質量分析計
【課題】
【解決手段】電子移動解離セル１を備える質量分析計が開示される。セル１により、正の検体イオンが１価の負の試薬イオンとの衝突によりフラグメントイオンへとフラグメンテーションされる。セルは、球状のトラップ空間を形成する複数のリング電極１を備える。イオンは、トラップ空間の大部分上で無視できる程度のＲＦ加熱を受け、これにより、検体イオンおよび試薬イオンの運動エネルギーを、熱温度をわずかに超える温度に低下させることが可能となる。その結果、感度が向上した電子移動解離セル１が提供される。セル１内で生成されたフラグメントイオンを冷却し、直交加速式飛行時間質量分析部へと前方移送することができ、これにより、得られる質量分析部の分解能を大きく向上させることが可能となる。
【解決手段】電子移動解離セル１を備える質量分析計が開示される。セル１により、正の検体イオンが１価の負の試薬イオンとの衝突によりフラグメントイオンへとフラグメンテーションされる。セルは、球状のトラップ空間を形成する複数のリング電極１を備える。イオンは、トラップ空間の大部分上で無視できる程度のＲＦ加熱を受け、これにより、検体イオンおよび試薬イオンの運動エネルギーを、熱温度をわずかに超える温度に低下させることが可能となる。その結果、感度が向上した電子移動解離セル１が提供される。セル１内で生成されたフラグメントイオンを冷却し、直交加速式飛行時間質量分析部へと前方移送することができ、これにより、得られる質量分析部の分解能を大きく向上させることが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は質量分析計に関する。好適な実施形態は、正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンと反応または相互作用することによりフラグメンテーションされる、電子移動解離（「ＥＴＤ」）反応またはフラグメンテーションデバイスに関する。検体イオンおよび試薬イオンは、好ましくは、変形イオントンネルイオントラップ内で形成される球状のイオントラップ空間（volume）内で熱温度（thermal temperatures）付近まで冷却される。その結果、検体イオンはより優れた効率でフラグメンテーションされる。得られるフラグメントまたは生成イオンもまた、好ましくは、熱温度付近まで冷却され、次いで、飛行時間質量分析部によって質量分析され得る。
【背景技術】
【０００２】
逆極性のイオンをイオントラップ内に同時に閉じ込めることが知られている。イオントラップ内の有効電位はイオンの極性に依存しないこともまた知られており、したがって、例えば、四重極イオントラップは、正イオンおよび負イオンの両方を同時に収容するように構成され得る。
【０００３】
電子移動解離（「ＥＴＤ」）およびプロトン移動反応（「ＰＴＲ」）などのイオン−イオン反応が、市販の変形三次元イオントラップにおいて研究されている。電子移動解離は、正の高電荷検体イオンを負電荷の試薬イオンと相互作用または衝突させることを含む。イオン−イオン反応の結果、正電荷の検体イオンは、複数のフラグメントまたは生成イオンへとフラグメンテーションされる。生成されたフラグメントまたは生成イオンにより、親である検体の生体分子イオンの配列を決定することが可能となる。
【０００４】
検体イオンが電子と相互作用することによりフラグメンテーションされる電子捕獲解離もまた知られている。しかし、電子捕獲解離と比較して、電子移動解離反応またはフラグメンテーションが有利であるのは特に、イオン−電子衝突を誘起するように電子の経路を制限するために比較的強い磁場を形成する必要がないということである。
【０００５】
電子移動解離実験が三次元またはポールイオントラップにおいて試みられている。三次元またはポールイオントラップは、中心のリング電極と、双曲面を有する２つのエンドキャップ電極とを備える。軸方向次元および半径方向次元の両方で四重極電界において三次元またはポールイオントラップ内にイオンが閉じ込められる。しかし、三次元またはポールイオントラップを用いた電子移動解離が研究されてきたものの、このような三次元イオントラップ内で、正電荷の検体イオンの実際のフラグメンテーションはあったとしてもほとんど観察されていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、改良された電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを提供することが所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によると、複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、複数のリング電極内に形成された好適な反応またはフラグメンテーションセルを上流イオントンネルイオンガイドおよび下流イオントンネルイオンガイドとともに示す。
【図２Ａ】図２Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセルにわたる擬電位図を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、好適な反応またはフラグメンテーションセルの中心領域にわたる擬電位図をより詳細に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのバックグラウンドガスの不存在下でのイオン運動のシミュレーション結果を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、圧力が５ｍＴｏｒｒのバックグラウンドガスが内部に存在するものとしてモデル化された好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのイオン運動のシミュレーション結果を示す。
【図４】図４は、イオンが電子移動解離によってフラグメントまたは生成イオンを形成するように反応またはフラグメンテーションされた後、イオン閉じ込め空間全体にわたって四重極電界が形成される第２のあるいは分析動作モードで動作される好適な反応またはフラグメンテーションセルを示す。
【図５】図５は、好適な反応またはフラグメンテーションセルが、別々のアニオン源およびカチオン源と、好適な反応またはフラグメンテーションセルの上流のＹ字型イオンガイドと、好適な反応またはフラグメンテーションセルの下流に配置された飛行時間質量分析部とを備える質量分析計に組み込まれた本発明の実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを上記デバイス内で有するように配置されるのが好ましい。イオンの平均運動エネルギーは、比較的低く構成するのが有利である。
【００１０】
好適な実施形態によると、中性電荷の緩衝ガスが上記デバイス内に準備されるのが好ましい。中性電荷の緩衝ガスのガス分子が、第１の平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましく、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、上記デバイス内で第２の平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましい。第２の平均運動エネルギーと第１の平均運動エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれるのが好ましい。
【００１１】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスが提供され、使用時に、中性電荷の緩衝ガスが上記デバイス内に準備される。中性電荷の緩衝ガスのガス分子が熱エネルギーを有するのが好ましく、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、上記デバイス内で平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましく、
（ａ）上記イオンの平均運動エネルギーと緩衝ガスの熱エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）上記イオンの平均運動エネルギーの緩衝ガスの熱エネルギーに対する比が、（ｉ）＜１．０５、（ｉｉ）１．０５〜１．１、（ｉｉｉ）１．１〜１．２、（ｉｖ）１．２〜１．３、（ｖ）１．３〜１．４、（ｖｉ）１．４〜１．５、（ｖｉｉ）１．５〜１．６、（ｖｉｉｉ）１．６〜１．７、（ｉｘ）１．７〜１．８、（ｘ）１．８〜１．９、（ｘｉ）１．９〜２．０、（ｘｉｉ）２．０〜２．５、（ｘｉｉｉ）２．５〜３．０、（ｘｉｖ）３．０〜３．５、（ｘｖ）３．５〜４．０、（ｘｖｉ）４．０〜４．５、（ｘｖｉｉ）４．５〜５．０、および（ｘｖｉｉｉ）＞５．０からなる群から選ばれる。
【００１２】
一実施形態によると、上記デバイスは、使用時にイオンが移送される少なくとも１つの開口をそれぞれが有する５〜１０個、１０〜１５個、１５〜２０個、２５〜３０個、３０〜３５個、３５〜４０個、４０〜４５個、４５〜５０個、５０〜５５個、５５〜６０個、６０〜６５個、６５〜７０個、７０〜７５個、７５〜８０個、８０〜８５個、８５〜９０個、９０〜９５個、９５〜１００個、１００〜１１０個、１１０〜１２０個、１２０〜１３０個、１３０〜１４０個、１４０〜１５０個、１５０〜１６０個、１６０〜１７０個、１７０〜１８０個、１８０〜１９０個、１９０〜２００個または＞２００個の電極を備え得る。
【００１３】
一実施形態によると、複数の電極の開口の内径が、上記デバイスの長手方向軸に沿って１回以上漸進的に増加した後漸進的に減少するように構成されている。
【００１４】
一実施形態によると、複数の電極は、（ｉ）１つ以上の球体、（ｉｉ）１つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）１つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）１つ以上の楕円体、および（ｖ）１つ以上の不等楕円体からなる群から選ばれる幾何学的空間を規定している。
【００１５】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、複数の電極の開口の内径によって規定される幾何学的空間を含むのが好ましく、幾何学的空間は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれる。
【００１６】
上記デバイスは、質量電荷比が１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００または１０００のイオンに対する有効イオントラップ空間または領域を含むのが好ましい。上記デバイス内のイオントラップ空間または領域は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれるのが好ましい。イオントラップ空間または領域は、好ましくは、公知の三次元イオントラップのイオントラップ空間または領域よりも著しく大きい。
【００１７】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を複数の電極に供給するように配置および構成された装置をさらに含み、
（ａ）第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有する。
【００１８】
好適な実施形態によると、一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に第１のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される。
【００１９】
一実施形態によると、一動作モードにおいて、上記デバイスは四重極または分析動作モードで動作され得、
（ａ）四重極または略四重極電界が上記デバイスの軸方向に沿って維持され、かつ／または
（ｂ）四重極または略四重極電界が上記デバイスの半径方向に沿って維持される。
【００２０】
一動作モードにおいて、（ｉ）上記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックに励起させ、かつ／または
（ｉｉ）上記デバイスからイオンを共振によりまたはパラメトリックに排出し、かつ／または
（ｉｉｉ）上記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックにフラグメンテーションするために、追加または補助ＡＣ電圧が１つ以上の上流電極と１つ以上の下流電極との間に印加され得る。
【００２１】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、（ａ）一動作モードにおいて電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿ってＤＣ電圧または電位勾配を維持するように配置および構成された装置、および／または
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの少なくとも一部を形成する電極に印加するように配置および構成されたＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含み得る。
【００２２】
ＤＣ電圧または電位勾配は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するように構成されるのが好ましい。
【００２３】
一実施形態によると、上記デバイスは、一動作モードにおいて電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、複数の電極の少なくともいくつかに１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を印加するように配置および構成された過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む。
【００２４】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度を時間とともに変化、増加、または減少させるように配置および構成された手段をさらに含み得る。１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度が、直線的にまたは非直線的に時間とともに傾斜状に増加されるか、階段状に増加されるか、スキャンされるか、または変化させられ得る。
【００２５】
一動作モードにおいて、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形は、（ｉ）＜１００ｍ／ｓ、（ｉｉ）１００〜２００ｍ／ｓ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｍ／ｓ、（ｉｖ）３００〜４００ｍ／ｓ、（ｖ）４００〜５００ｍ／ｓ、（ｖｉ）５００〜６００ｍ／ｓ、（ｖｉｉ）６００〜７００ｍ／ｓ、（ｖｉｉｉ）７００〜８００ｍ／ｓ、（ｉｘ）８００〜９００ｍ／ｓ、（ｘ）９００〜１０００ｍ／ｓ、（ｘｉ）１０００〜１１００ｍ／ｓ、（ｘｉｉ）１１００〜１２００ｍ／ｓ、（ｘｉｉｉ）１２００〜１３００ｍ／ｓ、（ｘｉｖ）１３００〜１４００ｍ／ｓ、（ｘｖ）１４００〜１５００ｍ／ｓ、（ｘｖｉ）１５００〜１６００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉ）１６００〜１７００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７００〜１８００ｍ／ｓ、（ｘｉｘ）１８００〜１９００ｍ／ｓ、（ｘｘ）１９００〜２０００ｍ／ｓ、（ｘｘｉ）２０００〜２１００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉ）２１００〜２２００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２００〜２３００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｖ）２３００〜２４００ｍ／ｓ、（ｘｘｖ）２４００〜２５００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉ）２５００〜２６００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６００〜２７００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７００〜２８００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｘ）２８００〜２９００ｍ／ｓ、（ｘｘｘ）２９００〜３０００ｍ／ｓ、および（ｘｘｘｉ）＞３０００ｍ／ｓからなる群から選ばれる速度で電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さに沿って平行移動され得る。
【００２６】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、一動作モードにおいて、使用時に、（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０-2ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１０-4ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞１０-5ｍｂａｒ、（ｉｘ）＞１０-6ｍｂａｒ、（ｘ）＜１００ｍｂａｒ、（ｘｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｘｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｘｉｉｉ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｘｉｖ）＜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖ）＜１０-3ｍｂａｒ、（ｘｖｉ）＜１０-4ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉ）＜１０-5ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉｉ）＜１０-6ｍｂａｒ、（ｘｉｘ）１０〜１００ｍｂａｒ、（ｘｘ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｘｘｉ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉｉ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｘｉｖ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、および（ｘｘｖ）１０-5〜１０-4ｍｂａｒからなる群から選ばれる圧力に維持されるのが好ましい。
【００２７】
一動作モードにおいて、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００、９００〜１０００または＞１０００の範囲にある１価のイオンの電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でのイオン滞在時間が、（ｉ）０〜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜２ｍｓ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｓ、（ｉｖ）３〜４ｍｓ、（ｖ）４〜５ｍｓ、（ｖｉ）５〜６ｍｓ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｓ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｓ、（ｉｘ）８〜９ｍｓ、（ｘ）９〜１０ｍｓ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｓ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｓ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｓ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｓ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｓ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｓ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｓ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｓ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｓ、（ｘｘｉ）２０〜２１ｍｓ、（ｘｘｉｉ）２１〜２２ｍｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２〜２３ｍｓ、（ｘｘｉｖ）２３〜２４ｍｓ、（ｘｘｖ）２４〜２５ｍｓ、（ｘｘｖｉ）２５〜２６ｍｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６〜２７ｍｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７〜２８ｍｓ、（ｘｘｉｘ）２８〜２９ｍｓ、（ｘｘｘ）２９〜３０ｍｓ、（ｘｘｘｉ）３０〜３５ｍｓ、（ｘｘｘｉｉ）３５〜４０ｍｓ、（ｘｘｘｉｉｉ）４０〜４５ｍｓ、（ｘｘｘｉｖ）４５〜５０ｍｓ、（ｘｘｘｖ）５０〜５５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉ）５５〜６０ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉ）６０〜６５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６５〜７０ｍｓ、（ｘｘｘｉｘ）７０〜７５ｍｓ、（ｘｌ）７５〜８０ｍｓ、（ｘｌｉ）８０〜８５ｍｓ、（ｘｌｉｉ）８５〜９０ｍｓ、（ｘｌｉｉｉ）９０〜９５ｍｓ、（ｘｌｉｖ）９５〜１００ｍｓ、および（ｘｌｖ）＞１００ｍｓの範囲であるように配置されるのが好ましい。
【００２８】
一動作モードにおいて、イオンが、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でガスと衝突することによって衝突冷却および／または熱化されるのが好ましい。
【００２９】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、複数の電極および／または上記デバイス内に存在するガスを、（ｉ）＜２０Ｋ、（ｉｉ）２０〜４０Ｋ、（ｉｉｉ）４０〜６０Ｋ、（ｉｖ）６０〜８０Ｋ、（ｖ）８０〜１００Ｋ、（ｖｉ）１００〜１２０Ｋ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０Ｋ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０Ｋ、（ｉｘ）１６０〜１８０Ｋ、（ｘ）１８０〜２００Ｋ、（ｘｉ）２００〜２２０Ｋ、（ｘｉｉ）２２０〜２４０Ｋ、（ｘｉｉｉ）２４０〜２６０Ｋ、（ｘｉｖ）２６０〜２８０Ｋ、および（ｘｖ）２８０〜３００Ｋからなる群から選ばれる温度に冷却するための冷却装置をさらに備えるのが好ましい。
