されたイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るように方向付けられる。イオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口に形成される擬ポテンシャル障壁が存在することによって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に軸方向に閉じ込められたままである。一旦イオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ると、ＤＣ障壁電圧が好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口電極１に印加される。これにより、好ましくはイオンが入口電極１における開口を介して上流へ向かって好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出ることが防止される。一旦イオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に蓄積されると、イオンを好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口へ向かって駆動または推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成する電極に重畳される。
【０１７７】
１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅は、好ましくは時間とともに最終の最大電圧へ漸進的に増加される。好ましくは、イオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口に配置された擬ポテンシャル障壁を、質量電荷比の降順で、越えるように推進、駆動または押進される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出力は、好ましくはイオンの質量電荷比および時間の関数である。
【０１７８】
まず、比較的高い質量電荷比を有するイオンが好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出る。漸進的により低い質量電荷比を有するイオンが好ましくは後続してイオンガイドまたは質量分析器２を出る。特定の質量電荷比を有するイオンが好ましくは比較的短いまたは狭い期間にわたりイオンガイドまたは質量分析器２を出ることになる。一実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の下流に配置されたスキャン四重極質量フィルタ／分析器１１の質量電荷比移送ウィンドウは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を出るイオンの質量電荷比に同期するようにされる。その結果、スキャン四重極質量分析器１１のデューティサイクルは、好ましくは増加される。イオン検出器１２が好ましくは四重極質量分析器１１の下流に配置され、イオンを検出する。
【０１７９】
別の実施形態によると、四重極質量フィルタ１１の質量電荷比移送ウィンドウは、段階的にまたは他のやり方で増加され得る。これは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を出るイオンの質量電荷比に実質的に同期するようにされる。この実施形態によると、四重極質量フィルタ１１の移送効率およびデューティサイクルは、特定の質量または質量電荷比を有するイオンだけが測定または分析されることが所望される一動作モードにおいて増加され得る。
【０１８０】
別の実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、図１１に示すような直交加速飛行時間質量分析器４に結合され得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、好ましくはさらなるイオンガイド１３を介して飛行時間質量分析器１４に結合される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２から受け取られたイオンを移送し、かつイオンを好ましくはイオンが受け取られた順番を維持するやり方で移送するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が好ましくはさらなるイオンガイド１３の電極に印加される。したがって、イオンは、好ましくは最適なやり方で前方の飛行時間質量分析器１４へ移送される。好適なイオンガイドまたは質量分析器２および飛行時間質量分析器１４を組み合わせることで、好ましくは質量分析計全体のデューティサイクルおよび感度が改善される。任意の特定の場合に好適なイオンガイドまたは質量分析器２から出力されるイオンは、好ましくは明確な質量電荷比を有する。
【０１８１】
さらなるイオンガイド１３は、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２から現れるか、または受け取られるイオンを複数の別個のイオンパケットに区切る。好ましくは、さらなるイオンガイド１３によって受け取られた各イオンパケットは、好ましくはさらなるイオンガイド１３の長さに沿って連続して平行移動される別々の軸方向ポテンシャル井戸内にトラップされる。したがって、各軸方向ポテンシャル井戸は、好ましくは限定された範囲の質量電荷比を有するイオンを含む。軸方向ポテンシャル井戸は、好ましくは、イオンが直交加速飛行時間質量分析器１４へ向かって、またはその中へ放出されるまで、さらなるイオンガイド１３の長さに沿って継続的に輸送される。直交加速度パルスは、好ましくは、各パケットまたは井戸に存在するイオン（好ましくは、限定された範囲の質量電荷比を有する）の直交加速飛行時間質量分析器１４中への移送を最大化するために、さらなるイオンガイド１３からのイオンの到達に同期するようにされる。
【０１８２】
別の実施形態によると、擬ポテンシャル障壁は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口に位置付けられ得る。したがって、特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに十分な初期軸方向エネルギーを有するならば、イオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることになる。しかし、特定の質量電荷比を有するイオンが擬ポテンシャル障壁を乗り越えるのに不十分な初期軸方向エネルギーを有するならば、イオンは、好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２に入ることを防止され、そしてシステムから失われ得る。この実施形態によると、イオンガイドまたは質量分析器２は、低質量または質量電荷比カットオフを有するように動作され得る。低質量または質量電荷比カットオフの特性は、質量電荷比依存障壁の振幅を増加または変化させることによって、または好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るイオンの初期軸方向エネルギーを増加または変化させることによって、時間の関数として変更または変化させ得る。擬ポテンシャル障壁の大きさは、ＲＦ電圧を増加することによって、および／または電極に印加されるＲＦ電圧の周波数を低減することによって増加され得る。
【０１８３】
図１２は、入口電極１の直後または直ぐ下流の第１の環状プレートまたは電極１５が好ましくはイオンガイドまたは質量分析器２を形成または構成するその他の環状プレートまたは電極２ａに好ましくは印加されるＲＦ電圧源とは好ましくは別のまたは異なるＲＦ電圧源によって好ましくは駆動される、さらなる実施形態を示す。第１の環状プレートまたは電極１５に印加されるＲＦ電圧の振幅がその他の環状プレートまたは電極２ａに印加されるＲＦ電圧の振幅に対して増加される場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口における擬ポテンシャル障壁の高さは、好ましくは増加される。第１の環状プレートまたは電極１５に印加されるＲＦ変調周波数をイオンガイドまたは質量分析器２のその他の電極２ａに印加されるポテンシャルの変調周波数に対して低減することによっても同様の効果が実現され得る。
【０１８４】
図１３Ａは、最大１００Ｖで周波数が１ＭＨｚのＲＦ電圧が環状プレートまたは電極２ａに印加される場合に質量電荷比が１００であるイオンが受けるような、図１２に示す好適なイオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿った時間平均ポテンシャルまたは擬ポテンシャルのプロットを示す。第１の環状プレートまたは電極１５に印加された変調ポテンシャルの最大振幅は、４００Ｖであった。環状プレートまたは電極２ａ、１５のすべてに印加された変調ポテンシャルの位相および周波数は、同一であった。図１３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるような、イオンガイドまたは質量分析器２の中心軸に沿って対応する時間平均ポテンシャルまたは擬ポテンシャルを示す。
【０１８５】
図１４は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口における領域であって、ｘ軸（半径方向）に０〜１ｍｍ延びた領域について、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内の半径方向および軸方向擬ポテンシャルの形態をｚ軸の中心に沿って切断したものを示す。電圧および周波数の条件は、図１３を参照して前述した実施形態に対して前述したとおりである。
【０１８６】
イオンガイドまたは質量分析器２の入口において変調ポテンシャルの振幅を増加すると、その結果、イオンの質量電荷比に反比例する振幅を有する擬ポテンシャル障壁が生成される。十分な軸方向エネルギーを有するイオンは、擬ポテンシャル障壁を乗り越えることになり、および好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ移送されることになり、他方この障壁を乗り越えるのに不十分な軸方向エネルギーを有するイオンは、システムから失われることになる。
【０１８７】
一実施形態によると、低い質量電荷比移送特性は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口の近く、またはその場所に配置される１つ以上の第１の電極１５に印加される変調ポテンシャルの振幅および／または周波数を変化させることによってスキャンされ得るか、変化するようにされ得るか、または段階的に変化するようにされ得る。
【０１８８】
図１５に示すような別の実施形態によると、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａに結合され得る。一好適な実施形態にかかるイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの下流に位置づけられ得、および比較的高い電荷状態のイオンの前方移送を可能にしつつ、比較的低い電荷状態を有するイオンの前方移送を防止するように使用され得る。イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａが質量分析計または質量分析器と組み合わされる場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの下流かつ質量分析計または質量分析器の上流に位置付けられ得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、後の質量分析のために比較的高い電荷状態を有するイオンの前方移送を可能にしつつ、比較的低い電荷状態を有するイオンの前方移送を防止するように使用され得る。
【０１８９】
イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａと組み合わせて使用する場合、好適なイオンガイドまたは質量分析器２の領域に設けられる擬ポテンシャル障壁の大きさまたは高さおよびしたがってイオンガイドまたは質量分析器２の低質量電荷比カットオフ特性は、イオンのイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａ中へのパルス化またはイオンのイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａからの出現と同期してスキャンされ得る。所定のドリフト時刻にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａから現れ、かつ所定レベルを下回る質量または質量電荷比を有するイオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を通る移送から除外または防止され得る。この実施形態の重要な用途は、同じ質量電荷比を有するが電荷状態の異なるイオンを区別することにある。
【０１９０】
図１５を参照すると、イオン源からのイオンは、好ましくはイオントラップ８内に蓄積され得る。イオンは、イオントラップ８の出口に配置されたゲート電極９をパルス化することによって、イオントラップ８から周期的に放出され得る。次いで、イオンは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａ中へパルス化され得る。次いで、イオンは、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを通って走行する。次いで、イオンは、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを通過する際に、それらのイオン移動度にしたがって時間的に分離される。比較的高いイオン移動度を有するイオンは、好ましくは比較的低いイオン移動度を有するイオンより先にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａから出ることになる。
【０１９１】
イオンは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出ると、好ましくはイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａの出口電極１６と好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口電極１７との間のＤＣポテンシャル差を維持することによって加速される。好ましくは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入るイオンは、好ましくはイオンの質量電荷比に依存する振幅を好ましくは有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。比較的低い質量電荷比を有するイオンは、好ましくは比較的高い振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになり、他方比較的高い質量電荷比を有するイオンは、好ましくは比較的低い振幅を有する擬ポテンシャル障壁を受けることになる。したがって、ある質量電荷比を下回るイオンは、好ましくは好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ移送されないことになる。好適なイオンガイドまたは質量分析器２から前方へ移送されるイオンは、好ましくは必要に応じてさらに処理される。例えば、イオンは、後の質量解析のための質量分析計へ移送され得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることを防止されたイオンは、好ましくはシステムから失われる。
【０１９２】
好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口内またはその場所に設けられた擬ポテンシャル障壁の大きさは、イオン移動度分離の際に漸進的に増加され得る。図１６は、イオン移動度ドリフト時間の関数としての質量電荷比値のプロットを示す。図から分かるように、一価イオンおよび多価イオンは、２つの別個のバンドに分かれる。任意の与えられたドリフト時間において、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出る一価イオンは、同時にイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａを出る多価イオンよりも低い質量電荷比を有することになる。したがって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口における擬ポテンシャル障壁の高さが図１６に示すライン１８に示されたよりも小さな質量電荷比値を有するイオンが除外されるようなドリフト時間でスキャンされるように構成されるならば、ほとんど多価イオンだけが好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることになる。一価イオンは、好ましくは失われることになる。これにより、多価イオンの後段における検出に対して信号対ノイズを著しく改善するという利点が得られる結果となる。
【０１９３】
イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａは、ドリフト管を含み得る。ここで、軸方向電界は、ドリフト管の長さに沿って印加されるか、または維持される。あるいは、イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａは、開口を有する複数の電極を含むイオンガイドを含み得る。ここで、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形がイオン移動度セパレータまたはスペクトロメータの電極に印加される。ＡＣまたはＲＦ電圧が電極に印加されて、イオンを中心軸に閉じ込め、それにより移送を最大化し得る。イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ１５ａに対する好適な動作圧力は、好ましくは１０-2ｍｂａｒ〜１０2ｍｂａｒの範囲内にあり、より好ましくは１０-1ｍｂａｒ〜１０1ｍｂａｒの範囲にある。
【０１９４】
イオン移動度にしたがって分離されたイオンのグループは、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形をイオンガイドまたは質量分析器２を含む電極に印加することによって、分離を失わずに、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を通って移送される。これは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２がまた直交加速飛行時間質量分析器に結合される際に特に有利である。デューティサイクルは、質量分析器の直交サンプリングパルスをイオンの直交加速度電極への到達と同期させることによって改善され得る。