【００３０】
上記デバイスは、レーザポートをさらに備えるのが好ましく、使用時に、上記デバイス内に位置するイオンをフラグメンテーションするためにレーザポートを介してレーザビームが透過されるのが好ましい。
【００３１】
本発明の別の態様によると、上述の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを備える質量分析計が提供される。
【００３２】
質量分析計は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１のイオンガイドおよび／または電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの下流に配置された第２のイオンガイドをさらに備えるのが好ましい。第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドは、
（ａ）四重極、六重極、八重極またはより高次のロッドセットイオンガイド、ならびに／または
（ｂ）概ねイオンの進行平面に配置された複数のプレート電極であって、隣接する電極がＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相に好ましくは維持され、イオンガイド内で１つ以上のイオンガイド領域が形成されたプレート電極、ならびに／または
（ｃ）第１のイオン源からのイオンが使用時にイオンガイドの出口に移送され、第２の別のイオン源からのイオンが使用時にイオンガイドの出口に移送されるＹ字型結合領域を有するイオンガイドを含むのが好ましい。
【００３３】
第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドは、開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備えるイオントンネルイオンガイドを含み得る。質量分析計は、第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドを形成する複数の電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧を供給するように配置および構成された装置をさらに備えるのが好ましく、
（ａ）第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有する。
【００３４】
一動作モードにおいて、第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドの隣接または近接する電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される。
【００３５】
質量分析計は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１の質量フィルタおよび／または電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第２の質量フィルタをさらに備えるのが好ましい。第１の質量フィルタおよび／または第２の質量フィルタは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタ、および（ｉｉｉ）磁場型質量フィルタからなる群から選ばれるのが好ましい。
【００３６】
質量分析計は、（ａ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第１のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第１のイオン源、ならびに／または
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第２のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第２のイオン源、ならびに／または
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に正電荷の検体イオンを生成するように配置されたイオン源、ならびに／または
（ｄ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に負電荷の試薬イオンを生成するように配置されたイオン源をさらに備えるのが好ましい。
【００３７】
質量分析計は、
（ａ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン移動度分離デバイスおよび／またはフィールド非対称イオン移動度分光計、ならびに／あるいは
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオントラップまたはイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された衝突、フラグメンテーションまたは反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応デバイスからなる群から選ばれる衝突、フラグメンテーションまたは反応セルをさらに備え得る。
【００３８】
質量分析計は、（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部、および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選ばれる質量分析部をさらに備えるのが好ましい。
【００３９】
本発明の別の態様によると、
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスと、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部とを備える質量分析計であって、
使用時に、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンとの相互作用により反応および／またはフラグメンテーションさせられて複数のフラグメントまたは生成イオンが形成され、
検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントまたは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置され、次いで、フラグメントまたは生成イオンが質量分析のために飛行時間質量分析部に移送される、質量分析計が提供される。
【００４０】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスを準備する工程と、
上記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、電子移動解離によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４１】
本発明の別の態様によると、上述の方法を含む質量分析方法が提供される。
【００４２】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを準備する工程と、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部を準備する工程と、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンを負電荷の試薬イオンと反応および／またはフラグメンテーションさせて複数のフラグメントまたは生成イオンを形成する工程であって、検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置された工程と、
フラグメントまたは生成イオンを質量分析のために飛行時間質量分析部に移送する工程とを含む、質量分析方法が提供される。
【００４３】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備えるプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスが提供される。
【００４４】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスを準備する工程と、
上記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、プロトン移動反応またはフラグメンテーションによってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４５】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスに関連して上記に説明した好適な特徴のすべては、上述のプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスにも同様に適用可能であり、よって、簡潔を期すため繰り返しの説明は行わない。
【００４６】
本発明の一態様によると、１つ以上の開口を有し、使用時に前記開口を通ってイオンが移送される電極を複数備えるイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイスであって、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置されるデバイスが提供される。
【００４７】
反応またはフラグメンテーションデバイスは電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスおよび／またはプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスを含むのが好ましい。
【００４８】
本発明の一態様によると、１つ以上の開口を有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するようにする工程とを含む、イオン−イオン相互作用によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４９】
本発明の一態様によると、上述の方法を含む、電子移動解離反応もしくはフラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応もしくはフラグメンテーションの方法が提供される。
【００５０】
本発明の一態様によると、検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを、＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、かつフラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送するように配置された、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスを備える質量分析計が提供される。
【００５１】
本発明の一態様によると、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイス内で検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、次いで、フラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送することを含む質量分析方法が提供される。
【００５２】
本発明の一態様によると、開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備える電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスであって、一動作モードにおいて、イオンが上記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込められ、実質的に電界が存在しない領域が、複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に形成または生成されるデバイスが提供される。
【００５３】
本発明の一態様によると、開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
イオンを上記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込める工程と、
複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に、実質的に電界が存在しない領域を形成または生成する工程とを含む、電子移動解離、プロトン移動反応またはイオン−イオン相互作用方法が提供される。
【００５４】
本発明の好適な実施形態によると、好ましくは電荷容量が比較的高い（電荷容量が制限された従来の三次元イオントラップとは対照的に）反応またはフラグメンテーションチャンバまたはセルが提供される。
【００５５】
好適な実施形態によると、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスは、当該デバイスの中心およびイオン閉じ込め空間の大部分の全体にわたってイオンが好ましくは非常に低い（あるいは実質的にゼロである）微細運動（micro-motion）を示すようにイオンをトラップまたは閉じ込める。したがって、イオンは上記好適なデバイスの中心および当該デバイスの中心空間の全体にわたって好ましくはＲＦ閉じ込め電界の影響を受けず、よって、当該イオンはＲＦ加熱作用を受けないことが好ましい。ＲＦ加熱では、イオンがＲＦ電界を受け、微細運動させられる。ＲＦ電界内で結果として起こるイオンの攪拌または励起により、イオンの平均運動エネルギーが上昇して熱レベル（thermal levels）を超える。
【００５６】
好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションデバイスは、好ましくは、従来の三次元イオントラップに見られる非常に低いフラグメンテーション断面の問題を克服する。さらに、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスはまた、従来の二次元または線形イオントラップおよび三次元イオントラップよりも大きいイオントラップ空間を提供する。
【００５７】
一実施形態によると、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスまたはチャンバは、積層リングイオンガイドまたはイオントンネルイオンガイド内に形成された球状または楕円状のチャンバを備える。
【００５８】
以下に、添付の図面を参照し、本発明の種々の実施形態を、あくまで例として説明する。
【００５９】
図１は、複数のリング電極内に形成された好適な反応またはフラグメンテーションセルを上流イオントンネルイオンガイドおよび下流イオントンネルイオンガイドとともに示し、
図２Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセルにわたる擬電位図を示し、図２Ｂは、好適な反応またはフラグメンテーションセルの中心領域にわたる擬電位図をより詳細に示し、
図３Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのバックグラウンドガスの不存在下でのイオン運動のシミュレーション結果を示し、図３Ｂは、圧力が５ｍＴｏｒｒのバックグラウンドガスが内部に存在するものとしてモデル化された好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのイオン運動のシミュレーション結果を示し、
図４は、イオンが電子移動解離によってフラグメントまたは生成イオンを形成するように反応またはフラグメンテーションされた後、イオン閉じ込め空間全体にわたって四重極電界が形成される第２のあるいは分析動作モードで動作される好適な反応またはフラグメンテーションセルを示し、
図５は、好適な反応またはフラグメンテーションセルが、別々のアニオン源およびカチオン源と、好適な反応またはフラグメンテーションセルの上流のＹ字型イオンガイドと、好適な反応またはフラグメンテーションセルの下流に配置された飛行時間質量分析部とを備える質量分析計に組み込まれた本発明の実施形態を示す。
【００６０】
以下に、本発明の好適な実施形態について図１を参照して説明する。図１は、イオントラップ空間を規定する内部開口を有する複数の電極により形成された好適な反応またはフラグメンテーションセル１の切り欠き図を示す。開口を有し、使用時にその開口を通ってイオンが移送される複数の電極を備える上流イオントンネルイオンガイド２が示されている。使用時にイオンが移送される開口を有する複数の電極を備える下流イオントンネルイオンガイド３もまた示されている。
【００６１】
図１に示す好適な反応またはフラグメンテーションセル１はＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）モデルから採用したものであり、本発明の好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションセル１の幾何学的形状を示し、反応またはフラグメンテーションセルは、好適な反応またはフラグメンテーションセル１の上流および下流に配置された積層リングイオントンネルイオンガイド２、３に結合されている。この好適な実施形態によると、電極の内部開口によって規定される空間は、好ましくは球状である。しかし、イオントラップ空間が大まかな楕円体や他の形状または空間プロフィールを有し得る他の実施形態も考えられる。
【００６２】
好適な反応またはフラグメンテーションデバイスまたはセル１を形成する電極にＡＣまたはＲＦ電圧が印加されるのが好ましい。第１のまたは電子移動解離フラグメンテーションまたは反応動作モードにおいて、ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が隣接する電極に印加されるのが好ましい。
【００６３】
内部球体またはイオントラップ空間もしくは領域の直径は、好ましくは、電極へのＡＣまたはＲＦ電圧印加によって生成される擬電位が上記反応空間の表面でＲＦ障壁または擬電位としてのみ作用するのに十分な大きさである。反応セル１の幾何学的形状およびイオン閉じ込め空間中へのＲＦ電界の浸透深さは、ＡＣまたはＲＦ電圧内でのイオン相互作用によるイオンの微細運動がフラグメンテーションまたは反応デバイス１の中心空間または領域にわたって事実上ゼロに減衰するようなものであることが好ましい。この好適な実施形態によると、フラグメンテーションまたは反応デバイス１の中心領域およびイオン閉じ込め空間の大部分には、本質的に電界が存在しない。イオン微細運動は、イオンが受ける擬電位の強度に比例するので、イオントラップ領域内でイオンが受ける擬電位が本質的にゼロである場合、そのイオンは微細運動を全く示さない。イオン微細運動が存在しないことにより、イオンの平均運動エネルギーは、好ましくはイオントラップまたはフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に存在するバックグラウンドガスの熱温度よりわずかに高い、比較的低いレベルまで低下する。
【００６４】
図１に示す実施形態を参照すると、正電荷の検体イオンを第１の（上流）イオンガイド２を介して好適なイオントラップまたはイオンフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に導入し、負電荷の試薬イオンを第２の（下流）イオンガイド３を介して好適なイオントラップまたはイオンフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に導入することができ、この逆もまた可能である。正電荷のイオンおよび負電荷のイオンを同じイオンガイド２、３を介してイオントラップ１内に導入することができる他の実施形態が考えられる。例えば、正イオンおよび負イオンを第１の（上流）イオンガイド２および／または第２の（下流）イオンガイド３を介してイオントラップ１内に導入することができる。
【００６５】
イオンをイオンガイド２、３の長さに沿ってかつイオントラップ１中に押しやる、駆り立てる、駆動するまたは推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはＤＣ電圧波形が第１の（上流）イオンガイド２および／または第２の（下流）イオンガイド３のいずれかに印加され得る。あるいは、もしくはさらに、イオンをイオンガイド２、３の長さに沿ってかつイオントラップ領域１中に押しやる、駆り立てる、駆動するまたは推進するために、１つ以上のＤＣ電圧が第１および／または第２のイオンガイド２、３の少なくとも一部に沿って印加され得る。
【００６６】
図２Ａおよび図２Ｂは、好適なイオントラップ１内の擬電位表面をＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）モデル化した結果を示す。好適な反応セル１内のＸＹ平面位置（ｍｍ）に対する縦軸に沿って擬電位がボルト単位で示されている。図２Ａおよび図２Ｂから分かるように、好適な実施形態によると、好適なイオントラップのイオントラップ空間の大部分における擬電位はゼロであるか無視できる程度である。したがって、イオンは、イオントラップ領域内に滞在する時間の大部分の間、ＲＦ電界を受けない。したがって、イオンは、イオントラップ１内に存在するバックグラウンドガス分子の平均運動エネルギーと実質的に類似した平均運動エネルギーを有することができる。
【００６７】
図３Ａは、バックグラウンドガスの不存在下において好適な反応セル１内でＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）によってモデル化したイオン運動を示す。図３Ａに示すように、モデル中にガスが存在しない状態では、イオンはイオントラップ領域を横切って直線状に移動しており、これにより、イオンが受ける唯一の大きな電界は、イオンがイオントラップ１の中心に向かって反射される球状のイオン閉じ込め空間の端部または外側表面に存在する擬電位電界であることが分かる。したがって、図３Ａは、非常に低いあるいは無視できる擬電位がデバイス１のイオントラップ領域の大部分にわたって存在すること、すなわち、イオンはバックグラウンドガスの不存在下ではイオントラップ空間の外側表面で反射間において直線状に進むことを示している。
【００６８】
図３Ｂは、イオンがイオントラップ１内に閉じ込められるものとしてモデル化され、かつ５ｍＴｏｒｒのヘリウムバックグラウンドガスが存在するものとしてモデル化されている、ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）によってモデル化したイオン運動のシミュレーション結果を示している。モデルにバックグラウンドガスが含まれている場合、イオンは、一般に、イオントラップ１内に存在する衝突ガスの熱エネルギーを得る。イオン運動はバックグラウンドガス分子との衝突によって実質的に占められ、イオンはＲＦ加熱作用をほとんど示さない。
【００６９】
従来の三次元イオントラップ、従来の二次元イオントラップおよび好適な実施形態による反応セル１について相対衝突率定数を定量するため、三次元イオントラップ、二次元イオントラップおよび好適な実施形態による反応セル１内でのイオン−イオン衝突を、ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）を用いてモデル化した。一対の逆極性のイオン間の平均運動エネルギーおよび平均相対速度を、それぞれの場合において記録した。モデルでは、２つのイオンが存在すると仮定した。イオンの一方は３＋の電荷と２５００の質量とを有し、他方のイオンは−１の電荷と８０の質量とを有していた。全ての場合において、緩衝ガスが存在するものとしてモデル化した。緩衝ガスは、５ｍＴｏｒｒの圧力で存在するヘリウムガスを含むものとしてモデル化した。