【０１９５】
複数の擬ポテンシャル障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に、またはその長さに沿って生成または作成される他の実施形態が考えられる。これによって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２内にトラップされたイオン群がより複雑なやり方で操作されることが可能になる。例えば、好適なイオンガイドまたは質量分析器２を充填する際に使用される第１のデバイスまたは領域の低質量電荷比カットオフ特性は、それと異なるより高い第２のデバイスまたは領域の低質量電荷比カットオフ特性（好適なイオンガイドまたは質量分析器２の出口におけるイオンの排出を可能にするために使用される）と組み合わされ得る。これにより、２つのカットオフ値の間の質量電荷比値を有するイオンが好適なイオンガイドまたは質量分析器２内にトラップされることが可能になる。
【０１９６】
図１７は、好適なイオンガイドまたは質量分析器２が直交加速飛行時間質量分析器１４に結合された実験構成を示す。イオンの連続ビームをエレクトロスプレーイオン化源から導入した。イオンは、アルゴン約１０-1ｍｂａｒの圧力に維持された第１の積層リングイオンガイド１９を通るように構成された。イオンをイオンガイド１９を通っておよびそれに沿って推進するために、振幅が２Ｖの過渡ＤＣポテンシャルをイオンガイド１９の長さに沿って印加および漸進的に平行移動した。イオンは、好ましくはＤＣ専用出口プレート２０における開口を介してイオンガイド１９を出て、そして入口電極２１を介して、アルゴン約１０-2ｍｂａｒに維持された好適な積層リングイオンガイドまたは質量分析器２に入る。イオンガイド１９の出口プレート２０と好適なイオンガイドまたは質量分析器２の入口プレート２１との間のポテンシャル差を−２Ｖに維持した。好適なイオンガイドまたは質量分析器２を出る際に、イオンは、転送領域を通って、そして次いで直交加速飛行時間質量分析器１４によって質量分析される。イオンを上流のイオンガイド１９および好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に半径方向に閉じ込めるために、イオンガイド１９および好適なイオンガイドまたは質量分析器２の両方に、周波数が２ＭＨｚで２００Ｖｐｋ−ｐｋのＲＦ電圧を供給した。
【０１９７】
ＤＣ電圧の印加に加えて、好適なイオンガイドまたは質量分析器２への入口プレート２１を独立した可変振幅を有する独立したＲＦ源に結合した。ＲＦ源の周波数は、７５０ＭＨｚであった。実験中に、入口プレート２１に印加される変調ポテンシャルの振幅を０Ｖから５５０Ｖｐｋ−ｐｋに増加した。
【０１９８】
図１８Ａ〜図１８Ｅは、平均分子質量が１０００であるポリエチレングリコールおよびトリアセチル−シクロデキストリン（ここで、［Ｍ＋Ｈ］＋＝２０３４．６）を含む標準化合物の混合物を連続注入して得られた質量スペクトルを示す。
【０１９９】
図１８Ａは、入口プレート２１に印加されたＲＦ電圧の振幅が０Ｖであった場合に記録された質量スペクトルを示す。図１８Ｂ〜図１８Ｅは、入口プレート２１に印加されたＲＦ電圧の振幅を手動で０Ｖから最大の５５０Ｖｐｋ−ｐｋに増加した際に得られた質量スペクトルを示す。図１８Ｅに示す質量スペクトルは、ＲＦ電圧を最大の５５０Ｖｐｋ−ｐｋに設定した場合に得られたものである。すべての質量スペクトルについて、その強度を同じ値に正規化して、直接に比較できるようにした。
【０２００】
図１８Ａ〜図１８Ｅから分かるように、入口プレート２１に印加されるＲＦ電圧の振幅が漸進的に増加されるにつれ、低質量電荷比イオンは、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることがより一層防止され、およびしたがって質量スペクトルに現れない。図１８Ｅに示すように最大ＲＦ振幅の５５０Ｖｐｋ−ｐｋを印加した場合、質量電荷比＜１８００を有するイオンの大多数は、より高い質量電荷比を有するイオンに対応するピークが減衰されること無く、取り除かれたことが見て取れる。
【０２０１】
ＲＦポテンシャルを入口プレート２１に印加することによって、ＲＦの振幅が増加されるにつれ大きさが増加する質量依存障壁が生成される。特定のＲＦ振幅において、ある質量電荷比を下回るイオンは、この擬ポテンシャル障壁を乗り越えることができず、およびしたがって、好適なイオンガイドまたは質量分析器２に入ることが防止される。
【０２０２】
好適なイオンガイドまたは質量分析器２の近接する素子に印加されるＡＣポテンシャルの周波数が異なるならば、質量選択的障壁を形成する変調ポテンシャルと好適なイオンガイドまたは質量分析器２内に半径方向にイオンを閉じ込めるために使用される変調ポテンシャルとの間に何らかの相互作用があり得る。この相互作用は、イオンガイドまたは質量分析器２のこれらの領域内のイオンの不安定性を招き得る。この相互作用が望ましくない場合、異なるＡＣポテンシャルの領域は、ＡＣポテンシャルではなく、ＤＣポテンシャルによって供給される電極によって分離または遮蔽され得る。
【０２０３】
上記好適な実施形態によると、イオンは、好ましくはゲート電極を使用してパルス化されて好適なイオンガイドまたは質量分析器２中へ入力される。しかし、例えば、ＭＡＬＤＩイオン源などのパルス化イオン源が使用される実施形態、および時刻Ｔ0がレーザの発射に対応する実施形態などの別の実施形態が考えられる。
【０２０４】
一実施形態によると、フラグメンテーション領域またはデバイスが質量分離領域の後または下流に設けられ得る。好適なイオンガイドまたは質量分析器２とフラグメンテーション領域またはデバイスとの間のポテンシャル差は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅が好ましくは直線的-に増加されるにつれ、直線的に低減され得る。次いで、好適なイオンガイドまたは質量分析器２は、与えられた時刻に所望の質量電荷比範囲のイオンをフラグメンテーションするために最適化され得る。
【０２０５】
上記好適な実施形態によると、好ましくは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の形態の電界が好ましくは擬ポテンシャル障壁を越えてまたは横断してイオンを駆動するように使用される。他の実施形態によると、イオンは、ガスフローによって生じる粘性抵抗（ｖｉｓｃｏｕｓ ｄｒａｇ）によって、擬ポテンシャル障壁を横断するよう駆動され得る。ガスフローによる粘性抵抗は、１０-2ｍｂａｒよりも大きい、好ましくは１０-1ｍｂａｒよりも大きいガス圧に対して著しくなる。また、ガスフローによる粘性抵抗は、電界による力（１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形から導かれる力など）と組み合わされ得る。イオンにかかる粘性抵抗よる力および電界による力は、一斉に働くように構成され得るか、またはあるいは、互いに反対するように構成され得る。
【０２０６】
本発明を好適な実施形態を参照して説明してきたが、添付の特許請求の範囲に記載されるような発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が形態および詳細においてなされ得ることが当業者に理解される。
【図面の簡単な説明】
【０２０７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかるｙ，ｚ平面における積層リングイオンガイドを示す。
【図２】図２は、本発明の一実施形態にかかるｘ，ｙ平面における積層リングイオンガイドを示す。
【図３Ａ】図３Ａは、質量電荷比が１００であるイオンが受けるイオンガイドの中心軸に沿った軸方向擬ポテンシャルのプロットを示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、質量電荷比が５００であるイオンが受けるイオンガイドの中心軸に沿った軸方向擬ポテンシャルのプロットを示す。
【図４】図４は、図３Ａに示す実施形態に対するものであって、かつ質量電荷比が１００であるイオンが受ける軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図５】図５は、質量電荷比依存障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器の出口に設けられる本発明の一実施形態を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、図５に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が１００であるイオンが受けるような軸方向擬ポテンシャルの、イオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図５に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が５００であるイオンが受けるような軸方向擬ポテンシャルの、イオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図７】図７は、図６Ａに示す実施形態に対するものであって、かつ質量電荷比が１００であるイオンが受けるような軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図８】図８は、質量電荷比依存障壁がイオンガイドまたは質量分析器の出口に形成され、かつ出口電極が比較的小さい開口を有するように構成される本発明の別の実施形態を示す。
【図９Ａ】図９Ａは、質量電荷比依存障壁がイオンガイドまたは質量分析器の出口に形成されるさらなる実施形態を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、電極に印加されるさらなる時間変化ポテンシャルの最大および最小ポテンシャルを示す。
【図１０】図１０は、好適なイオンガイドまたは質量分析器が使用時にスキャンされる四重極ロッドセット質量分析器と結合される一実施形態を示す。
【図１１】図１１は、好適なイオンガイドまたは質量分析器が直交加速飛行時間質量分析器に結合される一実施形態を示す。
【図１２】図１２は、質量電荷比依存障壁が好適なイオンガイドまたは質量分析器の入口に形成される一実施形態を示す。
【図１３Ａ】図１３Ａは、図１２に示すようなイオンガイドまたは質量分析器の中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が１００であるイオンの受けるような軸方向擬ポテンシャルのイオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１２に示すようなイオンガイドの中心線に沿った軸方向擬ポテンシャルであって、質量電荷比が５００であるイオンの受けるような軸方向擬ポテンシャルのイオンガイドまたは質量分析器に対する距離の関数としてのプロットを示す。
【図１４】図１４は、質量電荷比が１００であるイオンの受けるような、図１３Ａに示されるような軸方向および半径方向擬ポテンシャルの三次元プロットを示す。
【図１５】図１５は、イオン移動度分離デバイスが好適なイオンガイドまたは質量分析器に結合される一実施形態を示す。
【図１６】図１６は、イオンの質量電荷比のイオン移動度デバイスを通るドリフト時間の関数としてのプロットを示し、低質量カットオフ動作に対するスキャンラインを示す。
【図１７】図１７は、図１８Ａ〜図１８Ｅに示すような実験データを生成するために使用された実験構成を示す。
【図１８Ａ】図１８Ａは、軸方向擬ポテンシャル障壁が存在しない場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１７に示すような好適なイオンガイドまたは質量分析器の入口に設けられた場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｂに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｄ】図１８Ｄは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｃに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【図１８Ｅ】図１８Ｅは、軸方向擬ポテンシャル障壁が図１８Ｄに示す結果を得るために使用されたものよりも大きい大きさを有した場合に得られた質量スペクトルを示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進する手段とを含む質量分析器であって、
前記質量分析器は、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段をさらに含む、質量分析器。
【請求項２】
一動作モードにおいて、質量電荷比≧Ｍ１を有するイオンが前記イオンガイドを出て、他方質量電荷比＜Ｍ２を有するイオンが前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸によって前記イオンガイド内に軸方向にトラップまたは閉じ込められる、請求項１に記載の質量分析器。
【請求項３】
前記Ｍ１は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第１の範囲にある、請求項２に記載の質量分析器。
【請求項４】
前記Ｍ２は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第２の範囲にある、請求項２または３に記載の質量分析器。
【請求項５】
一動作モードにおいて、イオンは、それらの質量電荷比の順またはそれらの質量電荷比の逆順で、前記質量分析器から逐次排出される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６】
前記イオンガイドは、ｎ個の軸方向セグメントを含み、前記ｎは、（ｉ）１〜１０、（ｉｉ）１１〜２０、（ｉｉｉ）２１〜３０、（ｉｖ）３１〜４０、（ｖ）４１〜５０、（ｖｉ）５１〜６０、（ｖｉｉ）６１〜７０、（ｖｉｉｉ）７１〜８０、（ｉｘ）８１〜９０、（ｘ）９１〜１００、および（ｘｉ）＞１００からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７】
各軸方向セグメントは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０または＞２０個の電極を含む、請求項６に記載の質量分析器。
【請求項８】
前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸方向長さは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される、請求項６または７に記載の質量分析器。
【請求項９】
前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される、請求項６、７または８に記載の質量分析器。
【請求項１０】
前記イオンガイドは、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１】
前記イオンガイドは、少なくとも（ｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｉｉ）３０〜４０個の電極、（ｉｖ）４０〜５０個の電極、（ｖ）５０〜６０個の電極、（ｖｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｖｉｉｉ）８０〜９０個の電極、（ｉｘ）９０〜１００個の電極、（ｘ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｉｉ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｉｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖ）＞１５０個の電極を含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２】
前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンは、使用時に前記開口を通って移送される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形の開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１４】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズであるか、または実質的に同じ面積を有する開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１５】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、サイズまたは面積が前記イオンガイドの軸に沿った方向に漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１６】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１７】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに間隔をあけられる、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１８】
前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、開口を含み、かつ前記開口の内径または寸法の隣り合う電極間の中心間軸方向間隔に対する比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１９】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さまたは軸方向長さを有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２０】
前記イオンガイドは、セグメント化ロッドセットイオンガイドを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２１】
前記イオンガイドは、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極イオンガイドまたは８個より多くのセグメント化ロッドセットを含むイオンガイドを含む、請求項２０に記載の質量分析器。
【請求項２２】
前記イオンガイドは、（ｉ）略または実質的に円形断面、（ｉｉ）略または実質的に双曲面、（ｉｉｉ）円弧または部分円形断面、（ｉｖ）略または実質的に長方形断面、および（ｖ）略または実質的に正方形断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む、請求項２０または２１に記載の質量分析器。
【請求項２３】
前記イオンガイドは、複数のプレート電極を含み、複数のグループのプレート電極は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って配置される、請求項１〜１１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２４】
各グループのプレート電極は、第１のプレート電極および第２のプレート電極を含み、前記第１および第２のプレート電極は、実質的に同じ平面内に配置され、かつ前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に配置される、請求項２３に記載の質量分析器。
【請求項２５】
前記質量分析器は、イオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに含む、請求項２４に記載の質量分析器。
【請求項２６】
各グループの電極は、第３の電極および第４の電極をさらに含み、前記第３および第４の電極は、実質的に同じ平面内に配置され、かつ前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に前記第１および第２の電極とは異なる方向に配置される、請求項２４または２５に記載の質量分析器。
【請求項２７】
前記ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、イオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記ＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３のおよび第４のプレート電極に印加するように構成される、請求項２６に記載の質量分析器。
【請求項２８】
前記イオンを駆動または推進するための手段は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２９】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、（ｉ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｉ）１つのポテンシャル井戸、（ｉｉｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｖ）複数のポテンシャル井戸、（ｖ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁と１つのポテンシャル井戸との組み合わせ、または（ｖｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁と複数のポテンシャル井戸との組み合わせを作成する、請求項２８に記載の質量分析器。
【請求項３０】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、繰り返し波形または方形波を含む、請求項２８または２９に記載の質量分析器。
【請求項３１】
使用時に、複数の軸方向ＤＣポテンシャル井戸が前記イオンガイドの長さに沿って平行移動されるか、または複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って電極に漸進的に印加される、請求項２８、２９または３０に記載の質量分析器。
【請求項３２】
前記質量分析器は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される第１の手段をさらに含む、請求項２８〜３１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項３３】
前記第１の手段は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さをｘ1ボルトだけ期間ｔ1にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される、請求項３２に記載の質量分析器。
【請求項３４】
前記ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項３３に記載の質量分析器。
【請求項３５】
前記ｔ1は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項３３または３４に記載の質量分析器。
【請求項３６】
前記質量分析器は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第２の手段をさらに含む、請求項２８〜３５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項３７】
前記第２の手段は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極にｘ2ｍ／ｓだけ期間ｔ2にわたって印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項３６に記載の質量分析器。
【請求項３８】
前記ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択される、請求項３７に記載の質量分析器。
【請求項３９】
前記ｔ2は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項３７または３８に記載の質量分析器。
【請求項４０】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４１】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４２】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４３】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４４】
前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４５】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４６】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４７】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４８】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４９】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５０】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って提供または作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５１】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５２】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５３】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５４】
前記質量分析器は、前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第３の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５５】
前記第３の手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ3ボルトだけ期間ｔ3にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項５４に記載の質量分析器。
【請求項５６】
前記ｘ3は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項５５に記載の質量分析器。
【請求項５７】
前記ｔ3は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項５５または５６に記載の質量分析器。
【請求項５８】
前記質量分析器は、前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第４の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５９】
前記第４の手段は、前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ4ＭＨｚだけ期間ｔ4にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項５８に記載の質量分析器。
【請求項６０】
前記ｘ4は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項５９に記載の質量分析器。
【請求項６１】
前記ｔ4は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項５９または６０に記載の質量分析器。
【請求項６２】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６３】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６４】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％および／または前記複数の電極のうちの少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０または＞５０個に印加するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６５】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６６】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６７】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６８】
前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６９】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７０】
前記1つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７１】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７２】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７３】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７４】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７５】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７６】
前記第２の振幅は、前記第１の振幅よりも小さいか、または大きい、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７７】
前記第２の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項７６に記載の質量分析器。
【請求項７８】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第５の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７９】
前記第５の手段は、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ5ボルトだけ期間ｔ5にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項７８に記載の質量分析器。
【請求項８０】
前記ｘ5は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項７９に記載の質量分析器。
【請求項８１】
前記ｔ5は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項７９または８０に記載の質量分析器。
【請求項８２】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第６の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項８３】
前記第６の手段は、前記電極に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の周波数をｘ6ＭＨｚだけ期間ｔ6にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項８２に記載の質量分析器。
【請求項８４】
前記ｘ6は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項８３に記載の質量分析器。
【請求項８５】
前記ｔ6は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項８３または８４に記載の質量分析器。
【請求項８６】
前記質量分析器は、第１のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項８７】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第１のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第７の手段をさらに含む、請求項８６に記載の質量分析器。
【請求項８８】
前記第７の手段は、前記第１のＤＣ電圧の振幅をｘ7ボルトだけ期間ｔ7にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項８７に記載の質量分析器。
【請求項８９】
前記ｘ7は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項８８に記載の質量分析器。
【請求項９０】
前記ｔ7は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項８８または８９に記載の質量分析器。
【請求項９１】
前記質量分析器は、第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第３の振幅を有する１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成され、かつ前記第３の振幅は、前記第１の振幅および／または前記第２の振幅と異なるようにするための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９２】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、請求項９１に記載の質量分析器。
【請求項９３】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、請求項９１または９２に記載の質量分析器。
【請求項９４】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される、請求項９１、９２または９３に記載の質量分析器。
【請求項９５】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、請求項９１〜９４のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９６】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、請求項９１〜９５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９７】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、請求項９１〜９６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９８】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、請求項９１〜９７のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９９】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、請求項９１〜９８のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１００】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、請求項９１〜９９のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０１】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項９１〜１００のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０２】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される、請求項９１〜１０１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０３】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、請求項９１〜１０２のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０４】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、請求項９１〜１０３のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０５】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、請求項９１〜１０４のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０６】