【００７０】
従来の三次元イオントラップのモデルについては、＋／−６０ＶのＲＦが１ＭＨｚの周波数でリング電極に印加されたものとしてモデル化した。従来の二次元イオントラップのモデルについては、端板に＋／−６０Ｖが２００ｋＨｚの周波数で供給された状態で、＋／−６０ＶのＲＦが１ＭＨｚの周波数で逆極に印加されたものとしてモデル化した。好適な実施形態による反応セル１をシミュレートするため、イオントラップ１を形成する隣接するプレートまたはリング電極に＋／−１００ＶのＲＦが印加されたものとしてモデル化した。
【００７１】
次いで、平均イオン−イオン速度測定値に基づいて相対衝突率定数を算出した。イオンを１００ｍｓ間飛行させたＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）の結果を以下の表にまとめた。
【００７２】
【表１】
【００７３】
上記の表は、イオン−イオンフラグメンテーションを誘起させようとする際に、従来の三次元イオントラップと比較して従来の二次元イオントラップを用いた場合に若干の改良が見られることを示している。より重要なことには、イオン−イオン衝突率、ひいては、好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションセル１を使用した際にフラグメンテーションされる検体イオン数に、従来の二次元イオントラップを使用した場合と比較して大きな改善が見られる。
【００７４】
好適な反応セル１内のイオンのイオン微細運動およびＲＦ加熱作用は、従来の二次元または三次元四重極イオントラップを使用した場合に比べて著しく低い。ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）結果は、好適な反応セル１内のイオンの平均運動イオンエネルギー（４３．４ｍｅＶ）は、ヘリウム緩衝ガス（３８ｍｅＶ）の熱エネルギーとほぼ同じくらい低いことを示している。これは、従来の二次元および三次元四重極イオントラップでは、ガス衝突によって生じるランダム化された動きによってイオンがＲＦ電界中に押しこまれ、そのことがＲＦ加熱の作用を拡大するように作用するためである。しかし、好適なイオントラップ１内のイオンは、ＲＦ加熱の作用に実質的に影響されない。
【００７５】
相対イオン速度が低くなる結果、電子移動解離のイオン−イオン衝突率定数は、従来の二次元または三次元四重極イオントラップのいずれについてよりも、好適な反応セル１について著しく高い。したがって、好適なイオントラップ１内で行われる電子移動解離は、従来の二次元または三次元イオントラップ内で行われる同等の実験よりも著しく感度が高い。
【００７６】
本発明の一実施形態によると、検体イオンおよび試薬イオンは、フラグメンテーションまたは反応デバイス１のいずれの端部からも好適な反応セル中に送出または排出され得る。イオンは、例えば、イオントンネル／反応チャンバ／イオントンネルの組合せに沿って進行波ＤＣ電位を印加することによって好適な反応セル１に移送され得る。この実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が、イオンガイド２、３および／または好適な反応チャンバ１を備える電極に好ましくは印加される。このような進行波デバイスの特に有利な特徴は、正の極性のイオンおよび／または負の極性のイオンの両方が、同一方向に移動する進行波によってイオンガイド２、３および／または好適な反応チャンバ１の長さに沿って搬送され得るということである。正イオンは進行波の谷において搬送され得、負イオンは進行波の山において搬送され得る。
【００７７】
別の実施形態によると、イオンを好適な反応チャンバ１内におよび／またはそこから外にドリフトさせるために、イオンガイド２、３を備える電極および／または反応チャンバ１を備える電極にＤＣバイアス電圧が印加され得る。
【００７８】
一実施形態によると、反応チャンバ１のリングに印加されるＲＦ電圧は、第１の動作モードから第２の動作モードに電子的に切り換えられ得る。第１の動作モードにおいて、反応チャンバ１は、好ましくは、隣接するプレート電極に＋／−１００Ｖが印加されるコールドトラップ動作モードで動作される。この動作モードにおいては、イオン−イオン反応が好ましくは最適化される。
【００７９】
第２のあるいは分析動作モードにおいて、反応チャンバ１は、四重極ＲＦ電界が好ましくはイオントラップ領域全体にわたって形成されるように反応チャンバ１に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が好ましくは再構成された分析トラップモードで動作するように好ましくは切り換えられる。第２の動作モードにおいて、イオンは、質量選択的不安定性または共鳴励起によって好適な反応チャンバ１からスキャンにより排出され得る。
【００８０】
一実施形態によると、反応チャンバ１は、反応チャンバ１を検体イオンが電子移動解離によりフラグメンテーションされる第１の動作モードで動作させる前に、第２の（分析）動作モードで動作され得る。一実施形態によると、検体イオンの電子移動解離の前に、所望の試薬イオンのみが反応チャンバ１内に保持され得る。存在し得る他の全ての試薬イオンは、電子移動解離反応またはフラグメンテーションが行われる前に、すなわち、好適なデバイスを第１の動作モードで動作させる前に、好適なイオントラップ１から質量選択的に排出され得る。
【００８１】
好適なイオントラップ１は、好適なイオントラップ１内で電子移動解離反応またはフラグメンテーションを行う（すなわち、イオントラップ１を第１の動作モードで動作させた）後であるいはそれに続いて第２の（分析）動作モードに切り換えられ得る。イオントラップ１内で形成された生成またはフラグメントイオンは、イオン検出器または飛行時間質量分析計もしくは質量分析部内にまたはそれに向けて、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１からスキャンにより排出することができる。
【００８２】
一実施形態によると、擬電位駆動力を用いてイオンを好適な反応セル１内へおよび／またはその外へ駆動し得る。これは、イオントラップの内外への電界の変化がより漸進的である球状−楕円状空間またはイオントラップ空間の形状を変化させることによって行い得る。
【００８３】
アニオンとカチオンとの相対イオン運動を最小限にすることが所望される第１のあるいは電子移動解離動作モードで好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１を動作させる場合、ＡＣまたはＲＦ電圧の交互の位相がデバイス全体にわたって交互リング電極に好ましくは印加される。ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が＋、−の符号で示される図４にこのことが示されている。
【００８４】
上述のように、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１は、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１が分析動作モードで動作される第２の異なる動作モードでも動作され得る。この動作モードによると、それ以外の場合にはフラグメンテーションまたは反応デバイス１を形成または規定する交互リング電極に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が、好ましくはオフに切り換えられる。第２のあるいは分析動作モードにおいて、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内に２次電位または略２次電位が生成されるかまたは維持されるような異なる電圧関数が電極に好ましくは適用され得る。この実施形態によると、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内の電位は、好ましくは、軸方向寸法ｘ2および半径方向寸法ｒ2に比例する。
【００８５】
第２のあるいは分析動作モードにおいて、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１を形成するリング電極に複数の電圧Ｖｎが印加され得る。電圧は、リング電極に印加される最高電圧がＶｎmaxであり、リング電極に印加される最低電圧がＶ１である抵抗・容量網（resistive and capacitative network）を用いてあるいはこれを介してリング電極に好ましくは維持または印加される。図４に示すように、Ｖ１は、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１の上流および下流端の電極に印加される電圧に好ましくは対応する。図４に示す特定の例において、ｎmaxは８に等しい。しかし、好適なイオントラップ１が１６個よりも少ないかまたは多い電極を備え得る他の実施形態も考えられる。
【００８６】
ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）用いた好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１のモデルは、電圧Ｖｎがｎに比例して印加される場合、軸（ｘ）方向および半径（ｒ）方向の両方において略２次電界が得られることを示している。好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内にイオンがトラップされる擬電位を生成するために、電圧Ｖｎにｓｉｎ（ｗ＊ｔ）関数を好ましくは乗じる（式中、ｗは、時間（ｔ）に対する電圧の周波数である）。
【００８７】
この好適な実施形態によると、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１が第２のあるいは分析動作モードで動作される場合、デバイスは、三次元四重極（またはポール）イオントラップのように機能する。イオントラップ１が第２のあるいは分析動作モードで動作される場合にイオンを共鳴排出（resonance ejection）によって軸方向に質量選択的に排出するために、好適なイオントラップ１を形成するプレートまたは電極にさらなる補助電圧関数が印加され得る。
【００８８】
上記分析動作モードにより、電子移動解離生成イオンまたは前駆イオンがイオン検出器または質量分析部内へまたはそれに向けて質量選択的にさらに操作され掃引され得る追加の動作モードが提供される。
【００８９】
例えば、液体窒素（７７Ｋ）からの蒸気を導入するかあるいはイオントンネルまたはイオントラップ１のプレートを液体窒素で直接冷却することにより、好適な反応セル１が低温ガスで充填され得る実施形態も考えられる。この実施形態によると、好適な反応セル１内のイオンの平均運動エネルギーは、好ましくは、従来の二次元または三次元イオントラップと比較して非常に低く構成される。好適な反応セル１は、直交加速式飛行時間（ＴＯＦ）質量分析部などの質量分析部に向かってイオンを前方移送する前にイオンを熱レベル付近まで冷却することによってイオンを調整する点で特に有利である。直交加速式飛行時間質量分析部の最終的な質量分解能は、質量分析部から定期的にサンプリングされるイオンビーム内に広がる直交エネルギーによって制限される。
【００９０】
この好適な実施形態によると、イオンは、直交加速式飛行時間質量分析部または質量分析計の直交加速段の上流において、かつ押し出し電界または直交加速パルスをイオンパケットまたはイオンビームに印加する前に、室温またはそれより低い温度において衝突により減衰され得る。イオンを熱温度に冷却することにより、イオンの直交エネルギーの広がりが有利に低減される。このことは、飛行時間質量分析部においてターンアラウンドタイム異常（turn around time aberration）を低減させる効果を有する。その結果、質量分析部の分解能が好ましくは著しく向上する。
【００９１】
好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１内でイオンのＲＦ加熱が無視できる程度である場合、ターンアラウンドタイム異常は、冷却ガス温度の平方根に比例する速度広がりに比例する。したがって、熱エネルギーを４分の１に減少させることにより（例えば、温度を室温から液体窒素温度に低下させることによって）、イオンの速度広がり、ひいてはターンアラウンドタイムが２分の１に減少し、したがって、直交加速式質量分析計の最終的な質量分解能が２倍に増加する。
【００９２】
この好適な実施形態によると、好適な反応セル１は、高品質の電子移動解離ＭＳ／ＭＳデータを生成することができ、好適な反応セルが直交加速式飛行時間質量分析計に結合された場合に、分解能が向上した質量スペクトルデータを得ることを可能にする。
【００９３】
好適なイオントラップ１内でのイオンの光フラグメンテーションを可能にするためにレーザポートが設けられ得る本発明のさらなる実施形態が考えられる。
【００９４】
一実施形態によると、１つ以上の双極場を用いて、好適なイオントラップ１内の運動エネルギーを制御（例えば、増加または減少）し得る。したがって、例えば、一実施形態によると、イオントラップ１は、追加のＡＣ電圧がイオントラップ１の両端に印加され、それによりイオンが共振的に励起される動作モードで動作され得る。したがって、イオンは、好適なイオントラップ１内で衝突誘起解離または分解（ＣＩＤ）され得る。
【００９５】
カチオン検体（すなわち、正電荷の検体イオン）および試薬アニオン（すなわち、負電荷の試薬イオン）を異なるイオン源から生成するのが有利であるが、このことは必須ではない。一実施形態によると、好ましくは両極性のイオンを異なる場所にある多数のイオン源から同時にかつ連続的に受け取り、搬送するイオンガイドが使用され得る。イオンガイドは、例えば、概ねイオンの進行平面に配置された複数のプレート電極を備えるイオンガイドを含み得る。ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が隣接する電極に印加され得る。１つ以上のイオンガイド領域がイオンガイド内に形成または構成され得る。一実施形態によると、イオンガイドは、Ｙ字型結合器を含み得、アニオンイオン源からのイオンおよびカチオンイオン源からのイオンは、共通のイオン注入口を介して好適な反応またはフラグメンテーションセル１に注入される前に、このＹ字型イオンガイドを通過する。
【００９６】
好適な実施形態による質量分析計を図５に示す。図５に示すように、カチオンおよびアニオンの両方を好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１の入口領域内に導入するためにイオンガイド８が使用され得る。質量選択的または質量電荷比選択的な四重極７ａがアニオン源５とイオンガイド８との間に設けられ得る。さらに、もしくはあるいは、質量選択的または質量電荷比選択的な四重極７ｂがカチオン源６とイオンガイド８との間に設けられ得る。２つの四重極ロッドセット７ａ、７ｂにより、好ましくは、イオン源５、６から生成される適切なもしくは所望の検体イオンおよび／または適切なもしくは所望の試薬イオンをイオンガイド８、ひいては好適なイオントラップ１へと前方移送することが可能となる。
【００９７】
好適な実施形態によると、好適なイオン−イオン反応デバイス１内で生成され、次いでイオン−イオン反応デバイス１からその後の質量分析のために排出される生成またはフラグメントイオン１０を受け取り、質量分析するために、直交加速式飛行時間質量分析部９が、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１の下流に配置され得る。
【００９８】
本発明を好適な実施形態を参照して記載したが、添付の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、上記した個々の実施形態を形態および詳細において種々に変更し得ることが当業者に理解される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は質量分析計に関する。好適な実施形態は、正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンと反応または相互作用することによりフラグメンテーションされる、電子移動解離（「ＥＴＤ」）反応またはフラグメンテーションデバイスに関する。検体イオンおよび試薬イオンは、好ましくは、変形イオントンネルイオントラップ内で形成される球状のイオントラップ空間（volume）内で熱温度（thermal temperatures）付近まで冷却される。その結果、検体イオンはより優れた効率でフラグメンテーションされる。得られるフラグメントまたは生成イオンもまた、好ましくは、熱温度付近まで冷却され、次いで、飛行時間質量分析部によって質量分析され得る。
【背景技術】
【０００２】
逆極性のイオンをイオントラップ内に同時に閉じ込めることが知られている。イオントラップ内の有効電位はイオンの極性に依存しないこともまた知られており、したがって、例えば、四重極イオントラップは、正イオンおよび負イオンの両方を同時に収容するように構成され得る。
【０００３】
電子移動解離（「ＥＴＤ」）およびプロトン移動反応（「ＰＴＲ」）などのイオン−イオン反応が、市販の変形三次元イオントラップにおいて研究されている。電子移動解離は、正の高電荷検体イオンを負電荷の試薬イオンと相互作用または衝突させることを含む。イオン−イオン反応の結果、正電荷の検体イオンは、複数のフラグメントまたは生成イオンへとフラグメンテーションされる。生成されたフラグメントまたは生成イオンにより、親である検体の生体分子イオンの配列を決定することが可能となる。
【０００４】
検体イオンが電子と相互作用することによりフラグメンテーションされる電子捕獲解離もまた知られている。しかし、電子捕獲解離と比較して、電子移動解離反応またはフラグメンテーションが有利であるのは特に、イオン−電子衝突を誘起するように電子の経路を制限するために比較的強い磁場を形成する必要がないということである。
【０００５】
電子移動解離実験が三次元またはポールイオントラップにおいて試みられている。三次元またはポールイオントラップは、中心のリング電極と、双曲面を有する２つのエンドキャップ電極とを備える。軸方向次元および半径方向次元の両方で四重極電界において三次元またはポールイオントラップ内にイオンが閉じ込められる。しかし、三次元またはポールイオントラップを用いた電子移動解離が研究されてきたものの、このような三次元イオントラップ内で、正電荷の検体イオンの実際のフラグメンテーションはあったとしてもほとんど観察されていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、改良された電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを提供することが所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によると、複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、複数のリング電極内に形成された好適な反応またはフラグメンテーションセルを上流イオントンネルイオンガイドおよび下流イオントンネルイオンガイドとともに示す。
【図２Ａ】図２Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセルにわたる擬電位図を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、好適な反応またはフラグメンテーションセルの中心領域にわたる擬電位図をより詳細に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのバックグラウンドガスの不存在下でのイオン運動のシミュレーション結果を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、圧力が５ｍＴｏｒｒのバックグラウンドガスが内部に存在するものとしてモデル化された好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのイオン運動のシミュレーション結果を示す。
【図４】図４は、イオンが電子移動解離によってフラグメントまたは生成イオンを形成するように反応またはフラグメンテーションされた後、イオン閉じ込め空間全体にわたって四重極電界が形成される第２のあるいは分析動作モードで動作される好適な反応またはフラグメンテーションセルを示す。
【図５】図５は、好適な反応またはフラグメンテーションセルが、別々のアニオン源およびカチオン源と、好適な反応またはフラグメンテーションセルの上流のＹ字型イオンガイドと、好適な反応またはフラグメンテーションセルの下流に配置された飛行時間質量分析部とを備える質量分析計に組み込まれた本発明の実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを上記デバイス内で有するように配置されるのが好ましい。イオンの平均運動エネルギーは、比較的低く構成するのが有利である。
【００１０】
好適な実施形態によると、中性電荷の緩衝ガスが上記デバイス内に準備されるのが好ましい。中性電荷の緩衝ガスのガス分子が、第１の平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましく、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、上記デバイス内で第２の平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましい。第２の平均運動エネルギーと第１の平均運動エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれるのが好ましい。
【００１１】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスが提供され、使用時に、中性電荷の緩衝ガスが上記デバイス内に準備される。中性電荷の緩衝ガスのガス分子が熱エネルギーを有するのが好ましく、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、上記デバイス内で平均運動エネルギーを有するように配置されるのが好ましく、
（ａ）上記イオンの平均運動エネルギーと緩衝ガスの熱エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）上記イオンの平均運動エネルギーの緩衝ガスの熱エネルギーに対する比が、（ｉ）＜１．０５、（ｉｉ）１．０５〜１．１、（ｉｉｉ）１．１〜１．２、（ｉｖ）１．２〜１．３、（ｖ）１．３〜１．４、（ｖｉ）１．４〜１．５、（ｖｉｉ）１．５〜１．６、（ｖｉｉｉ）１．６〜１．７、（ｉｘ）１．７〜１．８、（ｘ）１．８〜１．９、（ｘｉ）１．９〜２．０、（ｘｉｉ）２．０〜２．５、（ｘｉｉｉ）２．５〜３．０、（ｘｉｖ）３．０〜３．５、（ｘｖ）３．５〜４．０、（ｘｖｉ）４．０〜４．５、（ｘｖｉｉ）４．５〜５．０、および（ｘｖｉｉｉ）＞５．０からなる群から選ばれる。
【００１２】
一実施形態によると、上記デバイスは、使用時にイオンが移送される少なくとも１つの開口をそれぞれが有する５〜１０個、１０〜１５個、１５〜２０個、２５〜３０個、３０〜３５個、３５〜４０個、４０〜４５個、４５〜５０個、５０〜５５個、５５〜６０個、６０〜６５個、６５〜７０個、７０〜７５個、７５〜８０個、８０〜８５個、８５〜９０個、９０〜９５個、９５〜１００個、１００〜１１０個、１１０〜１２０個、１２０〜１３０個、１３０〜１４０個、１４０〜１５０個、１５０〜１６０個、１６０〜１７０個、１７０〜１８０個、１８０〜１９０個、１９０〜２００個または＞２００個の電極を備え得る。