前記第３の振幅は、前記第１の振幅および／または前記第２の振幅よりも小さいか、または大きい、請求項９１〜１０５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０７】
前記第３の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項９１〜１０６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０８】
前記第３の振幅の前記第２の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項９１〜１０７のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０９】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第８の手段をさらに含む、請求項９１〜１０８のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１０】
前記第８の手段は、前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ8ボルトだけ期間ｔ8にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１０９に記載の質量分析器。
【請求項１１１】
前記ｘ8は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項１１０に記載の質量分析器。
【請求項１１２】
前記ｔ8は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１０または１１１に記載の質量分析器。
【請求項１１３】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第９の手段をさらに含む、請求項９１〜１１２のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１４】
前記第９の手段は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ9ＭＨｚだけ期間ｔ9にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１１３に記載の質量分析器。
【請求項１１５】
前記ｘ9は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項１１４に記載の質量分析器。
【請求項１１６】
前記ｔ9は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１４または１１５に記載の質量分析器。
【請求項１１７】
前記質量分析器は、第２のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む、請求項９１〜１１６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１８】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１０の手段をさらに含む、請求項１１７に記載の質量分析器。
【請求項１１９】
前記第１０の手段は、前記第２のＤＣ電圧の振幅をｘ10ボルトだけ期間ｔ10にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１１８に記載の質量分析器。
【請求項１２０】
前記ｘ10は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項１１９に記載の質量分析器。
【請求項１２１】
前記ｔ10は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１９または１２０に記載の質量分析器。
【請求項１２２】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの前記電極のうちの少なくともいくつかに印加され、かつイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように作用するＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１１の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２３】
前記第１１の手段は、前記少なくともいくつかの電極に印加される前記ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅をｘ11ボルトだけ期間ｔ11にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１２２に記載の質量分析器。
【請求項１２４】
前記ｘ11は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項１２３に記載の質量分析器。
【請求項１２５】
前記ｔ11は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１２３または１２４に記載の質量分析器。
【請求項１２６】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＜１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１．０×１０-3ｍｂａｒ、および（ｉｖ）＜１．０×１０-4ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２７】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２８】
前記質量分析器は、前記イオンガイドを通るガスフローを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２９】
一動作モードにおいて、イオンが前記イオンガイド内にトラップされるが、実質的にフラグメンテーションされないように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３０】
前記質量分析器は、前記イオンガイド内のイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３１】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイド内のイオンを実質的にフラグメンテーションする手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３２】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに含み、一動作モードにおいて、前記１つ以上の電極がイオンをパルス化して前記イオンガイドへ入力および／またはそこから出力するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３３】
先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器を含む質量分析計。
【請求項１３４】
前記質量分析計は、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに含む、請求項１３３に記載の質量分析計。
【請求項１３５】
前記質量分析計は、連続またはパルス化イオン源をさらに含む、請求項１３３または１３４に記載の質量分析計。
【請求項１３６】
前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の質量フィルタをさらに含む、請求項１３３、１３４または１３５のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１３７】
前記１つ以上の質量フィルタは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）扇形磁場質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される、請求項１３６に記載の質量分析計。
【請求項１３８】
前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップをさらに含む、請求項１３３〜１３７のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１３９】
前記１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップは、
（ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多極ロッドセットもしくはセグメント化多極ロッドセットイオンガイドもまたはイオントラップ、
（ｉｉ）開口を有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップであって、使用時にイオンは、前記開口を通って移送され、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズもしくは面積の開口を有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉｉ）１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、前記スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含むか、または少なくとも前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが走行する平面内に一般に配置される、１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
（ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドであって、前記イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含み、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される、請求項１３８に記載の質量分析計。
【請求項１４０】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップを含み、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する、請求項１３８または１３９に記載の質量分析計。
【請求項１４１】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、イオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成および適合される第４のＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、請求項１３８、１３９または１４０に記載の質量分析計。
【請求項１４２】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、１ビームまたはグループのイオンを前記質量分析器から受け取り、そして前記ビームまたはグループのイオンを変換または分割して、少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０個の別々のパケットのイオンが任意の特定の時刻に前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に閉じ込めおよび／または隔離されるようにし、かつ各パケットのイオンは、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸内に別々に閉じ込めおよび／または隔離されるように構成および適合される、請求項１３８〜１４１のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４３】
前記質量分析計は、一動作モードにおいて、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％を通るか、またはそれに沿って上流および／または下流へ推進するように構成および適合される手段をさらに含む、請求項１３８〜１４２のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４４】
前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する前記電極に印加するように構成および適合される過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む、請求項１３８〜１４３のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４５】
前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する電極に印加するように構成および適合されるＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、請求項１３８〜１４４のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４６】
前記質量分析計は、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの少なくとも一部を（ｉ）＞０．０００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）０．０００１〜１００ｍｂａｒ、および（ｉｘ）０．００１〜１０ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように構成および適合される手段をさらに含む、請求項１３８〜１４５のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４７】
前記質量分析計は、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメンテーションするように構成および適合される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含む、請求項１３３〜１４６のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４８】
前記質量分析計は、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含む、請求項１３３〜１４７のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４９】
前記質量分析計は、前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器と前記衝突、フラグメンテーションまたは反応セルとの間のポテンシャル差を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む、請求項１４７または１４８に記載の質量分析計。
【請求項１５０】
前記質量分析器の上流および／または下流に配置されるさらなる質量分析器をさらに含む、請求項１３３〜１４９のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１５１】
前記さらなる質量分析器は、（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）扇形磁場質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）２Ｄまたは直線四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される、請求項１５０に記載の質量分析計。
【請求項１５２】
前記質量分析計は、前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器の動作と同期して、前記さらなる分析器の質量電荷比移送ウィンドウを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む、請求項１５０または１５１に記載の質量分析計。
【請求項１５３】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するステップと
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法。
【請求項１５４】
質量分析器であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するための手段と、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段とを含む質量分析器。
【請求項１５５】
イオンを質量分析する方法であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するステップと、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップとを含む方法。
【請求項１５６】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、手段と、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段とを含む質量分析器。
【請求項１５７】
各電極グループは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０または＞１０個の電極を含む、請求項１５６に記載の質量分析器。
【請求項１５８】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、ステップと、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法。
【請求項１５９】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するための手段と、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段と
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するための手段とを含む質量分析器。
【請求項１６０】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に低減するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ12ボルトだけ期間ｔ12にわたり漸進的に低減するように構成される、請求項１５９に記載の質量分析器。
【請求項１６１】