【００１３】
一実施形態によると、複数の電極の開口の内径が、上記デバイスの長手方向軸に沿って１回以上漸進的に増加した後漸進的に減少するように構成されている。
【００１４】
一実施形態によると、複数の電極は、（ｉ）１つ以上の球体、（ｉｉ）１つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）１つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）１つ以上の楕円体、および（ｖ）１つ以上の不等楕円体からなる群から選ばれる幾何学的空間を規定している。
【００１５】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、複数の電極の開口の内径によって規定される幾何学的空間を含むのが好ましく、幾何学的空間は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれる。
【００１６】
上記デバイスは、質量電荷比が１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００または１０００のイオンに対する有効イオントラップ空間または領域を含むのが好ましい。上記デバイス内のイオントラップ空間または領域は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれるのが好ましい。イオントラップ空間または領域は、好ましくは、公知の三次元イオントラップのイオントラップ空間または領域よりも著しく大きい。
【００１７】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、第１のＡＣまたはＲＦ電圧を複数の電極に供給するように配置および構成された装置をさらに含み、
（ａ）第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有する。
【００１８】
好適な実施形態によると、一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に第１のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される。
【００１９】
一実施形態によると、一動作モードにおいて、上記デバイスは四重極または分析動作モードで動作され得、
（ａ）四重極または略四重極電界が上記デバイスの軸方向に沿って維持され、かつ／または
（ｂ）四重極または略四重極電界が上記デバイスの半径方向に沿って維持される。
【００２０】
一動作モードにおいて、（ｉ）上記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックに励起させ、かつ／または
（ｉｉ）上記デバイスからイオンを共振によりまたはパラメトリックに排出し、かつ／または
（ｉｉｉ）上記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックにフラグメンテーションするために、追加または補助ＡＣ電圧が１つ以上の上流電極と１つ以上の下流電極との間に印加され得る。
【００２１】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、（ａ）一動作モードにおいて電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿ってＤＣ電圧または電位勾配を維持するように配置および構成された装置、および／または
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの少なくとも一部を形成する電極に印加するように配置および構成されたＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含み得る。
【００２２】
ＤＣ電圧または電位勾配は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するように構成されるのが好ましい。
【００２３】
一実施形態によると、上記デバイスは、一動作モードにおいて電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、複数の電極の少なくともいくつかに１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を印加するように配置および構成された過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む。
【００２４】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度を時間とともに変化、増加、または減少させるように配置および構成された手段をさらに含み得る。１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度が、直線的にまたは非直線的に時間とともに傾斜状に増加されるか、階段状に増加されるか、スキャンされるか、または変化させられ得る。
【００２５】
一動作モードにおいて、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形は、（ｉ）＜１００ｍ／ｓ、（ｉｉ）１００〜２００ｍ／ｓ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｍ／ｓ、（ｉｖ）３００〜４００ｍ／ｓ、（ｖ）４００〜５００ｍ／ｓ、（ｖｉ）５００〜６００ｍ／ｓ、（ｖｉｉ）６００〜７００ｍ／ｓ、（ｖｉｉｉ）７００〜８００ｍ／ｓ、（ｉｘ）８００〜９００ｍ／ｓ、（ｘ）９００〜１０００ｍ／ｓ、（ｘｉ）１０００〜１１００ｍ／ｓ、（ｘｉｉ）１１００〜１２００ｍ／ｓ、（ｘｉｉｉ）１２００〜１３００ｍ／ｓ、（ｘｉｖ）１３００〜１４００ｍ／ｓ、（ｘｖ）１４００〜１５００ｍ／ｓ、（ｘｖｉ）１５００〜１６００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉ）１６００〜１７００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７００〜１８００ｍ／ｓ、（ｘｉｘ）１８００〜１９００ｍ／ｓ、（ｘｘ）１９００〜２０００ｍ／ｓ、（ｘｘｉ）２０００〜２１００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉ）２１００〜２２００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２００〜２３００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｖ）２３００〜２４００ｍ／ｓ、（ｘｘｖ）２４００〜２５００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉ）２５００〜２６００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６００〜２７００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７００〜２８００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｘ）２８００〜２９００ｍ／ｓ、（ｘｘｘ）２９００〜３０００ｍ／ｓ、および（ｘｘｘｉ）＞３０００ｍ／ｓからなる群から選ばれる速度で電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さに沿って平行移動され得る。
【００２６】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、一動作モードにおいて、使用時に、（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０-2ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１０-4ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞１０-5ｍｂａｒ、（ｉｘ）＞１０-6ｍｂａｒ、（ｘ）＜１００ｍｂａｒ、（ｘｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｘｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｘｉｉｉ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｘｉｖ）＜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖ）＜１０-3ｍｂａｒ、（ｘｖｉ）＜１０-4ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉ）＜１０-5ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉｉ）＜１０-6ｍｂａｒ、（ｘｉｘ）１０〜１００ｍｂａｒ、（ｘｘ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｘｘｉ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉｉ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｘｉｖ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、および（ｘｘｖ）１０-5〜１０-4ｍｂａｒからなる群から選ばれる圧力に維持されるのが好ましい。
【００２７】
一動作モードにおいて、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００、９００〜１０００または＞１０００の範囲にある１価のイオンの電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でのイオン滞在時間が、（ｉ）０〜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜２ｍｓ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｓ、（ｉｖ）３〜４ｍｓ、（ｖ）４〜５ｍｓ、（ｖｉ）５〜６ｍｓ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｓ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｓ、（ｉｘ）８〜９ｍｓ、（ｘ）９〜１０ｍｓ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｓ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｓ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｓ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｓ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｓ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｓ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｓ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｓ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｓ、（ｘｘｉ）２０〜２１ｍｓ、（ｘｘｉｉ）２１〜２２ｍｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２〜２３ｍｓ、（ｘｘｉｖ）２３〜２４ｍｓ、（ｘｘｖ）２４〜２５ｍｓ、（ｘｘｖｉ）２５〜２６ｍｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６〜２７ｍｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７〜２８ｍｓ、（ｘｘｉｘ）２８〜２９ｍｓ、（ｘｘｘ）２９〜３０ｍｓ、（ｘｘｘｉ）３０〜３５ｍｓ、（ｘｘｘｉｉ）３５〜４０ｍｓ、（ｘｘｘｉｉｉ）４０〜４５ｍｓ、（ｘｘｘｉｖ）４５〜５０ｍｓ、（ｘｘｘｖ）５０〜５５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉ）５５〜６０ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉ）６０〜６５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６５〜７０ｍｓ、（ｘｘｘｉｘ）７０〜７５ｍｓ、（ｘｌ）７５〜８０ｍｓ、（ｘｌｉ）８０〜８５ｍｓ、（ｘｌｉｉ）８５〜９０ｍｓ、（ｘｌｉｉｉ）９０〜９５ｍｓ、（ｘｌｉｖ）９５〜１００ｍｓ、および（ｘｌｖ）＞１００ｍｓの範囲であるように配置されるのが好ましい。
【００２８】
一動作モードにおいて、イオンが、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でガスと衝突することによって衝突冷却および／または熱化されるのが好ましい。
【００２９】
一実施形態によると、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、複数の電極および／または上記デバイス内に存在するガスを、（ｉ）＜２０Ｋ、（ｉｉ）２０〜４０Ｋ、（ｉｉｉ）４０〜６０Ｋ、（ｉｖ）６０〜８０Ｋ、（ｖ）８０〜１００Ｋ、（ｖｉ）１００〜１２０Ｋ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０Ｋ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０Ｋ、（ｉｘ）１６０〜１８０Ｋ、（ｘ）１８０〜２００Ｋ、（ｘｉ）２００〜２２０Ｋ、（ｘｉｉ）２２０〜２４０Ｋ、（ｘｉｉｉ）２４０〜２６０Ｋ、（ｘｉｖ）２６０〜２８０Ｋ、および（ｘｖ）２８０〜３００Ｋからなる群から選ばれる温度に冷却するための冷却装置をさらに備えるのが好ましい。
【００３０】
上記デバイスは、レーザポートをさらに備えるのが好ましく、使用時に、上記デバイス内に位置するイオンをフラグメンテーションするためにレーザポートを介してレーザビームが透過されるのが好ましい。
【００３１】
本発明の別の態様によると、上述の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを備える質量分析計が提供される。
【００３２】
質量分析計は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１のイオンガイドおよび／または電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの下流に配置された第２のイオンガイドをさらに備えるのが好ましい。第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドは、
（ａ）四重極、六重極、八重極またはより高次のロッドセットイオンガイド、ならびに／または
（ｂ）概ねイオンの進行平面に配置された複数のプレート電極であって、隣接する電極がＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相に好ましくは維持され、イオンガイド内で１つ以上のイオンガイド領域が形成されたプレート電極、ならびに／または
（ｃ）第１のイオン源からのイオンが使用時にイオンガイドの出口に移送され、第２の別のイオン源からのイオンが使用時にイオンガイドの出口に移送されるＹ字型結合領域を有するイオンガイドを含むのが好ましい。
【００３３】
第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドは、開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備えるイオントンネルイオンガイドを含み得る。質量分析計は、第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドを形成する複数の電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧を供給するように配置および構成された装置をさらに備えるのが好ましく、
（ａ）第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有する。
【００３４】
一動作モードにおいて、第１のイオンガイドおよび／または第２のイオンガイドの隣接または近接する電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される。
【００３５】
質量分析計は、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１の質量フィルタおよび／または電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第２の質量フィルタをさらに備えるのが好ましい。第１の質量フィルタおよび／または第２の質量フィルタは、（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間質量フィルタ、および（ｉｉｉ）磁場型質量フィルタからなる群から選ばれるのが好ましい。
【００３６】
質量分析計は、（ａ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第１のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第１のイオン源、ならびに／または
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第２のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第２のイオン源、ならびに／または
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に正電荷の検体イオンを生成するように配置されたイオン源、ならびに／または
（ｄ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に負電荷の試薬イオンを生成するように配置されたイオン源をさらに備えるのが好ましい。
【００３７】
質量分析計は、
（ａ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン移動度分離デバイスおよび／またはフィールド非対称イオン移動度分光計、ならびに／あるいは
（ｂ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオントラップまたはイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された衝突、フラグメンテーションまたは反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応デバイスからなる群から選ばれる衝突、フラグメンテーションまたは反応セルをさらに備え得る。
【００３８】
質量分析計は、（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部、および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選ばれる質量分析部をさらに備えるのが好ましい。
【００３９】
本発明の別の態様によると、
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスと、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部とを備える質量分析計であって、
使用時に、電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンとの相互作用により反応および／またはフラグメンテーションさせられて複数のフラグメントまたは生成イオンが形成され、
検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントまたは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置され、次いで、フラグメントまたは生成イオンが質量分析のために飛行時間質量分析部に移送される、質量分析計が提供される。
【００４０】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスを準備する工程と、
上記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、電子移動解離によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４１】
本発明の別の態様によると、上述の方法を含む質量分析方法が提供される。
【００４２】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを準備する工程と、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部を準備する工程と、
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンを負電荷の試薬イオンと反応および／またはフラグメンテーションさせて複数のフラグメントまたは生成イオンを形成する工程であって、検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置された工程と、
フラグメントまたは生成イオンを質量分析のために飛行時間質量分析部に移送する工程とを含む、質量分析方法が提供される。
【００４３】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備えるプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスが提供される。
【００４４】
本発明の別の態様によると、複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイスを準備する工程と、
上記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、プロトン移動反応またはフラグメンテーションによってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４５】
電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスに関連して上記に説明した好適な特徴のすべては、上述のプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスにも同様に適用可能であり、よって、簡潔を期すため繰り返しの説明は行わない。
【００４６】
本発明の一態様によると、１つ以上の開口を有し、使用時に前記開口を通ってイオンが移送される電極を複数備えるイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイスであって、上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置されるデバイスが提供される。
【００４７】
反応またはフラグメンテーションデバイスは電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスおよび／またはプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスを含むのが好ましい。
【００４８】
本発明の一態様によると、１つ以上の開口を有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
上記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するようにする工程とを含む、イオン−イオン相互作用によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法が提供される。
【００４９】
本発明の一態様によると、上述の方法を含む、電子移動解離反応もしくはフラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応もしくはフラグメンテーションの方法が提供される。
【００５０】
本発明の一態様によると、検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを、＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、かつフラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送するように配置された、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスを備える質量分析計が提供される。
【００５１】
本発明の一態様によると、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイス内で検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、次いで、フラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送することを含む質量分析方法が提供される。
【００５２】
本発明の一態様によると、開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備える電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスであって、一動作モードにおいて、イオンが上記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込められ、実質的に電界が存在しない領域が、複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に形成または生成されるデバイスが提供される。
【００５３】
本発明の一態様によると、開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
イオンを上記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込める工程と、
複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に、実質的に電界が存在しない領域を形成または生成する工程とを含む、電子移動解離、プロトン移動反応またはイオン−イオン相互作用方法が提供される。
【００５４】
本発明の好適な実施形態によると、好ましくは電荷容量が比較的高い（電荷容量が制限された従来の三次元イオントラップとは対照的に）反応またはフラグメンテーションチャンバまたはセルが提供される。
【００５５】
好適な実施形態によると、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスは、当該デバイスの中心およびイオン閉じ込め空間の大部分の全体にわたってイオンが好ましくは非常に低い（あるいは実質的にゼロである）微細運動（micro-motion）を示すようにイオンをトラップまたは閉じ込める。したがって、イオンは上記好適なデバイスの中心および当該デバイスの中心空間の全体にわたって好ましくはＲＦ閉じ込め電界の影響を受けず、よって、当該イオンはＲＦ加熱作用を受けないことが好ましい。ＲＦ加熱では、イオンがＲＦ電界を受け、微細運動させられる。ＲＦ電界内で結果として起こるイオンの攪拌または励起により、イオンの平均運動エネルギーが上昇して熱レベル（thermal levels）を超える。
【００５６】
好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションデバイスは、好ましくは、従来の三次元イオントラップに見られる非常に低いフラグメンテーション断面の問題を克服する。さらに、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスはまた、従来の二次元または線形イオントラップおよび三次元イオントラップよりも大きいイオントラップ空間を提供する。
【００５７】
一実施形態によると、好適な反応またはフラグメンテーションデバイスまたはチャンバは、積層リングイオンガイドまたはイオントンネルイオンガイド内に形成された球状または楕円状のチャンバを備える。
【００５８】
以下に、添付の図面を参照し、本発明の種々の実施形態を、あくまで例として説明する。
【００５９】
図１は、複数のリング電極内に形成された好適な反応またはフラグメンテーションセルを上流イオントンネルイオンガイドおよび下流イオントンネルイオンガイドとともに示し、
図２Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセルにわたる擬電位図を示し、図２Ｂは、好適な反応またはフラグメンテーションセルの中心領域にわたる擬電位図をより詳細に示し、
図３Ａは、好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのバックグラウンドガスの不存在下でのイオン運動のシミュレーション結果を示し、図３Ｂは、圧力が５ｍＴｏｒｒのバックグラウンドガスが内部に存在するものとしてモデル化された好適な反応またはフラグメンテーションセル内で準備されたイオンのイオン運動のシミュレーション結果を示し、
図４は、イオンが電子移動解離によってフラグメントまたは生成イオンを形成するように反応またはフラグメンテーションされた後、イオン閉じ込め空間全体にわたって四重極電界が形成される第２のあるいは分析動作モードで動作される好適な反応またはフラグメンテーションセルを示し、
図５は、好適な反応またはフラグメンテーションセルが、別々のアニオン源およびカチオン源と、好適な反応またはフラグメンテーションセルの上流のＹ字型イオンガイドと、好適な反応またはフラグメンテーションセルの下流に配置された飛行時間質量分析部とを備える質量分析計に組み込まれた本発明の実施形態を示す。
【００６０】
以下に、本発明の好適な実施形態について図１を参照して説明する。図１は、イオントラップ空間を規定する内部開口を有する複数の電極により形成された好適な反応またはフラグメンテーションセル１の切り欠き図を示す。開口を有し、使用時にその開口を通ってイオンが移送される複数の電極を備える上流イオントンネルイオンガイド２が示されている。使用時にイオンが移送される開口を有する複数の電極を備える下流イオントンネルイオンガイド３もまた示されている。
【００６１】
図１に示す好適な反応またはフラグメンテーションセル１はＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）モデルから採用したものであり、本発明の好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションセル１の幾何学的形状を示し、反応またはフラグメンテーションセルは、好適な反応またはフラグメンテーションセル１の上流および下流に配置された積層リングイオントンネルイオンガイド２、３に結合されている。この好適な実施形態によると、電極の内部開口によって規定される空間は、好ましくは球状である。しかし、イオントラップ空間が大まかな楕円体や他の形状または空間プロフィールを有し得る他の実施形態も考えられる。
【００６２】
好適な反応またはフラグメンテーションデバイスまたはセル１を形成する電極にＡＣまたはＲＦ電圧が印加されるのが好ましい。第１のまたは電子移動解離フラグメンテーションまたは反応動作モードにおいて、ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が隣接する電極に印加されるのが好ましい。
【００６３】
内部球体またはイオントラップ空間もしくは領域の直径は、好ましくは、電極へのＡＣまたはＲＦ電圧印加によって生成される擬電位が上記反応空間の表面でＲＦ障壁または擬電位としてのみ作用するのに十分な大きさである。反応セル１の幾何学的形状およびイオン閉じ込め空間中へのＲＦ電界の浸透深さは、ＡＣまたはＲＦ電圧内でのイオン相互作用によるイオンの微細運動がフラグメンテーションまたは反応デバイス１の中心空間または領域にわたって事実上ゼロに減衰するようなものであることが好ましい。この好適な実施形態によると、フラグメンテーションまたは反応デバイス１の中心領域およびイオン閉じ込め空間の大部分には、本質的に電界が存在しない。イオン微細運動は、イオンが受ける擬電位の強度に比例するので、イオントラップ領域内でイオンが受ける擬電位が本質的にゼロである場合、そのイオンは微細運動を全く示さない。イオン微細運動が存在しないことにより、イオンの平均運動エネルギーは、好ましくはイオントラップまたはフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に存在するバックグラウンドガスの熱温度よりわずかに高い、比較的低いレベルまで低下する。
【００６４】
図１に示す実施形態を参照すると、正電荷の検体イオンを第１の（上流）イオンガイド２を介して好適なイオントラップまたはイオンフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に導入し、負電荷の試薬イオンを第２の（下流）イオンガイド３を介して好適なイオントラップまたはイオンフラグメンテーションもしくは反応デバイス１内に導入することができ、この逆もまた可能である。正電荷のイオンおよび負電荷のイオンを同じイオンガイド２、３を介してイオントラップ１内に導入することができる他の実施形態が考えられる。例えば、正イオンおよび負イオンを第１の（上流）イオンガイド２および／または第２の（下流）イオンガイド３を介してイオントラップ１内に導入することができる。
【００６５】
イオンをイオンガイド２、３の長さに沿ってかつイオントラップ１中に押しやる、駆り立てる、駆動するまたは推進するために、１つ以上の過渡ＤＣ電圧またはＤＣ電圧波形が第１の（上流）イオンガイド２および／または第２の（下流）イオンガイド３のいずれかに印加され得る。あるいは、もしくはさらに、イオンをイオンガイド２、３の長さに沿ってかつイオントラップ領域１中に押しやる、駆り立てる、駆動するまたは推進するために、１つ以上のＤＣ電圧が第１および／または第２のイオンガイド２、３の少なくとも一部に沿って印加され得る。
【００６６】
図２Ａおよび図２Ｂは、好適なイオントラップ１内の擬電位表面をＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）モデル化した結果を示す。好適な反応セル１内のＸＹ平面位置（ｍｍ）に対する縦軸に沿って擬電位がボルト単位で示されている。図２Ａおよび図２Ｂから分かるように、好適な実施形態によると、好適なイオントラップのイオントラップ空間の大部分における擬電位はゼロであるか無視できる程度である。したがって、イオンは、イオントラップ領域内に滞在する時間の大部分の間、ＲＦ電界を受けない。したがって、イオンは、イオントラップ１内に存在するバックグラウンドガス分子の平均運動エネルギーと実質的に類似した平均運動エネルギーを有することができる。
【００６７】
図３Ａは、バックグラウンドガスの不存在下において好適な反応セル１内でＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）によってモデル化したイオン運動を示す。図３Ａに示すように、モデル中にガスが存在しない状態では、イオンはイオントラップ領域を横切って直線状に移動しており、これにより、イオンが受ける唯一の大きな電界は、イオンがイオントラップ１の中心に向かって反射される球状のイオン閉じ込め空間の端部または外側表面に存在する擬電位電界であることが分かる。したがって、図３Ａは、非常に低いあるいは無視できる擬電位がデバイス１のイオントラップ領域の大部分にわたって存在すること、すなわち、イオンはバックグラウンドガスの不存在下ではイオントラップ空間の外側表面で反射間において直線状に進むことを示している。
【００６８】
図３Ｂは、イオンがイオントラップ１内に閉じ込められるものとしてモデル化され、かつ５ｍＴｏｒｒのヘリウムバックグラウンドガスが存在するものとしてモデル化されている、ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）によってモデル化したイオン運動のシミュレーション結果を示している。モデルにバックグラウンドガスが含まれている場合、イオンは、一般に、イオントラップ１内に存在する衝突ガスの熱エネルギーを得る。イオン運動はバックグラウンドガス分子との衝突によって実質的に占められ、イオンはＲＦ加熱作用をほとんど示さない。
【００６９】
従来の三次元イオントラップ、従来の二次元イオントラップおよび好適な実施形態による反応セル１について相対衝突率定数を定量するため、三次元イオントラップ、二次元イオントラップおよび好適な実施形態による反応セル１内でのイオン−イオン衝突を、ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）を用いてモデル化した。一対の逆極性のイオン間の平均運動エネルギーおよび平均相対速度を、それぞれの場合において記録した。モデルでは、２つのイオンが存在すると仮定した。イオンの一方は３＋の電荷と２５００の質量とを有し、他方のイオンは−１の電荷と８０の質量とを有していた。全ての場合において、緩衝ガスが存在するものとしてモデル化した。緩衝ガスは、５ｍＴｏｒｒの圧力で存在するヘリウムガスを含むものとしてモデル化した。
【００７０】
従来の三次元イオントラップのモデルについては、＋／−６０ＶのＲＦが１ＭＨｚの周波数でリング電極に印加されたものとしてモデル化した。従来の二次元イオントラップのモデルについては、端板に＋／−６０Ｖが２００ｋＨｚの周波数で供給された状態で、＋／−６０ＶのＲＦが１ＭＨｚの周波数で逆極に印加されたものとしてモデル化した。好適な実施形態による反応セル１をシミュレートするため、イオントラップ１を形成する隣接するプレートまたはリング電極に＋／−１００ＶのＲＦが印加されたものとしてモデル化した。
【００７１】
次いで、平均イオン−イオン速度測定値に基づいて相対衝突率定数を算出した。イオンを１００ｍｓ間飛行させたＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）の結果を以下の表にまとめた。
【００７２】
【表１】
【００７３】
上記の表は、イオン−イオンフラグメンテーションを誘起させようとする際に、従来の三次元イオントラップと比較して従来の二次元イオントラップを用いた場合に若干の改良が見られることを示している。より重要なことには、イオン−イオン衝突率、ひいては、好適な実施形態による反応またはフラグメンテーションセル１を使用した際にフラグメンテーションされる検体イオン数に、従来の二次元イオントラップを使用した場合と比較して大きな改善が見られる。
【００７４】
好適な反応セル１内のイオンのイオン微細運動およびＲＦ加熱作用は、従来の二次元または三次元四重極イオントラップを使用した場合に比べて著しく低い。ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）結果は、好適な反応セル１内のイオンの平均運動イオンエネルギー（４３．４ｍｅＶ）は、ヘリウム緩衝ガス（３８ｍｅＶ）の熱エネルギーとほぼ同じくらい低いことを示している。これは、従来の二次元および三次元四重極イオントラップでは、ガス衝突によって生じるランダム化された動きによってイオンがＲＦ電界中に押しこまれ、そのことがＲＦ加熱の作用を拡大するように作用するためである。しかし、好適なイオントラップ１内のイオンは、ＲＦ加熱の作用に実質的に影響されない。
【００７５】
相対イオン速度が低くなる結果、電子移動解離のイオン−イオン衝突率定数は、従来の二次元または三次元四重極イオントラップのいずれについてよりも、好適な反応セル１について著しく高い。したがって、好適なイオントラップ１内で行われる電子移動解離は、従来の二次元または三次元イオントラップ内で行われる同等の実験よりも著しく感度が高い。
【００７６】
本発明の一実施形態によると、検体イオンおよび試薬イオンは、フラグメンテーションまたは反応デバイス１のいずれの端部からも好適な反応セル中に送出または排出され得る。イオンは、例えば、イオントンネル／反応チャンバ／イオントンネルの組合せに沿って進行波ＤＣ電位を印加することによって好適な反応セル１に移送され得る。この実施形態によると、１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形が、イオンガイド２、３および／または好適な反応チャンバ１を備える電極に好ましくは印加される。このような進行波デバイスの特に有利な特徴は、正の極性のイオンおよび／または負の極性のイオンの両方が、同一方向に移動する進行波によってイオンガイド２、３および／または好適な反応チャンバ１の長さに沿って搬送され得るということである。正イオンは進行波の谷において搬送され得、負イオンは進行波の山において搬送され得る。
【００７７】
別の実施形態によると、イオンを好適な反応チャンバ１内におよび／またはそこから外にドリフトさせるために、イオンガイド２、３を備える電極および／または反応チャンバ１を備える電極にＤＣバイアス電圧が印加され得る。
【００７８】
一実施形態によると、反応チャンバ１のリングに印加されるＲＦ電圧は、第１の動作モードから第２の動作モードに電子的に切り換えられ得る。第１の動作モードにおいて、反応チャンバ１は、好ましくは、隣接するプレート電極に＋／−１００Ｖが印加されるコールドトラップ動作モードで動作される。この動作モードにおいては、イオン−イオン反応が好ましくは最適化される。
【００７９】
第２のあるいは分析動作モードにおいて、反応チャンバ１は、四重極ＲＦ電界が好ましくはイオントラップ領域全体にわたって形成されるように反応チャンバ１に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が好ましくは再構成された分析トラップモードで動作するように好ましくは切り換えられる。第２の動作モードにおいて、イオンは、質量選択的不安定性または共鳴励起によって好適な反応チャンバ１からスキャンにより排出され得る。
【００８０】
一実施形態によると、反応チャンバ１は、反応チャンバ１を検体イオンが電子移動解離によりフラグメンテーションされる第１の動作モードで動作させる前に、第２の（分析）動作モードで動作され得る。一実施形態によると、検体イオンの電子移動解離の前に、所望の試薬イオンのみが反応チャンバ１内に保持され得る。存在し得る他の全ての試薬イオンは、電子移動解離反応またはフラグメンテーションが行われる前に、すなわち、好適なデバイスを第１の動作モードで動作させる前に、好適なイオントラップ１から質量選択的に排出され得る。
【００８１】
好適なイオントラップ１は、好適なイオントラップ１内で電子移動解離反応またはフラグメンテーションを行う（すなわち、イオントラップ１を第１の動作モードで動作させた）後であるいはそれに続いて第２の（分析）動作モードに切り換えられ得る。イオントラップ１内で形成された生成またはフラグメントイオンは、イオン検出器または飛行時間質量分析計もしくは質量分析部内にまたはそれに向けて、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１からスキャンにより排出することができる。
【００８２】
一実施形態によると、擬電位駆動力を用いてイオンを好適な反応セル１内へおよび／またはその外へ駆動し得る。これは、イオントラップの内外への電界の変化がより漸進的である球状−楕円状空間またはイオントラップ空間の形状を変化させることによって行い得る。
【００８３】
アニオンとカチオンとの相対イオン運動を最小限にすることが所望される第１のあるいは電子移動解離動作モードで好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１を動作させる場合、ＡＣまたはＲＦ電圧の交互の位相がデバイス全体にわたって交互リング電極に好ましくは印加される。ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が＋、−の符号で示される図４にこのことが示されている。
【００８４】
上述のように、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１は、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１が分析動作モードで動作される第２の異なる動作モードでも動作され得る。この動作モードによると、それ以外の場合にはフラグメンテーションまたは反応デバイス１を形成または規定する交互リング電極に印加されるＡＣまたはＲＦ電圧が、好ましくはオフに切り換えられる。第２のあるいは分析動作モードにおいて、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内に２次電位または略２次電位が生成されるかまたは維持されるような異なる電圧関数が電極に好ましくは適用され得る。この実施形態によると、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内の電位は、好ましくは、軸方向寸法ｘ2および半径方向寸法ｒ2に比例する。
【００８５】
第２のあるいは分析動作モードにおいて、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１を形成するリング電極に複数の電圧Ｖｎが印加され得る。電圧は、リング電極に印加される最高電圧がＶｎmaxであり、リング電極に印加される最低電圧がＶ１である抵抗・容量網（resistive and capacitative network）を用いてあるいはこれを介してリング電極に好ましくは維持または印加される。図４に示すように、Ｖ１は、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１の上流および下流端の電極に印加される電圧に好ましくは対応する。図４に示す特定の例において、ｎmaxは８に等しい。しかし、好適なイオントラップ１が１６個よりも少ないかまたは多い電極を備え得る他の実施形態も考えられる。
【００８６】
ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）用いた好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１のモデルは、電圧Ｖｎがｎに比例して印加される場合、軸（ｘ）方向および半径（ｒ）方向の両方において略２次電界が得られることを示している。好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１内にイオンがトラップされる擬電位を生成するために、電圧Ｖｎにｓｉｎ（ｗ＊ｔ）関数を好ましくは乗じる（式中、ｗは、時間（ｔ）に対する電圧の周波数である）。