前記ｘ12は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項１６０に記載の質量分析器。
【請求項１６２】
前記ｔ12は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１６０または１６１に記載の質量分析器。
【請求項１６３】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、ステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するステップと、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップと
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するステップとを含む方法。
【請求項１６４】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が、使用時に、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするための手段と、
使用時に、前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６５】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、または変化するための手段は、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするように構成され、前記θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される、請求項１６４に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６６】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするステップと、
前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップとを含む方法。
【請求項１６７】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、または変化するステップは、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするステップを含み、前記θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される、請求項１６６に記載の方法。
【請求項１６８】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、前記ｎ≧２である、手段と、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するための手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６９】
前記ｎは、（ｉ）２、（ｉｉ）３、（ｉｉｉ）４、（ｉｖ）５、（ｖ）６、（ｖｉ）７、（ｖｉｉ）８、（ｖｉｉｉ）９、（ｉｘ）１０、および（ｘ）＞１０からなる群から選択される、請求項１６８に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７０】
前記第１の位相関係または第１のアスペクト比は、第１の周期、パターン、シーケンスまたは値を有し、かつ前記第２の位相関係または第２のアスペクト比は、第２の異なる周期、パターン、シーケンスまたは値を有する、請求項１６８または１６９に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７１】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、前記ｎ≧２である、ステップと、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するステップと、
１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするステップとを含む方法。
【請求項１７２】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、前記ｎ≧２である、手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７３】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、前記ｎ≧２である、ステップと、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするステップとを含む方法。
【請求項１】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進する手段とを含む質量分析器であって、
前記質量分析器は、
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段をさらに含む、質量分析器。
【請求項２】
一動作モードにおいて、質量電荷比≧Ｍ１を有するイオンが前記イオンガイドを出て、他方質量電荷比＜Ｍ２を有するイオンが前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸によって前記イオンガイド内に軸方向にトラップまたは閉じ込められる、請求項１に記載の質量分析器。
【請求項３】
前記Ｍ１は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第１の範囲にある、請求項２に記載の質量分析器。
【請求項４】
前記Ｍ２は、（ｉ）＜１００、（ｉｉ）１００〜２００、（ｉｉｉ）２００〜３００、（ｉｖ）３００〜４００、（ｖ）４００〜５００、（ｖｉ）５００〜６００、（ｖｉｉ）６００〜７００、（ｖｉｉｉ）７００〜８００、（ｉｘ）８００〜９００、（ｘ）９００〜１０００、および（ｘｉ）＞１０００からなる群から選択される第２の範囲にある、請求項２または３に記載の質量分析器。
【請求項５】
一動作モードにおいて、イオンは、それらの質量電荷比の順またはそれらの質量電荷比の逆順で、前記質量分析器から逐次排出される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６】
前記イオンガイドは、ｎ個の軸方向セグメントを含み、前記ｎは、（ｉ）１〜１０、（ｉｉ）１１〜２０、（ｉｉｉ）２１〜３０、（ｉｖ）３１〜４０、（ｖ）４１〜５０、（ｖｉ）５１〜６０、（ｖｉｉ）６１〜７０、（ｖｉｉｉ）７１〜８０、（ｉｘ）８１〜９０、（ｘ）９１〜１００、および（ｘｉ）＞１００からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７】
各軸方向セグメントは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０または＞２０個の電極を含む、請求項６に記載の質量分析器。
【請求項８】
前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸方向長さは、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される、請求項６または７に記載の質量分析器。
【請求項９】
前記軸方向セグメントのうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の間隔は、（ｉ）＜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される、請求項６、７または８に記載の質量分析器。
【請求項１０】
前記イオンガイドは、（ｉ）＜２０ｍｍ、（ｉｉ）２０〜４０ｍｍ、（ｉｉｉ）４０〜６０ｍｍ、（ｉｖ）６０〜８０ｍｍ、（ｖ）８０〜１００ｍｍ、（ｖｉ）１００〜１２０ｍｍ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０ｍｍ、（ｉｘ）１６０〜１８０ｍｍ、（ｘ）１８０〜２００ｍｍ、および（ｘｉ）＞２００ｍｍからなる群から選択される長さを有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１】
前記イオンガイドは、少なくとも（ｉ）１０〜２０個の電極、（ｉｉ）２０〜３０個の電極、（ｉｉｉ）３０〜４０個の電極、（ｉｖ）４０〜５０個の電極、（ｖ）５０〜６０個の電極、（ｖｉ）６０〜７０個の電極、（ｖｉｉ）７０〜８０個の電極、（ｖｉｉｉ）８０〜９０個の電極、（ｉｘ）９０〜１００個の電極、（ｘ）１００〜１１０個の電極、（ｘｉ）１１０〜１２０個の電極、（ｘｉｉ）１２０〜１３０個の電極、（ｘｉｉｉ）１３０〜１４０個の電極、（ｘｉｖ）１４０〜１５０個の電極、または（ｘｖ）＞１５０個の電極を含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２】
前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンは、使用時に前記開口を通って移送される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に円形、長方形、正方形または楕円形の開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１４】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズであるか、または実質的に同じ面積を有する開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１５】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、サイズまたは面積が前記イオンガイドの軸に沿った方向に漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１６】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する開口を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１７】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに間隔をあけられる、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１８】
前記複数の電極のうちの少なくともいくつかは、開口を含み、かつ前記開口の内径または寸法の隣り合う電極間の中心間軸方向間隔に対する比は、（ｉ）＜１．０、（ｉｉ）１．０〜１．２、（ｉｉｉ）１．２〜１．４、（ｉｖ）１．４〜１．６、（ｖ）１．６〜１．８、（ｖｉ）１．８〜２．０、（ｖｉｉ）２．０〜２．２、（ｖｉｉｉ）２．２〜２．４、（ｉｘ）２．４〜２．６、（ｘ）２．６〜２．８、（ｘｉ）２．８〜３．０、（ｘｉｉ）３．０〜３．２、（ｘｉｉｉ）３．２〜３．４、（ｘｉｖ）３．４〜３．６、（ｘｖ）３．６〜３．８、（ｘｖｉ）３．８〜４．０、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．２、（ｘｖｉｉｉ）４．２〜４．４、（ｘｉｘ）４．４〜４．６、（ｘｘ）４．６〜４．８、（ｘｘｉ）４．８〜５．０、および（ｘｘｉｉ）＞５．０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１９】
前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下からなる群から選択される厚さまたは軸方向長さを有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２０】
前記イオンガイドは、セグメント化ロッドセットイオンガイドを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２１】
前記イオンガイドは、セグメント化四重極、六重極もしくは八重極イオンガイドまたは８個より多くのセグメント化ロッドセットを含むイオンガイドを含む、請求項２０に記載の質量分析器。
【請求項２２】
前記イオンガイドは、（ｉ）略または実質的に円形断面、（ｉｉ）略または実質的に双曲面、（ｉｉｉ）円弧または部分円形断面、（ｉｖ）略または実質的に長方形断面、および（ｖ）略または実質的に正方形断面からなる群から選択される断面を有する複数の電極を含む、請求項２０または２１に記載の質量分析器。
【請求項２３】
前記イオンガイドは、複数のプレート電極を含み、複数のグループのプレート電極は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って配置される、請求項１〜１１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２４】
各グループのプレート電極は、第１のプレート電極および第２のプレート電極を含み、前記第１および第２のプレート電極は、実質的に同じ平面内に配置され、かつ前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に配置される、請求項２３に記載の質量分析器。
【請求項２５】
前記質量分析器は、イオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２のプレート電極に印加するための手段をさらに含む、請求項２４に記載の質量分析器。
【請求項２６】
各グループの電極は、第３の電極および第４の電極をさらに含み、前記第３および第４の電極は、実質的に同じ平面内に配置され、かつ前記イオンガイドの中心長軸のいずれか一方の側に前記第１および第２の電極とは異なる方向に配置される、請求項２４または２５に記載の質量分析器。
【請求項２７】
前記ＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、イオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるために、前記ＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３のおよび第４のプレート電極に印加するように構成される、請求項２６に記載の質量分析器。
【請求項２８】
前記イオンを駆動または推進するための手段は、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に印加するための手段を含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項２９】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形は、（ｉ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｉ）１つのポテンシャル井戸、（ｉｉｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁、（ｉｖ）複数のポテンシャル井戸、（ｖ）１つのポテンシャルの山もしくは障壁と１つのポテンシャル井戸との組み合わせ、または（ｖｉ）複数のポテンシャルの山もしくは障壁と複数のポテンシャル井戸との組み合わせを作成する、請求項２８に記載の質量分析器。
【請求項３０】
前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはポテンシャル波形は、繰り返し波形または方形波を含む、請求項２８または２９に記載の質量分析器。
【請求項３１】
使用時に、複数の軸方向ＤＣポテンシャル井戸が前記イオンガイドの長さに沿って平行移動されるか、または複数の過渡ＤＣポテンシャルまたは電圧が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って電極に漸進的に印加される、請求項２８、２９または３０に記載の質量分析器。
【請求項３２】
前記質量分析器は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される第１の手段をさらに含む、請求項２８〜３１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項３３】
前記第１の手段は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記１つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形の振幅、高さまたは深さをｘ1ボルトだけ期間ｔ1にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される、請求項３２に記載の質量分析器。
【請求項３４】
前記ｘ1は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項３３に記載の質量分析器。
【請求項３５】
前記ｔ1は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項３３または３４に記載の質量分析器。
【請求項３６】
前記質量分析器は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極に印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第２の手段をさらに含む、請求項２８〜３５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項３７】
前記第２の手段は、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは前記1つ以上のＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形が前記電極にｘ2ｍ／ｓだけ期間ｔ2にわたって印加される速度またはレートを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項３６に記載の質量分析器。
【請求項３８】
前記ｘ2は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、（ｘｉ）１０〜１１、（ｘｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｉｉ）１２〜１３、（ｘｉｖ）１３〜１４、（ｘｖ）１４〜１５、（ｘｖｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉ）１６〜１７、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８、（ｘｉｘ）１８〜１９、（ｘｘ）１９〜２０、（ｘｘｉ）２０〜３０、（ｘｘｉｉ）３０〜４０、（ｘｘｉｉｉ）４０〜５０、（ｘｘｉｖ）５０〜６０、（ｘｘｖ）６０〜７０、（ｘｘｖｉ）７０〜８０、（ｘｘｖｉｉ）８０〜９０、（ｘｘｖｉｉｉ）９０〜１００、（ｘｘｉｘ）１００〜１５０、（ｘｘｘ）１５０〜２００、（ｘｘｘｉ）２００〜２５０、（ｘｘｘｉｉ）２５０〜３００、（ｘｘｘｉｉｉ）３００〜３５０、（ｘｘｘｉｖ）３５０〜４００、（ｘｘｘｖ）４００〜４５０、（ｘｘｘｖｉ）４５０〜５００、および（ｘｘｘｖｉｉ）＞５００からなる群から選択される、請求項３７に記載の質量分析器。