【００８７】
この好適な実施形態によると、好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１が第２のあるいは分析動作モードで動作される場合、デバイスは、三次元四重極（またはポール）イオントラップのように機能する。イオントラップ１が第２のあるいは分析動作モードで動作される場合にイオンを共鳴排出（resonance ejection）によって軸方向に質量選択的に排出するために、好適なイオントラップ１を形成するプレートまたは電極にさらなる補助電圧関数が印加され得る。
【００８８】
上記分析動作モードにより、電子移動解離生成イオンまたは前駆イオンがイオン検出器または質量分析部内へまたはそれに向けて質量選択的にさらに操作され掃引され得る追加の動作モードが提供される。
【００８９】
例えば、液体窒素（７７Ｋ）からの蒸気を導入するかあるいはイオントンネルまたはイオントラップ１のプレートを液体窒素で直接冷却することにより、好適な反応セル１が低温ガスで充填され得る実施形態も考えられる。この実施形態によると、好適な反応セル１内のイオンの平均運動エネルギーは、好ましくは、従来の二次元または三次元イオントラップと比較して非常に低く構成される。好適な反応セル１は、直交加速式飛行時間（ＴＯＦ）質量分析部などの質量分析部に向かってイオンを前方移送する前にイオンを熱レベル付近まで冷却することによってイオンを調整する点で特に有利である。直交加速式飛行時間質量分析部の最終的な質量分解能は、質量分析部から定期的にサンプリングされるイオンビーム内に広がる直交エネルギーによって制限される。
【００９０】
この好適な実施形態によると、イオンは、直交加速式飛行時間質量分析部または質量分析計の直交加速段の上流において、かつ押し出し電界または直交加速パルスをイオンパケットまたはイオンビームに印加する前に、室温またはそれより低い温度において衝突により減衰され得る。イオンを熱温度に冷却することにより、イオンの直交エネルギーの広がりが有利に低減される。このことは、飛行時間質量分析部においてターンアラウンドタイム異常（turn around time aberration）を低減させる効果を有する。その結果、質量分析部の分解能が好ましくは著しく向上する。
【００９１】
好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１内でイオンのＲＦ加熱が無視できる程度である場合、ターンアラウンドタイム異常は、冷却ガス温度の平方根に比例する速度広がりに比例する。したがって、熱エネルギーを４分の１に減少させることにより（例えば、温度を室温から液体窒素温度に低下させることによって）、イオンの速度広がり、ひいてはターンアラウンドタイムが２分の１に減少し、したがって、直交加速式質量分析計の最終的な質量分解能が２倍に増加する。
【００９２】
この好適な実施形態によると、好適な反応セル１は、高品質の電子移動解離ＭＳ／ＭＳデータを生成することができ、好適な反応セルが直交加速式飛行時間質量分析計に結合された場合に、分解能が向上した質量スペクトルデータを得ることを可能にする。
【００９３】
好適なイオントラップ１内でのイオンの光フラグメンテーションを可能にするためにレーザポートが設けられ得る本発明のさらなる実施形態が考えられる。
【００９４】
一実施形態によると、１つ以上の双極場を用いて、好適なイオントラップ１内の運動エネルギーを制御（例えば、増加または減少）し得る。したがって、例えば、一実施形態によると、イオントラップ１は、追加のＡＣ電圧がイオントラップ１の両端に印加され、それによりイオンが共振的に励起される動作モードで動作され得る。したがって、イオンは、好適なイオントラップ１内で衝突誘起解離または分解（ＣＩＤ）され得る。
【００９５】
カチオン検体（すなわち、正電荷の検体イオン）および試薬アニオン（すなわち、負電荷の試薬イオン）を異なるイオン源から生成するのが有利であるが、このことは必須ではない。一実施形態によると、好ましくは両極性のイオンを異なる場所にある多数のイオン源から同時にかつ連続的に受け取り、搬送するイオンガイドが使用され得る。イオンガイドは、例えば、概ねイオンの進行平面に配置された複数のプレート電極を備えるイオンガイドを含み得る。ＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が隣接する電極に印加され得る。１つ以上のイオンガイド領域がイオンガイド内に形成または構成され得る。一実施形態によると、イオンガイドは、Ｙ字型結合器を含み得、アニオンイオン源からのイオンおよびカチオンイオン源からのイオンは、共通のイオン注入口を介して好適な反応またはフラグメンテーションセル１に注入される前に、このＹ字型イオンガイドを通過する。
【００９６】
好適な実施形態による質量分析計を図５に示す。図５に示すように、カチオンおよびアニオンの両方を好適なフラグメンテーションまたは反応デバイス１の入口領域内に導入するためにイオンガイド８が使用され得る。質量選択的または質量電荷比選択的な四重極７ａがアニオン源５とイオンガイド８との間に設けられ得る。さらに、もしくはあるいは、質量選択的または質量電荷比選択的な四重極７ｂがカチオン源６とイオンガイド８との間に設けられ得る。２つの四重極ロッドセット７ａ、７ｂにより、好ましくは、イオン源５、６から生成される適切なもしくは所望の検体イオンおよび／または適切なもしくは所望の試薬イオンをイオンガイド８、ひいては好適なイオントラップ１へと前方移送することが可能となる。
【００９７】
好適な実施形態によると、好適なイオン−イオン反応デバイス１内で生成され、次いでイオン−イオン反応デバイス１からその後の質量分析のために排出される生成またはフラグメントイオン１０を受け取り、質量分析するために、直交加速式飛行時間質量分析部９が、好適な反応またはフラグメンテーションデバイス１の下流に配置され得る。
【００９８】
本発明を好適な実施形態を参照して記載したが、添付の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、上記した個々の実施形態を形態および詳細において種々に変更し得ることが当業者に理解される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイス。
【請求項２】
前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを前記デバイス内で有するように配置される、請求項１に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項３】
使用時に、中性電荷の緩衝ガスが前記デバイス内に準備され、前記中性電荷の緩衝ガスのガス分子が、第１の平均運動エネルギーを有するように配置され、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、前記デバイス内で第２の平均運動エネルギーを有するように配置され、前記第２の平均運動エネルギーと前記第１の平均運動エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる、請求項１または２に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項４】
使用時に、中性電荷の緩衝ガスが前記デバイス内に準備され、前記中性電荷の緩衝ガスのガス分子が熱エネルギーを有し、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、前記デバイス内で平均運動エネルギーを有するように配置され、
（ａ）前記イオンの平均運動エネルギーと前記緩衝ガスの前記熱エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）前記イオンの平均運動エネルギーの前記緩衝ガスの熱エネルギーに対する比が、（ｉ）＜１．０５、（ｉｉ）１．０５〜１．１、（ｉｉｉ）１．１〜１．２、（ｉｖ）１．２〜１．３、（ｖ）１．３〜１．４、（ｖｉ）１．４〜１．５、（ｖｉｉ）１．５〜１．６、（ｖｉｉｉ）１．６〜１．７、（ｉｘ）１．７〜１．８、（ｘ）１．８〜１．９、（ｘｉ）１．９〜２．０、（ｘｉｉ）２．０〜２．５、（ｘｉｉｉ）２．５〜３．０、（ｘｉｖ）３．０〜３．５、（ｘｖ）３．５〜４．０、（ｘｖｉ）４．０〜４．５、（ｘｖｉｉ）４．５〜５．０、および（ｘｖｉｉｉ）＞５．０からなる群から選ばれる、請求項１、２または３に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項５】
（ａ）前記デバイスは、使用時にイオンが移送される少なくとも１つの開口をそれぞれが有する５〜１０個、１０〜１５個、１５〜２０個、２５〜３０個、３０〜３５個、３５〜４０個、４０〜４５個、４５〜５０個、５０〜５５個、５５〜６０個、６０〜６５個、６５〜７０個、７０〜７５個、７５〜８０個、８０〜８５個、８５〜９０個、９０〜９５個、９５〜１００個、１００〜１１０個、１１０〜１２０個、１２０〜１３０個、１３０〜１４０個、１４０〜１５０個、１５０〜１６０個、１６０〜１７０個、１７０〜１８０個、１８０〜１９０個、１９０〜２００個または＞２００個の電極を備え、かつ／または、
（ｂ）前記複数の電極の開口の内径が、前記デバイスの長手方向軸に沿って１回以上漸進的に増加した後漸進的に減少し、かつ／または
（ｃ）前記複数の電極は、（ｉ）１つ以上の球体、（ｉｉ）１つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）１つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）１つ以上の楕円体、および（ｖ）１つ以上の不等楕円体からなる群から選ばれる幾何学的空間を規定している、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項６】
（ａ）前記複数の電極の開口の内径が幾何学的空間を規定しており、前記幾何学的空間は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）使用時における、質量電荷比が１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００または１０００のイオンに対する前記デバイス内の有効イオントラップ空間または領域が、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項７】
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に供給するように配置および構成された装置をさらに含み、
（ａ）前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有し、かつ／または
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項８】
一動作モードにおいて、前記デバイスは四重極または分析動作モードで動作され、
（ａ）四重極または略四重極電界が前記デバイスの軸方向に沿って維持され、かつ／または
（ｂ）四重極または略四重極電界が前記デバイスの半径方向に沿って維持される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項９】
一動作モードにおいて、
（ｉ）前記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックに励起させ、かつ／または
（ｉｉ）前記デバイスからイオンを共振によりまたはパラメトリックに排出し、かつ／または
（ｉｉｉ）前記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックにフラグメンテーションするために、追加または補助ＡＣ電圧が１つ以上の上流電極と１つ以上の下流電極との間に印加される、請求項８に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１０】
（ａ）一動作モードにおいて前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿ってＤＣ電圧または電位勾配を維持するように配置および構成された装置、および／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの少なくとも一部を形成する電極に印加するように配置および構成されたＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１１】
一動作モードにおいて前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、前記複数の電極の少なくともいくつかに１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を印加するように配置および構成された過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１２】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度を時間とともに変化、増加、または減少させるように配置および構成された手段をさらに含むか、あるいは、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度が、直線的にまたは非直線的に時間とともに傾斜状に増加されるか、階段状に増加されるか、スキャンされるか、または変化させられ、かつ／または
（ｂ）一動作モードにおいて、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形は、（ｉ）＜１００ｍ／ｓ、（ｉｉ）１００〜２００ｍ／ｓ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｍ／ｓ、（ｉｖ）３００〜４００ｍ／ｓ、（ｖ）４００〜５００ｍ／ｓ、（ｖｉ）５００〜６００ｍ／ｓ、（ｖｉｉ）６００〜７００ｍ／ｓ、（ｖｉｉｉ）７００〜８００ｍ／ｓ、（ｉｘ）８００〜９００ｍ／ｓ、（ｘ）９００〜１０００ｍ／ｓ、（ｘｉ）１０００〜１１００ｍ／ｓ、（ｘｉｉ）１１００〜１２００ｍ／ｓ、（ｘｉｉｉ）１２００〜１３００ｍ／ｓ、（ｘｉｖ）１３００〜１４００ｍ／ｓ、（ｘｖ）１４００〜１５００ｍ／ｓ、（ｘｖｉ）１５００〜１６００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉ）１６００〜１７００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７００〜１８００ｍ／ｓ、（ｘｉｘ）１８００〜１９００ｍ／ｓ、（ｘｘ）１９００〜２０００ｍ／ｓ、（ｘｘｉ）２０００〜２１００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉ）２１００〜２２００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２００〜２３００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｖ）２３００〜２４００ｍ／ｓ、（ｘｘｖ）２４００〜２５００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉ）２５００〜２６００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６００〜２７００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７００〜２８００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｘ）２８００〜２９００ｍ／ｓ、（ｘｘｘ）２９００〜３０００ｍ／ｓ、および（ｘｘｘｉ）＞３０００ｍ／ｓからなる群から選ばれる速度で前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さに沿って平行移動される、請求項１１に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１３】
一動作モードにおいて、使用時に、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０-2ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１０-4ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞１０-5ｍｂａｒ、（ｉｘ）＞１０-6ｍｂａｒ、（ｘ）＜１００ｍｂａｒ、（ｘｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｘｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｘｉｉｉ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｘｉｖ）＜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖ）＜１０-3ｍｂａｒ、（ｘｖｉ）＜１０-4ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉ）＜１０-5ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉｉ）＜１０-6ｍｂａｒ、（ｘｉｘ）１０〜１００ｍｂａｒ、（ｘｘ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｘｘｉ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉｉ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｘｉｖ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、および（ｘｘｖ）１０-5〜１０-4ｍｂａｒからなる群から選ばれる圧力に維持される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１４】
一動作モードにおいて、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００、９００〜１０００または＞１０００の範囲にある１価のイオンの前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でのイオン滞在時間が、（ｉ）０〜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜２ｍｓ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｓ、（ｉｖ）３〜４ｍｓ、（ｖ）４〜５ｍｓ、（ｖｉ）５〜６ｍｓ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｓ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｓ、（ｉｘ）８〜９ｍｓ、（ｘ）９〜１０ｍｓ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｓ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｓ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｓ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｓ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｓ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｓ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｓ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｓ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｓ、（ｘｘｉ）２０〜２１ｍｓ、（ｘｘｉｉ）２１〜２２ｍｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２〜２３ｍｓ、（ｘｘｉｖ）２３〜２４ｍｓ、（ｘｘｖ）２４〜２５ｍｓ、（ｘｘｖｉ）２５〜２６ｍｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６〜２７ｍｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７〜２８ｍｓ、（ｘｘｉｘ）２８〜２９ｍｓ、（ｘｘｘ）２９〜３０ｍｓ、（ｘｘｘｉ）３０〜３５ｍｓ、（ｘｘｘｉｉ）３５〜４０ｍｓ、（ｘｘｘｉｉｉ）４０〜４５ｍｓ、（ｘｘｘｉｖ）４５〜５０ｍｓ、（ｘｘｘｖ）５０〜５５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉ）５５〜６０ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉ）６０〜６５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６５〜７０ｍｓ、（ｘｘｘｉｘ）７０〜７５ｍｓ、（ｘｌ）７５〜８０ｍｓ、（ｘｌｉ）８０〜８５ｍｓ、（ｘｌｉｉ）８５〜９０ｍｓ、（ｘｌｉｉｉ）９０〜９５ｍｓ、（ｘｌｉｖ）９５〜１００ｍｓ、および（ｘｌｖ）＞１００ｍｓの範囲である、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１５】
（ａ）一動作モードにおいて、イオンが、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でガスと衝突することによって衝突冷却および／または熱化され、かつ／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、前記複数の電極および／または前記デバイス内に存在するガスを、（ｉ）＜２０Ｋ、（ｉｉ）２０〜４０Ｋ、（ｉｉｉ）４０〜６０Ｋ、（ｉｖ）６０〜８０Ｋ、（ｖ）８０〜１００Ｋ、（ｖｉ）１００〜１２０Ｋ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０Ｋ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０Ｋ、（ｉｘ）１６０〜１８０Ｋ、（ｘ）１８０〜２００Ｋ、（ｘｉ）２００〜２２０Ｋ、（ｘｉｉ）２２０〜２４０Ｋ、（ｘｉｉｉ）２４０〜２６０Ｋ、（ｘｉｖ）２６０〜２８０Ｋ、および（ｘｖ）２８０〜３００Ｋからなる群から選ばれる温度に冷却するための冷却装置をさらに備える、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１６】
レーザポートをさらに備え、使用時に、前記デバイス内に位置するイオンをフラグメンテーションするために前記レーザポートを介してレーザビームが透過される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスをさらに備える質量分析計。
【請求項１８】