【請求項３９】
前記ｔ2は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項３７または３８に記載の質量分析器。
【請求項４０】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４１】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４２】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４３】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４４】
前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４５】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４６】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４７】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４８】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項４９】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５０】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って提供または作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５１】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５２】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５３】
前記複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５４】
前記質量分析器は、前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第３の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５５】
前記第３の手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ3ボルトだけ期間ｔ3にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項５４に記載の質量分析器。
【請求項５６】
前記ｘ3は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項５５に記載の質量分析器。
【請求項５７】
前記ｔ3は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項５５または５６に記載の質量分析器。
【請求項５８】
前記質量分析器は、前記電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第４の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項５９】
前記第４の手段は、前記電極に印加される前記第１のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ4ＭＨｚだけ期間ｔ4にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項５８に記載の質量分析器。
【請求項６０】
前記ｘ4は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項５９に記載の質量分析器。
【請求項６１】
前記ｔ4は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項５９または６０に記載の質量分析器。
【請求項６２】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６３】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６４】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％および／または前記複数の電極のうちの少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０または＞５０個に印加するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６５】
前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６６】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６７】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６８】
前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項６９】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記複数の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７０】
前記1つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７１】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７２】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７３】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７４】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７５】
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７６】
前記第２の振幅は、前記第１の振幅よりも小さいか、または大きい、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７７】
前記第２の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項７６に記載の質量分析器。
【請求項７８】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第５の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項７９】
前記第５の手段は、前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ5ボルトだけ期間ｔ5にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項７８に記載の質量分析器。
【請求項８０】
前記ｘ5は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項７９に記載の質量分析器。
【請求項８１】
前記ｔ5は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項７９または８０に記載の質量分析器。
【請求項８２】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第６の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項８３】
前記第６の手段は、前記電極に印加される前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の周波数をｘ6ＭＨｚだけ期間ｔ6にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項８２に記載の質量分析器。
【請求項８４】
前記ｘ6は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項８３に記載の質量分析器。
【請求項８５】
前記ｔ6は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項８３または８４に記載の質量分析器。
【請求項８６】
前記質量分析器は、第１のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項８７】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第１のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第７の手段をさらに含む、請求項８６に記載の質量分析器。
【請求項８８】
前記第７の手段は、前記第１のＤＣ電圧の振幅をｘ7ボルトだけ期間ｔ7にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項８７に記載の質量分析器。
【請求項８９】
前記ｘ7は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項８８に記載の質量分析器。
【請求項９０】
前記ｔ7は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項８８または８９に記載の質量分析器。
【請求項９１】
前記質量分析器は、第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、第３の振幅を有する１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成され、かつ前記第３の振幅は、前記第１の振幅および／または前記第２の振幅と異なるようにするための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９２】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される振幅を有する、請求項９１に記載の質量分析器。
【請求項９３】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される周波数を有する、請求項９１または９２に記載の質量分析器。
【請求項９４】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成される、請求項９１、９２または９３に記載の質量分析器。
【請求項９５】
前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧を印加するための手段は、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合う電極グループに前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相を供給するように構成される、請求項９１〜９４のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９６】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、使用時に、前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成される、請求項９１〜９５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９７】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％に沿って作成または提供される、請求項９１〜９６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９８】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの上流部分および／または中間部分および／または下流部分に作成または提供される、請求項９１〜９７のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項９９】
前記イオンガイドは、長さＬを有し、かつ前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの長さに沿って、（ｉ）０〜０．１Ｌ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｌ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｌ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｌ、（ｖ）０．４〜０．５Ｌ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｌ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｌ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｌ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｌ、および（ｘ）０．９〜１．０Ｌからなる群から選択される変位を有する１つ以上の領域または位置に作成または提供される、請求項９１〜９８のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１００】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの中心長軸から遠ざかるように半径方向に少なくともｒ ｍｍだけ延伸し、前記ｒは、（ｉ）＜１、（ｉｉ）１〜２、（ｉｉｉ）２〜３、（ｉｖ）３〜４、（ｖ）４〜５、（ｖｉ）５〜６、（ｖｉｉ）６〜７、（ｖｉｉｉ）７〜８、（ｉｘ）８〜９、（ｘ）９〜１０、および（ｘｉ）＞１０からなる群から選択される、請求項９１〜９９のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０１】
質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００または９００〜１０００の範囲にあるイオンに対して、前記第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸のうちの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の振幅、高さまたは深さは、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項９１〜１００のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０２】
使用時に、１ｃｍ当たり少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さに沿って提供または作成される、請求項９１〜１０１のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０３】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、前記複数の電極の軸方向位置に対応する極小値を有する、請求項９１〜１０２のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０４】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、前記イオンガイドの軸方向長さに沿って、近接する電極間の軸方向距離または間隔の実質的に５０％に対応する軸方向位置に位置付けられた極大値を有する、請求項９１〜１０３のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０５】
前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸は、特定の質量電荷比を有するイオンに対して実質的に同じ高さ、深さまたは振幅である極小値および／または極大値を有し、かつ前記極小値および／または極大値は、前記複数の電極の軸方向変位または間隔と実質的に同じである周期、またはその倍数である周期を有する、請求項９１〜１０４のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０６】
前記第３の振幅は、前記第１の振幅および／または前記第２の振幅よりも小さいか、または大きい、請求項９１〜１０５のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０７】
前記第３の振幅の前記第１の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項９１〜１０６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０８】
前記第３の振幅の前記第２の振幅に対する比は、（ｉ）＜１、（ｉｉ）＞１、（ｉｉｉ）１〜２、（ｉｖ）２〜３、（ｖ）３〜４、（ｖｉ）４〜５、（ｖｉｉ）５〜６、（ｖｉｉｉ）６〜７、（ｉｘ）７〜８、（ｘ）８〜９、（ｘｉ）９〜１０、（ｘｉｉ）１０〜１１、（ｘｉｉｉ）１１〜１２、（ｘｉｖ）１２〜１３、（ｘｖ）１３〜１４、（ｘｖｉ）１４〜１５、（ｘｖｉｉ）１５〜１６、（ｘｖｉｉｉ）１６〜１７、（ｘｉｘ）１７〜１８、（ｘｘ）１８〜１９、（ｘｘｉ）１９〜２０、（ｘｘｉｉ）２０〜２５、（ｘｘｉｉｉ）２５〜３０、（ｘｘｉｖ）３０〜３５、（ｘｘｖ）３５〜４０、（ｘｘｖｉ）４０〜４５、（ｘｘｖｉｉ）４５〜５０、（ｘｘｖｉｉｉ）５０〜６０、（ｘｘｉｘ）６０〜７０、（ｘｘｘ）７０〜８０、（ｘｘｘｉ）８０〜９０、（ｘｘｘｉｉ）９０〜１００、および（ｘｘｘｉｉｉ）＞１００からなる群から選択される、請求項９１〜１０７のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１０９】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第８の手段をさらに含む、請求項９１〜１０８のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１０】