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１のイオンガイドおよび／または前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの下流に配置された第２のイオンガイドをさらに備える、請求項１７に記載の質量分析計。
【請求項１９】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドは、
（ａ）四重極、六重極、八重極またはより高次のロッドセットイオンガイド、ならびに／または
（ｂ）イオンの進行平面に概ね配置された複数のプレート電極であって、隣接する電極がＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相に維持され、前記イオンガイド内で１つ以上のイオンガイド領域が形成されたプレート電極、ならびに／または
（ｃ）第１のイオン源からのイオンが使用時に出口に移送され、第２の別のイオン源からのイオンが使用時に前記出口に移送されるＹ字型結合領域を有するイオンガイドを含む、請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２０】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドは、開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される複数の電極を備えるイオントンネルイオンガイドを含む請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２１】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドを形成する前記複数の電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧を供給するように配置および構成された装置をさらに備え、
（ａ）前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有し、かつ／または
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される、請求項２０に記載の質量分析計。
【請求項２２】
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１の質量フィルタおよび／または前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第２の質量フィルタをさらに備え、前記第１の質量フィルタおよび／または前記第２の質量フィルタは、
（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、
（ｉｉ）飛行時間質量フィルタ、および
（ｉｉｉ）磁場型質量フィルタからなる群から選ばれる、請求項１７〜２１のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２３】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第１のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第１のイオン源、ならびに／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第２のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第２のイオン源、ならびに／または
（ｃ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に正電荷の検体イオンを生成するように配置されたイオン源、ならびに／または
（ｄ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に負電荷の試薬イオンを生成するように配置されたイオン源をさらに備える、請求項１７〜２２のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２４】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン移動度分離デバイスおよび／またはフィールド非対称イオン移動度分光計、ならびに／あるいは
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオントラップまたはイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された衝突、フラグメンテーションまたは反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応デバイスからなる群から選ばれる衝突、フラグメンテーションまたは反応セル、ならびに／あるいは
（ｄ）（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部、および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選ばれる質量分析部をさらに備える、請求項１７〜２３のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２５】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスと、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部とを備える質量分析計であって、
使用時に、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンとの相互作用により反応および／またはフラグメンテーションさせられて複数のフラグメントまたは生成イオンが形成され、
前記検体イオンおよび／または前記試薬イオンおよび／または前記フラグメントまたは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置され、
次いで、フラグメントまたは生成イオンが質量分析のために前記飛行時間質量分析部に移送される、質量分析計。
【請求項２６】
複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイスを準備する工程と、
前記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、電子移動解離によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法を含む質量分析方法。
【請求項２８】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを準備する工程と、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部を準備する工程と、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンを負電荷の試薬イオンと反応および／またはフラグメンテーションさせて複数のフラグメントまたは生成イオンを形成する工程であって、前記検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置された工程と、
フラグメントまたは生成イオンを質量分析のために前記飛行時間質量分析部に移送する工程とを含む、質量分析方法。
【請求項２９】
複数の電極を備えるプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイス。
【請求項３０】
複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイスを準備する工程と、
前記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、プロトン移動反応またはフラグメンテーションによってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項３１】
１つ以上の開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備えるイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイスであって、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置されるデバイス。
【請求項３２】
前記反応またはフラグメンテーションデバイスは電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスおよび／またはプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスを含む、請求項３１に記載のイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項３３】
１つ以上の開口を有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するようにする工程とを含む、イオン−イオン相互作用によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法を含む、電子移動解離反応もしくはフラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応もしくはフラグメンテーションの方法。
【請求項３５】
検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを、＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、かつフラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送するように配置された、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスを備える質量分析計。
【請求項３６】
電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイス内で検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、次いで、フラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送することを含む質量分析方法。
【請求項３７】
開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備える電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスであって、一動作モードにおいて、イオンが前記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込められ、実質的に電界が存在しない領域が、前記複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に形成または生成されるデバイス。
【請求項３８】
開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
イオンを前記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込める工程と、
前記複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に、実質的に電界が存在しない領域を形成または生成する工程とを含む、電子移動解離、プロトン移動反応またはイオン−イオン相互作用方法。
【請求項１】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を少なくとも５個備えるデバイス。
【請求項２】
前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを前記デバイス内で有するように配置される、請求項１に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項３】
使用時に、中性電荷の緩衝ガスが前記デバイス内に準備され、前記中性電荷の緩衝ガスのガス分子が、第１の平均運動エネルギーを有するように配置され、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、前記デバイス内で第２の平均運動エネルギーを有するように配置され、前記第２の平均運動エネルギーと前記第１の平均運動エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる、請求項１または２に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項４】
使用時に、中性電荷の緩衝ガスが前記デバイス内に準備され、前記中性電荷の緩衝ガスのガス分子が熱エネルギーを有し、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、前記デバイス内で平均運動エネルギーを有するように配置され、
（ａ）前記イオンの平均運動エネルギーと前記緩衝ガスの前記熱エネルギーとの差が、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）前記イオンの平均運動エネルギーの前記緩衝ガスの熱エネルギーに対する比が、（ｉ）＜１．０５、（ｉｉ）１．０５〜１．１、（ｉｉｉ）１．１〜１．２、（ｉｖ）１．２〜１．３、（ｖ）１．３〜１．４、（ｖｉ）１．４〜１．５、（ｖｉｉ）１．５〜１．６、（ｖｉｉｉ）１．６〜１．７、（ｉｘ）１．７〜１．８、（ｘ）１．８〜１．９、（ｘｉ）１．９〜２．０、（ｘｉｉ）２．０〜２．５、（ｘｉｉｉ）２．５〜３．０、（ｘｉｖ）３．０〜３．５、（ｘｖ）３．５〜４．０、（ｘｖｉ）４．０〜４．５、（ｘｖｉｉ）４．５〜５．０、および（ｘｖｉｉｉ）＞５．０からなる群から選ばれる、請求項１、２または３に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項５】
（ａ）前記デバイスは、使用時にイオンが移送される少なくとも１つの開口をそれぞれが有する５〜１０個、１０〜１５個、１５〜２０個、２５〜３０個、３０〜３５個、３５〜４０個、４０〜４５個、４５〜５０個、５０〜５５個、５５〜６０個、６０〜６５個、６５〜７０個、７０〜７５個、７５〜８０個、８０〜８５個、８５〜９０個、９０〜９５個、９５〜１００個、１００〜１１０個、１１０〜１２０個、１２０〜１３０個、１３０〜１４０個、１４０〜１５０個、１５０〜１６０個、１６０〜１７０個、１７０〜１８０個、１８０〜１９０個、１９０〜２００個または＞２００個の電極を備え、かつ／または、
（ｂ）前記複数の電極の開口の内径が、前記デバイスの長手方向軸に沿って１回以上漸進的に増加した後漸進的に減少し、かつ／または
（ｃ）前記複数の電極は、（ｉ）１つ以上の球体、（ｉｉ）１つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）１つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）１つ以上の楕円体、および（ｖ）１つ以上の不等楕円体からなる群から選ばれる幾何学的空間を規定している、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項６】
（ａ）前記複数の電極の開口の内径が幾何学的空間を規定しており、前記幾何学的空間は、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれ、かつ／または
（ｂ）使用時における、質量電荷比が１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００または１０００のイオンに対する前記デバイス内の有効イオントラップ空間または領域が、（ｉ）＜１．０ｃｍ3、（ｉｉ）１．０〜２．０ｃｍ3、（ｉｉｉ）２．０〜３．０ｃｍ3、（ｉｖ）３．０〜４．０ｃｍ3、（ｖ）４．０〜５．０ｃｍ3、（ｖｉ）５．０〜６．０ｃｍ3、（ｖｉｉ）６．０〜７．０ｃｍ3、（ｖｉｉｉ）７．０〜８．０ｃｍ3、（ｉｘ）８．０〜９．０ｃｍ3、（ｘ）９．０〜１０．０ｃｍ3、（ｘｉ）１０．０〜１１．０ｃｍ3、（ｘｉｉ）１１．０〜１２．０ｃｍ3、（ｘｉｉｉ）１２．０〜１３．０ｃｍ3、（ｘｉｖ）１３．０〜１４．０ｃｍ3、（ｘｖ）１４．０〜１５．０ｃｍ3、（ｘｖｉ）１５．０〜１６．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉ）１６．０〜１７．０ｃｍ3、（ｘｖｉｉｉ）１７．０〜１８．０ｃｍ3、（ｘｉｘ）１８．０〜１９．０ｃｍ3、（ｘｘ）１９．０〜２０．０ｃｍ3、（ｘｘｉ）２０．０〜２５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉ）２５．０〜３０．０ｃｍ3、（ｘｘｉｉｉ）３０．０〜３５．０ｃｍ3、（ｘｘｉｖ）３５．０〜４０．０ｃｍ3、（ｘｘｖ）４０．０〜４５．０ｃｍ3、（ｘｘｖｉ）４５．０〜５０．０ｃｍ3、および（ｘｘｖｉｉ）＞５０．０ｃｍ3からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項７】
第１のＡＣまたはＲＦ電圧を前記複数の電極に供給するように配置および構成された装置をさらに含み、
（ａ）前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有し、かつ／または
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に前記第１のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項８】
一動作モードにおいて、前記デバイスは四重極または分析動作モードで動作され、
（ａ）四重極または略四重極電界が前記デバイスの軸方向に沿って維持され、かつ／または
（ｂ）四重極または略四重極電界が前記デバイスの半径方向に沿って維持される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項９】
一動作モードにおいて、
（ｉ）前記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックに励起させ、かつ／または
（ｉｉ）前記デバイスからイオンを共振によりまたはパラメトリックに排出し、かつ／または
（ｉｉｉ）前記デバイス内でイオンを共振によりまたはパラメトリックにフラグメンテーションするために、追加または補助ＡＣ電圧が１つ以上の上流電極と１つ以上の下流電極との間に印加される、請求項８に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１０】
（ａ）一動作モードにおいて前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿ってＤＣ電圧または電位勾配を維持するように配置および構成された装置、および／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、２つ以上の位相シフトＡＣまたはＲＦ電圧を前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの少なくとも一部を形成する電極に印加するように配置および構成されたＡＣまたはＲＦ電圧手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１１】
一動作モードにおいて前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さの少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％または１００％に沿って少なくともいくつかのイオンを駆り立てる、押しやる、駆動する、あるいは推進するために、前記複数の電極の少なくともいくつかに１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形を印加するように配置および構成された過渡ＤＣ電圧手段をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１２】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度を時間とともに変化、増加、または減少させるように配置および構成された手段をさらに含むか、あるいは、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形の振幅および／または速度が、直線的にまたは非直線的に時間とともに傾斜状に増加されるか、階段状に増加されるか、スキャンされるか、または変化させられ、かつ／または
（ｂ）一動作モードにおいて、前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位または前記１つ以上の過渡ＤＣ電圧もしくは電位波形は、（ｉ）＜１００ｍ／ｓ、（ｉｉ）１００〜２００ｍ／ｓ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｍ／ｓ、（ｉｖ）３００〜４００ｍ／ｓ、（ｖ）４００〜５００ｍ／ｓ、（ｖｉ）５００〜６００ｍ／ｓ、（ｖｉｉ）６００〜７００ｍ／ｓ、（ｖｉｉｉ）７００〜８００ｍ／ｓ、（ｉｘ）８００〜９００ｍ／ｓ、（ｘ）９００〜１０００ｍ／ｓ、（ｘｉ）１０００〜１１００ｍ／ｓ、（ｘｉｉ）１１００〜１２００ｍ／ｓ、（ｘｉｉｉ）１２００〜１３００ｍ／ｓ、（ｘｉｖ）１３００〜１４００ｍ／ｓ、（ｘｖ）１４００〜１５００ｍ／ｓ、（ｘｖｉ）１５００〜１６００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉ）１６００〜１７００ｍ／ｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７００〜１８００ｍ／ｓ、（ｘｉｘ）１８００〜１９００ｍ／ｓ、（ｘｘ）１９００〜２０００ｍ／ｓ、（ｘｘｉ）２０００〜２１００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉ）２１００〜２２００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２００〜２３００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｖ）２３００〜２４００ｍ／ｓ、（ｘｘｖ）２４００〜２５００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉ）２５００〜２６００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６００〜２７００ｍ／ｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７００〜２８００ｍ／ｓ、（ｘｘｉｘ）２８００〜２９００ｍ／ｓ、（ｘｘｘ）２９００〜３０００ｍ／ｓ、および（ｘｘｘｉ）＞３０００ｍ／ｓからなる群から選ばれる速度で前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの長さに沿って平行移動される、請求項１１に記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１３】
一動作モードにおいて、使用時に、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、（ｉ）＞１００ｍｂａｒ、（ｉｉ）＞１０ｍｂａｒ、（ｉｉｉ）＞１ｍｂａｒ、（ｉｖ）＞０．１ｍｂａｒ、（ｖ）＞１０-2ｍｂａｒ、（ｖｉ）＞１０-3ｍｂａｒ、（ｖｉｉ）＞１０-4ｍｂａｒ、（ｖｉｉｉ）＞１０-5ｍｂａｒ、（ｉｘ）＞１０-6ｍｂａｒ、（ｘ）＜１００ｍｂａｒ、（ｘｉ）＜１０ｍｂａｒ、（ｘｉｉ）＜１ｍｂａｒ、（ｘｉｉｉ）＜０．１ｍｂａｒ、（ｘｉｖ）＜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｖ）＜１０-3ｍｂａｒ、（ｘｖｉ）＜１０-4ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉ）＜１０-5ｍｂａｒ、（ｘｖｉｉｉ）＜１０-6ｍｂａｒ、（ｘｉｘ）１０〜１００ｍｂａｒ、（ｘｘ）１〜１０ｍｂａｒ、（ｘｘｉ）０．１〜１ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉ）１０-2〜１０-1ｍｂａｒ、（ｘｘｉｉｉ）１０-3〜１０-2ｍｂａｒ、（ｘｘｉｖ）１０-4〜１０-3ｍｂａｒ、および（ｘｘｖ）１０-5〜１０-4ｍｂａｒからなる群から選ばれる圧力に維持される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１４】
一動作モードにおいて、質量電荷比が１〜１００、１００〜２００、２００〜３００、３００〜４００、４００〜５００、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００、９００〜１０００または＞１０００の範囲にある１価のイオンの前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でのイオン滞在時間が、（ｉ）０〜１ｍｓ、（ｉｉ）１〜２ｍｓ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｓ、（ｉｖ）３〜４ｍｓ、（ｖ）４〜５ｍｓ、（ｖｉ）５〜６ｍｓ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｓ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｓ、（ｉｘ）８〜９ｍｓ、（ｘ）９〜１０ｍｓ、（ｘｉ）１０〜１１ｍｓ、（ｘｉｉ）１１〜１２ｍｓ、（ｘｉｉｉ）１２〜１３ｍｓ、（ｘｉｖ）１３〜１４ｍｓ、（ｘｖ）１４〜１５ｍｓ、（ｘｖｉ）１５〜１６ｍｓ、（ｘｖｉｉ）１６〜１７ｍｓ、（ｘｖｉｉｉ）１７〜１８ｍｓ、（ｘｉｘ）１８〜１９ｍｓ、（ｘｘ）１９〜２０ｍｓ、（ｘｘｉ）２０〜２１ｍｓ、（ｘｘｉｉ）２１〜２２ｍｓ、（ｘｘｉｉｉ）２２〜２３ｍｓ、（ｘｘｉｖ）２３〜２４ｍｓ、（ｘｘｖ）２４〜２５ｍｓ、（ｘｘｖｉ）２５〜２６ｍｓ、（ｘｘｖｉｉ）２６〜２７ｍｓ、（ｘｘｖｉｉｉ）２７〜２８ｍｓ、（ｘｘｉｘ）２８〜２９ｍｓ、（ｘｘｘ）２９〜３０ｍｓ、（ｘｘｘｉ）３０〜３５ｍｓ、（ｘｘｘｉｉ）３５〜４０ｍｓ、（ｘｘｘｉｉｉ）４０〜４５ｍｓ、（ｘｘｘｉｖ）４５〜５０ｍｓ、（ｘｘｘｖ）５０〜５５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉ）５５〜６０ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉ）６０〜６５ｍｓ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６５〜７０ｍｓ、（ｘｘｘｉｘ）７０〜７５ｍｓ、（ｘｌ）７５〜８０ｍｓ、（ｘｌｉ）８０〜８５ｍｓ、（ｘｌｉｉ）８５〜９０ｍｓ、（ｘｌｉｉｉ）９０〜９５ｍｓ、（ｘｌｉｖ）９５〜１００ｍｓ、および（ｘｌｖ）＞１００ｍｓの範囲である、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１５】
（ａ）一動作モードにおいて、イオンが、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内でガスと衝突することによって衝突冷却および／または熱化され、かつ／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスは、前記複数の電極および／または前記デバイス内に存在するガスを、（ｉ）＜２０Ｋ、（ｉｉ）２０〜４０Ｋ、（ｉｉｉ）４０〜６０Ｋ、（ｉｖ）６０〜８０Ｋ、（ｖ）８０〜１００Ｋ、（ｖｉ）１００〜１２０Ｋ、（ｖｉｉ）１２０〜１４０Ｋ、（ｖｉｉｉ）１４０〜１６０Ｋ、（ｉｘ）１６０〜１８０Ｋ、（ｘ）１８０〜２００Ｋ、（ｘｉ）２００〜２２０Ｋ、（ｘｉｉ）２２０〜２４０Ｋ、（ｘｉｉｉ）２４０〜２６０Ｋ、（ｘｉｖ）２６０〜２８０Ｋ、および（ｘｖ）２８０〜３００Ｋからなる群から選ばれる温度に冷却するための冷却装置をさらに備える、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１６】
レーザポートをさらに備え、使用時に、前記デバイス内に位置するイオンをフラグメンテーションするために前記レーザポートを介してレーザビームが透過される、先行する請求項のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスをさらに備える質量分析計。
【請求項１８】
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１のイオンガイドおよび／または前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの下流に配置された第２のイオンガイドをさらに備える、請求項１７に記載の質量分析計。
【請求項１９】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドは、
（ａ）四重極、六重極、八重極またはより高次のロッドセットイオンガイド、ならびに／または
（ｂ）イオンの進行平面に概ね配置された複数のプレート電極であって、隣接する電極がＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相に維持され、前記イオンガイド内で１つ以上のイオンガイド領域が形成されたプレート電極、ならびに／または
（ｃ）第１のイオン源からのイオンが使用時に出口に移送され、第２の別のイオン源からのイオンが使用時に前記出口に移送されるＹ字型結合領域を有するイオンガイドを含む、請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２０】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドは、開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される複数の電極を備えるイオントンネルイオンガイドを含む請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２１】
前記第１のイオンガイドおよび／または前記第２のイオンガイドを形成する前記複数の電極に第２のＡＣまたはＲＦ電圧を供給するように配置および構成された装置をさらに備え、
（ａ）前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｉ）５０〜１００Ｖピークトゥピーク、（ｉｉｉ）１００〜１５０Ｖピークトゥピーク、（ｉｖ）１５０〜２００Ｖピークトゥピーク、（ｖ）２００〜２５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉ）２５０〜３００Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉ）３００〜３５０Ｖピークトゥピーク、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００Ｖピークトゥピーク、（ｉｘ）４００〜４５０Ｖピークトゥピーク、（ｘ）４５０〜５００Ｖピークトゥピーク、および（ｘｉ）＞５００Ｖピークトゥピークからなる群から選ばれる振幅を有し、かつ／または
（ｂ）前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧は、（ｉ）＜１００ｋＨｚ、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、および（ｘｘｖ）＞１０．０ＭＨｚからなる群から選ばれる周波数を有し、かつ／または
（ｃ）一動作モードにおいて、隣接または近接する電極に前記第２のＡＣまたはＲＦ電圧の反対の位相が供給される、請求項２０に記載の質量分析計。
【請求項２２】
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第１の質量フィルタおよび／または前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流に配置された第２の質量フィルタをさらに備え、前記第１の質量フィルタおよび／または前記第２の質量フィルタは、
（ｉ）四重極ロッドセット質量フィルタ、
（ｉｉ）飛行時間質量フィルタ、および
（ｉｉｉ）磁場型質量フィルタからなる群から選ばれる、請求項１７〜２１のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２３】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第１のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第１のイオン源、ならびに／または
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された第２のイオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝突（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル−６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および（ｘｖｉｉｉ）熱スプレーイオン源からなる群から選ばれる第２のイオン源、ならびに／または
（ｃ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に正電荷の検体イオンを生成するように配置されたイオン源、ならびに／または
（ｄ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン源であって、使用時に負電荷の試薬イオンを生成するように配置されたイオン源をさらに備える、請求項１７〜２２のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２４】
（ａ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオン移動度分離デバイスおよび／またはフィールド非対称イオン移動度分光計、ならびに／あるいは
（ｂ）前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置されたイオントラップまたはイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｃ）電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスの上流および／または下流に配置された衝突、フラグメンテーションまたは反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉ）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｉｉｉ）電子移動解離フラグメンテーションデバイス、（ｉｖ）電子捕獲解離フラグメンテーションデバイス、（ｖ）電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉ）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｖｉｉｉ）赤外放射誘起解離デバイス、（ｉｘ）紫外放射誘起解離デバイス、（ｘ）ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉ）インソースフラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｉｉ）熱または温度源フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｖ）電界誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーションデバイス、（ｘｘｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応デバイス、（ｘｘｉｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応デバイス、（ｘｘｖ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応デバイス、（ｘｘｖｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応デバイス、（ｘｘｖｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応デバイス、および（ｘｘｖｉｉｉ）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応デバイスからなる群から選ばれる衝突、フラグメンテーションまたは反応セル、ならびに／あるいは
（ｄ）（ｉ）四重極質量分析部、（ｉｉ）二次元または線形四重極質量分析部、（ｉｉｉ）ポールまたは三次元四重極質量分析部、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析部、（ｖ）イオントラップ質量分析部、（ｖｉ）磁場型質量分析部、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析部、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析部、（ｉｘ）静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析部、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析部、（ｘｉｉ）飛行時間質量分析部、（ｘｉｉｉ）直交加速式飛行時間質量分析部、および（ｘｉｖ）直線加速式飛行時間質量分析部からなる群から選ばれる質量分析部をさらに備える、請求項１７〜２３のいずれかに記載の質量分析計。
【請求項２５】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスと、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部とを備える質量分析計であって、
使用時に、前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンが負電荷の試薬イオンとの相互作用により反応および／またはフラグメンテーションさせられて複数のフラグメントまたは生成イオンが形成され、
前記検体イオンおよび／または前記試薬イオンおよび／または前記フラグメントまたは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置され、
次いで、フラグメントまたは生成イオンが質量分析のために前記飛行時間質量分析部に移送される、質量分析計。
【請求項２６】
複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイスを準備する工程と、
前記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、電子移動解離によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法を含む質量分析方法。
【請求項２８】
複数の電極を備える電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスを準備する工程と、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスからのイオンを受け取るように配置された軸方向または直交加速式飛行時間質量分析部を準備する工程と、
前記電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイス内で正電荷の検体イオンを負電荷の試薬イオンと反応および／またはフラグメンテーションさせて複数のフラグメントまたは生成イオンを形成する工程であって、前記検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンは、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶ、（ｘｉｉｉ）６０〜６５ｍｅＶ、（ｘｉｖ）６５〜７０ｍｅＶ、および（ｘｖ）＞７０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置された工程と、
フラグメントまたは生成イオンを質量分析のために前記飛行時間質量分析部に移送する工程とを含む、質量分析方法。
【請求項２９】
複数の電極を備えるプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイス。
【請求項３０】
複数の電極を備える反応またはフラグメンテーションデバイスであって、少なくとも１つの開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される少なくとも５個の電極を備えるデバイスを準備する工程と、
前記デバイスを用いてイオンを試薬イオンと反応またはフラグメンテーションさせてフラグメントまたは生成イオンを形成する工程とを含む、プロトン移動反応またはフラグメンテーションによってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項３１】
１つ以上の開口を有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備えるイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイスであって、前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するように配置されるデバイス。
【請求項３２】
前記反応またはフラグメンテーションデバイスは電子移動解離反応またはフラグメンテーションデバイスおよび／またはプロトン移動反応またはフラグメンテーションデバイスを含む、請求項３１に記載のイオン−イオン反応またはフラグメンテーションデバイス。
【請求項３３】
１つ以上の開口を有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
前記デバイス内で生成される検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンが、（ｉ）＜５ｍｅＶ、（ｉｉ）５〜１０ｍｅＶ、（ｉｉｉ）１０〜１５ｍｅＶ、（ｉｖ）１５〜２０ｍｅＶ、（ｖ）２０〜２５ｍｅＶ、（ｖｉ）２５〜３０ｍｅＶ、（ｖｉｉ）３０〜３５ｍｅＶ、（ｖｉｉｉ）３５〜４０ｍｅＶ、（ｉｘ）４０〜４５ｍｅＶ、（ｘ）４５〜５０ｍｅＶ、（ｘｉ）５０〜５５ｍｅＶ、および（ｘｉｉ）５５〜６０ｍｅＶからなる群から選ばれる平均運動エネルギーを有するようにする工程とを含む、イオン−イオン相互作用によってイオンを反応またはフラグメンテーションさせる方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法を含む、電子移動解離反応もしくはフラグメンテーションおよび／またはプロトン移動反応もしくはフラグメンテーションの方法。
【請求項３５】
検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを、＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、かつフラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送するように配置された、電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスを備える質量分析計。
【請求項３６】
電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイス内で検体イオンおよび／または試薬イオンおよび／またはフラグメントもしくは生成イオンを＜４０ｍｅＶ、＜４５ｍｅＶ、＜５０ｍｅＶ、＜５５ｍｅＶまたは＜６０ｍｅＶの運動エネルギーに冷却し、次いで、フラグメントまたは生成イオンを飛行時間質量分析部に移送することを含む質量分析方法。
【請求項３７】
開口をそれぞれが有し、使用時にイオンが前記開口を通って移送される電極を複数備える電子移動解離デバイス、プロトン移動反応デバイスまたはイオン−イオン相互作用デバイスであって、一動作モードにおいて、イオンが前記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込められ、実質的に電界が存在しない領域が、前記複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に形成または生成されるデバイス。
【請求項３８】
開口をそれぞれが有し、イオンが前記開口を通って移送される電極を複数準備する工程と、
イオンを前記デバイス内に半径方向および／または軸方向に閉じ込める工程と、
前記複数の電極の内径によって規定される空間の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％もしくは９０％内または中に、実質的に電界が存在しない領域を形成または生成する工程とを含む、電子移動解離、プロトン移動反応またはイオン−イオン相互作用方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１０−５２２９５７（Ｐ２０１０−５２２９５７Ａ）
【公表日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５００３５２（Ｐ２０１０−５００３５２）
【出願日】平成２０年３月２６日（２００８．３．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００８／００１０２８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１１７０４０
【国際公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【出願人】（５０４１４２０９７）マイクロマス ユーケー リミテッド (57)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２６日（２００８．３．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００８／００１０２８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１１７０４０
【国際公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【出願人】（５０４１４２０９７）マイクロマス ユーケー リミテッド (57)
【Ｆターム（参考）】
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