前記第８の手段は、前記第３のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ8ボルトだけ期間ｔ8にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１０９に記載の質量分析器。
【請求項１１１】
前記ｘ8は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項１１０に記載の質量分析器。
【請求項１１２】
前記ｔ8は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１０または１１１に記載の質量分析器。
【請求項１１３】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第９の手段をさらに含む、請求項９１〜１１２のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１４】
前記第９の手段は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第３のＲＦまたはＡＣ電圧の周波数をｘ9ＭＨｚだけ期間ｔ9にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１１３に記載の質量分析器。
【請求項１１５】
前記ｘ9は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選択される、請求項１１４に記載の質量分析器。
【請求項１１６】
前記ｔ9は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１４または１１５に記載の質量分析器。
【請求項１１７】
前記質量分析器は、第２のＤＣ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、前記１つ以上の第３の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸がＤＣ軸方向ポテンシャル障壁または井戸を軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁もしくは井戸と組み合わせて含むようにするための手段をさらに含む、請求項９１〜１１６のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１１８】
前記質量分析器は、前記複数の電極のうちの１つ以上に印加される前記第２のＤＣ電圧の振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１０の手段をさらに含む、請求項１１７に記載の質量分析器。
【請求項１１９】
前記第１０の手段は、前記第２のＤＣ電圧の振幅をｘ10ボルトだけ期間ｔ10にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１１８に記載の質量分析器。
【請求項１２０】
前記ｘ10は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項１１９に記載の質量分析器。
【請求項１２１】
前記ｔ10は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１１９または１２０に記載の質量分析器。
【請求項１２２】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの前記電極のうちの少なくともいくつかに印加され、かつイオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるように作用するＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される第１１の手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２３】
前記第１１の手段は、前記少なくともいくつかの電極に印加される前記ＤＣ電圧またはポテンシャルの振幅をｘ11ボルトだけ期間ｔ11にわたって漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される、請求項１２２に記載の質量分析器。
【請求項１２４】
前記ｘ11は、（ｉ）＜０．１Ｖ、（ｉｉ）０．１〜０．２Ｖ、（ｉｉｉ）０．２〜０．３Ｖ、（ｉｖ）０．３〜０．４Ｖ、（ｖ）０．４〜０．５Ｖ、（ｖｉ）０．５〜０．６Ｖ、（ｖｉｉ）０．６〜０．７Ｖ、（ｖｉｉｉ）０．７〜０．８Ｖ、（ｉｘ）０．８〜０．９Ｖ、（ｘ）０．９〜１．０Ｖ、（ｘｉ）１．０〜１．５Ｖ、（ｘｉｉ）１．５〜２．０Ｖ、（ｘｉｉｉ）２．０〜２．５Ｖ、（ｘｉｖ）２．５〜３．０Ｖ、（ｘｖ）３．０〜３．５Ｖ、（ｘｖｉ）３．５〜４．０Ｖ、（ｘｖｉｉ）４．０〜４．５Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）４．５〜５．０Ｖ、（ｘｉｘ）５．０〜５．５Ｖ、（ｘｘ）５．５〜６．０Ｖ、（ｘｘｉ）６．０〜６．５Ｖ、（ｘｘｉｉ）６．５〜７．０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）７．０〜７．５Ｖ、（ｘｘｉｖ）７．５〜８．０Ｖ、（ｘｘｖ）８．０〜８．５Ｖ、（ｘｘｖｉ）８．５〜９．０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）９．０〜９．５Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５〜１０．０Ｖ、および（ｘｘｉｘ）＞１０．０Ｖからなる群から選択される、請求項１２３に記載の質量分析器。
【請求項１２５】
前記ｔ11は、（ｉ）＜ｌｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１２３または１２４に記載の質量分析器。
【請求項１２６】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＜１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｉ）＜１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＜１．０×１０-3ｍｂａｒ、および（ｉｖ）＜１．０×１０-4ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２７】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイドを（ｉ）＞１．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１．０×１０-1ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞５．０×１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞５．０×１０-2ｍｂａｒ、（ｉｘ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、（ｘ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、および（ｘｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２８】
前記質量分析器は、前記イオンガイドを通るガスフローを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成および適合される手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１２９】
一動作モードにおいて、イオンが前記イオンガイド内にトラップされるが、実質的にフラグメンテーションされないように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３０】
前記質量分析器は、前記イオンガイド内のイオンを衝突により冷却するか、または実質的に熱化するための手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３１】
前記質量分析器は、一動作モードにおいて、前記イオンガイド内のイオンを実質的にフラグメンテーションする手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３２】
前記質量分析器は、前記イオンガイドの入口および／または出口に配置される１つ以上の電極をさらに含み、一動作モードにおいて、前記１つ以上の電極がイオンをパルス化して前記イオンガイドへ入力および／またはそこから出力するように構成される、先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器。
【請求項１３３】
先行する請求項のいずれかに記載の質量分析器を含む質量分析計。
【請求項１３４】
前記質量分析計は、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、および（ｘｖｉｉ）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されるイオン源をさらに含む、請求項１３３に記載の質量分析計。
【請求項１３５】
前記質量分析計は、連続またはパルス化イオン源をさらに含む、請求項１３３または１３４に記載の質量分析計。
【請求項１３６】
前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の質量フィルタをさらに含む、請求項１３３、１３４または１３５のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１３７】
前記１つ以上の質量フィルタは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタまたは質量分析器、（ｉｉｉ）ウィーンフィルタ、および（ｉｖ）扇形磁場質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される、請求項１３６に記載の質量分析計。
【請求項１３８】
前記質量分析計は、前記質量分析器の上流および／または下流に配置される１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップをさらに含む、請求項１３３〜１３７のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１３９】
前記１つ以上の第２のイオンガイドまたはイオントラップは、
（ｉ）四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは８個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多極ロッドセットもしくはセグメント化多極ロッドセットイオンガイドもまたはイオントラップ、
（ｉｉ）開口を有する複数の電極または少なくとも２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０もしくは１００個の電極を含むイオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップであって、使用時にイオンは、前記開口を通って移送され、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、実質的に同じサイズもしくは面積の開口を有するか、またはサイズもしくは面積が漸進的により大きくおよび／またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップ、
（ｉｉｉ）１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、前記スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９もしくは２０個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含むか、または少なくとも前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、使用時にイオンが走行する平面内に一般に配置される、１スタックもしくはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
（ｉｖ）イオントラップまたはイオンガイドであって、前記イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含み、各グループの電極は、（ａ）第１および第２の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第１の半径方向に閉じ込めるためにＤＣ電圧またはポテンシャルを前記第１および第２の電極に印加するための手段、および（ｂ）第３および第４の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第２の半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第３および第４の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイドからなる群から選択される、請求項１３８に記載の質量分析計。
【請求項１４０】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、イオントンネルもしくはイオンファネルイオンガイドまたはイオントラップを含み、前記電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％は、（ｉ）≦１．０ｍｍ、（ｉｉ）≦２．０ｍｍ、（ｉｉｉ）≦３．０ｍｍ、（ｉｖ）≦４．０ｍｍ、（ｖ）≦５．０ｍｍ、（ｖｉ）≦６．０ｍｍ、（ｖｉｉ）≦７．０ｍｍ、（ｖｉｉｉ）≦８．０ｍｍ、（ｉｘ）≦９．０ｍｍ、（ｘ）≦１０．０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０．０ｍｍからなる群から選択される内径または寸法を有する、請求項１３８または１３９に記載の質量分析計。
【請求項１４１】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、イオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に半径方向に閉じ込めるためにＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの前記複数の電極のうちの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に印加するように構成および適合される第４のＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、請求項１３８、１３９または１４０に記載の質量分析計。
【請求項１４２】
前記第２のイオンガイドまたはイオントラップは、１ビームまたはグループのイオンを前記質量分析器から受け取り、そして前記ビームまたはグループのイオンを変換または分割して、少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０個の別々のパケットのイオンが任意の特定の時刻に前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に閉じ込めおよび／または隔離されるようにし、かつ各パケットのイオンは、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップ内に形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸内に別々に閉じ込めおよび／または隔離されるように構成および適合される、請求項１３８〜１４１のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４３】
前記質量分析計は、一動作モードにおいて、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％を通るか、またはそれに沿って上流および／または下流へ推進するように構成および適合される手段をさらに含む、請求項１３８〜１４２のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４４】
前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する前記電極に印加するように構成および適合される過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む、請求項１３８〜１４３のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４５】
前記質量分析計は、少なくともいくつかのイオンを前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの軸方向長さの少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って下流および／または上流へ推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記第２のイオンガイドまたはイオントラップを形成する電極に印加するように構成および適合されるＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、請求項１３８〜１４４のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４６】
前記質量分析計は、前記第２のイオンガイドまたはイオントラップの少なくとも一部を（ｉ）＞０．０００１ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞０．００１ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞０．０１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）０．０００１〜１００ｍｂａｒ、および（ｉｘ）０．００１〜１０ｍｂａｒからなる群から選択される圧力に維持するように構成および適合される手段をさらに含む、請求項１３８〜１４５のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４７】
前記質量分析計は、イオンを衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってフラグメンテーションするように構成および適合される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含む、請求項１３３〜１４６のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４８】
前記質量分析計は、（ｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｖｉｉｉ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスをさらに含む、請求項１３３〜１４７のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１４９】
前記質量分析計は、前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器と前記衝突、フラグメンテーションまたは反応セルとの間のポテンシャル差を漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む、請求項１４７または１４８に記載の質量分析計。
【請求項１５０】
前記質量分析器の上流および／または下流に配置されるさらなる質量分析器をさらに含む、請求項１３３〜１４９のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項１５１】
前記さらなる質量分析器は、（ｉ）フーリエ変換（「ＦＴ」）質量分析器、（ｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｉｉ）飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析器、（ｉｖ）直交加速飛行時間（「ｏａＴＯＦ」）質量分析器、（ｖ）軸方向加速飛行時間質量分析器、（ｖｉ）扇形磁場質量分析計、（ｖｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極質量分析器、（ｖｉｉｉ）２Ｄまたは直線四重極質量分析器、（ｉｘ）ペニングトラップ質量分析器、（ｘ）イオントラップ質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換オービトラップ、（ｘｉｉ）静電イオンサイクロトロン共鳴質量分析計、（ｘｉｉｉ）静電フーリエ変換質量分析計、および（ｘｉｖ）四重極ロッドセット質量フィルタまたは質量分析器からなる群から選択される、請求項１５０に記載の質量分析計。
【請求項１５２】
前記質量分析計は、前記質量分析器のサイクル時間の間またはそれにわたって前記質量分析器の動作と同期して、前記さらなる分析器の質量電荷比移送ウィンドウを漸進的に増加するか、漸進的に低減するか、漸進的に変更するか、スキャンするか、直線的に増加するか、直線的に低減するか、段階的、漸進的もしくは他のやり方で増加するか、または段階的、漸進的もしくは他のやり方で低減するように構成または適合される手段をさらに含む、請求項１５０または１５１に記載の質量分析計。
【請求項１５３】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するステップと
第２のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法。
【請求項１５４】
質量分析器であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するための手段と、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにする手段とを含む質量分析器。
【請求項１５５】
イオンを質量分析する方法であって、
開口を有する複数の電極を含むイオンガイドであって、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
イオンを前記イオンガイド内に半径方向に閉じ込めるために、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加するステップと、
第２の異なるＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの１つ以上に印加して、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップとを含む方法。
【請求項１５６】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、手段と、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするための手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段とを含む質量分析器。
【請求項１５７】
各電極グループは、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０または＞１０個の電極を含む、請求項１５６に記載の質量分析器。
【請求項１５８】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、ステップと、
１つ以上の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップとを含む方法。
【請求項１５９】
質量分析器であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、使用時にイオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするための手段であって、使用時に、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、手段と、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するための手段と、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、使用時に、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするため手段であって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、手段と
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するための手段とを含む質量分析器。
【請求項１６０】
前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を漸進的に低減するための手段は、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅をｘ12ボルトだけ期間ｔ12にわたり漸進的に低減するように構成される、請求項１５９に記載の質量分析器。
【請求項１６１】
前記ｘ12は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、（ｘｉ）５００〜５５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉ）５５０〜６００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｉｉ）６００〜６５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｖ）６５０〜７００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖ）７００〜７５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉ）７５０〜８００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉ）８００〜８５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０〜９００Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｉｘ）９００〜９５０Ｖピークトゥピーク、（ｘｘｘ）９５０〜１０００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｘｘｉ）＞１０００Ｖピークトゥピークからなる群から選択される、請求項１６０に記載の質量分析器。
【請求項１６２】
前記ｔ12は、（ｉ）＜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜１０ｍｓ、（ｉｉｉ）１０〜２０ｍｓ、（ｉｖ）２０〜３０ｍｓ、（ｖ）３０〜４０ｍｓ、（ｖｉ）４０〜５０ｍｓ、（ｖｉｉ）５０〜６０ｍｓ、（ｖｉｉｉ）６０〜７０ｍｓ、（ｉｘ）７０〜８０ｍｓ、（ｘ）８０〜９０ｍｓ、（ｘｉ）９０〜１００ｍｓ、（ｘｉｉ）１００〜２００ｍｓ、（ｘｉｉｉ）２００〜３００ｍｓ、（ｘｉｖ）３００〜４００ｍｓ、（ｘｖ）４００〜５００ｍｓ、（ｘｖｉ）５００〜６００ｍｓ、（ｘｖｉｉ）６００〜７００ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）７００〜８００ｍｓ、（ｘｉｘ）８００〜９００ｍｓ、（Ｘｘ）９００〜１０００ｍｓ、（ｘｘｉ）１〜２ｓ、（ｘｘｉｉ）２〜３ｓ、（ｘｘｉｉｉ）３〜４ｓ、（ｘｘｉｖ）４〜５ｓ、および（ｘｘｖ）＞５ｓからなる群から選択される、請求項１６０または１６１に記載の質量分析器。
【請求項１６３】
イオンを質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドであって、前記複数の電極は、開口を有する電極を含み、イオンが前記開口を通って移送される、イオンガイドを準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極のうちの少なくともいくつかに印加して、軸方向に隣り合う電極または軸方向に隣り合うグループの電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相が供給されるようにするステップであって、第１の振幅を有する複数の第１の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成される、ステップと、
イオンを前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って駆動または推進するために１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャルまたは１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくはポテンシャル波形を前記複数の電極に印加するステップと、
１対の軸方向に隣り合う電極または１対の軸方向に隣り合うグループの電極に印加される前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の極性を反転して、第２の振幅を有する１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸が前記イオンガイドの軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成されるようにするステップであって、前記第２の振幅は、前記第１の振幅と異なる、ステップと
前記１つ以上の第２の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸の振幅を漸進的に低減するために、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の振幅を直線的に、段階的に、または他のやり方で漸進的に低減するステップとを含む方法。
【請求項１６４】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が、使用時に、前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするための手段と、
使用時に、前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６５】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、または変化するための手段は、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするように構成され、前記θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される、請求項１６４に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６６】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加して、少なくともいくつかの電極が前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の互いに反対の位相に維持されるようにするステップと、
前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁を作成するために、１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、変化またはスキャンするステップとを含む方法。
【請求項１６７】
前記１つ以上の電極の位相差または極性を変更、切り換え、または変化するステップは、前記位相差または極性をθ°だけ変更、切り換え、変化またはスキャンするステップを含み、前記θは、（ｉ）＜１０、（ｉｉ）１０〜２０、（ｉｉｉ）２０〜３０、（ｉｖ）３０〜４０、（ｖ）４０〜５０、（ｖｉ）５０〜６０、（ｖｉｉ）６０〜７０、（ｖｉｉｉ）７０〜８０、（ｉｘ）８０〜９０、（ｘ）９０、（ｘｉ）９０〜１００、（ｘｉｉ）１００〜１１０、（ｘｉｉｉ）１１０〜１２０、（ｘｉｖ）１２０〜１３０、（ｘｖ）１３０〜１４０、（ｘｖｉ）１４０〜１５０、（ｘｖｉｉ）１５０〜１６０、（ｘｖｉｉｉ）１６０〜１７０、（ｘｉｘ）１７０〜１８０、および（ｘｘ）１８０からなる群から選択される、請求項１６６に記載の方法。
【請求項１６８】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、前記ｎ≧２である、手段と、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するための手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１６９】
前記ｎは、（ｉ）２、（ｉｉ）３、（ｉｉｉ）４、（ｉｖ）５、（ｖ）６、（ｖｉ）７、（ｖｉｉ）８、（ｖｉｉｉ）９、（ｉｘ）１０、および（ｘ）＞１０からなる群から選択される、請求項１６８に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７０】
前記第１の位相関係または第１のアスペクト比は、第１の周期、パターン、シーケンスまたは値を有し、かつ前記第２の位相関係または第２のアスペクト比は、第２の異なる周期、パターン、シーケンスまたは値を有する、請求項１６８または１６９に記載のイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７１】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、前記ｎ≧２である、ステップと、
前記複数の電極の間の、そこでの、またはそれらの第１の位相関係または第１のアスペクト比を維持するステップと、
１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のサブセットの間の、そこでの、またはそれらの位相関係またはアスペクト比を変化させて、前記電極サブセットの間の、そこでの、またはそれらの第２の異なる位相関係または第２のアスペクト比が維持されるようにするステップとを含む方法。
【請求項１７２】
イオンガイドまたは質量分析器であって、
複数の電極と、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するための手段であって、前記ｎ≧２である、手段と、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするための手段とを含むイオンガイドまたは質量分析器。
【請求項１７３】
イオンをガイドまたは質量分析する方法であって、
複数の電極を含むイオンガイドまたは質量分析器を準備するステップと、
ｎ−位相ＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に印加するステップであって、前記ｎ≧２である、ステップと、
使用時に、１つ以上の軸方向時間平均または擬ポテンシャル障壁、波形形状もしくは井戸を前記イオンガイドまたは質量分析器の軸方向長さの少なくとも一部に沿って作成するために、前記複数の電極のうちの１つ以上の電極の位相またはアスペクト比をスキャンするステップとを含む方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１８Ｃ】
【図１８Ｄ】
【図１８Ｅ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１８Ｃ】
【図１８Ｄ】
【図１８Ｅ】
【公表番号】特表２００９−５３５７６１（Ｐ２００９−５３５７６１Ａ）
【公表日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５０７１７４（Ｐ２００９−５０７１７４）
【出願日】平成１９年４月３０日（２００７．４．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００７／００１５８９
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１２５３５４
【国際公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【出願人】（５０４１４２０９７）マイクロマス ユーケー リミテッド (57)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月３０日（２００７．４．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００７／００１５８９
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１２５３５４
【国際公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【出願人】（５０４１４２０９７）マイクロマス ユーケー リミテッド (57)
【Ｆターム（参考）】
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